JP2022132158A - 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス - Google Patents

Abstract

【課題】発光層に重水素化化合物を含む高性能ＯＬＥＤを提供する。【解決手段】ＯＬＥＤは、アノード１１５と；カソード１６０と；前記アノード１１５と前記カソード１６０との間に配置された発光層１３５とを含む。前記ＯＬＥＤにおいて、発光層１３５は、第１の燐光発光体と第１のホストとを含み；第１の燐光発光体は、金属錯体であり；第１のホストは、部分的又は完全に重水素化されており；少なくとも１つの更なる条件が充足される。【選択図】図１

Description

関連出願の相互参照
本願は、米国特許法第１１９条（ｅ）の定めにより、２０１９年１０月２５日出願の米国仮出願第６２／９２６，０３５号、２０２０年２月７日出願の米国仮出願第６２／９７１，２９５号、２０２０年２月２８日出願の米国仮出願第６２／９８２，８８３号に対する優先権を主張する２０２０年１０月６日出願の米国特許第１７／０６３，８８４号の一部継続出願であり、これらの開示内容の全体を参照により本明細書に援用する。本願は、また、米国特許法第１１９条（ｅ）の定めにより、２０２１年２月２６日出願の米国仮出願第６３／１５４，３２０号、２０２１年７月９日出願の米国仮出願第６３／２２０，４２９号、及び２０２１年８月５日出願の米国仮出願第６３／２２９，７４８号に対する優先権を主張し、これらの開示内容の全体を参照により本明細書に援用する。

本開示は、一般に、有機金属化合物及び組成物、並びに有機発光ダイオード及び関連する電子デバイスなどのデバイスにおける発光体を含むそれらの各種使用に関する。

有機材料を利用する光電子デバイスは、各種理由から、次第に望ましいものとなりつつある。そのようなデバイスを作製するために使用される材料の多くは比較的安価であるため、有機光電子デバイスは無機デバイスを上回るコスト優位性の可能性を有する。加えて、柔軟性等の有機材料の固有の特性により、該材料は、フレキシブル基板上での製作等の特定用途によく適したものとなり得る。有機光電子デバイスの例は、有機発光ダイオード／デバイス（ＯＬＥＤ）、有機光トランジスタ、有機光電池及び有機光検出器を含む。ＯＬＥＤについて、有機材料は従来の材料を上回る性能の利点を有し得る。

ＯＬＥＤはデバイス全体に電圧が印加されると光を放出する薄い有機膜を利用する。ＯＬＥＤは、フラットパネルディスプレイ、照明及びバックライティング等の用途において使用するためのますます興味深い技術となりつつある。

燐光発光性分子の１つの用途は、フルカラーディスプレイである。そのようなディスプレイの業界標準は、「飽和（ｓａｔｕｒａｔｅｄ）」色と称される特定の色を放出するように適合された画素を必要とする。特に、これらの標準は、飽和した赤色、緑色及び青色画素を必要とする。若しくは、ＯＬＥＤは、白色光を照射するように設計することができる。従来の、白色バックライトからの液晶ディスプレイ発光は、吸収フィルターを用いてフィルタリングされ、赤色、緑色、及び青色発光を生成する。同様の技術は、ＯＬＥＤでも用いられることができる。白色ＯＬＥＤは、単層の発光層（ＥＭＬ）デバイス又は積層体構造のいずれかであることができる。色は、当技術分野において周知のＣＩＥ座標を使用して測定することができる。

一態様において、本開示は、アノードと；カソードと；前記アノードと前記カソードとの間に配置された発光層とを含み；前記発光層が、第１の燐光発光体と第１のホストとを含み；前記第１の燐光発光体が、金属錯体であり；前記第１のホストが、部分的又は完全に重水素化されている有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ）を提供する。幾つかの実施形態においては、前記第１の燐光発光体は、部分的又は完全に重水素化されており、前記第１のホストは、独立して、部分的又は完全に重水素化されている。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、金属カルベン錯体である。

幾つかの実施形態においては、アノードと；カソードと；前記アノードと前記カソードとの間に配置された発光層とを含み；前記発光層が、第１の化合物と第２の化合物とを含み；前記第１の化合物と前記第２の化合物とがエキサイプレックスを形成し；前記第１の化合物が、有機金属化合物ではなく；前記第１の化合物が、完全又は部分的に重水素化されており、但し、前記第１の化合物と前記第２の化合物のいずれも、以下の化合物ではないＯＬＥＤが開示される。

更に別の態様において、本開示は、本明細書に記載のＯＬＥＤを含む消費者製品を提供する。

図１は、有機発光デバイスを示す。

図２は、別の電子輸送層を有さない、反転された有機発光デバイスを示す。

Ａ．用語
特段の断りがない限り、本明細書に使用される下記用語は、以下のように定義される。

本明細書において使用される場合、用語「有機」は、有機光電子デバイスを製作するために使用され得るポリマー材料及び低分子有機材料を含む。「低分子」は、ポリマーでない任意の有機材料を指し、且つ「低分子」は実際にはかなり大型であってもよい。低分子は、幾つかの状況において繰り返し単位を含み得る。例えば、長鎖アルキル基を置換基として使用することは、「低分子」クラスから分子を排除しない。低分子は、例えばポリマー骨格上のペンダント基として、又は該骨格の一部として、ポリマーに組み込まれてもよい。低分子は、コア部分上に構築された一連の化学的シェルからなるデンドリマーのコア部分として役立つこともできる。デンドリマーのコア部分は、蛍光性又は燐光性低分子発光体であってよい。デンドリマーは「低分子」であってもよく、ＯＬＥＤの分野において現在使用されているデンドリマーは全て低分子であると考えられている。

本明細書において使用される場合、「頂部」は基板から最遠部を意味するのに対し、「底部」は基板の最近部を意味する。第１の層が第２の層「の上に配置されている」と記述される場合、第１の層のほうが基板から遠くに配置されている。第１の層が第２の層「と接触している」ことが指定されているのでない限り、第１の層と第２の層との間に他の層があってもよい。例えば、間に種々の有機層があるとしても、カソードはアノード「の上に配置されている」と記述され得る。

本明細書において使用される場合、「溶液プロセス可能な」は、溶液又は懸濁液形態のいずれかの液体媒質に溶解、分散若しくは輸送されることができ、且つ／又は該媒質から堆積されることができるという意味である。

配位子は、該配位子が発光材料の光活性特性に直接寄与していると考えられる場合、「光活性」と称され得る。配位子は、該配位子が発光材料の光活性特性に寄与していないと考えられる場合には「補助」と称され得るが、補助配位子は、光活性配位子の特性を変化させることができる。

本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるように、第１の「最高被占分子軌道」（ＨＯＭＯ）又は「最低空分子軌道」（ＬＵＭＯ）エネルギー準位は、第１のエネルギー準位が真空エネルギー準位に近ければ、第２のＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位「よりも大きい」又は「よりも高い」。イオン化ポテンシャル（ＩＰ）は、真空準位と比べて負のエネルギーとして測定されるため、より高いＨＯＭＯエネルギー準位は、より小さい絶対値を有するＩＰ（あまり負でないＩＰ）に相当する。同様に、より高いＬＵＭＯエネルギー準位は、より小さい絶対値を有する電子親和力（ＥＡ）（あまり負でないＥＡ）に相当する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、材料のＬＵＭＯエネルギー準位は、同じ材料のＨＯＭＯエネルギー準位よりも高い。「より高い」ＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位は、「より低い」ＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位よりもそのような図の頂部に近いように思われる。

本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるように、第１の仕事関数がより高い絶対値を有するならば、第１の仕事関数は第２の仕事関数「よりも大きい」又は「よりも高い」。仕事関数は概して真空準位と比べて負数として測定されるため、これは「より高い」仕事関数が更に負であることを意味する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、「より高い」仕事関数は、真空準位から下向きの方向に遠く離れているものとして例証される。故に、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯエネルギー準位の定義は、仕事関数とは異なる慣例に準ずる。

「ハロ」、「ハロゲン」、及び「ハライド」という用語は、相互交換可能に使用され、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素を指す。

「アシル」という用語は、置換されたカルボニル基（Ｃ（Ｏ）－Ｒ_ｓ）を指す。

「エステル」という用語は、置換されたオキシカルボニル（－Ｏ－Ｃ（Ｏ）－Ｒ_ｓ又は－Ｃ（Ｏ）－Ｏ－Ｒ_ｓ）基を指す。

「エーテル」という用語は、－ＯＲ_ｓ基を指す。

「スルファニル」又は「チオエーテル」という用語は、相互交換可能に使用され、－ＳＲ_ｓ基を指す。

「セレニル」という用語は、－ＳｅＲ_ｓ基を指す。

「スルフィニル」という用語は、－Ｓ（Ｏ）－Ｒ_ｓ基を指す。

「スルホニル」という用語は、－ＳＯ_２－Ｒ_ｓ基を指す。

「ホスフィノ」という用語は、－Ｐ（Ｒ_ｓ）_３基を指し、各Ｒ_ｓは、同一であっても異なっていてもよい。

「シリル」という用語は、－Ｓｉ（Ｒ_ｓ）_３基を指し、各Ｒ_ｓは、同一であっても異なっていてもよい。

「ゲルミル」という用語は、－Ｇｅ（Ｒ_ｓ）_３基を指し、各Ｒ_ｓは、同一であっても異なっていてもよい。

「ボリル」という用語は、－Ｂ（Ｒ_ｓ）_２基、又はそのルイス（Ｌｅｗｉｓ）付加物－Ｂ（Ｒ_ｓ）_３基を指し、Ｒ_ｓは同一であっても異なっていてもよい。

上記のそれぞれにおいて、Ｒ_ｓは、水素、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、及びそれらの組合せからなる群から選択される置換基であることができる。好ましいＲ_ｓは、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びそれらの組合せからなる群から選択される。

「アルキル」という用語は、直鎖及び分岐鎖アルキル基の両方を指し、含む。好ましいアルキル基としては、１個から１５個までの炭素原子を含むものであり、メチル、エチル、プロピル、１－メチルエチル、ブチル、１－メチルプロピル、２－メチルプロピル、ペンチル、１－メチルブチル、２－メチルブチル、３－メチルブチル、１，１－ジメチルプロピル、１，２－ジメチルプロピル、及び２，２－ジメチルプロピル等が挙げられる。更に、前記アルキル基は、任意に置換されていてもよい。

「シクロアルキル」という用語は、単環式、多環式、及びスピロアルキル基を指し、含む。好ましいシクロアルキル基は、３～１２個の環炭素原子を含むものであり、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ビシクロ［３．１．１］ヘプチル、スピロ［４．５］デシル、スピロ［５．５］ウンデシル、アダマンチルなどが挙げられる。更に、前記シクロアルキル基は、任意に置換されていてもよい。

「ヘテロアルキル」又は「ヘテロシクロアルキル」という用語は、それぞれ、ヘテロ原子によって置換された少なくとも１つの炭素原子を有するアルキル基又はシクロアルキル基を指す。任意に、少なくとも１つのヘテロ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、及びＳｅ、好ましくはＯ、Ｓ、又はＮから選択される。更に、前記ヘテロアルキル基又は前記ヘテロシクロアルキル基は、任意に置換されていてもよい。

「アルケニル」という用語は、直鎖及び分枝鎖のアルケン基の両方を指し、含む。アルケニル基は、本質的に、アルキル鎖中に少なくとも１つの炭素－炭素二重結合を含むアルキル基である。シクロアルケニル基は、本質的に、シクロアルキル環中に少なくとも１つの炭素－炭素二重結合を含むシクロアルキル基である。本明細書で使用される「ヘテロアルケニル」という用語は、ヘテロ原子によって置換された少なくとも１つの炭素原子を有するアルケニル基を指す。任意に、少なくとも１つのヘテロ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、及びＳｅ、好ましくはＯ、Ｓ、又はＮから選択される。好ましいアルケニル、シクロアルケニル、又はヘテロアルケニル基は、２～１５個の炭素原子を含むものである。更に、前記アルケニル、前記シクロアルケニル、又は前記ヘテロアルケニル基は、任意に置換されていてもよい。

「アルキニル」という用語は、直鎖及び分枝鎖アルキン基の両方を指し、含む。アルキニル基は、本質的に、アルキル鎖に少なくとも１つの炭素－炭素三重結合を含むアルキル基である。好ましいアルキニル基は、２～１５個の炭素原子を含むものである。更に、前記アルキニル基は、任意に置換されていてもよい。

「アラルキル」又は「アリールアルキル」という用語は、相互交換可能に使用され、アリール基で置換されたアルキル基を指す。更に、前記アラルキル基は、任意に置換されていてもよい。

「複素環式基（ヘテロ環基；ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ ｇｒｏｕｐ）」という用語は、少なくとも１つのヘテロ原子を含む芳香族及び非芳香族の環式基を指し、含む。任意に、前記少なくとも１つのヘテロ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、及びＳｅ、好ましくはＯ、Ｓ、又はＮから選択される。ヘテロ芳香族環式基は、ヘテロアリールと相互交換可能に使用され得る。好ましいヘテロ非芳香族環式基は、３～７個の環原子を含むものであって、少なくとも１つのヘテロ原子を含み、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなどの環式アミン、及び例えばテトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、テトラヒドロチオフェンなどの環式エーテル／チオエーテルを含む。更に、前記複素環式基は、任意に置換されていてもよい。

「アリール」という用語は、単環式芳香族ヒドロカルビル基及び多環式芳香族環系の両方を指し、含む。多環とは、２つの隣接する環（前記環は、「縮合」している）に２つの炭素が共有されている２つ以上の環を有することができ、前記環の少なくとも１つは、芳香族ヒドロカルビル基であり、例えば、他の環は、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール、ヘテロ環、及び／又はヘテロアリールであることができる。好ましいアリール基は、６～３０個の炭素原子を含むものであり、６～２０個の炭素原子を含むものが好ましく、６～１２個の炭素原子を含むものが更に好ましい。６個の炭素を有するアリール基、１０個の炭素を有するアリール基、又は１２個の炭素を有するアリール基が特に好ましい。好適なアリール基としては、フェニル、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、テトラフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナンスレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、及びアズレン等が挙げられ、フェニル、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、フルオレン、及びナフタレンが好ましい。更に、前記アリール基は、任意に置換されていてもよい。

「ヘテロアリール」という用語は、少なくとも１つのヘテロ原子を含む単環式芳香族基及び多環式芳香族環系の両方を指し、含む。ヘテロ原子としては、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、及びＳｅが挙げられるが、これらに限定されない。多くの例においては、Ｏ、Ｓ、又はＮが好ましいヘテロ原子である。ヘテロ単環式芳香族系は、好ましくは５個又は６個の環原子を有する単環であり、前記環は１～６個のヘテロ原子を有することができる。ヘテロ多環式環系は、２つの原子が２つの隣接する環（前記環は「縮合している」）に共通している２つ以上の環を有することができ、前記環の少なくとも１つはヘテロアリールであり、例えば、他の環は、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール、ヘテロ環、及び／又はヘテロアリールであることができる。複素多環式芳香族環系は、多環式芳香族環系の環当たり１～６個のヘテロ原子を有することができる。好ましいヘテロアリール基は、３～３０個の炭素原子を含むものであり、３～２０個の炭素原子を含むものが好ましく、３～１２個の炭素原子を含むものがより好ましい。好適なヘテロアリール基としては、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン、及びセレノフェノジピリジンが挙げられ、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、イミダゾール、ピリジン、トリアジン、ベンズイミダゾール、１，２－アザボリン、１，３－アザボリン、１，４－アザボリン、ボラジン、及びこれらのアザ類似体が好ましい。更に、前記ヘテロアリール基は、任意に置換されていてもよい。

上記にリストされる前記アリール及び前記ヘテロアリール基のうち、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、イミダゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、及びベンズイミダゾールの基、並びにそのそれぞれのアザ類似体が、特に興味深い。

本明細書において使用される用語であるアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、複素環基、アリール、及びヘテロアリールは、独立して無置換である、又は独立して１以上の一般的な置換基で置換される。

多くの例において、前記一般的な置換基は、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、ボリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、ボリル、セレニル、及びそれらの組合せからなる群から選択される。

幾つかの例において、好ましい一般的な置換基は、重水素、フッ素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ボリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アリール、ヘテロアリール、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、ボリル、及びそれらの組合せからなる群から選択される。

幾つかの例においては、より好ましい一般的な置換基は、重水素、フッ素、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ボリル、アリール、ヘテロアリール、スルファニル、及びそれらの組合せからなる群から選択される。

更に他の例においては、最も好ましい一般的な置換基は、重水素、フッ素、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びそれらの組合せからなる群から選択される。

「置換された」及び「置換」という用語は、関連する位置（例えば炭素又は窒素）に結合されているＨ以外の置換基を指す。例えば、Ｒ^１がモノ置換を表す場合、１つのＲ^１はＨ以外でなければならない（即ち、置換）。同様に、Ｒ^１がジ置換を表す場合、Ｒ^１の２つはＨ以外でなければならない。同様に、Ｒ^１がゼロ又は無置換を表す場合、Ｒ^１は、例えば、ベンゼンにおける炭素原子及びピロール中の窒素原子の場合のように、環原子の利用可能な原子価における水素であることができる、又は完全に満たされた原子価を有する環原子（例えば、ピリジン中の窒素）の場合には単に何も表さない。環構造において可能な置換の最大数は、環原子における利用可能な原子価の総数に依存する。

本明細書中で使用される場合、「それらの組合せ」は、適用されるリストから当業者が想到することができる、知られた又は化学的に安定な配置を形成するために、適用されるリストの１以上のメンバーが組み合わされることを示す。例えば、アルキル及び重水素は、組み合わされて、部分的又は完全に重水素化されたアルキル基を形成することができる；ハロゲン及びアルキルは、組み合わされて、ハロゲン化アルキル置換基を形成することができる；ハロゲン、アルキル、及びアリールは、組み合わされて、ハロゲン化アリールアルキルを形成することができる。１つの例においては、置換という用語は、リストされた基の２～４個の組合せを含む。別の例においては、置換という用語は、２～３個の基の組合せを含む。更に別の例では、置換という用語は、２個の基の組合せを含む。置換基の好ましい組合せは、水素又は重水素でない５０個までの原子を含むもの、又は水素又は重水素ではない４０個までの原子を含むもの、又は水素若しくは重水素ではない３０個までの原子を含むものである。多くの例においては、置換基の好ましい組合せは、水素又は重水素ではない２０個までの原子を含む。

本明細書において記述されるフラグメント、例えば、アザ－ジベンゾフラン、アザ－ジベンゾチオフェン等の中の「アザ」という名称は、各芳香族環中のＣ－Ｈ基の１以上が窒素原子に置き換わることができることを意味し、例えば、何ら限定するものではないが、アザトリフェニレンは、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンとジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリンのいずれをも包含する。当業者であれば、上述のアザ誘導体の他の窒素類似体を容易に想像することができ、このような類似体全てが本明細書に記載の前記用語によって包含されることが意図される。

本明細書で使用される「重水素」は、水素の同位体を指す。重水素化化合物は、当該分野で公知の方法を用いて容易に調製されることができる。例えば、それらの内容の全体を参照によって援用する、米国特許第８，５５７，４００号明細書、国際公開第ＷＯ２００６／０９５９５１号、及び米国特許出願公開第２０１１／００３７０５７号には、重水素で置換された有機金属錯体の作製が記載されている。更なる参照は、それらの内容の全体を参照によって組み込まれる、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ ２０１５，７１，１４２５～３０（Ｍｉｎｇ Ｙａｎら）及びＡｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．（Ｒｅｖｉｅｗｓ）２００７，４６，７７４４～６５（Ａｔｚｒｏｄｔら）によって為され、ベンジルアミン中のメチレン水素の重水素化及び芳香族環水素を重水素で置換する効率的な経路が、それぞれ記載されている。

分子フラグメントが置換基であるとして記述される、又は他の部分に結合されているものとして記述される場合、その名称は、フラグメント（例えば、フェニル、フェニレン、ナフチル、ジベンゾフリル）又は分子全体（例えば、ベンゼン、ナフタレン、ジベンゾフラン）であるように記載されることがあることを理解されたい。本明細書においては、置換基又は結合フラグメントの表示の仕方が異なっていても、これらは、等価であると考える。

ある例においては、対の隣接する置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成することができる。好ましい環は、５員環、６員環、又は７員環の炭素環又は複素環であり、対の置換基によって形成される環の部分が飽和されている例、及び対の置換基によって形成される環の部分が不飽和である例の両方を含む。本明細書中で使用される「隣接する」は、安定した縮合環系を形成することができる限り、関連する２つの置換基が、互いに隣り合って同じ環上にあることができる、又はビフェニルにおける２位と２’位、及びナフタレンにおける１位と８位など、２つの最も近い利用可能な置換可能位置を有する２つの隣どうしの環上にあることができることを意味する。

Ｂ．本開示のＯＬＥＤ及びデバイス
青色ＯＬＥＤは、デバイス内の励起種間で発生する分子内又は分子間化学反応に一部起因して、デバイスの動作寿命が短くなる。このプロセスは、金属カルベン錯体と他の配位子との間の反応で特に顕著である。

本明細書に開示されるデバイスは、金属錯体を重水素化ホストと対にして、カルベン錯体を劣化させる分解メカニズムを遅延させることによって、デバイス寿命を大幅に延ばす可能性に特に対処するように設計されている。更に、幾つかの実施形態においては、ＯＬＥＤは、この二分子種上で生じる分解プロセスを遅延させるために重水素化された成分の１つとエキサイプレックスを形成するように設計されている。更に、開示されているような重水素化されたホスト成分を有するＰｔ錯体は、Ｐｔ錯体の三次元構造がそれらをホストとの反応に対してより感受性にする可能性があるため、重要であり得る。同様に、分子から更に突出するペンダント基を有するＩｒ錯体は、反応性部位になり得、部分的又は完全に重水素化された１以上のホストを使用することで、安定性の向上を達成することができる。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、金属カルベン錯体であることができる。

一態様において、本開示は、アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間に配置された発光層とを含むＯＬＥＤを提供する。かかる実施形態においては、前記発光層は、金属カルベン錯体と第１のホストとを含み、前記第１のホストは、部分的又は完全に重水素化されている。本明細書においては、「部分的に重水素化された」は、その通常の意味を有し、所定化合物について、少なくとも１つの水素が重水素で置き換えられている、又は少なくとも２つの水素が重水素で置き換えられている、又は少なくとも３つの水素が重水素で置き換えられており、重水素で置き換えられている化合物の水素が少なくとも５％、又は重水素で置き換えられている化合物中の水素が少なくとも１０％、又は少なくとも１５％、又は少なくとも２５％、又は少なくとも３５％、又は少なくとも５０％、又は少なくとも６０％、又は少なくとも７０％、又は少なくとも７５％、又は少なくとも８０％、又は少なくとも９０％である。しかし、「部分的に重水素化された」は、「完全に重水素化された」は含まない。

幾つかの実施形態においては、前記金属カルベン錯体は、白金錯体である。

幾つかの実施形態においては、前記第１のホストは、トリアジン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、アザ－ジベンゾフラン、アザ－ジベンゾチオフェン、トリフェニレン、アザ－トリフェニレン、カルバゾール、インドロカルバゾール、アザ－カルバゾール、アザ－インドロカルバゾール、シリル、ボリル、５λ２－ベンゾ［ｄ］ベンゾ［４，５］イミダゾ［３，２－ａ］イミダゾール、５，９－ジオキサ－１３ｂ－ボラナフト［３，２，１－ｄｅ］アントラセン、及びアザ－（５，９－ジオキサ－１３ｂ－ボラナフト［３，２，１－ｄｅ］アントラセン）からなる群から選択される部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属カルベン錯体は、カルバゾール部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属カルベン錯体は、四座配位子を含む白金錯体であり、前記四座配位子及び白金原子は、少なくとも１つの５員キレート環を形成する。幾つかの実施形態においては、前記金属カルベン錯体は、四座配位子を含む白金錯体であり、前記四座配位子及び前記白金原子は、５－６－６キレート環を形成する。一例として、次の構造は５－６－６キレート環を形成し、環の内側に数が示されている。

幾つかの実施形態においては、５－６－６キレート環は、第４のキレート環が存在する大環状環の一部であることができる。第４のキレート環は、５員環又は６員環であることができる。幾つかの実施形態においては、５－６－６キレート環は、３個のキレート環のみを形成する四座配位子の一部である。

幾つかの実施形態においては、前記発光層は、５００ｎｍ以下のピーク発光を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４９０ｎｍ以下のピーク発光を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４８０ｎｍ以下のピーク発光を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４７０ｎｍ以下のピーク発光を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４６０ｎｍ以下のピーク発光を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４５０ｎｍ以下のピーク発光を有する。

幾つかの実施形態においては、前記発光層は、５００ｎｍ以下のピーク発光を有する発光体を含む。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４９０ｎｍ以下のピーク発光を有する発光体を含む。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４８０ｎｍ以下のピーク発光を有する発光体を含む。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４７０ｎｍ以下のピーク発光を有する発光体を含む。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４６０ｎｍ以下のピーク発光を有する発光体を含む。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４５０ｎｍ以下のピーク発光を有する発光体を含む。

発光体の発光スペクトルは、フォトルミネセンスによって測定して、発光層内に含まれる発光体のピーク波長を決定することができる。この場合、発光体のフォトルミネッセンスは、０．００５モル／リットル未満の濃度の２－メチルテトラヒドロフランの溶液中で室温（約２２℃）にて測定される。発光ピークは、ＰＬ強度のグローバル最大値を１に規格化したときに、０．１を超える強度を有するフォトルミネッセンススペクトルにおける最も高いエネルギー（最も短い波長）のピークの波長である。幾つかの発光スペクトルには、複数の発光ピークが存在し、幾つかの場合には、スペクトルにおける２番目に高いエネルギーピークが全体的に最も高い強度を有するが、本明細書における定義では、本発明者らは、スペクトルを最大値１．０に規格化したときに、強度が０．１を超える場合、ピーク発光を、より高いエネルギーピークの波長と定義する。

最高被占軌道（ＨＯＭＯ）と最低空軌道（ＬＵＭＯ）は、重要な物質エネルギー準位である。高効率で安定性の高いＯＬＥＤデバイスを設計するためには、発光層コンポーネントのＨＯＭＯ及びＬＵＭＯエネルギーの正しい選択が必要とされる。本明細書では、本発明者らは、サイクリックボルタンメトリーから得られる最初の酸化電位から、ＨＯＭＯエネルギーを推定した。ＬＵＭＯエネルギーは、サイクリックボルタンメトリーから得られる最初の還元電位から推定される。溶液サイクリックボルタンメトリー及び微分パルスボルタンメトリーを、無水ジメチルホルムアミド溶媒とテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェートを支持電解質として使用し、ＣＨ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓモデル６２０１Ｂポテンシオスタットを使用して行った。ガラス状炭素、白金線、及び銀線をそれぞれ作用電極、対向電極、及び参照電極として使用した。電気化学ポテンシャルは、微分パルスボルタンメトリーからのピーク電位差を測定することによって、内部フェロセン－フェロコニウムレドックス対（Ｆｃ^＋／Ｆｃ）を基準とした。Ｅ_ＨＯＭＯ＝－［（Ｅ_ｏｘ１対Ｆｃ^＋／Ｆｃ）＋４．８］、及びＥ_ＬＵＭＯ＝－［（Ｅ_ｒｅｄ１対Ｆｃ^＋／Ｆｃ）＋４．８］（式中、Ｅ_ｏｘ１は、最初の酸化電位であり、Ｅ_ｒｅｄ１は、最初の還元電位である。）

幾つかの実施形態においては、前記第１のホストのＬＵＭＯは、－２．３ｅＶ未満である。幾つかの実施形態においては、前記第１のホストのＬＵＭＯは、－２．４ｅＶ未満である。

幾つかの実施形態においては、前記第１のホストのＨＯＭＯは、－５．８ｅＶ超である。幾つかの実施形態においては、前記第１のホストのＨＯＭＯは、－５．７ｅＶ超である。

幾つかの実施形態においては、前記発光層は、第２のホストを更に含み、前記第１のホストが－５．８ｅＶ超のＨＯＭＯ準位を有し、前記第２のホストが－２．３ｅＶ未満のＬＵＭＯ準位を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、第２のホストを更に含み、前記第１のホストが－５．７ｅＶ超のＨＯＭＯ準位を有し、前記第２のホストが－２．４ｅＶ未満のＬＵＭＯ準位を有する。

幾つかの実施形態においては、前記金属カルベン錯体は、少なくとも１つのトリアリールアミンを含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属カルベン錯体は、前記金属を含む環の一部であるＯ－リンカー（即ち、－Ｏ－）を含む。幾つかの実施形態においては、前記Ｏ－リンカーは、前記金属に直接結合されている。幾つかの実施形態においては、前記Ｏ－リンカーは、前記金属に直接結合されていない。

幾つかの実施形態においては、前記金属カルベン錯体は、部分的に重水素化されたアルキル基、部分的に重水素化されたシクロアルキル基、部分的に重水素化されたアリール又はヘテロアリール基、完全に重水素化されたアルキル基、及び完全に重水素化されたアリール又はヘテロアリール基からなる群から選択される少なくとも１つの部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属カルベン錯体は、配位子と前記金属との間に少なくとも１つの５員キレート環を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属カルベン錯体は、－５．２ｅＶ未満のＨＯＭＯ準位を有する。幾つかの実施形態においては、前記金属カルベン錯体は、－５．３ｅＶ未満のＨＯＭＯ準位を有する。

別の態様において、本開示は、アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間に配置された発光層とを含み、前記発光層が、第１の燐光発光体と第１のホストとを含み、前記第１の燐光発光体が、金属錯体であり、前記第１のホストが、部分的又は完全に重水素化されているＯＬＥＤを提供する。前記ＯＬＥＤの幾つかの実施形態においては、以下の条件の少なくとも１つが充足される。
（１）前記金属錯体が、金属－カルベン結合を含むＰｔ錯体である。
（２）前記金属錯体が、イミダゾール部分；少なくとも２つのヘテロ原子を含む縮合又は非縮合ヘテロアリール部分；少なくとも１つの６員ヘテロアリール環を含む少なくとも３つの環を含む縮合環構造；少なくとも４つの環を有する縮合環構造；少なくとも３つの６員芳香環を含むペンダント基であって、前記少なくとも３つの６員芳香環のそれぞれが、前記少なくとも３つの６員芳香環のうちの別の６員芳香環に直接縮合されていないペンダント基；前記金属に直接結合された部分的又は完全に重水素化された５員又は６員の炭素環又は複素環；前記金属に直接結合されたカルバゾール部分；合計で少なくとも６つの６員芳香環；少なくとも１つのホウ素原子；少なくとも１つのフッ素原子；前記金属に直接結合されたベンゼン環を含む縮合環構造；又は置換若しくは非置換のアセチルアセトネート配位子；ケイ素原子；７つ以上の原子を含む環構造からなる群から選択される少なくとも１つの特徴を含む。
（３）前記金属錯体が、四座Ｐｔ錯体であり、前記四座配位子が、同一サイズの少なくとも２つの隣接するキレート環を含む少なくとも３つの隣接する５員又は６員のキレート環を形成する。
（４）前記金属錯体が、四座Ｐｔ錯体であり、前記四座配位子が、配位炭素原子に対してトランスである少なくとも１つの配位酸素原子又は硫黄原子を含む。
（５）前記金属錯体が、部分的又は完全に重水素化されている。
（６）前記金属錯体が、Ｏｓ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、及びＰｄからなる群から選択される金属を含む。
（７）前記金属錯体が、３つの異なる二座配位子を含むＩｒ（ＩＩＩ）錯体である。
（８）前記金属錯体が、室温で光励起し発光し、発せられた光が、ＰＭＭＡフィルムにおいて１％の質量濃度で測定したときのピーク発光波長λ_ｍａｘによって特徴付けられる発光スペクトルを有し、前記金属錯体が、４００～５００ｎｍの範囲のλ_ｍａｘ及び０．１５以下の垂直双極子比（ＶＤＲ）値を有する、又は前記金属錯体が、５００～５９０ｎｍの範囲のλ_ｍａｘ及び０．１５以下のＶＤＲ値を有する、又は前記金属錯体が、５９０～７００ｎｍの範囲のλ_ｍａｘ及び０．１０以下のＶＤＲ値を有する。
（９）前記金属錯体が、最低三重項エネルギーＴ１_ｅｍと最低一重項エネルギーＳ１_ｅｍとを有し、Ｓ１_ｅｍ－Ｔ１_ｅｍの差が、０．３ｅＶ以下である。
（１０）前記第１のホストが、トリフェニレン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、５λ２－ベンゾ［ｄ］ベンゾ［４，５］イミダゾール［３，２－ａ］イミダゾール、５，９－ジオキサ－１３ｂ－ボラナフト［３，２，１－ｄｅ］アントラセン、アザ－トリフェニレン、アザ－カルバゾール、アザ－インドロカルバゾール、アザ－ジベンゾチオフェン、アザ－ジベンゾフラン、アザ－ジベンゾセレノフェン、アザ－５λ２－ベンゾ［ｄ］ベンゾ［４，５］イミダゾ［３，２－ａ］イミダゾール、及びアザ－（５，９－ジオキサ－１３ｂ－ボラナフト［３，２，１－ｄｅ］アントラセン）からなる群から選択される部分的又は完全に重水素化された部分を含む。
（１１）前記第１のホストが、ボリル部分を含む。
（１２）前記第１のホストが、最低三重項エネルギーＴ１_ｈｏｓｔと最低一重項エネルギーＳ１_ｈｏｓｔとを有し、Ｓ１_ｈｏｓｔ－Ｔ１_ｈｏｓｔの差が、０．２５ｅＶ以上１．５０ｅＶ以下である。
（１３）前記金属錯体が、Ｐｔ錯体であり、前記第１のホストが、最低三重項エネルギーＴ１_ｈｏｓｔと最低一重項エネルギーＳ１_ｈｏｓｔとを有し、Ｓ１_ｈｏｓｔ－Ｔ１_ｈｏｓｔの差が、０．３０ｅＶ以下である。
（１４）前記第１のホストが、前記発光層中の唯一のホスト材料であり、前記第１のホストが、少なくとも２つの窒素原子を含むヘテロアリール基を含む。
（１５）前記金属錯体が、室温で光励起し発光し、発せられた光が、ＰＭＭＡフィルムにおいて１％の質量濃度で測定したときのピーク発光波長λ_ｍａｘによって特徴付けられる発光スペクトルを有し、λ_ｍａｘにおける発光の半値全幅が、４０ｎｍ以下である。
（１６）前記金属錯体が、室温で光励起し発光し、発せられた光が、ＰＭＭＡフィルムにおいて１％の質量濃度で測定したときのピーク発光波長λ_ｍａｘによって特徴付けられる発光スペクトルを有し、前記λ_ｍａｘが、７００～１０００ｎｍの範囲にあり、ＰＬＱＹ値が、少なくとも３０％である。
（１７）前記発光層が、エキサイプレックスを形成する２以上の材料を含む。
（１８）前記ＯＬＥＤが、少なくとも１つの部分的又は完全に重水素化された材料を含む少なくとも１つの更なる層を更に含む。
（１９）前記ＯＬＥＤが、１０ｍＡ／ｃｍ^２で測定される第１のデバイス寿命ＬＴ９５を有し、前記第１のデバイス寿命が、前記第１のホストが重水素化されていないことを除き前記第１のデバイス寿命と同一の条件で得られる第２のデバイス寿命より少なくとも１．５倍長い。
（２０）前記アノード、前記カソード、又は前記発光層の上に配置された更なる層のうちの少なくとも１つが、エンハンスメント層として機能し、前記エンハンスメント層が、前記第１の燐光発光体に非放射的に結合し、励起状態エネルギーを前記発光体材料から表面プラズモンポラリトンの非放射モードに伝達する表面プラズモン共鳴を示すプラズモン材料を含み、前記エンハンスメント層が、前記発光層から閾距離以内に設けられ、前記第１の燐光発光体が、前記エンハンスメント層の存在に起因する総非放射性崩壊速度定数と総放射性崩壊速度定数とを有し、前記閾距離は、前記総非放射性崩壊速度定数が、前記総放射性崩壊速度定数と等しい距離である。
（２１）前記アノードに対して垂直に前記カソードに向かって延びる方向に沿う前記発光層中の前記金属錯体の濃度レベルが、予め定義された非一定の勾配プロファイルにしたがう。
（２２）前記した２以上の条件の任意の組合せ。

本明細書において、「ペンダント基」は、金属に結合する部分に直接結合される部分又は置換基を意味し、前記ペンダント基それ自体は、金属に結合されない。例えば、フェニルピリジン配位子のフェニル基に結合されたメチル基は、ペンダント基である。

本明細書において、「少なくとも３つの６員芳香環を含むペンダント基であって、前記少なくとも３つの６員芳香環のそれぞれが、前記少なくとも３つの６員芳香環のうちの別の６員芳香環に直接縮合されていないペンダント基」の例としては、以下が挙げられる。

個々の発光体化合物では、発光は、三重項から基底状態への遷移双極子モーメント（ＴＤＭ）に対して垂直に生じる。そのため、それらのＴＤＭベクトルがＯＬＥＤの基板に対して水平に整列された発光体化合物分子の数を増やすと、光取り出し効率が高まり、デバイス効率（外部量子効率－ＥＱＥ）が高くなる。この配向係数は、発光体分子のアンサンブルにおいて、ＴＤＭベクトルの垂直成分の、垂直成分と水平成分との合計に対する比θによって統計的に記述できる：θ＝ＴＤＭ／（ＴＤＭ＋ＴＤＭ）（以下、垂直双極子比（「ＶＤＲ」）と称する）。

前記垂直双極子比（θ）は、角度に依存するフォトルミネッセンス測定によって測定することができる。偏光の関数としての、光励起された薄膜サンプルの測定された発光パターンを、計算によりモデル化されたパターンと比較することにより、特定サンプルのＴＤＭベクトルの配向を決定することができる。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、Ｐｔと５員キレート環を形成する少なくとも１つの多座配位子を含む。

幾つかの実施形態においては、前記少なくとも１つの多座配位子は、四座配位子である。

幾つかの実施形態においては、前記５員キレート環は、カルベン結合を含む。幾つかのかかる実施形態においては、前記カルベンは、イミダゾール又はベンズイミダゾールから誘導される。幾つかのかかる実施形態においては、前記カルベンは、置換基Ｒによって置換され、前記置換基Ｒは、本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択することができる。幾つかのかかる実施形態においては、前記置換基Ｒは、部分的又は完全に重水素化されている。

幾つかの実施形態においては、前記５員キレート環は、カルベン結合を含まない。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、Ｐｔ錯体である。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、Ｉｒ錯体である。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、更に置換及び縮合されてもよいイミダゾールを含む。幾つかの実施形態では、前記イミダゾールは、更に置換及び縮合されてもよいベンズイミダゾールである。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、少なくとも２つのＮ原子を含む縮合又は非縮合ヘテロアリール部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、少なくとも１つのＮと少なくとも１つのＯ又はＳとを含む縮合又は非縮合ヘテロアリール部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、１つの環上に少なくとも２つのヘテロ原子を含む縮合又は非縮合ヘテロアリール部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、２つの異なる環上に少なくとも１つのヘテロ原子を含む縮合又は非縮合ヘテロアリール部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、少なくとも３つのヘテロ原子を含む縮合又は非縮合ヘテロアリール部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記縮合又は非縮合ヘテロアリール部分は、１以上の５員又は６員環を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、少なくとも１つの６員ヘテロアリール環を含む少なくとも３つの環を含む縮合環構造を含む。幾つかの実施形態においては、前記縮合環構造は、アザ－ジベンゾフラン、アザ－ジベンゾチオフェン、アザ－ジベンゾセレフェン、アザ－ジベンゾフルオレン、及びアザ－カルバゾールからなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、少なくとも４つの環を含む縮合環構造を含む。幾つかの実施形態においては、かかる４つの環は、線状に互いに縮合される。幾つかの実施形態においては、かかる４つの環は、非線状に互いに縮合される。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、少なくとも５つの環を含む縮合環構造を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、少なくとも６つの環を含む縮合環構造を含む。

縮合環構造を含む幾つかの実施形態においては、前記縮合環構造は、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾセレノフェン、カルバゾール、及びそれらのアザ－バリアントからなる群から選択される部分を含む。

縮合環構造を含む幾つかの実施形態においては、前記縮合環構造は、カルベン部分を含む。

縮合環構造を含む幾つかの実施形態においては、縮合環構造における環は、それぞれ独立して、５員のヘテロアリール環又は６員のアリール又はヘテロアリール環である。

幾つかのかかる実施形態においては、前記金属錯体は、少なくとも３つの６員芳香環を含むペンダント基であって、前記少なくとも３つの６員芳香環のそれぞれが、前記少なくとも３つの６員芳香環のうちの別の６員芳香環に直接縮合されていないペンダント基を含む。幾つかのかかる実施形態においては、前記金属錯体は、少なくとも４つの６員芳香環を含むペンダント基であって、前記少なくとも４つの６員芳香環のそれぞれが、前記少なくとも４つの６員芳香環のうちの別の６員芳香環に直接縮合されていないペンダント基を含む。幾つかのかかる実施形態においては、前記金属錯体は、少なくとも５つの６員芳香環を含むペンダント基であって、前記少なくとも５つの６員芳香環のそれぞれが、前記少なくとも５つの６員芳香環のうちの別の６員芳香環に直接縮合されていないペンダント基を含む。幾つかのかかる実施形態においては、前記金属錯体は、少なくとも６つの６員芳香環を含むペンダント基であって、前記少なくとも６つの６員芳香環のそれぞれが、前記少なくとも６つの６員芳香環のうちの別の６員芳香環に直接縮合されていないペンダント基を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、前記金属に直接結合した部分的又は完全に重水素化された５員又は６員の炭素環又は複素環を含む。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、前記金属に直接結合した部分的に重水素化された５員又は６員の炭素環又は複素環を含む。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、前記金属に直接結合した完全に重水素化された５員又は６員の炭素環又は複素環を含む。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、前記金属に直接結合した部分的又は完全に重水素化された５員のヘテロアリール環を含む。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、前記金属に直接結合した部分的又は完全に重水素化された６員のアリール又はヘテロアリール環を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、合計で少なくとも７個の６員芳香環を含む。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、合計で少なくとも８個の６員芳香環を含む。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、合計で少なくとも９個の６員芳香環を含む。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、合計で少なくとも１０個の６員芳香環を含む。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、合計で少なくとも１１個の６員芳香環を含む。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、合計で少なくとも１２個の６員芳香環を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体の前記金属は、１位でカルバゾールに結合する。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、少なくとも１つのホウ素原子を含む。幾つかの実施形態においては、前記ホウ素原子は、３価のホウ素原子である。幾つかの実施形態においては、前記ホウ素原子は、４価のホウ素原子である。幾つかの実施形態においては、前記ホウ素原子は、１つの環の骨格内にある。幾つかの実施形態においては、前記ホウ素原子は、２つの環の骨格内にある。幾つかの実施形態においては、前記ホウ素原子は、３つの環の骨格内にある。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、芳香族又は非芳香族環の環炭素に直接結合した少なくとも１つのフッ素原子を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、環の一部ではない炭素に直接結合した少なくとも１つのフッ素原子を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、前記金属に直接結合している、互いに縮合した少なくとも２つのベンゼン環を含む部分を含む。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、前記金属に直接結合している、互いに縮合した少なくとも３つのベンゼン環を含む部分を含む。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、前記金属に直接結合している、互いに縮合した少なくとも４つのベンゼン環を含む部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、４位で置換され、１位で前記金属に配位するナフタレン部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、アセチルアセトネート配位子を含み、アセチルアセトネート配位子の少なくとも１つのメチルが、本明細書に定義される一般的な置換基からなる群から選択される１つの置換基Ｒによって置換される。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、アセチルアセトネート配位子の少なくとも１つのメチルが２つの置換基Ｒで置換されているアセチルアセトネート配位子を含み、Ｒは、それぞれ独立して、本明細書に定義される一般的な置換基からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、アセチルアセトネート配位子のメチル部分のそれぞれが、１つの置換基Ｒで置換されているアセチルアセトネート配位子を含み、Ｒは、それぞれ独立して、本明細書に定義される一般的な置換基からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、アセチルアセトネート配位子のメチル部分のそれぞれが、２つの置換基Ｒで置換されているアセチルアセトネート配位子を含み、Ｒは、それぞれ独立して、本明細書に定義される一般的な置換基からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、シリコン原子を含み、オプション（２）の幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、テトラアリールシランを含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、７個以上の原子を含む環構造を含み、幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、８個以上の原子を含む環構造を含み、幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、９個以上の原子を含む環構造を含む。

幾つかの実施形態においては、前記Ｐｔ及び前記四座配位子は、少なくとも１つの５員キレート環と少なくとも１つの６員キレート環とを形成する。

幾つかの実施形態においては、前記Ｐｔと前記四座配位子は、５員キレート環と２つの６員キレート環とを形成する。

幾つかの実施形態においては、前記Ｐｔと前記四座配位子は、２つの５員キレート環と１つの６員キレート環とを形成する。

幾つかの実施形態においては、前記四座配位子は、大環状配位子であり、２つの隣接する５員キレート環と２つの隣接する６員キレート環とを形成する。

幾つかの実施形態においては、前記四座配位子は、大環状配位子であり、３つの隣接する５員キレート環と１つの６員キレート環とを形成する。

幾つかの実施形態においては、前記四座配位子は、大環状配位子であり、１つの５員キレート環と３つの隣接する６員キレート環とを形成する。

幾つかの実施形態においては、前記四座配位子は、配位炭素原子に対してトランスである少なくとも１つの配位酸素原子を含む。

幾つかの実施形態においては、他の２つの配位原子は、Ｎである。

幾つかの実施形態においては、前記酸素又は硫黄原子に対してトランスである配位炭素原子は、フェニル環の一部である。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、少なくとも１０％重水素化されている。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、少なくとも３０％重水素化されている、又は少なくとも５０％重水素化されている、又は少なくとも７０％重水素化されている、又は少なくとも８５％重水素化されている、又は少なくとも９０％重水素化されている、又は少なくとも９５％重水素化されている、又は少なくとも９９％重水素化されている、又は少なくとも１００％重水素化されている。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、Ｏｓ錯体である。オプション（６）の幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、Ａｇ錯体である。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、Ａｕ錯体である。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、Ｃｕ錯体である。幾つかの実施形態では、前記金属錯体は、Ｐｄ錯体である。

幾つかの実施形態においては、Ｉｒ（ＩＩＩ）錯体は、０．１５以下のＶＤＲ値を有する。幾つかの実施形態においては、３つの二座配位子がいずれもＣ＾Ｎ配位子である。本明細書においては、Ｘ＾Ｙ命名法は、Ｘ原子及びＹ原子が金属（この場合、Ｉｒ）に配位する配位子を表す。例えば、フェニルピリジン配位子は、Ｃ＾Ｎで表され、アセチルアセトネート配位子は、Ｏ＾Ｏで表される。

幾つかの実施形態においては、前記二座配位子のうちの２つがＣ＾Ｎ配位子であり、残りの１つがＯ＾Ｏ配位子である。

幾つかの実施形態においては、前記二座配位子は、１つのＣ＾Ｎ、１つのＣ＾Ｃ、及び１つのＯ＾Ｏを含む。

幾つかの実施形態においては、前記二座配位子の３つがいずれもＣ＾Ｃ配位子である。

幾つかの実施形態においては、前記二座配位子のうちの２つがＣ＾Ｃ配位子であり、残りの１つがＣ＾Ｎ配位子である。

幾つかの実施形態においては、前記二座配位子のうちの２つがＣ＾Ｎ配位子であり、残りの１つがＣ＾Ｃ配位子である。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、４００～５００ｎｍの範囲のλ_ｍａｘ及び０．１２以下のＶＤＲ値を有する。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、４００～５００ｎｍの範囲のλ_ｍａｘ及び０．１０以下のＶＤＲ値を有する。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、４００～５００ｎｍの範囲のλ_ｍａｘ及び０．０８以下のＶＤＲ値を有する。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、４００～５００ｎｍの範囲のλ_ｍａｘ及び０．０５以下のＶＤＲ値を有する。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、５００～５９０ｎｍの範囲のλ_ｍａｘ及び０．１２以下のＶＤＲ値を有する。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、５００～５９０ｎｍの範囲のλ_ｍａｘ及び０．１０以下のＶＤＲ値を有する。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、５００～５９０ｎｍの範囲のλ_ｍａｘ及び０．０８以下のＶＤＲ値を有する。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、５００～５９０ｎｍの範囲のλ_ｍａｘ及び０．０５以下のＶＤＲ値を有する。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、５９０～７００ｎｍの範囲のλ_ｍａｘ及び０．０８以下のＶＤＲ値を有する。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、５９０～７００ｎｍの範囲のλ_ｍａｘ及び０．０５以下のＶＤＲ値を有する。

幾つかの実施形態においては、前記Ｓ１_ｅｍ－Ｔ１_ｅｍの差が、０．２５ｅＶ以下である。幾つかの実施形態においては、前記Ｓ１_ｅｍ－Ｔ１_ｅｍの差が、０．２０ｅＶ以下、又は０．１８ｅＶ以下、又は０．１６ｅＶ以下、又は０．１４ｅＶ以下、又は０．１２ｅＶ以下、又は０．１０ｅＶ以下、又は０．０８ｅＶ以下、又は０．０６ｅＶ以下、又は０．０５ｅＶ以下である。

幾つかの実施形態においては、前記第１のホストは、トリフェニレン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、５ ２－ベンゾ［ｄ］ベンゾ［４，５］イミダゾール［３，２－ａ］イミダゾール、及び５，９－ジオキサ－１３ｂ－ボラナフト［３，２，１－ｄｅ］アントラセンからなる群から選択される２つの部分的又は完全に重水素化された部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記第１のホストは、アザ－トリフェニレン、アザ－カルバゾール、アザ－インドロカルバゾール、アザ－ジベンゾチオフェン、アザ－ジベンゾフラン、アザ－ジベンゾセレノフェン、アザ－５ ２－ベンゾ［ｄ］ベンゾ［４，５］イミダゾ［３，２－ａ］イミダゾール、及びアザ－（５，９－ジオキサ－１３ｂ－ボラナフト［３，２，１－ｄｅ］アントラセン）からなる群から選択される２つの部分的又は完全に重水素化された部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記第１のホストは、トリフェニレン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、５ ２－ベンゾ［ｄ］ベンゾ［４，５］イミダゾ［３，２－ａ］イミダゾール、及び５，９－ジオキサ－１３ｂ－ボラナフト［３，２，１－ｄｅ］アントラセンからなる群から選択される少なくとも１つの部分的又は完全に重水素化された部分と、
アザ－トリフェニレン、アザ－カルバゾール、アザ－インドロカルバゾール、アザ－ジベンゾチオフェン、アザ－ジベンゾフラン、アザ－ジベンゾセレノフェン、アザ－５ ２－ベンゾ［ｄ］ベンゾ［４，５］イミダゾ［３，２－ａ］イミダゾール、及びアザ－（５，９－ジオキサ－１３ｂ－ボラナフト［３，２，１－ｄｅ］アントラセン）からなる群から選択される少なくとも１つの部分的又は完全に重水素化された部分とを含む。

幾つかの実施形態においては、前記第１のホストは、インドール又はカルバゾール部分を含まない。

幾つかの実施形態においては、前記ボリル部分は、３価のホウ素原子である。

幾つかの実施形態においては、前記ボリル部分は、４価のホウ素原子である。

幾つかの実施形態においては、前記ホウ素原子は、１つの環の骨格内に存在する。

幾つかの実施形態においては、前記ホウ素原子は、２つの環の骨格内に存在する。

幾つかの実施形態においては、前記ホウ素原子は、３つの環の骨格内に存在する。

幾つかの実施形態においては、前記Ｓ１_ｈｏｓｔ－Ｔ１_ｈｏｓｔの差は、０．３０ｅＶ以上１．２５ｅＶ以下である。

幾つかの実施形態においては、前記Ｓ１_ｈｏｓｔ－Ｔ１_ｈｏｓｔの差は、０．３５ｅＶ以上、又は０．４０ｅＶ以上、又は０．４５ｅＶ以上、又は０．５０ｅＶ以上である。

幾つかの実施形態においては、前記Ｓ１_ｈｏｓｔ－Ｔ１_ｈｏｓｔの差は、１．１５ｅＶ以下、又は１．１０ｅＶ以下、又は１．００ｅＶ以下、又は０．９０ｅＶ以下、又は０．８０ｅＶ以下、又は以下０．７０ｅＶである。

幾つかの実施形態においては、前記Ｓ１_ｈｏｓｔ－Ｔ１_ｈｏｓｔの差は、０．２５ｅＶ以下、又は０．２０ｅＶ以下、又は０．１５ｅＶ以下、又は０．１０ｅＶ以下である。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、Ｐｔ錯体である。

幾つかの実施形態においては、前記第１のホストは、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、トリアジン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、フタラジン、ピリドピラジン、ピリドピリダジン、ナフチリジン、及びナフチリジンからなる群から選択される少なくとも２つの窒素原子を含むヘテロアリール基を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、室温で光励起して発光し、発せられた光が、ＰＭＭＡフィルムにおいて１％の質量濃度で測定したときのピーク発光波長λ_ｍａｘによって特徴付けられる発光スペクトルを有し、λ_ｍａｘにおける発光の半値全幅が３５ｎｍ以下、又は３０ｎｍ以下、又は２５ｎｍ以下、又は２０ｎｍ以下、又は１５ｎｍ以下、又は１０ｎｍ以下である。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、室温で光励起し発光し、発せられた光が、ＰＭＭＡフィルムにおいて１％の質量濃度で測定したときのピーク発光波長λ_ｍａｘによって特徴付けられる発光スペクトルを有し、λ_ｍａｘが、７００～１０００ｎｍの範囲にあり、ＰＬＱＹ値が、少なくとも３０％である。幾つかのかかる実施形態においては、λ_ｍａｘは、７００～９００ｎｍ又は７００～８００ｎｍの範囲にある。幾つかのかかる実施形態においては、前記ＰＬＱＹ値は、少なくとも４０％である、又は前記ＰＬＱＹ値は、少なくとも５０％である、又は前記ＰＬＱＹ値は、少なくとも６０％である、又は前記ＰＬＱＹ値は、少なくとも７０％である、又は前記ＰＬＱＹ値は、少なくとも８０％である、又は前記ＰＬＱＹ値は、少なくとも９０％である、又は前記ＰＬＱＹ値は、少なくとも９９．９％である。

幾つかの実施形態においては、前記発光層は、エキサイプレックスを形成する２以上の材料を含む。

幾つかの実施形態においては、前記発光層は、エキサイプレックスを形成する２つ以上のホスト材料を含む。

幾つかの実施形態においては、前記発光層は、エキサイプレックスを形成する少なくとも１つのホスト材料と、少なくとも１つの燐光発光体とを含む。

幾つかの実施形態においては、２以上の材料が、同一の更なる材料とエキサイプレックスを形成する。例えば、前記第１のホストと前記第２のホストとがエキサイプレックスを形成し、前記第１の金属錯体と前記第２のホストとがエキサイプレックスを形成する。

幾つかの実施形態においては、２以上の材料がエキサイプレックスを形成し、エキサイプレックスの形成の程度を低減する更なる材料が前記発光層に添加される。例えば、前記第１ホストと前記第２ホストの各フィルムが、赤色シフトフォトルミネッセンススペクトル、又は各成分それぞれの薄膜の発光と比較して、より長い波長又はより低いエネルギーで新たなピークを含むフォトルミネッセンススペクトルによって見られるエキサイプレックスを形成する。しかし、第３のホストの添加後、エキサイプレックスからの発光量が大幅に減少し、これは、エキサイプレックス形成率の低下を示す。

幾つかの実施形態においては、前記エキサイプレックスの青色端部は、前記第１の金属錯体のピーク波長よりエネルギーが高く、前記エキサイプレックスの青色端部は、ＰＬスペクトルの最大値を値１に規格化したときに前記ＰＬスペクトルの値が０．１になる最高エネルギー波長である。

幾つかの実施形態においては、前記エキサイプレックスの青色端部は、前記第１の金属錯体のピーク波長よりエネルギーが低く、前記エキサイプレックスの青色端部は、ＰＬスペクトルの最大値を値１に規格化したときに前記ＰＬスペクトルの値が０．１になる最高エネルギー波長である。

幾つかの実施形態においては、２以上の材料で形成されるエキサイプレックスは弱く発光し、フォトルミネッセンス量子収率（ＰＬＱＹ）が３０％未満である。前記ＰＬＱＹを、励起波長３４０ｎｍの校正済みＨａｍａｍａｔｓｕ Ｑｕａｎｔａｕｒｕｓ－ＱＹ Ｐｌｕｓ ＵＶ－ＮＩＲ絶対ＰＬ量子収率分光計で測定すると、ＰＬＱＹ値は、トルエン中にＰＭＭＡを含む、ろ過され石英基板にドロップキャストされた１重量％のドーパント溶液から調製された薄膜から得られる。

幾つかの実施形態においては、２以上の材料によって形成されるエキサイプレックスは、５０％を超えるＰＬＱＹ、より好ましくは７５％を超えるＰＬＱＹで強く発光する。

幾つかの実施形態においては、いずれの材料もエキサイプレックスを形成しない。幾つかの実施形態では、

幾つかの実施形態においては、前記少なくとも１つの更なる層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、及び電子注入層からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記少なくとも１つの更なる層は、前記発光層に隣接している。

幾つかの実施形態においては、前記少なくとも１つの更なる層の材料はいずれも、部分的又は完全に重水素化されている。

幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、１０ｍＡ／ｃｍ^２で測定される第１のデバイス寿命ＬＴ９５を有し、前記第１のデバイス寿命は、前記第１のホストが重水素化されていないことを除き前記第１のデバイス寿命と同一の条件で得られる第２のデバイス寿命より少なくとも１．５倍長い。幾つかの実施形態においては、前記第１のデバイスの寿命は、前記第１のホストが重水素化されていないことを除き前記第１のデバイス寿命と同一の条件で得られる第２のデバイス寿命より少なくとも２．０倍長い。幾つかの実施形態においては、前記第１のデバイスの寿命は、前記第１のホストが重水素化されていないことを除き前記第１のデバイス寿命と同一の条件で得られる第２のデバイス寿命より少なくとも２．５倍長い。幾つかの実施形態においては、前記第１のデバイスの寿命は、前記第１のホストが重水素化されていないことを除き前記第１のデバイス寿命と同一の条件で得られる第２のデバイス寿命より少なくとも３．０倍長い。幾つかの実施形態においては、前記第１のデバイスの寿命は、前記第１のホストが重水素化されていないことを除き前記第１のデバイス寿命と同一の条件で得られる第２のデバイス寿命より少なくとも４．５倍長い。

本明細書で使用されるとき、「ＬＴ９５」は、１０ｍＡ／ｃｍ^２の定電流密度で駆動されたときに、初期デバイス輝度の９５％に達する時間として定義される。上で行ったデバイス寿命の比較は、１超のホストを含む発光層に適用され得ることが理解される。かかる材料では、１．５倍、２．０倍、又は２．５倍、又は３．０倍、又は４．０倍、又は５．０倍超の改善が、前記ホスト化合物の１つ又は前記ホスト化合物の１超の重水素化の結果であり得る。上で行ったデバイス寿命の比較は、１超のホストを含む発光層に適用され得ることが理解される。かかる材料では、１．５倍超の改善が、前記ホスト化合物の１つ又は前記ホスト化合物の１超の重水素化の結果であり得る。

幾つかの実施形態においては、前記アノード、前記カソード、又は前記発光層の上に配置された更なる層のうちの少なくとも１つが、エンハンスメント層として機能し、前記エンハンスメント層が、前記第１の燐光発光体に非放射的に結合し、励起状態エネルギーを前記発光体材料から表面プラズモンポラリトンの非放射モードに伝達する表面プラズモン共鳴を示すプラズモン材料を含み、前記エンハンスメント層が、前記発光層から閾距離以内に設けられ、前記第１の燐光発光体が、前記エンハンスメント層の存在に起因する総非放射性崩壊速度定数と総放射性崩壊速度定数とを有し、前記閾距離は、前記総非放射性崩壊速度定数が、前記総放射性崩壊速度定数と等しい距離である。

幾つかの実施形態においては、前記アノードに対して前記垂直にカソードに向かって延びる方向に沿う前記発光層中の前記金属錯体の濃度レベルが、予め定義された非一定の勾配プロファイルにしたがう。

幾つかの実施形態においては、条件（１）～（２１）のうちの少なくとも２つが充足され、条件（１）～（２１）のうちの少なくとも３つが充足され、条件（１）～（２１）のうちの少なくとも４つが充足され、条件（１）から（２１）のうちの５個～２１個の条件が充足される（但し、互いに一貫性を有する限り）。

以下の実施形態は、互いに一貫性を有する前述の実施形態のいずれかに適用される。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｕからなる群から選択される金属を含む。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、Ｉｒ、Ｐｔ、及びＡｕからなる群から選択される金属を含む。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、Ｉｒ又はＰｔ錯体である。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、Ｐｔ錯体である。幾つかの実施形態においては、前記Ｐｔ錯体は、四座配位子を含む。幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、Ｐｔ（ＩＩ）四座錯体である。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体と前記ホストとが、エキサイプレックスを形成する。

幾つかの実施形態においては、前記第１のホストは、少なくとも１０％重水素化されている。幾つかの実施形態においては、前記第１のホストは、少なくとも３０％重水素化されている、又は少なくとも５０％重水素化されている、又は少なくとも７０％重水素化されている、又は少なくとも８５％重水素化されている、又は少なくとも９０％重水素化されている、又は少なくとも９５％重水素化されている、又は少なくとも９９％重水素化されている、又は１００％重水素化されている。

幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは第２のホストを含む。幾つかの実施形態においては、前記第２のホストは、重水素化されていない。幾つかの実施形態においては、前記第２のホストは、部分的又は完全に重水素化されている。幾つかの実施形態においては、前記第２のホストは、少なくとも５０％重水素化されている、又は少なくとも７５％重水素化されている、又は少なくとも９０％重水素化されている。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、白金錯体であり、前記第１のホストは、トリアジン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、アザ－ジベンゾフラン、アザ－ジベンゾチオフェン、トリフェニレン、アザ－トリフェニレン、カルバゾール、インドロカルバゾール、アザ－カルバゾール、アザ－インドロカルバゾール、シリル、及びボリルからなる群から選択される部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、白金錯体であり、前記第１のホストは、トリアジン部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、少なくとも１つのシアノ置換基を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、部分的にフッ素化されている。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、少なくとも１つの部分的に重水素化されたアルキル基を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、カルバゾール部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、四座配位子を含む白金錯体であり、前記四座配位子と白金原子とが５－６－６キレート環を形成する。

幾つかの実施形態においては、前記発光層は、５００ｎｍ以下のピーク発光を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、５００ｎｍ以下のピーク発光を有する発光体を含む。

幾つかの実施形態においては、前記第１のホストのＬＵＭＯは、－２．３ｅＶ未満である。幾つかの実施形態においては、前記第１のホストのＨＯＭＯは、－５．８ｅＶ超である。

幾つかの実施形態においては、前記発光層は、第２のホストを更に含み、第１のホストは、－５．８ｅＶ超のＨＯＭＯ準位を有し、前記第２のホストは、－２．３ｅＶ未満のＬＵＭＯ準位を有する。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、少なくとも１つのトリアリールアミンを含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、前記金属を含むキレート環の一部であるＯ－リンカー（即ち、エーテル）を含む。幾つかの実施形態においては、前記Ｏ－リンカーは、前記金属に直接結合されている。幾つかの実施形態においては、前記Ｏ－リンカーは、前記金属に直接結合されていない。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、部分的に重水素化されたアルキル基、部分的に重水素化されたシクロアルキル基、部分的に重水素化されたアリール又はヘテロアリール基、完全に重水素化されたアルキル基、及び完全に重水素化されたアリール又はヘテロアリール基からなる群から選択される少なくとも１つの部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、配位子と前記金属との間に少なくとも１つの５員キレート環を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、－５．２ｅＶ未満のＨＯＭＯ準位を有する。

幾つかの実施形態においては、前記第１のホストは、以下のリスト１の構造からなる群から選択される。

式中、
Ｘ_１～Ｘ_１１は、それぞれ独立して、Ｃ又はＮであり；
Ｌ’は、直接結合又は有機リンカーであり；
Ｙ^Ａは、それぞれ独立して存在しない、又は存在する場合は、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＣＲＲ’、ＳｉＲＲ’、ＮＲ、ＢＲ、ＢＲＲ’からなる群から選択され；
Ｒ^Ａ’、Ｒ^Ｂ’、Ｒ^Ｃ’、Ｒ^Ｄ’、Ｒ^Ｅ’、Ｒ^Ｆ’、及びＲ^Ｇ’は、それぞれ独立して、モノから最大の置換数、又は無置換を表し；
Ｒ、Ｒ’、Ｒ^Ａ’、Ｒ^Ｂ’、Ｒ^Ｃ’、Ｒ^Ｄ’、Ｒ^Ｅ’、Ｒ^Ｆ’、及びＲ^Ｇ’は、それぞれ独立して、水素、又は本明細書に定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり；
Ｒ、Ｒ’、Ｒ^Ａ’、Ｒ^Ｂ’、Ｒ^Ｃ’、Ｒ^Ｄ’、Ｒ^Ｅ’、Ｒ^Ｆ’、又はＲ^Ｇ’のうちの少なくとも１つは、重水素を含む。

リスト１の構造に示されるように、存在する場合、Ｙ^Ａは、２つのフェニル環の間の５員環の一部である。したがって、Ｙ^Ａが存在しない例では、２つの６員環は既存の単結合によって互いに結合される。幾つかの実施形態においては、前記第１のホストは、以下のリスト２の構造からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、以下からなる群から選択される部分を含む配位子Ｌ_Ａを有する。

式中、
Ｙ^１～Ｙ^８は、それぞれ独立して、Ｃ又はＮであり；
Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ、及びＲ^ｄは、それぞれ独立して、モノから最大の置換数、又は無置換を表し；
Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ、及びＲ^ｄは、それぞれ独立して、水素、又は本明細書に定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基である。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ、及びＲ^ｄのうちの少なくとも１つは、重水素を含む。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、構造Ｍ（Ｌ_Ａ）_ｐ（Ｌ_Ｂ）_ｑ（Ｌ_Ｃ）_ｒを有し、式中、ｐは、１、２、又は３であり；ｑは、０、１、又は２であり；ｒは、０、１、又は２であり；ｐ＋ｑ＋ｒは、金属Ｍの酸化状態であり；配位子Ｌ_Ｂ及び配位子Ｌ_Ｃは、それぞれ独立して、以下のリスト３の構造からなる群から選択される。

式中、
Ｔは、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎからなる群から選択され；
Ｙ^１～Ｙ^１３は、それぞれ独立して、炭素及び窒素からなる群から選択され；
Ｙ’は、ＢＲ_ｅ、ＮＲ_ｅ、ＰＲ_ｅ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｃ＝Ｏ、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ_２、ＣＲ_ｅＲ_ｆ、ＳｉＲ_ｅＲ_ｆ、及びＧｅＲ_ｅＲ_ｆからなる群から選択され；
Ｒ_ｅ及びＲ_ｆは、縮合又は結合して、環を形成することができ；
Ｒ_ａ、Ｒ_ｂ、Ｒ_ｃ、及びＲ_ｄは、それぞれ独立して、ゼロ、モノ、又はその関連する環に対して可能な置換の最大数までを表し；
Ｒ_ａ１、Ｒ_ｂ１、Ｒ_ｃ１、Ｒ_ｄ１、Ｒ_ａ、Ｒ_ｂ、Ｒ_ｃ、Ｒ_ｄ、Ｒ_ｅ、及びＲ_ｆは、それぞれ独立して、水素、又は本明細書に定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり；
任意の２つの隣接するＲ_ａ、Ｒ_ｂ、Ｒ_ｃ、Ｒ_ｄ、Ｒ_ｅ、及びＲ_ｆは、縮合又は結合して、環を形成することができる又は多座配位子を形成することができる。

幾つかの実施形態においては、Ｍは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、及びＣｕからなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、配位子Ｌ_Ｂ及び配位子Ｌ_Ｃは、それぞれ独立して、以下のリスト４の構造からなる群から選択される。

式中、
Ｒ_ａ’、Ｒ_ｂ’、及びＲ_ｃ’は、それぞれ独立して、ゼロ、モノ、又はその関連する環に対して可能な置換の最大数までを表し；
Ｒ_ａ１、Ｒ_ｂ１、Ｒ_ｃ１、Ｒ_ａ、Ｒ_ｂ、Ｒ_ｃ、Ｒ_Ｎ、Ｒ_ａ’、Ｒ_ｂ’、及びＲ_ｃ’は、それぞれ独立して、水素、又は本明細書に定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり；
２つの隣接するＲ_ａ’、Ｒ_ｂ’、及びＲ_ｃ’は、縮合又は結合して、環を形成することができる又は多座配位子を形成することができる。

幾つかの実施形態においては、前記金属錯体は、以下のリスト５の構造からなる群から選択される。

式中、
Ｘ_１２～Ｘ_１９は、それぞれ独立して、Ｃ又はＮであり；
Ｙは、それぞれ独立して、ＮＲ、Ｏ、Ｓ、及びＳｅからなる群から選択され；
Ｌは、それぞれ独立して、直接結合、ＢＲ、ＢＲＲ’、ＮＲ、ＰＲ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｃ＝Ｘ’、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ_２、ＣＲ、ＣＲＲ’、ＳｉＲＲ’、ＧｅＲＲ’、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びそれらの組合せからなる群から選択され；
Ｘ及びＸ’は、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＮＲ”、及びＣＲ”Ｒ’”からなる群から選択され；
Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、Ｒ’”、Ｒ^Ａ”、Ｒ^Ｂ”、Ｒ^Ｃ”、Ｒ^Ｄ”、Ｒ^Ｅ”、及びＲ^Ｆ”は、それぞれ独立して、モノから最大の置換数、又は無置換を表し；
Ｒ、Ｒ’、Ｒ^Ａ１’、Ｒ^Ａ２’、Ｒ^Ａ”、Ｒ^Ｂ”、Ｒ^Ｃ”、Ｒ^Ｄ”、Ｒ^Ｅ”、Ｒ^Ｆ”、Ｒ^Ｇ”、Ｒ^Ｈ”、Ｒ^Ｉ”、Ｒ^Ｊ”、Ｒ^Ｋ”、Ｒ^Ｌ”、Ｒ^Ｍ”、及びＲ^Ｎ”は、それぞれ独立して、水素、又は本明細書に定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基である。

幾つかの実施形態においては、前記金属カルベン錯体は、以下のリスト６の構造からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記第２のホストは、本明細書で定義されるリスト１及びリスト２の構造からなる群から選択される。

エキサイプレックスを含むＯＬＥＤ
本明細書に記載される更に別の実施形態においては、アノードと；カソードと；前記アノードと前記カソードとの間に配置された発光層とを含むＯＬＥＤが開示される。前記発光層は、第１の化合物と第２の化合物とを含み、前記第１の化合物と前記第２の化合物とがエキサイプレックスを形成し、前記第１の化合物は、有機金属化合物ではなく、前記第１の化合物は、完全又は部分的に重水素化されており、但し、前記第１の化合物と前記第２の化合物のいずれも、以下の化合物ではない。

幾つかの実施形態においては、前記第１及び第２の化合物はいずれも、有機材料である。

幾つかの実施形態においては、前記第１の化合物は、金属を含まない。

幾つかの実施形態においては、前記第１の化合物は、少なくとも２つの重水素原子を含む。

幾つかの実施形態においては、前記第１の化合物は、少なくとも５％重水素化されている。

幾つかの実施形態においては、前記第１及び第２の化合物はいずれも、ホスト材料であり、前記発光層は、発光体を更に含む。

幾つかの実施形態においては、前記第１の化合物及び前記第２の化合物は、それぞれ独立して、本明細書に定義されるリスト１の化合物からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記第１の化合物及び前記第２の化合物は、それぞれ独立して、本明細書に定義されるリスト２の化合物からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記発光体は、燐光化合物、蛍光化合物、及び熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）化合物から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記第１の化合物がホスト材料であり、前記第２の化合物が発光体である。

幾つかの実施形態においては、前記発光体は、本明細書で定義されるリスト３の構造からなる群から選択される配位子を含む燐光化合物である。

幾つかの実施形態においては、前記発光体は、本明細書で定義されるリスト４の構造からなる群から選択される配位子を含む燐光化合物である。

幾つかの実施形態においては、前記発光体は、本明細書で定義されるリスト５の構造からなる群から選択される燐光化合物である。

幾つかの実施形態においては、前記発光体がＴＡＤＦ化合物であり、前記ＴＡＤＦ化合物が多重共鳴熱活性化遅延蛍光（ＭＲ－ＴＡＤＦ）発光体である。

幾つかの実施形態においては、前記発光体がＴＡＤＦ化合物であり、前記ＴＡＤＦ化合物が、以下：

からなる群から選択される化学部分の少なくとも１つを含むドナー基と、以下：

からなる群から選択される化学部分の少なくとも１つを含むアクセプター基とを含む。
（前記式中、Ｘは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、及びＮＲからなる群から選択され；
Ｒは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒは、それぞれ独立してアクセプター基、アクセプター基に結合した有機リンカー、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びそれらの組合せからなる群から選択される末端基であり；
Ｒ’は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ’は、それぞれ独立して、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びそれらの組合せからなる群から選択される。）

幾つかの実施形態においては、前記発光体は、以下のリスト１０の構造からなる群から選択されるＴＡＤＦ化合物である。

幾つかの実施形態においては、前記発光体は、以下のリスト１１の構造からなる群から選択される蛍光化合物である。

式中、Ｒ^１～Ｒ^６は、それぞれ独立して、モノから可能な最大の置換数、又は無置換を表し；Ｒ^１～Ｒ^６は、それぞれ独立して、水素、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される又は置換基である。

幾つかの実施形態においては、前記第２の化合物は、完全又は部分的に重水素化されている。

幾つかの実施形態においては、前記第２の化合物が白金錯体であり、前記第１の化合物がトリアジン部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記第２の化合物は、カルバゾール部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記第２の化合物は、四座配位子を含む白金錯体であり、前記四座配位子と白金原子とが５－６－６キレート環を形成する。

幾つかの実施形態においては、前記発光層は、５００ｎｍ以下のピーク発光を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４９０ｎｍ以下のピーク発光を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４８０ｎｍ以下のピーク発光を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４７０ｎｍ以下のピーク発光を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４６０ｎｍ以下のピーク発光を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４５０ｎｍ以下のピーク発光を有する。

幾つかの実施形態においては、前記第１の化合物のＬＵＭＯは、－２．３ｅＶ未満である。幾つかの実施形態においては、前記第１の化合物のＬＵＭＯは、－２．４ｅＶ未満である。

幾つかの実施形態においては、前記第１の化合物のＨＯＭＯは、－５．８ｅＶ超である。幾つかの実施形態においては、前記第１の化合物のＨＯＭＯは、－５．７ｅＶ超である。

幾つかの実施形態においては、前記発光層は、第２のホストを更に含み、前記第１の化合物は、－５．８ｅＶ超のＨＯＭＯ準位を有し、前記第２のホストは、－２．３ｅＶ未満のＬＵＭＯ準位を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、第２のホストを更に含み、前記第１の化合物は、－５．７ｅＶ超のＨＯＭＯ準位を有し、前記第２のホストは、－２．４ｅＶ未満のＬＵＭＯ準位を有する。

幾つかの実施形態においては、前記第２の化合物は、少なくとも１つのシアノ置換基を含む。

幾つかの実施形態においては、前記第２の化合物は、部分的にフッ素化されている。幾つかの実施形態においては、前記第２の化合物は、正確に１つのＦを含む。幾つかの実施形態においては、前記第２の化合物は、少なくとも２つのＦを含む。

幾つかの実施形態においては、前記第２の化合物は、少なくとも１つのトリアリールアミンを含む。

幾つかの実施形態においては、前記第２の化合物は、少なくとも１つの部分的に重水素化されたアルキル基を含む。

幾つかの実施形態においては、前記第２の化合物は、配位子と前記金属との間に少なくとも１つの５員キレート環を含む。

幾つかの実施形態においては、前記第２の化合物は、－５．２ｅＶ未満のＨＯＭＯ準位を有する。幾つかの実施形態においては、前記第２の化合物は、－５．３ｅＶ未満のＨＯＭＯ準位を有する。

別の態様において、アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間に配置された発光層とを含む有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ）が記載される。前記発光層は、燐光ドーパントとホストとを含み、前記燐光ドーパントは、部分的又は完全に重水素化されており、前記ホストは、部分的又は完全に重水素化されている。

幾つかの実施形態においては、前記ドーパントは、Ｉｒ又はＰｔ錯体である。幾つかの実施形態においては、前記ドーパントは、Ｐｔ錯体である。

幾つかの実施形態においては、前記Ｐｔ錯体は、四座配位子を含む。幾つかの実施形態においては、前記ドーパント及び前記ホストは、エキサイプレックスを形成する。

幾つかの実施形態においては、前記ホストは、本明細書で定義されるリスト１の構造からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記ホストは、本明細書で定義されるリスト２の構造からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記燐光ドーパントが白金錯体であり、前記ホストがトリアジン部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記燐光ドーパントは、カルバゾール部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記燐光ドーパントが四座配位子を含む白金錯体であり、前記四座配位子と白金原子とが５－６－６キレート環を形成する。

幾つかの実施形態においては、前記発光層は、５００ｎｍ以下のピーク発光を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４９０ｎｍ以下のピーク発光を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４８０ｎｍ以下のピーク発光を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４７０ｎｍ以下のピーク発光を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４６０ｎｍ以下のピーク発光を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、４５０ｎｍ以下のピーク発光を有する。

幾つかの実施形態においては、前記ホストのＬＵＭＯは、－２．３ｅＶ未満である。幾つかの実施形態においては、前記ホストのＬＵＭＯは、－２．４ｅＶ未満である。

幾つかの実施形態においては、前記ホストのＨＯＭＯは、－５．８ｅＶ超である。幾つかの実施形態においては、前記ホストのＨＯＭＯは、－５．７ｅＶ超である。

幾つかの実施形態においては、前記発光層は、第２のホストを更に含み、前記第１のホストは、－５．８ｅＶ超のＨＯＭＯ準位を有し、前記第２のホストは、－２．３ｅＶ未満のＬＵＭＯ準位を有する。幾つかの実施形態においては、前記発光層は、第２のホストを更に含み、前記第１のホストは、－５．７ｅＶ超のＨＯＭＯ準位を有し、前記第２のホストは、－２．４ｅＶ未満のＬＵＭＯ準位を有する。

幾つかの実施形態においては、前記燐光ドーパントは、少なくとも１つのシアノ置換基を含む。

幾つかの実施形態においては、前記燐光ドーパントは、部分的にフッ素化されている。幾つかの実施形態においては、前記第２の化合物は、正確に１つのＦを含む。幾つかの実施形態においては、前記第２の化合物は、少なくとも２つのＦを含む。

幾つかの実施形態においては、前記燐光ドーパントは、少なくとも１つのトリアリールアミンを含む。

幾つかの実施形態においては、前記燐光ドーパントは、少なくとも１つの部分的に重水素化されたアルキル基を含む。

幾つかの実施形態においては、前記燐光ドーパントは、配位子と前記金属との間に少なくとも１つの５員キレート環を含む。

幾つかの実施形態においては、前記燐光ドーパントは、－５．２ｅＶ未満のＨＯＭＯ準位を有する。幾つかの実施形態においては、前記燐光ドーパントは、－５．３ｅＶ未満のＨＯＭＯ準位を有する。

更に別の態様において、アノードと；カソードと；前記アノードと前記カソードとの間に配置された発光層とを含む有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ）が記載される。前記発光層は、燐光ドーパントと第１のホストとを含み、前記第１のホストは、部分的又は完全に重水素化されており、前記燐光ドーパントは、少なくとも１つの金属－酸素結合を含む。

幾つかの実施形態においては、前記燐光ドーパントは、Ｉｒ又はＰｔ錯体である。

幾つかの実施形態においては、前記ドーパントは、Ｐｔ錯体である。

幾つかの実施形態においては、前記Ｐｔ錯体は、四座配位子を含む。

幾つかの実施形態においては、前記燐光ドーパントと前記ホストとが、エキサイプレックスを形成する。

幾つかの実施形態においては、前記ホストは、本明細書で定義されるリスト１の構造からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記ホストは、本明細書で定義されるリスト２の構造からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記燐光ドーパントが白金錯体であり、前記ホストがトリアジン部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記燐光ドーパントは、ベンズイミダゾール部分を含む。

幾つかの実施形態においては、前記燐光ドーパントが四座配位子を含む白金錯体であり、前記四座配位子と白金原子とが５－６－６キレート環を形成する。

幾つかの実施形態においては、前記発光層は、第２のホストを更に含み、前記第１のホストは、－５．８ｅＶ超のＨＯＭＯ準位を有し、前記第２のホストは、－２．３ｅＶ未満のＬＵＭＯ準位を有する。

幾つかの実施形態においては、本明細書に記載されるＯＬＥＤは、更なる特徴を含むことができる。

一般的な用語（例えば、発光体、発光ドーパント、ホストなど）が使用される場合、ある実施形態の化合物を別の実施形態で使用することができる。

幾つかの実施形態においては、前記有機層は、更に、ホストを含むことができ、前記ホストは、ベンゾ縮合チオフェン又はベンゾ縮合フランを含むトリフェニレンを含み、前記ホストにおける任意の置換基は、Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１、ＯＣ_ｎＨ_２ｎ＋１、ＯＡｒ_１、Ｎ（Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１）_２、Ｎ（Ａｒ_１）（Ａｒ_２）、ＣＨ＝ＣＨ－Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１、Ｃ≡ＣＣ_ｎＨ_２ｎ＋１、Ａｒ_１、Ａｒ_１－Ａｒ_２、Ｃ_ｎＨ_２ｎ－Ａｒ_１からなる群から独立して選択される非縮合置換基である、又は無置換であり、ｎは、１～１０であり；Ａｒ_１及びＡｒ_２は、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びそれらのヘテロ芳香族アナログからなる群から独立して選択される。

幾つかの実施形態においては、前記有機層は、更に、ホストを含むことができ、前記ホストは、トリフェニレン、カルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、アザトリフェニレン、アザカルバゾール、アザ－ジベンゾチオフェン、アザ－ジベンゾフラン、及びアザ－ジベンゾセレノフェンからなる群から選択される少なくとも１つの化学基を含む。

幾つかの実施形態においては、前記ホストは、以下からなるホスト群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記有機層は、更に、ホストを含むことができ、前記ホストは、金属錯体を含む。

幾つかの実施形態においては、本明細書に記載の化合物は、増感剤であることができ、前記デバイスは、更に、アクセプターを含み、前記アクセプターは、蛍光発光体、遅延蛍光発光体、及びそれらの組合せからなる群から選択することができる。

更に別の態様において、本開示のＯＬＥＤは、また、本開示の前記化合物セクションに開示される化合物を含む発光領域を含むことができる。

幾つかの実施形態においては、本開示のＯＬＥＤは、カソードとアノードとの間に発光領域を含み、前記発光領域は、第１の燐光発光体と第１のホストとを含む、本明細書に開示される発光層を含む。

幾つかの実施形態においては、アノード、カソード、又は有機発光層の上に配置された新たな層の少なくとも１つが、エンハンスメント層として機能する。エンハンスメント層は、非放射的に発光体材料に結合し、発光体材料から励起状態エネルギーを非放射モードの表面プラズモンポラリトンに伝達する表面プラズモン共鳴を示すプラズモン材料を含む。エンハンスメント層は、有機発光層から閾値距離以内に設けられ、発光体材料は、エンハンスメント層の存在により総非放射性崩壊速度定数及び総放射性崩壊速度定数を有し、閾値距離では、総非放射性崩壊速度定数は、総放射性崩壊速度定数に等しい。幾つかの実施形態においては、ＯＬＥＤは、更に、アウトカップリング層を含む。幾つかの実施形態においては、アウトカップリング層は、有機発光層の反対側のエンハンスメント層の上に配置される。幾つかの実施形態においては、アウトカップリング層は、エンハンスメント層から発光層の反対側に配置されるが、依然として、エンハンスメント層の表面プラズモンモードからエネルギーをアウトカップリングする。アウトカップリング層は、表面プラズモンポラリトンからのエネルギーを散乱させる。幾つかの実施形態においては、このエネルギーは、光子として自由空間に散乱される。他の実施形態においては、エネルギーは、表面プラズモンモードから、デバイスの他のモード、例えば、有機導波路モード、基板モード、又は別の導波モードなどに散乱されるがこれらに限定されない。エネルギーがＯＬＥＤの非自由空間モードに散乱される場合、他のアウトカップリングスキームを組み込んでそのエネルギーを自由空間に取り出すことができる。幾つかの実施形態においては、１以上の介在層を、エンハンスメント層とアウトカップリング層との間に配置することができる。介在層の例としては、有機、無機、ペロブスカイト、酸化物を含む誘電体材料であることができ、これらの材料の積層体及び／又は混合物を含むことができる。

エンハンスメント層は、発光体材料が存在する媒体の有効特性を変更し、発光率の低下、発光ライン形状の変更、角度による発光強度の変化、発光体材料の安定性の変化、ＯＬＥＤの効率の変化、及びＯＬＥＤデバイスの効率ロールオフの低下のいずれか又は全てをもたらす。カソード側、アノード側、又は両側にエンハンスメント層を配置すると、前記した効果のいずれかを利用するＯＬＥＤデバイスが得られる。本明細書に記載され、図示される様々なＯＬＥＤの例に示される特定の機能層に加えて、本開示に係るＯＬＥＤは、ＯＬＥＤにしばしば見られる他の機能層のいずれかを含むことができる。

エンハンスメント層は、プラズモン材料、光学活性メタ材料、又はハイパーボリックメタ材料で構成することがきる。本明細書で使用されるとき、プラズモン材料は、誘電率の実部が、電磁スペクトルの可視又は紫外領域でゼロを横切る材料である。幾つかの実施形態では、プラズモン材料は、少なくとも１つの金属を含む。そのような実施形態においては、金属は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｇａ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃａ、これらの材料の合金又は混合物、及びこれらの材料の積層体の少なくとも１つを含むことができる。一般に、メタ材料は、異なる材料で構成される媒体であり、媒体が全体として、その各材料部分の合計とは異なる動作をする。特に、光学活性メタ材料は、負の誘電率と負の透磁率の両方を有する材料と定義される。一方、ハイパーボリックメタ材料は、誘電率又は透磁率が異なる空間方向に対して異なる符号を有する異方性媒体である。光学活性メタ材料とハイパーボリックメタ材料は、光の波長の長さスケールで伝搬方向に均一に見える媒体であるという点で、分布ブラッグ反射器（「ＤＢＲ」）などの他の多くのフォトニック構造体と厳密に区別される。当業者が理解できる用語を使用すると、伝播方向におけるメタ材料の誘電率は、有効媒質近似で記述することができる。プラズモン材料とメタ材料は、光の伝搬を制御する方法を提供し、様々な方法でＯＬＥＤ性能を向上させることができる。

幾つかの実施形態においては、エンハンスメント層は平坦層として設けられる。他の実施形態においては、エンハンスメント層は、周期的、準周期的、若しくはランダムに配置される波長サイズのフィーチャ、又は周期的、準周期的、若しくはランダムに配置されるサブ波長サイズのフィーチャを有する。幾つかの実施形態においては、波長サイズのフィーチャ及びサブ波長サイズのフィーチャは、シャープなエッジを有する。

幾つかの実施形態においては、アウトカップリング層は、周期的、準周期的、若しくはランダムに配置される波長サイズのフィーチャ、又は周期的、準周期的、若しくはランダムに配置されるサブ波長サイズのフィーチャを有する。幾つかの実施形態においては、アウトカップリング層は、複数のナノ粒子から構成することができ、他の実施形態においては、アウトカップリング層は、材料の上に配置された複数のナノ粒子から構成される。これらの実施形態においては、アウトカップリングを、複数のナノ粒子のサイズを変えること、複数のナノ粒子の形状を変えること、複数のナノ粒子の材料を変えること、材料の厚みを調整すること、材料の屈折率又は複数のナノ粒子上に配置される更なる層の屈折率を変えること、エンハンスメント層の厚みを変えること、及び／又はエンハンスメント層の材料を変えることの少なくとも１つによって調節可能であり得る。デバイスの複数のナノ粒子は、金属、誘電体材料、半導体材料、金属の合金、誘電体材料の混合物、１以上の材料の積層体又は層、及び／又はあるタイプの材料のコアであって、別のタイプの材料のシェルでコーティングされたものの少なくとも１つから形成することができる。幾つかの実施形態においては、アウトカップリング層は、少なくとも金属ナノ粒子から構成され、前記金属は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｇａ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃａ、これらの材料の合金又は混合物、及びこれらの材料の積層体からなる群から選択される。複数のナノ粒子は、それらの上に配置された更なる層を有することができる。幾つかの実施形態においては、発光の偏光を、アウトカップリング層を使用して調節することができる。アウトカップリング層の次元と周期性を変えることで、空気に優先的にアウトカップリングされる偏光のタイプを選択できる。幾つかの実施形態においては、アウトカップリング層は、デバイスの電極としても機能する。

更に別の態様において、本開示は、また、アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間に配置された有機層とを有する有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）であって、前記有機層が、本開示の前記化合物セクションに開示される化合物を含むＯＬＥＤを含む消費者製品を提供する。

幾つかの実施形態においては、前記消費者製品は、本明細書に記載の有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）を含む。

幾つかの実施形態においては、前記消費者製品は、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニター、メディカルモニター、テレビ、掲示板、屋内若しくは屋外照明及び／又は信号送信用のライト、ヘッドアップディスプレイ、完全又は部分透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、レーザープリンター、電話、携帯電話、タブレット、ファブレット、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダー、ビューファインダー、対角で２インチ未満のマイクロディスプレイ、３－Ｄディスプレイ、バーチャルリアリティ又は拡張現実ディスプレイ、車両、共に並べた多重ディスプレイを含むビデオウォール、劇場又はスタジアムのスクリーン、光療法デバイス、及び看板の１つであることができる。

概して、ＯＬＥＤは、アノード及びカソードの間に配置され、それらと電気的に接続された少なくとも１つの有機層を含む。電流が印加されると、アノードが正孔を注入し、カソードが電子を有機層（複数可）に注入する。注入された正孔及び電子は、逆帯電した電極にそれぞれ移動する。電子及び正孔が同じ分子上に局在する場合、励起エネルギー状態を有する局在電子正孔対である「励起子」が形成される。光は、励起子が緩和した際に、光電子放出機構を介して放出される。幾つかの事例において、励起子はエキシマー又はエキサイプレックス上に局在し得る。熱緩和等の無輻射機構が発生する場合もあるが、概して望ましくないとみなされている。

幾つかのＯＬＥＤの材料及び構成が、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第５，８４４，３６３号明細書、米国特許第６，３０３，２３８号明細書、及び米国特許第５，７０７，７４５号明細書に記載されている。

初期のＯＬＥＤは、例えば、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第４，７６９，２９２号明細書において開示されている通り、その一重項状態から光を放出する発光分子（「蛍光」）を使用していた。蛍光発光は、概して、１０ナノ秒未満の時間枠で発生する。

ごく最近では、三重項状態から光を放出する発光材料（「燐光」）を有するＯＬＥＤが実証されている。参照によりその全体が組み込まれる、Ｂａｌｄｏら、「Ｈｉｇｈｌｙ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｆｒｏｍ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｅｖｉｃｅｓ」、Ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１～１５４、１９９８；（「Ｂａｌｄｏ－Ｉ」）及びＢａｌｄｏら、「Ｖｅｒｙ ｈｉｇｈ－ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｇｒｅｅｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ」、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、７５巻、３号、４～６（１９９９）（「Ｂａｌｄｏ－ＩＩ」）。燐光については、参照により組み込まれる米国特許第７，２７９，７０４号５～６段において更に詳細に記述されている。

図１は、有機発光デバイス１００を示す。図は必ずしも一定の縮尺ではない。デバイス１００は、基板１１０、アノード１１５、正孔注入層１２０、正孔輸送層１２５、電子ブロッキング層１３０、発光層１３５、正孔ブロッキング層１４０、電子輸送層１４５、電子注入層１５０、保護層１５５、カソード１６０、及びバリア層１７０を含み得る。カソード１６０は、第１の導電層１６２及び第２の導電層１６４を有する複合カソードである。デバイス１００は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。これらの種々の層の特性及び機能並びに材料例は、参照により組み込まれるＵＳ７，２７９，７０４、６～１０段において更に詳細に記述されている。

これらの層のそれぞれについて、更なる例が利用可能である。例えば、フレキシブル及び透明基板－アノードの組合せは、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第５、８４４、３６３号において開示されている。ｐ－ドープされた正孔輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００３／０２３０９８０号において開示されている通りの、５０：１のモル比でｍ－ＭＴＤＡＴＡにＦ_４－ＴＣＮＱをドープしたものである。発光材料及びホスト材料の例は、参照によりその全体が組み込まれるＴｈｏｍｐｓｏｎらの米国特許第６，３０３，２３８号において開示されている。ｎ－ドープされた電子輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００３／０２３０９８０号において開示されている通りの、１：１のモル比でＢＰｈｅｎにＬｉをドープしたものである。参照によりその全体が組み込まれる米国特許第５，７０３，４３６号及び同第５，７０７，７４５号は、上を覆う透明の、導電性の、スパッタリング蒸着したＩＴＯ層を有するＭｇ：Ａｇ等の金属の薄層を有する複合カソードを含むカソードの例を開示している。ブロッキング層の理論及び使用は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第６，０９７，１４７号及び米国特許出願公開第２００３／０２３０９８０号において更に詳細に記述されている。注入層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００４／０１７４１１６号において提供されている。保護層についての記述は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００４／０１７４１１６号において見ることができる。

図２は、反転させたＯＬＥＤ２００を示す。デバイスは、基板２１０、カソード２１５、発光層２２０、正孔輸送層２２５、及びアノード２３０を含む。デバイス２００は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。最も一般的なＯＬＥＤ構成はアノードの上に配置されたカソードを有し、デバイス２００はアノード２３０の下に配置されたカソード２１５を有するため、デバイス２００は「反転させた」ＯＬＥＤと称されることができる。デバイス１００に関して記述されたものと同様の材料を、デバイス２００の対応する層において使用してよい。図２は、幾つかの層が如何にしてデバイス１００の構造から省略され得るかの一例を提供するものである。

図１及び図２において例証されている単純な層構造は、非限定的な例として提供されるものであり、本開示の実施形態は多種多様な他の構造に関連して使用され得ることが理解される。記述されている特定の材料及び構造は、事実上例示的なものであり、他の材料及び構造を使用してよい。機能的なＯＬＥＤは、記述されている種々の層を様々な手法で組み合わせることによって実現され得るか、又は層は、設計、性能及びコスト要因に基づき、全面的に省略され得る。具体的には記述されていない他の層も含まれ得る。具体的に記述されているもの以外の材料を使用してよい。本明細書において提供されている例の多くは、単一材料を含むものとして種々の層を記述しているが、ホスト及びドーパントの混合物等の材料の組合せ、又はより一般的には混合物を使用してよいことが理解される。また、層は種々の副層を有してもよい。本明細書における種々の層に与えられている名称は、厳しく限定することを意図するものではない。例えば、デバイス２００において、正孔輸送層２２５は正孔を輸送し、正孔を発光層２２０に注入し、正孔輸送層又は正孔注入層として記述され得る。一実施形態において、ＯＬＥＤは、カソード及びアノードの間に配置された「有機層」を有するものとして記述され得る。有機層は単層を含んでいてよく、又は、例えば図１及び図２に関して記述されている異なる有機材料の多層を更に含んでいてよい。

参照によりその全体が組み込まれるＦｒｉｅｎｄらの米国特許第５，２４７，１９０号において開示されているもののようなポリマー材料で構成されるＯＬＥＤ（ＰＬＥＤ）等、具体的には記述されていない構造及び材料を使用してもよい。更なる例として、単一の有機層を有するＯＬＥＤが使用され得る。ＯＬＥＤは、例えば、参照によりその全体が組み込まれるＦｏｒｒｅｓｔらの米国特許第５，７０７，７４５号において記述されている通り、積み重ねられてよい。ＯＬＥＤ構造は、図１及び図２において例証されている単純な層構造から逸脱してよい。例えば、基板は、参照によりその全体が組み込まれる、Ｆｏｒｒｅｓｔらの米国特許第６，０９１，１９５号において記述されているメサ構造及び／又はＢｕｌｏｖｉｃらの米国特許第５，８３４，８９３号において記述されているくぼみ構造等、アウトカップリングを改良するための角度のついた反射面を含み得る。

別段の規定がない限り、種々の実施形態の層のいずれも、任意の適切な方法によって堆積され得る。有機層について、好ましい方法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第６，０１３，９８２号及び同第６，０８７，１９６号において記述されているもの等の熱蒸着、インクジェット、参照によりその全体が組み込まれるＦｏｒｒｅｓｔらの米国特許第６，３３７，１０２号において記述されているもの等の有機気相堆積（ＯＶＰＤ）、並びに参照によりその全体が組み込まれる米国特許第７，４３１，９６８号において記述されているもの等の有機気相ジェットプリンティング（ＯＶＪＰ）による堆積を含む。他の適切な堆積法は、スピンコーティング及び他の溶液ベースのプロセスを含む。溶液ベースのプロセスは、好ましくは、窒素又は不活性雰囲気中で行われる。他の層について、好ましい方法は熱蒸着を含む。好ましいパターニング法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第６，２９４，３９８号及び同第６，４６８，８１９号において記述されているもの等のマスク、冷間圧接を経由する堆積、並びにインクジェット及び有機蒸気ジェット印刷（ＯＶＪＰ）等の堆積法の幾つかに関連するパターニングを含む。他の方法を使用してもよい。堆積する材料は、特定の堆積法と適合するように修正され得る。例えば、分枝鎖状又は非分枝鎖状であり、好ましくは少なくとも３個の炭素を含有するアルキル及びアリール基等の置換基は、溶液プロセシングを受ける能力を増強するために、低分子において使用され得る。２０個以上の炭素を有する置換基を使用してよく、３～２０個の炭素が好ましい範囲である。非対称構造を有する材料は、対称構造を有するものよりも良好な溶液プロセス性を有し得、これは、非対称材料のほうが再結晶する傾向が低くなり得るからである。溶液プロセシングを受ける低分子の能力を増強するために、デンドリマー置換基が使用され得る。

本開示の実施形態に従って製作されたデバイスは、バリア層を更に含んでいてよい。バリア層の１つの目的は、電極及び有機層を、水分、蒸気及び／又はガス等を含む環境における有害な種への損傷性暴露から保護することである。バリア層は、基板、電極の上、下若しくは隣に、又はエッジを含むデバイスの任意の他の部分の上に堆積し得る。バリア層は、単層又は多層を含んでいてよい。バリア層は、種々の公知の化学気相堆積技術によって形成され得、単相を有する組成物及び多相を有する組成物を含み得る。任意の適切な材料又は材料の組合せをバリア層に使用してよい。バリア層は、無機若しくは有機化合物又は両方を組み込み得る。好ましいバリア層は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、米国特許第７，９６８，１４６号明細書、ＰＣＴ特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２００７／０２３０９８号及び同第ＰＣＴ／ＵＳ２００９／０４２８２９号において記述されている、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物を含む。「混合物」とみなされるためには、バリア層を含む前記のポリマー及び非ポリマー材料は、同じ反応条件下で及び／又は同時に堆積されるべきである。非ポリマー材料に対するポリマー材料の重量比は、９５：５から５：９５の範囲内となり得る。ポリマー材料及び非ポリマー材料は、同じ前駆体材料から作製され得る。一例において、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物は、ポリマーケイ素及び無機ケイ素から本質的になる。

本開示の実施形態にしたがって作製されたデバイスは、種々の電気製品又は中間部品に組み込まれることができる多種多様な電子部品モジュール（又はユニット）に組み込まれることができる。このような電気製品又は中間部品としては、エンドユーザーの製品製造者によって利用されることができるディスプレイスクリーン、照明デバイス（離散的光源デバイス又は照明パネル等）が挙げられる。このような電子部品モジュールは、駆動エレクトロニクス及び／又は電源を任意に含むことができる。本開示の実施形態にしたがって作製されたデバイスは、組み込まれた１以上の電子部品モジュール（又はユニット）を有する多種多様な消費者製品に組み込まれることができる。ＯＬＥＤの有機層に本開示の化合物を含むＯＬＥＤを含む消費者製品が開示される。このような消費者製品は、１以上の光源及び／又は１以上のある種のビジュアルディスプレイを含む任意の種類の製品を含む。このような消費者製品の幾つかの例としては、フラットパネルディスプレイ、曲がったディスプレイ、コンピュータモニター、メディカルモニター、テレビ、掲示板、屋内若しくは屋外照明及び／又は信号送信用のライト、ヘッドアップディスプレイ、完全又は部分透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、丸めることができるディスプレイ、折り畳むことができるディスプレイ、伸ばすことができるディスプレイ、レーザープリンター、電話、携帯電話、タブレット、ファブレット、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダー、ビューファインダー、マイクロディスプレイ（対角で２インチ未満のディスプレイ）、３－Ｄディスプレイ、バーチャルリアリティ又は拡張現実ディスプレイ、車両、共に並べた多重ディスプレイを含むビデオウォール、劇場又はスタジアムのスクリーン、光療法デバイス、及び看板を含む。パッシブマトリックス及びアクティブマトリックスを含む種々の制御機構を使用して、本開示にしたがって製作されたデバイスを制御することができる。デバイスの多くは、１８℃から３０℃、より好ましくは室温（２０～２５℃）等、ヒトに快適な温度範囲内での使用が意図されているが、この温度範囲外、例えば、摂氏－４０℃～＋８０℃で用いることもできる。

ＯＬＥＤに関する更なる詳細、及び前記した定義は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第７，２７９，７０４号明細書に見ることができる。

本明細書において記述されている材料及び構造は、ＯＬＥＤ以外のデバイスにおける用途を有し得る。例えば、有機太陽電池及び有機光検出器等の他の光電子デバイスが、該材料及び構造を用い得る。より一般的には、有機トランジスタ等の有機デバイスが、該材料及び構造を用い得る。

幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、可撓性があること、丸めることができること、折り畳むことができること、伸ばすことができること、曲げることができることからなる群から選択される１以上の特性を有する。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、透明又は半透明である。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、カーボンナノチューブを含む層を更に含む。

幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、遅延蛍光発光体を含む層を更に含む。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、ＲＧＢ画素配列又は白色及びカラーフィルター画素配列を含む。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、モバイルデバイス、ハンドヘルドデバイス、又はウェアラブルデバイスである。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、１０インチ未満の対角線又は５０平方インチ未満の面積を有するディスプレイパネルである。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、少なくとも１０インチの対角線又は少なくとも５０平方インチの面積を有するディスプレイパネルである。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、照明パネルである。

幾つかの実施形態においては、前記化合物は、発光ドーパントであることができる。幾つかの実施形態においては、前記化合物は、燐光、蛍光、熱活性化遅延蛍光、即ちＴＡＤＦ（Ｅ型遅延蛍光とも呼ばれる；例えば、参照によりその全体が組み込まれる米国出願第１５／７００，３５２号参照）、三重項－三重項消滅、又はこれらの過程の組合せを介して、発光を生成することができる。幾つかの実施形態においては、前記発光ドーパントは、ラセミ混合物であることができる、又は１つのエナンチオマーに富む（ｅｎｒｉｃｈｅｄ）ことができる。幾つかの実施形態においては、前記化合物は、ホモレプティックであることができる（各配位子が同じである）。幾つかの実施形態においては、前記化合物は、ヘテロレプティックであることができる（少なくとも１つの配位子が他と異なっている）。金属に配位する配位子が１超存在する場合、幾つかの実施形態においては、これらの配位子は、全て同一であることができる。幾つかの他の実施形態においては、少なくとも１つの配位子が、他の配位子と異なる。幾つかの実施形態においては、全ての配位子が、互いに異なることができる。このことは、金属に配位している配位子が、その金属に配位している他の配位子と結合し、三座、四座、五座、又は六座配位子を形成することができる実施形態においても当てはまる。したがって、配位している配位子が互いに結合されている場合、幾つかの実施形態においては、配位子の全てが同一であることができ、幾つかの他の実施形態においては、結合している配位子の少なくとも１つが、他の配位子と異なることができる。

幾つかの実施形態においては、前記化合物は、ＯＬＥＤにおける燐光増感剤として、用いられることができ、前記ＯＬＥＤにおける１つ又は複数の層は、１以上の蛍光及び／又は遅延蛍光発光体の形態で、アクセプターを含む。幾つかの実施形態においては、前記化合物は、増感剤として用いられるエキサイプレックスの１つの成分として用いられることができる。燐光増感剤として、前記化合物は、前記アクセプターへのエネルギー移動が可能でなくてはならず、前記アクセプターは、エネルギーを発光する又はエネルギーを最終発光体に更に移動する。前記アクセプター濃度は、０．００１％～１００％の範囲であり得る。前記アクセプターは、燐光増感剤と同じ層にあることも、又は１以上の異なる層にあることもできる。幾つかの実施形態においては、前記アクセプターは、ＴＡＤＦ発光体である。幾つかの実施形態においては、前記アクセプターは、蛍光発光体である。幾つかの実施形態においては、前記発光は、前記増感剤、前記アクセプター、及び前記最終発光体のいずれか又は全てから生じることができる。

他の態様によれば、本明細書に記載される化合物を含む組成物も開示される。

本明細書中に開示される前記ＯＬＥＤは、消費者製品、電子部品モジュール、及び照明パネルの１以上に組み込まれることができる。前記有機層は、発光層であることができ、幾つかの実施形態においては、前記化合物は、発光ドーパントであることができ、他の実施形態においては、前記化合物は、非発光ドーパントであることができる。

本開示の更に他の態様においては、本明細書に開示される新規化合物を含む組成物が記載される。前記組成物は、本明細書に開示される溶媒、ホスト、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子ブロッキング材料、正孔ブロッキング材料、及び電子輸送材料からなる群から選択される１以上の成分を含むこともできる。

本開示は、本開示の新規化合物、又はその一価又は多価のバリアントを含む任意の化学構造を包含する。言い換えれば、本発明化合物又はその一価又は多価のバリアントは、より大きな化学構造の一部であることができる。そのような化学構造は、モノマー、ポリマー、巨大分子、及び超分子（ｓｕｐｒａｍｏｌｅｃｕｌｅ）（超分子（ｓｕｐｅｒｍｏｌｅｃｕｌｅ）としても知られている）からなる群から選択されることができる。本明細書中で使用される、「化合物の一価のバリアント」は、１個の水素が除去され、化学構造の残りへの結合で置き換えられていることを除いては、前記化合物と同一である部分を指す。本明細書中で使用される、「化合物の多価のバリアント」は、１個超の水素が除去され、化学構造の残りへの結合で置き換えられていることを除いては前記化合物と同一である部分を指す。超分子の例においては、発明化合物は、共有結合なしで前記超分子錯体に組み込まれることもできる。

本開示の更に別の態様において、前記化合物は、前記リスト１の化合物からなる群から選択される。幾つかの実施形態においては、前記化合物は、前記リスト２の化合物からなる群から選択される。

Ｃ．本開示の化合物の他の材料との組合せ
有機発光デバイス中の特定の層に有用として本明細書において記述されている材料は、デバイス中に存在する多種多様な他の材料と組み合わせて使用され得る。例えば、本明細書において開示されている発光性ドーパントは、多種多様なホスト、輸送層、ブロッキング層、注入層、電極、及び存在し得る他の層と併せて使用され得る。以下で記述又は参照される材料は、本明細書において開示されている化合物と組み合わせて有用となり得る材料の非限定的な例であり、当業者であれば、組み合わせて有用となり得る他の材料を特定するための文献を容易に閲覧することができる。

ａ）伝導性（導電性）ドーパント：
電荷輸送層は、伝導性ドーパントでドープされ、電荷キャリアの密度を大きく変え、それによりその伝導性を変えることとなる。伝導性は、マトリックス材料中の電荷キャリアを生成することで、又はドーパントのタイプに応じて増加され、半導体のフェルミ準位における変化も達成することができる。正孔輸送層は、ｐ型伝導性ドーパントでドープされることができ、ｎ型伝導性ドーパントは、電子輸送層中に用いられる。

本明細書において開示される材料と組み合わせて、ＯＬＥＤ中に用いられることができる伝導性ドーパントの非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。
ＥＰ０１６１７４９３、ＥＰ０１９６８１３１、ＥＰ２０２０６９４、ＥＰ２６８４９３２、ＵＳ２００５０１３９８１０、ＵＳ２００７０１６０９０５、ＵＳ２００９０１６７１６７、ＵＳ２０１０２８８３６２、ＷＯ０６０８１７８０、ＷＯ２００９００３４５５、ＷＯ２００９００８２７７、ＷＯ２００９０１１３２７、ＷＯ２０１４００９３１０、ＵＳ２００７２５２１４０、ＵＳ２０１５０６０８０４、ＵＳ２０１５０１２３０４７、及びＵＳ２０１２１４６０１２

ｂ）ＨＩＬ／ＨＴＬ：
本開示において使用される正孔注入／輸送材料は特に限定されず、その化合物が正孔注入／輸送材料として典型的に使用されるものである限り、任意の化合物を使用してよい。材料の例は、フタロシアニン又はポルフィリン誘導体；芳香族アミン誘導体；インドロカルバゾール誘導体；フッ化炭化水素を含有するポリマー；伝導性ドーパントを有するポリマー；ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等の導電性ポリマー；ホスホン酸及びシラン誘導体等の化合物に由来する自己集合モノマー；ＭｏＯ_ｘ等の金属酸化物誘導体；１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル等のｐ型半導体有機化合物；金属錯体、並びに架橋性化合物を含むがこれらに限定されない。

ＨＩＬ又はＨＴＬ中に使用される芳香族アミン誘導体の例は、下記の一般構造を含むがこれらに限定されない。

Ａｒ^１からＡｒ^９のそれぞれは、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、アズレン等の芳香族炭化水素環式化合物からなる群；ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン及びセレノフェノジピリジン等の芳香族複素環式化合物からなる群；並びに芳香族炭化水素環式基及び芳香族複素環式基から選択される同じ種類又は異なる種類の基であり、且つ、直接的に、又は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位及び脂肪族環式基の少なくとも１つを介して、互いに結合している２から１０個の環式構造単位からなる群から選択される。各Ａｒは、無置換であることができる、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ及びそれらの組合せからなる群から選択される置換基によって置換されることができる。

一態様において、Ａｒ^１からＡｒ^９は、

（式中、ｋは１から２０までの整数であり；Ｘ^１０１からＸ^１０８はＣ（ＣＨを含む）又はＮであり；Ｚ^１０１はＮＡｒ^１、Ｏ、又はＳであり；Ａｒ^１は、上記で定義したものと同じ基を有する。）からなる群から独立に選択される。

ＨＩＬ又はＨＴＬ中に使用される金属錯体の例は、下記の一般式を含むがこれらに限定されない。

式中、Ｍｅｔは、４０より大きい原子量を有し得る金属であり；（Ｙ^１０１－Ｙ^１０２）は二座配位子であり、Ｙ^１０１及びＹ^１０２は、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｐ及びＳから独立に選択され；Ｌ^１０１は補助配位子であり；ｋ’は、１から金属に結合し得る配位子の最大数までの整数値であり；且つ、ｋ’＋ｋ”は、金属に結合し得る配位子の最大数である。

一態様において、（Ｙ^１０１－Ｙ^１０２）は２－フェニルピリジン誘導体である。別の態様において、（Ｙ^１０１－Ｙ^１０２）はカルベン配位子である。別の態様において、Ｍｅｔは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＺｎから選択される。更なる態様において、金属錯体は、Ｆｃ^＋／Ｆｃカップルに対して、溶液中で約０．６Ｖ未満の最小酸化電位を有する。

本明細書において開示される材料と組み合わせて、ＯＬＥＤ中に用いられることができるＨＩＬ材料及びＨＴＬ材料の非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。
ＣＮ１０２７０２０７５、ＤＥ１０２０１２００５２１５、ＥＰ０１６２４５００、ＥＰ０１６９８６１３、ＥＰ０１８０６３３４、ＥＰ０１９３０９６４、ＥＰ０１９７２６１３、ＥＰ０１９９７７９９、ＥＰ０２０１１７９０、ＥＰ０２０５５７００、ＥＰ０２０５５７０１、ＥＰ１７２５０７９、ＥＰ２０８５３８２、ＥＰ２６６０３００、ＥＰ６５０９５５、ＪＰ０７－０７３５２９、ＪＰ２００５１１２７６５、ＪＰ２００７０９１７１９、ＪＰ２００８０２１６８７、ＪＰ２０１４－００９１９６、ＫＲ２０１１００８８８９８、ＫＲ２０１３００７７４７３、ＴＷ２０１１３９４０２、ＵＳ０６５１７９５７、ＵＳ２００２０１５８２４２、ＵＳ２００３０１６２０５３、ＵＳ２００５０１２３７５１、ＵＳ２００６０１８２９９３、ＵＳ２００６０２４０２７９、ＵＳ２００７０１４５８８８、ＵＳ２００７０１８１８７４、ＵＳ２００７０２７８９３８、ＵＳ２００８００１４４６４、ＵＳ２００８００９１０２５、ＵＳ２００８０１０６１９０、ＵＳ２００８０１２４５７２、ＵＳ２００８０１４５７０７、ＵＳ２００８０２２０２６５、ＵＳ２００８０２３３４３４、ＵＳ２００８０３０３４１７、ＵＳ２００８１０７９１９、ＵＳ２００９０１１５３２０、ＵＳ２００９０１６７１６１、ＵＳ２００９０６６２３５、ＵＳ２０１１００７３８５、ＵＳ２０１１０１６３３０２、ＵＳ２０１１２４０９６８、ＵＳ２０１１２７８５５１、ＵＳ２０１２２０５６４２、ＵＳ２０１３２４１４０１、ＵＳ２０１４０１１７３２９、ＵＳ２０１４１８３５１７、ＵＳ５０６１５６９、ＵＳ５６３９９１４、ＷＯ０５０７５４５１、ＷＯ０７１２５７１４、ＷＯ０８０２３５５０、ＷＯ０８０２３７５９、ＷＯ２００９１４５０１６、ＷＯ２０１００６１８２４、ＷＯ２０１１０７５６４４、ＷＯ２０１２１７７００６、ＷＯ２０１３０１８５３０、ＷＯ２０１３０３９０７３、ＷＯ２０１３０８７１４２、ＷＯ２０１３１１８８１２、ＷＯ２０１３１２０５７７、ＷＯ２０１３１５７３６７、ＷＯ２０１３１７５７４７、ＷＯ２０１４００２８７３、ＷＯ２０１４０１５９３５、ＷＯ２０１４０１５９３７、ＷＯ２０１４０３０８７２、ＷＯ２０１４０３０９２１、ＷＯ２０１４０３４７９１、ＷＯ２０１４１０４５１４、ＷＯ２０１４１５７０１８

ｃ）ＥＢＬ：
電子ブロッキング層（ＥＢＬ）は、発光層から出る電子及び／又は励起子の数を減らすために使用されることができる。デバイス中のそのようなブロッキング層の存在は、ブロッキング層を欠く同様のデバイスと比較して、大幅に高い効率及び／又はより長い寿命をもたらし得る。また、ブロッキング層を使用して、ＯＬＥＤの所望の領域に発光を制限することもできる。幾つかの実施形態においては、ＥＢＬ材料は、ＥＢＬインターフェースに最も近接した発光体よりも高いＬＵＭＯ（真空準位により近い）及び／又は高い三重項エネルギーを有する。幾つかの実施形態においては、ＥＢＬ材料は、ＥＢＬインターフェースに最も近接したホストの１以上よりも高いＬＵＭＯ（真空準位により近い）及び／又は高い三重項エネルギーを有する。１つの態様においては、ＥＢＬ中に用いられる前記化合物は、下記に記載されるホストの１つとして用いられる、同じ分子又は同じ官能基を含む。

ｄ）ホスト：
本発明の有機ＥＬデバイスの発光層は、発光材料として少なくとも金属錯体を含むことが好ましく、前記金属錯体をドーパント材料として用いたホスト材料を含むことができる。前記ホスト材料としては特に限定されず、前記ホストの三重項エネルギーがドーパントのものよりも大きければ、任意の金属錯体又は有機化合物が用いられることができる。いずれのホスト材料も、三重項の基準が満たされる限り、任意のドーパントと共に用いられることができる。

ホスト材料として使用される金属錯体の例は、下記の一般式を有することが好ましい。

式中、Ｍｅｔは金属であり；（Ｙ^１０３－Ｙ^１０４）は二座配位子であり、Ｙ^１０３及びＹ^１０４は、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｐ及びＳから独立に選択され；Ｌ^１０１は他の配位子であり；ｋ’は、１から金属に結合し得る配位子の最大数までの整数値であり；且つ、ｋ’＋ｋ”は、金属に結合し得る配位子の最大数である。

一態様において、金属錯体は、下記の錯体である。

式中、（Ｏ－Ｎ）は、原子Ｏ及びＮに配位された金属を有する二座配位子である。

別の態様において、Ｍｅｔは、Ｉｒ及びＰｔから選択される。更なる態様において、（Ｙ^１０３－Ｙ^１０４）はカルベン配位子である。

１つの態様においては、前記ホスト化合物は、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、テトラフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、及びアズレン等の芳香族炭化水素環式化合物からなる群；ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン及びセレノフェノジピリジン等の芳香族複素環式化合物からなる群；並びに芳香族炭化水素環式基及び芳香族複素環式基から選択される同じ種類又は異なる種類の基であり、且つ、直接的に、又は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位及び脂肪族環式基の少なくとも１つを介して互いに結合している２から１０個の環式構造単位からなる群から選択される群の少なくとも１つを含む。各基内の各オプションは、無置換であることができる、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びそれらの組合せからなる群から選択される置換基によって置換されることができる。

一態様において、前記ホスト化合物は、分子中に、下記の基の少なくとも１つを含む。

式中、Ｒ^１０１は、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びそれらの組合せからなる群から選択され、それがアリール又はヘテロアリールである場合、上記で言及したＡｒのものと同様の定義を有する。ｋは０から２０又は１から２０までの整数である。Ｘ^１０１～Ｘ^１０８は、独立して、Ｃ（ＣＨを含む）又はＮから選択される。Ｚ^１０１及びＺ^１０２は、独立して、ＮＲ^１０１、Ｏ、又はＳから選択される。

本明細書において開示される材料と組み合わせて、ＯＬＥＤ中に用いられることができるホスト材料の非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。
ＥＰ２０３４５３８、ＥＰ２０３４５３８Ａ、ＥＰ２７５７６０８、ＪＰ２００７２５４２９７、ＫＲ２０１０００７９４５８、ＫＲ２０１２００８８６４４、ＫＲ２０１２０１２９７３３、ＫＲ２０１３０１１５５６４、ＴＷ２０１３２９２００、ＵＳ２００３０１７５５５３、ＵＳ２００５０２３８９１９、ＵＳ２００６０２８０９６５、ＵＳ２００９００１７３３０、ＵＳ２００９００３０２０２、ＵＳ２００９０１６７１６２、ＵＳ２００９０３０２７４３、ＵＳ２００９０３０９４８８、ＵＳ２０１０００１２９３１、ＵＳ２０１０００８４９６６、ＵＳ２０１００１８７９８４、ＵＳ２０１０１８７９８４、ＵＳ２０１２０７５２７３、ＵＳ２０１２１２６２２１、ＵＳ２０１３００９５４３、ＵＳ２０１３１０５７８７、ＵＳ２０１３１７５５１９、ＵＳ２０１４００１４４６、ＵＳ２０１４０１８３５０３、ＵＳ２０１４０２２５０８８、ＵＳ２０１４０３４９１４、ＵＳ７１５４１１４、ＷＯ２００１０３９２３４、ＷＯ２００４０９３２０７、ＷＯ２００５０１４５５１、ＷＯ２００５０８９０２５、ＷＯ２００６０７２００２、ＷＯ２００６１１４９６６、ＷＯ２００７０６３７５４、ＷＯ２００８０５６７４６、ＷＯ２００９００３８９８、ＷＯ２００９０２１１２６、ＷＯ２００９０６３８３３、ＷＯ２００９０６６７７８、ＷＯ２００９０６６７７９、ＷＯ２００９０８６０２８、ＷＯ２０１００５６０６６、ＷＯ２０１０１０７２４４、ＷＯ２０１１０８１４２３、ＷＯ２０１１０８１４３１、ＷＯ２０１１０８６８６３、ＷＯ２０１２１２８２９８、ＷＯ２０１２１３３６４４、ＷＯ２０１２１３３６４９、ＷＯ２０１３０２４８７２、ＷＯ２０１３０３５２７５、ＷＯ２０１３０８１３１５、ＷＯ２０１３１９１４０４、ＷＯ２０１４１４２４７２、ＵＳ２０１７０２６３８６９、ＵＳ２０１６０１６３９９５、ＵＳ９４６６８０３

ｅ）追加の発光体：
１以上の追加の発光体ドーパントを本開示の化合物と共に使用することができる。前記追加の発光体ドーパントの例としては、特に限定されず、前記化合物が典型的に発光体材料として用いられるものであれば、いずれの化合物も用いられることができる。好適な発光体材料の例としては、燐光、蛍光、熱活性化遅延蛍光、即ちＴＡＤＦ（Ｅ型遅延蛍光とも言われる）、三重項－三重項消滅、又はこれらの過程の組合せを介して、発光を生成することができる化合物が挙げられるが、これらに限定されない。

本明細書において開示される材料と組み合わせて、ＯＬＥＤ中に用いられることができる発光体材料の非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。
ＣＮ１０３６９４２７７、ＣＮ１６９６１３７、ＥＢ０１２３８９８１、ＥＰ０１２３９５２６、ＥＰ０１９６１７４３、ＥＰ１２３９５２６、ＥＰ１２４４１５５、ＥＰ１６４２９５１、ＥＰ１６４７５５４、ＥＰ１８４１８３４、ＥＰ１８４１８３４Ｂ、ＥＰ２０６２９０７、ＥＰ２７３０５８３、ＪＰ２０１２０７４４４４、ＪＰ２０１３１１０２６３、ＪＰ４４７８５５５、ＫＲ１０２００９０１３３６５２、ＫＲ２０１２００３２０５４、ＫＲ２０１３００４３４６０、ＴＷ２０１３３２９８０、ＵＳ０６６９９５９９、ＵＳ０６９１６５５４、ＵＳ２００１００１９７８２、ＵＳ２００２００３４６５６、ＵＳ２００３００６８５２６、ＵＳ２００３００７２９６４、ＵＳ２００３０１３８６５７、ＵＳ２００５０１２３７８８、ＵＳ２００５０２４４６７３、ＵＳ２００５１２３７９１、ＵＳ２００５２６０４４９、ＵＳ２００６０００８６７０、ＵＳ２００６００６５８９０、ＵＳ２００６０１２７６９６、ＵＳ２００６０１３４４５９、ＵＳ２００６０１３４４６２、ＵＳ２００６０２０２１９４、ＵＳ２００６０２５１９２３、ＵＳ２００７００３４８６３、ＵＳ２００７００８７３２１、ＵＳ２００７０１０３０６０、ＵＳ２００７０１１１０２６、ＵＳ２００７０１９０３５９、ＵＳ２００７０２３１６００、ＵＳ２００７０３４８６３、ＵＳ２００７１０４９７９、ＵＳ２００７１０４９８０、ＵＳ２００７１３８４３７、ＵＳ２００７２２４４５０、ＵＳ２００７２７８９３６、ＵＳ２００８００２０２３７、ＵＳ２００８０２３３４１０、ＵＳ２００８０２６１０７６、ＵＳ２００８０２９７０３３、ＵＳ２００８０５８５１、ＵＳ２００８１６１５６７、ＵＳ２００８２１０９３０、ＵＳ２００９００３９７７６、ＵＳ２００９０１０８７３７、ＵＳ２００９０１１５３２２、ＵＳ２００９０１７９５５５、ＵＳ２００９０８５４７６、ＵＳ２００９１０４４７２、ＵＳ２０１０００９０５９１、ＵＳ２０１００１４８６６３、ＵＳ２０１００２４４００４、ＵＳ２０１００２９５０３２、ＵＳ２０１０１０２７１６、ＵＳ２０１０１０５９０２、ＵＳ２０１０２４４００４、ＵＳ２０１０２７０９１６、ＵＳ２０１１００５７５５９、ＵＳ２０１１０１０８８２２、ＵＳ２０１１０２０４３３３、ＵＳ２０１１２１５７１０、ＵＳ２０１１２２７０４９、ＵＳ２０１１２８５２７５、ＵＳ２０１２２９２６０１、ＵＳ２０１３０１４６８４８、ＵＳ２０１３０３３１７２、ＵＳ２０１３１６５６５３、ＵＳ２０１３１８１１９０、ＵＳ２０１３３３４５２１、ＵＳ２０１４０２４６６５６、ＵＳ２０１４１０３３０５、ＵＳ６３０３２３８、ＵＳ６４１３６５６、ＵＳ６６５３６５４、ＵＳ６６７０６４５、ＵＳ６６８７２６６、ＵＳ６８３５４６９、ＵＳ６９２１９１５、ＵＳ７２７９７０４、ＵＳ７３３２２３２、ＵＳ７３７８１６２、ＵＳ７５３４５０５、ＵＳ７６７５２２８、ＵＳ７７２８１３７、ＵＳ７７４０９５７、ＵＳ７７５９４８９、ＵＳ７９５１９４７、ＵＳ８０６７０９９、ＵＳ８５９２５８６、ＵＳ８８７１３６１、ＷＯ０６０８１９７３、ＷＯ０６１２１８１１、ＷＯ０７０１８０６７、ＷＯ０７１０８３６２、ＷＯ０７１１５９７０、ＷＯ０７１１５９８１、ＷＯ０８０３５５７１、ＷＯ２００２０１５６４５、ＷＯ２００３０４０２５７、ＷＯ２００５０１９３７３、ＷＯ２００６０５６４１８、ＷＯ２００８０５４５８４、ＷＯ２００８０７８８００、ＷＯ２００８０９６６０９、ＷＯ２００８１０１８４２、ＷＯ２００９０００６７３、ＷＯ２００９０５０２８１、ＷＯ２００９１００９９１、ＷＯ２０１００２８１５１、ＷＯ２０１００５４７３１、ＷＯ２０１００８６０８９、ＷＯ２０１０１１８０２９、ＷＯ２０１１０４４９８８、ＷＯ２０１１０５１４０４、ＷＯ２０１１１０７４９１、ＷＯ２０１２０２０３２７、ＷＯ２０１２１６３４７１、ＷＯ２０１３０９４６２０、ＷＯ２０１３１０７４８７、ＷＯ２０１３１７４４７１、ＷＯ２０１４００７５６５、ＷＯ２０１４００８９８２、ＷＯ２０１４０２３３７７、ＷＯ２０１４０２４１３１、ＷＯ２０１４０３１９７７、ＷＯ２０１４０３８４５６、ＷＯ２０１４１１２４５０

ｆ）ＨＢＬ：
正孔ブロッキング層（ＨＢＬ）を使用して、発光層から出る正孔及び／又は励起子の数を低減させることができる。デバイス中のそのようなブロッキング層の存在は、ブロッキング層を欠く同様のデバイスと比較して大幅に高い効率及び／又はより長い寿命をもたらし得る。また、ブロッキング層を使用して、ＯＬＥＤの所望の領域に発光を制限することもできる。幾つかの実施形態においては、ＨＢＬ材料は、ＨＢＬインターフェースに最も近接した発光体よりも低いＨＯＭＯ（真空準位から更に離れて）及び／又は高い三重項エネルギーを有する。幾つかの実施形態においては、ＨＢＬ材料は、ＨＢＬインターフェースに最も近接したホストの１以上よりも低いＨＯＭＯ（真空準位から更に離れて）及び／又は高い三重項エネルギーを有する。

一態様において、前記ＨＢＬ中に使用される前記化合物は、上述したホストに用いられる場合と同じ分子又は同じ官能基を含む。

別の態様において、前記ＨＢＬ中に使用される前記化合物は、分子中に下記の群の少なくとも１つを含む。

式中、ｋは１から２０までの整数であり；Ｌ^１０１は他の配位子であり、ｋ’は１から３までの整数である。

ｇ）ＥＴＬ：
電子輸送層（ＥＴＬ）は、電子を輸送することができる材料を含み得る。電子輸送層は、真性である（ドープされていない）か、又はドープされていてよい。ドーピングを使用して、伝導性を増強することができる。ＥＴＬ材料の例は特に限定されず、電子を輸送するために典型的に使用されるものである限り、任意の金属錯体又は有機化合物を使用してよい。

一態様において、前記ＥＴＬ中に使用される前記化合物は、分子中に下記の群の少なくとも１つを含有する。

式中、Ｒ^１０１は、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ及びそれらの組合せからなる群から選択され、それがアリール又はヘテロアリールである場合、上記で言及したＡｒのものと同様の定義を有する。Ａｒ^１からＡｒ^３は、上記で言及したＡｒのものと同様の定義を有する。ｋは１から２０までの整数である。Ｘ^１０１からＸ^１０８はＣ（ＣＨを含む）又はＮから選択される。

別の態様において、前記ＥＴＬ中に使用される金属錯体は、下記の一般式を含有するがこれらに限定されない。

式中、（Ｏ－Ｎ）又は（Ｎ－Ｎ）は、原子Ｏ、Ｎ又はＮ、Ｎに配位された金属を有する二座配位子であり；Ｌ^１０１は他の配位子であり；ｋ’は、１から金属に結合し得る配位子の最大数までの整数値である。

本明細書において開示される材料と組み合わせて、ＯＬＥＤ中に用いられることができるＥＴＬ材料の非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。ＣＮ１０３５０８９４０、ＥＰ０１６０２６４８、ＥＰ０１７３４０３８、ＥＰ０１９５６００７、ＪＰ２００４－０２２３３４、ＪＰ２００５１４９９１８、ＪＰ２００５－２６８１９９、ＫＲ０１１７６９３、ＫＲ２０１３０１０８１８３、ＵＳ２００４００３６０７７、ＵＳ２００７０１０４９７７、ＵＳ２００７０１８１５５、ＵＳ２００９０１０１８７０、ＵＳ２００９０１１５３１６、ＵＳ２００９０１４０６３７、ＵＳ２００９０１７９５５４、ＵＳ２００９２１８９４０、ＵＳ２０１０１０８９９０、ＵＳ２０１１１５６０１７、ＵＳ２０１１２１０３２０、ＵＳ２０１２１９３６１２、ＵＳ２０１２２１４９９３、ＵＳ２０１４０１４９２５、ＵＳ２０１４０１４９２７、ＵＳ２０１４０２８４５８０、ＵＳ６６５６６１２、ＵＳ８４１５０３１、ＷＯ２００３０６０９５６、ＷＯ２００７１１１２６３、ＷＯ２００９１４８２６９、ＷＯ２０１００６７８９４、ＷＯ２０１００７２３００、ＷＯ２０１１０７４７７０、ＷＯ２０１１１０５３７３、ＷＯ２０１３０７９２１７、ＷＯ２０１３１４５６６７、ＷＯ２０１３１８０３７６、ＷＯ２０１４１０４４９９、ＷＯ２０１４１０４５３５

ｈ）電荷発生層（ＣＧＬ）
タンデム型、又は積層型のＯＬＥＤ中で、ＣＧＬは、性能において重要な役割を果たし、それぞれ、電子及び正孔の注入ためのｎ－ドープ層及びｐ－ドープ層からなる。電子及び正孔は、前記ＣＧＬ及び電極から供給される。前記ＣＧＬ中の消費された電子及び正孔は、それぞれカソード及びアノードから注入された電子及び正孔によって再び満たされ、その後バイポーラ電流が徐々に安定した状態に達する。典型的なＣＧＬ材料は、輸送層で用いられるｎ型及びｐ型伝導性ドーパントを含む。

ＯＬＥＤデバイスの各層中に使用される任意の上記で言及した化合物において、水素原子は、部分的に又は完全に重水素化されていてよい。重水素化される化合物の水素の最低量は、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、９９％、及び１００％からなる群から選択される。故に、メチル、フェニル、ピリジル等であるがこれらに限定されない任意の具体的に挙げられている置換基は、これらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンであることができる。同様に、アルキル、アリール、シクロアルキル、ヘテロアリール等であるがこれらに限定されない置換基のクラスも、これらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンであることができる。

本明細書において記述されている種々の実施形態は、単なる一例としてのものであり、本発明の範囲を限定することを意図するものではないことが理解される。例えば、本明細書において記述されている材料及び構造の多くは、本発明の趣旨から逸脱することなく他の材料及び構造に置き換えることができる。したがって、特許請求されている通りの本発明は、当業者には明らかとなるように、本明細書において記述されている特定の例及び好ましい実施形態からの変形形態を含み得る。なぜ本発明が作用するのかについての種々の理論は限定を意図するものではないことが理解される。

実験データ
１５－Ω／ｓｑ．のシート抵抗を有する酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）層でプレコートしたガラス基板上に、ＯＬＥＤを成長させた。有機層の堆積又コーティングに先立ち、前記基板を溶剤で脱脂し、次いで、５０Ｗ、１００ｍＴｏｒｒにて１．５分間、酸素プラズマで処理し、ＵＶオゾンで５分間処理した。デバイスを、高真空下（＜１０^－６Ｔｏｒｒ）、熱蒸着によって作製した。アノード電極は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）７５０Åとした。デバイスはいずれも、パッケージ内に入れた水分ゲッターを使用して作製直後に、窒素グローブボックス（＜１ｐｐｍのＨ_２Ｏ及びＯ_２）内にて、エポキシ樹脂でシールされたガラス蓋で封入した。ドーピングパーセンテージは、体積パーセントである。デバイスは、以下の材料を使用して幾つかの異なるデバイス構造で成長させた。

表１は、ＤＨ１～ＤＨ４の一重項及び三重項エネルギーの計算値を示す。Ｂ３ＬＹＰ混成汎関数系及びＣＥＰ－３１Ｇ基底関数系（有効内殻ポテンシャルを含む）を用いるＧａｕｓｓｉａｎ ０９ソフトウェアパッケージにおいて、ジオメトリ最適化計算を行った。本明細書で特定されるＤＦＴ関数系及び基底関数系で得られたこれらの計算は、理論的なものであることを理解されたい。本明細書で用いられるＧＥＰ－３１Ｇを伴うＧａｕｓｓｉａｎなどのコンピュータによる複合プロトコルは、電子的作用は、付加的（ａｄｄｉｔｉｖｅ）であり、そのため、より大きな基底関数系は、完全基底系（ＣＢＳ）限界への外挿に用いることができるという仮定に依存している。しかし、研究の目的が、一連の構造的に関連した化合物におけるＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ、Ｓ_１、Ｔ_１、結合解離エネルギーなどのばらつきを理解することである場合、付加的効果は、類似すると予想される。したがって、Ｂ３ＬＹＰを用いることによる絶対誤差は、他のコンピュータ手法に比べて顕著であり得るものの、Ｂ３ＬＹＰプロトコルで計算されるＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ、Ｓ_１、Ｔ_１、及び結合解離エネルギーの各値の間の相対的な差は、実験を非常によく再現すると期待される。例えば、Ｈｏｎｇら、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２０１６，２８，５７９１～９８，５７９２～９３及びＳｕｐｐｌｅｍｅｎｔａｌ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ（ＯＬＥＤ材料に関してＤＦＴ計算の信頼性について論じている）を参照されたい。更に、ＯＬＥＤ技術において有用なイリジウム又は白金錯体に関して、ＤＦＴ計算で得られたデータは、実際の実験データと非常によく相関する。Ｔａｖａｓｌｉら、Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．２０１２，２２，６４１９～２９，６４２２（表３）（ＤＦＴ計算が、各種発光錯体について、実際のデータと非常に相関性が高いことを示す）；Ｍｏｒｅｌｌｏ，Ｇ．Ｒ．，Ｊ．Ｍｏｌ．Ｍｏｄｅｌ．２０１７，２３：１７４（各種ＤＦＴ関数系と基底関数系を研究し、Ｂ３ＬＹＰとＣＥＰ－３１Ｇの組合せが、発光錯体の場合、特に正確であると結論付けている）を参照されたい。
表１：計算された一重項及び三重項エネルギーと対応する一重項－三重項ギャップ

室温で、ドープされたＰＭＭＡフィルムのフォトルミネッセンス発光スペクトルを、Ｐｔ－１、Ｐｔ－２、Ｐｔ－３、Ｐｔ－４、Ｐｔ－５、及びＰｔ－７について測定した。前記フィルムの発光スペクトルは、校正済みＨａｍａｍａｔｓｕ Ｑｕａｎｔａｕｒｕｓ－ＱＹＰｌｕｓＵＶ－ＮＩＲ絶対ＰＬ量子収率分光計で、励起波長３４０ｎｍにて測定した。前記フィルムは、トルエン中にＰＭＭＡを含む、ろ過され石英基板にドロップキャストされた１重量％の発光体溶液から調製した。対応するピーク発光波長（λ_ｍａｘ）及び半値全幅（ＦＷＨＭ）を表２に示す。
表２：１％ドープＰＭＭＡフィルムのフォトルミネッセンス発光スペクトルデータ

実施例１～１０及び比較例１及び２では、２種類の異なるデバイス構造でデバイスを成長させた。デバイス構造１は、ＩＴＯ表面から順に、１００Åの化合物１（ＨＩＬ）、２５０Åの化合物２（ＨＴＬ）、５０ÅのＨＨ１（ＥＢＬ）、一定パーセンテージのＨＨ２、Ｘ％のドーパントをドープした３００ÅのＨＨ１（ＥＭＬ）、化合物４を３５％ドープした３００Åの化合物３（ＥＴＬ）、１０Åの化合物３（ＥＩＬ）からなる有機層を有し、及び１，０００ÅのＡｌ（カソード）を有した。デバイス構造２は、ＩＴＯ表面から順に、１００Åの化合物１（ＨＩＬ）、２５０Åの化合物２（ＨＴＬ）、５０ÅのＨＨ１（ＥＢＬ）、一定パーセンテージのＤＨ２、Ｘ％のドーパントをドープした３００ÅのＤＨ１（ＥＭＬ）、５０ÅのＨＨ２（ＢＬ）、化合物４を３５％ドープした３００Åの化合物３（ＥＴＬ）、１０Åの化合物３（ＥＩＬ）からなる有機層を有し、及び１，０００ÅのＡｌ（カソード）を有した。実施例１～７、実施例１０及び１１、及び比較例１では、ＨＨ２又はＤＨ２のドーピングパーセンテージは、５０％とした。実施例８及び９及び比較２では、ＨＨ２又はＤＨ２のドーピングパーセンテージは、４０％とした。各デバイスのドーパントとドーピング濃度を、表４及び表５に示す。

実施例１～６及び比較例１では、測定された寿命（ＬＴ９０）は、２０ｍＡ／ｃｍ^２の定電流密度で、輝度が、初期輝度の９０％に低下するまでの時間である。表３に示すエンハンスメントファクターは、デバイス構造２のＬＴ９０のデバイス構造１のＬＴ９０に対する比である。
表３：重水素化ホストにおける青色発光白金錯体のエンハンスメントファクター

前記データは、デバイス実施例１～７のそれぞれが、比較例１よりも重水素化による大きな向上を示したことを示している。６０％～１００％の寿命向上は、実験誤差に起因し得る値を超えており、観察された改善は顕著である。前記デバイスが、燐光ドーパントの選択のみが異なっている同一構造を有するという事実に基づくと、前記データで観察された顕著な性能改善は予想外であった。いかなる理論にも拘束されるものではないが、この改善は、重水素化されたホストと、特定の分子構造モチーフ又は特定の発光特性を有するドーパントとの間の分子間分解反応の抑制に起因している可能性がある。実施例１～５及び実施例７では、燐光物質は、金属－カルベン結合を含むＰｔ錯体であり、カルベンを含まない比較例１の比較化合物よりも、ホストの重水素化による大きな向上を示す。実施例３では、燐光物質は、線状に縮合された４つの環を有する縮合環構造を含み、比較例１の比較化合物よりも、ホストの重水素化による大きな向上を示す。実施例１～４では、ターフェニル置換カルベン燐光物質は、少なくとも３つの６員芳香環を含むペンダント基を含み、前記少なくとも３つの６員芳香環のそれぞれは、前記少なくとも３つの６員芳香環の別のものに直接縮合せず、それらはそれぞれ、ターフェニル置換を含まない比較例１の比較化合物よりも、ホストの重水素化による大きな向上を示す。実施例１～７では、燐光物質のそれぞれは、金属に直接結合するカルバゾール部分を含み、カルバゾール部分を含まない比較例１の比較化合物よりも、ホストの重水素化による大きな向上を示す。実施例６では、燐光物質はホウ素原子を含み、ホウ素原子を含まない比較例１の比較化合物よりも、ホストの重水素化による大きな向上を示す。実施例１～７では、各燐光物質は、同一サイズの少なくとも２つの隣接するキレート環を含む少なくとも３つの隣接する５員又は６員のキレート環（１つの５員キレート及び２つの隣接する６員キレート）を形成する四座配位子を含み、それぞれ、同一サイズの２つの隣接するキレート環を含まない比較例１の比較化合物よりも、ホストの重水素化による大きな向上を示す。実施例７では、燐光物質は、シリコン原子を含み、シリコン原子を含まない比較例１の比較化合物よりも、ホストの重水素化による大きな向上を示す。実施例１～４では、燐光物質は、それぞれ、重水素化されたフェニル環を含み、重水素化を含まない比較例１の比較化合物よりも、ホストの重水素化による大きな向上を示す。実施例５では、燐光物質は、ホスト材料とエキサイプレックスを形成し、ホストとエキサイプレックスを形成しない比較例１の比較化合物よりも、ホストの重水素化による大きな向上を示す。実施例１～５では、燐光物質は、それぞれ、表２に示されるように、１％ドープしたＰＭＭＡフィルムにおいて４０ｎｍ未満のλ_ｍａｘでの発光の半値全幅を示し、それぞれが、４０ｎｍ超のλ_ｍａｘでの発光の半値全幅を示す比較例１の比較化合物よりも、ホストの重水素化による大きな向上を示す。

実施例８～１１及び比較例２では、測定された寿命（ＬＴ９５）は、６０ｍＡ／ｃｍ^２の定電流密度で、輝度が、初期輝度の９５％に低下するまでの時間である。表４及び表５に示されるエンハンスメントファクターは、デバイス構造２のＬＴ９５のデバイス構造１のＬＴ９５に対する比である。Ｉｒ－１～Ｉｒ－３及びＩｒ－５のデバイスのエンハンスメントファクターを表５に示す。
表４：重水素化ホストにおける緑色及び赤色発光イリジウム錯体のエンハンスメントファクター

前記データは、デバイス実施例８～１０がいずれも、重水素化による大きな向上を示し、比較例２よりも８０％大きいエンハンスメントファクターを有することを示している。２０％～１１０％の寿命向上は、実験誤差に起因し得る値を超えており、観察された改善は顕著である。前記デバイス実施例８～１０が、燐光物質の選択のみが異なっている比較例２と同一構造を有するという事実に基づくと、前記データで観察された顕著な性能改善は予想外であった。いかなる理論にも拘束されるものではないが、この改善は、重水素化されたホストと、特定の分子構造モチーフ又は特定の発光特性を有するドーパントとの間の分子間分解反応の抑制に起因している可能性がある。実施例８では、燐光物質は、少なくとも１つの６員ヘテロアリール環を含む少なくとも３つの環を含む縮合環構造、又は金属に直接結合したベンゼン環を含む縮合環構造を含み、縮合構造を含まない比較例２の比較化合物よりも、ホストの重水素化による大きな向上を示す。実施例９では、燐光物質は、３つの異なる二座配位子を含むＩｒ（ＩＩＩ）錯体であり、ホモレプティックＩｒ（ＩＩＩ）錯体である比較例２の比較化合物よりも、ホストの重水素化による大きな向上を示す。実施例１０では、燐光物質は、アセチルアセトナート配位子を含み、アセチルアセトナート配位子を含まない比較例２の比較化合物よりも大きな向上を示す。
表５：重水素化されたホストにおける赤外発光錯体のエンハンスメントファクター

室温で、ドープされたＰＭＭＡフィルムのフォトルミネッセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を、Ｉｒ－４について測定した。前記ＰＬＱＹは、校正済みＨａｍａｍａｔｓｕ Ｑｕａｎｔａｕｒｕｓ－ＱＹＰｌｕｓＵＶ－ＮＩＲ絶対ＰＬ量子収率分光計で、励起波長３４０ｎｍにて測定した。前記フィルムは、トルエン中にＰＭＭＡを含む、ろ過され石英基板にドロップキャストされた１重量％のＩｒ－４溶液から調製した。対応するピーク発光波長（λ_ｍａｘ）及びＰＬＱＹを表６に示す。
表６：Ｉｒ－４のλ_ｍａｘ及びＰＬＱＹ

実施例１１では、λ_ｍａｘを有する燐光物質は、表６に示されるように、７００～１０００ｎｍの範囲にあり、１％ドープＰＭＭＡフィルムで少なくとも３０％のＰＬＱＹ値を有しており、少なくとも２つのヘテロ原子と少なくとも１つのフッ素原子とを含むヘテロアリール部分を含むフッ素化キナゾリンを含み、ホストが重水素化されると、顕著な寿命向上を示す。

実施例１２では、２種類の異なるデバイス構造でデバイスを成長させた。デバイス構造３は、ＩＴＯ表面から順に、１００Åの化合物１（ＨＩＬ）、４００Åの化合物２（ＨＴＬ）、５０ÅのＤＨ１（ＥＢＬ）、３０％のＨＨ２、１２％のＰｔ－８をドープした４００ÅのＨＨ１（ＥＭＬ）、化合物４を３５％ドープした３００Åの化合物３（ＥＴＬ）、１０Åの化合物３（ＥＩＬ）からなる有機層を有し、及び１，０００ÅのＡｌ（カソード）を有した。デバイス構造４は、ＩＴＯ表面から順に、１００Åの化合物１（ＨＩＬ）、４００Åの化合物２（ＨＴＬ）、５０ÅのＤＨ１（ＥＢＬ）、３０％のＤＨ２、１２％のＰｔ－８をドープした４００ÅのＤＨ１（ＥＭＬ）、化合物４を３５％ドープした３００Åの化合物３（ＥＴＬ）、１０Åの化合物３（ＥＩＬ）からなる有機層を有し、及び１，０００ÅのＡｌ（カソード）を有した。測定された寿命（ＬＴ９５）は、８０ｍＡ／ｃｍ^２の定電流密度で、輝度が、初期輝度の９５％に低下するまでの時間である。表７に示されるエンハンスメントファクターは、デバイス構造４のＬＴ９５のデバイス構造３のＬＴ９５に対する比である。
表７：Ｐｔ－８のエンハンスメントファクター

前記データは、デバイス実施例１２が、比較例２よりも大きな寿命向上を示したことを示している。８０％の寿命向上は、実験誤差に起因し得る値を超えており、観察された改善は顕著である。実施例１２が、燐光物質の選択が比較例２との主な相違点であり、比較例２と同一のホスト材料を用いているという事実に基づくと、前記データで観察された顕著な性能改善は予想外であった。いかなる理論にも拘束されるものではないが、この改善は、重水素化されたホストと、配位炭素原子に対してトランスである配位酸素原子を含む四座配位子を有するＰｔ－８との重水素化ホストの抑制された反応性に起因する可能性がある。更に、Ｐｔ－８の垂直双極子比（ＶＤＲ）は０．１５未満であり、５２８ｎｍのλ_ｍａｘと０．１５未満のＶＤＲとを有する当該燐光物質は、０．１５超のＶＤＲを有する比較例２よりも、ホストの重水素化による大きな寿命向上を示す。

実施例１３では、２種類の異なるデバイス構造でデバイスを成長させた。デバイス構造５は、ＩＴＯ表面から順に、１００Åの化合物１（ＨＩＬ）、２５０Åの化合物２（ＨＴＬ）、５０ÅのＨＨ１（ＥＢＬ）、５０ÅのＨＨ３（ＢＬ）、３０％のＨＨ３、１２％のＰｔ－２をドープした３００ÅのＨＨ１（ＥＭＬ）、化合物４を３５％ドープした３００Åの化合物３（ＥＴＬ）、１０Åの化合物３（ＥＩＬ）からなる有機層を有し、及び１，０００ÅのＡｌ（カソード）を有した。デバイス構造６は、ＩＴＯ表面から順に、１００Åの化合物１（ＨＩＬ）、２５０Åの化合物２（ＨＴＬ）、５０ÅのＨＨ１（ＥＢＬ）、３０％のＤＨ３、１２％のＰｔ－２をドープした３００ÅのＨＨ１（ＥＭＬ）、５０ÅのＨＨ３（ＢＬ）、化合物４を３５％ドープした３００Åの化合物３（ＥＴＬ）、１０Åの化合物３（ＥＩＬ）からなる有機層を有し、及び１，０００ÅのＡｌ（カソード）を有した。測定された寿命（ＬＴ９０）は、２０ｍＡ／ｃｍ^２の定電流密度で、輝度が、初期輝度の９０％に低下するまでの時間である。表８に示されるエンハンスメントファクターは、デバイス構造６のＬＴ９０のデバイス構造５のＬＴ９０に対する比である。
表８：重水素化ホウ素含有ホストにおけるＰｔ－２の相対寿命

前記データは、デバイス実施例１３が、ホストを重水素化しないデバイスと比べて寿命が延びたことを示している。３０％の寿命向上は、実験誤差に起因し得る値を超えており、観察された改善は顕著である。いかなる理論にも拘束されるものではないが、この改善は、重水素化ホウ素含有ホストの燐光物質との抑制された反応性に起因する可能性がある。

実施例１４では、２種類の異なるデバイス構造でデバイスを成長させた。デバイス構造７は、ＩＴＯ表面から順に、１００Åの化合物１（ＨＩＬ）、２５０Åの化合物２（ＨＴＬ）、５０ÅのＤＨ１（ＥＢＬ）、５０％のＨＨ４、１２％のＰｔ－２をドープした３００ÅのＨＨ１（ＥＭＬ）、５０ÅのＤＨ４（ＢＬ）、化合物４を３５％ドープした３００Åの化合物３（ＥＴＬ）、１０Åの化合物３（ＥＩＬ）からなる有機層を有し、及び１，０００ÅのＡｌ（カソード）を有した。デバイス構造８は、ＩＴＯ表面から順に、１００Åの化合物１（ＨＩＬ）、２５０Åの化合物２（ＨＴＬ）、５０ÅのＤＨ１（ＥＢＬ）、５０％のＤＨ４、１２％のＰｔ－２をドープした３００ÅのＤＨ１（ＥＭＬ）、５０ÅのＤＨ４（ＢＬ）、化合物４を３５％ドープした３００Åの化合物３（ＥＴＬ）、１０Åの化合物３（ＥＩＬ）からなる有機層を有し、及び１，０００ÅのＡｌ（カソード）を有した。測定された寿命（ＬＴ９０）は、２０ｍＡ／ｃｍ^２の定電流密度で、輝度が、初期輝度の９０％に低下するまでの時間である。表９に示されるエンハンスメントファクターは、デバイス構造８のＬＴ９０のデバイス構造７のＬＴ９０に対する比である。
表９：重水素化ＴＡＤＦホストにおけるＰｔ－２の相対寿命

前記データは、デバイス実施例１４が、ホストを重水素化した場合と比べて寿命が延びたことを示している。１８０％の寿命向上は、実験誤差に起因し得る値を超えており、観察された改善は顕著である。Ｓ１_ｈｏｓｔ－Ｔ１_ｈｏｓｔが小さいＤＨ４を使用した実施例１４における向上は、Ｓ１_ｈｏｓｔ－Ｔ１_ｈｏｓｔが大きいＤＨ２を使用した場合に観察されたいずれの場合よりも遥かに大きい。ＤＨ４及びＤＨ２は類似した構造を有し、主な相違点はＤＨ４のＳ１_ｈｏｓｔ－Ｔ１_ｈｏｓｔが小さいことであるという事実に基づくと、前記データで観察される大幅な性能向上は予想外であった。いかなる理論にも拘束されるものではないが、この改善は、ホストが０．３０ｅＶ未満の差Ｓ１_ｈｏｓｔ－Ｔ１_ｈｏｓｔを有する場合に特に影響が大きい、重水素化ホストと白金錯体との間の抑制された反応に起因する可能性がある。

実施例１５及び１６では、２種類の異なるデバイス構造でデバイスを成長させた。デバイス構造９は、ＩＴＯ表面から順に、１００Åの化合物１（ＨＩＬ）、２５０Åの化合物２（ＨＴＬ）、５０ÅのＤＨ１（ＥＢＬ）、５２％のＨＨ２、１３％のドーパントをドープした３００ÅのＨＨ１（ＥＭＬ）、５０ÅのＤＨ２（ＢＬ）、化合物４を３５％ドープした３００Åの化合物３（ＥＴＬ）、１０Åの化合物３（ＥＩＬ）からなる有機層を有し、及び１，０００ÅのＡｌ（カソード）を有した。デバイス構造１０は、ＩＴＯ表面から順に、１００Åの化合物１（ＨＩＬ）、２５０Åの化合物２（ＨＴＬ）、５０ÅのＤＨ１（ＥＢＬ）、５２％のＤＨ２、１３％のドーパントをドープした３００ÅのＤＨ１（ＥＭＬ）、５０ÅのＤＨ２（ＢＬ）、化合物４を３５％ドープした３００Åの化合物３（ＥＴＬ）、１０Åの化合物３（ＥＩＬ）からなる有機層を有し、及び１，０００ÅのＡｌ（カソード）を有した。測定された寿命（ＬＴ９０）は、２０ｍＡ／ｃｍ^２の定電流密度で、輝度が、初期輝度の９０％に低下するまでの時間である。表１０に示されるエンハンスメントファクターは、デバイス構造１０のＬＴ９０のデバイス構造９のＬＴ９０に対する比である。
表１０：重水素化ホストにおける青色発光錯体のエンハンスメントファクター

実施例１５及び１６では、それぞれ、比較例１よりも、重水素化による大きな向上を示した。９０％～１３０％の寿命向上は、実験誤差に起因し得る値を超えており、観察された改善は顕著である。これらのデバイスが類似した構造を有し、主な相違点は燐光ドーパントの選択であるという事実に基づくと、前記データで観察される顕著な性能改善は予想外であった。いかなる理論にも拘束されるものではないが、この改善は、重水素化されたホストと特定の分子構造モチーフ又は特定の発光特性を有するドーパントとの間の分子間分解反応の抑制に起因する可能性がある。Ｐｔ－１０及びＰｔ－１１はいずれも、９員環を含み、７個以上の原子を含む環を有さない比較例１の比較化合物よりも、ホストの重水素化による大きな向上を示す。

実施例１５を実施例１６と比較すると、Ｐｔ－１０を含むデバイスは、Ｐｔ－１１を含むデバイスよりも大きな向上を示している。燐光ドーパントが、Ｐｔ－１０がＰｔ－１１よりも多くの重水素原子を含むということだけが異なる同一構造を有するという事実に基づくと、前記データで観察された顕著な性能向上は予想外であった。いかなる理論にも拘束されるものではないが、Ｐｔ－１０のより大きなエンハンスメントファクターは、ＥＭＬから更なる水素原子が除去されることによって生じる可能性がある。幾つかの実施形態においては、好ましい発光錯体は、２０％超のプロトンが重水素化されており、より好ましくは５０％超のプロトンが重水素化されており、最も好ましくは７５％超のプロトンが重水素化されている。

実施例１７及び比較例３では、２種類の異なるデバイス構造でデバイスを成長させた。デバイス構造１１は、ＩＴＯ表面から順に、１００Åの化合物１（ＨＩＬ）、２５０Åの化合物２（ＨＴＬ）、Ｘ％のドーパントを含む３００ÅのＨＨ１（ＥＭＬ）、５０Åの化合物５（ＢＬ）、３００Åの化合物６（ＥＴＬ）、１０Åの化合物３（ＥＩＬ）からなる有機層を有し、及び１，０００ÅのＡｌ（カソード）を有した。デバイス構造１２は、ＩＴＯ表面から順に、１００Åの化合物１（ＨＩＬ）、２５０Åの化合物２（ＨＴＬ）、Ｘ％のドーパントを含む３００ÅのＤＨ１（ＥＭＬ）、５０Åの化合物５（ＢＬ）、３００Åの化合物６（ＥＴＬ）、１０Åの化合物３（ＥＩＬ）からなる有機層を有し、及び１，０００ÅのＡｌ（カソード）を有した。各デバイスのドーパントとドーパント濃度を表１１に示す。測定された寿命（ＬＴ９０）は、２０ｍＡ／ｃｍ^２の定電流密度で、輝度が、初期輝度の９０％に低下するまでの時間である。表１０に示されるエンハンスメントファクターは、デバイス構造１２のＬＴ９０のデバイス構造１１のＬＴ９０に対する比である。
表１１：重水素化ホストにおける青色発光錯体のエンハンスメントファクター

前記データは、デバイス実施例１７が、ホストの重水素化による大きな向上を示し、比較例２よりも６０％向上していることを示す。９０％の寿命向上は、実験誤差に起因し得る値を超えており、観察された改善は顕著である。Ｉｒ－６がＩｒ－７と類似の構造を有し、主な相違点がＩｒ－６の縮合環構造であるという事実に基づくと、前記データで観察された顕著な性能改善は予想外であった。いかなる理論にも拘束されるものではないが、この改善は、重水素化ホストと４以上の縮合環を含む縮合環構造を有するドーパントとの間の分子間分解反応の抑制に起因する可能性があり、実施例１７は、縮合環構造を含まない比較例３の比較化合物よりも、ホストの重水素化による大きな向上を示す。

実施例１～１７及び比較例１～３のそれぞれにおいて、試験されたデバイスは、重水素化カルバゾールを含むホストを含み、いずれもデバイス寿命の顕著な向上を示した。いかなる理論にも拘束されるものではないが、この改善は、重水素化カルバゾールのドーパントとの反応性の抑制に起因する可能性があり、実施例１～１７に示される特定のドーパント化学は、比較例１～３よりも顕著に大きな向上を示している。実施例１～１３及び実施例１５及び１６において、重水素化されたホストは、０．２５ｅＶ超且つ１．５０ｅＶ未満の差Ｓ１_ｈｏｓｔ－Ｔ１_ｈｏｓｔを有する。実施例１２及び実施例１４～１６は、重水素化材料を含むブロッキング層を更に含み、それらがそれぞれ、最大のエンハンスメントファクターに含まれている。

Claims (15)

1. 有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ）であって、
   アノードと；
   カソードと；
   前記アノードと前記カソードとの間に配置された発光層とを含み；
   前記発光層が、第１の燐光発光体と第１のホストとを含み；
   前記第１の燐光発光体が、金属錯体であり；
   前記第１のホストが、部分的又は完全に重水素化されており；
   以下の条件の少なくとも１つが充足されることを特徴とする、ＯＬＥＤ。
   （１）前記金属錯体が、金属－カルベン結合を含むＰｔ錯体である。
   （２）前記金属錯体が、イミダゾール部分；少なくとも２つのヘテロ原子を含む縮合又は非縮合ヘテロアリール部分；少なくとも１つの６員ヘテロアリール環を含む少なくとも３つの環を含む縮合環構造；少なくとも４つの環を有する縮合環構造；少なくとも３つの６員芳香環を含むペンダント基であって、前記少なくとも３つの６員芳香環のそれぞれが、前記少なくとも３つの６員芳香環のうちの別の６員芳香環に直接縮合されていないペンダント基；前記金属に直接結合された部分的又は完全に重水素化された５員又は６員の炭素環又は複素環；前記金属に直接結合されたカルバゾール部分；合計で少なくとも６つの６員芳香環；少なくとも１つのホウ素原子；少なくとも１つのフッ素原子；前記金属に直接結合されたベンゼン環を含む縮合環構造；又は置換若しくは非置換のアセチルアセトネート配位子；ケイ素原子；７つ以上の原子を含む環構造からなる群から選択される少なくとも１つの特徴を含む。
   （３）前記金属錯体が、四座Ｐｔ錯体であり、前記四座配位子が、同一サイズの少なくとも２つの隣接するキレート環を含む少なくとも３つの隣接する５員又は６員のキレート環を形成する。
   （４）前記金属錯体が、四座Ｐｔ錯体であり、前記四座配位子が、配位炭素原子に対してトランスである少なくとも１つの配位酸素原子又は硫黄原子を含む。
   （５）前記金属錯体が、部分的又は完全に重水素化されている。
   （６）前記金属錯体が、Ｏｓ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、及びＰｄからなる群から選択される金属を含む。
   （７）前記金属錯体が、３つの異なる二座配位子を含むＩｒ（ＩＩＩ）錯体である。
   （８）前記金属錯体が、室温で光励起し発光し、発せられた光が、ＰＭＭＡフィルムにおいて１％の質量濃度で測定したときのピーク発光波長λ_ｍａｘによって特徴付けられる発光スペクトルを有し、前記金属錯体が、４００～５００ｎｍの範囲のλ_ｍａｘ及び０．１５以下の垂直双極子比（ＶＤＲ）値を有する、又は前記金属錯体が、５００～５９０ｎｍの範囲のλ_ｍａｘ及び０．１５以下のＶＤＲ値を有する、又は前記金属錯体が、５９０～７００ｎｍの範囲のλ_ｍａｘ及び０．１０以下のＶＤＲ値を有する。
   （９）前記金属錯体が、最低三重項エネルギーＴ１_ｅｍと最低一重項エネルギーＳ１_ｅｍとを有し、Ｓ１_ｅｍ－Ｔ１_ｅｍの差が、０．３ｅＶ以下である。
   （１０）前記第１のホストが、トリフェニレン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、５λ２－ベンゾ［ｄ］ベンゾ［４，５］イミダゾール［３，２－ａ］イミダゾール、５，９－ジオキサ－１３ｂ－ボラナフト［３，２，１－ｄｅ］アントラセン、アザ－トリフェニレン、アザ－カルバゾール、アザ－インドロカルバゾール、アザ－ジベンゾチオフェン、アザ－ジベンゾフラン、アザ－ジベンゾセレノフェン、アザ－５λ２－ベンゾ［ｄ］ベンゾ［４，５］イミダゾ［３，２－ａ］イミダゾール、及びアザ－（５，９－ジオキサ－１３ｂ－ボラナフト［３，２，１－ｄｅ］アントラセン）からなる群から選択される部分的又は完全に重水素化された部分を含む。
   （１１）前記第１のホストが、ボリル部分を含む。
   （１２）前記第１のホストが、最低三重項エネルギーＴ１_ｈｏｓｔと最低一重項エネルギーＳ１_ｈｏｓｔとを有し、Ｓ１_ｈｏｓｔ－Ｔ１_ｈｏｓｔの差が、０．２５ｅＶ以上１．５０ｅＶ以下である。
   （１３）前記金属錯体が、Ｐｔ錯体であり、前記第１のホストが、最低三重項エネルギーＴ１_ｈｏｓｔと最低一重項エネルギーＳ１_ｈｏｓｔとを有し、Ｓ１_ｈｏｓｔ－Ｔ１_ｈｏｓｔの差が、０．３０ｅＶ以下である。
   （１４）前記第１のホストが、前記発光層中の唯一のホスト材料であり、前記第１のホストが、少なくとも２つの窒素原子を含むヘテロアリール基を含む。
   （１５）前記金属錯体が、室温で光励起し発光し、発せられた光が、ＰＭＭＡフィルムにおいて１％の質量濃度で測定したときのピーク発光波長λ_ｍａｘによって特徴付けられる発光スペクトルを有し、λ_ｍａｘにおける発光の半値全幅が、４０ｎｍ以下である。
   （１６）前記金属錯体が、室温で光励起し発光し、発せられた光が、ＰＭＭＡフィルムにおいて１％の質量濃度で測定したときのピーク発光波長λ_ｍａｘによって特徴付けられる発光スペクトルを有し、前記λ_ｍａｘが、７００～１０００ｎｍの範囲にあり、ＰＬＱＹ値が、少なくとも３０％である。
   （１７）前記発光層が、エキサイプレックスを形成する２以上の材料を含む。
   （１８）前記ＯＬＥＤが、少なくとも１つの部分的又は完全に重水素化された材料を含む少なくとも１つの更なる層を更に含む。
   （１９）前記ＯＬＥＤが、１０ｍＡ／ｃｍ^２で測定される第１のデバイス寿命ＬＴ９５を有し、前記第１のデバイス寿命が、前記第１のホストが重水素化されていないことを除き前記第１のデバイス寿命と同一の条件で得られる第２のデバイス寿命より少なくとも１．５倍長い。
   （２０）前記アノード、前記カソード、又は前記発光層の上に配置された更なる層のうちの少なくとも１つが、エンハンスメント層として機能し、前記エンハンスメント層が、前記第１の燐光発光体に非放射的に結合し、励起状態エネルギーを前記発光体材料から表面プラズモンポラリトンの非放射モードに伝達する表面プラズモン共鳴を示すプラズモン材料を含み、前記エンハンスメント層が、前記発光層から閾距離以内に設けられ、前記第１の燐光発光体が、前記エンハンスメント層の存在に起因する総非放射性崩壊速度定数と総放射性崩壊速度定数とを有し、前記閾距離は、前記総非放射性崩壊速度定数が、前記総放射性崩壊速度定数と等しい距離である。
   （２１）前記アノードに対して垂直に前記カソードに向かって延びる方向に沿う前記発光層中の前記金属錯体の濃度レベルが、予め定義された非一定の勾配プロファイルにしたがう。
   （２２）前記した２以上の条件の任意の組合せ。
2. 前記金属錯体が、金属－カルベン結合を含むＰｔ錯体である；又は前記金属錯体が、Ｐｔと５員キレート環を形成する少なくとも１つの多座配位子を含み、
   前記少なくとも１つの多座配位子が、四座配位子であり、前記５員キレート環が、カルベン結合を含むことができる、請求項１に記載のＯＬＥＤ。
3. 前記カルベンが、置換基Ｒによって置換されており、前記置換基Ｒが、部分的又は完全に重水素化されており、前記置換基Ｒが、少なくとも２つの６員芳香環を含み、そのそれぞれが、他の６員芳香環に直接縮合されていない、請求項２に記載のＯＬＥＤ。
4. 前記金属錯体が、イミダゾール部分；少なくとも２つのヘテロ原子を含む縮合又は非縮合ヘテロアリール部分；少なくとも１つの６員ヘテロアリール環を含む少なくとも３つの環を含む縮合環構造；少なくとも４つの環を有する縮合環構造；少なくとも３つの６員芳香環を含むペンダント基であって、前記少なくとも３つの６員芳香環のそれぞれが、前記少なくとも３つの６員芳香環のうちの別の６員芳香環に直接縮合されていないペンダント基；前記金属に直接結合された部分的又は完全に重水素化された５員又は６員の炭素環又は複素環；前記金属に直接結合されたカルバゾール部分；合計で少なくとも６つの６員芳香環；少なくとも１つのホウ素原子；少なくとも１つのフッ素原子；前記金属に直接結合されたベンゼン環を含む縮合環構造；又は置換若しくは非置換のアセチルアセトネート配位子からなる群から選択される少なくとも１つの特徴を含む、請求項１に記載のＯＬＥＤ。
5. 前記金属錯体が、四座Ｐｔ錯体であり、前記四座配位子が、同一サイズの少なくとも２つの隣接するキレート環を含む少なくとも３つの隣接する５員又は６員のキレート環を形成し；
   前記Ｐｔ及び前記四座配位子が、
   少なくとも１つの５員キレート環と少なくとも１つの６員キレート環、
   ５員キレート環と２つの６員キレート環、又は
   ２つの５員キレート環と１つの６員キレート環、
   を形成する、請求項１に記載のＯＬＥＤ。
6. 前記金属錯体が、四座Ｐｔ錯体であり、前記四座配位子が、配位炭素原子に対してトランスである少なくとも１つの配位酸素原子又は硫黄原子；又は
   配位炭素原子に対してトランスである少なくとも１つの配位酸素原子を含む、
   請求項１に記載のＯＬＥＤ。
7. 前記第１のホストが、ボリル部分を含み、前記ボリル部分が、３価のホウ素原子であり、前記ホウ素原子が、環の骨格の１つに存在する；前記ホウ素原子が、環の骨格の２つに存在する；又は、前記ホウ素原子が、環の骨格の３つに存在する、請求項１に記載のＯＬＥＤ。
8. 前記第１のホストが、少なくとも１０％重水素化されている、請求項１に記載のＯＬＥＤ。
9. 前記ＯＬＥＤが、第２のホストを含み、前記第２のホストが、重水素化されていない；又は前記第２のホストが、部分的又は完全に重水素化されている、請求項１に記載のＯＬＥＤ。
10. 前記金属錯体が、白金錯体であり、前記第１のホストが、トリアジン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、アザ－ジベンゾフラン、アザ－ジベンゾチオフェン、トリフェニレン、アザ－トリフェニレン、カルバゾール、インドロカルバゾール、アザ－カルバゾール、アザ－インドロカルバゾール、シリル、及びボリルからなる群から選択される部分を含む、請求項１に記載のＯＬＥＤ。
11. 前記金属錯体が、部分的に重水素化されたアルキル基、部分的に重水素化されたシクロアルキル基、部分的に重水素化されたアリール又はヘテロアリール基、完全に重水素化されたアルキル基、及び完全に重水素化されたアリール又はヘテロアリール基からなる群から選択される少なくとも１つの部分を含む、請求項１に記載のＯＬＥＤ。
12. 前記第１のホストが、以下からなる群から選択される、請求項１に記載のＯＬＥＤ。
    

    

    

    

    

    

    （式中、
    Ｘ_１～Ｘ_１１は、それぞれ独立して、Ｃ又はＮであり；
    Ｙ^Ａは、それぞれ独立して存在しない、又は存在する場合は、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＣＲＲ’、ＳｉＲＲ’、ＮＲ、ＢＲ、ＢＲＲ’からなる群から選択され；
    Ｒ^Ａ’、Ｒ^Ｂ’、Ｒ^Ｃ’、Ｒ^Ｄ’、Ｒ^Ｅ’、Ｒ^Ｆ’、及びＲ^Ｇ’は、それぞれ独立して、モノから最大の置換数、又は無置換を表し；
    Ｒ、Ｒ’、Ｒ^Ａ’、Ｒ^Ｂ’、Ｒ^Ｃ’、Ｒ^Ｄ’、Ｒ^Ｅ’、Ｒ^Ｆ’、及びＲ^Ｇ’は、それぞれ独立して、水素、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ボリル、ゲルミル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びそれらの組合せからなる群から選択される置換基であり；
    Ｒ、Ｒ’、Ｒ^Ａ’、Ｒ^Ｂ’、Ｒ^Ｃ’、Ｒ^Ｄ’、Ｒ^Ｅ’、Ｒ^Ｆ’、又はＲ^Ｇ’のうちの少なくとも１つは、重水素を含む。）
13. 前記金属錯体が、構造Ｍ（Ｌ_Ａ）_ｐ（Ｌ_Ｂ）_ｑ（Ｌ_Ｃ）_ｒを有し、式中、ｐは、１、２、又は３であり；ｑは、０、１、又は２であり；ｒは、０、１、又は２であり；ｐ＋ｑ＋ｒは、金属Ｍの酸化状態であり；配位子Ｌ_Ｂ及び配位子Ｌ_Ｃは、それぞれ独立して、以下からなる群から選択される、請求項１に記載のＯＬＥＤ。
    

    

    

    

    （式中、
    Ｔは、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎからなる群から選択され；
    Ｙ^１～Ｙ^１３は、それぞれ独立して、炭素及び窒素からなる群から選択され；
    Ｙ’は、ＢＲ_ｅ、ＢＲ_ｅＲ_ｆ、ＮＲ_ｅ、ＰＲ_ｅ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ_ｅ、Ｃ＝ＣＲ_ｅＲ_ｆ、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ_２、ＣＲ_ｅＲ_ｆ、ＳｉＲ_ｅＲ_ｆ、及びＧｅＲ_ｅＲ_ｆからなる群から選択され；
    Ｒ_ｅ及びＲ_ｆは、縮合又は結合して、環を形成することができ；
    Ｒ_ａ、Ｒ_ｂ、Ｒ_ｃ、及びＲ_ｄは、それぞれ独立して、ゼロ、モノ、又はその関連する環に対して可能な置換の最大数までを表し；
    Ｒ_ａ１、Ｒ_ｂ１、Ｒ_ｃ１、Ｒ_ｄ１、Ｒ_ａ、Ｒ_ｂ、Ｒ_ｃ、Ｒ_ｄ、Ｒ_ｅ、及びＲ_ｆは、それぞれ独立して、水素、又は重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ボリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びそれらの組合せからなる群から選択される置換基であり；
    任意の２つの隣接するＲ_ａ、Ｒ_ｂ、Ｒ_ｃ、Ｒ_ｄ、Ｒ_ｅ、及びＲ_ｆは、縮合又は結合して、環を形成することができる又は多座配位子を形成することができる。）
14. 前記第２のホストが、以下からなる群から選択される、請求項１に記載のＯＬＥＤ。
    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    

    （式中、
    Ｘ_１～Ｘ_１１は、それぞれ独立して、Ｃ又はＮであり；
    Ｙ^Ａは、それぞれ独立して存在しない、又は存在する場合は、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＣＲＲ’、ＳｉＲＲ’、ＮＲ、ＢＲ、ＢＲＲ’からなる群から選択され；
    Ｒ^Ａ’、Ｒ^Ｂ’、Ｒ^Ｃ’、Ｒ^Ｄ’、Ｒ^Ｅ’、Ｒ^Ｆ’、及びＲ^Ｇ’は、それぞれ独立して、モノから最大の置換数、又は無置換を表し；
    Ｒ、Ｒ’、Ｒ^Ａ’、Ｒ^Ｂ’、Ｒ^Ｃ’、Ｒ^Ｄ’、Ｒ^Ｅ’、Ｒ^Ｆ’、及びＲ^Ｇ’は、それぞれ独立して、水素、又は本明細書に定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり；
    Ｒ、Ｒ’、Ｒ^Ａ’、Ｒ^Ｂ’、Ｒ^Ｃ’、Ｒ^Ｄ’、Ｒ^Ｅ’、Ｒ^Ｆ’、又はＲ^Ｇ’のうちの少なくとも１つは、重水素を含む。）
15. 有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ）であって、
    アノードと；
    カソードと；
    前記アノードと前記カソードとの間に配置された発光層とを含み；
    前記発光層が、第１の化合物と第２の化合物とを含み；
    前記第１の化合物と前記第２の化合物とがエキサイプレックスを形成し；
    前記第１の化合物が、有機金属化合物ではなく；
    前記第１の化合物が、完全又は部分的に重水素化されており、但し、前記第１の化合物と前記第２の化合物のいずれも、以下の化合物ではないことを特徴とする、ＯＬＥＤ。
    

    

    
    

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