WO2021059472A1 - 発光装置 - Google Patents

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WO2021059472A1
WO2021059472A1 PCT/JP2019/038108 JP2019038108W WO2021059472A1 WO 2021059472 A1 WO2021059472 A1 WO 2021059472A1 JP 2019038108 W JP2019038108 W JP 2019038108W WO 2021059472 A1 WO2021059472 A1 WO 2021059472A1
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WO
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light emitting
layer
emitting layer
emitting device
quantum dot
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Application number
PCT/JP2019/038108
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English (en)
French (fr)
Inventor
裕介 榊原
山本　真樹
上田　吉裕
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
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Priority to US17/761,494 priority patent/US20220367825A1/en
Priority to CN201980100677.3A priority patent/CN114430934A/zh
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    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device.
  • Patent Document 1 discloses an organic EL panel using an organic EL (Electro Luminescence) material for the organic light emitting layer included in the pixel.
  • the thickness of each of the red light emitting layer that emits red light, the green light emitting layer that emits green light, and the blue light emitting layer that emits blue light is set to the red light emitting layer, the green light emitting layer, and blue.
  • the light emitting layers are made thinner in this order. According to Patent Document 1, this makes it possible to increase the efficiency of extracting light from each of the red light emitting layer, the green light emitting layer, and the blue light emitting layer.
  • the carrier balance which is the balance between holes and electrons, is lost in the blue light emitting layer, and as a result, the internal quantum efficiency deteriorates.
  • One aspect of the present invention is to improve the carrier balance in the light emitting layer and improve the internal quantum efficiency.
  • the light emitting device is provided with a first sub-pixel provided with a first light emitting element and a second light emitting element, and together with the first sub pixel, constitutes the first pixel among a plurality of pixels.
  • the first light emitting element includes a first cathode, a first anode, and a first quantum dot, and is provided between the first cathode and the first anode.
  • the second light emitting element includes a second cathode, a second anode, and a second quantum dot that emits light having a light emitting wavelength longer than that of the first quantum dot. It has a second light emitting layer provided between the cathode and the second anode, and the thickness of the first light emitting layer is thicker than the thickness of the second light emitting layer.
  • the carrier balance in the light emitting layer can be improved and the internal quantum efficiency can be improved.
  • FIG. It is sectional drawing which shows the schematic structure of the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is an energy figure which shows the example of electron affinity and ionization potential in each light emitting layer in the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is an energy figure which shows the Fermi level of each layer in the light emitting element 3R of the light emitting device which concerns on Embodiment 1, or an example of electron affinity and ionization potential.
  • FIG. 5 is a plan view showing a schematic configuration of a display panel and peripheral circuits in the light emitting device according to the second embodiment. It is sectional drawing of the pixel in the central region of the light emitting device which concerns on Embodiment 2. FIG. It is sectional drawing of the pixel in the peripheral area of the light emitting device which concerns on Embodiment 2. FIG. It is sectional drawing of the pixel in the peripheral area of the light emitting device which concerns on the modification of Embodiment 2.
  • “same layer” means a layer formed by the same process (deposition process) as the layer to be compared, and “lower layer” is prior to the layer to be compared. It means a layer formed by a process, and "upper layer” means a layer formed by a process after the layer to be compared.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a light emitting device 1 according to the present embodiment.
  • the light emitting device 1 is used, for example, in a display of a television, a smartphone, or the like.
  • the light emitting device 1 of the present embodiment has a plurality of pixels PX provided on the array substrate 10.
  • Each pixel PX includes sub-pixels 2B, 2G, and 2R, respectively.
  • the sub-pixels 2B, 2G, and 2R constitute one pixel PX.
  • the sub-pixel (first sub-pixel) 2B emits blue light (first light) which is light having a blue emission wavelength.
  • the sub-pixel (second sub-pixel, first sub-pixel) 2G emits green light (second light, first light) which is light having a green emission wavelength longer than that of blue emission wavelength.
  • the sub-pixels (third sub-pixel, second sub-pixel) 2R emit red light (third light, second light) which is light having a red emission wavelength longer than the green emission wavelength.
  • the sub-pixel 2G is adjacent to the sub-pixel 2R.
  • the sub-pixel 2B is adjacent to the sub-pixel 2G.
  • the arrangement order of the sub-pixel 2R, the sub-pixel 2G, and the sub-pixel 2B can be arbitrarily changed.
  • blue light refers to light having a emission center wavelength in a wavelength band of 400 nm or more and 500 nm or less.
  • green light refers to light having a emission center wavelength in a wavelength band larger than 500 nm and 600 nm or less.
  • red light refers to light having a emission center wavelength in a wavelength band larger than 600 nm and 780 nm or less.
  • the light emitting elements 3B, 3G, and 3R are formed in the region partitioned by the insulating bank 70 (pixel restricting layer) provided on the array substrate 10.
  • a light emitting element 3B is formed in the sub pixel 2B
  • a light emitting element 3G is formed in the sub pixel 2G
  • a light emitting element 3R is formed in the sub pixel 2R.
  • the array substrate 10 is a substrate provided with a TFT (not shown) which is a thin film transistor for controlling light emission and non-light emission of each light emitting element 3.
  • the array substrate 10 of the present embodiment is configured by forming a TFT on a flexible resin layer.
  • an inorganic insulating film for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon nitride film
  • the resin film for example, a polyimide film.
  • the array substrate 10 may be configured by forming a TFT on a hard substrate such as a glass substrate.
  • an interlayer insulating film 20 (flattening film) is provided on the upper surface of the array substrate 10 of the present embodiment.
  • the interlayer insulating film 20 is made of, for example, a polyimide or acrylic material.
  • a plurality of contact hole CHs are formed in the interlayer insulating film 20.
  • the array substrate 10 and the interlayer insulating film 20 formed on the upper surface of the array substrate 10 may be referred to as a substrate 13.
  • the light emitting element (first light emitting element) 3B provided in the sub pixel 2B has an anode (first anode) 31B and a hole transport layer (first hole transport layer) overlapping the anode 31B. ) 46B, a light emitting layer (first light emitting layer) 80B overlapping the hole transporting layer 46B, an electron transporting layer (first electron transporting layer) 47B overlapping the light emitting layer 80B, and a cathode (first) overlapping the electron transporting layer 47B.
  • the light emitting element (second light emitting element, first light emitting element) 3G provided in the sub pixel 2G has an anode (second anode, first anode) 31G and a hole transport layer (second positive) overlapping the anode 31G.
  • the light emitting elements (third light emitting element, second light emitting element) 3R provided in the sub pixel 2R are an anode (third anode, second anode) 31R and a hole transport layer (third positive) overlapping the anode 31R.
  • the anode 31B injects holes into the hole transport layer 46B.
  • the anode 31G injects holes into the hole transport layer 46G.
  • the anode 31R injects holes into the hole transport layer 46R.
  • the anodes 31B, 31G, and 31R of the present embodiment have each region (in other words, each of the light emitting elements 3B, 3G, and 3R) forming the sub-pixels 2B, 2G, and 2R on the interlayer insulating film 20, respectively. ), It is provided in an island shape.
  • the anodes 31B, 31G, and 31R are electrically connected to the TFT (not shown) via the contact hole CH provided in the interlayer insulating film 20, respectively.
  • the anodes 31B, 31G, and 31R include, for example, a metal containing Al, Cu, Au, or Ag having a high visible light reflectance, and transparent materials such as ITO, IZO, ZnO, AZO, BZO, and GZO. It has a structure in which the array substrate 10 is laminated in this order.
  • the first electrode 31 is formed by, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like.
  • the bank 70 is formed so as to cover the contact hole CH.
  • the bank 70 is formed by applying an organic material such as polyimide or acrylic on the array substrate 10 and then patterning it by photolithography. Further, as shown in FIG. 1, the bank 70 of the present embodiment is formed so as to cover the edges of the anodes 31B, 31G, and 31R, respectively. That is, the bank 70 of the present embodiment also functions as an edge cover for each of the anodes 31B, 31G, and 31R. With such a configuration, it is possible to suppress the generation of an excessive electric field at each edge portion of the anodes 31B, 31G, and 31R.
  • the hole transport layer 46B further transports the holes injected from the anode 31B to the light emitting layer 80B.
  • the hole transport layer 46G further transports the holes injected from the anode 31G to the light emitting layer 80G.
  • the hole transport layer 46R further transports the holes injected from the anode 31R to the light emitting layer 80R.
  • the hole transport layer 46B is provided between the anode 31B and the light emitting layer 80B and is provided on the anode 31B, and is electrically connected to the anode 31B.
  • the hole transport layer 46G is provided between the anode 31G and the light emitting layer 80G and is provided on the anode 31G, and is electrically connected to the anode 31G.
  • the hole transport layer 46R is provided between the anode 31R and the light emitting layer 80R and is provided on the anode 31R, and is electrically connected to the anode 31R.
  • the hole transport layers 46B, 46G, and 46R are formed in an island shape for each region defining the sub-pixels 2B, 2G, and 2R (in other words, for each of the light emitting elements 3B, 3G, and 3R).
  • the hole transport layers 46B, 46G, and 46R each contain a hole transport material.
  • the hole transport layers 46B, 46G, 46R are, for example, PEDOT: PSS (polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonate), PVK (poly-N-vinylcarbazole), TFB (poly [(9,9-dioctylfluole)).
  • the hole transport layers 46B, 46G, and 46R are formed by an inkjet method, a vapor deposition method using a mask, a photolithography method using a mask, or the like. Each of the hole transport layers 46B, 46G, and 46R may contain different types of hole transport materials. In the present embodiment, as an example, it is assumed that the hole transport layers 46B, 46G, and 46R contain the same type of hole transport material.
  • the light emitting layer 80B is provided between the cathode 32B and the anode 31B. Specifically, the light emitting layer 80B of the present embodiment is provided between the hole transport layer 46B and the electron transport layer 47B. Further, the light emitting layer 80G is provided between the cathode 32G and the anode 31G. Specifically, the light emitting layer 80G of the present embodiment is provided between the hole transport layer 46G and the electron transport layer 47G. Further, the light emitting layer 80R is provided between the cathode 32R and the anode 31R. Specifically, the light emitting layer 80R of the present embodiment is provided between the hole transport layer 46R and the electron transport layer 47R.
  • the light emitting layers 80B / 80G / 80R are formed by an inkjet method, a vapor deposition method using a mask, a photolithography method using a mask, or the like.
  • the light emitting layer 80B includes a quantum dot (first quantum dot) 81B.
  • the light emitting layer 80G includes quantum dots (second quantum dots, first quantum dots) 81G.
  • the light emitting layer 80R includes quantum dots (third quantum dots, second quantum dots) 81R.
  • the quantum dots 81B, 81G, and 81R have a valence band level (equal to the ionization potential) and a conduction band level (equal to the electron affinity), respectively, and the holes and the conduction band level of the valence band level, respectively. It is a luminescent material that emits light when it recombines with an electron at the position. Since the light emission from the quantum dots 81B, 81G, and 81R has a narrow spectrum due to the quantum confinement effect, it is possible to obtain light emission with a relatively deep chromaticity.
  • Quantum dot 81B emits blue light.
  • the quantum dot 81G emits green light, which is light having an emission wavelength longer than that of blue light.
  • the quantum dot 81R emits red light, which is light having an emission wavelength longer than that of green light.
  • the quantum dots 81B, 81G, and 81R may include, for example, CdSe, ZnSe, CdZnSe, and InP, respectively. Further, the quantum dots 81B, 81G, and 81R may be semiconductor nanoparticles having a core / shell structure, each having a core and a shell. In the present embodiment, the quantum dots 81B, 81G, and 81R have a core-shell type structure in which CdSe is provided as a core and ZnS is provided as a shell.
  • the ligand 82B may be coordinate-bonded to the outer peripheral portion of the shell in the light-emitting layer 80B
  • the ligand 82G may be coordinate-bonded in the light-emitting layer 80G
  • the ligand 82R may be coordinate-bonded in the light-emitting layer 80R. May be coordinated.
  • the ligands 82B, 82G, and 82B are composed of, for example, organic substances such as thiols and amines.
  • the quantum dots 81B, 81G, and 81R may have the following configurations. That is, for any two types of quantum dots 81B, 81G, and 81R, one includes a first core and a first shell that covers the first core. The other also includes a second core and a second shell covering the second core.
  • the first core has a composition represented by the following general formula (1).
  • the second core preferably has the same composition system as the first core, and has a composition represented by the following general formula (2).
  • a and A' are the same element, and one element selected from Group 12 elements (Zn, Cd, etc.) or Group 13 elements (In, etc.).
  • B and B' are the same element, and are one kind of element different from A selected from the homologous elements of A, and C or C'is 16 when A and B are group 12 elements.
  • Group 13 elements (Se, Te, etc.) and A, B are Group 13 elements, they are one or more elements selected from Group 15 elements (P, etc.), and
  • At least one of A and B may have an atomic number smaller than Hg.
  • the quantum dots 81B are, for example, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, Cd 0.25 Ze 0.75 Se, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs, In 0.25 Ga. Examples thereof include 0.75 N and In 0.25 Ga 0.75 P.
  • Quantum dot 81G and quantum dots 81R is, when the quantum dot 81B is CdSe are CdSe, is Cd 0.25 Ze 0.75 Se when the quantum dot 81B is Cd 0.25 Ze 0.75 Se Is preferable.
  • the first shell and the second shell may be materials known in the art that are appropriately selected according to the materials of the first core and the second core.
  • the particle size of the quantum dots 81B, 81G, 81R is, for example, about 3 nm to 15 nm.
  • the emission wavelength from the quantum dots 81B, 81G, and 81R can be controlled by the particle size of the quantum dots 83. Therefore, by controlling the particle size of each of the quantum dots 81B, the quantum dots 81G, and the quantum dots 81R, it is possible to obtain light emission of each color.
  • the average grain size of the plurality of quantum dots 81B contained in the light emitting layer 80B is smaller than the average grain size of the plurality of quantum dots 81G contained in the light emitting layer 80G. Further, the average grain size of the plurality of quantum dots 81G contained in the light emitting layer 80G is smaller than the average grain size of the plurality of quantum dots 81R contained in the light emitting layer 80R.
  • the quantum dots 81B, 81G, and 81R may each contain different types of materials.
  • the quantum dots 81B, 81G, and 81R each contain the same type of material and have different grain diameters.
  • the thickness T1 of the light emitting layer 80B is thicker than the thickness T2 of the light emitting layer 80G and the thickness T3 of the light emitting layer 80R. Further, the thickness T2 of the light emitting layer 80G is thicker than the thickness T3 of the light emitting layer 80R.
  • the thickness T1 of the light emitting layer 80B is the thickness of the center of the light emitting layer 80B
  • the thickness T2 of the light emitting layer 80G is the thickness of the center of the light emitting layer 80G
  • the thickness T3 of the light emitting layer 80R is. This is the thickness of the center of the light emitting layer 80R.
  • the thickness of each light emitting layer can be measured, for example, by cutting out a cross section of a pixel and using a scanning electron microscope (SEM), a transmission electron microscope (TEM / STEM), or the like. Details of the light emitting layers 80B, 80G, and 80R will be described later.
  • the electron transport layer 47B further transports the electrons injected from the cathode 32B to the light emitting layer 80B.
  • the electron transport layer 47G further transports the electrons injected from the cathode 32G to the light emitting layer 80G.
  • the electron transport layer 47R further transports the electrons injected from the cathode 32R to the light emitting layer 80R.
  • the second electron transport layer 47B / 47G / 47R may have a function (hole blocking function) of suppressing the transport of holes to the cathodes 32B / 32G / 32R.
  • the electron transport layer 47B is provided between the cathode 32B and the light emitting layer 80B and on the light emitting layer 80B.
  • the electron transport layer 47G is provided between the cathode 32G and the light emitting layer 80G and on the light emitting layer 80G.
  • the electron transport layer 47R is provided between the cathode 32R and the light emitting layer 80R and on the light emitting layer 80R.
  • the electron transport layers 47B / 47G / 47R are formed in an island shape for each region defining the sub-pixels 2B / 2G / 2R (in other words, for each light emitting element 3B / 3G / 3R).
  • the electron transport layers 47B, 47G, and 47R may contain ZnO, ZnMgO, and TPBi (1,3,5-tris (1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl) benzene), respectively, or A plurality of these materials may be included.
  • the electron transport layers 47B, 47G, and 47R are formed by an inkjet method, a vapor deposition method using a mask, a photolithography method using a mask, or the like.
  • Each of the electron transport layers 47B, 47G, and 47R may contain different types of electron transport materials. In the present embodiment, as an example, it is assumed that the electron transport layers 47B, 47G, and 47R contain the same type of electron transport material.
  • the cathode 32B is provided on the electron transport layer 47B and is electrically connected to the electron transport layer 47B.
  • the cathode 32G is provided on the electron transport layer 47G and is electrically connected to the electron transport layer 47G.
  • the cathode 32R is provided on the electron transport layer 47R and is electrically connected to the electron transport layer 47R.
  • the cathode 32B injects electrons into the electron transport layer 47B.
  • the cathode 32G injects electrons into the electron transport layer 47G.
  • the cathode 32R injects electrons into the electron transport layer 47R.
  • the cathodes 32B, 32G, and 32R are formed as one continuous layer over a plurality of sub-pixels 2B, 2G, and 2R (that is, light emitting elements 3B, 3G, and 3R).
  • the cathodes 32B, 32G, and 32R are made of, for example, a metal thinned to a degree of light transmission or a transparent material.
  • the metal constituting the cathodes 32B, 32G, and 32R include metals containing Al, Ag, Mg, and the like.
  • the transparent material constituting the cathodes 32B, 32G, and 32R include ITO, IZO, ZnO, AZO, BZO, and GZO.
  • the cathodes 32B, 32G, and 32R are formed by, for example, a sputtering method or a thin-film deposition method.
  • a sealing layer (not shown) is provided on the cathodes 32B, 32G, and 32R.
  • the sealing layer includes, for example, an inorganic sealing film covering the cathodes 32B, 32G, and 32R, an organic layer composed of an organic buffer film above the inorganic sealing film, and an inorganic sealing film above the organic buffer film. including.
  • the sealing layer prevents foreign substances such as water and oxygen from penetrating into the light emitting device 1.
  • the inorganic sealing film is an inorganic insulating film, and can be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon nitride film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • the organic buffer film is a translucent organic film having a flattening effect, and can be made of a coatable organic material such as acrylic. Further, a functional film (not shown) may be provided on the sealing layer.
  • the functional film may have, for example, at least one of an optical compensation function, a touch sensor function, and a protection function.
  • the holes injected from the anodes 31B, 31G, and 31R are transported to the light emitting layers 80B, 80G, and 80R via the hole transport layers 46B, 46G, and 46R, respectively, and the electrons injected from the cathodes 32B, 32G, and 32R are transferred. It is transported to the light emitting layers 80B, 80G, and 80R via the electron transport layers 47B, 47G, and 47R, respectively. Then, the holes and electrons transported to the light emitting layers 80B / 80G / 80R are recombined in the quantum dots 81B / 81G / 81R to generate excitons.
  • the light emitting device 1 of the present embodiment illustrates a top emission type in which the light emitted from the light emitting layers 80B, 80G, and 80R is taken out from the side opposite to the array substrate 10 (upper in FIG. 1).
  • the light emitting device 1 may be a bottom emission type that extracts light from the array substrate 10 side (lower side in FIG. 1).
  • the anodes 32B, 32G, and 32R may be composed of reflective electrodes
  • the anodes 31B, 31G, and 31R may be composed of transparent electrodes.
  • the anodes 31B / 31G / 31R, the hole transport layers 46B / 46G / 46R, the light emitting layers 80B / 80G / 80R, and the electron transport layers 47B / 47G / 47R are arranged in this order from the array substrate 10.
  • the cathodes 32B, 32G, and 32R are laminated.
  • the cathodes 32B / 32G / 32R, the electron transport layers 47B / 47G / 47R, the light emitting layers 80B / 80G / 80R, the hole transport layers 46B / 46G / 46R, and the anode 31B are arranged in this order from the array substrate 10.
  • a so-called invert structure in which 31G and 31R are laminated may be used.
  • FIG. 2 is an energy diagram showing an example of electron affinity and ionization potential in each of the light emitting layers 80B, 80G, and 80R in the light emitting device 1 according to the first embodiment.
  • the energy diagrams of the light emitting layer 80R, the light emitting layer 80G, and the light emitting layer 80B are shown from left to right.
  • FIG. 2 when each of the quantum dots 81B, 81G, and 81R is a quantum dot having a core / shell type structure, FIG. 2 shows the cores of the quantum dots 81B, 81G, and 81R included in the light emitting layers 80B, 80G, and 80R, respectively.
  • FIG. 3 is an energy diagram showing an example of the Fermi level of each layer in the light emitting device 3R of the light emitting device 1 according to the first embodiment, or the electron affinity and the ionization potential.
  • FIG. 4 is an energy diagram showing an example of the Fermi level of each layer in the light emitting device 3G of the light emitting device 1 according to the first embodiment, or the electron affinity and the ionization potential.
  • FIG. 5 is an energy diagram showing an example of the Fermi level of each layer in the light emitting device 3B in the light emitting device 1 according to the first embodiment, or the electron affinity and the ionization potential.
  • FIG. 3 shows energy diagrams of the anode 31R, the hole transport layer 46R, the light emitting layer 80R, the electron transport layer 47R, and the cathode 32R from left to right.
  • FIG. 4 shows energy diagrams of the anode 31G, the hole transport layer 46G, the light emitting layer 80G, the electron transport layer 47G, and the cathode 32G, respectively, from left to right.
  • FIG. 5 shows energy diagrams of the anode 31G, the hole transport layer 46G, the light emitting layer 80G, the electron transport layer 47G, and the cathode 32G, respectively, from left to right.
  • the Fermi level of each electrode is shown in units of eV.
  • the hole transport layers 46R / 46G / 46B, the light emitting layers 80R / 80G / 80B, and the electron transport layers 47R / 47G / 47B the ionization potential of each layer based on the vacuum level is eV. Is shown in units, and above each, the electron affinity of each layer based on the vacuum level is shown in units of eV.
  • the quantum dots 81B, 81G, and 81R each include a core having the same composition system.
  • the valence band level (equal to the ionization potential) of each core is the quantum dots 81B / 81G.
  • the values are substantially the same regardless of the wavelength of the light emitted by the 81R.
  • the measurement of the ionization potential of the light emitting layer was performed as follows.
  • the measurement is performed on the assumption that the ionization potentials of the quantum dots having substantially the same composition and the same particle size (allowing a difference in the range of -2 nm or more + 2 nm or less) are equal to each other.
  • the ionization potentials are equal to each other means that a difference in the range of ⁇ 0.1 eV or more and + 0.1 eV or less is allowed.
  • the display was cut by laser cutting or the like to expose the cross section of the light emitting layer.
  • the composition and particle size of the quantum dots were specified by observing the exposed cross section using SEM-EDX.
  • the composition of the quantum dots is CdSe.
  • the particle size of the quantum dots is such that about 100 quantum dots are arbitrarily selected from the quantum dot layer having a thickness of about 30 nm included in the field of view having a size of about 2 ⁇ m or more and 3 ⁇ m or less, and each of the selected quantum dots It was calculated by measuring the area and calculating the average value of the diameters of the circles having that area.
  • the particle size of the quantum dots was 5 nm.
  • quantum dots having the above-specified composition and particle size were prepared.
  • the produced quantum dots were dispersed in an organic solvent such as hexane and toluene to prepare a dispersion solution.
  • the prepared dispersion solution is applied onto the ITO film of a glass substrate having an indium tin oxide (ITO) film (thickness 70 nm) on the main surface, and the organic solvent is evaporated to give a thickness of 30 nm.
  • the light emitting layer of No. 1 was formed, and a sample for measuring the ionization potential was prepared.
  • the ionization potential of the prepared sample was measured by performing photoelectron spectroscopy measurement using an atmospheric photoelectron spectrometer (“AC-3” manufactured by RIKEN Keiki Co., Ltd.).
  • the input power is fixed to a power at which the peak derived from the ITO film observed near 4.8 eV is not substantially observed, and the quantum yield is measured while changing the electron volt (eV).
  • the relationship between the electron volt and the quantum yield was measured.
  • the electron volt was increased, the electron volt whose quantum yield increased was used as the ionization potential.
  • the ionization potentials of the quantum dots 81B, 81G, and 81R are equal to each other and are 5.4 eV.
  • the ionization potentials are equal to each other means that a difference in the range of ⁇ 0.1 eV or more and + 0.1 eV or less is allowed.
  • the conduction band levels (equal to electron affinity) of the quantum dots 81B / 81G / 81R change depending on the wavelength of the light emitted by the quantum dots 81B / 81G / 81R even if they are the same material system.
  • the conduction band level of the quantum dots 81B / 81G / 81R the longer the wavelength of the light emitted by the quantum dots 81B / 81G / 81R, the deeper the energy level, and the light emitted by the quantum dots 81B / 81G / 81R. The shorter the wavelength of, the shallower the energy level.
  • the light emitting layer 80R, the light emitting layer 80G, and the light emitting layer 80B have an ionization potential of 5.4 eV and are substantially the same value even between different sub-pixels. ..
  • the light emitting layer 80R, the light emitting layer 80G, and the light emitting layer 80B have electron affinities of 3.4 eV, 3.1 eV, and 2.7 eV, respectively.
  • the electron affinity of the quantum dot 81B is smaller than the electron affinity of the quantum dot 81G.
  • the electron affinity of the quantum dot 81G is smaller than the electron affinity of the quantum dot 81R.
  • the anodes 31R, 31G, and 31B each contain ITO, and the hole transport layers 46R, 46G, and 46B each contain PEDOT: PSS. It is assumed that the electron transport layers 47R, 47G, and 47B each contain ZnO, and the cathodes 32R, 32G, and 32B contain Al.
  • the Fermi level of each of the anodes (ITO) 31R, 31G, and 31B is 4.8 eV.
  • the Fermi level of the layer containing PEDOT: PSS in each of the hole transport layers 46R, 46G, and 46B is 5.4 eV
  • the ionization potential in the layer containing TFB is 5.4 eV
  • the electron affinity in the layer containing TFB is. It is 2.4 eV.
  • the ionization potentials of the hole transport materials contained in the hole transport layers 46R, 46G, and 46B are equal to each other.
  • the electron affinities of the hole transporting materials contained in the hole transporting layers 46R, 46G, and 46B are equal to each other.
  • having electron affinity equal to each other means that a difference in the range of ⁇ 0.1 eV or more and + 0.1 eV or less is allowed.
  • the ionization potential of each of the electron transport layers (ZnO) 47R, 47G, and 47B is 7.2 eV, and the electron affinity is 3.9 eV.
  • the ionization potentials of the electron transport materials contained in the electron transport layers 47R, 47G, and 47B are equal to each other.
  • the electron affinities of the electron transport materials contained in the electron transport layers 47R, 47G, and 47B are equal to each other.
  • “the ionization potentials are equal to each other” means that a difference in the range of ⁇ 0.1 eV or more and + 0.1 eV or less is allowed.
  • having electron affinity equal to each other means that a difference in the range of ⁇ 0.1 eV or more and + 0.1 eV or less is allowed.
  • the Fermi level of each of the cathodes (Al) 32R, 32G, and 32B is 4.3 eV.
  • holes are formed from the anodes 31R / 31G / 31B as shown by arrows H1 in FIGS. 3 to 5. Holes are injected into the layers containing PEDOT: PSS in each of the transport layers 46R, 46G, and 46B. Similarly, as shown by arrows ER1, EG1, and EB1 in FIGS. 3 to 5, the electron transport layers (ZnO) 47R, 47G, and 47B in the light emitting devices 3R, 3G, and 3B from the cathodes 32R, 32G, and 32B, respectively. Electrons are injected into.
  • the barrier of hole transport from the first layer to the second layer different from the first layer is indicated by the energy obtained by subtracting the ionization potential of the first layer from the ionization potential of the second layer. Therefore, the hole injection barrier shown by the arrow H1 is 0.6 eV regardless of the type of the light emitting elements 3R, 3G, and 3B.
  • the barrier of electron transport from the first layer to the second layer different from the first layer is indicated by the energy obtained by subtracting the electron affinity of the second layer from the electron affinity of the first layer. Therefore, the hole injection barriers shown by arrows ER1, EG1, and EB1 are the same in this embodiment, 0.4 eV, respectively.
  • the barrier of hole transport from the layer containing PEDOT: PSS to the layer containing TFB in each of the hole transport layers 46R, 46G, and 46B is 0 eV.
  • the barrier of hole transport from the layer containing TFB in each of the hole transport layers 46R, 46G, and 46B to the light emitting layers 80R, 80G, and 80B is 0 eV.
  • the electrons injected into the electron transport layer (ZnO) 47R, 47G, and 47B emit light. Transported to layers 80R / 80G / 80B.
  • the electron transport barrier indicated by the arrow ER2 is 0.5 eV
  • the electron transport barrier indicated by the arrow EG2 is 0.8 eV
  • the electron transport barrier indicated by the arrow EB2 is 1.2 eV. ..
  • the barrier when electrons are transported from the electron transport layer (ZnO) 47R / 47G / 47B to the light emitting layer 80R / 80G / 80B has a small barrier from the electron transport layer 47R to the light emitting layer 80R, and the electron transport The barrier from the layer 47G to the light emitting layer 80G is the next largest, and the barrier from the electron transport layer 47B to the light emitting layer 80B is the largest.
  • each of the quantum dots 81R / 81G / 81B It emits light.
  • the thickness T1 of the light emitting layer 80B is thicker than the thickness T2 of the light emitting layer 80G.
  • the carrier balance in the light emitting layer 80G can be improved, and the internal quantum efficiency of the light emitting layer 80G can be improved.
  • the thickness T2 of the light emitting layer 80G is thicker than the thickness T3 of the light emitting layer 80R.
  • the carrier balance of each of the light emitting layer 80B and the light emitting layer 80G can be improved. It can be considered as follows that the internal quantum efficiencies of the light emitting layer 80B and the light emitting layer 80G can be improved.
  • the valence band levels of the light emitting layers 80R, 80G, and 80B are equal to each other regardless of the wavelength of the emitted light.
  • the conduction band levels of the light emitting layers 80R, 80G, and 80B are in the order of the band gap, the light emitting layer 80R is the deepest, and the light emitting layer 80G is deeper than the light emitting layer 80R. It is shallow, and the light emitting layer 80B is the shallowest. Therefore, among the light emitting layers 80R, 80G, and 80B, the light emitting layer 80R is most likely to be injected with electrons.
  • the light emitting layer 80G is less likely to be injected with electrons than the light emitting layer 80R, and the light emitting layer 80B is less likely to be injected with electrons than the light emitting layer 80G. Therefore, the number of electrons in the light emitting layer 80G tends to be smaller than that in the light emitting layer 80R with respect to the number of holes in the layer. Further, the number of electrons in the light emitting layer 80B tends to be smaller than that in the light emitting layer 80G with respect to the number of holes in the layer.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining the distribution of carriers in the light emitting layer 80R.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating the distribution of carriers in the light emitting layer 80B.
  • the horizontal axis represents the film thickness of the light emitting layer, and the vertical axis represents the number of carriers (holes or electrons).
  • the mobility of carriers (holes and electrons) in the light emitting layer is smaller in holes than in electrons.
  • the diffusion length in the film thickness direction in the light emitting layer is shorter for holes than for electrons.
  • the distribution of the number of holes injected into the light emitting layer increases in the film thickness direction of the light emitting layer as it moves away from the hole transport layer and approaches the electron transport layer (as it goes to the right in FIGS. 6 and 7).
  • the distribution of the number of electrons injected into the light emitting layer is substantially constant in the film thickness direction of the light emitting layer.
  • the number of electrons in the light emitting layer 80B tends to be smaller than that in the light emitting layer 80R with respect to the number of holes in the layer. Then, among the electrons injected into the light emitting layers 80R and 80B, the film thickness in which the number of electrons that do not contribute to light emission is suppressed (that is, the carrier balance is improved) is set to the thickness T1 of the light emitting layer 80R and the light emitting layer 80R. As shown in FIGS. 6 and 7, the thickness T1 is larger than the thickness T3. Considering the light emitting layer 80G in the same manner, the thickness T2 in which the number of electrons that do not contribute to light emission is suppressed (that is, the carrier balance is improved) is larger than the thickness T3 and smaller than the thickness T1.
  • the thickness T3 is preferably 10 nm or more and 20 nm or less.
  • the thickness T2 is preferably 25 nm or more and 35 nm or less.
  • the thickness T1 is preferably 50 nm or more and 60 nm or less.
  • the thickness T1 and the thickness T2 satisfy the following relational expression (Equation 3).
  • the thickness T1 and the thickness T3 preferably satisfy the following relational expression (Equation 4).
  • the film thickness T3 can be 15 nm
  • the film thickness T2 can be 30 nm
  • the film thickness T3 can be 56 nm.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the light emitting device 1B according to the first modification of the first embodiment.
  • the light emitting device 1B shown in FIG. 8 is different in that it includes an electron transporting layer 47 instead of the electron transporting layers 47B, 47G, and 47R in the light emitting device 1 shown in FIG.
  • Other configurations of the light emitting device 1B are the same as those of the light emitting device 1.
  • the electron transport layer 47 included in the light emitting device 1B is one layer in which the electron transport layers 47B, 47G, and 47R are connected and are continuous across the light emitting elements 3B, 3G, and 3R.
  • the same material as the electron transport layers 47B, 47G, and 47R can be used for the electron transport layer 47. In this way, the light emitting device 1B may be configured.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the light emitting device 1C according to the second modification of the first embodiment.
  • the light emitting device 1C shown in FIG. 9 is different in that the hole transport layer 46 is provided in place of the hole transport layers 46B, 46G, and 46R in the light emitting device 1B shown in FIG.
  • Other configurations of the light emitting device 1C are the same as those of the light emitting device 1B.
  • the hole transport layer 46 included in the light emitting device 1C is one layer in which the hole transport layers 46B, 46G, and 46R are connected and are continuous across the light emitting elements 3B, 3G, and 3R.
  • the hole transport layer 46 the same material as the hole transport layers 46B, 46G, and 46R can be used. In this way, the light emitting device 1C may be configured.
  • FIG. 10 is a diagram showing a central region R1 in the light emitting device 1E according to the second embodiment.
  • the light emitting device 1E is a mobile information terminal such as a smartphone, and has a display panel in which pixels PX are arranged side by side and a battery which is a power source for supplying electric power to the display panel, which is arranged behind the display panel.
  • the central region R1 of the display panel becomes hot as the temperature of the battery rises, and the peripheral region R2 outside the central region R1 becomes lower than the central region R1.
  • the light emitting device 1E is a television, and the display panel on which the pixels PX are arranged side by side, the circuit board having the power supply circuit arranged on the back surface of the display panel, and the edges of the display panel and the circuit board are surrounded. It is assumed to have a housing. Further, it is assumed that the housing is provided with an exhaust port for releasing heat generated from the circuit board. In this case, the heat generated from the circuit board by using the light emitting device 1D is released from the exhaust port provided in the housing. Therefore, the temperature near the central region R1 of the display panel tends to be higher than the temperature near the peripheral region R2 of the display panel. As described above, the central region R1 of the display field panel in the light emitting device 1E tends to have a higher temperature than the peripheral region R2.
  • the electric resistance of ITO which is a semiconductor
  • Al which is a metal
  • the electrons injected from the electron transport layer into the light emitting layer easily exceed the barrier between the light emitting layer and the hole transport layer, so that a leakage current is likely to occur. Therefore, when the temperature of the light emitting element rises, the carrier balance in the light emitting layer tends to have an excessive number of holes and a shortage of electrons, which causes a decrease in internal quantum efficiency.
  • FIG. 11 is a plan view showing a schematic configuration of the display panel 1Ea and peripheral circuits in the light emitting device 1E according to the second embodiment.
  • the light emitting device 1E includes a display panel 1Ea, a gate driver GD, a source driver SD, and a display control circuit 101.
  • the display panel 1Ea has an image display area in which pixels PX are arranged in a matrix.
  • the display panel 1Ea has a plurality of data lines Sn (n is an integer from 1 to N) for supplying a source signal (data signal) to the pixel PX, and a plurality of gate lines for supplying a gate signal to the pixel PX.
  • Gm (m is an integer from 1 to M) is provided. It is assumed that a plurality of data lines Sn are arranged in order from one direction to 1 to n (n is an integer of 3 or more). It is assumed that a plurality of gate lines Gm are arranged in order from one direction to 1 to m (m is an integer of 3 or more).
  • the plurality of pixels PX are arranged at the intersections of the plurality of data lines Sn and the plurality of gate lines Gm.
  • each of the plurality of data lines Sn is connected to the source electrode of the TFT in the pixel PX, and the other end is connected to the source driver SD.
  • One end of each of the plurality of gate lines Gm is connected to the gate electrode of the TFT in the pixel PX, and the other end is connected to the gate driver GD.
  • the source driver SD may include, for example, a series-parallel conversion and latch circuit, a DA conversion circuit, an AD conversion circuit, an input / output buffer circuit, and the like.
  • the source driver SD generates a source signal based on the signal input from the display control circuit 101, and supplies the generated source signal to each data line Sn at a predetermined timing.
  • the gate driver GD generates a gate signal based on the signal input from the display control circuit 101, and supplies the generated gate signal to each gate line Gm at a predetermined timing. Then, the operation of the TFT of each pixel PX is controlled based on the gate signal supplied from the gate line Gm and the source signal supplied from the data line Sn.
  • the pixel PX included in the central region R1 is referred to as a pixel (first pixel) PX1
  • the pixel PX included in the peripheral region R2 around the central region R1 is called a pixel. (Second pixel) It is called PX2.
  • the pixel PX1 is arranged on at least one of a plurality of data lines Sn included in 0.4 n or more and 0.6 n or less among the plurality of data lines Sn.
  • the pixel PX1 may be arranged on all of the plurality of data lines Sn included in 0.4 n or more and 0.6 n or less among the plurality of data lines Sn.
  • n 100
  • the pixel PX1 is provided on at least one of the 40th to 60th data lines Sn counting in one direction (for example, counting from left to right).
  • the pixel PX1 can be expressed as being arranged on at least one of the central 20% of the data lines Sn among the plurality of data lines.
  • the pixel PX2 is arranged on at least one of a plurality of data lines Sn other than the plurality of data lines Sn included in 0.4 n or more and 0.6 n or less among the plurality of data lines Sn.
  • the pixel PX2 may be arranged on all of the plurality of data lines Sn other than the plurality of data lines Sn included in 0.4 n or more and 0.6 n or less among the plurality of data lines Sn.
  • n 100
  • the pixel PX2 is counted in at least one of the first to 39th data lines and the 61st to 100th data lines Sn counting in one direction (for example, counting from left to right). It is provided.
  • the pixel PX2 can be expressed as being arranged on at least one of the data lines Sn at both ends of the plurality of data lines Sn.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the pixel PX1 in the central region R1 of the light emitting device 1E according to the second embodiment.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the pixel PX2 in the peripheral region R2 of the light emitting device 1E according to the second embodiment.
  • the thickness of the light emitting layer 80B is T11
  • the thickness of the light emitting layer 80G is T21
  • the thickness of the light emitting layer 80R is T31.
  • the film thickness of the light emitting layer 80B in the pixel PX2 of the light emitting device 1E is T12
  • the thickness of the light emitting layer 80G is T22
  • the thickness of the light emitting layer 80R is T32.
  • the thickness T12 of the light emitting layer 80B in the pixel PX2 is thinner than the thickness T11 of the light emitting layer 80B in the pixel PX1.
  • the thickness T22 of the light emitting layer 80G in the pixel PX2 may be thinner than the thickness T21 of the light emitting layer 80G in the pixel PX1.
  • the thickness T32 of the light emitting layer 80R in the pixel PX2 may be thinner than the thickness T31 of the light emitting layer 80R in the pixel PX1.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of the pixel PX2 in the peripheral region R2 of the light emitting device 1E according to the modified example of the second embodiment.
  • the thickness T12 of the light emitting layer 80B, the thickness T22 of the light emitting layer 80G, and the thickness T32 of the light emitting layer 80R may be equal to each other.
  • the thickness T12, the thickness T22, and the thickness T32 may be about 15 nm.
  • the solvent of the dispersion liquid is raised above the boiling point by applying the dispersion liquid in which the quantum dots are dispersed to the substrate and then heating the substrate with a heater.
  • the light emitting layer 80B / 80G / 80R is formed by heating to a temperature and evaporating the solvent.
  • the temperature of the pixels included in the peripheral region does not easily rise, and the solvent does not easily evaporate.
  • the dispersion liquid to be the light emitting layer is hard to evaporate, and the film thickness unevenness of the formed light emitting layer is likely to occur.
  • the thicknesses T12, T22, and T32 of the light emitting layers 80B, 80G, and 80R included in the peripheral region R2 are thinned. That is, among the coating amounts of the dispersion liquids of the light emitting layers 80B, 80G, and 80R, the coating amount to be applied to the pixel PX2 included in the peripheral region R2 is reduced. As a result, it is possible to suppress uneven film thickness of each of the light emitting layers 80B, 80G, and 80R formed on the pixel PX2 included in the peripheral region R2. This also makes it possible to suppress the occurrence of in-plane luminance unevenness on the display panel 1Ea.

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Abstract

発光装置は、第１発光素子が設けられた第１サブ画素と、第２発光素子が設けられ、前記第１サブ画素と共に、複数の画素のうち１つの画素を構成する第２サブ画素とを備え、前記第１発光素子は、第１陰極と、第１陽極と、第１量子ドットを含み、前記第１陰極および前記第１陽極の間に設けられた第１発光層と、を有し、前記第２発光素子は、第２陰極と、第２陽極と、前記第１量子ドットよりも長い発光波長の光を発光する第２量子ドットを含み、前記第２陰極および前記第２陽極の間に設けられた第２発光層と、を有し、前記第１発光層の厚さは、前記第２発光層の厚さよりも厚い。

Description

発光装置
　本発明は、発光装置に関する。
　特許文献１には、画素に含まれる有機発光層に、有機ＥＬ（Electro Luminescence）材料を用いた有機ＥＬパネルが開示されている。特許文献１では、赤色光を発光する赤発光層と、緑色光を発光する緑発光層と、青色光を発光する青発光層とのそれぞれの膜厚を、赤発光層、緑発光層および青発光層の順に薄くしている。特許文献１によると、これにより、赤発光層、緑発光層および青発光層それぞれからの光の取り出し効率を高めることができるとされている。
国際公開第２０１２／０７００８７号
　しかし、特許文献１に記載の有機ＥＬパネルによると、青発光層において、正孔と電子とのバランスであるキャリアバランスが崩れ、この結果、内部量子効率が悪くなる。本発明の一態様は、発光層内でのキャリアバランスを向上させ、内部量子効率を向上させることである。
　本発明の一態様に係る発光装置は、第１発光素子が設けられた第１サブ画素と、第２発光素子が設けられ、前記第１サブ画素と共に、複数の画素のうち第１画素を構成する第２サブ画素とを備え、前記第１発光素子は、第１陰極と、第１陽極と、第１量子ドットを含み、前記第１陰極および前記第１陽極の間に設けられた第１発光層と、を有し、前記第２発光素子は、第２陰極と、第２陽極と、前記第１量子ドットよりも長い発光波長の光を発光する第２量子ドットを含み、前記第２陰極および前記第２陽極の間に設けられた第２発光層と、を有し、前記第１発光層の厚さは、前記第２発光層の厚さよりも厚い。
　本発明の一態様に係る発光装置によると、発光層内でのキャリアバランスを向上させ、内部量子効率を向上させることができる。
実施形態１に係る発光装置の概略構成を示す断面図である。 実施形態１に係る発光装置における各発光層における、電子親和力とイオン化ポテンシャルとの例を示すエネルギー図である。 実施形態１に係る発光装置の発光素子３Ｒにおける各層のフェルミ準位、または電子親和力とイオン化ポテンシャルとの例を示すエネルギー図である。 実施形態１に係る発光装置の発光素子３Ｇにおける各層のフェルミ準位、または電子親和力とイオン化ポテンシャルとの例を示すエネルギー図である。 実施形態１に係る発光装置における発光素子３Ｂにおける各層のフェルミ準位、または電子親和力とイオン化ポテンシャルとの例を示すエネルギー図である。 実施形態１に係る発光装置における発光層８０Ｒの層内でのキャリアの分布を説明する図である。 実施形態１に係る発光装置における発光層８０Ｂの層内でのキャリアの分布を説明する図である。 実施形態１の変形例１に係る発光装置の断面図である。 実施形態１の変形例２に係る発光装置の断面図である。 実施形態２に係る発光装置における中央領域を表す図である。 実施形態２に係る発光装置における表示パネルと、周辺回路との概略構成を表す平面図である。 実施形態２に係る発光装置の中央領域における画素の断面図である。 実施形態２に係る発光装置の周辺領域における画素の断面図である。 実施形態２の変形例に係る発光装置の周辺領域における画素の断面図である。
　以下の説明においては、「同層」とは比較対象の層と同一のプロセス（成膜工程）にて形成されている層を意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されている層を意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されている層を意味する。
　〔実施形態１〕
　図１は、本実施形態に係る発光装置１の概略構成を示す断面図である。発光装置１は、例えば、テレビやスマートフォン等のディスプレイに用いられる。図１に示すように、本実施形態の発光装置１は、アレイ基板１０上に設けられた複数の画素ＰＸを有する。各画素ＰＸはそれぞれ、サブ画素２Ｂ・２Ｇ・２Ｒを含む。換言すると、一例として、サブ画素２Ｂ・２Ｇ・２Ｒは１つの画素ＰＸを構成している。
　サブ画素（第１サブ画素）２Ｂは、青色の発光波長の光である青色光（第１の光）を出射する。サブ画素（第２サブ画素、第１サブ画素）２Ｇは、青色の発光波長より長い緑色の発光波長の光である緑色光（第２の光、第１の光）を出射する。サブ画素（第３サブ画素、第２サブ画素）２Ｒは、緑色の発光波長より長い赤色の発光波長の光である赤色光（第３の光、第２の光）を出射する。一例として、平面視において、サブ画素２Ｇは、サブ画素２Ｒと隣接する。また、平面視において、サブ画素２Ｂはサブ画素２Ｇと隣接する。なお、サブ画素２Ｒ、サブ画素２Ｇおよびサブ画素２Ｂそれぞれの並び順は任意に変更可能である。
　なお、青色光とは、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光を指すものとする。また、緑色光とは、５００ｎｍより大きく６００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光を指すものとする。また、赤色光とは、６００ｎｍより大きく７８０ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光を指すものとする。
　また、アレイ基板１０上に設けられた絶縁性のバンク７０（画素規制層）により区画された領域に、発光素子３Ｂ・３Ｇ・３Ｒが形成されている。サブ画素２Ｂには発光素子３Ｂが形成されており、サブ画素２Ｇには発光素子３Ｇが形成されており、サブ画素２Ｒには発光素子３Ｒが形成されている。
　アレイ基板１０は、各発光素子３の発光および非発光を制御するための、薄膜トランジスタであるＴＦＴ（図示省略）が設けられた基板である。本実施形態のアレイ基板１０は、柔軟性を有する樹脂層にＴＦＴが形成されることにより構成される。また、本実施形態の樹脂層は、樹脂膜（例えば、ポリイミド膜）上に、バリア層である無機絶縁膜（例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜）が積層されることにより構成される。ただし、アレイ基板１０は、ガラス基板等の硬質の基板上にＴＦＴが形成されることにより構成されてもよい。また、本実施形態のアレイ基板１０の上面には、層間絶縁膜２０（平坦化膜）が設けられる。層間絶縁膜２０は、例えば、ポリイミドやアクリル系の材料により構成される。層間絶縁膜２０には、複数のコンタクトホールＣＨが形成される。なお、以下の説明では、アレイ基板１０と、アレイ基板１０の上面に形成された層間絶縁膜２０とを、基板１３と称する場合がある。
　本実施形態では、一例として、サブ画素２Ｂに設けられた発光素子（第１発光素子）３Ｂは、陽極（第１陽極）３１Ｂと、陽極３１Ｂと重なる正孔輸送層（第１正孔輸送層）４６Ｂと、正孔輸送層４６Ｂと重なる発光層（第１発光層）８０Ｂと、発光層８０Ｂと重なる電子輸送層（第１電子輸送層）４７Ｂと、電子輸送層４７Ｂと重なる陰極（第１陰極）３２Ｂとを有する。また、サブ画素２Ｇに設けられた発光素子（第２発光素子、第１発光素子）３Ｇは、陽極（第２陽極、第１陽極）３１Ｇと、陽極３１Ｇと重なる正孔輸送層（第２正孔輸送層、第１正孔輸送層）４６Ｇと、正孔輸送層４６Ｇと重なる発光層（第２発光層、第１発光層）８０Ｇと、発光層８０Ｇと重なる電子輸送層（第２電子輸送層、第１電子輸送層）４７Ｇと、電子輸送層４７Ｇと重なる陰極（第２陰極、第１陰極）３２Ｇとを有する。また、サブ画素２Ｒに設けられた発光素子（第３発光素子、第２発光素子）３Ｒは、陽極（第３陽極、第２陽極）３１Ｒと、陽極３１Ｒと重なる正孔輸送層（第３正孔輸送層、第２正孔輸送層）４６Ｒと、正孔輸送層４６Ｒと重なる発光層（第３発光層、第２発光層）８０Ｒと、発光層８０Ｒと重なる電子輸送層（第３電子輸送層、第２電子輸送層）４７Ｒと、電子輸送層４７Ｒと重なる陰極（第３陰極、第２陰極）３２Ｒとを有する。
　陽極３１Ｂは正孔輸送層４６Ｂに正孔を注入する。陽極３１Ｇは正孔輸送層４６Ｇに正孔を注入する。陽極３１Ｒは正孔輸送層４６Ｒに正孔を注入する。図１に示すように、本実施形態の陽極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒは、それぞれ、層間絶縁膜２０上にサブ画素２Ｂ・２Ｇ・２Ｒを形成する領域ごと（換言すると発光素子３Ｂ・３Ｇ・３Ｒごと）に、島状に設けられる。そして、陽極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒは、それぞれ、層間絶縁膜２０に設けられたコンタクトホールＣＨを介して、ＴＦＴ（不図示）と電気的に接続される。陽極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒは、例えば、可視光の反射率の高いＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、またはＡｇ等を含む金属と、透明材料であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯ、ＢＺＯ、またはＧＺＯ等が、アレイ基板１０上にこの順に積層された構造を備える。第１電極３１は、例えば、スパッタ法や蒸着法等により形成される。
　バンク７０は、コンタクトホールＣＨを覆うように形成される。バンク７０は、例えば、ポリイミド、アクリル等の有機材料をアレイ基板１０上に塗布した後に、フォトリソグラフィよってパターニングすることにより形成される。また、図１に示すように、本実施形態のバンク７０は、陽極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒそれぞれのエッジを覆うように形成される。すなわち、本実施形態のバンク７０は、陽極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒそれぞれのエッジカバーとしても機能する。このような構成とすることで、陽極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒそれぞれのエッジ部分で過度な電界が生じることを抑制できる。
　正孔輸送層４６Ｂは、陽極３１Ｂから注入された正孔を、さらに発光層８０Ｂへと輸送する。正孔輸送層４６Ｇは、陽極３１Ｇから注入された正孔を、さらに発光層８０Ｇへと輸送する。正孔輸送層４６Ｒは、陽極３１Ｒから注入された正孔を、さらに発光層８０Ｒへと輸送する。正孔輸送層４６Ｂは、陽極３１Ｂと発光層８０Ｂとの間であって陽極３１Ｂ上に設けられ、陽極３１Ｂと電気的に接続される。正孔輸送層４６Ｇは、陽極３１Ｇと発光層８０Ｇとの間であって陽極３１Ｇ上に設けられ、陽極３１Ｇと電気的に接続される。正孔輸送層４６Ｒは、陽極３１Ｒと発光層８０Ｒとの間であって陽極３１Ｒ上に設けられ、陽極３１Ｒと電気的に接続される。本実施形態では、正孔輸送層４６Ｂ・４６Ｇ・４６Ｒは、サブ画素２Ｂ・２Ｇ・２Ｒを規定する領域ごと（換言すると発光素子３Ｂ・３Ｇ・３Ｒごと）に島状に形成される。
　正孔輸送層４６Ｂ・４６Ｇ・４６Ｒは、それぞれ、正孔輸送材料を含有する。正孔輸送層４６Ｂ・４６Ｇ・４６Ｒは、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネート）、ＰＶＫ（ポリ-Ｎ-ビニルカルバゾール）、ＴＦＢ（ポリ[(９，９‐ジオクチルフルオレニル‐２，７‐ジイル)‐コ‐（４，４'‐(Ｎ‐（４‐ｓｅｃ‐ブチルフェニル）ジフェニルアミン)）］）、またはｐｏｌｙ－ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’‐ビス(４‐ブチルフェニル)‐Ｎ，Ｎ’‐ビス(フェニル)‐ベンジジン）を含んでいてもよく、あるいは、これらの内の複数の材料を含んでいてもよい。正孔輸送層４６Ｂ・４６Ｇ・４６Ｒは、インクジェット法、マスクを使用した蒸着法、またはマスクを使用したフォトリソグラフィ法などにより形成される。正孔輸送層４６Ｂ・４６Ｇ・４６Ｒそれぞれは、異なる種類の正孔輸送材料を含有していてもよい。本実施形態では、一例として、正孔輸送層４６Ｂ・４６Ｇ・４６Ｒは、同じ種類の正孔輸送材料を含有しているものとする。
　発光層８０Ｂは、陰極３２Ｂと陽極３１Ｂとの間に設けられる。具体的には、本実施形態の発光層８０Ｂは、正孔輸送層４６Ｂと電子輸送層４７Ｂとの間に設けられる。また、発光層８０Ｇは、陰極３２Ｇと陽極３１Ｇとの間に設けられる。具体的には、本実施形態の発光層８０Ｇは、正孔輸送層４６Ｇと電子輸送層４７Ｇとの間に設けられる。また、発光層８０Ｒは、陰極３２Ｒと陽極３１Ｒとの間に設けられる。具体的には、本実施形態の発光層８０Ｒは、正孔輸送層４６Ｒと電子輸送層４７Ｒとの間に設けられる。発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒは、インクジェット法、マスクを使用した蒸着法、またはマスクを使用したフォトリソグラフィ法などにより形成される。
　発光層８０Ｂは量子ドット（第１量子ドット）８１Ｂを含む。発光層８０Ｇは量子ドット（第２量子ドット、第１量子ドット）８１Ｇを含む。発光層８０Ｒは量子ドット（第３量子ドット、第２量子ドット）８１Ｒを含む。
　量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒは、それぞれ、価電子帯準位（イオン化ポテンシャルに等しい）と伝導帯準位（電子親和力に等しい）とを有し、価電子帯準位の正孔と伝導帯準位の電子との再結合により発光する発光材料である。量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒからの発光は、量子閉じ込め効果により狭いスペクトルを有するため、比較的深い色度の発光を得ることができる。
　量子ドット８１Ｂは青色光を発光する。量子ドット８１Ｇは、青色光よりも長い発光波長の光である緑色光を発光する。量子ドット８１Ｒは、緑色光よりも長い発光波長の光である赤色光を発光する。
　量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒとしては、例えば、それぞれ、ＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＳｅ、ＩｎＰを含んでいてもよい。また、量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒは、それぞれ、コアとシェルとを備えた、コア／シェル構造を有する半導体ナノ粒子であってもよい。本実施形態においては、量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒは、ＣｄＳｅをコアに、ＺｎＳをシェルに備えた、コアシェル型構造を有している。また、例えば、シェルの外周部には、発光層８０Ｂにおいてはリガンド８２Ｂが配位結合してもよく、発光層８０Ｇにおいてはリガンド８２Ｇが配位結合してもよく、発光層８０Ｒにおいてはリガンド８２Ｒが配位結合してもよい。リガンド８２Ｂ・８２Ｇ・８２Ｂは、例えば、チオールやアミン等の有機物により構成される。
　一例として、量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒを以下の構成としてもよい。すなわち、量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒのうちの任意の２種類について、一方は第１のコアと第１のコアを覆う第１のシェルとを備える。また、他方は第２のコアと第２のコアを覆う第２のシェルとを備える。そして、第１のコアは、下記の一般式(１）で表される組成を有する。
　Ａｘ１Ｂ１-ｘ１Ｃ　・・・(１)
　また、第２のコアは、第１のコアと同一の組成系であることが好ましく、下記の一般式(２)で表される組成を有する。
　Ａ’ｘ３Ｂ’１-ｘ３Ｃ’　・・・(２)
　ただし、上記一般式(１)および(２)において、ＡとＡ’は同一の元素であり、１２族元素（Ｚｎ、Ｃｄ等）または１３族元素（Ｉｎ等）から選択される１種の元素であり、ＢとＢ’は同一の元素であり、Ａの同族元素から選択されるＡとは異なる１種の元素であり、ＣまたはＣ’は、Ａ、Ｂが１２族元素の場合は１６族元素（Ｓｅ、Ｔｅ等）、Ａ、Ｂが１３族元素の場合は１５族元素（Ｐ等）から選択される１種以上の元素であり、｜Ｘ１―Ｘ３｜≦０．２であり、０≦Ｘ１≦１、０≦Ｘ３≦１である。
　また、Ａ、Ｂの少なくとも一方は、Ｈｇよりも小さい原子番号を有してもよい。
　量子ドット８１Ｂは、例えば、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、Ｃｄ０．２５Ｚｅ０．７５Ｓｅ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、Ｉｎ０．２５Ｇa０．７５Ｎ、Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｐなどが挙げられる。量子ドット８１Ｇおよび量子ドット８１Ｒは、量子ドット８１ＢがＣｄＳｅの場合にはＣｄＳｅであり、量子ドット８１ＢがＣｄ０．２５Ｚｅ０．７５Ｓｅの場合にはＣｄ０．２５Ｚｅ０．７５Ｓｅであることが好ましい。
　第１のシェルおよび第２のシェルは、第１のコアおよび第２コアの材料に応じて、適宜選択される当該分野公知の材料であってよい。
　量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒの粒径は、例えば、３ｎｍから１５ｎｍ程度である。量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒからの発光波長は、量子ドット８３の粒径により制御できる。このため、量子ドット８１Ｂ、量子ドット８１Ｇおよび量子ドット８１Ｒそれぞれ、粒径を制御することにより、各色の発光を得ることができる。発光層８０Ｂに含まれる複数の量子ドット８１Ｂの平均粒経は、発光層８０Ｇに含まれる複数の量子ドット８１Ｇの平均粒経よりも小さい。また、発光層８０Ｇに含まれる複数の量子ドット８１Ｇの平均粒経は、発光層８０Ｒに含まれる複数の量子ドット８１Ｒの平均粒経よりも小さい。
　量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒは、それぞれ、異なる種類の材料を含有していてもよい。本実施形態では、一例として、量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒは、それぞれ、同じ種類の材料を含有しており、粒経が異なるものとする。
　また、本実施形態に係る発光装置１では、発光層８０Ｂの厚さＴ１は、発光層８０Ｇの厚さＴ２および発光層８０Ｒの厚さＴ３よりも厚い。また、発光層８０Ｇの厚さＴ２は、発光層８０Ｒの厚さＴ３よりも厚い。
　例えば、発光層８０Ｂの厚さＴ１は発光層８０Ｂのうち中心の厚さであり、発光層８０Ｇの厚さＴ２は発光層８０Ｇのうち中心の厚さであり、発光層８０Ｒの厚さＴ３は発光層８０Ｒのうち中心の厚さである。各発光層の厚さは、例えば、画素の断面を切り出し、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ／ＳＴＥＭ）などによって計測することができる。この発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒの詳細については後述する。
　電子輸送層４７Ｂは、陰極３２Ｂから注入された電子を、さらに発光層８０Ｂへと輸送する。電子輸送層４７Ｇは、陰極３２Ｇから注入された電子を、さらに発光層８０Ｇへと輸送する。電子輸送層４７Ｒは、陰極３２Ｒから注入された電子を、さらに発光層８０Ｒへと輸送する。第２電子輸送層４７Ｂ・４７Ｇ・４７Ｒは、正孔が陰極３２Ｂ・３２Ｇ・３２Ｒへと輸送されることを抑制する機能（正孔ブロック機能）を有してもよい。電子輸送層４７Ｂは、陰極３２Ｂと発光層８０Ｂとの間であって発光層８０Ｂ上に設けられる。電子輸送層４７Ｇは、陰極３２Ｇと発光層８０Ｇとの間であって発光層８０Ｇ上に設けられる。電子輸送層４７Ｒは、陰極３２Ｒと発光層８０Ｒとの間であって発光層８０Ｒ上に設けられる。本実施形態では、電子輸送層４７Ｂ・４７Ｇ・４７Ｒは、サブ画素２Ｂ・２Ｇ・２Ｒを規定する領域ごと（換言すると発光素子３Ｂ・３Ｇ・３Ｒごと）に島状に形成される。
　電子輸送層４７Ｂ・４７Ｇ・４７Ｒは、それぞれ、ＺｎＯ、ＺｎＭｇＯ、ＴＰＢｉ（１，３，５‐トリス(１‐フェニル‐１Ｈ‐ベンゾイミダゾール‐２‐イル）ベンゼン）を含んでいてもよく、あるいは、これらの内の複数の材料を含んでいてもよい。電子輸送層４７Ｂ・４７Ｇ・４７Ｒは、インクジェット法、マスクを使用した蒸着法、またはマスクを使用したフォトリソグラフィ法などにより形成される。電子輸送層４７Ｂ・４７Ｇ・４７Ｒそれぞれは、異なる種類の電子輸送材料を含有していてもよい。本実施形態では、一例として、電子輸送層４７Ｂ・４７Ｇ・４７Ｒは、同じ種類の電子輸送材料を含有しているものとする。
　陰極３２Ｂは、電子輸送層４７Ｂ上に設けられ、電子輸送層４７Ｂと電気的に接続される。陰極３２Ｇは、電子輸送層４７Ｇ上に設けられ、電子輸送層４７Ｇと電気的に接続される。陰極３２Ｒは、電子輸送層４７Ｒ上に設けられ、電子輸送層４７Ｒと電気的に接続される。陰極３２Ｂは、電子輸送層４７Ｂに電子を注入する。陰極３２Ｇは、電子輸送層４７Ｇに電子を注入する。陰極３２Ｒは、電子輸送層４７Ｒに電子を注入する。本実施形態では、陰極３２Ｂ・３２Ｇ・３２Ｒは、複数のサブ画素２Ｂ・２Ｇ・２Ｒ（すなわち発光素子３Ｂ・３Ｇ・３Ｒ）にわたり連続した一つの層として形成されている。
　陰極３２Ｂ・３２Ｇ・３２Ｒは、例えば、光透過性を有する程度に薄膜化させた金属や、透明材料により構成される。陰極３２Ｂ・３２Ｇ・３２Ｒを構成する金属としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ等を含む金属が挙げられる。また、陰極３２Ｂ・３２Ｇ・３２Ｒを構成する透明材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯ、ＢＺＯ、またはＧＺＯ等が挙げられる。陰極３２Ｂ・３２Ｇ・３２Ｒは、例えば、スパッタ法または蒸着法により形成される。
　また、陰極３２Ｂ・３２Ｇ・３２Ｒ上には、封止層（図示省略）が設けられる。封止層は、例えば、陰極３２Ｂ・３２Ｇ・３２Ｒを覆う無機封止膜と、無機封止膜よりも上層の有機バッファ膜からなる有機層と、有機バッファ膜よりも上層の無機封止膜とを含む。封止層は、水、酸素等の異物が発光装置１内部へと浸透することを防ぐ。また、無機封止膜は、無機絶縁膜であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成できる。有機バッファ膜は、平坦化効果のある透光性有機膜であり、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成できる。また、封止層上には機能フィルム（図示省略）が設けられてもよい。機能フィルムは、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能の少なくとも１つを有してもよい。
　陽極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒから注入された正孔はそれぞれ正孔輸送層４６Ｂ・４６Ｇ・４６Ｒを介して発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒへと輸送され、陰極３２Ｂ・３２Ｇ・３２Ｒから注入された電子はそれぞれ電子輸送層４７Ｂ・４７Ｇ・４７Ｒおよびを介して発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒへと輸送される。そして、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒへ輸送された正孔および電子が、量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒ内で再結合することで、励起子が生じる。そして、当該励起子が励起状態から基底状態へと戻ることにより、量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒは発光する。なお、本実施形態の発光装置１では、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒから出射される光をアレイ基板１０とは逆側（図１において上方）から取り出す、トップエミッション型について例示している。しかしながら、発光装置１は、光をアレイ基板１０側（図１において下方）から取り出す、ボトムエミッション型であってもよい。この場合、陽極３２Ｂ・３２Ｇ・３２Ｒを、反射電極により構成し、陽極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒを、透明電極により構成すればよい。
　また、本実施形態の発光装置１では、アレイ基板１０から順に、陽極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒ、正孔輸送層４６Ｂ・４６Ｇ・４６Ｒ、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒ、電子輸送層４７Ｂ・４７Ｇ・４７Ｒおよび陰極３２Ｂ・３２Ｇ・３２Ｒが積層されている。しかしながら、発光装置１は、アレイ基板１０から順に、陰極３２Ｂ・３２Ｇ・３２Ｒ、電子輸送層４７Ｂ・４７Ｇ・４７Ｒ、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒ、正孔輸送層４６Ｂ・４６Ｇ・４６Ｒ、および陽極３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒが積層される、いわゆるインバート構造であってもよい。
　図２は、実施形態１に係る発光装置１における発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒそれぞれにおける、電子親和力とイオン化ポテンシャルとの例を示すエネルギー図である。図２においては、左から右に向かって、発光層８０Ｒ、発光層８０Ｇ、発光層８０Ｂそれぞれのエネルギー図を示している。また、図２において、量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒそれぞれがコア／シェル型構造の量子ドットの場合、図２は、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒそれぞれに含まれる量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒのコアにおける、電子親和力とイオン化ポテンシャルの例を示すエネルギー図である。　図３は実施形態１に係る発光装置１の発光素子３Ｒにおける各層のフェルミ準位、または電子親和力とイオン化ポテンシャルとの例を示すエネルギー図である。図４は実施形態１に係る発光装置１の発光素子３Ｇにおける各層のフェルミ準位、または電子親和力とイオン化ポテンシャルとの例を示すエネルギー図である。図５は実施形態１に係る発光装置１における発光素子３Ｂにおける各層のフェルミ準位、または電子親和力とイオン化ポテンシャルとの例を示すエネルギー図である。図３では、左から右に向かって、陽極３１Ｒ、正孔輸送層４６Ｒ、発光層８０Ｒ、電子輸送層４７Ｒおよび陰極３２Ｒのエネルギー図を示している。図４では、それぞれ、左から右に向かって、陽極３１Ｇ、正孔輸送層４６Ｇ、発光層８０Ｇ、電子輸送層４７Ｇおよび陰極３２Ｇのエネルギー図を示している。図５では、それぞれ、左から右に向かって、陽極３１Ｇ、正孔輸送層４６Ｇ、発光層８０Ｇ、電子輸送層４７Ｇおよび陰極３２Ｇのエネルギー図を示している。
　陽極３１Ｒ・３１Ｇ・３１Ｂおよび陰極３２Ｒ・３２Ｇ・３２Ｂにおいては、それぞれの電極のフェルミ準位を、ｅＶを単位に示す。正孔輸送層４６Ｒ・４６Ｇ・４６Ｂ、発光層８０Ｒ・８０Ｇ・８０Ｂ、電子輸送層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂにおいては、それぞれ、下方に、真空準位を基準としたそれぞれの層のイオン化ポテンシャルを、ｅＶを単位に示し、それぞれの上方に、真空準位を基準としたそれぞれの層の電子親和力を、ｅＶを単位に示す。
　以下、本明細書において、単にイオン化ポテンシャルまたは電子親和力を説明する場合、何れも、真空準位を基準としたものとして説明を行う。
　本実施形態では、量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒは、それぞれ、同一の組成系のコアを含む。そして、本発明者らの測定結果によると、量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒが同じ材料系のコアの場合、それぞれのコアの価電子帯準位（イオン化ポテンシャルに等しい）は、量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒが発光する光の波長によらず実質的に同値である。
　ここで、発光層のイオン化ポテンシャルの測定は、以下のように行った。
　なお、量子ドットの組成が実質的に同じであり、粒径が同じ（－２ｎｍ以上＋２ｎｍ以下の範囲の差を許容するものとする）である量子ドットのイオン化ポテンシャルは互いに等しいと仮定して測定を行った。なお、「イオン化ポテンシャルは互いに等しい」とは、－０．１ｅＶ以上＋０．１ｅＶ以下の範囲の差を許容するものとする。
　まず、ディスプレイをレーザー切断等により切断し、発光層の断面を露出させた。露出させた断面をＳＥＭ－ＥＤＸを用いて観察することにより、量子ドットの組成と粒径を特定した。具体的には、量子ドットの組成は、ＣｄＳｅである。量子ドットの粒径は、２μｍ以上３μｍ以下程度の大きさの視野に含まれる、厚さ３０ｎｍ程度の量子ドット層のうち、１００個程度の量子ドットを任意に選択し、選択した各量子ドットの面積を測定し、その面積を持つ円の直径の平均値を求めることにより算出した。量子ドットの粒径は５ｎｍであった。
　そして、上記特定した組成及び粒径を有する量子ドットを作製した。次に、作製した量子ドットをヘキサン、トルエン等の有機溶媒に分散させ、分散溶液を調整した。次に、調整した分散溶液を、主面上にインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜（厚さ７０ｎｍ）を有するガラス基板のＩＴＯ膜上に塗布し、有機溶媒を蒸発させることにより、厚さが３０ｎｍの発光層を形成し、イオン化ポテンシャル測定用のサンプルを作製した。
　作製したサンプルに対して、大気中光電子分光装置（理研計器社製「ＡＣ－３」）を用いて、光電子分光測定を行うことによりイオン化ポテンシャルを測定した。
　具体的には、入力電力を、４．８ｅＶ付近に観察されるＩＴＯ膜由来のピークが実質的に観察されない電力に固定し、電子ボルト（ｅＶ）を変化させながら、量子収率を測定し、電子ボルトと量子収率との関係を測定した。その結果、電子ボルトを高めていった際に、量子収率が大きくなる電子ボルトをイオン化ポテンシャルとした。
　量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒのイオン化ポテンシャルは互いに等しく、５．４ｅＶである。なお、「イオン化ポテンシャルは互いに等しい」とは、－０．１ｅＶ以上＋０．１ｅＶ以下の範囲の差を許容するものとする。
　一方、量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒの伝導帯準位（電子親和力に等しい）は、それぞれが同じ材料系であっても、量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒが発光する光の波長に依存して変化する。特に、量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒの伝導帯準位は、量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒの発する光の波長が長いほど、エネルギー準位が深くなり、量子ドット８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒが発光する光の波長が短いほど、エネルギー準位が浅くなる。
　例えば、図２に示すように、本実施形態において、発光層８０Ｒ、発光層８０Ｇ、および発光層８０Ｂは、５．４ｅＶのイオン化ポテンシャルを有し、異なるサブ画素間においても実質的に同値である。一方、本実施形態において、発光層８０Ｒ、発光層８０Ｇ、および発光層８０Ｂは、それぞれ、３．４ｅＶ、３．１ｅＶ、および２．７ｅＶの電子親和力を有する。このように、量子ドット８１Ｂの電子親和力は、量子ドット８１Ｇの電子親和力より小さい。また、量子ドット８１Ｇの電子親和力は量子ドット８１Ｒの電子親和力より小さい。
　また、図３から図５に示すように、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂにおいて、例えば、陽極３１Ｒ・３１Ｇ・３１ＢそれぞれはＩＴＯを含み、正孔輸送層４６Ｒ・４６Ｇ・４６ＢそれぞれはＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを含む層とＴＦＢを含む層とを有し、電子輸送層４７Ｒ・４７Ｇ・４７ＢはそれぞれＺｎＯを含み、陰極３２Ｒ・３２Ｇ・３２ＢがＡｌを含むとする。
　この場合、陽極（ＩＴＯ）３１Ｒ・３１Ｇ・３１Ｂそれぞれのフェルミ準位は４．８ｅＶである。正孔輸送層４６Ｒ・４６Ｇ・４６ＢそれぞれにおけるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを含む層のフェルミ準位は５．４ｅＶであり、ＴＦＢを含む層におけるイオン化ポテンシャルは５．４ｅＶであり、ＴＦＢを含む層における電子親和力は２．４ｅＶである。このように、正孔輸送層４６Ｒ・４６Ｇ・４６Ｂそれぞれに含まれる正孔輸送材料のイオン化ポテンシャルは互いに等しい。また、正孔輸送層４６Ｒ・４６Ｇ・４６Ｂそれぞれに含まれる正孔輸送材料の電子親和力は互いに等しい。なお、「イオン化ポテンシャルは互いに等しい」とは、とは、－０．１ｅＶ以上＋０．１ｅＶ以下の範囲の差を許容するものとする。また、「電子親和力が互いに等しい」とは、－０．１ｅＶ以上＋０．１ｅＶ以下の範囲の差を許容するものとする。
　電子輸送層（ＺｎＯ）４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂそれぞれにおける、イオン化ポテンシャルは７．２ｅＶであり、電子親和力は３．９ｅＶである。電子輸送層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂそれぞれに含まれる電子輸送材料のイオン化ポテンシャルは互いに等しい。また、電子輸送層４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂそれぞれに含まれる電子輸送材料の電子親和力は互いに等しい。なお、「イオン化ポテンシャルは互いに等しい」とは、とは、－０．１ｅＶ以上＋０．１ｅＶ以下の範囲の差を許容するものとする。また、「電子親和力が互いに等しい」とは、－０．１ｅＶ以上＋０．１ｅＶ以下の範囲の差を許容するものとする。
　陰極（Ａｌ）３２Ｒ・３２Ｇ・３２Ｂそれぞれのフェルミ準位は４．３ｅＶである。
　次に、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂの各層において、正孔および電子が輸送される様子を、図３から図５を参照して説明する。
　発光装置１において、陽極３１Ｒ・３１Ｇ・３１Ｂと、陰極３２Ｒ・３２Ｇ・３２Ｂとの間に電位差が発生すると、図３から図５の矢印Ｈ１に示すように、陽極３１Ｒ・３１Ｇ・３１Ｂから正孔輸送層４６Ｒ・４６Ｇ・４６ＢそれぞれにおけるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを含む層へと正孔が注入される。同様に、図３から図５の矢印ＥＲ１、ＥＧ１、およびＥＢ１にそれぞれ示すように、陰極３２Ｒ・３２Ｇ・３２Ｂからそれぞれの発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂにおける電子輸送層（ＺｎＯ）４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂへと、電子が注入される。
　ここで、例えば、第１層から、第１層とは異なる第２層への正孔輸送の障壁は、第２層のイオン化ポテンシャルから第１層のイオン化ポテンシャルを差し引いたエネルギーによって示される。このため、矢印Ｈ１に示す正孔注入の障壁は、発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂの種類に関わらず、０．６ｅＶである。
　また、例えば、第１層から、第１層とは異なる第２層への電子輸送の障壁は、第１層の電子親和力から第２層の電子親和力を差し引いたエネルギーによって示される。このため、矢印ＥＲ１、ＥＧ１、およびＥＢ１それぞれに示す正孔注入の障壁は、本実施形態においては同じ、それぞれ０．４ｅＶである。
　図３から図５における、矢印Ｈ２に示すように、正孔輸送層４６Ｒ・４６Ｇ・４６ＢそれぞれにおけるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを含む層からＴＦＢを含む層への正孔輸送の障壁は０ｅＶである。また、矢印Ｈ３に示すように、正孔輸送層４６Ｒ・４６Ｇ・４６ＢそれぞれにおけるＴＦＢを含む層から発光層８０Ｒ・８０Ｇ・８０Ｂへの正孔輸送の障壁は０ｅＶである。
　また、図３から図５における、矢印ＥＲ２・ＥＧ２・ＥＢ２に示すように、それぞれの発光素子３Ｒ・３Ｇ・３Ｂにおいて、電子輸送層（ＺｎＯ）４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂに注入された電子は、発光層８０Ｒ・８０Ｇ・８０Ｂに輸送される。ここで、矢印ＥＲ２に示す電子輸送の障壁は、０．５ｅＶであり、矢印ＥＧ２に示す電子輸送の障壁は、０．８ｅＶであり、矢印ＥＢ２に示す電子輸送の障壁は、１．２ｅＶである。このように、電子輸送層（ＺｎＯ）４７Ｒ・４７Ｇ・４７Ｂから発光層８０Ｒ・８０Ｇ・８０Ｂに電子が輸送される際の障壁は、電子輸送層４７Ｒから発光層８０Ｒへの障壁が小さく、電子輸送層４７Ｇから発光層８０Ｇへの障壁が次に大きく、電子輸送層４７Ｂから発光層８０Ｂへの障壁が最も大きい。
　そして、このようにして、発光層８０Ｒ・８０Ｇ・８０Ｂに輸送された正孔と電子とが、量子ドット８１Ｒ・８１Ｇ・８１Ｂにおいて再結合することに基づいて、量子ドット８１Ｒ・８１Ｇ・８１Ｂそれぞれが発光する。
　ここで、量子ドット８１Ｒ・８１Ｇ・８１Ｂそれぞれを、高効率で発光させるためには、量子ドット８１Ｒ・８１Ｇ・８１Ｂそれぞれに注入される正孔の数と、電子の数とのバランス（キャリアバランス）をとる必要がある。
　そこで、図１に示したように、本実施形態に係る発光装置１では、発光層８０Ｂの厚さＴ１は、発光層８０Ｇの厚さＴ２より厚い。これにより、発光層８０Ｇ内でのキャリアバランスを改善し、発光層８０Ｇの内部量子効率を向上させることができる。また、発光層８０Ｇの厚さＴ２は、発光層８０Ｒの厚さＴ３より厚い。
　このように、発光層８０Ｂの厚さＴ１＞発光層８０Ｇの厚さＴ２＞発光層８０Ｒの厚さＴ３とすることで、発光層８０Ｂおよび発光層８０Ｇそれぞれのキャリアバランスが改善でき、これにより、発光層８０Ｂおよび発光層８０Ｇそれぞれの内部量子効率を向上させることができることについて、以下のように考えることができる。
　すなわち、図２から図５を用いて説明したように、発光層８０Ｒ・８０Ｇ・８０Ｂそれぞれの価電子帯準位は、発光する光の波長によらず、互いに等しい。一方、図２から図５に示したように、発光層８０Ｒ・８０Ｇ・８０Ｂそれぞれの伝導帯準位は、バンドギャップの順となり、発光層８０Ｒが最も深く、発光層８０Ｒよりも発光層８０Ｇが浅く、さらに、発光層８０Ｂが最も浅い。このため、発光層８０Ｒ・８０Ｇ・８０Ｂそれぞれのうち、発光層８０Ｒは最も電子が注入されやすい。発光層８０Ｇは発光層８０Ｒよりも電子が注入されにくくなり、さらに、発光層８０Ｂは発光層８０Ｇよりも電子が注入されにくくなる。このため、発光層８０Ｒよりも、発光層８０Ｇの方が、層内での正孔の数に対する電子の数が少なくなりやすい。さらに、発光層８０Ｇよりも、発光層８０Ｂの方が、層内での正孔の数に対する電子の数が少なくなりやすい。
　図６は、発光層８０Ｒの層内でのキャリアの分布を説明する図である。図７は、発光層８０Ｂの層内でのキャリアの分布を説明する図である。図６および図７とも、横軸は発光層の膜厚を表し、縦軸はキャリア（正孔または電子）の数を表している。
　図６および図７に示すように、発光層内でのキャリア（正孔および電子）の移動度は、電子より正孔の方が小さい。換言すると、発光層内での膜厚方向の拡散長は、電子より正孔の方が短い。このため。発光層内に注入された正孔の数の分布は、発光層の膜厚方向に、正孔輸送層から離れて電子輸送層へ近づくにしたがって（図６および図７において右方向へいくにしたがって）指数関数的に少なくなる。一方、発光層内に注入された電子の数の分布は、発光層の膜厚方向にほぼ一定である。ただし、図３および図５に示したように、発光層８０Ｒと比べて発光層８０Ｂの方が、層内での正孔の数に対する電子の数が少なくなりやすい。そして、発光層８０Ｒ・８０Ｂそれぞれに注入された電子のうち、発光に寄与しない電子の数が抑えられる（すなわちキャリアバランスが改善された）膜厚を、発光層８０Ｒの厚さＴ１、発光層８０Ｒの厚さＴ３とすると、図６および図７に示すように、厚さＴ３よりも、厚さＴ１の方が大きくなる。発光層８０Ｇについても同様に考えると、発光に寄与しない電子の数が抑えられる（すなわちキャリアバランスが改善された）厚さＴ２は、厚さＴ３よりも大きく、厚さＴ１よりも小さくなる。
　例えば、厚さＴ３：厚さＴ２：厚さＴ１＝１．０：２．０：３．７であることが好ましい。例えば、厚さＴ３は１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましい。また、厚さＴ２は２５ｎｍ以上３５ｎｍ以下が好ましい。また、厚さＴ１は５０ｎｍ以上６０ｎｍ以下が好ましい。
　すなわち、例えば、厚さＴ１と厚さＴ２は、下記の関係式（式３）を満たすことが好ましい。
　１．３≦Ｔ１／Ｔ２≦２．４　　　（式３）
　また、例えば、厚さＴ１と厚さＴ３は、以下の関係式（式４）を満たすことが好ましい。
　２．５≦Ｔ１／Ｔ３≦６．０　　　（式４）
　これにより、発光層８０Ｒ・８０Ｇ・８０Ｂそれぞれにおいて、キャリアバランスが改善し、内部量子効率を向上させることができる。一例として、膜厚Ｔ３を１５ｎｍ、膜厚Ｔ２を３０ｎｍおよび膜厚Ｔ３を５６ｎｍとすることができる。
　図８は、実施形態１の変形例１に係る発光装置１Ｂの断面図である。図８に示す発光装置１Ｂは、図１に示した発光装置１における電子輸送層４７Ｂ・４７Ｇ・４７Ｒに換えて、電子輸送層４７を備える点が異なる。発光装置１Ｂの他の構成は、発光装置１と同様である。
　発光装置１Ｂが備える電子輸送層４７は、電子輸送層４７Ｂ・４７Ｇ・４７Ｒが繋がって、発光素子３Ｂ・３Ｇ・３Ｒに跨って連続する１つの層である。電子輸送層４７は、電子輸送層４７Ｂ・４７Ｇ・４７Ｒと同じ材料を用いることができる。このように、発光装置１Ｂを構成してもよい。
　図９は、実施形態１の変形例２に係る発光装置１Ｃの断面図である。図９に示す発光装置１Ｃは、図８に示した発光装置１Ｂにおける正孔輸送層４６Ｂ・４６Ｇ・４６Ｒに換えて、正孔輸送層４６を備える点が異なる。発光装置１Ｃの他の構成は、発光装置１Ｂと同様である。
　発光装置１Ｃが備える正孔輸送層４６は、正孔輸送層４６Ｂ・４６Ｇ・４６Ｒが繋がって、発光素子３Ｂ・３Ｇ・３Ｒに跨って連続する１つの層である。正孔輸送層４６は、正孔輸送層４６Ｂ・４６Ｇ・４６Ｒと同じ材料を用いることができる。このように、発光装置１Ｃを構成してもよい。
　〔実施形態２〕
　次に、実施形態２について説明する。なお、実施形態１と異なる点を中心に説明し、実施形態１と重複する内容については説明を省略する。
　図１０は、実施形態２に係る発光装置１Ｅにおける中央領域Ｒ１を表す図である。例えば、発光装置１Ｅが、スマートフォンなどの携帯情報端末であり、画素ＰＸが並んで配置された表示パネルと、表示パネルの背面に配置された、表示パネルに電力を供給する電源であるバッテリーとを有するとする。この場合、発光装置１Ｅの使用により、表示パネルの中央領域Ｒ１はバッテリーの温度上昇に伴い高温となり、中央領域Ｒ１の外側の周辺領域Ｒ２は、中央領域Ｒ１よりも低温となる。
　または、例えば、発光装置１Ｅがテレビであり、画素ＰＸが並んで配置された表示パネルと、表示パネルの背面に配置された、電源回路を有する回路基板と、表示パネルおよび回路基板の縁を囲む筐体とを有するとする。また、この筐体には、回路基板から発生する熱を放出するための排気口が設けられているとする。この場合、発光装置１Ｄの使用によって回路基板から発生した熱は、筐体に設けられた排気口から放出される。このため、表示パネルの周辺領域Ｒ２近傍の温度よりも、表示パネルの中央領域Ｒ１近傍の温度の方が高温になりやすい。このように、発光装置１Ｅにおける表示場パネルの中央領域Ｒ１は、周辺領域Ｒ２と比べて高温になりやすい。
　ここで、発光素子の温度が上昇すると、例えば、半導体であるＩＴＯは電気抵抗が小さくなる一方、金属であるＡｌの電気抵抗は大きくなる。また、発光素子の温度が上昇すると、電子輸送層から発光層に注入された電子が、発光層と正孔輸送層との間の障壁を超えることによるリーク電流が発生しやすくなる。したがって、発光素子の温度が上昇すると、発光層内でのキャリアバランスは、正孔の数が過剰となりやすく、電子の数が不足しやすくなるため、内部量子効率が低下する原因となる。
　図１１は、実施形態２に係る発光装置１Ｅにおける表示パネル１Ｅａと、周辺回路との概略構成を表す平面図である。図１１に示すように、発光装置１Ｅは、表示パネル１Ｅａと、ゲートドライバＧＤと、ソースドライバＳＤと、表示制御回路１０１とを有する。
　表示パネル１Ｅａは、画素ＰＸがマトリクス状に配置された画像表示領域を有する。表示パネル１Ｅａには、画素ＰＸへソース信号（データ信号）を供給するための複数のデータ線Ｓｎ（ｎは１からＮまで整数）と、画素ＰＸへゲート信号を供給するための複数のゲート線Ｇｍ（ｍは１からＭまで整数）とが設けられている。複数のデータ線Ｓｎは、一方向から順に１～ｎ本(ｎは、３以上の整数)配されているとする。複数のゲート線Ｇｍは、一方向から順に１～ｍ本(ｍは、３以上の整数)配されているとする。そして、複数の画素ＰＸは、複数のデータ線Ｓｎと複数のゲート線Ｇｍとの交差部に配されている。
　複数のデータ線Ｓｎそれぞれの一方の端部は、画素ＰＸにおけるＴＦＴのソース電極と接続されており、他方の端部はソースドライバＳＤと接続されている。複数のゲート線Ｇｍそれぞれの一方の端部は、画素ＰＸにおけるＴＦＴのゲート電極と接続されており、他方の端部はゲートドライバＧＤと接続されている。
　ソースドライバＳＤは、例えば、直列並列変換およびラッチ回路、ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、および入出力バッファ回路などを含んでいてもよい。ソースドライバＳＤは、表示制御回路１０１から入力される信号に基づきソース信号を生成し、生成したソース信号を各データ線Ｓｎに所定タイミングで供給する。ゲートドライバＧＤは、例えば、表示制御回路１０１からの入力される信号に基づき、ゲート信号を生成し、生成したゲート信号を各ゲート線Ｇｍに所定タイミングで供給する。そして、各画素ＰＸのＴＦＴは、ゲート線Ｇｍから供給されたゲート信号およびデータ線Ｓｎから供給されたソース信号に基づいて駆動が制御される。
　表示パネル１Ｅａに配置されている複数の画素ＰＸのうち、中央領域Ｒ１に含まれる画素ＰＸを画素（第１画素）ＰＸ１と称し、中央領域Ｒ１の周囲の周辺領域Ｒ２に含まれる画素ＰＸを画素（第２画素）ＰＸ２と称する。
　例えば、画素ＰＸ１は、複数のデータ線Ｓｎのうち、０．４ｎ以上０．６ｎ以下に含まれる複数のデータ線Ｓｎの少なくともいずれかに配される。画素ＰＸ１は、複数のデータ線Ｓｎのうち、０．４ｎ以上０．６ｎ以下に含まれる複数のデータ線Ｓｎの全てに配されてもよい。一例として、ｎ＝１００とすると、画素ＰＸ１は、一方向に数えて（例えば左から右に数えて）４０本目から６０本目のデータ線Ｓｎのうち少なくともいずれかに設けられている。換言すると、画素ＰＸ１は、複数のデータ線のうち、中央の２割のデータ線Ｓｎの少なくともいずれかに配されると表現することもできる。
　また、例えば、画素ＰＸ２は、複数のデータ線Ｓｎのうち、０．４ｎ以上０．６ｎ以下に含まれる複数のデータ線Ｓｎ以外の複数のデータ線Ｓｎの少なくともいずれかに配される。画素ＰＸ２は、複数のデータ線Ｓｎのうち、０．４ｎ以上０．６ｎ以下に含まれる複数のデータ線Ｓｎ以外の複数のデータ線Ｓｎの全てに配されてもよい。一例として、ｎ＝１００とすると、画素ＰＸ２は、一方向に数えて（例えば左から右に数えて）１本目から３９本目、および、６１本目から１００本目のデータ線Ｓｎのうち少なくともいずれかに設けられている。換言すると、画素ＰＸ２は、複数のデータ線Ｓｎのうち、両端４割のデータ線Ｓｎの少なくともいずれかに配されると表現することもできる。
　図１２は、実施形態２に係る発光装置１Ｅの中央領域Ｒ１における画素ＰＸ１の断面図である。図１３は、実施形態２に係る発光装置１Ｅの周辺領域Ｒ２における画素ＰＸ２の断面図である。図１２に示すように、発光装置１Ｅの画素ＰＸ１における、発光層８０Ｂの厚さを厚さＴ１１、発光層８０Ｇの厚さを厚さＴ２１、発光層８０Ｒの厚さを厚さＴ３１とする。図１３に示すように、発光装置１Ｅの画素ＰＸ２における、発光層８０Ｂの膜厚を厚さＴ１２、発光層８０Ｇの厚さを厚さＴ２２、発光層８０Ｒの厚さを厚さＴ３２とする。図１２および図１３に示すように、発光装置１Ｅでは、画素ＰＸ２における発光層８０Ｂの厚さＴ１２は、画素ＰＸ１における発光層８０Ｂの厚さＴ１１よりも薄い。これにより、画素ＰＸ１の温度が、画素ＰＸ２の温度よりも上昇したとしても、画素ＰＸ１の発光層８０Ｂにおける電子の数の不足を抑制し、画素ＰＸ１の発光層８０Ｂのキャリアバランスと、画素ＰＸ２の発光層８０Ｂのキャリアバランスとの差異が大きくなることを抑制することができる。すなわち、画素ＰＸ１の発光層８０Ｂの内部領域効率と、画素ＰＸ２の発光層８０Ｂの内部量子効率との差異が大きくなることを抑制することができる。これにより、中央領域Ｒ１の温度が周辺領域Ｒ２の温度より上昇したとしても、表示パネル１Ｅａにおける面内の輝度ムラの発生を抑制することができる。
　また、発光装置１Ｅにおいて、画素ＰＸ２における発光層８０Ｇの厚さＴ２２を、画素ＰＸ１における発光層８０Ｇの厚さＴ２１よりも薄くしてもよい。また、発光装置１Ｅにおいて、画素ＰＸ２における発光層８０Ｒの厚さＴ３２を、画素ＰＸ１における発光層８０Ｒの厚さＴ３１よりも薄くしてもよい。これにより、さらに、表示パネル１Ｅａにおける面内の輝度ムラの発生を抑制することができる。
　図１４は、実施形態２の変形例に係る発光装置１Ｅの周辺領域Ｒ２における画素ＰＸ２の断面図である。画素ＰＸ２は、図１４に示すように、発光層８０Ｂの厚さＴ１２と、発光層８０Ｇの厚さＴ２２と、発光層８０Ｒの厚さＴ３２とが、互いに等しくてもよい。例えば、厚さＴ１２、厚さＴ２２および厚さＴ３２は、１５ｎｍ程度としてもよい。
　ここで、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒを成膜する工程において、基板に、量子ドットが分散された分散液を塗布した後、ヒータにより基板を加熱することで、分散液の溶媒を沸点より高い温度まで加熱し、溶媒を蒸発させて、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒを成膜する。しかし、ヒータの加熱ムラのため、周辺領域に含まれる画素は、温度が上昇しにくく、溶媒が蒸発しにくい。特に、狭額縁のディスプレイなど、周辺領域に含まれる画素が基板の端に近い場合、周辺領域に含まれる画素の温度は上昇しにくい。このため、周辺領域において、発光層となる分散液が蒸発しにくく、成膜された発光層の膜厚ムラが生じやすくなる。
　そこで、周辺領域Ｒ２に含まれる発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒそれぞれの厚さＴ１２・Ｔ２２・Ｔ３２を薄くする。すなわち、発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒそれぞれとなる分散液の塗布量のうち、周辺領域Ｒ２に含まれる画素ＰＸ２に塗布する塗布量を減らす。これにより、周辺領域Ｒ２に含まれる画素ＰＸ２に成膜された発光層８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒそれぞれの膜厚ムラを抑制することができる。これによっても、表示パネル１Ｅａにおける面内の輝度ムラの発生を抑制することができる。
　また、上記実施形態や変形例に登場した各要素を、矛盾が生じない範囲で、適宜に組み合わせてもよい。
　１・１Ｂ・１Ｃ・１Ｅ：発光装置、２Ｂ・２Ｇ・２Ｒ：サブ画素、ＰＸ・ＰＸ１・ＰＸ２：画素、３Ｂ・３Ｇ・３Ｒ：発光素子、１０：アレイ基板、２０　層間絶縁膜、３１Ｂ・３１Ｇ・３１Ｒ：陽極、３２Ｂ・３２Ｇ・３２Ｒ：陰極、４６Ｂ・４６Ｇ・４６Ｒ：正孔輸送層、４７Ｂ・４７Ｇ・４７Ｒ：電子輸送層、７０：バンク、８０Ｂ・８０Ｇ・８０Ｒ：発光層、８１Ｂ・８１Ｇ・８１Ｒ：量子ドット、Ｔ１・Ｔ２・Ｔ３：厚さ

Claims (17)

  1. 　複数の画素を備え、
    　前記複数の画素のうち１つの画素は、第１発光素子が設けられた第１サブ画素と、第２発光素子が設けられた第２サブ画素とを有し、
    　前記第１発光素子は、第１陰極と、第１陽極と、第１量子ドットを含み、前記第１陰極および前記第１陽極の間に設けられた第１発光層と、を有し、
    　前記第２発光素子は、第２陰極と、第２陽極と、前記第１量子ドットの発光波長よりも長い発光波長の光を発光する第２量子ドットを含み、前記第２陰極および前記第２陽極の間に設けられた第２発光層と、を有し、
    　前記第１発光層の厚さは、前記第２発光層の厚さよりも厚い、発光装置。
  2. 　前記第１発光素子は、
    　　前記第１陰極および前記第１発光層の間に設けられた第１電子輸送層と、
    　　前記第１陽極および前記第１発光層の間に設けられた第１正孔輸送層と、を有し、
    　前記第２発光素子は、
    　　前記第２陰極および前記第２発光層の間に設けられた第２電子輸送層と、
    　　前記第２陽極および前記第２発光層の間に設けられた第２正孔輸送層と、を有する、請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記第１電子輸送層および前記第２電子輸送層のそれぞれに含まれる電子輸送材料の電子親和力は互いに等しい、請求項２に記載の発光装置。
  4. 　前記第１正孔輸送層および前記第２正孔輸送層のそれぞれに含まれる正孔輸送材料のイオン化ポテンシャルは互いに等しい、請求項２または３に記載の発光装置。
  5. 　前記第１量子ドットおよび前記第２量子ドットのイオン化ポテンシャルは互いに等しく、
    　前記第１量子ドットの電子親和力は、前記第２量子ドットの電子親和力よりも小さい、請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 　前記第１量子ドットおよび前記第２量子ドットは同一の組成系のコアを有し、
    　前記第１量子ドットの平均粒径は、第２量子ドットの平均粒径よりも小さい、請求項１から５のいずれかに記載の発光装置。
  7. 　前記第１電子輸送層および前記第２電子輸送層は、連続した一つの層である、請求項２または３に記載の発光装置。
  8. 　前記第１正孔輸送層および前記第２正孔輸送層は、連続した一つの層である、請求項２、３および７のいずれか１項に記載の発光装置。
  9. 　前記第１量子ドットは、青色の波長の光を発光し、
    　前記第１発光層の厚さＴ１は、５０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である、請求項１～８のいずれか１項に記載の発光装置。
  10. 　前記第２量子ドットは、緑色の波長の光を発光し、
    　前記第２発光層の厚さＴ２は、２５ｎｍ以上３５ｎｍ以下である、請求項１から９のいずれか１項に記載の発光装置。
  11. 　前記第２量子ドットは、赤色の波長の光を発光し、
    　前記第２発光層の厚さＴ３は、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下である、請求項１から９のいずれか１項に記載の発光装置。
  12. 　前記第１量子ドットは、青色の波長の光を発光し、
    　前記第２量子ドットは、緑色の波長の光を発光し、
    　前記第１発光層の厚さＴ１と、前記第２発光層の厚さＴ２は、以下の関係式を満たす、
    　　１．３≦Ｔ１／Ｔ２≦２．４、
    　請求項１から８のいずれか１項に記載の発光装置。
  13. 　前記第１量子ドットは、青色の波長の光を発光し、
    　前記第２量子ドットは、赤色の波長の光を発光し、
    　前記第１発光層の厚さＴ１と、前記第２発光層の厚さＴ３は、以下の関係式を満たす、
    　　２．５≦Ｔ１／Ｔ３≦６．０、
    　請求項１から８のいずれか１項に記載の発光装置。
  14. 　前記第１量子ドットは、第１のコアと前記第１のコアを覆う第１のシェルとを備え、
    　前記第２量子ドットは、第２のコアと前記第２のコアを覆う第２のシェルとを備え、
    　前記第１のコアは、下記の一般式(１）で表される組成を有し、
    　　Ａｘ１Ｂ１-ｘ１Ｃ　・・・(１)
    　前記第２のコアは、下記の一般式(２)で表される組成を有し、
    　　Ａ’ｘ３Ｂ’１-ｘ３Ｃ’　・・・(２)
    　上記一般式(１)および(２)において、
    　ＡとＡ’は同一の元素であり、１２族元素または１３族元素から選択される１種の元素であり、
    　ＢとＢ’は同一の元素であり、Ａの同族元素から選択されるＡとは異なる１種の元素であり、
    　ＣまたはＣ’は、Ａ、Ｂが１２族元素の場合は１６族元素、Ａ、Ｂが１３族元素の場合は１５族元素から選択される１種以上の元素であり、
    　｜Ｘ１―Ｘ３｜≦０．２であり、
    　０≦Ｘ１≦１、０≦Ｘ３≦１である、請求項４に記載の発光装置。
  15. 　Ａ、Ｂの少なくとも一方は、Ｈｇよりも小さい原子番号を有する、請求項１４に記載の発光装置。
  16. 　一方向から順に１～ｎ本(ｎは、３以上の整数)配された複数のデータ線と、
    　前記複数のデータ線と交差し、一方向から順に１～ｍ本(ｍは、３以上の整数)配された複数のゲート線とを備え、
    　前記複数の画素は、前記複数のデータ線と前記複数のゲート線との交差部に配されており、また、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とを含む第１画素を含み、
    　前記第１画素は、前記複数のデータ線のうち、０．４ｎ以上０．６ｎ以下に含まれる複数のデータ線のうち、少なくともいずれかに配される、請求項１から１５のいずれか１項に記載の発光装置。
  17. 　前記複数の画素は、前記複数のデータ線のうち、０．４ｎ以上０．６ｎ以下に含まれる複数のデータ線以外の複数のデータ線のうち、少なくともいずれかに配される第２画素を含み、
    　前記第２画素に含まれる、青色の波長の光を発光する青発光層の厚さは、前記第１発光層の厚さよりも薄い、請求項１６に記載の発光装置。
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