JP2014141415A - 遷移金属錯体、及びこれを用いた有機発光素子、色変換発光素子、光変換発光素子、有機レーザーダイオード発光素子、色素レーザー、表示装置、照明装置並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】発光材料、ホスト材料、励起子ブロッキング材料などに適用可能な高Ｔ１準位を有する遷移金属錯体、及びこれを用いた有機発光素子、色変換発光素子、光変換発光素子、有機レーザーダイオード発光素子、色素レーザー、表示装置、照明装置並びに電子機器を提供する。
【解決手段】下式（１）で表されるジカルベン遷移金属錯体。

［式中、Ｍは遷移金属元素を表し；Ｋは無電荷の一座又は二座配位子を表し；Ｌは一座又は二座配位子を表し；ｍ、ｏは０〜５の整数を表し；ｎは１〜３の整数を表し；ｐは０〜４の整数を表し；Ｗ−は対イオンを表し；Ｙ１〜Ｙ４、Ｒ１およびＲ２は各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基等を表す。］
【選択図】なし

Description

本発明は、遷移金属錯体、及びこれを用いた有機発光素子、色変換発光素子、光変換発光素子、有機レーザーダイオード発光素子、色素レーザー、表示装置、照明装置並びに電子機器に関する。

有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の低消費電力化に向けて、高効率な発光材料の開発が進められている。三重項励起状態からの発光を利用した燐光発光材料は、一重項励起状態からの蛍光発光のみを利用する蛍光発光材料と比較して、高い発光効率が達成できることから、燐光発光材料の開発が行われている。

現在、有機ＥＬ素子の緑色画素と赤色画素には、内部量子収率が最大約１００％を達成できる燐光材料系が導入されているが、青色画素では内部量子収率が最大約２５％の蛍光材料系が使われている。これは、青色発光は赤色や緑色の発光よりも高エネルギーであり、さらにこの高エネルギーの発光を三重項励起準位からの燐光発光より得ようとすると、分子構造内の高エネルギーに弱い部分が劣化しやすくなるためである。

青色燐光材料としては、高エネルギーの三重項励起状態を得るために、置換基としてフッ素などの電子吸引基を配位子に導入したイリジウム（Ｉｒ）錯体が知られている（例えば、非特許文献１〜５参照。）。しかしながら、電子吸引基を導入した青色燐光材料は、発光効率は比較的良好であるものの、光耐性が悪く、寿命が短いという問題がある。
また、電子吸引基を導入せずとも、カルベン配位子を用いた錯体において、短波長の発光が可能であることが報告されている（非特許文献６および特許文献１参照）。

特許第４３５１７０２号公報

Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｄｉｔｉｏｎ，２００８，４７，４５２５−４５４５ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ−Ａ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ，２００８，１４，５４２３−５４３４ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｖｏｌｕｍｅ４７，Ｎｏ．５，２００８，１４７６−１４８７ 時任静士、安達千波矢、村田英幸共著「有機ＥＬディスプレイ」オーム社、２００４年８月発行、ｐ．１０９〜１１１ Ｈａｒｔｍｕｔ Ｙｅｒｓｉｎ編集「Ｈｉｇｈｌｙ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ＯＬＥＤｓ ｗｉｔｈ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ」、ドイツ、ＶＩＬＥＹ−ＶＣＨ、２００７年１２月発行、ｐ．３６３〜３９０ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，４４，２００５，７９９２

非特許文献６および特許文献１に記載の発光材料は、光耐性を低下させる電子吸引基を導入せずとも青色燐光を発光しているが、発光効率は低くなっている。
そのため、電子吸引基を導入せずとも高い発光効率で青色を発光しうる発光材料の開発が望まれる。また、色純度のよい青色を得る為には、高いＴ１準位（三重項励起準位）を持つ発光材料が要求される。
さらに、高発光効率及び長寿命を達成するデバイスを得るためには、発光材料の励起エネルギーが、ホスト材料及び発光層と接する材料へと移動することを防止することも重要である。そのため、発光材料よりも高いＴ１準位（三重項励起準位）をもつホスト材料が要求されており、一部のカルバゾール化合物、シリコン化合物が用いられているが新たなホスト材料の開発が望まれている。
本発明は、このような従来の実情に鑑みてなされたものであり、発光材料、ホスト材料、励起子ブロッキング材料などに適用可能な高Ｔ１準位を有する遷移金属錯体、及びこれを用いた有機発光素子、色変換発光素子、光変換発光素子、有機レーザーダイオード発光素子、色素レーザー、表示装置、照明装置並びに電子機器を提供するものである。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下の構成を採用した。

本発明の遷移金属錯体は、下記一般式（１）で表されるジカルベン遷移金属錯体であることを特徴とする。

（式中、Ｍは、元素周期律表の８族〜１２族の遷移金属元素を表し、Ｍである遷移金属元素の酸化状態はいずれでもよく；Ｋは、無電荷の一座または二座配位子を表し；Ｌは、一座または二座の、モノアニオン性またはジアニオン性配位子を表し；ｍは、０〜５の整数を表し；ｏは、０〜５の整数を表し；ｎは、１〜３の整数を表し；ｐは、錯体の荷電数であり、０〜４の整数を表し；Ｗ−は、モノアニオン性の対イオンを表し；ｍ、ｏ、ｎおよびｐは、Ｍである遷移金属元素の酸化状態と配位数、または、配位子の電荷と錯体の全体として電荷に依存し；Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４は、各々独立して、水素、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアルコシキ基を表し、これらの基は置換されていても非置換であってもよく；Ｙ１とＹ２、Ｙ２とＹ３およびＹ３とＹ４は、各々独立に、それらの一部が結合して一体となって、窒素原子間に少なくとも２個の原子を有する飽和又は不飽和の環構造を形成していてもよく、これらの環構造の一個以上の原子はアルキル基またはアリール基で置換されていてもよく（これらの置換基はさらに置換されていてもまたは無置換であってもよく）、またこれらの環構造はさらに、一個以上の環構造を形成していてもよく；Ｒ１およびＲ２は、各々独立して、水素、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基またはアルコキシ基を表し、これらの基は置換されていても無置換であってもよい。）

本発明の遷移金属錯体は、下記一般式（２）〜下記一般式（５）のいずれかで表わされることもできる。

（式中、Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアルコシキ基を表し、これらの基は置換されていても非置換であってもよく、Ｒ１とＲ３、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６およびＲ６とＲ２は、各々独立して、それらの一部が結合して一体となって、飽和又は不飽和の環構造を形成していてもよく、これらの環構造の一個以上の原子はアルキル基またはアリール基で置換されていてもよく（これらの置換基はさらに置換されていても又は無置換であってもよく）、またこれらの環構造はさらに、一個以上の環構造を形成していてもよく；Ｍ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、Ｗ−、ＬおよびＫは、前記一般式（１）と各々同義である。）

本発明の遷移金属錯体は、下記一般式（６）または下記一般式（７）で表わされることもできる。

（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｍ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、Ｗ−、ＬおよびＫは、前記一般式（１）と各々同義であり；Ｒ１１〜Ｒ２８は、各々独立して、水素、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアルコシキ基を表し、これらの基は置換されていても非置換であってもよく、Ｒ１およびＲ１１〜Ｒ１４、Ｒ２およびＲ１５〜Ｒ１８、Ｒ１９〜Ｒ２３、並びに、Ｒ２４〜Ｒ２８は、各々独立して、隣接するそれらの一部が結合して一体となって、飽和又は不飽和の環構造を形成していてもよく、これらの環構造の一個以上の原子はアルキル基またはアリール基で置換されていてもよく（これらの置換基はさらに置換されていても又は無置換であってもよく）、またこれらの環構造はさらに、一個以上の環を形成していてもよい。）

本発明の遷移金属錯体は、前記一般式（２）〜前記一般式（５）のいずれかにおけるＲ１〜Ｒ６が、各々独立して、水素、メチル基またはフェニル基であることもできる。
本発明の遷移金属錯体は、前記一般式（６）おけるＲ１、Ｒ２、Ｒ１１〜Ｒ１８、または、前記一般式（７）におけるＲ１９〜Ｒ２８が、各々独立して、水素、メチル基またはフェニル基であることもできる。
本発明の遷移金属錯体は、前記Ｍが、イリジウム、オスミウムまたは白金であることもできる。
本発明の遷移金属錯体は、前記Ｗ−が、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、ＰＦ_６ ⁻、ＢＦ_４ ⁻、ＯＡｃ⁻（ＡｃはＣＯＣＨ_３を表す）、ＳｂＦ_６ ⁻、ＡｓＦ_６ ⁻、ＮＣＯ⁻、ＣｌＯ_４ ⁻またはＣＮ⁻であることもできる。
本発明の遷移金属錯体は、前記Ｌが、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、ＯＡｃ⁻（ＡｃはＣＯＣＨ_３を表す）またはＮＣＳ⁻であることもできる。
本発明の遷移金属錯体は、前記Ｌが、下記式（１２）〜下記式（１６）のいずれかの構造の配位子であることもできる。

本発明の遷移金属錯体は、前記Ｋが、ホスフィン、ホスホネート、およびそれらの誘導体、ヒ酸塩、及びそれらの誘導体、ホスフィット、ＣＯ、ピリジンまたはニトリルであることもできる。
本発明の有機発光素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機層を一対の電極間に狭持させてなり、前記有機層の少なくとも一部に上記本発明の遷移金属錯体が含有されていることを特徴とする。
本発明の有機発光素子において、前記遷移金属錯体を発光材料として用いることもできる。
本発明の有機発光素子において、前記遷移金属錯体をホスト材料として用いることもできる。
本発明の有機発光素子において、前記遷移金属錯体を励起子ブロッキング材料として用いることもできる。

本発明の色変換発光素子は、上記本発明の有機発光素子と、この有機発光素子の光を取り出す面側に配され、該有機発光素子からの発光を吸収して、吸収光とは異なる色の発光を行う蛍光体層とを備えることを特徴とする。
本発明の色変換発光素子は、発光素子と、この発光素子の光を取り出す面側に配され、該発光素子からの発光を吸収して、吸収光とは異なる色の発光を行う蛍光体層とを備えた色変換発光素子において、前記蛍光体層に上記本発明の遷移金属錯体が含有されてなることを特徴とする。

本発明の光変換発光素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機層と、電流を増幅させる層とを一対の電極間に狭持させてなり、前記発光層に、上記本発明の遷移金属錯体が含有されてなることを特徴とする。
本発明の有機レーザーダイオード発光素子は、連続波励起光源と該連続波励起光源が照射される共振器構造とを含み、前記共振器構造は、レーザー活性層を含む少なくとも一層の有機層を一対の電極間に狭持させてなり、前記レーザー活性層は、ホスト材料に上記本発明の遷移金属錯体がドープされてなることを特徴とする。
本発明の色素レーザーは、上記本発明の遷移金属錯体を含んでなるレーザー媒質と、このレーザー媒質の前記有機発光素子材料からの燐光を誘導放出させてレーザー発振させる励起用光源を備えることを特徴とする。

本発明の表示装置は、画像信号を発生する画像信号出力部と、この画像信号出力部からの信号に基づき電流もしくは電圧を発生する駆動部と、この駆動部からの電流もしくは電圧により発光する発光部とを備え、前記発光部が上記本発明の有機発光素子であることを特徴とする。
本発明の表示装置は、画像信号を発生する画像信号出力部と、この画像信号出力部からの信号に基づき電流もしくは電圧を発生する駆動部と、この駆動部からの電流もしくは電圧により発光する発光部とを備え、前記発光部が上記本発明の色変換発光素子であることを特徴とする。
本発明の表示装置は、前記発光部の陽極と陰極がマトリックス状に配置されていることもできる。
本発明の表示装置は、前記発光部が、薄膜トランジスタによって駆動されることもできる。

本発明の照明装置は、電流もしくは電圧を発生する駆動部と、この駆動部からの電流もしくは電圧により発光する発光部とを備え、前記発光部が上記本発明の有機発光素子であることを特徴とする。
本発明の照明装置は、電流もしくは電圧を発生する駆動部と、この駆動部からの電流もしくは電圧により発光する発光部とを備え、前記発光部が上記本発明の色変換発光素子であることを特徴とする。
本発明の電子機器は、上記本発明の表示装置を表示部に備えることを特徴とする。

本発明によれば、発光材料、ホスト材料、励起子ブロッキング材料などに適用可能な高Ｔ１準位を有する遷移金属錯体、及びこれを用いた有機発光素子、色変換発光素子、光変換発光素子、有機レーザーダイオード発光素子、色素レーザー、表示装置、照明装置並びに電子機器を提供することができる。

本発明の有機発光素子の第１実施形態を示す概略模式図である。 本発明の有機発光素子の第２実施形態を示す概略断面図である。 本発明の色変換発光素子の一実施形態を示す概略断面図である。 図３に示す色変換発光素子の上面図である。 本発明の光変換発光素子の一実施形態を示す概略模式図である。 本発明の有機レーザーダイオード発光素子の一実施形態を示す概略模式図である。 本発明の色素レーザーの一実施形態を示す概略模式図である。 本発明に係る表示装置の配線構造と駆動回路の接続構成の一例を示す構成図である。 本発明の有機発光素子を用いた表示装置に配置されている１つの画素を構成する回路を示す画素回路図である。 本発明の照明装置の第１実施形態を示す概略斜視図である。 本発明の照明装置の他の実施形態を示す概略斜視図である。 本発明の照明装置の他の実施形態を示す概略斜視図である。 本発明の電子機器の一実施形態を示す概略斜視図である。 本発明の電子機器の一実施形態を示す概略斜視図である。 本発明の電子機器の一実施形態を示す概略斜視図である。 本発明の電子機器の一実施形態を示す概略斜視図である。

以下、本発明に係る有機発光素子材料、及びこれを用いた有機発光素子、色変換発光素子、光変換発光素子、有機レーザーダイオード発光素子、色素レーザー、表示装置、照明装置並びに電子機器の一実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。

＜遷移金属錯体＞
本発明の遷移金属錯体は、高いＴ１準位を有し、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の発光材料、ホスト材料、電荷輸送材料、励起子ブロッキング材料として好適であり、中でも、発光材料、ホスト材料、励起子ブロッキング材料として好適である。
本発明の遷移金属錯体は、一般式（１）からなるジカルベン遷移金属錯体であることを特徴とする。

一般式（１）中、Ｍは、元素周期律表の８族〜１２族の遷移金属元素を表し、Ｍである遷移金属元素の酸化状態はいずれでもよく；Ｋは、無電荷の一座または二座配位子を表し；Ｌは、一座または二座の、モノアニオン性またはジアニオン性配位子を表し；ｍは、０〜５の整数を表し；ｏは、０〜５の整数を表し；ｎは、１〜３の整数を表し；ｐは、錯体の荷電数であり、０〜４の整数を表し；Ｗ−は、モノアニオン性の対イオンを表し；ｍ、ｏ、ｎおよびｐは、Ｍである遷移金属元素の酸化状態と配位数、または、配位子の電荷と錯体の全体として電荷に依存し；Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４は、各々独立して、水素、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアルコシキ基を表し、これらの基は置換されていても非置換であってもよく；Ｙ１とＹ２、Ｙ２とＹ３およびＹ３とＹ４は、各々独立に、それらの一部が結合して一体となって、窒素原子間に少なくとも２個の原子を有する飽和又は不飽和の環構造を形成していてもよく、これらの環構造の一個以上の原子はアルキル基またはアリール基で置換されていてもよく（これらの置換基はさらに置換されていてもまたは無置換であってもよく）、またこれらの環構造はさらに、一個以上の環構造を形成していてもよく；Ｒ１およびＲ２は、各々独立して、水素、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基またはアルコキシ基を表し、これらの基は置換されていても無置換であってもよい。

一般式（１）中、Ｍは、元素周期律表の８族〜１２族の遷移金属元素であり、Ｍである遷移金属元素の酸化状態はいずれでもよく、特に限定されない。Ｍである遷移金属元素としては具体的には、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、ＡｕおよびＡｇ等が挙げられ、中でも、後述する重原子効果によりＰＬ量子収率が増大するため、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔが好ましい。
遷移金属錯体が高効率な燐光発光材料として期待されるケースでは、発光メカニズムとしては、ＭＬＣＴ（Metal-to-Ligand Charge Transfer）であると言われている。その際、中心金属の重原子効果が配位子に対しても効率的に働き、項間交差（一重項励起状態から三重項励起状態への遷移、Ｓ→Ｔ：約１００％）が速やかに起こり、その後、同様に重原子効果によりＴ_１からＳ_０への遷移速度定数（ｋ_ｒ）が大きくなるためである。それによりＰＬ量子収率（φ_ＰＬ＝ｋ_ｒ／（ｋ_ｎｒ＋ｋ_ｒ）；ここで、ｋ_ｎｒはＴ_１からＳ_０へ熱的に失活する速度定数である。）が増大する。このＰＬ量子収率の増大は、有機エレクトロニクスデバイスにした際の発光効率の増大につながる。
Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔはランタノイド収縮により原子半径は比較的に短いが、原子量が大きいため、上記重原子効果を効果的に起こすことができる。そのため、本発明の遷移金属錯体を発光材料として用いる場合、中心金属がＩｒ、ＯｓまたはＰｔである遷移金属錯体とすることにより、重原子効果によりＰＬ量子収率が増大し、高い発光効率を示すことができる。

一般式（１）中、ｍは０〜５の整数であり、ｏは０〜５の整数であり、ｎは１〜３の整数である。ｐは、錯体の荷電数であり、０〜４の整数である。ｍとｏとｎとｐは、用いる遷移金属原子の酸化状態と配位数に、または、配位子の電荷と錯体の全体として電荷に依存する。

Ｋは、無電荷の一座または二座配位子であり、具体的にはホスフィン、ホスホネート、およびそれらの誘導体、ヒ酸塩、及びそれらの誘導体、ホスフィット、ＣＯ、ピリジン、ニトリルが好ましい。
また、Ｋとしては、後述する一般式（Ｋ−１）で表される基も好ましい。

Ｌは、一座または二座の、モノアニオン性またはジアニオン性配位子である。具体的には、ハロゲン、擬ハロゲンが挙げられるが、ハロゲンとして、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻が、擬ハロゲンとしては、ＯＡｃ⁻（ＡｃはＣＯＣＨ_３を表す）、ＮＣＳ⁻が好ましい。
また、Ｌとしては、後述する一般式（Ｌ−１）〜下記一般式（Ｌ−５）で表される基も好ましい。

Ｗ−は、モノアニオン性の対イオンであり、具体的には、ハロゲン、擬ハロゲンが挙げられ、ハロゲンとしては、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻が好ましく、擬ハロゲンとしては、ＰＦ_６ ⁻、ＢＦ_４ ⁻、ＯＡｃ⁻（ＡｃはＣＯＣＨ_３を表す）、ＳｂＦ_６ ⁻、ＡｓＦ_６ ⁻、ＮＣＯ⁻、ＣｌＯ_４ ⁻、ＣＮ⁻が好ましい。

一般式（１）中、Ｒ１およびＲ２は、各々独立して、水素、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基またはアルコキシ基を表し、これらの基は置換されていても無置換であってもよい。
Ｒ１およびＲ２であるアルキル基としては、炭素数１〜８のアルキル基が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基が挙げられる。
Ｒ１およびＲ２であるシクロアルキル基としては、炭素数３〜８のシクロアルキル基が挙げられ、具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基が挙げられる。

Ｒ１およびＲ２であるヘテロシクロアルキル基としては、シクロアルキル基の環状構造を形成する１個若しくはそれ以上の炭素原子が、窒素原子、酸素原子、硫黄原子などで置換されたものが挙げられる。具体的には、アゼパニル基、ジアゼパニル基、アジリジニル基、アゼチジニル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジル基、ピラゾリジニル基、ピペラジニル基、アゾカニル基、チオモルホリニル基、チアゾリジニル基、イソチアゾリジニル基、オキサゾリジニル基、モルホリニル基、テトラヒドロチオピラニル基、オキサチオラニル基、オキシラニル基、オキセタニル基、ジオキソラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、１，４−ジオキサニル基、キヌクリジニル基、７−アザビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、３−アザビシクロ［３．２．２］ノナニル基、トリチアジアザインデニル基、ジオキソロイミダゾリジニル基、２，６−ジオキサビシクロ［３．２．２］オクト−７−イル基が挙げられる。

Ｒ１およびＲ２であるアリール基としては、具体的には、フェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、トリル基、フルオロフェニル基、キシリル基、ビフェニリル基、アントリル基、フェナントリル基が挙げられる。
Ｒ１およびＲ２であるアラルキル基としては、具体的には、ベンジル基、フェネチル基が挙げられる。

Ｒ１およびＲ２であるヘテロアリール基としては、アリール基の環状構造を形成する１個若しくはそれ以上の炭素原子が、窒素原子、酸素原子、硫黄原子などで置換されたものが挙げられる。具体的には、ピロリル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、イミダゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、１，３，５−オキザジアゾリル基、１，２，４−オキサジアゾリル基、１，２，４−チアジアゾリル基、ピリジル基、ピラニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、１，２，４−トリアジニル基、１，２，３−トリアジニル基、１，３，５−トリアジニル基が挙げられる。

Ｒ１およびＲ２であるアルケニル基としては、具体的には、エテニル基、１−プロぺニル基、２−プロぺニル基、２−メチル−１−プロぺニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、２−メチル−１−ブテニル基、３−メチル−２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、４−メチル−３−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、４−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、１−ヘプテニル基、１−オクテニル基が挙げられる。

Ｒ１およびＲ２であるアルキニル基としては、具体的には、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、２−ヘキシニル基、３−ヘキシニル基、４−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、１−ヘプチニル基、１−オクチニル基が挙げられる。
Ｒ１およびＲ２であるアルコキシ基としては、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基が挙げられる。

これらの中でも、Ｒ１およびＲ２である基としては、水素、アルキル基またはアリール基が好ましく、水素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、シクロヘキシル基、フェニル基またはナフチル基がより好ましく、水素、メチル基、プロピル基、フェニル基がさらに好ましく、水素、メチル基、フェニル基が特に好ましい。

一般式（１）中、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４は、各々独立して、水素、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアルコシキ基を表し、これらの基は置換されていても非置換であってもよい。Ｙ１とＹ２、Ｙ２とＹ３、Ｙ３とＹ４は、それらの一部が結合して一体となって、窒素原子間に少なくとも２個の原子を有する飽和又は不飽和の環構造を形成していてもよい。なお、この環構造の一個以上の原子は必要に応じてアルキル基またはアリール基で置換されていてもよく（これらの置換基はさらに置換されていても又は無置換であってもよく）、またこの環構造はさらに、必要に応じて一個以上の環を形成していることも好ましい。

Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４であるアルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基としては、具体的にはＲ１およびＲ２で前記したものと同じものが挙げられる。
Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４としては、水素、アルキル基、アリール基またはアルコキシ基が好ましく、水素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基がより好ましい。

Ｙ１とＹ２、Ｙ２とＹ３、Ｙ３とＹ４のいずれかの一部が一体となって環構造を形成する場合、前記環構造が有していてもよい置換基であるアルキル基またはアリール基としては、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、シクロヘキシル基、フェニル基またはナフチル基等が挙げられ、中でも、メチル基、プロピル基、フェニル基が好ましく、メチル基、フェニル基がより好ましい。

前記一般式（１）で表される遷移金属錯体は、下記一般式（２）〜下記一般式（５）のいずれかで表される構造であることが好ましい。

一般式（２）〜（５）中、Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアルコシキ基を表し、これらの基は置換されていても非置換であってもよく、Ｒ１とＲ３、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６およびＲ６とＲ２は、各々独立して、それらの一部が結合して一体となって、飽和又は不飽和の環構造を形成していてもよく、これらの環構造の一個以上の原子はアルキル基またはアリール基で置換されていてもよく（これらの置換基はさらに置換されていても又は無置換であってもよく）、またこれらの環構造はさらに、一個以上の環構造を形成していてもよく；Ｍ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、Ｗ−、ＬおよびＫは、前記一般式（１）と各々同義である。

Ｒ１〜Ｒ６であるアルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基としては、具体的には上記一般式（１）におけるＲ１およびＲ２で前記したものと同じものが挙げられる。
Ｒ１〜Ｒ６である基としては、水素、アルキル基またはアリール基、アルコキシ基が好ましく、具体的には、水素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等が挙げられ、中でも、水素、メチル基、プロピル基、フェニル基が好ましく、水素、メチル基、フェニル基がより好ましい。
Ｒ１とＲ３、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６、Ｒ６とＲ２のいずれかの一部が結合して環構造を形成する場合、前記環構造が有していてもよい置換基であるアルキル基およびアリール基は、前記一般式（１）における環構造が有していてもよい置換基と同じものが挙げられる。

また、前記一般式（１）で表される遷移金属錯体は、下記一般式（６）または下記一般式（７）で表わされる構造であることも好ましい。

一般式（６）および一般式（７）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｍ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、Ｗ−、ＬおよびＫは、前記一般式（１）と各々同義であり；Ｒ１１〜Ｒ２８は、各々独立して、水素、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアルコシキ基を表し、これらの基は置換されていても非置換であってもよく、Ｒ１およびＲ１１〜Ｒ１４、Ｒ２およびＲ１５〜Ｒ１８、Ｒ１９〜Ｒ２３、並びに、Ｒ２４〜Ｒ２８は、各々独立して、隣接するそれらの一部が結合して一体となって、飽和又は不飽和の環構造を形成していてもよく、これらの環構造の一個以上の原子はアルキル基またはアリール基で置換されていてもよく（これらの置換基はさらに置換されていても又は無置換であってもよく）、またこれらの環構造さらに、一個以上の環を形成していてもよい。

Ｒ１１〜Ｒ２８であるアルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基としては、具体的には上記一般式（１）におけるＲ１およびＲ２で前記したものと同じものが挙げられる。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１１〜Ｒ２８である基としては、水素、アルキル基またはアリール基が好ましく、具体的には、水素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、中でも、水素、メチル基、プロピル基、フェニル基が好ましく、水素、メチル基、フェニル基がより好ましい。
Ｒ１およびＲ１１〜Ｒ１４、Ｒ２およびＲ１５〜Ｒ１８、Ｒ１９〜Ｒ２３、並びに、Ｒ２４〜Ｒ２８のいずれかが、隣接するそれらの一部が結合して環構造を形成する場合、前記環構造が有していてもよい置換基であるアルキル基およびアリール基は、前記一般式（１）における環構造が有していてもよい置換基と同じものが挙げられる。

一般式（１）〜一般式（７）中、Ｌとしては、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻が、擬ハロゲンとしては、ＯＡｃ⁻（ＡｃはＣＯＣＨ_３を表す）、ＮＣＳ⁻が好ましく、また、下記一般式（Ｌ−１）〜下記一般式（Ｌ−５）で表される基も好ましい。

一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−５）中、Ｒ３１〜Ｒ５７は、各々独立して、水素、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアルコキシ基を表し、これらの基は置換されていても非置換であってもよく、Ｒ３１〜Ｒ３３、Ｒ３４〜Ｒ３９、Ｒ４０〜Ｒ４３、Ｒ４４〜Ｒ４９、Ｒ５０〜Ｒ５２、Ｒ５３〜Ｒ５５およびＲ５６とＲ５７は、各々独立に、隣接するそれらの一部が結合して一体となって、飽和又は不飽和の環構造を形成していてもよい。なお、この環構造の一個以上の原子は必要に応じてアルキル基またはアリール基で置換されていてもよく（これらの置換基はさらに置換されていても又は無置換であってもよく）、またこの環構造はさらに、必要に応じて一個以上の環を形成していてもよい。

Ｒ３１〜Ｒ５７であるアルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基としては、具体的には上記一般式（１）におけるＲ１およびＲ２で前記したものと同じものが挙げられる。
Ｒ３１〜Ｒ５７である基としては、水素、アルキル基またはアリール基が好ましく、具体的には、水素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、中でも、水素、メチル基、プロピル基、フェニル基が好ましく、水素、メチル基、フェニル基がより好ましく、下記式（１２）〜下記式（１６）で表される基がさらに好ましい。
また、Ｒ３１〜Ｒ５７のいずれかが、隣接するそれらの一部が結合して環構造を形成する場合、前記環構造が有していてもよい置換基であるアルキル基およびアリール基は、前記一般式（１）における環構造が有していてもよい置換基と同じものが挙げられる。

一般式（１）〜一般式（７）中、Ｋとしては、ホスフィン、ホスホネート、およびそれらの誘導体、ヒ酸塩、及びそれらの誘導体、ホスフィット、ＣＯ、ピリジン、ニトリルが好ましく、また、下記一般式（Ｋ−１）で表される基も好ましい。

一般式（Ｋ−１）中、Ｒ６４〜Ｒ７１は、各々独立して、水素、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアルコキシ基を表し、これらの基は置換されていても非置換であってもよく、Ｒ６４〜Ｒ７１は、各々独立に、隣接するそれらの一部が結合して一体となって、飽和又は不飽和の環構造を形成していてもよい。なお、この環構造の一個以上の原子は必要に応じてアルキル基またはアリール基で置換されていてもよく（これらの置換基はさらに置換されていても又は無置換であってもよく）、またこの環構造はさらに、必要に応じて一個以上の環を形成していてもよい。

Ｒ６４〜Ｒ７１であるアルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基としては、具体的には上記一般式（１）におけるＲ１およびＲ２で前記したものと同じものが挙げられる。
Ｒ６４〜Ｒ７１である基としては、水素、アルキル基またはアリール基が好ましく、具体的には、水素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、中でも、水素、メチル基、プロピル基、フェニル基が好ましく、水素、メチル基、フェニル基がより好ましく、下記式（１７）で表される５−メチル−１，１０−フェナントロリンがさらに好ましい。
また、Ｒ６４〜Ｒ７１のいずれかが、隣接するそれらの一部が結合して環構造を形成する場合、前記環構造が有していてもよい置換基であるアルキル基およびアリール基は、前記一般式（１）における環構造が有していてもよい置換基と同じものが挙げられる。

以下に、本発明の遷移金属錯体の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。なお、以下の例においては、幾何異性体は特に区別して例示せず、いずれの幾何異性体も本発明の遷移金属錯体として含まれる。なお、以下の例において、「ＯＡｃ⁻」はアセチルオキシアニオンを表す。

本発明の遷移金属錯体は、２つ以上のカルベン部位を有する配位子を有し、かつ、前記配位子のカルベン部位が遷移金属に配位していることを特徴とする。本発明の遷移金属錯体は、このように２つ以上のカルベン部位が、遷移金属に直接配位していることにより、高いＴ１準位を有する。従って、純青色〜紫発光を実現でき発光ドーパント（発光材料）として、また、純青色発光ドーパントより高いＴ１順位を有するホスト材料として使用する事が出来る。
次に、本発明の遷移金属錯体の合成方法について説明する。前記一般式（１）〜（７）で表される構造を有する遷移金属錯体は、従来公知の方法を組み合わせて合成することができ、例えば、配位子は、Organometallics, 2008, 27, 2128-2136、Inorganic Chemistry Communications, 2008, 11, 1170-1173、Dalton Trans., 2008, 916等を参照しながら合成することができ、遷移金属錯体は、Organometallics, 2008, 27, 2128-2136、Dalton Trans., 2008, 916、Angew. Chem. Int. Ed., 2008, 47, 4542、特表２００９−５４２０２６号公報等を参照しながら合成することができる。

以下、本発明の遷移金属錯体である遷移金属錯体の合成方法の一例について説明する。本発明の遷移金属錯体であるＩｒ錯体（化合物（ａ−３））は、下記の合成ルートで合成することができる。なお、以下の例に合成スキームにおいて、Ｍｅはメチル基を表し、ａｃａｃはアセチルアセテートを表し、ＴＨＦはテトラヒドロフランを表し、ＤＭＳＯはジメチルスルホキシドを表す。

配位子である化合物の合成は、例えば、Inorganic Chemistry Communications, 2008, 11, 1170-1173等を参照しながら行うことができる。まず、１−メチル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（化合物１（ａ−１））をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）に溶かした溶液中に、ジメチルジクロロシラン（Ｍｅ_２ＳｉＣｌ_２）を添加し室温で１時間撹拌し反応させる。未反応の原料を、ヘキサンを用いて反応溶液を、除去し、化合物（ａ−２）を合成することができる。ここで、Ｍｅ_２ＳｉＣｌ_２の代わりにＭｅ_２ＣＣｌ_２（Ｍｅはメチル基を表す）を用いても良い。

次に、本発明の遷移金属錯体である化合物（ａ−３）の合成は、例えば、特表２００９−５４２０２６号公報等を参照しながら行うことができる。
イリジウムアセチルアセテート（Ｉｒ（ａｃａｃ）_３）をジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）に入れ、１００℃に加熱し、化合物（ａ−２）のＤＭＳＯ溶液を滴下し、２時間撹拌し反応させる。その後、減圧下で溶媒を除去し、取出された固体をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）で２回洗浄し、減圧乾燥し化合物（ａ−３）を合成することができる。

また、本発明の遷移金属錯体が２種以上の異なる配位子を有する場合は、例えば、Angew. Chem. Int. Ed., 2008, 47, 4542-4545等を参照しながら遷移金属錯体を合成することができる。例えば、２つの２座配位子Ｌａと、１つの２座配位子Ｌｂを有するＩｒ錯体［Ir(La)_２(Lb)］を合成する場合は、［IrCl(COD)］_２（COD＝１，５−シクロオクタジエン）１当量と配位子Ｌａ４当量を、Dalton Trans., 2008, 916、Angew. Chem. Int. Ed., 2008, 47, 4542等に記載の方法により、メトキシナトリウム存在下、アルコール溶液中にて加熱還流することにより、塩素架橋２核イリジウム錯体［Ir(μ-Cl)(La)_２］_２を合成し、この塩素架橋２核イリジウム錯体と、配位子Ｌｂを反応させることにより、Ｉｒ錯体［Ir(La)_２(Lb)］を合成することができる。なお、配位子Ｌａおよび配位子Ｌｂのどちらかがカルベン配位子である場合、或いは、配位子Ｌａおよび配位子Ｌｂのいずれもカルベン配位子である場合のどちらの場合にも、この合成方法を適用することができる。

なお、合成した発光材料である遷移金属錯体の同定は、ＭＳスペクトル（ＦＡＢ−ＭＳ）、^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル、ＬＣ−ＭＳスペクトル等より行うことができる。

以下、本発明の有機発光素子、色変換発光素子、有機レーザーダイオード素子、色素レーザー、表示装置、照明装置及び電子機器の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、図１〜図１６の各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて示している。

＜有機発光素子＞
本発明の有機発光素子（有機ＥＬ素子）は、発光層を含む少なくとも一層の有機層が、一対の電極間に狭持されて構成されている。
図１は、本発明に係る有機発光素子の第１実施形態を示す概略構成図である。図１に示す有機発光素子１０は、基板（図示略）上に、第１電極１２、有機ＥＬ層（有機層）１７、第２電極１６がこの順に積層されて構成されている。図１に示す例では、第１電極１２と第２電極１６により狭持された有機ＥＬ層１７は、正孔輸送層１３と有機発光層１４と電子輸送層１５とがこの順に積層されて構成されている。

第１電極１２及び第２電極１６は、有機発光素子１０の陽極又は陰極として対で機能する。つまり、第１電極１２を陽極とした場合には、第２電極１６は陰極となり、第１電極１２を陰極とした場合には、第２電極１６は陽極となる。図１及び以下の説明においては、第１電極１２が陽極、第２電極１６が陰極である場合を例に説明する。なお、第１電極１２が陰極、第２電極１６が陽極の場合には、後述する有機ＥＬ層（有機層）１７の積層構成において、正孔注入層および正孔輸送層を第２電極側１６とし、電子注入層および電子輸送層を第１電極１２側とすればよい。

有機ＥＬ層（有機層）１７は、有機発光層１４の単層構造でも良いし、図１に示すような正孔輸送層１３と有機発光層１４と電子輸送層１５との積層構造の如く多層構造でも良い。有機ＥＬ層（有機層）１７として、具体的には下記の構成が挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。なお、下記の構成において、正孔注入層及び正孔輸送層１３は陽極である第１電極１２側に配され、電子注入層及び電子輸送層１５は陰極である第２電極１６側に配される。

（１）有機発光層１４
（２）正孔輸送層１３／有機発光層１４
（３）有機発光層１４／電子輸送層１５
（４）正孔注入層／有機発光層１４
（５）正孔輸送層１３／有機発光層１４／電子輸送層１５
（６）正孔注入層／正孔輸送層１３／有機発光層１４／電子輸送層１５
（７）正孔注入層／正孔輸送層１３／有機発光層１４／電子輸送層１５／電子注入層
（８）正孔注入層／正孔輸送層１３／有機発光層１４／正孔防止層／電子輸送層１５
（９）正孔注入層／正孔輸送層１３／有機発光層１４／正孔防止層／電子輸送層１５／電子注入層
（１０）正孔注入層／正孔輸送層１３／電子防止層／有機発光層１４／正孔防止層／電子輸送層１５／電子注入層
ここで、有機発光層１４、正孔注入層、正孔輸送層１３、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層１５及び電子注入層の各層は、単層構造でも多層構造でもよい。

なお、有機ＥＬ層１７が励起子ブロッキング層を含む場合、励起子ブロッキング層は正孔輸送層１３と有機発光層１４の間、かつ／または、有機発光層１４と電子輸送層１５の間に挿入する事が可能である。励起子ブロッキング層は、有機発光層１４中で生成された励起子が、正孔輸送層１３、電子輸送層１５にエネルギー移動して失活する事を防止する機能があり、より効果的に励起子のエネルギーを発光に利用する事が可能となる為、効率の良い発光を実現する事が可能となる。励起子ブロッキング層は、公知の励起子ブロッキング材料から構成されてもよいが、本発明の遷移金属錯体を励起子ブロッキング材料として用いて構成されることが好ましい。

有機発光層１４は、前記した本発明の遷移金属錯体のみから構成されていてもよく、本発明の遷移金属錯体をドーパント（発光材料）として、ホスト材料と組み合わせて構成されていてもよく、本発明の遷移金属錯体をホスト材料として、発光性のドーパントと組み合わせて構成されていてもよい。また、本発明においては、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよく、また、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）又は無機材料中に分散された構成であってもよい。有機発光層１４は、第１電極１２から注入された正孔と第２電極１６から注入された電子とを再結合させて、有機発光層１４に含まれる本発明の遷移金属錯体（発光材料）、もしくは、発光性のドーパントの燐光発光により、光を放出（発光）する。

有機発光層１４として、本発明の実施形態の遷移金属錯体を発光性のドーパント（発光材料）とし、従来のホスト材料と組み合わせて用いる場合、ホスト材料としては、従来公知の有機ＥＬ用のホスト材料を用いることができる。このようなホスト材料としては、４，４’−ビス（カルバゾール）ビフェニル、９，９−ジ（４−ジカルバゾール−ベンジル）フルオレン（ＣＰＦ）、３，６−ビス（トリフェニルシリル）カルバゾール（ｍＣＰ）、ポリ（Ｎ−オクチル−２，７−カルバゾール−Ｏ−９，９−ジオクチル−２，７−フルオレン）（ＰＣＦ）、１，３，５−トリス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ＴＣＰ）、９，９−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）−フェニル］フルオレン（ＦＬ−２ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体、４−（ジフェニルフォスフォイル）−Ｎ，Ｎ-ジフェニルアニリン（ＨＭ−Ａ１）等のアニリン誘導体、１，３−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｍＤＰＦＢ）、１，４−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｐＤＰＦＢ）等のフルオレン誘導体、１，３，５−トリス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］ベンゼン（ＴＤＡＰＢ）、１，４−ビストリフェニルシリルベンゼン（ＵＧＨ−２）、１，３−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（ＵＧＨ−３）、９−（４−ターシャルブチルフェニル）−３，６−ビス（トリフェニルシリル）−９Ｈ−カルバゾール（ＣｚＳｉ）等が挙げられる。

有機発光層１４として、本発明の遷移金属錯体をホスト材料とし、従来の発光性のドーパントを組み合わせて用いる場合、発光性ドーパントとしては、従来公知の有機ＥＬ用の発光性のドーパント材料を用いることができる。このような発光性のドーパント材料としては、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニルピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、トリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン］イリジウム（III）（Ｉｒ（ｍｐｐｙ）_３）、ビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート イリジウム（III）（ＦＩｒＰｉｃ）、ビス（４’,６’−ジフルオロフェニルポリジナト）テトラキス（１−ピラゾイル）ボレート イリジウム（III）（ＦＩｒ６）、トリス（１−フェニル−３−メチルベンゾイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ，Ｃ２’）イリジウム（III）（Ｉｒ（Ｐｍｂ）_３）、ビス（２，４−ビフルオロフェニルピリジナト）（５−（ピリジン−２−イル）−１Ｈ−テトラゾネート）イリジウム（III）（ＦＩｒＮ４）、ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル−ピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｉｑ）_３）、トリス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））、ビス［１−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−イソキノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｆｌｉｑ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−イソキノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｆｌｑ）_２（ａｃａｃ））、トリス（２−フェニルキノリン）イリジウム（III）（Ｉｒ（２−ｐｈｑ）_３）、トリス（２−フェニルキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（III）（Ｉｒ（２−ｐｈｑ）_２（ａｃａｃ））等のイリジウム錯体、ビス（３−トリフルオロメチル−５−（２−ピリジル）−ピラゾネート）（ジメチルフェニルフォスフィン）オスミウム（Ｏｓ（ｆｐｐｚ）_２（ＰＰｈＭｅ_２）_２）、ビス（３−トリフルオロメチル）−５−（４−ターシャルブチルピリジル）−１，２，４−トリアゾネート）（ジフェニルメチルフォスフィン）オスミウム（Ｏｓ（ｂｐｆｔｚ）_２（ＰＰｈ_２Ｍｅ）_２）等のオスミウム錯体、５，１０，１５，２０−テトラフェニルテトラベンゾポリフィリン白金等の白金錯体等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。

正孔注入層及び正孔輸送層１３は、陽極である第１電極１２からの正孔の注入と有機発光層１４への輸送（注入）をより効率よく行う目的で、第１電極１２と有機発光層１４との間に設けられる。電子注入層及び電子輸送層１５は、陰極である第２電極１６からの電子の注入と有機発光層１４への輸送（注入）をより効率よく行う目的で、第２電極１６と有機発光層１４との間に設けられる。

これらの正孔注入層、正孔輸送層１３、電子注入層、及び電子輸送層１５は、それぞれ、従来公知の材料を用いることができ、以下に例示する材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）又は無機材料中に分散された構成であってもよい。

正孔輸送層１３を構成する材料としては、例えば、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_２）等の酸化物、無機ｐ型半導体材料、ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリアニリン−樟脳スルホン酸（ポリアニリン−カンファースルホン酸；ＰＡＮＩ−ＣＳＡ）、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイト（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（ｐ−ナフタレンビニレン）（ＰＮＶ）等の高分子材料等が挙げられる。

陽極である第１電極１２からの正孔の注入・輸送をより効率よく行う点で、正孔注入層として用いる材料としては、正孔輸送層１３に使用する材料より最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位が低い材料を用いることが好ましく、正孔輸送層１３としては、正孔注入層に使用する材料より正孔の移動度が、高い材料を用いることが好ましい。
正孔注入層を形成する材料としては、例えば、銅フタロシアニン等のフタロシアニン誘導体、４，４’，４”−トリス(３−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス(１−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス(２−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス［ビフェニル−２−イル（フェニル)アミノ］トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス［ビフェニル−３−イル（フェニル)アミノ］トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス［ビフェニル−４−イル（３−メチルフェニル)アミノ］トリフェニルアミン、４，４’、４”−トリス［９，９−ジメチル−２−フルオレニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン等のアミン化合物、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_２）等の酸化物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

また、より正孔の注入・輸送性を向上させるため、前記正孔注入層及び正孔輸送層１３にアクセプターをドープすることが好ましい。アクセプターとしては、有機ＥＬ用のアクセプター材料として従来公知の材料を用いることができる。
アクセプター材料としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、ＰＯＣｌ_３、ＡｓＦ_６、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_２）等の無機材料、ＴＣＮＱ（７，７，８，８，−テトラシアノキノジメタン）、ＴＣＮＱＦ４（テトラフルオロテトラシアノキノジメタン）、ＴＣＮＥ（テトラシアノエチレン）、ＨＣＮＢ（ヘキサシアノブタジエン）、ＤＤＱ（ジシクロジシアノベンゾキノン）等のシアノ基を有する化合物、ＴＮＦ（トリニトロフルオレノン）、ＤＮＦ（ジニトロフルオレノン）等のニトロ基を有する化合物、フルオラニル、クロラニル、ブロマニル等の有機材料が挙げられる。これらの中でも、ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱＦ４、ＴＣＮＥ、ＨＣＮＢ、ＤＤＱ等のシアノ基を有する化合物が、キャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。

電子防止層としては、正孔輸送層１３及び正孔注入層として前記したものと同じものを使用することができる。
電子輸送層１５を構成する材料としては、例えば、ｎ型半導体である無機材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾジフラン誘導体等の低分子材料；ポリ（オキサジアゾール）（Ｐｏｌｙ−ＯＸＺ）、ポリスチレン誘導体（ＰＳＳ）等の高分子材料が挙げられる。
電子注入層を構成する材料としては、特に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化バリウム（ＢａＦ_２）等のフッ化物、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）等の酸化物等が挙げられる。
陰極である第２電極１６から電子の注入・輸送をより効率よく行う点で、電子注入層として用いる材料としては、電子輸送層１５に使用する材料より最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位が高い材料を用いることが好ましく、電子輸送層１５として用いる材料としては、電子注入層に使用する材料より電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。

また、より電子の注入・輸送性を向上させるため、前記電子注入層及び電子輸送層１５にドナーをドープすることが好ましい。ドナーとしては、有機ＥＬ用のドナー材料として従来公知の材料を用いることができる。
ドナー材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ等の無機材料、アニリン類、フェニレンジアミン類、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）−ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン等のベンジジン類、トリフェニルアミン、４，４’４''−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン、４，４’４''−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン、４，４’４''−トリス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン等のトリフェニルアミン類、Ｎ，Ｎ’−ジ−（４−メチル−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−フェニレンジアミン等のトリフェニルジアミン類の芳香族３級アミンを骨格にもつ化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の縮合多環化合物（ただし、縮合多環化合物は置換基を有してもよい）、ＴＴＦ（テトラチアフルバレン）類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等の有機材料がある。これらの中でも、芳香族３級アミンを骨格にもつ化合物、縮合多環化合物、アルカリ金属がよりキャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。

正孔防止層としては、電子輸送層１５及び電子注入層として前記したものと同じものを使用することができる。
有機ＥＬ層１７を構成する有機発光層１４、正孔輸送層１３、電子輸送層１５、正孔注入層電子注入層、正孔防止層、電子防止層等の形成方法としては、上記の材料を溶剤に溶解、分散させた有機ＥＬ層形成用塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセスにより形成する方法、又は、上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセスにより形成する方法、或いは、レーザー転写法等により形成する方法を挙げることができる。なお、ウエットプロセスにより有機ＥＬ層１７を形成する場合には、有機ＥＬ層形成用塗液は、レベリング剤、粘度調整剤等の塗液の物性を調整するための添加剤を含んでいてもよい。

有機ＥＬ層１７を構成する各層の膜厚は、通常１〜１０００ｎｍ程度であり、１０〜２００ｎｍがより好ましい。有機ＥＬ層１７を構成する各層の膜厚が１０ｎｍ未満であると、本来必要とされる物性（電荷（電子、正孔）の注入特性、輸送特性、閉じ込め特性）が得られない可能性や、ゴミ等の異物による画素欠陥が生じる虞がある。また、有機ＥＬ層１７を構成する各層の膜厚が２００ｎｍを超えると駆動電圧の上昇が生じ、消費電力の上昇に繋がる虞がある。

第１電極１２は基板（図示略）上に形成されており、第２電極１６は有機ＥＬ層（有機層）１７上に形成されている。
第１電極１２及び第２電極１６を形成する電極材料としては公知の電極材料を用いることができる。陽極である第１電極１２を形成する材料としては、有機ＥＬ層１７への正孔の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以上の金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属、及び、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ_２）インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）からなる酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。また、陰極である第２電極１６を形成する電極材料としては、有機ＥＬ層１７への電子の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以下のリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、又は、これらの金属を含有するＭｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等の合金が挙げられる。

第１電極１２及び第２電極１６は、上記の材料を用いてＥＢ（電子ビーム）蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により基板上に形成することができるが、本発明はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフフィー法、レーザー剥離法により、形成した電極をパターン化することもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターン化した電極を形成することもできる。
第１電極１２及び第２電極１６の膜厚は、５０ｎｍ以上が好ましい。第１電極１２及び第２電極１６の膜厚が５０ｎｍ未満の場合には、配線抵抗が高くなることから、駆動電圧の上昇が生じるおそれがある。

図１に示す有機発光素子１０は、前記した本発明の遷移金属錯体を有機発光層１４を含む有機ＥＬ層（有機層）１７に含有してなる構成であるため、第１電極１２から注入された正孔と第２電極１６から注入された電子とを再結合させて、有機層１７（有機発光層１４）に発光材料として含まれる本発明の遷移金属錯体の燐光発光により、青色の光を良好な効率で放出（発光）することができる。また、本発明の遷移金属錯体をホスト材料として用い、従来の青色燐光ドーパントを組み合わせて有機層１７（有機発光層１４）に含有させることで、従来の青色燐光材料を用いて高効率の青色発光を得ることができる。

なお、本発明の有機発光素子は、発光した光を基板側に放射するボトムエミッションタイプのデバイスで構成されていてもよいし、そうではなくて基板とは反対側に放射するトップエミッションタイプのデバイスで構成されていてもよい。また、本発明の有機発光素子の駆動方式は特に限定されず、アクティブ駆動方式でもパッシブ駆動方式でも良いが、有機発光素子をアクティブ駆動方式で駆動させる方が好ましい。アクティブ駆動方式を採用することにより、パッシブ駆動方式に比べて有機発光素子の発光時間を長くすることができ、所望の輝度を得る駆動電圧を低減し、低消費電力化が可能となるため好ましい。

図２は、本発明に係る有機発光素子の第２実施形態を示す概略断面図である。図２に示す有機発光素子２０は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）回路２を備えた基板１上に一対の電極１２、１６間に有機ＥＬ層（有機層）１７が狭持された有機発光素子１０（以下、「有機ＥＬ素子１０」と称することがある。）が形成されており、アクティブ駆動方式で駆動されるトップエミッションタイプの有機発光素子である。なお、図２において、図１に示す有機発光素子１０と同一の構成要素には、同一の符号を付し、説明を省略する。

図２に示す有機発光素子２０は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）回路２を備えた基板１と、基板１上に層間絶縁膜３及び平坦化膜４を介して設けられた有機ＥＬ素子１０と、有機ＥＬ素子１０を覆う無機封止膜５と、無機封止膜５上に設けられた封止基板９と、基板１と封止基板９との間に充填された封止材６とで概略構成されている。有機ＥＬ素子１０は、前記第１実施形態と同様に、正孔輸送層１３と、発光層１４と電子輸送層１５とが積層された有機ＥＬ層（有機層）１７が、第１電極１２と第２電極１６により狭持されており、第１電極１２の下面には反射電極１１が形成されている。反射電極１１及び第１電極１２は、層間絶縁膜３及び平坦化膜４を貫通して設けられた配線２ｂにより、ＴＦＴ回路２の１つに接続されている。第２電極１６は、層間絶縁膜３、平坦化膜４及びエッジカバー１９を貫通して設けられた配線２ａによりＴＦＴ回路２の１つに接続されている。

基板１上には、ＴＦＴ回路２及び各種配線（図示略）が形成され、さらに、基板１の上面およびＴＦＴ回路２を覆うように層間絶縁膜３と平坦化膜４が順次積層形成されている。
基板１としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスティック基板、アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）等からなる金属基板、前記基板上に酸化シリコン（ＳｉＯ_２）などの有機絶縁材料等からなる絶縁物を表面にコーティングした基板、又は、Ａｌ等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

ＴＦＴ回路２は、有機発光素子２０を形成する前に、予め基板１上に形成され、スイッチング用及び駆動用として機能する。ＴＦＴ回路２としては、従来公知のＴＦＴ回路２を用いることができる。また、本発明においては、スイッチング用及び駆動用としてＴＦＴの代わりに金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）ダイオードを用いることもできる。
ＴＦＴ回路２は、公知の材料、構造及び形成方法を用いて形成することができる。ＴＦＴ回路２の活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコン（ポリシリコン）、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム−酸化ガリウム−酸化亜鉛等の酸化物半導体材料又は、ポリチオフェン誘導体、チオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料が挙げられる。また、ＴＦＴ回路２の構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型が挙げられる。

本発明で用いられるＴＦＴ回路２のゲート絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。例えば、プラズマ誘起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法、減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法等により形成されたＳｉＯ_２又はポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ_２等が挙げられる。また、本発明で用いられるＴＦＴ回路２の信号電極線、走査電極線、共通電極線、第１駆動電極及び第２駆動電極は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。

層間絶縁膜３は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ、又は、Ｓｉ_２Ｎ_４）、酸化タンタル（ＴａＯ、又は、Ｔａ_２Ｏ_５）等の無機材料、又は、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。
層間絶縁膜３の形成方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じてフォトリソグラフィー法等によりパターニングすることもできる。

本実施形態の有機発光素子２０においては、有機ＥＬ素子１０からの発光を封止基板９側から取り出すため、外光が基板１上に形成されたＴＦＴ回路２に入射して、ＴＦＴ特性に変化が生じることを防ぐ目的で、遮光性を兼ね備えた層間絶縁膜３（遮光性絶縁膜）を用いることが好ましい。また、本発明においては、層間絶縁膜３と遮光性絶縁膜とを組み合わせて用いることもできる。遮光性絶縁膜としては、フタロシアニン、キナクロドン等の顔料又は染料をポリイミド等の高分子樹脂に分散したもの、カラーレジスト、ブラックマトリクス材料、Ｎｉ_ｘＺｎ_ｙＦｅ_２Ｏ_４等の無機絶縁材料等が挙げられる。

平坦化膜４は、ＴＦＴ回路２の表面の凸凹により有機ＥＬ素子１０の欠陥（例えば、画素電極の欠損、有機ＥＬ層の欠損、対向電極の断線、画素電極と対向電極の短絡、耐圧の低下等）等が発生することを防止するために設けられるものである。なお、平坦化膜４は省略することも可能である。
平坦化膜４は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜４の形成方法としては、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられるが、本発明はこれらの材料及び形成方法に限定されるものではない。また、平坦化膜４は、単層構造でも多層構造でもよい。

本実施形態の有機発光素子２０においては、光源である有機ＥＬ素子１０の有機発光層１４からの発光を、封止基板９側である第２電極１６側から取り出すため、第２電極１６として半透明電極を用いることが好ましい。半透明電極の材料としては、金属の半透明電極単体、もしくは、金属の半透明電極と透明電極材料の組み合わせを用いることが可能であるが、反射率・透過率の観点から、銀または銀合金が好ましい。

本実施形態の有機発光素子２０において、有機発光層１４からの発光を取り出す側とは反対側に位置する第１電極１２として、有機発光層１４からの発光の取り出し効率を上げるために、光を反射する反射率の高い電極（反射電極）を用いることが好ましい。この際に用いる電極材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−ネオジウム合金、アルミニウム−シリコン合金等の反射性金属電極、透明電極と前記反射性金属電極（反射電極）を組み合わせた電極等が挙げられる。なお、図２においては、平坦化膜４上に、反射電極１１を介して透明電極である第１電極１２を形成した例を示している。

また、本実施形態の有機発光素子２０において、基板１側（有機発光層１４からの発光を取り出す側とは反対側）に位置する第１電極１２が、各画素に対応して複数並列配置されており、隣接する第１電極１２の各エッジ部（端部）を覆うように絶縁材料からなるエッジカバー１９が形成されている。このエッジカバー１９は、第１電極１２と第２電極１６間でリークが起こることを防止する目的で設けられている。エッジカバー１９は、絶縁材料を用いてＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができ、公知のドライ及びウエット法のフォトリソグラフィー法によりパターン化をすることができるが、本発明はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、エッジカバー１９を構成する絶縁材料層としては、従来公知の材料を使用することができ、本発明では特に限定されないが、光を透過する必要があり、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＣ、ＳｉＣ、ＨｆＳｉＯＮ、ＺｒＯ、ＨｆＯ、ＬａＯ等が挙げられる。

エッジカバー１９の膜厚としては、１００〜２０００ｎｍが好ましい。エッジカバー１９の膜厚を１００ｎｍ以上とすることにより、十分な絶縁性を保ち、第１電極１２と第２電極１６との間でリークが起こり、消費電力の上昇や非発光が起こることを防ぐことができる。また、エッジカバー１９の膜厚を２０００ｎｍ以下とすることにより、成膜プロセスの生産性の低下や、エッジカバー１９における第２電極１６の断線が起こることを防ぐことができる。
また、反射電極１１及び第１電極１２は、層間絶縁膜３及び平坦化膜４を貫通して設けられた配線２ｂにより、ＴＦＴ回路２の１つに接続されている。第２電極１６は、層間絶縁膜３、平坦化膜４及びエッジカバー１９を貫通して設けられた配線２ａによりＴＦＴ回路２の１つに接続されている。配線２ａ、２ｂは、導電性の材料より構成されていればよく、特に限定されないが、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金等の材料より構成されている。配線２ａ、２ｂは、スパッタリングまたはＣＶＤ法、及びマスク工程等の従来公知の方法により形成される。

平坦化膜４上に形成された有機ＥＬ素子１０の上面及び側面を覆うように、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等からなる無機封止膜５が形成されている。無機封止膜５は、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、スパッタ法等により、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等の無機膜を成膜することにより形成することができる。なお、無機封止膜５は、波長変換層１８にて波長変換された光を取り出すため、光透過性である必要がある。
無機封止膜５上には、封止基板９が設けられており、基板１と封止基板９間に形成された有機発光素子１０は、封止材６に囲まれた封止領域に封入されている。
無機封止膜５および封止材６を設けることにより、外部から有機ＥＬ層１７内へ酸素や水分や混入することを防止することができ、有機発光素子２０の寿命を向上させることができる。

封止基板９としては、前記した基板１と同様のものを使用することができるが、本実施形態の有機発光素子２０においては、封止基板９側より発光を取り出す（観察者は封止基板９の外側より発光による表示を観察する）ため、封止基板９は光透過性の材料を使用する必要がある。また、封止基板９には、色純度を高めるために、カラーフィルターが形成されていてもよい。

封止材６は、従来公知の封止材料を用いることができ、封止材６の形成方法も従来公知の封止方法を用いることができる。
封止材６としては、例えば、樹脂（硬化性樹脂）を用いることができる。この場合は、有機ＥＬ素子１０及び無機封止膜５が形成された基材１の無機封止膜５の上面および／または側面、或いは、封止基板９上に、硬化性樹脂（光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂）をスピンコート法、ラミネート法を用いて塗布し、基板１と封止基板９とを樹脂層を介して貼り合わせて、光硬化または熱硬化することにより封止材６を形成することができる。なお、封止材６は光透過性を有する必要がある。
また、封止材６として窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスを用いてもよく、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスをガラス等の封止基板９で封止する方法が挙げられる。この場合、水分による有機ＥＬ部の劣化を効果的に低減するためには、封入する不活性ガス中に、酸化バリウム等の吸湿剤等を混入することが好ましい。

本実施形態の有機発光素子２０も、上記有機発光素子１０と同様に、本発明の遷移金属錯体を有機ＥＬ層（有機層）１７に含有してなる構成であるため、第１電極１２から注入された正孔と第２電極１６から注入された電子とを再結合させて、有機層１７（有機発光層１４）に発光材料として含まれる本発明の遷移金属錯体の燐光発光により、青色の光を良好な効率で放出（発光）することができる。また、本発明の遷移金属錯体をホスト材料として用い、従来の青色燐光ドーパントを組み合わせて有機層１７（有機発光層１４）に含有させることで、従来の青色燐光材料を用いて高効率の青色発光を得る事ができる。

＜色変換発光素子＞
本発明の色変換発光素子は、発光素子と、この発光素子の光を取り出す面側に配され、当該発光素子からの発光を吸収して、吸収光とは異なる色の発光を行う蛍光体層を備えて構成される。
図３は、本発明に係る色変換発光素子の一実施形態を示す概略断面図であり、図４は図３に示す有機発光素子の上面図である。図３に示す色変換発光素子３０は、前記した本発明の有機発光素子からの青色発光を吸収して、赤色に変換する赤色蛍光体層１８Ｒと、青色発光を吸収して緑色に変換する緑色蛍光体層１８Ｇを備えている。以下、これらの赤色蛍光体層１８Ｒ、緑色蛍光体層１８Ｇを総称して「蛍光体層」と称することがある。図３に示す色変換発光素子３０において、前記した本発明の有機発光素子１０、２０と同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。

図３に示す色変換発光素子３０は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）回路２を備えた基板１と、基板１上に層間絶縁膜３及び平坦化膜４を介して設けられた有機発光素子（光源）１０と、封止基板９と、封止基板９の一方の面上にブラックマトリックス７に仕切られて並列配置された赤色カラーフィルター８Ｒ、緑色カラーフィルター８Ｇ、青色カラーフィルター８Ｂと、封止基板９の一方の面上の赤色カラーフィルター８Ｒ上に位置を合わせて形成された赤色蛍光体層１８Ｒと、封止基板９上の一方の面上の緑色カラーフィルター８Ｇ上に位置を合わせて形成された緑色蛍光体層１８Ｇと、封止基板９上の青色カラーフィルター８Ｂ上に位置を合わせて形成された散乱層３１とで概略構成されており、基板１と封止基板９とは、有機発光素子１０と各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇ及び散乱層３１とが封止材を介して対向するように配置されている。各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇ及び散乱層３１は、ブラックマトリクス７により仕切られている。

有機ＥＬ発光部１０は、無機封止膜５に覆われている。有機ＥＬ発光部１０は、正孔輸送層１３と、発光層１４と電子輸送層１５とが積層された有機ＥＬ層（有機層）１７が、第１電極１２と第２電極１６により狭持されており、第１電極１２の下面には反射電極１１が形成されている。反射電極１１及び第１電極１２は、層間絶縁膜３及び平坦化膜４を貫通して設けられた配線２ｂにより、ＴＦＴ回路２の１つに接続されている。第２電極１６は、層間絶縁膜３、平坦化膜４及びエッジカバー１９を貫通して設けられた配線２ａによりＴＦＴ回路２の１つに接続されている。

本実施形態の色変換発光素子３０は、光源である有機発光素子１０から発光された光が、各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇ及び散乱層３１へと入射し、この入射光が散乱層３１ではそのまま透過し、各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇにおいては変換されて、赤色、緑色、青色の三色の光として封止基板９側（観察者側）へと射出されるようになっている。

本実施形態の色変換発光素子３０は、図３においては図面を見やすくするために、赤色蛍光体層１８Ｒ及び赤色カラーフィルター８Ｒ、緑色蛍光体層１８Ｇ及び緑色カラーフィルター８Ｇ、並びに散乱層３１及び青色カラーフィルター８Ｂが１つずつ並置された例を示している。しかしながら、図４に示す上面図の如く、破線で囲まれた各カラーフィルター８Ｒ、８Ｇ、８Ｂは、ｙ軸に沿ってストライプ状に延長され、ｘ軸に沿って各カラーフィルター８Ｒ、８Ｇ、８Ｂが順に配置された、２次元的なストライプ配列とされている。なお、図４に示す例では各ＲＧＢ画素（各カラーフィルター８Ｒ、８Ｇ、８Ｂ）がストライプ配列された例を示しているが、本発明はこれに限定されず、各ＲＧＢ画素の配列はモザイク配列、デルタ配列など、従来公知のＲＧＢ画素配列とすることもできる。

赤色蛍光体層１８Ｒは、光源である有機発光素子１０から発光された青色領域の光を吸収して、赤色領域の光に変換して封止基材９側に赤色領域の光を射出する。
緑色蛍光体層１８Ｇは、光源である有機発光素子１０から発光された青色領域の光を吸収して、緑色領域の光に変換して封止基材９側に緑色領域の光を放出する。
散乱層３１は、光源である有機発光素子１０から発光された青色領域の光の視野角特性、取り出し効率を高める目的で設けられるものであり、封止基材９側に青色領域の光を放出する。なお、散乱層３１は省略することが可能である。
このように赤色蛍光体層１８Ｒ、緑色蛍光体層１８Ｇ（および散乱層３１）を設ける構成とすることにより、有機発光素子１０から放出された光を変換して、赤色、緑色、青色の三色の光を封止基板９側から射出することにより、フルカラー化することができる。

光取り出し側（観察者側）の封止基板９と、蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇ、散乱層３１との間に配されたカラーフィルター８Ｒ、８Ｇ、８Ｂは、色変換発光素子３０から出射される赤色、緑色、青色の色純度を高め、色変換発光素子３０の色再現範囲を拡大する目的で設けられている。また、赤色蛍光体層１８Ｒ上に形成された赤色カラーフィルター８Ｒ、及び、緑色蛍光体層１８Ｇ上に形成された緑色カラーフィルター８Ｇは、外光の青色成分及び紫外成分を吸収するため、外光による各蛍光体層８Ｒ、８Ｇの発光を低減・防止することが可能となり、コントラストの低下を低減・防止することが出来る。
カラーフィルター８Ｒ、８Ｇ、８Ｂとしては、特に限定されず、従来公知のカラーフィルターを用いることが可能である。また、カラーフィルター８Ｒ、８Ｇ、８Ｂの形成方法も従来公知の方法を用いることができ、その膜厚も適宜調整可能である。

散乱層３１は、バインダー樹脂に透明粒子が分散されて構成されている。散乱層３１の膜厚は通常１０〜１００μｍとされ、２０〜５０μｍとすることが好ましい。
散乱層３１に使用されるバインダー樹脂としては、従来公知のものを使用することができ、特に限定されるものではないが、光透過性を有するものが好ましい。透明粒子としては、有機発光素子１０からの光を散乱、透過させることができるものであれば特に限定されず、例えば、平均粒径２５μｍ、粒度分布の標準偏差１μｍのポリスチレン粒子等を使用することができる。また、散乱層３１中の透明粒子の含有量は、適宜変更可能であり、特に限定されない。
散乱層３１は、従来公知の方法で形成することができ、特に限定されるものではないが、例えば、バインダー樹脂と透明粒子とを溶剤に溶解、分散させた塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセス等により形成することができる。

赤色蛍光体層１８Ｒは、有機発光素子１０から発光された青色領域の光を吸収して励起し、赤色領域の蛍光を発光することのできる蛍光体材料を含んでなる。
緑色蛍光体層１８Ｇは、有機発光素子１０から発光された青色領域の光を吸収して励起し、緑色領域の蛍光を発光することのできる蛍光体材料を含んでなる。
赤色蛍光体層１８Ｒ及び緑色蛍光体層１８Ｇは、以下に例示する蛍光体材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤等を含んで構成されてもよく、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）または無機材料中に分散して構成されてもよい。
赤色蛍光体層１８Ｒ及び緑色蛍光体層１８Ｇを形成する蛍光体材料としては、従来公知の蛍光体材料を用いることができる。このような蛍光体材料は、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料とに分類される。これらの蛍光体材料について、具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。

まず、有機系蛍光体材料について例示する。赤色蛍光体層１８Ｒに用いる蛍光体材料としては、紫外、青色の励起光を、赤色の発光に変換する蛍光色素である、シアニン系色素：４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン、ピリジン系色素：１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル］−ピリジニウム−パークロレート、及びローダミン系色素：ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、ベーシックバイオレット１１、スルホローダミン１０１等が挙げられる。また、緑色蛍光体層１８Ｇに用いる蛍光体材料としては、紫外、青色の励起光を、緑色発光に変換する蛍光色素である、クマリン系色素：２，３，５，６−１Ｈ、４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフロメチルキノリジン（９，９ａ、１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）、３−（２’−ベンゾチアゾリル）―７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）―７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、ナフタルイミド系色素：ベーシックイエロー５１、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６等が挙げられる。

次に、無機系蛍光体材料について例示する。赤色蛍光体層１８Ｒに用いる蛍光体材料としては、紫外、青色の励起光を、緑色の発光に変換する蛍光体である、（ＢａＭｇ）Ａｌ_１６Ｏ_２７：Ｅｕ^２＋，Ｍｎ^２＋、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ^２＋、（ＳｒＢａ）Ａｌ_１２Ｓｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋、（ＢａＭｇ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋、Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７−Ｓｒ_２Ｂ_２Ｏ_５：Ｅｕ^２＋、（ＢａＣａＭｇ）_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２Ｓｉ_３Ｏ_８−２ＳｒＣｌ_２：Ｅｕ^２＋、Ｚｒ_２ＳｉＯ_４、ＭｇＡｌ_１１Ｏ_１９：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋、Ｂａ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋、（ＢａＳｒ）ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋等が挙げられる。また、緑色蛍光体層１８Ｇに用いる蛍光体材料としては、紫外、青色の励起光を、赤色の発光に変換する蛍光体である、Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ^３＋、ＹＡｌＯ_３：Ｅｕ^３＋、Ｃａ_２Ｙ_２（ＳｉＯ_４）_６：Ｅｕ^３＋、ＬｉＹ_９（ＳｉＯ_４）_６Ｏ_２：Ｅｕ^３＋、ＹＶＯ_４：Ｅｕ^３＋、ＣａＳ：Ｅｕ^３＋、Ｇｄ_２Ｏ_３：Ｅｕ^３＋、Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ^３＋、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ_４：Ｅｕ^３＋、Ｍｇ_４ＧｅＯ_５．５Ｆ：Ｍｎ^４＋、Ｍｇ_４ＧｅＯ_６：Ｍｎ^４＋、Ｋ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５、Ｎａ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５、Ｋ_５Ｅｕ_２．５（ＭｏＯ_４）_６．２５、Ｎａ_５Ｅｕ_２．５（ＭｏＯ_４）_６．２５等が挙げられる。

なお、本発明の色変換発光素子３０において、散乱層３１に替えて、光源である有機発光素子１０から発光された光のうち、紫外領域の光を吸収して、青色領域の光に変換して封止基材９側に青色領域の光を放出する青色蛍光体層を設けてもよい。
この場合、青色蛍光体層に用いる有機系蛍光体材料としては、紫外の励起光を、青色発光に変換する蛍光色素として、スチルベンゼン系色素：１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、トランス−４，４‘−ジフェニルスチルベンゼン、クマリン系色素：７−ヒドロキシ−４−メチルクマリン等が挙げられる。また、無機系蛍光体材料としては、紫外の励起光を青色の発光に変換する蛍光体として、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｓｎ^４＋、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ^２５：Ｅｕ^２＋、ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋、ＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ^３＋、ＣａＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ^３＋、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍｇ、Ｍｎ）Ａｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ_２、Ｍｇ）_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ^２＋、ＢａＡｌ_２ＳｉＯ_８：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、ＢａＭｇ_２Ａｌ_１６Ｏ_２７：Ｅｕ^２＋、（Ｂａ，Ｃａ）_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、Ｂａ_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋等が挙げられる。

上記無機系蛍光体材料には、必要に応じて表面改質処理を施すことが好ましく、その方法としては、シランカップリング剤等の化学的処理によるものや、サブミクロンオーダーの微粒子等の添加による物理的処理によるもの、また、それらの併用によるもの等が挙げられる。励起光による劣化や発光による劣化等を考慮すると、その安定性のために無機系蛍光体材料を使用する方が好ましい。また、上記無機系蛍光体材料を用いる場合には、当該材料の平均粒径（ｄ５０）が、０．５〜５０μｍであることが好ましい。
また、赤色蛍光体層１８Ｒ及び緑色蛍光体層１８Ｇが、前記蛍光体材料が高分子材料（結着用樹脂）に分散して構成されている場合、高分子材料として、感光性の樹脂を用いることで、フォトリソグラフィー法により、パターン化が可能となる。ここで、上記感光性樹脂としては、アクリル酸系樹脂、メタクリル酸系樹脂、ポリ桂皮酸ビニル系樹脂、及び、硬ゴム系樹脂等の反応性ビニル基を有する感光性樹脂（光硬化型レジスト材料）のうち、一種類または複数種類の混合物を用いる事が可能である。

また、赤色蛍光体層１８Ｒ及び緑色蛍光体層１８Ｇは、上記の蛍光体材料（顔料）と樹脂材料を溶剤に溶解及び分散した蛍光体層形成用塗液を用いて、公知のウエットプロセス、ドライプロセス、又は、レーザー転写法等により形成することができる。ここで、公知のウエットプロセスとしては、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、及びマイクログラビアコート法等の印刷法等が挙げられる。また、公知のドライプロセスとしては、抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、及び有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等が挙げられる。

赤色蛍光体層１８Ｒ及び緑色蛍光体層１８Ｇの膜厚は、通常１００ｎｍ〜１００μｍ程度であり、１〜１００μｍであることが好ましい。仮に赤色蛍光体層１８Ｒ及び緑色蛍光体層１８Ｇの各々の膜厚が１００ｎｍ未満であると、有機発光素子１０から発光する青色光を十分吸収することが難しくなるため、光変換発光素子３０における発光効率の低下や、各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇで変換された変換光に青色の透過光が混じることによる色純度の悪化といった問題が生じることがある。また、有機発光素子１０から発光する青色光の吸収を高め、色純度の悪影響を及ぼさない程度に青色の透過光を低減する為には、各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇの膜厚は１μｍ以上であることが好ましい。仮に赤色蛍光体層１８Ｒ及び緑色蛍光体層１８Ｇの各々の膜厚が１００μｍを超えても、有機発光素子１０からの発光する青色光は既に十分吸収されているため、光変換発光素子３０における発光効率の上昇には繋がらない。このため、材料コストの上昇を抑えることができるので、赤色蛍光体層１８Ｒ及び緑色蛍光体層１８Ｇの膜厚は１００μｍ以下が好ましい。

有機発光素子１０の上面及び側面を覆うように、無機封止膜５が形成されている。さらに、無機封止膜５上には、一方の面上にブラックマトリックス７に仕切られて並列配置された赤色蛍光体層１８Ｒ、緑色蛍光体層１８Ｇ、散乱層３１、及び各カラーフィルター８Ｒ、８Ｇ、８Ｂが形成された封止基板９が、各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇ及び散乱層３１と有機発光素子とが対向するように配置されており、無機封止膜５と封止基板９との間には封止材６が封入されている。すなわち、有機発光素子１０に対向配置された各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇ、及び散乱層３１は、夫々、周囲をブラックマトリックス７に囲まれて区画されて、かつ、封止材６に囲まれた封止領域に封入されている。

封止材６として、樹脂（硬化性樹脂）を用いる場合は、有機発光素子１０及び無機封止膜５が形成された基材１の無機封止膜５上、または、各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇ、散乱層３１、及び各カラーフィルター８Ｒ、８Ｇ、８Ｂが形成された封止基板９の各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇ、及び散乱層３１の上に、硬化性樹脂（光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂）をスピンコート法、ラミネート法を用いて塗布し、基板１と封止基板９とを樹脂層を介して貼り合わせて、光硬化または熱硬化することにより封止材６を形成することができる。

また、各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇ及び散乱層３１の封止基板９とは反対側の面は、平坦化膜等（図示略）により平坦化されていることが好ましい。これにより、有機発光素子１０と各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇ、及び散乱層３１を封止材６を介して対向させて密着させる際に、有機発光素子１０と各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇ、及び散乱層３１との間に空乏が出来ることを防止でき、かつ、有機発光素子１０が形成された基板１と各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇ、散乱層３１及び各カラーフィルター８Ｒ、８Ｇ、８Ｂが形成された封止基板９との密着性を上げることができる。なお、平坦化膜としては前記した平坦化膜４と同様のものを挙げることができる。

ブラックマトリックス７としては、従来公知の材料及び形成方法を用いることができ、特に限定されるものではない。中でも、各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇに入射して散乱した光を、さらに各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇに反射するようなもの、例えば、光反射性を有する金属等により形成されていることが好ましい。

有機発光素子１０は、各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｂ及び散乱層３１に多く光が到達するように、トップエミッション構造であることが望ましい。その際、第１電極１２と第２電極１６を反射性電極とし、これらの電極１２、１６間の光学距離Ｌが、微小共振器構造（マイクロキャビティ構造）を構成するように調整されていることが好ましい。この場合、第１電極１２として反射電極を用い、第２電極１６として半透明電極を用いることが好ましい。
半透明電極の材料としては、金属の半透明電極を単体で用いたり、金属の半透明電極と透明電極材料の組み合わせを用いたりすることができる。特に、半透明電極材料としては、反射率及び透過率の観点から、銀又は銀合金を用いることが好ましい。
半透明電極である第２電極１６の膜厚は、５〜３０ｎｍが好ましい。仮に半透明電極の膜厚が５ｎｍ未満の場合には、光の反射が十分行えず、干渉の効果を十分得るとこができない可能性がある。また、半透明電極の膜厚が３０ｎｍを超える場合には、光の透過率が急激に低下することから、輝度及び効率が低下するおそれがある。

また、反射電極である第１電極１２としては、光を反射する反射率の高い電極を用いることが好ましい。反射電極としては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−ネオジウム合金、及びアルミニウム−シリコン合金等の反射性金属電極が挙げられる。なお、反射電極として、透明電極と上記の反射性金属電極を組み合わせた電極を用いてもよい。なお、図３においては、平坦化膜４上に、反射電極１１を介して透明電極である第１電極１２を形成した例を示している。

第１電極１２及び第２電極１６により微小共振器構造（マイクロキャビティ構造）が構成されると、第１電極１２と第２電極１６との干渉効果により、有機ＥＬ層１７の発光を正面方向（光取り出し方向；封止基板９側）に集光することができる。すなわち、有機ＥＬ層１７の発光に指向性を持たせることができるため、周囲に逃げる発光ロスを低減することができ、その発光効率を高めることができる。これにより、有機発光素子１０で生じる発光エネルギーをより効率良く各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｂへ伝搬することができ、色変換発光素子３０の正面輝度を高めることができる。

また、上記微小共振器構造によれば、有機ＥＬ層１７の発光スペクトルを調整することも可能となり、所望の発光ピーク波長及び半値幅に調整することができる。このため、有機ＥＬ層１７の発光スペクトルを、蛍光体層１８Ｒ、１８Ｂ中の蛍光体を効果的に励起することが可能なスペクトルに制御することができる。
なお、第２電極１６として半透明電極を用いることによって、各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｂ及び散乱層３１の光取り出し方向とは反対方向に放出される光を再利用することもできる。

各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇにおいて、変換光の発光位置から光取り出し面までの光学距離は、発光素子の色毎に異なるように設定される。本実施形態の光変換発光素子３０においては、上記「発光位置」が、各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇにおいて有機発光素子１０側に対向する面とされる。
ここで、各蛍光体層１８Ｒ及び１８Ｇにおける変換光の発光位置から光取り出し面までの光学距離は、各蛍光体層１８Ｒ及び１８Ｇの膜厚により調整される。各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｇの膜厚は、スクリーン印刷法の印刷条件（スキージ印圧、スキージアタック角度、スキージ速度、もしくはクリアランス巾）、スクリーン版の仕様（スクリーン紗の選定、乳剤の厚み、テンション、もしくは枠の強度）、または、蛍光体形成用塗液の仕様（粘度、流動性、もしくは樹脂、顔料、及び溶剤の配合比率）を変えることによって調節することができる。

本実施形態の色変換発光素子３０は、有機発光素子１０から発光する光を微小共振器構造（マイクロキャビティ構造）により増強し、各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｂにより変換された光の光取り出し効率を上記光学距離の調整（各蛍光体層１８Ｒ、１８Ｂの膜厚調整）により向上させることができる。これにより、光変換発光素子３０の発光効率をより向上させることができる。

本実施形態の色変換発光素子３０は、前記した本発明の遷移金属錯体を用いた有機発光素子１０からの光を蛍光体層１８Ｒ、１８Ｂで変換する構成であるので、良好な効率で発光することができる。

以上、本発明の色変換発光素子について説明したが、本発明の色変換発光素子は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態の色変換発光素子３０において、光取り出し側（封止基板９の上）に偏光板を設けることも好ましい。偏光板としては、従来公知の直線偏光板とλ／４板とを組み合わせたものを用いることが可能である。ここで、偏光板を設けることによって、第１電極１２及び第２電極１６からの外光反射、基板１もしくは封止基板９の表面での外光反射を防止することが可能であり、色変換発光素子３０のコントラストを向上させることができる。
また、上記実施形態では、本発明の遷移金属錯体を用いてなる有機発光素子１０を光源（発光素子）として用いたが、本発明はこれに限定されない。発光素子として、他の発光材料を用いた有機ＥＬ、無機ＥＬ、ＬＥＤ（発光ダイオード）等の光源を用い、この発光素子（光源）からの光を吸収して青色の光を放出する蛍光体層として、本発明の遷移金属錯体を含有してなる層を設けることも可能である。この際、光源である発光素子は、青色よりも短波長の光（紫外光）を発光することが望ましい。

なお、上記本実施形態の色変換発光素子３０では、赤色、緑色、及び青色の三色を発光する例を示したが、本発明の光変換発光素子はこれに限定されない。光変換発光素子が、１種の蛍光体層のみを有した単色発光素子でもよく、赤色、緑色、及び青色の発光素子以外に、白色、黄色、マジェンダ、及びシアン等の多原色素子を備えることもでき、この場合には、各色に対応した蛍光体層を用いてもよい。これにより低消費電力化を図ったり、及び色再現範囲を広げたりすることが可能である。また、多原色の蛍光体層は、マスク塗り分け等を用いるよりも、レジストによるフォト、印刷法、またはウエット形成法を用いることによって、容易に形成することができる。

＜光変換発光素子＞
本発明の光変換発光素子は、前記本発明の遷移金属錯体が含有されてなる発光層を含む少なくとも一層の有機層と、電流を増幅させる層とを、一対の電極間に狭持させてなる。
図５は、本発明に係る光変換発光素子の一実施形態を示す概略模式図である。図５に示す光変換発光素子４０は、光電流増倍効果による光電変換を利用し、得た電子をＥＬ発光の原理を用いて再び光に変換するである。
図５に示す光変換発光素子４０は、透明なガラス基板からなる素子基板４１の一方の面上に形成されたＩＴＯ電極等の下部電極４２と、この下部電極４２上に、有機ＥＬ層１７と、有機光電材料層４３と、Ａｕ電極４４が順次積層形成されてなり、下部電極４２には駆動電源の＋極が接続され、Ａｕ電極４４には駆動電源の−極が接続されている。

有機ＥＬ層１７は、本発明の有機発光素子において前記した有機ＥＬ層１７と同様な構成が利用できる。
有機光電材料層４３は、電流を増幅させる光電効果を示し、ＮＴＣＤＡ（ナフタレンテトラカルボン酸）層１層のみの構成としてもよいし、感度波長域が選択可能な複層で構成することもできる。例えば、Ｍｅ−ＰＴＣ（ペリレン顔料）層とＮＴＣＤＡ層の２層で構成することもできる。有機光電材料層４３の厚さは特に限定されず、例えば、１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度とされ、真空蒸着法などにより形成される。

本実施形態の光変換発光素子４０は、下部電極４２、Ａｕ電極４４間に所定の電圧を印加し、Ａｕ電極４４の外側から光を照射すると、この光の照射によって発生した正孔は、−極であるＡｕ電極４４の近傍にトラップされて蓄積される。その結果、有機光電材料層４３とＡｕ電極４４の界面に電界が集中し、Ａｕ電極４４から電子注入が起こって電流の倍増現象が発現する。このように増幅された電流が、有機ＥＬ層１７で発光されるため、良好な発光特性を示すことができる。
本実施形態の光変換発光素子４０は、前記した本発明の遷移金属錯体を含む有機ＥＬ層１７を備えるため、発光効率をより良好なものとすることができる。

＜有機レーザーダイオード発光素子＞
本発明の有機レーザーダイオード発光素子は、連続波励起光源と、この連続波励起光源が照射される共振器構造とを含み、該共振器構造は、レーザー活性層を含む少なくとも一層の有機層を一対の電極間に狭持させてなる。
図６は、本発明に係る有機レーザーダイオード発光素子の一実施形態を示す概略模式図である。図６に示す有機レーザーダイオード発光素子５０は、レーザー光を発光する連続波励起光源５０ａと、ＩＴＯ基板５１上に、正孔輸送層５２、レーザー活性層５３、正孔ブロック層５４、電子輸送層５５、電子注入層５６、電極５７が順次積層形成された共振器構造５０ｂよりなる。ＩＴＯ基板５１に形成されたＩＴＯ電極は駆動電源の＋極に接続され、電極５７は駆動電源の−極に接続されている。

正孔輸送層５２、正孔ブロック層、電子輸送層５５、及び電子注入層５６は、それぞれ、本発明の有機発光素子で前記した正孔輸送層１３、正孔防止層、電子輸送層１５及び電子注入層と同様の構成とされる。レーザー活性層５３は、本発明の有機発光素子で前記した有機発光層１４と同様の構成とすることができ、従来のホスト材料に本発明の遷移金属錯体が発光材料としてドープされてなるもの、もしくは、従来の発光性のドーパント材料がホスト材料である本発明の遷移金属錯体にドープされてなるものが好ましい。なお、図６においては、正孔輸送層５２、レーザー活性層５３、正孔ブロック層５４、電子輸送層５５、電子注入層５６が順次積層された有機ＥＬ層５８を例示しているが、本発明の有機レーザーダイオード発光素子５０はこの例に限定されず、本発明の有機発光素子で前記した有機発光層１４と同様の構成とすることができる。

本実施形態の有機レーザーダイオード発光素子５０は、陽極であるＩＴＯ基板５１側から連続波励起光源５０ａよりレーザー光を照射することにより、共振器構造５０ｂの側面側から、レーザー光の励起強度に応じてピーク輝度が増大するＡＳＥ発振発光（エッジ発光）することができる。

＜色素レーザー＞
図７は、本発明に係る色素レーザーの一実施形態を示す概略模式図である。図７に示す色素レーザー６０は、ポンプ光６７を発光する励起用光源６１と、このポンプ光６７を色素セル６２に集光するレンズ６６と、色素セル６２を挟んで対向配置された部分反射鏡６５と、回折格子６３と、回折格子６３と色素セル６２の間に配された回折格子６３からの光を集光するビームエキスパンダー６４とで概略構成されている。色素セル６２は、石英ガラス等で形成されており、色素セル６２内には、本発明の遷移金属錯体を含む溶液であるレーザー媒質が満たされている。
本実施形態の色素レーザー６０において、励起用光源６１よりポンプ光６７を発光すると、このポンプ光６７はレンズ６６により色素セル６２に集光され、色素セル６２のレーザー媒質中の本発明の遷移金属錯体を励起し、発光させる。発光材料からの発光は、色素セル６２の外部に放出され、部分反射鏡６２および回折格子６３間で反射、増幅される。増幅された光は、部分反射鏡６５を通過して外部へと射出される。このように、本発明の遷移金属錯体は、色素レーザーにも応用することができる。

上記した本発明の有機発光素子、色変換発光素子および光変換発光素子は、表示装置、照明装置などへの応用が可能である。
＜表示装置＞
本発明の表示装置は、画像信号を発生する画像信号出力部と、この画像信号出力部からの信号に基づき電流もしくは電圧を発生する駆動部と、この駆動部からの電流もしくは電圧により発光する発光部とを備えてなる。本発明の表示装置において、発光部は、前記した本発明の有機発光素子、色変換発光素子、光変換発光素子のいずれかより構成されている。以下の説明においては、発光部が本発明の有機発光素子である場合を例示して説明するが、本発明はこれに限定されず、本発明の表示装置において、発光部は色変換発光素子や光変換発光素子より構成されることもできる。

図８は、第２実施形態の有機発光素子２０と駆動部を備える表示装置の配線構造と駆動回路の接続構成の一例を示す構成図であり、図９は、本発明の有機発光素子を用いた表示装置に配置されている、１つの画素を構成する回路を示す画素回路図である。
図８に示すように、本実施形態の表示装置は、有機発光素子２０の基板１に対し平面視マトリクス状に走査線１０１と信号線１０２とが配線され、各走査線１０１は基板１の一側縁部に設けられる走査回路１０３に接続され、各信号線１０２は基板１の他側縁部に設けられる映像信号駆動回路１０４に接続されている。より具体的には走査線１０１と信号線１０２との交差部分のそれぞれに、図２に示す有機発光素子２０の薄膜トランジスタなどの駆動素子（ＴＦＴ回路２）が組み込まれ、各駆動素子毎に画素電極が接続され、これらの画素電極が図２に示す構造の有機発光素子２０の反射電極１１に対応し、これらの反射電極１１が第１電極１２に対応されている。

走査回路１０３と映像信号駆動回路１０４は制御線１０６、１０７、１０８を介してコントローラ１０５に電気的に接続され、コントローラ１０５は中央演算装置１０９により作動制御されている。また、走査回路１０３と映像信号駆動回路１０４には、別途電源配線１１０、１１１を介して電源回路１１２が接続されている。画像信号出力部はＣＰＵ１０９およびコントローラー１０５より構成されている。
有機発光素子２０の有機ＥＬ発光部１０を駆動させる駆動部は、走査回路１０３、映像信号駆動回路１０４、有機ＥＬ電源回路１１２より構成されており、走査線１０１および信号線１０２により区画された各領域内に、図２に示す有機発光素子２０のＴＦＴ回路２が組み込まれている。

図９に、走査線１０１および信号線１０２により区画された各領域内に配置された、有機発光素子２０の１つの画素を構成する画素回路図を示す。図９に示す画素回路においては、走査線１０１に走査信号が印加されると、この信号は薄膜トランジスタから成るスイッチングＴＦＴ１２４のゲート電極に印加されて、スイッチングＴＦＴ１２４をオンにする。次に、信号線１０２に画素信号が印加されると、この信号はスイッチングＴＦＴ１２４のソース電極に印加され、オンであるスイッチングＴＦＴ１２４を経てそのドレイン電極に接続された保持容量１２５を充電する。保持容量１２５は、駆動用ＴＦＴ１２６のソース電極とゲート電極の間に接続されている。従って、駆動用ＴＦＴ１２６のゲート電圧は、スイッチングＴＦＴ１２４が次に走査選択されるまで、保持容量１２５の電圧により決まる値に保持される。電源線１２３は電源回路（図８）に接続されており、これから供給される電流は駆動用ＴＦＴ１２６を経て有機発光素子（有機ＥＬ素子）１２７に流れて、この素子１２７を連続発光させる。

このような構成の画像信号出力部と駆動部とにより、所望の画素の第１電極１２、第２電極１６間に挟まれた有機ＥＬ層（有機層）１７に電圧を印加することにより、当該画素に該当する有機発光素子２０を発光させて、対応する画素から可視領域光を射出させることができ、所望の色や画像を表示することができる。

本実施形態の表示装置においては、前記有機発光素子２０を発光部として備える場合について例示したが、本発明はこれに限定されず、発光部として前記した本発明に係る有機発光素子、色変換発光素子、光変換発光素子のいずれも好適に備えることができる。
本発明の表示装置は、本発明の遷移金属錯体を用いてなる有機発光素子、色変換発光素子または光変換発光素子のいずれかを発光部として備えることにより、良好な発光効率の表示装置となる。

＜照明装置＞
図１０は、本発明に係る照明装置の第１実施形態を示す概略斜視図である。図１０に示す照明装置７０は、電流もしくは電圧を発生する駆動部７１と、この駆動部７１からの電流もしくは電圧により発光する発光部７２とを備えてなる。本発明の照明装置において、発光部７２は、前記した本発明の有機発光素子、色変換発光素子、光変換発光素子のいずれかより構成されている。以下の説明においては、発光部が本発明の有機発光素子１０である場合を例示して説明するが、本発明はこれに限定されず、本発明の照明装置において、発光部は色変換発光素子や光変換発光素子より構成されることもできる。

図１０に示す照明装置７０は、駆動部より第１電極１２、第２電極１６間に挟まれた有機ＥＬ層（有機層）１７に電圧を印加することにより、当該画素に該当する有機発光素子１０を発光させて、青色の光を射出させることができる。
なお、表示装置７０の発光部７２として本発明の有機発光素子を使用する場合、有機発光素子の有機発光層には、本発明の遷移金属錯体に加えて、従来公知の有機ＥＬ発光材料が含有されていてもよい。

本実施形態の照明装置においては、前記有機発光素子１０を発光部として備える場合について例示したが、本発明はこれに限定されず、発光部として前記した本発明に係る有機発光素子、色変換発光素子、光変換発光素子のいずれも好適に備えることができる。
本発明の照明装置は、本発明の遷移金属錯体を用いてなる有機発光素子、色変換発光素子または光変換発光素子のいずれかを発光部として備えることにより、良好な発光効率の照明装置となる。

また、本発明の有機発光素子、色変換発光素子および光変換発光素子は、例えば、図１１に示すシーリングライト（照明装置）にも適用できる。
図１１に示すシーリングライト２５０は、発光部２５１、吊下線２５２、及び電源コード２５３等を備えている。そして、発光部２５１として本発明の有機発光素子、色変換発光素子および光変換発光素子のいずれかが好適に適用できる。
本実施形態の照明装置は、本発明の遷移金属錯体を用いてなる有機発光素子、色変換発光素子または光変換発光素子のいずれかを発光部として備えることにより、良好な発光効率の照明装置となる。

同様に、本発明の有機発光素子、色変換発光素子および光変換発光素子は、例えば、図１２に示す照明スタンド（照明装置）にも適用できる。
図１２に示す照明スタンド２６０は、発光部２６１、スタンド２６２、メインスイッチ２６３、及び電源コード２６４等を備えている。そして、発光部２６１として本発明の有機発光素子、色変換発光素子および光変換発光素子のいずれかが好適に適用できる。
本実施形態の照明装置も、本発明の遷移金属錯体を用いてなる有機発光素子、色変換発光素子または光変換発光素子のいずれかを発光部として備えることにより、良好な発光効率の照明装置となる。

＜電子機器＞
上記した本発明に係る表示装置は、各種電子機器に組み込むことができる。
以下、本発明に係る表示装置を備えた電子機器について、図１３〜１６を用いて説明する。

上述の本発明に係る表示装置は、例えば、図１３に示す携帯電話に適用できる。図１３に示す携帯電話２１０は、音声入力部２１１、音声出力部２１２、アンテナ２１３、操作スイッチ２１４、表示部２１５、及び筐体２１６等を備えている。そして、表示部２１５として本発明の表示装置が好適に適用できる。
本発明に係る表示装置を携帯電話２１０の表示部２１５に適用することにより、良好な発光効率で映像を表示することができる。

また、上述の本発明に係る表示装置は、図１４に示す薄型テレビにも適用できる。図１４に示す薄型テレビ２２０は、表示部２２１、スピーカ２２２、キャビネット２２３、およびスタンド２２４等を備えている。そして、表示部２２１として本発明の表示装置が好適に適用できる。本発明に係る表示装置を薄型テレビ２２０の表示部２２１に適用することにより、良好な発光効率で映像を表示することができる。

さらに、上述の本発明に係る表示装置は、図１５に示す携帯型ゲーム機にも適用できる。図１５に示す携帯型ゲーム機２３０は、操作ボタン２３１、２３２、外部接続端子２３３、表示部２３４、及び筐体２３５等を備えている。そして、表示部２３４として本発明に係る表示装置が好適に適用できる。本発明に係る表示装置を携帯型ゲーム機２３０の表示部２３４に適用することにより、良好な発光効率で映像を表示することができる。

他にも、上述の本発明に係る表示装置は、図１６に示すノートパソコンにも適用できる。図１６に示すノートパソコン２４０は、表示部２４１、キーボード２４２、タッチパッド２４３、メインスイッチ２４４、カメラ２４５、記録媒体スロット２４６、および筐体２４７等を備えている。そして、このノートパソコン２４０の表示部２４１として本発明の表示装置が好適に適用できる。本発明に係る表示装置をノートパソコン２４０の表示部２４１に適用することにより、良好な発光効率で映像を表示することができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は上記形態例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

例えば上記実施形態で説明した表示装置には、光取り出し側に偏光板を設けることが好ましい。偏光板としては、従来の直線偏光板とλ／４板とを組み合わせたものを用いることができる。このような偏光板を設けることによって、表示装置の電極からの外光反射、もしくは基板や封止基板の表面での外光反射を防止することができ、表示装置のコントラストを向上させることができる。その他、蛍光体基板、表示装置、照明装置の各構成要素の形状、数、配置、材料、形成方法等に関する具体的な記載は、上記実施形態に限ることなく、適宜変更が可能である

以下、実施例に基づき本発明をさらに詳述するが、本発明は以下の実施例に制限されるものではない。
実施例に使用した化合物を以下に示す。

［遷移金属錯体の合成］
以下の合成例において、各段階の化合物、及び最終化合物（遷移金属錯体）は、ＭＳスペクトル（ＦＡＢ−ＭＳ）により同定した。
（合成例１；化合物１の合成）
以下のルートで化合物１を合成した。

化合物１−Ｂの合成：
１−メチル−イミダゾール（化合物１−Ａ）(０．１５６ｍｏｌ)をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）２０ｍｌに溶解させた溶液に、ジメチルジクロロシラン（Ｍｅ_２ＳｉＣｌ_２）を加え、室温で１時間攪拌した。その後、反応溶液の溶媒を減圧除去し、残留物をヘキサン３０ｍＬを用いて洗浄し、分液処理により固体を濾過し、乾燥させて化合物１−Ｂを得た。収率：８６％。

化合物１の合成：
ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）（３ｍＬ）中にイリジウム（III）アセチルアセトネート（Ｉｒ（ａｃａｃ）_３）（０．５ｍｍｏｌ）を入れ１００℃に加熱した。この溶液に化合物１−Ｂ（２．０ｍｍｏｌ）のＤＭＳＯ溶液（２０ｍＬ）を１２時間かけ滴下した。その後、１００℃で２時間攪拌した後、反応溶液の溶媒を減圧下７０℃で除去した。取出された固体をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）で２回洗浄し、減圧乾燥し化合物１を得た。収率：２５％、ＦＡＢ―ＭＳ（＋）：ｍ／ｚ １０７１．２［Ｍ−Ｃｌ］^＋、１０３６．３［Ｍ−２Ｃｌ］^＋、１００１．３［Ｍ−３Ｃｌ］^＋、５００．６［Ｍ−３Ｃｌ］^２＋。

（合成例２；化合物２の合成）
以下のルートで化合物２を合成した。

化合物２−Ｂの合成：
１−メチル−イミダゾール（化合物２−Ａ）(０．１５６ｍｏｌ)をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）２０ｍｌに溶解させた溶液に、ジメチルジクロロシラン（Ｍｅ_２ＳｉＣｌ_２）を加え、室温で１時間攪拌した。その後、反応溶液の溶媒を減圧除去し、生成物をヘキサン３０ｍＬを用いて洗浄し、分液処理により固体を濾過し、乾燥させて化合物１−Ｂを得た。収率：８６％。

化合物２の合成：
ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）（３ｍＬ）中にイリジウム（III）アセチルアセトネート（Ｉｒ（ａｃａｃ）_３）（０．５ｍｍｏｌ）を入れ１００℃に加熱した。この溶液に化合物１−Ｂ（２．０ｍｍｏｌ）のＤＭＳＯ溶液（２０ｍＬ）を１２時間かけ滴下した。その後、１００℃で２時間攪拌した後、溶媒を減圧下７０℃で除去した。取出された固体をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）で２回洗浄し、減圧乾燥し化合物２を得た。収率：３５％、ＦＡＢ―ＭＳ（＋）：ｍ／ｚ ７４９．２［Ｍ−Ｃｌ］^＋、７１４．２［Ｍ−２Ｃｌ］^＋、６７９．２［Ｍ−３Ｃｌ］^＋、３３９．６［Ｍ−３Ｃｌ］^２＋。

（合成例３；化合物３の合成）
以下のルートで化合物３を合成した。

化合物３−Ｃの合成：
４−アミノ−１，２，４−トリアゾール（化合物３−Ａ）（０．１ｍｏｌ）と、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノメチレン）ヒヂラジン二塩酸塩（化合物３−Ｂ）（０．１ｍｏｌ）と、ｐ−トルエンスルホン酸（０．８ｇ）とを、トルエン（５０ｍｌ）中で８０時間還流した。次に、反応溶液にジメチルアミン（０．０８６ｍｏｌ）を加えた後、反応溶液を濾過し、得られた固体をエタノールで洗浄して、最後に真空乾燥を行うことにより化合物３−Ｃを得た。
化合物３−Ｅの合成：
４，４’−ビ−１，２，４−トリアゾール（化合物３−Ｃ）（２．２ｍｏｌ）とトリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート（４．８５ｍｏｌ）をアセトニトリル（ＭｅＣＮ）１０ｍＬに加えた混合溶液を１２時間還流した後、反応物をろ過し、ジクロロメタン（ＣＨ_２Ｃｌ_２）で洗浄し、最後に真空乾燥を行い化合物３−Ｅを得た。収率：８５％

化合物３の合成：
化合物３の合成は、化合物１と同じ当量関係、反応温度で行った。収率：４５％、ＦＡＢ―ＭＳ（＋）：ｍ／ｚ ８５９．２［Ｍ−ＢＦ_４］^＋、 ７７２．２［Ｍ−２ＢＦ_４］^＋、６８５．２［Ｍ−３ＢＦ_４］^＋、３４２．６［Ｍ−３ＢＦ_４］^２＋。

［Ｔ１準位のエネルギー測定］
化合物１〜３について、蛍光分光光度計（ＱＥ−１１００、大塚電子株式会社製）を用い発光スペクトルを測定し、測定したスペクトルの短波長のピーク波長から、Ｔ１準位のエネルギーを測定した。測定結果を、表１に示す。また、発光材料として公知な従来材料トリス（１−フェニル−３−メチルベンゾイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ，Ｃ２’）イリジウム（III）（Ｉｒ（Ｐｍｂ）_３）、および、ホスト材料として４，４’−Ｎ，Ｎ’−ビス（カルバゾール）ビフェニル（ＣＢＰ）のＴ１準位のエネルギーも表１に併記した。

表１に示すように、本発明に係る遷移金属錯体である化合物１〜３は、従来の発光材料と比較して、同等以上の高いＴ１準位を有していた。また、化合物１〜３は、従来のホスト材料と比較して高いＴ１準位を有していることが確認された。

［有機発光素子の作製及び有機ＥＬ特性評価］
（実施例１）
ガラス基板上に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）電極を陽極として形成した。ポリイミド系樹脂の単層でＩＴＯ電極の周辺を取り囲むようにしてパターニングした後、ＩＴＯ電極を形成した基板を超音波洗浄し、２００℃の減圧下で３時間ベークした。
続いて、陽極上にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンサルフォネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）水溶液をスピンコート法によって、陽極上に膜厚４５ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、ホットプレートにて、２００℃、３０分乾燥を行う。

次いで、正孔注入層上に、ＣＦＬ（４，４’-ビス（Ｎ-カルバゾイル）−９，９’−スピロビフルオレン）（Ｔ１準位：３．４ｅＶ）と、化合物１（Ｔ１準位：３．２ｅＶ）とをジクロロエタンに溶解しスピンコート法により有機発光層を形成した。この際、ホスト材料であるＣＦＬ中に化合物１が７．５％程度含まれるようにドープした。続いて、有機発光層上に、膜厚５ｎｍのＵＧＨ２（１，４−ビストリフェニルシリルベンゼン）を正孔ブロック層として形成し、さらに、正孔ブロック層上に１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾル−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）を真空蒸着法によって蒸着して、正孔ブロック層上に膜厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
続いて、電子輸送層上にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法によって蒸着速度１Å／ｓｅｃで蒸着し、膜厚０．５ｎｍのＬｉＦ膜を形成した。その後、ＬｉＦ膜上にアルミニウム（Ａｌ）を用いて膜厚１００ｎｍのＡｌ膜を形成した。このようにして、ＬｉＦとＡｌとの積層膜を陰極として形成し、有機ＥＬ素子（有機発光素子）を作製した。
得られた有機ＥＬ素子の１０００ｃｄ／ｍ^２における電流効率（発光効率）及び発光波長を測定した。その結果を表２に併記する。良好な効率の紫外発光を示した。

（比較例１）
有機発光層にドープするドーパント（発光材料）を、従来材料（Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）_３）（Ｔ１準位：３．２ｅＶ）、ホスト材料をＣＢＰ（Ｔ１準位：２．６ｅＶ）に変更したこと以外は、実施例１と同様の手法で有機ＥＬ素子（有機発光素子）を作製し、得られた有機ＥＬ素子の１０００ｃｄ／ｍ^２における電流効率（発光効率）及び発光波長を測定した。結果を表２に併記した。
（比較例２）
有機発光層にドープするドーパント（発光材料）を、従来材料（Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）_３）（Ｔ１準位：３．２ｅＶ）に変更したこと以外は、実施例１と同様の手法で有機ＥＬ素子（有機発光素子）を作製し、得られた有機ＥＬ素子の１０００ｃｄ／ｍ^２における電流効率（発光効率）及び発光波長を測定した。結果を表２に併記した。

（実施例２）
有機発光層にドープするドーパント（発光材料）を、従来材料トリス（１−フェニル−３-フェニルベンゾイミダゾリン−２−イリデン）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）_３）に変更し、ホストとして、ＣＢＰの代わりに化合物２（Ｔ１準位：３．７ｅＶ）を用いたこと以外は、実施例１と同様の手法で有機ＥＬ素子（有機発光素子）を作製し、得られた有機ＥＬ素子の１０００ｃｄ／ｍ^２における電流効率（発光効率）及び発光波長を測定した。結果を表２に併記した。

（実施例３）
有機発光層にドープするドーパント（発光材料）を、従来材料（Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）_３）に変更し、ホストとして、ＣＢＰの代わりに化合物３（Ｔ１準位：４．２ｅＶ）を用いたこと以外は、実施例１と同様の手法で有機ＥＬ素子（有機発光素子）を作製し、得られた有機ＥＬ素子の１０００ｃｄ／ｍ^２における発光波長を測定した。結果を表２に併記した。
（実施例４）
正孔注入層と有機発光層の間に化合物３（Ｔ１準位：４．２ｅＶ）をジクロロエタンに溶解しスピンコート法により励起子ブロッキング層を形成したこと以外は、実施例２と同様の手法で有機ＥＬ素子（有機発光素子）を作製し、得られた有機ＥＬ素子の１０００ｃｄ／ｍ^２における発光波長を測定した。結果を表２に併記した。

表２の結果より、本発明の遷移金属錯体である化合物１をドーパント（発光材料）として用いた実施例１の有機ＥＬ素子では、従来化合物（Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）_３）を発光材料として用いた比較例２の有機ＥＬ素子に比べて、良好な深青色発光を示した。また、本発明の遷移金属錯体である化合物２、３をホスト材料として用いた実施例２、３の有機ＥＬ素子では、従来化合物ＣＢＰをホスト材料として用いた比較例１の有機ＥＬ素子に比べて、良好な青色発光を示した。さらに、実施例２の素子構成に加えて、化合物３を励起子ブロッキング材料として用い、正孔注入層と有機発光層の間に励起子ブロッキング層を形成した実施例４では、実施例２の素子よりもさらに発光効率が高くなっていた。

［色変換発光素子の作製］
（実施例５）
本実施例では、本発明の遷移金属錯体を含む紫外〜青色の有機発光素子（有機ＥＬ素子）を利用して、この有機発光素子からの光を赤色へ色変換する色変換発光素子と、この有機発光素子からの光を緑色への色変換する色変換発光素子をそれぞれ作製した。
〈有機ＥＬ基板の形成〉
０．７ｍｍの厚みのガラス基板上に、スパッタ法により銀を膜厚１００ｎｍとなるよう成膜して反射電極を形成し、その上にインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）を、膜厚２０ｎｍとなるようスパッタ法により成膜することによって、第１電極として反射電極（陽極）を形成した。その後、従来のフォトリソグラフィー法により、第１電極を電極幅が２ｍｍ幅の９０本のストライプにパターニングした。
次に、第１電極（反射電極）上に、スパッタ法によりＳｉＯ_２を２００ｎｍ積層し、従来のフォトリソグラフィー法により第１電極（反射電極）のエッジ部を覆うようにパターン化することによって、エッジカバーを形成した。エッジカバーは、反射電極の短辺を端から１０μｍ分だけＳｉＯ_２で覆う構造とした。これを水洗後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。

まず、続いて、第１電極上にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンサルフォネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）水溶液をスピンコート法によって、第１電極上に膜厚４５ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、ホットプレートにて、２００℃、３０分乾燥を行う。
次いで、正孔注入上に、ＣＦＬ（４，４’−ビス（Ｎ-カルバゾイル）−９，９’−スピロビフルオレン）（Ｔ１準位：３．４ｅＶ）と、化合物１（Ｔ１準位：３．２ｅＶ）とをジクロロエタンに溶解しスピンコート法により青色発光層を形成した。この際、ホスト材料であるＣＦＬ中に化合物１が７．５％程度含まれるようにドープした。
次に、この乾燥後の基板をインライン型抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０^−４Ｐａ以下の真空まで減圧して、有機ＥＬ層の各有機層の成膜を行った。正孔注入上に、ＣＦＬ（４，４’−ビス（Ｎ-カルバゾイル）−９，９’−スピロビフルオレン）（Ｔ１準位：３．４ｅＶ）と、化合物１（Ｔ１準位：３．２ｅＶ）とをジクロロエタンに溶解しスピンコート法により有機発光層を形成した。この際、ホスト材料であるＣＦＬ中に化合物１が７．５％程度含まれるようにドープした。
続いて、有機発光層上に、２，９−ジメチルー４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて、正孔防止層（厚さ：１０ｎｍ）を形成した。
次いで、正孔防止層上に、トリス(８−ヒドロキシキノリン)アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いて電子輸送層（厚さ：３０ｎｍ）を形成した。
次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて電子注入層（厚さ：０．５ｎｍ）を形成した。
以上の処理によって、有機ＥＬ層の各有機層を成膜した。

その後、電子注入層上に、第２電極として半透明電極を形成した。第２電極の形成は、まず、上記で電子注入層まで形成した基板を金属蒸着用チャンバーに固定し、半透明電極（第２電極）形成用のシャドーマスクと基板をアライメントした。なお、当該シャドーマスクは、反射電極（第１電極）のストライプと対抗する向きに２ｍｍ幅のストライプ状に半透明電極（第２電極）を形成できるように開口部が空いているマスクを使用した。次いで、有機ＥＬ層の電子注入層の表面に、真空蒸着法により、マグネシウムと銀とをそれぞれ０．１Å/sec、０．９Å/secの蒸着速度で共蒸着し、マグネシウム銀を所望のパターンで形成（厚さ：１ｎｍ）した。さらに、その上に、干渉効果を強調する目的、及び、第２電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で、銀を１Å／secの蒸着速度で所望のパターンで形成（厚さ：１９ｎｍ）した。以上の処理により、半透明電極（第２電極）を形成した。ここで、反射電極（第１電極）と半透過電極（第２電極）との間では、マイクロキャビティ効果（干渉効果）が発現し、正面輝度を高める事が可能となっていた。
以上の処理によって、有機ＥＬ部が形成された有機ＥＬ基板を作製した。

〈蛍光体基板の形成〉
次に、赤色蛍光体層を０．７ｍｍの赤色カラーフィルター付きガラス基板上に、緑色蛍光体層を０．７ｍｍの緑色カラーフィルター付きガラス基板上に、それぞれ別々に形成した。
赤色蛍光体層の形成は、次の手順で行った。まず、平均粒径５ｎｍのエアロゾル０．１６ｇにエタノール１５ｇ及びγ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン０．２２ｇを加えて、開放系室温下で１時間攪拌した。この混合物と、赤色蛍光体（顔料）Ｋ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５２０ｇとを乳鉢に移し、よくすり混ぜた後、７０℃のオーブンで２時間加熱し、さらに１２０℃のオーブンで２時間加熱することによって、表面改質したＫ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５を得た。次に、表面改質を施したＫ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５１０ｇに、水／ジメチルスルホキシド＝１／１の混合溶液（３００ｇ）で溶解されたポリビニルアルコール３０ｇを加え、分散機により攪拌することによって、赤色蛍光体層形成用塗液を作製した。作製された赤色蛍光体層形成用塗液を、スクリーン印刷法により３ｍｍ幅で、カラーフィルター付きガラス基板上における赤色画素位置に塗布した。その後、真空オーブン（２００℃、１０ｍｍＨｇの条件）で４時間加熱乾燥し、厚さ９０μｍの赤色蛍光体層を形成した。

また、緑色蛍光体層の形成は、次の手順で行った。まず、平均粒径５ｎｍのエアロゾル０．１６ｇにエタノール１５ｇ及びγ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン０．２２ｇを加えて、開放系室温下１時間攪拌した。この混合物と、緑色蛍光体（顔料）Ｂａ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋２０ｇとを乳鉢に移し、よくすり混ぜた後、７０℃のオーブンで２時間加熱し、さらに１２０℃のオーブンで２時間加熱することによって、表面改質したＢａ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋を得た。次に、表面改質を施したＢａ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋１０ｇに、水／ジメチルスルホキシド＝１／１の混合溶液（３００ｇ：溶剤）で溶解されたポリビニルアルコール（樹脂）３０ｇを加え、分散機により攪拌することによって、緑色蛍光体層形成用塗液を作製した。作製された緑色蛍光体層形成用塗液を、スクリーン印刷法により３ｍｍ幅で、カラーフィルター付きガラス基板上における緑色画素位置に塗布した。その後、真空オーブン（２００℃、１０ｍｍＨｇの条件）で４時間加熱乾燥し、厚さ６０μｍの緑色蛍光体層を形成した。
以上の処理により赤色蛍光体層が形成された蛍光体基板、及び緑色蛍光体層が形成された蛍光体基板をそれぞれ作製した。

〈色変換発光素子の組み立て〉
赤色の色変換発光素子及び緑色の色変換発光素子の各々について、以上のようにして作製した有機ＥＬ基板と蛍光体基板とを、画素配置位置の外側に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせを行った。なお、蛍光体基板には、位置合わせ前に熱硬化樹脂を塗布した。
位置合わせ後、熱硬化樹脂を介して両基板を密着し、９０℃、２時間加熱することによって硬化を行った。なお、両基板の貼り合わせ工程は、有機ＥＬ層が水分により劣化することを防止するために、ドライエアー環境下（水分量：−８０℃）で行った。
得られた各色変換発光素子について、周辺に形成した端子を外部電源に接続した。その結果、良好な緑色発光、および赤色発光が得られた。

［表示装置の作製］
（実施例６）
ガラス基板上にプラズマ化学蒸着（プラズマＣＶＤ）法によってシリコン半導体膜を形成し、結晶化処理を施した後、多結晶半導体膜（多結晶シリコン薄膜）を形成した。続いて多結晶シリコン薄膜をエッチング処理し、複数の島状パターンを形成した。次に多結晶シリコン薄膜の各島の上に窒化ケイ素（ＳｉＮ）をゲート絶縁膜として形成した。その後、チタン（Ｔｉ）−アルミニウム（Ａｌ）−チタン（Ｔｉ）の積層膜をゲート電極として順次形成し、エッチング処理によってパターニングを行った。当該ゲート電極の上に、Ｔｉ−Ａｌ−Ｔｉを用いてソース電極およびドレイン電極を形成し、複数の薄膜トランジスタ（薄膜ＴＦＴ）を作製した。
次に、形成した薄膜トランジスタ上にスルーホールを有する層間絶縁膜を形成して平坦化した。そして、当該スルーホールを介して酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）電極を陽極として形成した。ポリイミド系樹脂の単層でＩＴＯ電極の周辺を取り囲むようにしてパターニングした後、ＩＴＯ電極を形成した基板を超音波洗浄し、２００℃の減圧下で３時間ベークした。

続いて、陽極上にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンサルフォネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）水溶液をスピンコート法によって、陽極上に膜厚４５ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、ホットプレートにて、２００℃、３０分乾燥を行う。
次いで、正孔注入上に、ＣＦＬ（４，４’-ビス（Ｎ-カルバゾイル）−９，９’−スピロビフルオレン）（Ｔ１準位：３．４ｅＶ）と、化合物１（Ｔ１準位：３．２ｅＶ）とをジクロロエタンに溶解しスピンコート法により有機発光層を形成した。この際、ホスト材料であるＣＦＬ中に化合物１が７．５％程度含まれるようにドープした。続いて、有機発光層上に、膜厚５ｎｍのＵＧＨ２（１，４−ビストリフェニルシリルベンゼン）を正孔ブロック層として形成し、さらに、正孔ブロック層上に１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾル−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）を真空蒸着法によって蒸着して、正孔ブロック層上に膜厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。

続いて、電子輸送層上にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法によって蒸着速度１Å／ｓｅｃで蒸着し、膜厚０．５ｎｍのＬｉＦ膜を形成した。その後、ＬｉＦ膜上にアルミニウム（Ａｌ）を用いて膜厚１００ｎｍのＡｌ膜を形成した。このようにして、ＬｉＦとＡｌとの積層膜を陰極として形成し、有機ＥＬ素子（有機発光素子）を作製した。
上記有機発光素子（有機ＥＬ素子）をそれぞれ１００×１００のマトリクス状に配列した表示装置を作成し、動画を表示させた。表示装置は、画像信号を発生する画像信号出力部と、前記画像信号出力部からの画像信号を発生する走査電極駆動回路と信号駆動回路を有する駆動部と１００×１００のマトリクス状に配列された有機発光素子（有機ＥＬ素子）を有する発光部とを備えている構成とした。いずれの表示装置も色純度の高い良好な画像が得られた。また、繰り返し表示装置を作成しても、装置間のばらつきがなく、面内均一性の優れた表示装置が得られた。

［照明装置の作製］
（実施例７）
電流を発生する駆動部と前記駆動部から発生した電流に基づいて発光する発光部とを備えている照明装置を作製した。本実施例では、フィルム基板上に有機発光素子（有機ＥＬ素子）を形成したこと以外は、実施例１〜３と同様の手法で有機発光素子（有機ＥＬ素子）を作製し、この有機発光素子を発光部とした。この有機発光装置に電圧を印加し点灯したところ、輝度の損失につながる間接照明を用いることなく、局面状の均一な面発光照明装置が得られた。また作製した照明装置は、液晶表示パネルのバックライトとして用いることもできた。

［光変換発光素子の作製］
（実施例８）
図５に示す光変換発光素子を作製した。
光変換発光素子は、次の手順で作製した。まず、実施例１の電子輸送層形成までの工程を同様の方法で行い、その後、電子輸送層上に、光電材料層としてＮＴＣＤＡ（ナフタレンテトラカルボン酸）を５００ｎｍ形成した。次に、ＮＴＣＤＡ層上に厚さ２０ｎｍのＡｕ薄膜で形成されたＡｕ電極を形成した。ここで、Ａｕ電極の一部は、同一材料により一体形成された所定パターンの配線を介して素子基板の端部に引き出され、駆動電源の−極に接続されるようにした。同様に、ＩＴＯ電極の一部も、同一材料により一体形成された所定パターンの配線を介して素子基板の端部に引き出されて、駆動電源の＋極に接続されるようにした。また、これら一対の電極（ＩＴＯ電極、Ａｕ電極）間には所定の電圧が印加されるようにした。
以上の工程により作製した光変換発光素子について、ＩＴＯ電極側をプラスに電圧印加し、波長３３５ｎｍの単色光をＡｕ電極側に照射した時の室温における光電流と、その時の化合物１から発光された発光照度（波長４４２ｎｍ）をそれぞれの印加電圧に対して測定し、印加電圧に対して測定を行ったところ、２０Ｖ駆動時、光電子増倍効果を観測した。

［色素レーザーの作製］
（実施例９）
図７に示す色素レーザーを作製した。
ＸｅＣｌエキシマー中（励起波長：３０８ｎｍ）中に、レーザー色素として化合物１（脱気したアセトニトリル溶液中：濃度１×１０^−４Ｍ）を用いる構成として色素レーザーを作製したところ、発振波長が４３０〜４５０ｎｍで、強度が４４０ｎｍ付近で強くなる現象を観測した。

［有機レーザーダイオード発光素子の作製］
（実施例１０）
H. Yamamoto et al., Appl. Phys. Lett., 2004, 84, 1401を参照して、図６に示す構成の有機レーザーダイオード発光素子を作製した。
有機レーザーダイオード発光素子は、次の手順で作製した。まず、実施例１と同様にして陽極まで作製した。
続いて、陽極上に４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を真空蒸着法によって蒸着速度１Å／secで蒸着して、陽極上に膜厚２０ｎｍの正孔注入層を形成した。
その後、化合物１とＦＩｒＰｉｃ（ビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート イリジウム（III））を真空蒸着法によって共蒸着して有機発光層を形成した。この際、ホスト材料である化合物２中に発光材料ＦＩｒＰｉｃが５．０％程度含まれるようにドープした。次に、有機発光層上に膜厚５ｎｍの化合物１を励起子ブロック層として形成し、その上に１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾル−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）を真空蒸着法によって蒸着して、正孔ブロック層上に膜厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
続いて、電子輸送層上にＭｇＡｇ（９：１、膜厚２．５ｎｍ）を真空蒸着法によって蒸着し、ＩＴＯ膜をスパッタ法により２０ｎｍ形成することにより、有機レーザーダイオード発光素子を作製した。
作製した有機レーザーダイオード発光素子について、陽極側からレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧ ｌａｓｅｒ ＳＨＧ、５３２ｎｍ、１０Ｈｚ、０．５ｎｓ）を当てて、ＡＳＥ発振特性について調べた。レーザーによる励起強度を変えて当てたところ、１．０μＪ／ｃｍ^２で発振が始まり、励起強度に比例してピーク輝度が増大するＡＳＥ発振が観測された。

本発明の遷移金属錯体は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の発光材料、ホスト材料、電荷輸送材料、励起子ブロッキング材料として利用できる。また、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）、色変換発光素子、光変換発光素子、レーザー用色素、有機レーザーダイオード素子等に利用することができ、さらに、各発光素子を用いた表示装置および照明装置にも利用することができ、さらにまた、各表示装置を用いた電子機器にも利用することができる。

１…基板、２…ＴＦＴ回路、２ａ、２ｂ…配線、３…層間絶縁膜、４…平坦化膜、５…無機封止膜、６…封止材、７…ブラックマトリックス、８Ｒ…赤色カラーフィルター、８Ｇ…緑色カラーフィルター、８Ｂ…青色カラーフィルター、９…封止基板、８Ｂ…青色蛍光変換層、１０、２０…有機発光素子（有機ＥＬ素子、光源）、１１…反射電極、１２…第１電極（反射性電極）、１３…正孔輸送層、１４…有機発光層、１５…電子輸送層、１６…第２電極（反射性電極）、１７…有機ＥＬ層（有機層）、１８Ｒ…赤色蛍光体層、１８Ｇ…緑色蛍光体層、１９…エッジカバー、３０…色変換発光素子、３１…散乱層、４０…光変換発光素子、５０…有機レーザーダイオード素子、６０…色素レーザー、７０…照明装置、２１０…携帯電話（電子機器）、２２０…薄型テレビ（電子機器）、２３０…携帯型ゲーム機（電子機器）、２４０…ノートパソコン（電子機器）２５０…シーリングライト（照明装置）、２６０…照明スタンド（照明装置）。

Claims (26)

1. 下記一般式（１）で表されるジカルベン遷移金属錯体であることを特徴とする遷移金属錯体。
   

   

   （式中、Ｍは、元素周期律表の８族〜１２族の遷移金属元素を表し、Ｍである遷移金属元素の酸化状態はいずれでもよく；Ｋは、無電荷の一座または二座配位子を表し；Ｌは、一座または二座の、モノアニオン性またはジアニオン性配位子を表し；ｍは、０〜５の整数を表し；ｏは、０〜５の整数を表し；ｎは、１〜３の整数を表し；ｐは、錯体の荷電数であり、０〜４の整数を表し；Ｗ−は、モノアニオン性の対イオンを表し；ｍ、ｏ、ｎおよびｐは、Ｍである遷移金属元素の酸化状態と配位数、または、配位子の電荷と錯体の全体として電荷に依存し；Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４は、各々独立して、水素、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアルコシキ基を表し、これらの基は置換されていても非置換であってもよく；Ｙ１とＹ２、Ｙ２とＹ３およびＹ３とＹ４は、各々独立に、それらの一部が結合して一体となって、窒素原子間に少なくとも２個の原子を有する飽和又は不飽和の環構造を形成していてもよく、これらの環構造の一個以上の原子はアルキル基またはアリール基で置換されていてもよく（これらの置換基はさらに置換されていてもまたは無置換であってもよく）、またこれらの環構造はさらに、一個以上の環構造を形成していてもよく；Ｒ１およびＲ２は、各々独立して、水素、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基またはアルコキシ基を表し、これらの基は置換されていても無置換であってもよい。）
2. 下記一般式（２）〜下記一般式（５）のいずれかで表わされることを特徴とする請求項１に記載の遷移金属錯体。
   

   

   （式中、Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアルコシキ基を表し、これらの基は置換されていても非置換であってもよく、Ｒ１とＲ３、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６およびＲ６とＲ２は、各々独立して、それらの一部が結合して一体となって、飽和又は不飽和の環構造を形成していてもよく、これらの環構造の一個以上の原子はアルキル基またはアリール基で置換されていてもよく（これらの置換基はさらに置換されていても又は無置換であってもよく）、またこれらの環構造はさらに、一個以上の環構造を形成していてもよく；Ｍ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、Ｗ−、ＬおよびＫは、前記一般式（１）と各々同義である。）
3. 下記一般式（６）または下記一般式（７）で表わされることを特徴とする請求項１または２に記載の遷移金属錯体。
   

   

   （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｍ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、Ｗ−、ＬおよびＫは、前記一般式（１）と各々同義であり；Ｒ１１〜Ｒ２８は、各々独立して、水素、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアルコシキ基を表し、これらの基は置換されていても非置換であってもよく、Ｒ１およびＲ１１〜Ｒ１４、Ｒ２およびＲ１５〜Ｒ１８、Ｒ１９〜Ｒ２３、並びに、Ｒ２４〜Ｒ２８は、各々独立して、隣接するそれらの一部が結合して一体となって、飽和又は不飽和の環構造を形成していてもよく、これらの環構造の一個以上の原子はアルキル基またはアリール基で置換されていてもよく（これらの置換基はさらに置換されていても又は無置換であってもよく）、またこれらの環構造はさらに、一個以上の環を形成していてもよい。）
4. 前記一般式（２）〜前記一般式（５）のいずれかにおけるＲ１〜Ｒ６が、各々独立して、水素、メチル基またはフェニル基であることを特徴とする請求項２に記載の遷移金属錯体。
5. 前記一般式（６）おけるＲ１、Ｒ２、Ｒ１１〜Ｒ１８、または、前記一般式（７）におけるＲ１９〜Ｒ２８が、各々独立して、水素、メチル基またはフェニル基であることを特徴とする請求項３に記載の遷移金属錯体。
6. 前記Ｍが、イリジウム、オスミウムまたは白金であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の遷移金属錯体。
7. 前記Ｗ−が、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、ＰＦ_６ ⁻、ＢＦ_４ ⁻、ＯＡｃ⁻（ＡｃはＣＯＣＨ_３を表す）、ＳｂＦ_６ ⁻、ＡｓＦ_６ ⁻、ＮＣＯ⁻、ＣｌＯ_４ ⁻またはＣＮ⁻であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の遷移金属錯体。
8. 前記Ｌが、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、ＯＡｃ⁻（ＡｃはＣＯＣＨ_３を表す）またはＮＣＳ⁻であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の遷移金属錯体。
9. 前記Ｌが、下記式（１２）〜下記式（１６）のいずれかの構造の配位子であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の遷移金属錯体。
   

   
10. 前記Ｋが、ホスフィン、ホスホネート、およびそれらの誘導体、ヒ酸塩、及びそれらの誘導体、ホスフィット、ＣＯ、ピリジンまたはニトリルであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の遷移金属錯体。
11. 発光層を含む少なくとも一層の有機層を一対の電極間に狭持させてなり、前記有機層の少なくとも一部に請求項１〜１０のいずれか一項に記載の遷移金属錯体が含有されていることを特徴とする有機発光素子。
12. 前記遷移金属錯体を発光材料として用いることを特徴とする請求項１１に記載の有機発光素子。
13. 前記遷移金属錯体をホスト材料として用いることを特徴とする請求項１１に記載の有機発光素子。
14. 前記遷移金属錯体を励起子ブロッキング材料として用いることを特徴とする請求項１１に記載の有機発光素子。
15. 請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の有機発光素子と、この有機発光素子の光を取り出す面側に配され、該有機発光素子からの発光を吸収して、吸収光とは異なる色の発光を行う蛍光体層とを備えることを特徴とする色変換発光素子。
16. 発光素子と、この発光素子の光を取り出す面側に配され、該発光素子からの発光を吸収して、吸収光とは異なる色の発光を行う蛍光体層とを備えた色変換発光素子において、前記蛍光体層に請求項１〜１０のいずれか一項に記載の遷移金属錯体が含有されてなることを特徴とする色変換発光素子。
17. 発光層を含む少なくとも一層の有機層と、電流を増幅させる層とを一対の電極間に狭持させてなり、前記発光層に、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の遷移金属錯体が含有されてなることを特徴とする光変換発光素子。
18. 連続波励起光源と該連続波励起光源が照射される共振器構造とを含み、前記共振器構造は、レーザー活性層を含む少なくとも一層の有機層を一対の電極間に狭持させてなり、前記レーザー活性層は、ホスト材料に請求項１〜１０のいずれか一項に記載の遷移金属錯体がドープされてなることを特徴とする有機レーザーダイオード発光素子。
19. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の遷移金属錯体を含んでなるレーザー媒質と、このレーザー媒質の前記遷移金属錯体からの燐光を誘導放出させてレーザー発振させる励起用光源を備えることを特徴とする色素レーザー。
20. 画像信号を発生する画像信号出力部と、この画像信号出力部からの信号に基づき電流もしくは電圧を発生する駆動部と、この駆動部からの電流もしくは電圧により発光する発光部とを備え、前記発光部が請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の有機発光素子であることを特徴とする表示装置。
21. 画像信号を発生する画像信号出力部と、この画像信号出力部からの信号に基づき電流もしくは電圧を発生する駆動部と、この駆動部からの電流もしくは電圧により発光する発光部とを備え、前記発光部が請求項１５または１６に記載の色変換発光素子であることを特徴とする表示装置。
22. 前記発光部の陽極と陰極がマトリックス状に配置されていることを特徴とする請求項２０または２１に記載の表示装置。
23. 前記発光部が、薄膜トランジスタによって駆動されることを特徴とする請求項２２に記載の表示装置。
24. 電流もしくは電圧を発生する駆動部と、この駆動部からの電流もしくは電圧により発光する発光部とを備え、前記発光部が請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の有機発光素子であることを特徴とする照明装置。
25. 電流もしくは電圧を発生する駆動部と、この駆動部からの電流もしくは電圧により発光する発光部とを備え、前記発光部が請求項１５または１６に記載の色変換発光素子であることを特徴とする照明装置。
26. 請求項２０〜２３のいずれか一項に記載に表示装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。

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