JP4590020B1 - 電荷輸送材料及び有機電界発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】優れた発光効率と耐久性を有する有機電界発光素子を提供。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物を含む電荷輸送材料であって、特定のハロゲン含有化合物の含有量がそれぞれ一般式（１）で表される化合物に対して０．１％以下である電荷輸送材料を有機層に含む有機電界発光素子。

一般式（１）中、Ａ^１、Ａ^２はそれぞれ独立にＮ、−ＣＨ又は−ＣＲを表す。
【選択図】なし

Description

本発明は電荷輸送材料及び有機電界発光素子に関する。

有機電界発光素子（以下、「素子」、「有機ＥＬ素子」ともいう）は、低電圧駆動で高輝度の発光が得られることから活発に研究開発が行われている。有機電界発光素子は、一対の電極間に有機層を有し、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔とが有機層において再結合し、生成した励起子のエネルギーを発光に利用するものである。

近年、燐光発光材料を用いることにより、素子の高効率化が進んでいる。また、発光材料をホスト材料中にドープした発光層を用いるドープ型素子が広く採用されている。
例えば、特許文献１−３には、燐光発光材料としてイリジウム錯体や白金錯体などを用い、更に含窒素ヘテロ環基とカルバゾール構造を含む特定構造の化合物をホスト材料として用いて、発光効率及び耐久性を向上させた有機電界発光素子が提案されている。
また、同じく含窒素ヘテロ環基とカルバゾール構造を含む特定構造の化合物を電子輸送材料として電子輸送層に用いて、発光効率を向上させた有機電界発光素子が提案されている（特許文献４参照）。
しかしながら、これら特許文献１−４に記載の素子よりも更に高いレベルで発光効率と耐久性が両立された有機電界発光素子が求められている。

ところで、特許文献５及び６には、有機層に含まれる有機化合物材料中のハロゲン含有化合物からなる不純物の濃度を低減することで有機電界発光素子の耐久性が改善されることが開示されている。ここで、ハロゲン含有不純物の濃度低減の方法としては、所望の有機化合物材料を合成後に精製する方法（特許文献５及び６）や、合成後の材料中のハロゲン含有化合物に対して還元処理を行う方法（特許文献６）が提案されている。

国際公開第０５／０８５３８７号 国際公開第０３／０８０７６０号 国際公開第０３／０７８５４１号 特開２００７−２２０７２１号公報 特許第３２９０４３２号公報 特開２００５−２２２７９４号公報

一般的に、ある一つの有機化合物材料は複数種のハロゲン含有不純物を含むが、その全てが該有機化合物材料を用いた有機電界発光素子の耐久性に等しく影響を与えるものでなく、どのような構造のハロゲン含有不純物が素子の耐久性に大きな影響を与えるのかは簡単には分からない。
また、特許文献６に記載されるように、ハロゲン含有化合物の除去は困難なことが多く、有機化合物材料に応じて適切な不純物低減の方法を検討する必要がある。
特許文献１−４に記載の含窒素ヘテロ環基とカルバゾール構造を含む特定構造の電荷輸送材料に関しては、特許文献１及び２に、ハロゲン原子が置換した含窒素ヘテロ環を含む構造と、ボロン酸が置換したアリール基を含むカルバゾール構造とをカップリングして合成する方法が開示されている。しかしながら、特許文献１−４には、上記特定構造の化合物の純度や含有不純物による素子に対する影響についての記載はない。
一方で、特許文献２には、本発明の一般式（１）に相当する化合物が置換しうる置換基の例として、塩素、臭素、フッ素などのハロゲン原子が記載されており、一般式（１）で表される化合物においては、ハロゲン原子の置換は大きな悪影響を与えるものではないことが、知られていた。

本発明の目的は、優れた発光効率と耐久性を有する有機電界発光素子を提供することである。
また、本発明の別の目的は、優れた発光効率と耐久性を有する有機電界発光素子に有用な電荷輸送材料を提供することである。更に、本発明の別の目的は、有機電界発光素子に有用な化合物の製造方法を提供することである。そして、本発明の別の目的は、有機電界発光素子を含む発光装置及び照明装置を提供することである。

本発明者らの検討によると、含窒素ヘテロ環基とカルバゾール構造を含む特定化合物からなる電荷輸送材料において、従来、悪影響を与えないと考えられていたハロゲン含有不純物のうち、特定構造の不純物化合物が素子性能に大きく影響することを見出し、該不純物の含有量を低減することで、有機電界発光素子の発光効率と耐久性を高いレベルで両立できることを見出した。また、特定の合成方法により上記含窒素ヘテロ環基とカルバゾール構造を含む特定化合物を得ることで、前記不純物の含有量を低減し易くなることを見出した。
すなわち、本発明は下記の手段により達成することができる。

［１］
以下の一般式（１）で表される化合物を含む電荷輸送材料であって、以下の一般式（Ｉ−１）で表される化合物及び一般式（Ｉ−２）で表される化合物の含有量が、それぞれ一般式（１）で表される化合物に対して０．１質量％以下であることを特徴とする電荷輸送材料。

一般式（１）中、Ａ^１、Ａ^２はそれぞれ独立にＮ、−ＣＨ又は−ＣＲを表す。Ｒは置換基を表す。Ｌは単結合、アリーレン基、シクロアルキレン基又は芳香族へテロ環を表す。Ｌが連結するベンゼン環中の炭素原子と、Ｌ中の原子と、更に他の原子とにより環を形成してもよい。前記他の原子は、炭素原子、酸素原子又は硫黄原子であり、該炭素原子には更にアルキル基又はアリール基が置換していてもよい。Ｒ^１〜Ｒ^５はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、アダマンチル基、シアノ基、シリル基又はカルバゾリル基を表す。ｎ１〜ｎ３はそれぞれ独立に０〜４の整数を表し、ｎ４〜ｎ５はそれぞれ独立に０〜５を表す。ｐ、ｑはそれぞれ独立に１〜４の整数を表す。

一般式（Ｉ−１）及び一般式（Ｉ−２）中、Ａ^１、Ａ^２、Ｒ^１〜Ｒ^５、ｎ１〜ｎ５、ｐ及びｑはそれぞれ一般式（１）と同義であり、一般式（１）におけるＡ^１、Ａ^２、Ｒ^１〜Ｒ^５、ｎ１〜ｎ５、ｐ及びｑと同一の基又は整数である。Ｘ^１、Ｘ^２はそれぞれ独立にハロゲン原子を表す。Ｌ’及びＬ”はＬと同義である。
［２］
一般式（Ｉ−１）で表される化合物及び一般式（Ｉ−２）で表される化合物の含有量が、それぞれ一般式（１）で表される化合物に対して０．００１質量％以上０．１質量％以下であることを特徴とする上記［１］に記載の電荷輸送材料。
［３］
一般式（１）において、Ａ^１及びＡ^２のいずれか一方が窒素原子であり、他方が炭素原子であることを特徴とする上記［１］又は［２］に記載の電荷輸送材料。
［４］
一般式（１）において、Ｌが単結合、フェニレン基、ビフェニレン基又はターフェニレン基であることを特徴とする上記［１］〜［３］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
［５］
一般式（１）において、Ｒ^１〜Ｒ^５がそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、シアノ基又はシリル基であることを特徴とする上記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
［６］
一般式（１）において、ｎ１〜ｎ５が全て０であることを特徴とする上記［１］〜［５］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
［７］
一般式（１）で表される化合物が以下の一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする上記［１］〜［６］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。

一般式（２）中、Ｒ^６〜Ｒ^１１はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、シアノ基又はシリル基を表す。ｎ６〜ｎ９はそれぞれ０〜４の整数を表し、ｎ１０〜ｎ１１はそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。
［８］
一般式（２）において、ｎ６〜ｎ１１が全て０であることを特徴とする上記［７］に記載の電荷輸送材料。
［９］
一般式（Ｉ−１）で表される化合物及び一般式（Ｉ−２）で表される化合物がそれぞれ以下の一般式（ＩＩ−１）で表される化合物及び一般式（ＩＩ−２）で表される化合物であることを特徴とする上記［７］又は[８]に記載の電荷輸送材料。

一般式（ＩＩ−１）及び一般式（ＩＩ−２）中、Ｘ^３、Ｘ^４はそれぞれ独立にハロゲン原子を表す。Ｒ^６〜Ｒ^１１及びｎ６〜ｎ１１は一般式（２）と同義である。
［１０］
一般式（１）で表される化合物の分子量が４５０以上８００以下であることを特徴とする上記［１］〜［９］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
［１１］
一般式（１）で表される化合物の薄膜状態での最低励起三重項Ｔ_１エネルギーが２．６１ｅＶ以上３．５１ｅＶ以下である上記［１］〜［９］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
［１２］
一般式（１）で表される化合物のガラス転移温度Ｔｇが８０℃以上４００℃以下であることを特徴とする上記［１］〜［１０］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
［１３］
以下の一般式（２）で表される化合物の製造方法であって、
以下の一般式（Ｍ１）で表される化合物と一般式（Ｍ２）で表される化合物とをパラジウム触媒を用いてカップリング反応する工程と、
前記カップリング反応により得られた反応生成物を昇華精製する工程とを含むことを特徴とする一般式（２）で表される化合物の製造方法。

一般式（２）中、Ｒ^６〜Ｒ^１１はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、シアノ基又はシリル基を表す。ｎ６〜ｎ９はそれぞれ０〜４の整数を表し、ｎ１０〜ｎ１１はそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。

一般式（Ｍ１）及び一般式（Ｍ２）中、Ｘ^３はハロゲン原子を表す。Ｒ^６〜Ｒ^１１及びｎ６〜ｎ１１は一般式（２）と同義である。Ｒ^１２は水素原子又はアルキル基を表す。
［１４］
一般式（２）で表される化合物が上記［１３］記載の製造方法で得られたことを特徴とする上記［７］又は［８］に記載の電荷輸送材料。
［１５］
一対の電極間に、発光層を含む有機層を少なくとも一層含む有機電界発光素子であって、有機層のいずれかの層が上記［１］〜［１２］及び［１４］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料を含むことを特徴とする有機電界発光素子。
［１６］
前記有機層が電子輸送層を含み、該電子輸送層が上記［１］〜［１２］及び［１４］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料を含むことを特徴とする上記［１５］に記載の有機電界発光素子。
［１７］
前記発光層が上記［１］〜［１２］及び［１４］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料を含むことを特徴とする上記［１５］に記載の有機電界発光素子。
［１８］
前記発光層が発光材料として以下の一般式（Ｃ−３）で表される化合物を含むことを特徴とする上記［１５］〜［１７］のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。

一般式（Ｃ−３）中、Ａ^３０１〜Ａ^３１３は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^３１は単結合又は二価の連結基を表す。
［１９］
前記Ｌ^３１が、単結合、アルキレン基又はアリーレン基であり、該アルキレン基及びアリーレン基は更に置換基としてアルキル基又はアリール基を有していてもよい（前記置換基が複数ある場合には互いに結合して環を形成してもよい）ことを特徴とする上記［１８］に記載の有機電界発光素子。
［２０］
前記Ａ^３０２又はＡ^３０５はＣ−Ｒを表し、Ｒが水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又はフッ素基であることを特徴とする上記［１８］又は［１９］に記載の有機電界発光素子。
［２１］
前記Ａ^３０１、Ａ^３０３、Ａ^３０４、又はＡ^３０６がＣ−Ｒを表し、Ｒが水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又はフッ素基であることを特徴とする上記［１８］〜［２０］のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
［２２］
前記Ａ^３０７、Ａ^３０８、Ａ^３０９、又はＡ^３１０がＣ−Ｒであるとき、Ｒが水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、又はフッ素原子であることを特徴とする上記［１８］〜［２１］のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
［２３］
前記Ａ^３０７、Ａ^３０８、Ａ^３０９及びＡ^３１０と２つの炭素原子とから形成される６員環が、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、又はピリダジン環であることを特徴とする上記［１８］〜［２２］のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
［２４］
前記Ａ^３１１、Ａ^３１２、又はＡ^３１３がＣ−Ｒであるとき、Ｒが水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、又はフッ素原子であることを特徴とする上記［１８］〜［２３］のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
［２５］
前記Ａ^３１１、Ａ^３１２及びＡ^３１３の少なくとも１つがＮであることを特徴とする上記［１８］〜［２４］のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
［２６］
前記発光層が発光材料として以下の一般式（ＰＱ−１）で表される化合物を含むことを特徴とする上記［１５］〜［１７］のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。

一般式（ＰＱ−１）中、Ｒ_１〜Ｒ_１０は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。該置換基同士は互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ−Ｙは二座のモノアニオン性配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。
［２７］
前記Ｒ_１〜Ｒ_１０は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ネオペンチル基、イソブチル基、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、又はトリル基を表すことを特徴とする上記［２６］に記載の有機電界発光素子。
［２８］
前記Ｘ−Ｙが、アセチルアセトネート又はピコリネートであることを特徴とする上記［２６］又は［２７］に記載の有機電界発光素子。
［２９］
前記一般式（ＰＱ−１）で表される化合物が、以下の一般式（ＰＱ−３）で表される化合物であることを特徴とする上記［２６］〜［２８］のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。

一般式（ＰＱ−３）中、Ｒ_１〜Ｒ_５は一般式（ＰＱ−１）と同義である。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃは、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表す。ただし、Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃのうち一つは水素原子を表し、他の二つはアルキル基を表す。Ｒｘ、Ｒｙは、それぞれ独立に、アルキル基又はフェニル基を表す。
［３０］
上記［１］〜［１２］及び［１４］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料を含有する組成物。
［３１］
上記［１５］〜［２９］のいずれか１項に記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。
［３２］
上記［１５］〜［２９］のいずれか１項に記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。
［３３］
上記［１５］〜［２９］のいずれか１項に記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。

本発明によれば、発光効率が高く、かつ耐久性に優れる有機電界発光素子を提供することができる。

本発明に係る有機電界発光素子の構成の一例を示す概略図である。 本発明に係る発光装置の一例を示す概略図である。 本発明に係る照明装置の一例を示す概略図である。 実施例で作製した素子の不純物含有量（質量％）に対する駆動耐久性の変化を表すグラフの概略図である。 実施例で作製した素子の不純物含有量（質量％）に対する駆動耐久性の変化を表すグラフの概略図である。 実施例で作製した素子の不純物含有量（質量％）に対する駆動耐久性の変化を表すグラフの概略図である。 実施例で作製した素子の不純物含有量（質量％）に対する駆動耐久性の変化を表すグラフの概略図である。 実施例で作製した素子の不純物含有量（質量％）に対する駆動耐久性の変化を表すグラフの概略図である。

本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に、発光層を含む有機層を少なくとも一層含む有機電界発光素子であって、有機層のいずれかの層が本発明の電荷輸送材料を含む。そして、本発明の電荷輸送材料は、一般式（１）で表される化合物を含む電荷輸送材料であって、一般式（Ｉ−１）で表される化合物及び一般式（Ｉ−２）で表される化合物の含有量がそれぞれ一般式（１）で表される化合物に対して０．１質量％以下である。

〔電荷輸送材料〕
以下、本発明の一般式（１）で表される化合物を含む電荷輸送材料について説明する。

一般式（１）中、Ａ^１、Ａ^２はそれぞれ独立にＮ、−ＣＨ又は−ＣＲを表す。Ｒは置換基を表す。Ｌは単結合、アリーレン基、シクロアルキレン基又は芳香族へテロ環を表す。Ｌが連結するベンゼン環中の炭素原子と、Ｌ中の原子と、更に他の原子とにより環を形成してもよい。前記他の原子は、炭素原子、酸素原子又は硫黄原子であり、該炭素原子には更にアルキル基又はアリール基が置換していてもよい。Ｒ^１〜Ｒ^５はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、アダマンチル基、シアノ基、シリル基又はカルバゾリル基を表す。ｎ１〜ｎ３はそれぞれ独立に０〜４の整数を表し、ｎ４〜ｎ５はそれぞれ独立に０〜５を表す。ｐ、ｑはそれぞれ独立に１〜４の整数を表す。

一般式（１）について説明する。
一般式（１）中、Ａ^１、Ａ^２はそれぞれ独立にＮ、−ＣＨ又はＲは置換基を表す。好ましくは、Ａ^１及び／又はＡ^２が窒素原子であり、より好ましくは、Ａ^１及びＡ^２のいずれか一方が窒素原子であり、他方が−ＣＨ又は−ＣＲであり、更に好ましくは、Ａ^１が−ＣＨ又は−ＣＲであり、Ａ^２が窒素原子であり、最も好ましくは、Ａ^１が−ＣＨであり、Ａ^２が窒素原子である。
前記−ＣＲのＲが表す置換基の具体例や好ましい範囲としては下記の置換基群Ｔのものが挙げられ、最も好ましくはｔ−ブチル基、フェニル基、カルバゾリル基である。

（置換基群Ｔ）
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、カルバゾリル基、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、シリル基、カルボニル基、カルボキシル基、アルキル基、アルケニル基、アリールアルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、アラルキル基、アリールオキシ基、アルキルオキシ基。これらの置換基は、更にここで挙げた置換基を有していてもよい。
これらの置換基のうち、好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、アダマンチル基、シアノ基、シリル基又はカルバゾリル基であり、フッ素原子、メチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、アダマンチル基、シアノ基、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリフルオロメチル基、カルバゾリル基であり、より好ましくは、フッ素原子、メチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、ピリジル基、シアノ基、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリフルオロメチル基、カルバゾリル基であり、更に好ましくはフッ素原子、メチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、シアノ基、シリル基、トリフェニルシリル基、トリフルオロメチル基、カルバゾリル基であり、更に好ましくはフッ素原子、ｔ−ブチル基、フェニル基、シアノ基、トリフェニルシリル基、カルバゾリル基である。

Ｌは、単結合、アリーレン基、シクロアルキレン基又は芳香族へテロ環、及び、これらの組み合わせである。これらの基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、前記置換基群Ｔのものが挙げられる。
アリーレン基としては、炭素数６〜３０のアリーレン基が好ましく、例えば、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アントラニレン基、フェナンスリレン基、ビレニレン基、クリセニレン基、フルオランテニレン基、パーフルオロアリーレン基等が挙げられ、これらのうちフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、パーフルオロアリーレン基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基がより好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基が更に好ましい。
シクロアルキレン基としては、炭素数５〜３０のシクロアルキレン基が好ましく、例えばシクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基などが挙げられ、これらのうちシクロペンチレン基、シクロヘキシレン基が好ましく、シクロへキシレン基がより好ましい。
芳香族へテロ環としては、炭素数２〜３０の芳香族へテロ環が好ましく、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル−１−インドリル基、４−ｔ−ブチル−１−インドリル基、２−ｔ−ブチル−３−インドリル基、４−ｔ−ブチル−３−インドリル基等が挙げられ、これらのうち、ピリジニル基、キノリル基、インドリル基、カルバゾリル基が好ましく、ピリジニル基、カルバゾリル基がより好ましい。

Ｌとしては、単結合又はアリーレン基が好ましく、単結合、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基がより好ましく、単結合、フェニレン基、ビフェニレン基が更に好ましく、単結合、フェニレン基が特に好ましい。
また、一般式（１）中のＬが連結するベンゼン環（Ｒ^３が置換し得るベンゼン環）中の炭素原子とＬ中の原子、更に他の原子とにより環を形成してもよい。この環を形成する前記他の原子としては、炭素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられ、該炭素原子に更に前記置換基群Ｔの置換基が１又は２つ、好ましくは２つ置換していてもよい。この炭素原子に置換する置換基として、好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、シアノ基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基であり、更に好ましくはメチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基であり、特に好ましくはメチル基である。これらの置換基には更にここで述べたアルキル基又はアリール基を置換基として有していてもよい。なお、炭素原子に置換する置換基が１つの場合には、該炭素原子には１つの水素原子が結合している。置換基が２つの場合には、該２つの置換基は互いに同じでも異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^５はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、アダマンチル基、シアノ基、シリル基又はカルバゾリル基を表す。これらの基は更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、前記置換基群Ｔのものが挙げられる。Ｒ^１〜Ｒ^５がそれぞれ複数のとき、複数のＲ^１〜Ｒ^５はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１〜Ｒ^５で共同して環を形成してもよい。
本発明の効果の点から、Ｒ^１〜Ｒ^５としては、アルキル基、アリール基、シアノ基又はシリル基が好ましい。
Ｒ^１〜Ｒ^５の具体例としては、フッ素原子、メチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、アダマンチル基、シアノ基、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリフルオロメチル基、カルバゾリル基などが挙げられる。なかでも、フッ素原子、メチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、ピリジル基、シアノ基、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリフルオロメチル基、カルバゾリル基が好ましく、フッ素原子、メチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、シアノ基、シリル基、トリフェニルシリル基、トリフルオロメチル基、カルバゾリル基がより好ましく、フッ素原子、ｔ−ブチル基、フェニル基、シアノ基、トリフェニルシリル基、カルバゾリル基が更に好ましく、フッ素原子、ｔ−ブチル基、フェニル基、シアノ基、トリフェニルシリル基が更に好ましく、ｔ−ブチル基、フェニル基、シアノ基、トリフェニルシリル基が特に好ましい。

ｎ１〜ｎ３はそれぞれ独立に０〜４の整数を表し、ｎ４〜ｎ５はそれぞれ独立に０〜５を表す。ｎ１〜ｎ５は、それぞれ、０〜２であることが好ましく、０〜１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。特に、ｎ１〜ｎ５の全てが０であることが好ましい。

ｐ、ｑはそれぞれ独立に１〜４の整数を表す。それぞれ１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましく、１〜２であることが更に好ましい。

一般式（１）で表される化合物は、以下の一般式（２）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（２）中、Ｒ^６〜Ｒ^１１はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、シアノ基又はシリル基を表す。ｎ６〜ｎ９はそれぞれ０〜４の整数を表し、ｎ１０〜ｎ１１はそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。

一般式（２）について説明する。
一般式（２）中、Ｒ^６〜Ｒ^１１はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、シアノ基又はシリル基を表す。これらの基は更に置換基を有していてもよく、該置換基としては前記置換基群Ｔのものが挙げられる。
Ｒ^６〜Ｒ^１１の具体例としては、メチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、シアノ基、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリフルオロメチル基などが挙げられる。なかでも、ｔ−ブチル基、フェニル基、シアノ基、トリフェニルシリル基が好ましい。

ｎ６〜ｎ９はそれぞれ０〜４の整数を表し、ｎ１０〜ｎ１１はそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。ｎ６〜ｎ１１は、それぞれ、０〜２であることが好ましく、０〜１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。特に、ｎ６〜ｎ９の全てが０であることが好ましい。

一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物は、駆動耐久性の観点からは炭素原子、水素原子、窒素原子のみからなる場合が好ましい。

一般式（１）で表される化合物の分子量は４００以上１０００以下であることが好ましく、４５０以上８００以下であることがより好ましく、５００以上７００以下であることが更に好ましい。分子量が４００以上であると良質なアモルファス薄膜形成に有利であり、分子量が１０００以下であると溶解性や昇華性が向上し、化合物の純度向上に有利である。

一般式（１）で表される化合物を有機電界発光素子の発光層のホスト材料や発光層に隣接する層の電荷輸送材料として使用する場合、発光材料より薄膜状態でのエネルギーギャップ（発光材料が燐光発光材料の場合には、薄膜状態での最低励起三重項（Ｔ_１）エネルギー）が大きいと、発光がクエンチしてしまうことを防ぎ、効率向上に有利である。一方、化合物の化学的安定性の観点からは、エネルギーギャップ及びＴ_１エネルギーは大き過ぎない方が好ましい。即ち、一般式（１）で表される化合物の膜状態でのエネルギーギャップは２．７５ｅＶ（６３．５ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上３．９０ｅＶ（９０ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以下であることが好ましく、２．８２ｅＶ（６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上３．９０ｅＶ（９０ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以下であることがより好ましく、２．９１ｅＶ（６７ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上３．９０ｅＶ（９０ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以下であることが更に好ましい。一般式（１）で表される化合物の膜状態でのＴ_１エネルギーは、２．６９ｅＶ（６２ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上３．４７ｅＶ（８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以下であることが好ましく、２．７５ｅＶ（６３．５ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上３．４７ｅＶ（８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以下であることがより好ましく、２．８２ｅＶ（６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上３．２５ｅＶ（７５ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以下であることが更に好ましい。特に、発光材料として燐光発光材料を用いる場合には、Ｔ_１エネルギーが上記範囲となることが好ましい。
Ｔ_１エネルギーは、材料の薄膜の燐光発光スペクトルを測定し、その短波長端から求めることができる。例えば、洗浄した石英ガラス基板上に、材料を真空蒸着法により約５０ｎｍの膜厚に成膜し、薄膜の燐光発光スペクトルを液体窒素温度下でＦ−７０００日立分光蛍光光度計（日立ハイテクノロジーズ）を用いて測定する。得られた発光スペクトルの短波長側の立ち上がり波長をエネルギー単位に換算することによりＴ_１エネルギーを求めることができる。

有機電界発光素子を高温駆動時や素子駆動中の発熱に対して安定して動作させる観点から、一般式（１）で表される化合物のガラス転移温度（Ｔｇ）は８０℃以上４００℃以下であることが好ましく、１００℃以上４００℃以下であることがより好ましく、１２０℃以上４００℃以下であることが更に好ましい。

以下に、一般式（１）で表される化合物の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

次に、一般式（１）で表される化合物を含む電荷輸送材料中の不純物について説明する。
本発明では、一般式（１）で表される化合物を含む電荷輸送材料中の一般式（Ｉ−１）で表される化合物及び一般式（Ｉ−２）で表される化合物の含有量を一般式（１）で表される化合物に対してそれぞれ０．１質量％以下とする。

一般式（Ｉ−１）及び一般式（Ｉ−２）中、Ａ^１、Ａ^２、Ｒ^１〜Ｒ^５、ｎ１〜ｎ５、ｐ及びｑは一般式（１）と同義であり、一般式（１）におけるＡ^１、Ａ^２、Ｒ^１〜Ｒ^５、ｎ１〜ｎ５、ｐ及びｑと同一の基又は整数である。Ｘ^１、Ｘ^２はそれぞれ独立にハロゲン原子を表す。Ｌ’及びＬ”はＬと同義である。

一般式（１）で表される化合物は、ＷＯ０５／０８５３８７やＷＯ０３／０８０７６０に記載されるように、アリールハライドとアリールボロン酸（若しくはボロン酸エステル）又はカルバゾールをカップリングして合成することができる。この際、合成中間体であるアリールハライド（例えば、カルバゾール部位を有するアリールハライド又はピリミジン部位を有するアリールハライド）が不純物として生成し得る。本発明者らの検討によれば、このアリールハライドが一般式（１）で表される化合物を含む電荷輸送材料中に０．１質量％を超えて存在すると、電荷トラップになる、反応性が高い等の理由により有機電界発光素子の発光効率や耐久性などの素子特性に影響し、特に耐久性が悪化し、発光効率と耐久性を高レベルで両立させることが困難であることが判明した。更に、このアリールハライドが一般式（Ｉ−１）化合物及び／又は一般式（Ｉ−２）で表される化合物である場合に、素子特性の影響が極めて大きいため、これら化合物の含有量をそれぞれ一般式（１）で表される化合物に対して０．１質量％以下とする必要がある。好ましくはこれら化合物の含有量をそれぞれ０．０５質量％以下とすることであり、より好ましくは０．０３質量％以下とすることである。

一般式（Ｉ−１）及び一般式（Ｉ−２）について説明する。
式中、Ｒ^１〜Ｒ^５、ｎ１〜ｎ５は一般式（１）におけるものと同義であり、一般式（１）におけるＡ^１、Ａ^２、Ｒ^１〜Ｒ^５、ｎ１〜ｎ５、ｐ及びｑと同一の基又は整数である。
Ｘ^１、Ｘ^２はそれぞれ独立にハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）を表す。ハロゲン原子が塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子である場合が素子特性の影響がより大きく、臭素原子、ヨウ素原子である場合が更に影響が大きいため、一般式（Ｉ−１）及び一般式（Ｉ−２）で表される化合物の含有量を一般式（１）で表される化合物に対して０．１質量％以下とすることの効果がより大きい。
Ｌ’及びＬ”は、一般式（１）におけるＬと同義である。一般式（Ｉ−１）化合物及び／又は一般式（Ｉ−２）で表される化合物は一般式（１）で表される化合物合成時の出発原料や中間合成体であり、この場合、Ｌ’及びＬ”は単結合又は一般式（１）におけるLの部分構造を有する２価の基を表す。例えば、Lがビフェニレンを表す場合、Ｌ’及びＬ”は、単結合、フェニレン、ビフェニレンのいずれかになる。

一般式（Ｉ−１）で表される化合物及び一般式（Ｉ−２）で表される化合物がそれぞれ以下の一般式（ＩＩ−１）で表される化合物及び一般式（ＩＩ−２）で表される化合物の場合に、これら化合物の含有量をそれぞれ一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物に対して０．１質量％以下とすることは、素子の耐久性向上の観点からより好ましい。より好ましくはこれら化合物の含有量を一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物に対してそれぞれ０．０５質量％以下とすることであり、更に好ましくは０．０３質量％以下とすることである。
一般式（ＩＩ−１）で表される化合物及び一般式（ＩＩ−２）で表される化合物は、一般式（１）で表される化合物が一般式（２）で表される場合に不純物として素子特性に大きく影響するアリールハライドである。

一般式（ＩＩ−１）及び一般式（ＩＩ−２）中、Ｘ^３、Ｘ^４はそれぞれ独立にハロゲン原子を表す。Ｒ^６〜Ｒ^１１及びｎ６〜ｎ１１は一般式（２）と同義である。

一般式（ＩＩ−１）及び一般式（ＩＩ−２）について説明する。
Ｒ^６〜Ｒ^１１、ｎ６〜ｎ１１は一般式（２）におけるものと同義である。一般式（ＩＩ−１）及び一般式（ＩＩ−２）で表される化合物の含有量を一般式（１）又は（２）で表される化合物に対して０．１質量％以下とすることの効果がより大きいのは、Ｒ^６〜Ｒ^１１がアルキル基、アリール基、シアノ基、シリル基である場合及び／又はｎ６〜ｎ１１が０〜３である場合であり、更に効果が大きいのは、Ｒ^６〜Ｒ^１１がアルキル基、アリール基である場合及び／又はｎ６〜ｎ１１が０〜１である場合である。
Ｘ^３、Ｘ^４はそれぞれ独立にハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）を表す。ハロゲン原子が塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子である場合が素子特性の影響がより大きく、臭素原子、ヨウ素原子である場合が更に影響が大きい。しかしながら、その場合であっても、本発明では一般式（ＩＩ−１）及び一般式（ＩＩ−２）で表される化合物の含有量を一般式（１）又は（２）で表される化合物に対して０．１質量％以下とすることで、素子性能の影響を抑え、耐久性の改善を図ることができる。

本発明の電荷輸送材料中の一般式（Ｉ−１）、（Ｉ−２）、（ＩＩ−１）、（ＩＩ−２）で表される化合物などのアリールハライドやその他の不純物の含有率や、本発明の電荷輸送材料の純度は、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により求めることができる。本発明においては、２５４ｎｍにおける吸収強度の面積比を不純物含有率や純度の指標に用いる。アリールハライドのピーク位置は、本発明の電荷輸送材料である一般式（１）又は一般式（２）の化合物の合成中間体であるアリールハライドと比較することで確認できる。また、その他の不純物ピークの構造は、液体クロマトグラフィー／質量分析法（ＬＣ／ＭＳ）により推定できる。

本発明の電荷輸送材料中に不純物として含まれ得るアリールハライドとしては、（Ｉ−１）、（Ｉ−２）、（ＩＩ−１）、（ＩＩ−２）で表される化合物以外には、（Ｉ−１）、（Ｉ−２）、（ＩＩ−１）、（ＩＩ−２）を合成する出発原料、中間体で使用されるアリールハライド等が挙げられる。具体的には、ヨードブロモベンゼン、ｐ−ブロモベンゾアルデヒドなどが挙げられる。
（Ｉ−１）、（Ｉ−２）、（ＩＩ−１）、（ＩＩ−２）で表される化合物以外のアリールハライドが本発明の電荷輸送材料中に不純物として含まれる場合、全てのアリールハライドの含有率は、一般式（１）又は（２）で表される化合物に対して０．２質量％以下であることが好ましく、０．１質量％以下であることがより好ましく、０．０５質量％以下であることが更に好ましい。含有率が０．２質量％を越えると、電荷トラップになる、反応性が高い等の理由により効率や駆動耐久性などの素子特性に悪影響を与えることがある。
これらのアリールハライド以外の不純物は、含まれていても素子特性に与える影響は小さい。他の不純物としては、（Ｉ−１）、（Ｉ−２）、（ＩＩ−１）、（ＩＩ−２）で表される化合物のハロゲン原子が水素原子で置き換わった化合物などが挙げられる。本発明の電荷輸送材料中のアリールハライド以外の不純物の含有率は、０．５質量％以下であることが好ましく、０．３質量％以下であることがより好ましく、０．２質量％以下であることが更に好ましい。
好ましくは、本発明の電荷輸送材料中に含まれる不純物全体（アリールアライド及びそれ以外の不純物）の総量は、一般式（１）又は（２）で表される化合物に対して、１．０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましく、０．１質量％以下であることが更に好ましい。

本発明の電荷輸送材料中の不純物は、理想的には０質量％であることが好ましい。一方、不純物が０質量％であることを測定することも現実的には不可能である。また、製造工程や精製工程数の増加や使用するエネルギー増加により影響する環境負荷の観点からは、不純物の種類によっては、本発明の電荷輸送材料中に極少量存在させた方が好ましい。このような不純物としては、ハロゲン原子を含まない化合物が挙げられる。その含有量としては、一般式（１）又は（２）で表される化合物に対して、それぞれ０．０１質量％以上０．２質量％以下であることが好ましく、０．０１質量％以上０．１質量％以下であることがより好ましく、０．０１質量％以上０．０５質量％以下であることが更に好ましい。
本発明の（Ｉ−１）、（Ｉ−２）、（ＩＩ−１）、（ＩＩ−２）で表される化合物も、製造工程や精製工程数の増加や使用するエネルギー増加により影響する環境負荷の観点からは、本発明の電荷輸送材料中に極少量存在させた方が好ましい。したがって、耐久性向上と環境負荷抑制との双方の観点から、本発明の（Ｉ−１）、（Ｉ−２）、（ＩＩ−１）、（ＩＩ−２）で表される化合物のそれぞれの含有量は、一般式（１）又は（２）で表される化合物に対して、０．００１質量％以上０．１質量％以下であることが好ましく、０．００１質量％以上０．０５質量％以下であることがより好ましく、０．００１質量％以上０．０３質量％以下であることが更に好ましい。

また、本発明の電荷輸送材料の純度は、９９．０質量％以上であることが好ましく、９９．５質量％以上であることがより好ましく、９９．９質量％以上であることが更に好ましい。

本発明の一般式（１）で表される化合物は、ＷＯ０５／０８５３８７やＷＯ０３／０８０７６０に記載される方法などの種々の方法で合成することができる。
合成後、カラムクロマトグラフィー、再結晶等による精製を行った後、昇華精製により精製することが好ましい。昇華精製により、有機不純物を分離できるだけでなく、無機塩や残留溶媒等を効果的に取り除くことができる。

〔一般式（２）で表される化合物の製造方法〕
本発明の一般式（２）で表される化合物は、ＷＯ０５／０８５３８７やＷＯ０３／０８０７６０に記載されるように、ピリミジン部位を有するアリールハライドと、カルバゾール部位を有するアリールボロン酸をカップリングさせて合成し、製造することができる。
例えば、後述する実施例で用いる例示化合物１は、ｍ−ブロモベンゾアルデヒドを出発原料に用い、国際公開第０５／０８５３８７号パンフレット[００７４]−[００７５]（４５頁、１１行〜４６頁、１８行）に記載の方法で合成することができる。また、例示化合物２は、ｍ−ブロモベンゾアルデヒドを出発原料に用い、国際公開第０５／０８５３８７号パンフレット[００７８]−[００７９]（４7頁、１１行〜４６頁、23行）に記載の方法で合成することができる。
本発明の製造方法では、カルバゾール部位を有するアリールハライドとピリミジン部位を有するアリールボロン酸（又はボロン酸エステル）をカップリングさせる。即ち、以下の一般式（Ｍ１）で表される化合物と一般式（Ｍ２）で表される化合物とをパラジウム触媒を用いてカップリング反応させる。

一般式（Ｍ１）及び一般式（Ｍ２）中、Ｘ^３はハロゲン原子を表す。Ｒ^６〜Ｒ^１１及びｎ６〜ｎ１１は一般式（２）と同一のものである。Ｒ^１２は水素原子又はアルキル基を表す。

一般式（Ｍ１）及び一般式（Ｍ２）について説明する。
Ｒ^６〜Ｒ^１１、ｎ６〜ｎ１１は一般式（２）におけるものと同一のものである。
Ｒ^１２は水素原子又はアルキル基を表し、２つのＲ^１２が共同して環を形成してもよい。Ｒ^１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、二つのＲ^１２が互いに連結してピナコール環を形成する基が挙げられる。Ｒ^１２としては、好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、二つのＲ^１２が互いに連結してピナコール環を形成する基であり、より好ましくは水素原子、メチル基、二つのＲ^１２が互いに連結してピナコール環を形成する基である。
Ｘ^３は、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）を表す。好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であり、より好ましくは臭素原子である。

上記カップリング反応の反応条件はＣｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９９５，９５，２４５７−２４８３．等に記載の条件を用いることができる。反応の好ましい条件を以下に説明する。
パラジウム触媒としては、２価のパラジウム塩若しくは、０価のパラジウム塩が用いられる。２価のパラジウムとしては、酢酸パラジウム、ジクロロビストルフェニルホスフィンパラジウム等、０価のパラジウムとしては、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム等が挙げられる。好ましくは、酢酸パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムである。
反応時の溶媒としては、特に限定されないが、水；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；ジクロロエタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類；テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、ジエチルエーテル等のエーテル類；メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類が挙げられる。このうち好ましくは、水、芳香族炭化水素類、エーテル類である。これらの溶媒は、２種類以上混合して使用しても構わない。 反応温度は、反応の温度は特に限定されず、通常は、０℃〜溶媒の沸点の間で行われるが、生成物の分解等が起こらない場合は、反応速度向上の為に、溶媒の沸点付近の温度で反応させることが好ましい。

上記反応は、必要に応じて更に配位子を加えて反応を行っても良い。配位子としては、ホスフィン配位子、カルベン配位子等が挙げられる。その中でもホスフィン配位子が好ましい。

上記配位子の使用量は、通常、使用するパラジウム触媒に対して、０．５〜２０モル倍量用いられ、好ましくは１〜１０モル倍量であり、更に好ましくは１〜５モル倍量である。

上記反応に使用する塩基としては特に限定されないが、具体的には、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等のアルカリ土類金属水酸化物、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属重炭酸塩、炭酸水素カルシウム、炭酸水素バリウム等のアルカリ土類金属重炭酸塩、炭酸ナトリウム、炭酸カルシウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸カルシウム、炭酸バリウム等のアルカリ土類金属炭酸塩、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム等のリン酸塩などが挙げられる。そのなかでも、アルカリ金属重炭酸塩、アルカリ金属炭酸塩、リン酸塩が好ましい。

塩基の使用量としては、通常、化合物（Ｍ１）に対して、０．１〜５０モル倍量用いられ、好ましくは、１〜２０モル倍量であり、更に好ましくは２〜１０モル倍量である。

一般式（Ｍ１）及び一般式（Ｍ２）で表される化合物と、上記パラジウム触媒、溶媒等を混合し、上記反応温度で反応させ、一般式（２）で表される化合物を合成する。

本発明では、上記カップリング反応後、反応生成物を昇華精製する。好ましくは、カラムクロマトグラフィーや再結晶の後に昇華精製を行うことで、素子特性に悪影響を与える一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）で表される化合物の含有量がそれぞれ一般式（１）の化合物に対して０．１質量%以下の電荷輸送材料が得られる。
本発明の製造方法においては一般式（ＭＩ）の化合物がハロゲン原子を含むが、本発明者らの検討によれば、このカルバゾール部位のアリールハライドに起因する不純物を昇華精製で除去し易いため、不純物含有量の調整に有利である。
昇華精製では、精製対象のサンプルを固着した位置を基準に系内に温度勾配を持たせ、固着位置から離れた領域（フラクション）に純度の高い生成物を得ることができる。その際、系内にはＡｒ、窒素等のガスを導入することが好ましい。系内の圧力は、１〜１０^−５Ｐａであることが好ましく、１〜１０^−３Ｐａであることがより好ましい。

〔本発明の電荷輸送材料の用途〕
本発明の電荷輸送材料は、電子写真、有機トランジスタ、有機光電変換素子（エネルギー変換用途、センサー用途等）、有機電界発光素子等の有機エレクトロニクス素子に好ましく用いることができ、有機電界発光素子に用いるのが特に好ましい。

有機電界発光素子において、本発明の電荷輸送材料は有機層のいずれの層に含有されてもよい。好ましくはホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層のいずれかに用いる場合であり、より好ましくは発光層、電子輸送層、電子注入層に用いる場合であり、更に好ましくは発光層、電子輸送層に用いる場合である。

一般式（１）で表される化合物を発光層中含有させる場合、本発明の一般式（１）で表される化合物は発光層の全質量に対して１０〜９９質量％含ませることが好ましく、４０〜９５質量％含ませることがより好ましく、７０〜９０質量％含ませることが更に好ましい。
また、一般式（１）で表される化合物を発光層以外の層に含有させる場合は、６０〜１００質量％含ませることが好ましく、７０〜１００質量％含ませることがより好ましく、８５〜１００質量％含まれせることがより好ましい。

〔本発明の電荷輸送材料を含有する組成物〕
本発明は前記電荷輸送材料を含む組成物にも関する。本発明の組成物における一般式（１）で表される化合物の含有量は３０〜９９質量％であることが好ましく、５０〜９５質量％であることがより好ましく、７０〜９０質量％であることが更に好ましい。本発明の組成物における他に含有しても良い成分としては、有機物でも無機物でもよく、有機物としては、後述するホスト材料、蛍光発光材料、燐光発光材料、炭化水素材料として挙げた材料が適用でき、好ましくはホスト材料、炭化水素材料である。
本発明の組成物は蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等により有機電界発光素子の有機層を形成することができる。

〔有機電界発光素子〕
本発明の有機電界発光素子について詳細に説明する。
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に発光層を含む有機層を有する。発光素子の性質上、一対の電極である陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明若しくは半透明であることが好ましい。
有機層としては、発光層以外に、正孔注入層、正孔輸送層、ブロック層（正孔ブロック層、励起子ブロック層など）、電子輸送層などが挙げられる。これらの有機層は、それぞれ複数層設けてもよく、複数層設ける場合には同一の材料で形成してもよいし、層毎に異なる材料で形成してもよい。
図１に、本発明に係る有機電界発光素子の構成の一例を示す。図１の有機電界発光素子１０は、基板２上に、一対の電極（陽極３と陰極９）の間に発光層６を含む有機層を有する。有機層としては、陽極側３から正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、正孔ブロック層７及び電子輸送層８がこの順に積層されている。
有機電界発光素子の素子構成、基板、陰極及び陽極については、例えば、特開２００８−２７０７３６号公報に詳述されており、該公報に記載の事項を本発明に適用することができる。

（発光層）
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。

＜発光材料＞
本発明では、発光材料として、蛍光発光材料や燐光発光材料を用いることができ、両者を併用してもよい。
これら蛍光発光材料や燐光発光材料については、例えば、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号［０１００］〜［０１６４］、特開２００７−２６６４５８号公報の段落番号［００８８］〜［００９０］に詳述されており、これら公報の記載の事項を本発明に適用することができる。

発光効率等の観点からは、燐光発光材料が好ましい。燐光発光材料の好ましい材料としては、下記の一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体が挙げられる。

一般式（Ｃ−１）中、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４はそれぞれ独立にＰｔに配位する配位子を表す。Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３はそれぞれ独立に単結合又は二価の連結基を表す。

一般式（Ｃ−１）について説明する。
まず、置換基群Ａ及びＢを以下のように定義する。

（置換基群Ａ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（芳香族ヘテロ環基も包含し、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレノフェニル、テルロフェニル、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、ホスホリル基（例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基などが挙げられる。）が挙げられる。
これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としては、以上に説明した置換基群Ａから選択される基を挙げることができる。

（置換基群Ｂ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、シアノ基、ヘテロ環基（芳香族ヘテロ環基も包含し、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレノフェニル、テルロフェニル、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基などが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としては、以上に説明した置換基群Ａ及びＢから選択される基を挙げることができる。

本発明において、上記アルキル基等の置換基の「炭素数」とは、アルキル基等の置換基が他の置換基によって置換されてもよい場合も含み、当該他の置換基の炭素数も包含する意味で用いる。

一般式（Ｃ−１）中、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４はそれぞれ独立にＰｔに配位する配位子を表す。この時、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４とＰｔの結合は、共有結合、イオン結合、配位結合などいずれであっても良い。Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４中のＰｔに結合する原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子が好ましく、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４中のＰｔに結合する原子の内、少なくとも一つが炭素原子であることが好ましく、二つが炭素原子であることがより好ましく、二つが炭素原子で、二つが窒素原子であることが特に好ましい。
炭素原子でＰｔに結合するＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４としては、アニオン性の配位子でも中性の配位子でもよく、アニオン性の配位子としてはビニル配位子、芳香族炭化水素環配位子（例えばベンゼン配位子、ナフタレン配位子、アントラセン配位子、フェナントレン配位子など）、ヘテロ環配位子（例えばフラン配位子、チオフェン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子及び、それらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾチアゾール配位子など））が挙げられる。中性の配位子としてはカルベン配位子が挙げられる。
窒素原子でＰｔに結合するＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としては含窒素芳香族ヘテロ環配位子（ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサゾール配位子、チアゾール配位子及びそれらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾイミダゾール配位子など））、アミン配位子、ニトリル配位子、イミン配位子が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アミノ配位子、イミノ配位子、含窒素芳香族ヘテロ環配位子（ピロール配位子、イミダゾール配位子、トリアゾール配位子及びそれらを含む縮環体（例えばインドール配位子、ベンゾイミダゾール配位子など））が挙げられる。
酸素原子でＰｔに結合するＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはエーテル配位子、ケトン配位子、エステル配位子、アミド配位子、含酸素ヘテロ環配位子（フラン配位子、オキサゾール配位子及びそれらを含む縮環体（ベンゾオキサゾール配位子など））が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アルコキシ配位子、アリールオキシ配位子、芳香族へテロ環オキシ配位子、アシルオキシ配位子、シリルオキシ配位子などが挙げられる。
硫黄原子でＰｔに結合するＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはチオエーテル配位子、チオケトン配位子、チオエステル配位子、チオアミド配位子、含硫黄ヘテロ環配位子（チオフェン配位子、チアゾール配位子及びそれらを含む縮環体（ベンゾチアゾール配位子など））が挙げられる。アニオン性の配位子としては、アルキルメルカプト配位子、アリールメルカプト配位子、芳香族へテロ環メルカプト配位子などが挙げられる。
リン原子でＰｔに結合するＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４としては、中性の配位子でもアニオン性の配位子でもよく、中性の配位子としてはホスフィン配位子、リン酸エステル配位子、亜リン酸エステル配位子、含リンヘテロ環配位子（ホスフィニン配位子など）が挙げられ、アニオン性の配位子としては、ホスフィノ配位子、ホスフィニル配位子、ホスホリル配位子などが挙げられる。
Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４で表される基は、置換基を有していてもよく、置換基としては前記置換基群Ａとして挙げたものが適宜適用できる。また置換基同士が連結していても良い（Ｑ^３とＱ^４が連結した場合、環状四座配位子のＰｔ錯体になる）。

Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４で表される基として好ましくは、炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、芳香族へテロ環オキシ配位子、シリルオキシ配位子であり、より好ましくは、炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子、アリールオキシ配位子であり、更に好ましくは炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子である。

Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３は、単結合又は二価の連結基を表す。Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３で表される二価の連結基としては、アルキレン基（メチレン、エチレン、プロピレンなど）、アリーレン基（フェニレン、ナフタレンジイル）、ヘテロアリーレン基（ピリジンジイル、チオフェンジイルなど）、イミノ基（−ＮＲ−）（フェニルイミノ基など）、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、ホスフィニデン基（−ＰＲ−）（フェニルホスフィニデン基など）、シリレン基（−ＳｉＲＲ’−）（ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基など）、又はこれらを組み合わせたものが挙げられる（Ｒ、Ｒ’はそれぞれ置換基を表す）。
これらの二価の連結基は、更に置換基を有していてもよい。そのような置換基としては、アルキル基又はアリール基が挙げられ、該置換基が複数ある場合には互いに結合して環を形成してもよい。アルキル基の場合、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、トリフルオロメチル基、又は、互いに結合してシクロヘキシル基若しくはシクロペンチル基を形成する基である。アリール基の場合、好ましくはフェニル基又は互いに結合してフルオレン基を形成する基である。最も好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−ブチル基である。
錯体の安定性及び発光量子収率の観点から、Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３として好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、より好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、イミノ基であり、更に好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基であり、更に好ましくは、単結合、メチレン基、フェニレン基であり、更に好ましくは単結合、ジ置換のメチレン基であり、更に好ましくは単結合、ジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジイソブチルメチレン基、ジベンジルメチレン基、エチルメチルメチレン基、メチルプロピルメチレン基、イソブチルメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、メチルフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、シクロペンタンジイル基、フルオレンジイル基、フルオロメチルメチレン基であり、特に好ましくは単結合、ジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基である。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体のうち、より好ましくは下記一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体である。

（式中、Ｌ^２１は単結合又は二価の連結基を表す。Ａ^２１、Ａ^２２はそれぞれ独立にＣ又はＮを表す。Ｚ^２１、Ｚ^２２はそれぞれ独立に含窒素芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^２３、Ｚ^２４はそれぞれ独立にベンゼン環又は芳香族ヘテロ環を表す。）

一般式（Ｃ−２）について説明する。Ｌ^２１は、前記一般式（Ｃ−１）中のＬ^１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

Ａ^２１、Ａ^２２はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ^２１、Ａ^２２の内、少なくとも一方は炭素原子であることが好ましく、Ａ^２１、Ａ^２２が共に炭素原子であることが、錯体の安定性の観点及び錯体の発光量子収率の観点から好ましい。

Ｚ^２１、Ｚ^２２は、それぞれ独立に含窒素芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^２１、Ｚ^２２で表される含窒素芳香族ヘテロ環としては、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環などが挙げられる。錯体の安定性、発光波長制御及び発光量子収率の観点から、Ｚ^２１、Ｚ^２２で表される環として好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、イミダゾール環、ピラゾール環であり、より好ましくはピリジン環、イミダゾール環、ピラゾール環であり、更に好ましくはピリジン環、ピラゾール環であり、特に好ましくはピリジン環である。

前記Ｚ^２１、Ｚ^２２で表される含窒素芳香族ヘテロ環は置換基を有していてもよく、炭素原子上の置換基としては前記置換基群Ａが、窒素原子上の置換基としては前記置換基群Ｂが適用できる。炭素原子上の置換基として好ましくはアルキル基、パーフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子である。置換基は発光波長や電位の制御のために適宜選択されるが、短波長化させる場合には電子供与性基、フッ素原子、芳香環基が好ましく、例えばアルキル基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、フッ素原子、アリール基、芳香族ヘテロ環基などが選択される。また長波長化させる場合には電子求引性基が好ましく、例えばシアノ基、パーフルオロアルキル基などが選択される。Ｎ上の置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基であり、錯体の安定性の観点からアルキル基、アリール基が好ましい。前記置換基同士は連結して縮合環を形成していてもよく、形成される環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、チオフェン環、フラン環などが挙げられる。

Ｚ^２３、Ｚ^２４は、それぞれ独立にベンゼン環又は芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^２３、Ｚ^２４で表される含窒素芳香族ヘテロ環としては、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チオフェン環、フラン環などが挙げられる。錯体の安定性、発光波長制御及び発光量子収率の観点からＺ^２３、Ｚ^２４で表される環として好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、チオフェン環であり、より好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラゾール環であり、更に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。

前記Ｚ^２３、Ｚ^２４で表されるベンゼン環、含窒素芳香族ヘテロ環は置換基を有していてもよく、炭素原子上の置換基としては前記置換基群Ａが、窒素原子上の置換基としては前記置換基群Ｂが適用できる。炭素上の置換基として好ましくはアルキル基、パーフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子である。置換基は発光波長や電位の制御のために適宜選択されるが、長波長化させる場合には電子供与性基、芳香環基が好ましく、例えばアルキル基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アリール基、芳香族ヘテロ環基などが選択される。また短波長化させる場合には電子求引性基が好ましく、例えばフッ素基、シアノ基、パーフルオロアルキル基などが選択される。Ｎ上の置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基であり、錯体の安定性の観点からアルキル基、アリール基が好ましい。前記置換基同士は連結して縮合環を形成していてもよく、形成される環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、チオフェン環、フラン環などが挙げられる。

一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−３）で表される白金錯体である。

（式中、Ａ^３０１〜Ａ^３１３は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^３１は単結合又は二価の連結基を表す。）

一般式（Ｃ−３）について説明する。Ｌ^３１は一般式（Ｃ−２）におけるＬ^２１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ａ^３０１〜Ａ^３０６はそれぞれ独立にＣ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。
Ａ^３０１〜Ａ^３０６として好ましくはＣ−Ｒであり、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。Ａ^３０１〜Ａ^３０６がＣ−Ｒである場合に、Ａ^３０２、Ａ^３０５のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基であり、特に好ましくは水素原子、フッ素基である。Ａ^３０１、Ａ^３０３、Ａ^３０４、Ａ^３０６のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基であり、特に好ましく水素原子である。Ａ^３０７、Ａ^３０８、Ａ^３０９及びＡ^３１０は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ａ^３０７、Ａ^３０８、Ａ^３０９及びＡ^３１０がＣ−Ｒである場合に、Ｒとして好ましくは水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して縮環構造を形成してもよい。発光波長を短波長側にシフトさせる場合、Ａ^３０８がＮ原子であることが好ましい。

上記の如くＡ^３０７〜Ａ^３１０を選択した場合、２つの炭素原子とＡ^３０７、Ａ^３０８、Ａ^３０９及びＡ^３１０から形成される６員環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環が挙げられ、より好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環であり、特に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。前記６員環が、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環（特に好ましくはピリジン環）であることにより、ベンゼン環と比較して、金属−炭素結合を形成する位置に存在する水素原子の酸性度が向上する為、より金属錯体を形成しやすくなる点有利である。

Ａ^３１１、Ａ^３１２及びＡ^３１３は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ａ^３１１、Ａ^３１２及びＡ^３１３がＣ−Ｒである場合に、Ｒとして好ましくは水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよい。Ａ^３１１、Ａ^３１２及びＡ^３１３のうち少なくとも一つはＮであることが好ましく、特にＡ^３１１がＮであることが好ましい。

一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−４）で表される白金錯体である。
一般式（Ｃ−４）

（一般式（Ｃ−４）中、Ａ^４０１〜Ａ^４１４はそれぞれ独立にＣ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^４１は単結合又は二価の連結基を表す。）

一般式（Ｃ−４）について説明する。
Ａ^４０１〜Ａ^４１４はそれぞれ独立にＣ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ａ^４０１〜Ａ^４０６及びＬ^４１は、前記一般式（Ｃ−３）におけるＡ^３０１〜Ａ^３０６及びＬ^３１と同義であり、好ましい範囲も同様である。

Ａ^４０７〜Ａ^４１４としては、Ａ^４０７〜Ａ^４１０とＡ^４１１〜Ａ^４１４のそれぞれにおいて、Ｎ（窒素原子）の数は、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましい。発光波長を短波長側にシフトさせる場合、Ａ^４０８、Ａ^４１２がＮ原子であることが好ましく、Ａ^４０８とＡ^４１２が共にＮ原子であることが更に好ましい。
Ａ^４０７〜Ａ^４１４がＣ−Ｒを表す場合に、Ａ^４０８、Ａ^４１２のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、パーフルオロアルキル基、アルキル基、アリール基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましくは、水素原子、フェニル基、パーフルオロアルキル基、シアノ基である。Ａ^４０７、Ａ^４０９、Ａ^４１１、Ａ^４１３のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、パーフルオロアルキル基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましく水素原子、フェニル基、フッ素基である。Ａ^４１０、Ａ^４１４のＲとして好ましくは水素原子、フッ素基であり、より好ましくは水素原子である。Ａ^４０７〜Ａ^４０９、Ａ^４１１〜Ａ^４１３のいずれかがＣ−Ｒを表す場合に、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。

一般式（Ｃ−２）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−５）で表される白金錯体である。

（一般式（Ｃ−５）中、Ａ^５０１〜Ａ^５１２は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^５１は単結合又は二価の連結基を表す。）

一般式（Ｃ−５）について説明する。Ａ^５０１〜Ａ^５０６及びＬ^５１は、前記一般式（Ｃ−３）におけるＡ^３０１〜Ａ^３０６及びＬ^３１と同義であり、好ましい範囲も同様である。

Ａ^５０７、Ａ^５０８及びＡ^５０９とＡ^５１０、Ａ^５１１及びＡ^５１２は、それぞれ独立に、一般式（Ｃ−３）におけるＡ^３１１、Ａ^３１２及びＡ^３１３と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体のうち、より好ましい別の態様は下記一般式（Ｃ−６）で表される白金錯体である。

（式中、Ｌ^６１は単結合又は二価の連結基を表す。Ａ^６１はそれぞれ独立にＣ又はＮを表す。Ｚ^６１、Ｚ^６２はそれぞれ独立に含窒素芳香族ヘテロ環を表す。Ｚ^６３はそれぞれ独立にベンゼン環又は芳香族ヘテロ環を表す。ＹはＰｔに結合するアニオン性の非環状配位子である。）

一般式（Ｃ−６）について説明する。Ｌ^６１は、前記一般式（Ｃ−１）中のＬ^１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

Ａ^６１はＣ又はＮを表す。錯体の安定性の観点及び錯体の発光量子収率の観点からＡ^６１はＣであることが好ましい。

Ｚ^６１、Ｚ^６２は、それぞれ前記一般式（Ｃ−２）におけるＺ^２１、Ｚ^２２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｚ^６３は、前記一般式（Ｃ−２）におけるＺ^２３と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

ＹはＰｔに結合するアニオン性の非環状配位子である。非環状配位子とはＰｔに結合する原子が配位子の状態で環を形成していないものである。Ｙ中のＰｔに結合する原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子が好ましく、窒素原子、酸素原子がより好ましく、酸素原子が最も好ましい。炭素原子でＰｔに結合するＹとしてはビニル配位子が挙げられる。窒素原子でＰｔに結合するＹとしてはアミノ配位子、イミノ配位子が挙げられる。酸素原子でＰｔに結合するＹとしては、アルコキシ配位子、アリールオキシ配位子、芳香族へテロ環オキシ配位子、アシルオキシ配位子、シリルオキシ配位子、カルボキシル配位子、リン酸配位子、スルホン酸配位子などが挙げられる。硫黄原子でＰｔに結合するＹとしては、アルキルメルカプト配位子、アリールメルカプト配位子、芳香族へテロ環メルカプト配位子、チオカルボン酸配位子などが挙げられる。
Ｙで表される配位子は、置換基を有していてもよく、置換基としては前記置換基群Ａとして挙げたものが適宜適用できる。また置換基同士が連結していても良い。

Ｙで表される配位子として好ましくは酸素原子でＰｔに結合する配位子であり、より好ましくはアシルオキシ配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、芳香族へテロ環オキシ配位子、シリルオキシ配位子であり、更に好ましくはアシルオキシ配位子である。

一般式（Ｃ−６）で表される白金錯体のうち、より好ましい態様の一つは下記一般式（Ｃ−７）で表される白金錯体である。

（式中、Ａ^７０１〜Ａ^７１０は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^７１は単結合又は二価の連結基を表す。ＹはＰｔに結合するアニオン性の非環状配位子である。）

一般式（Ｃ−７）について説明する。Ｌ^７１は、前記一般式（Ｃ−６）中のＬ^６１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ａ^７０１〜Ａ^７１０は一般式（Ｃ−３）におけるＡ^３０１〜Ａ^３１０と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｙは一般式（Ｃ−６）におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同様である。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体として具体的には、特開２００５−３１０７３３の［０１４３］〜［０１５２］、［０１５７］〜［０１５８］、［０１６２］〜［０１６８］に記載の化合物、特開２００６−２５６９９９の［００６５］〜［００８３］に記載の化合物、特開２００６−９３５４２の［００６５］〜［００９０］に記載の化合物、特開２００７−７３８９１の［００６３］〜［００７１］に記載の化合物、特開２００７−３２４３０９の［００７９］〜［００８３］に記載の化合物、特開２００７−９６２５５の［００５５］〜［００７１］に記載の化合物、特開２００６−３１３７９６の［００４３］〜［００４６］が挙げられ、その他以下に例示する白金錯体が挙げられる。以下の例示において、Ｍｅはメチル基を表す。

一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体化合物は、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ５３， ７８６， （１９８８） 、Ｇ． Ｒ． Ｎｅｗｋｏｍｅ ｅｔ ａｌ．）の、７８９頁、左段５３行〜右段７行に記載の方法、７９０頁、左段１８行〜３８行に記載の方法、７９０頁、右段１９行〜３０行に記載の方法及びその組み合わせ、Ｃｈｅｍｉｓｃｈｅ Ｂｅｒｉｃｈｔｅ １１３， ２７４９ （１９８０）、Ｈ． Ｌｅｘｙ ほか）の、２７５２頁、２６行〜３５行に記載の方法等、種々の手法で合成できる。
例えば、配位子、又はその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、若しくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキシド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、若しくは、塩基非存在下、室温以下、若しくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。

本発明において、一般式（Ｃ−１）で表される化合物を発光層に含有させる場合、その含有量は発光層中１〜３０質量％であることが好ましく、３〜２５質量％であることがより好ましく、５〜２０質量％であることが更に好ましい。
本発明において、前記白金錯体化合物の他、発光材料としてイリジウム（Ｉｒ）錯体を併用することができる。前記併用するイリジウム（Ｉｒ）錯体として、下記一般式（ＰＱ−１）で表される化合物であることが好ましい。
一般式（ＰＱ−１）で表される化合物について説明する。

（一般式ＰＱ−１中、Ｒ_１〜Ｒ_１０は水素原子又は置換基を表す。置換基同士は可能であれば互いに結合して環を形成しても良い。Ｘ−Ｙは二座のモノアニオン性配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。）

Ｒ_１〜Ｒ_１０で表される置換基としては前記置換基群Ａを挙げることができる。Ｒ_１〜Ｒ_１０として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、フルオロ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、シアノ基、シリル基、フルオロ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基であり、更に好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ネオペンチル基、イソブチル基、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、トリル基であり、更に好ましくは水素原子、メチル基、フェニル基である。置換基同士は可能であれば互いに結合して環を形成しても良い。

ｎは２〜３であることが好ましく、２であることがより好ましい。

（Ｘ−Ｙ）は、二座のモノアニオン性配位子を示す。これらの配位子は、発光特性に直接寄与するのではなく、分子の発光特性を制御することができると考えられている。「３−ｎ」は０、１又は２でありうる。発光材料において使用される二座のモノアニオン性配位子を、当業界で公知であるものから選択することができる。二座のモノアニオン性配位子は、例えばＬａｍａｎｓｋｙらのＰＣＴ出願ＷＯ０２／１５６４５号パンフレットの８９〜９０頁に記載されている配位子が挙げられるが、本発明はこれに限定されない。好ましい二座のモノアニオン性配位子には、アセチルアセトネート（ａｃａｃ）及びピコリネート（ｐｉｃ）、及びこれらの誘導体が含まれる。本発明においては錯体の安定性、高い発光量子収率の観点から二座のモノアニオン性配位子はアセチルアセトネートであることが好ましい。

上記アセチルアセトネートの構造式において、Ｍは配位する金属原子を表す。

前記一般式（ＰＱ−１）で表される化合物は、下記一般式（ＰＱ−２）で表される化合物であることが好ましい。

（一般式（ＰＱ−２）中、Ｒ_８〜Ｒ_１０は水素原子又は置換基を表す。置換基同士は可能であれば互いに結合して環を形成しても良い。Ｘ−Ｙは二座のモノアニオン性配位子を表す。）

Ｒ_８〜Ｒ_１０及びＸ−Ｙは、一般式（ＰＱ−１）におけるＲ_８〜Ｒ_１０及びＸ−Ｙと同義であり、また好ましい範囲も同様である。

前記一般式（ＰＱ−１）で表される化合物は、下記一般式（ＰＱ−３）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（ＰＱ−３）中、Ｒ_１〜Ｒ_５は一般式（ＰＱ−１）と同義である。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃは、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表す。ただし、Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃのうち一つは水素原子を表し、他の二つはアルキル基を表す。Ｒｘ、Ｒｙは、それぞれ独立に、アルキル基又はフェニル基を表す。

一般式（ＰＱ−３）について説明する。
Ｒ_１〜Ｒ_５は一般式（ＰＱ−１）と同義である。好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、フルオロ基、シアノ基であり、より好ましくは、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、フェニル基、フルオロ基、シアノ基である、これらの基は可能であれば置換基を有していてもよく、該置換基としては下記置換基群Ｚの基が挙げられる。

（置換基群Ｚ）
炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、フェニル基、炭素数５〜１０の芳香族ヘテロ環基、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェノキシ基、フルオロ基、シリル基、アミノ基、シアノ基、及びこれらを組み合わせてなる基。
Ｒ_１〜Ｒ_５が複数の置換基を有する場合、それらの置換基は互いに連結して芳香族炭化水素環を形成してもよい。

Ｒ_１〜Ｒ_５はとして、好ましくは、水素原子、メチル基、エチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、フルオロ基、フェニル基、シアノ基、トリフルオロメチル基であり、より好ましくは水素原子、メチル基、イソブチル基、フルオロ基、フェニル基、シアノ基であり、更に好ましくは水素原子、メチル基、イソブチル基、フェニル基であり、更に好ましくは水素原子、メチル基、イソブチル基であり、特に好ましくは水素原子である。

Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃは、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基（好ましくは炭素数１〜５のアルキル基）を表す。ただし、Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃの少なくとも一つは水素原子を表す。Ｒｂ又はＲｃが水素原子を表すことが好ましく、Ｒｂが水素原子を表すことがより好ましい。
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃが水素原子以外の場合、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソアミル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基であり、特に好ましくはメチル基である。

Ｒｘ、Ｒｙは、それぞれ独立に、アルキル基又はフェニル基を表す。アルキル基としては炭素数１〜５のアルキル基が好ましい。
Ｒｘ、Ｒｙとして、好ましくはメチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基であり、更に好ましくはメチル基である。

一般式（ＰＱ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、以下に限定されるものではない。

上記一般式（ＰＱ−１）で表される化合物として例示した化合物は、例えば特許第３９２９６３２号公報に記載の方法などの種々の方法で合成できる。例えば、ＦＲ−２は、２−フェニルキノリンを出発原料として、特許第３９２９６３２号公報の１８頁、２〜１３行に記載の方法で合成することができる。また、ＦＲ−３は、２−（２−ナフチル）キノリンを出発原料として、特許第３９２９６３２号公報の１８頁、１４行〜１９頁、８行に記載の方法で合成することができる。

本発明において、発光層に一般式（ＰＱ−１）で表される化合物を含有させる場合、その含有量は発光層中０．１〜３０質量％であることが好ましく、２〜２０質量％であることがより好ましく、５〜１５質量％であることが更に好ましい。

発光層中の発光材料は、発光層を形成する全化合物質量に対して、一般的に０．１質量％〜５０質量％含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有されることが好ましく、２質量％〜４０質量％含有されることがより好ましい。

発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、２ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、中でも、外部量子効率の観点で、３ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。

本発明の素子における発光層は、発光材料のみで構成されていてもよく、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でもよい。発光材料の種類は一種であっても二種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は一種であっても二種以上であってもよく、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。更に、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいてもよい。
また、発光層は一層であっても二層以上の多層であってもよく、それぞれの層に同じ発光材料やホスト材料を含んでもよいし、層毎に異なる材料を含んでもよい。発光層が複数の場合、それぞれの発光層が異なる発光色で発光してもよい。

＜ホスト材料＞
ホスト材料とは、発光層において主に電荷の注入、輸送を担う化合物であり、また、それ自体は実質的に発光しない化合物のことである。ここで「実質的に発光しない」とは、該実質的に発光しない化合物からの発光量が好ましくは素子全体での全発光量の５％以下であり、より好ましくは３％以下であり、更に好ましくは１％以下であることを言う。
ホスト材料としては、本発明の一般式（１）で表される化合物を用いることができる。この場合、一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体と併用することが好ましい。併用する場合に、一般式（１）で表される化合物と一般式（Ｃ−１）で表される白金錯体との質量比は９９：１〜３：１であることが好ましく。９５：１〜５：１であることがより好ましい。

その他の本発明に用いることのできるホスト材料としては、例えば、以下の化合物を挙げることができる。
縮環炭化水素化合物（ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、トリフェニレン、ピレン等）、ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体及びそれらの誘導体（置換基や縮環を有していてもよい）等を挙げることができる。

本発明において、併用することができるホスト材料としては、正孔輸送性ホスト材料であっても、電子輸送性ホスト材料であってもよいが、正孔輸送性ホスト材料を用いることができる。
本発明において、前記発光層が、ホスト材料を含むことが好ましい。前記ホスト材料は下記一般式（４−１）又は（４−２）で表される化合物であることが好ましい。
本発明においては、発光層に一般式（４−１）又は（４−２）で表される化合物の少なくとも１つ以上を含むことがより好ましい。

本発明において、一般式（４−１）又は（４−２）で表される化合物が発光層に含有される場合、一般式（４−１）又は（４−２）で表される化合物は発光層中に３０〜１００質量％含まれることが好ましく、４０〜１００質量％含まれることが好ましく、５０〜１００質量％含まれることが特に好ましい。また、一般式（４−１）又は（４−２）で表される化合物を、複数の有機層に用いる場合はそれぞれの層において、上記の範囲で含有することが好ましい。

一般式（４−１）又は（４−２）で表される化合物は、いずれかの有機層に、一種類のみを含有していてもよく、複数の一般式（４−１）又は（４−２）で表される化合物を任意の割合で組み合わせて含有していてもよい。

（一般式（４−１）及び（４−２）中、ｄ、ｅは０〜３の整数を表し、少なくとも一方は１以上である。ｆは１〜４の整数を表す。Ｒ’_８は置換基を表し、ｄ、ｅ、ｆが２以上である場合Ｒ’_８は互いに異なっていても同じでも良い。また、Ｒ’_８の少なくとも１つは下記一般式（５）で表されるカルバゾール基を表す。）

（一般式（５）中、Ｒ’_９はそれぞれ独立に置換基を表す。ｇは０〜８の整数を表す。）

Ｒ’_８はそれぞれ独立に置換基を表し、具体的にはハロゲン原子、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、又は一般式（５）で表される置換基である。Ｒ’_８が一般式（５）を表さない場合、好ましくは炭素数１０以下のアルキル基、炭素数１０以下の置換又は無置換のアリール基であり、更に好ましくは炭素数６以下のアルキル基である。

Ｒ’_９はそれぞれ独立に置換基を表し、具体的にはハロゲン原子、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基であり、好ましくは炭素数１０以下のアルキル基、炭素数１０以下の置換又は無置換のアリール基であり、更に好ましくは炭素数６以下のアルキル基である。
ｇは０〜８の整数を表し、電荷輸送を担うカルバゾール骨格を遮蔽しすぎない観点から０〜４が好ましい。また、合成容易さの観点から、カルバゾールが置換基を有する場合、窒素原子に対し、対称になるように置換基を持つものが好ましい。

一般式（４−１）において、電荷輸送能を保持する観点で、ｄとｅの和は２以上であることが好ましい。また、他方のベンゼン環に対しＲ’_８がメタで置換することが好ましい。その理由として、オルト置換では隣り合う置換基の立体障害が大きいため結合が開裂しやすく、耐久性が低くなる。また、パラ置換では分子形状が剛直な棒状へと近づき、結晶化しやすくなるため高温条件での素子劣化が起こりやすくなる。具体的には以下の構造で表される化合物であることが好ましい。

一般式（４−２）において、電荷輸送能を保持する観点で、ｆは２以上であることが好ましい。ｆが２又は３の場合、同様の観点からＲ’_８が互いにメタで置換することが好ましい。具体的には以下の構造で表される化合物であることが好ましい。

一般式（４−１）及び（４−２）が水素原子を有する場合、水素の同位体（重水素原子等）も含む。この場合化合物中の全ての水素原子が水素同位体に置き換わっていてもよく、また一部が水素同位体を含む化合物である混合物でもよい。好ましくは一般式（５）におけるＲ’_９が重水素によって置換されたものであり、特に好ましくは以下の構造が挙げられる。

更に置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。

一般式（４−１）及び（４−２）で表される化合物は、種々の公知の合成法を組み合わせて合成することが可能である。最も一般的には、カルバゾール化合物に関してはアリールヒドラジンとシクロヘキサン誘導体との縮合体のアザーコープ転位反応の後、脱水素芳香族化による合成（Ｌ．Ｆ．Ｔｉｅｚｅ，Ｔｈ．Ｅｉｃｈｅｒ著、高野、小笠原訳、精密有機合成、３３９頁（南江堂刊））が挙げられる。また、得られたカルバゾール化合物とハロゲン化アリール化合物のパラジウム触媒を用いるカップリング反応に関してはテトラヘドロン・レターズ３９巻６１７頁（１９９８年）、同３９巻２３６７頁（１９９８年）及び同４０巻６３９３頁（１９９９年）等に記載の方法が挙げられる。反応温度、反応時間については特に限定されることはなく、前記文献に記載の条件が適用できる。また、ｍＣＰなどのいくつかの化合物は市販されているものを好適に用いることができる。

本発明において、一般式（４−１）及び（４−２）で表される化合物は、真空蒸着プロセスで薄層を形成することが好ましいが、溶液塗布などのウェットプロセスも好適に用いることが出来る。化合物の分子量は、蒸着適性や溶解性の観点から２０００以下であることが好ましく、１２００以下であることがより好ましく、８００以下であることが特に好ましい。また蒸着適性の観点では、分子量が小さすぎると蒸気圧が小さくなり、気相から固相への変化がおきず、有機層を形成することが困難となるので、２５０以上が好ましく、３００以上が特に好ましい。

一般式（４−１）及び（４−２）は、以下に示す構造若しくはその水素原子が１つ以上重水素原子で置換された化合物であることが好ましい。

上記具体例中、Ｒ’_９は、一般式（５）におけるＲ’_９と同義である。

以下に、本発明における一般式（４−１）及び（４−２）で表される化合物の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

本発明における発光層において、前記各ホスト材料の三重項最低励起エネルギー（Ｔ_１エネルギー）が、前記燐光発光材料のＴ_１エネルギーより高いことが色度、発光効率、駆動耐久性の点で好ましい。

また、本発明におけるホスト化合物の含有量は、特に限定されるものではないが、発光効率、駆動電圧の観点から、発光層を形成する全化合物質量に対して１５質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。一般式（１）で表される化合物は全ホスト化合物中５０質量％以上９９質量％以下であることが好ましい。

本発明の有機電界発光素子は前記電極が陽極を含み、前記発光層と該陽極の間に電荷輸送層を有し、該電荷輸送層がカルバゾール化合物を含むことが好ましい。
（電荷輸送層）
電荷輸送層とは、有機電界発光素子に電圧を印加した際に電荷移動が起こる層をいう。具体的には正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層又は電子注入層が挙げられる。好ましくは、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層又は発光層である。塗布法により形成される電荷輸送層が正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層又は発光層であれば、低コストかつ高効率な有機電界発光素子の製造が可能となる。また、電荷輸送層として、より好ましくは、正孔注入層、正孔輸送層又は電子ブロック層である。
−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
正孔注入層、正孔輸送層については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１６５〕〜〔０１６７〕に記載の事項を本発明に適用することができる。

正孔注入層、正孔輸送層がカルバゾール化合物を含有することが好ましい。
本発明において、カルバゾール化合物は下記一般式（ａ）で表されるカルバゾール化合物であることが好ましい。
一般式（ａ）

（一般式（ａ）中、Ｒ_ａは該骨格の水素原子に置換し得る置換基を表し、Ｒ_ａは複数存在する場合はそれぞれ同じでも異なってもよい。ｎ_ａは０〜８の整数を表す。）

一般式（ａ）で表される化合物を、電荷輸送層中で用いる場合は、一般式（ａ）で表される化合物は５０〜１００質量％含まれることが好ましく、８０〜１００質量％含まれることが好ましく、９５〜１００質量％含まれることが特に好ましい。
また、一般式（ａ）で表される化合物を、複数の有機層に用いる場合はそれぞれの層において、上記の範囲で含有することが好ましい。

一般式（ａ）で表される化合物は、いずれかの有機層に、一種類のみを含有していてもよく、複数の一般式（ａ）で表される化合物を任意の割合で組み合わせて含有していてもよい。

本発明において、一般式（ａ）で表される化合物を正孔輸送層に含ませる場合、一般式（ａ）で表される化合物を含む正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、３ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、該正孔輸送層は発光層に接して設けられていることが好ましい。 該正孔輸送層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

Ｒ_ａが表す置換基としては具体的にはハロゲン原子、アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アリール基、芳香族複素環基が挙げられ、炭素数１０以下のアルキル基、炭素数１０以下の置換又は無置換のアリール基が好ましく、炭素数６以下のアルキル基であることがより好ましい。ｔは０〜４が好ましく、０〜２がより好ましい。

本発明において、一般式（ａ）を構成する水素原子は、水素の同位体（重水素原子等）も含む。この場合化合物中の全ての水素原子が水素同位体に置き換わっていてもよく、また一部が水素同位体を含む化合物である混合物でもよい。

一般式（ａ）で表される化合物は、種々の公知の合成法を組み合わせて合成することが可能である。最も一般的には、カルバゾール化合物に関してはアリールヒドラジンとシクロヘキサン誘導体との縮合体のアザーコープ転位反応の後、脱水素芳香族化による合成（Ｌ．Ｆ．Ｔｉｅｚｅ，Ｔｈ．Ｅｉｃｈｅｒ著、高野、小笠原訳、精密有機合成、３３９頁（南江堂刊））が挙げられる。また、得られたカルバゾール化合物とハロゲン化アリール化合物のパラジウム触媒を用いるカップリング反応に関してはテトラヘドロン・レターズ３９巻６１７頁（１９９８年）、同３９巻２３６７頁（１９９８年）及び同４０巻６３９３頁（１９９９年）等に記載の方法が挙げられる。反応温度、反応時間については特に限定されることはなく、前記文献に記載の条件が適用できる。

本発明において、一般式（ａ）で表される化合物は、真空蒸着プロセスで薄層を形成することが好ましいが、溶液塗布などのウェットプロセスも好適に用いることが出来る。化合物の分子量は、蒸着適性や溶解性の観点から２０００以下であることが好ましく、１２００以下であることがより好ましく、８００以下であることが特に好ましい。また蒸着適性の観点では、分子量が小さすぎると蒸気圧が小さくなり、気相から固相への変化がおきず、有機層を形成することが困難となるので、２５０以上が好ましく、３００以上が特に好ましい。

以下に、本発明における一般式（ａ）で表される化合物の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
電子輸送材料としては、本発明の一般式（１）で表される化合物を用いることができる。その他の材料としては、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。

電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、アルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−キノリナト）４−フェニルフェノレート（Ａｌｕｍｉｎｕｍ （ＩＩＩ）ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）４−ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ（ＢＡｌｑと略記する））等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ（ＢＣＰと略記する））等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
−電子ブロック層−
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層を構成する有機化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
電子ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

＜保護層＞
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１６９〕〜〔０１７０〕に記載の事項を本発明に適用することができる。

＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。
＜陽極＞
陽極は、通常、有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
＜陰極＞
陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。

基板、陽極、陰極については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔００７０〕〜〔００８９〕に記載の事項を本発明に適用することができる。

＜封止容器＞
本発明の素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
封止容器については、特開２００８−２７０７３６号公報の段落番号〔０１７１〕に記載の事項を本発明に適用することができる。

（駆動）
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書等に記載の駆動方法を適用することができる。

本発明の有機電界発光素子の外部量子効率としては、７％以上が好ましく、１０％以上がより好ましく、１２％以上が更に好ましい。外部量子効率の数値は２０℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、若しくは、２０℃で素子を駆動したときの３００〜４００ｃｄ／ｍ^２付近での外部量子効率の値を用いることができる。

本発明の有機電界発光素子の内部量子効率は、３０％以上であることが好ましく、５０％以上が更に好ましく、７０％以上が更に好ましい。素子の内部量子効率は、外部量子効率を光取り出し効率で除して算出される。通常の有機ＥＬ素子では光取り出し効率は約２０％であるが、基板の形状、電極の形状、有機層の膜厚、無機層の膜厚、有機層の屈折率、無機層の屈折率等を工夫することにより、光取り出し効率を２０％以上にすることが可能である。

（本発明の素子の用途）
本発明の素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、又は光通信等に好適に利用できる。特に、照明装置、表示装置等の発光輝度が高い領域で駆動されるデバイスに好ましく用いられる。

次に、図２を参照して本発明の発光装置について説明する。
図２は、本発明の発光装置の一例を概略的に示した断面図である。図２の発光装置２０は、透明基板（支持基板）２、有機電界発光素子１０、封止容器１６等により構成されている。

有機電界発光素子１０は、基板２上に、陽極（第一電極）３、有機層１１、陰極（第二電極）９が順次積層されて構成されている。また、陰極９上には、保護層１２が積層されており、更に、保護層１２上には接着層１４を介して封止容器１６が設けられている。なお、各電極３、９の一部、隔壁、絶縁層等は省略されている。
ここで、接着層１４としては、エポキシ樹脂等の光硬化型接着剤や熱硬化型接着剤を用いることができ、例えば熱硬化性の接着シートを用いることもできる。

本発明の発光装置の用途は特に制限されるものではなく、例えば、照明装置のほか、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、電子ペーパ等の表示装置とすることができる。

（照明装置）
次に、図３を参照して本発明の照明装置について説明する。
図３は、本発明の照明装置の一例を概略的に示した断面図である。本発明の照明装置４０は、図３に示すように、前述した有機ＥＬ素子１０と、光散乱部材３０とを備えている。より具体的には、照明装置４０は、有機ＥＬ素子１０の基板２と光散乱部材３０とが接触するように構成されている。
本発明の実施形態に係る照明装置４０は、図３に示すように、前述した有機ＥＬ素子１０と、光散乱部材３０とを備えている。より具体的には、照明装置４０は、有機ＥＬ素子１０の基板２と光散乱部材３０とが接触するように構成されている。
光散乱部材３０は、光を散乱できるものであれば特に制限されないが、図３においては、透明基板３１に微粒子３２が分散した部材とされている。透明基板３１としては、例えば、ガラス基板を好適に挙げることができる。微粒子３２としては、透明樹脂微粒子を好適に挙げることができる。ガラス基板及び透明樹脂微粒子としては、いずれも、公知のものを使用できる。このような照明装置４０は、有機電界発光素子１０からの発光が散乱部材３０の光入射面３０Ａに入射されると、入射光を光散乱部材３０により散乱させ、散乱光を光出射面３０Ｂから照明光として出射するものである。

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。特に、置換基の有無は本発明の効果に殆ど影響を与えず、以下に示す実施例で用いられる化合物に置換基を有していても同様の効果が得られる。

＜実施例１＞
例示化合物1の合成
（合成法Ｂ：比較の合成法）
ＷＯ０５／０８５３８７の段落〔００７４〕−〔００７５〕に記載の方法に従って、一般式（１）の電荷輸送材料の例示化合物1を合成・精製した。反応式を以下に示す。

得られたサンプルを昇華精製（Ａｒ気流下、５×１０^−１Ｐａにて加熱）し、採取時にサンプルの固着位置からフラクションＡ、Ｂを分け取り、それぞれから電荷輸送材料を得た。ここで、フラクションＡよりフラクションＢの方が固着位置から離れた領域で、フラクションＡに比べてフラクションＢの方から、より低温で気化する物質が採取される。
得られた電荷輸送材料のＨＰＬＣ純度や特定不純物含有量は、素子特性とともに表１に示す。表１中、昇華精製を行っていない材料は「未昇華」と表記した。

（合成法Ａ：本発明の合成法）
合成法Ｂにおいて、合成中間体Ａを合成中間体Ｍ−１に、合成中間体Ｂを合成中間体Ｍ−２に変えた以外は触媒のmol濃度、溶媒のmol濃度、塩基のmol濃度、反応条件、精製条件を合成法Ｂと同様の方法で合成・精製した。反応式を以下に示す。

得られたサンプルを合成法Ｂと同様の方法で昇華精製し、フラクションＡ、Ｂ、Ｃを分け取り、それぞれから電荷輸送材料を得た。ここで、フラクションＡよりフラクションＢの方が、またフラクションＢよりフラクションＣの方が、固着位置から離れた領域となる。フラクションＡに比べてフラクションＢの方から、またフラクションＢに比べてフラクションＣの方からより低温で気化する物質が採取される。
得られた電荷輸送材料のＨＰＬＣ純度や特定不純物含有量は、素子特性とともに表１に示す。

表１中の不純物１とは、カルバゾール部位を含むアリールハライドであり、本発明の一般式（Ｉ−１）又は（ＩＩ−１）に相当する化合物である。電荷輸送材料の例示化合物1の場合は合成中間体Ｍ−１もこれに相当する。また、不純物２とは、ピリミジン部位を含むアリールハライドであり、本発明の一般式（Ｉ−２）又は（ＩＩ−２）に相当する化合物である。電荷輸送材料の例示化合物1では合成中間体Ｂもこれに相当する。

一般式（１）の電荷輸送材料の例示化合物５、６、２０、３６についても、例示化合物1と同様に合成・昇華精製を行った。本発明の合成法で合成したものを合成法Ａ、ＷＯ０５／０８５３８７及びＷＯ０３／０８０７６０に記載の方法又はそれに準じた方法で合成したものを合成法Ｂと表記する。例示化合物２０と例示化合物３６に関しては、本発明の一般式（Ｉ−２）又は（ＩＩ−２）に相当する化合物とカルバゾールをカップリングさせて合成しているが、この方法を合成法Ｂに相当すると定義する。下記に例示化合物５、６、２０、３６の合成における不純物１及び不純物２の構造を示す。

また、同様に一般式（１）の例示化合物３７、３８、４０、４１、４２、４５、４６、４７、５０、５１、５２、５３、５４、５５についても前記合成法Ａ及びＢにより合成を行った。下記に例示化合物３７、３８、４０、４１、４２、４５、４６、４７、５０、５１、５２、５３、５４、５５の合成における不純物１及び不純物２の構造を示す。

＜実施例２＞
［素子の作製］
厚み０．５ｍｍ、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機
化合物層を順次蒸着した。
第１層：２−ＴＮＡＴＡ及びＦ_４−ＴＣＮＱ（質量比９９．７：０．３）:膜厚１２０ｎｍ
第２層：α−ＮＰＤ:膜厚７ｎｍ
第３層：Ｃ−１：膜厚３ｎｍ
第４層：Ｈ−１及びＤ−１（質量比８５：１５）:膜厚３０ｎｍ
第５層：電子輸送材料（実施例１で作製の電荷輸送材料：表１に記載）:膜厚３ｎｍ
第６層：ＢＡｌｑ:膜厚２７ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍ及び金属アルミニウム１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせることなく、窒素ガスで置換したグローブボックス内に入れ、ガラス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、有機電界発光素子を得た。
これらの素子を発光させた結果、各素子とも発光材料に由来する発光が得られた。

（有機電界発光素子の性能評価）
得られた各素子に対し、外部量子効率及び駆動耐久性を測定して素子の性能を評価した。なお、各種測定は以下のように行なった。結果を表１に示す。
（ａ）外部量子効率
東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００を用いて、直流電圧を各素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社製輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。発光スペクトルと発光波長は浜松ホトニクス製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。これらを基に輝度が３６０ｃｄ／ｍ^２付近の外部量子効率を輝度換算法により算出した。
（ｂ）駆動耐久性
各素子を輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２になるように直流電圧を印加し、輝度が５００ｃｄ／ｍ^２になるまでの時間を測定した。この輝度半減時間を駆動耐久性評価の指標とした。なお、電荷輸送材料例示化合物1の合成法Ａで作製し、昇華精製フラクションＡのものを用いた素子の値を１．０とし、各素子の値はこれに対する相対値として表１及び２に記載した。

表１及び２の結果から、同一の電子輸送材料を用いた素子同士の比較により、不純物１及び２の含有量を０．１質量％以下に抑えた本発明の素子は、発光効率及び耐久性がともに優れていることが分かる。
また、本発明の方法により電子輸送材料化合物を合成した場合、合成後の昇華精製でのフラクション位置によらず、発光効率及び耐久性に優れた素子を提供し得る電子輸送材料が得られることが分かる。

＜実施例３＞
［素子の作製］
有機化合物層の蒸着を以下の第１層〜第５層の順序で行う以外には、実施例２と同様の方法で素子を作製した。
第１層：２−ＴＮＡＴＡ及びＦ_４−ＴＣＮＱ（質量比９９．７：０．３）:膜厚１２０ｎｍ
第２層：α−ＮＰＤ:膜厚７ｎｍ
第３層：Ｃ−１：膜厚３ｎｍ
第４層：表３及び４に記載のホスト材料（実施例１で作製の電荷輸送材料）及び発光材料（質量比９５：５）:膜厚３０ｎｍ
第５層：ＢＡｌｑ:膜厚３０ｎｍ

得られた素子を発光させた結果、各素子とも発光材料に由来する発光が得られた。また、素子の外部量子効率及び駆動耐久性を実施例２と同様な方法で測定して素子の性能を評価した。結果を表３及び４に示す。
なお、表３及び４の駆動耐久性の値は、電荷輸送材料の例示化合物１の合成法Ａで作製し、昇華精製フラクションＡのものを用いた素子の値を１．０とし、各素子の値はこれに対する相対値として表３及び４に記載した。

表３及び表４の結果から、本発明の電子輸送材料を発光層のホスト材料として用いた場合でも、不純物１及び２の含有量を０．１％以下に抑えた本発明の素子は、発光効率及び耐久性がともに優れていることが分かる。

また、第３層、第４層、第５層を下記表５及び表７に示すものに変えた以外は実施例２と同様の方法で作製した素子で、実施例２と同様の方法により評価した結果を表６及び表８に示す。なお、用いた本発明の電子輸送材料の合成法、昇華精製フラクションを例示化合物１（＃Ａ−Ｂ）（合成法Ａ、昇華精製フラクションＢを表す）のように表記する。
表５及び表７に示す各素子の極大発光波長は浜松ホトニクス製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。また、駆動電圧は、輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２になるときの直流電圧値である。
表５及び表７の「第４層」の欄に示す括弧内の比はホスト材料と発光材料の質量比を表す。

表６及び８の実施例の素子３−１〜３−４２に示すように、本発明の電子輸送材料を用いることで、明細書中に記載の様々な材料と組み合わせて高性能の素子が得られることが分かった。

更に、有機化合物層の蒸着を以下の第１層〜第５層の順序で行う以外には、実施例２と同様の方法で素子を作製した。
第１層：２−ＴＮＡＴＡ及びＦ_４−ＴＣＮＱ（質量比９９．７：０．３）:膜厚６０ｎｍ
第２層：α−ＮＰＤ:膜厚２０ｎｍ
第３層：Ｈ−１０及びＢＤ−１（質量比９７：３）:膜厚４０ｎｍ
第４層：表９に記載の電子輸送材料:膜厚１０ｎｍ
第５層：ＢＡｌｑ:膜厚１０ｎｍ
得られた素子を発光させた結果、各素子とも発光材料に由来する発光が得られた。発光色を表９に示す。また、各素子の外部量子効率及び駆動耐久性を実施例２と同様な方法で測定した。測定結果を表９に示す。
なお、表９において、用いた本発明の電子輸送材料の合成法、昇華精製フラクションを例示化合物１（＃Ａ−Ｂ）（合成法Ａ、昇華精製フラクションＢを表す）のように表記する。

以上のように、発光材料や組み合わせるホスト材料、電子輸送材料等の構造が全く異なるものであっても同様に本発明の電子輸送材料を用いることで高性能の素子が得られることが分かった。

＜実施例４＞
実施例１において合成法Ａで作製した電荷輸送材料例示化合物1について、昇華精製回数を１〜７回と変更した電子輸送材料サンプルをそれぞれ作製した。作製した電子輸送材料サンプルを用いて、実施例２の本発明の素子１−１と同様に本発明の素子４−１〜４−６を作製し、外部量子効率、駆動耐久性を評価した。評価結果を表１０に示す。

表１０の結果から、不純物１の含有量がおよそ０．０３質量％以下の場合、効率と耐久性は殆ど変化が無く、昇華精製回数が増えることによる工程数増により環境負荷が大きくなることが分かった。

また、実施例１において合成法Ａで作製した電荷輸送材料例示化合物１について、昇華精製を行わず、代わりに再結晶、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより不純物１の含有率が異なる電子輸送材料サンプルをそれぞれ作製した。作製した電荷輸送材料サンプルを用いて、実施例２の本発明の素子１−１と同様に本発明の素子４−７及び比較素子４−１〜４−７を作製し、外部量子効率、駆動耐久性を評価した。評価結果を表１１に示す。

図４は、表１０及び表１１に示される結果に基づいた、不純物１含有率に対する素子の駆動耐久性の変化を示すグラフである。
図４から分かるように、不純物１の含有量が０．１質量％以下であると、素子の耐久性が著しく向上することが分かる。

＜実施例５＞
実施例４と同様に、例示化合物６を昇華精製回数、未昇華精製で精製方法を変えることにより、不純物１の含有率が異なる電荷輸送材料サンプルをそれぞれ作製した。作製した電子輸送材料サンプルを用いて、実施例２の本発明の素子１−１と同様に本発明の素子５−１〜５−６及び比較素子５−１〜５−９を作製し、外部量子効率、駆動耐久性を評価した。実施例２で作製した本発明の素子１−６と合わせて、評価結果を表１２にまとめて示す。

表１２の結果から、不純物１の含有量がおよそ０．０５質量％以下の場合、効率と耐久性は殆ど変化が無く、昇華精製回数が増えることによる工程数増により環境負荷が大きくなることが分かった。
図５は、不純物１含有率に対する素子の駆動耐久性の変化を調べた結果を示すグラフである。
図５から分かるように、不純物１の含有量が０．１質量％以下であると、素子の耐久性が著しく向上することが分かる。

＜実施例６＞
実施例４と同様に、例示化合物５１を昇華精製回数、未昇華精製で精製方法を変えることにより、不純物１の含有率が異なる電荷輸送材料サンプルをそれぞれ作製した。作製した電子輸送材料サンプルを用いて、実施例２の本発明の素子１−１と同様に本発明の素子６−１〜６−４及び比較素子６−１〜６−５を作製し、外部量子効率、駆動耐久性を評価した。実施例２で作製した本発明の素子１−２７と合わせて、結果を表１３にまとめて示す。

表１３の結果から、不純物１の含有量がおよそ０．０９質量％以下の場合、効率と耐久性は殆ど変化が無く、昇華精製回数が増えることによる工程数増により環境負荷が大きくなることが分かった。
図６は、不純物１含有率に対する素子の駆動耐久性の変化を調べた結果を示すグラフである。
図６から分かるように、不純物１の含有量が０．１質量％以下であると、素子の耐久性が著しく向上することが分かる。

＜実施例７＞
実施例４と同様に、例示化合物５２を昇華精製回数、未昇華精製で精製方法を変えることにより、不純物１の含有率が異なる電荷輸送材料サンプルをそれぞれ作製した。作製した電子輸送材料サンプルを用いて、実施例２の本発明の素子１−１と同様に本発明の素子７−１〜７−４及び比較素子７−１〜７−６を作製し、外部量子効率、駆動耐久性を評価した。実施例２で作製した本発明の素子１−２９と合わせて、結果を表１４にまとめて示す。

表１４の結果から、不純物１の含有量がおよそ０．０５質量％以下の場合、効率と耐久性は殆ど変化が無く、昇華精製回数が増えることによる工程数増により環境負荷が大きくなることが分かった。
図７は、不純物１含有率に対する素子の駆動耐久性の変化を調べた結果を示すグラフである。
図７から分かるように、不純物１の含有量が０．１質量％以下であると、素子の耐久性が著しく向上することが分かる。

＜実施例８＞
実施例７と同様に、例示化合物５４を昇華精製回数、未昇華精製で精製方法を変えることにより、不純物２の含有率が異なる電荷輸送材料サンプルをそれぞれ作製した。作製した電子輸送材料サンプルを用いて、実施例２の本発明の素子１−１と同様に本発明の素子８−１〜８−６及び比較素子８−１〜８−５を作製し、外部量子効率、駆動耐久性を評価した。実施例２で作製した本発明の素子１−３３と合わせて、結果を表１５にまとめて示す。

表１５の結果から、不純物１の含有量がおよそ０．０４質量％以下の場合、効率と耐久性は殆ど変化が無く、昇華精製回数が増えることによる工程数増により環境負荷が大きくなることが分かった。
図８は、不純物２含有率に対する素子の駆動耐久性の変化を調べた結果を示すグラフである。
図８から分かるように、不純物１の含有量が０．１質量％以下であると、素子の耐久性が著しく向上することが分かる。

また、発光装置、表示装置、照明装置の場合、各画素部で高い電流密度を通じて瞬間的に高輝度発光させる必要があり、本発明の発光素子はそのような場合に発光効率が高くなるように設計されているため、有利に利用することができる。

以下に実施例２〜８で用いた化合物の構造を示す。

２・・・基板
３・・・陽極
４・・・正孔注入層
５・・・正孔輸送層
６・・・発光層
７・・・正孔ブロック層
８・・・電子輸送層
９・・・陰極
１０・・・有機電界発光素子
１１・・・有機層

Claims (33)

1. 以下の一般式（１）で表される化合物を含む電荷輸送材料であって、以下の一般式（Ｉ−１）で表される化合物及び一般式（Ｉ−２）で表される化合物の含有量が、それぞれ一般式（１）で表される化合物に対して０．１質量％以下であることを特徴とする電荷輸送材料。
   

   

   一般式（１）中、Ａ^１、Ａ^２はそれぞれ独立にＮ、−ＣＨ又は−ＣＲを表す。Ｒは置換基を表す。Ｌは単結合、アリーレン基、シクロアルキレン基又は芳香族へテロ環を表す。Ｌが連結するベンゼン環中の炭素原子と、Ｌ中の原子と、更に他の原子とにより環を形成してもよい。前記他の原子は、炭素原子、酸素原子又は硫黄原子であり、該炭素原子には更にアルキル基又はアリール基が置換していてもよい。Ｒ^１〜Ｒ^５はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、アダマンチル基、シアノ基、シリル基、又はカルバゾリル基を表す。ｎ１〜ｎ３はそれぞれ独立に０〜４の整数を表し、ｎ４〜ｎ５はそれぞれ独立に０〜５を表す。ｐ、ｑはそれぞれ独立に１〜４の整数を表す。
   

   

   

   一般式（Ｉ−１）及び一般式（Ｉ−２）中、Ａ^１、Ａ^２、Ｒ^１〜Ｒ^５、ｎ１〜ｎ５、ｐ及びｑはそれぞれ一般式（１）と同義であり、一般式（１）におけるＡ^１、Ａ^２、Ｒ^１〜Ｒ^５、ｎ１〜ｎ５、ｐ及びｑと同一の基又は整数である。Ｘ^１、Ｘ^２はそれぞれ独立にハロゲン原子を表す。Ｌ’及びＬ”はＬと同義である。
2. 一般式（Ｉ−１）で表される化合物及び一般式（Ｉ−２）で表される化合物の含有量が、それぞれ一般式（１）で表される化合物に対して０．００１質量％以上０．１質量％以下であることを特徴とする請求項１に記載の電荷輸送材料。
3. 一般式（１）において、Ａ^１及びＡ^２のいずれか一方が窒素原子であり、他方が炭素原子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電荷輸送材料。
4. 一般式（１）において、Ｌがフェニレン基、ビフェニレン基又はターフェニレン基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
5. 一般式（１）において、Ｒ^１〜Ｒ^５がそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、シアノ基又はシリル基であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
6. 一般式（１）において、ｎ１〜ｎ５が全て０であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
7. 一般式（１）で表される化合物が以下の一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
   

   

   一般式（２）中、Ｒ^６〜Ｒ^１１はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、シアノ基又はシリル基を表す。ｎ６〜ｎ９はそれぞれ０〜４の整数を表し、ｎ１０〜ｎ１１はそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。
8. 一般式（２）において、ｎ６〜ｎ１１が全て０であることを特徴とする請求項７に記載の電荷輸送材料。
9. 一般式（Ｉ−１）で表される化合物及び一般式（Ｉ−２）で表される化合物がそれぞれ以下の一般式（ＩＩ−１）で表される化合物及び一般式（ＩＩ−２）で表される化合物であることを特徴とする請求項７又は８に記載の電荷輸送材料。
   

   

   

   一般式（ＩＩ−１）及び一般式（ＩＩ−２）中、Ｘ^３、Ｘ^４はそれぞれ独立にハロゲン原子を表す。Ｒ^６〜Ｒ^１１及びｎ６〜ｎ１１は一般式（２）と同義である。
10. 一般式（１）で表される化合物の分子量が４５０以上８００以下であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
11. 一般式（１）で表される化合物の薄膜状態での最低励起三重項Ｔ_１エネルギーが２．６１ｅＶ以上３．５１ｅＶ以下である請求項１〜９のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
12. 一般式（１）で表される化合物のガラス転移温度Ｔｇが８０℃以上４００℃以下であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
13. 以下の一般式（２）で表される化合物の製造方法であって、
    以下の一般式（Ｍ１）で表される化合物と一般式（Ｍ２）で表される化合物とをパラジウム触媒を用いてカップリング反応する工程と、
    前記カップリング反応により得られた反応生成物を昇華精製する工程とを含むことを特徴とする一般式（２）で表される化合物の製造方法。
    

    

    一般式（２）中、Ｒ^６〜Ｒ^１１はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、シアノ基又はシリル基を表す。ｎ６〜ｎ９はそれぞれ０〜４の整数を表し、ｎ１０〜ｎ１１はそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。
    

    

    

    一般式（Ｍ１）及び一般式（Ｍ２）中、Ｘ^３はハロゲン原子を表す。Ｒ^６〜Ｒ^１１及びｎ６〜ｎ１１は一般式（２）と同義である。Ｒ^１２は水素原子又はアルキル基を表す。
14. 一般式（２）で表される化合物が請求項１３記載の製造方法で得られたことを特徴とする請求項７又は８に記載の電荷輸送材料。
15. 一対の電極間に、発光層を含む有機層を少なくとも一層含む有機電界発光素子であって、
    有機層のいずれかの層が請求項１〜１２及び１４のいずれか１項に記載の電荷輸送材料を含むことを特徴とする有機電界発光素子。
16. 前記有機層が電子輸送層を含み、該電子輸送層が請求項１〜１２及び１４のいずれか１項に記載の電荷輸送材料を含むことを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光素子。
17. 前記発光層が請求項１〜１２及び１４のいずれか１項に記載の電荷輸送材料を含むことを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光素子。
18. 前記発光層が発光材料として以下の一般式（Ｃ−５）で表される化合物を含むことを特徴とする請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
    

    

    一般式（Ｃ−３）中、Ａ^３０１〜Ａ^３１３は、それぞれ独立に、Ｃ−Ｒ又はＮを表す。Ｒは水素原子又は置換基を表す。Ｌ^３１は単結合又は二価の連結基を表す。
19. 前記Ｌ^３１が、単結合、アルキレン基又はアリーレン基であり、該アルキレン基及びアリーレン基は更に置換基としてアルキル基又はアリール基を有していてもよい（前記置換基が複数ある場合には互いに結合して環を形成してもよい）ことを特徴とする請求項１８に記載の有機電界発光素子。
20. 前記Ａ^３０２又はＡ^３０５はＣ−Ｒを表し、Ｒが水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又はフッ素基であることを特徴とする請求項１８又は１９に記載の有機電界発光素子。
21. 前記Ａ^３０１、Ａ^３０３、Ａ^３０４、又はＡ^３０６がＣ−Ｒを表し、Ｒが水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又はフッ素基であることを特徴とする請求項１８〜２０のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
22. 前記Ａ^３０７、Ａ^３０８、Ａ^３０９、又はＡ^３１０がＣ−Ｒであるとき、Ｒが水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、又はフッ素原子であることを特徴とする請求項１８〜２１のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
23. 前記Ａ^３０７、Ａ^３０８、Ａ^３０９及びＡ^３１０と２つの炭素原子とから形成される６員環が、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、又はピリダジン環であることを特徴とする請求項１８〜２２のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
24. 前記Ａ^３１１、Ａ^３１２、又はＡ^３１３がＣ−Ｒであるとき、Ｒが水素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、又はフッ素原子であることを特徴とする請求項１８〜２３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
25. 前記Ａ^３１１、Ａ^３１２及びＡ^３１３の少なくとも１つがＮであることを特徴とする請求項１８〜２４のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
26. 前記発光層が発光材料として以下の一般式（ＰＱ−１）で表される化合物を含むことを特徴とする請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
    

    

    一般式（ＰＱ−１）中、Ｒ_１〜Ｒ_１０は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。該置換基同士は互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ−Ｙは二座のモノアニオン性配位子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。
27. 前記Ｒ_１〜Ｒ_１０は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ネオペンチル基、イソブチル基、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、又はトリル基を表すことを特徴とする請求項２６に記載の有機電界発光素子。
28. 前記Ｘ−Ｙが、アセチルアセトネート又はピコリネートであることを特徴とする請求項２６又は２７に記載の有機電界発光素子。
29. 前記一般式（ＰＱ−１）で表される化合物が、以下の一般式（ＰＱ−３）で表される化合物であることを特徴とする請求項２６〜２８のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
    

    

    一般式（ＰＱ−３）中、Ｒ_１〜Ｒ_５は一般式（ＰＱ−１）と同義である。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃは、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表す。ただし、Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃのうち一つは水素原子を表し、他の２つがアルキル基を表す。Ｒｘ、Ｒｙは、それぞれ独立に、アルキル基又はフェニル基を表す。
30. 請求項１〜１２及び１４のいずれか１項に記載の電荷輸送材料を含有する組成物。
31. 請求項１５〜２９のいずれか１項に記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。
32. 請求項１５〜２９のいずれか１項に記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。
33. 請求項１５〜２９のいずれか１項に記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。

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