JP6253971B2 - 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 - Google Patents

Description

本発明の一態様は、例えば、発光素子に関する。特に、本発明の一態様は、例えば、三重項励起エネルギーを発光に変換できる有機化合物を含む発光素子に関する。または、本発明の一態様は、例えば、該発光素子を用いた発光装置、電子機器、及び照明装置に関する。

近年、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光物質からの発光を得ることができる。

このような発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。

そして、これらの発光素子は膜状に形成することが可能であるため、面状の発光を容易に得ることができる。よって、面状の発光を利用した大面積の素子を形成することができる。このことは、白熱電球やＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。

そのエレクトロルミネッセンスを利用した発光素子は、発光物質が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって大別できる。発光物質に有機化合物を用い、一対の電極間に当該有機化合物を含む層を設けた有機ＥＬ素子の場合、発光素子に電圧を印加することにより、陰極から電子が、陽極から正孔（ホール）がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、注入した電子及び正孔が発光性の有機化合物を励起状態に至らしめ、励起された発光性の有機化合物から発光を得るものである。

有機化合物が形成する励起状態の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態が可能であり、一重項励起状態（Ｓ^＊）からの発光が蛍光、三重項励起状態（Ｔ^＊）からの発光が燐光と呼ばれている。また、発光素子におけるその統計的な生成比率は、Ｓ^＊：Ｔ^＊＝１：３であると考えられている。

一重項励起状態のエネルギーを発光に変換する化合物（以下、蛍光性化合物と称す）では室温において、三重項励起状態からの発光（燐光）は観測されず、一重項励起状態からの発光（蛍光）のみが観測される。したがって、蛍光性化合物を用いた発光素子における内部量子効率（注入したキャリアに対して発生するフォトンの割合）の理論的限界は、Ｓ^＊：Ｔ^＊＝１：３であることを根拠に２５％とされている。

一方、三重項励起状態のエネルギーを発光に変換する化合物（以下、燐光性化合物と称す）を用いれば、三重項励起状態からの発光（燐光）が観測される。また、燐光性化合物は項間交差（一重項励起状態から三重項励起状態へ移ること）が起こりやすいため、内部量子効率は１００％まで理論上は可能となる。つまり、蛍光性化合物に比べて４倍の発光効率が可能となる。このような理由から、高効率な発光素子を実現するために、燐光性化合物を用いた発光素子の開発が近年盛んに行われている。

上述した燐光性化合物を用いて発光素子の発光層を形成する場合、燐光性化合物の濃度消光や三重項−三重項消滅による消光を抑制するために、他の化合物からなるマトリクス中に該燐光性化合物が分散するようにして形成することが多い。このとき、マトリクスとなる化合物はホスト材料、燐光性化合物のようにマトリクス中に分散される化合物はゲスト材料と呼ばれる。

燐光性化合物をゲスト材料とする場合、ホスト材料に必要とされる性質は、該燐光性化合物よりも大きな三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）を有することである。

また、一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）は三重項励起エネルギーよりも大きいため、大きな三重項励起エネルギーを有する物質は大きな一重項励起エネルギーをも有する。したがって、上述したような大きな三重項励起エネルギーを有する物質は、蛍光性化合物を発光物質として用いた発光素子においても有益である。

燐光性化合物をゲスト材料とする場合のホスト材料として、多様な化合物の研究がなされている。例えば、トリフェニレン環を有する化合物、またはジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン環を有する化合物の研究がなされている（例えば、特許文献１及び特許文献２）。

特表２０１０−５３５８０６号公報 特開２００７−１８９００１号公報

特許文献１または特許文献２において報告されているように、燐光性化合物のホスト材料の開発は進んではきてはいるものの、該ホスト材料の発光特性または合成効率、あるいは該ホスト材料を用いた発光素子の駆動電圧、信頼性、またはコストといった面で改善の余地が残されており、より優れた燐光性化合物のホスト材料の開発が望まれている。

そこで、本発明の一態様では、発光効率が良い発光素子などを提供する。または、本発明の一態様では、低駆動電圧である発光素子を提供する。または、本発明の一態様では、長寿命な発光素子を提供する。または、本発明の一態様では、耐熱性の高い発光素子を提供する。または、本発明の一態様では、高いキャリア輸送性の有機化合物を有する発光素子を提供する。または、本発明の一態様では、電気化学的安定性の高い有機化合物を有する発光素子を提供する。または、本発明の一態様では、新規な発光素子、発光装置、電子機器または照明装置を提供する。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の少なくとも一つを解決するものである。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、一対の電極間に有機化合物を有し、有機化合物が、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環と、アリーレン基と、正孔輸送性骨格と、を有する発光素子である。

また、本発明の他の一態様は、一対の電極間に有機化合物を有し、有機化合物が、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環と、アリーレン基と、正孔輸送性骨格と、を有し、ジベンゾ［ｆ．ｈ］キノリン環と、正孔輸送性骨格と、がアリーレン基を介して結合することを特徴とする発光素子である。

本発明の一態様において用いる有機化合物は、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環に加えて正孔輸送骨格を有するため、正孔と電子の両方を受け取ることが容易となる。したがって、前記有機化合物上で電子と正孔の再結合を容易に行うことができる。また、上記有機化合物は、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環と正孔輸送骨格とが、アリーレン基を介して結合しているため、直接結合する場合に比べてバンドギャップの低下及び三重項励起エネルギーの低下を防ぐことができ、この有機化合物を発光素子に用いることで、電流効率が高い素子を実現できる。

正孔輸送骨格としては、π電子過剰型ヘテロ芳香環が好ましい。π電子過剰型ヘテロ芳香環としては、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、又はジベンゾチオフェン環が好ましい。アリーレン基としては、置換または無置換のフェニレン基、置換または無置換のビフェニルジイル基のいずれかが好ましい。

また、上記発光素子を用いた発光装置、電子機器、及び照明装置も本発明の範疇に含めるものとする。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、光源を含む。また、パネルにコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、又は発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

本発明の一態様は、駆動電圧が低く、電流効率が高い発光素子を提供できる。本発明の一態様は、この発光素子を用いることにより、消費電力の低減された発光装置、電子機器、及び照明装置を提供できる。

本発明の一態様の発光素子を説明する図。 本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の照明装置を説明する図。 タッチセンサを説明する図。 タッチセンサを説明する回路図。 タッチセンサを説明する断面図。 本発明の一態様である表示装置を用いた表示モジュールを説明する図。 本発明の一態様である表示装置を用いた電子機器を説明する図。 本発明の一態様である表示装置を用いた電子機器を説明する図。 ２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩ）の^１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩのＭＳ分析した測定結果を示す図。 ２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩのＴｏＦ−ＳＩＭＳ分析した測定結果を示す図。 ２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 実施例の発光素子を説明する図。 発光素子１、及び比較発光素子２の電流密度−輝度特性を示す図。 発光素子１、及び比較発光素子２の電圧−輝度特性を示す図。 発光素子１、及び比較発光素子２の輝度−電流効率特性を示す図。 発光素子１、及び比較発光素子２の電圧−電流特性を示す図。 発光素子３の電流密度−輝度特性を示す図。 発光素子３の電圧−輝度特性を示す図。 発光素子３の輝度−電流効率特性を示す図。 発光素子３の電圧−電流特性を示す図。 ２−｛３−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩ）の^１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 ２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩのＭＳ分析した測定結果を示す図。 ２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩのＴｏＦ−ＳＩＭＳ分析した測定結果を示す図。 ２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 発光素子４、及び比較発光素子５の電流密度−輝度特性を示す図。 発光素子４、及び比較発光素子５の電圧−輝度特性を示す図。 発光素子４、及び比較発光素子５の輝度−電流効率特性を示す図。 発光素子４、及び比較発光素子５の電圧−電流特性を示す図。 発光素子４、及び比較発光素子５の信頼性試験結果を示す図。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子について、図１を用いて説明する。

まず、図１（Ａ）に示す発光素子について、以下説明を行う。

本実施の形態に示す発光素子は、図１（Ａ）に示すように第１の電極１０１と第２の電極１０３の間に、ＥＬ層１０２が挟持されており、ＥＬ層１０２は、少なくとも発光層１１３を含み、発光層１１３の他に正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１４、電子注入層１１５などを含んで形成される。なお、本実施の形態においては、第１の電極１０１を陽極として用い、第２の電極１０３を陰極として用いる。

また、発光層１１３は、有機化合物を含み、該有機化合物が、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環と、アリーレン基と、正孔輸送性骨格と、を有する。とくに、ジベンゾ［ｆ．ｈ］キノリン環と、正孔輸送性骨格と、がアリーレン基を介して結合すると好ましい。

上記有機化合物はジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環に加えて正孔輸送骨格を有するため、正孔と電子を受け取ることが容易となる。したがって、電子と正孔の再結合を発光層内で容易に行うことができる。また、上記有機化合物は、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環と正孔輸送骨格とが、アリーレン基を介して結合しているため、直接結合する場合に比べてＨＯＭＯ準位−ＬＵＭＯ準位間のバンドギャップの低下、及び三重項励起エネルギーの低下を防ぐことができ、この有機化合物を発光素子に用いることで、電流効率が高い素子を実現できる。

したがって、上記有機化合物を発光素子に用いることで、高い電流効率、低い駆動電圧、及び長寿命な発光素子を実現できる。

以下に本実施の形態に示す発光素子について、より詳細に説明する。

基板１００は、発光素子の支持体として用いられる。基板１００としては、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォンからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル等からなる）、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。

第１の電極１０１および第２の電極１０３には、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、シリコンまたは酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）の他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金、その他、グラフェン等を用いることができる。なお、第１の電極１０１および第２の電極１０３は、例えばスパッタリング法や蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形成することができる。

正孔注入層１１１、及び正孔輸送層１１２に用いる正孔輸送性の高い物質としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体やインドール誘導体）、または芳香族アミン化合物を用いることができる。例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４、４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物や、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニル−カルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）などのカルバゾール骨格を有する化合物や、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物や、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。

上述した中でも、カルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。

さらに、正孔注入層１１１、及び正孔輸送層１１２に用いることのできる材料としては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。

また、正孔注入層１１１、及び正孔輸送層１１２は、上記正孔輸送性の高い物質と、アクセプター性を有する物質との混合層を用いてもよい。この場合、キャリア注入性が良好となり好ましい。用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物、例えば元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。

発光層１１３は、例えば、ホスト材料（第１の有機化合物）と燐光性化合物をゲスト材料（第２の有機化合物）として含みのが好ましい。また、さらに別の材料をアシスト材料（第３の有機化合物）として含んでいても良い。

ここで、上記ホスト材料（第１の有機化合物）として、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環と、アリーレン基と、正孔輸送性骨格と、を有する有機化合物を用いる。具体的には、ジベンゾ［ｆ．ｈ］キノリン環と、正孔輸送性骨格と、がアリーレン基を介して結合する有機化合物を用いる。

また、上記正孔輸送骨格としては、π電子過剰型ヘテロ芳香環が好ましい。π電子過剰型ヘテロ芳香環としては、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、又はジベンゾチオフェン環が好ましい。アリーレン基としては、置換または無置換のフェニレン基、置換または無置換のビフェニルジイル基のいずれかが好ましい。

上記有機化合物としては、具体的には以下の一般式（Ｇ０）、（Ｇ１）、（Ｇ２−１）、（Ｇ２−２）、（Ｇ３−１）、及び（Ｇ３−２）で表すことができる。

一般式（Ｇ０）中、Ａは、置換または無置換のカルバゾリル基、置換または無置換のジベンゾチオフェニル基、置換または無置換のジベンゾフラニル基、のいずれかを表し、Ｅは、置換または無置換のジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環を表し、Ａｒは、炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、アリーレン基は置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成してもよい。

一般式（Ｇ１）中、Ａは、置換または無置換のカルバゾリル基、置換または無置換のジベンゾチオフェニル基、置換または無置換のジベンゾフラニル基、のいずれかを表し、Ｒ^１１〜Ｒ^２０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基のいずれかを表し、Ａｒは、炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、アリーレン基は置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成してもよい。

一般式（Ｇ２−１）中、Ｚは、酸素または硫黄を表し、Ｒ^１１〜Ｒ^２０、及びＲ^２１〜Ｒ^２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表し、Ａｒは、炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、アリーレン基は置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成してもよい。

一般式（Ｇ２−２）中、Ｒ^１１〜Ｒ^２０、及びＲ^３１〜Ｒ^３８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表し、Ａｒは、炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、アリーレン基は置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成してもよい。

また、一般式（Ｇ２−１）及び一般式（Ｇ２−２）において、Ａｒは置換または無置換のフェニレン基、置換または無置換のビフェニルジイル基のいずれかであることが好ましい。特にＡｒは、置換または無置換のフェニレン基であることが好ましい。さらにＡｒは置換または無置換のｍ−フェニレン基であることが、高い三重項励起エネルギー準位を有する上で好ましい。

一般式（Ｇ３−１）中、Ｚは、酸素または硫黄を表し、Ｒ^１１〜Ｒ^２０、Ｒ^２１〜Ｒ^２７、及びＲ^４１〜Ｒ^４４は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。

一般式（Ｇ３−２）中、Ｒ^１１〜Ｒ^２０、Ｒ^３１〜Ｒ^３８、及びＲ^４１〜Ｒ^４４は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。

一般式（Ｇ０）、（Ｇ１）、（Ｇ２−１）、及び（Ｇ２−２）中におけるＡｒの具体的な構造としては、例えば、構造式（１−１）〜構造式（１−１５）に示す置換基が挙げられる。

一般式（Ｇ１）、（Ｇ２−１）、（Ｇ２−２）、（Ｇ３−１）及び（Ｇ３−２）中におけるＲ^１１〜Ｒ^２０、Ｒ^２１〜Ｒ^２７、Ｒ^３１〜Ｒ^３８、及びＲ^４１〜Ｒ^４４の具体的な構造としては、例えば、構造式（２−１）〜構造式（２−２３）に示す置換基が挙げられる。

一般式（Ｇ１）に示される有機化合物の具体例としては、構造式（１００）〜構造式（１５４）、構造式（２００）〜構造式（２５４）、及び構造式（３００）〜構造式（３５４）に示される有機化合物を挙げることができる。但し、本発明の一態様はこれらに限定されない。

また、本発明の一態様の発光素子に用いることのできる有機化合物の合成方法としては、種々の反応を適用することができる。例えば、以下に示す合成反応を行うことによって、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を合成することができる。なお、合成方法は、以下の合成方法に限定されない。

≪一般式（Ｇ１）で表される有機化合物の合成方法１≫
はじめに合成スキーム（Ａ−１）を以下に示す。

一般式（Ｇ１）で表される上記有機化合物は、合成スキーム（Ａ−１）のようにして合成することができる。すなわち、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン誘導体のハロゲン化物（化合物１）と、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、又はジベンゾチオフェン誘導体の、有機ボロン化合物又はボロン酸（化合物２）を、鈴木・宮浦反応によりカップリングさせることで、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を得ることができる。

合成スキーム（Ａ−１）において、Ａはカルバゾリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基を表し、Ｒ^１１〜Ｒ^２０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、置換または無置換の炭素数６〜１３のアリール基を表す。Ｒ^５０およびＲ^５１は水素、炭素数１〜６のアルキル基のいずれかを表す。また、合成スキーム（Ａ−１）においてＲ^５０とＲ^５１は互いに結合して環を形成していてもよい。また、Ｘ^１はハロゲンを表す。

合成スキーム（Ａ−１）において、用いることができるパラジウム触媒としては、酢酸パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド等が挙げられるが、用いることができるパラジウム触媒はこれらに限られるものでは無い。

合成スキーム（Ａ−１）において、用いることができるパラジウム触媒の配位子としては、トリ（オルト−トリル）ホスフィンや、トリフェニルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。パラジウム触媒の配位子はこれらに限られるものでは無い。

合成スキーム（Ａ−１）において、用いることができる塩基としては、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基等が挙げられるが、用いることができる塩基はこれらに限られるものでは無い。

合成スキーム（Ａ−１）において、用いることができる溶媒としては、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒などが挙げられる。ただし、用いることができる溶媒はこれらに限られるものでは無い。また、トルエンと水、又はトルエンとエタノールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒がより好ましい。

合成スキーム（Ａ−１）に示す鈴木・宮浦カップリング反応において、化合物２で示される有機ホウ素化合物、又はボロン酸以外にも、有機アルミニウムや、有機ジルコニウム、有機亜鉛、有機スズ化合物等を用いるクロスカップリング反応を用いてもよい。しかし、これらに限定されるものではない。

また、合成スキーム（Ａ−１）に示す鈴木・宮浦カップリング反応において、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン誘導体の有機ホウ素化合物、又はボロン酸と、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、又はジベンゾチオフェン誘導体のハロゲン化物、又はトリフラート置換体をカップリングしてもよい。

以上によって、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を合成することができる。

≪一般式（Ｇ１）で表される有機化合物の合成方法２≫
以下では、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物の別の合成方法について説明する。はじめに、Ａのホウ素化合物を原料に用いる場合の、合成スキーム（Ｂ−１）を以下に示す。

合成スキーム（Ｂ−１）に示すように、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン誘導体のハロゲン化物（化合物３）と、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、またはジベンゾチオフェン誘導体の有機ボロン化合物、またはボロン酸（化合物４）を、鈴木・宮浦反応によりカップリングさせることで、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を得ることができる。

合成スキーム（Ｂ−１）において、Ａはカルバゾリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基を表し、Ｒ^１１〜Ｒ^２０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、置換または無置換の炭素数６〜１３のアリール基を表す。Ａｒは、炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、該アリーレン基は置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^５２およびＲ^５３は水素、炭素数１〜６のアルキル基のいずれかを表す。合成スキーム（Ｂ−１）においてＲ^５２とＲ^５３は互いに結合して環を形成していてもよい。また、Ｘ^２はハロゲン、又はトリフラート基を表し、ハロゲンとしては、ヨウ素と臭素がより好ましい。

合成スキーム（Ｂ−１）において、用いることができるパラジウム触媒としては、酢酸パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド等が挙げられるが、用いることができるパラジウム触媒はこれらに限られるものでは無い。

合成スキーム（Ｂ−１）において、用いることができるパラジウム触媒の配位子としては、トリ（オルト−トリル）ホスフィンや、トリフェニルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。用いることができるパラジウム触媒の配位子はこれらに限られるものでは無い。

合成スキーム（Ｂ−１）において、用いることができる塩基としては、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基等が挙げられるが、用いることができる塩基はこれらに限られるものでは無い。

合成スキーム（Ｂ−１）において、用いることができる溶媒としては、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒などが挙げられる。ただし、用いることができる溶媒はこれらに限られるものでは無い。また、トルエンと水、又はトルエンとエタノールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒がより好ましい。

合成スキーム（Ｂ−１）に示す鈴木・宮浦カップリング反応において、化合物４で示される有機ホウ素化合物、又はボロン酸以外にも、有機アルミニウムや、有機ジルコニウム、有機亜鉛、有機スズ化合物等を用いるクロスカップリング反応を用いてもよい。しかし、これらに限定されるものではない。また、このカップリングにおいて、ハロゲン以外にもトリフラート基等を用いてもよいが、これらに限定されるものではない。

また、合成スキーム（Ｂ−１）に示す鈴木・宮浦カップリング反応において、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン誘導体の有機ホウ素化合物、又はボロン酸と、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、又はジベンゾチオフェン誘導体のハロゲン化物、又はトリフラート置換体をカップリングしてもよい。

合成スキーム（Ｂ−１）において、ＡがＮ−カルバゾリル誘導体の場合、下記合成スキーム（Ｂ−２）に従って合成することで、一般式（Ｇ２−２）に示す有機化合物を得ることができる。

合成スキーム（Ｂ−２）に示すように、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン誘導体のハロゲン化物（化合物３）と、９Ｈ−カルバゾール誘導体（化合物５）を、塩基存在下で金属触媒、金属、または金属化合物によりカップリングさせることにより、本実施の形態で示す複素環化合物（Ｇ２−２）を得ることができる。

合成スキーム（Ｂ−２）において、Ｒ^１１〜Ｒ^２０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、置換または無置換の炭素数６〜１３のアリール基を表す。Ａｒは、炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、該アリーレン基は置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３１〜Ｒ^３８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、置換または無置換の炭素数６〜１３のアリール基を表す。また、Ｘ^３はハロゲン、又はトリフラート基を表し、ハロゲンとしては、ヨウ素と臭素がより好ましい。

合成スキーム（Ｂ−２）において、ハートウィック・ブッフバルト反応を行う場合、用いることができるパラジウム触媒としては、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）等が挙げられる。

合成スキーム（Ｂ−２）において、用いることができるパラジウム触媒の配位子としては、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンや、トリ（ｎ−ヘキシル）ホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。

合成スキーム（Ｂ−２）において、用いることができる塩基としては、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等が挙げられる。

また、合成スキーム（Ｂ−２）において、用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。

また、ハートウィック・ブッフバルト反応以外にも、ウルマン反応などを用いても良く、これらに限定されるものではない。

以上によって、本実施の形態の一態様として用いることのできる有機化合物を合成することができる。

なお、上記有機化合物は、高いＴ１準位を有しているため、高いＳ１準位も有している。したがって、上記有機化合物は、蛍光発光材料のホスト材料としても用いることができる。

また、ゲスト材料（第２の有機化合物）としては、例えば、燐光性材料や熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ：Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）を示す材料が挙げられる。

また、上記燐光性材料として、例えば４４０ｎｍ〜５２０ｎｍに発光のピークを有する燐光性材料としては、トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）_３］）、トリス［４−（３−ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）_３）のような４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）_３］）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）_３）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ｆａｃ−トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）_３）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）_３）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。上述した中でも、４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも優れるため、特に好ましい。

また、例えば５２０ｎｍ〜６００ｎｍに発光のピークを有する燐光性材料としては、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３］）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［４−（２−ノルボルニル）−６−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（ｅｎｄｏ−，ｅｘｏ−混合物）（略称：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_３］）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_３］）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。

また、例えば６００ｎｍ〜７００ｎｍに発光のピークを有する燐光性材料としては、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_３］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体や、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。

また、発光層１１３にアシスト材料（第３の有機化合物）を用いる場合、上述した正孔注入層１１１、及び正孔輸送層１１２に用いることのできる正孔輸送性の高い物質を用いればよい。

とくに、アシスト材料（第３の有機化合物）としては、カルバゾール骨格を含む化合物が好ましい。カルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。

なお、これらのホスト材料（第１の有機化合物）およびアシスト材料（第３の有機化合物）は、青色の領域に吸収スペクトルを有さないことが好ましい。具体的には、吸収スペクトルの吸収端が４４０ｎｍ以下であることが好ましい。

電子輸送層１１４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層１１４には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などの金属錯体を用いることができる。また、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジン−ジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層１１４として用いてもよい。

また、電子輸送層１１４は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が２層以上積層したものとしてもよい。

また、電子輸送層１１４に、一般式（Ｇ０）、（Ｇ１）、（Ｇ２−１）、（Ｇ２−２）、（Ｇ３−１）、及び（Ｇ３−２）で表される有機化合物を適用してもよい。

電子注入層１１５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１１５には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属またはアルカリ土類金属の化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ_３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層１１４を構成する物質を用いることもできる。

あるいは、電子注入層１１５に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層１１４を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

なお、上述した正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、及び電子注入層１１５は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

また、上述した発光素子は、第１の電極１０１および第２の電極１０３との間に生じた電位差により電流が流れ、ＥＬ層１０２において正孔と電子とが再結合することにより発光する。そして、この発光は、第１の電極１０１および第２の電極１０３のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０１および第２の電極１０３のいずれか一方、または両方が透光性を有する電極となる。

次に、図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示す発光素子について、以下説明を行う。

図１（Ｂ）に示す発光素子は、第１の電極３０１と、第２の電極３０３の間に、複数の発光層（第１の発光層３１１、第２の発光層３１２）を有するタンデム型の発光素子である。

第１の電極３０１は、陽極として機能する電極であり、第２の電極３０３は陰極として機能する電極である。なお、第１の電極３０１及び第２の電極３０３は、第１の電極１０１及び第２の電極１０３と同様な構成を用いることができる。

また、複数の発光層（第１の発光層３１１、第２の発光層３１２）は、発光層１１３と同様の構成を用いることができる。なお、第１の発光層３１１と第２の発光層３１２は、同じ構成であっても異なる構成であってもよく、いずれか一方に発光層１１３と同様の構成を用いればよい。また、第１の発光層３１１、第２の発光層３１２以外に、先に説明した、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１４、及び電子注入層１１５を適宜設けてもよい。

また、複数の発光層（第１の発光層３１１、第２の発光層３１２）の間には、電荷発生層３１３が設けられている。電荷発生層３１３は、第１の電極３０１と第２の電極３０３に電圧を印加したときに、一方の発光層に電子を注入し、他方の発光層に正孔を注入する機能を有する。本実施の形態の場合には、第１の電極３０１に第２の電極３０３よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層３１３から第１の発光層３１１に電子が注入され、第２の発光層３１２に正孔が注入される。

なお、電荷発生層３１３は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（具体的には、電荷発生層３１３に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好ましい。また、電荷発生層３１３は、第１の電極３０１や第２の電極３０３よりも低い導電率であっても機能する。

電荷発生層３１３は、正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体（アクセプター）が添加された構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。

正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体が添加された構成とする場合において、正孔輸送性の高い有機化合物としては、例えば、ＮＰＢやＴＰＤ、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。

また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属などの遷移金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

一方、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体が添加された構成とする場合において、電子輸送性の高い有機化合物としては、例えば、Ａｌｑ、Ａｌｍｑ_３、ＢｅＢｑ_２、ＢＡｌｑなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２、Ｚｎ（ＢＴＺ）_２などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、ＰＢＤやＯＸＤ−７、ＴＡＺ、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。

また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。

図１（Ｂ）においては、発光層を２層有する発光素子について説明したが、図１（Ｃ）に示すように、ｎ層（ただし、ｎは、３以上）の発光層を積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光層を有する場合、発光層と発光層との間に電荷発生層３１３を配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での発光が可能である。電流密度を低く保てるため、長寿命素子を実現できる。

また、それぞれの発光層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つの発光層を有する発光素子において、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光と混合すると、白色発光を得ることができる。

また、３つの発光層を有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第１の発光層の発光色が赤色であり、第２の発光層の発光色が緑色であり、第３の発光層の発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。

以上のように、本実施の形態に示す一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子は、一対の電極間に有機化合物を有し、該有機化合物が、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環と、アリーレン基と、正孔輸送性骨格と、を有する。特に、ジベンゾ［ｆ．ｈ］キノリン環と、正孔輸送性骨格と、がアリーレン基を介して結合する有機化合物を用いる。このような有機化合物は、広いエネルギーギャップや高いＴ１準位を有するため、発光素子において、発光層の発光物質を分散させるホスト材料に用いることで、高い電流効率を得ることができる。特に、燐光性化合物を分散させるホスト材料として好適である。

また、上記有機化合物を発光層に含む発光素子とすることで、駆動電圧の低い発光素子を実現することができる。また、長寿命の発光素子を実現することができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成、または実施例に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を適用した発光装置について図２を用いて説明する。なお、図２（Ａ）は発光装置を示す上面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）をＡ−Ｂ及びＣ−Ｄで切断した断面図である。

本実施の形態の発光装置は、駆動回路部であるソース側駆動回路４０１及びゲート側駆動回路４０３、画素部４０２、封止基板４０４、シール材４０５、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）４０９、並びに素子基板４１０を有する。シール材４０５で囲まれた内側は、空間４０７になっている。

なお、引き回し配線４０８はソース側駆動回路４０１及びゲート側駆動回路４０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ４０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣ又はＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

図２（Ａ）に示す素子基板４１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、図２（Ｂ）では、駆動回路部であるソース側駆動回路４０１と、画素部４０２中の一つの画素が示されている。

なお、ソース側駆動回路４０１はｎチャネル型ＦＥＴ４２３とｐチャネル型ＦＥＴ４２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路は、ＦＥＴで形成される種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路又はＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。

また、画素部４０２はスイッチング用ＦＥＴ４１１と、電流制御用ＦＥＴ４１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極４１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極４１３の端部を覆って絶縁物４１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。

また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物４１４の上端部又は下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物４１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物４１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物４１４として、ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。

第１の電極４１３上には、ＥＬ層４１６、及び第２の電極４１７がそれぞれ形成されている。第１の電極４１３、ＥＬ層４１６、及び第２の電極４１７は、それぞれ実施の形態１に挙げた材料で形成することができる。

さらにシール材４０５で封止基板４０４を素子基板４１０と貼り合わせることにより、素子基板４１０、封止基板４０４、及びシール材４０５で囲まれた空間４０７に発光素子４１８が備えられた構造になっている。なお、空間４０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材で充填される場合もある。

なお、シール材４０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板４０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステル又はアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

以上のようにして、本発明の一態様の発光素子を有するアクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。

また、本発明の一態様の発光素子は、上述したアクティブマトリクス型の発光装置のみならずパッシブマトリクス型の発光装置に用いることもできる。図３に本発明の一態様の発光素子を用いたパッシブマトリクス型の発光装置の斜視図及び断面図を示す。なお、図３（Ｂ）は図３（Ａ）をＸ−Ｙで切断した断面図である。

図３において、基板５０１上の第１の電極５０２と第２の電極５０３との間にはＥＬ層５０４が設けられている。第１の電極５０２の端部は絶縁層５０５で覆われている。そして、絶縁層５０５上には隔壁層５０６が設けられている。隔壁層５０６の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなるような傾斜を有する。つまり、隔壁層５０６の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層５０５と接する辺）の方が上辺（絶縁層５０５と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層５０６を設けることで、クロストーク等に起因した発光素子の不良を防ぐことができる。

以上により、本発明の一態様の発光素子を適用した発光装置を得ることができる。

なお、本実施の形態で示した発光装置は、いずれも本発明の一態様の発光素子を用いて形成されることから、消費電力の低い発光装置を得ることができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成、または実施例に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を用いて作製される発光装置について、図４を用いて説明する。

図４（Ａ）に、本実施の形態で示す発光装置の平面図、および平面図における一点鎖線Ｅ−Ｆ間の断面図を示す。

図４（Ａ）に示す発光装置は、第１の基板２００１上に発光素子を含む発光部２００２を有する。また、発光装置は、発光部２００２の外周を囲むように第１の封止材２００５ａが設けられ、第１の封止材２００５ａの外周を囲むように第２の封止材２００５ｂが設けられた構造（いわゆる、二重封止構造）である。

したがって、発光部２００２は、第１の基板２００１、第２の基板２００６および第１の封止材２００５ａにより囲まれた空間に配置されている。

なお、本明細書中で、第１の封止材２００５ａ、および第２の封止材２００５ｂはそれぞれ、第１の基板２００１および第２の基板２００６に直接接する構成に限られない。例えば、第１の基板２００１上に形成された絶縁膜や導電膜が、第１の封止材２００５ａと接する構成であっても良い。

上記構成において、第１の封止材２００５ａが乾燥剤を含む樹脂層とし、第２の封止材２００５ｂがガラス層とすることにより、外部からの水分や酸素などの不純物の入り込みを抑制する効果（以下、封止性と呼ぶ）を高めることができる。

このように第１の封止材２００５ａを樹脂層とすることで、第２の封止材２００５ｂのガラス層に割れやひび（以下、クラックと呼ぶ）が発生することを抑制することができる。また、第２の封止材２００５ｂによる、封止性が十分に得られなくなった場合において、第１の空間２０１３に不純物が侵入したときでも、第１の封止材２００５ａの高い封止性により、第２の空間２０１１内に、不純物が入り込むのを抑制することができる。よって、不純物によって発光素子に含まれる有機化合物や金属材料等が劣化することを抑制することができる。

また、別の構成として、図４（Ｂ）に示すように第１の封止材２００５ａがガラス層とし、第２の封止材２００５ｂが乾燥剤を含む樹脂層とすることもできる。

なお、本実施の形態で示した発光装置は、外周部になればなるほど、外力等による歪みが大きくなる。よって、外力等による歪みが比較的小さい第１の封止材２００５ａをガラス層とし、第２の封止材２００５ｂを、耐衝撃性や耐熱性に優れ、外力等による変形で壊れにくい樹脂層とすることにより、第１の空間２０１３に不純物が侵入することを抑制することができる。

また、上記構成に加えて、第１の空間２０１３や第２の空間２０１１に乾燥剤となる材料を有していてもよい。

第１の封止材２００５ａ、または第２の封止材２００５ｂをガラス層とする場合には、例えば、ガラスフリットやガラスリボン等を用いて形成することができる。なお、ガラスフリットやガラスリボンには、少なくともガラス材料が含まれることとする。

また、上述したガラスフリットとしては、ガラス材料をフリット材として含み、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化セシウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸化鉛、酸化スズ、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、二酸化マンガン、酸化モリブデン、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化ジルコニウム、酸化リチウム、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラス又はホウケイ酸ガラス等を含む。赤外光を吸収させるため、少なくとも一種類以上の遷移金属を含むことが好ましい。

また、上述したガラスフリットを用いてガラス層を形成する場合には、例えば、基板上にフリットペーストを塗布し、これに加熱処理、またはレーザ照射などを行う。フリットペーストには、上記フリット材と、有機溶媒で希釈した樹脂（バインダとも呼ぶ）とが含まれる。フリットペーストには、様々な材料、構成を用いることができる。また、フリット材にレーザ光を吸収する吸収剤を添加したものを用いても良い。また、レーザとして、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザや半導体レーザなどを用いることが好ましい。また、レーザ照射の際のレーザの照射形状は、円形でも四角形でもよい。

なお、形成されるガラス層と基板は、熱膨張率が近いことが好ましい。熱膨張率が近いほど、熱応力によりガラス層や基板にクラックが入ることを抑制できる。

また、第１の封止材２００５ａ、または第２の封止材２００５ｂを樹脂層とする場合には、紫外線硬化樹脂等の光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂等の様々な材料を用いて形成することができるが、特に水分や酸素を透過しない材料を用いることが好ましい。特に、光硬化性樹脂を用いることが好ましい。発光素子は、耐熱性の低い材料を含む場合がある。光硬化性樹脂は光が照射されることで硬化するため、発光素子が加熱されることで生じる、膜質の変化や有機化合物自体の劣化を抑制することができ、好ましい。さらに、本発明の一態様である発光素子に用いることができる有機化合物を用いてもよい。

また、上記樹脂層、第１の空間２０１３、または第２の空間２０１１が含む乾燥剤としては、様々な材料を用いることができる。乾燥剤としては、化学吸着、あるいは物理吸着によって水分等を吸着する物質のいずれを用いてもよい。例えば、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）、硫酸塩、金属ハロゲン化物、過塩素酸塩、ゼオライト、シリカゲル等が挙げられる。

また、上記第１の空間２０１３、および第２の空間２０１１の一方または両方は、例えば、希ガスや窒素ガス等の不活性ガス、または有機樹脂等を有していてもよい。なお、これらの空間内は、大気圧状態または減圧状態である。

以上のように、本実施の形態で示す発光装置は、第１の封止材２００５ａ、または第２の封止材２００５ｂの一方が、生産性や封止性に優れたガラス層を含み、他方が、耐衝撃性や耐熱性に優れ、外力等による変形で壊れにくい樹脂層を含む二重封止構造であり、乾燥剤を内部に有することもできる構成であることから、外部からの不純物の入り込みを抑制する封止性を高めることができる。

したがって、本実施の形態に示す構成を実施することにより、不純物による発光素子の劣化が抑制された発光装置を提供することができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成、または実施例に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を適用して作製された発光装置について図５を用いて説明する。

図５（Ａ）、（Ｂ）は、複数の発光素子を有する発光装置の断面図の例である。図５（Ａ）に示す発光装置３０００は、発光素子３０２０ａ、３０２０ｂ、３０２０ｃを有している。

発光装置３０００は、基板３００１上に、それぞれ島状に分離された下部電極３００３ａ、３００３ｂ、３００３ｃを有する。下部電極３００３ａ、３００３ｂ、３００３ｃは、発光素子の陽極として機能させることができる。なお下部電極３００３ａ、３００３ｂ、３００３ｃとして、反射電極を設けてもよい。また下部電極３００３ａ、３００３ｂ、３００３ｃの上に、透明導電層３００５ａ、３００５ｂ、３００５ｃを設けてもよい。透明導電層３００５ａ、３００５ｂ、３００５ｃは、異なる色を発する素子毎に厚さが異なることが好ましい。

また、発光装置３０００は、隔壁３００７ａ、３００７ｂ、３００７ｃ、３００７ｄを有する。より具体的には、隔壁３００７ａは、下部電極３００３ａ及び透明導電層３００５ａの一方の端部を覆う。また、隔壁３００７ｂは、下部電極３００３ａ及び透明導電層３００５ａの他方の端部、並びに下部電極３００３ｂ及び透明導電層３００５ｂの一方の端部を覆う。また、隔壁３００７ｃは、下部電極３００３ｂ及び透明導電層３００５ｂの他方の端部、並びに下部電極３００３ｃ及び透明導電層３００５ｃの一方の端部を覆う。また、隔壁３００７ｄは、下部電極３００３ｃ及び透明導電層３００５ｃの他方の端部を覆う。

また、発光装置３０００は、透明導電層３００５ａ、３００５ｂ、３００５ｃ並びに隔壁３００７ａ、３００７ｂ、３００７ｃ、３００７ｄ上に、正孔注入層３００９を有する。

また、発光装置３０００は、正孔注入層３００９上に、正孔輸送層３０１１を有する。また正孔輸送層３０１１上に発光層３０１３ａ、３０１３ｂ、３０１３ｃを有する。また発光層３０１３ａ、３０１３ｂ、３０１３ｃ上にそれぞれ、電子輸送層３０１５を有する。

また、発光装置３０００は、電子輸送層３０１５上に、電子注入層３０１７を有する。また電子注入層３０１７上に上部電極３０１９を有する。上部電極３０１９は、発光素子の陰極として機能させることができる。

なお、図５（Ａ）では下部電極３００３ａ、３００３ｂ、３００３ｃを発光素子の陽極、上部電極３０１９を発光素子の陰極として機能させる例を説明したが、陰極と陽極の積層順を入れ替えてもよい。この場合、電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層の積層順も適宜入れ替えればよい。

発光層３０１３ａ、３０１３ｂ、３０１３ｃに、本発明の一態様である発光素子を適用することができる。該発光素子は低い駆動電圧、高い電流効率、または長寿命を実現することができるため、低消費電力または長寿命の発光装置３０００を提供することができる。

図５（Ｂ）に示す発光装置３１００は、発光素子３１２０ａ、３１２０ｂ、３１２０ｃを有している。また発光素子３１２０ａ、３１２０ｂ、３１２０ｃは、下部電極３１０３ａ、３１０３ｂ、３１０３ｃと、上部電極３１１９の間に複数の発光層を有する、タンデム型の発光素子である。

発光装置３１００は、基板３１０１上に、それぞれ島状に分離された下部電極３１０３ａ、３１０３ｂ、３１０３ｃを有する。下部電極３１０３ａ、３１０３ｂ、３１０３ｃは、発光素子の陽極として機能させることができる。なお下部電極３１０３ａ、３１０３ｂ、３１０３ｃとして、反射電極を設けてもよい。また下部電極３１０３ａ、３１０３ｂ上に、透明導電層３１０５ａ、３１０５ｂを設けてもよい。透明導電層３１０５ａ、３１０５ｂは、異なる色を発する素子毎に厚さが異なることが好ましい。図示しないが、下部電極３１０３ｃ上にも透明導電層を設けてもよい。

また、発光装置３１００は、隔壁３１０７ａ、３１０７ｂ、３１０７ｃ、３１０７ｄを有する。より具体的には、隔壁３１０７ａは、下部電極３１０３ａ及び透明導電層３１０５ａの一方の端部を覆う。また、隔壁３１０７ｂは、下部電極３１０３ａ及び透明導電層３１０５ａの他方の端部、並びに下部電極３１０３ｂ及び透明導電層３１０５ｂの一方の端部を覆う。また、隔壁３１０７ｃは、下部電極３１０３ｂ及び透明導電層３１０５ｂの他方の端部、並びに下部電極３１０３ｃ及び透明導電層３１０５ｃの一方の端部を覆う。また、隔壁３１０７ｄは、下部電極３１０３ｃ及び透明導電層３１０５ｃの他方の端部を覆う。

また、発光装置３１００は、下部電極３１０３ａ、３１０３ｂ、３１０３ｃ並びに隔壁３１０７ａ、３１０７ｂ、３１０７ｃ、３１０７ｄ上に、正孔注入層および正孔輸送層３１１０を有する。

また、発光装置３１００は、正孔注入層および正孔輸送層３１１０上に、第１の発光層３１１２を有する。また第１の発光層３１１２上に、電荷発生層３１１４を介して第２の発光層３１１６を有する。

また、発光装置３１００は、第２の発光層３１１６上に電子輸送層および電子注入層３１１８を有する。さらに電子輸送層および電子注入層３１１８上に上部電極３１１９を有する。上部電極３１１９は、発光素子の陰極として機能させることができる。

なお、図５（Ｂ）では下部電極３１０３ａ、３１０３ｂ、３１０３ｃを発光素子の陽極、上部電極３１１９を発光素子の陰極として機能させる例を説明したが、陰極と陽極の積層順を入れ替えてもよい。この場合、電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層の積層順も適宜入れ替えればよい。

第１の発光層３１１２、第２の発光層３１１６に、本発明の一態様である発光素子を適用することができる。該発光素子は低い駆動電圧、高い電流効率、または長寿命を実現することができるため、低消費電力または長寿命の発光装置３１００を提供することができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を適用して作製された照明装置について図６を用いて説明する。

図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、照明装置の平面図および断面図の例である。図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は基板側に光を取り出すボトムエミッション型の照明装置である。図６（Ａ）の一点鎖線Ｇ−Ｈにおける断面を図６（Ｂ）に示す。

図６（Ａ）、（Ｂ）に示す照明装置４０００は、基板４００５上に発光素子４００７を有する。また、基板４００５の外側に凹凸を有する基板４００３を有する。発光素子４００７は、下部電極４０１３と、ＥＬ層４０１４と、上部電極４０１５を有する。

下部電極４０１３は、電極４００９と電気的に接続され、上部電極４０１５は電極４０１１と電気的に接続される。また、下部電極４０１３と電気的に接続される補助配線４０１７を設けてもよい。

基板４００５と封止基板４０１９は、シール材４０２１で接着されている。また封止基板４０１９と発光素子４００７の間に乾燥剤４０２３が設けられていることが好ましい。

基板４００３は、図６（Ａ）のような凹凸を有するため、発光素子４００７で生じた光の取り出し効率を向上させることができる。また、基板４００３に代えて、図６（Ｃ）の照明装置４００１のように、基板４０２５の外側に拡散板４０２７を設けてもよい。

図６（Ｄ）、（Ｅ）は、基板と反対側に光を取り出すトップエミッション型の照明装置である。

図６（Ｄ）の照明装置４１００は、基板４１２５上に発光素子４１０７を有する。発光素子４１０７は、下部電極４１１３と、ＥＬ層４１１４と、上部電極４１１５を有する。

下部電極４１１３は、電極４１０９と電気的に接続され、上部電極４１１５は電極４１１１と電気的に接続される。また上部電極４１１５と電気的に接続される補助配線４１１７を設けてもよい。また補助配線４１１７の下部に、絶縁層４１３１を設けてもよい。

基板４１２５と凹凸のある封止基板４１０３は、シール材４１２１で接着されている。また、封止基板４１０３と発光素子４１０７の間に平坦化膜４１０５およびバリア膜４１３３を設けてもよい。

封止基板４１０３は、図６（Ｄ）のような凹凸を有するため、発光素子４１０７で生じた光の取り出し効率を向上させることができる。また、封止基板４１０３に代えて、図６（Ｅ）の照明装置４１０１のように、発光素子４１０７の上に拡散板４１２７を設けてもよい。

ＥＬ層４０１４およびＥＬ層４１１４が有する発光層に、本発明の一態様である発光素子を適用することができる。該発光素子は低い駆動電圧、高い電流効率、または長寿命を実現することができるため、低消費電力または長寿命の照明装置４０００、４００１、４１００、４１０１を提供することができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光装置と組み合わせることができるタッチセンサ、及び表示モジュールについて、図７乃至図１０を用いて説明する。

図７（Ａ）はタッチセンサ４５００の構成例を示す分解斜視図であり、図７（Ｂ）は、タッチセンサ４５００の構成例を示す平面図である。

図７（Ａ）、（Ｂ）に示すタッチセンサ４５００は、基板４９１０上に、Ｘ軸方向に配列された導電層４５１０と、Ｘ軸方向と交差するＹ軸方向に配列された導電層４５２０とが形成されている。図７（Ａ）、（Ｂ）に示すタッチセンサ４５００は、導電層４５１０が形成された平面図と、導電層４５２０が形成された平面図と、を分離して表示されている。

また、図８は、図７に示すタッチセンサ４５００の導電層４５１０と導電層４５２０との交差部分の等価回路図である。図８に示すように、導電層４５１０と導電層４５２０の交差する部分には、容量４５４０が形成される。

また、導電層４５１０、４５２０は、複数の四辺形状の導電膜が接続された構造を有している。導電層４５１０及び導電層４５２０は、導電膜の四辺形状の部分の位置が重ならないように、配置されている。導電層４５１０と導電層４５２０の交差する部分には、導電層４５１０と導電層４５２０が直接接触しないように間に絶縁膜が設けられている。

また、図９は、導電層４５１０ａ、４５１０ｂ、４５１０ｃと導電層４５２０との接続構造の一例を説明する断面図であり、導電層４５１０ａ、４５１０ｂ、４５１０ｃと導電層４５２０が交差する部分の断面図を一例として示す。

図９に示すように、導電層４５１０は、１層目の導電層４５１０ａおよび導電層４５１０ｂ、ならびに、絶縁層４８１０上の２層目の導電層４５１０ｃにより構成される。導電層４５１０ａと導電層４５１０ｂは、導電層４５１０ｃにより接続されている。導電層４５２０は、１層目の導電層により形成される。導電層４５１０ａ、４５１０ｂ、４５１０ｃ、４５２０及び導電層４７１０の一部を覆って絶縁層４８１０、４８２０が形成されている。絶縁層４８１０、４８２０として、例えば、酸化窒化シリコン膜を形成すればよい。なお、基板４９１０と導電層４７１０、４５１０ａ、４５１０ｂ、４５２０の間に絶縁膜でなる下地膜を形成してもよい、下地膜としては、例えば、酸化窒化シリコン膜を形成することができる。

導電層４５１０ａ、４５１０ｂ、４５１０ｃと導電層４５２０は、可視光に対して透光性を有する導電材料で形成される。例えば、透光性を有する導電材料として、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ、酸化インジウムスズ、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛等がある。

導電層４５１０ａは、導電層４７１０に接続されている。導電層４７１０は、ＦＰＣとの接続用端子を構成する。導電層４５２０も、導電層４５１０ａと同様、他の導電層４７１０に接続される。導電層４７１０は、例えば、タングステン膜から形成することができる。

導電層４５１０ａ、４５１０ｂ、４５１０ｃ、導電層４５２０及び導電層４７１０の一部を覆って絶縁層４８２０が形成されている。導電層４７１０とＦＰＣとを電気的に接続するために、導電層４７１０上の絶縁層４８１０及び絶縁層４８２０には開口が形成されている。絶縁層４８２０上には、基板４９２０が接着剤又は接着フィルム等により貼り付けられている。接着剤又は接着フィルムにより基板４９１０側を表示パネルのカラーフィルタ基板に取り付けることで、タッチパネルが構成される。

次に、本発明の一態様の発光装置を用いることのできる表示モジュールについて、図１０を用いて説明を行う。

図１０に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続された表示パネル８００６、バックライトユニット８００７、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリー８０１１を有する。

上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。

タッチパネル８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。

バックライトユニット８００７は、光源８００８を有しており、本発明の一実施形態の発光素子を適用することができる。なお、図１０において、バックライトユニット８００７上に光源８００８を配置する構成について例示したが、これに限定さない。例えば、バックライトユニット８００７の端部に光源８００８を配置し、さらに光拡散板を用いる構成としてもよい。なお、バックライトユニット８００７を設けない構成としてもよい。この場合、本発明の一実施形態の発光素子を表示パネル８００６に組み込むことができる。

フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。

プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリー８０１１による電源であってもよい。バッテリー８０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。

また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成、または実施例に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

（実施の形態７）
本実施の形態においては、電子機器の例について説明する。

図１１（Ａ）乃至図１１（Ｈ）、図１２（Ａ）乃至図１２（Ｄ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定あるいは感知する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有することができる。

図１１（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図１１（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１１（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３、等を有することができる。図１１（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１１（Ｅ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図１１（Ｆ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１１（Ｇ）はテレビ受像器であり、上述したものの他に、チューナ、画像処理部、等を有することができる。図１１（Ｈ）は持ち運び型テレビ受像器であり、信号の送受信が可能な充電器５０１７等と組み合わせることができる。図１２（Ａ）はディスプレイであり、上述したものの他に、支持台５０１８、等を有することができる。図１２（Ｂ）はカメラであり、上述したものの他に、外部接続ポート５０１９、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図１２（Ｃ）はコンピュータであり、上述したものの他に、ポインティングデバイス５０２０、外部接続ポート５０１９、リーダ／ライタ５０２１、等を有することができる。図１２（Ｄ）は携帯電話機であり、上述したものの他に、送信部、受信部、携帯電話・移動端末向けの１セグメント部分受信サービス用チューナ、等を有することができる。

図１１（Ａ）乃至図１１（Ｈ）、図１２（Ａ）乃至図１２（Ｄ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画などのイメージ情報や、テキスト情報など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図１１（Ａ）乃至図１１（Ｈ）、図１２（Ａ）乃至図１２（Ｄ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。

本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有することを特徴とする。

次に、表示装置の応用例を説明する。

図１２（Ｅ）に、表示装置を、建造物と一体にして設けた例について示す。図１２（Ｅ）は、筐体５０２２、表示部５０２３、操作部であるリモコン装置５０２４、スピーカ５０２５等を含む。表示装置は、壁かけ型として建物と一体となっており、設置するスペースを広く必要とすることなく設置可能である。

図１２（Ｆ）に、建造物内に表示装置を、建造物と一体にして設けた別の例について示す。表示モジュール５０２６は、ユニットバス５０２７と一体に取り付けられており、入浴者は表示モジュール５０２６の視聴が可能になる。

なお、本実施の形態において、建造物として壁、ユニットバスを例としたが、本実施の形態はこれに限定されず、様々な建造物に表示装置を設置することができる。

次に、表示装置を、移動体と一体にして設けた例について示す。

図１２（Ｇ）は、表示装置を、自動車に設けた例について示した図である。表示モジュール５０２８は、自動車の車体５０２９に取り付けられており、車体の動作又は車体内外から入力される情報をオンデマンドに表示することができる。なお、ナビゲーション機能を有していてもよい。

図１２（Ｈ）は、表示装置を、旅客用飛行機と一体にして設けた例について示した図である。図１２（Ｈ）は、旅客用飛行機の座席上部の天井５０３０に表示モジュール５０３１を設けたときの、使用時の形状について示した図である。表示モジュール５０３１は、天井５０３０とヒンジ部５０３２を介して一体に取り付けられており、ヒンジ部５０３２の伸縮により乗客は表示モジュール５０３１の視聴が可能になる。表示モジュール５０３１は乗客が操作することで情報を表示する機能を有する。

なお、本実施の形態において、移動体としては自動車車体、飛行機機体について例示したがこれに限定されず、自動二輪車、自動四輪車（自動車、バス等を含む）、電車（モノレール、鉄道等を含む）、船舶等、様々なものに設置することができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成、または実施例に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章において、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって、ある部分を述べる図または文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取り出した内容も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。そのため、例えば、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、配線、受動素子（容量素子、抵抗素子など）、導電層、絶縁層、半導体層、有機材料、無機材料、部品、装置、動作方法、製造方法などが単数又は複数記載された図面または文章において、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。例えば、Ｎ個（Ｎは整数）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を有して構成される回路図から、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の層を有して構成される断面図から、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の層を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。さらに別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の要素を有して構成されるフローチャートから、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の要素を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。

なお、本明細書等においては、少なくとも図に記載した内容（図の中の一部でもよい）は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。したがって、ある内容について、図に記載されていれば、文章を用いて述べていなくても、その内容は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。同様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。

本実施例では、下記構造式（１０１）に示される２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩの合成方法について説明する。

≪２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩの合成≫
２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩの合成スキームを（Ｃ−１）に示す。

１００ｍＬ三口フラスコに２−クロロジベンゾ〔ｆ、ｈ〕キノリン０．４６ｇ（１．７ｍｍｏｌ）、３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニルボロン酸０．６２ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、トルエン２０ｍＬ、エタノール２ｍＬ、２Ｍの炭酸カリウム水溶液２ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）６５ｍｇ（５６μｍｏｌ）を加え、窒素気流下、８０℃で７時間攪拌した。所定時間経過後、この混合物に水を加え、水層をトルエンで抽出した。得られた抽出溶液と有機層を合わせ、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：ヘキサン＝１：１）で精製し、固体を得た。得られた固体を高速液体カラムクロマトグラフィーにより精製した。高速液体カラムクロマトグラフィーはクロロホルムを展開溶媒に用いることにより行った。得られたフラクションを濃縮して固体を得た。得られた固体にメタノールを加え、このメタノール懸濁液に超音波を照射し、固体を吸引濾過により回収したところ、目的物の白色粉末を収量０．６８ｇ、収率７９％で得た。

得られた２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩの白色粉末０．６６ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力２．７Ｐａ、アルゴン流量５．０ｍＬ／ｍｉｎの条件で、２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩを２８０℃で１４時間加熱して行った。昇華精製後、２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩの白色固体を０．６０ｇ、回収率９０％で得た。

核磁気共鳴法（^１Ｈ ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物である２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩであることを確認した。

得られた物質の^１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ＝７．４８−７．５１（ｍ、２Ｈ）、７．６１−７．８９（ｍ、９Ｈ）、８．１６（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、１Ｈ）、８．２２−８．２５（ｍ、２Ｈ）、８．４４（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１Ｈ）、８．６０−８．７２（ｍ、３Ｈ）、８．７９（ｓ、１Ｈ）、８．９７（ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ、１Ｈ）、９．５７−９．６０（ｍ、１Ｈ）。

また、^１Ｈ ＮＭＲチャートを図１３に示す。なお、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜１０．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。

次に、本実施例で得られた２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩ（略称）を液体クロマトグラフ質量分析（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ，略称：ＬＣ／ＭＳ分析）によって分析した。

ＬＣ／ＭＳ分析は、ウォーターズ社製Ａｃｑｕｉｔｙ ＵＰＬＣおよびウォーターズ社製Ｘｅｖｏ Ｇ２ Ｔｏｆ ＭＳを用いて行った。

ＭＳ分析では、エレクトロスプレーイオン化法（ＥｌｅｃｔｒｏＳｐｒａｙ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ、略称：ＥＳＩ）によるイオン化を行った。この時のキャピラリー電圧は３．０ｋＶ、サンプルコーン電圧は３０Ｖとし、検出はポジティブモードで行った。さらに、以上の条件でイオン化された成分を衝突室（コリジョンセル）内でアルゴンガスと衝突させてプロダクトイオンに解離させた。アルゴンに衝突させる際のエネルギー（コリジョンエネルギー）は７０ｅＶとした。なお、測定する質量電荷比の範囲はｍ／ｚ＝１００〜１２００とした。

ＭＳ分析した測定結果のマススペクトルを図１４に示す。図１４の結果から、本実施例で得られた２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩは、主としてｍ／ｚ＝２０１付近、及びｍ／ｚ＝２２７付近にプロダクトイオンのピークが、ｍ／ｚ＝４８８付近にプレカーサーイオン由来のピークが、それぞれ検出されることがわかった。

ＬＣ／ＭＳ分析においては、水素イオンの付加・脱離や同位体の存在によりプロダクトイオンやプレカーサーイオンはｍ／ｚが異なる複数のピークを示す。本明細書で使用する「付近」とは、これら複数のピークを包括して記述するために使用する。なお、図１４に示す結果は、２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩに由来する特徴的な結果を示すものであることから、混合物中に含まれる２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩを同定する上での重要なデータであるといえる。

例えば、ｍ／ｚ＝２０１付近に検出されるピークは、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環から、１位と２位の窒素、炭素、及び水素が解離して生じるフラグメント（Ｃ_１６Ｈ_９）のラジカルカチオンのピークと示唆される。また、ｍ／ｚ＝２２７付近に検出されるピークは、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環を含むフラグメントオン（Ｃ_１７Ｈ_１０Ｎ）のラジカルカチオンのピークと示唆される。

つまり、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環の２位に置換基が結合している場合、置換基が外れたフラグメントに相当するｍ／ｚ＝２２７付近と、そこから分子量２６を差し引いたフラグメントに相当するｍ／ｚ＝２０１付近とにピークが検出されやすいことが示唆される。なおここでの置換基とは、一般式（Ｇ１）でのＡｒ−Ａで表される置換基の部分である。

次に、本実施例で得られた２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩを飛行時間二次イオン質量分析計（Ｔｉｍｅ−ｏｆ−Ｆｌｉｇｈｔ Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ： ＴｏＦ−ＳＩＭＳ）にて測定した定性マススペクトルを図１５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す。

なお、図１５（Ａ）は、正イオンでの測定結果であり、横軸が０〜４５０の範囲のｍ／ｚを表し、縦軸が強度（任意単位）を表す。また、図１５（Ｂ）は、正イオンでの測定結果であり、横軸が４００〜１２００の範囲のｍ／ｚを表し、縦軸が強度（任意単位）を表す。また、図１５（Ｃ）は、負イオンでの測定結果であり、横軸が０〜４５０の範囲のｍ／ｚを表し、縦軸が強度（任意単位）を表す。また、図１５（Ｄ）は、負イオンでの測定結果であり、横軸が４００〜１２００の範囲のｍ／ｚを表し、縦軸が強度（任意単位）を表す。

また、装置はＴＯＦ ＳＩＭＳ５（ＩＯＮ‐ＴＯＦ社製）を用い、一次イオン源はＢｉ_３ ^２＋を用いた。なお、一次イオンはパルス幅１１．３ｎｓで照射し、その照射量は８．２×１０^１０〜６．７×１０^１１ ｉｏｎｓ／ｃｍ^２、加速電圧は２５ｋｅＶ、電流値は０．２ｐＡとした。また、試料は２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩの粉末を用いて測定した。

図１５（Ａ）、（Ｂ）の結果から、本発明の一態様の発光素子に用いることのできる２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩでは、主としてｍ／ｚ＝２０２付近、及びｍ／ｚ＝２２７付近にプロダクトイオンのピークが、ｍ／ｚ＝４８８付近にプレカーサーイオン由来のピークが、それぞれ検出されることがわかった。

また、図１５（Ｃ）、（Ｄ）の結果から、２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩでは、主としてｍ／ｚ＝４７４付近にプロダクトイオンのピークが、ｍ／ｚ＝４８８付近にプレカーサーイオン由来のピークが、それぞれ検出されることがわかった。

図１５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す結果は、２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩに由来する特徴的な結果を示すものであることから、混合物中に含まれる２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩを同定する上での重要なデータであるといえる。

例えば、図１５（Ａ）、（Ｂ）に示す正イオンの測定結果から、ｍ／ｚ＝２０２付近に検出される２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩのプロダクトイオンのピークは、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環から、１位と２位の窒素、炭素、及び水素が解離したフラグメント（Ｃ_１６Ｈ_９）のラジカルカチオンのピークと示唆される。また、ｍ／ｚ＝２２７付近に検出される２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩのプロダクトイオンのピークは、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環を含むフラグメント（Ｃ_１７Ｈ_１０Ｎ）のラジカルカチオンのピークと示唆される。

つまり、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環の２位に置換基が結合している場合、置換基が外れたフラグメントに相当するｍ／ｚ＝２２７付近と、そこから分子量２５を差し引いたフラグメントに相当するｍ／ｚ＝２０２付近とにピークが検出されやすいことが示唆される。なお、ここでの置換基とは、一般式（Ｇ１）でのＡｒ−Ａで表される置換基の部分である。

また、図１５（Ｃ）、（Ｄ）に示す負イオンの測定結果から、ｍ／ｚ＝４７４付近に検出される２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩのプロダクトイオンのピークは、１位の窒素が解離したフラグメント（Ｃ_３５Ｈ_２２Ｓ）のラジカルアニオンのピークと示唆される。

このように、ＬＣ／ＭＳ分析やＴｏＦ−ＳＩＭＳ分析した際に、プレカーサーイオンから解離しやすい部分が、プロダクトイオンとして検出される。特に検出されやすいプロダクトイオンとしては、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環に由来する部分骨格等が挙げられる。

次に、２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩの紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩのトルエン溶液の吸収スペクトルを図１６（Ａ）に、発光スペクトルを図１６（Ｂ）にそれぞれ示す。また、２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトルを図１７（Ａ）に、発光スペクトルを図１７（Ｂ）にそれぞれ示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図１６及び図１７において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、２８２、３２０、及び３５８ｎｍに吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、３６２ｎｍ、及び３８０、４０２ｎｍ（励起波長３２７ｎｍ）であった。また、薄膜の場合では２５０、２６４、３２５、３４４ｎｍ、及び３６４ｎｍに吸収ピークが見られ、発光波長のピークは３９５ｎｍ（励起波長３６５ｎｍ）であった。

なお、本実施例に示す構成は、他の実施の形態に示す構成、または他の実施例に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

本実施例では、本発明の一態様の発光素子（発光素子１、及び発光素子３）、並びに比較用の発光素子（比較発光素子２）について、図１８を用いて説明する。本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。

以下に、本実施例の発光素子１、比較発光素子２、及び発光素子３の作製方法を示す。

（発光素子１）
まず、基板１１００上に、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ−ＳｉＯ_２、以下ＩＴＳＯと略記する。）をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１１０１を形成した。なお、用いたターゲットの組成は、Ｉｎ_２Ｏ_３：ＳｎＯ_２：ＳｉＯ_２＝８５：１０：５［重量％］とした。また、第１の電極１１０１の膜厚は、１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。ここで、第１の電極１１０１は、発光素子の陽極として機能する電極である。

次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。

次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１１０１が形成された基板１１００を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０^−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極１１０１上に、蒸着法により、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）と酸化モリブデンを共蒸着することで、正孔注入層１１１１を形成した。その膜厚は、４０ｎｍとし、ＢＰＡＦＬＰと酸化モリブデンの比率は、重量比で４：２（＝ＢＰＡＦＬＰ：酸化モリブデン）となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で、複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。

次に、正孔注入層１１１１上に、ＢＰＡＦＬＰを２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層１１１２を形成した。

さらに、実施例１にて合成した２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩと、４、４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）と、ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］）と、を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。ここで、２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩ）、ＰＣＢＮＢＢ、及び［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］の重量比は、０．８：０．２：０．０５（＝２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］）となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は４０ｎｍとした。

さらに、発光層１１１３上に２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩを膜厚１０ｎｍとなるように成膜し、第１の電子輸送層１１１４ａを形成した。

その後、第１の電子輸送層１１１４ａ上にバソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）を膜厚２０ｎｍとなるように成膜し、第２の電子輸送層１１１４ｂを形成した。

さらに、第２の電子輸送層１１１４ｂ上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。

最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子１を作製した。

なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。

（比較発光素子２）
発光素子１における発光層１１１３に対応する比較発光素子２における発光層１１１３を、４−［３−（トリフェニレン−２−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ｍＤＢＴＰＴｐ−ＩＩ）と、：ＰＣＢＮＢＢと、［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）とを共蒸着することで形成した。ここで、ｍＤＢＴＰＴｐ−ＩＩ、ＰＣＢＮＢＢ、及び［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］の重量比は、０．８：０．２：０．０５（＝ｍＤＢＴＰＴｐ−ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ｄｐｍ）］）となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は４０ｎｍとした。

さらに、発光素子１における第１の電子輸送層１１１４ａに対応する比較発光素子２における第１の電子輸送層１１１４ａを、ｍＤＢＴＰＴｐ−ＩＩを膜厚１０ｎｍとなるように成膜することで形成した。発光層１１１３、及び第１の電子輸送層１１１４ａ以外は発光素子１と同様に作製した。

（発光素子３）
発光素子１における発光層１１１３に対応する比較発光素子３における発光層１１１３を、２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩと、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）と、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）と、を共蒸着することで形成した。ここで、２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩ、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及び［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］の重量比は、０．８：０．２：０．０６（＝２ｍＤＢＴＰＤＢＱｕ−ＩＩ：ＰＣＢＡ１ＢＰ：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は３０ｎｍとした。

発光素子３については、発光層１１１３以外の構成は、発光素子１と同様に作製した。

以上により得られた発光素子１、比較発光素子２、及び発光素子３の素子構造を表１に示す。

発光素子１、比較発光素子２、及び発光素子３を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理）を行った。その後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

発光素子１、及び比較発光素子２の電流密度−輝度特性を図１９に示す。図１９において、横軸は電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、発光素子１、及び比較発光素子２の電圧−輝度特性を図２０に示す。図２０において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、発光素子１、及び比較発光素子２の輝度−電流効率特性を図２１に示す。図２１において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、発光素子１、及び比較発光素子２の電圧−電流特性を図２２に示す。図２２において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は電流（ｍＡ）を表す。

また、発光素子３の電流密度−輝度特性を図２３に示す。図２３において、横軸は電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、発光素子３の電圧−輝度特性を図２４に示す。図２４において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、発光素子３の輝度−電流効率特性を図２５に示す。図２５において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、発光素子３の電圧−電流特性を図２６に示す。図２６において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は電流（ｍＡ）を表す。

また、各発光素子における輝度１０００ｃｄ／ｍ^２付近のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表２に示す。

表２に示す通り、輝度１０２０ｃｄ／ｍ^２の発光素子１のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．５４，０．４６）であった。また、輝度９３０ｃｄ／ｍ^２の比較発光素子２のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．５３，０．４６）であった。また、輝度９５０ｃｄ／ｍ^２の発光素子３のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．３４，０．６１）であった。

また、表２から、輝度１０２０ｃｄ／ｍ^２の発光素子１の電流効率は６４ｃｄ／Ａであり、輝度９３０ｃｄ／ｍ^２の比較発光素子２の電流効率は５０ｃｄ／Ａであり、輝度９５０ｃｄ／ｍ^２の発光素子３の電流効率は５２ｃｄ／Ａであった。また、輝度１０２０ｃｄ／ｍ^２の発光素子１の外部量子効率は２４％であり、輝度９３０ｃｄ／ｍ^２の比較発光素子２の外部量子効率は１９％であり、輝度９５０ｃｄ／ｍ^２の発光素子３の外部量子効率は１５％であった。

以上のように、本発明の一形態である発光素子１と、比較発光素子２と、を比較した際に、電圧−輝度特性、輝度−電流効率特性、及び電圧−電流特性に差が生じた。発光素子１は、比較発光素子２よりも駆動電圧が低く、高い電流効率を有することがわかる。発光層のホスト材料に用いた化合物の構造の違いは、発光素子１は、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環を有するが、比較発光素子２は、トリフェニレン環を有する点である。

したがって、本発明の一態様の発光素子は、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環と、アリーレン基と、正孔輸送性骨格と、を有する有機化合物を含むため、電圧−輝度特性、輝度−電流効率特性、及び電圧−電流特性が高い。

また、表２から発光素子１は、比較発光素子２よりも電流効率、外部量子効率が高いことがわかる。したがって、本発明の一態様の発光素子は、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環と、アリーレン基と、正孔輸送性骨格と、を有する有機化合物を含むため、高い電流効率、及び高い外部量子効率の実現に効果があることが確認された。

なお、本実施例に示す構成は、他の実施の形態に示す構成、または他の実施例に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

本実施例では、下記構造式（１０９）に示される２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩの合成方法について説明する。

≪２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩの合成≫
２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩの合成スキームを（Ｆ−１）に示す。

５０ｍＬ三口フラスコに２−（３−ブロモフェニル）ジベンゾ〔ｆ、ｈ〕キノリン０．５６ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニルボロン酸０．４６ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、トリ（オルトトリル）ホスフィン５８ｍｇ（０．１９ｍｍｏｌ）、トルエン１５ｍＬ、エタノール１．５ｍＬ、２Ｍの炭酸カリウム水溶液１．５ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、酢酸パラジウム（ＩＩ）１７ｍｇ（７７μｍｏｌ）を加え、窒素気流下、８０℃で９時間攪拌した。所定時間経過後、この混合物に水とトルエンを加え、固体を吸引濾過により回収した。得られた固体のトルエン溶液をアルミナ、セライトを通して吸引ろ過し、得られたろ液を濃縮して黄色固体を得た。得られた固体にメタノールを加え、このメタノール懸濁液に超音波を照射し、固体を吸引濾過により回収したところ、目的物の白色粉末を収量０．５２ｇ、収率６３％で得た。

得られた２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩの白色粉末０．５３ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力３．２Ｐａ、アルゴン流量５．０ｍＬ／ｍｉｎの条件で、２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩを２８０℃で１５時間加熱して行った。昇華精製後２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩの白色粉末を０．４３ｇ、回収率８０％で得た。

核磁気共鳴法（^１Ｈ ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物である２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩであることを確認した。

得られた物質の^１Ｈ ＮＭＲデータを以下に示す。
^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ＝７．４３−７．５１（ｍ、２Ｈ）、７．６０−７．８５（ｍ、１２Ｈ）、８．１３（ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ、１Ｈ）、８．１８−８．２３（ｍ、３Ｈ）、８．３５（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１Ｈ）、８．５９−８．７１（ｍ、４Ｈ）、８．９４（ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ、１Ｈ）、９．５８（ｄｄ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、８．４Ｈｚ、１Ｈ）。

また、^１Ｈ ＮＭＲチャートを図２７に示す。なお、図２７（Ｂ）は、図２７（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜１０．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。

次に、本実施例で得られた２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩを液体クロマトグラフ質量分析（ＬＣ／ＭＳ分析）によって分析した。

ＬＣ／ＭＳ分析は、ウォーターズ社製Ａｃｑｕｉｔｙ ＵＰＬＣおよびウォーターズ社製Ｘｅｖｏ Ｇ２ Ｔｏｆ ＭＳを用いて行った。

ＭＳ分析では、エレクトロスプレーイオン化法（ＥＳＩ）によるイオン化を行った。この時のキャピラリー電圧は３．０ｋＶ、サンプルコーン電圧は３０Ｖとし、検出はポジティブモードで行った。さらに、以上の条件でイオン化された成分を衝突室（コリジョンセル）内でアルゴンガスと衝突させてプロダクトイオンに解離させた。アルゴンに衝突させる際のエネルギー（コリジョンエネルギー）は７０ｅＶとした。なお、測定する質量電荷比の範囲はｍ／ｚ＝１００〜１２００とした。

ＭＳ分析した測定結果のマススペクトルを図２８に示す。図２８の結果から、本実施例で得られた２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩ（略称）は、主としてｍ／ｚ＝２０１付近、及びｍ／ｚ＝２２７付近にプロダクトイオンのピークが、ｍ／ｚ＝５６４付近にプレカーサーイオン由来のピークが、それぞれ検出されることがわかった。

図２８に示す結果は、２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩに由来する特徴的な結果を示すものであることから、混合物中に含まれる２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩを同定する上での重要なデータであるといえる。

例えば、ｍ／ｚ＝２０１付近に検出されるピークは、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環から、１位と２位の窒素、炭素、及び水素が解離して生じるフラグメント（Ｃ_１６Ｈ_９）のラジカルカチオンのピークと示唆される。また、ｍ／ｚ＝２２７付近に検出されるピークは、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環を含むフラグメント（Ｃ_１７Ｈ_１０Ｎ）のラジカルカチオンのピークと示唆される。

つまり、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環の２位に置換基が結合している場合、置換基が外れたフラグメントに相当するｍ／ｚ＝２２７付近と、そこから分子量２６を差し引いたフラグメントに相当するｍ／ｚ＝２０１付近とにピークが検出されやすいことが示唆される。なお、ここでの置換基とは、一般式（Ｇ１）でのＡｒ−Ａ表される置換基の部分である。

次に、本実施例で得られた２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩを飛行時間二次イオン質量分析計（ＴｏＦ−ＳＩＭＳ）にて測定した定性マススペクトルを図２９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す。

なお、図２９（Ａ）は、正イオンでの測定結果であり、横軸が０〜４５０の範囲のｍ／ｚを表し、縦軸が強度（任意単位）を表す。また、図２９（Ｂ）は、正イオンでの測定結果であり、横軸が４００〜１２００の範囲のｍ／ｚを表す。また、図２９（Ｃ）は、負イオンでの測定結果であり、横軸が０〜４５０の範囲のｍ／ｚを表し、縦軸が強度（任意単位）を表す。また、図２９（Ｄ）は、負イオンでの測定結果であり、横軸が４００〜１２００の範囲のｍ／ｚを表す。

また、装置はＴＯＦ ＳＩＭＳ５（ＩＯＮ‐ＴＯＦ社製）を用い、一次イオン源はＢｉ_３ ^２＋を用いた。なお、一次イオンはパルス幅１１．３ｎｓで照射し、その照射量は８．２×１０^１０〜６．７×１０^１１ ｉｏｎｓ／ｃｍ^２、加速電圧は２５ｋｅＶ、電流値は０．２ｐＡとした。また、試料は２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩの粉末を用いて測定した。

図２９（Ａ）、（Ｂ）の結果から、本発明の一態様の発光素子に用いることのできる２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩでは、主としてｍ／ｚ＝２０２付近、及びｍ／ｚ＝２２７付近にプロダクトイオンのピークが、ｍ／ｚ＝５６４付近にプレカーサーイオン由来のピークが、それぞれ検出されることがわかった。

また、図２９（Ｃ）、（Ｄ）の結果から、本発明の一態様の発光素子に用いることのでき２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩでは、主としてｍ／ｚ＝５５０付近にプロダクトイオンのピークが、ｍ／ｚ＝５６４付近にプレカーサーイオン由来のピークが、それぞれ検出されることがわかった。

図２９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す結果は、２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩに由来する特徴的な結果を示すものであることから、混合物中に含まれる２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩを同定する上での重要なデータであるといえる。

例えば、図２９（Ａ）、（Ｂ）に示す正イオンの測定結果から、ｍ／ｚ＝２０２付近に検出される２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩのプロダクトイオンのピークは、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環から、１位と２位の窒素、炭素、及び水素が解離したフラグメント（Ｃ_１６Ｈ_９ ^２）のラジカルカチオンのピークと示唆される。また、ｍ／ｚ＝２２７付近に検出される２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩのプロダクトイオンのピークは、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環を含む部分骨格（Ｃ_１７Ｈ_１０Ｎ）のラジカルカチオンのピークと示唆される。

つまり、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環の２位に置換基が結合している場合、置換基が外れたフラグメントに相当するｍ／ｚ＝２２７付近と、そこから分子量２５を差し引いたフラグメントに相当するｍ／ｚ＝２０２付近とが、検出されやすいことが示唆される。なお、ここでの置換基とは、一般式（Ｇ１）でのＡｒ−Ａで表される置換基の部分である。

また、図２９（Ｃ）、（Ｄ）に示す負イオンの測定結果から、ｍ／ｚ＝５５０付近に検出される２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩのプロダクトイオンのピークは、１位の窒素が解離したフラグメント（Ｃ_４１Ｈ_２６Ｓ）のラジカルアニオンのピークと示唆される。

このように、ＬＣ／ＭＳ分析やＴｏＦ−ＳＩＭＳ分析した際に、プレカーサーイオンから解離しやすい部分が、プロダクトイオンとして検出される。特に検出されやすいプロダクトイオンとしては、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環に由来する部分骨格等が挙げられる。

次に、２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩの紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩのトルエン溶液の吸収スペクトルを図３０（Ａ）に、発光スペクトルを図３０（Ｂ）にそれぞれ示す。また、２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトルを図３１（Ａ）に、発光スペクトルを図３１（Ｂ）にそれぞれ示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図３０及び図３１において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、２８１ｎｍ、３１９ｎｍ、及び３５８ｎｍに吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、３６２ｎｍ、３８０ｎｍ、及び３９９ｎｍ（励起波長３３９ｎｍ）であった。また、薄膜の場合では２５３ｎｍ、３２１ｎｍ、及び３６４ｎｍに吸収ピークが見られ、発光波長のピークは３９５ｎｍ（励起波長３６５ｎｍ）であった。

なお、本実施例に示す構成は、他の実施の形態に示す構成、または他の実施例に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

本実施例では、実施例２に示した発光素子と異なる、本発明の一態様の発光素子（発光素子４）、及び比較用の発光素子（比較発光素子５）について、図１８を用いて説明する。本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。

以下に、本実施例の発光素子４、及び比較発光素子５の作製方法を示す。

（発光素子４）
まず、基板１１００上に、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ化合物（ＩＴＯ−ＳｉＯ_２、以下ＩＴＳＯと略記する。）をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１１０１を形成した。なお、用いたターゲットの組成は、Ｉｎ_２Ｏ_３：ＳｎＯ_２：ＳｉＯ_２＝８５：１０：５［重量％］とした。また、第１の電極１１０１の膜厚は、１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。ここで、第１の電極１１０１は、発光素子の陽極として機能する電極である。

次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。

次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１１０１が形成された基板１１００を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０^−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極１１０１上に、蒸着法により、１，３，５−トリ（ジベンゾチオフェン−４−イル）−ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）と酸化モリブデンを共蒸着することで、正孔注入層１１１１を形成した。その膜厚は、４０ｎｍとし、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩと酸化モリブデンの比率は、重量比で４：２（＝ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン）となるように調節した。

次に、正孔注入層１１１１上に、ＢＰＡＦＬＰを２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層１１１２を形成した。

さらに、実施例３にて合成した２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩと、４、４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）と、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）とを共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。ここで、２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩ、ＰＣＢＮＢＢ、及び［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］の重量比は、０．８：０．２：０．０５（＝２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は４０ｎｍとした。

さらに、発光層１１１３上に２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩを膜厚１０ｎｍとなるように成膜し、第１の電子輸送層１１１４ａを形成した。

その後、第１の電子輸送層１１１４ａ上にバソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）を膜厚２０ｎｍとなるように成膜し、第２の電子輸送層１１１４ｂを形成した。

さらに、第２の電子輸送層１１１４ｂ上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。

最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子４を作製した。

なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。

（比較発光素子５）
発光素子４における発光層１１１３に対応する比較発光素子５における発光層１１１３を、４−［３−（トリフェニレン−２−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ｍＤＢＴＰＴｐ−ＩＩ）と、ＰＣＢＮＢＢと、［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）とを共蒸着することで形成した。ここで、ｍＤＢＴＰＴｐ−ＩＩ、ＰＣＢＮＢＢ（、及び［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］の重量比は、０．８：０．２：０．０５（＝ｍＤＢＴＰＴｐ−ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は４０ｎｍとした。

さらに、発光素子４における第１の電子輸送層１１１４ａに対応する比較発光素子５における第１の電子輸送層１１１４ａを、ｍＤＢＴＰＴｐ−ＩＩ（略称）を膜厚１０ｎｍとなるように成膜することで形成した。なお、比較発光素子５については、発光層１１１３、及び第１の電子輸送層１１１４ａ以外は、発光素子４と同様に作製した。

以上により得られた発光素子４、及び比較発光素子５の素子構造を表３に示す。

発光素子４、及び比較発光素子５を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周辺に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理）を行った。その後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

発光素子４、及び比較発光素子５の電流密度−輝度特性を図３２に示す。図３２において、横軸は電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、発光素子４、及び比較発光素子５の電圧−輝度特性を図３３に示す。図３３において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を表す。また、発光素子４、及び比較発光素子５の輝度−電流効率特性を図３４に示す。図３４において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、発光素子４、及び比較発光素子５の電圧−電流特性を図３５に示す。図３５において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は電流（ｍＡ）を表す。

また、各発光素子における輝度１０００ｃｄ／ｍ^２付近のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表４に示す。

表４に示す通り、輝度１００９ｃｄ／ｍ^２の発光素子４のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．４２，０．５７）であった。また、輝度８３６ｃｄ／ｍ^２の比較発光素子５のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．４１，０．５８）であった。

また、表４から、輝度１００９ｃｄ／ｃｍ^２の発光素子４の電流効率は８２ｃｄ／Ａであり、輝度８３６ｃｄ／ｃｍ^２の比較発光素子５の電流効率は７７ｃｄ／Ａであった。また、輝度１００９ｃｄ／ｃｍ^２の発光素子４の外部量子効率は２３％であり、輝度８３６ｃｄ／ｃｍ^２の比較発光素子５の外部量子効率は２２％であった。

以上の結果より、本発明の一形態である発光素子４と、比較発光素子５と、を比較した際に、電圧−輝度特性、輝度−電流効率特性、及び電圧−電流特性に差が生じた。発光素子４は、比較発光素子５よりも駆動電圧が低く、高い電流効率を有することがわかる。発光層のホスト材料に用いた化合物の構造の違いは、発光素子４は、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環を有するが、比較発光素子５は、トリフェニレン環を有する点である。したがって、本発明の一態様の発光素子は、一対の電極間に有機化合物を有し、該有機化合物は、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環を有するため、電圧−輝度特性、輝度−電流効率特性、及び電圧−電流特性に対して高い効果があることが確認された。

また、表４から発光素子４は、比較発光素子５よりも電流効率、外部量子効率が高いことがわかる。したがって、本発明の一態様の発光素子は、一対の電極間に有機化合物を有し、該有機化合物がジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環を有するため、高い電流効率、及び高い外部量子効率の実現に効果があることが確認された。

次に、上記発光素子４、及び比較発光素子５について、信頼性試験の評価を行った。信頼性試験の結果を図３６に示す。

図３６において、信頼性試験の測定方法は、初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子４、及び比較発光素子５を駆動した。横軸は素子の駆動時間（ｈ）を、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を表す。図３６から、発光素子４の規格化輝度が７０％以下まで劣化する駆動時間は６７８時間となり、比較発光素子５の規格化輝度が７０％以下まで劣化する駆動時間は２９１時間となった。

図３６より、本発明の一態様の発光素子４は、比較発光素子５と比べ、長寿命な発光素子であることが確認された。

以上の結果から、２ｍＤＢＴＢＰＤＢＱｕ−ＩＩ（略称）を発光層として用いた本発明の一態様の発光素子４は、高効率、低駆動電圧、低消費電力、及び長寿命な発光素子であることがわかった。

なお、本実施例に示す構成は、他の実施の形態に示す構成、または他の実施例に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

１００ 基板
１０１ 電極
１０２ ＥＬ層
１０３ 電極
１１１ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１５ 電子注入層
３０１ 電極
３０３ 電極
３１１ 発光層
３１２ 発光層
３１３ 電荷発生層
４０１ ソース側駆動回路
４０２ 画素部
４０３ ゲート側駆動回路
４０４ 封止基板
４０５ シール材
４０７ 空間
４０８ 配線
４０９ ＦＰＣ
４１０ 素子基板
４１１ スイッチング用ＦＥＴ
４１２ 電流制御用ＦＥＴ
４１３ 電極
４１４ 絶縁物
４１６ ＥＬ層
４１７ 電極
４１８ 発光素子
４２３ ｎチャネル型ＦＥＴ
４２４ ｐチャネル型ＦＥＴ
５０１ 基板
５０２ 電極
５０３ 電極
５０４ ＥＬ層
５０５ 絶縁層
５０６ 隔壁層
１１００ 基板
１１０１ 電極
１１０３ 電極
１１１１ 正孔注入層
１１１２ 正孔輸送層
１１１３ 発光層
１１１４ａ 電子輸送層
１１１４ｂ 電子輸送層
１１１５ 電子注入層
２００１ 基板
２００２ 発光部
２００５ａ 封止材
２００５ｂ 封止材
２００６ 基板
２０１１ 空間
２０１３ 空間
３０００ 発光装置
３００１ 基板
３００３ａ 下部電極
３００３ｂ 下部電極
３００３ｃ 下部電極
３００５ａ 透明導電層
３００５ｂ 透明導電層
３００５ｃ 透明導電層
３００７ａ 隔壁
３００７ｂ 隔壁
３００７ｃ 隔壁
３００７ｄ 隔壁
３００９ 正孔注入層
３０１１ 正孔輸送層
３０１３ａ 発光層
３０１３ｂ 発光層
３０１３ｃ 発光層
３０１５ 電子輸送層
３０１７ 電子注入層
３０１９ 上部電極
３０２０ａ 発光素子
３０２０ｂ 発光素子
３０２０ｃ 発光素子
３１００ 発光装置
３１０１ 基板
３１０３ａ 下部電極
３１０３ｂ 下部電極
３１０３ｃ 下部電極
３１０５ａ 透明導電層
３１０５ｂ 透明導電層
３１０５ｃ 透明導電層
３１０７ａ 隔壁
３１０７ｂ 隔壁
３１０７ｃ 隔壁
３１０７ｄ 隔壁
３１１０ 正孔輸送層
３１１２ 発光層
３１１４ 電荷発生層
３１１６ 発光層
３１１８ 電子注入層
３１１９ 上部電極
３１２０ａ 発光素子
３１２０ｂ 発光素子
３１２０ｃ 発光素子
４０００ 照明装置
４００１ 照明装置
４００３ 基板
４００５ 基板
４００７ 発光素子
４００９ 電極
４０１１ 電極
４０１３ 下部電極
４０１４ ＥＬ層
４０１５ 上部電極
４０１７ 補助配線
４０１９ 封止基板
４０２１ シール材
４０２３ 乾燥剤
４０２５ 基板
４０２７ 拡散板
４１００ 照明装置
４１０１ 照明装置
４１０３ 封止基板
４１０５ 平坦化膜
４１０７ 発光素子
４１０９ 電極
４１１１ 電極
４１１３ 下部電極
４１１４ ＥＬ層
４１１５ 上部電極
４１１７ 補助配線
４１２１ シール材
４１２５ 基板
４１２７ 拡散板
４１３１ 絶縁層
４５００ タッチセンサ
４５１０ 導電層
４５１０ａ 導電層
４５１０ｂ 導電層
４５１０ｃ 導電層
４５２０ 導電層
４５４０ 容量
４７１０ 導電層
４８１０ 絶縁層
４８２０ 絶縁層
４９１０ 基板
４９２０ 基板
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００５ 操作キー
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５００９ スイッチ
５０１０ 赤外線ポート
５０１１ 記録媒体読込部
５０１２ 支持部
５０１３ イヤホン
５０１４ アンテナ
５０１５ シャッターボタン
５０１６ 受像部
５０１７ 充電器
５０１８ 支持台
５０１９ 外部接続ポート
５０２０ ポインティングデバイス
５０２１ リーダ／ライタ
５０２２ 筐体
５０２３ 表示部
５０２４ リモコン装置
５０２５ スピーカ
５０２６ 表示モジュール
５０２７ ユニットバス
５０２８ 表示モジュール
５０２９ 車体
５０３０ 天井
５０３１ 表示モジュール
５０３２ ヒンジ部
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチパネル
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００７ バックライトユニット
８００８ 光源
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリー

Claims (10)

1. 発光素子は一対の電極を有し、
   前記一対の電極の間に発光層を有し、
   前記発光層は、ホスト材料と、ゲスト材料とを有し、
   前記ホスト材料は、有機化合物を有し、
   前記有機化合物は、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環と、アリーレン基と、正孔輸送性骨格と、を有し、
   前記有機化合物は、前記ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環と、前記正孔輸送性骨格とが前記アリーレン基を介して結合することを特徴とする発光素子。
2. 発光素子は、一対の電極を有し、
   前記一対の電極の間に電子輸送層と、発光層と、正孔輸送層と、を有し、
   前記発光層は、ホスト材料と、ゲスト材料とを有し、
   前記ホスト材料は、有機化合物を有し、
   前記有機化合物は、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環と、アリーレン基と、正孔輸送性骨格と、を有し、
   前記有機化合物は、前記ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン環と、前記正孔輸送性骨格とが前記アリーレン基を介して結合することを特徴とする発光素子。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記ゲスト材料は、燐光性化合物であることを特徴とする発光素子。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記ゲスト材料は、イリジウム錯体であることを特徴とする発光素子。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記正孔輸送性骨格が、π電子過剰型ヘテロ芳香環であることを特徴とする発光素子。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記アリーレン基が、フェニレン基、またはビフェニルジイル基であることを特徴とする発光素子。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記アリーレン基が、ｍ−フェニレン基であることを特徴とする発光素子。
8. 請求項１乃至７のいずれか一に記載の発光素子を用いた発光装置。
9. 請求項８に記載の発光装置を用いた電子機器。
10. 請求項８に記載の発光装置を用いた照明装置。