CN105161513B - Oled显示装置及其制造方法、彩膜基板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种OLED显示装置及其制造方法、彩膜基板及其制造方法，涉及显示技术领域，能够在低成本、高显示稳定性的前提下，提高显示装置的显示亮度，增大显示色域。其中所述OLED显示装置包括：TFT阵列基板，设置于TFT阵列基板上的发光结构层，该发光结构层所发出的光为红外光；位于发光结构层上的光转换层，该光转换层包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有红光、绿光和蓝光三个光转换单元；红光光转换单元由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成；绿光光转换单元由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成；蓝光光转换单元由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成。上述OLED显示装置用于显示图像。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置及其制造方法、彩膜基板及其制造方法。
背景技术
OLED显示装置是一种主动发光式显示器件，具有对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被广泛应用于手机、PDA(Personal Digital Assistant，个人数字助理)、笔记本电脑、数码摄像机、DVD(Digital Versatile Disc，数字通用光盘)机、汽车音响和电视等领域中。
传统的OLED显示装置的结构主要包括：TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板，设置于TFT阵列基板上的发光结构层，以及设置于发光结构层上的彩膜层。其中，发光结构层从近TFT阵列基板的一侧至远TFT阵列基板的一侧依次包括：阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层；彩膜层通常包括RGB(红绿蓝)三种颜色的色阻，利用彩膜层对发光结构层所发出的光进行滤光，能够得到RGB三种单色光。
但是，由于采用色阻滤光的方式得到单色光，上述彩膜层的光透过率较低，造成OLED显示装置的显示亮度较低。虽然目前出现了通过在彩膜层中增加W(白色)颜色的色阻的方式，来提高显示亮度，但在彩膜层中增加W(白色)颜色的色阻，会造成显示色域的减小；此外，目前还出现了采用量子点形成彩膜层，使能够发出蓝光或紫外光的发光结构层发光激发彩膜层中的量子点发出RGB单色光，这种方式虽然能够提高显示亮度，并且增大显示色域，但是量子点材料价格昂贵，且易氧化，导致OLED显示装置的成本增大，显示的稳定性不高。
发明内容
为克服上述现有技术中的缺陷，本发明提供一种OLED显示装置及其制造方法、彩膜基板及其制造方法，以在低成本、高显示稳定性的前提下，提高OLED显示装置的显示亮度，并且增大显示色域。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
本发明的第一方面提供了一种OLED显示装置，包括：TFT阵列基板，所述OLED显示装置还包括：设置于所述TFT阵列基板上的发光结构层，所述发光结构层所发出的光为红外光；位于所述发光结构层上的光转换层，所述光转换层包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有红光、绿光和蓝光三个光转换单元；红光光转换单元由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成；绿光光转换单元由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成；蓝光光转换单元由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成。
优选的，所述光转换层还包括：黑矩阵，所述黑矩阵定义出各光转换单元所在的区域，用于将各光转换单元相互隔离。
优选的，所述OLED显示装置还包括：位于所述光转换层与所述发光结构层之间的保护层；位于所述光转换层背向所述发光结构层一侧的衬底基板。
优选的，所述受发光结构层所发出的光激发后发红光的上转换发光材料为：采用NaF作为基质材料，采用Y3+、Yb3+、Ce3+作为掺杂材料，采用甘氨酸作为烧结剂，制备形成的上转换发光材料。
优选的，所述受发光结构层所发出的光激发后发绿光的上转换发光材料为：采用NaF作为基质材料，采用Y3+、Yb3+、Ho3+作为掺杂材料，采用柠檬酸作为烧结剂，制备形成的上转换发光材料。
优选的，所述受发光结构层所发出的光激发后发蓝光的上转换发光材料为：采用NaF作为基质材料，采用Y3+、Yb3+、Tm3+作为掺杂材料，采用尿素作为烧结剂，制备形成的上转换发光材料。
优选的，形成所述红光光转换单元、所述绿光光转换单元和所述蓝光光转换单元的上转换发光材料均为上转换纳米颗粒。
本发明的第二方面提供了一种OLED显示装置的制造方法，包括：制造TFT阵列基板；在所述TFT阵列基板上形成发光结构层，所述发光结构层所发出的光为红外光；形成光转换层，所述光转换层位于所述发光结构层上，所述光转换层包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有红光、绿光和蓝光三个光转换单元；其中，红光光转换单元由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成，绿光光转换单元由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成，蓝光光转换单元由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成。
优选的，所述形成光转换层具体包括：采用构图工艺在衬底基板上形成黑矩阵，所述黑矩阵定义出各待形成的光转换单元所在的区域；采用转印工艺、打印工艺或构图工艺在所述黑矩阵所定义出的区域内分别形成所述红光光转换单元、所述绿光光转换单元和所述蓝光光转换单元，使所述黑矩阵将各光转换单元相互隔离。
优选的，在形成所述光转换层之后还包括：在所述光转换层上形成保护层；将形成了所述光转换层和所述保护层的衬底基板与形成了所述发光结构层的TFT阵列基板相对组装在一起。
优选的，所述形成光转换层具体包括：采用构图工艺在所述发光结构层上形成黑矩阵，所述黑矩阵定义出各待形成的光转换单元所在的区域；采用转印工艺、打印工艺或构图工艺在所述黑矩阵所定义出的区域内分别形成所述红光光转换单元、所述绿光光转换单元和所述蓝光光转换单元，使所述黑矩阵将各光转换单元相互隔离。
优选的，在形成所述发光结构层之后，且在形成所述光转换层之前，还包括：在所述发光结构层上形成保护层；在形成所述光转换层之后还包括：在所述光转换层上覆盖衬底基板。
本发明的第三方面提供了一种彩膜基板，包括：衬底基板，所述彩膜基板还包括：设置于所述衬底基板上的光转换层，所述光转换层包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有红光、绿光和蓝光三个光转换单元；红光光转换单元由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成；绿光光转换单元由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成；蓝光光转换单元由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成。
优选的，所述光转换层还包括：黑矩阵，所述黑矩阵定义出各光转换单元所在的区域，用于将各光转换单元相互隔离。
优选的，所述彩膜基板还包括：设置于所述光转换层上的保护层。
本发明的第四方面提供了一种彩膜基板的制造方法，包括：在衬底基板上形成光转换层，所述光转换层包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有红光、绿光和蓝光三个光转换单元；红光光转换单元由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成；绿光光转换单元由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成；蓝光光转换单元由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成。
优选的，所述在衬底基板上形成光转换层具体包括：采用构图工艺在衬底基板上形成黑矩阵，所述黑矩阵定义出各待形成的光转换单元所在的区域；采用转印工艺、打印工艺或构图工艺在所述黑矩阵所定义出的区域内分别形成所述红光光转换单元、所述绿光光转换单元和所述蓝光光转换单元，使所述黑矩阵将各光转换单元相互隔离。
优选的，在形成所述光转换层之后还包括：在所述光转换层上形成保护层。
本发明所提供的OLED显示装置及其制造方法、彩膜基板及其制造方法中，发光结构层所发出的光为红外光，在发光结构层上方设置有光转换层，该光转换层包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有：由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成的红光光转换单元，由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成的绿光光转换单元，由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成的蓝光光转换单元，从而发光结构层所发出的红外光在经过光转换层后能够转换为红、绿和蓝色的单色光。由于形成光转换单元的上转换发光材料由无机基质及混合其中的稀土掺杂离子组成，因此上转换发光材料的价格低廉、化学结构稳定，从而降低了OLED显示装置的成本，提高了其显示的稳定性；并且由于红外线激发上转换发光材料直接发光，发光亮度高，且上转换发光材料受激发所发出的光单色性好，因此提高了OLED显示装置的显示亮度，并且增大了其显示色域。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例一所提供的OLED显示装置的截面结构图；
图2为本发明实施例一所提供的OLED显示装置的发光结构层的截面结构图；
图3a～图3f为本发明实施例二所提供的OLED显示装置的制造方法的各步骤图。
附图标记说明：
1-TFT阵列基板； 2-发光结构层； 21-阳极；
22-空穴传输层； 23-红外发光层； 24-空穴阻挡层；
25-电子传输层； 26-阴极； 3-光转换层；
31-红光光转换单元； 32-绿光光转换单元； 33-蓝光光转换单元；
34-黑矩阵； 4-保护层； 5-衬底基板。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。
实施例一
本实施例提供了一种OLED显示装置，如图1所示，该OLED显示装置包括：TFT阵列基板1；设置于TFT阵列基板1上的发光结构层2，该发光结构层2所发出的光为红外光；位于发光结构层2上的光转换层3，该光转换层3包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有红光、绿光和蓝光三个光转换单元。
其中，红光光转换单元31由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成；绿光光转换单元32由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成；蓝光光转换单元33由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成。
需要首先说明的是，上转换发光材料是一种典型的反斯托克斯效应发光材料，能够在红外光的激发下发出可见光。上述OLED显示装置中，由发光结构层2所发出的红外光经过光转换层3，在经过光转换层3的红光光转换单元31时，红光光转换单元31中的上转换发光材料受红外光激发发出红光，在经过绿光光转换单元32时，绿光光转换单元32中的上转换发光材料受红外光激发发出绿光，在经过蓝光光转换单元33时，蓝光光转换单元33中的上转换发光材料受红外光激发发出蓝光，从而满足画面显示的需要。由于形成光转换单元的上转换发光材料由无机基质及混合其中的稀土掺杂离子组成，相对于量子点材料价格低廉、化学结构稳定，因此降低了OLED显示装置的成本，提高了其显示的稳定性；上转换发光材料相对于普通RGBW色阻所构成的彩膜结构的发光单色性好，有利于提高OLED显示装置的显示色域，同时产生单色光的方式为由红外光激发上转换发光材料发光，发光亮度高，不存在普通RGB色阻所构成的彩膜结构的光透过率低，进而显示亮度低的问题，有利于提高OLED显示装置的显示亮度。
此外，在现有的采用量子点形成彩膜层，能够发出蓝光或紫外光的发光结构层发光激发彩膜层中的量子点发出RGB单色光的OLED显示装置中，由于量子点具有毒性，且易氧化，因此需要对量子点进行封装，然而量子点的封装比较困难，需要对OLED显示装置内部进行较复杂的设计。本实施中采用上转换发光材料形成光转换单元，由于上转换发光材料无毒性，且化学结构稳定，不易氧化，因此采用转印工艺、打印工艺或构图工艺即可形成光转换单元，无需进行复杂的设计进行封装。
本实施例中，形成红光光转换单元31、绿光光转换单元32和蓝光光转换单元33的上转换发光材料优选的可均为上转换纳米颗粒，从而材料的尺寸量级精细到纳米量级，有利于提高受激发所发出光线的单色性。
本实施例中对形成红光光转换单元31、绿光光转换单元32和蓝光光转换单元33各自的具体的上转换发光材料并不进行限定，通过调节上转换发光材料中掺杂稀土元素的种类、溶度和基质材料可以在同一激发光下实现多色上转换发光，其激发光谱覆盖整个可见光区。较为优选的是，受发光结构层2所发出的光激发后发红光的上转换发光材料可为：采用NaF(氟化钠)作为基质材料，采用Y3+(钇的三价离子)、Yb3+(镱的三价离子)、Ce3+(铈的三价离子)作为掺杂材料，采用甘氨酸作为烧结剂，制备形成的上转换发光材料；受发光结构层2所发出的光激发后发绿光的上转换发光材料可为：采用NaF作为基质材料，采用Y3+、Yb3 +、Ho3+(钬的三价离子)作为掺杂材料，采用柠檬酸作为烧结剂，制备形成的上转换发光材料；受发光结构层2所发出的光激发后发蓝光的上转换发光材料可为：采用NaF作为基质材料，采用Y3+、Yb3+、Tm3+(铥的三价离子)作为掺杂材料，采用尿素作为烧结剂，制备形成的上转换发光材料。
需要说明的是，本实施例所提供的OLED显示装置中包括多个像素，每个像素至少包括RGB三个子像素，光转换层3所包括的多个像素区域于前述多个像素，光转换层3中的红光光转换单元31、绿光光转换单元32和蓝光光转换单元33分别对应于RGB子像素。
为了避免不同颜色光之间的混色，光转换层3还可包括：黑矩阵1，该黑矩阵1定义出各光转换单元所在的区域，用于将各光转换单元相互隔离。此外，该黑矩阵1还用于遮挡TFT阵列基板上的栅极线、数据线等信号线。
为了防止光转换层3中的上转换发光材料与发光结构层2中的材料相互污染，影响各自的性能，优选的可在光转换层3与发光结构层2之间设置一保护层4，以将二者相互隔开。保护层3的材料可为PET(Polyethylene Terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PBT(Polybutylene Terephthalate，聚对苯二甲酸丁二醇酯)、PMMA(PolymethylMethacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)等多种聚合物。
为了保护光转换层3不被外界环境中的杂质污染，优选的可在光转换层3背向发光结构层2一侧设置一衬底基板5。衬底基板5可以为塑料基板、薄膜基板、玻璃基板或金属箔基板等。
需要说明的是，本实施例中发光结构层2为叠层结构，如图2所示，发光结构层2从近TFT阵列基板1至远TFT阵列基板1可依次包括：阳极21、空穴传输层22、红外发光层23、空穴阻挡层24、电子传输层25和阴极26。阳极21中的空穴经过空穴传输层22到达红外发光层23，阴极26中的电子经过电子传输层25和空穴阻挡层24到达红外发光层23，空穴与电子在红外发光层中复合发出红外光。
其中，阳极21的形成材料可为ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)；空穴传输层22的形成材料可为TPD(N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-1，1′-二苯基-4，4′-二胺)或NPD(N，N′-双(1-奈基)-N，N′-二苯基-1，1′-二苯基-4，4′-二胺)等；红外发光层23的形成材料可为酞菁铜或三(8-羟基喹啉)-饵等；空穴阻挡层24的形成材料可为TPBI(1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)或BCP(2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲啰啉)；电子传输层25的形成材料可为Alq3(8-羟基喹啉铝)；阴极26的形成材料可为Mg(镁)、Ag(银)或镁银合金。需要说明的是，为了使红外发光层23所发出的红外光向光转换层3一侧传输，提高OLED显示装置的出光率，可在阳极21近TFT阵列基板1一侧设置一反射层，以将向TFT阵列基板1一侧传输的红外光反射回发光结构层2中，并最终传输至光转换层3；并且可将阴极26做得极薄，使阴极26具有透明的特性，以将阴极26对红外光的反射降至最低，使红外光尽可能多地穿透阴极26传输至光转换层3。
实施例二
本实施例提供了一种OLED显示装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
步骤S1：如图3a所示，制造TFT阵列基1。
步骤S2：如图3b所示，在TFT阵列基板1上形成发光结构层2，该发光结构层2所发出的光为红外光。
步骤S3：形成光转换层，该光转换层位于发光结构层上，该光转换层包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有红光、绿光和蓝光三个光转换单元。其中，红光光转换单元由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成；绿光光转换单元由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成；蓝光光转换单元由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成。
由于形成光转换单元的上转换发光材料价格低廉、化学结构稳定、发光亮度高、单发光色性好，因此采用本实施例所提供的制造方法所制造的OLED显示装置具有成本低、显示稳定性高、显示亮度高、显示色域大的优点。
上述步骤S3具体可包括以下步骤：
步骤S31：如图3c所示，采用构图工艺在衬底基板5上形成黑矩阵34，该黑矩阵34定义出各待形成的光转换单元所在的区域。
步骤S32：如图3d所示，采用转印工艺、打印工艺或构图工艺在黑矩阵34所定义出的区域内分别形成红光光转换单元31、绿光光转换单元32和蓝光光转换单元33，使34黑矩阵将各光转换单元相互隔离，能够避免不同颜色光之间的混色，同时遮挡TFT阵列基板上的栅极线、数据线等信号线。
需要说明的是，由于相对于量子点材料，本实施中所采用的上转换发光材料无毒性，且化学结构稳定，不易氧化，因此采用转印工艺、打印工艺或构图工艺即可形成光转换单元，无需进行复杂的设计进行封装，有利于简化OLED显示装置的制造方法。
在本实施例所提供的OLED显示装置的制造方法中，在步骤S3之后，优选的还可包括步骤S4：如图3e所示，在光转换层3上形成保护层4。保护层4能够防止光转换层3中的上转换发光材料与发光结构层2中的材料相互污染，影响各自的性能。并且，由于等量的用于发出红光的上转换发光材料、用于发出绿光的上转换发光材料和用于发出蓝光的上转换发光材料所能够产生的红光、绿光和蓝光的量不一定相同，要保证红光光转单元31、绿光光转换单元32和蓝光光转换单元33所发出的光量一致，可能需要使红光光转单元31、绿光光转换单元32和蓝光光转换单元33的厚度不同，因此光转换层3背向衬底基板5的一面可能会不平坦，在光转换层3背向衬底基板5的一面上覆盖保护层4有利于平坦化光转换层3背向衬底基板5的一面。
在步骤S4之后，还可包括步骤S5：如图3f所示，将形成了光转换层3和保护层4的衬底基板5与形成了发光结构层2的TFT阵列基板1相对组装在一起。
本实施例中，还可直接在发光结构层2上形成光转换层3，此时形成光转换层3的步骤可包括：
步骤S31′：采用构图工艺在发光结构层2上形成黑矩阵34，该黑矩阵34定义出各待形成的光转换单元所在的区域。
步骤S32′：采用转印工艺、打印工艺或构图工艺在黑矩阵34所定义出的区域内分别形成红光光转换单元31、绿光光转换单元32和蓝光光转换单元33，使黑矩阵34将各光转换单元相互隔离。
基于上述步骤S31′和步骤S32′所提到的形成光转换层3的方案，在步骤S2和步骤S3之间还可包括在发光结构层2上形成保护层4的步骤，以利用保护层4将发光结构层2中的材料与后续形成的光转换单元中的上转换发光材料隔开。此外，在步骤S3之后还可包括在光转换层3上覆盖衬底基板5的步骤，以利用衬底基板5保护光转换层3。
实施例三
本实施例提供了一种彩膜基板，如图3e所示，该彩膜基板包括：衬底基板5；设置于衬底基板5上的光转换层3，该光转换层3包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有红光、绿光和蓝光三个光转换单元。其中，红光光转换单元31由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成；绿光光转换单元32由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成；蓝光光转换单元33由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成。
上述彩膜基板中，采用不同的上转换发光材料形成红光、绿光和蓝光光转换单元，材料价格低廉、化学结构稳定，有利于降低彩膜基板的成本，提高其发光的稳定性；并且，上述彩膜基板由红外线激发上转换发光材料直接发光，因此发光亮度高；另一方面，上述彩膜基板所采用的上转换发光材料受激发所发出的光单色性好，因此显示色域大；此外，上述彩膜基板所采用的上转换发光材料无毒性，且化学结构稳定，不易氧化，因此采用转印工艺、打印工艺或构图工艺即可形成光转换单元，制作工艺十分简单。
为了避免不同颜色光之间的混色，光转换层3还可包括：黑矩阵1，该黑矩阵1定义出各光转换单元所在的区域，用于将各光转换单元相互隔离。此外，该黑矩阵1还用于遮挡TFT阵列基板上的栅极线、数据线等信号线。
为了防止光转换层3中的上转换发光材料被污染，可在光转换层3上设置一的保护层4。
需要说明的是，本实施例所提供的彩膜基板可用于OLED显示装置中，但是并不限于此。在本发明的其它实施例中，也可将上述彩膜基板应用于液晶类型的显示装置中。
实施例四
本实施例提供了一种彩膜基板的制造方法，该方法包括在衬底基板上形成光转换层的步骤。所形成的光转换层包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有红光、绿光和蓝光三个光转换单元；红光光转换单元由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成；绿光光转换单元由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成；蓝光光转换单元由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成。
采用本实施例所提供的制造方法所制造的彩膜基板具有成本低、发光的稳定性高、发光亮度高、显示色域大、且制作工艺简单的优点。
在本实施例所提供的制造方法中，在衬底基板上形成光转换层可具体包括以下步骤：
如图3c所示，采用构图工艺在衬底基板5上形成黑矩阵34，该黑矩阵34定义出各待形成的光转换单元所在的区域；
如图3d所示，采用转印工艺、打印工艺或构图工艺在黑矩阵34所定义出的区域内分别形成红光光转换单元31、绿光光转换单元32和蓝光光转换单元33，使黑矩阵34将各光转换单元相互隔离。
在形成光转换层3之后还可如图3e所示在光转换层3上形成保护层4，以保护光转换层3。
以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (17)
1.一种OLED显示装置，包括：TFT阵列基板，其特征在于，所述OLED显示装置还包括：设置于所述TFT阵列基板上的发光结构层，所述发光结构层所发出的光为红外光；
位于所述发光结构层上的光转换层，所述光转换层包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有红光、绿光和蓝光三个光转换单元；
红光光转换单元由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成，受发光结构层所发出的光激发后发红光的所述上转换发光材料为：采用NaF作为基质材料，采用Y3+、Yb3+、Ce3+作为掺杂材料，采用甘氨酸作为烧结剂，制备形成的上转换发光材料；
绿光光转换单元由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成；
蓝光光转换单元由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成。
2.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述光转换层还包括：黑矩阵，所述黑矩阵定义出各光转换单元所在的区域，用于将各光转换单元相互隔离。
3.根据权利要求2所述的OLED显示装置，其特征在于，所述OLED显示装置还包括：
位于所述光转换层与所述发光结构层之间的保护层；
位于所述光转换层背向所述发光结构层一侧的衬底基板。
4.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述受发光结构层所发出的光激发后发绿光的上转换发光材料为：采用NaF作为基质材料，采用Y3+、Yb3+、Ho3+作为掺杂材料，采用柠檬酸作为烧结剂，制备形成的上转换发光材料。
5.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述受发光结构层所发出的光激发后发蓝光的上转换发光材料为：采用NaF作为基质材料，采用Y3+、Yb3+、Tm3+作为掺杂材料，采用尿素作为烧结剂，制备形成的上转换发光材料。
6.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，形成所述红光光转换单元、所述绿光光转换单元和所述蓝光光转换单元的上转换发光材料均为上转换纳米颗粒。
7.一种OLED显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
制造TFT阵列基板；
在所述TFT阵列基板上形成发光结构层，所述发光结构层所发出的光为红外光；
形成光转换层，所述光转换层位于所述发光结构层上，所述光转换层包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有红光、绿光和蓝光三个光转换单元；其中，红光光转换单元由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成，受发光结构层所发出的光激发后发红光的所述上转换发光材料为：采用NaF作为基质材料，采用Y3+、Yb3+、Ce3+作为掺杂材料，采用甘氨酸作为烧结剂，制备形成的上转换发光材料，绿光光转换单元由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成，蓝光光转换单元由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成；
在光转换层背向发光结构层的一侧设置衬底基板。
8.根据权利要求7所述的OLED显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成光转换层具体包括：
采用构图工艺在衬底基板上形成黑矩阵，所述黑矩阵定义出各待形成的光转换单元所在的区域；
采用转印工艺、打印工艺或构图工艺在所述黑矩阵所定义出的区域内分别形成所述红光光转换单元、所述绿光光转换单元和所述蓝光光转换单元，使所述黑矩阵将各光转换单元相互隔离。
9.根据权利要求8所述的OLED显示装置的制造方法，其特征在于，在形成所述光转换层之后还包括：
在所述光转换层上形成保护层；
将形成了所述光转换层和所述保护层的衬底基板与形成了所述发光结构层的TFT阵列基板相对组装在一起。
10.根据权利要求7所述的OLED显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成光转换层具体包括：
采用构图工艺在所述发光结构层上形成黑矩阵，所述黑矩阵定义出各待形成的光转换单元所在的区域；
采用转印工艺、打印工艺或构图工艺在所述黑矩阵所定义出的区域内分别形成所述红光光转换单元、所述绿光光转换单元和所述蓝光光转换单元，使所述黑矩阵将各光转换单元相互隔离。
11.根据权利要求10所述的OLED显示装置的制造方法，其特征在于，在形成所述发光结构层之后，且在形成所述光转换层之前，还包括：在所述发光结构层上形成保护层；
在形成所述光转换层之后还包括：在所述光转换层上覆盖衬底基板。
12.一种彩膜基板，包括：衬底基板，其特征在于，所述彩膜基板还包括：设置于所述衬底基板上的光转换层，所述光转换层包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有红光、绿光和蓝光三个光转换单元；
红光光转换单元由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成，受发光结构层所发出的光激发后发红光的所述上转换发光材料为：采用NaF作为基质材料，采用Y3+、Yb3+、Ce3+作为掺杂材料，采用甘氨酸作为烧结剂，制备形成的上转换发光材料；
绿光光转换单元由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成；
蓝光光转换单元由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成。
13.根据权利要求12所述的彩膜基板，其特征在于，所述光转换层还包括：黑矩阵，所述黑矩阵定义出各光转换单元所在的区域，用于将各光转换单元相互隔离。
14.根据权利要求13所述的彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板还包括：设置于所述光转换层上的保护层。
15.一种彩膜基板的制造方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成光转换层，所述光转换层包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有红光、绿光和蓝光三个光转换单元；
红光光转换单元由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成，受发光结构层所发出的光激发后发红光的所述上转换发光材料为：采用NaF作为基质材料，采用Y3+、Yb3+、Ce3+作为掺杂材料，采用甘氨酸作为烧结剂，制备形成的上转换发光材料；
绿光光转换单元由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成；
蓝光光转换单元由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成。
16.根据权利要求15所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成光转换层具体包括：
采用构图工艺在衬底基板上形成黑矩阵，所述黑矩阵定义出各待形成的光转换单元所在的区域；
采用转印工艺、打印工艺或构图工艺在所述黑矩阵所定义出的区域内分别形成所述红光光转换单元、所述绿光光转换单元和所述蓝光光转换单元，使所述黑矩阵将各光转换单元相互隔离。
17.根据权利要求16所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于，在形成所述光转换层之后还包括：在所述光转换层上形成保护层。
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