JP7077950B2 - 有機ボラン錯体、有機ボラン含有組成物及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Description
また、ホウ素原子は、この三つのSP2軌道に等価の電子がそれぞれ一つずつ(計三つ)配置されることで、炭素や酸素、窒素などの元素と共有結合を形成することが可能となり、あたかも3価の置換基のように取り扱うこともできる元素である。一方で、一つ余った空の2P軌道があることから、当然、ホウ素含有化合物は電子欠乏性を示すこととなる。
したがって、ホウ素原子と三つのアリールがホウ素-炭素結合を介して結合したトリアリールボラン系化合物は、基本的にこのホウ素原子の電子欠乏性的な性質により電子を受け入れやすく、非共有電子対を有する化合物や金属、すなわち、配位結合性の物質と相互作用や化学反応(以下、錯形成とも称する。)を起こしやすい。この時、ホウ素とアリール基との結合はSP3軌道となる。
また、トリアリールボランの安定性を向上させるために、トリアリールボランのホウ素原子の周りを、アルキル基やアリール基で立体的に嵩高くする方法が知られている(例えば、特許文献2参照。)。このような方法は、安定性は向上するが、トリアリールボラン系化合物と錯形成する配位結合性の物質の種類を広げるという観点からは改善の余地があった。
以上のように、従来の技術ではトリアリールボランを構成要素とする有機ボラン錯体の分子設計において、錯形成のしやすさと化合物の安定性がトレードオフの関係にあった。
その結果、立体障害が小さく、電子供与性の2価の原子で架橋されたトリアリールボランを構成要素とすることで、非共有電子対を有する化合物や金属又は金属化合物等との配位結合を形成し得る物質との有機ボラン錯体の安定性が向上することを見いだし、本発明に至った。
すなわち、本発明の上記課題は、下記の手段により解決される。
これらの特性は、トリアリールボランにおいて、アリール基の架橋基として酸素原子又は硫黄原子がホウ素原子周辺に存在することが重要だと考えている。すなわち、該トリアリールボランと非共有電子対を有する化合物や金属との有機ボラン錯体の合成にあたって、非共有電子対を有する化合物や金属が該トリアリールボランと反応する際に、大きな立体障害がなく容易に接近して配位結合を形成できるものと考えている。更には、ホウ素原子と三つのアリール基のホウ素-炭素結合が強化され、該有機ボラン錯体が熱、水分、又は酸素による分解を受けにくくなったためであると推察している。
この特徴は、下記実施態様に係る発明に共通する又は対応する技術的特徴である。
また、前記化合物B3で表される構造を有するトリアリールボランと、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン(DABCO)又はピリジン(PY)とが配位結合した、下記に表されるB3-DABCO-B3又はB3-PYであることが好ましい。
本発明の有機ボラン錯体は、三つのアリール基とホウ素原子がホウ素-炭素結合を介して結合したトリアリールボランを構成要素(ビルディングブロック)としている。
このトリアリールボラン中の前記三つのアリール基のそれぞれ隣り合うアリール基同士の少なくとも二つの組み合わせは、立体障害が小さく、かつ電子供与性の2価の原子で架橋されている。さらに、このトリアリールボランが有機ボラン錯体を形成するにあたり、ホウ素原子の空の2P軌道に対して、非共有電子対を有する化合物や金属から電子が供給されることで、配位結合を形成する。なお、ここでいう配位結合とは、結合を形成する二つの原子の一方からのみ結合電子が分子軌道に提供される化学結合であることを意味する。
そこで、本発明に係る一般式(1)で表される構造を有するトリアリールボランの、ホウ素原子の空の2P軌道に対して電子を供給できる物質を原料として用いた有機ボラン錯体は、本質的に本発明と同じ技術思想に則った化合物であるため、本発明の化合物と一義的に決めることができる。
以下に、本発明に係る下記一般式(1)で表される構造を有するトリアリールボランについて説明する。
X3及びX4が表す置換基としては、例えば、鎖状アルキル基、環状アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、エステル基、スルホン酸エステル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、芳香族炭化水素環基、又は芳香族複素環基を挙げることができる。
鎖状アルキル基としては、直鎖でも分岐していても良い。例えば直鎖状アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基又はヘキシル基等が挙げられる。
分枝状アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロプロピルメチル基、シクロプロピルエチル基、シクロブチルメチル基、シクロブチルエチル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロヘキシルメチル基、又はシクロヘキシルエチル基などを挙げることができる。
環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基又はシクロヘプチル基等を挙げることができる。
芳香族炭化水素環基としては、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等を挙げることができる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基等を挙げることができる。
アリールオキシ基としては、フェノキシ基、ナフトキシ基等を挙げることができる。
エステル基としては、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基等を挙げることができる。
スルホン酸エステル基としては、メタンスルホン酸エステル基、トリフルオロメタンスルホン酸エステル基、ベンゼンスルホン酸エステル基等を挙げることができる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等を挙げることができる。
芳香族複素環基としては、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4-トリアゾール-1-イル基、1,2,3-トリアゾール-1-イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す。)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等を挙げることができる。
これらの置換基は、任意の位置にさらに置換基を有していても良く、例えば、フェニル基、ピリジル基、ピロール基、チエニル基、フリル基、イミダゾリル基、ピリミジル基、ピラジル基、ピリダジル基、トリアジニル基などの芳香族基、及びそれらがさらに縮合した縮合芳香族基(例えば、ナフチル基、キノリル基、イミダゾリル基、インドロイミダゾリル基、イミダゾイミダゾリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、アザジベンゾフリル基、ベンズイミダゾリル基、キナゾリル基、ベンゾピラジニル基、など)、アルキル、分岐アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル等の脂肪族基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アミノ基、カルボニル基、アシル基、エステル基、ウレイド基、ウレタン基、などの置換基、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子等が挙げられる。
前記一般式(1)において、R1~R3は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、該置換基としては、前記X3及びX4で説明した置換基と同様の基を挙げることができる。
前記一般式(1)において、p、q及びrは、それぞれ独立に1~3の整数を表す。p、q及びrが2又は3の場合、複数のR1~R3は、各々同じであっても異なっていてもよい。
R1~R3が表す置換基としては、例えば、前記一般式(1)におけるR1~R3が表す置換基と同様の基を挙げることができる。これらの置換基は、任意の位置にさらに置換基を有していても良い。
p、q及びrが2又は3の場合、複数のR1~R3は各々同じであっても異なっていてもよい。
以下に、本発明に係る前記一般式(1)又は一般式(2)で表される構造を有するトリアリールボランの一例を示す。
前記一般式(1)又は一般式(2)で表される構造を有するトリアリールボランをビルディングブロックとする有機ボラン錯体について説明する。
ビルディングブロックとは、本発明の有機ボラン錯体の構成要素であることを意味する。
トリアリールボランをビルディングブロックとした有機ボラン錯体とは、一般式(1)で表される構造を有するトリアリールボランと、配位結合を形成し得る物質との反応により形成された錯体を意味する。
配位結合を形成し得る物質(X)とは、非共有電子対を有する化合物や金属又は金属化合物であることが好ましい。具体的には、アミン類(例えば、トリメチルアミン等のトリアルキルアミン類、ジエチルアミン等のジアルキルアミン類、ジメチルフェニルアミン等のアリールジアルキルアミン等、トリフェニルアミン等のトリアリールアミン類、ピペリジン、ピペラジン等の環状アミン類等)、芳香族複素環化合物(例えば、ピリジン、ピリミジン、アザカルバゾール、アザジベンゾフラン、イミダゾール、ピラゾール、ピロール、トリアゾール、オキサジアゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、チアジアゾール等)、オキシド類(例えば、ホスフィンオキシド、ピリジンやトリアルキルアミンのN-オキシド、スルホキシド等)、典型金属原子、遷移金属原子、及びそのイオン、ハロゲンイオン(フッ素イオン、塩素イオン等)、4配位平面錯体(例えば、プラチナオルトメタル錯体、ニッケル錯体、亜鉛錯体等)等を挙げることができる。
すなわち、本発明の有機ボラン錯体は、前記一般式(1)で表される構造を有するトリアリールボランと、非共有電子対を有する化合物、金属又は金属化合物とを、構成成分として含むことが好ましい。
さらに、本発明の有機ボラン錯体が第三の成分と相互作用した化合物も本発明に含めることができる。例えば、本発明の有機ボラン錯体から成るアート錯体と金属陽イオン(例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン)との塩、本発明の有機ボラン錯体がフラーレン(例えば、C60、C70等)を包摂した化合物、及び該包摂体が超分子様に連なった化合物を挙げることができる。
本発明に係るトリアリールボランとして前記例示化合物B3を用いて、有機ボラン錯体を説明する。
本発明に係るトリアリールボランは、ホウ素原子はSP2軌道を介する結合で3個のアリール基と結合すると当時に、ホウ素原子上に空の2P軌道を有する。したがって、下記のように、例示化合物B3は円盤状の構造となる。
本発明の有機ボラン錯体の合成において用いられる溶媒としては、アルコール系、エステル系、エーテル系、ケトン系、ハロゲン系、ニトリル系、アミド系、芳香族炭化水素系等の各種溶媒、及びそれらを組み合わせた溶媒を併せて用いることができる。具体的には、メタノール、エタノール、イソプロパノール、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、アセトン、ジクロロメタン、アセトニトリル、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド及びトルエン等を挙げることができる。
用いる溶媒の量は、特に限定されないが、原料に対し重量で200倍までの範囲で用いることが好ましく、5~50倍の範囲で用いることがより好ましい。
本発明においては、反応温度は0~120℃の範囲内であるのが好ましく、室温付近(15~30℃)であることがより好ましい。
本発明の有機ボラン錯体の合成において、トリアリールボランのホウ素原子に換算したモル数に対して、0.9~1.2モル当量の範囲内の配位結合を形成し得る物質を用いることが好ましく、1.0~1.1モル当量の範囲内の配位結合を形成し得る物質を用いることがより好ましい。
本発明の有機ボラン錯体は、トリアリールボランと配位結合を形成し得る物質を適宜選択することにより、バイポーラー性を有する錯体にすることも可能である。
また、様々なエネルギー準位に対応できることから、発光性(ゲスト)材料、ホスト材料として使用できるのみならず、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料としても使用することができる。
すなわち、本発明の有機ボラン錯体は、有機EL素子の発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層及び中間層等の有機機能層に用いることができる。さらには、有機EL素子のみならず様々な電子デバイスに用いることができる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子ともいう。)は、陽極と陰極の間に少なくとも発光層を含む有機機能層を有する有機EL素子であって、有機機能層の少なくとも1層が、本発明の有機ボラン錯体を含有するものである。
本発明の有機ボラン錯体を含有する有機EL素子は、照明装置及び表示装置に好適に具備され得る。
本発明の有機ボラン錯体を含有する有機EL素子における代表的な素子構成としては、以下の構成を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
(1)陽極/発光層/陰極
(2)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(3)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
(4)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(5)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(6)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(7)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/(電子阻止層/)発光層/(正孔阻止層/)電子輸送層/電子注入層/陰極
上記の中で(7)の構成が好ましく用いられるが、これに限定されるものではない。
発光層は、単層又は複数層で構成されており、発光層が複数の場合は各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。
必要に応じて、発光層と陰極との間に正孔阻止層(正孔障壁層ともいう。)や電子注入層(陰極バッファー層ともいう。)を設けてもよく、また、発光層と陽極との間に電子阻止層(電子障壁層ともいう)や正孔注入層(陽極バッファー層ともいう。)を設けてもよい。
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。
有機機能層とは、上記の代表的な素子構成において、陽極と陰極を除いた層をいう。
図2は、有機EL素子中での電荷の流れと発光のメカニズムを示す模式図である。有機EL素子1に電圧を印加すると、陰極9から電子注入層8に電子(e-)が、陽極3から正孔注入層4に正孔(h+)が注入される。
最後に発光層6において出会った電子と正孔が再結合Rして励起子が生じ、これらが励起状態から基底状態に戻るときに放出する光(蛍光・リン光)Lを利用した発光素子が、有機EL素子である。図2では正孔注入層から電子注入層までが有機機能層である。
有機化合物中に電子を流すには、まず電極から有機機能層に電荷が注入されることがその第一段階となる。その注入機構としてはショットキー熱放射とトンネル注入の二つが知られており、有機機能層中に注入された電荷は、両電極間にかけられた外部電界をドライビングフォースとしてホッピング伝導を起こすことによって電流が流れることになる。この時の電流はオーム則ではなくチャイルド則に則った空間電荷制限電流(SCLC:space charge limited current)であり、これは次式(A)に示したように層厚の3乗に反比例するため有機機能層の層厚は極薄でなければならない。
式(A):空間電荷制限電流量∝(電圧)2/(層厚)3
実際の電子ディスプレイや照明装置においては、数Vの電圧で数十A/m2の大電流を流す必要があるため、通常、1層あたりの層厚はおおよそ50nm以下とする。
図3は、バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子からなるシングル構成(バルクヘテロジャンクション層が1層の構成)の太陽電池の一例を示す断面図である。図3において、バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子10は、基板11の一方の面上に、透明電極(陽極)12、正孔輸送層13、バルクヘテロジャンクション層の光電変換部14、電子輸送層(バッファー層ともいう。)15及び対極(陰極)16が順次積層されている。
発生した電荷は、内部電界、例えば、透明電極12と対極16の仕事関数が異なる場合では透明電極12と対極16との電位差によって、電子は電子受容体間を通り、また正孔は電子供与体間を通り、それぞれ異なる電極へ運ばれ光電流が検出される。
例えば、透明電極12の仕事関数が対極16の仕事関数よりも大きい場合では、電子は透明電極12へ、正孔は対極16へ輸送される。なお、仕事関数の大小が逆転すれば、電子と正孔はこれとは逆方向に輸送される。また、透明電極12と対極16との間に電位をかけることにより、電子と正孔の輸送方向を制御することもできる。
本発明の有機ボラン錯体は、様々なエネルギー準位に対応できることから、電子伝導を行いやすい化合物である。そのため、太陽電池、とりわけ有機太陽電池の各種材料としての適用が可能である。
太陽電池と同様の理由から、トランジスタ材料として好適に使うことができる。
本発明の有機ボラン錯体は、電子ホッピング伝導が起こりやすい化合物であり、それ自体で薄膜を形成した場合には、基本的に電子を伝導する薄膜となる。
また、本発明の有機ボラン錯体は、銀や銅、ニッケル、鉄、コバルトなどの金属と積層したり、共存させたり、又は共存させた膜の上に該金属を積層する等の構成により導電性になるものもあり、反射電極や透明電極、半透過性電極などに適用することもできる。
本発明の有機ボラン含有組成物としては、ボラン錯体を含有していればよく、フィルム状、液状であってもよい。具体的には、有機EL素子中の有機機能層、有機光電変換素子中の有機機能層、トランジスタ中の有機機能層、電極・電荷移動性薄膜の他、インクジェット用インク、電子写真用トナー等を挙げることができる。
本発明の有機ボラン含有組成物を有機EL素子中の有機機能層として用いる場合は、例えば、正孔注入材料、正孔輸送材料、ホスト材料、ドーパント材料、電子輸送材料、電子注入材料をさらに含有していてもよい。
本発明の有機ボラン含有組成物を有機光電変換素子中の有機機能層として用いる場合は、例えば、p型有機半導体、n型有機半導体、電荷ブロック材料をさらに含有していてもよい。
本発明の有機ボラン含有組成物をトランジスタ中の有機機能層として用いる場合は、例えば、p型有機半導体、n型有機半導体をさらに含有していてもよい。
本発明の有機ボラン含有組成物を電極・電荷移動性薄膜として用いる場合は、例えば、金属、合金をさらに含有していてもよい。
本発明の有機ボラン含有組成物をインクジェット用インクとして用いる場合は、例えば、染料、活性剤、溶剤をさらに含有していてもよい。
本発明の有機ボラン含有組成物を電子写真用トナーとして用いる場合は、例えば、樹脂、顔料、ワックス、安定化材をさらに含有していてもよい。
本発明の有機ボラン錯体は、前記に例示として挙げた有機ボラン含有組成物中で、トリアリールボランと配位結合を形成し得る物質との反応により系内で生成したものを取り出さずにそのまま用いてもよい。
本発明の最大の意義は、その耐久性、特に、空気中、高温下、電界印加時等の電子デバイスが晒される環境下において、全く実用化できていなかったトリアリールボランをビルディングブロックとする有機ボラン錯体を創出できたことにある。すなわち、従来の有機ボラン錯体に対して、本発明に係る前記一般式(1)又は(2)で表される構造を有するトリアリールボランを用いることで、従来の有機ボラン錯体よりも格段に安定性を向上させることができる。
また、本発明の要件を満たす有機ボラン錯体であるならば、普遍的に安定性が向上し、各種工業製品への適用も可能である点が、これまでにない大きな技術進歩であり、これまでに類を見ない本質的な発明であるといえる。
本発明の例示化合物B3-DABCO-B3は、以下に示す手順で合成した(詳細な合成手順は、Y.Kitamoto,et al,Chem Commun.,2016,52,7098-7101参照。)。
1-ヨード-3-メトキシベンゼンと1,3-ジヒドロキシベンゼンを原料として、銅触媒を利用したエーテル化反応を行い、トリフェニルエーテル体B3-3-1を収率95%で得た。
次に、B3-3-1にn-BuLiを滴下してトリリチオ化反応を行い、反応中間体としてB3-3-2が得られた。
続いて、ボリル化反応を行い、B3-3-2のTHF/ベンゼン混合溶液中に、1当量のBF3/OEt2を10分間かけて滴下した後、昇温して21時間加熱還流した。その後反応処理、精製を行うことで、B-3-3(B27)を収率15%で得た。
次に、BBr3を用いて脱保護を行った。-78℃の塩化メチレン溶液中に、BBr3を滴下していくことで、ホウ素-炭素結合が解離することなく、定量的に進行し、収率94%でB3-3-4(B26)を得た。
更に、B3-3-4(B26)の一つのカルボキシ基を、トリフルオロメタンスルホン酸無水物(Tf2O)を用いてスルホニル基に変換する反応を行い、収率94%でB3-3-5(B30)を得た。
次に、塩基としてジアザビシクロウンデセン(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene:DBU)を、溶媒としてN,N-ジメチルホルムアミド(N,N-dimethylformamide:DMF)を、マイクロ波(MW)を用いたマイクロリアクターを使用して240℃、4時間反応させることで、収率87%でB3を得た。
室温にて、クロロホルム100部に、B3を1.00部、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン(DABCO)を0.20部加え3時間撹拌した。反応終了後、溶媒を減圧下で濃縮し、結晶が出てきたところで、濃縮を止め、そのまま室温で一晩静置した。得られた結晶を濾過し、冷クロロホルムで洗浄することで、B3-DABCO-B3を0.85部得た。
上記で得られたB3-DABCO-B3の1H-NMR(重クロロホルム溶媒)を測定し、B3とDABCOの有機ボラン錯体であることを確認した(図4参照。)。
測定装置:Bruker Biospin AVANCE III 400 spect
rometer(400MHz for 1H-NMR)
測定条件:23℃(296K)、CDCl3溶媒使用、テトラメチルシラン基準(0ppm)
スペクトルデータ:B3(CDCl3,400MHz)δ:7.74(3H,t),7.22(6H,d)、DABCO(CDCl3,400MHz)δ:2.79(12H,s)、B3-DABCO-B3(CDCl3,400MHz)δ:7.13(3H,t),6.84(6H,d),3.01(12H,brs).
得られたB3-DABCO-B3の単結晶X線構造解析を行った。結果を図5に示す。B3部分のホウ素原子(B)と結合する炭素原子(C1~C3)との距離はそれぞれ、B-C1=1.562Å、B-C2=1.563Å、B-C3=1.567Åであった。
(結晶学データ:Monoclinic,C2/c,a=23.783(3)Å,b=9.9498(10)Å,c=18.2611(19)Å,β=113.2150(10)°,Z=8,d=1.538g/cm3,V=3971.42Å3,R1=0.0549,wR2=0.1538.)
一方、図6に示した例示化合物B3の単結晶X線構造解析の結果では、B-C1=1.459Å、B-C2=1.461Å、B-C3=1.459Åであった。
上記単結晶X線構造解析の結果から、配位結合を形成し得る物質であるDABCOとの反応により、トリアリールアミンB3におけるホウ素原子とアリール基上の炭素原子の結合が、SP2軌道からSP3軌道へ変化していることが分かる。
なお、単結晶X線構造解析は、以下の測定装置・測定条件で行った。
測定装置:Bruker Smart APEX II ULTRA
測定条件:測定温度/-173℃、線源/MoKα(λ=0.7103Å)、Data
integration and reduction/SAINT and XPREP software、Absorption correction/semiempirical method with SADABS、Structure /solved by direct method using SHELXL-97 and refined by using least-squares method on F2 with SHELXL-97.
室温にて、クロロホルム100部に、B3を1.00部と、ピリジンを0.28部加えて3時間撹拌した。反応終了後、溶媒を減圧下で濃縮し、結晶が出てきたところで、濃縮を止め、そのまま室温で一晩静置した。得られた結晶を濾過し、冷クロロホルムで洗浄することで、B3-PYを0.73部得た。
得られたB3-PYの1H-NMR(重クロロホルム溶媒)を合成例1と同様にして測定したところ、原料であるB3由来のピークが消失し、新たな位置にピークが発生しており、B3-PYの有機ボラン錯体が生成したことを確認した。
本発明のB3-PYと下記トリフェニルボランピリジン錯体を、それぞれ異なるガラスの封管に詰め、300℃に加熱した。B3-PYは、300℃、1時間の加熱後、ガラス管から取り出し、1H-NMRを測定したところ、全く分解していないことを確認した。
また、本発明のB3-DABCO-B3を上記と同様の条件で耐熱性試験を行ったところ、全く分解していないことを確認した。
以上の結果から、本発明の化合物B3-PY、B3-DABCO-B3は従来公知のトリフェニルボランピリジン錯体と比べて十分な熱安定性を有することがわかった。
本発明の化合物B3-PYを電子輸送材料として使用し、有機EL素子を作製した。
陽極としてITO(インジウムスズ酸化物)を100nm成膜したガラス基板を、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥及びUVオゾン洗浄を行い、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
真空蒸着装置内の真空度を1×10-4Paまで減圧した後、陽極の上に正孔注入層としてヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン(15nm)、正孔輸送層としてα-NPD(4,4′-ビス〔N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ〕ビフェニル)(30nm)をこの順番で形成した。
P:FIrpic=100:6の割合で共蒸着し、厚さ30nmの発光層を設けた。
得られた有機EL素子に、室温下、2.5mA/cm2の定電流を流したところ、青色に発光した。この結果から、本発明のB3-PYが有機EL素子における電子輸送材料として機能することが確認され、B3-PYが電荷伝導性を示すことが分かった。
本発明の化合物B3-PYを正孔輸送材料として使用し、有機EL素子を作製した。
陽極としてITOを100nm成膜したガラス基板を、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥及びUVオゾン洗浄を行い、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
真空蒸着装置内の真空度を1×10-4Paまで減圧した後、陽極の上に正孔注入層としてヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン(12nm)、正孔輸送層として本発明の化合物B3-DABCO-B3(40nm)をこの順番で形成した。
、厚さ30nmの発光層を設けた。
得られた有機EL素子に、室温下、2.5mA/cm2の定電流を流したところ、青色に発光した。この結果から、本発明のB3-PYが有機EL素子における正孔輸送材料として機能することが確認され、B3-PYが電荷伝導性を示すことが分かった。
本発明の有機ボラン含有組成物は、有機EL素子中の有機機能層、有機光電変換素子中の有機機能層、トランジスタ中の有機機能層、電極・電荷移動性薄膜の他、インクジェット用インク、電子写真用トナー等に用いることができる。
2 透明基板
3 陽極
4 正孔注入層
5 正孔輸送層
6 発光層
7 電子輸送層
8 電子注入層
9 陰極
10 バルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子
11 基板
12 透明電極(陽極)
13 正孔輸送層
14 光電変換部(バルクヘテロジャンクション層)
15 電子輸送層
16 対極(陰極)
F 有機機能層
R 再結合
L 光
Claims (4)
- 請求項1又は請求項2に記載の有機ボラン錯体を含有する有機ボラン含有組成物。
- 請求項1又は請求項2に記載の有機ボラン錯体を含有する有機機能層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
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