JP6729589B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
[1] 陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極に挟持された少なくとも一つの有機層、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機層の少なくとも一つが、下記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系ホウ素化合物を含有することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
X1〜X9は、それぞれ独立に、−CWまたは窒素原子を表し、
Wは、水素原子または置換基を表し、
Y1〜Y3は、それぞれ独立に、酸素原子もしくは硫黄原子を表す。)
[2] 前記一般式(1)において、X1〜X9が−CWであり、かつY1〜Y3が酸素原子であることを特徴とする、[1]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[3] 前記Wは、電子供与性基であることを特徴とする、[1]又は[2]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[4] 前記Wで表される電子供与性基が、下記一般式(2)で表されることを特徴とする、[3]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Zは、CR1R2、SiR3R4、酸素原子、硫黄原子またはNR5を表し、
R1〜R5及びRは、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。)
[5] 前記Wで表される電子供与性基が、下記一般式(3)で表されることを特徴とする、[3]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Rはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。)
[6] 前記Wで表される電子供与性基が、下記一般式(4)で表されることを特徴とする、[3]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Rはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、
Lは置換基を表す。)
[7] 前記Wで表される電子供与性基が、下記一般式(5)で表されることを特徴とする、[3]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Rはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、
Lは置換基を表す。)
[8] 前記Wで表される電子供与性基が、下記一般式(6)で表されることを特徴とする、[3]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Rはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。)
[9] 前記Wで表される電子供与性基が、下記一般式(7)で表されることを特徴とする、[3]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Rはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。)
[10] 前記一般式(1)において、前記X7〜X9は−CWであり、かつ前記Wは電子供与性基であることを特徴とする、[1]〜[9]のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[11] 前記Wが、下記一般式(7)で表される電子供与性基であることを特徴とする、[10]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Rはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。)
[12] 前記一般式(1)で表されるπ共役系ホウ素化合物の最低励起一重項エネルギー準位と最低励起三重項エネルギー準位との差の絶対値ΔEstが0.50eV以下であることを特徴とする、[1]〜[11]のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[13] 前記有機層は、発光層を含み、
前記発光層は、前記一般式(1)で表されるπ共役系ホウ素化合物を含有することを特徴とする、[1]〜[12]のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[14] 前記発光層は、前記一般式(1)で表されるπ共役系ホウ素化合物と、蛍光発光性材料及びリン光発光性材料の少なくとも一方とを含むことを特徴とする、[13]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[15] 前記一般式(1)で表されるπ共役系ホウ素化合物を、電子輸送材料と併用することを特徴とする、[1]〜[14]のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[16] 前記一般式(1)で表されるπ共役系ホウ素化合物を、正孔輸送材料と併用することを特徴とする、[1]〜[14]のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[17] 前記一般式(1)で表されるπ共役系ホウ素化合物を含有する有機層が、陰極に隣接することを特徴とする、[1]〜[14]のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[18] [1]〜[17]のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする、表示装置。
[19] [1]〜[17]のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする、照明装置。
X1〜X9は、それぞれ独立に、−CWまたは窒素原子を表し、
Rは、水素原子または置換基を表し、
Y1〜Y3は、それぞれ独立に、酸素原子もしくは硫黄原子を表す。)
更に本発明で使用するπ共役系ホウ素化合物は、上記一般式(1)のX1〜X9の少なくとも1つに、電子供与性の置換基が結合してもよい。
有機ELの発光方式としては三重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「リン光発光」と、一重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「蛍光発光」の二通りがある。
前述のとおり、リン光発光は発光効率的には蛍光発光よりも理論的には3倍有利であるが、三重項励起状態から一重項基底状態へのエネルギー失活(=リン光発光)は禁制遷移である。また同様に一重項励起状態から三重項励起状態への項間交差も禁制遷移であるため、通常その速度定数は小さい。すなわち、遷移が起こりにくいため、励起子寿命はミリ秒から秒オーダーと長くなり、所望の発光を得ることが困難である。
一般的な蛍光発光性化合物は、リン光発光性化合物のような重金属錯体である必要性は特になく、炭素、酸素、窒素及び水素などの一般的な元素の組み合わせから構成される、いわゆる有機化合物が適用できる。さらに、リンや硫黄、ケイ素などその他の非金属元素を用いることも可能で、また、アルミニウムや亜鉛などの典型金属の錯体も活用できるなど、その多様性はほぼ無限と言える。ただし、従来の蛍光化合物では前記のように励起子の25%しか発光に適用できないために、リン光発光のような高効率発光は望めない。
[励起三重項−三重項消滅(TTA)遅延蛍光化合物]
蛍光発光性化合物の問題点を解決すべく登場したのが遅延蛍光を利用した発光方式である。三重項励起子同士の衝突を起源とするTTA方式は、下記のような一般式で記述できる。すなわち、従来、励起子のエネルギーが、無輻射失活により、熱にしか変換されなかった三重項励起子の一部が、発光に寄与しうる一重項励起子に逆項間交差できるメリットがあり、実際の有機EL素子においても従来の蛍光発光素子の約2倍の外部取り出し量子効率を得ることができている。
一般式:T*+T*→S*+S
(式中、T*は三重項励起子、S*は一重項励起子、Sは基底状態分子を表す。)
しかしながら、上式からもわかるように、二つの三重項励起子から発光に利用できる一重項励起子は一つしか生成しないため、この方式で100%の内部量子効率を得ることは原理上できない。
もう一つの高効率蛍光発光であるTADF方式は、TTAの問題点を解決できる方式である。蛍光発光性化合物は前記のごとく無限に分子設計できる利点を持っている。すなわち、分子設計された化合物の中で、特異的に三重項励起状態と一重項励起状態のエネルギー準位差が極めて近接する化合物が存在する。
上記ΔEstを小さくするための分子設計について説明する。
ΔEstを小さくするためには、原理上分子内の最高被占軌道(Highest Occupied Molecular Orbital:HOMO)と最低空軌道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital:LUMO)の空間的な重なりを小さくすることが最も効果的である。
TADF化合物は、その発光機構及び分子構造の面から種々の問題を抱えている。以下に、一般的にTADF化合物が抱える問題の一部について記載する。
TADF化合物においては、ΔEstを小さくするためにHOMOとLUMOの存在する部位をできるだけ離すことが必要であるが、このため、分子の電子状態はHOMO部位とLUMO部位が分離したドナー/アクセプター型の分子内CT(分子内電荷移動状態)に近い状態となってしまう。
当然、蛍光0−0バンドが短波長化すると、S1よりもエネルギーの低いT1に由来するリン光0−0バンドも短波長化(T1準位の上昇)してしまう。そのため、ホスト化合物に用いる化合物はドーパントからの逆エネルギー移動を起こさないようにするために、高いS1準位かつ高いT1準位を有する必要が生じてくる。
これは非常に大きな問題である。基本的に有機化合物からなるホスト化合物は、有機EL素子中で、カチオンラジカル状態、アニオンラジカル状態及び励起状態という、複数の活性かつ不安定な化学種の状態を取るが、それら化学種は分子内のπ共役系を拡大することで比較的安定に存在させることができる。
本発明に係るπ共役系ホウ素化合物は、ΔEstを小さくするという観点から、分子内においてHOMOとLUMOが実質的に分離していることが好ましい。これらHOMO及びLUMOの分布状態については、分子軌道計算により得られる構造最適化した際の電子密度分布から求めることができる。
本発明においては、分子軌道計算用ソフトウェアとして、米国Gaussian社製のGaussian09(Revision C.01,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,2010.)を用いた。
また、HOMOとLUMOの分離状態については、前述の汎関数としてB3LYP、基底関数として6−31G(d)を用いた構造最適化計算から、さらに時間依存密度汎関数法(Time−Dependent DFT)による励起状態計算を実施してS1、T1のエネルギー準位(それぞれE(S1)、E(T1))を求めてΔEst=|E(S1)−E(T1)|として算出することも可能である。算出されたΔEstが小さいほど、HOMOとLUMOがより分離していることを示す。本発明においては、前述と同様の計算手法を用いて算出されたΔEstが0.50eV以下であり、好ましくは0.30eV以下であり、より好ましくは0.10eV以下である。
本発明に係るπ共役系ホウ素化合物の最低励起一重項エネルギー準位S1については、本発明においても通常の手法と同様にして算出されるもので定義される。すなわち、測定対象となる化合物を石英基板上に蒸着して試料を作製し、常温(300K)でこの試料の吸収スペクトル(縦軸:吸光度、横軸:波長とする)を測定する。この吸収スペクトルの長波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値に基づいて、所定の換算式から算出される。
ここで、使用する溶媒は、π共役系ホウ素化合物の凝集状態に影響を与えない、すなわち溶媒効果の影響が小さい溶媒、例えばシクロヘキサンやトルエン等の非極性溶媒等を用いることができる。
本発明に係るπ共役系ホウ素化合物の最低励起三重項エネルギー準位(T1)については、溶液若しくは薄膜のフォトルミネッセンス(PL)特性により算出する。例えば、薄膜における算出方法としては、希薄状態のπ共役系ホウ素化合物の分散物を薄膜にした後に、ストリークカメラを用い、過渡PL特性を測定することで、蛍光成分とリン光成分の分離を行い、そのエネルギー差の絶対値をΔEstとして最低励起一重項エネルギー準位から最低励起三重項エネルギー準位を求めることができる。
本発明に係るπ共役系ホウ素化合物のLUMOのエネルギー準位は、−1.8eV以上であり、好ましくは−1.7〜−0.6eV、さらに好ましくは−1.5〜−1.1eVである。LUMOのエネルギー準位が−1.8eV以上であることは、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物に強力な電子吸引性基を有さない、つまりHOMOのエネルギー準位が過度に低くならないことを示す。従来の強い電子吸引性基を有するπ共役系化合物では、LUMO準位が低下することに伴って、HOMO準位も低くなってしまう。そのため、当該π共役系化合物を例えば発光材料とすると、当該発光材料のHOMO準位やLUMO準位が低いため、ホスト材料の選択が難しく、EL駆動中のキャリアバランスが崩れるという問題があった。これに対し、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物では、LUMO準位が比較的高いため、HOMO準位が過度に低くならず、当該π共役系ホウ素化合物上で励起子が生成しやすい、との効果が得られる。本発明に係るπ共役系ホウ素化合物のHOMOのエネルギー準位は−5.5eV以上であり、好ましくは−5.3〜−4.0eV、さらに好ましくは−5.0〜−4.5eVである。HOMO及びLUMOのエネルギー準位は、汎関数にB3LYP、基底関数に6−31G(d)を用いた構造最適化計算により算出する。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に使用するπ共役系ホウ素化合物は、下記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系ホウ素化合物である。
これらのアルキル基が有しうる置換基は、ハロゲン原子、後述の芳香族環、後述の芳香族複素環、後述のアミノ基などでありうる。
Zは、CR1R2、SiR3R4、酸素原子、硫黄原子またはNR5を表し、
R1〜R5は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、
Rは、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、
Lは置換基を表す。
《有機EL素子の構成層》
本発明の有機EL素子は、陽極と陰極の間に少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該発光層の少なくとも1層が、前述のπ共役系ホウ素化合物を含有することを特徴とする。本発明の有機EL素子は、照明装置及び表示装置に好適に具備され得る。
本発明の有機EL素子における代表的な素子構成としては、以下の構成を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
(1)陽極/発光層//陰極
(2)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(3)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
(4)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(5)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(6)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(7)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/(電子阻止層/)発光層/(正孔阻止層/)電子輸送層/電子注入層/陰極
上記の中で(7)の構成が好ましく用いられるが、これに限定されるものではない。
本発明に用いられる発光層は、単層又は複数層で構成されており、発光層が複数の場合は各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。
本発明に用いられる電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層であり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。
本発明に用いられる正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。
上記の代表的な素子構成において、陽極と陰極を除いた層を「有機層」ともいう。
また、本発明の有機EL素子は、少なくとも1層の発光層を含む発光ユニットを複数積層した、いわゆるタンデム構造の素子であってもよい。
タンデム構造の代表的な素子構成としては、例えば以下の構成を挙げることができる。
陽極/第1発光ユニット/中間層/第2発光ユニット/中間層/第3発光ユニット/陰極
ここで、上記第1発光ユニット、第2発光ユニット及び第3発光ユニットは全て同じであっても、異なっていてもよい。また二つの発光ユニットが同じであり、残る一つが異なっていてもよい。
複数の発光ユニットは直接積層されていても、中間層を介して積層されていてもよく、中間層は、一般的に中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、陽極側の隣接層に電子を、陰極側の隣接層に正孔を供給する機能を持った層であれば、公知の材料構成を用いることができる。
発光ユニット内の好ましい構成としては、例えば、上記の代表的な素子構成で挙げた(1)〜(7)の構成から、陽極と陰極を除いたもの等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
本発明に用いられる発光層は、電極又は隣接層から注入されてくる電子及び正孔が再結合し、励起子を経由して発光する場を提供する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても、発光層と隣接層との界面であってもよい。本発明に用いられる発光層は、本発明で規定する要件を満たしていれば、その構成に特に制限はない。
発光層の層厚の総和は、特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm〜5μmの範囲に調整することが好ましく、より好ましくは2〜500nmの範囲に調整され、更に好ましくは5〜200nmの範囲に調整される。
また、本発明に用いられる個々の発光層の層厚としては、2nm〜1μmの範囲に調整することが好ましく、より好ましくは2〜200nmの範囲に調整され、更に好ましくは3〜150nmの範囲に調整される。
本発明に用いられる発光層に一層でもよいし、複数の層から構成されてもよい。本発明のπ共役系ホウ素化合物を発光層に用いる場合、単独で用いてもよいし、後述のホスト材料、蛍光発光性材料、りん光発光性材料などと混合して用いてもよい。発光層の少なくとも一層が、発光ドーパント(発光性化合物、発光性ドーパント、単にドーパントともいう。)を含有し、さらにホスト化合物(マトリックス材料、発光ホスト化合物、単にホストともいう。)を含有することが好ましい。本発明のπ共役系ホウ素化合物は、発光層の少なくとも一層が、本発明のπ共役系ホウ素化合物と、ホスト化合物とを含有すると、発光効率が向上するため好ましい。発光層の少なくとも一層が、本発明のπ共役系ホウ素化合物と、蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物のうち少なくとも1種類とを含有すると、発光効率が向上するため好ましい。発光層の少なくとも一層が、本発明のπ共役系ホウ素化合物と、蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物のうち少なくとも1種類と、ホスト化合物とを含有すると、発光効率が向上するため好ましい。
発光ドーパントとしては、蛍光発光性ドーパント(蛍光発光性化合物、蛍光ドーパントともいう。)と、リン光発光性ドーパント(リン光発光性化合物、リン光ドーパントともいう。)が好ましく用いられる。本発明においては、発光層が、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物を蛍光発光性化合物又はアシストドーパントとして、0.1〜50質量%の範囲内で含有し、特に、1〜30質量%の範囲内で含有することが好ましい。
発光層中の発光性化合物の濃度については、使用される特定の発光性化合物及びデバイスの必要条件に基づいて、任意に決定することができ、発光層の層厚方向に対し、均一な濃度で含有されていてもよく、また任意の濃度分布を有していてもよい。
また、本発明で用いられる発光性化合物は、複数種を併用してもよく、構造の異なる蛍光発光性化合物同士の組み合わせや、蛍光発光性化合物とリン光発光性化合物とを組み合わせて用いてもよい。これにより、任意の発光色を得ることができる。
効果が発現する機構としては、いずれの場合も同様であり、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物上に生成した三重項励起子を逆項間交差(RISC)で一重項励起子へと変換する点にある。
これにより、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物上に生成した理論上すべての励起子エネルギーを発光性化合物に蛍光共鳴エネルギー移動(FRET)することができ、高発光効率の発現を可能にする。
したがって、発光層が、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物、発光性化合物及びホスト化合物の3成分を含有する場合は、π共役系ホウ素化合物のS1とT1のエネルギー準位は、ホスト化合物のS1とT1のエネルギー準位よりも低く、発光性化合物のS1とT1のエネルギー準位よりも高い方が好ましい。
同様に、発光層が、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物と発光性化合物の2成分を含有する場合は、π共役系ホウ素化合物のS1とT1のエネルギー準位は、発光性化合物のS1とT1のエネルギー準位よりも高い方が好ましい。
さらに、図1及び図2では、発光材料として蛍光発光性化合物を用いて示しているが、これに限定されず、リン光発光性化合物を用いてもよいし、蛍光発光性化合物とリン光発光性化合物の両者を用いてもよい。
本発明においては、1層又は複数層の発光層が、発光色の異なる複数の発光ドーパントを含有し、白色発光を示すことも好ましい。
白色を示す発光ドーパントの組み合わせについては特に限定はないが、例えば青と橙や、青と緑と赤の組合わせ等が挙げられる。
本発明の有機EL素子における白色とは、2度視野角正面輝度を前述の方法により測定した際に、1000cd/m2でのCIE1931表色系における色度がx=0.39±0.09、y=0.38±0.08の領域内にあることが好ましい。
蛍光発光性ドーパント(蛍光ドーパント)は、本発明のπ共役系ホウ素化合物を用いてもよいし、有機EL素子の発光層に使用される公知の蛍光ドーパントや遅延蛍光ドーパントの中から適宜選択して用いてもよい。
本発明に用いられるリン光発光性ドーパントについて説明する。
本発明に用いられるリン光発光性ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。
上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられるリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。
Nature 395,151(1998)、Appl.Phys.Lett.78,1622(2001)、Adv.Mater.19,739(2007)、Chem.Mater.17,3532(2005)、Adv.Mater.17,1059(2005)、国際公開第2009/100991号、国際公開第2008/101842号、国際公開第2003/040257号、米国特許出願公開第2006/835469号明細書、米国特許出願公開第2006/0202194号明細書、米国特許出願公開第2007/0087321号明細書、米国特許出願公開第2005/0244673号明細書、Inorg.Chem.40,1704(2001)、Chem.Mater.16,2480(2004)、Adv.Mater.16,2003(2004)、Angew.Chem.lnt.Ed.2006,45,7800、Appl.Phys.Lett.86,153505(2005)、Chem.Lett.34,592(2005)、Chem.Commun.2906(2005)、Inorg.Chem.42,1248(2003)、国際公開第2009/050290号、国際公開第2002/015645号、国際公開第2009/000673号、米国特許出願公開第2002/0034656号明細書、米国特許第7332232号、米国特許出願公開第2009/0108737号明細書、米国特許出願公開第2009/0039776号明細書、米国特許第6921915号、米国特許第6687266号、米国特許出願公開第2007/0190359号明細書、米国特許出願公開第2006/0008670号明細書、米国特許出願公開第2009/0165846号明細書、米国特許出願公開第2008/0015355号明細書、米国特許第7250226号、米国特許第7396598号、米国特許出願公開第2006/0263635号明細書、米国特許出願公開第2003/0138657号明細書、米国特許出願公開第2003/0152802号明細書、米国特許第7090928号、Angew.Chem.lnt.Ed.47,1(2008)、Chem.Mater.18,5119(2006)、Inorg.Chem.46,4308(2007)、Organometallics 23,3745(2004)、Appl.Phys.Lett.74,1361(1999)、国際公開第2002/002714号、国際公開第2006/009024号、国際公開第2006/056418号、国際公開第2005/019373号、国際公開第2005/123873号、国際公開第2005/123873号、国際公開第2007/004380号、国際公開第2006/082742号、米国特許出願公開第2006/0251923号明細書、米国特許出願公開第2005/0260441号明細書、米国特許第7393599号、米国特許第7534505号、米国特許第7445855号、米国特許出願公開第2007/0190359号明細書、米国特許出願公開第2008/0297033号明細書、米国特許第7338722号、米国特許出願公開第2002/0134984号明細書、米国特許第7279704号、米国特許出願公開第2006/098120号明細書、米国特許出願公開第2006/103874号明細書、国際公開第2005/076380号、国際公開第2010/032663号、国際公開第2008/140115号、国際公開第2007/052431号、国際公開第2011/134013号、国際公開第2011/157339号、国際公開第2010/086089号、国際公開第2009/113646号、国際公開第2012/020327号、国際公開第2011/051404号、国際公開第2011/004639号、国際公開第2011/073149号、米国特許出願公開第2012/228583号明細書、米国特許出願公開第2012/212126号明細書、特開2012−069737号公報、特開2012−195554号公報、特開2009−114086号公報、特開2003−81988号公報、特開2002−302671号公報、特開2002−363552号公報等である。
中でも、好ましいリン光ドーパントとしてはIrを中心金属に有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含む錯体が好ましい。
本発明に用いられるホスト化合物は、発光層において主に電荷の注入及び輸送を担う化合物であり、有機EL素子においてそれ自体の発光は実質的に観測されない。
ホスト化合物は、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が20%以上であることが好ましい。
ホスト化合物は、単独で用いてもよく、又は複数種併用してもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機エレクトロルミネッセンス素子を高効率化することができる。
以下に、本発明において好ましく用いられるホスト化合物について述べる。
ホスト化合物は、発光層内においてキャリアの輸送及び励起子の生成を担う。そのため、カチオンラジカル状態、アニオンラジカル状態、及び励起状態の全ての活性種の状態において安定に存在でき、分解や付加反応などの化学変化を起こさないこと、さらに、層中において通電経時でホスト分子がオングストロームレベルで移動しないことが好ましい。
このような要件を満たすためには、ホスト化合物自体が電子のホッピング移動性が高いこと、かつ、正孔のホッピング移動が高いこと、三重項励起状態となったときの構造変化が小さいことが必要である。このような要件を満たすホスト化合物の代表格としてカルバゾール骨格、アザカルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格又はアザジベンゾフラン骨格などの、高T1エネルギー準位を有するものが好ましく挙げられる。
ここで、ガラス転移点(Tg)とは、DSC(Differential Scanning Colorimetry:示差走査熱量法)を用いて、JIS K 7121−2012に準拠した方法により求められる値である。
本発明において電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。
本発明に係る電子輸送層の総層厚については特に制限はないが、通常は2nm〜5μmの範囲であり、より好ましくは2〜500nmであり、さらに好ましくは5〜200nmである。
また、有機EL素子においては発光層で生じた光を電極から取り出す際、発光層から直接取り出される光と、光を取り出す電極と対極に位置する電極によって反射されてから取り出される光とが干渉を起こすことが知られている。光が陰極で反射される場合は、電子輸送層の総層厚を数nm〜数μmの間で適宜調整することにより、この干渉効果を効率的に利用することが可能である。
一方で、電子輸送層の層厚を厚くすると電圧が上昇しやすくなるため、特に層厚が厚い場合においては、電子輸送層の電子移動度は10−5cm2/Vs以上であることが好ましい。
電子輸送層に用いられる材料(以下、電子輸送材料という)としては、電子の注入性又は輸送性、正孔の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
また、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
米国特許第6528187号、米国特許第7230107号、米国特許出願公開第2005/0025993号明細書、米国特許出願公開第2004/0036077号明細書、米国特許出願公開第2009/0115316号明細書、米国特許出願公開第2009/0101870号明細書、米国特許出願公開第2009/0179554号明細書、国際公開第2003/060956号、国際公開第2008/132085号、Appl.Phys.Lett.75,4(1999)、Appl.Phys.Lett.79,449(2001)、Appl.Phys.Lett.81,162(2002)、Appl.Phys.Lett.81,162(2002)、Appl.Phys.Lett.79,156(2001)、米国特許第7964293号、米国特許出願公開第2009/030202号明細書、国際公開第2004/080975号、国際公開第2004/063159号、国際公開第2005/085387号、国際公開第2006/067931号、国際公開第2007/086552号、国際公開第2008/114690号、国際公開第2009/069442号、国際公開第2009/066779号、国際公開第2009/054253号、国際公開第2011/086935号、国際公開第2010/150593号、国際公開第2010/047707号、EP2311826号、特開2010−251675号公報、特開2009−209133号公報、特開2009−124114号公報、特開2008−277810号公報、特開2006−156445号公報、特開2005−340122号公報、特開2003−45662号公報、特開2003−31367号公報、特開2003−282270号公報、国際公開第2012/115034号等である。
電子輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用してもよい。
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有する層であり、好ましくは電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。
本発明の有機EL素子に設ける正孔阻止層は、発光層の陰極側に隣接して設けられることが好ましい。
本発明に係る正孔阻止層の層厚としては、好ましくは3〜100nmの範囲であり、更に好ましくは5〜30nmの範囲である。
正孔阻止層に用いられる材料としては、前述の電子輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物として用いられる材料も正孔阻止層に好ましく用いられる。
本発明に係る電子注入層(「陰極バッファー層」ともいう)とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陰極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されている。
本発明において電子注入層は必要に応じて設け、上記のごとく陰極と発光層との間、又は陰極と電子輸送層との間に存在させてもよい。
電子注入層はごく薄い膜であることが好ましく、素材にもよるがその層厚は0.1〜5nmの範囲が好ましい。また構成材料が断続的に存在する不均一な層(膜)であってもよい。
また、上記の電子注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、複数種を併用してもよい。
本発明において正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する材料からなり、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有していればよい。
本発明に係る正孔輸送層の総層厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μmの範囲であり、より好ましくは2〜500nmであり、さらに好ましくは5〜200nmである。
正孔輸送層に用いられる材料(以下、正孔輸送材料という)としては、正孔の注入性又は輸送性、電子の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー(例えばPEDOT/PSS、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等)等が挙げられる。
また、特表2003−519432号公報や特開2006−135145号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。
さらに不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、アザトリフェニレン誘導体、有機金属錯体、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー等が好ましく用いられる。
例えば、Appl.Phys.Lett.69,2160(1996)、J.Lumin.72−74,985(1997)、Appl.Phys.Lett.78,673(2001)、Appl.Phys.Lett.90,183503(2007)、Appl.Phys.Lett.90,183503(2007)、Appl.Phys.Lett.51,913(1987)、Synth.Met.87,171(1997)、Synth.Met.91,209(1997)、Synth.Met.111,421(2000)、SID Symposium Digest,37,923(2006)、J.Mater.Chem.3,319(1993)、Adv.Mater.6,677(1994)、Chem.Mater.15,3148(2003)、米国特許出願公開第2003/0162053号明細書、米国特許出願公開第2002/0158242号明細書、米国特許出願公開第2006/0240279号明細書、米国特許出願公開第2008/0220265号明細書、米国特許第5061569号、国際公開第2007/002683号、国際公開第2009/018009号、EP650955号、米国特許出願公開第2008/0124572号明細書、米国特許出願公開第2007/0278938号明細書、米国特許出願公開第2008/0106190号明細書、米国特許出願公開第2008/0018221号明細書、国際公開第2012/115034号、特表2003−519432号公報、特開2006−135145号公報、米国特許出願番号13/585981号等である。
電子阻止層とは、広い意味では正孔輸送層の機能を有する層であり、好ましくは正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述する正孔輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る電子阻止層として用いることができる。
本発明の有機EL素子に設ける電子阻止層は、発光層の陽極側に隣接して設けられることが好ましい。
本発明に係る電子阻止層の層厚としては、好ましくは3〜100nmの範囲内であり、更に好ましくは5〜30nmの範囲内である。
電子阻止層に用いられる材料としては、前述の正孔輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物も電子阻止層に好ましく用いられる。
本発明に係る正孔注入層(「陽極バッファー層」ともいう)とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陽極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されている。
本発明において正孔注入層は必要に応じて設け、上記のごとく陽極と発光層又は陽極と正孔輸送層との間に存在させてもよい。
正孔注入層は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層に用いられる材料としては、例えば前述の正孔輸送層に用いられる材料等が挙げられる。
中でも銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン誘導体、特表2003−519432号公報や特開2006−135145号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体、酸化バナジウムに代表される金属酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体、トリアリールアミン誘導体等が好ましい。
前述の正孔注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用してもよい。
前述した本発明における有機層は、更に他の添加物が含まれていてもよい。
添加物としては、例えば臭素、ヨウ素及び塩素等のハロゲン元素やハロゲン化化合物、Pd、Ca、Na等のアルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属の化合物や錯体、塩等が挙げられる。
添加物の含有量は、任意に決定することができるが、含有される層の全質量%に対して1000ppm以下であることが好ましく、より好ましくは500ppm以下であり、さらに好ましくは50ppm以下である。
ただし、電子や正孔の輸送性を向上させる目的や、励起子のエネルギー移動を有利にするための目的などによってはこの範囲内ではない。
本発明に係る有機層(正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、中間層等)の形成方法について説明する。
本発明に係る有機層の形成方法は、特に制限はなく、従来公知の例えば真空蒸着法、湿式法(ウェットプロセスともいう)等による形成方法を用いることができる。
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法(ラングミュア−ブロジェット法)等があるが、均質な薄膜が得られやすく、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。
また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
更に層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50〜450℃、真空度10−6〜10−2Pa、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、層(膜)厚0.1nm〜5μm、好ましくは5〜200nmの範囲内で適宜選ぶことが望ましい。
本発明に係る有機層の形成は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際は作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上、好ましくは4.5eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムスズ酸化物(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度を余り必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。
陽極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10〜200nmの範囲内で選ばれる。
陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極に上記金属を1〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げる導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板(以下、基板、基材等ともいう。)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
本発明の有機EL素子の発光の室温(25℃)における外部取り出し量子効率は、1%以上であることが好ましく、5%以上であるとより好ましい。
ここで、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を、蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。
本発明の有機EL素子の封止に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と、電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に限定されない。
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる1種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
さらに該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために、保護膜あるいは保護板を設けてもよい。特に、封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
有機EL素子は、空気よりも屈折率の高い(屈折率1.6〜2.1程度の範囲内)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。
本発明は、これらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマーなどが挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度の範囲内であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。またさらに1.35以下であることが好ましい。
また、低屈折率媒質の厚さは、媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚さが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
回折格子を導入する位置としては、いずれかの層間、若しくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度の範囲内が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状など、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
本発明の有機EL素子は、支持基板(基板)の光取出し側に、例えばマイクロレンズアレイ上の構造を設ける加工や、いわゆる集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は10〜100μmの範囲内が好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚さが厚くなり好ましくない。
集光シートとしては、例えば液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)などを用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
また、有機EL素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)などを用いることができる。
本発明の有機EL素子は、電子機器、例えば、表示装置、ディスプレイ、各種発光装置として用いることができる。
発光装置として、例えば、照明装置(家庭用照明、車内照明)、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
本発明の有機EL素子を具備する表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法及び印刷法である。
図3は有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
制御部Bは表示部Aと配線部Cを介して電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線ごとの画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。
表示部Aは基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部Cと複数の画素3等とを有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。
図4においては、画素3の発光した光が白矢印方向(下方向)へ取り出される場合を示している。
画素3は走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
画素は、有機EL素子10、スイッチングトランジスタ11、駆動トランジスタ12、コンデンサー13等を備えている。複数の画素に有機EL素子10として、赤色、緑色及び青色発光の有機EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
すなわち、有機EL素子10の発光は、複数の画素それぞれの有機EL素子10に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ11と駆動トランジスタ12を設けて、複数の画素3それぞれの有機EL素子10の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。
順次走査により走査線5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線5に接続している画素3が画像データ信号に応じて発光する。
パッシブマトリクス方式では画素3にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
本発明の有機EL素子を用いることにより、発光効率が向上した表示装置が得られた。
本発明の有機EL素子は、照明装置に用いることもできる。
本発明の有機EL素子は、共振器構造を持たせた有機EL素子として用いてもよい。このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。
また、本発明の有機EL素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用してもよい。
動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、パッシブマトリクス方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。又は、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機EL装置と異なり、素子自体が白色発光である。
本発明の有機EL素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。
本発明の有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚さ300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止し、図7及び図8に示すような照明装置を形成することができる。
図7は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機EL素子(照明装置内の有機EL素子101)はガラスカバー102で覆われている(なお、ガラスカバーでの封止作業は、照明装置内の有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行った)。
図8は、照明装置の断面図を示し、105は陰極、106は有機層、107は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。
本発明の有機EL素子を用いることにより、発光効率が向上した照明装置が得られる。
本発明に係る発光性薄膜は、上述の本発明に係るπ共役系ホウ素化合物を含有することを特徴とし、前記有機層の形成方法と同様に作製することができる。
本発明の発光性薄膜及は、前記有機層の形成方法と同様に作製することができる。
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法(ラングミュア−ブロジェット法)等があるが、均質な薄膜が得られやすく、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。
更に層毎に異なる成膜法を適用してもよい。成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度を50〜450℃の範囲内、真空度を10−6〜10−2Paの範囲内、蒸着速度0.01〜50nm/秒の範囲内、基板温度−50〜300℃の範囲内、層厚0.1nm〜5μmの範囲内、好ましくは5〜200nmの範囲内で適宜選ぶことが望ましい。
また、成膜にスピンコート法を採用する場合、スピンコーターを100〜1000rpmの範囲内、10〜120秒の範囲内で、乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
1.有機EL素子の作製
以下の化合物を電子輸送層材料として使用し、有機EL素子を作製した。
100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上に、陽極としてITO(Indium Tin Oxide)を100nm製膜した基板(AvanStrate(株)製、NA−45)にパターニングを行った。その後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥して、UVオゾン洗浄を5分間行った。
電子輸送材料を表1に示す化合物に変更した以外は有機EL素子1−1の作製方法と同様にして、有機EL素子1−2〜1−17を各々作製した。
作製した各有機EL素子について、各有機EL素子の透明電極側(すなわち透明基板側)と、対向電極側(すなわち陰極側)との両側での正面輝度を測定し、その和が1000cd/m2となるときの電圧を駆動電圧(V)として測定した。なお、輝度の測定には、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング社製)を用いた。
上記で得られた駆動電圧を下記式に当てはめて、有機EL素子1−1の駆動電圧に対する、各有機EL素子の相対駆動電圧を求めた。
相対駆動電圧(%)=(各有機EL素子の駆動電圧/有機EL素子1−1の駆動電圧)×100
得られた数値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。
作製した各有機EL素子を、温度100℃で、2.5mA/cm2の定電流条件下で発光させ、発光開始直後の発光輝度と、開始100時間後の発光輝度を、分光放射輝度計CS−2000(コニカミノルタ社製)を用いて測定した。
得られた高温保存前と保存後の発光輝度を比較して、発光輝度の変化量(高温保存前の発光輝度から高温保存後の発光輝度を差し引いた値)を求めた。
上記で得られた発光輝度の変化量を下記式に当てはめて、有機EL素子1−1の発光輝度変化量に対する、各有機EL素子の発光輝度変化量の相対値を求めた。
高温保存による相対発光輝度変化量(%)=(各有機EL素子の発光輝度変化量/有機EL素子1−1の発光輝度変化量)×100
以下の化合物をホスト材料として使用し、有機EL素子を作製した。
50mm×50mm×厚さ0.7mmのガラス基板上に、ITO(インジウム・スズ酸化物)を150nmの厚さで成膜した後、パターニングを行い、陽極であるITO透明電極を形成した。このITO透明電極が設けられた透明基板を、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥した後、UVオゾン洗浄を5分間行った。得られた透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
ホスト材料を表2に示されるように変更した以外は有機EL素子2−1と同様にして発光層を形成し、有機EL素子2−2〜2−15を作製した。
得られた有機EL素子を、室温(約25℃)、2.5mA/cm2の定電流条件下で発光させた。そして、発光開始直後の有機EL素子の発光輝度を、分光放射輝度計CS−2000(コニカミノルタ社製)を用いて測定し、発光効率を算出した。
得られた発光効率を下記式に当てはめて、有機EL素子2−1の発光効率に対する相対発光効率を求めた。
相対発光効率(%)=(各有機EL素子の発光効率/有機EL素子2−1の発光効率輝度)×100
得られた数値が大きいほど、好ましい結果であることを表す。
作製した各有機EL素子を、温度100℃で、2.5mA/cm2の定電流条件下で発光させ、発光開始直後の発光輝度と、開始100時間後の発光輝度を、分光放射輝度計CS−2000(コニカミノルタ社製)を用いて測定した。
得られた高温保存前と保存後の発光輝度を比較して、発光輝度の変化量(高温保存前の発光輝度から高温保存後の発光輝度を差し引いた値)を求めた。
上記で得られた発光輝度の変化量を下記式に当てはめて、有機EL素子2−1の発光輝度変化量に対する、各有機EL素子の発光輝度変化量の相対値を求めた。
高温保存による相対発光輝度変化量(%)=(各有機EL素子の発光輝度変化量/有機EL素子2−1の発光輝度変化量)×100
以下の化合物を発光性化合物として使用し、有機EL素子を作製した。
汎関数としてB3LYP、基底関数として6−31G(d)を用いて分子軌道計算用ソフトウェアにて構造最適化計算を行った。分子軌道計算用ソフトウェアとして、米国Gaussian社製のGaussian09(Revision C.01,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,2010.)を用いた。さらに、時間依存密度汎関数法(Time−Dependent DFT)による励起状態計算を行った。それにより、各化合物のエネルギー準位E(S1)、E(T1)を求めた。得られた値を、下記式に当てはめて、ΔEstを算出した。
ΔEst=|E(S1)−E(T1)|
50mm×50mm×厚さ0.7mmのガラス基板上に、ITO(インジウム・スズ酸化物)を150nmの厚さで成膜した後、パターニングを行い、陽極であるITO透明電極を形成した。このITO透明電極が設けられた透明基板を、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥した後、UVオゾン洗浄を5分間行った。得られた透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
発光性化合物を表3に示されるように変更した以外は有機EL素子3−1と同様にして有機EL素子3−2〜3−17を作製した。
得られた有機EL素子を、室温(約25℃)、2.5mA/cm2の定電流条件下で発光させた。そして、発光開始直後の有機EL素子の発光輝度を、分光放射輝度計CS−2000(コニカミノルタ社製)を用いて測定し、得られた発光輝度を下記式に当てはめて、有機EL素子3−1の発光輝度に対する相対発光輝度を求めた。
相対発光効率(%)=(各有機EL素子の発光効率/有機EL素子3−1の発光効率)×100
得られた数値が大きいほど、好ましい結果である。
上記作製した各有機EL素子を、温度100℃で、2.5mA/cm2の定電流条件下で発光させ、発光開始直後の発光輝度と、開始100時間後の発光輝度を、分光放射輝度計CS−2000(コニカミノルタ社製)を用いて測定した。
得られた高温保存前と保存後の発光輝度を比較して、発光輝度の変化量(高温保存前の発光輝度から高温保存後の発光輝度を差し引いた値)を求めた。
上記で得られた発光輝度の変化量を下記式に当てはめて、有機EL素子3−1の発光輝度変化量に対する、各有機EL素子の発光輝度変化量の相対値を求めた。
高温保存による相対発光輝度変化量(%)=(各有機EL素子の発光輝度変化量/有機EL素子2−1の発光輝度変化量)×100
また、一般式(1)のYが全て酸素原子である化合物A−64を発光性化合物として用いた有機EL素子3−6の方が、同様の構造で、Yの1つを硫黄原子で置換した化合物A−13を発光性化合物として用いた有機EL素子3−4よりも、発光効率が高く、且つ高温保存による相対発光輝度の変化が少ないことがわかる。
以下の化合物を電子輸送層材料として使用し、エレクトロンオンリーデバイスを作製した。
50mm×50mm×厚さ0.7mmのガラス基板上に、ITO(インジウム・スズ酸化物)を150nmの厚さで成膜した後、パターニングを行い、陽極であるITO透明電極を形成した。このITO透明電極が設けられた透明基板を、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥した後、UVオゾン洗浄を5分間行った。得られた透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
電子輸送材料を表4に示す化合物に変更した以外は有機EL素子4−1の作製方法と同様にして、有機EL素子4−2〜4−10を各々作製した。
作製した各エレクトロンオンリーデバイスについて、各エレクトロンオンリーデバイスの透明電極側(すなわち透明基板側)と、対向電極側(すなわち陰極側)との両側での正面輝度を測定し、その和が1000cd/m2となるときの電圧を駆動電圧(V)として測定した。なお、輝度の測定には、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング製)を用いた。
上記で得られた駆動電圧を下記式に当てはめて、有機EL素子4-1の駆動電圧に対する、各エレクトロンオンリーデバイスの相対駆動電圧を求めた。
相対駆動電圧(%)=(各エレクトロンオンリーデバイスの駆動電圧/エレクトロンオンリーデバイス4-1の駆動電圧)×100
得られた数値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。
上記作製した各エレクトロンオンリーデバイスを、温度80℃で、2.5mA/cm2の定電流条件下で発光させ、発光開始直後の発光輝度と、開始100時間後の発光輝度を、分光放射輝度計CS−2000(コニカミノルタ社製)を用いて測定した。
得られた高温保存前と保存後の発光輝度を比較して、発光輝度の変化量(高温保存前の発光輝度から高温保存後の発光輝度を差し引いた値)を求めた。
上記で得られた発光輝度の変化量を下記式に当てはめて、有機EL素子4-1の発光輝度変化量に対する、各エレクトロンオンリーデバイスの発光輝度変化量の相対値を求めた。
高温保存による相対発光輝度変化量(%)=(各エレクトロンオンリーデバイスの発光輝度変化量/エレクトロンオンリーデバイス4-1の発光輝度変化量)×100
これらの結果から、本発明のπ共役系ホウ素化合物は、ホウ素周りのアリール基にメチル基、フェニル基を導入して遮蔽効果を付与した比較化合物5及び比較化合物6、ホウ素周りの一方を酸素原子で架橋させたフェノキサボリン誘導体である比較化合物7、ホウ素周りを二重のフェノキサボリン骨格とした比較化合物1よりも、相対駆動電圧が低く、且つ高温保存による相対発光輝度の変化が少ないことがわかる。
以下の化合物をホスト材料として使用し、有機EL素子を作製した。
50mm×50mm、厚さ0.7mmのガラス基板上に、陽極としてITO(インジウム・スズ酸化物)を150nmの厚さで製膜し、パターニングを行った後、このITO透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
ホスト材料を比較化合物8から表5に示すように変えた以外は有機EL素子5−1と同様の方法で有機EL素子5−2、5−3、5−5、5−7、5−9〜5−12、5−14、5−16、5−18を作製した。
ホスト化合物を表5に示すように変え、FIrpicをDopant−1に変えた以外は有機EL素子5−1と同様の方法で有機EL素子5−4、5−6、5−8、5−13、5−15、5−17、5−19を作製した。
以下の化合物を電子輸送層に使用し、有機EL素子を作製した。
電子輸送材料を表6に示す化合物に変更した以外は有機EL素子1−1の作製方法と同様にして、有機EL素子6−1〜6−18を各々作製した。
作製した各有機EL素子について、各有機EL素子の透明電極側(すなわち透明基板側)と、対向電極側(すなわち陰極側)との両側での正面輝度を測定し、その和が1000cd/m2となるときの電圧を駆動電圧(V)として測定した。なお、輝度の測定には、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング製)を用いた。
上記で得られた駆動電圧を下記式に当てはめて、有機EL素子6−1の駆動電圧に対する、各有機EL素子の相対駆動電圧を求めた。
相対駆動電圧(%)=(各有機EL素子の駆動電圧/有機EL素子6−1の駆動電圧)×100
得られた数値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。
作製した各有機EL素子について、初期の発光スペクトルを測定して、CIE色度座標のx値y値を求めた。更に、駆動後(輝度が50%となった時の)発光スペクトルから、x値y値を求めた。この初期と駆動後のx、y値の差を、色度座標上の距離から求めて、有機EL素子6−1の距離を100として、相対値で評価した。
以下の化合物を正孔輸送層に使用し、有機EL素子を作製した。
正孔輸送材料を表7に示す化合物に変更した以外は有機EL素子1−1の作製方法と同様にして、有機EL素子7−1〜7−18を各々作製した。
作製した各有機EL素子について、各有機EL素子の透明電極側(すなわち透明基板側)と、対向電極側(すなわち陰極側)との両側での正面輝度を測定し、その和が1000cd/m2となるときの電圧を駆動電圧(V)として測定した。なお、輝度の測定には、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング製)を用いた。
上記で得られた駆動電圧を下記式に当てはめて、有機EL素子7−1の駆動電圧に対する、各有機EL素子の相対駆動電圧を求めた。
相対駆動電圧(%)=(各有機EL素子の駆動電圧/有機EL素子7−1の駆動電圧)×100
得られた数値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。
作製した各有機EL素子について、初期の発光スペクトルを測定して、CIE色度座標のx値y値を求めた。更に、駆動後(輝度が50%となった時の)発光スペクトルから、x値y値を求めた。この初期と駆動後のx、y値の差を、色度座標上の距離から求めて、有機EL素子7−1の距離を100として相対値で示した。
以下の化合物を電子注入層として使用し、有機EL素子を作製した。
電子注入層と陰極を表8に示す化合物に変更した以外は有機EL素子1−1の作製方法と同様にして、有機EL素子8−1〜8−16を各々作製した。
作製した各有機EL素子について、各有機EL素子の透明電極側(すなわち透明基板側)と、対向電極側(すなわち陰極側)との両側での正面輝度を測定し、その和が1000cd/m2となるときの電圧を駆動電圧(V)として測定した。なお、輝度の測定には、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング製)を用いた。
上記で得られた駆動電圧を下記式に当てはめて、有機EL素子8−1の駆動電圧に対する、各有機EL素子の相対駆動電圧を求めた。
相対駆動電圧(%)=(各有機EL素子の駆動電圧/有機EL素子8−1の駆動電圧)×100
得られた数値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。
作製した各有機EL素子を、温度100℃で、2.5mA/cm2の定電流条件下で発光させ、発光開始直後の発光輝度と、開始100時間後の発光輝度を、分光放射輝度計CS−2000(コニカミノルタ社製)を用いて測定した。
得られた高温保存前と保存後の発光輝度を比較して、発光輝度の変化量(高温保存前の発光輝度から高温保存後の発光輝度を差し引いた値)を求めた。
上記で得られた発光輝度の変化量を下記式に当てはめて、有機EL素子8−1の発光輝度変化量に対する、各有機EL素子の発光輝度変化量の相対値を求めた。
高温保存による相対発光輝度変化量(%)=(各有機EL素子の発光輝度変化量/有機EL素子8−1の発光輝度変化量)×100
3 画素
5 走査線
6 データ線
7 電源ライン
10 有機EL素子
11 スイッチングトランジスタ
12 駆動トランジスタ
13 コンデンサー
101 照明装置内の有機EL素子
102 ガラスカバー
105 陰極
106 有機層
107 透明電極付きガラス基板
108 窒素ガス
109 捕水剤
A 表示部
B 制御部
C 配線部
Claims (19)
- 陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極に挟持された少なくとも一つの有機層、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機層の少なくとも一つが、下記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系ホウ素化合物を含有することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
X1〜X9は、それぞれ独立に、−CWまたは窒素原子を表し、
Wは、水素原子または置換基を表し、
但し、X 1 〜X 9 の少なくとも1つは前記−CWを表し、且つ前記−CWの少なくとも1つにおいて、Wは置換されてもよいアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、芳香族環基、または芳香族複素環基を表し、
Y1〜Y3は、それぞれ独立に、酸素原子もしくは硫黄原子を表す。) - 前記一般式(1)において、X1〜X9が−CWであり、かつY1〜Y3が酸素原子であることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記Wは、電子供与性基であることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記Wで表される電子供与性基が、下記一般式(2)で表されることを特徴とする、請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Zは、CR1R2、SiR3R4、酸素原子、硫黄原子またはNR5を表し、
R1〜R5及びRは、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。) - 前記Wで表される電子供与性基が、下記一般式(3)で表されることを特徴とする、請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Rはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。) - 前記Wで表される電子供与性基が、下記一般式(4)で表されることを特徴とする、請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Rはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、
Lは置換基を表す。) - 前記Wで表される電子供与性基が、下記一般式(5)で表されることを特徴とする、請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Rはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、
Lは置換基を表す。) - 前記Wで表される電子供与性基が、下記一般式(6)で表されることを特徴とする、請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Rはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。) - 前記Wで表される電子供与性基が、下記一般式(7)で表されることを特徴とする、請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Rはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。) - 前記一般式(1)において、前記X7〜X9は−CWであり、かつ前記Wは電子供与性基であることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記Wが、下記一般式(7)で表される電子供与性基であることを特徴とする、請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Rはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。) - 前記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系ホウ素化合物の最低励起一重項エネルギー準位と最低励起三重項エネルギー準位との差の絶対値ΔEstが0.50eV以下であることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記有機層は、発光層を含み、
前記発光層は、前記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系ホウ素化合物を含有することを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記発光層は、前記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系ホウ素化合物と、蛍光発光性材料及びリン光発光性材料の少なくとも一方とを含むことを特徴とする、請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系ホウ素化合物を、電子輸送材料と併用することを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系ホウ素化合物を、正孔輸送材料と併用することを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系ホウ素化合物を含有する有機層が、陰極に隣接する層であることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする、表示装置。
- 請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする、照明装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015146543 | 2015-07-24 | ||
JP2015146543 | 2015-07-24 | ||
JP2015250261 | 2015-12-22 | ||
JP2015250261 | 2015-12-22 | ||
PCT/JP2016/071481 WO2017018326A1 (ja) | 2015-07-24 | 2016-07-22 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017018326A1 JPWO2017018326A1 (ja) | 2018-05-24 |
JP6729589B2 true JP6729589B2 (ja) | 2020-07-22 |
Family
ID=57884720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017530826A Active JP6729589B2 (ja) | 2015-07-24 | 2016-07-22 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10651395B2 (ja) |
JP (1) | JP6729589B2 (ja) |
KR (1) | KR102052812B1 (ja) |
CN (1) | CN107925006B (ja) |
WO (1) | WO2017018326A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021073192A (ja) * | 2016-03-23 | 2021-05-13 | コニカミノルタ株式会社 | π共役系ホウ素化合物及び電子デバイス |
Families Citing this family (37)
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JPWO2018181188A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2020-05-14 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器 |
WO2018212169A1 (ja) * | 2017-05-16 | 2018-11-22 | 学校法人関西学院 | 多環芳香族化合物 |
CN110799571B (zh) * | 2017-06-30 | 2022-09-20 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物及使用其的发光元件 |
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KR102648402B1 (ko) | 2018-06-12 | 2024-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
JPWO2019239897A1 (ja) * | 2018-06-14 | 2021-07-08 | 学校法人関西学院 | アルキル置換多環芳香族化合物を含有する電子輸送材料または電子注入材料 |
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WO2020145725A1 (ko) * | 2019-01-11 | 2020-07-16 | 주식회사 엘지화학 | 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
KR102353148B1 (ko) | 2019-01-18 | 2022-01-19 | 주식회사 엘지화학 | 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
US11594691B2 (en) * | 2019-01-25 | 2023-02-28 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Light outcoupling efficiency of phosphorescent OLEDs by mixing horizontally aligned fluorescent emitters |
KR102324962B1 (ko) | 2019-02-15 | 2021-11-11 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 |
KR102223472B1 (ko) | 2019-03-08 | 2021-03-05 | 주식회사 엘지화학 | 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
JPWO2020218558A1 (ja) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 | ||
KR20210149047A (ko) | 2019-04-26 | 2021-12-08 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 다환식 화합물 및 다환식 화합물 또는 조성물을 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자 |
KR20200133894A (ko) | 2019-05-20 | 2020-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
JP2020196700A (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-10 | 学校法人関西学院 | 多環芳香族化合物 |
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KR20210017428A (ko) | 2019-08-08 | 2021-02-17 | 주식회사 엘지화학 | 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
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US11919914B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-03-05 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
KR20210056497A (ko) | 2019-11-08 | 2021-05-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물 |
KR102592081B1 (ko) * | 2019-12-03 | 2023-10-19 | 주식회사 엘지화학 | 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 |
KR20210083012A (ko) * | 2019-12-26 | 2021-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 이용한 표시 장치 |
WO2021141370A1 (ko) * | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 경상국립대학교산학협력단 | 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 |
JP7216754B2 (ja) | 2020-03-31 | 2023-02-01 | 住友化学株式会社 | 組成物及びそれを含有する発光素子 |
CN115485759A (zh) * | 2020-04-14 | 2022-12-16 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
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KR20220063369A (ko) * | 2020-11-10 | 2022-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 및 유기발광장치 |
JPWO2022176543A1 (ja) * | 2021-02-18 | 2022-08-25 | ||
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JP2013116975A (ja) | 2011-12-02 | 2013-06-13 | Kyushu Univ | 遅延蛍光材料、有機発光素子および化合物 |
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-
2016
- 2016-07-22 CN CN201680043200.2A patent/CN107925006B/zh active Active
- 2016-07-22 US US15/747,025 patent/US10651395B2/en active Active
- 2016-07-22 WO PCT/JP2016/071481 patent/WO2017018326A1/ja active Application Filing
- 2016-07-22 KR KR1020177036484A patent/KR102052812B1/ko active IP Right Grant
- 2016-07-22 JP JP2017530826A patent/JP6729589B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2017018326A1 (ja) | 2017-02-02 |
US10651395B2 (en) | 2020-05-12 |
JPWO2017018326A1 (ja) | 2018-05-24 |
CN107925006A (zh) | 2018-04-17 |
US20190013478A1 (en) | 2019-01-10 |
KR102052812B1 (ko) | 2019-12-05 |
CN107925006B (zh) | 2020-09-01 |
KR20180010223A (ko) | 2018-01-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190327 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20190708 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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