KR102472171B1 - 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 - Google Patents
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- -1 Polycyclic compound Chemical class 0.000 title claims abstract description 158
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 97
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 69
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 65
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 60
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 55
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 53
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 41
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 claims description 40
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 35
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 35
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 33
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 claims description 30
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 claims description 27
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 26
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 25
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 25
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical group [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 24
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 claims description 22
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 21
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 claims description 20
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 19
- WSANLGASBHUYGD-UHFFFAOYSA-N sulfidophosphanium Chemical group S=[PH3] WSANLGASBHUYGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 125000005331 diazinyl group Chemical group N1=NC(=CC=C1)* 0.000 claims description 12
- 125000004306 triazinyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 11
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 claims description 11
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 9
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000004149 thio group Chemical group *S* 0.000 claims description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000005551 pyridylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 143
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 description 47
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 26
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 14
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N (3S)-3-[[(2S)-2-[[(2S)-2-[5-[(3aS,6aR)-2-oxo-1,3,3a,4,6,6a-hexahydrothieno[3,4-d]imidazol-4-yl]pentanoylamino]-3-methylbutanoyl]amino]-3-(4-hydroxyphenyl)propanoyl]amino]-4-[1-bis(4-chlorophenoxy)phosphorylbutylamino]-4-oxobutanoic acid Chemical compound CCCC(NC(=O)[C@H](CC(O)=O)NC(=O)[C@H](Cc1ccc(O)cc1)NC(=O)[C@@H](NC(=O)CCCCC1SC[C@@H]2NC(=O)N[C@H]12)C(C)C)P(=O)(Oc1ccc(Cl)cc1)Oc1ccc(Cl)cc1 QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N 0.000 description 9
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 9
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 7
- ASGMFNBUXDJWJJ-JLCFBVMHSA-N (1R,3R)-3-[[3-bromo-1-[4-(5-methyl-1,3,4-thiadiazol-2-yl)phenyl]pyrazolo[3,4-d]pyrimidin-6-yl]amino]-N,1-dimethylcyclopentane-1-carboxamide Chemical compound BrC1=NN(C2=NC(=NC=C21)N[C@H]1C[C@@](CC1)(C(=O)NC)C)C1=CC=C(C=C1)C=1SC(=NN=1)C ASGMFNBUXDJWJJ-JLCFBVMHSA-N 0.000 description 6
- ATTVYRDSOVWELU-UHFFFAOYSA-N 1-diphenylphosphoryl-2-(2-diphenylphosphorylphenoxy)benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C(=CC=CC=1)OC=1C(=CC=CC=1)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 ATTVYRDSOVWELU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QBWKPGNFQQJGFY-QLFBSQMISA-N 3-[(1r)-1-[(2r,6s)-2,6-dimethylmorpholin-4-yl]ethyl]-n-[6-methyl-3-(1h-pyrazol-4-yl)imidazo[1,2-a]pyrazin-8-yl]-1,2-thiazol-5-amine Chemical compound N1([C@H](C)C2=NSC(NC=3C4=NC=C(N4C=C(C)N=3)C3=CNN=C3)=C2)C[C@H](C)O[C@H](C)C1 QBWKPGNFQQJGFY-QLFBSQMISA-N 0.000 description 6
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229940127007 Compound 39 Drugs 0.000 description 6
- SPXSEZMVRJLHQG-XMMPIXPASA-N [(2R)-1-[[4-[(3-phenylmethoxyphenoxy)methyl]phenyl]methyl]pyrrolidin-2-yl]methanol Chemical compound C(C1=CC=CC=C1)OC=1C=C(OCC2=CC=C(CN3[C@H](CCC3)CO)C=C2)C=CC=1 SPXSEZMVRJLHQG-XMMPIXPASA-N 0.000 description 6
- 229940125846 compound 25 Drugs 0.000 description 6
- 229940127271 compound 49 Drugs 0.000 description 6
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 6
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 6
- 238000004992 fast atom bombardment mass spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 6
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 6
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 5
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 5
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 4
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 3
- MZWDAEVXPZRJTQ-WUXMJOGZSA-N 4-[(e)-(4-fluorophenyl)methylideneamino]-3-methyl-1h-1,2,4-triazole-5-thione Chemical compound CC1=NNC(=S)N1\N=C\C1=CC=C(F)C=C1 MZWDAEVXPZRJTQ-WUXMJOGZSA-N 0.000 description 3
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100451713 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) HTL1 gene Proteins 0.000 description 3
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical group C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 3
- 125000005264 aryl amine group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 3
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002098 pyridazinyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 3
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 150000007979 thiazole derivatives Chemical class 0.000 description 3
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 2
- 125000003363 1,3,5-triazinyl group Chemical group N1=C(N=CN=C1)* 0.000 description 2
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-2H-quinoline Chemical compound C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ASXSTQHYXCIZRV-UHFFFAOYSA-N 10-phenylspiro[acridine-9,10'-anthracene]-9'-one Chemical group C12=CC=CC=C2C(=O)C2=CC=CC=C2C1(C1=CC=CC=C11)C2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 ASXSTQHYXCIZRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C)=CC=C21 HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 4-naphthalen-1-yl-3,5-diphenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N1C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=NN=C1C1=CC=CC=C1 AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-carbazol-9-ylphenyl)carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-yl-2-methylphenyl)-3-methylphenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C)C(C)=C1 LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 2
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005103 alkyl silyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005104 aryl silyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001164 benzothiazolyl group Chemical group S1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007648 laser printing Methods 0.000 description 2
- IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M lithium;quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21 IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000005184 naphthylamino group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N* 0.000 description 2
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 2
- 125000001715 oxadiazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 2
- 150000004059 quinone derivatives Chemical class 0.000 description 2
- FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M rubidium chloride Chemical compound [Cl-].[Rb+] FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 2
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N (2S,3R)-N-[(2S)-3-(cyclopenten-1-yl)-1-[(2R)-2-methyloxiran-2-yl]-1-oxopropan-2-yl]-3-hydroxy-3-(4-methoxyphenyl)-2-[[(2S)-2-[(2-morpholin-4-ylacetyl)amino]propanoyl]amino]propanamide Chemical compound C1(=CCCC1)C[C@@H](C(=O)[C@@]1(OC1)C)NC([C@H]([C@@H](C1=CC=C(C=C1)OC)O)NC([C@H](C)NC(CN1CCOCC1)=O)=O)=O GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N 0.000 description 1
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJJYNFWMKNYNEW-UHFFFAOYSA-N 1-(4-pyren-1-ylphenyl)pyrene Chemical compound C1=CC(C=2C=CC(=CC=2)C=2C3=CC=C4C=CC=C5C=CC(C3=C54)=CC=2)=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 IJJYNFWMKNYNEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBNABJXQGRVIRA-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-(4-bromophenyl)sulfonylbenzene Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 QBNABJXQGRVIRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004973 1-butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- JXKQGMUHBKZPCD-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n,4-n-tetraphenylpyrene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=C3C=CC=C4C=C(C(C2=C43)=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JXKQGMUHBKZPCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006023 1-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylisoquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21,23-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].CCc1c(CC)c2cc3[nH]c(cc4nc(cc5[nH]c(cc1n2)c(CC)c5CC)c(CC)c4CC)c(CC)c3CC VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006176 2-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- BRFOFYXSADOBSU-UHFFFAOYSA-N 3,3-diethylcyclopentene Chemical compound C(C)C1(C=CCC1)CC BRFOFYXSADOBSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[3,5-bis(3-pyridin-3-ylphenyl)phenyl]phenyl]pyridine Chemical compound C1=CN=CC(C=2C=C(C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=C1 CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005917 3-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- YCJXOGWKPHEAEP-UHFFFAOYSA-N 4,6-bis(4-bromophenyl)pyrimidine Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C1=CC(C=2C=CC(Br)=CC=2)=NC=N1 YCJXOGWKPHEAEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004920 4-methyl-2-pentyl group Chemical group CC(CC(C)*)C 0.000 description 1
- SKRQCHDXFSWTHN-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[2-[4-[1-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)-2-phenylethenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C)=CC=1)C(C=1C=CC(C=CC=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(C)=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)=CC=1)=CC1=CC=CC=C1 SKRQCHDXFSWTHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYNTUCBQEHUHCS-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n-[4-[4-(n-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-1-n,4-n-diphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 QYNTUCBQEHUHCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQXNAJZMEBHUMC-XPWSMXQVSA-N 9-ethyl-3-[(e)-2-[4-[(e)-2-(9-ethylcarbazol-3-yl)ethenyl]phenyl]ethenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(/C=C/C4=CC=C(C=C4)/C=C/C=4C=C5C6=CC=CC=C6N(C5=CC=4)CC)=CC=C3N(CC)C2=C1 JQXNAJZMEBHUMC-XPWSMXQVSA-N 0.000 description 1
- QXDWMAODKPOTKK-UHFFFAOYSA-N 9-methylanthracen-1-amine Chemical group C1=CC(N)=C2C(C)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 QXDWMAODKPOTKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical group NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KESRRRLHHXXBRW-UHFFFAOYSA-N C1=CC=NC2=C3C(O)=CC=CC3=CC=C21 Chemical compound C1=CC=NC2=C3C(O)=CC=CC3=CC=C21 KESRRRLHHXXBRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical class ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- RNPABQVCNAUEIY-GUQYYFCISA-N Germine Chemical compound O1[C@@]([C@H](CC[C@]23C)O)(O)[C@H]3C[C@@H](O)[C@@H]([C@]3(O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H]4[C@]5(C)O)[C@@]12C[C@H]3[C@@H]4CN1[C@H]5CC[C@H](C)C1 RNPABQVCNAUEIY-GUQYYFCISA-N 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100232347 Mus musculus Il11ra1 gene Proteins 0.000 description 1
- SGYKZBKFHWAFLK-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethyl-4-[2-(6-methyl-4-methylidenepyran-2-yl)ethenyl]aniline Chemical compound C=C1C=C(OC(=C1)C=CC1=CC=C(C=C1)N(C)C)C SGYKZBKFHWAFLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOGBCJUMKFSRMC-UHFFFAOYSA-N N-benzyl-2-bromo-N-(2-bromophenyl)aniline Chemical compound C(C1=CC=CC=C1)N(C1=C(C=CC=C1)Br)C1=C(C=CC=C1)Br NOGBCJUMKFSRMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M acetoacetate Chemical compound CC(=O)CC([O-])=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004644 alkyl sulfinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005332 alkyl sulfoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 125000005135 aryl sulfinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004391 aryl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000007980 azole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid;dodecane Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1.CCCCCCCCCCCC LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000499 benzofuranyl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004196 benzothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 125000004541 benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- LFABNOYDEODDFX-UHFFFAOYSA-N bis(4-bromophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 LFABNOYDEODDFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVVVSJAMVJMZRF-UHFFFAOYSA-N c1cncc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1nc(nc(n1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1 Chemical compound c1cncc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1nc(nc(n1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1 YVVVSJAMVJMZRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MIOPJNTWMNEORI-UHFFFAOYSA-N camphorsulfonic acid Chemical compound C1CC2(CS(O)(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 125000005578 chrysene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000002676 chrysenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=C4C=CC=CC4=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 229940125797 compound 12 Drugs 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005509 dibenzothiophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- PFPTYRFVUHDUIN-UHFFFAOYSA-N dichloro(diphenyl)germane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Ge](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 PFPTYRFVUHDUIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical group C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCLOAJGCFQIQQW-UHFFFAOYSA-N diphenylboron Chemical compound C=1C=CC=CC=1[B]C1=CC=CC=C1 UCLOAJGCFQIQQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 201000001366 familial temporal lobe epilepsy 2 Diseases 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- RNPABQVCNAUEIY-UHFFFAOYSA-N germine Natural products O1C(C(CCC23C)O)(O)C3CC(O)C(C3(O)C(O)C(O)C4C5(C)O)C12CC3C4CN1C5CCC(C)C1 RNPABQVCNAUEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000000842 isoxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N lithium butane Chemical compound [Li+].CCC[CH2-] DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- NRKQPQQULQMWBV-MBALSZOMSA-N n,n-diphenyl-4-[(e)-2-[6-[(e)-2-[4-(n-phenylanilino)phenyl]ethenyl]naphthalen-2-yl]ethenyl]aniline Chemical compound C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1/C=C/C(C=C1C=C2)=CC=C1C=C2\C=C\C(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NRKQPQQULQMWBV-MBALSZOMSA-N 0.000 description 1
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N n-Butyllithium Substances [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001484 phenothiazinyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- XPPWLXNXHSNMKC-UHFFFAOYSA-N phenylboron Chemical compound [B]C1=CC=CC=C1 XPPWLXNXHSNMKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004592 phthalazinyl group Chemical group C1(=NN=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002294 quinazolinyl group Chemical group N1=C(N=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000003011 styrenyl group Chemical group [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 description 1
- JLBRGNFGBDNNSF-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(dimethyl)borane Chemical compound CB(C)C(C)(C)C JLBRGNFGBDNNSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001113 thiadiazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N triethylborane Chemical compound CCB(CC)CC LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N trimethylborane Chemical compound CB(C)C WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- MXSVLWZRHLXFKH-UHFFFAOYSA-N triphenylborane Chemical compound C1=CC=CC=C1B(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MXSVLWZRHLXFKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011345 viscous material Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
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- H01L51/5004—
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Abstract
본 발명은 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
[화학식 1]
Description
본 발명은 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
영상 표시 장치로서, 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Electroluminescence Display)의 개발이 활발히 이루어지고 있다. 유기 전계 발광 표시 장치는 액정 표시 장치 등과는 다르고, 제1 전극 및 제2 전극으로부터 주입된 정공 및 전자를 발광층에서 재결합시킴으로써, 발광층에 포함되는 유기 화합물인 발광 재료를 발광시켜서 표시를 실현하는 소위 자발광형의 표시 장치이다.
유기 전계 발광 소자로서는, 예를 들어, 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 정공 수송층, 정공 수송층 상에 배치된 발광층, 발광층 상에 배치된 전자 수송층 및 전자 수송층 상에 배치된 제2 전극으로 구성된 유기 소자가 알려져 있다. 제1 전극으로부터는 정공이 주입되고, 주입된 정공은 정공 수송층을 이동하여 발광층으로 주입된다. 한편, 제2 전극으로부터는 전자가 주입되고, 주입된 전자는 전자 수송층을 이동하여 발광층으로 주입된다. 발광층으로 주입된 정공과 전자가 재결합함으로써, 발광층 내에서 여기자가 생성된다. 유기 전계 발광 소자는 그 여기자가 다시 바닥상태로 떨어질 때 발생하는 광을 이용하여 발광한다. 또한, 유기 전계 발광 소자는 이상에 설명한 구성에 한정되지 않고, 여러 가지의 변경이 가능하다. 유기 전계 발광 소자를 표시 장치에 응용함에 있어서, 유기 전계 발광 소자의 저 구동 전압화 및 고 장수명화가 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 발광 효율이 높은 유기 전계 발광 소자에 사용될 수 있는 다환 화합물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 발광 효율이 높고 수명이 긴 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서, X1은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있고, n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다. Ar1, Ar2, R1, R2 및 X1 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 2-1 내지 2-8 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
[화학식 2-3]
[화학식 2-4]
[화학식 2-5]
[화학식 2-6]
[화학식 2-7]
[화학식 2-8]
상기 화학식 2-1 내지 2-8에서, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 N 또는 CR4 이고, Y1 및 Y2 중 적어도 하나는 N이고, Z1은 O, S 또는 NAr10이고, W1 내지 W5는 각각 독립적으로 N 또는 CR5 이고, W1 내지 W5 중 적어도 하나는 N이고, L1 내지 L8은 각각 독립적으로 직접 결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이고, Ar3 내지 Ar10은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, Ar3 내지 Ar9은 각각 독립적으로 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있고, R3 내지 R5는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, R3 및 R4는 각각 독립적으로 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
상기 화학식 3에서, X2는 상기 화학식 2-1 내지 2-8 중 어느 하나로 표시되고, Ar11 및 Ar12는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있고, R6 및 R7는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있고, n3 및 n4는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다.
상기 L1 내지 L8은 치환 또는 비치환된 페닐렌기일 수 있다.상기 화학식 3으로 표시되는 다환 화합물은 하기 화학식 4로 표시될 수 있다.
[화학식 4]
상기 화학식 4에서, n5는 1 내지 4의 정수이다. n5가 1일 때, X3는 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 또는 하기 화학식 5-1 또는 5-2로 표시되는 치환기로 치환된 페닐기이다. n5가 2 내지 4의 정수일 때, X3는 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 또는 하기 화학식 5-1 또는 5-2로 표시되는 치환기로 치환된 페닐렌기이다. Ar11, Ar12, R6, R7, n3, 및 n4은 앞서 정의한 바와 동일하다.
[화학식 5-1]
[화학식 5-2]
상기 화학식 5-1 및 5-2에서,
Y3 및 Y4는 각각 독립적으로 N 또는 CR9이고, Y3 및 Y4 중 적어도 하는 N이고,
Z2는 O, S 또는 NAr13이고,
W6 내지 W10는 각각 독립적으로 N 또는 CR10 이고, W6 내지 W10 중 적어도 하나는 N이고,
Ar13은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이이고,
R8 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, R8 및 R9은 각각 독립적으로 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 화학식 3으로 표시되는 다환 화합물은 하기 화학식 6으로 표시될 수 있다.
[화학식 6]
상기 화학식 6에서, L9는 치환 또는 비치환된 2가의 카보닐기, 치환 또는 비치환된 2가의 붕소기, 치환 또는 비치환된 2가의 설피닐기, 치환 또는 비치환된 2가의 설포닐기, 치환 또는 비치환된 2가의 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 비치환된 피리딜렌기, 치환 또는 비치환된 2가의 다이아지닐기(diazinyl), 또는 치환 또는 비치환된 2가의 트리아지닐기(triazinyl)이거나, 하기 화학식 7-1 또는 7-2으로 표시되고, Ar14 및 Ar15은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있고, R11 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있고, n6 내지 n9는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다. Ar11, Ar12, R6, R7, n3, 및 n4은 앞서 정의한 바와 동일하다.
[화학식 7-1]
[화학식 7-2]
상기 화학식 7-1 및 7-2에서, Y5 및 Y6는 각각 독립적으로 N 또는 CR15 이고, Y5 및 Y6 중 적어도 하나는 N이고, Z3 및 Z4는 각각 독립적으로 O, S 또는 NAr16이고, R15은 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있고, Ar16은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이다.
상기 X1은 하기 화학식 2-2-1 내지 2-2-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 2-2-1]
[화학식 2-2-2]
[화학식 2-2-3]
[화학식 2-2-4]
[화학식 2-2-5]
[화학식 2-2-6]
상기 화학식 2-2-1 내지 2-2-6에서, L2, R3, R4, 및 Ar10은 앞서 정의한 바와 동일하다.
상기 X1은 하기 화학식 2-3-1 내지 2-3-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 2-3-1]
[화학식 2-3-2]
[화학식 2-3-3]
상기 화학식 2-3-1 내지 2-3-3에서, n10은 0 내지 4의 정수이고, n11은 0 내지 3의 정수이고, n12은 0 내지 2의 정수이다. L3, 및 R5은 앞서 정의한 바와 동일하다.
상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 정공 수송 영역, 상기 정공 수송 영역 상에 배치된 발광층, 상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역, 상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극을 포함한다. 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 포함한다.
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 독립적으로, Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, In, Zn, 및 Sn 로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나, 이들 중 선택되는 둘 이상의 화합물, 이들 중 선택되는 둘 이상의 혼합물, 또는 이들 중 선택되는 하나 이상의 산화물을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 독립적으로, Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, In, Zn, 및 Sn 로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나, 이들 중 선택되는 둘 이상의 화합물, 이들 중 선택되는 둘 이상의 혼합물, 또는 이들 중 선택되는 하나 이상의 산화물을 포함할 수 있다.
상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함하고, 상기 도펀트는 상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 포함할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 최저 일중항 에너지 준위(S1)와 최저 삼중항 에너지 준위(T1)의 에너지 차(△EST)가 0.2eV 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 유기 전계 발광 소자용 재료로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자는 높은 발광 효율 및 장수명을 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면 및 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
본 명세서에서, 
는 연결되는 부위를 의미한다.
본 명세서에서, "치환 또는 비치환된"은 중수소 원자, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 실릴기, 옥시기, 티오기, 설피닐기, 설포닐기, 카보닐기, 붕소기, 아릴 아민기, 포스핀 옥사이드기, 포스핀 설파이드기, 알킬기, 알케닐기, 아릴기 및 헤테로 고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미할 수 있다. 또한, 상기 예시된 치환기 각각은 치환 또는 비치환된 것일 수 있다. 예를 들어, 비페닐기는 아릴기로 해석될 수도 있고, 페닐기로 치환된 페닐기로 해석될 수도 있다.
본 명세서에서, "인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성"한다는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리를 형성하는 것을 의미할 수 있다. 탄화수소 고리는 지방족 탄화수소 고리 및 방향족 탄화수소 고리를 포함한다. 헤테로 고리는 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리를 포함한다. 탄화수소 고리 및 헤테로 고리는 단환 또는 다환일 수 있다. 또한, 서로 결합하여 형성된 고리는 다른 고리와 연결되어 스피로 구조를 형성하는 것일 수도 있다.
본 명세서에서, "인접하는 기"는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기 또는 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 인접한 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 1,2-디메틸벤젠(1,2-dimethylbenzene)에서 2개의 메틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있고, 1,1-디에틸시클로펜테인(1,1-diethylcyclopentene)에서 2개의 에틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있다.
본 명세서에서, 직접 결합(direct linkage)은 단일 결합을 의미하는 것일 수 있다.
본 명세서에서, 할로겐 원자의 예로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자가 있다.
본 명세서에서, 알킬기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 알킬기의 탄소수는 1 이상 30 이하, 1 이상 20 이하, 1 이상 15 이하, 1 이상 10 이하 또는 1 이상 6 이하이다. 알킬기의 예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, i-부틸기, 2-에틸부틸기, 3, 3-디메틸부틸기, n-펜틸기, i-펜틸기, 네오펜틸기, t-펜틸기, 시클로펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-에틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, n-헥실기, 1-메틸헥실기, 2-에틸헥실기, 2-부틸헥실기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4-t-부틸시클로헥실기, n-헵틸기, 1-메틸헵틸기, 2,2-디메틸헵틸기, 2-에틸헵틸기, 2-부틸헵틸기, n-옥틸기, t-옥틸기, 2-에틸옥틸기, 2-부틸옥틸기, 2-헥실옥틸기, 3,7-디메틸옥틸기, 시클로옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 아다만틸기, 2-에틸데실기, 2-부틸데실기, 2-헥실데실기, 2-옥틸데실기, n-운데실기, n-도데실기, 2-에틸도데실기, 2-부틸도데실기, 2-헥실도데실기, 2-옥틸도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, 2-에틸헥사데실기, 2-부틸헥사데실기, 2-헥실헥사데실기, 2-옥틸헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-이코실기, 2-에틸이코실기, 2-부틸이코실기, 2-헥실이코실기, 2-옥틸이코실기, n-헨이코실기, n-도코실기, n-트리코실기, n-테트라코실기, n-펜타코실기, n-헥사코실기, n-헵타코실기, n-옥타코실기, n-노나코실기, 및 n-트리아콘틸기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 아릴기는 방향족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 아릴기의 고리 형성 탄소수는 6 이상 30 이하, 6 이상 20 이하, 또는 6 이상 15 이하일 수 있다. 아릴기의 예로는 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 퀸크페닐기, 섹시페닐기, 트리페닐렌기, 피레닐기, 벤조 플루오란테닐기, 크리세닐기 등을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수도 있다. 예를 들어, 플루오레닐기는 9,9'-스피로비플루오레닐기일 수 있다.
본 명세서에서, 헤테로아릴기는 이종 원소로 O, N, P, S, Si, 및 Ge 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴기일 수 있다. 헤테로아릴기는 단환식 헤테로아릴기 또는 다환식 헤테로아릴기일 수 있다. 헤테로아릴기의 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하, 또는 2 이상 20 이하이다. 헤테로아릴기의 예로는 티오페닐기, 퓨라닐기, 피롤일기, 이미다졸일기, 티아졸일기, 옥사졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아졸일기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 트리아졸일기, 아크리딜기, 피리다지닐기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 페녹사질기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미딜기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀리닐기, 인돌일기, 카바졸일기, N-아릴카바졸일기, N-헤테로아릴카바졸일기, N-알킬카바졸일기, 벤조옥사졸일기, 벤조이미다졸일기, 벤조티아졸일기, 벤조카바졸일기, 벤조티오페닐기, 디벤조티오페닐기, 티에노티오페닐기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤리닐기(phenanthroline), 티아졸일기, 이소옥사졸일기, 옥사디아졸일기, 티아디아졸일기, 벤조티아졸일기, 페노티아지닐기, 디벤조실롤일기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 헤테로아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에서, 실릴기는 알킬 실릴기 및 아릴 실릴기를 포함한다. 실릴기의 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 아미노기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 이상 30 이하일 수 있다. 아미노기는 알킬 아미노기 및 아릴 아미노기를 포함할 수 있다. 아미노기의 예로는 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 페닐아미노기, 디페닐아미노기, 나프틸아미노기, 9-메틸-안트라세닐아미노기, 트리페닐아미노기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40 이하, 1 내지 30 이하, 또는 1 내지 20 이하일 수 있다. 예를 들어, 하기의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서, 설피닐기 및 설포닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 이상 30 이하일 수 있다. 설피닐기는 알킬 설피닐기 및 아릴 설피닐기를 포함할 수 있다. 설포닐기는 알킬 설포닐기 및 아릴 설포닐기를 포함할 수 있다.
본 명세서에서, 티오기는 알킬 티오기 및 아릴 티오기를 포함할 수 있다.
본 명세서에서, 옥시기는 알콕시기 및 아릴 옥시기를 포함할 수 있다. 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 1 이상 20 이하 또는 1 이상 10 이하인 것일 수 있다. 알콕시기의 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, 부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시, 옥틸옥시, 노닐옥시, 데실옥시, 벤질옥시 등이 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서, 붕소기는 알킬 붕소기 및 아릴 붕소기를 포함한다. 붕소기의 예로는 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 디페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하 또는 2 이상 10 이하이다. 알케닐기의 예로는 비닐기, 1-부테닐기, 1-펜테닐기, 1,3-부타디에닐 아릴기, 스티레닐기, 스티릴비닐기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 아민기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 이상 30 이하일 수 있다. 아민기는 알킬 아민기 및 아릴 아민기를 포함할 수 있다. 아민기의 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 페닐아민기, 디페닐아민기, 나프틸아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 알킬티오기, 알킬설폭시기, 알킬아릴기, 알킬아미노기, 알킬 붕소기, 알킬 실릴기, 알킬 아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다.
본 명세서에서, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴설폭시기, 아릴아미노기, 아릴 붕소기, 아릴 실릴기, 아릴 아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물에 대해 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서, X1은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이다. X1은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 피리미딜기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아지닐기일 수 있다.
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이다. Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 또는 치환 또는 비치환된 피리미딜기일 수 있다. 또는, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다. Ar1 및 Ar2는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이다. 또는, R1 및 R2는 각각 독립적으로 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다. R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다.
n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다. n1이 0일 경우, 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 R1으로 치환되지 않은 것을 의미할 수 있다. n1이 2 이상의 정수일 경우, 복수의 R1은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. n2가 0일 경우, 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 R2로 치환되지 않은 것을 의미할 수 있다. n2가 2 이상의 정수일 경우, 복수의 R2는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 화학식 1에서, Ar1, Ar2, R1, R2 및 X1 중 적어도 어느 하나는 전자 수용체 (Electron Acceptor), 또는 전자 수용체가 치환된 치환기이다. 보다 구체적으로, Ar1, Ar2, R1, R2 및 X1 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 2-1 내지 2-8 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
[화학식 2-3]
[화학식 2-4]
[화학식 2-5]
[화학식 2-6]
[화학식 2-7]
[화학식 2-8]
상기 화학식 2-1 내지 2-8에서, Y1 및 Y2은 각각 독립적으로 N 또는 CR4 이다. Y1 및 Y2 중 적어도 하나는 N이다. Z1은 O, S 또는 NAr10이다. Y1 및 Y2가 모두 N이고 Z1이 O일 경우, 상기 화학식 2-2로 표시되는 치환기는 옥사다이아졸(Oxadiazole) 유도체일 수 있다. Y1 및 Y2가 모두 N이고 Z1이 S일 경우, 상기 화학식 2-2로 표시되는 치환기는 티아다이아졸(Thiadiazole) 유도체일 수 있다. Y1 및 Y2가 모두 N이고 Z1이 NAr10일 경우, 상기 화학식 2-2로 표시되는 치환기는 트리아졸(Triazole) 유도체일 수 있다. Y1 및 Y2 중 어느 하나가 CR4이고 Z1이 O일 경우, 상기 화학식 2-2로 표시되는 치환기는 옥사졸(Oxazole) 유도체일 수 있다. Y1 및 Y2 중 어느 하나가 CR4이고 Z1이 S일 경우, 상기 화학식 2-2로 표시되는 치환기는 티아졸(Thiazole) 유도체일 수 있다. Y1 및 Y2 중 어느 하나가 CR4이고 Z1이 NAr10일 경우, 상기 화학식 2-2로 표시되는 치환기는 이미다졸(imidazole) 유도체일 수 있다.
W1 내지 W5는 각각 독립적으로 N 또는 CR5 이다. W1 내지 W5 중 적어도 하나는 N이다. 예를 들어, W1 내지 W5 중 하나가 N일 수 있고, 이 때 화학식 2-3으로 표시되는 치환기는 치환 또는 비치환된 피리딜기일 수 있다. 또는, W1 내지 W5 중 둘은 N이고, 이 때 화학식 2-3으로 표시되는 치환기는 치환 또는 비치환된 다이아지닐기(diazinyl)일 수 있다. 여기서, 다이아지닐기는 피리다지닐기, 피리미딜기, 또는 피라지닐기 일 수 있다. 또는, W1 내지 W5 중 셋이 N이고, 이 때 화학식 2-3으로 표시되는 치환기는 치환 또는 비치환된 트리아지닐기(triazinyl)일 수 있다. 화학식 2-3으로 표시되는 치환기는 치환 또는 비치환된 1, 3, 5-트리아지닐기일 수 있다.
L1 내지 L8은 각각 독립적으로 직접 결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이다. L1 내지 L8은 각각 독립적으로 직접 결합(direct linkage), 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기일 수 있다.
Ar3 내지 Ar10은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이다. Ar3 내지 Ar10은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐렌기일 수 있다. Ar3 내지 Ar9은 각각 독립적으로 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
R3 내지 R5은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이다. R3 내지 R5은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다. R3 및 R4는 각각 독립적으로 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 화학식 2-2로 표시되는 치환기는 하기 화학식 2-2-1 내지 2-2-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 2-2-1]
[화학식 2-2-2]
[화학식 2-2-3]
[화학식 2-2-4]
[화학식 2-2-5]
[화학식 2-2-6]
상기 화학식 2-2-1 내지 2-2-6에서, L2, R3, R4, 및 Ar10은 앞서 정의한 바와 동일하다.
상기 화학식 2-3으로 표시되는 치환기는 하기 화학식 2-3-1 내지 2-3-3으로 표시될 수 있다.
[화학식 2-3-1]
[화학식 2-3-2]
[화학식 2-3-3]
상기 화학식 2-3-1 내지 2-3-3에서, L3, 및 R5는 앞서 정의한 바와 동일하다.
n10은 0 내지 4의 정수일 수 있다. n11은 0 내지 3의 정수일 수 있다. n12은 0 내지 2의 정수일 수 있다. n10이 0일 경우, 화학식 2-3으로 표시되는 치환기는 R5로 치환되지 않은 것을 의미할 수 있다. n10이 2 이상의 정수일 경우, 복수의 R5은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. n11이 0일 경우, 화학식 2-3으로 표시되는 치환기는 R5로 치환되지 않은 것을 의미할 수 있다. n11이 2 이상의 정수일 경우, 복수의 R5은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. n12이 0일 경우, 화학식 2-3으로 표시되는 치환기는 R5로 치환되지 않은 것을 의미할 수 있다. n12이 2 일 경우, 복수의 R5은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
상기 화학식 3에서, X2는 전자 수용체(Electron Acceptor), 또는 전자 수용체가 치환된 치환기일 수 있다. X2는 상기 화학식 2-1 내지 2-8 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Ar11 및 Ar12는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. Ar11 및 Ar12는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 또는 치환 또는 비치환된 피리미딜기일 수 있다. 또는, Ar11 및 Ar12는 각각 독립적으로 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다. Ar11 및 Ar12는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
R6 및 R7는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. 또는, R11 및 R12는 각각 독립적으로 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다. R11 및 R12는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다.
n3 및 n4는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수일 수 있다. n3이 0일 경우, 화학식 3으로 표시되는 다환 화합물은 R6으로 치환되지 않은 것을 의미할 수 있다. n3이 2 이상의 정수일 경우, 복수의 R6은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. n4가 0일 경우, 화학식 3으로 표시되는 다환 화합물은 R7로 치환되지 않은 것을 의미할 수 있다. n4가 2 이상의 정수일 경우, 복수의 R7는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 화학식 3으로 표시되는 다환 화합물은 하기 화학식 4로 표시될 수 있다.
[화학식 4]
상기 화학식 4에서, Ar11, Ar12, R6, R7, n3, 및 n4은 앞서 정의한 바와 동일하다.
상기 화학식 4에서, n5는 1 내지 4의 정수이다. n5가 1일 경우, 화학식 4로 표시되는 다환 화합물은 전자 공여체(Electron Donor)인 아자저민기(Azagermine) 구조가 하나인 것일 수 있다. n5가 2 내지 4의 정수일 경우, 화학식 4로 표시되는 다환 화합물은 전자 공여체인 아자저민기 구조가 화합물 내에 복수개 포함될 수 있다.
n5가 1일 때, X3는 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 또는 하기 화학식 5-1 또는 5-2로 표시되는 치환기로 치환된 페닐기일 수 있다.
n5가 2 내지 4의 정수일 때, X3는 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 또는 하기 화학식 5-1 또는 5-2로 표시되는 치환기로 치환된 페닐렌기일 수 있다.
[화학식 5-1]
[화학식 5-2]
상기 화학식 5-1에서, Y3 및 Y4는 각각 독립적으로 N 또는 CR9 일 수 있다. Y3 및 Y4 중 적어도 하는 N이다. Z2은 O, S 또는 NAr13일 수 있다. Y3 및 Y4가 모두 N이고 Z2가 O일 경우, 상기 화학식 5-1로 표시되는 치환기는 옥사다이아졸(Oxadiazole) 유도체일 수 있다. Y3 및 Y4가 모두 N이고 Z2가 S일 경우, 상기 화학식 5-1로 표시되는 치환기는 티아다이아졸(Thiadiazole) 유도체일 수 있다. Y3 및 Y4가 모두 N이고 Z2가 NAr13일 경우, 상기 화학식 5-1로 표시되는 치환기는 트리아졸(Triazole) 유도체일 수 있다. Y3 및 Y4 중 어느 하나가 CR8이고 Z2가 O일 경우, 상기 화학식 5-1로 표시되는 치환기는 옥사졸(Oxazole) 유도체일 수 있다. Y3 및 Y4 중 어느 하나가 CR8이고 Z2가 S일 경우, 상기 화학식 5-1로 표시되는 치환기는 티아졸(Thiazole) 유도체일 수 있다 Y3 및 Y4 중 어느 하나가 CR8이고 Z2가 NAr13일 경우, 상기 화학식 5-1로 표시되는 치환기는 이미다졸(imidazole) 유도체일 수 있다. 화학식 5-1로 표시되는 치환기는 아졸(azole) 유도체일 수 있다.
상기 화학식 5-2에서, W6 내지 W10은 각각 독립적으로 N 또는 CR10일 수 있다. W6 내지 W10 중 적어도 하나는 N이다. 예를 들어, W6 내지 W10 중 하나가 N일 수 있고, 이 때 화학식 5-2로 표시되는 치환기는 치환 또는 비치환된 피리딜기일 수 있다. 또는, W6 내지 W10 중 둘은 N이고, 이 때 화학식 5-2으로 표시되는 치환기는 치환 또는 비치환된 다이아지닐기(diazinyl)일 수 있다. 여기서, 다이아지닐기는 피리다지닐기, 피리미딜기, 또는 피라지닐기 일 수 있다. 또는, W6 내지 W10 중 셋이 N이고, 이 때 화학식 5-2로 표시되는 치환기는 치환 또는 비치환된 트리아지닐기(triazinyl)일 수 있다. 화학식 5-2로 표시되는 치환기는 치환 또는 비치환된 1, 3, 5-트리아지닐기일 수 있다. 상기 화학식 3으로 표시되는 다환 화합물은 하기 화학식 6으로 표시될 수 있다.
[화학식 6]
상기 화학식 6에서, Ar11, Ar12, R6, R7, n3, 및 n4은 앞서 정의한 바와 동일하다.
상기 화학식 6에서, L9는 전자 수용체(Electron Acceptor)로 구성된 링커일 수 있다. L9는 치환 또는 비치환된 2가의 카보닐기, 치환 또는 비치환된 2가의 붕소기, 치환 또는 비치환된 2가의 설피닐기, 치환 또는 비치환된 2가의 설포닐기, 치환 또는 비치환된 2가의 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 비치환된 피리딜렌기, 치환 또는 비치환된 2가의 다이아지닐기(diazinyl), 또는 치환 또는 비치환된 2가의 트리아지닐기(triazinyl)일 수 있다. 또는, L9는 하기 화학식 7-1 또는 7-2으로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 7-1]
[화학식 7-2]
상기 화학식 7-1에서, Y5 및 Y6는 각각 독립적으로 N 또는 CR15 일 수 있다. Y5 및 Y6 중 적어도 하는 N이다. Z3은 O, S 또는 NAr16일 수 있다. Y5 및 Y6가 모두 N이고 Z3가 O일 경우, 상기 화학식 7-1로 표시되는 치환기는 옥사다이아졸(Oxadiazole) 유도체일 수 있다. Y5 및 Y6가 모두 N이고 Z3가 S일 경우, 상기 화학식 7-1로 표시되는 치환기는 티아다이아졸(Thiadiazole) 유도체일 수 있다. Y5 및 Y6가 모두 N이고 Z3가 NAr16일 경우, 상기 화학식 7-1로 표시되는 치환기는 트리아졸(Triazole) 유도체일 수 있다. Y5 및 Y6 중 어느 하나가 CR15이고 Z3가 O일 경우, 상기 화학식 7-1로 표시되는 치환기는 옥사졸(Oxazole) 유도체일 수 있다. Y5 및 Y6 중 어느 하나가 CR15이고 Z3가 S일 경우, 상기 화학식 7-1로 표시되는 치환기는 티아졸(Thiazole) 유도체일 수 있다. Y5 및 Y6 중 어느 하나가 CR15이고 Z3가 NAr16일 경우, 상기 화학식 7-1로 표시되는 치환기는 이미다졸(imidazole) 유도체일 수 있다.
상기 화학식 7-2에서, Z4는 O, S 또는 NAr16일 수 있다.
Ar14 내지 Ar16은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. Ar14 내지 Ar16은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다. 또는, Ar14 및 Ar15은 각각 독립적으로 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다. Ar14 및 Ar15은 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
R11 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. R11 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다. 또는, R11 내지 R14는 각각 독립적으로 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 선택되는 어느 하나인 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[화합물군 1]
화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화합물군 2에 표시된 화합물들 중 선택되는 어느 하나인 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[화합물군 2]
화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화합물군 3에 표시된 화합물들 중 선택되는 어느 하나인 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[화합물군 3]
본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 중원자(heavy atom)인 Ge를 포함한 아자저민(Azagermine)기를 전자 공여체(Electron Donor)로 포함하고, 시아노기, 카보닐기, 붕소기, 설피닐기, 설포닐기, 포스핀 옥사이드기, 피리딜기, 다이아지닐기(diazinyl), 트리아지닐기(triazinyl), 또는 아졸기(Azole) 등을 전자 수용체(Electron Acceptor)로 포함한다.
화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 유기 전계 발광 소자에 적용되었을 때, 높은 발광 효율 및 장수명을 확보할 수 있다. 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 중원자(heavy atom)인 Ge를 포함한 아자저민(Azagermine)기를 전자 공여체(Electron Donor)로 포함한다. 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 전자 공여체에 포함된 중원자로 인해, 스핀 궤도 상호 작용(Spin Orbit Coupling)이 증가하여, 일중항-삼중항의 항간 교차가 촉진될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 유기 전계 발광 소자 발광층의 도펀트 재료로 사용되어, 삼중항 여기자의 에너지를 손실 없이 효율적으로 열 활성 지연 형광 발광(TADF) 시킬 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자에 대하여 설명한다. 이하에서는 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물과의 차이점을 위주로 구체적으로 설명하고, 설명되지 않은 부분은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물에 따른다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물을 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자(10)는 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR) 및 제2 전극(EL2)을 포함한다.
제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 화소 전극 또는 양극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)가 투과형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 배치된다. 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 정공 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 또는 정공 수송층(HTL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 정공 주입 물질과 정공 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 정공 수송 영역(HTR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)로부터 차례로 적층된 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL), 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층, 정공 주입층(HIL)/정공 버퍼층, 정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층 또는 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/전자 저지층의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3에 도시된 바와 같이, 정공 수송 영역(HTR)은 복수의 정공 수송층을 가질 수도 있다. 정공 수송 영역(HTR)은 제1 정공 수송층(HTL1) 및 제1 정공 수송층(HTL1) 상에 배치되는 제2 정공 수송층(HTL2)을 포함할 수 있다. 제2 정공 수송층(HTL2)은 복수의 정공 수송층 중 발광층(EML)에 인접한 정공 수송층일 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
정공 주입층(HIL)은 예를 들어, 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물; DNTPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS((Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate)), NPD(N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine), 트리페닐아민을 포함하는 폴리에테르케톤(TPAPEK), 4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium Tetrakis(pentafluorophenyl)borate], HAT-CN(1,4,5,8,9,11-Hexaazatriphenylenehexacarbonitrile) 등을 포함할 수도 있다.
정공 수송층(HTL)은 예를 들어, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸, mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene) 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPD(N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine), TAPC(4,4'-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl) 등을 포함할 수도 있다.
정공 수송 영역(HTR)의 두께는 약 150Å 내지 약 12000Å, 예를 들어, 약 150Å 내지 약 1500Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 모두 포함하면, 정공 주입층(HIL)의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들어, 약 100Å 내지 약 1000Å이고, 정공 수송층(HTL)의 두께는 약 50Å 내지 약 1000Å 일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR), 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(HTR) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트의 비제한적인 예로는, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전술한 바와 같이, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL) 외에, 정공 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 정공 버퍼층은 발광층(EML)에서 방출되는 광의 파장에 따른 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시킬 수 있다. 정공 버퍼층에 포함되는 물질로는 정공 수송 영역(HTR)에 포함될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 전자 저지층은 전자 수송 영역(ETR)으로부터 정공 수송 영역(HTR)으로의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 배치된다. 발광층(EML)은 정공 수송층(HTL) 상에 배치되고, 정공 수송층(HTL)과 접촉하는 것일 수 있다. 발광층(EML)의 두께는 예를 들어, 약 100Å 내지 약 600Å인 것일 수 있다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
이하에서는, 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물이 발광층(EML)에 포함되는 것을 예로 들어 설명한다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 1층 이상의 유기층 중 적어도 하나의 층에 포함될 수도 있다.
발광층(EML)은 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물을 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 발광층(EML)에 하기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
화학식 1에서 X1, Ar1, Ar2, R1, R2, n1, 및 n2에 관한 구체적인 설명은 전술한 바와 동일하므로 생략한다.
화학식 1로 표시되는 다환 화합물에 관한 구체적인 설명은 전술한 설명이 그대로 적용될 수 있는 바, 생략하도록 한다.
발광층(EML)은 레드광, 그린광, 블루광, 화이트광, 옐로우광, 시안광 중 하나를 발광하는 것일 수 있다. 발광층(EML)은 형광 물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 열 활성 지연 형광 발광(TADF)용 재료일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 청색광을 발광하는 열 활성 지연 형광 발광(TADF)용 재료일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 최저 일중항 에너지 준위(S1)와 최저 삼중항 에너지 준위(T1)의 에너지 차(△EST)가 약 0.2eV 이하일 수 있다.
또한, 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다.
발광층(EML)의 호스트 재료로서는, 안트라센(Anthracene) 유도체, 플루오란텐(Fluoranthene) 유도체, 피렌(Pyrene) 유도체, 아릴아세틸렌(Arylacetylene) 유도체, 플루오렌(Fluorene) 유도체, 페릴렌(Perylene) 유도체, 크리센(Chrysene) 유도체, 페난트렌(Phenanthrene) 유도체 등으로부터 선택되고, 바람직하게는, 피렌 유도체, 페릴렌 유도체, 크리센 유도체, 페난트렌 유도체, 안트라센 유도체를 들 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)의 호스트 재료로서, 하기 화학식 8로 표시되는 안트라센 유도체를 사용할 수 있다.
[화학식 8]
화학식 8에서, Y1 내지 Y4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 15 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고, m1 및 m2는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이며, m3 및 m4는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이다. 화학식 8에서, Y3 및 Y4는 각각 독립적으로 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있다.
화학식 8로 표시되는 화합물은 일 예로서, 하기 구조식으로 나타낸 화합물을 들 수 있다. 단, 상기 화학식 8로 표시되는 화합물이 이하에 한정되는 것은 아니다.
호스트는 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(N-vinylcabazole), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene) 등을 포함할 수도 있다.
화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 발광층(EML)의 도펀트 재료로 포함될 수 있다. 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 열 활성 지연 형광 발광(TADF)용 도펀트 재료일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자에서, 도펀트는 화학식 1로 표시되는 다환 화합물 이외에, 공지의 물질을 더 포함할 수도 있다. 도펀트는 예를 들어, 스티릴 유도체(예를 들어, 1,4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene(BCzVB), 4-(di-p-tolylamino)-4’-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene(DPAVB), N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi), 페릴렌 및 그 유도체(예를 들어, 2,5,8,11-Tetra-tert-butylperylene(TBP)), 피렌 및 그 유도체(예를 들어, 1,1-dipyrene, 1,4-dipyrenylbenzene, 1,4-Bis(N, N-Diphenylamino)pyrene) 등의 도펀트를 포함할 수 있다. 도펀트는 ACRSA(10-phenyl-10H,10'H-spiro[acridine-9,9'-anthracen]-10'-one)일 수 있다.
발광층(EML)이 레드광을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, PBD:Eu(DBM)3(Phen)(tris(dibenzoylmethanato)phenanthoroline europium) 또는 퍼릴렌(Perylene)을 포함하는 형광 물질을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 적색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)과 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex), 루브렌(rubrene) 및 그 유도체 및 4-디시아노메틸렌-2-(p-디메틸아미노스티릴)-6-메틸-4H-피란(DCM) 및 그 유도체에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 그린광을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 녹색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, Ir(ppy)3(fac-tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex) 및 쿠머린(coumarin) 및 그 유도체에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 블루광을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, 스피로-DPVBi(spiro-DPVBi), 스피로-6P(spiro-6P), DSB(distyryl-benzene), DSA(distyryl-arylene), PFO(Polyfluorene)계 고분자 및 PPV(poly(p-phenylene vinylene)계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광 물질을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 청색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex), 페릴렌(perylene) 및 그 유도체에서 선택할 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 배치된다. 전자 수송 영역(ETR)은, 정공 저지층, 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 전자 수송 영역(ETR)은 전자 주입층(EIL) 또는 전자 수송층(ETL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 전자 주입 물질과 전자 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 전자 수송 영역(ETR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 발광층(EML)으로부터 차례로 적층된 전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL), 정공 저지층/전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL) 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3에 도시된 바와 같이, 전자 수송 영역(ETR)은 복수의 전자 수송층을 가질 수도 있다. 전자 수송 영역(ETR)은 제1 전자 수송층(ETL1) 및 제1 전자 수송층(ETL1) 상에 배치되는 제2 전자 수송층(ETL2)을 포함할 수 있다. 제1 전자 수송층(ETL1)은 복수의 전자 수송층 중 발광층(EML)에 인접한 전자 수송층일 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
전자 수송층(ETL)은 예를 들어, Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazolyl-1-ylphenyl)-9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), DPEPO(bis[2-(diphenylphosphino)phenyl]ether oxide) 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층(ETL)들의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들어 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 전자 수송층(ETL)들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL)을 포함할 경우, Al, Ag, Li, Mg 및 Ca 등의 금속 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 전자 주입층(EIL)에는 LiF, LiQ(Lithium quinolate), Li2O, BaO, NaCl, CsF, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또는 RbCl, RbI와 같은 할로겐화 금속 등이 사용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 주입층(EIL)은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다. 전자 주입층(EIL)들의 두께는 약 10Å 내지 약 100Å 일 수 있다. 전자 주입층(EIL)들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 앞서 언급한 바와 같이, 정공 저지층을 포함할 수 있다. 정공 저지층은 예를 들어, BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 배치된다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극 또는 음극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)가 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
도시하지는 않았으나, 제2 전극(EL2)은 보조 전극과 연결될 수 있다. 제2 전극(EL2)가 보조 전극과 연결되면, 제2 전극(EL2)의 저항을 감소 시킬 수 있다.
유기 전계 발광 소자(10)에서, 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2)에 각각 전압이 인가됨에 따라 제1 전극(EL1)으로부터 주입된 정공(hole)은 정공 수송 영역(HTR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동되고, 제2 전극(EL2)로부터 주입된 전자가 전자 수송 영역(ETR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동된다. 전자와 정공은 발광층(EML)에서 재결합하여 여기자(exciton)을 생성하며, 여기자가 여기 상태에서 바닥 상태로 떨어지면서 발광하게 된다.
유기 전계 발광 소자(10)가 전면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 반사형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극일 수 있다. 유기 전계 발광 소자(10)가 배면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 반사형 전극일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 포함하여, 높은 발광 효율 및 장수명을 확보할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 발광층의 도펀트 재료로 사용되어, 유기 전계 발광 소자의 높은 발광 효율을 구현할 수 있다. 구체적으로, 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 중원자(heavy atom)인 Ge를 포함한 아자저민(Azagermine)기를 전자 공여체(Electron Donor)로 포함하고, 전자 공여체에 포함된 중원자로 인해, 스핀 궤도 상호 작용(Spin Orbit Coupling)이 증가하여, 일중항-삼중항의 항간 교차가 촉진될 수 있다. 따라서, 이를 도펀트 재료로 사용하는 유기 전계 발광 소자는 삼중항 여기자의 에너지를 손실 없이 효율적으로 열 활성 지연 형광 발광(TADF) 시킬 수 있다.
이하, 구체적인 제조 방법, 실시예 및 비교예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시에 불과하며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 예를 들어 하기와 같이 합성할 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
(합성예)
1. 화합물 11의 합성
(화합물 A의 합성)
아르곤(Ar) 분위기 하, 1000mL 삼구플라스크에 Benzylbis(2-bromophenyl)amine 12.5g(30.0 mmol)을 탈수 THF 용액 300 mL에 더해 -78℃로 교반했다. 더하여, 1.6 M의 n-BuLi의 Hexane용액 37.5 mL(60.0 mmol)를 적하하여, 2시간 교반하였다. 여기에 Diphenyldichlorogerman 6.3mL(30.0 mmol) 탈수 THF용액 30mL를 적하하여 -78℃에서 ２시간 교반한 후, 실온에서 3시간 교반했다. 반응 후, 이 혼합액을 물로 세정했다. 얻어진 유기상을 농축하여, 점성의 물질을 얻었다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체의 화합물 A를 9.00g(수율 62％) 얻었다. FAB－MS 측정에 의해 측정된 화합물 A의 분자량은 485이었다.
(화합물 B의 합성)
아르곤(Ar) 분위기 하, 1000mL 삼구플라스크에 Pd black 2.97g(18.6 mmol)과 화합물 A 9.00g(18.6 mmol)를 탈수 dichloromethane용액 350 mL에 더했다. 여기에, 플라스크 내부를 수소(H2-) 분위기 하에서, 실온에서 12시간 교반했다. 이것을 물로 세정, 얻어진 유기상을 농축하여, 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체의 화합물 B를 3.37g（수율 46％）얻었다. FAB－MS 측정에 의해 측정된 화합물 B의 분자량은 395이었다.
(화합물 11의 합성)
아르곤(Ar) 분위기 하, 100mL 삼구플라스크에 화합물 B 3.16g (8.0 mmol)과 4,6-Bis(4-bromophenyl)pyrimidine 1.56 g (4.0 mmol), Pd2(dba)3 0.183g (0.20 mmol), (tBu)3P 0.162g (0.80 mmol), Sodium tert-butoxide 0.769g (8.0 mmol)을 더해서, 16 mL 톨루엔 용매중에서 80℃로 12시간 교반했다. 공냉 후, 물을 더하여 유기층을 분취해 용매를 감압 증발시켰다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체의 화합물 11을 2.35g（수율58％）얻었다. FAB-MS 측정으로 측정 된 화합물 12의 분자량은, 1018였다. 또한, 1H-NMR 측정에서 측정된 화합물의 케미컬 시프트(chemical shift) 값은 [9.26 (1H), 7.74-7.67 (5H), 7.38-7.28 (32H), 7.18 (4H), 7.01 (4H)] 이었다. 상기 결과를 통해, 백색 고체의 화합물이 화합물 11임을 확인할 수 있었다.
2. 화합물 25의 합성
전술한 화합물 11의 합성 방법에서와 같이 화합물 B를 합성하였다. 아르곤(Ar) 분위기 하, 100 mL의 삼구플라스크에 화합물 B 3.16g (8.0 mmol)과 4,4'-Dibromobenzophenone 1.36g (4.0 mmol), Pd2(dba)3 0.183g (0.20 mmol), (tBu)3P 0.162 g (0.80 mmol)、 Sodium tert-butoxide 0.769g (8.0 mmol)을 더해, 16 mL 톨루엔 용매중에서 80℃로 12시간 교반했다. 공냉 후, 물을 더하여 유기층을 분취해 용매를 감압 증발시켰다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체의 화합물 25를 2.01g (수율52％) 얻었다. FAB-MS 측정으로 측정 된 화합물 25의 분자량은, 968였다. 또한, 1H-NMR 측정에서 측정된 화합물의 케미컬 시프트(chemical shift) 값은 [7.71 (4H), 7.37-7.27 (32H), 7.18 (4H), 7.01 (4H)] 이었다. 상기 결과를 통해, 백색 고체의 화합물이 화합물 25임을 확인할 수 있었다.
3. 화합물 39의 합성
전술한 화합물 11의 합성 방법에서와 같이 화합물 B를 합성하였다. 이후, 아르곤(Ar) 분위기 하, 100 mL의 삼구플라스크에 화합물 B 3.16g (8.0 mmol)과 3-bromo-10-[2,4,6-tris(1-methylethyl)phenyl]- 10H-Phenoxaborin 3.69 g (8.0 mmol), Pd2(dba)3 0.183g (0.20 mmol), (tBu)3P 0.162 g (0.80 mmol)、 Sodium tert-butoxide 0.769g (8.0 mmol)을 더해, 16 mL 톨루엔 용매중에서 80℃로 12시간 교반했다. 공냉 후, 물을 더하여 유기층을 분취해 용매를 감압 증발시켰다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체의 화합물 39를 5.15g (수율83％) 얻었다. FAB-MS 측정으로 측정 된 화합물 39의 분자량은, 775였다. 또한, 1H-NMR 측정에서 측정된 화합물의 케미컬 시프트(chemical shift) 값은 [7.72-7.66 (2H), 7.37-7.28 (17H), 7.18 (2H), 7.08-6.99 (4H), 6.91-6.85 (2H), 2.89-2.86 (3H), 1.21-1.17 (18H)] 이었다. 상기 결과를 통해, 백색 고체의 화합물이 화합물 39임을 확인할 수 있었다.
4. 화합물 49의 합성
전술한 화합물 11의 합성 방법에서와 같이 화합물 B를 합성하였다. 이후, 아르곤(Ar) 분위기 하, 100 mL의 삼구플라스크에 화합물 B 3.16g (8.0 mmol)과 1,1'-Sulfonylbis[4-bromobenzene] 1.50g (4.0 mmol), Pd2(dba)3 0.183g (0.20 mmol), (tBu)3P 0.162 g (0.80 mmol)、 Sodium tert-butoxide 0.769g (8.0 mmol)을 더해, 16 mL 톨루엔 용매중에서 80℃로 12시간 교반했다. 공냉 후, 물을 더하여 유기층을 분취해 용매를 감압 증발시켰다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체의 화합물 49를 1.81g (수율45％) 얻었다. FAB-MS 측정으로 측정 된 화합물 49의 분자량은, 1004였다. 또한, 1H-NMR 측정에서 측정된 화합물의 케미컬 시프트(chemical shift) 값은 [7.62 (4H), 7.37-7.28 (32H), 7.18 (4H), 7.01 (4H)] 이었다. 상기 결과를 통해, 백색 고체의 화합물이 화합물 49임을 확인할 수 있었다.
(실험예)
(소자 작성예)
상술한 화합물 11, 25, 39, 및 49를 발광층 도펀트 재료로 사용하여 실시예 1 내지 4의 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
[실시예 화합물]
하기 비교예 화합물 c1 내지 c5를 비교예 소자 작성에 사용하였다.
[비교예 화합물]
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 9의 유기 전계 발광 소자는 ITO로 120nm 두께의 제1 전극을 형성하고, HAT-CN(1,4,5,8,9,11-Hexaazatriphenylenehexacarbonitrile)으로 10nm 두께의 정공 주입층을 형성하고, NPD(N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine)로 80nm 두께의 제1 정공 수송층을 형성하고, mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene)로 5nm 두께의 제2 정공 수송층을 형성하고, DPEPO(bis[2-(diphenylphosphino)phenyl]ether oxide)에 실시예 화합물 또는 비교예 화합물을 20% 도프한 20nm 두께의 발광층을 형성하고, DPEPO(bis[2-(diphenylphosphino)phenyl]ether oxide)로 10nm 두께의 제1 전자 수송층을 형성하고, TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)로 30nm 두께의 제2 전자 수송층을 형성하고, LiF로 0.5nm 두께의 전자 주입층을 형성하고, Al 로 100nm 두께의 제2 전극을 형성하였다. 각 층은 진공 분위기 하에서 증착법에 의해 형성하였다.
(실험예)
상술한 실험예 화합물 11, 25, 39, 49 및 비교예 화합물 c1 내지 c9으로 제작한 유기 전계 발광 소자의 발광 파장, 외부 양자 효율(EQE), 및 반감 수명을 평가하였다. 평가 결과를 하기 표 1에 나타낸다. 각 실시예 및 비교예의 외부 양자 효율은 10 mA/cm2의 전류 밀도에서의 측정값이고, 반감 수명은 초기 휘도 100cd/m2부터의 휘도 반감 시간을 측정하였다.
| 소자작성예 | 도펀트 | 발광 파장 (nm) |
외부 양자 효율 (%) |
수명 LT50(h) |
| 실시예 1 | 실시예 화합물 11 | 460 | 10.8 | 29.2 |
| 실시예 2 | 실시예 화합물 25 | 466 | 14.0 | 33.4 |
| 실시예 3 | 실시예 화합물 39 | 447 | 12.0 | 8.7 |
| 실시예 4 | 실시예 화합물 49 | 433 | 10.1 | 12.1 |
| 비교예 1 | 비교예 화합물 c1 | 500 | 8.0 | 16.0 |
| 비교예 2 | 비교예 화합물 c2 | 506 | 10.8 | 19.9 |
| 비교예 3 | 비교예 화합물 c3 | 488 | 8.8 | 4.7 |
| 비교예 4 | 비교예 화합물 c4 | 477 | 9.2 | 10.0 |
| 비교예 5 | 비교예 화합물 c5 | 476 | 9.4 | 23.4 |
| 비교예 6 | 비교예 화합물 c6 | 426 | 0.9 | 9.8 |
| 비교예 7 | 비교예 화합물 c7 | 448 | 5.7 | 1.9 |
| 비교예 8 | 비교예 화합물 c8 | 424 | 0.2 | 0.2 |
| 비교예 9 | 비교예 화합물 c9 | 459 | 10.8 | 2.4 |
상기 표 1의 결과를 참조하면, 실시예 1 내지 실시예 4는 비교예 1 내지 비교예 9에 비하여 발광 효율 및 소자 수명이 향상되었음을 알 수 있다. 보다 구체적으로, 실시예 1 내지 실시예 4는 유사한 구조의 도펀트 재료를 포함하는 비교예 1 내지 비교예 4 각각으로부터 유사한 파장의 빛을 발광하면서도, 발광 효율 및 소자 수명이 향상되었다. 또한, 아자실린기, 카바졸기 등을 포함하는 도펀트 재료를 포함하는 비교예 5 내지 8에 비해서도 발광 효율 및 소자 수명이 향상되었으며, 저민(germine)에 알킬기가 치환된 도펀트 재료를 포함하는 비교예 9에 비해서도 발광 효율 및 소자 수명이 향상되었다.
실시예 1 내지 실시예 4에 포함된 실시예 화합물들은 중원자(heavy atom)인 Ge를 포함한 아자저민(Azagermine)기를 전자 공여체(Electron Donor)로 포함한다. 따라서, 전자 공여체에 포함된 중원자로 인해, 스핀 궤도 상호 작용(Spin Orbit Coupling)이 증가하여, 일중항-삼중항의 항간 교차가 촉진될 수 있다. 따라서, 이를 도펀트 재료로 사용하는 유기 전계 발광 소자는 삼중항 여기자의 에너지를 손실 없이 효율적으로 열 활성 지연 형광 발광(TADF) 시킬 수 있어, 유기 전계 발광 소자의 고효율화 및 장수명화가 가능할 수 있다.
비교예 1에 포함된 비교예 화합물 c1은 실시예 화합물 11과 구조가 유사하나, 전자 공여체로 아자저민이 아닌 아크리딘(acridine)을 포함한다. 이에 따라, Ge에 의한 중원자 효과를 구현할 수 없어, 비교예 1이 실시예 1에 비해 발광 효율 및 소자 수명이 떨어진다.
비교예 2에 포함된 비교예 화합물 c2, 비교예 5에 포함된 비교예 화합물 c5, 및 비교예 7에 포함된 비교예 화합물 c7은 실시예 화합물 25와 구조가 유사하나, 각각 전자 공여체로 아자저민이 아닌 아크리딘, 아자실린, 카바졸 등을 포함한다. 이에 따라, Ge에 의한 중원자 효과를 구현할 수 없어, 비교예 2, 5, 및 7이 실시예 2에 비해 발광 효율 및 소자 수명이 떨어진다.
비교예 3에 포함된 비교예 화합물 c3은 실시예 화합물 39와 구조가 유사하나, 전자 공여체로 아자저민이 아닌 아크리딘을 포함한다. 이에 따라, Ge에 의한 중원자 효과를 구현할 수 없어, 비교예 3이 실시예 3에 비해 발광 효율 및 소자 수명이 떨어진다.
비교예 4에 포함된 비교예 화합물 c4, 비교예 6에 포함된 비교예 화합물 c6, 비교예 8에 포함된 비교예 화합물 c8은 실시예 화합물 49와 구조가 유사하나, 각각 전자 공여체로 아자저민이 아닌 아크리딘, 아자실린, 및 카바졸 등을 포함한다. 이에 따라, Ge에 의한 중원자 효과를 구현할 수 없어, 비교예 4, 6, 및 8이 실시예 4에 비해 발광 효율 및 소자 수명이 떨어진다.
비교예 9에 포함된 비교예 화합물 c9는 아자저민을 전자 공여체로 포함하나, Ge 에 치환된 치환기가 아릴기가 아닌 알킬기이다. 이에 따라, 아자저민기의 안정성이 감소하여, 실시예에 비해 비교예 9의 발광 효율 및 소자 수명이 떨어진다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 유기 전계 발광 소자 EL1: 제1 전극
HTR: 정공 수송 영역 EML: 발광층
ETR: 전자 수송 영역 EL2: 제2 전극
HTL: 정공 수송층 HTL1: 제1 정공 수송층
HTL2: 제2 정공 수송층
HTR: 정공 수송 영역 EML: 발광층
ETR: 전자 수송 영역 EL2: 제2 전극
HTL: 정공 수송층 HTL1: 제1 정공 수송층
HTL2: 제2 정공 수송층
Claims (19)
- 하기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
X1은 하기 화학식 2-3 내지 화학식 2-5, 및 화학식 2-7 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 2-3]
[화학식 2-4]
[화학식 2-5]
[화학식 2-7]
상기 화학식 2-3 내지 화학식 2-5, 및 화학식 2-7에서,
W1 내지 W5는 각각 독립적으로 N 또는 CR5 이고, W1 내지 W5 중 적어도 하나는 N이고,
L3 내지 L5, 및 L7은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐렌기이고,
Ar3 내지 Ar5, 및 Ar7은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다. - 제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 다환 화합물:
[화학식 3]
상기 화학식 3에서,
X2는 상기 화학식 2-3 내지 화학식 2-5, 및 화학식 2-7 중 어느 하나로 표시되고,
Ar11 및 Ar12는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기이고,
R6 및 R7는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
n3 및 n4는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다. - 제2항에 있어서,
상기 L3 내지 L5, 및 L7은 치환 또는 비치환된 페닐렌기인 다환 화합물. - 제2항에 있어서,
상기 화학식 3으로 표시되는 다환 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 다환 화합물:
[화학식 4]
상기 화학식 4에서,
n5는 1 내지 4의 정수이고,
n5가 1일 때,
X3는 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 또는 하기 화학식 5-2로 표시되는 치환기로 치환된 페닐기이고,
n5가 2 내지 4의 정수일 때,
X3는 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 또는 하기 화학식 5-2로 표시되는 치환기로 치환된 페닐렌기이고,
Ar11, Ar12, R6, R7, n3, 및 n4은 청구항 2에서 정의한 바와 동일하다.
[화학식 5-2]
상기 화학식 5-2에서,
W6 내지 W10는 각각 독립적으로 N 또는 CR10 이고, W6 내지 W10 중 적어도 하나는 N이고,
R10은 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이다. - 제2항에 있어서,
상기 화학식 3으로 표시되는 다환 화합물은 하기 화학식 6으로 표시되는 다환 화합물:
[화학식 6]
상기 화학식 6에서,
L9는 치환 또는 비치환된 2가의 카보닐기, 치환 또는 비치환된 2가의 붕소기, 치환 또는 비치환된 2가의 설포닐기, 치환 또는 비치환된 비치환된 피리딜렌기, 치환 또는 비치환된 2가의 다이아지닐기(diazinyl), 또는 치환 또는 비치환된 2가의 트리아지닐기(triazinyl)이고,
Ar14 및 Ar15은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기이고,
R11 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
n6 내지 n9는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,
Ar11, Ar12, R6, R7, n3, 및 n4은 청구항 2에서 정의한 바와 동일하다. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 X1은 하기 화학식 2-3-1 내지 2-3-3 중 어느 하나로 표시되는 다환 화합물:
[화학식 2-3-1]
[화학식 2-3-2]
[화학식 2-3-3]
상기 화학식 2-3-1 내지 2-3-3에서,
n10은 0 내지 4의 정수이고,
n11은 0 내지 3의 정수이고,
n12은 0 내지 2의 정수이고,
L3, 및 R5은 청구항 1에서 정의한 바와 동일하다. - 제1항에 있어서,
상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 메틸기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기인 다환 화합물. - 제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 선택되는 어느 하나인 것인 다환 화합물:
[화합물군 1]
. - 삭제
- 삭제
- 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치된 정공 수송 영역;
상기 정공 수송 영역 상에 배치된 발광층;
상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역; 및
상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극을 포함하고,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 독립적으로, Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, In, Zn, 및 Sn 로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나, 이들 중 선택되는 둘 이상의 화합물, 이들 중 선택되는 둘 이상의 혼합물, 또는 이들 중 선택되는 하나 이상의 산화물을 포함하고,
상기 발광층은
하기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 포함하는 것인 유기 전계 발광 소자:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
X1은 하기 화학식 2-3 내지 화학식 2-5, 및 화학식 2-7 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 2-3]
[화학식 2-4]
[화학식 2-5]
[화학식 2-7]
상기 화학식 2-3 내지 화학식 2-5, 및 화학식 2-7에서,
W1 내지 W5는 각각 독립적으로 N 또는 CR5 이고, W1 내지 W5 중 적어도 하나는 N이고,
L3 내지 L5, 및 L7은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐렌기이고,
Ar3 내지 Ar5, 및 Ar7은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다. - 제12항에 있어서,
상기 발광층은
호스트 및 도펀트를 포함하고,
상기 도펀트는
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자. - 제12항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은
최저 일중항 에너지 준위(S1)와 최저 삼중항 에너지 준위(T1)의 에너지 차(△EST)가 0.2eV 이하인 유기 전계 발광 소자. - 제12항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 유기 전계 발광 소자:
[화학식 3]
상기 화학식 3에서,
X2는 상기 화학식 2-3 내지 화학식 2-5, 및 화학식 2-7 중 어느 하나로 표시되고,
Ar11 및 Ar12는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기이고,
R6 및 R7는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
n3 및 n4는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다. - 제15항에 있어서,
상기 L3 내지 L5, 및 L7은 치환 또는 비치환된 페닐렌기인 유기 전계 발광 소자. - 제15항에 있어서,
상기 화학식 3으로 표시되는 다환 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 유기 전계 발광 소자:
[화학식 4]
상기 화학식 4에서,
n5는 1 내지 4의 정수이고,
n5가 1일 때,
X3는 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 또는 하기 화학식 5-2로 표시되는 치환기로 치환된 페닐기이고,
n5가 2 내지 4의 정수일 때,
X3는 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 또는 하기 화학식 5-2로 표시되는 치환기로 치환된 페닐렌기이고,
Ar11, Ar12, R6, R7, n3, 및 n4은 청구항 2에서 정의한 바와 동일하다.
[화학식 5-2]
상기 화학식 5-2에서,
W6 내지 W10는 각각 독립적으로 N 또는 CR10 이고, W6 내지 W10 중 적어도 하나는 N이고,
R10은 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이다. - 제15항에 있어서,
상기 화학식 3으로 표시되는 다환 화합물은 하기 화학식 6으로 표시되는 유기 전계 발광 소자:
[화학식 6]
상기 화학식 6에서,
L9는 치환 또는 비치환된 2가의 카보닐기, 치환 또는 비치환된 2가의 붕소기, 치환 또는 비치환된 2가의 설포닐기, 치환 또는 비치환된 비치환된 피리딜렌기, 치환 또는 비치환된 2가의 다이아지닐기(diazinyl), 또는 치환 또는 비치환된 2가의 트리아지닐기(triazinyl)이고,
Ar14 및 Ar15은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기이고,
R11 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 치환 또는 비치환된 카보닐기, 치환 또는 비치환된 니트로기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 포스핀 설파이드기, 치환 또는 비치환된 설피닐기, 치환 또는 비치환된 설포닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
n6 내지 n9는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,
Ar11, Ar12, R6, R7, n3, 및 n4은 청구항 2에서 정의한 바와 동일하다. - 제12항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화합물군 1 에 표시된 화합물들 중 선택되는 어느 하나인 것인 유기 전계 발광 소자:
[화합물군 1]
.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170109649A KR102472171B1 (ko) | 2017-08-29 | 2017-08-29 | 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| US16/033,287 US11254694B2 (en) | 2017-08-29 | 2018-07-12 | Polycyclic compound and organic electroluminescence device including the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170109649A KR102472171B1 (ko) | 2017-08-29 | 2017-08-29 | 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190025127A KR20190025127A (ko) | 2019-03-11 |
| KR102472171B1 true KR102472171B1 (ko) | 2022-11-30 |
Family
ID=65433897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170109649A KR102472171B1 (ko) | 2017-08-29 | 2017-08-29 | 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11254694B2 (ko) |
| KR (1) | KR102472171B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2020050162A1 (ja) * | 2018-09-03 | 2021-09-16 | 国立大学法人大阪大学 | 有機ｅｌ材料および有機ｅｌデバイス |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3079414A (en) | 1959-09-18 | 1963-02-26 | Tamborski Christ | Method of preparing heterocyclic compounds containing metals or metalloids |
| JP3518047B2 (ja) | 1995-05-02 | 2004-04-12 | 凸版印刷株式会社 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JP3620186B2 (ja) | 1996-12-12 | 2005-02-16 | 凸版印刷株式会社 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| US7279704B2 (en) * | 2004-05-18 | 2007-10-09 | The University Of Southern California | Complexes with tridentate ligands |
| KR100679724B1 (ko) | 2004-10-13 | 2007-02-07 | 주식회사 두산 | 전계 발광 소자용 발색 화합물 및 이를 포함하는 유기전계 발광소자 |
| US20070116984A1 (en) * | 2005-09-21 | 2007-05-24 | Doosan Corporation | Spiro-compound for electroluminescent display device and electroluminescent display device comprising the same |
| KR102215780B1 (ko) * | 2013-02-15 | 2021-02-17 | 에스에프씨주식회사 | 신규한 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR102127368B1 (ko) * | 2013-02-15 | 2020-06-30 | 에스에프씨주식회사 | 신규한 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR102197019B1 (ko) | 2013-02-22 | 2020-12-31 | 에스에프씨주식회사 | 신규한 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR102104329B1 (ko) | 2013-03-05 | 2020-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동 모듈, 이를 포함하는 표시 장치 및 이를 이용한 표시 패널의 구동 방법 |
| US8927749B2 (en) * | 2013-03-07 | 2015-01-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| JP6196791B2 (ja) * | 2013-03-18 | 2017-09-13 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| KR101769764B1 (ko) * | 2014-12-17 | 2017-08-22 | 경상대학교산학협력단 | 신규한 유기반도체 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자 |
| US9879039B2 (en) | 2015-06-03 | 2018-01-30 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Tetradentate and octahedral metal complexes containing naphthyridinocarbazole and its analogues |
| WO2017018326A1 (ja) | 2015-07-24 | 2017-02-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| KR102651014B1 (ko) * | 2016-05-26 | 2024-03-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 함질소 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
-
2017
- 2017-08-29 KR KR1020170109649A patent/KR102472171B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-07-12 US US16/033,287 patent/US11254694B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190025127A (ko) | 2019-03-11 |
| US11254694B2 (en) | 2022-02-22 |
| US20190062354A1 (en) | 2019-02-28 |
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|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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