CN105280833A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明目的之一在于提供一种抑制了使用了量子点时产生的发光强度的偏差，并使像素区域的面内均匀性提高的图像显示装置。设置了发光元件的像素具有多个排列的像素部，发光元件具有：包含量子点的发光层、设置在发光层的一个面上的第1电极、设置于发光层与第1电极之间的绝缘层以及设置于发光层与绝缘层之间的第2电极，第2电极设置成至少一端部与第1电极的上面部重叠。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及使用了发光元件的显示装置。在本说明书中公开的发明的一实施方式包含由使用了量子点材料的发光元件构成像素的显示装置。
背景技术
称为半导体纳米颗粒或量子点的纳米级发光材料的向显示器的应用引人注目。量子点是具有直径为几个纳米的粒径的材料，并由II-VI族、III-V族以及IV-VI族等元素组构成。这样的纳米颗粒通过来自外部的能量线(紫外光、蓝色光)等的照射或施加电场而发光。以往，作为发光材料，已知有机电致发光材料，但量子点具有能够通过使颗粒的尺寸变化而调节发光波长、发光效率高、没有浓度猝灭等以往的材料不能得到的优点。
因此，提出了使用量子点作为新的发光元件来取代有机电致发光元件的显示装置。例如，在日本特开2010-520603号公报中公开了一种发光元件，其在透明的基板上包含透光性的第1电极、与该第1电极对置的第2电极以及在无机半导体矩阵中含有量子点的多晶体无机发光层。另外，在日本特开2012-146689号公报中公开了一种量子点有机电致发光元件的制造方法：在基板上形成第1电极层，在该第1电极层上，从能够相分离的嵌段共聚物膜形成包含纳米尺寸的多个贯通孔的量子点模板膜(templatefilm)，在量子点模板膜的贯通孔内形成包含有机发光层的量子点构造。
发明内容
发明要解决的问题
日本特开2010-520603号公报记载的多晶体无机发光层中，对量子点和半导体矩阵纳米颗粒的胶体分散液进行退火而形成多晶体无机发光层，但在这种制造方法中，膜厚的准确控制较困难。使用了量子点的发光元件在一对电极间施加电场而发光，不管制造方法如何，在一对电极间夹着包含量子点的发光层而成的构造中，由于该发光层的膜厚偏差，发光强度会变化。当其在显示装置的像素部的面内时，由于包含量子点的发光层的膜厚的不均匀性，在像素间发光强度有偏差会成为问题。并且，当将沿纵向层叠了第1电极、包含量子点的发光层以及第2电极而成的堆叠构造的发光元件按原样应用于具有微细像素的高分辨率面板中时，有在相邻像素产生漏光而不能进行正确的颜色显示这样的问题。
另一方面，日本特开2012-146689号公报公开的包含量子点构造的有机电致发光元件是将发光层本身设为微小的柱状并集合而成的元件。但是，其问题是，发光元件的制造方法较复杂，且在制造中伴随着困难。
如日本特开2010-520603号公报和日本特开2012-146689号公报公开的那样，在第1电极与第2电极之间夹着量子点的构造中，即使在发光层内的发光效率高，由于第1电极透光，出射的光由于吸收或在界面的反射损失而衰减会成为问题。
本发明鉴于这样的状况，其目的之一在于提供一种抑制了使用了量子点时产生的发光强度的偏差，并使像素区域的面内均匀性提高的显示装置。另外，其目的之一在于提供一种即使在将像素高分辨率化的情况下，光也不向相邻的像素泄漏的显示装置。
用于解决问题的手段
根据本发明的一实施方式，提供一种显示装置，具有：像素部，排列有多个像素；和发光元件，配置在像素中，发光元件包含：包含量子点的发光层、设置在发光层的一个面上的第1电极、设置于发光层与第1电极之间的绝缘层以及设置于发光层与绝缘层之间的第2电极，第2电极设置成至少一端部与第1电极的上面部重叠。
根据本发明的一实施方式，提供一种显示装置，具有：像素部，排列有像素；和发光元件，配置在像素中，发光元件包含：包含量子点的发光层、设置在发光层的一个面上的第1电极、设置于发光层与第1电极之间的绝缘层以及设置于发光层与绝缘层之间的第2电极，第1电极具有第1母线电极部和从第1母线电极部延伸的第1格栅(grid)电极，第2电极具有母线电极部和从母线电极部延伸的格栅电极，第1格栅电极和第2格栅电极配设成隔着绝缘层咬合。
附图说明
图1是表示本发明一实施方式的发光元件的结构的剖视图。
图2是表示本发明一实施方式的发光元件的结构的剖视图。
图3是表示本发明一实施方式的发光元件的结构的剖视图。
图4是表示本发明一实施方式的发光元件的结构的剖视图。
图5是表示本发明一实施方式的发光元件的结构的剖视图。
图6是表示本发明一实施方式的发光元件的结构的剖视图。
图7是表示本发明一实施方式的显示装置的结构的图。
图8A是表示作为本发明一实施方式的像素的结构，4个子像素呈正方形配置而构成一个像素的一例的图。
图8B是表示作为本发明一实施方式的像素的结构，一个像素由带状配置的三个子像素构成的一例的图。
图9是表示本发明一实施方式的像素的结构的俯视图。
图10是表示本发明一实施方式的像素的结构的剖视图。
图11是表示本发明一实施方式的像素的结构的剖视图。
图12A是表示本发明一实施方式的像素电路的一例的图。
图12B是表示本发明一实施方式的像素电路的一例的图。
图13是表示本发明一实施方式的显示装置的结构的立体图。
图14是表示本发明一实施方式的像素的结构的剖视图，并且是表示在各子像素中设置了发光波长不同的发光元件的一例的图。
图15是表示本发明一实施方式的像素的结构的剖视图，是表示在各子像素中设置了彩色滤光片的一例的图。
图16是表示本发明一实施方式的像素的结构的剖视图，是表示在各子像素中设置了彩色滤光片和颜色转换层的一例的图。
图17是表示本发明一实施方式的像素的结构的俯视图。
图18是表示本发明一实施方式的像素的结构的俯视图。
图19A是表示设置在本发明一实施方式的像素中的电极的结构的俯视图。
图19B是表示设置在本发明一实施方式的像素中的电极的结构的俯视图。
图20是表示本发明一实施方式的像素的结构的剖视图，是表示在发光元件中设置了第3电极的一例的图。
图21A是表示本发明一实施方式的像素电路的一例的图。
图21B是表示本发明一实施方式的像素电路的一例的图。
图22A是表示本发明一实施方式的像素电路的一例的图。
图22B是表示本发明一实施方式的像素电路的一例的图。
图23是表示本发明一实施方式的像素的结构的俯视图，是表示第1电极具有凹形构造的一例的图。
图24是表示本发明一实施方式的像素的结构的剖视图，是表示第1电极具有凹形构造的一例的图。
图25是表示本发明一实施方式的像素的结构的剖视图，并且是表示第1电极具有凹形构造且在各子像素中设置了发光波长不同的发光元件的一例的图。
图26是表示本发明一实施方式的像素的结构的剖视图，并且是表示第1电极具有凹形构造且在各子像素中设置了彩色滤光片的一例的图。
图27是表示本发明一实施方式的像素的结构的剖视图，并且是表示第1电极具有凹形构造且在各子像素中设置了彩色滤光片和颜色转换层的一例的图。
图28A是说明本发明一实施方式的像素的制造方法的剖视图。
图28B是说明本发明一实施方式的像素的制造方法的剖视图。
图28C是说明本发明一实施方式的像素的制造方法的剖视图。
图29A是说明本发明一实施方式的像素的制造方法的剖视图。
图29B是说明本发明一实施方式的像素的制造方法的剖视图。
图30是表示本发明一实施方式的像素的结构的剖视图，是表示在发光元件中设置了第3电极且第1电极具有凹形构造的一例的图。
图31A是表示本发明一实施方式的像素的结构的俯视图，并且是表示第1电极和第2电极设置成呈梳齿状咬合的一例的图。
图31B是表示具有本发明一实施方式的母线电极和格栅电极的像素电极的结构的图。
图31C是表示具有本发明一实施方式的母线电极和格栅电极的像素电极的结构的图。
图32是表示本发明一实施方式的像素的结构的剖视图，并且是表示第1电极和第2电极设置成呈梳齿状咬合的一例的图。
图33A是表示本发明一实施方式的像素的结构的俯视图，并且是表示第1电极具有凹形构造并且第1电极和第2电极设置成呈梳齿状咬合的一例的图。
图33B是表示具有本发明一实施方式的母线电极和格栅电极的像素电极的结构的图。
图33C是表示具有本发明一实施方式的母线电极和格栅电极的像素电极的结构的图。
图34是表示本发明一实施方式的像素的结构的剖视图，并且是表示第1电极具有凹形构造并且第1电极和第2电极设置成呈梳齿状咬合的一例的图。
图35是表示本发明一实施方式的像素的结构的剖视图，并且是表示在发光元件中设置第1至第3电极，第1电极具有凹形构造，并且第1电极和第2电极设置成呈梳齿状咬合的一例的图。
图36是表示设置在本发明一实施方式的像素中的电极的结构的俯视图。
附图标记的说明
100…图像显示装置，102…像素部，104…像素，106…子像素，108…发光元件，110,…第1电极，112…绝缘层，114…第2电极，115…第2电极，116…母线电极，117…载流子注入层和载流子输送层、118…格栅电极，120…发光层，121…第3电极，122…扫描线驱动电路，124…数据线驱动电路，126…输入端子部，128…基板，130…柔性印刷基板，132…封固基板，134…接触部，136…第2接触部，138…层间绝缘层，140…控制元件，142…层间绝缘膜，144…半导体膜，146…栅极绝缘膜，148…栅电极，150…源漏电极，152…隔壁，154…选择晶体管，156…驱动晶体管，158…电容元件，160…扫描信号线，162…数据信号线，164…电源线，166…公共电位线，168…彩色滤光片层，170…颜色转换层，172…保护绝缘层，174…凹形构造部，176…侧壁部，178…基底绝缘膜，180…第1电极，182…第2电极，184…第1母线电极，185…第2母线电极，186…第1格栅电极，187…第2格栅电极。
具体实施方式
以下，参照附图等，说明本发明的实施方式。其中，本发明能够用许多不同的方案实施，不限定于以下例示的实施方式的记载内容来进行解释。另外，为了使说明更明确，与实际方案相比，附图有时对各部的宽度、厚度、形状等进行了示意性表示，但仅为一例，不限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对于已出现的图，有时向与前述要素相同的要素赋予相同的附图标记，并适当省略详细说明。
在本说明书中，某部件或区域设于其他部件或区域“上(或下)”的情况下，只要没有特别的限定，不仅包含其处于其他部件或区域的正上方(或正下方)的情况，也包含处于其他部件或区域的上方(或下方)的情况，即，也包含在其他部件或区域的上方(或下方)，在中间包含有其他构成要素的情况。
[第1实施方式]
图1以剖视图表示本发明一实施方式的发光元件108的结构。发光元件108具有第1电极110、第2电极114、绝缘层112以及发光层120。第1电极110和第2电极114设置于层叠在基板128上的发光层120的一个面上。第1电极110和第2电极114夹着绝缘层112设置。发光层120设置在绝缘层112上，第2电极114设置成由发光层120覆盖。
第1电极110和第2电极114夹着绝缘层112而层叠。相对于设置成宽幅的第1电极110，第2电极114具有长条状或格子状的形态，且与第1电极110相比设置成窄幅。因此，相对于第1电极110的面积，第2电极114与第1电极110重叠的部分的面积相对较小。换句话说，设置成第2电极114的端部配置在第1电极110上。即，第2电极114设置成：在第1电极110的未到达端部的内侧，至少一部分端部重叠。此外，应用于本发明的发光元件的构造不限定于图1所示的构造，例如可对电极构造、绝缘层以及发光层应用各种变形的构造。
在第1电极110的上部，隔着绝缘层112设置有包含量子点的发光层120。包含量子点的发光层120能够应用各种形态。例如，既可以利用量子点的集合体形成发光层120，或者也可以将量子点分散在由无机或有机半导体构成的母体材料中。或者，也可以设置成：发光层120具有空穴或电子注入层、空穴或电子输送层等多层并排设置而成的形态，并在这些层的上部重叠包含量子点的层。另外，也可以设为如下构造，设为：均匀地形成对空穴或电子共同作用的载流子注入层和载流子输送层117，包含量子点的层重叠在其上部。
在图1所示的结构中，当向第1电极110与第2电极114之间提供电位差时，产生电场。图1用虚线示意性地表示在第1电极110与第2电极114之间产生的电场分布。电场从第1电极110朝向第2电极114产生。或从第2电极114朝向第1电极110产生。即，如图1所示，通过以端部位于第1电极110的内侧的方式设置第2电极114，能够从第1电极110朝向第2电极114(或相反地朝向)产生蔓延电场(以下，也称为“边缘电场”)。此外，图1所示的电力线的朝向为一例，根据第1电极110与第2电极114之间的电位的高低、电位差的大小，电场分布会发生各种变化。
由于在第1电极110与第2电极114之间存在绝缘层112和发光层120，边缘电场扩展分布到绝缘层112和发光层120。当向第1电极110与第2电极114之间以预定强度施加边缘电场时，发光层120发光。边缘电场使Fowler-Nordbeim隧穿电子从第1电极110经由绝缘层112向发光层120放出，放出的电子作为载流子注入发光层120。作为发光机理，例如被认为是：注入的载流子由电场加速，并被发光层120所包含的量子点形成的定域化的能级捕获，该载流子向基态跃迁时放出光子，从而发光层120发光。由于向发光层120的载流子的注入量根据电场强度而变化，能够通过电场强度控制发光元件108的发光强度。
如上所述，本实施方式的发光元件108具有如下结构：夹着绝缘层112设置第1电极110和第2电极114，第1电极110和第2电极114设置在发光层120的一个面上，在另一个面上不配设电极。发光元件108的未配设该电极的面成为光出射面。由发光层120发出的光向所有方向辐射。从发光层120朝向光出射面辐射的光能够取出作为向外部的出射光。另一方面，在其相反侧，从发光层120向第1电极110侧辐射的光由第1电极110反射，该反射光的一部分能够从发光层120的光出射面取出作为向外部的出射光。因此，优选的是，第1电极110由反射率高的金属材料形成。
为了将第1电极110设为高反射率的电极，优选使用铝(Al)、银(Ag)或它们的合金等金属材料。铝(Al)或银(Ag)等由于电阻率低且光的反射率高，所以能够适合使用作为第1电极110。
如图1所示，本实施方式的发光元件108在发光层120的一个面上夹着绝缘层112设置控制发光的第1电极110和第2电极114，另一个面成为光出射面。由于在该光出射面上未设置吸收或遮断光的金属电极等障碍物，能够提高发光层120产生的光的取出效率。
此外，在本说明书中，“光取出效率”是指能够取出到外部的光子数相对于发光层内产生的光子数的比例。
与之相对，以电极夹持发光层的上下的所谓夹持型的以往的发光元件虽然在光出射面设置有透光性的电极，由于在该透光性的电极的光吸收和反射不是零，相应地，光的取出效率下降。另外，虽然发光元件的发光强度根据一对电极间的电场强度而发生变化，当发光层的膜厚在元件间或元件内有偏差时，电场强度发生变化，作为结果，发光强度也会有偏差。
在本实施方式中，包含量子点的发光层120可用各种制造方法制造。例如，能够用印刷法、涂布法等湿式工艺制造包含量子点的溶液。在该情况下，当发光层的膜厚有偏差时，在以往的构造中，在元件间发光强度有偏差的问题产生。与之相对，由于本实施方式的发光元件108具有不直接受到发光层120的膜厚的影响的构造，能够抑制发光强度的偏差。
即，由于在本实施方式中示出的发光元件108由处于第1电极110与第2电极114之间的绝缘层112的膜厚决定电场强度，具有发光强度难以因发光层120的膜厚发生变动这样的优点。通过应用溅射法或等离子CVD(化学气相沉积)法等确立的薄膜形成技术，绝缘层112的膜厚控制和得到均匀性较容易。如果绝缘层112的膜厚一定，则不管发光层120的膜厚偏差如何，都能够将电场强度分布设为一定。因此，本实施方式的发光元件108能够控制发光强度而不受发光层120的膜厚分布的影响。
此外，作为用于发光元件108的绝缘层112，能够应用无机绝缘材料或有机绝缘材料。作为无机绝缘材料，能够使用由氧化硅、氮化硅、氧化铝等氧化物或氮化物构成的绝缘材料。另外，作为有机绝缘材料，能够使用聚酰亚胺等有机材料。
发光元件108的发光强度作为形成于第1电极110与第2电极114之间的边缘电场的电场强度分布的积分值而确定。因此，发光元件108中的发光强度的面内分布也能够通过第2电极114的几何学形状(平面形状)来控制。
第2电极114的形状不特别限定，但为了产生扩展到发光层120的边缘电场，优选将第2电极114成形为长条状或格子状。此外，第2电极114的形状不限定于长条状或格子状，能够使用以具有一个或多个开口部的方式成形为任意的形状。例如，第2电极114的形态能够设为网眼状或在平板上设置一个或多个通孔而成的与冲压(punching)板类似的构造。
在任一种情况下，为了使由第1电极110和第2电极114产生的边缘电场有效地作用于发光层120，优选的是，第2电极114在与第1电极110重叠的区域中具有呈网眼状细线化的微细图案。通过微细化第2电极114的形态以使得电场紧密地作用于发光层120的面内，从而有效发光区域扩大，并能够提高发光亮度。
由于第2电极114用导电性的薄膜形成在绝缘层112上即可，能够利用光刻法形成微细且精密的图案。因此，第2电极114能够以高精度形成微细的几何学形状。因此，本实施方式的发光元件108的发光强度基本上难以受到包含量子点材料的发光层120的影响，设置于第1电极110与第2电极114之间的绝缘层112的膜厚和第2电极114的图案尺寸是支配性的，能够以工艺的质量来进行发光亮度的控制。即，即使不使包含量子点材料的发光层120的膜厚控制高精度化，也能够使发光强度或发光强度的面内分布一定。
第2电极114能够用铝(Al)、钛(Ti)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)等各种金属材料或钼(Mo)-钨(W)合金这样的它们的合金材料形成。
由于第1电极110和第2电极114均设置于与发光层120的光出射侧相反一侧的面上，即使用不透光的金属材料设置，也不会遮挡来自发光层120的出射光。即，由于能够设为在从发光层120出射光的一侧不存在遮断或吸收光的遮蔽物，能够降低光的损失。另外，如果用包含氧化锡的氧化铟(氧化铟锡：ITO)等透明导电膜材料形成第2电极114，则能够使由第1电极110反射的光透过第2电极114而从发光层120出射，并能够提高光取出效率。
成形为预定形状的第2电极114的端部侧面即可以垂直地立起，也可以是以向上方开口的朝向倾斜的倾斜面(锥形的面)。当第2电极114的端部侧面为倾斜面时，发光层120能够紧密地与第2电极114导致的层差相接并覆盖，能够提高发光效率。
发光层120所包含的量子点能够应用各种材料。例如，作为量子点，能够使用具有数nm～数十nm的大小的化合物半导体或氧化物半导体的微粒。作为这样的微粒，例如可列举由II-VI族半导体构成的微粒(CdSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnS、ZnTe、HgS、HgTe、CdZnSe等)、由III-V族半导体构成的微粒(InAs、InP、InN、GaN、InSb、InAsP、InGaAs、GaAs、GaP、AlP、AlN、AlSb、CdSeTe、ZnCdSe等)、或由IV-VI族半导体构成的微粒(PbSe、PbTe、PbS、PbSnTe、Tl2SnTe5等)。
另外，作为量子点，也可以使用以IV族半导体构成的量子点。例如，能够使用一个原子层的碳原子的六元环相连而呈平面状排列而成的石墨烯(graphene)。
量子点的构造既可以是仅具有作为发光部位的核部的构造，也可以是在核部的周围具有壳部的核/壳构造。另外，也可以设为壳/核/壳构造等多壳构造。此外，壳是为了提高向核部的电子和空穴的限制功能而设置的物质，优选带隙能量比核部大的物质。利用该壳部，能够降低由非发光跃迁导致的电子和空穴的损失，并提高发光效率。
通过使发光层包含这样的量子点，能够形成量子阱。该量子阱在发光层120中作为发光中心起作用。注入发光层120的载流子被由量子点形成的量子阱捕获，并在再结合的过程中放出光子。
量子点能够利用材料的组成、颗粒的尺寸来控制放出的光即发光波长。因此，通过使粒径一致的量子点分散于发光层120，能够得到频谱峰值尖锐且色纯度高的发光。
在本实施方式中，发光层120具有能够受到由第2电极114导致的边缘电场的影响而发光的膜厚即可。例如，可以具有埋入设置于第2电极114的开口部(例如，长条状的图案排列的空隙的开口部分)的程度的厚度。另外，也可以具有完全埋入第2电极114的程度的膜厚。
作为施加于第1电极110和第2电极114的电压，能够施加直流电压。另外，也可以施加交流电压来驱动发光元件108。在本实施方式中，由于第1电极110和第2电极114由绝缘层112分离，发光元件108具有高的耐压。另外，由于本实施方式的发光元件108不具有用一对电极夹着包含量子点的发光层120的上下的构造，所以能够防止由发光层120的缺陷导致的短路。
如以上，本发明一实施方式的发光元件能够抑制发光强度的偏差而不依存于发光层的膜厚。另外，由于在发光层的与光出射面相反一侧设置了一对电极，所以能够实现从发光层出射的光的有效利用。另外，由于能够大幅降低将异物等夹入电极间而产生短路不良这样的制造上的问题，能够以高的成品率生产产品。
通过在显示装置的像素中设置本实施方式的发光元件，能够使像素区域整体(即显示画面)的发光亮度均匀。另外，通过使发光层包含量子点，能够使发光光谱的峰值尖锐且色纯度高的光出射。
<变形例1>
关于图1所示的发光元件108中的绝缘层112，例如如图2所示，通过设为除了第2电极114的下部之外将其除去而得到的构造，能够使用来自第1电极110的更强的电场。通过进一步除去绝缘层112，由第1电极110表面反射的光不会通过绝缘层，其透射率损失的影响消失，所以能够使发光效率进一步提高。
<变形例2>
关于绝缘层112，例如如图3所示，可以在第2电极114的下部加厚绝缘层112，在不存在第2电极114的第1电极110上使绝缘层112较薄。由此，能够更容易地从第1电极110经由绝缘层112向发光层120放出Fowler-Nordbeim隧穿电子。
<变形例3>
如图4所示，也可以在第2电极114的下部的、绝缘层112的两侧形成第1电极110。这样，能够进一步增强边缘电场。
<变形例4>
如图5所示，也可以是，在第2电极114上部和侧面也设置绝缘层113。这样，能够保护边缘电场免受发光层120形成时的溶液的影响。
<变形例5>
如图6所示，也可以在第2电极114上、绝缘层112侧面上以及不形成第2电极114的第1电极110上设置载流子注入层和输送层117。这样，能够更高效地通过边缘电场提高由载流子注入层和输送层117导致的载流子生成，能够更高效地发光。
[第2实施方式]
<显示装置的结构>
本实施方式表示使用第1实施方式所示的发光元件构成像素的显示装置的一例。
在图7中示出本实施方式的显示装置100的一例。显示装置100具有：在基板128上排列了多个像素104而成的像素部102、向该像素部102输入信号的扫描线驱动电路122、数据线驱动电路124以及输入端子部126。在像素104中设置有具有第1实施方式所示的结构的发光元件。设置于像素的发光元件的发光由从扫描线驱动电路122输出的扫描信号和与该扫描信号同步地从数据线驱动电路124输出的数据信号控制。
图8A和图8B表示设置于像素部102的像素104的一例。图8A和图8B所示的像素104表示由多个子像素构成一个像素的一例。图8A表示在一个像素104中，除了设置与红色对应的第1子像素106a、与绿色对应的第2子像素106b以及与蓝色对应的第3子像素106c，还设置与白色对应的第4子像素106d，且这些子像素呈正方形排列的一例。图8B表示在一个像素104中与红色对应的第1子像素106a、与绿色对应的第2子像素106b以及与蓝色对应的第3子像素106c呈带状排列的一例。
在本实施方式的显示装置中，子像素的排列和结构是任意的，通过组合与不同的颜色对应的子像素而构成一个像素，能够进行彩色显示。
图9表示设置有第1子像素106a、第2子像素106b以及第3子像素106c的像素104的俯视图。在子像素106(第1子像素106a、第2子像素106b、第3子像素106c)的每一个中设置有第1电极110(第1电极110a、第1电极110b、第1电极110c)。第1电极110(第1电极110a、第1电极110b、第1电极110c)分别具有接触部134(接触部134a、接触部134b、接触部134c)。第1电极110(第1电极110a、第1电极110b、第1电极110c)具有分别通过接触部134(接触部134a、接触部134b、接触部134c)与控制元件连接，并独立地控制电位的结构。
在第1电极110(第1电极110a、第1电极110b、第1电极110c)的上部，隔着绝缘层设置有第2电极114。第2电极114设置作为在第1子像素106a、第2子像素106b以及第3子像素106c中公共的电极。
第2电极114具有长条状或格子状的图案。该第2电极114的形状也能够理解作为在第1电极110上延伸的细线状格栅电极118和在第1电极110上延伸设置并与格栅电极118连接的母线电极116的组合。在各像素106中，具有这样的形态的第2电极114配置成与第1电极110(第1电极110a、第1电极110b、第1电极110c)重叠。
在图10中示出与图9所示的A-B线对应的第1子像素106a的剖面构造。如图10所示，在第1子像素106a中，在第1电极110a的上部设置有绝缘层112。第2电极114设置成夹着该绝缘层112与第1电极110a重叠。包含量子点的发光层120设置于绝缘层112的上面部。由此，第2电极114由发光层120覆盖。设置了第1子像素106a的发光元件108a具有层叠了第1电极110a、绝缘层112、第2电极114以及发光层120的构造，其结构与在第1实施方式说明的发光元件相同。此外，第2子像素106b、第3子像素106c的结构也同样如此。
在图10中，由第1电极110a和格栅电极118(第2电极114的一部分)产生的边缘电场在包含量子点的发光层120中扩展分布。在图10中，用虚线示意性表示由第1电极110a和格栅电极118(第2电极114的一部分)产生的边缘电场。当电场施加于包含量子点的发光层120时，发光层120发光。通过利用格栅电极118和母线电极116的组合，将第2电极114设为长条状或格子状的预定图案，能够使边缘电场分布在第1电极110a上，并能够由此激发面状的发光。对于发光元件108a的发光强度，不仅通过第1电极与第2电极之间的电场的强度，也能够通过第2电极的平面形状，控制像素的发光强度和发光分布。
发光层120发出的光从设置了第1电极110a和格栅电极118(第2电极114的一部分)的面的相反一侧的面出射。由于发光层120发出的光全方位辐射，除了从该出射面直接出射的光之外，光也向第1电极110a侧出射。由于第1电极110a由铝(Al)或银(Ag)等金属形成，向第1电极110侧辐射的光反射并能够从发光层120的光出射面出射。这样，通过使用第1电极110作为反射面，能够在发光层120有效地取出发出的光。
此外，第1电极110不仅可以由单层金属形成，也可以将多个导电膜层叠而形成。例如，也可以是，通过在最外表面使用ITO等透明导电膜，并在其最下层设置金属层而设置光反射面。
另外，当至少格栅电极118(第2电极114的一部分)为金属时，能够反射来自发光层120的入射光。另外，在用透明导电膜形成格栅电极118(第2电极114的一部分)的情况下，从发光层120照射的光能够透过第2电极114并在第1电极110a的反射面反射。
此外，发光层120发出的光的一部分在发光层120内导波并也沿横向扩散。在第1电极110a和第2电极114为金属的情况下，在发光层120内多次反射并导波的光的一部分能够在该金属表面漫反射而设为从发光层120向外出射的光。以格栅电极118和母线电极116的组合而成的预定图案形成的第2电极114在使导波光散射方面是有效的。另一方面，在用透明导电膜形成第2电极114的情况下，能够透射由第1电极110反射的光而设为出射光。
在图10中说明了第1子像素106a，第2子像素106b和第3子像素106c中的结构也同样如此。在任一种情况下，由于本实施方式的发光元件108在包含量子点的发光层120的光出射侧不存在电极，能够降低由电极导致的光吸收或反射的影响、由电极形成影子的部分，所以能够提高光的取出效率。
另外，在图10中，也可以是，在第1电极110与基板128之间设置层间绝缘层138，在其下层侧形成有形成像素电路的元件和布线。图11表示发光元件108与形成像素电路的控制元件140连接的结构。
图11所示的发光元件108具有与图10所示的发光元件相同的结构。在控制元件140与发光元件108之间设置有层间绝缘膜142。发光元件108中的第1电极110用设置于层间绝缘膜142的接触部134a与控制元件140的源漏电极150连接。也可以在第1电极110的周缘部设置隔壁152，利用该隔壁152填埋由第1电极110和接触部134a产生的层差。
第1电极110的电位由控制元件140控制。控制元件140能够应用半导体层144和栅电极148由栅极绝缘层146绝缘而成的场效应晶体管。具体而言，具有如下薄膜晶体管的形态，向由非晶体或多晶体的硅或者氧化物半导体形成的半导体层144施加栅极电压而形成沟道。
如图11所示，能够将具有包含量子点的发光层的发光元件、与该发光元件连接的晶体管设置在同一基板上。通过使用这样的晶体管，能够在基板上设置控制各像素的发光的像素电路、向像素提供驱动信号的驱动电路。
<像素电路>
图12A和图12B表示能够应用于本实施方式的显示装置的像素电路的一例。
图12A表示像素电路的一例，所述像素电路具有：根据提供给扫描信号线160的扫描信号进行开关工作的选择晶体管154、基于选择晶体管154从数据信号线162取入的数据信号的电位被提供给栅极的驱动晶体管156。驱动晶体管156连接在电源线164与发光元件108之间。驱动晶体管156的栅极电位由电容元件158保持。发光元件108为两个端子，与在图9和图10说明的发光元件108对应地进行说明，成为如下结构：第1电极侧与驱动晶体管156连接，第2电极与公共电位线166连接。在本实施方式中，由于第1电极和第2电极夹着绝缘层设置，发光元件108也能够看作电容性的元件。
图12B表示从选择晶体管154提供的电位被直接提供给发光元件108、且电容元件158保持该电位的结构的像素电路。这样，本实施方式的发光元件108能够省略驱动晶体管156并利用选择晶体管154控制发光。
<显示装置的外观结构>
图13是表示本实施方式的显示装置的结构的立体图。表示设置有像素部102、数据线驱动电路124、设置了柔性印刷基板130的基板128以及设置成与像素部102重叠的封固基板132的方案。
像素部102中的像素104的发光具有向封固基板132侧出射的顶部发射型的结构。虽然有时也在发光层120的上面设置钝化膜、封固基板，但由于在光出射面不存在电极，能够设为不存在由电极导致的光吸收或反射的影响、由电极形成影子的部分，能够提高像素的开口率。
<像素部的结构>
图9示出了与红色对应的第1子像素106a、与绿色对应的第2子像素106b以及与蓝色对应的第3子像素106c排列的例子。各像素的发光颜色能够通过使发光层120所包含的量子点的组成、颗粒的尺寸不同来控制。图14表示在各子像素中设置发光颜色不同的发光层的一例。
图14中，在第1子像素106a中设置有第1电极110a，在第2子像素106b中设置有第1电极110b，在第3子像素106c中设置有第1电极110c。第2电极114(格栅电极118)设置作为向第1至第3子像素提供公共电位的电极。第1电极110与第2电极114(格栅电极118)之间的绝缘层112设置成覆盖第1电极110a、第1电极110b以及第1电极110c。
在第1子像素106a中设置有第1发光层120a，在第2子像素106b中设置有第2发光层120b，在第3子像素106c中设置有第3发光层120c。第1发光层120a、第2发光层120b以及第3发光层120c的每一个包含有不同粒径的量子点，并调整了发光波长。例如，可以选择量子点，以使得第1发光层120a发出红色光，第2发光层120b发出绿色光，第3发光层120c发出蓝色光。
这样，根据图14所示的像素104的结构，通过与各颜色对应地设置具有量子点的发光层，能够构成出射色纯度高的光的像素。
图15表示在第1子像素106a、第2子像素106b以及第3子像素106c中共用地设置发出白色光的发光层120d，且在每个子像素中设置了与红色对应的第1彩色滤光片层168a、与绿色对应的第2彩色滤光片层168b以及与蓝色对应的第3彩色滤光片层168c而成的像素结构的一例。根据图15的结构，由于无需按每个子像素分割设置发光层，发光层的制造变容易。
图16表示在各像素中公共设置了发出蓝色或紫外光的发光层120e而成的一例。在发光层120e的上方，根据各像素设置有与红色对应的第1颜色转换层170a、与绿色对应的第2颜色转换层170b以及与蓝色对应的第3颜色转换层170c。通过使从发光层120e辐射的蓝色光或紫外光向各颜色转换层入射，从颜色转换层出射与各颜色对应的光。为了提高从颜色转换层出射的光的色纯度，也可以进一步组合彩色滤光片层168(与红色对应的第1彩色滤光片层168a、与绿色对应的第2彩色滤光片层168b以及与蓝色对应的第3彩色滤光片层168c)。另外，颜色转换层设为能够转换成白色或接近白色的光，并设置成与各子像素连续。
根据图14、图15以及图16，能够设为：各子像素的发光元件的构造共用，而使发光层的量子点的组成、粒径不同或，或者在各子像素中公共地设置单色的发光层并利用彩色滤光片层和/或颜色转换层使从像素出射的光的波长不同。
如以上，本实施方式的显示装置能够通过在像素部中设置上述结构的像素来显示图像。在该情况下，如果将设置于第1电极与第2电极之间的绝缘层的膜厚设为一定，则各像素的发光元件的发光强度能够利用第1电极和第2电极的电位差来控制而不依存于发光层的膜厚。因此，即使发光层的膜厚有偏差，也能够不受到其影响。因此，即使将显示装置的像素部即显示画面大面积化，也能够降低发光亮度的偏差。
另外，由于通过使发光层包含量子点，能够使发光光谱的峰值尖锐且色纯度高的光出射，能够显示鲜明的图像。并且，通过各像素的发光元件设为在发光层中包含量子点，且不在发光层的上面部设置电极的结构，能够提高发光效率和光的取出效率，并能够实现显示装置的低功耗化。
<变形例6>
图17表示可应用于本实施方式中的显示装置的像素的另一例。图17所示的像素104b的与红色对应的第1子像素106a、与绿色对应的第2子像素106b以及与蓝色对应的第3子像素106c相邻地排列。与之相对，设置成这些子像素共有第1电极110。另一方面，第2电极114a、第2电极114b以及第2电极114c在各子像素中独立地设置，通过在各自的接触部134(接触部134a、接触部134b、接触部134c)与控制元件连接，成为独立地控制电位的结构。
根据图17所示的像素104b的结构，由于第1电极110作为反射电极，用铝(Al)、银(Ag)等低电阻的金属材料形成，即使在由于像素部的大面积化而第1电极110的面积扩大的情况下，也能够降低电极电阻的影响。另一方面，由于第2电极114(第2电极114a、第2电极114b、第2电极114c)相对于各子像素设置作为独立电极，即使使用透明导电膜形成，也能够基本上不受到电阻的影响。并且，能够将第1电极110反射的来自发光层的光透过第2电极114(第2电极114a、第2电极114b、第2电极114c)并出射。
沿着图17所示的A-B线的像素的剖面构造与图10所示的构造相同。图17所示的像素104b与图9所示的像素同样地，能够通过第1电极与第2电极的间隔，即设置于第1电极与第2电极之间的绝缘层的厚度、第2电极的图案来调节发光元件的发光强度而不受到发光层的膜厚的影响。
<变形例7>
图18表示应用于本实施方式中的显示装置的像素的另一例。图18所示的像素104c的与红色对应的第1子像素106a、与绿色对应的第2子像素106b以及与蓝色对应的第3子像素106【c】相邻地排列。在这些子像素中，第1电极110(第1电极110a、第1电极110b、第1电极110c)和第2电极114(第2电极114a、第2电极114b、第2电极114c)设置成在各子像素中独立地控制电位。即，在第1子像素106a中，第1电极110a用接触部134a与控制元件连接，第2电极114a用第2接触部136a与控制元件连接，并独立地控制电位。在第2子像素106b、第3子像素106c中也同样如此。此外，沿着图18所示的A-B线的剖面构造与图10所示的构造相同。
如图18所示，通过在各子像素中独立地控制第1电极和第2电极的电位，能够更精密地控制各子像素的发光强度。图18所示的像素的结构与图9所示的像素同样地，能够通过第1电极与第2电极的间隔，即设置于第1电极与第2电极之间的绝缘层的厚度、第2电极的图案来调节发光元件的发光强度而不受到发光层的膜厚的影响。
<变形例8>
在本实施方式中，第2电极114配置成在第1电极的上部至少一部分端部重叠。当第2电极114的端部配置于第1电极的上部时，在向两电极间提供电位差时，能够在第2电极的周围产生边缘电场。此时，第2电极114的形状为任意，但为了在像素的面内有效地使边缘电场产生，并使之作用于发光层120，也可以具有V形臂章形(chevron)的构造。
图19A和图19B表示V形臂章形的第2电极的一例。图19A所示的第2电极115a具有在格栅电极118将大致中央部设为顶部时，斜线部向左右扩展的倒V字的形态。而且，母线电极116向格栅电极118的两侧延伸。另外，图19B所示的第2电极115b的母线电极116在作为V形臂章形而呈倒V字形的格栅电极118的大致中央部延伸。
这样的图19A所示的第2电极115a和图19B所示的第2电极115b能够替换为图9、图17以及图18所示的第2电极而使用。根据图19A和图19B所示的第2电极的形态，能够改善视角特性。电场强度最强的位置是第2电极的边缘部分。该边缘部分成为发光最强的区域。该边缘部分在图19A和图19B的第2电极的形状中为倾斜的部分。由此，从上下左右斜向的任意方向观察显示器都改善视角特性。
[第3实施方式]
图20表示本实施方式的显示装置中的像素的剖面构造。在图20中，发光元件108b具有第1电极110、绝缘层112、第2电极114以及发光层120。并且，本实施方式的发光元件108b在发光层120上设置有第3电极121。第3电极121设置在发光层120的与第1电极110侧相反一侧的面上。
第3电极121配置于发光层120的光出射面侧。因此，第3电极121是透光性的电极，例如用添加了氧化锡的氧化铟(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟·氧化锌(IZO)等透明导电膜材料或半透光金属膜形成。在图20中，示出了第3电极121与发光层120接触的结构，也可以在第3电极121与发光层120之间隔着绝缘层。
通过设置第3电极121，能够控制发光层120的电场分布。由于第3电极121夹着发光层120设置于与第1电极110和格栅电极118(第2电极114的一部分)相反一侧的面上，能够通过相互控制这些电极的电位而控制扩展到发光层120的电场分布。
例如，在向第1电极110与第2电极114之间提供电位差的情况下，能够将第3电极121的电位设为与第1电极110的电位相同的电位。在该情况下，能够从第1电极110和第3电极121朝向第2电极114产生电场，并将电场扩展到包含量子点的发光层120整体。
图21A表示向发光元件108b的第1电极110和第3电极121提供等电位的情况下的像素电路的一例。发光元件108b的第1电极和第3电极与驱动晶体管156连接，第2电极114与公共电位线166连接。另外，如图21B所示，也可以是，发光元件108b的第1电极和第2电极与公共电位线166连接，第2电极与驱动晶体管156连接。
当相对于第1电极110的电位将格栅电极118(第2电极114的一部分)和第3电极121的电位设为公共电位时，由于格栅电极118(第2电极114的一部分)和第3电极121重叠的区域成为等电位，所以不怎么有助于发光。但是，由于能够利用第1电极110的电位与格栅电极118(第2电极114的一部分)和第3电极121的电位差，在格栅电极118(第2电极114的一部分)的开口部发光，能够在像素的面内控制发光区域。
图22A表示相对于发光元件108b的第1电极110的电位，将第2电极114和第3电极121的电位设为公共电位的情况下的像素电路的一例。发光元件108b的第1电极与驱动晶体管156连接，第2电极和第3电极与公共电位线166连接。此外，在相对于第3电极121的电位将第1电极110和第2电极114的电位设为公共电位的情况下也同样如此。
另外，在图20所示的发光元件108b中，能够独立地控制第1电极110、第2电极114以及第3电极121的电位。图22B表示这样的情况下的像素电路的一例。发光元件108b的第2电极与驱动晶体管156连接，第1电极与第1公共电位线166a连接，第3电极与第2公共电位线166b连接。在这样的像素电路的结构中，在从驱动晶体管156向发光元件108b的第2电极提供基于图像信号的电位时，如果第1电极的电位是预定的公共电位，则发光元件108b发光。此时，通过第2公共电位线166b将第3电极的电位控制为电场强度变强，能够控制为提高发光强度。另外，也可以与之相反地，也能够控制为减弱发光元件108b的发光强度。
根据本实施方式，在第2实施方式中的显示装置得到的效果的基础上，通过在发光元件中设置第3电极，还能够提高发光效率，并更精密地控制发光强度。
[第4实施方式]
<显示装置的结构>
本实施方式表示能够将从发光元件辐射的光向一个方向集中的像素的结构。图23是说明本实施方式的显示装置的像素104d的俯视图。另外，在图24中示出沿着图23所示的C-D线的剖面构造。
如图23所示，像素104d的与红色对应的第1子像素106a、与绿色对应的第2子像素106b以及与蓝色对应的第3子像素106c相邻地排列。在本实施方式中，第1电极110(第1电极110a、第1电极110b、第1电极110c)不平坦，当将中央假定为大致平坦的基准面时，电极周缘部具有向上方(设置了发光层120的面一侧)弯曲的倾斜面。即，第1电极110(第1电极110a、第1电极110b、第1电极110c)具有位于发光层120的底面侧的平坦部和以包围发光层120的方式设置的侧面部。在本说明书中，有时将这样的第1电极的形态称为“浴缸构造”。另外，有时指示这样的构造部而称为“凹形构造部”。
在凹形构造部174中第2电极114隔着绝缘层设置在第1电极110上。如第2实施方式说明的那样，第2电极114例如以组合了格栅电极118和母线电极116的图案形成。发光层120设置在绝缘层112的上面。发光层120设置成至少填埋第2电极114的该开口部。另外，发光层120至少设置在凹形构造部174的内侧。
第1电极110以金属材料形成，并形成反射面。由发光层120发出的光向所有方向辐射。从发光层120向第1电极110辐射的光由第1电极110反射，且至少一部分从发光层120的上表面出射。另一方面，在发光层120中沿横向导波的光由凹形构造部174的周缘部的侧壁部反射。由此，抑制了向相邻的像素的漏光。并且，由于朝向发光层120的上方反射的光从发光层120出射，能够取出到外部。
设置于各子像素106(第1子像素106a、第2子像素106b以及第3子像素106c)的凹形构造部174的深度至少比第2电极114的厚度深，优选的是供发光层120填埋的深度。通过设为这样的构造，由设置于凹形构造部174的周缘部的倾斜面使在发光层120中导波的光反射，能够提高光取出效率。
上述所示的第1电极110的形状能够通过加工基底绝缘膜而形成凹面，并沿着该凹面设置形成电极的金属膜而制造。另外，能够加工用于形成电极的金属膜而设为凹面构造。或者，能够通过将多个金属膜层叠，将形成凹形构造部174的底面的金属层和形成倾斜面的金属层重叠而设为凹面构造。
这样，根据本实施方式的像素结构，能够将在发光层发出的光向光出射面的方向聚光。由此，能够将在发光层中沿横向扩散的光取出到外部。即，能够提高在像素发出的光的取出效率。
<像素的结构>
图23示出了与红色对应的第1子像素106a、与绿色对应的第2子像素106b以及与蓝色对应的第3子像素106c排列的例子。各像素的发光颜色可设为：使量子点材料的组成、颗粒的尺寸不同而以预定的发光颜色将光出射。
图25A表示在各子像素中设置发光颜色不同的第1发光层120a、第2发光层120b以及第3发光层120c的一例。在图25A中，第1电极110(第1电极110a、第2电极114b、第2电极114c)独立设置于各子像素，第2电极114在子像素间设置作为公共的电极。另外，在第1电极110上设置有绝缘层112。根据图25A的结构，通过与各颜色对应地设置具有量子点的第1发光层120a、第2发光层120b以及第3发光层120c，能够构成出射色纯度高的光的像素。
此时，由于在各子像素中设置有凹形构造部174，例如在第1子像素106a发出的光中的沿横向导波的光由凹形构造部174的倾斜面反射。因此，能够防止光向相邻的第2子像素106b泄漏。因此，能够防止颜色混合，并与量子点的效果相结合而进行色纯度高的图像显示。
图26表示在第1子像素106a、第2子像素106b以及第3子像素106c中公共地设置发出白色光的发光层120d，且在每个子像素中设置了与红色对应的第1彩色滤光片层168a、与绿色对应的第2彩色滤光片层168b以及与蓝色对应的第3彩色滤光片层168c而成的像素结构的一例。根据图26的结构，由于无需按每个子像素分割设置发光层，发光层的制造变容易。
此时，各子像素的发光为单色，例如能够抑制在第1子像素106a发出的光向倾斜方向辐射并向相邻的第2子像素106b的彩色滤光片层168b入射。
图27表示在各像素中公共设置了发出蓝色或紫外光的发光层120e而成的一例。在发光层120e的上方，根据各像素设置有与红色对应的第1颜色转换层170a、与绿色对应的第2颜色转换层170b以及与蓝色对应的第3颜色转换层170c。通过使从发光层120b辐射的蓝色光或紫外光向各颜色转换层入射，从颜色转换层出射与各颜色对应的光。为了提高从颜色转换层出射的光的色纯度，也可以进一步组合彩色滤光片层168(与红色对应的第1彩色滤光片层168a、与绿色对应的第2彩色滤光片层168b以及与蓝色对应的第3彩色滤光片层168c)。另外，颜色转换层设为能够转换成白色或接近白色的光，并设置成与各子像素连续。
在该情况下，也能够利用设置于各子像素的凹形构造部，抑制光向相邻的像素泄漏而产生颜色混合。
根据图25、图26以及图27，能够设为：各子像素的发光元件的构造共用，而使发光层的量子点不同或，或者在各子像素中公共地设置单色的发光层并利用彩色滤光片层和/或颜色转换层使从像素出射的光的波长不同。
<制造工序>
参照图28A至图28C说明本实施方式的显示装置的制造方法。
图28A表示制造基底绝缘膜178的阶段。基底绝缘膜178设置于成为显示装置的基体的基板128上。基底绝缘膜178能够设置在埋入形成像素电路的控制元件、布线等的层间绝缘膜142上。基底绝缘膜178能够使用无机绝缘材料或有机绝缘材料形成。作为无机绝缘材料，能够使用氧化硅、氮化硅等。作为有机绝缘材料，能够使用聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等。
在基底绝缘膜178上，与形成发光元件的位置相匹配地形成凹形构造部174。凹形构造部174能够通过利用蚀刻往下挖基底绝缘膜178而形成。另外，也能够通过以多个层形成基底绝缘膜178来形成凹形构造部174。例如，能够通过在大致平坦的第1基底绝缘膜上，形成蚀刻速率比该第1基底绝缘膜快的第2基底绝缘膜，并选择性地蚀刻第2基底绝缘膜而形成凹形构造部174。
优选的是，设置于基底绝缘膜178的凹形构造部174的侧壁部176成为倾斜面。通过沿着该侧壁部176设置第1电极，能够利用作为反射发光层发出的光的反射面。因此，根据第1电极的层差覆盖性和作为光反射面的作用的方面，该倾斜部176的倾斜角为30度至70度，优选处于45度至60度的范围。另外，由凹形构造部174导致的层差的高度为0.2μm至10μm，优选为0.5μm至5μm。由于具有这样的层差的高度，能够沿着凹形构造部174的倾斜部176设置第1电极，并使用作为反射板。
图28B表示在形成了凹形构造部174的基底绝缘膜178的上表面上形成第1电极110和绝缘层112的阶段。第1电极110由金属材料形成。例如，能够使用铝(Al)、银(Ag)等金属材料形成第1电极110。将在基底绝缘膜178上以厚膜形成的铝(Al)、银(Ag)等金属膜图案化而形成第1电极110后，形成绝缘层112。绝缘层112使用氧化硅、氮化硅等绝缘材料形成为100nm至1000nm的厚度。另外，在用铝(Al)形成第1电极110的情况下，可以利用阳极氧化处理将铝(Al)的表面氧化而使用作为绝缘层112。
图28C表示在绝缘层112上形成第2电极114和发光层120的阶段。第2电极114配置于第1电极110的上部，并形成为格栅电极118从母线电极116延伸的图案，从而能够使边缘电场产生。除了铝(Al)以外，第2电极114还能够使用钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo)、钨(W)等金属材料或者钼(Mo)-钨(W)合金等这些金属的合金来制造。另外，也可以使用ITO(IndiumTinOxide：氧化铟锡)、ZnO、IZO(IndiumZincOxide：氧化铟锌)等透明导电膜形成。
包含量子点的发光层120以与第1电极110重叠的方式设置在绝缘层112和至少格栅电极118(第2电极114的一部分)上。发光层120至少设置于凹形构造部174的内侧。为了在各子像素使发光颜色不同，需要使量子点的尺寸不同。在该情况下，通过将各子像素的发光层设置于凹形构造部174的内侧，容易分离形成发光层而不与相邻的子像素干涉。
包含量子点的发光层120用各种制造方法形成。例如，利用旋涂法或浸渍法、丝网印刷法、胶印法、苯胺印刷法、凸版印刷法等涂布法使量子点的胶体分散液涂布并堆积在绝缘层112上。此时，也可以使用成为发光层120的母体材料的无机半导体的微粒与量子点的共分散液。另外，也可以将分散有量子点的有机溶剂喷射喷雾并且离子化，并使其堆积于作为被堆积面的绝缘层112上。并且，也可以利用喷墨法形成包含量子点的溶液。这样，能够利用涂布法以埋设第2电极114的方式在绝缘层112上形成包含量子点的膜，并根据需要进行热处理而除去残留的溶剂，从而形成发光层120。
也可以在发光层120的上面设置氮化硅等覆膜作为保护膜。另外，也可以设置封固基板，不直接暴露于大气。另外，在将发光层设为单色的发光体并设置颜色转换层和/或彩色滤光片层的情况下，也可以在发光层120上设置这些层。
图29A表示在发光层120上设置颜色转换层170的结构。如图29A所示，通过靠近发光层120设置颜色转换层170，能够充分吸收来自发光层120的光，另外防止向相邻的像素的漏光。此外，在图29A中，也可以设置彩色滤光片层来代替颜色转换层。图29B表示在颜色转换层170上重叠设置了彩色滤光片层168的结构。也可以在颜色转换层170与彩色滤光片层168之间设置绝缘层172。
为了进行彩色显示，图29A和图29B所示的像素的结构无需按每个像素(每个子像素)分别制造发光层120，能够利用印刷法等与各像素(各子像素)对应地分别制造颜色转换层和/或彩色滤光片层，所以虽然工序数增加，但工序的难易度变容易。
如以上，根据本实施方式，通过将位于设置在像素中的发光元件的背面侧的第1电极的周缘部设为弯曲的形状，并设置成包围发光层的背面和侧面，能够将第1电极有效地利用作为反射板。由此，包含量子点的发光层发出的光的出射方向被限制为表面(出射面)侧，能够提高光的取出效率。
另外，如第2实施方式所述，由于各像素的发光元件的发光强度由第1电极与第2电极的间隔即设置于第1电极与第2电极之间的绝缘层的厚度、第2电极的图案控制，即使发光层的膜厚有偏差，也能够设为不受到其影响。因此，即使将显示装置的像素部即显示画面大面积化，也能够降低发光亮度的偏差。另外，由于通过使发光层包含量子点，能够使发光光谱的峰值尖锐且色纯度高的光出射，能够显示鲜明的图像。并且，通过各像素的发光元件设为在发光层中包含量子点，且不在发光层的上面部设置电极的结构，能够提高发光效率和光的取出效率，并能够实现显示装置的低功耗化。
[第5实施方式]
图30表示本实施方式的显示装置的子像素。本实施方式的显示装置与第4实施方式所示的显示装置同样地，第1电极110具有浴缸构造。即，发光元件108b具有如下结构：第1电极110为反射电极，并且其周缘部弯曲而给光的出射带来指向性。并且，如第3实施方式所示，设置有与第1电极110对置的第3电极121。第3电极121设置在发光层120的光出射侧的面上。
根据本实施方式，与第3实施方式同样地，通过在发光元件中设置第3电极，能够提高发光效率，并更精密地控制发光强度。
[第6实施方式]
参照图31A、图31B、图31C以及图32说明本发明的第6实施方式的显示装置。在本实施方式中，示出了与在第2实施方式中说明的设置于像素的发光元件相比，第1电极的结构不同。
图31A表示本实施方式的显示装置中的像素104e的俯视图，图31B表示具有母线电极184和格栅电极186的第1电极180，图31C表示具有母线电极185和格栅电极187的第2电极182。另外，在图32中示出沿着图31A所示的E-F线的剖面构造。图31A表示像素104e中设置有第1子像素106a、第2子像素106b以及第3子像素106c的方案。在各子像素中，第2电极182的从母线电极185延伸的格栅电极187形成有长条状或梳齿状的图案。第1电极180的从母线电极184延伸的格栅电极186以与第2电极182的长条状或梳齿状的图案咬合的方式形成有长条状或梳齿状的图案。能够用金属形成第1电极180和第2电极182，由此，能够使它们具有作为将发光层120发出的光反射的反射板的作用。
参照图32，第1电极180和第2电极182夹着绝缘层112交替设置。通过设为这样的结构，能够使第1电极180的长条状或梳齿状的图案端部、第2电极的长条状或梳齿状的图案端部更接近。在向第1电极180和第2电极182提供电位差时，由于第1电极180与第2电极182的端部夹着绝缘层112而接近，能够增强电场强度。由此，能够提高发光效率。另外，由于第1电极180和第2电极182重叠的面积减少，能够降低发光元件108的电容成分，能够更高速地驱动。
此外，在本实施方式中，除了第1电极180的结构不同以外，与第2实施方式相同。另外，在本实施方式中，第1电极180和第2电极182能够应用图17、图18、图19A或图19B所示的第1电极和第2电极的结构。
即，也可以是，将第1电极180作为对多个像素(子像素)提供公共电位的公共电极，将第2电极182作为独立电极。另外，也可以将第1电极180和第2电极182设为在各个像素(子像素)中独立地控制电位。
如图15所示，像素104e也可以设为在各子像素中重叠设置彩色滤光片层。另外，如图16所示，也可以重叠设置颜色转换层和彩色滤光片层。另外，也可以是，如图19A和图19B所示，第1电极和第2电极具有V形臂章形的构造。
根据本实施方式，在第2实施方式得到的作用效果的基础上，由于能够提高施加至发光元件的电场强度，能够得到亮度更高的发光。或者，在将发光元件的亮度设为一定的情况下，能够用低电压驱动。
[第7实施方式]
本实施方式表示将第4实施方式所示的浴缸构造的像素应用于第6实施方式所示的像素结构而成的一例。图33A表示本实施方式的像素104f的俯视图，图33B表示具有母线电极184和格栅电极186的第1电极180，图33C表示具有母线电极185和格栅电极187的第1电极180。另外，在图34中示出沿着图33A所示的G-H线的剖面构造。
在本实施方式中，除了第1电极180具有浴缸构造，发光元件108的方案与第6实施方式相同。第1电极180反映了设置在像素(子像素)中的凹形构造部174的形状而具有位于周缘部的母线电极184向上方弯曲的倾斜面。第1电极180由金属形成，并具有作为将发光层120发出的光反射的反射板的作用。
发光层120发出的光除了向正面侧(图34中所示箭头表示的方向)出射外，向第1电极180侧辐射的光被反射并向正面方向出射。另外，由于第1电极180为浴缸形，能够由其面反射在发光层120中导波的光而使其向正面方向出射。
根据本实施方式，除了在第6实施方式中得到的作用效果之外，由于第1电极具有浴缸形的形态，能够使发光层发出的光向正面侧聚光并出射。由此，由于能够将沿着发光层的横向扩散的光取出到外部，能够实现光的有效利用，并提高外部量子效率。
[第8实施方式]
图35表示本实施方式的显示装置的像素104f。与第7实施方式所示的显示装置同样地，本实施方式的显示装置具有浴缸构造。即，设置于像素104f的发光元件具有如下结构：第1电极180具有浴缸构造，第1电极110为反射电极，并且其周缘部弯曲而给光的出射带来指向性。并且，如第3实施方式所示，设置有与第1电极110对置的第3电极121。第3电极121设置在发光层120的光出射侧的面上。
根据本实施方式，与第3实施方式同样地，通过在发光元件中设置第3电极，能够提高发光效率，并更精密地控制发光强度。
[第9实施方式]
本实施方式例示了能够提高从发光元件辐射的光的色纯度的像素的结构。
在图36中表示本实施方式的像素100c的俯视图。在像素100c中包含有第1子像素106a、第2子像素106b以及第3子像素106c。在图36中，在各子像素中，具有平板状的第1电极110和第2电极114，所述第2电极114在第1电极上具有向一个方向延伸的母线电极116和从母线电极116延伸的多个格栅电极118。
在图36中，与红色对应的第1子像素106a中的第2电极114a的格栅电极118a的间距、与绿色对应的第2子像素106b中的第2电极114b的格栅电极118b的间距、与蓝色对应的第3子像素106c中的第2电极114c的格栅电极118c的间距分别不同。
例如,当将与红色对应的第1像素104a的中心波长设为0.75μm,将与绿色对应的第2子像素106b的中心波长设为0.55μm，将与蓝色对应的第3子像素106c的中心波长设为0.45μm时，各子像素中的第2电极的格栅电极的间隔能够设为该各波长的整数倍。
这样，通过基于各子像素出射的波长，对于出射长波长光的像素，与其波长相匹配地加宽第2电极的格栅电极的间隔，对于短波长的子像素，与出射波长相匹配地缩窄间隔，能够利用光的干涉作用而提高出射光的色纯度。
图36所示的像素电极的构造能够置换并应用为第2至第8实施方式所示的各像素中的发光元件的电极。通过应用本实施方式所示的电极的结构，能够在上述各实施方式得到的作用效果的基础上，得到能够提高出射光的色纯度这样的效果。

Claims (19)

1.一种显示装置，其特征在于，具有：
像素部，排列有多个像素；和
发光元件，配置在所述像素中，
所述发光元件包含：包含量子点的发光层、设置在所述发光层的一个面上的第1电极、设置于所述发光层与所述第1电极之间的绝缘层以及设置于所述发光层与所述绝缘层之间的第2电极，
所述第2电极设置成至少一端部与所述第1电极的上面部重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第1电极在所述发光层侧具有光反射面。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第1电极的周缘部向所述发光层一侧弯曲。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第1电极沿着设置于该第1电极的基底侧的绝缘层的凹形部设置，所述第1电极的周缘部与所述凹形部的层差区域重叠。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述发光层的与所述第1电极相反一侧的面上设置有第3电极。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第2电极具有母线电极部和从所述母线电极部延伸的格栅电极，所述一端部包含于所述格栅电极。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第2电极具有母线电极部和从所述母线电极部延伸的多个格栅电极，所述多个格栅电极呈V形臂章形弯曲。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第2电极具有母线电极部和从所述母线电极部延伸的多个格栅电极，所述多个格栅电极的间隔为所述发光元件的发光中心波长的整数倍。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在所述像素部中，所述第1电极与所述像素对应地独立设置，所述第2电极在所述像素部所包含的多个像素中公共地设置。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在所述像素部中，所述第1电极在所述像素部所包含的多个像素中公共地设置，所述第2电极与所述像素对应地独立设置。
11.一种显示装置，其特征在于，具有：
像素部，排列有像素；和
发光元件，配置在所述像素中，
所述发光元件包含：包含量子点的发光层、设置在所述发光层的一个面上的第1电极、设置于所述发光层与所述第1电极之间的绝缘层以及设置于所述发光层与所述绝缘层之间的第2电极，
所述第1电极具有第1母线电极部和从所述第1母线电极部延伸的第1格栅电极，
所述第2电极具有第1母线电极部和从所述第1母线电极部延伸的第2格栅电极，
所述第1格栅电极和所述第2格栅电极隔着所述绝缘层咬合配设。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
所述第1电极的所述第1母线电极部和所述第1格栅电极在所述发光层侧具有光反射面。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
所述第1电极的所述第1母线电极部在周缘部向所述发光层一侧弯曲。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
所述第1电极沿着设置于该第1电极的基底侧的绝缘层的凹形部设置，在所述第1电极的周缘部，所述第1母线电极部与所述凹形部的层差区域重叠。
15.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
所述发光层的与所述第1电极相反一侧的面上设置有第3电极。
16.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
所述第1电极具有多个所述第1格栅电极，所述第2电极具有多个所述第2格栅电极，所述多个第1格栅电极和所述多个第2格栅电极的每一个呈V形臂章形弯曲。
17.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
所述第1电极具有多个所述第1格栅电极，所述第2电极具有多个所述第2格栅电极，所述多个第1格栅电极和所述多个第2格栅电极的每一个的间隔为所述发光元件的发光中心波长的整数倍。
18.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
在所述像素部中，所述第1电极与所述像素对应地独立设置，所述第2电极在所述像素部所包含的多个像素中公共地设置。
19.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
在所述像素部中，所述第1电极在所述像素部所包含的多个像素中公共地设置，所述第2电极与所述像素对应地独立设置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107623013A (zh) * 2016-07-15 2018-01-23 三星显示有限公司 发光器件及其制造方法
CN107749443A (zh) * 2017-09-27 2018-03-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光器件及有机发光显示装置
CN107994124A (zh) * 2017-11-29 2018-05-04 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管及其制备方法、阵列基板、电子装置
CN112447916A (zh) * 2019-09-04 2021-03-05 Tcl华星光电技术有限公司 一种量子点薄膜的制备方法
US11574961B2 (en) 2018-06-06 2023-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, and data processing device
US11996033B2 (en) 2019-03-28 2024-05-28 Japan Display Inc. Display apparatus with detecting device

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105161513B (zh) * 2015-08-03 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示装置及其制造方法、彩膜基板及其制造方法
KR102592276B1 (ko) 2016-07-15 2023-10-24 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법
KR20180040038A (ko) * 2016-10-11 2018-04-19 삼성전자주식회사 양자점 발광 소자 및 이를 포함하는 광학 장치
CN106601923A (zh) * 2016-12-19 2017-04-26 华南理工大学 一种有机、无机量子点杂化的全彩显示器件及其制备方法
CN107689388B (zh) * 2017-08-08 2020-08-18 惠科股份有限公司 一种显示面板及其制造方法
US10367159B2 (en) * 2017-09-27 2019-07-30 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light-emitting device and organic light-emitting display apparatus
JPWO2019078318A1 (ja) 2017-10-20 2020-11-05 パイオニア株式会社 発光装置
US10181495B1 (en) * 2017-12-21 2019-01-15 X Development Llc Multi-color monolithic light-emitting diodes and methods for making the same
US10424614B2 (en) 2017-12-21 2019-09-24 X Development Llc Multi-color monolithic light-emitting diodes and methods for making the same
US11100844B2 (en) 2018-04-25 2021-08-24 Raxium, Inc. Architecture for light emitting elements in a light field display
US20190333444A1 (en) * 2018-04-25 2019-10-31 Raxium, Inc. Architecture for light emitting elements in a light field display
CN108573992A (zh) * 2018-05-08 2018-09-25 业成科技（成都）有限公司 显示面板、制备方法及应用该显示面板的电子装置
KR102651856B1 (ko) * 2018-09-11 2024-03-28 삼성디스플레이 주식회사 색 변환 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20210120176A (ko) * 2020-03-25 2021-10-07 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP2022109620A (ja) * 2021-01-15 2022-07-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102463168B1 (ko) * 2022-04-25 2022-11-04 (주)피엘티 양자점층이 구비된 발광형 교통안전표지
WO2024084618A1 (ja) * 2022-10-19 2024-04-25 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法
WO2024084619A1 (ja) * 2022-10-19 2024-04-25 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 発光素子、表示装置、量子ドットの製造方法、および量子ドット

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1607879A (zh) * 2003-08-28 2005-04-20 三星Sdi株式会社 有机电致发光显示器
CN1615060A (zh) * 2003-11-07 2005-05-11 精工爱普生株式会社 发光装置、发光装置的制造方法及电子机器
US20090008628A1 (en) * 2007-07-04 2009-01-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device and light-receiving device using transistor structure
CN102265399A (zh) * 2008-12-23 2011-11-30 欧司朗光电半导体有限公司 光电子投影装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4373086B2 (ja) * 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7973320B2 (en) * 2004-08-30 2011-07-05 Kyoto University Organic semiconductor light-emitting device and display using same
JP4808479B2 (ja) * 2005-11-28 2011-11-02 大日本印刷株式会社 有機発光トランジスタ素子及びその製造方法並びに発光表示装置
WO2008063657A2 (en) * 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Light emitting devices and displays with improved performance
US7888700B2 (en) 2007-03-08 2011-02-15 Eastman Kodak Company Quantum dot light emitting device
JP2010009995A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Seiko Epson Corp 吐出液、吐出液セット、薄膜パターン形成方法、薄膜、発光素子、画像表示装置、および、電子機器
KR100973172B1 (ko) * 2008-08-05 2010-08-02 한국과학기술연구원 단일 활성층 구조를 가지는 교류 구동형 발광소자 및 그제조방법
US8809893B2 (en) * 2008-11-14 2014-08-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR101097342B1 (ko) 2010-03-09 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 양자점 유기 전계 발광 소자 및 그 형성방법
KR101695288B1 (ko) 2010-03-31 2017-01-13 엘지디스플레이 주식회사 광학 필드 변조 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이
IN2014DN09305A (zh) * 2012-05-09 2015-07-10 Lg Chemical Ltd

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1607879A (zh) * 2003-08-28 2005-04-20 三星Sdi株式会社 有机电致发光显示器
CN1615060A (zh) * 2003-11-07 2005-05-11 精工爱普生株式会社 发光装置、发光装置的制造方法及电子机器
US20090008628A1 (en) * 2007-07-04 2009-01-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device and light-receiving device using transistor structure
CN102265399A (zh) * 2008-12-23 2011-11-30 欧司朗光电半导体有限公司 光电子投影装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107623013A (zh) * 2016-07-15 2018-01-23 三星显示有限公司 发光器件及其制造方法
CN107623013B (zh) * 2016-07-15 2023-06-30 三星显示有限公司 发光器件及其制造方法
CN107749443A (zh) * 2017-09-27 2018-03-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光器件及有机发光显示装置
CN107994124A (zh) * 2017-11-29 2018-05-04 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管及其制备方法、阵列基板、电子装置
US11574961B2 (en) 2018-06-06 2023-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, and data processing device
US11903290B2 (en) 2018-06-06 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, and data processing device
US11996033B2 (en) 2019-03-28 2024-05-28 Japan Display Inc. Display apparatus with detecting device
CN112447916A (zh) * 2019-09-04 2021-03-05 Tcl华星光电技术有限公司 一种量子点薄膜的制备方法
US11201287B2 (en) 2019-09-04 2021-12-14 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Preparing method of quantum dot film
CN112447916B (zh) * 2019-09-04 2022-04-01 Tcl华星光电技术有限公司 一种量子点薄膜的制备方法

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JP2016001564A (ja) 2016-01-07
KR20150143318A (ko) 2015-12-23
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JP6425921B2 (ja) 2018-11-21

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