JP2024009786A - 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス - Google Patents

Abstract

【課題】有機発光ダイオード及び関連する電子デバイス等のデバイスにおける発光体として使用できる有機金属化合物を提供する。【解決手段】以下の構造を有する化合物である。TIFF2024009786000187.tif79153（Ｘ１１～Ｘ２６は、各々独立に、Ｃ又はＮ；ＲＡＡ、ＲＢＢ、ＲＣＣ、及びＲＤＤは、各々独立に、無置換から最大可能置換までのＨ、Ｄ、ハロゲン等；任意の２つの置換基は、任意に縮合又は結合し、環を形成してもよい。）【選択図】図１

Description

関連出願の相互参照
本願は、米国特許法第１１９条の下で、２０２２年７月１１日出願の米国特許仮出願第６３／３８８，０５６号に対する優先権を主張し、上記参照出願の全内容は、参照により本明細書に組み込まれる。

本開示は、一般的に、有機金属化合物及び組成物（ｆｏｒｍｕｌａｉｏｎ）、並びに有機発光ダイオード及び関連する電子デバイス等のデバイスにおける発光体としての使用を含むそれらの様々な用途に関する。

有機材料を利用する光電子デバイスは、各種理由から、次第に望ましいものとなりつつある。そのようなデバイスを作製するために使用される材料の多くは比較的安価であるため、有機光電子デバイスは無機デバイスを上回るコスト優位性の可能性を有する。加えて、柔軟性等の有機材料の固有の特性により、該材料は、フレキシブル基板上での製作等の特定用途によく適したものとなり得る。有機光電子デバイスの例は、有機発光ダイオード／デバイス（ＯＬＥＤ）、有機光トランジスタ、有機光電池及び有機光検出器を含む。ＯＬＥＤについて、有機材料は従来の材料を上回る性能の利点を有し得る。

ＯＬＥＤはデバイス全体に電圧が印加されると光を放出する薄い有機膜を利用する。ＯＬＥＤは、フラットパネルディスプレイ、照明及びバックライティング等の用途において使用するためのますます興味深い技術となりつつある。

燐光発光性分子の１つの用途は、フルカラーディスプレイである。そのようなディスプレイの業界標準は、「飽和（ｓａｔｕｒａｔｅｄ）」色と称される特定の色を放出するように適合された画素を必要とする。特に、これらの標準は、飽和した赤色、緑色及び青色画素を必要とする。若しくは、ＯＬＥＤは、白色光を照射するように設計することができる。従来の、白色バックライトからの液晶ディスプレイ発光は、吸収フィルターを用いてフィルタリングされ、赤色、緑色、及び青色発光を生成する。同様の技術は、ＯＬＥＤでも用いられることができる。白色ＯＬＥＤは、単層の発光層（ＥＭＬ）デバイス又は積層体構造のいずれかであることができる。色は、当技術分野において周知のＣＩＥ座標を使用して測定することができる。

１つの態様においては、本開示は、式Ｉの構造を有する化合物を提供する。

式Ｉにおいて、
ＭはＰｔ又はＰｄであり；
環Ａ、Ｂ、Ｃ、及びＤは、それぞれ独立して、５員又は６員の炭素環又は複素環であり；
Ｚ^１、Ｚ^２、及びＺ^３の１つはＮであり、他の２つはＣであり；
Ｘ^１～Ｘ^１０は、それぞれ独立して、Ｃ又はＮであり；
Ｋは、直接結合、Ｏ、Ｓ、Ｎ（Ｒ^α）、Ｐ（Ｒ^α）、Ｂ（Ｒ^α）、Ｃ（Ｒ^α）（Ｒ^β）、及びＳｉ（Ｒ^α）（Ｒ^β）からなる群から選択され；
Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立して、直接結合、ＢＲ、ＢＲＲ’、ＮＲ、ＰＲ、Ｐ（Ｏ）Ｒ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ’、Ｃ＝ＣＲ’Ｒ’’、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ_２、ＣＲ、ＣＲＲ’、ＳｉＲＲ’、ＧｅＲＲ’、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びそれらの組合せからなる群から選択され；
Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、及びＲ^Ｄは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換までを表す、又は無置換を表し；
Ｒ^Ｅは、モノから最大可能置換までを表し；
Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’、Ｒ^α、Ｒ^β、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、及びＲ^Ｅは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、ボリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びそれらの組合せからなる群から選択される置換基であり；
Ｒ^１は、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、ボリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びそれらの組合せから選択され；
少なくとも１つのＲ^Ｅは、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキル、及びヘテロアルキルからなる群から選択される置換基を含み；
任意の２つの置換基は結合又は縮合して、環を形成してもよいが、Ｘ^３又はＸ^４でのＲ^Ｅは、Ｒ^Ａと結合し、環を形成することができず；
但し、Ｒ^１は、メチル基ではなく、
但し、前記化合物は、以下：

ではなく；
但し、（ｉ）Ｌ^１がＣＲＲ’である場合、又は（ｉｉ）環Ａがイミダゾ―ルであり、２つのＲ^Ａが縮合ベンゾ環を形成しない場合、Ｒ^１は、Ｃ_６Ｈ_５、Ｃ_６Ｄ_５、又はｔｅｒｔ－ブチルであることができない。

他の態様においては、本開示は、本明細書に記載されるように、式Ｉの構造を有する化合物を含む組成物を提供する。

更に別の態様においては、本開示は、本明細書に記載されるように、式Ｉの構造を有する化合物を含む有機層を有するＯＬＥＤを提供する。

更に別の態様においては、本開示は、本明細書に記載されるように、式Ｉの構造を有する化合物を含む有機層を有するＯＬＥＤを含む消費者製品提供する。

図１は、有機発光デバイスを示す。

図２は、別の電子輸送層を有さない、反転された有機発光デバイスを示す。

Ａ．用語
特段の断りがない限り、本明細書に使用される下記用語は、以下の通り定義される。

本明細書において使用される場合、用語「有機」は、有機光電子デバイスを製作するために使用され得るポリマー材料及び低分子有機材料を含む。「低分子」は、ポリマーでない任意の有機材料を指し、且つ「低分子」は実際にはかなり大型であってもよい。低分子は、幾つかの状況において繰り返し単位を含み得る。例えば、長鎖アルキル基を置換基として使用することは、「低分子」クラスから分子を排除しない。低分子は、例えばポリマー骨格上のペンダント基として、又は該骨格の一部として、ポリマーに組み込まれてもよい。低分子は、コア部分上に構築された一連の化学的シェルからなるデンドリマーのコア部分として役立つこともできる。デンドリマーのコア部分は、蛍光性又は燐光性低分子発光体であってよい。デンドリマーは「低分子」であってもよく、ＯＬＥＤの分野において現在使用されているデンドリマーは全て低分子であると考えられている。

本明細書において使用される場合、「頂部」は基板から最遠部を意味するのに対し、「底部」は基板の最近部を意味する。第１の層が第２の層「の上に配置されている」と記述される場合、第１の層のほうが基板から遠くに配置されている。第１の層が第２の層「と接触している」ことが指定されているのでない限り、第１の層と第２の層との間に他の層があってもよい。例えば、間に種々の有機層があるとしても、カソードはアノード「の上に配置されている」と記述され得る。

本明細書において使用される場合、「溶液プロセス可能な」は、溶液又は懸濁液形態のいずれかの液体媒質に溶解、分散若しくは輸送されることができ、且つ／又は該媒質から堆積されることができるという意味である。

配位子は、該配位子が発光材料の光活性特性に直接寄与していると考えられる場合、「光活性」と称され得る。配位子は、該配位子が発光材料の光活性特性に寄与していないと考えられる場合には「補助」と称され得るが、補助配位子は、光活性配位子の特性を変化させることができる。

本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるように、第１の「最高被占分子軌道」（ＨＯＭＯ）又は「最低空分子軌道」（ＬＵＭＯ）エネルギー準位は、第１のエネルギー準位が真空エネルギー準位に近ければ、第２のＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位「よりも大きい」又は「よりも高い」。イオン化ポテンシャル（ＩＰ）は、真空準位と比べて負のエネルギーとして測定されるため、より高いＨＯＭＯエネルギー準位は、より小さい絶対値を有するＩＰ（あまり負でないＩＰ）に相当する。同様に、より高いＬＵＭＯエネルギー準位は、より小さい絶対値を有する電子親和力（ＥＡ）（あまり負でないＥＡ）に相当する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、材料のＬＵＭＯエネルギー準位は、同じ材料のＨＯＭＯエネルギー準位よりも高い。「より高い」ＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位は、「より低い」ＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位よりもそのような図の頂部に近いように思われる。

本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるように、第１の仕事関数がより高い絶対値を有するならば、第１の仕事関数は第２の仕事関数「よりも大きい」又は「よりも高い」。仕事関数は概して真空準位と比べて負数として測定されるため、これは「より高い」仕事関数が更に負であることを意味する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、「より高い」仕事関数は、真空準位から下向きの方向に遠く離れているものとして例証される。故に、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯエネルギー準位の定義は、仕事関数とは異なる慣例に準ずる。

「ハロ」、「ハロゲン」、及び「ハライド」という用語は、相互交換可能に使用され、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素を指す。

「アシル」という用語は、置換されたカルボニル基（Ｃ（Ｏ）－Ｒ_ｓ）を指す。

「エステル」という用語は、置換されたオキシカルボニル（－Ｏ－Ｃ（Ｏ）－Ｒ_ｓ又は－Ｃ（Ｏ）－Ｏ－Ｒ_ｓ）基を指す。

「エーテル」という用語は、－ＯＲ_ｓ基を指す。

「スルファニル」又は「チオエーテル」という用語は、相互交換可能に使用され、－ＳＲ_ｓ基を指す。

「セレニル」という用語は、－ＳｅＲ_ｓ基を指す。

「スルフィニル」という用語は、－Ｓ（Ｏ）－Ｒ_ｓ基を指す。

「スルホニル」という用語は、－ＳＯ_２－Ｒ_ｓ基を指す。

「ホスフィノ」という用語は、－Ｐ（Ｒ_ｓ）_３基を指し、各Ｒ_ｓは、同一であっても異なっていてもよい。

「シリル」という用語は、－Ｓｉ（Ｒ_ｓ）_３基を指し、各Ｒ_ｓは、同一であっても異なっていてもよい。

「ゲルミル」という用語は、－Ｇｅ（Ｒ_ｓ）_３基を指し、各Ｒ_ｓは、同一であっても異なっていてもよい。

「ボリル」という用語は、－Ｂ（Ｒ_ｓ）_２基、又はそのルイス（Ｌｅｗｉｓ）付加物－Ｂ（Ｒ_ｓ）_３基を指し、Ｒ_ｓは同一であっても異なっていてもよい。

上記のそれぞれにおいて、Ｒ_ｓは、水素、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、及びそれらの組合せからなる群から選択される置換基であることができる。好ましいＲ_ｓは、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びそれらの組合せからなる群から選択される。

「アルキル」という用語は、直鎖及び分岐鎖アルキル基の両方を指し、含む。好ましいアルキル基としては、１個から１５個までの炭素原子を含むものであり、メチル、エチル、プロピル、１－メチルエチル、ブチル、１－メチルプロピル、２－メチルプロピル、ペンチル、１－メチルブチル、２－メチルブチル、３－メチルブチル、１，１－ジメチルプロピル、１，２－ジメチルプロピル、及び２，２－ジメチルプロピル等が挙げられる。更に、前記アルキル基は、任意に置換されていてもよい。

「シクロアルキル」という用語は、単環式環式、多環式、及びスピロアルキル基を指し、含む。好ましいシクロアルキル基は、３～１２個の環炭素原子を含むものであり、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ビシクロ［３．１．１］ヘプチル、スピロ［４．５］デシル、スピロ［５．５］ウンデシル、アダマンチル等が挙げられる。更に、前記シクロアルキル基は、任意に置換されていてもよい。

「ヘテロアルキル」又は「ヘテロシクロアルキル」という用語は、それぞれ、ヘテロ原子によって置換された少なくとも１つの炭素原子を有するアルキル基又はシクロアルキル基を指す。任意に、少なくとも１つのヘテロ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、及びＳｅ、好ましくはＯ、Ｓ、又はＮから選択される。更に、前記ヘテロアルキル基又は前記ヘテロシクロアルキル基は、任意に置換されていてもよい。

「アルケニル」という用語は、直鎖及び分枝鎖のアルケン基の両方を指し、含む。アルケニル基は、本質的に、アルキル鎖中に少なくとも１つの炭素－炭素二重結合を含むアルキル基である。シクロアルケニル基は、本質的に、シクロアルキル環中に少なくとも１つの炭素－炭素二重結合を含むシクロアルキル基である。本明細書で使用される「ヘテロアルケニル」という用語は、ヘテロ原子によって置換された少なくとも１つの炭素原子を有するアルケニル基を指す。任意に、少なくとも１つのヘテロ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、及びＳｅ、好ましくはＯ、Ｓ、又はＮから選択される。好ましいアルケニル、シクロアルケニル、又はヘテロアルケニル基は、２～１５個の炭素原子を含むものである。更に、前記アルケニル、前記シクロアルケニル、又は前記ヘテロアルケニル基は、任意に置換されていてもよい。

「アルキニル」という用語は、直鎖及び分枝鎖アルキン基の両方を指し、含む。アルキニル基は、本質的に、アルキル鎖に少なくとも１つの炭素－炭素三重結合を含むアルキル基である。好ましいアルキニル基は、２～１５個の炭素原子を含むものである。更に、前記アルキニル基は、任意に置換されていてもよい。

「アラルキル」又は「アリールアルキル」という用語は、相互交換可能に使用され、アリール基で置換されたアルキル基を指す。更に、前記アラルキル基は、任意に置換されていてもよい。

「複素環式基（ヘテロ環基；ｈｅｔｅｒｏ環状基）」という用語は、少なくとも１つのヘテロ原子を含む芳香族及び非芳香族の環式基を指し、含む。任意に、前記少なくとも１つのヘテロ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、及びＳｅ、好ましくはＯ、Ｓ、又はＮから選択される。ヘテロ芳香族環式基は、ヘテロアリールと相互交換可能に使用され得る。好ましいヘテロ非芳香族環式基は、３～７個の環原子を含むものであって、少なくとも１つのヘテロ原子を含み、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の環式アミン、及び例えばテトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、テトラヒドロチオフェン等の環式エーテル／チオエーテルを含む。更に、前記複素環式基は、任意に置換されていてもよい。

「アリール」という用語は、単環式環式芳香族ヒドロカルビル基及び多環式芳香族環系の両方を指し、含む。多環とは、２つの隣接する環（前記環は、「縮合」している）に２つの炭素が共有されている２つ以上の環を有することができ、前記環の少なくとも１つは、芳香族ヒドロカルビル基であり、例えば、他の環は、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール、ヘテロ環、及び／又はヘテロアリールであることができる。好ましいアリール基は、６～３０個の炭素原子を含むものであり、６～２０個の炭素原子を含むものが好ましく、６～１２個の炭素原子を含むものが更に好ましい。６個の炭素を有するアリール基、１０個の炭素を有するアリール基、又は１２個の炭素を有するアリール基が特に好ましい。好適なアリール基としては、フェニル、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、テトラフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナンスレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、及びアズレン等が挙げられ、フェニル、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、フルオレン、及びナフタレンが好ましい。更に、前記アリール基は、任意に置換されていてもよい。

「ヘテロアリール」という用語は、少なくとも１つのヘテロ原子を含む単環式環式芳香族基及び多環式芳香族環系の両方を指し、含む。ヘテロ原子としては、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、及びＳｅが挙げられるが、これらに限定されない。多くの例においては、Ｏ、Ｓ、又はＮが好ましいヘテロ原子である。ヘテロ単環式環式芳香族系は、好ましくは５個又は６個の環原子を有する単環式環であり、前記環は１～６個のヘテロ原子を有することができる。ヘテロ多環式環系は、２つの原子が２つの隣接する環（前記環は「縮合している」）に共通している２つ以上の環を有することができ、前記環の少なくとも１つはヘテロアリールであり、例えば、他の環は、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール、ヘテロ環、及び／又はヘテロアリールであることができる。複素多環式芳香族環系は、多環式芳香族環系の環当たり１～６個のヘテロ原子を有することができる。好ましいヘテロアリール基は、３～３０個の炭素原子を含むものであり、３～２０個の炭素原子を含むものが好ましく、３～１２個の炭素原子を含むものがより好ましい。好適なヘテロアリール基としては、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン、及びセレノフェノジピリジンが挙げられ、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、イミダゾール、ピリジン、トリアジン、ベンズイミダゾール、１，２－アザボリン、１，３－アザボリン、１，４－アザボリン、ボラジン、及びこれらのアザ類似体が好ましい。更に、前記ヘテロアリール基は、任意に置換されていてもよい。

上記にリストされる前記アリール及び前記ヘテロアリール基のうち、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、イミダゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、及びベンズイミダゾールの基、並びにそのそれぞれのアザ類似体が、特に興味深い。

本明細書において使用される用語であるアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、複素環基、アリール、及びヘテロアリールは、独立して無置換である、又は独立して１以上の一般的な置換基で置換される。

多くの例において、前記一般的な置換基は、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、ボリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、セレニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びそれらの組合せからなる群から選択される。

幾つかの例において、好ましい一般的な置換基は、重水素、フッ素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、ボリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アリール、ヘテロアリール、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、及びそれらの組合せからなる群から選択される。

幾つかの例においては、より好ましい一般的な置換基は、重水素、フッ素、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ボリル、アリール、ヘテロアリール、スルファニル、及びそれらの組合せからなる群から選択される。

更に他の例においては、最も好ましい一般的な置換基は、重水素、フッ素、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びそれらの組合せからなる群から選択される。

「置換された」及び「置換」という用語は、関連する位置（例えば炭素又は窒素）に結合されているＨ以外の置換基を指す。例えば、Ｒ^１がモノ置換を表す場合、１つのＲ^１はＨ以外でなければならない（即ち、置換）。同様に、Ｒ^１がジ置換を表す場合、Ｒ^１の２つはＨ以外でなければならない。同様に、Ｒ^１がゼロ又は無置換を表す場合、Ｒ^１は、例えば、ベンゼンにおける炭素原子及びピロール中の窒素原子の場合のように、環原子の利用可能な原子価における水素であることができる、又は完全に満たされた原子価を有する環原子（例えば、ピリジン中の窒素）の場合には単に何も表さない。環構造において可能な置換の最大数は、環原子における利用可能な原子価の総数に依存する。

本明細書中で使用される場合、「それらの組合せ」は、適用されるリストから当業者が想到することができる、知られた又は化学的に安定な配置を形成するために、適用されるリストの１以上のメンバーが組み合わされることを示す。例えば、アルキル及び重水素は、組み合わされて、部分的又は完全に重水素化されたアルキル基を形成することができる；ハロゲン及びアルキルは、組み合わされて、ハロゲン化アルキル置換基を形成することができる；ハロゲン、アルキル、及びアリールは、組み合わされて、ハロゲン化アリールアルキルを形成することができる。１つの例においては、置換という用語は、リストされた基の２～４個の組合せを含む。別の例においては、置換という用語は、２～３個の基の組合せを含む。更に別の例では、置換という用語は、２個の基の組合せを含む。置換基の好ましい組合せは、水素又は重水素でない５０個までの原子を含むもの、又は水素又は重水素ではない４０個までの原子を含むもの、又は水素若しくは重水素ではない３０個までの原子を含むものである。多くの例においては、置換基の好ましい組合せは、水素又は重水素ではない２０個までの原子を含む。

本明細書において記述されるフラグメント、例えば、アザ－ジベンゾフラン、アザ－ジベンゾチオフェン等の中の「アザ」という名称は、各芳香族環中のＣ－Ｈ基の１以上が窒素原子に置き換わることができることを意味し、例えば、何ら限定するものではないが、アザトリフェニレンは、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンとジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリンのいずれをも包含する。当業者であれば、上述のアザ誘導体の他の窒素類似体を容易に想像することができ、このような類似体全てが本明細書に記載の前記用語によって包含されることが意図される。

本明細書で使用される「重水素」は、水素の同位体を指す。重水素化化合物は、当該分野で公知の方法を用いて容易に調製されることができる。例えば、それらの内容の全体を参照によって援用する、米国特許第８，５５７，４００号明細書、国際公開第ＷＯ２００６／０９５９５１号、及び米国特許出願公開第２０１１／００３７０５７号には、重水素で置換された有機金属錯体の作製が記載されている。更なる参照は、それらの内容の全体を参照によって組み込まれる、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ ２０１５，７１，１４２５～３０（Ｍｉｎｇ Ｙａｎら）及びＡｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．（Ｒｅｖｉｅｗｓ）２００７，４６，７７４４～６５（Ａｔｚｒｏｄｔら）によって為され、ベンジルアミン中のメチレン水素の重水素化及び芳香族環水素を重水素で置換する効率的な経路が、それぞれ記載されている。

分子フラグメントが置換基であるとして記述される、又は他の部分に結合されているものとして記述される場合、その名称は、フラグメント（例えば、フェニル、フェニレン、ナフチル、ジベンゾフリル）又は分子全体（例えば、ベンゼン、ナフタレン、ジベンゾフラン）であるように記載されることがあることを理解されたい。本明細書においては、置換基又は結合フラグメントの表示の仕方が異なっていても、これらは、等価であると考える。

ある例においては、対の隣接する置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成することができる。好ましい環は、５員環、６員環、又は７員環の炭素環又は複素環であり、対の置換基によって形成される環の部分が飽和されている例、及び対の置換基によって形成される環の部分が不飽和である例の両方を含む。本明細書中で使用される「隣接する」は、安定した縮合環系を形成することができる限り、関連する２つの置換基が、互いに隣り合って同じ環上にあることができる、又はビフェニルにおける２位と２’位、及びナフタレンにおける１位と８位等、２つの最も近い利用可能な置換可能位置を有する２つの隣どうしの環上にあることができることを意味する。

Ｂ．本開示の化合物
１つの態様においては、本開示は、式Ｉの構造を有する化合物を提供する。
式I

式Ｉにおいて、
ＭはＰｔ又はＰｄであり；
環Ａ、Ｂ、Ｃ、及びＤは、それぞれ独立して、５員又は６員の炭素環又は複素環であり；
Ｚ^１、Ｚ^２、及びＺ^３の１つはＮであり、他の２つはＣであり；
Ｘ^１～Ｘ^１０は、それぞれ独立して、Ｃ又はＮであり；
Ｋは、直接結合、Ｏ、Ｓ、Ｎ（Ｒ^α）、Ｐ（Ｒ^α）、Ｂ（Ｒ^α）、Ｃ（Ｒ^α）（Ｒ^β）、及びＳｉ（Ｒ^α）（Ｒ^β）からなる群から選択され；
Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立して、直接結合、ＢＲ、ＢＲＲ’、ＮＲ、ＰＲ、Ｐ（Ｏ）Ｒ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ’、Ｃ＝ＣＲ’Ｒ’’、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ_２、ＣＲ、ＣＲＲ’、ＳｉＲＲ’、ＧｅＲＲ’、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びそれらの組合せからなる群から選択され；
Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、及びＲ^Ｄは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換までを表す、又は無置換を表し；
Ｒ^Ｅは、モノから最大可能置換までを表し；
Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’、Ｒ^α、Ｒ^β、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、及びＲ^Ｅは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり；
Ｒ^１は、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、ボリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びそれらの組合せからなる群から選択され；
少なくとも１つのＲ^Ｅは、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキル、及びヘテロアルキルからなる群から選択される置換基を含み；
任意の２つの置換基は結合又は縮合して、環を形成してもよいが、Ｘ^３又はＸ^４でのＲ^Ｅは、Ｒ^Ａと結合し、環を形成することができず；
但し、前記化合物は、以下：

ではない。

Ｚ^１とＸ^９との間の結合及びＺ^１とＸ^１０との間の結合は、それぞれ、単結合又は二重結合であることができるが、両方は同時に二重結合であることができないことを理解すべきである。Ｚ^２とＸ^７との間の結合及びＺ^２とＸ^７との間の結合は、それぞれ、単結合又は二重結合であることができるが、両方は同時に二重結合であることができない。同様に、Ｚ^３とＸ^５との間の結合及びＺ^３とＸ^６との間の結合は、それぞれ、単結合又は二重結合であることができるが、両方は同時に二重結合であることができない。環Ａの２つのＮ間のＣは、カルベンＣである。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^１はメチル基ではない。

幾つかの実施形態においては、（ｉ）Ｌ^１がＣＲＲ’である場合、Ｒ^１は、Ｃ_６Ｈ_５、Ｃ_６Ｄ_５、又はｔｅｒｔ－ブチルであることができない。

幾つかの実施形態においては、環Ａがイミダゾ―ルであり、２つのＲ^Ａが縮合ベンゾ環を形成しない場合、Ｒ^１は、Ｃ_６Ｈ_５、Ｃ_６Ｄ_５、又はｔｅｒｔ－ブチルであることができない。

幾つかの実施形態においては、（ｉ）Ｌ^１がＣＲＲ’である場合、又は（ｉｉ）環Ａがイミダゾ―ルであり、２つのＲ^Ａが縮合ベンゾ環を形成しない場合、Ｒ^１は、Ｃ_６Ｈ_５、Ｃ_６Ｄ_５、又はｔｅｒｔ－ブチルであることができない。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^１がメチル基ではなく、（ｉ）Ｌ^１がＣＲＲ’である場合、又は（ｉｉ）環Ａがイミダゾ―ルであり、２つのＲ^Ａが縮合ベンゾ環を形成しない場合、Ｒ^１は、Ｃ_６Ｈ_５、Ｃ_６Ｄ_５、又はｔｅｒｔ－ブチルであることができない。

式Ｉの化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、又はＲ^Ｅの少なくとも１つは、部分的に又は完全に重水素化される。幾つかの実施形態においては、少なくとも１つのＲ^１は、部分的に又は完全に重水素化される。幾つかの実施形態においては、少なくとも１つのＲ^Ａは、部分的に又は完全に重水素化される。幾つかの実施形態においては、少なくとも１つのＲ^Ｂは、部分的に又は完全に重水素化される。幾つかの実施形態においては、少なくとも１つのＲ^Ｃは、部分的に又は完全に重水素化される。幾つかの実施形態においては、少なくとも１つのＲ^Ｄは、部分的に又は完全に重水素化される。幾つかの実施形態においては、少なくとも１つのＲ^Ｅは、部分的に又は完全に重水素化される。

幾つかの実施形態においては、Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、及びＲ^Ｅは、それぞれ独立して、水素である、又は好ましい一般的な置換基からなる群から選択される置換基である。幾つかの実施形態においては、Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、及びＲ^Ｅは、それぞれ独立して、水素である、又はより好ましい一般的な置換基からなる群から選択される置換基である。幾つかの実施形態においては、Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、及びＲ^Ｅは、それぞれ独立して、水素である、又は最も好ましい一般的な置換基からなる群から選択される置換基である。

幾つかの実施形態においては、Ｘ^３又はＸ^４でのＲ^Ｅは、Ｒ^Ａと結合し、環を形成することができない。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^１は、Ｎ－カルバゾールではない。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^１は、Ｃ_６Ｈ_５、Ｃ_６Ｄ_５、又はｔｅｒｔ－ブチルである。

幾つかの実施形態においては、Ｘ^１～Ｘ^１０は、それぞれＣである。

幾つかの実施形態においては、Ｘ^１～Ｘ^４は、それぞれＣである。幾つかの実施形態においては、Ｘ^１～Ｘ^４の少なくとも１つは、Ｎである。幾つかの実施形態においては、Ｘ^１～Ｘ^４の正確に１つは、Ｎである。

幾つかの実施形態においては、Ｘ^５及びＸ^６は、いずれもＣである。幾つかの実施形態においては、Ｘ^５及びＸ^６の少なくとも１つは、Ｎである。幾つかの実施形態においては、Ｘ^５及びＸ^６の正確に１つは、Ｎである。

幾つかの実施形態においては、Ｘ^７及びＸ^８は、いずれもＣである。幾つかの実施形態においては、Ｘ^７及びＸ^８の少なくとも１つは、Ｎである。幾つかの実施形態においては、Ｘ^７及びＸ^８の正確に１つは、Ｎである。

幾つかの実施形態においては、Ｘ^９及びＸ^１０は、いずれもＣである。幾つかの実施形態においては、Ｘ^９及びＸ^１０の少なくとも１つは、Ｎである。幾つかの実施形態においては、Ｘ^９及びＸ^１０の正確に１つは、Ｎである。

幾つかの実施形態においては、Ｚ^１はＮである。幾つかの実施形態においては、Ｚ^２はＮである。幾つかの実施形態においては、Ｚ^３はＮである。

幾つかの実施形態においては、環Ａは、イミダゾ―ル、ピリミジン－４，６－ジオン、及びピリミジン－４－オンからなる群から選択される。幾つかの実施形態においては、環Ａはイミダゾ―ルである。

幾つかの実施形態においては、２つのＲ^Ａは、共に結合又は縮合して、ベンゼン、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、イミダゾ―ル、ピラゾール、ピロール、オキサゾール、フラン、チオフェン、チアゾール、ナフタレン、キノリン、イソキノリン、キナゾリン、ベンゾフラン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチオフェン、ベンゾチアゾール、ベンゾセレノフェン、インデン，インドール、ベンズイミダゾール、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、キノキサリン、フタラジン、フェナントレン、フェナントリジン、及びフルオレンからなる群から選択される部分を形成する。

幾つかの実施形態においては，環Ｂ、環Ｃ、及び環Ｄは、それぞれ独立して、ベンゼン、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、イミダゾ―ル、ピラゾール、ピロール、オキサゾール、フラン、チオフェン、トリアゾール、及びチアゾールからなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、２つのＲ^Ａは、結合し、環を形成することができる。幾つかの実施形態においては、２つのＲ^Ａは、結合し、多環式縮合環系を形成することができる。

幾つかの実施形態においては、２つのＲ^Ｂは、結合し、環を形成することができる。幾つかの実施形態においては、２つのＲ^Ｂは、結合し、多環式縮合環系を形成することができる。

幾つかの実施形態においては、２つのＲ^Ｃは、結合し、環を形成することができる。幾つかの実施形態においては、２つのＲ^Ｃは、結合し、多環式縮合環系を形成することができる。

幾つかの実施形態においては、２つのＲ^Ｄは、結合し、環を形成することができる。幾つかの実施形態においては、２つのＲ^Ｄは、結合し、多環式縮合環系を形成することができる。幾つかの実施形態においては、２つのＲ^Ａ、２つのＲ^Ｂ、２つのＲ^Ｃ、及び／又は２つのＲ^Ｄによって形成される環は、独立して、ベンゼン、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、トリアジン、イミダゾ―ル、ピラゾール、ピロール、オキサゾール、フラン、チオフェン、及びチアゾールからなる群から選択されることができる。

本明細書で使用されるように、「部分Ａ」は、環Ａ、及び環Ａに縮合されるＲ^Ａよって形成される任意の環を指す。本明細書で使用されるように、「部分Ｂ」は、環Ｂ、及び環Ｂに縮合されるＲ^Ｂよって形成される任意の環を指す。本明細書で使用されるように、「部分Ｃ」は、環Ｃ、及び環Ｃに縮合されるＲ^Ｃよって形成される任意の環を指す。本明細書で使用されるように、「部分Ｄ」は、環Ｄ、及び環Ｄに縮合されるＲ^Ｄよって形成される任意の環を指す。

幾つかの実施形態においては、部分Ａ、部分Ｂ、部分Ｃ、及び部分Ｄは、それぞれ独立して、多環縮合環構造である。幾つかの実施形態においては、部分Ａ、部分Ｂ、部分Ｃ、及び部分Ｄは、それぞれ独立して、少なくとも３つの縮合環を含む多環縮合環構造である。幾つかの実施形態においては，多環縮合環構造は、２つの６員環及び１つの５員環を有する。幾つかのそのような実施形態においては、５員環は、金属Ｍに配位された環に縮合し、第２の６員環は、５員環に縮合する。幾つかの実施形態においては、部分Ａ、部分Ｂ、部分Ｃ、及び部分Ｄは、それぞれ独立して、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾセレノフェン、及びそれらのアザバリアントからなる群から選択される。幾つかのそのような実施形態においては、部分Ａ、部分Ｂ、部分Ｃ、及び部分Ｄは、それぞれ独立して、重水素、フッ素、ニトリル、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基によって、Ｏ、Ｓ、又はＳｅ原子のオルト位又はメタ位で更に置換されることができる。幾つかのそのような実施形態においては、アザバリアントは、６位（Ｏ、Ｓ、又はＳｅに対してオルト位）で正確に１つのＮ原子を含み、７位（Ｏ、Ｓ、又はＳｅに対してメタ位）で置換基を有する。

幾つかの実施形態においては、部分Ａ、部分Ｂ、部分Ｃ、及び部分Ｄは、それぞれ独立して、少なくとも４つの縮合環を含む多環縮合環構造である。幾つかの実施形態においては、多環縮合環構造は、３つの６員環及び１つの５員環を含む。幾つかのそのような実施形態においては、５員環は、金属Ｍに配位された環に縮合し、第２の６員環は、５員環に縮合し、第３の６員環は第２の６員環に縮合する。幾つかのそのような実施形態においては、第３の６員環は、重水素、フッ素、ニトリル、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基によって、更に置換される。

幾つかの実施形態においては、部分Ａ、部分Ｂ、部分Ｃ、及び部分Ｄは、それぞれ独立して、少なくとも５つの縮合環を含む多環縮合環構造である。幾つかの実施形態においては、多環縮合環構造は、４つの６員環及び１つの５員環、又は３つの６員環及び２つの５員環を含む。２つの５員環を含む幾つかの実施形態においては、５員環は共に縮合する。２つの５員環を含む幾つかの実施形態においては、５員環は、少なくとも１つの６員環によって分離される。１つの５員環を有する幾つかの実施形態においては、５員環は、金属Ｍに配位された環に縮合し、第２の６員環は、５員環に縮合し、第３の６員環は第２の６員環に縮合し、第４の６員環は第３の６員環に縮合する。

幾つかの実施形態においては、部分Ａ、部分Ｂ、部分Ｃ、及び部分Ｄは、それぞれ独立して、上記の多環式縮合環のアザバージョンである。幾つかのそのような実施形態においては、部分Ａ、部分Ｂ、部分Ｃ、及び部分Ｄは、それぞれ独立して、正確に１つのアザ原子を含む。幾つかのそのような実施形態においては、部分Ａ、部分Ｂ、部分Ｃ、及び部分Ｄは、それぞれ、正確に２つのアザＮ原子を含み、これは１つの環にあることもできれば、２つの異なる環にあることもできる。幾つかのそのような実施形態においては、アザＮ原子を有する環は、少なくとも２つの他の環によって金属Ｍ原子から分離される。幾つかのそのような実施形態においては、アザＮ原子を有する環は、少なくとも３つの他の環によって金属Ｍ原子から分離される。幾つかのそのような実施形態においては、アザＮ原子のオルト位のそれぞれが置換される。

幾つかの実施形態においては、環Ｂはベンゼンである。

幾つかの実施形態においては、環Ｃはベンゼンである。

幾つかの実施形態においては、環Ｄはピリジンである。

幾つかの実施形態においては、Ｌ^１は、Ｏ、Ｓ、及びＳｅからなる群から選択される。幾つかの実施形態においては、Ｌ^１はＯである。

幾つかの実施形態においては、Ｌ^１は、ＢＲ’、ＮＲ’、及びＰＲ’からなる群から選択される。幾つかの実施形態においては、Ｌ^１は、ＢＲ’Ｒ’’、ＣＲ’Ｒ’’、ＳｉＲ’Ｒ’’、及びＧｅＲ’Ｒ’’からなる群から選択される。幾つかの実施形態においては、Ｌ^１は、Ｐ（Ｏ）Ｒ’、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ’、Ｃ＝ＣＲ’Ｒ’’、Ｓ＝Ｏ、及びＳＯ_２からなる群から選択される。幾つかの実施形態においては、Ｌ^１はＣＲ’である。幾つかの実施形態においては、Ｌ^１は、アルキル、シクロアルキル、アリール、及びヘテロアリールからなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、Ｌ^２は、Ｏ、Ｓ、及びＳｅからなる群から選択される。幾つかの実施形態においては、Ｌ^２は、ＢＲ’、ＮＲ’、及びＰＲ’からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、Ｌ^２はＮＲ’である。幾つかのそのような実施形態においては、ＮＲ’のＲ’はフェニルであり、Ｒ^Ｃと結合して、ピロール環を形成する。

幾つかの実施形態においては、Ｌ^２は、ＢＲ’Ｒ’’、ＣＲ’Ｒ’’、ＳｉＲ’Ｒ’’、及びＧｅＲ’Ｒ’’からなる群から選択される。幾つかの実施形態においては、Ｌ^２は、Ｐ（Ｏ）Ｒ’、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ’、Ｃ＝ＣＲ’Ｒ’’、Ｓ＝Ｏ、及びＳＯ_２からなる群から選択される。幾つかの実施形態においては、Ｌ^２はＣＲ’である。幾つかの実施形態においては、Ｌ^２は、アルキル、シクロアルキル、アリール、及びヘテロアリールからなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、Ｘ^３又はＸ^４での少なくとも１つのＲ^Ｅは、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキル、及びヘテロアルキルからなる群から選択される置換基を含む。幾つかの実施形態においては、Ｘ^３でのＲ^Ｅ及びＸ^４でのＲ^Ｅは、それぞれ独立して、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキル、及びヘテロアルキルからなる群から選択される置換基を含む。幾つかのそのような実施形態においては、Ｘ^３及び／又はＸ^４でのＲ^Ｅは、シリル基によって更に置換される。幾つかのそのような実施形態においては、前記シリル基はＳｉ（Ｐｈ）_３である。

幾つかの実施形態においては、Ｘ^３及び／又はＸ^４でのＲ^Ｅは、部分的に又は完全に重水素化される。幾つかのそのような実施形態においては、Ｘ^３及び／又はＸ^４でのＲ^Ｅは、部分的に又は完全に重水素化されるアリールである。

幾つかの実施形態においては、Ｘ^１及びＸ^２の両方は、Ｒ^Ｅを有し、Ｒ^Ｅは水素である。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^１は、アリール及びヘテロアリールからなる群から選択される部分を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^１は、ベンゼン、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、イミダゾ―ル、ピラゾール、ピロール、オキサゾール、フラン、チオフェン、チアゾール、ナフタレン、キノリン、イソキノリン、キナゾリン、ベンゾフラン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチオフェン、ベンゾチアゾール、ベンゾセレノフェン、インデン，インドール、ベンズイミダゾール、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、キノキサリン、フタラジン、フェナントレン、フェナントリジン、及びフルオレンからなる群から選択される部分を含む。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^１はシリル基を含む。幾つかのそのような実施形態においては、前記シリル基はＳｉ（Ｐｈ）_３である。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^１は部分的に又は完全に重水素化される。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^１は、部分的に又は完全にフッ素化される。幾つかの実施形態においては、Ｒ^１はＦである。幾つかの実施形態においては、Ｒ^１はＣＮである。幾つかの実施形態においては、Ｒ^１はニトリルである。幾つかの実施形態においては、Ｒ^１はアダマンタニル基である。幾つかの実施形態においては、Ｒ^１はアダマンタン含有基である。幾つかの実施形態においては、Ｒ^１は脂肪族二環式縮合環構造である。幾つかの実施形態においては、Ｒ^１はボラン含有環構造を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^１は、１つのＲ^Ｅと結合し、縮合環構造を形成する。幾つかの実施形態においては、Ｒ^１は、３以上の縮合環を含む多環式縮合環構造を含む。

幾つかの実施形態においては、少なくとも１つのＲ^Ａは、水素又は重水素以外である。

幾つかの実施形態においては、少なくとも１つのＲ^Ｂは、水素又は重水素以外である。

幾つかの実施形態においては、少なくとも１つのＲ^Ｃは、水素又は重水素以外である。

幾つかの実施形態においては、少なくとも１つのＲ^Ｄは、水素又は重水素以外である。幾つかの実施形態においては、少なくとも１つのＲ^Ｄは、少なくとも３つのＣ原子を含むアルキルである。幾つかの実施形態においては、少なくとも１つのＲ^Ｄは、少なくとも４つのＣ原子を含むアルキルである。幾つかの実施形態においては、少なくとも１つのＲ^Ｄは、少なくとも５つのＣ原子を含むアルキルである。幾つかの実施形態においては、少なくとも１つのＲ^Ｄはｔ－ブチルである。

幾つかの実施形態においては、金属ＭはＰｔである。

幾つかの実施形態においては、Ｋは直接結合である。幾つかの実施形態においては、ＫはＯ又はＳである。幾つかの実施形態においては、ＫはＯである。幾つかの実施形態においては、ＫはＳである。

幾つかの実施形態においては、化合物は、式ＩＡの構造を有する。

式中、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２は、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基である。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は、Ｒ^ＥＥ２と同じである。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は、Ｒ^ＥＥ２と異なる。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、互いに隣接して縮合していない少なくとも３つの６員芳香族環を含む化学基を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、互いに隣接して縮合していない少なくとも４つの６員芳香族環を含む化学基を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、互いに隣接して縮合していない少なくとも５つの６員芳香族環を含む化学基を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、互いに隣接して縮合していない少なくとも６つの６員芳香族環を含む化学基を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２の両方は、互いに隣接して縮合していない少なくとも３～６つの６員芳香族環を含む化学基を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、以下：
式ＩＩＡ

；
式ＩＩＢ

；及び
式ＩＩＣ

からなる群から選択される構造を有する基Ｒ^Ｗを含む。
式中、
Ｒ^Ｆ、Ｒ^Ｇ、及びＲ^Ｈは、それぞれ独立して、モノから最大可能数の置換を表す、又は無置換を表し；
Ｒ、Ｒ’、Ｒ^１ａ、Ｒ^２ａ、Ｒ^３ａ、Ｒ^Ｆ、Ｒ^Ｇ、及びＲ^Ｈは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、ボリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びそれらの組合せからなる群から選択される置換基を表し；
Ｘ^３０～Ｘ^３８は、それぞれ独立して、Ｃ又はＮであり；
Ｙ^Ａ、Ｙ^Ｂ、及びＹ^Ｃは、それぞれ独立して、ＣＲＲ’又はＳｉＲＲ’であり；
ｎは１～４の整数であり；
Ｑは、Ｃ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、及びＢから選択され；
ａ及びｂは、それぞれ独立して、０又は１であり；
ＱがＣ又はＳｉである場合、ａ＋ｂ＝２であり；
ＱがＮ又はＢである場合、ａ＋ｂ＝１であり；
ＱがＯである場合、ａ＋ｂ＝０であり；
任意の２つの置換基は、任意に縮合又は結合し、環を形成してもよい。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、基Ｒ^Ｗを含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２の両方は、基Ｒ^Ｗを含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２の両方は、式ＩＩＡを含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２の両方は、式ＩＩＢを含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２の両方は、式ＩＩＣを含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２の１つは、式ＩＩＡを含み、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２の他の１つは、式ＩＩＢを含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２の１つは、式ＩＩＡを含み、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２の他の１つは、式ＩＩＣを含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２の１つは、式ＩＩＢを含み、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２の他の１つは、式ＩＩＣを含む。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は、５６ｇ／ｍｏｌ超の分子量（ＭＷ）を有し、Ｒ^ＥＥ２は、Ｒ^ＥＥ１よりも大きい分子量を有する。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は、７６ｇ／ｍｏｌ超の分子量（ＭＷ）を有し、Ｒ^ＥＥ２は、Ｒ^ＥＥ１よりも大きい分子量を有する。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は、８１ｇ／ｍｏｌ超の分子量（ＭＷ）を有し、Ｒ^ＥＥ２は、Ｒ^ＥＥ１よりも大きい分子量を有する。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１又はＲ^ＥＥ２は、１６５ｇ／ｍｏｌ超の分子量（ＭＷ）を有する。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１又はＲ^ＥＥ２は、１６６ｇ／ｍｏｌ超の分子量（ＭＷ）を有する。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１又はＲ^ＥＥ２は、１８２ｇ／ｍｏｌ超の分子量（ＭＷ）を有する。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は、Ｒ^ＥＥ２よりも１つ多い６員芳香族環を有する。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は、Ｒ^ＥＥ２よりも２つ多い６員芳香族環を有する。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は、Ｒ^ＥＥ２よりも３つ多い６員芳香族環を有する。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は、Ｒ^ＥＥ２よりも４つ多い６員芳香族環を有する。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は、Ｒ^ＥＥ２よりも５つ多い６員芳香族環を有する。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は少なくとも１つのヘテロ原子を含み、Ｒ^ＥＥ２は炭化水素及びそれらの重水素化されたバリアントからなる。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は少なくとも２つのヘテロ原子を含み、Ｒ^ＥＥ２は炭化水素及びそれらの重水素化されたバリアントからなる。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は少なくとも３つのヘテロ原子を含み、Ｒ^ＥＥ２は炭化水素及びそれらの重水素化されたバリアントからなる。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は正確に１つのヘテロ原子を含み、Ｒ^ＥＥ２は炭化水素及びそれらの重水素化されたバリアントからなる。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は正確に２つのヘテロ原子を含み、Ｒ^ＥＥ２は炭化水素及びそれらの重水素化されたバリアントからなる。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は正確に３つのヘテロ原子を含み、Ｒ^ＥＥ２は炭化水素及びそれらの重水素化されたバリアントからなる。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は正確に１つのヘテロ原子を含み、Ｒ^ＥＥ２は、Ｒ^ＥＥ１におけるヘテロ原子とは異なる正確に１つのヘテロ原子を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は正確に１つのヘテロ原子を含み、Ｒ^ＥＥ２は、Ｒ^ＥＥ１におけるヘテロ原子と同じである正確に１つのヘテロ原子を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は正確に２つのヘテロ原子を含み、Ｒ^ＥＥ２は正確に１つのヘテロ原子を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は正確に２つのヘテロ原子を含み、Ｒ^ＥＥ２は正確に２つのヘテロ原子を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は正確に３つのヘテロ原子を含み、Ｒ^ＥＥ２は正確に１つのヘテロ原子を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は正確に３つのヘテロ原子を含み、Ｒ^ＥＥ２は正確に２つのヘテロ原子を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１は正確に３つのヘテロ原子を含み、Ｒ^ＥＥ２は正確に３つのヘテロ原子を含む。

式ＩＡの幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２は、それぞれ独立して、本明細書で定義されるリスト２からなる群から選択される。式ＩＡの幾つかの実施形態においては、Ｒ^１は、Ｃ_６Ｈ_５、Ｃ_６Ｄ_５、又はｔｅｒｔ－ブチルである。式Ｉの実施形態／特徴の全ては、必要に応じて（ｗｈｅｒｅｉｎ ｐｒｏｐｅｒ）、式ＩＡの実施形態／特徴に同様に適用可能であることも理解すべきである。

式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、Ｒ^Ｅ、Ｒ^ＥＥ１、及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、電子求引基である。式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、Ｒ^Ｅ、Ｒ^ＥＥ１、及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ１からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、Ｒ^Ｅ、Ｒ^ＥＥ１、及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ２からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、Ｒ^Ｅ、Ｒ^ＥＥ１、及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ３からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、Ｒ^Ｅ、Ｒ^ＥＥ１、及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ４からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、Ｒ^Ｅ、Ｒ^ＥＥ１、及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、本明細書で定義されるリストＰｉ－ＥＷＧからの電子求引基である。

式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、Ｒ^Ｅ、Ｒ^ＥＥ１、及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、電子求引基である。式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、１つのＲ^１は、本明細書で定義されるリストＥＷＧ１からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１の１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ２からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１の１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ３からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１の１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ４からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１の１つは、本明細書で定義されるリストＰｉ－ＥＷＧからの電子求引基である。

式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、Ｒ^Ｅ、Ｒ^ＥＥ１、及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、電子求引基である。式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、１つのＲ^Ａは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ１からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ａの１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ２からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ａの１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ３からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ａの１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ４からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ａの１つは、本明細書で定義されるリストＰｉ－ＥＷＧからの電子求引基である。

式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、Ｒ^Ｅ、Ｒ^ＥＥ１、及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、電子求引基である。式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、１つのＲ^Ｂは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ１からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ｂの１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ２からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ｂの１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ３からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ｂの１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ４からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ｂの１つは、本明細書で定義されるリストＰｉ－ＥＷＧからの電子求引基である。

式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、Ｒ^Ｅ、Ｒ^ＥＥ１、及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは電子求引基である。式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、１つのＲ^Ｃは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ１からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ｃの１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ２からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ｃの１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ３からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ｃの１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ４からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ｃの１つは、本明細書で定義されるリストＰｉ－ＥＷＧからの電子求引基である。

式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、Ｒ^Ｅ、Ｒ^ＥＥ１、及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、電子求引基である。式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、１つのＲ^Ｄは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ１からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ｄの１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ２からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ｄの１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ３からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ｄの１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ４からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ｄの１つは、本明細書で定義されるリストＰｉ－ＥＷＧからの電子求引基である。

式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、Ｒ^Ｅ、Ｒ^ＥＥ１、及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、電子求引基である。式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、１つのＲ^Ｅは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ１からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ｅの１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ２からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ｅの１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ３からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ｅの１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ４からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ｅの１つは、本明細書で定義されるリストＰｉ－ＥＷＧからの電子求引基である。

式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、Ｒ^Ｅ、Ｒ^ＥＥ１、及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、電子求引基である。式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、１つのＲ^ＥＥ１は、本明細書で定義されるリストＥＷＧ１からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１の１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ２からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１の１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ３からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１の１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ４からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ１の１つは、本明細書で定義されるリストＰｉ－ＥＷＧからの電子求引基である。

式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、Ｒ^Ｅ、Ｒ^ＥＥ１、及びＲ^ＥＥ２の少なくとも１つは、電子求引基である。式Ｉ又は式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、１つのＲ^ＥＥ２は、本明細書で定義されるリストＥＷＧ１からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ２の１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ２からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ２の１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ３からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ２の１つは、本明細書で定義されるリストＥＷＧ４からの電子求引基である。化合物の幾つかの実施形態においては、Ｒ^ＥＥ２の１つは、本明細書で定義されるリストＰｉ－ＥＷＧからの電子求引基である。

式Ｉの化合物の幾つかの実施形態においては、式Ｉの化合物は、電子求引基を含む。式Ｉの化合物の幾つかの実施形態においては、式Ｉの化合物は、本明細書で定義されるリストＥＷＧ１からの電子求引基を含む。化合物の幾つかの実施形態においては、式Ｉの化合物は、本明細書で定義されるリストＥＷＧ２からの電子求引基を含む。化合物の幾つかの実施形態においては、式Ｉの化合物は、本明細書で定義されるリストＥＷＧ３からの電子求引基を含む。化合物の幾つかの実施形態においては、式Ｉの化合物は、本明細書で定義されるリストＥＷＧ４からの電子求引基を含む。化合物の幾つかの実施形態においては、式Ｉの化合物は、本明細書で定義されるリストＰｉ－ＥＷＧからの電子求引基を含む。

式ＩＡの化合物の幾つかの実施形態においては、式ＩＡの化合物は、電子求引基を含む。式Ｉの化合物の幾つかの実施形態においては、式ＩＡの化合物は、本明細書で定義されるリストＥＷＧ１からの電子求引基を含む。化合物の幾つかの実施形態においては、式ＩＡの化合物は、本明細書で定義されるリストＥＷＧ２からの電子求引基を含む。化合物の幾つかの実施形態においては、式ＩＡの化合物は、本明細書で定義されるリストＥＷＧ３からの電子求引基を含む。化合物の幾つかの実施形態においては、式ＩＡの化合物は、本明細書で定義されるリストＥＷＧ４からの電子求引基を含む。化合物の幾つかの実施形態においては、式ＩＡの化合物は、本明細書で定義されるリストＰｉ－ＥＷＧからの電子求引基を含む。

幾つかの実施形態においては、電子吸引基は、一般的に、フッ素、酸素、硫黄、窒素、塩素、臭素を含むがこれらに限定されない１以上の電気陰性度が高い元素を含む。

化合物の幾つかの実施形態においては、電子求引基は、０超のハメット定数を有する。幾つかの実施形態においては、電子求引基は、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、又は１．１と等しいかそれより大きいハメット定数を有する。

幾つかの実施形態においては、電子求引基は、以下のリストＥＷＧ１における構造からなる群から選択される：Ｆ、ＣＦ_３、ＣＮ、ＣＯＣＨ_３、ＣＨＯ、ＣＯＣＦ_３、ＣＯＯＭｅ、ＣＯＯＣＦ_３、ＮＯ_２、ＳＦ_３、ＳｉＦ_３、ＰＦ_４、ＳＦ_５、ＯＣＦ_３、ＳＣＦ_３、ＳｅＣＦ_３、ＳＯＣＦ_３、ＳｅＯＣＦ_３、ＳＯ_２Ｆ、ＳＯ_２ＣＦ_３、ＳｅＯ_２ＣＦ_３、ＯＳｅＯ_２ＣＦ_３、ＯＣＮ、ＳＣＮ、ＳｅＣＮ、ＮＣ、^＋Ｎ（Ｒ^ｋ２）_３、（Ｒ^ｋ２）_２ＣＣＮ、（Ｒ^ｋ２）_２ＣＣＦ_３、ＣＮＣ（ＣＦ_３）_２、ＢＲ^ｋ３Ｒ^ｋ２、置換又は非置換ジベンゾボロール、１－置換カルバゾール、１，９－置換カルバゾール、置換又は非置換カルバゾール、置換又は非置換ピリジン、置換又は非置換ピリミジン、置換又は非置換ピラジン、置換又は非置換ピリドキシン、置換又は非置換トリアジン、置換又は非置換オキサゾール、置換又は非置換ベンゾオキサゾール、置換又は非置換チアゾール、置換又は非置換ベンゾチアゾール、置換又は非置換イミダゾール、置換又は非置換ベンズイミダゾール、ケトン、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルフィニル、スルホニル、部分的に又は完全にフッ素化されたアルキル、部分的に又は完全にフッ素化されたアリール、部分的に又は完全にフッ素化されたヘテロアリール、シアノ含有アルキル、シアノ含有アリール、シアノ含有ヘテロアリール、イソシアネート、及び以下のもの。

Ｙ^Ｇは、ＢＲ_ｅ、ＮＲ_ｅ、ＰＲ_ｅ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｃ＝Ｏ、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ_２、ＣＲ_ｅＲ_ｆ、ＳｉＲ_ｅＲ_ｆ、及びＧｅＲ_ｅＲ_ｆ’からなる群から選択され；
Ｒ^ｋ１は、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し；
Ｒ^ｋ１、Ｒ^ｋ２、Ｒ^ｋ３、Ｒ_ｅ、及びＲ_ｆは、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基である。

幾つかの実施形態においては、電子求引基は、下記リストＥＷＧ２における構造からなる群から選択される。
リストＥＷＧ２：

幾つかの実施形態においては、電子求引基は、下記リストＥＷＧ３における構造からなる群から選択される。
リストＥＷＧ３：

幾つかの実施形態においては、電子求引基は、下記リストＥＷＧ４における構造からなる群から選択される。
リストＥＷＧ４：

幾つかの実施形態においては、電子求引基は、π電子欠損電子求引基である。幾つかの実施形態においては，π電子欠損電子求引基は、以下の構造（リストＰｉ－ＥＷＧ）からなる群から選択される：ＣＮ、ＣＯＣＨ_３、ＣＨＯ、ＣＯＣＦ_３、ＣＯＯＭｅ、ＣＯＯＣＦ_３、ＮＯ_２、ＳＦ_３、ＳｉＦ_３、ＰＦ_４、ＳＦ_５、ＯＣＦ_３、ＳＣＦ_３、ＳｅＣＦ_３、ＳＯＣＦ_３、ＳｅＯＣＦ_３、ＳＯ_２Ｆ、ＳＯ_２ＣＦ_３、ＳｅＯ_２ＣＦ_３、ＯＳｅＯ_２ＣＦ_３、ＯＣＮ、ＳＣＮ、ＳｅＣＮ、ＮＣ、^＋Ｎ（Ｒ^ｋ１）_３、ＢＲ^ｋ１Ｒ^ｋ２、置換又は非置換ジベンゾボロール、１－置換カルバゾール、１，９－置換カルバゾール、置換又は非置換カルバゾール、置換又は非置換ピリジン、置換又は非置換ピリミジン、置換又は非置換ピラジン、置換又は非置換ピリダジン、置換又は非置換トリアジン、置換又は非置換オキサゾール、置換又は非置換ベンゾオキサゾール、置換又は非置換チアゾール、置換又は非置換ベンゾチアゾール、置換又は非置換イミダゾール、置換又は非置換ベンズイミダゾール、ケトン、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルフィニル、スルホニル、部分的に又は完全にフッ素化されたアリール、部分的に又は完全にフッ素化されたヘテロアリール、シアノ含有アリール、シアノ含有ヘテロアリール、イソシアネート、及び以下のもの。

式中、変数（ｖａｒｉａｂｌｅｓ）は、前に定義されているものと同じである。

幾つかの実施形態においては、化合物は、以下の構造を有する。

Ｘ^１１～Ｘ^２６は、それぞれ独立して、Ｃ又はＮであり；Ｒ^ＡＡ、Ｒ^ＢＢ、Ｒ^ＣＣ、及びＲ^ＤＤは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換までを表す、又は無置換を表し；Ｒ^ＡＡ、Ｒ^ＢＢ、Ｒ^ＣＣ、及びＲ^ＤＤは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり；残りの変数は、前に定義されたものと同じであり；任意の２つの置換基は、任意に縮合又は結合し、環を形成してもよい。

幾つかの実施形態においては、化合物は、以下の構造の１つを有することができる。

Ｒ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｃ１、Ｒ^Ｃ２、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２、Ｒ^ＥＥ１、及びＲ^ＥＥ２は、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基である。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｃ１、Ｒ^Ｃ２、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２、Ｒ^ＥＥ１、及びＲ^ＥＥ２は、それぞれ独立して、本明細書で定義されるリスト２における構造からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｃ１、Ｒ^Ｃ２、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２の少なくとも１つは、Ｈ又はＤではない。幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｃ１、Ｒ^Ｃ２、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２の少なくとも１つは、少なくとも１つの６員芳香族環を含む。幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｃ１、Ｒ^Ｃ２、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２の少なくとも１つは、互いに縮合しない少なくとも２つの６員芳香族環を含む。幾つかの実施形態においては、同じ環に結合しないＲ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｃ１、Ｒ^Ｃ２、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２の少なくとも２つは、それぞれ少なくとも１つの６員芳香族環を含む。幾つかの実施形態においては、同じ環に結合しないＲ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｃ１、Ｒ^Ｃ２、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２の少なくとも３つは、それぞれ少なくとも１つの６員芳香族環を含む。幾つかの実施形態においては、同じ環に結合しないＲ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｃ１、Ｒ^Ｃ２、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２の少なくとも２つは、それぞれ少なくとも２つの６員芳香族環を含み、これらは互いに縮合しない。幾つかの実施形態においては、同じ環に結合しないＲ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｃ１、Ｒ^Ｃ２、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２の少なくとも３つは、それぞれ少なくとも２つの６員芳香族環を含み、これらは互いに縮合しない。幾つかの実施形態においては、Ｒ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｃ１、Ｒ^Ｃ２、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２の少なくとも１つは、電子求引基を含む。幾つかの実施形態においては、同じ環に結合しないＲ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｃ１、Ｒ^Ｃ２、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２の少なくとも２つは、それぞれ電子求引基を含む。

幾つかの実施形態においては、化合物は、以下Ｐｔ（ＬＡ’）（Ｌｙ）の式を有する化合物からなる群から選択される。

式中、Ｌ_Ａ’は、以下に示される構造からなる群から選択され；

式中、Ｌ_ｙは、以下のリスト１における構造からなる群から選択され；
リスト１：

Ｒ^ＣＣ、Ｒ^ＤＤ、及びＲ^ＥＥは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換までを表す、又は無置換を表し；
Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^ＣＣ、Ｒ^ＤＤ、Ｒ^ＥＥ、Ｒ^Ｘ、及びＲ^Ｙは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基である。

幾つかの実施形態においては、Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^ＣＣ、Ｒ^ＤＤ、Ｒ^ＥＥ、Ｒ^Ｘ、及びＲ^Ｙは、それぞれ独立して、以下のリスト２の構造からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、化合物は、Ｐｔ（Ｌ_Ａ’）（Ｌｙ）の式を有する化合物からなる群から選択される。

式中、Ｌ_Ａ’は、Ｌ_Ａ’ｍ－（Ｒｉ）（Ｒｊ）（Ｒｋ）（Ｒｌ）及びＬ_Ａ’ｍ’－（Ｒｉ’）（Ｒｊ）（Ｒｋ）（Ｒｌ）の構造からなる群から選択され、ｍは１～３及び８～１２の整数であり、ｍ’は４～７の整数であり、ｉは５～１３５の整数であり、ｉ’は８～１３５の整数であり，ｊ、ｋ、及びｌは、それぞれ独立して、１～１３５の整数であり；Ｌ_Ａ’１－（Ｒ５）（Ｒ１）（Ｒ１）（Ｒ１）～Ｌ_Ａ’１２－（Ｒ１３５）（Ｒ１３５）（Ｒ１３５）（Ｒ１３５）は、以下のリスト３に定義される構造を有し；
リスト３：

式中、Ｌ_ｙは、Ｌ_ｙｎ－（Ｒｓ）（Ｒｔ）（Ｒｕ）の構造からなる群から選択され、ｎは１～３３の整数であり、ｓ、ｔ、及びｕは、それぞれ独立して、１～１３５の整数であり；Ｌ_ｙ１－（Ｒ１）（Ｒ１）（Ｒ１）～Ｌ_Ａ’３３－（Ｒ１３５）（Ｒ１３５）（Ｒ１３５）は、以下のリスト４における構造を有し；

式中、Ｒ１～Ｒ１３５は、以下のリスト５の構造を有する。
リスト５：

幾つかの実施形態においては、化合物は、以下のリスト６の構造からなる群から選択される。
リスト６：

幾つかの実施形態においては、本明細書で定義される式Ｉの構造を有する化合物は、少なくとも３０％重水素化されることができる、少なくとも４０％重水素化されることができる、少なくとも５０％重水素化されることができる、少なくとも６０％重水素化されることができる、少なくとも７０％重水素化されることができる、少なくとも８０％重水素化されることができる、少なくとも９０％重水素化されることができる、少なくとも９５％重水素化されることができる、少なくとも９９％重水素化されることができる、又は１００％重水素化されることができる。本明細書で使用されるように、重水素化の割合は、通常の意味を有し、重水素原子に置換される可能性のある水素原子（例えば、水素又は重水素である位置）の割合を含む。

上記で定義されるように、Ｍ（Ｌ_Ａ）_ｐ（Ｌ_Ｂ）_ｑ（Ｌ_Ｃ）_ｒの式を有するヘテロレプティック化合物の幾つかの実施形態では、配位子Ｌ_Ａは第１の置換基Ｒ^Ｉを有し、前記第１の置換基Ｒ^Ｉは、配位子Ｌ_Ａの全ての原子の中で金属Ｍから最も離れた第１の原子ａ－Ｉを有する。更に、配位子Ｌ_Ｂは、存在する場合、第２の置換基^ＲＩＩを有し、前記第２の置換基^ＲＩＩは、配位子Ｌ_Ｂの全ての原子の中で金属Ｍから最も離れた第１の原子ａ－ＩＩを有する。更に、配位子Ｌ_Ｃは、存在する場合、第３の置換基Ｒ^ＩＩＩを有し、前記第３の置換基Ｒ^ＩＩＩは、配位子Ｌ_Ｃの全ての原子の中で金属Ｍから最も離れた第１の原子ａ－ＩＩＩを有する。

このようなヘテロレプティック化合物では、以下に定義されるベクトルＶ_Ｄ１、Ｖ_Ｄ２、Ｖ_Ｄ３を定義することができる。Ｖ_Ｄ１は、金属Ｍから第１の原子ａ－Ｉへの方向を表し、ベクトルＶ_Ｄ１は、第１の置換基^ＲＩにおける金属Ｍと第１の原子ａ－Ｉとの間の直線距離を表す値Ｄ^１を有する。Ｖ_Ｄ２は、金属Ｍから第１の原子ａ－ＩＩへの方向を表し、ベクトルＶ_Ｄ２は、第２の置換基Ｒ^ＩＩにおける金属Ｍと第１の原子ａ－ＩＩとの間の直線距離を表す値Ｄ^２を有する。Ｖ_Ｄ３は、金属Ｍから第１の原子ａ－ＩＩＩへの方向を表し、ベクトルＶ_Ｄ３は、第３の置換基Ｒ^ＩＩＩにおける金属Ｍと第１の原子ａ－ＩＩＩとの間の直線距離を表す値Ｄ^３を有する。

このようなヘテロレプティック化合物では、中心が金属Ｍである半径ｒを有する球が定義され、前記半径ｒは、球が置換基Ｒ^Ｉ、Ｒ^ＩＩ、及びＲ^ＩＩＩの一部ではない、化合物中の全ての原子を囲むことを可能にする最小の半径であり、Ｄ^１、Ｄ^２、及びＤ^３の少なくとも１つは、半径ｒより少なくとも１．５Å大きい。幾つかの実施形態では、Ｄ^１、Ｄ^２、及びＤ^３の少なくとも１つは、半径ｒより少なくとも２．９Å、３．０Å、４．３Å、４．４Å、５．２Å、５．９Å、７．３Å、８．８Å、１０．３Å、１３．１Å、１７．６Å、又は１９．１Å大きい。

このようなヘテロレプティック化合物の幾つかの実施形態では、化合物は遷移双極子モーメント軸を有し、遷移双極子モーメント軸とベクトルＶ_Ｄ１、Ｖ_Ｄ２、及びＶ_Ｄ３との間に角度が定義され、遷移双極子モーメント軸とベクトルＶ_Ｄ１、Ｖ_Ｄ２、及びＶ_Ｄ３との間の角度の少なくとも１つは、４０°未満である。幾つかの実施形態では、遷移双極子モーメント軸とベクトルＶ_Ｄ１、Ｖ_Ｄ２、及びＶ_Ｄ３との間の角度の少なくとも１つは、３０°未満である。幾つかの実施形態では、遷移双極子モーメント軸とベクトルＶ_Ｄ１、Ｖ_Ｄ２、及びＶ_Ｄ３との間の角度の少なくとも１つは、２０°未満である。幾つかの実施形態では、遷移双極子モーメント軸とベクトルＶ_Ｄ１、Ｖ_Ｄ２、及びＶ_Ｄ３との間の角度の少なくとも１つは、１５°未満である。幾つかの実施形態では、遷移双極子モーメント軸とベクトルＶ_Ｄ１、Ｖ_Ｄ２、及びＶ_Ｄ３との間の角度の少なくとも１つは、１０°未満である。幾つかの実施形態では、遷移双極子モーメント軸とベクトルＶ_Ｄ１、Ｖ_Ｄ２、及びＶ_Ｄ３との間の角度の少なくとも２つは、２０°未満である。幾つかの実施形態では、遷移双極子モーメント軸とベクトルＶ_Ｄ１、Ｖ_Ｄ２、及びＶ_Ｄ３との間の角度の少なくとも２つは、１５°未満である。幾つかの実施形態では、遷移双極子モーメント軸とベクトルＶ_Ｄ１、Ｖ_Ｄ２、及びＶ_Ｄ３との間の角度の少なくとも２つは、１０°未満である。

幾つかの実施形態では、遷移双極子モーメント軸とベクトルＶ_Ｄ１、Ｖ_Ｄ２、及びＶ_Ｄ３との間の全ての３つの角度は、２０°未満である。幾つかの実施形態では、遷移双極子モーメント軸とベクトルＶ_Ｄ１、Ｖ_Ｄ２、及びＶ_Ｄ３との間の全ての３つの角度は、１５°未満である。幾つかの実施形態では、遷移双極子モーメント軸とベクトルＶ_Ｄ１、Ｖ_Ｄ２、及びＶ_Ｄ３との間の全ての３つの角度は、１０°未満である。

このようなヘテロレプティック化合物の幾つかの実施形態では、化合物は、０．３３以下の垂直双極子比（ＶＤＲ）を有する。このようなヘテロレプティック化合物の幾つかの実施形態では、化合物は、０．３０以下のＶＤＲを有する。このようなヘテロレプティック化合物の幾つかの実施形態では、化合物は、０．２５以下のＶＤＲを有する。このようなヘテロレプティック化合物の幾つかの実施形態では、化合物は、０．２０以下のＶＤＲを有する。このようなヘテロレプティック化合物の幾つかの実施形態では、化合物は、０．１５以下のＶＤＲを有する。

当業者であれば、化合物の遷移双極子モーメント軸及び化合物の垂直双極子比という用語の意味を容易に理解できるであろう。しかしながら、これらの用語の意味は、その開示内容の全体が参照により本明細書に組み込まれる米国特許第１０，６７２，９９７号明細書において見ることができる。米国特許第１０，６７２，９９７号明細書においては、ＶＤＲではなく、化合物の水平双極子比（ＨＤＲ）が論じられている。しかしながら、当業者であれば、ＶＤＲ＝１－ＨＤＲであることを容易に理解する。

Ｃ．本開示のＯＬＥＤ及びデバイス
別の態様において、本開示は、本開示の前記化合物セクションに開示される化合物を含有する第１の有機層を含むＯＬＥＤデバイスも提供する。

幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、アノードと；カソードと；前記アノードと前記カソードとの間に配置された有機層と、を含み、前記有機層は、本明細書で記載される式Ｉの構造を含む化合物を含む。

幾つかの実施形態においては、前記有機層は、発光層であることができ、本明細書に記載される化合物は、発光ドーパント又は非発光ドーパントであることができる。

幾つかの実施形態においては、前記発光層は、１以上の量子ドットを含む。

幾つかの実施形態においては、前記有機層は、更に、ホストを含むことができ、前記ホストは、ベンゾ縮合チオフェン又はベンゾ縮合フランを含むトリフェニレンを含み、前記ホスト中のいずれの置換基は、独立して、Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１、ＯＣ_ｎＨ_２ｎ＋１、ＯＡｒ_１、Ｎ（Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１）_２、Ｎ（Ａｒ_１）（Ａｒ_２）、ＣＨ＝ＣＨ－Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１、Ｃ≡Ｃ－Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１、Ａｒ_１、Ａｒ_１－Ａｒ_２、Ｃ_ｎＨ_２ｎ－Ａｒ_１からなる群から選択される非縮合置換基である、又は無置換であることができ、ｎは１～１０の整数であり、Ａｒ_１及びＡｒ_２は、独立して、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びこれらの複素芳香族類似体からなる群から選択されることができる。

幾つかの実施形態においては、前記有機層は、ホストを更に含むことができ、前記ホストは、トリフェニレン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、５λ２－ベンゾ［ｄ］ベンゾ［４，５］イミダゾ［３，２－ａ］イミダゾール、５，９－ジオキサ－１３ｂ－ボラナフト［３，２，１－ｄｅ］アントラセン、トリアジン、ボリル、シリル、アザ－トリフェニレン、アザ－カルバゾール、アザ－インドロカルバゾール、アザ－ジベンゾチオフェン、アザ－ジベンゾフラン、アザ－ジベンゾセレノフェン、アザ－５λ２－ベンゾ［ｄ］ベンゾ［４，５］イミダゾ［３，２－ａ］イミダゾール、及びアザ－（５，９－ジオキサ－１３ｂ－ボラナフト［３，２，１－ｄｅ］アントラセン）からなる群から選択される少なくとも１つの化学基を含む。

幾つかの実施形態においては、前記ホストは、下記ホスト基１の構造からなる群から選択されることができる。
ホスト基１：

式中、Ｘ^１～Ｘ^２４は、それぞれ独立して、Ｃ又はＮであり；
Ｌ’は、直接結合又は有機リンカーであり；
Ｙ^Ａは、それぞれ独立して、結合がない、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＣＲＲ’、ＳｉＲＲ’、ＧｅＲＲ’、ＮＲ、ＢＲ、ＢＲＲ’からなる群から選択され；
Ｒ^Ａ’、Ｒ^Ｂ’、Ｒ^Ｃ’、Ｒ^Ｄ’、Ｒ^Ｅ’、Ｒ^Ｆ’、及びＲ^Ｇ’は、それぞれ独立して、モノ、最大置換までを表し、又は無置換を表し；

Ｒ、Ｒ’、Ｒ^Ａ’、Ｒ^Ｂ’、Ｒ^Ｃ’、Ｒ^Ｄ’、Ｒ^Ｅ’、Ｒ^Ｆ’、及びＲ^Ｇ’は、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、セレニル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、ボリル、及びそれらの組合せからなる群から選択される置換基であり；
２つの隣接するＲ^Ａ’、Ｒ^Ｂ’、Ｒ^Ｃ’、Ｒ^Ｄ’、Ｒ^Ｅ’、Ｒ^Ｆ’、及びＲ^Ｇ’は、任意に、結合又は縮合して、環を形成する。

幾つかの実施形態においては、前記ホストは、以下からなる群から選択されるホスト基２から選択されることができる。
ホスト基２：

幾つかの実施形態においては、有機層は、更に、ホストを含むことができ、前記ホストは、金属錯体を含む。

幾つかの実施形態においては、前記発光層は、２つのホストである第１のホスト及び第２のホストを含むことができる。幾つかの実施形態においては、前記第１のホストは、正孔輸送ホストであり、前記第２のホストは、電子輸送ホストである。幾つかの実施形態においては、前記第１のホスト及び前記第２のホストは、エキシプレックスを形成することができる。

幾つかの実施形態においては、本明細書に記載の化合物は、増感剤であることができ、デバイスは、更に、アクセプターを含むことができ、前記アクセプターは、蛍光発光体、遅延蛍光発光体、及びこれらの組合せから選択することができる。

更に別の態様において、本開示のＯＬＥＤは、また、本開示の前記化合物セクションに開示される化合物を含む発光領域を含むことができる。

幾つかの実施形態においては、前記発光領域は、本明細書で記載される式Ｉの構造を有する化合物を含むことができる。

幾つかの実施形態においては、アノード、カソード、又は有機発光層の上に配置された新たな層の少なくとも１つが、エンハンスメント層として機能する。エンハンスメント層は、非放射的に発光体材料に結合し、発光体材料から励起状態エネルギーを非放射モードの表面プラズモンポラリトンに伝達する表面プラズモン共鳴を示すプラズモン材料を含む。エンハンスメント層は、有機発光層から閾値距離以内に設けられ、発光体材料は、エンハンスメント層の存在により総非放射性崩壊速度定数及び総放射性崩壊速度定数を有し、閾値距離では、総非放射性崩壊速度定数は、総放射性崩壊速度定数に等しい。幾つかの実施形態においては、ＯＬＥＤは、更に、アウトカップリング層を含む。幾つかの実施形態においては、アウトカップリング層は、有機発光層の反対側のエンハンスメント層の上に配置される。幾つかの実施形態においては、アウトカップリング層は、エンハンスメント層から発光層の反対側に配置されるが、依然として、エンハンスメント層の表面プラズモンモードからエネルギーをアウトカップリングする。アウトカップリング層は、表面プラズモンポラリトンからのエネルギーを散乱させる。幾つかの実施形態においては、このエネルギーは、光子として自由空間に散乱される。他の実施形態においては、エネルギーは、表面プラズモンモードから、デバイスの他のモード、例えば、有機導波路モード、基板モード、又は別の導波モード等に散乱されるがこれらに限定されない。エネルギーがＯＬＥＤの非自由空間モードに散乱される場合、他のアウトカップリングスキームを組み込んでそのエネルギーを自由空間に取り出すことができる。幾つかの実施形態においては、１以上の介在層を、エンハンスメント層とアウトカップリング層との間に配置することができる。介在層の例としては、有機、無機、ペロブスカイト、酸化物を含む誘電体材料であることができ、これらの材料の積層体及び／又は混合物を含むことができる。

前記エンハンスメント層は、発光体材料が存在する媒体の有効特性を変更し、発光率の低下、発光ライン形状の変更、角度による発光強度の変化、発光体材料の安定性の変化、ＯＬＥＤの効率の変化、及びＯＬＥＤデバイスの効率ロールオフの低下のいずれか又は全てをもたらす。カソード側、アノード側、又は両側にエンハンスメント層を配置すると、前記した効果のいずれかを利用するＯＬＥＤデバイスが得られる。本明細書に記載され、図示される様々なＯＬＥＤの例に示される特定の機能層に加えて、本開示に係るＯＬＥＤは、ＯＬＥＤにしばしば見られる他の機能層のいずれかを含むことができる。

前記エンハンスメント層は、プラズモン材料、光学活性メタ材料、又はハイパーボリックメタ材料で構成することがきる。本明細書で使用されるとき、プラズモン材料は、誘電率の実部が、電磁スペクトルの可視又は紫外領域でゼロを横切る材料である。幾つかの実施形態では、プラズモン材料は、少なくとも１つの金属を含む。そのような実施形態においては、金属は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｇａ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃａ、これらの材料の合金又は混合物、及びこれらの材料の積層体の少なくとも１つを含むことができる。一般に、メタ材料は、異なる材料で構成される媒体であり、媒体が全体として、その各材料部分の合計とは異なる動作をする。特に、光学活性メタ材料は、負の誘電率と負の透磁率の両方を有する材料と定義される。一方、ハイパーボリックメタ材料は、誘電率又は透磁率が異なる空間方向に対して異なる符号を有する異方性媒体である。光学活性メタ材料とハイパーボリックメタ材料は、光の波長の長さスケールで伝搬方向に均一に見える媒体であるという点で、分布ブラッグ反射器（「ＤＢＲ」）等の他の多くのフォトニック構造体と厳密に区別される。当業者が理解できる用語を使用すると、伝播方向におけるメタ材料の誘電率は、有効媒質近似で記述することができる。プラズモン材料とメタ材料は、光の伝搬を制御する方法を提供し、様々な方法でＯＬＥＤ性能を向上させることができる。

幾つかの実施形態においては、前記エンハンスメント層は平坦層として設けられる。他の実施形態においては、エンハンスメント層は、周期的、準周期的、若しくはランダムに配置される波長サイズのフィーチャ、又は周期的、準周期的、若しくはランダムに配置されるサブ波長サイズのフィーチャを有する。幾つかの実施形態においては、波長サイズのフィーチャ及びサブ波長サイズのフィーチャは、シャープなエッジを有する。

幾つかの実施形態においては、前記アウトカップリング層は、周期的、準周期的、若しくはランダムに配置される波長サイズのフィーチャ、又は周期的、準周期的、若しくはランダムに配置されるサブ波長サイズのフィーチャを有する。幾つかの実施形態においては、アウトカップリング層は、複数のナノ粒子から構成することができ、他の実施形態においては、アウトカップリング層は、材料の上に配置された複数のナノ粒子から構成される。これらの実施形態においては、アウトカップリングを、複数のナノ粒子のサイズを変えること、複数のナノ粒子の形状を変えること、複数のナノ粒子の材料を変えること、材料の厚みを調整すること、材料の屈折率又は複数のナノ粒子上に配置される更なる層の屈折率を変えること、エンハンスメント層の厚みを変えること、及び／又はエンハンスメント層の材料を変えることの少なくとも１つによって調節可能であり得る。デバイスの複数のナノ粒子は、金属、誘電体材料、半導体材料、金属の合金、誘電体材料の混合物、１以上の材料の積層体又は層、及び／又はあるタイプの材料のコアであって、別のタイプの材料のシェルでコーティングされたものの少なくとも１つから形成することができる。幾つかの実施形態においては、アウトカップリング層は、少なくとも金属ナノ粒子から構成され、前記金属は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｇａ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃａ、これらの材料の合金又は混合物、及びこれらの材料の積層体からなる群から選択される。複数のナノ粒子は、それらの上に配置された更なる層を有することができる。幾つかの実施形態においては、発光の偏光を、アウトカップリング層を使用して調節することができる。アウトカップリング層の次元と周期性を変えることで、空気に優先的にアウトカップリングされる偏光のタイプを選択できる。幾つかの実施形態においては、アウトカップリング層は、デバイスの電極としても機能する。

更に他の態様においては、本開示は、アノードと；カソードと；前記アノードと前記カソードとの間に配置され、本開示の上記化合物セクション開示される化合物を含むことができる有機層と、を有する有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）を含む消費者製品も提供する。

幾つかの実施形態においては、前記消費者製品は、アノードと；カソードと；前記アノードと前記カソードとの間に配置される有機層とを含むＯＬＥＤを含み、前記有機層は、本明細書に記載される式Ｉの構造を有する化合物を含むことができる。

幾つかの実施形態においては、前記消費者製品は、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニター、メディカルモニター、テレビ、掲示板、屋内若しくは屋外照明及び／又は信号送信用のライト、ヘッドアップディスプレイ、完全又は部分透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、レーザープリンター、電話、携帯電話、タブレット、ファブレット、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダー、ビューファインダー、対角で２インチ未満のマイクロディスプレイ、３－Ｄディスプレイ、バーチャルリアリティ又は拡張現実ディスプレイ、車両、共に並べた多重ディスプレイを含むビデオウォール、劇場又はスタジアムのスクリーン、光療法デバイス、及び看板の１つであることができる。

概して、ＯＬＥＤは、アノード及びカソードの間に配置され、それらと電気的に接続された少なくとも１つの有機層を含む。電流が印加されると、アノードが正孔を注入し、カソードが電子を有機層（複数可）に注入する。注入された正孔及び電子は、逆帯電した電極にそれぞれ移動する。電子及び正孔が同じ分子上に局在する場合、励起エネルギー状態を有する局在電子正孔対である「励起子」が形成される。光は、励起子が緩和した際に、光電子放出機構を介して放出される。幾つかの事例において、励起子はエキシマー又はエキサイプレックス上に局在し得る。熱緩和等の無輻射機構が発生する場合もあるが、概して望ましくないとみなされている。

幾つかのＯＬＥＤの材料及び構成が、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第５，８４４，３６３号明細書、米国特許第６，３０３，２３８号明細書、及び米国特許第５，７０７，７４５号明細書に記載されている。

初期のＯＬＥＤは、例えば、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第４，７６９，２９２号明細書において開示されている通り、その一重項状態から光を放出する発光分子（「蛍光」）を使用していた。蛍光発光は、概して、１０ナノ秒未満の時間枠で発生する。

ごく最近では、三重項状態から光を放出する発光材料（「燐光」）を有するＯＬＥＤが実証されている。参照によりその全体が組み込まれる、Ｂａｌｄｏら、「Ｈｉｇｈｌｙ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｆｒｏｍ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｅｖｉｃｅｓ」、Ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１～１５４、１９９８；（「Ｂａｌｄｏ－Ｉ」）及びＢａｌｄｏら、「Ｖｅｒｙ ｈｉｇｈ－ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｇｒｅｅｎ 有機発光デバイスｓ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ」、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、７５巻、３号、４～６（１９９９）（「Ｂａｌｄｏ－ＩＩ」）。燐光については、参照により組み込まれる米国特許第７，２７９，７０４号５～６段において更に詳細に記述されている。

図１は、有機発光デバイス１００を示す。図は必ずしも一定の縮尺ではない。デバイス１００は、基板１１０、アノード１１５、正孔注入層１２０、正孔輸送層１２５、電子ブロッキング層１３０、発光層１３５、正孔ブロッキング層１４０、電子輸送層１４５、電子注入層１５０、保護層１５５、カソード１６０、及びバリア層１７０を含み得る。カソード１６０は、第１の導電層１６２及び第２の導電層１６４を有する複合カソードである。デバイス１００は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。これらの種々の層の特性及び機能並びに材料例は、参照により組み込まれるＵＳ７，２７９，７０４、６～１０段において更に詳細に記述されている。

これらの層のそれぞれについて、更なる例が利用可能である。例えば、フレキシブル及び透明基板－アノードの組合せは、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第５、８４４、３６３号において開示されている。ｐ－ドープされた正孔輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００３／０２３０９８０号明細書において開示されている通りの、５０：１のモル比でｍ－ＭＴＤＡＴＡにＦ_４－ＴＣＮＱをドープしたものである。発光材料及びホスト材料の例は、参照によりその全体が組み込まれるＴｈｏｍｐｓｏｎらの米国特許第６，３０３，２３８号において開示されている。ｎ－ドープされた電子輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００３／０２３０９８０号において開示されている通りの、１：１のモル比でＢＰｈｅｎにＬｉをドープしたものである。参照によりその全体が組み込まれる米国特許第５，７０３，４３６号及び同第５，７０７，７４５号は、上を覆う透明の、導電性の、スパッタリング蒸着したＩＴＯ層を有するＭｇ：Ａｇ等の金属の薄層を有する複合カソードを含むカソードの例を開示している。ブロッキング層の理論及び使用は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第６，０９７，１４７号及び米国特許出願公開第２００３／０２３０９８０号において更に詳細に記述されている。注入層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００４／０１７４１１６号において提供されている。保護層についての記述は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００４／０１７４１１６号において見ることができる。

図２は、反転させたＯＬＥＤ２００を示す。デバイスは、基板２１０、カソード２１５、発光層２２０、正孔輸送層２２５、及びアノード２３０を含む。デバイス２００は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。最も一般的なＯＬＥＤ構成はアノードの上に配置されたカソードを有し、デバイス２００はアノード２３０の下に配置されたカソード２１５を有するため、デバイス２００は「反転させた」ＯＬＥＤと称されることができる。デバイス１００に関して記述されたものと同様の材料を、デバイス２００の対応する層において使用してよい。図２は、幾つかの層が如何にしてデバイス１００の構造から省略され得るかの一例を提供するものである。

図１及び図２において例証されている単純な層構造は、非限定的な例として提供されるものであり、本開示の実施形態は多種多様な他の構造に関連して使用され得ることが理解される。記述されている特定の材料及び構造は、事実上例示的なものであり、他の材料及び構造を使用してよい。機能的なＯＬＥＤは、記述されている種々の層を様々な手法で組み合わせることによって実現され得るか、又は層は、設計、性能及びコスト要因に基づき、全面的に省略され得る。具体的には記述されていない他の層も含まれ得る。具体的に記述されているもの以外の材料を使用してよい。本明細書において提供されている例の多くは、単一材料を含むものとして種々の層を記述しているが、ホスト及びドーパントの混合物等の材料の組合せ、又はより一般的には混合物を使用してよいことが理解される。また、層は種々の副層を有してもよい。本明細書における種々の層に与えられている名称は、厳しく限定することを意図するものではない。例えば、デバイス２００において、正孔輸送層２２５は正孔を輸送し、正孔を発光層２２０に注入し、正孔輸送層又は正孔注入層として記述され得る。一実施形態において、ＯＬＥＤは、カソード及びアノードの間に配置された「有機層」を有するものとして記述され得る。有機層は単層を含んでいてよく、又は、例えば図１及び図２に関して記述されている異なる有機材料の多層を更に含んでいてよい。

参照によりその全体が組み込まれるＦｒｉｅｎｄらの米国特許第５，２４７，１９０号明細書において開示されているもののようなポリマー材料で構成されるＯＬＥＤ（ＰＬＥＤ）等、具体的には記述されていない構造及び材料を使用してもよい。更なる例として、単一の有機層を有するＯＬＥＤが使用され得る。ＯＬＥＤは、例えば、参照によりその全体が組み込まれるＦｏｒｒｅｓｔらの米国特許第５，７０７，７４５号明細書において記述されている通り、積み重ねられてよい。ＯＬＥＤ構造は、図１及び図２において例証されている単純な層構造から逸脱してよい。例えば、基板は、参照によりその全体が組み込まれる、Ｆｏｒｒｅｓｔらの米国特許第６，０９１，１９５号明細書において記述されているメサ構造及び／又はＢｕｌｏｖｉｃらの米国特許第５，８３４，８９３号明細書において記述されているくぼみ構造等、アウトカップリングを改良するための角度のついた反射面を含み得る。

別段の規定がない限り、種々の実施形態の層のいずれも、任意の適切な方法によって堆積され得る。有機層について、好ましい方法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第６，０１３，９８２号明細書及び同第６，０８７，１９６号明細書において記述されているもの等の熱蒸着、インクジェット、参照によりその全体が組み込まれるＦｏｒｒｅｓｔらの米国特許第６，３３７，１０２号において記述されているもの等の有機気相堆積（ＯＶＰＤ）、並びに参照によりその全体が組み込まれる米国特許第７，４３１，９６８号明細書において記述されているもの等の有機気相ジェットプリンティング（ＯＶＪＰ、有機気相ジェット堆積（ＯＶＪＤ）とも称される）による堆積を含む。他の適切な堆積法は、スピンコーティング及び他の溶液ベースのプロセスを含む。溶液ベースのプロセスは、好ましくは、窒素又は不活性雰囲気中で行われる。他の層について、好ましい方法は熱蒸着を含む。好ましいパターニング法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第６，２９４，３９８号明細書及び同第６，４６８，８１９号明細書において記述されているもの等のマスク、冷間圧接を経由する堆積、並びにインクジェット及び有機蒸気ジェット印刷（ＯＶＪＰ）等の堆積法の幾つかに関連するパターニングを含む。他の方法を使用してもよい。堆積する材料は、特定の堆積法と適合するように修正され得る。例えば、分枝鎖状又は非分枝鎖状であり、好ましくは少なくとも３個の炭素を含有するアルキル及びアリール基等の置換基は、溶液プロセシングを受ける能力を増強するために、低分子において使用され得る。２０個以上の炭素を有する置換基を使用してよく、３～２０個の炭素が好ましい範囲である。非対称構造を有する材料は、対称構造を有するものよりも良好な溶液プロセス性を有し得、これは、非対称材料のほうが再結晶する傾向が低くなり得るからである。溶液プロセシングを受ける低分子の能力を増強するために、デンドリマー置換基が使用され得る。

本開示の実施形態にしたがって製作されたデバイスは、バリア層を更に含んでいてよい。バリア層の１つの目的は、電極及び有機層を、水分、蒸気及び／又はガス等を含む環境における有害な種への損傷性暴露から保護することである。バリア層は、基板、電極の上、下若しくは隣に、又はエッジを含むデバイスの任意の他の部分の上に堆積し得る。バリア層は、単層又は多層を含んでいてよい。バリア層は、種々の公知の化学気相堆積技術によって形成され得、単相を有する組成物及び多相を有する組成物を含み得る。任意の適切な材料又は材料の組合せをバリア層に使用してよい。バリア層は、無機若しくは有機化合物又は両方を組み込み得る。好ましいバリア層は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、米国特許第７，９６８，１４６号明細書、ＰＣＴ特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２００７／０２３０９８号及び同第ＰＣＴ／ＵＳ２００９／０４２８２９号において記述されている、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物を含む。「混合物」とみなされるためには、バリア層を含む前記のポリマー及び非ポリマー材料は、同じ反応条件下で及び／又は同時に堆積されるべきである。非ポリマー材料に対するポリマー材料の重量比は、９５：５から５：９５の範囲内となり得る。ポリマー材料及び非ポリマー材料は、同じ前駆体材料から作製され得る。一例において、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物は、ポリマーケイ素及び無機ケイ素から本質的になる。

本開示の実施形態にしたがって作製されたデバイスは、種々の電気製品又は中間部品に組み込まれることができる多種多様な電子部品モジュール（又はユニット）に組み込まれることができる。このような電気製品又は中間部品としては、エンドユーザーの製品製造者によって利用されることができるディスプレイスクリーン、照明デバイス（離散的光源デバイス又は照明パネル等）が挙げられる。このような電子部品モジュールは、駆動エレクトロニクス及び／又は電源を任意に含むことができる。本開示の実施形態にしたがって作製されたデバイスは、組み込まれた１以上の電子部品モジュール（又はユニット）を有する多種多様な消費者製品に組み込まれることができる。ＯＬＥＤの有機層に本開示の化合物を含むＯＬＥＤを含む消費者製品が開示される。このような消費者製品は、１以上の光源及び／又は１以上のある種のビジュアルディスプレイを含む任意の種類の製品を含む。このような消費者製品の幾つかの例としては、フラットパネルディスプレイ、曲がったディスプレイ、コンピュータモニター、メディカルモニター、テレビ、掲示板、屋内若しくは屋外照明及び／又は信号送信用のライト、ヘッドアップディスプレイ、完全又は部分透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、丸めることができるディスプレイ、折り畳むことができるディスプレイ、伸ばすことができるディスプレイ、レーザープリンター、電話、携帯電話、タブレット、ファブレット、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダー、ビューファインダー、マイクロディスプレイ（対角で２インチ未満のディスプレイ）、３－Ｄディスプレイ、バーチャルリアリティ又は拡張現実ディスプレイ、車両、共に並べた多重ディスプレイを含むビデオウォール、劇場又はスタジアムのスクリーン、光療法デバイス、及び看板を含む。パッシブマトリックス及びアクティブマトリックスを含む種々の制御機構を使用して、本開示にしたがって製作されたデバイスを制御することができる。デバイスの多くは、１８℃から３０℃、より好ましくは室温（２０～２５℃）等、ヒトに快適な温度範囲内での使用が意図されているが、この温度範囲外、例えば、摂氏－４０℃～＋８０℃で用いることもできる。

ＯＬＥＤに関する更なる詳細、及び前記した定義は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第７，２７９，７０４号明細書にみることができる。

本明細書において記述されている材料及び構造は、ＯＬＥＤ以外のデバイスにおける用途を有し得る。例えば、有機太陽電池及び有機光検出器等の他の光電子デバイスが、該材料及び構造を用い得る。より一般的には、有機トランジスタ等の有機デバイスが、該材料及び構造を用い得る。

幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、可撓性があること、丸めることができること、折り畳むことができること、伸ばすことができること、曲げることができることからなる群から３５９選択される１以上の特性を有する。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、透明又は半透明である。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、カーボンナノチューブを含む層を更に含む。

幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、遅延蛍光発光体を含む層を更に含む。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、ＲＧＢ画素配列又は白色及びカラーフィルター画素配列を含む。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、モバイルデバイス、ハンドヘルドデバイス、又はウェアラブルデバイスである。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、１０インチ未満の対角線又は５０平方インチ未満の面積を有するディスプレイパネルである。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、少なくとも１０インチの対角線又は少なくとも５０平方インチの面積を有するディスプレイパネルである。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、照明パネルである。

幾つかの実施形態においては、前記化合物は、発光ドーパントであることができる。幾つかの実施形態においては、前記化合物は、リン光、蛍光、熱活性化遅延蛍光、即ちＴＡＤＦ（Ｅ型遅延蛍光とも呼ばれる；例えば、参照によりその全体が組み込まれる米国出願第１５／７００，３５２号参照）、三重項－三重項消滅、又はこれらの過程の組合せを介して、発光を生成することができる。幾つかの実施形態においては、前記発光ドーパントは、ラセミ混合物であることができる、又は１つのエナンチオマーに富む（ｅｎｒｉｃｈｅｄ）ことができる。幾つかの実施形態においては、前記化合物は、ホモレプティックであることができる（各配位子が同じである）。幾つかの実施形態においては、前記化合物は、ヘテロレプティックであることができる（少なくとも１つの配位子が他と異なっている）。金属に配位する配位子が１超存在する場合、幾つかの実施形態においては、これらの配位子は、全て同一であることができる。幾つかの他の実施形態においては、少なくとも１つの配位子が、他の配位子と異なる。幾つかの実施形態においては、全ての配位子が、互いに異なることができる。このことは、金属に配位している配位子が、その金属に配位している他の配位子と結合し、三座、四座、五座、又は六座配位子を形成することができる実施形態においても当てはまる。したがって、配位している配位子が互いに結合されている場合、幾つかの実施形態においては、配位子の全てが同一であることができ、幾つかの他の実施形態においては、結合している配位子の少なくとも１つが、他の配位子と異なることができる。

幾つかの実施形態においては、前記化合物は、ＯＬＥＤにおけるリン光増感剤として、用いられることができ、前記ＯＬＥＤにおける１つ又は複数の層は、１つ以上の蛍光及び／又は遅延蛍光発光体の形態で、アクセプターを含む。幾つかの実施形態においては、前記化合物は、増感剤として用いられるエキシプレックス（ｅｘｃｉｐｌｅｘ）の１つの成分として用いられることができる。リン光増感剤として、前記化合物は、前記アクセプターへのエネルギー移動が可能でなくてはならず、前記アクセプターは、エネルギーを発光する又はエネルギーを最終発光体に更に移動する。前記アクセプター濃度は、０．００１％～１００％の範囲であり得る。前記アクセプターは、リン光増感剤と同じ層にあることも、又は１つ以上の異なる層にあることもできる。幾つかの実施形態においては、前記アクセプターは、ＴＡＤＦ発光体である。幾つかの実施形態においては、前記アクセプターは、蛍光発光体である。幾つかの実施形態においては、前記発光は、前記増感剤、前記アクセプター、及び前記最終発光体のいずれか又は全てから生じることができる。

他の態様によれば、本明細書に記載される化合物を含む組成物も開示される。

本明細書中に開示されるＯＬＥＤは、消費者製品、電子部品モジュール、及び照明パネルの１以上に組み込まれることができる。前記有機層は、発光層であることができ、幾つかの実施形態においては、前記化合物は、発光ドーパントであることができ、他の実施形態においては、前記化合物は、非発光ドーパントであることができる。

本開示の更に他の態様においては、本明細書に開示される新規化合物を含む組成物が記載される。前記組成物は、本明細書に開示される溶媒、ホスト、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子ブロッキング材料、正孔ブロッキング材料、及び電子輸送材料からなる群から選択される１つ以上の成分を含むこともできる。

本開示は、本開示の新規化合物、又はその一価又は多価のバリアントを含む任意の化学構造を包含する。言い換えれば、本発明化合物又はその一価又は多価のバリアントは、より大きな化学構造の一部であることができる。そのような化学構造は、モノマー、ポリマー、巨大分子、及び超分子（ｓｕｐｒａｍｏｌｅｃｕｌｅ）（超分子（ｓｕｐｅｒｍｏｌｅｃｕｌｅ）としても知られている）からなる群から選択されることができる。本明細書中で使用される、「化合物の一価のバリアント」は、１個の水素が除去され、化学構造の残りへの結合で置き換えられていることを除いては、前記化合物と同一である部分を指す。本明細書中で使用される、「化合物の多価のバリアント」は、１個超の水素が除去され、化学構造の残りへの結合で置き換えられていることを除いては前記化合物と同一である部分を指す。超分子の例においては、発明化合物は、共有結合なしで前記超分子錯体に組み込まれることもできる。
Ｄ．本開示の化合物の他の材料との組合せ

有機発光デバイス中の特定の層に有用として本明細書において記述されている材料は、デバイス中に存在する多種多様な他の材料と組み合わせて使用され得る。例えば、本明細書において開示されている発光性ドーパントは、多種多様なホスト、輸送層、ブロッキング層、注入層、電極、及び存在し得る他の層と併せて使用され得る。以下で記述又は参照される材料は、本明細書において開示されている化合物と組み合わせて有用となり得る材料の非限定的な例であり、当業者であれば、組み合わせて有用となり得る他の材料を特定するための文献を容易に閲覧することができる。

ａ）伝導性（導電性）ドーパント：
電荷輸送層は、伝導性ドーパントでドープされ、電荷キャリアの密度を大きく変え、それによりその伝導性を変えることとなる。伝導性は、マトリックス材料中の電荷キャリアを生成することで、又はドーパントのタイプに応じて増加され、半導体のフェルミ準位における変化も達成することができる。正孔輸送層は、ｐ型伝導性ドーパントでドープされることができ、ｎ型伝導性ドーパントは、電子輸送層中に用いられる。

本明細書において開示される材料と組み合わせて、ＯＬＥＤ中に用いられることができる伝導性ドーパントの非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。
ＥＰ０１６１７４９３、ＥＰ０１９６８１３１、ＥＰ２０２０６９４、ＥＰ２６８４９３２、ＵＳ２００５０１３９８１０、ＵＳ２００７０１６０９０５、ＵＳ２００９０１６７１６７、ＵＳ２０１０２８８３６２、ＷＯ０６０８１７８０、ＷＯ２００９００３４５５、ＷＯ２００９００８２７７、ＷＯ２００９０１１３２７、ＷＯ２０１４００９３１０、ＵＳ２００７２５２１４０、ＵＳ２０１５０６０８０４、ＵＳ２０１５０１２３０４７、及びＵＳ２０１２１４６０１２

ｂ）ＨＩＬ／ＨＴＬ：
本開示において使用される正孔注入／輸送材料は特に限定されず、その化合物が正孔注入／輸送材料として典型的に使用されるものである限り、任意の化合物を使用してよい。材料の例は、フタロシアニン又はポルフィリン誘導体；芳香族アミン誘導体；インドロカルバゾール誘導体；フッ化炭化水素を含有するポリマー；伝導性ドーパントを有するポリマー；ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等の導電性ポリマー；ホスホン酸及びシラン誘導体等の化合物に由来する自己集合モノマー；ＭｏＯ_ｘ等の金属酸化物誘導体；１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル等のｐ型半導体有機化合物；金属錯体、並びに架橋性化合物を含むがこれらに限定されない。

ＨＩＬ又はＨＴＬ中に使用される芳香族アミン誘導体の例は、下記の一般構造を含むがこれらに限定されない。

Ａｒ^１からＡｒ^９のそれぞれは、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、アズレン等の芳香族炭化水素環式化合物からなる群；ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン及びセレノフェノジピリジン等の芳香族複素環式化合物からなる群；並びに芳香族炭化水素環式基及び芳香族複素環式基から選択される同じ種類又は異なる種類の基であり、且つ、直接的に、又は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位及び脂肪族環式基の少なくとも１つを介して、互いに結合している２から１０個の環式構造単位からなる群から選択される。各Ａｒは、無置換であることができる、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ及びそれらの組合せからなる群から選択される置換基によって置換されることができる。

一態様において、Ａｒ^１からＡｒ^９は、

（式中、ｋは１から２０までの整数であり；Ｘ^１０１からＸ^１０８はＣ（ＣＨを含む）又はＮであり；Ｚ^１０１はＮＡｒ^１、Ｏ、又はＳであり；Ａｒ^１は、上記で定義したものと同じ基を有する。）からなる群から独立に選択される。

ＨＩＬ又はＨＴＬ中に使用される金属錯体の例は、下記の一般式を含むがこれらに限定されない。

式中、Ｍｅｔは、４０より大きい原子量を有し得る金属であり；（Ｙ^１０１－Ｙ^１０２）は二座配位子であり、Ｙ^１０１及びＹ^１０２は、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｐ及びＳから独立に選択され；Ｌ^１０１は補助配位子であり；ｋ’は、１から金属に結合し得る配位子の最大数までの整数値であり；且つ、ｋ’＋ｋ’’は、金属に結合し得る配位子の最大数である。

一態様において、（Ｙ^１０１－Ｙ^１０２）は２－フェニルピリジン誘導体である。別の態様において、（Ｙ^１０１－Ｙ^１０２）はカルベン配位子である。別の態様において、Ｍｅｔは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＺｎから選択される。更なる態様において、金属錯体は、Ｆｃ^＋／Ｆｃカップルに対して、溶液中で約０．６Ｖ未満の最小酸化電位を有する。

本明細書において開示される材料と組み合わせて、ＯＬＥＤ中に用いられることができるＨＩＬ材料及びＨＴＬ材料の非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。
ＣＮ１０２７０２０７５、ＤＥ１０２０１２００５２１５、ＥＰ０１６２４５００、ＥＰ０１６９８６１３、ＥＰ０１８０６３３４、ＥＰ０１９３０９６４、ＥＰ０１９７２６１３、ＥＰ０１９９７７９９、ＥＰ０２０１１７９０、ＥＰ０２０５５７００、ＥＰ０２０５５７０１、ＥＰ１７２５０７９、ＥＰ２０８５３８２、ＥＰ２６６０３００、ＥＰ６５０９５５、ＪＰ０７－０７３５２９、ＪＰ２００５１１２７６５、ＪＰ２００７０９１７１９、ＪＰ２００８０２１６８７、ＪＰ２０１４－００９１９６、ＫＲ２０１１００８８８９８、ＫＲ２０１３００７７４７３、ＴＷ２０１１３９４０２、ＵＳ０６５１７９５７、ＵＳ２００２０１５８２４２、ＵＳ２００３０１６２０５３、ＵＳ２００５０１２３７５１、ＵＳ２００６０１８２９９３、ＵＳ２００６０２４０２７９、ＵＳ２００７０１４５８８８、ＵＳ２００７０１８１８７４、ＵＳ２００７０２７８９３８、ＵＳ２００８００１４４６４、ＵＳ２００８００９１０２５、ＵＳ２００８０１０６１９０、ＵＳ２００８０１２４５７２、ＵＳ２００８０１４５７０７、ＵＳ２００８０２２０２６５、ＵＳ２００８０２３３４３４、ＵＳ２００８０３０３４１７、ＵＳ２００８１０７９１９、ＵＳ２００９０１１５３２０、ＵＳ２００９０１６７１６１、ＵＳ２００９０６６２３５、ＵＳ２０１１００７３８５、ＵＳ２０１１０１６３３０２、ＵＳ２０１１２４０９６８、ＵＳ２０１１２７８５５１、ＵＳ２０１２２０５６４２、ＵＳ２０１３２４１４０１、ＵＳ２０１４０１１７３２９、ＵＳ２０１４１８３５１７、ＵＳ５０６１５６９、ＵＳ５６３９９１４、ＷＯ０５０７５４５１、ＷＯ０７１２５７１４、ＷＯ０８０２３５５０、ＷＯ０８０２３７５９、ＷＯ２００９１４５０１６、ＷＯ２０１００６１８２４、ＷＯ２０１１０７５６４４、ＷＯ２０１２１７７００６、ＷＯ２０１３０１８５３０、ＷＯ２０１３０３９０７３、ＷＯ２０１３０８７１４２、ＷＯ２０１３１１８８１２、ＷＯ２０１３１２０５７７、ＷＯ２０１３１５７３６７、ＷＯ２０１３１７５７４７、ＷＯ２０１４００２８７３、ＷＯ２０１４０１５９３５、ＷＯ２０１４０１５９３７、ＷＯ２０１４０３０８７２、ＷＯ２０１４０３０９２１、ＷＯ２０１４０３４７９１、ＷＯ２０１４１０４５１４、ＷＯ２０１４１５７０１８

ｃ）ＥＢＬ：
電子ブロッキング層（ＥＢＬ）は、発光層から出る電子及び／又は励起子の数を減らすために使用されることができる。デバイス中のそのようなブロッキング層の存在は、ブロッキング層を欠く同様のデバイスと比較して、大幅に高い効率及び／又はより長い寿命をもたらし得る。また、ブロッキング層を使用して、ＯＬＥＤの所望の領域に発光を制限することもできる。幾つかの実施形態においては、ＥＢＬ材料は、ＥＢＬインターフェースに最も近接した発光体よりも高いＬＵＭＯ（真空準位により近い）及び／又は高い三重項エネルギーを有する。幾つかの実施形態においては、ＥＢＬ材料は、ＥＢＬインターフェースに最も近接したホストの１以上よりも高いＬＵＭＯ（真空準位により近い）及び／又は高い三重項エネルギーを有する。一態様においては、ＥＢＬ中に用いられる前記化合物は、下記に記載されるホストの１つとして用いられる、同じ分子又は同じ官能基を含む。

ｄ）ホスト：
本発明の有機ＥＬデバイスの発光層は、発光材料として少なくとも金属錯体を含むことが好ましく、前記金属錯体をドーパント材料として用いたホスト材料を含むことができる。前記ホスト材料としては特に限定されず、前記ホストの三重項エネルギーがドーパントのものよりも大きければ、任意の金属錯体又は有機化合物が用いられることができる。いずれのホスト材料も、三重項の基準が満たされる限り、任意のドーパントと共に用いられることができる。

ホスト材料として使用される金属錯体の例は、下記の一般式を有することが好ましい。

式中、Ｍｅｔは金属であり；（Ｙ^１０３－Ｙ^１０４）は二座配位子であり、Ｙ^１０３及びＹ^１０４は、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｐ及びＳから独立に選択され；Ｌ^１０１は他の配位子であり；ｋ’は、１から金属に結合し得る配位子の最大数までの整数値であり；且つ、ｋ’＋ｋ’’は、金属に結合し得る配位子の最大数である。

一態様において、金属錯体は、下記の錯体である。

式中、（Ｏ－Ｎ）は、原子Ｏ及びＮに配位された金属を有する二座配位子である。

別の態様において、Ｍｅｔは、Ｉｒ及びＰｔから選択される。更なる態様において、（Ｙ^１０３－Ｙ^１０４）はカルベン配位子である。

１つの態様においては、前記ホスト化合物は、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、テトラフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、及びアズレン等の芳香族炭化水素環式化合物からなる群；ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン及びセレノフェノジピリジン等の芳香族複素環式化合物からなる群；並びに芳香族炭化水素環式基及び芳香族複素環式基から選択される同じ種類又は異なる種類の基であり、且つ、直接的に、又は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位及び脂肪族環式基の少なくとも１つを介して互いに結合している２から１０個の環式構造単位からなる群から選択される群の少なくとも１つを含む。各基内の各オプションは、非置換であることができる、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基によって置換されることができる。

一つの態様においては、前記ホスト化合物は、分子中に、下記の基の少なくとも１つを含む。

式中、Ｒ^１０１は、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択され、それがアリール又はヘテロアリールである場合、上記で言及したＡｒのものと同様の定義を有する。ｋは０から２０又は１から２０までの整数である。Ｘ^１０１～Ｘ^１０８は、独立して、Ｃ（ＣＨを含む）又はＮから選択される。Ｚ^１０１及びＺ^１０２は、独立して、ＮＲ^１０１、Ｏ、又はＳから選択される。

本明細書において開示される材料と組み合わせて、ＯＬＥＤ中に用いられることができるホスト材料の非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。
ＥＰ２０３４５３８、ＥＰ２０３４５３８Ａ、ＥＰ２７５７６０８、ＪＰ２００７２５４２９７、ＫＲ２０１０００７９４５８、ＫＲ２０１２００８８６４４、ＫＲ２０１２０１２９７３３、ＫＲ２０１３０１１５５６４、ＴＷ２０１３２９２００、ＵＳ２００３０１７５５５３、ＵＳ２００５０２３８９１９、ＵＳ２００６０２８０９６５、ＵＳ２００９００１７３３０、ＵＳ２００９００３０２０２、ＵＳ２００９０１６７１６２、ＵＳ２００９０３０２７４３、ＵＳ２００９０３０９４８８、ＵＳ２０１０００１２９３１、ＵＳ２０１０００８４９６６、ＵＳ２０１００１８７９８４、ＵＳ２０１０１８７９８４、ＵＳ２０１２０７５２７３、ＵＳ２０１２１２６２２１、ＵＳ２０１３００９５４３、ＵＳ２０１３１０５７８７、ＵＳ２０１３１７５５１９、ＵＳ２０１４００１４４６、ＵＳ２０１４０１８３５０３、ＵＳ２０１４０２２５０８８、ＵＳ２０１４０３４９１４、ＵＳ７１５４１１４、ＷＯ２００１０３９２３４、ＷＯ２００４０９３２０７、ＷＯ２００５０１４５５１、ＷＯ２００５０８９０２５、ＷＯ２００６０７２００２、ＷＯ２００６１１４９６６、ＷＯ２００７０６３７５４、ＷＯ２００８０５６７４６、ＷＯ２００９００３８９８、ＷＯ２００９０２１１２６、ＷＯ２００９０６３８３３、ＷＯ２００９０６６７７８、ＷＯ２００９０６６７７９、ＷＯ２００９０８６０２８、ＷＯ２０１００５６０６６、ＷＯ２０１０１０７２４４、ＷＯ２０１１０８１４２３、ＷＯ２０１１０８１４３１、ＷＯ２０１１０８６８６３、ＷＯ２０１２１２８２９８、ＷＯ２０１２１３３６４４、ＷＯ２０１２１３３６４９、ＷＯ２０１３０２４８７２、ＷＯ２０１３０３５２７５、ＷＯ２０１３０８１３１５、ＷＯ２０１３１９１４０４、ＷＯ２０１４１４２４７２、ＵＳ２０１７０２６３８６９、ＵＳ２０１６０１６３９９５、ＵＳ９４６６８０３

ｅ）追加の発光体：
１以上の追加の発光体ドーパントを本開示の化合物と合わせて使用することができる。前記追加の発光体ドーパントの例としては、特に限定されず、前記化合物が典型的に発光体材料として用いられるものであれば、いずれの化合物も用いられることができる。好適な発光体材料の例としては、燐光、蛍光、熱活性化遅延蛍光、即ちＴＡＤＦ（Ｅ型遅延蛍光とも言われる）、三重項－三重項消滅、又はこれらの過程の組合せを介して、発光を生成することができる化合物が挙げられるが、これらに限定されない。
本明細書において開示される材料と組み合わせて、ＯＬＥＤ中に用いられることができる発光体材料の非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。
ＣＮ１０３６９４２７７、ＣＮ１６９６１３７、ＥＢ０１２３８９８１、ＥＰ０１２３９５２６、ＥＰ０１９６１７４３、ＥＰ１２３９５２６、ＥＰ１２４４１５５、ＥＰ１６４２９５１、ＥＰ１６４７５５４、ＥＰ１８４１８３４、ＥＰ１８４１８３４Ｂ、ＥＰ２０６２９０７、ＥＰ２７３０５８３、ＪＰ２０１２０７４４４４、ＪＰ２０１３１１０２６３、ＪＰ４４７８５５５、ＫＲ１０２００９０１３３６５２、ＫＲ２０１２００３２０５４、ＫＲ２０１３００４３４６０、ＴＷ２０１３３２９８０、ＵＳ０６６９９５９９、ＵＳ０６９１６５５４、ＵＳ２００１００１９７８２、ＵＳ２００２００３４６５６、ＵＳ２００３００６８５２６、ＵＳ２００３００７２９６４、ＵＳ２００３０１３８６５７、ＵＳ２００５０１２３７８８、ＵＳ２００５０２４４６７３、ＵＳ２００５１２３７９１、ＵＳ２００５２６０４４９、ＵＳ２００６０００８６７０、ＵＳ２００６００６５８９０、ＵＳ２００６０１２７６９６、ＵＳ２００６０１３４４５９、ＵＳ２００６０１３４４６２、ＵＳ２００６０２０２１９４、ＵＳ２００６０２５１９２３、ＵＳ２００７００３４８６３、ＵＳ２００７００８７３２１、ＵＳ２００７０１０３０６０、ＵＳ２００７０１１１０２６、ＵＳ２００７０１９０３５９、ＵＳ２００７０２３１６００、ＵＳ２００７０３４８６３、ＵＳ２００７１０４９７９、ＵＳ２００７１０４９８０、ＵＳ２００７１３８４３７、ＵＳ２００７２２４４５０、ＵＳ２００７２７８９３６、ＵＳ２００８００２０２３７、ＵＳ２００８０２３３４１０、ＵＳ２００８０２６１０７６、ＵＳ２００８０２９７０３３、ＵＳ２００８０５８５１、ＵＳ２００８１６１５６７、ＵＳ２００８２１０９３０、ＵＳ２００９００３９７７６、ＵＳ２００９０１０８７３７、ＵＳ２００９０１１５３２２、ＵＳ２００９０１７９５５５、ＵＳ２００９０８５４７６、ＵＳ２００９１０４４７２、ＵＳ２０１０００９０５９１、ＵＳ２０１００１４８６６３、ＵＳ２０１００２４４００４、ＵＳ２０１００２９５０３２、ＵＳ２０１０１０２７１６、ＵＳ２０１０１０５９０２、ＵＳ２０１０２４４００４、ＵＳ２０１０２７０９１６、ＵＳ２０１１００５７５５９、ＵＳ２０１１０１０８８２２、ＵＳ２０１１０２０４３３３、ＵＳ２０１１２１５７１０、ＵＳ２０１１２２７０４９、ＵＳ２０１１２８５２７５、ＵＳ２０１２２９２６０１、ＵＳ２０１３０１４６８４８、ＵＳ２０１３０３３１７２、ＵＳ２０１３１６５６５３、ＵＳ２０１３１８１１９０、ＵＳ２０１３３３４５２１、ＵＳ２０１４０２４６６５６、ＵＳ２０１４１０３３０５、ＵＳ６３０３２３８、ＵＳ６４１３６５６、ＵＳ６６５３６５４、ＵＳ６６７０６４５、ＵＳ６６８７２６６、ＵＳ６８３５４６９、ＵＳ６９２１９１５、ＵＳ７２７９７０４、ＵＳ７３３２２３２、ＵＳ７３７８１６２、ＵＳ７５３４５０５、ＵＳ７６７５２２８、ＵＳ７７２８１３７、ＵＳ７７４０９５７、ＵＳ７７５９４８９、ＵＳ７９５１９４７、ＵＳ８０６７０９９、ＵＳ８５９２５８６、ＵＳ８８７１３６１、ＷＯ０６０８１９７３、ＷＯ０６１２１８１１、ＷＯ０７０１８０６７、ＷＯ０７１０８３６２、ＷＯ０７１１５９７０、ＷＯ０７１１５９８１、ＷＯ０８０３５５７１、ＷＯ２００２０１５６４５、ＷＯ２００３０４０２５７、ＷＯ２００５０１９３７３、ＷＯ２００６０５６４１８、ＷＯ２００８０５４５８４、ＷＯ２００８０７８８００、ＷＯ２００８０９６６０９、ＷＯ２００８１０１８４２、ＷＯ２００９０００６７３、ＷＯ２００９０５０２８１、ＷＯ２００９１００９９１、ＷＯ２０１００２８１５１、ＷＯ２０１００５４７３１、ＷＯ２０１００８６０８９、ＷＯ２０１０１１８０２９、ＷＯ２０１１０４４９８８、ＷＯ２０１１０５１４０４、ＷＯ２０１１１０７４９１、ＷＯ２０１２０２０３２７、ＷＯ２０１２１６３４７１、ＷＯ２０１３０９４６２０、ＷＯ２０１３１０７４８７、ＷＯ２０１３１７４４７１、ＷＯ２０１４００７５６５、ＷＯ２０１４００８９８２、ＷＯ２０１４０２３３７７、ＷＯ２０１４０２４１３１、ＷＯ２０１４０３１９７７、ＷＯ２０１４０３８４５６、ＷＯ２０１４１１２４５０

ｆ）ＨＢＬ：
正孔ブロッキング層（ＨＢＬ）を使用して、発光層から出る正孔及び／又は励起子の数を低減させることができる。デバイス中のそのようなブロッキング層の存在は、ブロッキング層を欠く同様のデバイスと比較して大幅に高い効率及び／又はより長い寿命をもたらし得る。また、ブロッキング層を使用して、ＯＬＥＤの所望の領域に発光を制限することもできる。幾つかの実施形態においては、ＨＢＬ材料は、ＨＢＬインターフェースに最も近接した発光体よりも低いＨＯＭＯ（真空準位から更に離れて）及び／又は高い三重項エネルギーを有する。幾つかの実施形態においては、ＨＢＬ材料は、ＨＢＬインターフェースに最も近接したホストの１以上よりも低いＨＯＭＯ（真空準位から更に離れて）及び／又は高い三重項エネルギーを有する。

一態様において、前記ＨＢＬ中に使用される前記化合物は、上述したホストに用いられる場合と同じ分子又は同じ官能基を含む。

別の態様において、前記ＨＢＬ中に使用される前記化合物は、分子中に下記の群の少なくとも１つを含む。

式中、ｋは１から２０までの整数であり；Ｌ^１０１は他の配位子であり、ｋ’は１から３までの整数である。

ｇ）ＥＴＬ：
電子輸送層（ＥＴＬ）は、電子を輸送することができる材料を含み得る。電子輸送層は、真性である（ドープされていない）か、又はドープされていてよい。ドーピングを使用して、伝導性を増強することができる。ＥＴＬ材料の例は特に限定されず、電子を輸送するために典型的に使用されるものである限り、任意の金属錯体又は有機化合物を使用してよい。

一態様において、前記ＥＴＬ中に使用される前記化合物は、分子中に下記の群の少なくとも１つを含有する。

式中、Ｒ^１０１は、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ及びそれらの組合せからなる群から選択され、それがアリール又はヘテロアリールである場合、上記で言及したＡｒのものと同様の定義を有する。Ａｒ^１からＡｒ^３は、上記で言及したＡｒのものと同様の定義を有する。ｋは１から２０までの整数である。Ｘ^１０１からＸ^１０８はＣ（ＣＨを含む）又はＮから選択される。

別の態様において、前記ＥＴＬ中に使用される金属錯体は、下記の一般式を含有するがこれらに限定されない。

式中、（Ｏ－Ｎ）又は（Ｎ－Ｎ）は、原子Ｏ、Ｎ又はＮ、Ｎに配位された金属を有する二座配位子であり；Ｌ^１０１は他の配位子であり；ｋ’は、１から金属に結合し得る配位子の最大数までの整数値である。

本明細書において開示される材料と組み合わせて、ＯＬＥＤ中に用いられることができるＥＴＬ材料の非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。ＣＮ１０３５０８９４０、ＥＰ０１６０２６４８、ＥＰ０１７３４０３８、ＥＰ０１９５６００７、ＪＰ２００４－０２２３３４、ＪＰ２００５１４９９１８、ＪＰ２００５－２６８１９９、ＫＲ０１１７６９３、ＫＲ２０１３０１０８１８３、ＵＳ２００４００３６０７７、ＵＳ２００７０１０４９７７、ＵＳ２００７０１８１５５、ＵＳ２００９０１０１８７０、ＵＳ２００９０１１５３１６、ＵＳ２００９０１４０６３７、ＵＳ２００９０１７９５５４、ＵＳ２００９２１８９４０、ＵＳ２０１０１０８９９０、ＵＳ２０１１１５６０１７、ＵＳ２０１１２１０３２０、ＵＳ２０１２１９３６１２、ＵＳ２０１２２１４９９３、ＵＳ２０１４０１４９２５、ＵＳ２０１４０１４９２７、ＵＳ２０１４０２８４５８０、ＵＳ６６５６６１２、ＵＳ８４１５０３１、ＷＯ２００３０６０９５６、ＷＯ２００７１１１２６３、ＷＯ２００９１４８２６９、ＷＯ２０１００６７８９４、ＷＯ２０１００７２３００、ＷＯ２０１１０７４７７０、ＷＯ２０１１１０５３７３、ＷＯ２０１３０７９２１７、ＷＯ２０１３１４５６６７、ＷＯ２０１３１８０３７６、ＷＯ２０１４１０４４９９、ＷＯ２０１４１０４５３５

ｈ）電荷発生層（ＣＧＬ）
タンデム型、又は積層型のＯＬＥＤ中で、ＣＧＬは、性能において重要な役割を果たし、それぞれ、電子及び正孔の注入ためのｎ－ドープ層及びｐ－ドープ層からなる。電子及び正孔は、前記ＣＧＬ及び電極から供給される。前記ＣＧＬ中の消費された電子及び正孔は、それぞれカソード及びアノードから注入された電子及び正孔によって再び満たされ、その後バイポーラ電流が徐々に安定した状態に達する。典型的なＣＧＬ材料は、輸送層で用いられるｎ型及びｐ型伝導性ドーパントを含む。

ＯＬＥＤデバイスの各層中に使用される任意の上記で言及した化合物において、水素原子は、部分的又は完全に重水素化されていてよい。重水素化される化合物の水素の最低量は、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、９９％、及び１００％からなる群から選択される。故に、メチル、フェニル、ピリジル等であるがこれらに限定されない任意の具体的に挙げられている置換基は、これらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンであることができる。同様に、アルキル、アリール、シクロアルキル、ヘテロアリール等であるがこれらに限定されない置換基のクラスも、これらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンであることができる。

本明細書において記述されている種々の実施形態は、単なる一例としてのものであり、本発明の範囲を限定することを意図するものではないことが理解される。例えば、本明細書において記述されている材料及び構造の多くは、本発明の趣旨から逸脱することなく他の材料及び構造に置き換えることができる。したがって、特許請求されている通りの本発明は、当業者には明らかとなるように、本明細書において記述されている特定の例及び好ましい実施形態からの変形形態を含み得る。なぜ本発明が作用するのかについての種々の理論は限定を意図するものではないことが理解される。

Ｅ．実験データ
Ｐｔ［ＬＡ’１－（Ｒ２９）（Ｒ６）（Ｒ６）（Ｒ１）］［Ｌｙ９（Ｒ１）（Ｒ７）（Ｒ１）］（ＢＤ１）の合成

２，６－ジブロモ－４－クロロ－Ｎ－（２－ニトロフェニル）アニリンの合成
０℃でＮ－メチル－２－ピロリドン（ｐｙｒｒｏｌｉｄｏｎｏｎｅ）（３５ｍＬ）中２，６－ジブロモ－４－クロロアニリン（１０．０ｇ、３５ｍｍｏｌ、１．０当量）の溶液に、窒素の正圧下で、６０％分散液である鉱油中水素化ナトリウム（３．５０ｇ、８８ｍｍｏｌ、２．５当量）を少量ずつ添加した。３０分間撹拌した後、１－フルオロ－２－ニトロベンゼン（５．４４ｇ、３８．５ｍｍｏｌ、１．１当量）を懸濁液に添加すると、即座に色が赤色に変化した。反応物を室温まで加温し、１８時間撹拌した。暗赤色の懸濁液を０℃まで冷却し、氷水（１ｍＬ）の滴下により注意深くクエンチした。得られた懸濁液を水（２００ｍＬ）に注ぎ、１時間撹拌した。懸濁液を濾過し、固体を水（３×２５ｍＬ）及びヘキサン（２×２５ｍＬ）で洗浄した。７５℃で２日間、固体を減圧下で乾燥させ、オレンジ色の固体として、２，６－ジブロモ－４－クロロ－Ｎ－（２－ニトロフェニル）アニリン（１０．５ｇ、収率７３％）を得た。

５’－クロロ－Ｎ－（２－ニトロフェニル）－［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－２，２’’，３，３’’，４，４’’，５，５’’，６，６’’－ｄ_１０－２’－アミンの合成
エタノール（２０２ｍＬ）中５’－クロロ－Ｎ－（２－ニトロフェニル）－［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－２，２’’，３，３’’，４，４’’，５，５’’，６，６’’－ｄ_１０－２’－アミン（８．３０ｇ、２０ｍｍｏｌ、１当量）、鉄粉（５．６４ｇ、１０１ｍｍｏｌ、５当量）、及び濃ＨＣｌ（７．５７ｍＬ、９１ｍｍｏｌ、４．５当量）の混合物を窒素下９０℃で１８時間加熱した。未加工の（ｃｒｕｄｅ）反応混合物を室温まで冷却し、セライト（５０ｇ）で濾過し、エタノール（３×５０ｍＬ）で洗浄した。濾液を減圧下で濃縮した。得られた残渣を酢酸エチル（３×１５０ｍＬ）で抽出した。有機層を回収し、水層を酢酸エチル（３×１５０ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層を飽和ブライン（５００ｍＬ）で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた。粗生成物をシリカ上でクロマトグラフィーにかけ、ヘキサン中１０～３０％の勾配の酢酸エチルで溶出し、灰色の固体として５’－クロロ－Ｎ－（２－ニトロフェニル）－［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－２，２’’，３，３’’，４，４’’，５，５’’，６，６’’－ｄ_１０－２’－アミン（６．６８ｇ、収率８７％）を得た。

１－（５’－クロロ－［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－２’－イル－２，２’’，３，３’’，４，４’’，５，５’’，６，６’’－ｄ_１０）－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾ―ルの合成
窒素下室温で、オルトギ酸トリエチル（８７ｍＬ）中５’－クロロ－Ｎ－（２－ニトロフェニル）－［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－２，２’’，３，３’’，４，４’’，５，５’’，６，６’’－ｄ_１０－２’－アミン（６．６３ｇ、１７ｍｍｏｌ、１当量）の懸濁液に、濃ＨＣｌ（５．８ｍＬ、７０ｍｍｏｌ、４当量）を添加した。酸の添加で、灰色の懸濁液は、淡い黄色の溶液に変わった。反応物を窒素下で１８時間還流した。未加工の反応混合物を減圧下で濃縮した。得られた黄色の固体をクロマトグラフィーにかけ、白色固体として、１－（５’－クロロ－［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－２’－イル－２，２’’，３，３’’，４，４’’，５，５’’，６，６’’－ｄ_１０）－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾ―ル（５．５４ｇ、収率８１％）を得た。

９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－２－（３－（１－（５’－クロロ－［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－２’－イル－２，２’’，３，３’’，４，４’’，５，５’’，６，６’’－ｄ_１０）－１Ｈ－３λ^４－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－３－イル）フェノキシ）－９Ｈ－カルバゾール、テトラフルオロボラート塩の合成
ＤＭＦ（１３ｍＬ）中５’－クロロ－Ｎ－（２－ニトロフェニル）－［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－２，２’’，３，３’’，４，４’’，５，５’’，６，６’’－ｄ_１０－２’－アミン（１．００ｇ、２．６ｍｍｏｌ、１当量）及び（３－（（９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）オキシ）フェニル）（メシチル）ヨードニウムテトラフルオロボラート（２．４１ｇ、３．３３ｍｍｏｌ、１．３当量）の溶液を、窒素で１５分間スパージ（ｓｐａｒｇｅ）し、その後トリフルオロメタンスルホン酸銅（ＩＩ）（０．０９ｇ、０．３ｍｍｏｌ、０．０６当量）を投入した。封止したバイアル内で、反応混合物を１１０℃で４時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却し、減圧下で濃縮した。得られた残渣をシリカ上でクロマトグラフィーにかけ、ジクロロメタン中２％メタノールで溶出し、灰色の粉末として、９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－２－（３－（１－（５’－クロロ－［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－２’－イル－２，２’’，３，３’’，４，４’’，５，５’’，６，６’’－ｄ_１０）－１Ｈ－３λ^４－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－３－イル）フェノキシ）－９Ｈ－カルバゾール、テトラフルオロボラート塩（１．８５ｇ、収率８３％）を得た。

９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－２－（３－（３－（５’－クロロ－［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－２’－イル－２，２’’，３，３’’，４，４’’，５，５’’，６，６’’－ｄ_１０）－１Ｈ－３λ^４－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－１－イル）フェノキシ）－９Ｈ－カルバゾールの白金（ＩＩ）錯体の合成
有機溶媒（１１．５ｍＬ）中９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－２－（３－（１－（５’－クロロ－［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－２’－イル－２，２’’，３，３’’，４，４’’，５，５’’，６，６’’－ｄ_１０）－１Ｈ－３λ^４－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－３－イル）フェノキシ）－９Ｈ－カルバゾール，テトラフルオロボラート塩（１．００ｇ、１．２ｍｍｏｌ、１当量）及びＰｔ前駆体（１．１当量）の懸濁液を窒素で１５分間スパージした。窒素下で、シリンジを介して塩基（３．３当量）を添加した。窒素雰囲気下で、反応物を１３５℃で１８時間加熱した。粗混合物を室温まで冷却し、水（１００ｍＬ）に注いだ。得られた黄褐色の懸濁液を１時間撹拌し、その後濾過した。固体を水（３×５０ｍＬ）、その後メタノール（３×５０ｍＬ）で洗浄した。その後、固体をジクロロメタン（１００ｍＬ）に溶解し、水（１００ｍＬ）を含む分液漏斗に移した。層を分離し、水相をジクロロメタン（３×７５ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層を硫酸ナトリウムに乾燥させ、シリカ上でクロマトグラフィーにかけ、ヘキサン中６０％ジクロロメタンで溶出し、黄色固体として、９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－２－（３－（３－（５’－クロロ－［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－２’－イル－２，２’’，３，３’’，４，４’’，５，５’’，６，６’’－ｄ_１０）－１Ｈ－３λ^４－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－１－イル）フェノキシ）－９Ｈ－カルバゾールの白金（ＩＩ）錯体（０．５３ｇ、収率４７％）を得た。

Ｐｔ［ＬＡ’１－（Ｒ２９）（Ｒ６）（Ｒ６）（Ｒ１）］［Ｌｙ９（Ｒ１）（Ｒ７）（Ｒ１）］（ＢＤ１）の合成
窒素充填グローブボックスにおいて、バイアルに、９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－２－（３－（３－（５’－クロロ－［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－２’－イル－２，２’’，３，３’’，４，４’’，５，５’’，６，６’’－ｄ_１０）－１Ｈ－３λ^４－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－１－イル）フェノキシ）－９Ｈ－カルバゾールの白金（ＩＩ）錯体（０．５３ｇ、０．５４ｍｍｏｌ、１当量）、シアン化亜鉛（ＩＩ）（０．０６４ｇ、０．５４ｍｍｏｌ １当量）、炭酸セシウム（０．０３５ｇ、０．１１ｍｍｏｌ、０．２当量）、Ｓｐｈｏｓ Ｐｄ Ｇ２（０．０３９ｇ、０．０５ｍｍｏｌ、０．１当量）、及びＤＭＦ（５．４ｍＬ）を投入し、１００℃で１８時間加熱した。反応物を室温まで冷却し、ジクロロメタン（５０ｍＬ）及び脱イオン水（５０ｍＬ）を含む分液漏斗に注いだ。層を分離し、水相をジクロロメタン（３×５０ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層を水（３×１００ｍＬ）及び飽和ブライン（１×１００ｍＬ）で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、シリカゲル（５ｇ）上に吸収させた。粗生成物をシリカ上でクロマトグラフィーにかけ、ヘキサン中６０％ジクロロメタンで溶出し、黄色固体として、Ｐｔ［ＬＡ’１－（Ｒ２９）（Ｒ６）（Ｒ６）（Ｒ１）］［Ｌｙ９（Ｒ１）（Ｒ７）（Ｒ１）］（０．２２４ｇ、収率４３％）を得た。

Ｐｔ［ＬＡ’１－（Ｒ７）（Ｒ６）（Ｒ６）（Ｒ１）］［Ｌｙ９（Ｒ１）（Ｒ７）（Ｒ１）］（ＢＤ２）の合成

２，６－ジブロモ－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－Ｎ－（２－ニトロフェニル）アニリンの合成：無水Ｎ－メチル－２－ピロリジオン（ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｏｎｅ）（５０ｍＬ）中２，６－ジブロモ－４－ｔｅｒｔ－ブチルアニリン（１５．０ｇ、４８．９ｍｍｏｌ、１．０当量）の溶液を窒素で１５分間スパージした。溶液を０℃に冷却した。鉱油（４．８９ｇ、１２２ｍｍｏｌ、２．５当量）中水素化ナトリウムの６０％分散液を３０分かけて５００ｍｇずつ添加した。２－フルオロニトロベンゼン（５．６６ｍＬ、５３．７ｍｍｏｌ、１．１当量）を０℃で滴下し、暗赤色の溶液を得た。反応混合物を室温まで加温し、１８時間撹拌した。反応混合物を０℃まで冷却し、氷水（３ｍＬ）で徐々にクエンチした。得られた濃い懸濁液を脱イオン水（４００ｍＬ）に注ぎ、室温で１時間撹拌し、オフホワイトの析出物を形成した。得られた固体を濾過し、水（３×２５ｍＬ）及びヘキサン（２×２５ｍＬ）で洗浄した。固体を真空下７５℃で４８時間乾燥させ、オレンジ色の固体として、２，６－ジブロモ－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－Ｎ－（２－ニトロフェニル）アニリン（１８．２ｇ、収率８７％）を得た。

Ｎ^１－（２，６－ジブロモ－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）フェニル）ベンゼン－１，２－ジアミンの合成
ＴＨＦ（９３ｍＬ）及び酢酸（９３ｍＬ）の混合物中２，６－ジブロモ－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－Ｎ－（２－ニトロフェニル）アニリン（１２．０ｇ、２８ｍｍｏｌ、１．０当量）の溶液を窒素で１５分間スパージした。アイスバスの中で、オレンジ色の溶液を０℃まで冷却し、亜鉛粉末（１１．０ｇ、１６８ｍｍｏｌ、６．０当量）を一度に添加した。反応混合物を２時間で室温まで加温し、１６時間撹拌した。反応混合物をＴＨＦ（２００ｍＬ）で希釈し、セライトパッドで濾過し、固体を除去し、ＴＨＦ（２×２５ｍＬ）で洗浄した。得られた溶液を減圧下で濃縮し、酢酸エチル（２００ｍＬ）で希釈し、飽和炭酸カリウム（１００ｍＬ）で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、セライト（１００ｇ）上で濃縮した。粗材料をシリカ上でクロマトグラフィーにかけ、ヘキサン中１０～３０％の勾配の酢酸エチルで溶出し、ベージュの粉末として、Ｎ^１－（２，６－ジブロモ－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）フェニル）ベンゼン－１，２－ジアミン：２，６－ジブロモ－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－Ｎ－（２－ニトロフェニル）アニリンの溶液を得た（７．５ｇ、収率６７％）。

Ｎ^１－（３－（（９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）オキシ）フェニル）－Ｎ^２－（２，６－ジブロモ－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）フェニル）ベンゼン－１，２－ジアミン：Ｎ^１－（２，６－ジブロモ－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）フェニル）ベンゼン－１，２－ジアミンの溶液の合成
無水トルエン（１７１ｍＬ）中２，６－ジブロモ－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－Ｎ－（２－ニトロフェニル）アニリン（６．８ｇ、１７．１ｍｍｏｌ、１．０当量）、９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－２－（３－ヨードフェノキシ）－９Ｈ－カルバゾール（８．８５ｇ、１７．１ｍｍｏｌ）、及びＢＩＮＡＰ Ｐｄ Ｇｅｎ３（０．８４７ｇ、０．８５ｍｍｏｌ、０．０５当量）の溶液を窒素で１５分間スパージした。ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（４．９ｇ、５１．２ｍｍｏｌ、３．０当量）を一度に添加し、スパージングを更に５分間継続した。反応混合物を１００℃で１６時間加熱し、濃い溶液を形成した。反応混合物を室温まで冷却し、セライトプラグに通して濾過した。溶液を減圧下で濃縮した。粗材料をシリカ上でクロマトグラフィーにかけ、ヘキサン中３０～８０％の勾配のジクロロメタンで溶出した。生成物をジエチルエーテル（３０ｍＬ）から粉砕し、ベージュの粉末として、Ｎ^１－（３－（（９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）オキシ）フェニル）－Ｎ^２－（２，６－ジブロモ－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）フェニル）ベンゼン－１，２－ジアミン（６．２ｇ、収率４６％）を得た。

３－（３－（（９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）オキシ）フェニル）－１－（２，６－ジブロモ－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）フェニル）－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－３－イウムクロリドの合成
Ｎ^１－（３－（（９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）オキシ）フェニル）－Ｎ^２－（２，６－ジブロモ－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）フェニル）ベンゼン－１，２－ジアミン（８．１ｇ、１０．３ｍｍｏｌ、１．０当量）、オルトギ酸トリエチル（５１ｍＬ、３０８ｍｍｏｌ、３０当量）、及び濃ＨＣｌ（０．６２ｍＬ、２０．５ｍｍｏｌ、２．０当量）の混合物を９０℃で１６時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却し、ジエチルエーテル（１５０ｍＬ）で希釈し、１５分間激しく撹拌した。得られた固体を濾過し、ジエチルエーテル（３×１５ｍＬ）で洗浄し、ベージュの固体として、３－（３－（（９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）オキシ）フェニル）－１－（２，６－ジブロモ－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）フェニル）－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－３－イウムクロリド（５．３ｇ、収率６１％）を得た。

Ｐｔ［ＬＡ’１－（Ｒ７）（Ｒ６）（Ｒ６）（Ｒ１）］［Ｌｙ９（Ｒ１）（Ｒ７）（Ｒ１）］（ＢＤ２）の合成
有機溶媒（５０ｍＬ）中３－（３－（（９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）オキシ）フェニル）－１－（２，６－ジブロモ－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）フェニル）－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－３－イウムクロリド（４．１６ｇ、５．０ｍｍｏｌ、１．０当量）、白金前駆体（１．０当量）、及び塩基（３．３当量）の溶液を窒素で１０分間スパージした。１１５℃で８２時間加熱した後、反応混合物を室温まで冷却し、メタノール（１５０ｍＬ）で希釈した。混合物を１５分間撹拌し、得られた固体を濾過し、メタノール（２ｘ１５ｍＬ）で洗浄した。固体をジクロロメタン（１００ｍＬ）中に溶解し、セライト（５０ｇ）上に吸収させた。粗材料をシリカ上でクロマトグラフィーにかけ、ヘキサン中３０～５０％の勾配のジクロロメタンで溶出した。生成物をジクロロメタン（１０ｍＬ）で溶解し、メタノール（６０ｍＬ）で析出させ、濾過し、黄色固体として、Ｐｔ［ＬＡ’１－（Ｒ７）（Ｒ６）（Ｒ６）（Ｒ１）］［Ｌｙ９（Ｒ１）（Ｒ７）（Ｒ１）］（３．５ｇ、収率７１％）を得た。

Ｐｔ［ＬＡ’１－（Ｒ９５）（Ｒ６）（Ｒ６）（Ｒ１）］［Ｌｙ９（Ｒ１）（Ｒ７）（Ｒ１）］（ＢＤ３）の合成

グローボックスにおいて、無水ＴＨＦ（１４ｍＬ）中トリフェニルシリルクロリド（１．０ｇ、３．４ｍｍｏｌ、１．０当量）の溶液を、室温で１６時間、リチウム金属（１１８ｍｇ、１７．０ｍｍｏｌ、５．０当量）で処理し、濃い溶液を得て、シリンジフィルターで濾過し、濃い溶液として、トリフェニルシリルリチウム（０．２５Ｍ、想定定量的収率）を得た。無水ジオキサン（１７ｍＬ）中９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－２－（３－（３－（５’－クロロ－［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－２’－イル－２，２’’，３，３’’，４，４’’，５，５’’，６，６’’－ｄ_１０）－１Ｈ－３λ^４－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－１－イル）フェノキシ）－９Ｈ－カルバゾール（１．０ｇ、１．０ｍｍｏｌ、１．０当量）の白金（ＩＩ）錯体及びＳＰｈｏｓ Ｐｄ Ｇｅｎ２（７４ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ、０．１当量）の混合物を窒素で１０分間スパージした。ＴＨＦ中０．２５Ｍトリフェニルシリルリチウム（６．１６ｍＬ、１．５ｍｍｏｌ、１．５当量）を添加し、反応混合物を７０℃（外側で（ｅｘｔｅｒｎａｌ））で１６時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却し、メタノール（１ｍＬ）でクエンチした。粗生成物をシリカ上でクロマトグラフィーにかけ、ヘキサン中３０％ジクロロメタンで溶出した。精製した材料をジクロロメタン（４ｍＬ）中で溶解し、メタノール（５０ｍＬ）で析出させ、濾過により回収し、真空下６０℃で１６時間乾燥させ、黄色固体として、Ｐｔ［ＬＡ’１－（Ｒ９５）（Ｒ６）（Ｒ６）（Ｒ１）］［Ｌｙ９（Ｒ１）（Ｒ７）（Ｒ１）］（１．１ｇ、収率９３％）を得た。

Ｐｔ［ＬＡ’１－（Ｒ４３）（Ｒ６）（Ｒ６）（Ｒ１）］［Ｌｙ９（Ｒ１）（Ｒ７）（Ｒ１）］（ＢＤ４）の合成

ジオキサン（９．３ｍＬ）及び水（０．９ｍＬ）の９：１混合物中９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－２－（３－（３－（５’－クロロ－［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－２’－イル－２，２’’，３，３’’，４，４’’，５，５’’，６，６’’－ｄ_１０）－１Ｈ－３λ^４－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－１－イル）フェノキシ）－９Ｈ－カルバゾールの白金（ＩＩ）錯体（９００ｍｇ、０．９２ｍｍｏｌ、１．０当量）（１．０ｇ、１．０ｍｍｏｌ、１．０当量）、（２，６－ビス（メチル－ｄ_３）フェニル）ボロン酸（０．４８０ｇ、３．１ｍｍｏｌ、３．０当量）、ＳＰｈｏｓ Ｐｄ Ｇｅｎ２（０．０７４ｇ、０．１０ｍｍｏｌ、０．１当量）、及びリン酸カリウム（０．６５３ｇ、３．１ｍｍｏｌ、３．０当量）の混合物を窒素で５分間スパージした。１１０℃で（外部で）１６時間加熱した後、反応混合物を室温まで冷却し、ジクロロメタン（１０ｍＬ）で希釈し、減圧下で乾燥するまで蒸発させた。粗材料をシリカ上でクロマトグラフィーにかけ、ヘキサン中３０～５０％の勾配のジクロロメタンで溶出した。精製した材料をジクロロメタン（４ｍＬ）中で溶解し、メタノール（５０ｍＬ）で析出し、濾過により回収し、空気乾燥し、黄色固体として、Ｐｔ［ＬＡ’１－（Ｒ４３）（Ｒ６）（Ｒ６）（Ｒ１）］［Ｌｙ９（Ｒ１）（Ｒ７）（Ｒ１）］（７５０ｍｇ、収率７２％）を得た。

Ｐｔ［ＬＡ’１－（Ｒ８１）（Ｒ６）（Ｒ６）（Ｒ１）］［Ｌｙ９（Ｒ１）（Ｒ７）（Ｒ１）］（ＢＤ５）の合成

無水ＴＨＦ（２ｍＬ）中９Ｈ－カルバゾール（３４３ｍｇ、２．１ｍｍｏｌ、２．０当量）の溶液を窒素で２分間スパージし、その後室温でジエチルエーテル中３Ｍメチルマグネシウムクロリド（５１３μＬ、１．６ｍｍｏｌ、１．５当量）で処理した。３０℃で（外部で）３０分間加熱した後、キシレン（１０ｍＬ）中９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－２－（３－（３－（５’－クロロ－［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－２’－イル－２，２’’，３，３’’，４，４’’，５，５’’，６，６’’－ｄ_１０）－１Ｈ－３λ^４－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－１－イル）フェノキシ）－９Ｈ－カルバゾール（１．０ｇ、１．０ｍｍｏｌ、１．０当量）の白金（ＩＩ）錯体及びＢｒｅｔｔＰｈｏｓ Ｐｄ Ｇｅｎ４（９４ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ、０．１当量）の混合物に得られた溶液を添加した。１２０℃で（外部で）１６時間加熱した後、反応混合物を室温まで冷却し、メタノール（１ｍＬ）でクエンチし、ジクロロメタン（１０ｍＬ）で希釈し、減圧下で乾燥するまで蒸発させた。粗材料をシリカ上でクロマトグラフィーにかけ、ヘキサン中３０～８０％の勾配のジクロロメタンで溶出した。精製した材料をジクロロメタン（４ｍＬ）中で溶解し、メタノール（５０ｍＬ）で析出させ、濾過により回収し、空気乾燥し、黄色固体として、Ｐｔ［ＬＡ’１－（Ｒ８１）（Ｒ６）（Ｒ６）（Ｒ１）］［Ｌｙ９（Ｒ１）（Ｒ７）（Ｒ１）］（９２０ｍｇ、収率８１％）を得た。

Ｐｔ［ＬＡ’１－（Ｒ１０７）（Ｒ６）（Ｒ６）（Ｒ１）］［Ｌｙ９（Ｒ１）（Ｒ７）（Ｒ１）］（ＢＤ６）の合成

ジオキサン（９．２ｍＬ）中９－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）ピリジン－２－イル）－２－（３－（３－（５’－クロロ－［１，１’：３’，１’’－テルフェニル］－２’－イル－２，２’’，３，３’’，４，４’’，５，５’’，６，６’’－ｄ_１０）－１Ｈ－３λ^４－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－１－イル）フェノキシ）－９Ｈ－カルバゾールの白金（ＩＩ）錯体（９００ｍｇ、０．９２ｍｍｏｌ、１．０当量）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－４－イルボロン酸（５８７ｍｇ、２．８ｍｍｏｌ、３．０当量）、ＳＰｈｏｓ Ｐｄ Ｇｅｎ２（６７ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ、０．１当量）、及びリン酸カリウム（５８８ｍｇ、２．８ｍｍｏｌ、３．０当量）の混合物を窒素で５分間スパージした。１１０℃で（外部で）１６時間加熱した後、反応混合物を室温まで冷却し、ジクロロメタン（１０ｍＬ）で希釈し、減圧下で乾燥するまで蒸発させた。粗材料をシリカ上でクロマトグラフィーにかけ、ヘキサン中３０～８０％の勾配のジクロロメタンで溶出した。精製した材料をジクロロメタン（４ｍＬ）中で溶解し、メタノール（５０ｍＬ）で析出させ、濾過により回収し、空気乾燥し、黄色固体として、Ｐｔ［ＬＡ’１－（Ｒ１０７）（Ｒ６）（Ｒ６）（Ｒ１）］［Ｌｙ９（Ｒ１）（Ｒ７）（Ｒ１）］（１．０ｇ、収率９９％）を得た。

ＤＦＴ算出

表１は、発明化合物１～１１及び比較例のＤＦＴ計算をまとめる。全ての化合物は飽和青色領域にＴ１を有するように計算される。全ての発明化合物のＨＯＭＯ及びＬＵＭＯエネルギーは、比較例のものよりも狭く、これはデバイス中の電荷をより良く捕捉し、より高い効率をもたらすであろう。

上述の特定されたＤＦＴ関数集合及び基底集合で得られた計算は理論的である。本明細書で使用されるＣＥＰ－３１Ｇ関数系を有するＧａｕｓｓｉａｎ等の計算複合プロトコルは、電子効果が相加的であるので、より大きな関数系を使用して完全関数系（ｃｏｍｐｌｅｔｅ ｂａｓｉｓ ｓｅｔ：ＣＢＳ）限界を推定することができるという仮定に依存する。しかしながら、研究の目標が一連の構造的に関連した化合物におけるＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ、Ｓ_１、Ｔ_１、結合解離エネルギー等の変化を理解することである場合、相加的効果は同様であると予想される。従って、Ｂ３ＬＹＰの使用からの絶対誤差は他の計算方法と比較して有意であるかもしれないが、Ｂ３ＬＹＰプロトコルで計算したＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ、Ｓ_１、Ｔ_１、及び結合解離エネルギー値の間の相対的差異は実験を非常に良く再現すると予想される（例えば、Ｈｏｎｇ ｅｔ ａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２０１６，２８，５７９１－９８，５７９２－９３ ａｎｄ Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔａｌ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎを参照（ＯＬＥＤ材料の文脈におけるＤＦＴ計算の信頼性について議論する））。更に、ＯＬＥＤ技術において有用なイリジウム又は白金錯体に関しては、ＤＦＴ計算から得られたデータは実際の実験データと非常によく相関する。Ｔａｖａｓｌｉ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．２０１２，２２，６４１９－２９，６４２２（表３）（様々な発光錯体の実際のデータと密接に相関するＤＦＴ計算を示す）；Ｍｏｒｅｌｌｏ，Ｇ．Ｒ．，Ｊ．Ｍｏｌ．Ｍｏｄｅｌ．２０１７，２３：１７４（様々なＤＦＴ関数集合及び関数系を研究し、Ｂ３ＬＹＰ及びＣＥＰ－３１Ｇの組合せは発光錯体について特に正確であると結論した）を参照。

ＯＬＥＤは、１５－Ω／ｓｑのシート抵抗を有する酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）層でプレコートしたガラス基板上で成長させた。任意の有機層堆積又はコーティングの前に、基板を溶媒で脱脂し、酸素プラズマを用いて、１００ｍＴｏｒｒで５０Ｗ、１．５分間処理し、その後ＵＶオゾンで５分間処理した。表１におけるデバイスは、高真空下（＜１０^－７Ｔｏｒｒ）における熱蒸着で作製した。アノード電極は、７５０Åの酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）であった。デバイス実施例は、ＩＴＯ表面から順に、１００Åの化合物１（ＨＩＬ）、２５０Åの化合物２（ＨＴＬ）、５０Åの化合物３（ＥＢＬ）、５０％の化合物４ａｎｄ１２％の化合物ＢＤ１－ＢＤ７でドープした３００Åの化合物３（ＥＭＬ）、５０Åの化合物４（ＢＬ）、３５％の化合物６でドープした３００Åの化合物５（ＥＴＬ）、１０Åの化合物５（ＥＩＬ）からなる有機層と、１，０００ÅのＡｌ（カソード）とからなった。デバイスはいずれも、作製後直ちに、窒素グローブボックス（＜１ｐｐｍのＨ_２Ｏ及びＯ_２）中で、エポキシ樹脂で封止したガラス製の蓋で封入し、水分ゲッターをパッケージに入れた。ドーピング率は体積％である。

デバイスの性能

表２は、発明化合物ＢＤ１～ＢＤ５及び比較例ＢＤ７のデバイス性能をまとめる。全ての発明化合物がより高いＥＱＥを示すことを理解することができる。特定の理論に拘束されることなく、それはおそらく自己クエンチングを減少させる増強された嵩高さに起因すると考えられる。ＢＤ２は、色点（より小さいＣＩＥｙ）に関して非常に優れており、他の全ての指標が同等かそれ以上である。青色領域におけるより小さいＣＩＥｙは、飽和青色有機ＥＬデバイスを実現するために重要である。上記の全ての結果は、実験誤差に起因し得るいかなる値も超えており、観察された改善は有意で予想外である。

Claims (10)

1. 式Ｉの構造を有する化合物。
   式Ｉ
   

   

   （式中、ＭはＰｔ又はＰｄであり；
   環Ａ、Ｂ、Ｃ、及びＤは、それぞれ独立して、５員又は６員の炭素環又は複素環であり；
   Ｚ^１、Ｚ^２、及びＺ^３の１つはＮであり、他の２つはＣであり；
   Ｘ^１～Ｘ^１０は、それぞれ独立して、Ｃ又はＮであり；
   Ｋは、直接結合、Ｏ、Ｓ、Ｎ（Ｒ^α）、Ｐ（Ｒ^α）、Ｂ（Ｒ^α）、Ｃ（Ｒ^α）（Ｒ^β）、及びＳｉ（Ｒ^α）（Ｒ^β）からなる群から選択され；
   Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立して、直接結合、ＢＲ、ＢＲＲ’、ＮＲ、ＰＲ、Ｐ（Ｏ）Ｒ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ’、Ｃ＝ＣＲ’Ｒ’’、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ_２、ＣＲ、ＣＲＲ’、ＳｉＲＲ’、ＧｅＲＲ’、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びそれらの組合せからなる群から選択され；
   Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、及びＲ^Ｄは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換までを表す、又は無置換を表し；
   Ｒ^Ｅは、モノから最大可能置換までを表し；
   Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’、Ｒ^α、Ｒ^β、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、Ｒ^Ｄ、及びＲ^Ｅは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、ボリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びそれらの組合せからなる群から選択される置換基であり；
   Ｒ^１は、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、ボリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びそれらの組合せからなる群から選択され；
   少なくとも１つのＲ^Ｅは、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキル、及びヘテロアルキルからなる群から選択される置換基を含み；
   任意の２つの置換基は結合又は縮合して、環を形成してもよいが、Ｘ^３又はＸ^４でのＲ^Ｅは、Ｒ^Ａと結合し、環を形成することができず；
   但し、Ｒ^１は、メチル基ではなく；
   但し、前記化合物は、以下：
   

   

   ではなく；
   但し、（ｉ）Ｌ^１がＣＲＲ’である場合、又は（ｉｉ）環Ａがイミダゾ―ルであり、２つのＲ^Ａが縮合ベンゾ環を形成しない場合、Ｒ^１は、Ｃ_６Ｈ_５、Ｃ_６Ｄ_５、又はｔｅｒｔ－ブチルであることができない。）
2. 前記化合物が式ＩＡを有する、請求項１に記載の化合物。
   

   

   （式中、Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２は、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、ボリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びそれらの組合せからなる群から選択される置換基であり；
   Ｒ^ＥＥ１及びＲ^ＥＥ２は、同一でも異なっていてもよい。）
3. Ｘ^１～Ｘ^１０は、それぞれＣであるか、又はＸ^１～Ｘ^１０の少なくとも１つは、Ｎである；及び／又は
   Ｚ^３はＮである；及び／又は
   Ｋは直接結合又はＯである；及び／又は
   環Ａは、イミダゾ―ル、ピリミジン－４，６－ジオン、及びピリミジン－４－オンからなる群から選択される；及び／又は環Ｂ、環Ｃ、及び環Ｄは、それぞれ独立して、ベンゼン、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、イミダゾ―ル、ピラゾール、ピロール、オキサゾール、フラン、チオフェン、及びチアゾールからなる群から選択され；及び／又は
   Ｌ^１は、Ｏ、Ｓ、ＢＲ’、ＮＲ’、及びＳｅからなる群から選択される；及び／又はＬ^２は、Ｏ、Ｓ、ＣＲ’、ＢＲ’、ＮＲ’、及びＳｅからなる群から選択される；及び／又は
   Ｘ^３又はＸ^４での少なくとも１つのＲ^Ｅは、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキル、及びヘテロアルキルからなる群から選択される置換基を含む；及び／又は
   Ｒ^１は、アリール及びヘテロアリールからなる群から選択される部分を含む；及び／又は
   Ｒ^１はシリル基を含む、又はＲ^１は部分的に又は完全に重水素化される、請求項１に記載の化合物。
4. 前記化合物が以下の構造を有する、請求項１に記載の化合物。
   

   

   （式中、Ｘ^１１～Ｘ^２６は、それぞれ独立して、Ｃ又はＮであり；
   Ｒ^ＡＡ、Ｒ^ＢＢ、Ｒ^ＣＣ、及びＲ^ＤＤは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換までを表す、又は無置換を表し；
   Ｒ^ＡＡ、Ｒ^ＢＢ、Ｒ^ＣＣ、及びＲ^ＤＤは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、ボリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びそれらの組合せからなる群から選択される置換基であり；
   任意の２つの置換基は、任意に縮合又は結合し、環を形成してもよい。）
5. 前記化合物が以下からなる群から選択される、請求項１に記載の化合物。
   

   

   

   （式中、Ｒ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｃ１、Ｒ^Ｃ２、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２、Ｒ^ＥＥ１、及びＲ^ＥＥ２は、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、ボリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びそれらの組合せからなる群から選択される置換基である。）
6. 前記化合物が以下Ｐｔ（Ｌ_Ａ’）（Ｌｙ）の式を有する化合物からなる群から選択される、請求項１に記載の化合物。
   

   

   （式中、Ｌ_Ａ’は、下記からなる群から選択され；
   

   

   Ｌ_ｙは以下からなる群から選択され；
   

   

   

   

   式中、Ｒ^ＣＣ、Ｒ^ＤＤ、及びＲ^ＥＥは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換までを表す、又は無置換を表し；
   Ｒ^１、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^ＣＣ、Ｒ^ＤＤ、Ｒ^ＥＥ、Ｒ^Ｘ、及びＲ^Ｙは、それぞれ独立して、下記からなる群から選択される。）
   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   
7. 前記化合物が以下Ｐｔ（Ｌ_Ａ’）（Ｌｙ）の式を有する化合物からなる群から選択される、請求項１に記載の化合物。
   

   

   （式中、Ｌ_Ａ’は、Ｌ_Ａ’ｍ－（Ｒｉ）（Ｒｊ）（Ｒｋ）（Ｒｌ）及びＬ_Ａ’ｍ’－（Ｒｉ’）（Ｒｊ）（Ｒｋ）（Ｒｌ）の構造からなる群から選択され、ｍは１～３及び８～１２の整数であり、ｍ’は４～７の整数であり、ｉは５～１３５の整数であり、ｉ’は８～１３５の整数であり，ｊ、ｋ、及びｌは、それぞれ独立して、１～１３５の整数であり；Ｌ_Ａ’１－（Ｒ５）（Ｒ１）（Ｒ１）（Ｒ１）～Ｌ_Ａ’１２－（Ｒ１３５）（Ｒ１３５）（Ｒ１３５）（Ｒ１３５）は、以下に定義される構造を有し；
   

   

   

   式中、Ｌ_ｙは、Ｌ_ｙｎ－（Ｒｓ）（Ｒｔ）（Ｒｕ）の構造からなる群から選択され、ｎは１～３３の整数であり、ｓ、ｔ、及びｕは、それぞれ独立して、１～１３５の整数であり；Ｌ_ｙ１－（Ｒ１）（Ｒ１）（Ｒ１）～Ｌ_Ａ’３３－（Ｒ１３５）（Ｒ１３５）（Ｒ１３５）は、下記で定義される構造を有し；
   

   

   

   

   

   式中、Ｒ１～Ｒ１３５は、以下のリスト５の構造を有する。）
   リスト５：
   

   

   

   

   

   

   

   
8. 前記化合物が下記からなる群から選択される、請求項１に記載の化合物。
   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   
9. アノードと；
   カソードと；
   前記アノードと前記カソードとの間に配置され、請求項１に記載の化合物を含む有機層と、
   を含むことを特徴とする有機発光デバイス。
10. アノードと；
    カソードと；
    前記アノードと前記カソードとの間に配置され、請求項１に記載の化合物を含む有機層と、
    を含む有機発光デバイスを含むことを特徴とする消費者製品。
    

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