JP6136616B2 - 環状アジン化合物、その製造方法、及びそれを含有する有機電界発光素子 - Google Patents
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Description
Czは(n+1)価のカルバゾール基又は(n+1)価のカルボリン基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、フッ素原子を有する炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar1及びAr2は、各々独立して、炭素数6〜30の芳香族炭化水素基(各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar3は炭素数6〜30のアリーレン基(フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar4は、各々独立して、炭素数3〜30の含窒素ヘテロアリール基(各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)、又は一般式(A)で示される置換基を表す。
Y及びZは、各々独立して、窒素原子又はCHを表す。但し、Y及びZのうち少なくとも一方は窒素原子である。
nは1〜[Cz上に形成できる最大の結合数−1]の整数を表す。)
Ar5は、各々独立して、(m+1)価の炭素数6〜30のアリール基(各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、フッ素原子を有してもよい炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換してもよい炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar6は、各々独立して、炭素数3〜30の含窒素ヘテロアリール基(各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
mは、各々独立して、1〜[Ar5上に形成できる最大の結合数−1]の整数を表す。)
本願の環状アジン化合物(1)における置換基はそれぞれ以下のように定義される。
ことが出来る。
X1、X2、X3、X4で表される脱離基としては、特に限定するものではないが、例えば、塩素原子、臭素原子、トリフラート又はヨウ素原子が挙げられる。このうち、反応収率がよい点で、臭素原子又は塩素原子が好ましい。
化合物(5)は、例えば、J.Tsuji著、「Palladium Reagents and Catalysts」,John Wiley & Sons,2004年、Journal of Organic Chemistry,60巻,7508−7510,1995年、Journal of Organic Chemistry,65巻,164−168,2000年、Organic Letters,10巻,941−944,2008年、又はChemistry of Materials,20巻,5951−5953,2008年に開示されている方法を用いて製造することができる。また化合物(5)中の任意の水素原子は重水素原子に置換されていてもよい。
化合物(7)は、例えば、J.Org.Chem.48巻,1064−1069,1983年に開示されている方法を用いて製造することができる。
化合物(9)は、例えば、J.Tsuji著、「Palladium Reagents and Catalysts」,John Wiley & Sons,2004年、Journal of Organic Chemistry,60巻,7508−7510,1995年、Journal of Organic Chemistry,65巻,164−168,2000年、Organic Letters,10巻,941−944,2008年、又はChemistry of Materials,20巻,5951−5953,2008年に開示されている方法を用いて製造することができる。
合成例−2
合成例−3
合成例−4
合成例−5
合成例−6
合成例−7
合成例−8
合成例−9
合成例−10
合成例−11
合成例−12
合成例−13
合成例−14
合成例−15
合成例−16
合成例−17
合成例−18
合成例−19
合成例−20
合成例−21
実施例−1
実施例−2
実施例−3
実施例−4
実施例−5
実施例−6
実施例−7
実施例−8
実施例−9
実施例−10
実施例−11
実施例−12
実施例−13
実施例−14
実施例−15
実施例−16
ことを確認した。
実施例−18
実施例−19
実施例−20
実施例−21
実施例−22
実施例−23
実施例−24
実施例−25
実施例−26
実施例−27
実施例−28
実施例−29
実施例−30
実施例−31
実施例−32
実施例−33
実施例−34
実施例−35
実施例−36
実施例−37
実施例−38
実施例−39
実施例−40
実施例−41
実施例−42
実施例−43
を得た。
実施例−44
<環状アジンを構成成分とする有機電界発光素子の作製と性能評価>
以下の実施例、参考例、及び比較例は、有機電界発光素子の作製と性能評価に関するものである。
基板には、2mm幅の酸化インジウム−スズ(ITO)膜がストライプ状にパターンされたITO透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、酸素プラズマ洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面図を図1に示すような発光面積4mm2有機電界発光素子を作製した。
実施例−45の電子輸送層5において、A−1に代えて、実施例−3で合成したA−3を用いた以外は、実施例−45と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
実施例−45の電子輸送層5において、A−1に代えて、実施例−6で合成したA−6を用いた以外は、実施例−45と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
実施例−45の電子輸送層5において、A−1に代えて、公知の電子輸送材料であるETL−1を用いた以外は、実施例−45と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
実施例−45の発光層4において、EML−1とEML−2を0.18nm/秒の成膜速度で40nmの膜厚(EML−1/EML−2=95/5(重量比)の共蒸着)で真空蒸着する代わりに、TBADNとEML−2を0.18nm/秒の成膜速度で40nmの膜厚(TBADN/EML−2=95/5(重量比)の共蒸着)で真空蒸着した。また、電子輸送層5においてA−1の代わりにA−2を0.25nm/秒の成膜速度で20nmの膜圧で真空蒸着した以外は、実施例−45と同じ方法で、有機電界発光素子を作製した。
実施例−48の電子輸送層5において、A−2に代えて、実施例−10で合成したA−10を用いた以外は実施例−48と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
実施例−48の電子輸送層5において、A−2に代えて、特許文献4に記載のETL−2を用いた以外は実施例−48と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
基板には、2mm幅の酸化インジウム−スズ(ITO)膜がストライプ状にパターンされたITO透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、酸素プラズマ洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面図を図2に示すような発光面積4mm2有機電界発光素子を作製した。
実施例−50の電子輸送層16において、B−2に代えて、実施例−40で合成したB−3を用いた以外は実施例−50と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
実施例−50の電子輸送層16において、B−2に代えて、実施例−41で合成したB−4を用いた以外は実施例−50と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
実施例−50の電子輸送層16において、B−2に代えて、実施例−42で合成したB−5を用いた以外は実施例−50と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
実施例−50の電子輸送層16において、B−2に代えて、実施例−43で合成したB−6を用いた以外は実施例−50と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
実施例−50の電子輸送層16において、B−2に代えて、ETL−3を用いた以外は実施例−50と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
基板には、2mm幅の酸化インジウム−スズ(ITO)膜がストライプ状にパターンされたITO透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、酸素プラズマ洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面図を図2に示すような発光面積4mm2有機電界発光素子を作製した。
実施例−55の電子輸送層16において、A−3に代えて、実施例−13で合成したA−13を用いた以外は実施例−55と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
実施例−55の電子輸送層16において、A−3に代えて、実施例−42で合成したB−5を用いた以外は実施例−55と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
実施例−55の電子輸送層16において、A−3に代えて、ETL−1を用いた以外は実施例−55と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
基板には、2mm幅の酸化インジウム−スズ(ITO)膜がストライプ状にパターンされたITO透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、酸素プラズマ洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面図を図2に示すような発光面積4mm2有機電界発光素子を作製した。
実施例−58の電子輸送層16において、A−12に代えて、実施例−16で合成したA−16を用いた以外は実施例−58と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
実施例−58の電子輸送層16において、A−12に代えて、実施例−18で合成したA−17を用いた以外は実施例−58と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
実施例−58の電子輸送層16において、A−12に代えて、実施例−19で合成したA−18を用いた以外は実施例−58と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
実施例−58の電子輸送層16において、A−12に代えて、実施例−20で合成したA−19を用いた以外は実施例−58と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
実施例−58の電子輸送層16において、A−12に代えて、実施例−21で合成したA−20を用いた以外は実施例−58と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
実施例−58の電子輸送層16において、A−12に代えて、実施例−24で合成したA−22を用いた以外は実施例−58と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
実施例−58の電子輸送層16において、A−12に代えて、合成例−21で合成したETL−4を用いた以外は実施例−58と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。
2.正孔注入層
3.正孔輸送層
4.発光層
5.電子輸送層
6.陰極層
11.ITO透明電極付きガラス基板
12.正孔注入層
13.第一正孔輸送層
14.第二正孔輸送層
15.発光層
16.電子輸送層
17.陰極層
Claims (17)
- 一般式(C)、又は(D)で表されることを特徴とする環状アジン化合物。
一般式(C)、及び(D)中、Ar1及びAr2は、各々独立して、炭素数6〜30の芳香族炭化水素基(各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar3は、各々独立して、炭素数6〜30のアリーレン基(フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar4は、各々独立して、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリジルフェニル基、又は1−(3,5−ジピリジル)フェニル基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)、又は一般式(A)で示される置換基を表す。
Y及びZは、各々独立して、窒素原子又はCHを表す。但し、Y及びZのうち少なくとも一方は窒素原子である。
nは、各々独立して、1〜7の整数を表す。)
Ar5は、各々独立して、(m+1)価の炭素数6〜30のアリール基(各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar6は、各々独立して、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリジルフェニル基、又は1−(3,5−ジピリジル)フェニル基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
mは、各々独立して、1〜[Ar5上に形成できる最大の結合数−1]の整数を表す。) - Ar4及びAr6が、各々独立してピリジル基(各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)であることを特徴とする、請求項1に記載の環状アジン化合物。
- Ar1及びAr2が、各々独立して、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、ターフェニル基、又はフェナントリル基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)である請求項1又は2に記載の環状アジン化合物。
- Ar1及びAr2が、各々独立して、フェニル基又はビフェニリル基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)である請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の環状アジン化合物。
- Ar1及びAr2が、各々独立して、フェニル基、メチルフェニル基、又はビフェニリル基である請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の環状アジン化合物。
- Ar3が、フェニレン基又はビフェニリレン基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)である請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の環状アジン化合物。
- Ar5が、各々独立して、(m+1)価のベンゼン基又は(m+1)価のビフェニル基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)である請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の環状アジン化合物。
- Y及びZが窒素原子である、又はYがCHでありZが窒素原子である、請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の環状アジン化合物。
- nが1、2、又は3であることを特徴とする、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の環状アジン化合物。
- mが1又は2であることを特徴とする、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の環状アジン化合物。
- 一般式(2)で示される化合物と、一般式(3)で示される化合物とを、金属触媒の存在下又は塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、請求項1に記載の環状アジン化合物の製造方法。
Czは(n+1)価のカルバゾール基、(n+1)価のα−カルボリン基、(n+1)価のγ−カルボリン基、又は(n+1)価のδ−カルボリン基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、フッ素原子を有する炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar1及びAr2は、各々独立して、炭素数6〜30の芳香族炭化水素基(各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar3は炭素数6〜30のアリーレン基(フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar4は、各々独立して、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリジルフェニル基、又は1−(3,5−ジピリジル)フェニル基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)、又は一般式(A)で示される置換基を表す。
Y及びZは、各々独立して、窒素原子又はCHを表す。但し、Y及びZのうち少なくとも一方は窒素原子である。
HNはCzにおける窒素原子上の水素原子を表す。
X1は脱離基を表す。
nは1〜[Cz上に形成できる最大の結合数−1]の整数を表す。)
Ar5は、各々独立して、(m+1)価の炭素数6〜30のアリール基(各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar6は、各々独立して、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリジルフェニル基、又は1−(3,5−ジピリジル)フェニル基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
mは、各々独立して、1〜[Ar5上に形成できる最大の結合数−1]の整数を表す。) - 一般式(4)で示される化合物と、一般式(5)で示される化合物とを、金属触媒の存在下又は塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、請求項1に記載の環状アジン化合物の製造方法。
Czは(n+1)価のカルバゾール基、(n+1)価のα−カルボリン基、(n+1)価のγ−カルボリン基、又は(n+1)価のδ−カルボリン基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、フッ素原子を有する炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar1及びAr2は、各々独立して、炭素数6〜30の芳香族炭化水素基(各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar3は炭素数6〜30のアリーレン基(フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar4は、各々独立して、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリジルフェニル基、又は1−(3,5−ジピリジル)フェニル基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)、又は一般式(A)で示される置換基を表す。
Y及びZは、各々独立して、窒素原子又はCHを表す。但し、Y及びZのうち少なくとも一方は窒素原子である。
M及びX2は脱離基を表す。
nは1〜[Cz上に形成できる最大の結合数−1]の整数を表す。)
Ar5は、各々独立して、(m+1)価の炭素数6〜30のアリール基(各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar6は、各々独立して、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリジルフェニル基、又は1−(3,5−ジピリジル)フェニル基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
mは、各々独立して、1〜[Ar5上に形成できる最大の結合数−1]の整数を表す。) - 一般式(6)で示される化合物と、一般式(7)で示される化合物とを、金属触媒の存在下又は塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、請求項1に記載の環状アジン化合物の製造方法。
Czは(n+1)価のカルバゾール基、(n+1)価のα−カルボリン基、(n+1)価のγ−カルボリン基、又は(n+1)価のδ−カルボリン基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、フッ素原子を有する炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar1及びAr2は、各々独立して、炭素数6〜30の芳香族炭化水素基(各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar3は炭素数6〜30のアリーレン基(フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar4は、各々独立して、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリジルフェニル基、又は1−(3,5−ジピリジル)フェニル基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)、又は一般式(A)で示される置換基を表す。
Y及びZは、各々独立して、窒素原子又はCHを表す。但し、Y及びZのうち少なくとも一方は窒素原子である。
HNはCzにおける窒素原子上の水素原子を表す。
X3は脱離基を表す。
nは1である)
Ar5は、各々独立して、(m+1)価の炭素数6〜30のアリール基(各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar6は、各々独立して、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリジルフェニル基、又は1−(3,5−ジピリジル)フェニル基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
mは、各々独立して、1〜[Ar5上に形成できる最大の結合数−1]の整数を表す。) - 一般式(8)で示される化合物と、一般式(9)で示される化合物とを、金属触媒の存在下又は塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、請求項1に記載の環状アジン化合物の製造方法。
Czは(n+1)価のカルバゾール基、(n+1)価のα−カルボリン基、(n+1)価のγ−カルボリン基、又は(n+1)価のδ−カルボリン基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、フッ素原子を有する炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar1及びAr2は、各々独立して、炭素数6〜30の芳香族炭化水素基(各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar3は炭素数6〜30のアリーレン基(フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar4は、各々独立して、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリジルフェニル基、又は1−(3,5−ジピリジル)フェニル基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)、又は一般式(A)で示される置換基を表す。
Y及びZは、各々独立して、窒素原子又はCHを表す。但し、Y及びZのうち少なくとも一方は窒素原子である。
M及びX4は脱離基を表す。
nは1〜[Cz上に形成できる最大の結合数−1]の整数を表す。)
Ar5は、各々独立して、(m+1)価の炭素数6〜30のアリール基(各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
Ar6は、各々独立して、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリジルフェニル基、又は1−(3,5−ジピリジル)フェニル基(これらの基は、各々独立して、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数3〜18の芳香族基、フッ素原子を有する炭素数3〜18の芳香族基、又は炭素数1〜4のアルキル基が置換した炭素数3〜18の芳香族基を置換基として有してもよい)を表す。
mは、各々独立して、1〜[Ar5上に形成できる最大の結合数−1]の整数を表す。) - 請求項1に記載の環状アジン化合物を含んでなる有機電界発光素子。
- 請求項1に記載の環状アジン化合物を、正孔ブロック層、電子輸送層、又は電子注入層のいずれかに含むことを特徴とする、請求項15に記載の有機電界発光素子。
- 請求項1に記載の環状アジン化合物を電子輸送層に用いることを特徴とする、有機電界発光素子の長寿命化方法。
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