KR20190055283A - 편광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

편광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190055283A
KR20190055283A KR1020170150477A KR20170150477A KR20190055283A KR 20190055283 A KR20190055283 A KR 20190055283A KR 1020170150477 A KR1020170150477 A KR 1020170150477A KR 20170150477 A KR20170150477 A KR 20170150477A KR 20190055283 A KR20190055283 A KR 20190055283A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
inorganic
layer
capping layer
capping
Prior art date
Application number
KR1020170150477A
Other languages
English (en)
Inventor
이선욱
김민수
박재철
윤여건
진유영
홍왕수
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170150477A priority Critical patent/KR20190055283A/ko
Priority to US15/958,384 priority patent/US10261359B1/en
Publication of KR20190055283A publication Critical patent/KR20190055283A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3058—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133617—Illumination with ultraviolet light; Luminescent elements or materials associated to the cell
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G02F1/133548—Wire-grid polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)

Abstract

편광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치가 제공된다. 상기 편광 소자는 베이스, 상기 베이스 상에 배치된 선 격자 패턴층으로서, 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격된 복수의 선형 패턴들을 포함하는 선 격자 패턴층, 및 상기 선 격자 패턴층 상에 배치된 캡핑층으로서, 무기 재료를 포함하는 제1 무기 캡핑층, 및 유기 재료를 포함하는 유기 캡핑층을 포함하는 캡핑층을 포함하되, 상기 제1 무기 캡핑층은, 상기 선 격자 패턴층 상에 배치되고 상기 제1 방향으로 연장되며 상기 제2 방향으로 이격된 복수의 무기 캡핑 패턴들을 포함하고, 상기 유기 캡핑층의 적어도 일부는 인접한 상기 무기 캡핑 패턴들 사이의 이격 공간에 삽입된다.

Description

편광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치{POLARIZER AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 편광 소자 및 편광 소자를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
편광 소자는 그 투과축과 평행한 방향으로 진동하는 편광 성분은 투과시키고, 상기 투과축과 교차하는 방향으로 진동하는 편광 성분은 부분적으로 투과를 차단함으로써 무편광(unpolarized) 상태의 입사광을 특정한 편광 상태를 갖는 광으로 변환할 수 있다. 이러한 편광능을 갖는 편광 소자를 표시 장치에 적용함으로써 표시 장치가 다양한 광학 기능을 갖도록 할 수 있다.
예를 들어, 액정 표시 장치에서 편광 소자는 액정층과 함께 광원부로부터 제공되는 광의 투과량을 조절하는 셔터(shutter) 기능을 수행할 수 있고, 이를 통해 각 화소 별로 액정층을 투과하는 광의 양을 제어함으로써 영상 표시를 구현할 수 있다.
상기 편광 소자의 예로는 짧은 피치를 갖는 선 격자 패턴을 들 수 있다. 선 격자 패턴의 피치가 입사광의 파장보다 충분히 짧은 경우 선 격자 패턴은 편광능을 가질 수 있다.
우수한 편광능을 갖는 선 격자 패턴을 제공하기 위해서는 선 격자 패턴의 선형 패턴의 폭과 인접한 선형 패턴들 간의 이격 거리를 매우 미세하게 조절해야 한다. 그러나 선 격자 패턴의 피치를 미세하게 형성함에 따라 공정이 복잡해지고 선 격자 패턴 형성 이후의 후속 공정에서 미세한 선 격자 패턴에 기인한 불량이 발생하는 문제가 있다. 선 격자 패턴에 기인하여 발생한 불량은 편광 소자의 편광능을 저하시킬 뿐만 아니라 편광 소자를 포함하는 표시 장치의 표시 품질을 저하시킬 수 있다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 불량의 발생 없이 우수한 편광능을 갖는 편광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 상기 편광 소자를 포함하여 우수한 표시 품질을 갖는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 편광 소자는 베이스, 상기 베이스 상에 배치된 선 격자 패턴층으로서, 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격된 복수의 선형 패턴들을 포함하는 선 격자 패턴층, 및 상기 선 격자 패턴층 상에 배치된 캡핑층으로서, 무기 재료를 포함하는 제1 무기 캡핑층, 및 유기 재료를 포함하는 유기 캡핑층을 포함하는 캡핑층을 포함하되, 상기 제1 무기 캡핑층은, 상기 선 격자 패턴층 상에 배치되고 상기 제1 방향으로 연장되며 상기 제2 방향으로 이격된 복수의 무기 캡핑 패턴들을 포함하고, 상기 유기 캡핑층의 적어도 일부는 인접한 상기 무기 캡핑 패턴들 사이의 이격 공간에 삽입된다.
상기 무기 캡핑 패턴은 상기 선형 패턴과 중첩하고, 상기 무기 캡핑 패턴의 폭은 상기 선형 패턴의 폭보다 클 수 있다.
또, 상기 유기 캡핑층 상에 배치되고, 무기 재료를 포함하는 제2 무기 캡핑층을 더 포함하되, 상기 제2 무기 캡핑층의 두께는 실질적으로 균일할 수 있다.
상기 인접한 무기 캡핑 패턴들 간의 이격 거리는 15nm 이상 50nm 이하이고, 상기 무기 캡핑 패턴들 간의 이격 거리는 상기 선형 패턴들 간의 이격 거리보다 작을 수 있다.
또, 상기 무기 캡핑 패턴의 두께는 800Å 이상 1,500Å 이하일 수 있다.
상기 무기 캡핑 패턴은 부분적으로 상기 선형 패턴의 측면과 맞닿을 수 있다.
또, 상기 무기 캡핑 패턴은 부분적으로 상기 베이스와 맞닿을 수 있다.
상기 무기 캡핑 패턴은 상기 선형 패턴의 상면과 맞닿고, 상기 유기 캡핑층은 상기 무기 캡핑 패턴의 상면과 맞닿을 수 있다.
또, 상기 유기 캡핑층은 부분적으로 상기 무기 캡핑 패턴의 측면과 맞닿을 수 있다.
상기 유기 캡핑층의 적어도 일부는 인접한 상기 선형 패턴들 사이의 이격 공간에 삽입될 수 있다.
상기 유기 캡핑층은 부분적으로 상기 베이스와 맞닿을 수 있다.
또, 상기 선형 패턴은, 금속 재료를 포함하는 제1 선형 패턴, 및 상기 제1 선형 패턴과 상기 무기 캡핑 패턴 사이에 배치되며, 비금속 무기 재료를 포함하는 제2 선형 패턴을 포함하되, 상기 제1 선형 패턴의 폭은 상기 제2 선형 패턴의 폭보다 크거나 같을 수 있다.
또한, 상기 제1 선형 패턴의 두께는 상기 제2 선형 패턴의 두께보다 클 수 있다.
상기 무기 캡핑 패턴은 부분적으로 상기 제1 선형 패턴의 측면 및 상기 제2 선형 패턴의 측면과 맞닿을 수 있다.
또, 상기 베이스, 인접한 상기 선형 패턴들 및 상기 삽입된 유기 캡핑층에 의해 둘러싸인 공간에는 보이드가 정의될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 편광 소자는 베이스, 상기 베이스 상에 배치된 선 격자 패턴층으로서, 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격된 복수의 선형 패턴들을 포함하는 선 격자 패턴층, 및 상기 선 격자 패턴층 상에 배치된 캡핑층으로서, 무기 재료를 포함하는 제1 부분, 및 유기 재료를 포함하는 제2 부분을 포함하는 캡핑층을 포함하되, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분은 상기 제2 방향을 따라 교번적으로 배치된다.
상기 복수의 제1 부분들은 상기 복수의 선형 패턴들과 대응하는 위치에 배치되고, 상기 복수의 제2 부분들은 인접한 상기 선형 패턴들 사이의 이격 공간에 대응하는 위치에 배치될 수 있다.
또, 상기 제1 부분의 상기 제2 방향으로의 폭은 상기 제2 부분의 상기 제2 방향으로의 폭보다 클 수 있다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 편광 소자를 포함하는 제1 기판, 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판, 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함하되, 상기 편광 소자는, 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격된 복수의 선형 패턴들을 포함하는 선 격자 패턴층, 상기 선 격자 패턴층 상에 배치되고, 상기 제1 방향으로 연장되며, 상기 제2 방향으로 이격된 복수의 무기 캡핑 패턴들을 포함하는 무기 캡핑층, 및 상기 무기 캡핑층 상에 배치된 유기 캡핑층을 포함하고, 상기 유기 캡핑층의 적어도 일부는 인접한 상기 무기 캡핑 패턴들 사이의 이격 공간에 삽입된다.
상기 제1 기판은, 제1 베이스 기판, 상기 제1 베이스 기판의 일면 상에 배치된 색 변환 패턴층, 상기 색 변환 패턴층 상에 배치되고, 무기 재료를 포함하는 무기 보호층, 상기 무기 보호층 상에 배치된 상기 선 격자 패턴층, 상기 선 격자 패턴층 상에 배치된 상기 무기 캡핑층으로서, 상기 무기 보호층과 상이한 재료로 이루어진 상기 무기 캡핑층, 상기 무기 캡핑층 상에 배치된 상기 유기 캡핑층, 및 상기 유기 캡핑층 상에 배치된 공통 전극을 포함할 수 있다.
또, 상기 제2 기판은, 제2 베이스 기판, 상기 제2 베이스 기판의 일면 상에 배치된 스위칭 소자, 및 상기 스위칭 소자 상에 배치되는 화소 전극을 포함할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 편광 소자는 무기 캡핑층 및 유기 캡핑층을 포함하는 캡핑층을 포함하여 선 격자 패턴층의 형성 이후의 후속 공정에서 발생하는 아웃 개싱을 원활하게 함과 동시에 외부 수분의 침투를 방지하여 불량 없이 우수한 편광능을 가질 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 편광 소자의 캡핑층은 일측으로부터 배출되는 가스 또는 증기에 대한 투과 특성을 향상시킴과 동시에, 타측으로부터 침투하는 액체 물질에 대한 투과 방지 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해사시도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 임의의 화소들을 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2의 편광 소자의 사시도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 5는 도 3의 편광 소자의 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 도 6의 편광 소자의 단면도이다.
도 8 내지 도 12는 각각 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 편광 소자의 단면도들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 '위(on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 '직접 위(directly on)'로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. '및/또는'는 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)', '위(above)', '상부(upper)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below 또는 beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 '아래'는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.
본 명세서에서, 제1 방향(X)은 평면 내 임의의 일 방향을 의미하고, 제2 방향(Y)은 상기 평면 내에서 제1 방향(X)과 교차하는 방향을 의미하며, 제3 방향(Z)은 상기 평면과 수직한 방향을 의미한다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1)는 표시 패널(41) 및 표시 패널(41)에 광을 제공하는 광원부(50)를 포함한다.
표시 패널(41)에는 평면상 대략 매트릭스 배열된 복수의 화소들(PXa, PXb, PXc)이 정의될 수 있다. 본 명세서에서, '화소(pixel)'는 평면 시점에서 색 표시를 위해 표시 영역이 구획되어 정의되는 단일 영역을 의미하며, 하나의 화소는 미리 정해진 하나의 기본색을 표현할 수 있다. 즉, 하나의 화소는 다른 화소와 서로 독립적인 색을 표현할 수 있는 표시 패널(41) 기준에서의 최소 단위일 수 있다.
복수의 화소들(PXa, PXb, PXc)은 제1 색을 표시하는 제1 화소(PXa), 상기 제1 색보다 긴 피크 파장을 갖는 제2 색을 표시하는 제2 화소(PXb) 및 상기 제2 색보다 긴 피크 파장을 갖는 제3 색을 표시하는 제3 화소(PXc)를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 복수의 화소들(PXa, PXb, PXc)은 제1 화소(PXa), 제2 화소(PXb) 및 제3 화소(PXc)가 기본 단위를 이루어 일 방향으로 반복 배열될 수 있다. 이하에서, 제1 화소(PXa)가 표시하는 상기 제1 색은 약 430nm 내지 470nm 범위에서 피크 파장을 갖는 청색이고, 제2 화소(PXb)가 표시하는 상기 제2 색은 약 530nm 내지 570nm 범위에서 피크 파장을 갖는 녹색이며, 제3 화소(PXc)가 표시하는 상기 제3 색은 약 610nm 내지 650nm 범위에서 피크 파장을 갖는 적색인 경우를 예로 하여 설명하나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
우선 광원부(50)는 표시 패널(41)의 하측에 배치되어 특정 파장을 갖는 광을 표시 패널(41) 측으로 출사할 수 있다. 광원부(50)는 광을 직접적으로 방출하는 광원(light source) 및 상기 광원(미도시)으로부터 제공받은 광을 가이드하여 표시 패널(41) 측으로 출사시키는 도광판(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 도광판의 재료는 광 투과율이 높은 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 글라스(glass) 재료, 석영(quartz) 재료 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate) 등의 플라스틱 재료를 포함할 수 있다.
상기 광원은 발광 다이오드(LED), 유기발광 다이오드(OLED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상기 광원은 약 430nm 내지 470nm 범위에서 단일 피크 파장을 갖는 청색 광을 방출할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 광원은 자외선 파장 대역의 광을 방출하거나, 또는 청색 파장 대역, 녹색 파장 대역 및 적색 파장 대역을 모두 포함하는 백색의 광을 방출할 수도 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 표시 패널(41)과 광원부(50) 사이에는 하나 이상의 광학 시트(미도시)가 배치될 수 있다. 상기 광학 시트는 프리즘 시트, 확산 시트, (반사형)편광 시트, 렌티큘러 렌즈 시트, 마이크로 렌즈 시트 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 광학 시트는 광원부(50)로부터 제공되어 표시 패널(41) 측으로 진행하는 광의 광학 특성, 예컨대 집광, 확산, 산란 또는 편광 특성을 변조하여 표시 장치(1)의 표시 품질을 개선할 수 있다.
다음으로 도 2를 더 참조하여 표시 패널(41)에 대하여 상세하게 설명한다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 임의의 화소들을 나타낸 단면도로서, 제1 화소(PXa), 제2 화소(PXb) 및 제3 화소(PXc)를 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 패널(41)은 하부 기판(10), 하부 기판(10)과 대향하는 상부 기판(21) 및 그 사이에 개재된 액정층(30)을 포함할 수 있다. 액정층(30)은 하부 기판(10)과 상부 기판(21), 및 이들을 합착시키는 실링 부재(미도시)에 의해 밀봉된 상태일 수 있다.
우선 하부 기판(10)에 대하여 설명한다. 하부 기판(10)은 제1 베이스 기판(100), 스위칭 소자(210) 및 화소 전극(310)을 포함할 수 있다.
제1 베이스 기판(100)은 투명한 절연 기판일 수 있다. 예를 들어, 제1 베이스 기판(100)은 글라스 재료, 석영 재료 또는 투광성 플라스틱 재료를 포함하여 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 베이스 기판(100)은 가요성을 가지고 표시 장치(1)는 곡면형 표시 장치일 수 있다.
제1 베이스 기판(100)의 일면(도 2 기준 상면) 상에는 복수의 스위칭 소자(210)들이 배치될 수 있다. 각 스위칭 소자(210)는 각 화소(PXa, PXb, PXc) 마다 배치되어 후술할 화소 전극(310)에 구동 신호를 전달하거나 차단할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 각 스위칭 소자(210)는 게이트(미도시), 상기 게이트 상에 배치된 액티브층(미도시) 및 상기 액티브층 상에서 서로 이격 배치된 소스(미도시)와 드레인(미도시)을 포함하는 박막 트랜지스터일 수 있다. 제어 단자(예컨대, 게이트)은 게이트 라인(GL)과 연결되어 게이트 구동 신호를 제공받고, 입력 단자(예컨대, 드레인)은 데이터 라인(DL)과 연결되어 데이터 구동 신호를 제공 받으며, 출력 단자(예컨대, 소스)는 화소 전극(310)과 전기적으로 연결될 수 있다. 액티브층은 비정질 규소, 다결정 규소 또는 단결정 규소 등의 규소계 반도체 물질을 포함하거나, 또는 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 액티브층은 스위칭 소자(210)의 채널 역할을 하며, 상기 게이트에 인가되는 전압에 따라 채널을 턴 온 또는 턴 오프할 수 있다.
스위칭 소자(210) 상에는 중간층(230)이 배치될 수 있다. 중간층(230)은 그 상부의 구성과 하부의 구성을 서로 절연시키고, 제1 베이스 기판(100) 상에 적층된 복수의 구성요소들의 단차를 최소화할 수 있다. 중간층(230)은 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 중간층(230)은 유기 재료로 이루어진 유기층을 포함하거나, 무기 재료로 이루어진 무기층을 포함하거나, 또는 유기층과 무기층의 적층 구조를 포함할 수 있다.
중간층(230) 상에는 복수의 화소 전극(310)들이 배치될 수 있다. 화소 전극(310)은 후술할 공통 전극(910)과 함께 액정층(30)에 전계를 형성하는 전계 생성 전극일 수 있다. 각 화소들(PXa, PXb, PXc)마다 배치된 화소 전극(310)들은 서로 독립적으로 제어되며 서로 다른 구동 신호가 인가될 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(310)은 중간층(230)에 형성된 컨택홀을 통해 스위칭 소자(210)의 출력 단자와 전기적으로 연결될 수 있다. 화소 전극(310)과 공통 전극(910)이 형성하는 전계는 해당 화소 내의 액정(LC)들의 거동을 제어하고 액정(LC)을 재배열할 수 있다. 화소 전극(310)은 투명한 도전성 재료로 이루어질 수 있다. 투명한 도전성 재료의 예로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), In2O3(Indium(Ⅲ) Oxide), IGO(Indium Gallium Oxide) 또는 AZO(Aluminum Zinc Oxide) 등을 들 수 있다. 도면으로 나타내지 않았으나, 화소 전극(310)은 미세 슬릿을 가질 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 화소 전극(310) 상에는 제1 액정 배향층(350)이 배치될 수 있다. 제1 액정 배향층(350)은 액정층(30) 내 인접한 액정(LC)의 초기 배향을 유도할 수 있다. 본 명세서에서, '액정의 초기 배향'이라 함은 액정층에 전계가 형성되지 않은 상태에서의 액정 배열을 의미한다. 예를 들어, 제1 액정 배향층(350)은 주쇄의 반복 단위 내에 이미드기를 가지고, 수직 배향기 측쇄를 갖는 수직 배향층일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
다음으로 액정층(30)에 대하여 설명한다. 액정층(30)은 초기 배향된 복수의 액정(LC)들을 포함한다. 본 명세서에서, '액정(liquid crystal)'은 액정 특성을 갖는 단분자 또는 그 단분자들의 집합체를 포함하는 의미이다. 예시적인 실시예에서, 액정(LC)은 음의 유전율 이방성을 가지고 초기 배향 상태에서 실질적으로 수직 배향될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 액정(LC)은 초기 배향 상태에서 소정의 선경사(pre tilt)를 가질 수도 있다. 액정(LC)의 초기 배향은 제1 액정 배향층(350) 및 후술할 제2 액정 배향층(950)에 의해 유도될 수 있다. 화소 전극(310)과 공통 전극(910) 사이에 전계가 형성되면 액정(LC)은 특정 방향으로 기울어지며 액정층(30)을 수직 방향(도 2 기준)으로 투과하는 광의 편광 상태를 변화시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 액정(LC)은 양의 유전율 이방성을 가지고 초기 배향 상태에서 실질적으로 수평 배향되며, 전계가 형성되면 액정(LC)은 평면 내에서 특정 방향으로 회전하며 광의 편광 상태를 변화시킬 수도 있다.
다음으로 상부 기판(21)에 대하여 설명한다. 상부 기판(21)은 제2 베이스 기판(400), 색 변환 패턴층(610, 630) 및 공통 전극(910)을 포함하고, 편광 소자(801)를 더 포함할 수 있다.
제2 베이스 기판(400)은 투명한 기판일 수 있다. 예를 들어, 제2 베이스 기판(400)은 제1 베이스 기판(100)과 같은 글라스 재료, 석영 재료 또는 투광성 플라스틱 재료를 포함하여 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 베이스 기판(400)은 가요성을 가지고 표시 장치(1)는 곡면형 표시 장치일 수 있다.
제2 베이스 기판(400)의 일면(도 2 기준 하면) 상에는 차광 부재(510)가 배치될 수 있다. 차광 부재(510)는 광의 투과를 차단할 수 있다. 차광 부재(510)는 인접한 화소들의 평면상 경계에 배치되어 이웃한 화소들 간의 혼색 불량을 방지할 수 있다. 예를 들어, 차광 부재(510)는 평면상 대략 격자 형상일 수 있다.
몇몇 실시예에서, 차광 부재(510) 상에는 제1 파장 대역 필터(530)가 배치될 수 있다. 제1 파장 대역 필터(530)는 특정 파장 대역의 광은 투과시키고, 다른 특정 파장 대역의 광의 투과는 차단하여, 일부 파장 대역만을 선택적으로 투과시키는 파장-선택적 광학 필터이다. 제1 파장 대역 필터(530)는 제2 화소(PXb) 및 제3 화소(PXc) 내에 배치되되, 제1 화소(PXa)에는 배치되지 않을 수 있다. 제1 파장 대역 필터(530)는 후술할 제1 색 변환 패턴(610) 및 제2 색 변환 패턴(630)과 중첩할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제1 파장 대역 필터(530)는 광원부(50)가 제공하는 광 중에서, 청색 파장 대역의 광의 투과는 차단하고, 청색보다 긴 피크 파장을 갖는 광, 예컨대 녹색 및/또는 적색 파장 대역의 광은 투과시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 파장 대역 필터(530)는 청색 파장 대역을 선택적으로 흡수하는 컬러 필터일 수 있다. 상기 컬러 필터는 베이스 수지 및 베이스 수지 내에 용해되거나 분산된 안료(pigment) 또는 염료(dye) 등의 색재(colorant)를 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 파장 대역 필터(530)는 청색 파장 대역을 반사하는 분산 브래그 반사체(distributed bragg reflector)일 수 있다.
제1 파장 대역 필터(530)는 광원부(50)로부터 제공되는 광 중에서, 후술할 제1 색 변환 패턴(610) 및 제2 색 변환 패턴(630)에 의해 색 변환되지 않고 그대로 투과하는 청색 파장 대역의 투과를 차단할 수 있다. 이를 통해 제2 화소(PXb) 및 제3 화소(PXc)를 통해 방출되는 광의 스펙트럼을 더욱 샤프하게 할 수 있고, 제2 화소(PXb)가 표시하는 녹색 및 제3 화소(PXc)가 표시하는 적색의 색 순도를 향상시켜 표시 장치(1)의 표시 품질을 개선할 수 있다.
제1 파장 대역 필터(530) 상에는 색 변환 패턴층(610, 630)이 배치될 수 있다. 색 변환 패턴층(610, 630)은 제2 화소(PXb)에 배치되는 제1 색 변환 패턴(610) 및 제3 화소(PXc)에 배치되는 제2 색 변환 패턴(630)을 포함할 수 있다. 제1 색 변환 패턴(610) 및 제2 색 변환 패턴(630)은 투과광의 색을 입사광과 상이한 색으로 변환할 수 있다. 즉, 제1 색 변환 패턴(610) 또는 제2 색 변환 패턴(630)을 투과한 후의 광은 미리 정해진 특정 파장 대역의 광으로 변환될 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제1 색 변환 패턴(610) 및 제2 색 변환 패턴(630)은 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장으로 변환 또는 시프트 시키는 물질, 즉 파장 시프트 물질(610p, 630p)을 포함할 수 있다. 파장 시프트 물질(610p, 630p)의 예로는 양자점, 양자 막대, 또는 형광체 물질을 들 수 있다. 예를 들어, 양자점은 전자가 전도대에서 가전자대로 전이하면서 특정한 색을 방출할 수 있다. 상기 양자점 물질은 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 코어는 반도체 나노 결정 물질일 수 있다. 상기 양자점의 코어의 예로는 규소(Si)계 나노 결정, II-VI족계 화합물 나노 결정, III-V족계 화합물 나노 결정 등을 들 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 비제한적인 일례로, 파장 시프트 물질(610p, 630p)은 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴텔루라이드(CdTe), 황화카드뮴(CdS), 또는 인화인듐(InP) 중 어느 하나로 이루어진 코어와 황화아연(ZnS)으로 이루어진 외부 쉘을 포함하여 이루어질 수 있다.
예를 들어, 제1 색 변환 패턴(610)의 제1 파장 시프트 물질(610p)은 광원부(50)로부터 제공되는 광의 적어도 일부를 흡수하여 녹색의 피크 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 이를 통해 제1 색 변환 패턴(610)은 입사광을 녹색의 광으로 변환할 수 있고, 제2 화소(PXb)는 녹색을 표시할 수 있다. 제1 파장 시프트 물질(610p)이 방출하는 녹색의 광은 입사각과 무관하게 여러 방향으로 방출되며, 표시 장치(1)가 표현하는 녹색의 측면 시인성 개선에 기여할 수 있다.
또, 제2 색 변환 패턴(630)의 제2 파장 시프트 물질(630p)은 광원부(50)로부터 제공되는 광의 적어도 일부를 흡수하여 적색의 피크 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 이를 통해 제2 색 변환 패턴(630)은 입사광을 적색의 광으로 변환할 수 있고, 제3 화소(PXc)는 적색을 표시할 수 있다. 제2 파장 시프트 물질(630p)이 방출하는 적색의 광은 입사각과 무관하게 여러 방향으로 방출되며, 표시 장치(1)가 표현하는 적색의 측면 시인성 개선에 기여할 수 있다.
비제한적인 일례로, 제2 색 변환 패턴(630)의 제2 파장 시프트 물질(630p)의 크기는 제1 색 변환 패턴(610) 내의 제1 파장 시프트 물질(610p)의 크기보다 클 수 있다. 예컨대 제1 파장 시프트 물질(610p)의 크기는 약 40Å 내지 50Å이고, 제2 파장 시프트 물질(630p)의 크기는 약 55Å 내지 65Å일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
다른 실시예에서, 제1 색 변환 패턴(610) 및 제2 색 변환 패턴(630)은 특정 파장 대역의 광은 투과시키고, 다른 특정 파장 대역의 광은 흡수하는 컬러 필터일 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 화소(PXa)에는 투광 패턴(650)이 배치될 수 있다. 투광 패턴(650)은 투과광의 색을 실질적으로 변환시키지 않고 그대로 투과시킬 수 있다. 즉, 투광 패턴(650)을 투과한 후의 광은 광원부(50)가 제공한 광의 색과 실질적으로 동일할 수 있다. 투광 패턴(650)의 광 투과율은 약 85% 이상, 또는 약 90% 이상, 또는 약 92% 이상, 또는 약 95% 이상일 수 있다.
투광 패턴(650)은 베이스 수지 및 베이스 수지 내에 분산된 광 산란 입자(650p)를 포함할 수 있다. 베이스 수지는 광 투과율이 높고, 광 산란 입자(650p)에 대한 분산 특성이 우수한 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 또는 이미드계 수지 등의 유기 재료로 이루어질 수 있다. 광 산란 입자(650p)는 상기 베이스 수지와 상이한 굴절률을 가져 상기 베이스 수지와 광학 계면을 형성할 수 있다. 광 산란 입자(650p)는 투과광의 적어도 일부를 산란시킬 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등을 예시할 수 있고, 상기 유기 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 예시할 수 있다. 투광 패턴(650)은 광원부(50)로부터 제공되는 광의 색을 실질적으로 변환시키지 않고 청색의 광을 투과시킬 수 있다. 이를 통해 제1 화소(PXa)는 청색을 표시할 수 있다. 투광 패턴(650) 내의 광 산란 입자(650p)가 여러 방향으로 산란시키는 청색의 광은 표시 장치(1)가 표현하는 청색의 측면 시인성 개선에 기여할 수 있다. 다른 실시예에서, 투광 패턴(650)은 생략될 수도 있다.
색 변환 패턴층(610, 630) 및 투광 패턴(650) 상에는 제2 파장 대역 필터(550)가 배치될 수 있다. 제2 파장 대역 필터(550)는 특정 파장 대역의 광은 투과시키고, 다른 특정 파장 대역의 광은 반사하여, 일부 파장 대역만을 선택적으로 투과시키는 파장-선택적 광학 필터이다. 제2 파장 대역 필터(550)는 제1 화소(PXa), 제2 화소(PXb) 및 제3 화소(PXc)에 걸쳐 배치될 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제2 파장 대역 필터(550)는 청색 파장 대역의 광은 투과시키고, 청색보다 긴 피크 파장을 갖는 광, 예컨대 녹색 및/또는 적색 파장 대역의 광은 반사할 수 있다. 예를 들어, 제2 파장 대역 필터(550)는 청색 파장 대역을 선택적으로 투과시키는 분산 브래그 반사체일 수 있다. 상기 분산 브래그 반사체는 상호 적층된 복수의 층을 포함할 수 있다. 비제한적인 일례로, 상기 분산 브래그 반사체는 상호 교번적으로 적층된 저굴절층과 고굴절층을 포함할 수 있다. 제2 파장 대역 필터(550)의 투과 파장 대역 및 반사 파장 대역은 상기 저굴절층과 고굴절층의 굴절률 차이, 두께 차이 및 저굴절층과 고굴절층이 이루는 반복단위의 개수를 통해 제어될 수 있다.
제2 파장 대역 필터(550)는 제1 파장 시프트 물질(610p)이 여러 방향으로 방출하는 녹색의 광 및 제2 파장 시프트 물질(630p)이 여러 방향으로 방출하는 적색의 광 중에서, 제2 파장 대역 필터(550) 측(도 2 기준 하측)으로 방출된 광을 제2 베이스 기판(400) 측(도 2 기준 상측), 즉 시청자 측으로 반사하여 색 표시에 기여하도록 할 수 있다. 이를 통해 광의 이용 효율을 증가시키고 표시 장치(1)의 휘도와 색 순도 등의 표시 품질이 향상될 수 있다. 또, 광원부(50)가 제공하는 청색 광의 스펙트럼을 더욱 샤프하게 할 수 있고, 제1 색 변환 패턴(610) 및 제2 색 변환 패턴(630) 측으로 입사되는 청색 광의 색 순도를 향상시킬 수 있다.
제2 파장 대역 필터(550) 상에는 평탄화층(710)이 배치될 수 있다. 평탄화층(710)은 제2 베이스 기판(400) 상에 적층된 복수의 구성요소들의 단차를 최소화할 수 있다. 이를 통해 후술할 편광 소자(801)의 편광능을 개선할 수 있다. 평탄화층(710)은 제1 화소(PXa), 제2 화소(PXb) 및 제3 화소(PXc)에 걸쳐 배치될 수 있다. 평탄화층(710)은 평탄화 특성과 광 투과율이 우수한 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지, 이미드계 수지, 실록산계 수지 또는 실세스퀴옥산계 수지 등을 들 수 있다.
몇몇 실시예에서, 평탄화층(710) 상에는 무기 보호층(730)이 배치될 수 있다. 무기 보호층(730)은 비금속 무기 재료를 포함할 수 있다. 무기 보호층(730)을 형성하는 무기 재료의 예로는 산화규소(silicon oxide), 질화규소(silicon nitride), 산화질화규소 또는 질화산화규소 등을 들 수 있다. 무기 보호층(730)은 후술할 편광 소자(801)를 형성하는 과정에서 평탄화층(710)이 손상되는 것을 보호할 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 편광 소자(801)의 선형 패턴(811)을 건식 에칭 공정을 통해 형성하는 경우 에치 스토퍼 역할을 함으로써 평탄화층(710)이 의도치 않게 에칭되는 것을 방지할 수 있다. 또, 유기 재료로 이루어진 평탄화층(710)에 대한 선형 패턴(811)의 부착성을 개선하고, 공기 또는 수분의 침투에 의한 선형 패턴(811)의 손상 또는 부식을 방지함으로써 표시 장치(1)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 무기 보호층(730) 상에 편광 소자(801)가 직접 배치되는 경우 무기 보호층(730)은 편광 소자(801)의 베이스를 이룰 수 있다. 다른 실시예에서, 무기 보호층(730)은 생략되고 평탄화층(710) 상에 편광 소자(801)가 직접 배치될 수도 있다. 이 경우 평탄화층(710)은 편광 소자(801)의 베이스를 이룰 수 있다.
무기 보호층(730) 상에는 편광 소자(801)가 배치될 수 있다. 편광 소자(801)는 액정층(30) 및 다른 편광 소자(미도시)와 함께 광 셔터 기능을 수행하여 표시 패널(41)을 투과하는 광의 양을 제어할 수 있다. 상기 다른 편광 소자는 액정층(30)과 광원부(50) 사이의 임의의 위치에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 편광 소자(801)는 선 격자 패턴층(wire grid pattern layer)을 포함하는 반사 편광 특성을 갖는 반사형 편광 소자일 수 있다. 본 명세서에서, '반사 편광 특성'은 투과축과 평행한 방향으로 진동하는 편광 성분은 투과시키고, 상기 투과축과 교차하는 방향으로 진동하는 편광 성분은 부분적으로 반사하여 투과광에 편광 특성을 부여함을 의미한다.
반사 편광 특성을 갖는 편광 소자(801)는 제1 파장 시프트 물질(610p)과 제2 파장 시프트 물질(630p)이 여러 방향으로 방출하는 광 및 광 산란 입자(650p)가 여러 방향으로 산란시키는 광 중에서, 제2 파장 대역 필터(550)에 의해 완전히 차단되지 못하고 제2 파장 대역 필터(550)를 투과하여 편광 소자(801) 측으로 방출된 광의 적어도 일부를 제2 베이스 기판(400) 측, 즉 시청자 측으로 반사하여 색 표시에 기여하도록 할 수 있다.
한편, 편광 소자(801)에 대해서는 도 3 및 도 4와 함께 상세하게 후술한다.
편광 소자(801) 상에는 공통 전극(910)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 공통 전극(910)은 편광 소자(801)의 유기 캡핑층(851) 상에 직접 배치될 수 있다. 공통 전극(910)은 화소(PXa, PXb, PXc)의 구분 없이 제1 화소(PXa), 제2 화소(PXb) 및 제3 화소(PXc)에 걸쳐 배치되며 공통 전압이 인가될 수 있다. 공통 전극(910)은 화소 전극(310)과 마찬가지로 투명한 도전성 재료로 이루어질 수 있다. 비제한적인 일례에서, 공통 전극(910)은 편광 소자(801) 상에 직접 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 공통 전극(910) 상에는 제2 액정 배향층(950)이 배치될 수 있다. 제2 액정 배향층(950)은 액정층(30) 내 인접한 액정(LC)의 초기 배향을 유도할 수 있다. 또, 제2 액정 배향층(950)은 제1 액정 배향층(350)과 마찬가지로 주쇄의 반복 단위 내에 이미드기를 가지고, 수직 배향기 측쇄를 갖는 수직 배향층일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
이하, 도 3 및 도 4를 더 참조하여 편광 소자(801)에 대하여 상세하게 설명한다. 도 3은 도 2의 편광 소자의 사시도이다. 도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 편광 소자(801)는 베이스(BS), 복수의 선형 패턴(811)을 포함하는 선 격자 패턴층 및 캡핑층(891)을 포함한다.
베이스(BS)는 선형 패턴(811)이 배치되기 위한 공간을 제공할 수 있다. 예를 들어, 베이스(BS)는 도 2의 표시 장치(1)의 무기 보호층(730) 또는 평탄화층(710)에 대응될 수 있다. 다만, 본 실시예에 따른 편광 소자(801)가 이에 제한되는 것은 아니며, 기판 또는 필름 형상을 갖는 별도의 판상 부재가 베이스(BS)로서 제공될 수도 있다.
베이스(BS) 상에는 복수의 선형 패턴(811)을 포함하는 선 격자 패턴층이 배치될 수 있다. 복수의 선형 패턴(811)들은 제1 방향(X)으로 연장되고 제2 방향(Y)으로 서로 이격될 수 있다. 복수의 선형 패턴(811)을 포함하는 선 격자 패턴층은 반사 편광 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 선형 패턴(811)의 이격 방향(즉, 제2 방향(Y))과 실질적으로 평행한 방향으로 진동하는 편광 성분은 투과시키고, 선형 패턴(811)의 연장 방향(즉, 제1 방향(X))과 실질적으로 평행한 방향으로 진동하는 편광 성분은 부분적으로 반사할 수 있다. 즉, 선형 패턴(811)의 이격 방향은 투과축 방향을 정의하고, 선형 패턴(811)의 연장 방향은 반사축 방향을 정의할 수 있다.
선형 패턴(811)은 가공이 용이하고 광 반사율이 우수한 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 재료 또는 비금속 무기 재료를 포함하여 이루어질 수 있다. 광 반사율이 우수한 재료로 선형 패턴(811)을 형성하여 상기 반사축과 평행한 방향으로 진동하는 편광 성분에 대해 우수한 반사 특성을 나타낼 수 있다.
상기 금속 재료의 예로는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 또는 이들의 산화물, 또는 이들의 합금 등을 들 수 있다. 또, 상기 비금속 무기 재료의 예로는 산화규소(silicon oxide), 질화규소(silicon nitride), 산화질화규소 또는 질화산화규소 등을 들 수 있다. 도 4는 선형 패턴(811)이 단일층인 경우를 예시하고 있으나, 다른 실시예에서 선형 패턴(811)은 복수의 층의 적층 구조일 수도 있다.
비제한적인 일례로, 선형 패턴(811)의 제2 방향(Y)으로의 폭(W811)은 약 20nm 이상 80nm 이하일 수 있다. 또, 인접한 선형 패턴(811)들 간의 이격 거리(L1)는 약 20nm 이상 80nm 이하일 수 있다. 또한, 선형 패턴(811)의 제3 방향(Z)으로의 두께(t811)는 약 1,000Å 이상 2,500Å 이하일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
복수의 선형 패턴(811)을 포함하는 선 격자 패턴층 상에는 캡핑층(891)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 캡핑층(891)은 복수의 무기 캡핑 패턴(831)들을 포함하는 무기 캡핑층 및 유기 캡핑층(851)을 포함할 수 있다.
무기 캡핑 패턴(831)은 선형 패턴(811) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 무기 캡핑 패턴(831)은 선형 패턴(811)과 대응하는 위치에 배치될 수 있다. 즉, 각 무기 캡핑 패턴(831)은 선형 패턴(811)과 제3 방향(Z)으로 중첩할 수 있다. 도 4 등은 각 무기 캡핑 패턴(831)이 선형 패턴(811) 상에 직접 배치되고, 무기 캡핑 패턴(831)의 양 측면이 선형 패턴(811)의 양 측면보다 더욱 도출된 경우를 예시한다.
예시적인 실시예에서, 복수의 무기 캡핑 패턴(831)들은 제1 방향(X)으로 연장되고 제2 방향(Y)으로 서로 이격될 수 있다. 도 4 등은 제2 방향(Y)으로 절개한 단면에서 무기 캡핑 패턴(831)의 단면 형상이 사각형인 경우를 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
인접한 무기 캡핑 패턴(831)들은 서로 이격되어 그 사이에 이격 공간을 가질 수 있다. 무기 캡핑 패턴(831)의 제2 방향(Y)으로의 폭(W831)은 선형 패턴(811)의 제2 방향(Y)으로의 폭(W811)보다 클 수 있다. 비제한적인 일례로, 무기 캡핑 패턴(831)의 폭(W831)은 약 25nm 내지 110nm일 수 있다. 또, 인접한 무기 캡핑 패턴(831)들 간의 이격 거리(L2)는 선형 패턴(811)들 간의 이격 거리(L1)보다 작을 수 있다. 무기 캡핑 패턴(831)들 간의 이격 거리(L2)는 약 15nm 이상 50nm 이하일 수 있다. 또, 무기 캡핑 패턴(831)의 제2 방향(Y)으로의 폭(W831)은 인접한 무기 캡핑 패턴(831)들 간의 이격 거리(L2)보다 클 수 있다. 몇몇 실시예에서, 무기 캡핑 패턴(831)의 제3 방향(Z)으로의 두께(t831)는 선형 패턴(811)의 두께(t811)보다 작을 수 있다. 무기 캡핑 패턴(831)의 두께(t831)는 무기 캡핑 패턴(831)의 폭(W831) 및 이격 거리(L2)와 소정의 관계에 있을 수 있다. 예를 들어, 무기 캡핑 패턴(831)의 두께(t831)는 약 800Å 이상 1,500Å 이하일 수 있다.
무기 캡핑 패턴(831)을 이루는 재료는 가스 또는 증기에 대한 투과 차단 특성이 우수하면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 무기 캡핑 패턴(831)은 투명 금속 재료 또는 비금속 무기 재료를 포함할 수 있다. 상기 투명 금속 재료의 예로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), In2O3(Indium(Ⅲ) Oxide), IGO(Indium Gallium Oxide) 또는 AZO(Aluminum Zinc Oxide) 등을 들 수 있다. 또, 상기 비금속 무기 재료의 예로는 산화규소(silicon oxide), 질화규소(silicon nitride), 산화질화규소 또는 질화산화규소를 들 수 있다. 몇몇 실시예에서, 무기 캡핑 패턴(831)은 전술한 무기 보호층(730)과 상이한 재료로 이루어질 수 있다. 비제한적인 일례로, 무기 보호층(730)은 산화규소를 포함하여 이루어지고, 무기 캡핑 패턴(831)은 질화규소를 포함하여 이루어질 수 있다. 다른 예로, 무기 보호층(730)은 비금속 무기 재료를 포함하여 이루어지고, 무기 캡핑 패턴(831)은 금속 재료를 포함하여 이루어질 수도 있다.
복수의 무기 캡핑 패턴(831)들을 포함하는 무기 캡핑층 상에는 유기 캡핑층(851)이 배치될 수 있다. 유기 캡핑층(851)은 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 또는 이미드계 수지 등의 유기 재료로 이루어질 수 있다.
예시적인 실시예에서, 유기 캡핑층(851)의 적어도 일부는 부분적으로 상기 무기 캡핑 패턴(831)들 사이의 이격 공간에 삽입될 수 있다. 즉, 유기 캡핑층(851)은 무기 캡핑 패턴(831)들의 상면을 커버하는 커버부(851a) 및 커버부(851a)로부터 하측으로 돌출되어 인접한 무기 캡핑 패턴(831)들 사이의 이격 공간에 삽입되는 삽입부(851b)를 포함할 수 있다. 유기 캡핑층(851)의 커버부(851a)와 삽입부(851b) 사이에는 물리적 경계가 존재하지 않고, 커버부(851a)와 삽입부(851b)는 일체로 형성될 수 있다.
유기 캡핑층(851)의 삽입부(851b)는 인접한 두 개의 무기 캡핑 패턴(831) 사이에 위치할 수 있다. 즉, 유기 캡핑층(851)의 삽입부(851b)는 선형 패턴(811)들 사이의 이격 공간에 대응하는 위치에 배치되고, 유기 캡핑층(851)의 삽입부(851b)는 선형 패턴(811)과 제3 방향(Z)으로 중첩하지 않을 수 있다.
또, 유기 캡핑층(851)의 삽입부(851b)는 무기 캡핑 패턴(831)의 측면과 맞닿고, 유기 캡핑층(851)의 커버부(851a)는 무기 캡핑 패턴(831)의 상면과 맞닿을 수 있다. 이 경우, 유기 캡핑층(851)의 삽입부(851b)의 제2 방향(Y)으로의 폭은 인접한 무기 캡핑 패턴(831)들 간의 제2 방향(Y)으로의 이격 거리(L2)와 실질적으로 동일할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 커버부(851a)와 삽입부(851b)를 포함하는 유기 캡핑층(851)의 최대 두께(t851)는 약 500nm 이상일 수 있다.
또, 유기 캡핑층(851)의 삽입부(851b)의 삽입 깊이는 무기 캡핑 패턴(831)의 두께(t831)보다 작을 수 있다. 즉, 유기 캡핑층(851)의 최저면의 레벨은 무기 캡핑 패턴(831)의 저면의 레벨보다 높게 위치할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
편광 소자(801)의 베이스(BS), 인접한 선형 패턴(811)들 및 캡핑층(891)에 의해 둘러싸인 공간에는 보이드(V)가 정의될 수 있다. 보이드(V)는 선형 패턴(811)과 마찬가지로 제1 방향(X)으로 연장된 형상일 수 있다. 보이드(V) 내에는 공기 등의 기체가 충진되거나, 또는 보이드(V) 내부는 실질적으로 진공 상태일 수 있다. 본 실시예에 따른 편광 소자(801)는 선형 패턴(811)을 포함하는 선 격자 패턴층 상에 캡핑층(891)을 배치하여 인접한 선형 패턴(811)들 사이의 이격 공간에 보이드(V)를 안정적으로 형성할 수 있다. 이를 통해 편광 소자(801)의 편광능을 더욱 향상시킬 수 있다. 나아가, 인접한 무기 캡핑 패턴(831) 사이의 이격 공간 내에 유기 캡핑층(851)을 부분적으로 삽입함으로써 보이드(V)를 밀폐할 수 있고, 편광 소자(801)의 내구성과 신뢰성 향상을 기대할 수 있다.
이하, 도 5를 더 참조하여 본 실시예에 따른 편광 소자(801)가 갖는 효과에 대하여 상세하게 설명한다. 도 5는 도 3의 편광 소자의 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 편광 소자(801)의 선 격자 패턴층 상에 배치된 캡핑층(891)은 제2 방향(Y)을 따라 교번적으로 배열된 무기 캡핑층의 일부분(예컨대, 무기 캡핑 패턴(831))와 유기 캡핑층(851)의 일부분(예컨대, 삽입부(851b))를 포함하여, 편광 소자(801) 제조 중, 또는 제조 후의 후속 공정에서 편광 소자(801)에 불량이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
예를 들어, 인접한 무기 캡핑 패턴(831)들 간에 이격 공간을 형성하여, 예컨대 인접한 무기 캡핑 패턴(831)들 사이의 이격 거리(L2)를 15nm 이상으로 구성함으로써 편광 소자(801) 제조 후의 후속 공정 중에 베이스(BS), 선형 패턴(811) 또는 보이드(V) 내부로부터 발생하는 증기 또는 가스의 배출을 용이하게 할 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 선형 패턴(811)을 건식 에칭 공정을 통해 형성하는 경우, 상기 가스는 베이스(BS) 또는 선형 패턴(811)에 흡착되었던 가스 분자가 다시 기체화되어 형성된 것으로 이해될 수 있으며, 상기 가스가 충분히 배출되지 않은 상태에서 편광 소자가 표시 장치 등에 적용될 경우 표시 장치 내부에 의도치 않은 가스 포집층을 형성하거나, 또는 가스가 재응축되거나, 또는 그 상부의 구성요소(예컨대, 공통 전극 등)을 들뜨게 만들 수 있다. 본 실시예에 따른 편광 소자(801)의 무기 캡핑 패턴(831)들 사이의 이격 공간은 가스가 배출될 수 있는 통로를 제공하며, 무기 캡핑 패턴(831)들 사이의 통로를 통해 배출된 가스는 상대적으로 가스의 투습이 용이한 유기 캡핑층(851)을 통해 원활하게 배출될 수 있다.
또, 인접한 무기 캡핑 패턴(831)들 간의 이격 거리(L2)를 인접한 선형 패턴(811)들 간의 이격 거리(L1)보다 작게 하여, 예컨대 인접한 무기 캡핑 패턴(831)들 사이의 이격 거리(L2)를 50nm 이하로 구성함으로써 유기 캡핑층(851) 형성 과정에서 유기 캡핑층(851) 형성 물질이 보이드(V)를 완전히 충진하는 것을 방지할 수 있다. 충분한 보이드(V)를 형성하지 못할 경우 편광 소자(801)의 편광능은 급격하게 저하될 수 있다.
뿐만 아니라, 무기 캡핑 패턴(831)들을 포함하는 무기 캡핑층 상에 유기 캡핑층(851)을 형성하고, 나아가 유기 캡핑층(851)을 부분적으로 무기 캡핑 패턴(831) 사이의 이격 공간에 삽입함으로써 편광 소자(801) 제조 후의 후속 공정 중에 사용되는 세정액 등의 공정액이 편광 소자(801) 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상대적으로 공정액 등의 액체 물질의 투과 차단 특성이 우수한 유기 캡핑층(851)을 이용하여 선형 패턴(811)과 무기 캡핑 패턴(831)들을 포함하는 무기 캡핑층 상부를 캡핑하고, 특히 무기 캡핑 패턴(831)들 사이의 이격 공간에 유기 캡핑층(851)을 삽입함으로써 선형 패턴(811)들 사이의 이격 공간과 중첩하는 영역에서 충분한 두께의 유기 캡핑층(851)을 형성할 수 있다. 이를 통해 공정액 등의 액체 물질이 선형 패턴(811)들 사이로 침투하여 보이드(V)를 충진한 상태로 잔존하거나, 또는 선형 패턴(811)의 손상 또는 부식을 유발하는 것을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 편광 소자 및 편광 소자를 포함하는 표시 장치에 대하여 설명한다. 다만, 전술한 도 1 등의 실시예에 따른 편광 소자 및 표시 장치와 동일한 구성에 대한 설명은 생략하며, 이는 첨부된 도면으로부터 통상의 기술자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 7은 도 6의 편광 소자의 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 편광 소자(802)의 캡핑층(892)은 제2 무기 캡핑층(872)을 더 포함하는 점이 도 1 등의 실시예에 따른 편광 소자와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 편광 소자(802)는 선형 패턴(812) 및 선형 패턴(812) 상에 배치된 캡핑층(892)을 포함하되, 캡핑층(892)은 복수의 무기 캡핑 패턴(832)들을 포함하는 제1 무기 캡핑층 및 상기 제1 무기 캡핑층 상에 배치된 유기 캡핑층(852)을 포함하고, 유기 캡핑층(852) 상에 배치된 제2 무기 캡핑층(872)을 더 포함할 수 있다.
복수의 무기 캡핑 패턴(832)들을 포함하는 제1 무기 캡핑층 및 유기 캡핑층(852)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
유기 캡핑층(852) 상에는 제2 무기 캡핑층(872)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 무기 캡핑층(872)은 유기 캡핑층(852) 상에 직접 배치될 수 있다. 제2 무기 캡핑층(872)은 복수의 선형 패턴(812)들 및 복수의 무기 캡핑 패턴(832)들에 걸쳐서 일체로 형성될 수 있다. 즉, 제2 무기 캡핑층(872)은 복수의 선형 패턴(812)들 및 복수의 무기 캡핑 패턴(832)들과 중첩할 수 있다. 제2 무기 캡핑층(872)의 두께(t872)는 대략 균일할 수 있다. 예를 들어, 제2 무기 캡핑층(872)의 두께(t872)는 약 2,000Å 이상 5,000Å 이하일 수 있다. 제2 무기 캡핑층(872)의 두께가 2,000Å 이상이면 공정액 등의 액체 물질에 대한 충분한 투과 차단 특성을 기대할 수 있다. 또, 제2 무기 캡핑층(872)의 두께가 5,000Å 이하이면 편광 소자(802) 내부로부터 배출되는 가스 또는 증기의 투과에 유리할 수 있다.
제2 무기 캡핑층(872)은 산화규소, 질화규소, 산화질화규소 또는 질화산화규소 등의 무기 재료를 포함할 수 있다. 제1 무기 캡핑층의 무기 캡핑 패턴(832)과 제2 무기 캡핑층(872)은 서로 동일하거나 상이한 재료로 이루어질 수 있다.
본 실시예에 따른 편광 소자(802)는 유기 캡핑층(852)의 상면을 커버하는 제2 무기 캡핑층(872)을 더 포함하여, 편광 소자(802) 제조 후의 후속 공정에서 공정액 등의 액체 물질이 편광 소자(802) 내부로 침투하는 것을 더욱 온전히 방지할 수 있는 효과가 있다.
한편, 편광 소자(802)의 캡핑층(892)이 제2 무기 캡핑층(872)을 포함하는 경우 본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 공통 전극(910)은 편광 소자(802)의 제2 무기 캡핑층(872) 상에 직접 배치될 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 편광 소자의 단면도이다.
도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 편광 소자(803)는 선형 패턴(813)이 제1 선형 패턴(813a)과 제2 선형 패턴(813b)의 적층 구조를 갖는 점이 도 7의 실시예에 따른 편광 소자와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 선형 패턴(813)은 금속 재료를 포함하는 제1 선형 패턴(813a) 및 비금속 무기 재료를 포함하는 제2 선형 패턴(813b)을 포함할 수 있다. 금속 재료를 포함하는 제1 선형 패턴(813a)과 무기 캡핑 패턴(833) 사이에 비금속 무기 재료를 포함하는 제2 선형 패턴(813b)을 배치할 경우 하측(도 8 기준)으로부터 입사되는 광에 대해 우수한 반사 특성을 가질 수 있다.
제1 선형 패턴(813a)의 폭과 제2 선형 패턴(813b)의 폭은 실질적으로 동일할 수 있다. 다른 실시예에서, 제2 선형 패턴(813b)의 폭은 제1 선형 패턴(813a)의 폭보다 작을 수도 있다. 예를 들어, 제2 선형 패턴(813b)은 제1 선형 패턴(813a) 상에 직접 배치되고, 무기 캡핑 패턴(833)은 제2 선형 패턴(813b) 상에 직접 배치될 수 있다. 도 8은 제1 선형 패턴(813a)이 단일층인 경우를 예시하고 있으나, 다른 실시예에서 제1 선형 패턴(813a)은 복수의 금속 재료층의 적층 구조일 수도 있다.
복수의 무기 캡핑 패턴(833)들을 포함하는 제1 무기 캡핑층, 유기 캡핑층(853) 및 제2 무기 캡핑층(873)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다. 몇몇 실시예에서, 무기 캡핑 패턴(833)의 상면은 곡면을 가질 수도 있다. 다른 실시예에서, 제2 무기 캡핑층(873)은 생략될 수도 있다.
본 실시예에 따른 편광 소자(803)의 베이스(BS), 인접한 제1 선형 패턴(813a)들, 인접한 제2 선형 패턴(813b)들 및 캡핑층(893)에 의해 둘러싸인 공간에는 보이드(V)가 정의될 수 있다.
한편, 도면으로 나타내지 않았으나, 도 2의 실시예에 따른 표시 장치(1)의 편광 소자(801) 또는 도 6의 실시예에 따른 표시 장치(2)의 편광 소자(802) 대신에 본 실시예에 따른 편광 소자(803)가 적용될 수도 있음은 물론이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 편광 소자의 단면도이다.
도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 편광 소자(804)는 무기 캡핑 패턴(834)의 적어도 일부가 인접한 복수의 선형 패턴(814)들 사이에 위치하는 점이 도 7의 실시예에 따른 편광 소자와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 제1 무기 캡핑층의 무기 캡핑 패턴(834)이 부분적으로 하측으로 더욱 돌출되어 무기 캡핑 패턴(834)의 적어도 일부가 인접한 복수의 선형 패턴(814)들 사이에 위치할 수 있다. 예를 들어, 무기 캡핑 패턴(834)은 선형 패턴(814)의 측면과 맞닿을 수 있다. 또, 무기 캡핑 패턴(834)의 최저면의 레벨은 제1 선형 패턴(814a)의 상면의 레벨보다 낮게 위치할 수 있다.
제1 선형 패턴(814a)과 제2 선형 패턴(814b)을 포함하는 선형 패턴(814), 유기 캡핑층(854) 및 제2 무기 캡핑층(874)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
도 9는 무기 캡핑 패턴(834)이 제1 선형 패턴(814a)의 측면 및 제2 선형 패턴(814b)의 측면과 모두 맞닿는 경우를 예시하고 있으나, 다른 실시예에서 무기 캡핑 패턴(834)은 제2 선형 패턴(814b)의 측면과 맞닿되, 제1 선형 패턴(814a)의 측면과 맞닿지 않을 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 제2 무기 캡핑층(874)은 생략될 수도 있다.
본 실시예에 따른 편광 소자(804)의 베이스(BS), 인접한 제1 선형 패턴(814a)들 및 캡핑층(894)에 의해 둘러싸인 공간에는 보이드(V)가 정의될 수 있다.
한편, 도면으로 나타내지 않았으나, 도 2의 실시예에 따른 표시 장치(1)의 편광 소자(801) 또는 도 6의 실시예에 따른 표시 장치(2)의 편광 소자(802) 대신에 본 실시예에 따른 편광 소자(804)가 적용될 수도 있음은 물론이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 편광 소자의 단면도이다.
도 10을 참조하면, 본 실시예에 따른 편광 소자(805)는 유기 캡핑층(855)의 적어도 일부가 인접한 복수의 선형 패턴(815)들 사이에 위치하는 점이 도 8의 실시예에 따른 편광 소자와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 유기 캡핑층(855)은 부분적으로 하측으로 더욱 돌출되어 유기 캡핑층(855)의 적어도 일부, 구체적으로 인접한 복수의 무기 캡핑 패턴(835)들 사이에 삽입된 유기 캡핑층(855)의 삽입부가 인접한 복수의 선형 패턴(815)들 사이에 위치할 수 있다. 즉, 유기 캡핑층(855)의 적어도 일부는 인접한 복수의 선형 패턴(815)들 사이의 이격 공간에 삽입될 수 있다. 예를 들어, 유기 캡핑층(855)의 최저면의 레벨은 선형 패턴(815)의 상면의 레벨보다 낮게 위치할 수 있다. 또, 유기 캡핑층(855)의 최저면의 레벨은 무기 캡핑 패턴(835)의 최저면의 레벨보다 높게 위치할 수 있다.
제1 선형 패턴(815a)과 제2 선형 패턴(815b)을 포함하는 선형 패턴(815), 복수의 무기 캡핑 패턴(835)을 포함하는 제1 무기 캡핑층 및 제2 무기 캡핑층(875)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다. 다른 실시예에서, 제2 무기 캡핑층(875)은 생략될 수도 있다.
본 실시예에 따른 편광 소자(805)의 베이스(BS), 인접한 제1 선형 패턴(815a)들 및 캡핑층(875)에 의해 둘러싸인 공간에는 보이드(V)가 정의될 수 있다.
한편, 도면으로 나타내지 않았으나, 도 2의 실시예에 따른 표시 장치(1)의 편광 소자(801) 또는 도 6의 실시예에 따른 표시 장치(2)의 편광 소자(802) 대신에 본 실시예에 따른 편광 소자(805)가 적용될 수도 있음은 물론이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 편광 소자의 단면도이다.
도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 편광 소자(806)는 무기 캡핑 패턴(836)이 부분적으로 베이스(BS)와 맞닿는 점이 도 10의 실시예에 따른 편광 소자와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 제1 무기 캡핑층의 무기 캡핑 패턴(836)은 하측으로 더욱 돌출되어 적어도 일부가 베이스(BS)와 맞닿을 수 있다. 예를 들어, 선형 패턴(816)의 측면 상에 위치하는 무기 캡핑 패턴(836)은 하측으로 갈수록 두께가 점차 감소할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 선형 패턴(816a)과 제2 선형 패턴(816b)을 포함하는 선형 패턴(816), 유기 캡핑층(856) 및 제2 무기 캡핑층(876)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다. 다른 실시예에서, 제2 무기 캡핑층(876)은 생략될 수도 있다.
본 실시예에 따른 편광 소자(806)의 베이스(BS), 인접한 무기 캡핑 패턴(836)들 및 캡핑층(896)에 의해 둘러싸인 공간에는 보이드(V)가 정의될 수 있다.
한편, 도면으로 나타내지 않았으나, 도 2의 실시예에 따른 표시 장치(1)의 편광 소자(801) 또는 도 6의 실시예에 따른 표시 장치(2)의 편광 소자(802) 대신에 본 실시예에 따른 편광 소자(806)가 적용될 수도 있음은 물론이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 편광 소자의 단면도이다.
도 12를 참조하면, 본 실시예에 따른 편광 소자(807)는 유기 캡핑층(857)이 부분적으로 베이스(BS)와 맞닿는 점이 도 11의 실시예에 따른 편광 소자와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 유기 캡핑층(857)은 하측으로 더욱 돌출되어 적어도 일부가 베이스(BS)와 맞닿을 수 있다. 예를 들어, 선형 패턴(817)의 측면 상에 위치하는 유기 캡핑층(857)의 두께는 선형 패턴(817)의 측면 상에 위치하는 무기 캡핑 패턴(837)의 두께보다 작을 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 선형 패턴(817a)과 제2 선형 패턴(817b)을 포함하는 선형 패턴(817), 복수의 무기 캡핑 패턴(837)을 포함하는 제1 무기 캡핑층 및 제2 무기 캡핑층(877)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다. 다른 실시예에서, 제2 무기 캡핑층(877)은 생략될 수도 있다.
본 실시예에 따른 편광 소자(807)의 베이스(BS) 및 유기 캡핑층(857)에 의해 둘러싸인 공간에는 보이드(V)가 정의될 수 있다.
한편, 도면으로 나타내지 않았으나, 도 2의 실시예에 따른 표시 장치(1)의 편광 소자(801) 또는 도 6의 실시예에 따른 표시 장치(2)의 편광 소자(802) 대신에 본 실시예에 따른 편광 소자(807)가 적용될 수도 있음은 물론이다.
이하, 제조예와 비교예를 참조하여 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
<제조예 1>
베이스 상에 임프린팅 방식을 이용하여 알루미늄 선 격자 패턴을 형성하였다. 선 격자 패턴의 피치는 약 100nm였다. 그리고 알루미늄 상에 IZO를 약 1,000Å의 두께로 증착하였다. 이 경우 IZO는 알루미늄 선형 패턴 상부에 형성되되, 인접한 IZO 증착체 간에 서로 이격되어 이격 공간을 갖는 것을 확인할 수 있다. IZO 증착체 간의 이격 거리는 약 40nm 이하였다.
그 다음 IZO 상에 아크릴계 수지층을 형성하여 선 격자 패턴 적층체를 제조하였다. 경화 후의 아크릴계 수지층 두께는 약 1.0㎛ 였다.
<제조예 2>
IZO 대신에 ITO를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 알루미늄 선 격자 패턴 상에 증착체를 형성하고, 아크릴계 수지층을 형성하여 선 격자 패턴 적층체를 제조하였다.
<제조예 3>
제조예 1과 동일한 방법으로 알루미늄 선 격자 패턴 상에 IZO 증착체를 형성하고, 아크릴계 수지층을 형성하였다.
그 다음 아크릴계 수지층 상에 질화규소를 약 4,000Å의 두께로 증착하여 선 격자 패턴 적층체를 제조하였다.
<제조예 4>
IZO 대신에 ITO를 사용한 것을 제외하고는 제조예 3과 동일한 방법으로 알루미늄 선 격자 패턴 상에 증착체를 형성하고, 아크릴계 수지층을 형성한 후 질화규소를 증착하여 선 격자 패턴 적층체를 제조하였다.
<제조예 5>
IZO 대신에 질화규소를 사용한 것을 제외하고는 제조예 3과 동일한 방법으로 알루미늄 선 격자 패턴 상에 증착체를 형성하고, 아크릴계 수지층을 형성한 후 질화규소를 증착하여 선 격자 패턴 적층체를 제조하였다.
<비교예 1>
베이스 상에 임프린팅 방식을 이용하여 알루미늄 선 격자 패턴을 형성하였다. 선 격자 패턴의 피치는 약 100nm였다. 그리고 알루미늄 상에 질화규소를 약 4,000Å의 두께로 증착하여 선 격자 패턴 적층체를 제조하였다. 이 경우, 질화규소는 알루미늄 선형 패턴 상부에 형성되되, 이격 공간을 갖지 않고 치밀한 막을 형성하는 것을 확인할 수 있다.
<비교예 2>
비교예 1과 동일한 방법으로 알루미늄 선 격자 패턴 상에 질화규소를 증착하였다. 그 다음 질화규소를 약 4,000Å의 두께로 한번 더 증착하여 선 격자 패턴 적층체를 제조하였다.
<실험예>
제조예 1 내지 제조예 4 및 비교예 1과 비교예 2에 따라 제조된 선 격자 패턴 적층체를 세정하고, 건조한 후 진공 조건 하에서 ITO를 증착하여 공통 전극 형성 공정을 모사하였다. 그 다음 각 선 격자 패턴 적층체 내부의 잔존 물질을 평가하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
가스 포집층 형성 여부 액체 물질 잔존 여부
제조예 1 X X
제조예 2 X X
제조예 3 X X
제조예 4 X X
제조예 5 X X
비교예 1 O O
비교예 2 X O
표 1을 참조하면, 알루미늄 선 격자 패턴층 상에 이격 공간을 갖는 증착체를 형성하고, 그 상부에 유기 재료를 이용하여 유기층을 형성한 제조예 1 내지 제조예 5의 경우 진공 조건 하에서 수행되는 후속 공정을 진행한 후에도 가스 포집층이 발생하거나, 액체 물질이 잔존하는 불량이 발생하지 않는 것을 확인할 수 있다.
반면 알루미늄 선 격자 패턴층 상에 치밀한 막을 형성한 비교예 1 및 비교예 2의 경우, 후속 공정 진행 후에 선 격자 패턴 내에 액체 물질이 잔존하거나, 또는 가스 포집층이 형성되는 불량을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
BS: 베이스
811: 선형 패턴
831: 무기 캡핑 패턴
851: 유기 캡핑층
891: 캡핑층

Claims (20)

  1. 베이스;
    상기 베이스 상에 배치된 선 격자 패턴층으로서, 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격된 복수의 선형 패턴들을 포함하는 선 격자 패턴층; 및
    상기 선 격자 패턴층 상에 배치된 캡핑층으로서, 무기 재료를 포함하는 제1 무기 캡핑층, 및 유기 재료를 포함하는 유기 캡핑층을 포함하는 캡핑층을 포함하되,
    상기 제1 무기 캡핑층은, 상기 선 격자 패턴층 상에 배치되고 상기 제1 방향으로 연장되며 상기 제2 방향으로 이격된 복수의 무기 캡핑 패턴들을 포함하고,
    상기 유기 캡핑층의 적어도 일부는 인접한 상기 무기 캡핑 패턴들 사이의 이격 공간에 삽입되는 편광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 무기 캡핑 패턴은 상기 선형 패턴과 중첩하고,
    상기 무기 캡핑 패턴의 폭은 상기 선형 패턴의 폭보다 큰 편광 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 유기 캡핑층 상에 배치되고, 무기 재료를 포함하는 제2 무기 캡핑층을 더 포함하되,
    상기 제2 무기 캡핑층의 두께는 실질적으로 균일한 편광 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 인접한 무기 캡핑 패턴들 간의 이격 거리는 15nm 이상 50nm 이하이고,
    상기 무기 캡핑 패턴들 간의 이격 거리는 상기 선형 패턴들 간의 이격 거리보다 작은 편광 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 무기 캡핑 패턴의 두께는 800Å 이상 1,500Å 이하인 편광 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 무기 캡핑 패턴은 부분적으로 상기 선형 패턴의 측면과 맞닿는 편광 소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 무기 캡핑 패턴은 부분적으로 상기 베이스와 맞닿는 편광 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 무기 캡핑 패턴은 상기 선형 패턴의 상면과 맞닿고,
    상기 유기 캡핑층은 상기 무기 캡핑 패턴의 상면과 맞닿는 편광 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 유기 캡핑층은 부분적으로 상기 무기 캡핑 패턴의 측면과 맞닿는 편광 소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 유기 캡핑층의 적어도 일부는 인접한 상기 선형 패턴들 사이의 이격 공간에 삽입되는 편광 소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 유기 캡핑층은 부분적으로 상기 베이스와 맞닿는 편광 소자.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 선형 패턴은,
    금속 재료를 포함하는 제1 선형 패턴, 및
    상기 제1 선형 패턴과 상기 무기 캡핑 패턴 사이에 배치되며, 비금속 무기 재료를 포함하는 제2 선형 패턴을 포함하되,
    상기 제1 선형 패턴의 폭은 상기 제2 선형 패턴의 폭보다 크거나 같은 편광 소자.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 선형 패턴의 두께는 상기 제2 선형 패턴의 두께보다 큰 편광 소자.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 무기 캡핑 패턴은 부분적으로 상기 제1 선형 패턴의 측면 및 상기 제2 선형 패턴의 측면과 맞닿는 편광 소자.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 베이스, 인접한 상기 선형 패턴들 및 상기 삽입된 유기 캡핑층에 의해 둘러싸인 공간에는 보이드가 정의되는 편광 소자.
  16. 베이스;
    상기 베이스 상에 배치된 선 격자 패턴층으로서, 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격된 복수의 선형 패턴들을 포함하는 선 격자 패턴층; 및
    상기 선 격자 패턴층 상에 배치된 캡핑층으로서, 무기 재료를 포함하는 제1 부분, 및 유기 재료를 포함하는 제2 부분을 포함하는 캡핑층을 포함하되,
    상기 제1 부분과 상기 제2 부분은 상기 제2 방향을 따라 교번적으로 배치되는 편광 소자.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 복수의 제1 부분들은 상기 복수의 선형 패턴들과 대응하는 위치에 배치되고,
    상기 복수의 제2 부분들은 인접한 상기 선형 패턴들 사이의 이격 공간에 대응하는 위치에 배치되는 편광 소자.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 부분의 상기 제2 방향으로의 폭은 상기 제2 부분의 상기 제2 방향으로의 폭보다 큰 편광 소자.
  19. 편광 소자를 포함하는 제1 기판;
    상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 및
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함하되,
    상기 편광 소자는,
    제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격된 복수의 선형 패턴들을 포함하는 선 격자 패턴층,
    상기 선 격자 패턴층 상에 배치되고, 상기 제1 방향으로 연장되며, 상기 제2 방향으로 이격된 복수의 무기 캡핑 패턴들을 포함하는 무기 캡핑층, 및
    상기 무기 캡핑층 상에 배치된 유기 캡핑층을 포함하고,
    상기 유기 캡핑층의 적어도 일부는 인접한 상기 무기 캡핑 패턴들 사이의 이격 공간에 삽입되는 표시 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1 기판은,
    제1 베이스 기판,
    상기 제1 베이스 기판의 일면 상에 배치된 색 변환 패턴층,
    상기 색 변환 패턴층 상에 배치되고, 무기 재료를 포함하는 무기 보호층,
    상기 무기 보호층 상에 배치된 상기 선 격자 패턴층,
    상기 선 격자 패턴층 상에 배치된 상기 무기 캡핑층으로서, 상기 무기 보호층과 상이한 재료로 이루어진 상기 무기 캡핑층,
    상기 무기 캡핑층 상에 배치된 상기 유기 캡핑층, 및
    상기 유기 캡핑층 상에 배치된 공통 전극을 포함하고,
    상기 제2 기판은,
    제2 베이스 기판,
    상기 제2 베이스 기판의 일면 상에 배치된 스위칭 소자, 및
    상기 스위칭 소자 상에 배치되는 화소 전극을 포함하는 표시 장치.
KR1020170150477A 2017-11-13 2017-11-13 편광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 KR20190055283A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170150477A KR20190055283A (ko) 2017-11-13 2017-11-13 편광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
US15/958,384 US10261359B1 (en) 2017-11-13 2018-04-20 Polarizer and display device including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170150477A KR20190055283A (ko) 2017-11-13 2017-11-13 편광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190055283A true KR20190055283A (ko) 2019-05-23

Family

ID=66099289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170150477A KR20190055283A (ko) 2017-11-13 2017-11-13 편광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10261359B1 (ko)
KR (1) KR20190055283A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PH12020050192A1 (en) * 2019-07-17 2021-05-17 Moxtek Inc Reflective wire grid polarizer with transparent cap
US20220367825A1 (en) * 2019-09-27 2022-11-17 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
CN113196153B (zh) * 2019-11-29 2022-08-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6288840B1 (en) 1999-06-22 2001-09-11 Moxtek Imbedded wire grid polarizer for the visible spectrum
EP1738218A1 (en) 2004-04-15 2007-01-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Transflective lcd display device
KR20070105092A (ko) 2006-04-25 2007-10-30 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널
KR20080004880A (ko) 2006-07-07 2008-01-10 삼성전자주식회사 칼라필터 기판, 이를 갖는 표시패널 및 이의 제조방법
KR101270200B1 (ko) 2006-10-30 2013-05-31 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 편광 패턴의 제조 방법 및 이에 의해 제조된액정 표시 장치
KR20080056582A (ko) 2006-12-18 2008-06-23 삼성전자주식회사 와이어 그리드 편광자의 제조방법
KR20110031440A (ko) 2008-07-10 2011-03-28 아사히 가라스 가부시키가이샤 와이어 그리드형 편광자 및 그 제조 방법
KR20100011103A (ko) 2008-07-24 2010-02-03 엘지전자 주식회사 큰 종횡비를 갖는 패턴 및 그의 형성 방법
KR20110101893A (ko) 2010-03-10 2011-09-16 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR101714035B1 (ko) 2010-04-12 2017-03-22 엘지이노텍 주식회사 와이어 그리드 편광자, 이를 포함하는 액정 표시 장치, 3차원 입체영상 디스플레이장치 및 와이어 그리드 편광자의 제조 방법
KR20120025407A (ko) 2010-09-07 2012-03-15 한국전자통신연구원 액정 표시 장치
WO2014025318A1 (en) 2012-08-10 2014-02-13 Temasek Polytechnic Optical grating
KR20140030382A (ko) 2012-08-27 2014-03-12 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102567008B1 (ko) * 2016-03-18 2023-08-14 삼성디스플레이 주식회사 금속선 편광자를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US10261359B1 (en) 2019-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102282060B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
US11061268B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR102421729B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102427416B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102568308B1 (ko) 표시 장치
KR102415331B1 (ko) 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치
TWI605288B (zh) 畫素結構與具有此畫素結構的顯示面板
KR102376594B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조방법
KR102582424B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
CN109307950A (zh) 显示设备和制造该显示设备的方法
CN113261128A (zh) 显示装置
KR20190047592A (ko) 색변환 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
US11488941B2 (en) Light-emitting device
KR20190118224A (ko) 색변환 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20190055283A (ko) 편광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102461800B1 (ko) 색 변환 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
US20190377229A1 (en) Display device
KR102477574B1 (ko) 배선 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 배선 기판의 제조 방법
TW201837558A (zh) 反射偏光層、波長轉換層及液晶顯示裝置
EP3955292A1 (en) Display device and tiled display device including the same
JP7197336B2 (ja) 照明装置及び表示装置
KR102601483B1 (ko) 표시 장치
US20200012030A1 (en) Backlight unit and display device including the same
US10644205B2 (en) Light-emitting diode package and method of manufacturing the same
TWI810696B (zh) 微型發光二極體顯示面板及其形成方法