JP6052633B2 - ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンを有する金属錯体 - Google Patents

Description

本発明は、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンを有するエレクトロルミネッセンス金属錯体、その製造方法、当該金属錯体を含む電子デバイス、並びに、電子デバイス、特に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）におけるその使用に関する。ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンを有する金属錯体は、高い発光効率、優れた蒸発性、熱安定性、加工安定性、高い電荷担体移動度、低いターンオン電圧、並びに発光色の高温安定性を示す。

ＪＰ２００５２９８４８３号には、発光素子として使用可能であり、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、エレクトロケミルミネッセンス（ＥＣＬ）素子材料、ルミネッセンスセンサ、光増感剤、ディスプレイなどとしても好適な、例えば

などのイリジウム錯体、その製造方法及び発光材料が記載されている。

ＫＲ２００６００７９６２５号は、例えば

などの燐光赤色発光イリジウム錯体、及びこれを含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する。

Z. Liu et al., Adv. Funct. Mat. 2006, 16, 1441には、錯体

［式中、
Ｒ¹はｔ−ブチルであり、かつＲ²は

であるか、又は、Ｒ¹はｔ−ブチルであり、かつＲ²は

である］
の、高効率の非ドープ有機発光ダイオードへの使用が記載されている。

J.-P. Duan et al., Adv. Mat. 2003, 15, 224には、ＯＬＥＤにおける橙赤色発光体としての、錯体

の使用が記載されている。

ＫＲ２００６００３６６７０号は、燐光イリジウム錯体、及びこれを含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する。以下の燐光イリジウム錯体

が明確に開示されている。

ＫＲ２００６００７９６２５号は、式

［式中、
Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₆、Ｒ₇及びＲ₈は、無関係に、Ｈ、ハロゲン原子、カルボキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、Ｃ₁−Ｃ₆アルキル基、Ｃ₆−Ｃ₁₈アリール基、Ｃ₁−Ｃ₆アルコキシ基、又は例えばＳもしくはＮといったヘテロ原子を含むＣ₄−Ｃ₆ヘテロ環であるか、又は、Ｒ₂とＲ₃とが融合して芳香環を形成することができ；Ｒ₄及びＲ₅は、無関係に、Ｈ、Ｃ₁−Ｃ₆アルキル基、Ｃ₁−Ｃ₆ハロアルキル基、Ｃ₆−Ｃ₁₈アリール基、Ｃ₄−Ｃ₁₂複素環、アルキル基もしくはアリール基で置換されたアミノ基、Ｃ₁−Ｃ₆アルコキシ基、シアノ基、又はニトロ基であり；かつ、Ｘは、ＣＨ又はＮである（請求項１）］
で示されるイリジウム錯体、及び式（１）の金属錯体を含むＯＬＥＤデバイスに関する。

ＥＰ１９３９２０８Ａ１号は、一般式

［式中、
Ａｒは、６〜２５個の炭素原子を有するアリール基を表し；
Ａ¹は、水素、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基、及び１〜４個の炭素原子を有するアルコキシ基のうちのいずれか１つを表し；
Ａ²〜Ａ⁸はそれぞれ、水素、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基、１〜４個の炭素原子を有するアルコキシ基、及びハロゲン基のうちのいずれか１つを表し；
Ｍ₁₀は、第９族元素及び第１０族元素の金属を表し；
Ｌ₁₀は、モノアニオン配位子を表し；かつ
ｕは、金属が第９族元素である場合は２であり、金属が第１０族元素である場合は１である］
で示される構造を有する有機金属錯体に関する。

ＷＯ２００９０６９５３５号は、第１電極と第２電極との間に発光層を含む発光素子に関し、その際、この発光層は、正孔輸送特性を有する第１の有機化合物、電子輸送特性を有する第２の有機化合物、及び有機金属錯体を含んでおり、この有機金属錯体の配位子は、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格、特に２−アリールジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン誘導体を有しており、また、この有機金属錯体の中心金属は第９族元素又は第１０族元素である。

ＷＯ２００９１５７４９８号は、式

［式中、
Ｒ¹〜Ｒ¹³は、水素、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基、又は１〜４個の炭素原子を有するアルコキシ基のうちのいずれかを表し；
Ｍは、第９族元素又は第１０族元素から選択された中心金属を表し；
Ｌ₁₀は、モノアニオン配位子を表し；かつ
ｕは、中心金属が第９族元素である場合は２であり、中心金属が第１０族元素である場合は１である］
の金属錯体、及び発光デバイスにおけるその使用に関する。

ＷＯ２００９１００９９１号は、式

の金属錯体、及びＯＬＥＤにおけるその使用に関する。そのうち、式

［式中、
Ｒ¹はＣ₂−Ｃ₁₀アルキルであり、Ｒ²はＨ又はＣＨ₃であり、かつＬは

である］
の化合物が好ましい。

ＷＯ２００５０４９７６２号は、少なくとも基板、アノード、発光層及びカソードを含む発光デバイスに関し、その際、この発光層はイリジウム錯体ＩｒＬ₃を含み、かつ少なくとも２つの配位子Ｌがジベンゾキノリンである。ＷＯ２００５０４９７６２号は、特に、それぞれλ_max＝５４５ｎｍ及びλ_max＝５９５ｎｍの波長で発光する錯体Ｉｒ（ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン）₂（ペンタン−２，４−ジオナート）及びＩｒ（ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン）₃：

に関する。

しかしながら、改善された性能を有する、例えば高い発光効率、優れた蒸発性、熱安定性、加工安定性、高い電荷担体移動度、低いターンオン電圧及び発光色の高温安定性を有する化合物を有するエレクトロルミネッセンス化合物、特に橙色又は赤色の発光体が、依然として必要とされている。

意想外にも、式Ｉ［式中、Ｒ³及びＲ⁸はＣ₁−Ｃ₈アルキルである］の化合物が、例えば発光の緑色部分の狭帯域化により、従来技術から公知である式Ｉ［式中、Ｒ³及びＲ⁸がＨである］の化合物よりも狭い発光の半値全幅（ＦＷＨＭ）を示すことが判明した。式Ｉ［式中、Ｒ¹は分岐鎖Ｃ₁−Ｃ₈アルキルである］の化合物は、さらに狭い発光の半値全幅を示す。意想外にも、式Ｉの化合物は、適当な位置にアルキル基を導入することのみによって、有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）における発光体として使用される場合に、発光のＦＷＨＭが狭いことに基づいて、より濃い橙色ないし赤色の色度座標（ＣＩＥ ｘ、ｙ）を有するより飽和度の高い橙色ないし赤色の発光を示す。さらに、アルキル置換基は、蒸発温度、溶解性、エネルギーレベル、デバイス効率等に関して幅広い調整可能性を提供するため、特に重要である。さらに、アルキル基は、官能基として化学的に安定であり、また好適に適用された場合にはデバイスの作動において安定である。

従って、本発明は、式

［式中、
Ｒ¹は、Ｈであるか、Ｃ₁−Ｃ₈アルキルもしくはＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキルで置換されていてもよいＣ₃−Ｃ₈シクロアルキルであるか；又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであるか、又は、
Ｒ¹は、式

の基であり、
Ｒ²は、Ｈ、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであるか、又は、
Ｒ¹及びＲ²は一緒になって、１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈アルキルで及び／又は１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキルで置換されていてもよい環−（ＣＨ₂）₃−を形成しているか、又は、１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈アルキルで及び／又は１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキルで置換されていてもよい環−（ＣＨ₂）₄−を形成しており、
Ｒ³及びＲ⁸は、互いに無関係に、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、−Ｓｉ（Ｃ₁−Ｃ₈アルキル）₃、又はＣ₃−Ｃ₈シクロアルキルであり、
ｎ１は、０、又は１〜５の整数であり、ｎ２は、０、又は１〜３の整数であり、ｎ３は、０、又は１〜４の整数であり、
Ｙは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ³⁰−、又は−ＣＲ³¹Ｒ³²−であり；
Ｒ⁴は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、シクロヘキシル、Ｆ、Ｃ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキル、又はＮＲ⁷Ｒ⁹であり、
Ｒ^4'は、Ｈ、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、シクロヘキシル、又はＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキル、特にＨ、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、又はＣＦ₃であり、特にＨ、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであり、
Ｒ⁵及びＲ⁶は、互いに無関係に、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、又はシクロヘキシルであり；
Ｒ⁷及びＲ⁹は、互いに無関係に、式

の基であり、
Ｒ¹¹¹、Ｒ^11’及びＲ^11’’は、互いに無関係に、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、又はＣ₁−Ｃ₈アルコキシであるか；又は、
Ｒ⁷及びＲ⁹は、これらのＲ⁷及びＲ⁹が結合している窒素原子と一緒になって、式

の基を形成しており、
ｍ’は、０、１又は２であり；
Ｒ¹⁰は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、又はＣ₃−Ｃ₈シクロアルキルであり、
Ｒ³⁰は、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキル；式

の基であり、
ｐ１は、０、又は１〜３の整数であり、ｐ２は、０、又は１〜２の整数であり、ｐ３は、０、又は１〜２の整数であり、
Ｒ³¹及びＲ³²は、互いに無関係に、水素であるか、Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキルであるか、Ｃ₇−Ｃ₂₅アリールアルキルであるか、又はＣ₁−Ｃ₈アルキル及び／又はＣ₁−Ｃ₈アルコキシで１〜３回置換されていてもよいフェニル基であり、
ｍ’’は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、０、１、２又は３であり；
Ｍは、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ又はＲｅであり、
Ｌは、単座配位子、又は二座配位子であり、
Ｌが単座配位子である場合に、
ＭがＰｄ又はＰｔである場合、ｍは０又は２であり、ｎは１又は２であり、
ＭがＲｈ、Ｉｒ又はＲｅである場合、ｍは０、２又は４であり、ｎは１、２又は３であり、
Ｌが二座配位子である場合に、
ＭがＰｄ又はＰｔである場合、ｍは０又は１であり、ｎは１又は２であり、
ＭがＲｈ、Ｉｒ又はＲｅである場合、ｍは０、１又は２であり、ｎは１、２又は３である］
の化合物（金属錯体）に関する。

本発明の化合物は、約５８０ｎｍを上回る、特に約６１０ｎｍを上回る、極めて特に約６１５ｎｍを上回るλ_maxを有する、好ましくは橙色又は赤色の発光体である。ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン化合物は、約（０．６２、０．３８）〜約（０．６８、０．３２）の色座標（ＣＩＥ ｘ、ｙ）、特に約（０．６３、０．３７）〜約（０．６８、０．３２）の色座標、極めて特に約（０．６４、０．３６）〜約（０．６８、０．３２）の色座標を有することが好ましい。

ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンを有する金属錯体は、高い発光効率、優れた蒸発性、熱安定性、加工安定性、高い電荷担体移動度、低いターンオン電圧、及び発光色の高温安定性を示す。

図１は、波長の関数としての、化合物ＣＣ−１及びＡ−１７のＥＬ強度のプロットを示す。

図２は、波長の関数としての、化合物ＣＣ−３及びＡ−７９のＥＬ強度のプロットを示す。

本発明によれば、金属錯体は、少なくとも１つのジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン配位子を含み、即ち、２つ又は３つのジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン配位子を含むことができる。「配位子」という用語は、金属イオンの配位圏に結合した、分子、イオン、又は原子を意図している。「錯体」という用語は、名詞として使用される場合、少なくとも１つの金属イオンと少なくとも１つの配位子とを有する化合物を意図している。「基」という用語は、例えば有機化合物中の置換基や錯体中の配位子といった、化合物の一部を意図している。「フェイシャル」という用語は、八面体の形状を有する錯体Ｍａ₃ｂ₃の異性体の１つであって、３つの「ａ」基が全て近傍に位置しており、即ち、八面体の三角形の１つの面の頂点にあるものを意図している。「メリジオナル」という用語は、八面体の形状を有する錯体Ｍａ₃ｂ₃の異性体の１つであって、３つの「ａ」基が３つの位置を占める際に２つが互いにトランス位となっており、即ち、３つの「ａ」基が同一平面上の３つの位置を占めて、配位圏を横切る弧を形成しており、これを経線とみなすことのできるものを意図している。「近傍の」という語句は、デバイス中の層を指すのに用いられる場合には、必ずしも、ある層が別の層の直に隣接していることを意味するわけではない。

本発明の金属錯体は、少なくとも１つの配位子がジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン化合物から誘導されることを特徴とする。好適なジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン又はその中間体は、公知であるか、又は公知の手順に従って製造することができる。好適なジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン及びその中間体の合成は、例えばJ.-P. Duan et al., Adv. Mat. 2003, 15, 224、ＷＯ２００６／０９７４１９号、及びＷＯ２００８０３１７４３Ａ１号、並びにその中で引用されている参照文献に記載されている。

化合物は、好ましくは以下の構造式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）、（ＶＩａ）、（ＶＩｂ）又は（ＶＩｃ）：

［式中、
Ｍ²は、Ｒｈ、Ｉｒ又はＲｅであり、
Ｍ⁴は、Ｐｄ又はＰｔであり、
Ｌは、二座配位子であり、
Ｌ’’’は、単座配位子であり、
Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁸は、上に定義されている通りである］
を有している。さらに好ましいものは、式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）、（ＶＩａ）、（ＶＩｂ）又は（ＶＩｃ）［式中、Ｒ²はＨである］の化合物である。

金属Ｍは、Ｉｒ、Ｒｈ及びＲｅ、並びにＰｔ及びＰｄから選択され、その際、Ｐｔ及びＩｒが好ましく、Ｉｒが最も好ましい。

好ましい一実施態様において、Ｒ¹は、１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈アルキルで及び／又は１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキルで置換されていてもよいＣ₃−Ｃ₈シクロアルキルであるか；又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであるか、又は、Ｒ¹及びＲ²が一緒になって、１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈アルキルで及び／又は１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキルで置換されていてもよい環−（ＣＨ₂）₃−を形成しているか、又は、１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈アルキルで及び／又は１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキルで置換されていてもよい環−（ＣＨ₂）₄−を形成している。Ｒ²は、好ましくはＨである。さらに好ましくは、Ｒ¹は、Ｃ₃−Ｃ₈シクロアルキル、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであり、Ｒ²は、Ｈであるか；又は、Ｒ¹及びＲ²は一緒になって、環−（ＣＨ₂）₄−を形成している。最も好ましくは、Ｒ¹は、Ｃ₃−Ｃ₈シクロアルキル、又はＣ₁−Ｃ₅アルキルであり、例えばメチル、エチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、又はネオペンチルである。Ｒ²は、好ましくはＨである。

他の好ましい実施態様において、Ｒ¹は、式

の基であり、
Ｒ⁴は、Ｈ、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、シクロヘキシル、Ｆ、Ｃ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキル、又はＮＲ⁷Ｒ⁹であり、特にＣ₁−Ｃ₈アルキル、ＣＦ₃、又はＮＲ⁷Ｒ⁹であり、さらに特にＣＦ₃、ＮＲ⁷Ｒ⁹であり、極めて特にＮＲ⁷Ｒ⁹であり、
Ｒ⁵及びＲ⁶は、互いに無関係に、Ｈ、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、特にＨ、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであり；
Ｒ^4''は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、シクロヘキシル、Ｆ、Ｃ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキル、ＮＲ⁷Ｒ⁹、特にＣ₁−Ｃ₈アルキル、又はＣＦ₃、ＮＲ⁷Ｒ⁹であり、さらに特にＣ₁−Ｃ₈アルキル、又はＣＦ₃であり、極めて特にＣ₁−Ｃ₈アルキルであり、
Ｒ⁷及びＲ⁹は、互いに無関係に、

であるか；又は、
Ｒ⁷及びＲ⁹は、これらのＲ⁷及びＲ⁹が結合している窒素原子と一緒になって、式

の基を形成しており；
Ｒ¹⁰は、Ｈ、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであり、
Ｒ²は、Ｈである。

他の好ましい実施態様において、Ｒ¹は、式

［式中、
Ｒ^4'は、Ｈ、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、シクロヘキシル、又はＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキル、特にＨ、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、又はＣＦ₃であり、極めて特にＨ、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルである］
の基である。

Ｒ¹が、式

の基である場合、式

の基が好ましく、式

の基がさらに好ましい。

Ｒ¹についての上記の好ましい実施態様に関して、以下の好ましいＲ²、Ｒ³、Ｒ⁸、Ｌ及びＭが適用される：
Ｍは、好ましくはＰｔ及びＩｒであり、さらに好ましくはＩｒである。

Ｌは、好ましくは式

の基であり、さらに好ましくは

である。

Ｒ²は、好ましくはＨである。

Ｒ³及びＲ⁸は、好ましくはＣ₁−Ｃ₈アルキル、Ｓｉ（Ｃ₁−Ｃ₄アルキル）₃、又はＣ₃−Ｃ₆シクロアルキルである。

Ｒ³及びＲ⁸がシクロアルキル基を表す場合、これらは好ましくは、シクロプロピル、シクロブチル、又はシクロペンチルである。

Ｒ³及びＲ⁸がトリアルキルシリル基を表す場合、これらは好ましくはトリメチルシリルである。

Ｒ³及びＲ⁸がＣ₁−Ｃ₈アルキル基を表す場合、これらは好ましくは、Ｃ₁−Ｃ₅アルキルであり、特にメチル、エチル、イソブチル、又はネオペンチルである。

単座配位子は、好ましくはモノアニオン性である。このような配位子は、配位原子としてＯ又はＳを有し、配位基としては、アルコキシド、カルボキシラート、チオカルボキシラート、ジチオカルボキシラート、スルホナート、チオラート、カルバマート、ジチオカルバマート、チオカルバゾンアニオン、スルホンアミドアニオンなどを有することができる。β−エノラートなどの配位子が単座配位子として作用する場合もある。また、単座配位子は、ハロゲン化物、ニトラート、スルファート、ヘキサハロアンチモナートなどの配位アニオンであってもよい。好適な単座配位子の例を以下に示す：

単座配位子は一般に市販されている。

本発明の好ましい一実施態様において、配位子は（モノアニオン性の）二座配位子である。一般に、この配位子は配位原子としてＮ、Ｏ、Ｐ又はＳを有し、イリジウムに配位した場合に五員環又は六員環を形成する。好適な配位基には、アミノ、イミノ、アミド、アルコキシド、カルボキシラート、ホスフィノ、チオラートなどが含まれる。これらの配位子の好適な親化合物の例には、β−ジカルボニル（β−エノラート配位子）及びそのＮ及びＳ類似体；アミノカルボン酸（アミノカルボキシラート配位子）；ピリジンカルボン酸（イミノカルボキシラート配位子）；サリチル酸誘導体（サリチラート配位子）；ヒドロキシキノリン（ヒドロキシキノリナート配位子）及びそのＳ類似体；並びにジアリールホスフィノアルカノール（ジアリールホスフィノアルコキシド配位子）が含まれる。

このような二座配位子Ｌの例は、

であり、ここで、
Ｒ¹¹及びＲ¹⁵は、互いに無関係に、水素であるか、Ｃ₁−Ｃ₈アルキルであるか、Ｃ₁−Ｃ₈アルキルで置換されていてもよいＣ₆−Ｃ₁₈アリールであるか；Ｃ₁−Ｃ₈アルキルもしくはフェニルで置換されていてもよいシクロペンチルであるか；Ｃ₁−Ｃ₈アルキルもしくはフェニルで置換されていてもよいシクロヘキシルであるか；Ｃ₂−Ｃ₁₀ヘテロアリールであるか、又はＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキルであり、
Ｒ¹²及びＲ¹⁶は、互いに無関係に、水素、Ｃ₆−Ｃ₁₈アリール、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであるか、又は、
Ｒ¹²は、式

の基であり、
Ｒ¹³及びＲ¹⁷は、互いに無関係に、水素、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₈アリール、Ｃ₂−Ｃ₁₀ヘテロアリール、Ｃ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキル、又はＣ₁−Ｃ₈アルコキシであり、
Ｒ¹⁴は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₀アリール、又はＣ₇−Ｃ₁₁アラルキルであり、
Ｒ¹⁸は、Ｃ₆−Ｃ₁₀アリールであり、
Ｒ¹⁹は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、Ｃ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキルであり、
Ｒ²⁰は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、又はＣ₆−Ｃ₁₀アリールであり、
Ｒ²¹は、水素であるか、部分的もしくは完全にフッ素化されていてよいＣ₁−Ｃ₈アルキルであるか、又は部分的もしくは完全にフッ素化されていてよいＣ₁−Ｃ₈アルコキシであり、
Ｒ²²及びＲ²³は、互いに無関係に、Ｃ_q（Ｈ＋Ｆ）_2q+1、又はＣ₆（Ｈ＋Ｆ）₅であり、
Ｒ²⁴は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、Ｈ、又はＣ_q（Ｈ＋Ｆ）_2q+1から選択されており、
ｑは、１〜２４の整数であり、ｐは、２又は３であり、
Ｒ⁴⁶は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキルであるか、Ｃ₆−Ｃ₁₈アリールであるか、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルで置換されているＣ₆−Ｃ₁₈アリールである。

好適なホスフィノアルコキシド配位子

の例を以下に列挙する：
３−（ジフェニルホスフィノ）−１−オキシプロパン［ｄｐｐＯ］、
１，１−ビス（トリフルオロメチル）−２−（ジフェニルホスフィノ）−エトキシド［ｔｆｍｄｐｅＯ］。

そこから配位子Ｌを誘導するのに特に好適な化合物ＨＬ

の例には、

が含まれる。

ヒドロキシキノリン親化合物ＨＬは、部分的もしくは完全にフッ素化されていてよいアルキル又はアルコキシ基などの基で置換されていてよい。一般に、これらの化合物は市販されている。好適なヒドロキシキノリナート配位子Ｌの例には、以下のものが含まれる：
８−ヒドロキシキノリナート［８ｈｑ］、
２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート［Ｍｅ−８ｈｑ］、
１０−ヒドロキシベンゾキノリナート［１０−ｈｂｑ］。

本発明のさらなる一実施態様において、二座配位子Ｌは、式

［式中、
環Ａ

は、ヘテロ原子を含んでいてよい置換されていてもよいアリール基を表し、
環Ｂ

は、さらなるヘテロ原子を含んでいてよい置換されていてもよい含窒素アリール基を表すか、又は、
環Ａは、この環Ａに結合している環Ｂと共に、一つの環を形成していてよい］
の配位子である。

好ましい環Ａには、フェニル基、置換フェニル基、ナフチル基、置換ナフチル基、フリル基、置換フリル基、ベンゾフリル基、置換ベンゾフリル基、チエニル基、置換チエニル基、ベンゾチエニル基、置換ベンゾチエニル基などが含まれる。置換フェニル基、置換ナフチル基、置換フリル基、置換ベンゾフリル基、置換チエニル基、及び置換ベンゾチエニル基の置換基には、Ｃ₁−Ｃ₂₄アルキル基、Ｃ₂−Ｃ₂₄アルケニル基、Ｃ₂−Ｃ₂₄アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ₁−Ｃ₂₄アルコキシ基、Ｃ₁−Ｃ₂₄アルキルチオ基、シアノ基、Ｃ₂−Ｃ₂₄アシル基、Ｃ₁−Ｃ₂₄アルキルオキシカルボニル基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルキレンジオキシ基などが含まれる。

前記実施態様において、二座配位子

は、好ましくは式

［式中、
Ｒ²¹¹、Ｒ²¹²、Ｒ²¹³及びＲ²¹⁴は、互いに無関係に、水素、Ｃ₁−Ｃ₂₄アルキル、Ｃ₂−Ｃ₂₄アルケニル、Ｃ₂−Ｃ₂₄アルキニル、アリール、ヘテロアリール、Ｃ₁−Ｃ₂₄アルコキシ、Ｃ₁−Ｃ₂₄アルキルチオ、シアノ、アシル、アルキルオキシカルボニル、ニトロ基、又はハロゲン原子であり；
環Ａは、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよいヘテロアリール基であるか；又は、
環Ａは、この環Ａに結合しているピリジル基と共に一つの環を形成していてよく；
Ｒ²¹¹、Ｒ²¹²、Ｒ²¹³、及びＲ²¹⁴が示すアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アシル基、及びアルキルオキシカルボニル基は、置換されていてよいか；又は、
Ｒ²¹³及びＲ²¹⁴、又はＲ²¹²及びＲ²¹³は、式

の基であり、ここで、
Ａ⁴¹、Ａ⁴²、Ａ⁴³、Ａ⁴⁴、Ａ⁴⁵、及びＡ⁴⁶は、上に定義されている通りである］
の基である。

このような二座配位子Ｌの好ましい種類の例は、式

［式中、
Ｙは、Ｓ、Ｏ、ＮＲ²⁰⁰であり、ここで、
Ｒ²⁰⁰は、Ｃ₁−Ｃ₄アルキル、Ｃ₂−Ｃ₄アルケニル、置換されていてもよいＣ₆−Ｃ₁₀アリール、特にフェニル、−（ＣＨ₂）_r−Ａｒ（ここで、Ａｒは、置換されていてもよいＣ₆−Ｃ₁₀アリール、特に

である）、基−（ＣＨ₂）_r’Ｘ²⁰（ここで、ｒ’は１〜５の整数であり、Ｘ²⁰はハロゲン、特にＦ又はＣｌである）；ヒドロキシ、シアノ、−Ｏ−Ｃ₁−Ｃ₄アルキル、ジ（Ｃ₁−Ｃ₄アルキル）アミノ、アミノ、又はシアノ；基−（ＣＨ₂）_rＯＣ（Ｏ）（ＣＨ₂）_r’’ＣＨ₃（ここで、ｒは１又は２であり、ｒ’’は０又は１である）；

−ＮＨ−Ｐｈ、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ₃、−ＣＨ₂−Ｏ−（ＣＨ₂）₂−Ｓｉ（ＣＨ₃）₃、又は

である］
の化合物である。

配位子Ｌの他の好ましい種類はＷＯ０６／０００５４４号に記載されており、そのうち以下のものを本発明により有利に使用することができる：

ここで、
Ｑ¹及びＱ²は、互いに無関係に、水素、Ｃ₁−Ｃ₂₄アルキル、又はＣ₆−Ｃ₁₈アリールであり、
Ａ^21’は、水素であり、
Ａ^22’は、水素、又はＣ₆−Ｃ₁₀アリールであり、
Ａ^23’は、水素、又はＣ₆−Ｃ₁₀アリールであり、
Ａ^24’は、水素であるか、又は、
Ａ^23’及びＡ^24’、又はＡ^23’及びＡ^24’は、一緒になって、基

を形成し、ここで、Ｒ^205’、Ｒ^206’、Ｒ^207’及びＲ^208’は、互いに無関係に、Ｈ、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであり、
Ｒ^42’は、Ｈ、Ｆ、Ｃ₁−Ｃ₄アルキル、Ｃ₁−Ｃ₈アルコキシ、又はＣ₁−Ｃ₄ペルフルオロアルキルであり、
Ｒ^43’は、Ｈ、Ｆ、Ｃ₁−Ｃ₄アルキル、Ｃ₁−Ｃ₈アルコキシ、Ｃ₁−Ｃ₄ペルフルオロアルキル、又はＣ₆−Ｃ₁₀アリールであり、
Ｒ^44’は、Ｈ、Ｆ、Ｃ₁−Ｃ₄アルキル、Ｃ₁−Ｃ₈アルコキシ、又はＣ₁−Ｃ₄ペルフルオロアルキルであり、
Ｒ^45’は、Ｈ、Ｆ、Ｃ₁−Ｃ₄アルキル、Ｃ₁−Ｃ₈アルコキシ、又はＣ₁−Ｃ₄ペルフルオロアルキルである。

二座配位子Ｌの他の好ましい種類は、式

［式中、
Ｒ²¹⁴は、水素、ハロゲン、特にＦ、又はＣｌ；Ｃ₁−Ｃ₄アルキル、Ｃ₁−Ｃ₄ペルフルオロアルキル、Ｃ₁−Ｃ₄アルコキシ、又は置換されていてもよいＣ₆−Ｃ₁₀アリール、特にフェニルであり、
Ｒ²¹⁵は、水素、ハロゲン、特にＦ、又はＣｌ；Ｃ₁−Ｃ₄アルキル、Ｃ₁−Ｃ₄ペルフルオロアルキル、置換されていてもよいＣ₆−Ｃ₁₀アリール、特にフェニル、又は置換されていてもよいＣ₆−Ｃ₁₀ペルフルオロアリール、特にＣ₆Ｆ₅であり、
Ｒ²¹⁶は、水素、Ｃ₁−Ｃ₄アルキル、Ｃ₁−Ｃ₄ペルフルオロアルキル、置換されていてもよいＣ₆−Ｃ₁₀アリール、特にフェニル、又は置換されていてもよいＣ₆−Ｃ₁₀ペルフルオロアリール、特にＣ₆Ｆ₅であり、
Ｒ²¹⁷は、水素、ハロゲン、特にＦ、又はＣｌ；ニトロ、シアノ、Ｃ₁−Ｃ₄アルキル、Ｃ₁−Ｃ₄ペルフルオロアルキル、Ｃ₁−Ｃ₄アルコキシ、又は置換されていてもよいＣ₆−Ｃ₁₀アリール、特にフェニルであり、
Ｒ²¹⁰は、水素であり、
Ｒ²¹¹は、水素、ハロゲン、特にＦ、又はＣｌ；ニトロ、シアノ、Ｃ₁−Ｃ₄アルキル、Ｃ₁−Ｃ₄アルコキシ、Ｃ₂−Ｃ₄アルケニル、Ｃ₁−Ｃ₄ペルフルオロアルキル、−Ｏ−Ｃ₁−Ｃ₄ペルフルオロアルキル、トリ（Ｃ₁−Ｃ₄アルキル）シラニル、特にトリ（メチル）シラニル、置換されていてもよいＣ₆−Ｃ₁₀アリール、特にフェニル、又は置換されていてもよいＣ₆−Ｃ₁₀ペルフルオロアリール、特にＣ₆Ｆ₅であり、
Ｒ²¹²は、水素、ハロゲン、特にＦ、又はＣｌ；ニトロ、ヒドロキシ、メルカプト、アミノ、Ｃ₁−Ｃ₄アルキル、Ｃ₂−Ｃ₄アルケニル、Ｃ₁−Ｃ₄ペルフルオロアルキル、Ｃ₁−Ｃ₄アルコキシ、−Ｏ−Ｃ₁−Ｃ₄ペルフルオロアルキル、−Ｓ−Ｃ₁−Ｃ₄アルキル、トリ（Ｃ₁−Ｃ₄アルキル）シロキサニル、置換されていてもよい−Ｏ−Ｃ₆−Ｃ₁₀アリール、特にフェノキシ、シクロヘキシル、置換されていてもよいＣ₆−Ｃ₁₀アリール、特にフェニル、又は置換されていてもよいＣ₆−Ｃ₁₀ペルフルオロアリール、特にＣ₆Ｆ₅であり、
Ｒ²¹³は、水素、ニトロ、シアノ、Ｃ₁−Ｃ₄アルキル、Ｃ₂−Ｃ₄アルケニル、Ｃ₁−Ｃ₄ペルフルオロアルキル、−Ｏ−Ｃ₁−Ｃ₄ペルフルオロアルキル、トリ（Ｃ₁−Ｃ₄アルキル）シラニル、又は置換されていてもよいＣ₆−Ｃ₁₀アリール、特にフェニルである］
の化合物である。

二座配位子Ｌの具体例は、以下の化合物（Ｘ−１）〜（Ｘ−５７）である：

金属錯体（Ｌ^a）₂ＩｒＬ’の場合、三つの異性体が存在し得る。

場合によっては、異性体の混合物が得られる。混合物は、個々の異性体を単離せずに使用できることが多い。異性体の分離は、A. B. Tamayo et al., J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 7377-7387に記載されているような慣用法により行うことができる。

目下最も好ましい配位子Ｌを、以下に列挙する：

好ましい一実施態様において、本発明は、式

［式中、
Ｍ²は、イリジウムであり、
Ｒ¹は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキルであり、
Ｒ²は、Ｈであるか；又は、
Ｒ¹及びＲ²は一緒になって、１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈アルキルで置換されていてもよい環−（ＣＨ₂）₃−を形成しているか、又は、１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈アルキルで置換されていてもよい環−（ＣＨ₂）₄−を形成しており、
Ｒ³及びＲ⁸は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、−Ｓｉ（Ｃ₁−Ｃ₄アルキル）₃、又はＣ₃−Ｃ₆シクロアルキルであり、
Ｌは、

である］
の化合物に関する。Ｒ¹及びＲ²が一緒になって、環−（ＣＨ₂）₄−を形成していることが好ましい。

他の好ましい実施態様において、本発明は、式

［式中、
Ｍ²は、イリジウムであり、
Ｒ¹は、式

の基であり、
Ｒ²は、Ｈであり；
Ｒ⁴は、シクロヘキシル、Ｆ、特にＣ₁−Ｃ₈アルキル、ＣＦ₃、又はＮＲ⁷Ｒ⁹であり、
Ｒ^4''は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、又はＣＦ₃であり、
Ｒ⁷及びＲ⁹は、互いに無関係に、

であるか；又は、
Ｒ⁷及びＲ⁹は、これらのＲ⁷及びＲ⁹が結合している窒素原子と一緒になって、式

の基を形成しており、
Ｒ¹⁰は、Ｈ、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであり、
Ｒ³及びＲ⁸は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、−Ｓｉ（Ｃ₁−Ｃ₄アルキル）₃、又はＣ₃−Ｃ₆シクロアルキルであり；かつ
Ｌは、

である］
の化合物に関する。

他の好ましい実施態様において、本発明は、式

［式中、
Ｍ²は、イリジウムであり、
Ｒ¹は、式

の基であり、
Ｒ⁴は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、又はＣＦ₃であり、
Ｒ^4''は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキルであり、
Ｒ²は、Ｈであり、
Ｒ³及びＲ⁸は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、−Ｓｉ（Ｃ₁−Ｃ₄アルキル）₃、又はＣ₃−Ｃ₆シクロアルキルであり；かつ
Ｌは、

である］
の化合物に関する。

他の好ましい実施態様において、本発明は、式

［式中、
Ｍ²は、イリジウムであり、
Ｒ¹は、式

の基であり、
Ｒ⁴は、ＮＲ⁷Ｒ⁹であり、
Ｒ⁷及びＲ⁹は、互いに無関係に、

であるか；又は、
Ｒ⁷及びＲ⁹は、これらのＲ⁷及びＲ⁹が結合している窒素原子と一緒になって、式

の基を形成しており；
Ｒ¹⁰は、Ｈ、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであり、
Ｒ²は、Ｈであり；
Ｒ³及びＲ⁸は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、−Ｓｉ（Ｃ₁−Ｃ₄アルキル）₃、又はＣ₃−Ｃ₆シクロアルキルであり；かつ
Ｌは、

である］
の化合物に関する。

他の好ましい実施態様において、本発明は、式

［式中、
Ｍ²は、イリジウムであり、
Ｒ¹は、式

の基であり、
Ｒ⁴は、ＣＦ₃であり、
Ｒ²は、Ｈであり、
Ｒ³及びＲ⁸は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、−Ｓｉ（Ｃ₁−Ｃ₄アルキル）₃、又はＣ₃−Ｃ₆シクロアルキルであり；かつ
Ｌは、

である］
の化合物に関する。

他の好ましい実施態様において、本発明は、式

［式中、
Ｍ²は、イリジウムであり、
Ｒ¹は、式

の基であり、
Ｒ^4'は、Ｈ、ＣＦ₃、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであり；
Ｒ²は、Ｈであり、
Ｒ³及びＲ⁸は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、−Ｓｉ（Ｃ₁−Ｃ₄アルキル）₃、又はＣ₃−Ｃ₆シクロアルキルであり；かつ
Ｌは、

である］
の化合物に関する。

最も好ましいのは、式

［式中、
Ｒ¹は、Ｃ₁−Ｃ₅アルキル、特にメチル、エチル、ｔｅｒｔ−ブチル、イソブチル、又はネオペンチルであり、
Ｒ³及びＲ⁸は、Ｃ₁−Ｃ₅アルキル、特にメチル、エチル、イソブチル、又はネオペンチルであり、かつ
Ｌは、

である］
の化合物である。

式Ｉの具体的な化合物の例は、化合物Ａ−１〜Ａ−１１４、Ｂ−１〜Ｂ−１４４、Ｃ−１〜Ｃ−１２０、及びＤ−１〜Ｄ４１である。請求項９を参照のこと。化合物Ａ−１、Ａ−１６、Ａ−３０、Ａ−４４、Ａ−５８、Ａ−７２、Ａ−８７、及びＡ−１０１（Ｒ¹がＨである）は、あまり好ましくない。これらのうち特に重要であるのは、化合物Ａ−９、Ａ−２３、Ａ−３７、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−３１、Ａ−１０、Ａ−２４、Ａ−３８、Ａ−６５、Ａ−７９、Ａ−９４、Ａ−５９、Ａ−７３、Ａ−８８、Ａ−６６、Ａ−８０、Ａ−９５、Ａ−１２、Ａ−１４、Ａ−２６、Ａ−２８、Ａ−４０、Ａ−４２、Ａ−５４、Ａ−５６、Ａ−６８、Ａ−７０、Ａ−８２、Ａ−８４、Ａ−９７、Ａ−９９、Ａ−１１１、Ａ−１１３、Ｂ−１、Ｂ−２、Ｂ−３、Ｂ−４、Ｂ−７、Ｂ−９、Ｂ−１３、Ｂ−１５、Ｂ−１７、Ｂ−２０、Ｂ−２１、Ｂ−２２、Ｂ−２３、Ｂ−２６、Ｂ−２７、Ｂ−３１、Ｂ−３３、Ｂ−３５、Ｂ−３８、Ｂ−３９、Ｂ−４０、Ｂ−４１、Ｂ−４４、Ｂ−４５、Ｂ−４９、Ｂ−５１、Ｂ−５３、Ｂ−５６、Ｂ−５７、Ｂ−５８、Ｂ−５９、Ｂ−６２、Ｂ−６３、Ｂ−６７、Ｂ−６９、Ｂ−７１、Ｂ−７４、Ｂ−７５、Ｂ−７６、Ｂ−７９、Ｂ−８０、Ｂ−８４、Ｂ−８６、Ｂ−８８、Ｂ−９１、Ｂ−９２、Ｂ−９３、Ｂ−９４、Ｂ−９７、Ｂ−９８、Ｂ−１０２、Ｂ−１０４、Ｂ−１０６、Ｂ−１０９、Ｂ−１１０、Ｂ−１１１、Ｂ−１１２、Ｂ−１１５、Ｂ−１１６、Ｂ−１２０、Ｂ−１２２、Ｂ−１２４、Ｂ−１２７、Ｂ−１２８、Ｂ−１２９、Ｂ−１３３、Ｂ−１３４、Ｂ−１３８、Ｂ−１４０、Ｂ−１４２、Ｃ−２〜Ｃ−４、Ｃ−６、Ｃ−９〜Ｃ−１２、Ｃ−１４、Ｃ−６３〜Ｃ−６５、Ｃ−６７、Ｃ−６９〜Ｃ−７２、Ｃ−７４、Ｄ−２〜Ｄ−４、Ｄ−６、Ｄ−９〜Ｄ−１２、及びＤ−１４である。さらに好ましい化合物は、Ａ−９、Ａ−２３、Ａ−３７、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−３１、Ａ−１０、Ａ−２４、Ａ−３８、Ａ−６５、Ａ−７９、Ａ−９４、Ａ−５９、Ａ−７３、Ａ−８８、Ａ−６６、Ａ−８０、Ａ−９５、Ａ−１２、Ａ−１４、Ａ−２６、Ａ−２８、Ａ−４０、Ａ−４２、Ａ−５４、Ａ−５６、Ａ−６８、Ａ−７０、Ａ−８２、Ａ−８４、Ａ−９７、Ａ−９９、Ａ−１１１、Ａ−１１３、Ｃ−２からＣ−４、Ｃ−６、Ｃ−９〜Ｃ−１２、Ｃ−１４、Ｃ−６３〜Ｃ−６５、Ｃ−６７、Ｃ−６９〜Ｃ−７２、及びＣ−７４である。さらに好ましい化合物は、Ａ−９、Ａ−２３、Ａ−３７、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−３１、Ａ−１０、Ａ−２４、Ａ−３８、Ａ−６５、Ａ−７９、Ａ−９４、Ａ−５９、Ａ−７３、Ａ−８８、Ａ−６６、Ａ−８０、Ａ−９５、Ａ−１２、Ａ−１４、Ａ−２６、Ａ−２８、Ａ−４０、Ａ−４２、Ａ−５４、Ａ−５６、Ａ−６８、Ａ−７０、Ａ−８２、Ａ−８４、Ａ−９７、Ａ−９９、Ａ−１１１、及びＡ−１１３である。最も好ましいのは、以下の式の化合物である：

本発明の金属錯体は、従来技術において公知の通常の方法により製造可能である。式Ｉｒ（Ｌ^a）₃（Ｌ^aは、

である）のイリジウム金属錯体を製造するための簡便な一段法は、３当量のトリフルオロ酢酸銀の存在下に、かつ場合により溶剤（例えばハロゲン系溶剤、アルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、ケトン系溶剤、ニトリル系溶剤、及び水）の存在下に、市販の三塩化イリジウム水和物を過剰のＬ^aＨと反応させることを含む。このトリス−シクロメタル化イリジウム錯体を、従来の方法で単離し、精製する。場合によっては、異性体の混合物が得られる。混合物は、個々の異性体を単離せずに使用できることが多い。

式Ｉｒ（Ｌ^a）₂Ｌのイリジウム金属錯体は、例えば、式

［式中、
Ｘは、Ｈ、メチル、又はエチルであり、
Ｌ^aは、上に定義されている通りである］
の中間体イリジウム二量体をまず作製し、その後ＨＬを添加することにより作製可能である。イリジウム二量体は一般に、まず三塩化イリジウム水和物とＨＬ^aを反応させ、かつＮａＸを添加することにより、また、２−エトキシエタノールなどの好適な溶剤中で三塩化イリジウム水和物とＨＬ^aを反応させることにより作製可能である。式

の化合物は新規であり、本発明のさらなる態様を形成するものである。

従って本発明は、式

［式中、
Ｘは、Ｈ、メチル、又はエチルであり、
Ｌ^aは、

であり、ここで、
Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁸は、上に定義されている通りである］
の化合物に関する。

式ＶＩａ又はＶＩｂの化合物は、例えばＵＳ７１６６３６８号の図７及び８において概説されている通りに合成可能である。

Ｃ₁−Ｃ₁₈アルキルは、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、２−エチルブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、１−メチルペンチル、１，３−ジメチルブチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルヘキシル、ｎ−ヘプチル、イソヘプチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、１−メチルヘプチル、３−メチルヘプチル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、１，１，３−トリメチルヘキシル、１，１，３，３−テトラメチルペンチル、ノニル、デシル、ウンデシル、１−メチルウンデシル、ドデシル、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルヘキシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、イコシル、又はドコシルなどの分岐鎖又は非分岐鎖の基である。Ｃ₁−Ｃ₈アルキルは、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、２−エチルブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、１−メチルペンチル、１，３−ジメチルブチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルヘキシル、ｎ−ヘプチル、イソヘプチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、１−メチルヘプチル、３−メチルヘプチル、ｎ−オクチル、又は２−エチルヘキシルなどの分岐鎖又は非分岐鎖の基である。

Ｃ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキルは、例えば−ＣＦ₃、−ＣＦ₂ＣＦ₃、−ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₃、−ＣＦ（ＣＦ₃）₂、−（ＣＦ₂）₃ＣＦ₃及び−Ｃ（ＣＦ₃）₃などの分岐鎖又は非分岐鎖の基である。

Ｃ₃−Ｃ₈シクロアルキルは、好ましくはＣ₅−Ｃ₁₂シクロアルキルであるか、又は１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈アルキル基又は１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキル基で置換された前記シクロアルキル、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、メチルシクロペンチル、ジメチルシクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、トリメチルシクロヘキシル、及びｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルである。

Ｃ₁−Ｃ₈アルコキシ基は、直鎖又は分岐鎖アルコキシ基であり、例えばメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、アミルオキシ、イソアミルオキシ、又はｔｅｒｔ−アミルオキシ、ヘプチルオキシ、又はオクチルオキシである。

アリールは、通常はＣ₆−Ｃ₁₈アリールであり、好ましくは、置換されていてもよいＣ₆−Ｃ₁₀アリール、例えばフェニル、４−メチルフェニル、４−メトキシフェニル、ナフチル、ビフェニリル、２−フルオレニル、フェナントリル、アントリル、テトラセニル、ターフェニリル、又はクアッドフェニリル；又は１〜３個のＣ₁−Ｃ₄アルキル基で置換されたフェニル、例えばｏ−、ｍ−、又はｐ−メチルフェニル、２，３−ジメチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，５−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、３，４−ジメチルフェニル、３，５−ジメチルフェニル、２−メチル−６−エチルフェニル、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、２−エチルフェニル、又は２，６−ジエチルフェニルである。

Ｃ₇−Ｃ₂₄アラルキル基は、好ましくは、置換されていてもよいＣ₇−Ｃ₁₅アラルキル基、例えばベンジル、２−ベンジル−２−プロピル、β−フェネチル、α−メチルベンジル、α，α−ジメチルベンジル、ω−フェニル−ブチル、ω−フェニル−オクチル、ω−フェニル−ドデシル；又は１〜３個のＣ₁−Ｃ₄アルキル基でフェニル環上で置換されているフェニル−Ｃ₁−Ｃ₄アルキル、例えば２−メチルベンジル、３−メチルベンジル、４−メチルベンジル、２，４−ジメチルベンジル、２，６−ジメチルベンジル、又は４−ｔｅｒｔ−ブチルベンジル、又は３−メチル−５−（１’，１’，３’，３’−テトラメチル−ブチル）−ベンジルなどである。

ヘテロアリールは、典型的には、Ｃ₂−Ｃ₁₀ヘテロアリール、即ち、５〜７個の環原子を有する環、又は縮合環系であり、ここで、窒素、酸素、又は硫黄がヘテロ原子であることができ、典型的には少なくとも６個の共役π電子を有する５〜１２個の原子を有する不飽和複素環式基、例えばチエニル、ベンゾ［ｂ］チエニル、ジベンゾ［ｂ，ｄ］チエニル、チアントレニル、フリル、フルフリル、２Ｈ−ピラニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ジベンゾフラニル、フェノキシチエニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ビピリジル、トリアジニル、ピリミジニル、ピラジニル、ピリダジニル、インドリジニル、イソインドリル、インドリル、又はインダゾリルなどであり、これらは非置換であってもよいし置換されていてもよい。

上に挙げた基の置換基として可能なものは、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル基、Ｃ₁−Ｃ₈アルコキシ基、フッ素基、Ｃ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキル基、又はシアノ基である。

トリＣ₁−Ｃ₈アルキルシリル基は、好ましくは、例えばトリメチルシリル基などのトリＣ₁−Ｃ₄アルキルシリル基である。

１つの基の中に、例えばＲ⁴、Ｒ⁵、又はＲ⁶などの置換基が１回を上回って出現する場合は、それぞれ異なっていてよい。

式Ｉの化合物が、電荷担体伝導性が必要とされる用途での使用に、特に、例えばスイッチング素子、例えば有機トランジスタ、例えば有機ＦＥＴ及び有機ＴＦＴ、有機太陽電池、及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）から選択された有機エレクトロニクス用途での使用に特に好適であり、その際、式Ｉの化合物は、ＯＬＥＤにおける、特にホスト材料と組み合わせた、発光層中でのゲスト材料としての使用に特に好適であることが見出された。本発明の式Ｉの化合物をＯＬＥＤにおいて使用した場合、高効率、高寿命で、かつ特に低い使用及び動作電圧で動作可能なＯＬＥＤが得られる。本発明の式Ｉの化合物は、特に発光材料（燐光発光体）としての使用に好適である。

有機電子デバイスの好適な構造は当業者に公知であり、以下に明記する。

有機トランジスタは、一般に、正孔輸送能及び／又は電子輸送能を有する有機層から形成された半導体層；伝導層から形成されたゲート電極；及び、半導体層と伝導層との間に装入された絶縁層を含む。この集成体上にソース電極及びドレイン電極が取り付けられ、それによりトランジスタ素子が作製される。さらに、有機トランジスタ内には、当業者に公知のさらなる層が存在し得る。

有機太陽電池（光電変換素子）は、一般に、平行に配置された２枚のプレート型電極の間に存在する有機層を含む。有機層は、くし形電極の構造であってもよい。有機層の位置に関しては特別な制限はなく、電極材料に関しても特別な制限はない。しかしながら、平行に配置されたプレート型電極を用いた場合には、少なくとも一方の電極は、好ましくは透明電極、例えばＩＴＯ電極、又はフッ素ドープ酸化スズ電極から形成されている。有機層は２つの副次的な層、即ちｐ型半導体特性又は正孔輸送能を有する層と、ｎ型半導体特性又は電子輸送能を有する層とから形成されている。さらに、有機太陽電池内には、当業者に公知のさらなる層が存在し得る。

本発明はさらに、アノードＡｎ、カソードＫａ、このアノードＡｎとカソードＫａとの間に配置されている発光層Ｅ、及び、好適であれば、正孔／励起子に対する少なくとも１つの阻止層、電子／励起子に対する少なくとも１つの阻止層、少なくとも１つの正孔注入層、少なくとも１つの正孔輸送層、少なくとも１つの電子注入層、及び少なくとも１つの電子輸送層からなる群から選択された少なくとも１つのさらなる層を含む有機発光ダイオードを提供し、その際、式Ｉの少なくとも１つの化合物は、発光層Ｅ中に、かつ／又は、少なくとも１つのさらなる層中に存在している。式Ｉの少なくとも１つの化合物は、好ましくは、発光層、及び／又は、正孔に対する阻止層、及び／又は、電子輸送層中に存在している。電子デバイスにおける式Ｉの化合物の使用に関しては、式Ｉの化合物に関して上に規定された好ましいものが同様に好ましい。

本発明によるＯＬＥＤの構造
従って、本発明による有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、一般に以下の構造を有する：
アノード（Ａｎ）、及びカソード（Ｋａ）、及びこのアノード（Ａｎ）とカソード（Ｋａ）との間に配置されている発光層Ｅ。

本発明のＯＬＥＤは、例えば、好ましい一実施態様において、以下の層から形成されていてよい：
１．アノード
２．正孔輸送（伝導体）層
３．発光層
４．正孔／励起子に対する阻止層
５．電子輸送（伝導体）層
６．カソード。

前記の構造とは異なる層順序も可能であり、当業者に公知である。例えば、ＯＬＥＤが上記の層の全てを有しているわけではないことも可能であり、例えば、層（１）（アノード）、（３）（発光層）及び（６）（カソード）を有するＯＬＥＤも同様に好適であり、その場合、層（２）（正孔伝導体層）及び（４）（正孔／励起子に対する阻止層）及び（５）（電子伝導体層）の機能は、近傍の層が担う。層（１）、（２）、（３）及び（６）を有するＯＬＥＤ、又は、層（１）、（３）、（４）、（５）及び（６）を有するＯＬＥＤも同様に好適である。さらに、ＯＬＥＤは、アノード（１）と正孔伝導体層（２）との間に電子／励起子に対する阻止層を有することができる。

さらに、前記の複数の機能（電子／励起子の阻止体、正孔／励起子の阻止体、正孔注入、正孔伝導、電子注入、電子伝導）を、１つの層において兼備させることや、例えばこの層中に存在している単一材料に担わせることも可能である。例えば、正孔伝導体層において使用される材料は、一実施態様において、同時に励起子及び／又は電子を阻止することができる。

さらに、上に挙げたＯＬＥＤの個々の層は、２つ以上の層から形成されていてもよい。例えば、正孔伝導体層は、正孔が電極からその中へと注入されるような層と、正孔を正孔注入層から発光層へと輸送する層とから形成されていてよい。電子伝導層は、同様に、複数の層、例えば電極により電子がその中へ注入されるような層と、電子注入層から電子を受容し、それを発光層へと輸送する層とから構成されていてもよい。

特に効率的なＯＬＥＤを得るためには、正孔輸送層のＨＯＭＯ（最高被占軌道）をアノードの仕事関数に合わせることが望ましく、かつ電子輸送層のＬＵＭＯ（最低空軌道）をカソードの仕事関数に合わせることが望ましいが、但し、上記の層が本発明のＯＬＥＤ中に存在することが前提である。

アノード（１）は、正電荷担体を提供する電極である。これは、例えば金属、種々の金属の混合物、金属合金、金属酸化物、又は種々の金属酸化物の混合物を含む材料から形成されていてよい。あるいは、アノードは導電性ポリマーであってよい。好適な金属には、典型元素、遷移金属、及びランタノイドの金属及び該金属の合金、特に、元素周期律表の第Ｉｂ族、第ＩＶａ族、第Ｖａ族及び第ＶＩａ族の金属、並びに第ＶＩＩＩａ族の遷移金属が含まれる。アノードを透明とすべき場合は、一般には、元素周期律表（ＩＵＰＡＣ版）の第ＩＩｂ族、第ＩＩＩｂ族、及び第ＩＶｂ族の混合金属酸化物、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が使用される。例えばNature, 第357巻, 第477頁〜第479頁(１９９２年６月１１日)に記載されているように、アノード（１）が有機材料、例えばポリアニリンを含むことも可能である。生じた光を放出できるように、少なくともアノード又はカソードのいずれかが少なくとも部分的に透明であることが望ましい。アノード（１）に使用される材料は、好ましくはＩＴＯである。

本発明のＯＬＥＤの層（２）に好適な正孔輸送材料は、例えば、Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, 第4版, 第18巻, 第837頁〜第860頁, 1996に開示されている。正孔輸送材料として、正孔輸送分子及び正孔輸送ポリマーのいずれも使用可能である。一般に使用されている正孔輸送分子は、トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（フェニルアミノ）］トリフェニルアミン（１−ＮａｐｈＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、α−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲ又はＤＥＡＳＰ）、１，２−トランス−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、４，４’、４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＴＤＴＡ）、４，４’，４’’−トリス−（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン（β−ＮＰＢs）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−スピロビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−スピロビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ−ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジメチルフルオレン（ＤＭＦＬ−ＴＰＤ）、ジ［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン、Ν，Ν’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジメチルフルオレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−２，２−ジメチルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（ＰＰＤＮ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）ベンジジン（ＭｅＯ−ＴＰＤ）、２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシフェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（ＭｅＯ−Ｓｐｉｒｏ−ＴＰＤ）、２，２’−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシフェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（２，２’−ＭｅＯ−Ｓｐｉｒｏ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＴＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ［４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＰＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，４−ジアミン（β−ＮＰＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジフェニルフルオレン（ＤＰＦＬ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジフェニルフルオレン（ＤＰＦＬ−ＮＰＢ）、２，２’，７，７’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ−ＴＡＤ）、９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＢＰＡＰＦ）、９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス（ナフタレン−２−イル）アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＮＰＡＰＦ）、９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビスフェニルアミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＮＰＢＡＰＦ）、２，２’，７，７’−テトラキス［Ｎ−ナフタレニル（フェニル）アミノ］−９，９’−スピロビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ−２ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（フェナントレン−９−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン（ＰＡＰＢ）、２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−スピロビフルオレン−２−イル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ−５）、２，２’−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ］９，９−スピロビフルオレン（２，２’−Ｓｐｉｒｏ−ＤＢＰ）、２，２’−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９−スピロビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ−ＢＰＡ）、２，２’，７，７’−テトラ（Ｎ，Ｎ−ジトリル）アミノスピロビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ−ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラナフタレン−２−イルベンジジン（ＴＮＢ）、ポルフィリン化合物、及びフタロシアニン、例えば銅フタロシアニン、及びチタンオキシドフタロシアニンからなる群から選択される。一般に使用されている正孔輸送ポリマーは、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシラン、及びポリアニリンからなる群から選択される。正孔輸送分子をポリスチレン及びポリカーボナートなどのポリマーにドープすることによって正孔輸送ポリマーを得ることも可能である。好適な正孔輸送分子は、すでに上に挙げた分子である。

加えて、一実施態様において、カルベン錯体を正孔輸送材料として使用することができ、その場合、少なくとも１つの正孔輸送材料のバンドギャップは、一般に、使用される発光体材料のバンドギャップより大きい。本願の文脈において、「バンドギャップ」とは三重項エネルギーを指すものと理解される。好適なカルベン錯体は、例えばＷＯ２００５／０１９３７３Ａ２号、ＷＯ２００６／０５６４１８Ａ２号、ＷＯ２００５／１１３７０４号、ＷＯ２００７／１１５９７０号、ＷＯ２００７／１１５９８１号、及びＷＯ２００８／０００７２７号に記載されているようなカルベン錯体である。好適なカルベン錯体の一例は、以下の式：

で示されるＩｒ（ｄｐｂｉｃ）₃であり、これは例えばＷＯ２００５／０１９３７３号に開示されている。原則的に、正孔輸送層は、正孔輸送材料として式Ｉの少なくとも１つの化合物を含むことができる。

発光層（３）は、本発明による式Ｉの化合物（発光体）を含む。

発光層（３）は、ホスト材料を含むことができる。好適なホスト材料は、例えばＥＰ２３６３３９８Ａ１号、ＷＯ２００８０３１７４３号、ＷＯ２００８０６５９７５号、ＷＯ２０１０１４５９９１号、ＷＯ２０１００４７７０７号、ＵＳ２００９０２８３７５７号、ＵＳ２００９０３２２２１７号、ＵＳ２０１００００１６３８号、ＷＯ２０１０００２８５０号、ＵＳ２０１０００６０１５４号、ＵＳ２０１０００６０１５５号、ＵＳ２０１０００７６２０１号、ＵＳ２０１０００９６９８１号、ＵＳ２０１００１５６９５７号、ＵＳ２０１１１８６８２５号、ＵＳ２０１１１９８５７４号、ＵＳ２０１１０２１０３１６号、ＵＳ２０１１２１５７１４号、ＵＳ２０１１２８４８３５、及びＰＣＴ／ＥＰ２０１１／０６７２５５号に記載されている。ホスト材料は、正孔輸送特性を有する有機化合物及び／又は電子輸送特性を有する有機化合物であってよい。好ましくは、発光層（３）は、本発明による式Ｉの化合物と、正孔輸送特性を有する有機化合物とを含むか；又は、発光層（３）は、本発明による式Ｉの化合物と、正孔輸送特性を有する有機化合物と、電子輸送特性を有する有機化合物とを含む。

式Ｉの化合物は、発光層（３）において、式Ｉの化合物、正孔輸送特性を有する有機化合物、及び／又は電子輸送特性を有する有機化合物の量に対して、０．０１〜１５質量％、好ましくは１〜１０質量％の量で用いられる。さらに、正孔輸送特性を有する有機化合物対電子輸送特性を有する有機化合物の質量比は、好ましくは１：２０〜２０：１の範囲である。式Ｉの化合物については、上記の好ましいものが同様に好ましい。

原則的に、発光層におけるホストとして、正孔輸送特性を有するいずれの有機化合物も使用可能である。ホスト材料として使用可能な正孔輸送特性を有する有機化合物の例には、芳香族アミン化合物、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（＝ＮＰＢ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９−フェナントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（＝ＰＰＢ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（＝ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（＝ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−トリフェニルアミン（＝ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−トリフェニルアミン（＝ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス−（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（＝ＴＣＴＡ）、１，１−ビス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］−シクロヘキサン（＝ＴＰＡＣ）、９，９−ビス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］−フルオレン（＝ＴＰＡＦ）、Ｎ−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−Ｎ−フェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２−アミン（略称：ＹＧＡＦ）、及びカルバゾール誘導体、例えば４，４’−ジ（カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３−ビス（カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、又は１，３，５−トリス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ＴＣｚＢ）＝ＤＮＴＰＤ

が含まれる。

ホスト材料に使用可能な正孔輸送特性を有する高分子化合物の例には、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（＝ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（＝ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝−フェニル）メタクリルアミド］（＝ＰＴＰ−ＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン（＝Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などが含まれる。

原則的に、電子輸送特性を有するいずれの有機化合物も、発光層中でホストとして使用可能である。ホスト材料に使用可能な電子輸送特性を有する有機化合物の例には、複素芳香族化合物、例えば９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］カルバゾール、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（＝ＯＸＤ−７）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（＝ＰＢＤ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（＝ＴＰＢＩ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（＝ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（＝ｐ−ＥｔＴＡＺ）、９，９’，９’’−［１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイル］トリカルバゾール（＝ＴＣｚ ＴＲＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（６，７−ジメチル−３−フェニルキノキサリン）（＝ＴｒｉＭｅＱｎ）、２，３−ビス（４−ジフェニルアミノフェニル）キノキサリン（＝ＴＰＡＱｎ）、９，９’−（キノキサリン−２，３−ジイルジ−４，１−フェニレン）ジ（９Ｈ−カルバゾール）（＝ＣｚＱｎ）、３，３’，６，６’−テトラフェニル−９，９’−（キノキサリン−２，３−ジイルジ−４，１−フェニレン）ジ（９Ｈ−カルバゾール）（＝ＤＣｚＰＱ）、バトフェナントロリン（＝ＢＰｈｅｎ）、又はバトクプロイン（＝ＢＣＰ）、及び金属錯体、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（＝Ａｌｑ₃）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（＝ＢＡｌｑ）、トリス［２（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾラト］アルミニウム（ＩＩＩ）（＝Ａｌ（ＯＸＤ）₃）、トリス（２−ヒドロキシフェニル−１−フェニル−１−Ｈ−ベンズイミダゾラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（＝Ａｌ（ＢＩＺ）₃）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（ＩＩ）（＝Ｚｎ（ＢＴＺ）₂）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（ＩＩ）（＝Ｚｎ（ＰＢＯ）₂）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ピリジナト］亜鉛（＝Ｚｎｐｐ₂）、

が含まれる。

ホスト材料に使用可能な電子輸送特性を有する高分子化合物の例には、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）などが含まれる。

本発明の他の実施態様において、双極性ホスト材料、例えば

が使用可能である。

発光層は、発光体材料に加えてさらなる成分を含んでよい。例えば、発光体材料の発光色を変化させるために、発光層中に蛍光染料が存在していてよい。さらに、好ましい一実施態様において、マトリックス材料が使用可能である。このマトリックス材料は、例えばポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、又はポリシランのようなポリマーであってよい。しかしながら、マトリックス材料は、小分子、例えば４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＤＰ＝ＣＢＰ）、又は第三級芳香族アミン、例えばＴＣＴＡであってもよい。本発明の好ましい一実施態様において、式Ｉの少なくとも１つの化合物がマトリックス材料として使用される。

正孔に対する阻止層が存在していてよい。典型的にＯＬＥＤにおいて使用される正孔阻止体材料の例は、２，６−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ピリジン（ｍＣＰｙ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バトクプロイン、（ＢＣＰ））、ビス（２−メチル−８−キノリナト）−４−フェニル−フェニラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌｑ）、フェノチアジンＳ，Ｓ−ジオキシド誘導体、及び１，３，５−トリス（Ｎ−フェニル−２−ベンジルイミダゾリル）ベンゼン）（ＴＰＢＩ）であり、ここで、ＴＰＢＩは電子伝導材料としても好適である。好適なさらなる正孔阻止体及び／又は電子輸送材料は、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１−Ｈ−ベンゾイミダゾール）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、８−ヒドロキシキノリノラトリチウム、４−（ナフタレン−１−イル）−３，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール、１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール、６，６’−ビス［５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−２−イル］−２，２’−ビピリジル、２−フェニル−９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン、２，７−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチルフルオレン、１，３−ビス［２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン、２−（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、トリス（２，４，６−トリメチル−３−（ピリジン−３−イル）フェニル）ボラン、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、１−メチル−２−（４−（ナフタレン２−イル）フェニル）−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｆ］［１，１０］フェナントロリンである。もう１つの実施態様において、ＷＯ２００６／１００２９８号に開示されているようなカルボニル基を含む基を介して結合している芳香環又は複素芳香環を含む化合物、例えば本願の優先日の時点で未公開のＰＣＴ出願ＷＯ２００９００３９１９号及びＷＯ２００９００３８９８号に記載されているような、ジシリルカルバゾール、ジシリルベンゾフラン、ジシリルベンゾチオフェン、ジシリルベンゾホスホール、ジシリルベンゾチオフェンＳ−オキシド、及びジシリルベンゾチオフェンＳ，Ｓ−ジオキシドからなる群から選択されたジシリル化合物、並びに、ＷＯ２００８／０３４７５８号に開示されているようなジシリル化合物を、正孔／励起子に対する阻止層（４）として、又は発光層（３）におけるマトリックス材料として使用することができる。

本発明のＯＬＥＤの層（５）に好適な電子輸送材料には、２，２’，２’’−（１，３，５−フェニレン）トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール］（ＴＰＢＩ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ₃）などの金属キレート化オキシノイド化合物、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ＝ＢＣＰ）、又は４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＰＡ）などのフェナントロリン系化合物、並びに２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、及び３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）などのアゾール化合物、８−ヒドロキシキノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（Ｂｐｙ−ＯＸＤ）、６，６’−ビス［５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−２−イル］−２，２’−ビピリジル（ＢＰ−ＯＸＤ−Ｂｐｙ）、４−（ナフタレン−１−イル）−３，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール（ＮＴＡＺ）、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＮＢｐｈｅｎ）、２，７−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチルフルオレン（Ｂｂｙ−ＦＯＸＤ）、１，３−ビス［２−（４−ｔｅｒｔブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（ＯＸＤ−７）、トリス（２，４，６−トリメチル−３−（ピリジン−３−イル）フェニル）ボラン（３ＴＰＹＭＢ）、１−メチル−２−（４−（ナフタレン−２−イル）フェニル）−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｆ］［１，１０］フェナントロリン（２−ＮＰＩＰ）、２−フェニル−９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ＰＡＤＮ）、２−（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＨＮＢｐｈｅｎ）が含まれる。層（５）は、電子輸送を促進し、かつ、ＯＬＥＤの層の界面での励起子のクエンチを避けるために、バッファー層又は阻止層として機能し得る。層（５）は、好ましくは電子移動度を改善し、かつ励起子のクエンチを低減させる。好ましい一実施態様においては、ＢＣＰが電子輸送材料として使用される。他の好ましい実施態様において、電子輸送層は、式Ｉの少なくとも１つの化合物を電子輸送材料として含む。

正孔輸送材料及び電子輸送材料として上に挙げた材料のなかには、複数の機能を果たすことのできるものがある。例えば、電子伝導材料のいくつかは、それらが低いＨＯＭＯを有する場合に、同時に正孔阻止材料でもある。これを、例えば正孔／励起子に対する阻止層（４）において使用することができる。しかしながら、層（４）を省くことができるように、正孔／励起子阻止体としての機能を層（５）に担わせることも可能である。

第一に層の厚さをより大きくする（ピンホール／短絡を回避する）ために、そして第二にデバイスの動作電圧を最小限にするために、使用される材料の輸送特性を向上させるために電荷輸送層に電子をドープすることもできる。例えば、正孔輸送材料に電子受容体をドープすることができ；例えば、フタロシアニン、又はＴＰＤもしくはＴＤＴＡなどのアリールアミンに、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、又はＭｏＯ₃又はＷＯ₃をドープすることができる。電子輸送材料に、例えばアルカリ金属を、例えばＡｌｑ₃にリチウムをドープすることができる。さらに、電子輸送体に、Ｃｓ₂ＣＯ₃のような塩、又は８−ヒドロキシキノラトリチウム（Ｌｉｑ）をドープすることができる。電子ドープは当業者に公知であり、例えば、W. Gao, A. Kahn, J. Appl. Phys., Vol. 94, No.1, 1 July 2003 (p-doped organic layers); A. G. Werner, F. Li, K. Harada, M. Pfeiffer, T. Fritz, K. Leo. Appl. Phys. Lett., Vol. 82, No. 25, 23 June 2003、及びPfeiffer et al., Organic Electronics 2003, 4, 89-103に開示されている。例えば、正孔輸送層に、カルベン錯体、例えばＩｒ（ｄｐｂｉｃ）₃に加え、ＭｏＯ₃又はＷＯ₃をドープすることができる。例えば、電子輸送層は、Ｃｓ₂ＣＯ₃をドープしたＢＣＰを含むことができる。

カソード（６）は、電子又は負電荷担体を導入する機能を担う電極である。カソードの好適な材料は、元素周期律表（旧ＩＵＰＡＣバージョン）の第Ｉａ族のアルカリ金属、例えばＬｉ、Ｃｓ、元素周期律表（旧ＩＵＰＡＣバージョン）の第ＩＩａ族のアルカリ土類金属、例えばカルシウム、バリウム又はマグネシウム、ランタニド及びアクチニドを含む元素周期律表（旧ＩＵＰＡＣバージョン）の第ＩＩｂ族の金属、例えばサマリウムからなる群から選択される。加えて、アルミニウム又はインジウムなどの金属、並びに上記の全ての金属の組合せを使用することも可能である。さらに、動作電圧を小さくするために、有機層とカソードとの間に、アルカリ金属を含む有機金属化合物、又はアルカリ金属フッ化物、例えばＬｉＦ、ＣｓＦ、又はＫＦを施与することができる。

本発明によるＯＬＥＤは、当業者に公知であるさらなる層をさらに含むことができる。例えば、層（２）と発光層（３）との間に、正電荷の輸送を促進し、かつ／又は層のバンドギャップを互いにマッチさせる層を施与することができる。あるいは、このさらなる層は、保護層として機能することができる。同様に、負電荷の輸送を促進し、かつ／又は層間のバンドギャップを互いにマッチさせるために、さらなる層が発光層（３）と層（４）との間に存在してよい。また、この層は保護層として機能することができる。

好ましい一実施態様において、本発明のＯＬＥＤは、層（１）から（６）に加えて、以下に示す層の少なくとも１つを含む：
− ２〜１００ｎｍ、好ましくは５〜５０ｎｍの厚さを有する、アノード（１）と正孔輸送層（２）との間の正孔注入層；
− 正孔輸送層（２）と発光層（３）との間の電子に対する阻止層；
− 電子輸送層（５）とカソード（６）との間の電子注入層。

正孔注入層の材料は、銅フタロシアニン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（２Ｔ−ＮＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（１Ｔ−ＮＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＮＡＴＡ）、チタンオキシドフタロシアニン、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（ＰＰＤＮ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）ベンジジン（ＭｅＯ−ＴＰＤ）、２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシフェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（ＭｅＯ−Ｓｐｉｒｏ−ＴＰＤ）、２，２’−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシフェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（２，２’−ＭｅＯ−Ｓｐｉｒｏ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＴＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＰＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，４−ジアミン（α−ＮＰＰ）から選択されてよい。原則的に、正孔注入層は、式Iの少なくとも１つの化合物を正孔注入材料として含むことができる。さらに、ポリマー正孔注入材料、例えばポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、自己ドープ型ポリマー、例えばスルホン化ポリ（チオフェン−３−［２（２−メトキシエトキシ）エトキシ］−２，５−ジイル）（Plextronics社より市販されているPlexcore^(R) OC導電性インク）、並びに、コポリマー、例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとも称されるポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホナート）を使用することができる。

電子注入層の材料として、例えばＬｉＦを選択することができる。

さらに、電荷担体輸送の効率を向上させるために、本発明のＯＬＥＤにおいて使用される層のいくつかは表面処理されていてよい。

本発明のＯＬＥＤは、当業者に公知の方法によって製造可能である。一般に、本発明のＯＬＥＤは、個々の層を好適な基板上に連続的に蒸着することによって製造される。好適な基板は、例えば、ガラス、無機半導体、又はポリマーフィルムである。蒸着では、熱蒸発、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）などの慣用技術を用いることが可能である。他の方法において、ＯＬＥＤの有機層を好適な溶剤中の溶液又は分散液から施与することができ、その際に当業者に公知のコーティング技術が用いられる。

一般に、種々の層は以下の厚さを有する：アノード（１）５０〜５００ｎｍ、好ましくは１００〜２００ｎｍ；正孔伝導層（２）５〜１００ｎｍ、好ましくは２０〜８０ｎｍ；発光層（３）１〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜８０ｎｍ；正孔／励起子に対する阻止層（４）２〜１００ｎｍ、好ましくは５〜５０ｎｍ；電子伝導層（５）５〜１００ｎｍ、好ましくは２０〜８０ｎｍ；カソード（６）２０〜１０００ｎｍ、好ましくは３０〜５００ｎｍ。本発明のＯＬＥＤにおける正孔と電子との再結合領域の、カソードに対する相対的な位置、そしてＯＬＥＤの発光スペクトルは、数ある因子のうち各層の相対的な厚さに影響され得る。これは、好ましくは、再結合領域の位置がダイオードの光共振体特性に、そして発光体の発光波長にマッチするように電子輸送層の厚さを選択すべきであることを意味する。ＯＬＥＤにおける個々の層の層厚の比は、使用される材料に依存する。電子伝導層及び／又は正孔伝導層は、それらが電気的にドープされる場合に特定される層厚よりも大きな厚さを有することが可能である。

ＯＬＥＤの少なくとも１つの層において、好ましくは発光層において（好ましくは発光体材料として）式Ｉの化合物を使用することによって、高効率で、かつ使用及び動作電圧の低いＯＬＥＤが得られる。しばしば、式Ｉの化合物の使用により得られるＯＬＥＤは、さらに高寿命である。ＯＬＥＤの効率は、ＯＬＥＤの他の層の最適化によりさらに向上され得る。例えば、好適であればＬｉＦの中間層と組み合わせたＣａやＢａなどの高効率カソードを使用することができる。動作電圧の低減、又は量子効率の増加をもたらす、成形された基板及び正孔輸送材料も、同様に本発明のＯＬＥＤにおいて使用可能である。さらに、種々の層のエネルギーレベルを調節し、かつエレクトロルミネッセンスを促進するために、ＯＬＥＤ内にさらなる層が存在していてもよい。

ＯＬＥＤは、さらに、少なくとも１つの第二の発光層を含むことができる。ＯＬＥＤの発光は全体として、少なくとも２つの発光層の発光からなっていてよく、かつ白色光を含んでよい。

ＯＬＥＤは、エレクトロルミネッセンスが有用である全ての装置において使用可能である。好適な装置は、好ましくは、据置型及び携帯型の、視覚表示装置及び照明装置である。据置型視覚表示装置とは、例えば、コンピュータの視覚表示装置、テレビ、プリンタにおける視覚表示装置、台所用電化製品、及び広告パネル、照明、及び情報パネルである。携帯型視覚表示装置とは、例えば、携帯電話、ラップトップ、デジタルカメラ、ＭＰ３プレーヤー、バス及び電車における車両及び目的地の表示における視覚表示装置である。本発明によるＯＬＥＤを使用することのできるさらなるデバイスは、例えばキーボード；着用品；家具；壁紙である。

さらに、本発明は、少なくとも１つの本発明の有機発光ダイオード、又は少なくとも１つの本発明の発光層を含む、据置型視覚表示装置、例えばコンピュータの視覚表示装置、テレビ、プリンタにおける視覚表示装置、台所用電化製品、及び広告パネル、照明、情報パネル、並びに、携帯型視覚表示装置、例えば携帯電話、ラップトップ、デジタルカメラ、ＭＰ３プレーヤー、バス及び電車における車両及び目的地の表示における視覚表示装置；照明装置；キーボード；着用品；家具；壁紙からなる群から選択されたデバイスに関する。

以下の実施例により、本発明のある特定の特徴及び利点を例証する。これらは本発明の例証を意図するものであり、これに限定されるものではない。全てのパーセンテージは、他に記載がない限り、質量によるものである。

波長の関数としての化合物ＣＣ−１及びＡ−１７のＥＬ強度のプロットを示す図。 波長の関数としての化合物ＣＣ−３及びＡ−７９のＥＬ強度のプロットを示す図。

配位子例１

ａ）９，１０−ジオキソフェナントレン１０４ｇ（０．５０ｍｏｌ）を、窒素下に硫酸２０００ｍｌ中に懸濁させ、少量ずつ、合計で１８２．５ｇ（１．０３ｍｏｌ）のＮ−ブロモスクシンイミドで、４０℃未満の温度で１時間にわたって処理する。生じる赤褐色の粘性の反応材料を、室温で４時間撹拌する。この反応混合物を、ゆっくりと撹拌しながら氷水混合物６０００ｍｌ中に滴下する。生じる橙色の懸濁液を濾過し、固形物を水５０００ｍｌ及びエタノール２０００ｍｌで洗浄し、次いで７０℃で真空下に乾燥させる。橙色の固形物を、還流下にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２１００ｍｌ中に溶解させ、さらに８０℃で１時間撹拌する。生じる懸濁液を８０℃で濾過し、固形物をＤＭＦ１０００ｍｌ及びメタノール６００ｍｌで洗浄し、次いで８０℃で真空下に乾燥させると、標題の生成物が赤色の粉末として得られる（収量：９６．８ｇ（５３％））。融点：２８４〜２８５℃。

ｂ）１，２−ジアミノプロパン７．９ｇ（０．１１ｍｏｌ）を、窒素下にトルエン２０００ｍｌ中の２，７−ジブロモ−９，１０−フェナントレンジオン３２．６ｇ（０．０９ｍｏｌ）に添加する。赤色の懸濁液を、水分離器を用いて還流下に２時間加熱する。生じる帯褐色の懸濁液を、９４℃で酸化マンガン（ＩＶ）４０ｇで処理し、ＴＬＣで中間生成物がもはや視認不可能となるまで還流下に連続的に加熱する。高温の黒色の懸濁液を、予め加熱した漏斗を用いてシリカゲル（５ｃｍの層）に通して濾過し、このシリカゲル層を熱トルエン８００ｍｌですすぐ。即座に濾液から固形物が析出し、これをさらに少量のトルエンで洗浄し、次いで真空炉中で乾燥させると、標題の生成物が白色の固形物として生じる（収量：２７．７ｇ（７７％））。

ｃ）６，１１−ジブロモ−２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（配位子例１ｂの生成物）１１．１ｇ（２７．６ｍｍｏｌ）及びメチルボロン酸４．９７ｇ（８３ｍｍｏｌ）を、アルゴン下にジオキサン７０ｍｌ及びトルエン２００ｍｌ中に懸濁させる。酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１２ｇ（０．５３ｍｍｏｌ）及び２−ジシクロヘキシル−ホスフィノ−２'，６'−ジメトキシビフェニル１．３６ｇ（３．３ミリモル）を添加し、反応混合物をアルゴンで脱気する。水７０ｍｌ中のリン酸カリウム水和物６３．６ｇ（０．２８ｍｏｌ）の脱気溶液を添加する。黄色の懸濁液を、還流下に５時間加熱する。生じる灰色のエマルションをハイフロ(Hyflo)に通して濾過し、フィルターケーキをトルエンで洗浄する。有機層を分離し、さらに水２００ｍｌで３回洗浄し、真空下に濃縮する。生じる固形物をエタノールから３回再晶出させると、標題の生成物が白色の固形物として得られる（収量：１．９ｇ（２５％））。融点：１７６〜１７８℃。

配位子例２

６，１１−ジブロモ−２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（配位子例１ｂの生成物）６．０３ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）及び（２−メチルプロピル）ボロン酸４．５８ｇ（４４．９ｍｍｏｌ）を、アルゴン下にトルエン２００ｍｌ中に懸濁させる。酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１３ｇ（０．５８ｍｍｏｌ）及び２−ジシクロヘキシル−ホスフィノ−２'，６'−ジメトキシビフェニル０．７４ｇ（１．８ｍｍｏｌ）を添加し、次いでリン酸カリウム水和物３４．５ｇ（０．１５ｍｏｌ）を添加する。反応混合物をアルゴンで脱気し、薄黄色の懸濁液を還流下に３時間加熱する。高温の灰色の懸濁液をシリカゲル（２ｃｍの層）に通して濾過し、このシリカゲル層をトルエンですすぐ。集めた溶出液を真空下に濃縮し、生じる固形物をエタノールから再晶出させると、標題の生成物が白色の固形物として得られる（収量：４．３ｇ（８０．４％））。融点：１２９〜１３０℃。

配位子例３

配位子例２の手順に従って、６，１１−ジブロモ−２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（配位子例１ｂの生成物）を用いて、標題の生成物を生成させる。エタノールからの再晶出後に、標題の生成物が白色の固形物として得られる。

配位子例４

ａ）１，２−ジアミノシクロヘキサン１３．７ｇ（０．１２ｍｏｌ）を、窒素下にトルエン１０００ｍｌ中の２，７−ジブロモ−９，１０−フェナントレンジオン３６．６ｇ（０．１０ｍｏｌ）に添加する。赤色の懸濁液を、水分離器を用いて還流下に１時間加熱する。生じる帯褐色の懸濁液にトルエン１０００ｍｌを添加して希釈し、８４℃で酸化マンガン（ＩＶ）７５ｇで処理し、ＴＬＣで中間生成物がもはや視認不可能となるまで還流下に連続的に加熱する。高温の黒色の懸濁液を、予め加熱した漏斗を用いてシリカゲル（５ｃｍの層）に通して濾過し、このシリカゲル層を熱トルエン５００ｍｌですすぐ。一つにまとめた濾液を濃縮し、生じる固形物を真空下に乾燥させると、標題の生成物が白色の固形物として生じる（収量：４２．３ｇ（９６％））。融点：２５３〜２５４℃。

ｂ）６，１１−ジブロモ−２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（配位子例４ａの生成物）６．６３ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）及び（２−メチルプロピル）ボロン酸４．５８ｇ（４４．９ｍｍｏｌ）を、アルゴン下にトルエン２００ｍｌ中に懸濁させる。酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１３ｇ（０．５８ｍｍｏｌ）及び２−ジシクロヘキシル−ホスフィノ−２'，６'−ジメトキシビフェニル０．７４ｇ（１．８ｍｍｏｌ）を添加し、次いでリン酸カリウム水和物３４．５ｇ（０．１５ｍｏｌ）を添加する。反応混合物をアルゴンで脱気し、薄黄色の懸濁液を還流下に２時間加熱する。高温の灰色の懸濁液をシリカゲル（２ｃｍの層）に通して濾過し、このシリカゲル層をトルエンですすぐ。集めた溶出液を真空下に濃縮し、生じる固形物をエタノールから再晶出させると、標題の生成物が白色の固形物として得られる（収量：４．３ｇ（７２％））。融点：２１１〜２１２℃。

配位子例５

ａ）ロイシンアミド（Ｈ−Ｌｅｕ−ＮＨ₂）２５．０ｇ（０．１９ｍｏｌ）を、少量ずつ、窒素流下に室温で、無水ＴＨＦ２５０ｍｌ中の水素化アルミニウムリチウム１６．０ｇ（０．４２ｍｏｌ）の懸濁液に添加する。還流までゆっくりと昇温し、撹拌を８時間継続する。灰色の懸濁液を室温に冷却し、水３０ｍｌをゆっくりと添加し、この懸濁液をハイフロに通して濾過し、次いでハイフロをＴＨＦで徹底的に洗浄する。一つにまとめた濾液を濃縮すると、粗生成物１８．４ｇが生じる。さらに蒸留すると、温度８６〜９５℃、５０ｍｂａｒで、標題の生成物の純粋なフラクションが無色の油状物として得られる（１２．１ｇ（５４％））。

ｂ）配位子例５ａの生成物６．４ｇ（５５ｍｍｏｌ）を、窒素下にトルエン１００ｍｌ中の２，７−ジブロモ−９，１０−フェナントレンジオン３６．６ｇ（５０ｍｍｏｌ）に添加する。橙赤色の懸濁液を、水分離器を用いて還流下に２時間加熱する。生じる橙黄色物を、９５℃で酸化マンガン（ＩＶ）２０ｇで処理し、ＴＬＣで中間生成物がもはや視認不可能となるまで還流下に連続的に加熱する。高温の黒色の懸濁液を、予め加熱した漏斗を用いてハイフロ（５ｃｍの層）に通して濾過し、このハイフロ層を熱トルエンですすぐ。濾液を室温に冷却し、固形物を濾別すると、最初のフラクションである白色の固形物１２．１ｇが得られる。この濾液を濃縮すると、さらに白色の固形物１０．２ｇが得られる。２つの固形物フラクションを一つにし、熱トルエン中に懸濁させ、次いで室温で濾過すると、標題の生成物が白色の固形物として得られる（収量：１２．４ｇ（５６％））。融点：２１７〜２１８℃。

ｃ）配位子例５ｂ）の生成物３．７ｇ（８．３ｍｍｏｌ）及び（２−メチルプロピル）ボロン酸１．５ｇ（２５．１ｍｍｏｌ）を、アルゴン下にトルエン１５０ｍｌ中に懸濁させる。酢酸パラジウム（ＩＩ）７４ｍｇ（０．３３ｍｍｏｌ）及び２−ジシクロヘキシル−ホスフィノ−２'，６'−ジメトキシビフェニル０．３７ｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を添加し、次いでリン酸カリウム水和物１９．２ｇ（８３．４ｍｍｏｌ）を添加する。反応混合物をアルゴンで脱気し、薄黄色の懸濁液を還流下に２７時間加熱する。高温の灰色の懸濁液をシリカゲル（２ｃｍの層）に通して濾過し、このシリカゲル層をトルエンですすぐ。集めた溶出液を真空下に濃縮し、生じる固形物をエタノールから再晶出させると、標題の生成物が白色の固形物として得られる（収量：２．２ｇ（７１％））。融点：２１１〜２１２℃。

配位子例６

配位子例１ｂ）の生成物４．４ｇ（８．３ｍｍｏｌ）及び（２−メチルプロピル）ボロン酸３．０６ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）を、アルゴン下にトルエン１５０ｍｌ中に懸濁させる。酢酸パラジウム（ＩＩ）９０ｍｇ（０．４０ｍｍｏｌ）及び２−ジシクロヘキシル−ホスフィノ−２'，６'−ジメトキシビフェニル０．５ｇ（１．２２ｍｍｏｌ）を添加し、次いでリン酸カリウム水和物２３ｇ（９９．９ｍｍｏｌ）を添加する。反応混合物をアルゴンで脱気し、薄黄色の懸濁液を還流下に３時間加熱する。高温の灰色の懸濁液をシリカゲル（２ｃｍの層）に通して濾過し、このシリカゲル層をトルエンですすぐ。集めた溶出液を真空下に濃縮し、生じる固形物をエタノールから再晶出させると、標題の生成物が白色の固形物として得られる（収量：２．９ｇ（７３％））。融点：１２９〜１３０℃。

配位子例７

ａ）１，２−ジアミノエタン７．２ｇ（０．１２ｍｏｌ）を、窒素下にトルエン１０００ｍｌ中の２，７−ジブロモ−９，１０−フェナントレンジオン３６．６ｇ（０．１０ｍｏｌ）に添加する。赤色の懸濁液を、水分離器を用いて還流下に１時間加熱する。生じる帯褐色の懸濁液をトルエン１０００ｍｌで希釈し、８４℃で酸化マンガン（ＩＶ）２５ｇで処理し、ＴＬＣで中間生成物がもはや視認不可能となるまで還流下に連続的に加熱する（反応時間１時間）。高温の黒色の懸濁液を、予め加熱した漏斗を用いてシリカゲル（５ｃｍの層）に通して濾過し、このシリカゲル層を熱トルエン５００ｍｌですすぐ。即座に濾液から固形物が析出し、これをさらに少量の冷トルエンで洗浄し、次いで真空炉中で乾燥させると、標題の生成物が白色の固形物として生じる（収量：３０．９ｇ（８０％））。

ｂ）配位子例６の手順に従って、６，１１−ジブロモジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（配位子例７ａの生成物）を用いて標題の生成物を生成させる。エタノールからの再晶出後に、標題の生成物が白色の固形物として得られる。

配位子例８

６，１１−ジブロモ−２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（配位子例１ｂの生成物）１２．０６ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）及びエチルボロン酸６．６５ｇ（９０．０ｍｍｏｌ）を、アルゴン下にトルエン２００ｍｌ中に懸濁させる。酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２７ｇ（１．２０ｍｍｏｌ）及び２−ジシクロヘキシル−ホスフィノ−２'，６'−ジメトキシビフェニル１．４７ｇ（３．５８ｍｍｏｌ）を添加し、次いでリン酸カリウム水和物６９ｇ（０．３０ｍｏｌ）を添加する。反応混合物をアルゴンで脱気し、薄黄色の懸濁液を還流下に２時間加熱する。高温の灰色の懸濁液をシリカゲル（２ｃｍの層）に通して濾過し、このシリカゲル層をトルエンですすぐ。集めた溶出液を真空下に濃縮し、生じる固形物をエタノールから３回再晶出させると、標題の生成物が薄ベージュ色の粉末として得られる（収量：４．９８ｇ（５５％））。融点：１３９〜１４０℃。

配位子例９

配位子例６の手順に従って、６，１１−ジブロモ−２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（配位子例１ｂ）の生成物）を用いて標題の生成物を生成させる。エタノールからの再晶出後に、標題の生成物が白色の固形物として得られる。

配位子例１０

配位子例６の手順に従って、６，１１−ジブロモ−２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（配位子例１ｂの生成物）を用いて標題の生成物を生成させる。エタノールからの再晶出後に、標題の生成物が白色の固形物として得られる。

配位子例１１

６，１１−ジブロモ−２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（配位子例１ｂの生成物）４．０２ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）及びヘキサメチルジシラン３．５ｇ（２３．６ｍｍｏｌ）を、アルゴン下にＤＭＦ１００ｍｌ及び水０．７２ｇ中に懸濁させる。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム（０）０．０９ｇ（０．０１ｍｍｏｌ）及び２−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ−２'−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ビフェニル０．０６ｇ（０．１８ｍｍｏｌ）を添加し、次いで酢酸リチウム３．３ｇ（５０ｍｍｏｌ）を添加する。反応混合物をアルゴンで脱気し、薄黄色の懸濁液を１００℃で２１時間加熱する。高温の灰色の懸濁液をさらなるヘキサメチルジシラン３．５ｇで処理し、１０９℃で４時間連続的に加熱し、次いで同量のヘキサメチルジシランを添加し、１０９℃で２時間加熱する。この灰色の懸濁液をシリカゲル（２ｃｍの層）に通して濾過し、このシリカゲル層をＤＭＦ１００ｍｌですすぐと、澄明な黄色の濾液が得られる。この濾液を、ベージュ色の懸濁液が得られるまで水で処理する。生じる固形物を濾別し、熱エタノール／イソプロパノールの１：１混合物２００ｍｌ中に溶解させる。混濁した混合物を濾過し、室温に冷却して水５ｍｌで処理すると、ベージュ色の懸濁液が生じる。濾過し、真空炉中で乾燥させると、標題の生成物が薄ベージュ色の固形物として得られる（収量：１．９ｇ（４９％））。

配位子例１２

６，１１−ジブロモジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（配位子例７ａの生成物）８．５３ｇ（２２．０ｍｍｏｌ）及びエチルボロン酸４．９０ｇ（６６．３ｍｍｏｌ）を、アルゴン下にトルエン３００ｍｌ中に懸濁させる。酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ（０．８９ｍｍｏｌ）及び２−ジシクロヘキシル−ホスフィノ−２'，６'−ジメトキシビフェニル１．０８ｇ（２．６３ｍｍｏｌ）を添加し、次いでリン酸カリウム水和物５０ｇ（０．２２ｍｏｌ）を添加する。反応混合物をアルゴンで脱気し、薄黄色の懸濁液を還流下に２時間加熱する。高温の灰色の懸濁液をシリカゲル（２ｃｍの層）に通して濾過し、このシリカゲル層をトルエンですすぐ。集めた溶出液を真空下に濃縮し、生じる固形物をエタノールから再晶出させると、標題の生成物が薄ベージュ色の粉末として得られる（収量：２．６ｇ（４１％））。

配位子例１３

配位子例５ｂ）の生成物５．７ｇ（１２．８ｍｍｏｌ）及びエチルボロン酸２．９ｇ（３９．３ｍｍｏｌ）を、アルゴン下にトルエン２００ｍｌ中に懸濁させる。酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１１ｇ（０．４９ｍｍｏｌ）及び２−ジシクロヘキシル−ホスフィノ−２'，６'−ジメトキシビフェニル０．６３ｇ（１．５３ｍｍｏｌ）を添加し、次いでリン酸カリウム水和物２９．５ｇ（１２８．１ｍｍｏｌ）を添加する。反応混合物をアルゴンで脱気し、薄黄色の懸濁液を還流下に３時間加熱する。高温の灰色の懸濁液をシリカゲル（２ｃｍの層）に通して濾過し、このシリカゲル層をトルエンですすぐ。集めた溶出液を真空下に濃縮し、生じる固形物をエタノールから再晶出させると、標題の生成物が白色の固形物として得られる（収量：３．３ｇ（７３％））。融点：９９〜１００℃。

ジイリジウム錯体例１

配位子例２の生成物３．５６（１０ｍｍｏｌ）及び塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物１．７３ｇ（４．８ｍｍｏｌ）（イリジウム含分５３．０１％）を、室温で窒素下に２−エトキシエタノール５０ｍｌ中に懸濁させる。黄色の懸濁液を１１６℃まで加熱し、この温度で１７時間保持する。赤色の懸濁液を濾過し、まずエタノールで洗浄し、次いでヘキサンで洗浄し、さらに真空下に乾燥させると、標題の生成物が鮮紅色の粉末として得られる（収量：４．３ｇ（９６％））。

ジイリジウム錯体例２〜７
ジイリジウム錯体例１について報告した手順に従って、以下のジイリジウム錯体を生成し、ジイリジウム錯体例２〜６の生成物を得る。それぞれの生成物構造を、ＨＰＬＣ−ＭＳ測定により確認した。

錯体例１

ジイリジウム錯体例１の生成物２．０ｇ（１．１ｍｍｏｌ）及び炭酸ナトリウム１．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）を、窒素下にエトキシエタノール３０ｍｌ中に懸濁させる。赤色の懸濁液をアセチルアセトン０．８５ｇ（８．５ｍｍｏｌ）で処理し、１０８℃で１時間撹拌する。生じる暗赤色の懸濁液を濾過し、エタノールですすぎ、水中で２回撹拌する。残りの固形物をさらにエタノール及びヘキサンで洗浄し、次いで５０℃で真空下に乾燥させる。標題の生成物である化合物Ａ−３１が、鮮紅色の粉末として得られる（収量：１．７４ｇ（７６％））。この生成物をさらに高真空昇華により精製する。

錯体例２〜７
イリジウム錯体Ａ−２、Ａ−８８、Ａ−３７、Ａ−１７、Ａ−７３、及びＡ−７９を、錯体例１に従って、相応するジイリジウム錯体例２〜６の生成物から出発して生成する。それぞれの生成物構造をＨＰＬＣ−ＭＳ及びＮＭＲ測定により確認した。

比較錯体ＣＣ−１〜ＣＣ−７は、ＷＯ２００９１００９９１号に記載されている。

それぞれのイリジウム錯体をドープしたポリマー薄膜について、イリジウム錯体のフォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを測定する。この薄膜は以下の手順により作製したものである：ポリマー”ＰＭＭＡ ６Ｎ”（Evonik社）１ｇをジクロロメタン９ｇ中に溶解させ、次いで１時間撹拌することにより、１０％ｗ／ｗポリマー溶液を作製する。各イリジウム錯体２ｍｇをＰＭＭＡ溶液０．９８ｇに添加し、１分間連続的に撹拌する。この溶液を、ドクターブレード法により、フィルムアプリケーター（360 2082型、Erichsen社）を用いて６０μｍのギャップで石英基板上に注ぐと、ドープされたポリマー薄膜（厚さ約６μｍ）が得られる。この薄膜のＰＬスペクトル及び量子収率（Ｑ．Ｙ．）を、積分球法で、絶対ＰＬ量子収率測定装置（Hamamatsu社, C9920-02型）（励起波長：４００ｎｍ）を用いて測定する。ＰＬ量子効率を、J.-P. Duan et al., Adv. Mat. 2003, 15, 224に記載のＩｒ（ＭＤＱ）₂（ａｃａｃ）（ＣＣ−１）の量子収率（Ｑ．Ｙ．）の値を１００％としたものに対する相対値として求める。イリジウム錯体をドープしたＰＭＭＡ薄膜のＰＬ Ｑ．Ｙ．、λ_max、ＣＩＥ ｘ、ｙ、及びＦＷＨＭを、以下の表に示す：

上の表から明らかである通り、本発明のイリジウム錯体は、Ｒ³及びＲ⁸がアルキル基を表すという事実に基づき、Ｒ³及びＲ⁸がＨを表すＷＯ２００９１００９９１号に記載のイリジウム錯体と比較して、より濃い赤色の色度座標（ＣＩＥ ｘ、ｙ）を示し、発光スペクトルの半値全幅（ＦＷＨＭ）がより小さい、より狭い発光スペクトルを示す。ＥＰ１９３９２０８Ａ１号の教示とは逆に、Ｒ¹としてアリール基を導入することなく前記の効果が達成される。

イリジウム錯体のフォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを、４％ｗ／ｗの各イリジウム錯体をドープしたα−ＮＰＤ薄膜について測定する。この薄膜試料は以下の手順により作製したものである：各イリジウム錯体１ｍｇ及びα−ＮＰＤ２４ｍｇをジクロロメタン２．５ｍｌに添加し、この混合物を１〜５分間撹拌する。生じる溶液を、ドクターブレード法により、フィルムアプリケーター（360 2082型、Erichsen社）を用いて３０μｍのギャップで石英基板上に注ぐ。ＰＬスペクトルを、ＰＭＭＡ薄膜について記載した通りに測定する（励起波長：４００ｎｍ）。作製した薄膜におけるイリジウム錯体の燐光の寿命（τｖ）を、以下の手順により測定する：発光の励起のために、短レーザーパルスシーケンス（THG Nd-YAG、３５５ｎｍ、パルス長１ｎｓｅｃ、繰り返し周波数１ｋＨｚ）を用いる。時間分解光子計数技術により、マルチチャネルスケーリングモードで、光電子増倍管、弁別装置、及びマルチスケーラーカード（FAST ComTec GmbH社、P7888型）を組み合わせて用いて発光を検出する。イリジウム錯体をドープしたα−ＮＰＤ薄膜のτｖ、λ_max、ＣＩＥ ｘ、ｙ、及びＦＷＨＭを、以下の表に示す：

上の表から明らかである通り、本発明のイリジウム錯体は、Ｒ³及びＲ⁸がアルキル基を表すという事実に基づき、Ｒ³及びＲ⁸がＨを表すＷＯ２００９１００９９１号に記載のイリジウム錯体と比較して、より濃い赤色の色度座標（ＣＩＥ ｘ、ｙ）を示すと共に、発光スペクトルの半値全幅（ＦＷＨＭ）がより小さい、より狭い発光スペクトルを示し、さらに、低減した三重項寿命τｖを示す。

イリジウム錯体のフォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを、２％ｗ／ｗ、５％ｗ／ｗ又は１０％ｗ／ｗの各イリジウム錯体をドープしたα−ＮＰＤ薄膜についての濃度系列で測定する。この濃度系列のα−ＮＰＤ薄膜試料は、以下の手順により作製したものである：イリジウム錯体０．５ｍｇ及びα−ＮＰＤ２４．５ｍｇ、イリジウム錯体１．２５ｍｇ及びα−ＮＰＤ２３．７５ｍｇ、イリジウム錯体２．５ｍｇ及びα−ＮＰＤ２２．５ｍｇを、それぞれジクロロメタン２．５ｍｌに添加する。全ての混合物を１〜５分間撹拌した後、この溶液を、ドクターブレード法により、フィルムアプリケーター（360 2082型、Erichsen社）を用いて３０μｍのギャップで石英基板上に注ぐ。ＰＬスペクトルを上記の通りに測定する（励起波長：４００ｎｍ）。イリジウム錯体をドープしたα−ＮＰＤ薄膜のλ_max、ＣＩＥ ｘ、ｙ、及びＦＷＨＭを、以下の表に示す：

上の表から明らかである通り、本発明のイリジウム錯体は、特許請求の範囲に記載の錯体の施与に該当する広範囲の濃度にわたって、より濃い赤色の色度座標（ＣＩＥ ｘ、ｙ）を示すと共に、発光スペクトルの半値全幅（ＦＷＨＭ）がより小さい、より狭い発光スペクトルを示す。色度座標（ＣＩＥ ｘ、ｙ）は、ＷＯ２００９１００９９１号に記載のイリジウム錯体の場合のように、マトリックス材料において使用されている発光体の量にはあまり依存していない。

比較施与例１
まず、アノードとして使用するＩＴＯ基板を、超音波浴中でアセトン／イソプロパノール混合物で洗浄する。存在し得るいかなる有機残留物をも排除するために、この基板をオゾン炉中で連続的なオゾン流にさらに２５分間曝す。この処理によって、ＩＴＯの正孔注入特性も改善される。その後、Plexcore^(R) OC AJ20-1000（Plextronics社より市販）をスピンコートし、乾燥して、正孔注入層（約４０ｎｍ）を形成させる。

その後、下記の有機材料を、清浄な基板に、約０．５〜５ｎｍ／分の速度で約１０^-7〜１０^-9ｍｂａｒで蒸着により施与する。正孔輸送及び励起子阻止体として、

（作製については、特許出願ＷＯ２００５／０１９３７３号におけるイリジウム錯体（７）を参照のこと）を基板に厚さ２０ｎｍで施与し、その際、伝導性を向上させるために、最初の１０ｎｍにはＭｏＯ_x（約１０％）をドープする。

次いで、発光体化合物

１０質量％と、化合物

９０質量％との混合物を、蒸着により厚さ２０ｎｍで施与する。次いで、

を、蒸着により厚さ１０ｎｍで阻止体として施与する。Ｃｓ₂ＣＯ₃をドープした

の付加的な層を、電子輸送層として蒸着により厚さ５０ｎｍで施与し、最終的に厚さ１００ｎｍのＡｌ電極によりデバイスを完成させる。

製作した全てのパーツをガラス蓋で封止し、不活性窒素雰囲気中でゲッタリングする。

ＯＬＥＤの特性決定を行うために、エレクトロルミネッセンススペクトルを種々の電流及び電圧で記録する。さらに、電流−電圧特性を、放出された光出力と組み合わせて測定する。光度計でのキャリブレーションにより、光出力を測光パラメータに変換することができる。寿命を測定するために、ＯＬＥＤを一定の電流密度で作動させ、光出力の減少を記録する。寿命とは、輝度が当初の輝度の半分にまで減少するまでに経過する時間と定義される。

比較施与例２
比較施与例２のデバイスを比較施与例１のデバイスと同様に作製するが、但し、化合物ＣＣ−１の代わりに化合物ＣＣ−３を使用する。

施与例１及び２
施与例１及び２のデバイスを比較施与例１のデバイスと同様に作製するが、但し、化合物ＣＣ−１の代わりにそれぞれ化合物Ａ−７９及び（Ａ−１７）を使用する。

上の表から明らかである通り、本発明のイリジウム錯体は、Ｒ³及びＲ⁸がアルキル基を表すという事実に基づき、Ｒ³及びＲ⁸がＨを表すＷＯ２００９１００９９１号に記載のイリジウム錯体と比較して、より濃い赤色の色度座標（ＣＩＥ ｘ、ｙ）を示すと共に、高いＥＱＥで、発光スペクトルの半値全幅（ＦＷＨＭ）がより小さい、より狭い発光スペクトルを示す。波長の関数としての化合物ＣＣ−１及びＡ−１７のＥＬ強度のプロットを示す図１と、波長の関数としての化合物ＣＣ−３及びＡ−７９のＥＬ強度のプロットを示す図２を参照のこと。

比較錯体例１（錯体ＣＣ−８＝ＷＯ２００９／１００９９１号に記載の錯体Ａ−１５６）

ａ）６，１１−ジブロモ−２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（配位子例１ｂの生成物）１０．０ｇ（２４．９ｍｍｏｌ）及びフェニルボロン酸９．１ｇ（７４．６ｍｍｏｌ）を、アルゴン下にトルエン２５０ｍｌ中に懸濁させる。酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２２ｇ（１．０ｍｍｏｌ）及び２−ジシクロヘキシル−ホスフィノ−２'，６'−ジメトキシビフェニル１．２３ｇ（３．０ｍｍｏｌ）を添加し、次いでリン酸カリウム水和物５７．３ｇ（０．２５ｍｏｌ）を添加する。反応混合物をアルゴンで脱気し、薄黄色の懸濁液を還流下に２時間加熱する。高温の灰色の懸濁液をセライト(Celite)に通して濾過し、このセライト層を熱トルエン２００ｍｌで数回抽出する。集めた溶出液を真空下に濃縮し、生じる固形物をエタノールから再晶出させると、標題の生成物が白色の固形物として得られる（収量：５．１ｇ（５２％））。融点：２８８〜２９０℃。

ｂ）まず最初に、ジイリジウム錯体中間体を、ジイリジウム錯体例１について報告した手順に従って、比較錯体例２ａ）の生成物１．１１ｇ（２．８ｍｍｏｌ）、塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物０．４８ｇ（１．３ｍｍｏｌ）及び２−エトキシエタノール３０ｍｌを用いて作製すると、ジイリジウム錯体中間体が橙色の粉末（１．２４ｇ、９２％）として生じる。次の工程において、比較錯体ＣＣ−８を、錯体例１に従って、予め単離したジイリジウム錯体中間体１．１９ｇ（０．５８ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム０．６２ｇ（５．８ｍｍｏｌ）、アセチルアセトン０．４７ｇ（４．７ｍｍｏｌ）及び２−エトキシエタノール２０ｍｌを用いて作製し、９９％を上回るＨＰＬＣ純度で２５０ｎｍＵＶ検出で徹底的な精製の後に、比較錯体ＣＣ−８が橙色の粉末として得られる（１．０８ｇ、８５％）。

比較錯体例２（錯体ＣＣ−９＝ＷＯ２００９／１００９９１号に記載の錯体Ａ−１８）

ａ）６，１１−ジブロモ−２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（配位子例１ｂの生成物）８．０ｇ（１９．９ｍｍｏｌ）及び４−エトキシフェニルボロン酸９．９１ｇ（５９．７ｍｍｏｌ）を、アルゴン下にトルエン２５０ｍｌ中に懸濁させる。酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１８ｇ（０．８ｍｍｏｌ）及び２−ジシクロヘキシル−ホスフィノ−２'，６'−ジメトキシビフェニル０．９８ｇ（２．４ｍｍｏｌ）を添加し、次いでリン酸カリウム水和物４５．８ｇ（０．２０ｍｏｌ）を添加する。反応混合物をアルゴンで脱気し、灰色の懸濁液を還流下に２１時間加熱する。高温の灰色の懸濁液をセライトに通して濾過し、このセライト層を熱トルエン２００ｍｌで数回抽出する。集めた溶出液を真空下に濃縮すると、標題の生成物が薄黄色の固形物として得られる（収量：４．０ｇ（４１％））。融点：３１０〜３１２℃。

ｂ）まず最初に、ジイリジウム錯体中間体を、ジイリジウム錯体例１について報告した手順に従って、比較錯体例２ａ）の生成物１．３ｇ（２．７ｍｍｏｌ）、塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物０．４６ｇ（１．３ｍｍｏｌ）及び２−エトキシエタノール５０ｍｌを用いて作製すると、ジイリジウム錯体中間体が赤色の粉末（１．５０ｇ、９９％）として生じる。次の工程において、比較錯体ＣＣ−９を、錯体例１に従って、予め単離したジイリジウム錯体中間体１．５ｇ（０．６３ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム０．６７ｇ（６．３ｍｍｏｌ）、アセチルアセトン０．５ｇ（５．０ｍｍｏｌ）及び２−エトキシエタノール２０ｍｌを用いて作製し、徹底的な精製の後に標題の錯体が赤色の粉末として得られる（１．４９ｇ、９４％）。

上記の通りのＰＭＭＡ薄膜において錯体ＣＣ−１、ＣＣ−８、Ａ−３７、及びＡ−１７のフォトルミネッセンススペクトルを測定し、これを以下の表に示す。

上の表から明らかである通り、比較錯体ＣＣ−８は、本発明の錯体と比較してより薄い赤色の点をもたらす。ＣＣ−８は、Ｒ³及びＲ⁸の位置に結合しているフェニル基による広がった結合に基づき、（ＣＩＥ ｘ、ｙ）＝（０．５７、０．４３）の発光スペクトルの大きな緑色シフトを示す。錯体ＣＣ−８は、１０^-6〜１０^-7ｍｂａｒまでの圧力では昇華せず、真空蒸着法には適さないが、昇温に伴って分解を招く。錯体ＣＣ−８の熱重量分析（ＴＧＡ）により、２４０〜２５０℃の開始温度での質量減少が示された。対照的に本発明の錯体は、はるかにより高い熱安定性及び揮発性に基づき、３３０℃を上回るＴＧＡにおける開始温度で７０〜８０％を上回る高い昇華収率を示す。

錯体ＣＣ−９は不溶性であり、１０^-6〜１０^-7ｍｂａｒまでの圧力では昇華せず、真空蒸着法には適さないが、昇温に伴って分解を招く。錯体ＣＣ−９の熱重量分析（ＴＧＡ）により、２００〜２１０℃の開始温度での質量減少が示された。本発明の錯体は、はるかにより高い熱安定性及び揮発性に基づき、３３０℃を上回るＴＧＡにおける開始温度で７０〜８０％を上回る高い昇華収率を示す。

Claims (15)

1. 式
   

   

   ［式中、
   Ｒ¹は、Ｈであるか、Ｃ₁−Ｃ₈アルキルもしくはＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキルで置換されていてもよいＣ₃−Ｃ₈シクロアルキルであるか；又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであり；
   Ｒ²は、Ｈ、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであるか、又は、
   Ｒ ¹ は、式
   

   

   の基であり、
   かつ、Ｒ ² は、Ｈであり；
   Ｒ ⁴ は、Ｃ ₁ −Ｃ ₈ アルキル、ＣＦ ₃ 、又はＮＲ ⁷ Ｒ ⁹ であり、
   Ｒ ^4' は、Ｈ、ＣＦ ₃ 、又はＣ ₁ −Ｃ ₈ アルキルであり、
   Ｒ ^4'' は、Ｃ ₁ −Ｃ ₈ アルキル、又はＣＦ ₃ であり、
   Ｒ ⁷ 及びＲ ⁹ は、互いに無関係に、
   

   

   であるか；又は、
   Ｒ ⁷ 及びＲ ⁹ は、これらのＲ ⁷ 及びＲ ⁹ が結合している窒素原子と一緒になって、式
   

   

   の基を形成しており；
   Ｒ ¹⁰ は、Ｈ、又はＣ ₁ −Ｃ ₈ アルキルであるか、又は、
   Ｒ¹及びＲ²は一緒になって、１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈アルキルで及び／又は１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキルで置換されていてもよい環−（ＣＨ₂）₃−を形成しているか、又は、１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈アルキルで及び／又は１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキルで置換されていてもよい環−（ＣＨ₂）₄−を形成しており、
   Ｒ³及びＲ⁸は、互いに無関係に、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、−Ｓｉ（Ｃ₁−Ｃ₈アルキル）₃、又はＣ₃−Ｃ₈シクロアルキルであり；
   Ｍは、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ又はＲｅであり、
   Ｌは、単座配位子、又は二座配位子であり、
   Ｌが単座配位子である場合に、
   ＭがＰｄ又はＰｔである場合、ｍは０又は２であり、ｎは１又は２であり、
   ＭがＲｈ、Ｉｒ又はＲｅである場合、ｍは０、２又は４であり、ｎは１、２又は３であり、
   Ｌが二座配位子である場合に、
   ＭがＰｄ又はＰｔである場合、ｍは０又は１であり、ｎは１又は２であり、
   ＭがＲｈ、Ｉｒ又はＲｅである場合、ｍは０、１又は２であり、ｎは１、２又は３である］
   の化合物。
2. 以下の構造式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）、（ＶＩａ）、（ＶＩｂ）又は（ＶＩｃ）：
   

   

   ［式中、
   Ｍ²は、Ｒｈ、Ｉｒ又はＲｅであり、
   Ｍ⁴は、Ｐｄ又はＰｔであり、
   Ｌは、二座配位子であり、
   Ｌ’’’は、単座配位子であり、
   Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁸は、請求項１に定義されている通りである］
   を有する、請求項１に記載の化合物。
3. Ｒ¹が、１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈アルキルで及び／又は１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキルで置換されていてもよいＣ₃−Ｃ₈シクロアルキルであるか；又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであるか；又は、
   Ｒ¹及びＲ²が一緒になって、１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈アルキルで及び／又は１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキルで置換されていてもよい環−（ＣＨ₂）₃−を形成しているか、又は、１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈アルキルで及び／又は１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキルで置換されていてもよい環−（ＣＨ₂）₄−を形成している、請求項１又は２に記載の化合物。
4. Ｒ¹が、式
   

   

   ［式中、
   Ｒ⁴は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、ＣＦ₃、又はＮＲ⁷Ｒ⁹であり、
   Ｒ ^4''は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、又はＣＦ₃であり、
   Ｒ⁷及びＲ⁹は、互いに無関係に、
   

   

   であるか；又は、
   Ｒ⁷及びＲ⁹は、これらのＲ⁷及びＲ⁹が結合している窒素原子と一緒になって、式
   

   

   の基を形成しており；
   Ｒ¹⁰は、Ｈ、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルである］
   の基であり、
   Ｒ²が、Ｈである、請求項１又は２に記載の化合物。
5. Ｒ³及びＲ⁸が、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、−Ｓｉ（Ｃ₁−Ｃ₄アルキル）₃、又はＣ₃−Ｃ₆シクロアルキルである、請求項１から４までのいずれか１項に記載の化合物。
6. 二座配位子Ｌが、式
   

   

   ［式中、
   環Ａ
   

   

   は、ヘテロ原子を含んでいてよい置換されていてもよいアリール基を表し、
   環Ｂ
   

   

   は、さらなるヘテロ原子を含んでいてよい置換されていてもよい含窒素アリール基を表すか、又は、
   環Ａは、この環Ａに結合している環Ｂと共に、一つの環を形成していてよい］
   の化合物であるか；又は、
   Ｌが、以下
   

   

   

   から選択された二座配位子Ｌ'であり、ここで、
   Ｒ¹¹及びＲ¹⁵は、互いに無関係に、水素であるか、Ｃ₁−Ｃ₈アルキルであるか、Ｃ₁−Ｃ₈アルキルで置換されていてもよいＣ₆−Ｃ₁₈アリールであるか；Ｃ₁−Ｃ₈アルキルもしくはフェニルで置換されていてもよいシクロペンチルであるか；Ｃ₁−Ｃ₈アルキルもしくはフェニルで置換されていてもよいシクロヘキシルであるか；Ｃ₂−Ｃ₁₀ヘテロアリールであるか、又はＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキルであり、
   Ｒ¹²及びＲ¹⁶は、互いに無関係に、水素、Ｃ₆−Ｃ₁₈アリール、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであるか、又は、
   Ｒ¹²は、式
   

   

   の基であり、
   Ｒ¹³及びＲ¹⁷は、互いに無関係に、水素、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₈アリール、Ｃ₂−Ｃ₁₀ヘテロアリール、Ｃ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキル、又はＣ₁−Ｃ₈アルコキシであり、
   Ｒ¹⁴は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₀アリール、又はＣ₇−Ｃ₁₁アラルキルであり、
   Ｒ¹⁸は、Ｃ₆−Ｃ₁₀アリールであり、
   Ｒ¹⁹は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、又はＣ₁−Ｃ₈ペルフルオロアルキルであり、
   Ｒ²⁰は、水素、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、又はＣ₆−Ｃ₁₀アリールであり、
   Ｒ²¹は、水素であるか、部分的もしくは完全にフッ素化されていてよいＣ₁−Ｃ₈アルキルであるか、又は部分的もしくは完全にフッ素化されていてよいＣ₁−Ｃ₈アルコキシであり、
   Ｒ²²及びＲ²³は、互いに無関係に、Ｃ_q（Ｈ＋Ｆ）_2q+1、又はＣ₆（Ｈ＋Ｆ）₅であり、
   Ｒ²⁴は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、Ｈ、又はＣ_q（Ｈ＋Ｆ）_2q+1から選択されており、
   Ｒ⁴⁶は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキルであるか、Ｃ₆−Ｃ₁₈アリールであるか、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルで置換されているＣ₆−Ｃ₁₈アリールであり、
   ｑは、１〜２４の整数であり、ｐは、２又は３であるか、又は、
   Ｌが、以下
   

   

   

   

   

   から選択された二座配位子Ｌ’’である、請求項１から５までのいずれか１項に記載の化合物。
7. 式
   

   

   ［式中、
   Ｍ²は、イリジウムであり、
   Ｒ¹は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキルであり、
   Ｒ²は、Ｈであるか；又は、
   Ｒ¹及びＲ²は一緒になって、１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈アルキルで置換されていてもよい環−（ＣＨ₂）₃−を形成しているか、又は、１個もしくは２個のＣ₁−Ｃ₈アルキルで置換されていてもよい環−（ＣＨ₂）₄−を形成しており、
   Ｒ³及びＲ⁸は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、−Ｓｉ（Ｃ₁−Ｃ₄アルキル）₃、又はＣ₃−Ｃ₆シクロアルキルであり、
   Ｌは、
   

   

   である］
   の化合物である、請求項６に記載の化合物。
8. 式
   

   

   ［式中、
   Ｍ²は、イリジウムであり、
   Ｒ¹は、式
   

   

   の基であり、
   Ｒ²は、Ｈであり；
   Ｒ⁴は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、ＣＦ₃、又はＮＲ⁷Ｒ⁹であり、
   Ｒ^4'は、Ｈ、ＣＦ₃、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであり、
   Ｒ^4''は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、又はＣＦ₃であり、
   Ｒ⁷及びＲ⁹は、互いに無関係に、
   

   

   であるか；又は、
   Ｒ⁷及びＲ⁹は、これらのＲ⁷及びＲ⁹が結合している窒素原子と一緒になって、式
   

   

   の基を形成しており；
   Ｒ¹⁰は、Ｈ、又はＣ₁−Ｃ₈アルキルであり、
   Ｒ³及びＲ⁸は、Ｃ₁−Ｃ₈アルキル、−Ｓｉ（Ｃ₁−Ｃ₄アルキル）₃、又はＣ₃−Ｃ₆シクロアルキルであり；
   Ｌは、
   

   

   である］
   の化合物である、請求項６に記載の化合物。
9. 請求項１に記載の、以下の化合物：
   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   
10. 請求項１から９までのいずれか１項に記載の化合物を含む、有機電子デバイス。
11. 請求項１から９までのいずれか１項に記載の化合物を含む、発光層。
12. 請求項１から９までのいずれか１項に記載の化合物を、ホスト材料と組み合わせて含む、請求項１１に記載の発光層。
13. 請求項１０に記載の有機電子デバイス、又は請求項１１又は１２に記載の発光層を含む、以下のものからなる群から選択された装置：据置型視覚表示装置、例えばコンピュータの視覚表示装置、テレビ、プリンタにおける視覚表示装置、台所用電化製品、及び広告パネル、照明、情報パネル、並びに、携帯型視覚表示装置、例えば携帯電話、ラップトップ、デジタルカメラ、ＭＰ３プレーヤー、バス及び電車における車両及び目的地の表示における視覚表示装置；照明装置；キーボード；着用品；家具；壁紙。
14. 電子写真感光体、光電変換体、有機太陽電池（有機光電池）、スイッチング素子、有機発光電界効果トランジスタ（ＯＬＥＦＥＴ）、イメージセンサ、色素レーザー、及びエレクトロルミネッセンスデバイスへの、請求項１から９までのいずれか１項に記載の化合物の使用。
15. 式
    

    

    ［式中、
    Ｘは、Ｈ、メチル、又はエチルであり、
    Ｌ^aは、
    

    

    であり、ここで、
    Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁸は、請求項１に定義されている通りである］
    の化合物。

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