KR20240069656A - 유기 전계발광 물질 및 디바이스 - Google Patents
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Abstract
화학식 Ir(LA)m(LB)n의 화합물로서, LA는 화학식 I,의 구조를 갖고, LB는 화학식 II, 의 구조를 갖는 것인 화합물이 제공된다. 화학식 Ir(LA)m(LB)n에서, m 및 n은 1 또는 2이고; m+n=3이고; 모이어티 D는 단환 고리 또는 최대 3개의 융합 고리를 함유하는 다환 융합 고리 시스템이고; R은 H, D, 메틸, 또는 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 메틸이고; 각 R1, R2, R3, R4, R5, R6, RA, RB, RC, RD, 및 RE는 수소이거나, 또는 본원에 정의된 일반 치환기이다. 상기를 함유하는 배합물, OLED, 및 소비자 제품이 또한 제공된다.
Description
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 35 U.S.C. § 119(e) 하에서 2023년 1월 12에 출원된 미국 가출원 번호 제63/438,582호 및 2022년 11월 11에 출원된 제63/383,284호에 대한 우선권을 주장하며, 이의 전체 내용은 인용에 의해 본원에 포함된다.
분야
본 개시내용은 일반적으로 유기 발광 다이오드 및 관련 전자 디바이스와 같은 디바이스에서 이미터로서 포함하는 유기금속 화합물 및 배합물, 그리고 이들의 다양한 용도에 관한 것이다.
유기 물질을 사용하는 광전자 디바이스는 여러 이유로 인하여 점차로 중요해지고 있다. 이와 같은 디바이스를 제조하는데 사용되는 다수의 물질들은 비교적 저렴하기 때문에, 유기 광전자 디바이스는 무기 디바이스에 비하여 비용 이점면에서 잠재성을 갖는다. 또한, 유기 물질의 고유한 특성, 예컨대 이의 가요성은 그 유기 물질이 가요성 기판 상에서의 제작과 같은 특정 적용예에 매우 적합하게 할 수 있다. 유기 광전자 디바이스의 예로는 유기 발광 다이오드/디바이스(OLED), 유기 광트랜지스터, 유기 광전지 및 유기 광검출기를 들 수 있다. OLED의 경우, 유기 물질은 통상의 물질에 비하여 성능 면에서의 이점을 가질 수 있다.
OLED는 디바이스에 전압을 인가할 때 광을 방출하는 유기 박막을 사용한다. OLED는 평면 패널 디스플레이, 조명 및 백라이팅과 같은 적용예의 용도에 있어 점차로 중요해지는 기술이다.
인광 방출 분자에 대한 하나의 적용예는 풀 컬러 디스플레이이다. 이러한 디스플레이에 대한 산업적 기준은 "포화" 색상으로 지칭되는 특정 색상을 방출하도록 조정된 픽셀을 필요로 한다. 특히, 이러한 기준은 포화 적색, 녹색 및 청색 픽셀을 필요로 한다. 대안적으로 OLED는 백색 광을 방출하도록 설계될 수 있다. 통상적인 액정 디스플레이에서, 백색 백라이트에서 나온 발광이 흡수 필터를 사용하여 여과되어 적색, 녹색 및 청색 발광을 생성한다. 동일한 기법이 또한 OLED에도 사용될 수 있다. 백색 OLED는 단일 발광층(EML) 디바이스 또는 스택 구조일 수 있다. 색상은 당업계에 주지된 CIE 좌표를 사용하여 측정될 수 있다.
요약
한 양태에서, 본 개시내용은 화학식 Ir(LA)m(LB)n의 화합물을 제공하며,
상기 식에서,
m 및 n은 각각 독립적으로 1 또는 2이고;
m+n=3이고;
LA는 하기 화학식 I의 구조를 갖고:
[화학식 I]
;
LB는 하기 화학식 II의 구조를 갖고:
[화학식 II]
;
모이어티 D는 단환 고리 또는 다환 융합 고리 시스템이고, 여기서 단환 고리 및 다환 융합 고리 시스템의 각 고리는 독립적으로 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이고;
모이어티 D는 최대 3개의 융합 고리를 포함하며;
R은 H, D, 메틸, 및 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 메틸로 이루어진 군으로부터 선택되고;
RA, RB, RC, RD, 및 RE는 각각 독립적으로 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고;
각 R1, R2, R3, R4, R5, R6, RA, RB, RC, RD, 및 RE는 독립적으로 수소이거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 보릴, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고;
임의의 2개의 치환기는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있다.
다른 양태에서, 본 개시내용은 본원에 기재된 바와 같은 화학식 Ir(LA)m(LB)n의 화합물을 포함하는 배합물을 제공한다.
또 다른 양태에서, 본 개시내용은 본원에 기재된 바와 같은 화학식 Ir(LA)m(LB)n의 화합물을 포함하는 유기층을 갖는 OLED를 제공한다.
또 다른 양태에서, 본 개시내용은 본원에 기재된 바와 같은 화학식 Ir(LA)m(LB)n의 화합물을 포함하는 유기층을 갖는 OLED를 포함하는 소비자 제품을 제공한다.
도 1은 유기 발광 디바이스를 도시한다.
도 2는 별도의 전자 수송층을 갖지 않는 역구조 유기 발광 디바이스를 도시한다.
도 2는 별도의 전자 수송층을 갖지 않는 역구조 유기 발광 디바이스를 도시한다.
A.
용어
달리 명시된 바가 없다면, 본원에서 사용된 이하의 용어들은 하기와 같이 정의된다:
본원에서 사용한 바와 같이, 용어 "유기"는 유기 광전자 디바이스를 제작하는 데 사용될 수 있는 고분자 물질뿐 아니라, 소분자 유기 물질도 포함한다. "소분자"는 중합체가 아닌 임의의 유기 물질을 지칭하며, "소분자"는 실제로 꽤 클 수도 있다. 소분자는 일부의 상황에서는 반복 단위를 포함할 수 있다. 예를 들면, 치환기로서 장쇄 알킬기를 사용하는 것은 "소분자" 유형으로부터 분자를 제외시키지 않는다. 소분자는 또한 예를 들면 중합체 주쇄 상에서의 펜던트 기로서 또는 주쇄의 일부로서 중합체에 혼입될 수 있다. 소분자는 또한 코어 모이어티 상에 생성된 일련의 화학적 셸로 이루어진 덴드리머의 코어 모이어티로서 작용할 수 있다. 덴드리머의 코어 모이어티는 형광 또는 인광 소분자 이미터일 수 있다. 덴드리머는 "소분자"일 수 있으며, OLED 분야에서 현재 사용되는 모든 덴드리머는 소분자인 것으로 여겨진다.
본원에서 사용한 바와 같이, "상단부"는 기판으로부터 가장 멀리 떨어졌다는 것을 의미하며, "하단부"는 기판에 가장 근접하다는 것을 의미한다. 제1층이 제2층의 "상부에 배치되는" 것으로 기재되는 경우, 제1층은 기판으로부터 멀리 떨어져 배치된다. 제1층이 제2층과 "접촉되어 있는" 것으로 명시되지 않는다면 제1층과 제2층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 캐소드와 애노드의 사이에 다양한 유기층이 존재한다고 해도, 캐소드는 애노드의 "상부에 배치되는" 것으로 기재될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, "용액 가공성"은 용액 또는 현탁액 형태로 액체 매체에 용해, 분산 또는 수송될 수 있고/있거나 액체 매체로부터 증착될 수 있다는 것을 의미한다.
리간드가 발광 물질의 광활성 특성에 직접적으로 기여하는 것으로 여겨지는 경우, 리간드는 "광활성"으로서 지칭될 수 있다. 보조적 리간드가 광활성 리간드의 특성을 변경시킬 수 있을지라도, 리간드가 발광 물질의 광활성 특성에 기여하지 않는 것으로 여겨지는 경우, 리간드는 "보조적"인 것으로 지칭될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, 그리고 일반적으로 당업자가 이해하고 있는 바와 같이, 제1 에너지 준위가 진공 에너지 준위에 더 근접하는 경우, 제1 "최고 점유 분자 궤도"(HOMO) 또는 "최저 비점유 분자 궤도"(LUMO) 에너지 준위는 제2 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 이온화 전위(IP)가 진공 준위에 대하여 음의 에너지로서 측정되므로, 더 높은 HOMO 에너지 준위는 더 작은 절댓값을 갖는 IP(더 적게 음성인 IP)에 해당한다. 마찬가지로, 더 높은 LUMO 에너지 준위는 절댓값이 더 작은 전자 친화도(EA)(더 적게 음성인 EA)에 해당한다. 상단부에서 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, 물질의 LUMO 에너지 준위는 동일한 물질의 HOMO 에너지 준위보다 더 높다. "더 높은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위는 "더 낮은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 상기 다이아그램의 상단부에 더 근접하게 나타난다.
본원에서 사용한 바와 같이, 그리고 일반적으로 당업자가 이해하는 바와 같이, 제1 일함수의 절댓값이 더 클 경우, 제1 일함수는 제2 일함수보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 일함수는 일반적으로 진공 준위에 대하여 음의 수로서 측정되므로, 이는 "더 높은" 일함수가 더 음성임을 의미한다. 상단부에서 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, "더 높은" 일함수는 진공 준위로부터 아래 방향으로 더 먼 것으로서 예시된다. 따라서, HOMO 및 LUMO 에너지 준위의 정의는 일함수와는 상이한 관례를 따른다.
용어 "할로", "할로겐" 및 "할라이드"는 상호교환적으로 사용되며, 불소, 염소, 브롬 및 요오드를 지칭한다.
용어 "아실"은 치환된 카르보닐 라디칼 (C(O)-Rs)을 지칭한다.
용어 "에스테르"는 치환된 옥시카르보닐 (-O-C(O)-Rs 또는 -C(O)-O-Rs) 라디칼을 지칭한다.
용어 "에테르"는 -ORs 라디칼을 지칭한다.
용어 "술파닐" 또는 "티오-에테르"는 상호교환적으로 사용되며, -SRs 라디칼을 지칭한다.
용어 "셀레닐"은 -SeRs 라디칼을 지칭한다.
용어 "술피닐"은 -S(O)-Rs 라디칼을 지칭한다.
용어 "술포닐"은 -SO2-Rs 라디칼을 지칭한다.
용어 "포스피노"는 -P(Rs)2 라디칼을 지칭하고, 각각의 Rs는 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
용어 "실릴"은 -Si(Rs)3 라디칼을 지칭하고, 각각의 Rs는 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
용어 "게르밀"은 -Ge(Rs)3 라디칼을 지칭하고, 각각의 Rs는 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
용어 "보릴"은 -B(Rs)2 라디칼 또는 이의 루이스 부가물 -B(Rs)3 라디칼을 지칭하고, 여기서 Rs는 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 각각에서, Rs는 수소이거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기일 수 있다. 바람직한 Rs는 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
용어 "알킬"은 직쇄 및 분지쇄 알킬 라디칼을 모두 지칭하고, 이를 포함한다. 바람직한 알킬기는 1 내지 15개의 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 메틸, 에틸, 프로필, 1-메틸에틸, 부틸, 1-메틸프로필, 2-메틸프로필, 펜틸, 1-메틸부틸, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1,1-디메틸프로필, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필 등을 포함한다. 추가로, 알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "시클로알킬"은 단환, 다환, 및 스피로 알킬 라디칼을 지칭하고, 이를 포함한다. 바람직한 시클로알킬기는 3 내지 12개의 고리 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실, 비시클로[3.1.1]헵틸, 스피로[4.5]데실, 스피로[5.5]운데실, 아다만틸 등을 포함한다. 추가로, 시클로알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "헤테로알킬" 또는 "헤테로시클로알킬"은 각각 헤테로원자에 의해 치환된 하나 이상의 탄소 원자를 갖는 알킬 또는 시클로알킬 라디칼을 지칭한다. 임의로, 하나 이상의 헤테로원자는 O, S, N, P, B, Si, 및 Se, 바람직하게는, O, S, 또는 N으로부터 선택된다. 추가로, 헤테로알킬 또는 헤테로시클로알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "알케닐"은 직쇄 및 분지쇄 알켄 라디칼을 모두 지칭하고, 이를 포함한다. 알케닐기는 본질적으로 알킬 쇄에 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 알킬기이다. 시클로알케닐기는 본질적으로 시클로알킬 고리 내에 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 시클로알킬기이다. 본원에 사용되는 용어 "헤테로알케닐"은 헤테로원자에 의해 치환된 하나 이상의 탄소 원자를 갖는 알케닐 라디칼을 지칭한다. 임의로, 하나 이상의 헤테로원자는 O, S, N, P, B, Si, 및 Se, 바람직하게는, O, S, 또는 N으로부터 선택된다. 바람직한 알케닐, 시클로알케닐, 또는 헤테로알케닐기는 2 내지 15개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알케닐, 시클로알케닐, 또는 헤테로알케닐기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "알키닐"은 직쇄 및 분지쇄 알킨 라디칼을 모두 지칭하고, 이를 포함한다. 알키닐기는 본질적으로 알킬 쇄에 하나 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 포함하는 알킬기이다. 바람직한 알키닐기는 2 내지 15개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알키닐기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "아르알킬" 또는 "아릴알킬"은 상호교환적으로 사용되며, 아릴기로 치환된 알킬기를 지칭한다. 추가로, 아르알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "헤테로시클릭기"는 하나 이상의 헤테로원자를 함유하는 방향족 및 비방향족 시클릭 라디칼을 지칭하고, 이를 포함한다. 임의로, 하나 이상의 헤테로원자는 O, S, N, P, B, Si, 및 Se, 바람직하게는, O, S, 또는 N으로부터 선택된다. 헤테로방향족 시클릭 라디칼은 또한 헤테로아릴과 상호교환적으로 사용될 수 있다. 바람직한 헤테로비방향족 시클릭기는 하나 이상의 헤테로원자를 포함하고, 모르폴리노, 피페리디노, 피롤리디노 등과 같은 시클릭 아민, 및 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 테트라히드로티오펜 등과 같은 시클릭 에테르/티오-에테르를 포함하는 3 내지 7개의 고리 원자를 함유하는 것들이다. 추가로, 헤테로시클릭기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "아릴"은 단일 고리 방향족 히드로카르빌기 및 폴리시클릭 방향족 고리계를 모두 지칭하고, 이를 포함한다. 폴리시클릭 고리는 2개의 탄소가 두 인접 고리(이들 고리는 "융합됨")에 공통인 2개 이상의 고리를 가질 수 있으며, 여기서, 고리들 중 하나 이상은 방향족 히드로카르빌기이고, 예를 들면, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 바람직한 아릴기는 6 내지 30개의 탄소 원자, 바람직하게는 6 내지 20개의 탄소 원자, 더 바람직하게는 6 내지 12개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 6개의 탄소, 10개의 탄소 또는 12개의 탄소를 가진 아릴기가 특히 바람직하다. 적합한 아릴기는 페닐, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 테트라페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌, 바람직하게는 페닐, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 플루오렌 및 나프탈렌을 포함한다. 추가로, 아릴기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "헤테로아릴"은 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 단일 고리 방향족기 및 폴리시클릭 방향족 고리계를 지칭하고, 이를 포함한다. 헤테로원자는, 비제한적으로, O, S, N, P, B, Si, 및 Se를 포함한다. 다수의 경우에서, O, S, 또는 N이 바람직한 헤테로원자이다. 헤테로 단일 고리 방향족계는 바람직하게는 5 또는 6개의 고리 원자를 갖는 단일 고리이고, 상기 고리는 1 내지 6개의 헤테로원자를 가질 수 있다. 헤테로 폴리시클릭 고리계는 2개의 탄소가 두 인접 고리(이들 고리는 "융합됨")에 공통인 2개 이상의 고리를 가질 수 있으며, 여기서, 고리들 중 하나 이상은 헤테로아릴이고, 예를 들면, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 헤테로 폴리시클릭 방향족 고리계는 폴리시클릭 방향족 고리계의 고리당 1 내지 6개의 헤테로원자를 가질 수 있다. 바람직한 헤테로아릴기는 3 내지 30개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 20개의 탄소 원자, 더 바람직하게는 3 내지 12개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 적합한 헤테로아릴기는 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤즈옥사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 페녹사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘, 바람직하게는 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 이미다졸, 피리딘, 트리아진, 벤즈이미다졸, 1,2-아자보린, 1,3-아자보린, 1,4-아자보린, 보라진 및 이의 아자-유사체를 포함한다. 추가로, 헤테로아릴기는 임의로 치환될 수 있다.
앞서 열거된 아릴 및 헤테로아릴기 중에서, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 이미다졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 트리아진, 및 벤즈이미다졸의 기들, 및 이들 각각의 개개 아자-유사체가 특히 관심 대상이다.
본원에 사용되는 용어 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아르알킬, 헤테로시클릭기, 아릴 및 헤테로아릴은 독립적으로 비치환되거나, 또는 독립적으로 하나 이상의 일반 치환기로 치환된다.
다수의 경우에서, 일반 치환기는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 셀레닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 경우에서, 바람직한 일반 치환기는 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 아릴, 헤테로아릴, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 경우에서, 더 바람직한 일반 치환기는 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 아릴, 헤테로아릴, 술파닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
다른 경우에서, 가장 바람직한 일반 치환기는 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
용어 "치환된" 및 "치환"은 관련된 위치, 예컨대 탄소 또는 질소에 결합되는 H 이외의 치환기를 나타낸다. 예를 들면, R1이 일치환을 나타내는 경우, 하나의 R1은 H 이외의 것이어야 한다(즉, 치환). 유사하게, R1이 이치환을 나타내는 경우, R1 중 2개는 H 이외의 것이어야 한다. 유사하게, R1이 비치환 또는 비치환을 나타내는 경우, R1은 예를 들어 벤젠의 탄소 원자 및 피롤의 질소 원자와 같이 고리 원자의 이용가능한 원자가에 대해 수소일 수 있거나, 또는 단순히 완전히 충전된 원자가를 갖는 고리 원자, 예컨대 피리딘의 질소 원자에 대해 아무 것도 나타내지 않을 수 있다. 고리 구조에서 가능한 최대수의 치환은 고리 원자에서 이용가능한 원자가의 총 개수에 따라 달라진다.
본원에서 사용한 바와 같이, "이들의 조합"은 해당되는 목록 중 하나 이상의 구성요소가 조합되어 본 기술분야의 당업자가 해당하는 목록으로부터 구상할 수 있는 공지되거나 또는 화학적으로 안정한 배열을 형성하는 것을 나타낸다. 예를 들면, 알킬 및 중수소는 조합되어 부분적 또는 전체적 중수소화된 알킬기를 형성할 수 있고; 할로겐 및 알킬은 조합되어 할로겐화된 알킬 치환기를 형성할 수 있고; 할로겐, 알킬, 및 아릴은 조합되어 할로겐화된 아릴알킬을 형성할 수 있다. 하나의 경우에서, 용어 치환은 열거된 기들 중의 2 내지 4개의 조합을 포함한다. 다른 경우에서, 용어 치환은 2 내지 3개의 기의 조합을 포함한다. 또 다른 경우에서, 용어 치환은 2개의 기의 조합을 포함한다. 치환기의 바람직한 조합은 수소 또는 중수소가 아닌 최대 50개의 원자를 함유하는 것이거나, 또는 수소 또는 중수소가 아닌 최대 40개의 원자를 포함하는 것이거나, 또는 수소 또는 중수소가 아닌 최대 30개의 원자를 포함하는 것이다. 다수의 경우에서, 치환기의 바람직한 조합은 수소 또는 중수소가 아닌 최대 20개의 원자를 포함할 것이다.
본원에 기재된 분절(fragment), 즉 아자-디벤조푸란, 아자-디벤조티오펜 등에서 "아자" 표기는 각각의 방향족 고리에서의 C-H 기 중 하나 이상이 질소 원자로 치환될 수 있다는 것을 의미하며, 예를 들면 아자트리페닐렌은 디벤조[f,h]퀴녹살린 및 디벤조[f,h]퀴놀린을 모두 포함하나, 이에 제한되지 않는다. 당업자는 전술된 아자-유도체의 다른 질소 유사체를 용이하게 고려할 수 있으며, 상기 모든 유사체는 본원에 기술된 용어들에 의해 포괄되는 것으로 의도된다.
본원에서 사용한 바와 같이, "중수소"는 수소의 동위원소를 지칭한다. 중수소화된 화합물은 본 기술분야에 공지된 방법을 사용하여 용이하게 제조될 수 있다. 예를 들면, 그 전문이 인용에 의해 본원에 포함된 미국특허 제8,557,400호, 특허공개번호 WO 2006/095951, 및 미국특허출원 공개번호 US 2011/0037057은 중수소-치환된 유기금속 착물의 제조를 기술하고 있다. 추가로 문헌[Ming Yan, et al., Tetrahedron 2015, 71, 1425-30] 및 문헌[Atzrodt et al., Angew. Chem. Int. Ed. (Reviews) 2007, 46, 7744-65]을 참조하며, 이들은 그 전문이 인용에 의해 본원에 포함되며, 각각 벤질 아민에서 메틸렌 수소의 중수소화 및 중수소로 방향족 고리 수소를 치환하기 위한 효율적인 경로를 기술하고 있다.
분자 분절이 치환기인 것으로 기재되거나 그렇지 않은 경우 또다른 모이어티에 부착되는 것으로 기술되는 경우, 이의 명칭은 분절(예를 들어, 페닐, 페닐렌, 나프틸, 디벤조푸릴)인 것처럼 또는 전체 분자(예를 들어, 벤젠, 나프탈렌, 디벤조푸란)인 것처럼 기재될 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 본원에서 사용한 바와 같이, 이러한 치환기 또는 부착된 분절의 상이한 표기 방식은 동등한 것으로 간주된다.
일부 경우에, 인접 치환기의 쌍은 임의로 결합(연결)되거나 융합되어 고리가 될 수 있다. 바람직한 고리는 5원, 6원 또는 7원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이고, 치환기의 쌍에 의해 형성된 고리의 일부가 포화되는 경우 및 치환기의 쌍에 의해 형성된 고리의 일부가 불포화되는 경우를 모두 포함한다. 본원에 사용된 바와 같이, "인접"이란 안정한 융합 고리계를 형성할 수 있는 한, 2개의 가장 근접한 치환가능한 위치, 예컨대 비페닐의 2, 2' 위치, 또는 나프탈렌의 1, 8 위치를 갖는 2개의 이웃하는 고리 상에, 또는 서로 옆에 있는 동일 고리 상에 관련된 2개의 치환기가 존재할 수 있다는 것을 의미한다.
B.
본 개시내용의 화합물
한 양태에서, 본 개시내용은 화학식 Ir(LA)m(LB)n의 화합물을 제공하며,
상기 식에서, m 및 n은 각각 독립적으로 1 또는 2이고;
m+n=3이고;
LA는 하기 화학식 I의 구조를 갖고:
[화학식 I]
;
LB는 하기 화학식 II의 구조를 갖고:
[화학식 II]
;
모이어티 D는 단환 고리 또는 다환 융합 고리 시스템이고, 여기서 단환 고리 및 다환 융합 고리 시스템의 각 고리는 독립적으로 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이고;
모이어티 D는 최대 3개의 융합 고리를 포함하며;
R은 H, D, 메틸, 및 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 메틸로 이루어진 군으로부터 선택되고;
RA, RB, RC, RD, 및 RE는 각각 독립적으로 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고;
각 R1, R2, R3, R4, R5, R6, RA, RB, RC, RD, 및 RE는 독립적으로 수소이거나, 또는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고;
임의의 2개의 치환기는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있다.
일부 실시양태에서, R4 및 R5는 종합적으로 3개 이상의 탄소 원자를 포함한다. 일부 실시양태에서, R6은 3개 이상의 탄소 원자를 포함한다. 일부 실시양태에서, 다음 두 진술 중 적어도 하나가 적용된다: (1) R4 및 R5는 종합적으로 3개 이상의 탄소 원자를 포함함 또는 (2) R6은 3개 이상의 탄소 원자를 포함함. 일부 실시양태에서, 다음 두 진술 모두가 적용된다: (1) R4 및 R5는 종합적으로 3개 이상의 탄소 원자를 포함함 및 (2) R6은 3개 이상의 탄소 원자를 포함함; 임의의 2개의 치환기는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있다.
일부 실시양태에서, 각 R1, R2, R3, R4, R5, R6, RA, RB, RC, RD, 및 RE는 독립적으로 수소이거나 본원에 정의된 바람직한 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이다. 일부 실시양태에서, 각 R1, R2, R3, R4, R5, R6, RA, RB, RC, RD, 및 RE는 독립적으로 수소이거나 본원에 정의된 보다 바람직한 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이다. 일부 실시양태에서, 각 R1, R2, R3, R4, R5, R6, RA, RB, RC, RD, 및 RE는 독립적으로 수소이거나 본원에 정의된 가장 바람직한 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이다.
일부 실시양태에서, m은 1이고 n은 2이다. 일부 실시양태에서, m은 2이고 n은 1이다.
일부 실시양태에서, R은 메틸, 부분적으로 중수소화된 메틸, 또는 완전히 중수소화된 메틸이다. 일부 실시양태에서, R은 H 또는 D이다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RA는 수소 또는 중수소가 아니다. 일부 실시양태에서, 각 RA는 H이다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RA는 알킬, 시클로알킬, 불소, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 변이체, 이들의 부분적으로 또는 완전히 불소화된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RB는 수소 또는 중수소가 아니다. 일부 실시양태에서, 각 RB는 H이다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RB는 알킬, 시클로알킬, 불소, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 변이체, 이들의 부분적으로 또는 완전히 불소화된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 2개의 RB는 함께 연결되어 고리 B에 융합된 고리를 형성한다. 일부 실시양태에서, 고리 B와 고리 B에 융합된 고리는 나프탈렌, 퀴나졸린, 벤조푸란, 벤즈옥사졸, 벤조티오펜, 벤조티아졸, 벤조셀레노펜, 인덴, 인돌, 벤즈이미다졸, 카르바졸, 아자-카르바졸, 디벤조푸란, 아자-디벤조푸란, 디벤조티오펜, 아자-디벤조티오펜, 퀴녹살린, 프탈라진, 페난트렌, 페난트리딘 및 플루오렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 모이어티를 형성한다.
일부 실시양태에서, R1, R2, 또는 R3 중 적어도 하나는 알킬 또는 아릴이다. 일부 실시양태에서, R1, R2, 또는 R3 중 적어도 하나는 메틸 또는 에틸이다. 일부 실시양태에서, R1, R2, 또는 R3 중 적어도 하나는 메틸이다. 일부 실시양태에서, R1, R2, 또는 R3 중 적어도 하나는 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 알킬 또는 아릴이다.
일부 실시양태에서, 각각의 R1, R2, 및 R3는 독립적으로 알킬 또는 아릴이다.
일부 실시양태에서, R1, R2, 또는 R3는 종합적으로 적어도 2개의 탄소 원자를 포함한다. 일부 실시양태에서, R1, R2, 또는 R3은 종합적으로 적어도 3개의 탄소 원자를 포함한다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RC는 수소 또는 중수소가 아니다. 일부 실시양태에서, 각 RC는 H이다. 일부 실시양태에서, 고리 E와의 결합에 인접한 적어도 하나의 RC는 H 또는 D가 아니다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RC는 알킬, 시클로알킬, 불소, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 변이체, 이들의 부분적으로 또는 완전히 불소화된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 고리 E와의 결합에 인접한 적어도 하나의 RC는 알킬, 시클로알킬, 불소, 아릴, 헤테로아릴, 이의 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 변이체, 이의 부분적으로 또는 완전히 불소화된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, R4, R5, 또는 R6 중 적어도 하나는 알킬, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, R4, R5, 또는 R6 중 적어도 2개는 알킬, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된다.
일부 실시양태에서, R4 및 R5는 종합적으로 3개 이상의 탄소 원자를 포함한다. 일부 실시양태에서, R4 및 R5는 종합적으로 6개 이상의 탄소 원자를 포함한다.
일부 실시양태에서, R6은 3개 이상의 탄소 원자를 포함한다. 일부 실시양태에서, R6은 6개 이상의 탄소 원자를 포함한다. 일부 실시양태에서, R6은 치환 또는 비치환될 수 있는 페닐을 포함한다.
일부 실시양태에서, R6과 RE는 연결되어 고리 E에 융합된 고리를 형성한다. 일부 그러한 실시양태에서, 고리 E와 고리 E에 융합된 고리는 나프탈렌, 퀴나졸린, 벤조푸란, 벤조푸란, 벤즈옥사졸, 벤조티오펜, 벤조티아졸, 벤조셀레노펜, 인덴, 인돌, 벤즈이미다졸, 카르바졸, 아자-카르바졸, 디벤조푸란, 아자-디벤조푸란, 디벤조티오펜, 아자-디벤조티오펜, 퀴녹살린, 프탈라진, 페난트렌, 페난트리딘 및 플루오렌으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RE는 수소 또는 중수소가 아니다. 일부 실시양태에서, 각 RE는 H이다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RE는 알킬, 시클로알킬, 불소, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 변이체, 이들의 부분적으로 또는 완전히 불소화된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 모이어티 D는 단환 고리이다. 일부 실시양태에서, 모이어티 D는 방향족이다. 일부 실시양태에서, 모이어티 D는 페닐이다.
일부 실시양태에서, 모이어티 D는 다환 융합 고리 시스템이다. 일부 실시양태에서, 모이어티 D는 벤젠, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 이미다졸, 피라졸, 피롤, 옥사졸, 푸란, 티오펜, 티아졸, 나프탈렌, 퀴나졸린, 벤조푸란, 벤즈옥사졸, 벤조티오펜, 벤조티아졸, 벤조셀레노펜, 인덴, 인돌, 벤즈이미다졸, 카르바졸, 아자-카르바졸, 디벤조푸란, 아자-디벤조푸란, 디벤조티오펜, 아자-디벤조티오펜, 퀴녹살린, 프탈라진, 페난트렌, 페난트리딘 및 플루오렌으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본원에 사용된 바와 같이, 모이어티 B는 고리 B, 및 RB 치환기에 의해 형성된 고리 B에 융합된 임의의 고리를 의미한다.
일부 실시양태에서, 모이어티 B 및 모이어티 D 각각은 독립적으로 다환 융합 고리 구조일 수 있다. 일부 실시양태에서, 모이어티 B 및 모이어티 D 각각은 독립적으로 적어도 3개의 융합 고리를 포함하는 다환 융합 고리 구조일 수 있다. 일부 실시양태에서, 다환 융합 고리 구조는 2개의 6원 고리와 1개의 5원 고리를 갖는다. 일부 그러한 실시양태에서, 5원 고리는 Ir에 배위된 고리에 융합되고, 제2 6원 고리는 5원 고리에 융합된다. 일부 실시양태에서, 모이어티 B 및 모이어티 D 각각은 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 디벤조셀레노펜 및 이들의 아자 변이체로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택될 수 있다. 이러한 일부 실시양태에서, 모이어티 B 및 모이어티 D 각각은 독립적으로 중수소, 불소, 니트릴, 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기에 의해 O, S 또는 Se 원자의 오르쏘- 또는 메타-위치에서 추가로 치환될 수 있다. 이러한 일부 실시양태에서, 아자 변이체는 6 위치(O, S 또는 Se에 대해 오르쏘)에 정확히 1개의 N 원자를 함유하고 7 위치(O, S 또는 Se에 대한 메타)에 치환기를 함유한다.
일부 실시양태에서, 모이어티 B 및 모이어티 D 각각은 독립적으로 적어도 4개의 융합 고리를 포함하는 다환 융합 고리 구조일 수 있다. 일부 실시양태에서, 다환 융합 고리 구조는 3개의 6원 고리와 1개의 5원 고리를 포함한다. 일부 그러한 실시양태에서, 5원 고리는 Ir에 배위된 고리에 융합되고, 제2 6원 고리는 5원 고리에 융합되고, 제3 6원 고리는 제2 6원 고리에 융합된다. 이러한 일부 실시양태에서, 제3 6원 고리는 중수소, 불소, 니트릴, 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기에 의해 추가로 치환된다.
일부 실시양태에서, 모이어티 B 및 모이어티 D 각각은 독립적으로 적어도 5개의 융합 고리를 포함하는 다환 융합 고리 구조일 수 있다. 일부 실시양태에서, 다환 융합 고리 구조는 4개의 6원 고리와 1개의 5원 고리 또는 3개의 6원 고리와 2개의 5원 고리를 포함한다. 2개의 5원 고리를 포함하는 일부 실시양태에서, 5원 고리는 함께 융합된다. 2개의 5원 고리를 포함하는 일부 실시양태에서, 5원 고리는 적어도 하나의 6원 고리에 의해 분리된다. 1개의 5원 고리를 갖는 일부 실시양태에서, 5원 고리는 금속 M에 배위된 고리에 융합되고, 제2 6원 고리는 5원 고리에 융합되고, 제3 6원 고리는 제2 6원 고리에 융합되고, 제4 6원 고리는 제3 6원 고리에 융합된다.
일부 실시양태에서, 모이어티 B 및 모이어티 D 각각은 독립적으로 상기 기재된 다환 융합 고리의 아자 버전일 수 있다. 일부 그러한 실시양태에서, 모이어티 B 및 모이어티 D 각각은 독립적으로 정확히 1개의 아자 N 원자를 함유할 수 있다. 일부 그러한 실시양태에서, 모이어티 B 및 모이어티 D 각각은 정확히 2개의 아자 N 원자를 함유할 수 있으며, 이는 1개의 고리 또는 2개의 서로 다른 고리에 있을 수 있다. 일부 그러한 실시양태에서, 아자 N 원자를 갖는 고리는 Ir 원자로부터 적어도 2개의 다른 고리에 의해 분리된다. 일부 그러한 실시양태에서, 아자 N 원자를 갖는 고리는 Ir 원자로부터 적어도 3개의 다른 고리에 의해 분리된다. 이러한 일부 실시양태에서, 아자 N 원자의 오르쏘 위치 각각은 치환된다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RD는 수소 또는 중수소가 아니다. 일부 실시양태에서, 각 RD는 H이다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RD는 알킬, 시클로알킬, 실릴, 시아노, 불소, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 변이체, 부분적으로 또는 완전히 불소화된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RD는 페닐, 시아노, CD3, 트리메틸 실릴 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, RA, RB, RC, 및 RD 중 적어도 하나는 H 또는 D가 아니다.
일부 실시양태에서, 화합물은 전자 끄는 기를 포함한다. 전자 끄는 기는 일반적으로 불소, 산소, 황, 질소, 염소 및 브롬을 포함하지만 이에 제한되지 않는 전기 음성도가 높은 하나 이상의 원소를 포함한다. 일부 실시양태에서, 전자 끄는 기는 0보다 큰 하멧(Hammett) 상수를 갖는다. 일부 실시양태에서, 전자 끄는 기는 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0, 또는 1.1.보다 크거나 같은 하멧 상수를 갖는다.
일부 실시양태에서, 화합물은 하기 EWG1 목록의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된 전자 끄는 기를 포함한다: F, CF3, CN, COCH3, CHO, COCF3, COOMe, COOCF3, NO2, SF3, SiF3, PF4, SF5, OCF3, SCF3, SeCF3, SOCF3, SeOCF3, SO2F, SO2CF3, SeO2CF3, OSeO2CF3, OCN, SCN, SeCN, NC, +N(Rk2)3, (Rk2)2CCN, (Rk2)2CCF3, CNC(CF3)2, BRk3Rk2, 치환 또는 비치환된 디벤조보롤, 1-치환된 카르바졸, 1,9-치환된 카르바졸, 치환 또는 비치환된 카르바졸, 치환 또는 비치환된 피리딘, 치환 또는 비치환된 피리미딘, 치환 또는 비치환된 피라진, 치환 또는 비치환된 피리독신, 치환 또는 비치환된 비치환 트리아진, 치환 또는 비치환된 옥사졸, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사졸, 치환 또는 비치환된 티아졸, 치환 또는 비치환된 벤조티아졸, 치환 또는 비치환된 이미다졸, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸, 케톤, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술피닐, 술포닐, 부분적으로 및 완전히 불소화된 알킬, 부분적으로 및 완전히 불소화된 아릴, 부분적으로 및 완전히 불소화된 헤테로아릴, 시아노 함유 알킬, 시아노 함유 아릴, 시아노 함유 헤테로아릴, 이소시아네이트,
여기서 각 Rk1은 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고;
YG는 BRe, NRe, PRe, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CReRf, SiReRf, 및 GeReRf'로 이루어진 군으로부터 선택되고;
각각의 Rk1, Rk2, Rk3, Re, 및 Rf는 독립적으로 수소이거나 또는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이다.
일부 실시양태에서, 화합물은 하기 EWG2 목록의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된 전자 끄는 기를 포함한다:
일부 실시양태에서, 화합물은 하기 EWG3 목록의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된 전자 끄는 기를 포함한다:
일부 실시양태에서, 화합물은 하기 EWG4 목록의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된 전자 끄는 기를 포함한다:
일부 실시양태에서, 화합물은 π-전자 결핍 전자 끄는 기인 전자 끄는 기를 포함한다. 일부 실시양태에서, π-전자 결핍 전자 끄는 기는 하기 Pi-EWG 목록의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된다: CN, COCH3, CHO, COCF3, COOMe, COOCF3, NO2, SF3, SiF3, PF4, SF5, OCF3, SCF3, SeCF3, SOCF3, SeOCF3, SO2F, SO2CF3, SeO2CF3, OSeO2CF3, OCN, SCN, SeCN, NC, +N(Rk2)3, BRk2Rk3, 치환 또는 비치환된 디벤조보롤, 1-치환된 카르바졸, 1,9-치환된 카르바졸, 치환 또는 비치환된 카르바졸, 치환 또는 비치환된 피리딘, 치환 또는 비치환된 피리미딘, 치환 또는 비치환된 피라진, 치환 또는 비치환된 피리다진, 치환 또는 비치환된 트리아진, 치환 또는 비치환된 옥사졸, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사졸, 치환 또는 비치환된 티아졸, 치환 또는 비치환된 벤조티아졸, 치환 또는 비치환된 이미다졸, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸, 케톤, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술피닐, 술포닐, 부분적으로 및 완전히 불소화된 아릴, 부분적으로 및 완전히 불소화된 헤테로아릴, 시아노 함유 아릴, 시아노 함유 헤테로아릴 , 이소시아네이트,
여기서 변수는 이전에 정의된 바와 같다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R, R1, R2, R3, R4, R5, R6, RA, RB, RC, RD, 또는 RE는 부분적으로 또는 완전히 중수소화된다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RA는 부분적으로 또는 완전히 중수소화된다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RB는 부분적으로 또는 완전히 중수소화된다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RC는 부분적으로 또는 완전히 중수소화된다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RD는 부분적으로 또는 완전히 중수소화된다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RE는 부분적으로 또는 완전히 중수소화된다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R, R1, R2, R3, R4, R5, 또는 R6은 부분적으로 또는 완전히 중수소화된다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R, R1, R2, R3, R4, R5, R6, RA, RB, RC, RD, 또는 RE는 본원에 정의된 EWG1 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R, R1, R2, R3, R4, R5, R6, RA, RB, RC, RD, 또는 RE는 본원에 정의된 EWG2 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R, R1, R2, R3, R4, R5, R6, RA, RB, RC, RD, 또는 RE는 본원에 정의된 EWG3 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R, R1, R2, R3, R4, R5, R6, RA, RB, RC, RD, 또는 RE는 본원에 정의된 EWG4 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R, R1, R2, R3, R4, R5, R6, RA, RB, RC, RD, 또는 RE는 본원에 정의된 Pi-EWG 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RA는 본원에 정의된 EWG1 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RA는 본원에 정의된 EWG2 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RA는 본원에 정의된 EWG3 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RA는 본원에 정의된 EWG4 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RA는 본원에 정의된 Pi-EWG 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RB는 본원에 정의된 EWG1 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RB는 본원에 정의된 EWG2 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RB는 본원에 정의된 EWG3 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RB는 본원에 정의된 EWG4 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RB는 본원에 정의된 Pi-EWG 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RC는 본원에 정의된 EWG1 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RC는 본원에 정의된 EWG2 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RC는 본원에 정의된 EWG3 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RC는 본원에 정의된 EWG4 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RC는 본원에 정의된 Pi-EWG 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RD는 본원에 정의된 EWG1 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RD는 본원에 정의된 EWG2 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RD는 본원에 정의된 EWG3 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RD는 본원에 정의된 EWG4 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RD는 본원에 정의된 Pi-EWG 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RE는 본원에 정의된 EWG1 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RE는 본원에 정의된 EWG2 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RE는 본원에 정의된 EWG3 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RE는 본원에 정의된 EWG4 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RE는 본원에 정의된 Pi-EWG 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R, R1, R2, R3, R4, R5, 또는 R6은 본원에 정의된 EWG1 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R, R1, R2, R3, R4, R5, 또는 R6은 본원에 정의된 EWG2 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R, R1, R2, R3, R4, R5, 또는 R6은 본원에 정의된 EWG3 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R, R1, R2, R3, R4, R5, 또는 R6은 본원에 정의된 EWG4 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R, R1, R2, R3, R4, R5, 또는 R6은 본원에 정의된 Pi-EWG 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다.
일부 실시양태에서, 리간드 LA는 하기 목록 1의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된다:
일부 실시양태에서, 각 RA는 H이다. 일부 실시양태에서, 각 RB는 H이다. 일부 실시양태에서, 각 RA 및 각 RB는 수소이다.
리간드 LA가 목록 1로부터 선택되는 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R1, R2, R3, RA, 또는 RB는 부분적으로 또는 완전히 중수소화된다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RA는 부분적으로 또는 완전히 중수소화된다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RB는 부분적으로 또는 완전히 중수소화된다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R1, R2, 또는 R3은 부분적으로 또는 완전히 중수소화된다.
리간드 LA가 목록 1로부터 선택되는 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RA는 본원에 정의된 EWG1 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RA는 본원에 정의된 EWG2 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RA는 본원에 정의된 EWG3 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RA는 본원에 정의된 EWG4 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RA는 본원에 정의된 Pi-EWG 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다.
리간드 LA가 목록 1로부터 선택되는 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RB는 본원에 정의된 EWG1 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RB는 본원에 정의된 EWG2 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RB는 본원에 정의된 EWG3 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RB는 본원에 정의된 EWG4 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 RB는 본원에 정의된 Pi-EWG 목록으로부터의 전자끄는 기이거나 이를 포함한다.
일부 실시양태에서, 리간드 LA는 하기 목록 2의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된다:
여기서 각각의 RA1, RA2, RB1, 및 RB2는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로부터 독립적으로 선택된다.
리간드 LA가 목록 2로부터 선택되는 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R1, R2, R3, RA1, RA2, RB1 또는 RB2는 부분적으로 또는 완전히 중수소화된다.
리간드 LA가 목록 2로부터 선택되는 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R1, R2, R3, RA1, RA2, RB1 또는 RB2는 본원에 정의된 EWG1 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R1, R2, R3, RA1, RA2, RB1 또는 RB2는 본원에 정의된 EWG2 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R1, R2, R3, RA1, RA2, RB1 또는 RB2는 본원에 정의된 EWG3 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R1, R2, R3, RA1, RA2, RB1 또는 RB2는 본원에 정의된 EWG4 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다. 일부 실시양태에서, 적어도 하나의 R1, R2, R3, RA1, RA2, RB1 또는 RB2는 본원에 정의된 Pi-EWG 목록으로부터의 전자 끄는 기이거나 이를 포함한다.
일부 실시양태에서, 리간드 LA는 LAi로부터 선택되고, 여기서 i는 1 내지 191의 정수이고, 각 LAi는 하기 목록 3에서 정의된다:
일부 실시양태에서, 리간드 LB는 하기 목록 4의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된다:
상기 식에서,
Z는 BR, BRR', NR, PR, O, P(O)R, S, Se, C=O, C=S, C=Se, C=NR, C=CRR', S=O, SO2, CR, CRR', SiRR', 및 GeRR'로 이루어진 군으로부터 선택되고;
X1은 C 또는 N이고;
RDD는 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고;
각 R, R', 및 RDD는 독립적으로 수소이거나, 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고;
임의의 2개 치환기는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있다.
일부 실시양태에서, 리간드 LB는 하기 목록 5의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된다:
일부 실시양태에서, 리간드 LB는 LBk로부터 선택되며, 여기서 k는 1 내지 331의 정수이고, 각 LBk는 하기 목록 6에서 정의된다:
일부 실시양태에서, LA는 LA i 로부터 선택될 수 있으며, 여기서 i는 1 내지 191의 정수이고; LB는 LB k 로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 여기서 k는 1 내지 331의 정수이고:
화합물이 화학식 Ir(LA i )(LB k )2를 갖는 경우, 화합물은 Ir(LA 1 )(LB 1 )2 내지 Ir(LA191)(LB331)2로 이루어진 군으로부터 선택되고;
화합물이 화학식 Ir(LA i )2(LB k )를 갖는 경우, 화합물은 Ir(LA 1 )2(LB 1 ) 내지 Ir(LA191)2(LB331)로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, LA는 목록 1, 목록 2 및 목록 3의 구조로 이루어진 군으로부터 선택되고, LB는 목록 4, 목록 5 및 목록 6의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, LA는 목록 1의 구조로 이루어진 군으로부터 선택되고, LB는 목록 6의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, LA는 목록 2의 구조로 이루어진 군으로부터 선택되고 LB는 목록 6의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, LA는 본원에 정의된 LA1 내지 LA191로 이루어진 LAi의 목록 3으로부터 선택되고, LB는 LBk의 목록 6의 구조로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 k는 1부터 331까지의 정수이다.
일부 실시양태에서, 화합물은 Ir(LA)2(LB), 또는 Ir(LA)(LB)2일 수 있다. 일부 이들 실시양태에서, LA는 본원에 정의된 바와 같은 화학식 I을 가질 수 있다. 일부 이들 실시양태에서, LB는 본원에 정의된 바와 같은 화학식 II를 가질 수 있다. 이들 실시양태 중 일부에서, LA는 본원에 정의된 바와 같은 목록 1, 목록 2, 및 목록 3의 구조로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 이들 실시양태 중 일부에서, LB는 본원에 정의된 바와 같은 목록 4, 목록 5 및 목록 6의 구조로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
일부 실시양태에서, 화합물은 하기 목록 7의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된다:
다른 양태에서, 본 개시내용은 또한 하기로 이루어진 군으로부터 선택된 화합물을 제공한다:
일부 실시양태에서, 본원에 기재된 화학식 Ir(LA)m(LB)n의 구조를 갖는 화합물은 적어도 30% 중수소화, 적어도 40% 중수소화, 적어도 50% 중수소화, 적어도 60% 중수소화, 적어도 70% 중수소화, 적어도 80% 중수소화, 적어도 90% 중수소화, 적어도 95% 중수소화, 적어도 99% 중수소화, 또는 100% 중수소화될 수 있다. 본원에 사용된 바와 같이, 중수소화 백분율은 이의 통상적인 의미를 가지며, 중수소 원자로 대체되는 가능한 수소 원자(예를 들어, 수소 또는 중수소인 위치)의 백분율을 포함한다.
상기 정의된 바와 같은 M(LA)m(LB)n의 화학식을 갖는 헤테로렙틱 화합물의 일부 실시양태에서, 리간드 LA는 제1 치환기 RI를 가지며, 제1 치환기 RI는 리간드 LA의 모든 원자 중에서 금속 M으로부터 가장 멀리 떨어진 제1 원자 a-I를 갖는다. 추가로, 리간드 LB는 제2 치환기 RII를 가지며, 제2 치환기 RII는 리간드 LB의 모든 원자 중에서 금속 M으로부터 가장 멀리 떨어진 제1 원자 a-II를 갖는다.
이러한 헤테로렙틱 화합물에서, 벡터 VD1, 및 VD2는 하기에 정의된 바와 같이 정의될 수 있다. VD1은 금속 M에서 제1 원자 a-I로의 방향을 나타내며 벡터 VD1은 금속 M과 제1 치환기 RI의 제1 원자 a-I 사이의 직선 거리를 나타내는 값 D1을 갖는다. VD2는 금속 M에서 제1 원자 a-II로의 방향을 나타내며 벡터 VD2는 금속 M과 제2 치환기 RII의 제1 원자 a-II 사이의 직선 거리를 나타내는 값 D2를 갖는다.
이러한 헤테로렙틱 화합물에서, 반경이 r 인 구가 정의되며 이의 중심은 금속 M이고 반경 r 은 구가 치환기 RI, 및 RII의 일부가 아닌 화합물의 모든 원자를 둘러쌀 수 있게 하는 최소 반경이고; D1, 및 D2 중 하나 이상은 반경 r 보다 1.5 Å 이상 더 크다. 일부 실시양태에서, D1, 및 D2 중 하나 이상은 반경 r 보다 2.9, 3.0, 4.3, 4.4, 5.2, 5.9, 7.3, 8.8, 10.3, 13.1, 17.6, 또는 19.1 Å 이상 더 크다.
이러한 헤테로렙틱 화합물의 일부 실시양태에서, 화합물은 전이 쌍극자 모멘트 축을 갖고 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, 및 VD2 사이의 각도가 정의되며, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, 및 VD2 사이의 각도 중 하나 이상은 40°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, 및 VD2 사이의 각도 중 하나 이상은 30°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, 및 VD2 사이의 각도 중 하나 이상은 20°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, 및 VD2 사이의 각도 중 하나 이상은 15°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, 및 VD2 사이의 각도 중 하나 이상은 10°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, 및 VD2 사이의 각도 중 2개 이상은 20°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, 및 VD2 사이의 각도 중 2개 이상은 15°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, 및 VD2 사이의 각도 중 2개 이상은 10°미만이다.
일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, 및 VD2 사이의 모든 2개의 각도는 20°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, 및 VD2 사이의 모든 2개의 각도는 15°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, 및 VD2 사이의 모든 2개의 각도는 10°미만이다.
이러한 헤테로렙틱 화합물의 일부 실시양태에서, 화합물은 0.33 이하의 수직 쌍극자 비(VDR)를 갖는다. 이러한 헤테로렙틱 화합물의 일부 실시양태에서, 화합물은 0.30 이하의 VDR을 갖는다. 이러한 헤테로렙틱 화합물의 일부 실시양태에서, 화합물은 0.25 이하의 VDR을 갖는다. 이러한 헤테로렙틱 화합물의 일부 실시양태에서, 화합물은 0.20 이하의 VDR을 갖는다. 이러한 헤테로렙틱 화합물의 일부 실시양태에서, 화합물은 0.15 이하의 VDR을 갖는다.
당업자는 화합물의 전이 쌍극자 모멘트 축 및 화합물의 수직 쌍극자 비라는 용어의 의미를 쉽게 이해할 것이다. 그럼에도 불구하고, 이러한 용어의 의미를 미국 특허 제10,672,997호에서 찾을 수 있으며, 이의 개시내용은 그 전체가 본원에 인용에 의해 포함되어 있다. 미국 특허 제10,672,997호에서, VDR보다는 화합물의 수평 쌍극자 비(HDR)가 고찰된다. 그러나, 당업자는 VDR = 1-HDR임을 쉽게 이해한다.
C.
본 개시내용의 OLED 및 디바이스
또 다른 양태에서, 본 개시내용은 또한 본 개시내용의 상기 화합물 섹션에서 개시된 바와 같은 화합물을 함유하는 제1 유기층을 포함하는 OLED 디바이스를 제공한다.
일부 실시양태에서, OLED는 애노드; 캐소드; 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된, 본원에 기재된 바와 같은 화학식 Ir(LA)m(LB)n의 화합물을 포함하는 유기층을 포함한다.
일부 실시양태에서, 유기층은 발광층일 수 있고, 본원에 기재된 바와 같은 화합물은 발광 도펀트일 수 있거나 비발광 도펀트일 수 있다.
일부 실시양태에서, 발광층은 하나 이상의 양자점을 포함한다.
일부 실시양태에서, 유기층은 호스트를 더 포함할 수 있고, 호스트는 트리페닐렌 함유 벤조 융합 티오펜 또는 벤조 융합 푸란을 포함하며, 호스트 중의 임의의 치환기는 독립적으로 CnH2n+1, OCnH2n+1, OAr1, N(CnH2n+1)2, N(Ar1)(Ar2), CH=CH-CnH2n+1, C≡C-CnH2n+1, Ar1, Ar1-Ar2, CnH2n-Ar1으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 비융합 치환기이거나, 또는 호스트는 치환기를 가지지 않으며, 여기서 n은 1 내지 10의 정수이고; Ar1 및 Ar2는 독립적으로 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 트리페닐렌, 카르바졸, 및 이들의 헤테로방향족 유사체로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 유기층은 호스트를 더 포함할 수 있고, 호스트는 트리페닐렌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 5λ2-벤조[d]벤조[4,5]이미다조[3,2-a]이미다졸, 5,9-디옥사-13b-보라나프토[3,2,1-데]안트라센, 트리아진, 보릴, 실릴, 아자-트리페닐렌, 아자-카르바졸, 아자-인돌로카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란, 아자-디벤조셀레노펜, 아자-5λ2-벤조[d]벤조[4,5]이미다조[3,2-a]이미다졸, 및 아자-(5,9-디옥사-13b-보라나프토[3,2,1-데]안트라센)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 화학기를 포함한다.
일부 실시양태에서, 호스트는 하기 호스트 군 1의 구조로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다:
상기 식에서,
X1 내지 X24는 각각 독립적으로 C 또는 N이고;
L'은 직접 결합 또는 유기 링커이고;
각 YA는 결합 없음, , O, S, Se, CRR', SiRR', GeRR', NR, BR, BRR'로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고;
각각의 RA', RB', RC', RD', RE', RF', 및 RG'는 독립적으로 일치환, 최대 수 이하의 치환, 또는 비치환을 나타내고,
각 R, R', RA', RB', RC', RD', RE', RF', 및 RG'는 독립적으로 수소이거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 셀레닐, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 보릴 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고;
RA', RB', RC', RD', RE', RF', 및 RG' 중 인접한 2개는 선택적으로 연결되거나 융합되어 고리를 형성한다.
일부 실시양태에서, L'은 BR, BRR', NR, PR, P(O)R, O, S, Se, C=O, C=S, C=Se, C=NR, C= CRR', S=O, SO2, CR, CRR', SiRR', GeRR', 알킬렌, 시클로알킬, 아릴, 시클로알킬렌, 아릴렌, 헤테로아릴렌, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 유기 링커이다.
일부 실시양태에서, 호스트는 하기 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 호스트 군 2로부터 선택될 수 있다:
.
일부 실시양태에서, 유기층은 호스트를 더 포함할 수 있고, 호스트는 금속 착물을 포함한다.
일부 실시양태에서, 발광층은 2개의 호스트, 즉 제1 호스트 및 제2 호스트를 포함할 수 있다. 일부 실시양태에서, 제1 호스트는 정공 수송 호스트이고, 제2 호스트는 전자 수송 호스트이다. 일부 실시양태에서, 제1 호스트 및 제2 호스트는 엑시플렉스를 형성할 수 있다.
일부 실시양태에서, 본원에 기재된 바와 같은 화합물은 증감제일 수 있고; 디바이스는 억셉터를 추가로 포함할 수 있고; 억셉터는 형광 이미터, 지연 형광 이미터, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또 다른 양태에서, 본 개시내용의 OELD는 또한 본 개시내용의 상기 화합물 섹션에 개시된 바와 같은 화합물을 함유하는 발광 영역을 포함할 수 있다.
일부 실시양태에서, 발광 영역은 본원에 기재된 바와 같은 화학식 Ir(LA)m(LB)n의 화합물을 포함할 수 있다.
일부 실시양태에서, 애노드, 캐소드, 또는 유기 발광층 위에 배치된 신규층 중 적어도 하나는 강화층으로서 기능한다. 강화층은 이미터 물질에 비방사적으로 결합하고 여기 상태 에너지를 이미터 물질로부터 표면 플라즈몬 폴라리톤의 비방사 모드로 전달하는 표면 플라즈몬 공명을 나타내는 플라즈몬 물질을 포함한다. 강화층은 유기 발광층으로부터의 임계 거리 이하로 제공되며, 여기서 이미터 물질은 강화층의 존재로 인해 총 비방사 감쇠율 상수 및 총 방사 감쇠율 상수 및 임계 거리를 갖고 임계 거리는 총 비방사 감쇠율 상수가 총 방사 감쇠율 상수와 동일한 곳이다. 일부 실시양태에서, OLED는 아웃커플링층을 추가로 포함한다. 일부 실시양태에서, 아웃커플링층은 유기 발광층의 반대측 상의 강화층 위에 배치된다. 일부 실시양태에서, 아웃커플링층은 강화층으로부터 발광층의 반대측 상에 배치되지만 여전히 강화층의 표면 플라즈몬 모드로부터 에너지를 아웃커플링한다. 아웃커플링층은 표면 플라즈몬 폴라리톤으로부터 에너지를 산란시킨다. 일부 실시양태에서 이러한 에너지는 자유 공간으로 광자로서 산란된다. 다른 실시양태에서, 에너지는 표면 플라즈몬 모드로부터 디바이스의 다른 모드, 예컨대 이에 제한되지 않는 유기 도파관 모드, 기판 모드, 또는 다른 도파관 모드로 산란된다. 에너지가 OLED의 비자유 공간 모드로 산란되는 경우, 다른 아웃커플링 방식을 통합하여 해당 에너지를 자유 공간으로 추출할 수 있다. 일부 실시양태에서, 강화층과 아웃커플링층 사이에 하나 이상의 개재층이 배치될 수 있다. 개재층(들)에 대한 예는 유기, 무기, 페로브스카이트(perovskite), 산화물을 포함하는 유전 물질일 수 있고, 이러한 물질의 스택 및/또는 혼합물을 포함할 수 있다.
강화층은 이미터 물질이 존재하는 매체의 유효 특성을 수정하여, 방출 속도 감소, 방출 라인 형상의 수정, 각도에 따른 방출 강도의 변화, 이미터 물질의 안정성 변화, OLED 효율의 변화, 및 OLED 디바이스의 효율 저하 감소 중 어느 하나 또는 전부를 초래한다. 캐소드 측, 애노드 측, 또는 양측에 강화층을 배치하면 상기 언급된 효과 중 어느 하나를 이용하는 OLED 디바이스가 생성된다. 본원에 언급되고 도면에 도시된 다양한 OLED 예에 예시된 특정 기능층에 더하여, 본 개시내용에 따른 OLED는 OLED에서 종종 발견되는 임의의 다른 기능층을 포함할 수 있다.
강화층은 플라즈몬 물질, 광학 활성 메타물질, 또는 하이퍼볼릭(hyperbolic) 메타물질로 구성될 수 있다. 본원에 사용된 바와 같이, 플라즈몬 물질은 전자기 스펙트럼의 가시광선 또는 자외선 영역에서 유전 상수의 실수부가 0과 교차하는 물질이다. 일부 실시양태에서, 플라즈몬 재료는 적어도 하나의 금속을 포함한다. 이러한 실시양태에서 금속은 Ag, Al, Au, Ir, Pt, Ni, Cu, W, Ta, Fe, Cr, Mg, Ga, Rh, Ti, Ru, Pd, In, Bi, Ca, 이러한 재료의 합금 또는 혼합물, 및 이러한 재료의 스택 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일반적으로, 메타물질은 상이한 물질로 구성된 매체로, 매체 전체가 이의 물질적 부분의 합과 상이하게 작용한다. 특히, 본 발명자들은 광학 활성 메타물질을 음의 유전율과 음의 투과율 둘 모두를 갖는 물질로 정의한다. 반면에, 하이퍼볼릭 메타물질은, 유전율 또는 투과율이 상이한 공간 방향에 대해 상이한 부호를 갖는 이방성 매체이다. 광학 활성 메타물질 및 하이퍼볼릭 메타물질은 매체가 빛의 파장 길이 규모에서 전파 방향으로 균일하게 나타나야 한다는 점에서 다른 많은 광자 구조, 예컨대 분산 브래그 반사기(Distributed Bragg Reflector)("DBR")와 엄격하게 구별된다. 당해 분야 기술자가 이해할 수 있는 용어를 사용하면: 전파 방향의 메타물질의 유전 상수를 유효 매체 근사치로 설명할 수 있다. 플라즈몬 물질 및 메타물질은 다양한 방식으로 OLED 성능을 향상시킬 수 있는 빛의 전파를 제어하는 방법을 제공한다.
일부 실시양태에서, 강화층은 평면층으로서 제공된다. 다른 실시양태에서, 강화층은 주기적으로, 준주기적으로, 또는 무작위로 배열되는 파장 크기의 특징부, 또는 주기적으로, 준주기적으로, 또는 무작위로 배열되는 파장 크기 이하의 특징부를 갖는다. 일부 실시양태에서, 파장 크기의 특징부 및 파장 크기 이하의 특징부는 날카로운 모서리를 갖는다.
일부 실시양태에서, 아웃커플링층은 주기적으로, 준주기적으로, 또는 무작위로 배열되는 파장 크기의 특징부, 또는 주기적으로, 준-주기적으로, 또는 무작위로 배열되는 파장 크기 이하의 특징부를 갖는다. 일부 실시양태에서, 아웃커플링층은 복수의 나노입자로 구성될 수 있고, 다른 실시양태에서 아웃커플링층은 물질 위에 배치된 복수의 나노입자로 구성될 수 있다. 이러한 실시양태에서, 아웃커플링은 복수의 나노입자의 크기를 변경하는 것, 복수의 나노입자의 형상을 변경하는 것, 복수의 나노입자의 물질을 변경하는 것, 물질의 두께를 조정하는 것, 물질 또는 복수의 나노입자 상에 배치된 추가층의 굴절률을 변화시키는 것, 강화층의 두께를 변경하는 것, 및/또는 강화층의 물질을 변경하는 것 중 적어도 하나에 의해 조정가능할 수 있다. 디바이스의 복수의 나노입자는 금속, 유전 물질, 반도체 물질, 금속 합금, 유전 물질의 혼합물, 하나 이상의 물질의 스택 또는 층, 및/또는 한 가지 유형의 물질의 코어 중 적어도 하나로부터 형성될 수 있고 이는 다른 유형의 물질의 껍질로 코팅된다. 일부 실시양태에서, 아웃커플링층은 적어도 금속 나노입자로 구성되고, 여기서 금속은 Ag, Al, Au, Ir, Pt, Ni, Cu, W, Ta, Fe, Cr, Mg, Ga, Rh, Ti, Ru, Pd, In, Bi, Ca, 이러한 재료의 합금 또는 혼합물, 및 이러한 재료의 스택으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 복수의 나노입자는 그들 위에 배치된 추가층을 가질 수 있다. 일부 실시양태에서, 방출의 편광은 아웃커플링층을 사용하여 조정될 수 있다. 아웃커플링층의 차원 및 주기성을 변화시키면 우선적으로 공기에 아웃커플링되는 편광의 유형을 선택할 수 있다. 일부 실시양태에서 아웃커플링층은 또한 디바이스의 전극으로서 작용한다.
또 다른 양태에서, 본 개시내용은 또한 애노드; 캐소드; 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층을 갖는 유기 발광 디바이스(OLED)를 포함하는 소비자 제품을 제공하며, 여기서 유기층은 본 개시내용의 상기 화합물 섹션에서 개시된 바와 같은 화합물을 포함할 수 있다.
일부 실시양태에서, 소비자 제품은 애노드; 캐소드; 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층을 갖는 OLED를 포함하고, 여기서 유기층은 본원에 기재된 바와 같은 화학식 Ir(LA)m(LB)n의 화합물을 포함할 수 있다.
일부 실시양태에서, 소비자 제품은 평면 패널 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 실외 조명 및/또는 신호용 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 또는 부분 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 태블릿, 패블릿, 개인용 정보 단말기(PDA), 웨어러블 디바이스, 랩톱 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 대각선이 2인치 미만인 마이크로 디스플레이, 3D 디스플레이, 가상 현실 또는 증강 현실 디스플레이, 차량, 함께 타일링된(tiled) 다중 디스플레이를 포함하는 비디오 월, 극장 또는 스타디움 스크린, 광요법 디바이스, 및 간판 중 하나일 수 있다.
일반적으로, OLED는 애노드와 캐소드 사이에 배치되어 이에 전기 접속되는 하나 이상의 유기층을 포함한다. 전류가 인가되면, 애노드는 유기층(들)에 정공을 주입하고, 캐소드는 전자를 주입한다. 주입된 정공 및 전자는 각각 반대로 하전된 전극을 향하여 이동한다. 전자와 정공이 동일한 분자상에 편재화될 경우, 여기된 에너지 상태를 갖는 편재화된 전자-정공 쌍인 "엑시톤"이 생성된다. 엑시톤이 광방출 메커니즘을 통해 이완될 경우 광이 방출된다. 일부의 경우에서, 엑시톤은 엑시머 또는 엑시플렉스 상에 편재화될 수 있다. 비-방사 메커니즘, 예컨대 열 이완이 또한 발생할 수 있으나, 일반적으로 바람직하지 않은 것으로 간주된다.
여러가지의 OLED 재료 및 구성은 미국특허 제5,844,363호, 제6,303,238호 및 제5,707,745호에 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 참조로 본원에 포함된다.
초기 OLED는 예를 들면 미국특허 제4,769,292호에 개시된 바와 같은 일중항 상태로부터 광("형광")을 방출하는 발광 분자를 사용하였으며, 상기 특허 문헌은 그 전문이 참조로 포함된다. 형광 방출은 일반적으로 10 나노초 미만의 시간 프레임으로 발생한다.
보다 최근에는, 삼중항 상태로부터의 광("인광")을 방출하는 발광 물질을 갖는 OLED가 제시되었다. 문헌[Baldo et al., "Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent D eVices," Nature, vol. 395, 151-154, 1998; ("Baldo-I")] 및 문헌[Baldo et al., "Very high-efficiency green organic light-emitting d eVices based on electrophosphorescence," Appl. Phys. Lett., vol. 75, No. 3, 4-6 (1999) ("Baldo-II")]은 그 전문이 참조로 포함된다. 인광은 참조로 포함되는 미국특허 제7,279,704호의 컬럼 5-6에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
도 1은 유기 발광 디바이스(100)를 나타낸다. 도면은 반드시 축척에 의하여 도시하지는 않았다. 디바이스(100)는 기판(110), 애노드(115), 정공 주입층(120), 정공 수송층(125), 전자 차단층(130), 발광층(135), 정공 차단층(140), 전자 수송층(145), 전자 주입층(150), 보호층(155), 캐소드(160) 및 배리어층(170)을 포함할 수 있다. 캐소드(160)는 제1 전도층(162) 및 제2 전도층(164)을 갖는 화합물 캐소드이다. 디바이스(100)는 기재된 순서로 층을 증착시켜 제작될 수 있다. 이들 다양한 층뿐 아니라, 예시 물질의 특성 및 기능은 참조로 포함되는 미국특허 제7,279,704호의 컬럼 6-10에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
이들 층 각각에 대한 더 많은 예도 이용 가능하다. 예를 들면 가요성이고 투명한 기판-애노드 조합이 미국특허 제5,844,363호에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참조로 포함된다. p-도핑된 정공 수송층의 한 예는 미국특허출원 공개공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 50:1의 몰비로 m-MTDATA가 F4-TCNQ로 도핑된 것이 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참조로 포함된다. 발광 및 호스트 재료의 예는 미국특허 제6,303,238호(Thompson 등)에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참조로 포함된다. n-도핑된 전자 수송층의 예는 미국특허출원 공개공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 1:1의 몰비로 Li로 도핑된 BPhen이고, 이 특허 문헌은 그 전문이 참조로 포함된다. 그 전문이 참조로 포함되는 미국특허 제5,703,436호 및 제5,707,745호에는, 적층된 투명, 전기전도성 스퍼터-증착된 ITO 층을 갖는 Mg:Ag와 같은 금속의 박층을 갖는 화합물 캐소드를 비롯한 캐소드의 예가 개시되어 있다. 차단층의 이론 및 용도는 미국특허 제6,097,147호 및 미국특허출원 공개공보 제2003/0230980호에 보다 구체적으로 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 참조로 포함된다. 주입층의 예는 미국특허출원 공개공보 제2004/0174116호에 제공되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참조로 포함된다. 보호층의 설명은 미국특허출원 공개공보 제2004/0174116호에서 찾아볼 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참조로 포함된다.
도 2는 역구조 OLED(200)를 나타낸다. 디바이스는 기판(210), 캐소드(215), 발광층(220), 정공 수송층(225) 및 애노드(230)를 포함한다. 디바이스(200)는 기재된 순서로 층을 증착시켜 제작될 수 있다. 가장 흔한 OLED 구성이 애노드의 위에 캐소드가 배치되어 있는 것이고, 디바이스(200)는 애노드(230)의 아래에 배치된 캐소드(215)를 갖고 있으므로, 디바이스(200)는 "역구조" OLED로 지칭될 수 있다. 디바이스(100)에 관하여 기재된 것과 유사한 물질이 디바이스(200)의 해당 층에 사용될 수 있다. 도 2는 디바이스(100)의 구조로부터 일부 층이 어떻게 생략될 수 있는지의 일례를 제공한다.
도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조는 비제한적인 예로서 제공되며, 본 개시내용의 실시양태는 다양한 다른 구조와 관련하여 사용될 수 있는 것으로 이해된다. 기재된 특정한 물질 및 구조는 사실상 예시를 위한 것이며, 다른 물질 및 구조도 사용될 수 있다. 기능성 OLED는 기재된 다양한 층을 상이한 방식으로 조합하여 달성될 수 있거나, 또는 층은 디자인, 성능 및 비용 요인에 기초하여 전적으로 생략될 수 있다. 구체적으로 기재되지 않은 기타의 층도 또한 포함될 수 있다. 구체적으로 기재된 물질과 다른 물질을 사용할 수 있다. 본원에 제공된 다수의 예가 단일 물질을 포함하는 것으로 다양한 층을 기재하기는 하나, 물질의 조합, 예컨대 호스트와 도펀트의 혼합물, 또는 보다 일반적으로 혼합물을 사용할 수 있는 것으로 이해된다. 또한, 층은 다양한 하부층을 가질 수 있다. 본원에서 다양한 층에 제시된 명칭은 엄격하게 제한하고자 하는 것은 아니다. 예를 들면, 디바이스(200)에서, 정공 수송층(225)은 정공을 수송하고 정공을 발광층(220)에 주입하며, 정공 수송층 또는 정공 주입층으로서 기재될 수 있다. 한 실시양태에서, OLED는 캐소드와 애노드 사이에 배치된 "유기층"을 갖는 것으로 기재될 수 있다. 이러한 유기층은 단일 층을 포함할 수 있거나, 또는 예를 들면 도 1 및 도 2와 관련하여 기재된 바와 같은 상이한 유기 물질들의 복수의 층을 더 포함할 수 있다.
구체적으로 기재하지 않은 구조 및 물질, 예컨대 미국특허 제5,247,190호(Friend 등)에 개시된 바와 같은 중합체 물질을 포함하는 OLED(PLED)를 또한 사용할 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참조로 포함된다. 추가의 예로서, 단일 유기층을 갖는 OLED를 사용할 수 있다. OLED는 예를 들면 미국특허 제5,707,745호(Forrest 등)에 기재된 바와 같이 적층될 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참조로 본원에 포함된다. OLED 구조는 도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조로부터 벗어날 수 있다. 예를 들면, 기판은 미국특허 제6,091,195호(Forrest 등)에 기재된 바와 같은 메사형(mesa) 구조 및/또는 미국특허 제5,834,893호(Bulovic 등)에 기재된 피트형(pit) 구조와 같은 아웃-커플링(out-coupling)을 개선시키기 위한 각진 반사면을 포함할 수 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 참조로 본원에 포함된다.
반대의 의미로 명시하지 않는 한, 다양한 실시양태의 임의의 층은 임의의 적합한 방법에 의하여 증착될 수 있다. 유기층의 경우, 바람직한 방법으로는 미국특허 제6,013,982호 및 제6,087,196호(이 특허 문헌들은 그 전문이 참조로 포함됨)에 기재된 바와 같은 열 증발, 잉크-제트, 미국특허 제6,337,102호(Forrest 등)(이 특허 문헌은 그 전문이 참조로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 기상 증착(OVPD) 및 미국특허 제7,431,968호(이 특허 문헌은 그 전문이 참조로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 증기 제트 프린팅(OVJP, 유기 증기 제트 증착(OVJD)이라고도 함)에 의한 증착을 들 수 있다. 기타의 적합한 증착 방법은 스핀 코팅 및 기타의 용액 기반 공정을 포함한다. 용액 기반 공정은 질소 또는 불활성 분위기 중에서 실시되는 것이 바람직하다. 기타의 층의 경우, 바람직한 방법은 열 증발을 포함한다. 바람직한 패턴 형성 방법은 마스크를 통한 증착, 미국특허 제6,294,398호 및 제6,468,819호(이 특허 문헌들은 그 전문이 참조로 포함됨)에 기재된 바와 같은 냉간 용접 및 잉크-제트 및 유기 증기 제트 프린팅(OVJP)과 같은 일부 증착 방법과 관련된 패턴 형성을 포함한다. 다른 방법들도 또한 사용될 수 있다. 증착시키고자 하는 물질은 특정한 증착 방법과 상용성을 갖도록 변형될 수 있다. 예를 들면, 분지형 또는 비분지형, 바람직하게는 3개 이상의 탄소를 포함하는 알킬 및 아릴기와 같은 치환기는 소분자에 사용되어 이의 용액 가공 처리 능력을 향상시킬 수 있다. 20개 이상의 탄소를 갖는 치환기를 사용할 수 있으며, 3개 내지 20개의 탄소가 바람직한 범위이다. 비대칭 물질은 더 낮은 재결정화 경향성을 가질 수 있기 때문에, 비대칭 구조를 갖는 물질은 대칭 구조를 갖는 물질보다 더 우수한 용액 가공성을 가질 수 있다. 덴드리머 치환기를 사용하여 소분자의 용액 가공 처리 능력을 향상시킬 수 있다.
본 개시내용의 실시양태에 따라 제작된 디바이스는 배리어층을 임의로 더 포함할 수 있다. 배리어층의 한 목적은 전극 및 유기층이 수분, 증기 및/또는 기체 등을 포함하는 환경에서 유해한 종에 대한 노출로 인하여 손상되지 않도록 보호하는 것이다. 배리어층은 엣지를 포함하는 디바이스의 임의의 기타 부분의 위에서, 전극 또는, 기판의 위에서, 아래에서 또는 옆에서 증착될 수 있다. 배리어층은 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 배리어층은 다양한 공지의 화학 기상 증착 기법에 의하여 형성될 수 있으며 복수의 상을 갖는 조성뿐 아니라 단일 상을 갖는 조성을 포함할 수 있다. 임의의 적합한 물질 또는 물질의 조합을 배리어층에 사용할 수 있다. 배리어층은 무기 또는 유기 화합물 또는 둘 다를 포함할 수 있다. 바람직한 배리어층은 미국특허 제7,968,146호, PCT 특허출원번호 PCT/US2007/023098 및 PCT/US2009/042829에 기재된 바와 같은 중합체 물질 및 비-중합체 물질의 혼합물을 포함하며, 이들 문헌은 그 전문이 참조로 본원에 포함된다. "혼합물"로 간주되기 위해, 배리어층을 포함하는 전술한 중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 반응 조건 하에서 및/또는 동일한 시간에 증착되어야만 한다. 중합체 대 비-중합체 물질의 중량비는 95:5 내지 5:95 범위 내일 수 있다. 중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 전구체 물질로부터 생성될 수 있다. 한 예에서, 중합체 및 비-중합체 물질의 혼합물은 본질적으로 중합체 규소 및 무기 규소로 이루어진다.
본 개시내용의 실시양태에 따라 제작된 디바이스는 다양한 전자 제품 또는 중간 부품 내에 포함될 수 있는 광범위하게 다양한 전자 부품 모듈(또는 유닛) 내에 포함될 수 있다. 이러한 전자 제품 또는 중간 부품의 예는 최종 소비자 제품 생산자에 의해 사용될 수 있는 디스플레이 스크린, 발광 디바이스, 예컨대 개별 광원 디바이스 또는 조명 패널 등을 포함한다. 이러한 전자 부품 모듈은 임의로 구동 전자 장치 및/또는 동력원(들)을 포함할 수 있다. 본 개시내용의 실시양태에 따라 제작된 디바이스는 하나 이상의 전자 부품 모듈(또는 유닛)을 그 안에 포함하는 광범위하게 다양한 소비자 제품 내에 포함될 수 있다. OLED 내 유기층에 본 개시내용의 화합물을 포함하는 OLED를 포함하는 소비자 제품이 개시된다. 이러한 소비자 제품은 하나 이상의 광원(들) 및/또는 하나 이상의 어떤 종류의 영상 디스플레이를 포함하는 임의 종류의 제품을 포함할 것이다. 이러한 소비자 제품의 몇몇 예로는 평면 패널 디스플레이, 곡면 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 실외 조명 및/또는 신호용 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 또는 부분 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 롤러블 디스플레이, 폴더블 디스플레이, 스트레처블 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 태블릿, 패블릿, 개인용 정보 단말기(PDA), 웨어러블 디바이스, 랩톱 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로 디스플레이(대각선이 2인치 미만인 디스플레이), 3D 디스플레이, 가상 현실 또는 증강 현실 디스플레이, 차량, 함께 타일링된 다중 디스플레이를 포함하는 비디오 월, 극장 또는 스타디움 스크린, 광요법 디바이스, 및 간판이 있다. 패시브 매트릭스 및 액티브 매트릭스를 비롯한 다양한 조절 메커니즘을 사용하여 본 개시내용에 따라 제작된 디바이스를 조절할 수 있다. 다수의 디바이스는 사람에게 안락감을 주는 온도 범위, 예컨대 18℃ 내지 30℃, 더욱 바람직하게는 실온(20℃ 내지 25℃)에서 사용하고자 하지만, 상기 온도 범위 밖의 온도, 예컨대 -40℃ 내지 +80℃에서도 사용될 수 있다.
OLED에 대한 더욱 상세한 내용 및 전술한 정의는, 미국특허 제7,279,704호에서 찾을 수 있으며, 이의 전문은 참조로 본원에 포함된다.
본원에 기재된 물질 및 구조는 OLED 이외의 디바이스에서의 적용예를 가질 수 있다. 예를 들면, 기타의 광전자 디바이스, 예컨대 유기 태양 전지 및 유기 광검출기는 상기 물질 및 구조를 사용할 수 있다. 보다 일반적으로, 유기 디바이스, 예컨대 유기 트랜지스터는 상기 물질 및 구조를 사용할 수 있다.
일부 실시양태에서, OLED는 플렉시블, 롤러블, 폴더블, 스트레처블 및 곡면 특성으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 특성을 갖는다. 일부 실시양태에서, OLED는 투명 또는 반투명하다. 일부 실시양태에서, OLED는 탄소 나노튜브를 포함하는 층을 더 포함한다.
일부 실시양태에서, OLED는 지연 형광 이미터를 포함하는 층을 더 포함한다. 일부 실시양태에서, OLED는 RGB 픽셀 배열, 또는 화이트 플러스 컬러 필터 픽셀 배열을 포함한다. 일부 실시양태에서, OLED는 모바일 디바이스, 핸드 헬드 디바이스, 또는 웨어러블 디바이스이다. 일부 실시양태에서, OLED는 대각선이 10 인치 미만이거나 면적이 50 제곱인치 미만인 디스플레이 패널이다. 일부 실시양태에서, OLED는 대각선이 10 인치 이상이거나 면적이 50 제곱인치 이상인 디스플레이 패널이다. 일부 실시양태에서, OLED는 조명 패널이다.
일부 실시양태에서, 상기 화합물은 발광 도펀트일 수 있다. 일부 실시양태에서, 상기 화합물은 인광, 형광, 열 활성화 지연 형광, 즉, TADF(또한 E형 지연 형광으로도 지칭됨; 예를 들면 그 전문이 인용에 의해 본원에 포함되는 미국특허출원 제15/700,352호를 참조함), 삼중항-삼중항 소멸 또는 이들 과정의 조합을 통해 발광을 생성할 수 있다. 일부 실시양태에서, 발광 도펀트는 라세믹 혼합물일 수 있거나, 또는 하나의 거울상 이성질체가 농후할 수 있다. 일부 실시양태에서, 화합물은 동종리간드성(각 리간드가 동일)일 수 있다. 일부 실시양태에서, 화합물은 이종리간드성(적어도 하나의 리간드가 나머지와 상이)일 수 있다. 금속에 배위된 하나 초과의 리간드가 존재하는 경우, 리간드는 일부 실시양태에서 모두 동일할 수 있다. 일부 다른 실시양태에서는, 적어도 하나 리간드가 나머지 리간드와 상이하다. 일부 실시양태에서는, 모든 리간드가 서로 상이할 수 있다. 이것은 또한, 금속에 배위된 리간드가 그 금속에 배위된 다른 리간드와 연결되어 3좌, 4좌, 5좌, 또는 6좌 리간드를 형성할 수 있는 실시양태의 경우에도 해당된다. 따라서, 배위 리간드들이 함께 연결되는 경우, 모든 리간드가 일부 실시양태에서 동일할 수 있고, 연결되는 리간드 중 적어도 하나는 일부 다른 실시양태의 경우에 나머지 리간드(들)와 상이할 수 있다.
일부 실시양태에서, 화합물은 OLED에서 인광성 증감제로서 사용될 수 있고, 이때 OLED 내 하나 또는 복수의 층이 하나 이상의 형광 및/또는 지연 형광 이미터 형태의 억셉터를 함유한다. 일부 실시양태에서, 화합물은 증감제로서 사용되는 엑시플렉스의 하나의 성분으로서 사용될 수 있다. 인광성 증감제로서, 화합물은 억셉터로 에너지를 전달할 수 있어야 하고 억셉터는 에너지를 방출하거나 추가로 최종 이미터로 에너지를 전달한다. 억셉터 농도는 0.001% 내지 100%의 범위일 수 있다. 억셉터는 인광성 증감제와 동일한 층 또는 하나 이상의 상이한 층에 있을 수 있다. 일부 실시양태에서, 억셉터는 TADF 이미터이다. 일부 실시양태에서, 억셉터는 형광 이미터이다. 일부 실시양태에서, 발광은 증감제, 억셉터 및 최종 이미터 중 어느 것 또는 전부로부터 일어날 수 있다.
다른 양태에 따르면, 본원에 기재된 화합물을 포함하는 배합물이 또한 개시되어 있다.
본원에 개시된 OLED는 소비자 제품, 전자 부품 모듈 및 조명 패널 중 하나 이상에 포함될 수 있다. 유기층은 발광층일 수 있고, 상기 화합물은 일부 실시양태에서 발광 도펀트일 수 있고, 한편 상기 화합물은 다른 실시양태에서 비발광 도펀트일 수 있다.
본 개시내용의 또 하나의 다른 양태에서는, 본원에 개시된 신규 화합물을 포함하는 배합물이 기재된다. 배합물은 본원에 개시된 용매, 호스트, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 전자 차단 물질, 정공 차단 물질, 및 전자 수송 물질로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 성분을 포함할 수 있다.
본 개시내용은 본 개시내용의 신규 화합물, 또는 이의 1가 또는 다가 변형체를 포함하는 임의의 화학 구조를 포함한다. 즉, 본 발명의 화합물, 또는 이의 1가 또는 다가 변형체는 더 큰 화학 구조의 일부일 수 있다. 그러한 화학 구조는 단량체, 중합체, 거대분자 및 초분자(초거대분자로도 알려짐)로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 본원에 사용된 바와 같이, "화합물의 1가 변형체"는 하나의 수소가 제거되고 나머지 화학 구조에 대한 결합으로 대체된 것을 제외하고는 화합물과 동일한 모이어티를 나타낸다. 본원에 사용된 바와 같이, "화합물의 다가 변형체"는 하나 초과의 수소가 제거되고 나머지 화학 구조에 대한 결합 또는 결합들로 대체된 것을 제외하고는 화합물과 동일한 모이어티를 나타낸다. 초분자의 경우, 본 발명의 화합물은 또한 공유 결합 없이 초분자 착물에 혼입될 수도 있다.
D. 다른 물질과 본 개시내용의 OLED 디바이스
본 개시내용의 유기 발광 디바이스는 매우 다양한 기타 물질과의 조합하여 사용될 수 있다. 예를 들면, 이는 매우 다양한 호스트, 수송층, 차단층, 주입층, 전극 및 존재할 수 있는 기타 층과 결합되어 사용될 수 있다. 하기에 기재되거나 또는 언급된 물질은 본원에 개시된 디바이스와의 조합에 유용할 수 있는 물질의 비제한적인 예시이며, 당업자는 조합에 유용할 수 있는 기타 물질을 식별하기 위해 문헌을 용이하게 참조할 수 있다.
a) 전도성 도펀트:
전하 수송층은 전도성 도펀트로 도핑되어 이의 전하 캐리어 밀도를 실질적으로 변화시킬 수 있고, 이는 결과적으로 이의 전도성을 변화시킬 것이다. 전도성은 매트릭스 물질에서 전하 캐리어를 생성시킴으로써 증가되며, 도펀트의 유형에 따라, 반도체의 페르미 준위에서의 변화가 또한 달성될 수 있다. 정공 수송층은 p형 전도성 도펀트로 도핑될 수 있고 n형 전도성 도펀트는 전자 수송층에서 사용된다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 전도성 도펀트의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: EP01617493, EP01968131, EP2020694, EP2684932, US20050139810, US20070160905, US20090167167, US2010288362, WO06081780, WO2009003455, WO2009008277, WO2009011327, WO2014009310, US2007252140, US2015060804, US20150123047, 및 US2012146012.
b) HIL/HTL:
본 개시내용에서 사용하고자 하는 정공 주입/수송 물질은 특정하게 제한되지 않으며, 통상적으로 정공 주입/수송 물질로서 사용되는 한 임의의 화합물을 사용할 수 있다. 물질의 비제한적인 예로는 프탈로시아닌 또는 포르피린 유도체; 방향족 아민 유도체; 인돌로카르바졸 유도체; 플루오로히드로카본을 포함하는 중합체; 전도성 도펀트를 갖는 중합체; 전도성 중합체, 예컨대 PEDOT/PSS; 포스폰산 및 실란 유도체와 같은 화합물로부터 유도된 자체조립 단량체; 금속 산화물 유도체, 예컨대 MoOx; p-형 반도체 유기 화합물, 예컨대 1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌헥사카르보니트릴; 금속 착물 및 가교성 화합물을 들 수 있다.
HIL 또는 HTL에 사용된 방향족 아민 유도체의 비제한적인 예로는 하기 구조식을 들 수 있다:
각각의 Ar1 내지 Ar9는 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌과 같은 방향족 탄화수소 시클릭 화합물로 이루어진 군; 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤즈옥사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 페녹사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘과 같은 방향족 헤테로시클릭 화합물로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 시클릭 기 및 방향족 헤테로시클릭 기로부터 선택되는 동일한 유형 또는 상이한 유형의 군이며 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 시클릭 기 중 하나 이상을 통해 결합되거나 서로 직접 결합되는 2 내지 10개의 시클릭 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된다. 각각의 Ar은 비치환될 수 있거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기로 치환될 수 있다.
한 측면에서, Ar1 내지 Ar9은 독립적으로 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택된다:
여기서 k는 1 내지 20의 정수이며; X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N이고; Z101은 NAr1, O 또는 S이고; Ar1은 상기 정의된 바와 동일한 기를 가진다.
HIL 또는 HTL에 사용된 금속 착물의 비제한적인 예는 하기 화학식을 들 수 있다:
여기서 Met는 금속이며, 40 초과의 원자량을 가질 수 있고; (Y101-Y102)는 2좌 리간드이고, Y101 및 Y102는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되고; L101은 보조적 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 부착될 수 있는 리간드 최대수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 부착될 수 있는 리간드 최대수이다.
한 측면에서, (Y101-Y102)는 2-페닐피리딘 유도체이다. 또 다른 측면에서, (Y101-Y102)는 카르벤 리간드이다. 또 다른 측면에서, Met는 Ir, Pt, Os 및 Zn로부터 선택된다. 추가 측면에서, 금속 착물은 약 0.6 V 미만의 용액 중의 최소 산화 전위 대 Fc+/Fc 커플을 가진다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 HIL 및 HTL 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN102702075, DE102012005215, EP01624500, EP01698613, EP01806334, EP01930964, EP01972613, EP01997799, EP02011790, EP02055700, EP02055701, EP1725079, EP2085382, EP2660300, EP650955, JP07-073529, JP2005112765, JP2007091719, JP2008021687, JP2014-009196, KR20110088898, KR20130077473, TW201139402, US06517957, US20020158242, US20030162053, US20050123751, US20060182993, US20060240279, US20070145888, US20070181874, US20070278938, US20080014464, US20080091025, US20080106190, US20080124572, US20080145707, US20080220265, US20080233434, US20080303417, US2008107919, US20090115320, US20090167161, US2009066235, US2011007385, US20110163302, US2011240968, US2011278551, US2012205642, US2013241401, US20140117329, US2014183517, US5061569, US5639914, WO05075451, WO07125714, WO08023550, WO08023759, WO2009145016, WO2010061824, WO2011075644, WO2012177006, WO2013018530, WO2013039073, WO2013087142, WO2013118812, WO2013120577, WO2013157367, WO2013175747, WO2014002873, WO2014015935, WO2014015937, WO2014030872, WO2014030921, WO2014034791, WO2014104514, WO2014157018.
c) EBL:
전자 차단층(EBL)은 발광층을 떠나는 전자 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 디바이스 내의 이러한 차단층의 존재는 차단층이 없는 유사한 디바이스와 비교했을 때 상당히 더 높은 효율 및/또는 더 긴 수명을 유도할 수 있다. 또한, 차단층은 OLED의 원하는 영역에 발광을 국한시키기 위해 사용될 수 있다. 일부 실시양태에서, EBL 물질은 EBL 계면에 가장 가까운 이미터보다 더 높은 LUMO(진공 준위에 보다 가까움) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 일부 실시양태에서, EBL 물질은 EBL 계면에 가장 가까운 호스트들 중 하나 이상보다 더 높은 LUMO(진공 준위에 보다 가까움) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 한 측면에서, EBL에 사용되는 화합물은 이하에 기재된 호스트들 중 하나와 동일한 사용 분자 또는 작용기를 함유한다.
d) 호스트:
본 개시내용의 유기 EL 디바이스의 발광층은 바람직하게는 발광 물질로서 적어도 금속 착물을 포함하며, 도펀트 물질로서 금속 착물을 사용하는 호스트 물질을 포함할 수 있다. 호스트 물질의 예는 특별히 제한되지 않으며, 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물은 호스트의 삼중항 에너지가 도펀트의 삼중항 에너지보다 더 크기만 하다면 사용될 수 있다. 삼중항 기준을 충족하는 한, 임의의 호스트 물질이 임의의 도펀트와 함께 사용될 수 있다.
호스트로서 사용되는 금속 착물의 예는 하기 화학식을 갖는 것이 바람직하다:
여기서 Met는 금속이고; (Y103-Y104)는 2좌 리간드이고, Y103 및 Y104는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되고; L101은 또 다른 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 부착될 수 있는 리간드의 최대 수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 부착될 수 있는 리간드의 최대 수이다.
한 측면에서, 금속 착물은 이며, 여기서 (O-N)은 원자 O 및 N에 배위된 금속을 갖는 2좌 리간드이다.
또 다른 측면에서, Met는 Ir 및 Pt로부터 선택된다. 추가 측면에서, (Y103-Y104)는 카르벤 리간드이다.
일 측면에서, 호스트 화합물은 방향족 탄화수소 시클릭 화합물, 예컨대 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 테트라페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌으로 이루어진 군; 방향족 헤테로시클릭 화합물, 예컨대 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤즈옥사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 페녹사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘으로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 시클릭 기 및 방향족 헤테로시클릭 기로부터 선택되는 동일한 유형 또는 상이한 유형의 기이며 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 시클릭 기 중 하나 이상을 통해 결합되거나 서로 직접 결합되는 2 내지 10개의 시클릭 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택되는 군 중 적어도 하나를 함유한다. 각각의 기 내의 각 선택지는 비치환될 수 있거나 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기로 치환될 수 있다.
한 측면에서, 호스트 화합물은 분자에 하기 기들 중 하나 이상을 함유한다:
여기서 R101은 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 갖는다. k는 0 내지 20 또는 1 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108은 독립적으로 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다. Z101 및 Z102는 독립적으로 NR101, O 또는 S로부터 선택된다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 호스트 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: EP2034538, EP2034538A, EP2757608, JP2007254297, KR20100079458, KR20120088644, KR20120129733, KR20130115564, TW201329200, US20030175553, US20050238919, US20060280965, US20090017330, US20090030202, US20090167162, US20090302743, US20090309488, US20100012931, US20100084966, US20100187984, US2010187984, US2012075273, US2012126221, US2013009543, US2013105787, US2013175519, US2014001446, US20140183503, US20140225088, US2014034914, US7154114, WO2001039234, WO2004093207, WO2005014551, WO2005089025, WO2006072002, WO2006114966, WO2007063754, WO2008056746, WO2009003898, WO2009021126, WO2009063833, WO2009066778, WO2009066779, WO2009086028, WO2010056066, WO2010107244, WO2011081423, WO2011081431, WO2011086863, WO2012128298, WO2012133644, WO2012133649, WO2013024872, WO2013035275, WO2013081315, WO2013191404, WO2014142472, US20170263869, US20160163995, US9466803,
e) 추가의
이미터:
하나 이상의 추가의 이미터 도펀트가 본 개시내용의 화합물과 결합하여 사용될 수 있다. 추가의 이미터 도펀트의 예는 특별히 한정되지 않으며, 이미터 물질로서 전형적으로 사용되는 한 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 적합한 이미터 물질의 예는, 인광, 형광, 열 활성화 지연 형광, 즉, TADF(또한 E형 지연 형광으로도 지칭됨), 삼중항-삼중항 소멸 또는 이들 과정의 조합을 통해 발광을 일으킬 수 있는 화합물을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에 사용될 수 있는 이미터 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN103694277, CN1696137, EB01238981, EP01239526, EP01961743, EP1239526, EP1244155, EP1642951, EP1647554, EP1841834, EP1841834B, EP2062907, EP2730583, JP2012074444, JP2013110263, JP4478555, KR1020090133652, KR20120032054, KR20130043460, TW201332980, US06699599, US06916554, US20010019782, US20020034656, US20030068526, US20030072964, US20030138657, US20050123788, US20050244673, US2005123791, US2005260449, US20060008670, US20060065890, US20060127696, US20060134459, US20060134462, US20060202194, US20060251923, US20070034863, US20070087321, US20070103060, US20070111026, US20070190359, US20070231600, US2007034863, US2007104979, US2007104980, US2007138437, US2007224450, US2007278936, US20080020237, US20080233410, US20080261076, US20080297033, US200805851, US2008161567, US2008210930, US20090039776, US20090108737, US20090115322, US20090179555, US2009085476, US2009104472, US20100090591, US20100148663, US20100244004, US20100295032, US2010102716, US2010105902, US2010244004, US2010270916, US20110057559, US20110108822, US20110204333, US2011215710, US2011227049, US2011285275, US2012292601, US20130146848, US2013033172, US2013165653, US2013181190, US2013334521, US20140246656, US2014103305, US6303238, US6413656, US6653654, US6670645, US6687266, US6835469, US6921915, US7279704, US7332232, US7378162, US7534505, US7675228, US7728137, US7740957, US7759489, US7951947, US8067099, US8592586, US8871361, WO06081973, WO06121811, WO07018067, WO07108362, WO07115970, WO07115981, WO08035571, WO2002015645, WO2003040257, WO2005019373, WO2006056418, WO2008054584, WO2008078800, WO2008096609, WO2008101842, WO2009000673, WO2009050281, WO2009100991, WO2010028151, WO2010054731, WO2010086089, WO2010118029, WO2011044988, WO2011051404, WO2011107491, WO2012020327, WO2012163471, WO2013094620, WO2013107487, WO2013174471, WO2014007565, WO2014008982, WO2014023377, WO2014024131, WO2014031977, WO2014038456, WO2014112450.
f) HBL:
정공 차단층(HBL)은 발광층을 떠나는 정공 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 디바이스 내의 이러한 차단층의 존재는 차단층이 없는 유사한 디바이스와 비교했을 때 상당히 더 높은 효율 및/또는 더 긴 수명을 유도할 수 있다. 또한, 차단층은 OLED의 원하는 영역에 발광을 국한시키기 위해 사용될 수 있다. 일부 실시양태에서, HBL 물질은 HBL 계면에 가장 가까운 이미터보다 더 낮은 HOMO(진공 준위로부터 보다 먼) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 일부 실시양태에서, HBL 물질은 HBL 계면에 가장 가까운 호스트들 중 하나 이상보다 더 낮은 HOMO(진공 준위로부터 보다 먼) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다.
한 측면에서, HBL에 사용되는 화합물은 전술한 호스트와 동일한 사용 분자 또는 작용기를 함유한다.
또 다른 측면에서, HBL에 사용되는 화합물은 분자에 하기 기들 중 하나 이상을 함유한다:
여기서 k는 1 내지 20의 정수이며; L101은 또 다른 리간드이고, k'은 1 내지 3의 정수이다.
g) ETL:
전자 수송층(ETL)은 전자를 수송할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 전자 수송층은 고유하거나(도핑되지 않음) 또는 도핑될 수 있다. 도핑은 전도성을 향상시키는데 사용될 수 있다. ETL 물질의 예는 특별히 제한되지는 않으며, 통상적으로 전자를 수송하는데 사용되는 한 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물이 사용될 수 있다.
한 측면에서, ETL에 사용되는 화합물은 분자에서 하기 기 중 하나 이상을 포함한다:
여기서 R101은 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 가진다. Ar1 내지 Ar3는 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 가진다. k는 1 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다.
또 다른 측면에서, ETL에 사용되는 금속 착물은 하기 화학식을 포함하나, 이에 제한되지 않는다:
여기서 (O-N) 또는 (N-N)은 원자 O, N 또는 N, N에 배위된 금속을 갖는 2좌 리간드이며; L101은 또 다른 리간드이며; k'은 1 내지 금속이 부착될 수 있는 리간드의 최대 수인 정수 값이다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 ETL 물질의 비제한적인 예는, 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN103508940, EP01602648, EP01734038, EP01956007, JP2004-022334, JP2005149918, JP2005-268199, KR0117693, KR20130108183, US20040036077, US20070104977, US2007018155, US20090101870, US20090115316, US20090140637, US20090179554, US2009218940, US2010108990, US2011156017, US2011210320, US2012193612, US2012214993, US2014014925, US2014014927, US20140284580, US6656612, US8415031, WO2003060956, WO2007111263, WO2009148269, WO2010067894, WO2010072300, WO2011074770, WO2011105373, WO2013079217, WO2013145667, WO2013180376, WO2014104499, WO2014104535,
h) 전하 생성층(CGL):
탠덤형(tandem) 또는 적층형 OLED에서, CGL은 성능 면에서 필수적인 역할을 수행하며, 이는 각각 전자와 정공을 주입하기 위한 n-도핑된 층 및 p-도핑된 층으로 이루어진다. 전자와 정공은 CGL 및 전극으로부터 공급된다. CGL에서 소모된 전자와 정공은 각각 캐소드와 애노드로부터 주입된 전자와 정공에 의해 다시 채워지며; 그 후, 바이폴라 전류가 점차적으로 정상 상태에 도달한다. 통상의 CGL 물질은 수송층에서 사용되는 n 및 p 전도성 도펀트를 포함한다.
OLED 디바이스의 각 층에서 사용되는 임의의 상기 언급한 화합물들에서, 수소 원자는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화될 수 있다. 중수소화되는 화합물의 수소의 최소량은 30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80%, 90%, 95%, 99%, 및 100%로 이루어진 군으로부터 선택된다. 따라서, 임의의 구체적으로 열거된 치환기, 예컨대, 비제한적으로, 메틸, 페닐, 피리딜 등은 이의 비중수소화, 부분 중수소화 및 완전 중수소화된 형태일 수 있다. 마찬가지로, 치환기 유형, 예컨대, 비제한적으로, 알킬, 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴 등은 또한 이의 비중수소화, 부분 중수소화 및 완전 중수소화된 형태일 수 있다.
본원에 기술된 다양한 실시양태는 단지 예시이며, 본 발명의 범위를 한정하려는 것이 아님을 이해해야 한다. 예를 들어, 본원에 기술된 다수의 물질 및 구조는 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않으면서 다른 물질 및 구조로 대체될 수 있다. 따라서, 특허 청구된 본 발명은 당업자에게 명백한 바와 같이, 본원에 기술된 특정 실시예 및 바람직한 실시양태로부터 유래하는 변형예를 포함할 수도 있다. 본 발명이 왜 효과가 있는지에 관한 다양한 이론을 한정하려는 의도는 없음을 이해하여야 한다.
E. 실험 데이터
bis[(2-(4-플루오로페닐-2'-일)-(5-(트리메틸실릴)피리딘-1'-일]-[(2-(디벤조[b,d]푸란-4-일)-3'-일)-4-(4-(2,2-디메틸프로필-1,1-d 2 )-2-(메틸-d 3 )페닐-6-d)-5-(메틸-d 3 )피리딘-1-일]이리듐(III)(본 발명의 화합물 1)의 합성
디-μ-클로로-테트라키스[κ2(C2,N)-2-(4-플루오로페닐-2'-일)-5-(트리메틸실릴)-피리딘-1-일]디이리듐(III)
이리듐(III) 클로라이드 수화물(6.1 g, 19.3 mmol, 1.0 당량)과 2-(4-플루오로페닐)-5-(트리메틸실릴)-피리딘(10.4 g, 42.4 mmol, 2.2 당량)의 혼합물, 2-에톡시에탄올(145 mL) 및 DI 물(48 mL)을 2일 동안 환류하면서 가열(102℃)했다. 실온으로 냉각시킨 후, 반응 혼합물을 여과하였다. 고체를 메탄올(100 mL)로 세척한 후 진공 하에 50℃에서 4시간 동안 건조하여 디-μ-클로로-테트라키스[κ2(C2,N)-2-(4-플루오로페닐-2'-일)-5-(트리메틸실릴)피리딘-1-일]-디이리듐(III)(7.7 g, 56% 수율)을 황색 고체로서 얻었다.
[Ir(2-(4-플루오로페닐-2'-일)-5-(트리메틸실릴)피리딘-1-일)](-1H))
2
(MeOH)
2
]트리플루오로메탄술포네이트
100 mL 둥근 바닥 플라스크에 디-μ-클로로-테트라키스[κ2(C2,N)-2-(4-플루오로페닐-2'-일)-5-(트리메틸-실릴)피리딘-1-일]-디이리듐(III)(2.90 g, 2.02 mmol, 1.0 당량) 및 디클로로메탄(34 mL)를 충전하였다. 메탄올(6.7 mL) 중 은 트리플루오로메탄술포네이트(1.14 g, 4.45 mmol, 2.2 당량) 용액을 첨가하고 플라스크를 호일로 싸서 빛을 차단시켰다. 반응 혼합물을 실온에서 밤새 교반하였다. 반응 혼합물을 Celite®(50 g)를 얹은 실리카겔(100 g)을 통해 여과하고, 디클로로메탄(300 mL)으로 세정하였다. 여액을 감압 하에 농축시켰다. 잔류물을 최소 부피의 메탄올로 배산(trituration)하여 [Ir(2-(4-플루오로페닐-2'-일)-5-(트리메틸실릴)-피리딘-1-일)](-1H))2(MeOH)2]트리플루오로메탄 술포네이트(2.86 g, 79% 수율)를 회황색 고체로서 얻었다.
mer
-Bis[2-(4-플루오로페닐-2'-일)-5-(트리메틸실릴)피리딘-1'-일]-[(2-(디벤조-[
b,d
]푸란-4-일)-3'-일)-4-(4-(2,2-디메틸프로필-1,1-
d
2
)-2-(메틸-
d
3
)페닐-6-
d
)-5-(메틸-
d
3
)피리딘-1'-일]이리듐(III)
교반 막대, 응축기 및 열전대가 장착된 100 mL 3구 플라스크에 [Ir(2-(4-플루오로페닐-2'-일)-5-(트리메틸실릴)피리딘-1-일)](-1H))2(MeOH)2]트리플루오로메탄술포네이트(2.0 g, 2.5 mmol, 1.0 당량), 2-(디-벤조[b,d]푸란-4-일)-4-(4-(2,2-디메틸프로필-1,1-d 2)-2-(메틸-d 3)페닐-6-d)-5-(메틸-d 3)피리딘(1.1 g, 2.5 mmol, 1.0 당량) 및 아세톤(50 mL)을 충전하였다. 혼합물에 5분 동안 질소를 살포하였다. 트리에틸아민(0.87 mL, 6.23 mmol, 2.50 당량)을 첨가한 후, 반응 혼합물을 밤새 52℃에서 가열하였다. 실온으로 냉각시킨 후, 반응 혼합물을 감압 하에 농축시켰다. 잔류물을 디클로로메탄(800 mL) 및 테트라히드로푸란(100 mL)으로 희석시켰다. 현탁액을 Celite® 패드(60g)를 통해 여과시키면서, 패드에 생성물이 남지 않을 때까지 디클로로메탄으로 용리하고, 여액을 감압 하에 농축했다. 황색 고체를 디클로로메탄(80 mL) 및 메탄올(20 mL)로 40℃에서 1시간 동안 배산하였다. 실온으로 냉각시킨 후, 현탁액을 여과하여 mer 화합물(2.4 g, 95% 수율, 72% 순도)을 황색 고체로서 얻었다.
fac
-Bis[(2-(4-플루오로페닐-2'-일)-(5-(트리메틸실릴)피리딘-1'-일]-[(2-(디벤조[
b,d
]-푸란-4-일)-3'-일)-4-(4-(2,2-디메틸프로필-1,1-
d
2
)-2-(메틸-
d
3
)페닐-6-d)-5-(메틸-
d
3
)피리딘-1'-일]이리듐(III)
mer 이성질체의 fac로의 이성질체화는 실온에서 용액에서 광화학적으로 수행되었다.
본 발명의 화합물의 정제
조 화합물(2.3 g, 72% HPLC 순도)을 가열하면서 디클로로메탄(150 mL)에 용해시키고 염기성 알루미나(270 g) 7인치 패드를 통해 여과하고, 헥산 중 디클로로메탄의 3:1 혼합물로 용리했다. 회수된 생성물(1.8 g, 99.0% UPLC 순도)을 최소 부피의 디클로로메탄에 용해시키고 75:25:0-51의 구배로 용리하면서 Biotage 자동화 크로마토그래피 시스템(2개의 적층된 330 g 실리카겔 카트리지)상에서 정제하면서, 헥산, 톨루엔, 및 디클로로메탄의 75:25:0-51:48:1 혼합물의 구배로 용리하였다. 가장 깨끗한 생성물 분획을 감압 하에 농축시켰다. 고체를 최소 부피의 디클로로메탄에 용해시키고 과량의 메탄올을 첨가하여 침전시켰다. 고체를 여과하고 진공 오븐에서 밤새 50℃에서 건조하여 본 발명의 화합물 1 fac-(bis[(2-(4-플루오로페닐-2'-일)-(5-(트리메틸실릴)피리딘-1'-일]-[(2-(디-벤조[b,d]푸란-4-일)-3'-일)-4-(4-(2,2-디메틸프로필-1,1-d 2 )-2-(메틸-d 3 )페닐-6-d)-5-(메틸-d 3 )피리딘-1-일]이리듐(III))(0.98 g, 39% 수율, 99.8% UPLC 순도)를 황색 고체로서 얻었다.
Bis[2-(5-플루오로페닐-1'-일)-4-이소프로필-5-(트리메틸실릴)피리딘-1-일]-[(2-(디벤조[
b,d
]푸란-4-일)-3'-일)-4-(4-(2,2-디메틸프로필-1,1-
d
2
)-2-((메틸-
d
3
)페닐-6-
d
)-5-(메틸-
d
3
)피리딘-1-일]이리듐(III)(비교 화합물 1)
디-
μ
-클로로-테트라키스[
κ
2(C2,N)-2-(5-플루오로페닐-1'-일)-4-이소프로필-5-(트리메틸실릴)피리딘-1-일]디이리듐(III)
bis(1,5-시클로옥타디엔)디이리듐(I) 디클로라이드(1.00 g, 1.489 mmol, 1.0 당량), 2-(4-플루오로페닐)-4-이소프로필-5-(트리메틸실릴)피리딘(1.07 g, 3.722 mmol, 2.5 당량) 및 1,2-디클로로벤젠(28 mL)의 혼합물을 110℃에서 3일 동안 가열한 다음 실온으로 냉각했다. 2개의 다른 반응 혼합물(총 2.978 mmol)을 첨가하고, 용액을 감압 하에 농축시켰다. 잔류물을 메탄올(200 mL)로 희석하고 감압 하에 농축시켰다. 이 과정을 여러 번 반복하여 대부분의 1,2-디클로로벤젠을 제거했고 부피는 말단(heel)으로 줄었다. 현탁액을 여과하여 디-μ-클로로-테트라키스-[κ2(C2,N)-2-(5-플루오로페닐-1'-일)-4-이소프로필-5-(트리메틸실릴)피리딘-1-일]디이리듐(III)(1.3g 및 1.9g, 45% 수율)의 2개의 수확물을 각각 녹색 및 옅은 갈색 고체로서 얻었다.
[Ir(2-(5-플루오로페닐-1'-일)-4-이소프로필-5-(트리메틸실릴)피리딘-1-일(-1H))
2
-(MeOH)
2
]트리플루오로메탄술포네이트
메탄올(4.5 mL) 중의 은(I) 트리플루오로메탄술포네이트(431 mg, 1.678 mmol, 2.1 당량)의 용액을 디클로로메탄(22 mL) 중 조 디-μ-클로로-테트라키스[κ2(C2,N)-2-(5-플루오로페닐-1'-일)-4-이소프로필-5-(트리메틸실릴)피리딘-1-일]디이리듐(III)(1.30 g, 812 μmol, 1.0 당량)의 용액에 첨가하였고, 반응 혼합물을 실온에서 밤새 교반하였다. 혼합물을 Celite®(1 g)를 얹은 짧은 실리카겔 패드(1 g)를 통해 여과하고, 디클로로메탄(10 mL)으로 세정하였다. 여액을 감압 하에 농축시켜 [Ir(2-(5-플루오로페닐-1'-일)-4-이소프로필-5-(트리메틸실릴)피리딘-1-일(-1H))2(MeOH)2]-트리플루오로메탄 술포네이트(1.3 g, 80% 수율)를 황색 고체로서 얻었다.
Bis[2-(5-플루오로페닐-1'-일)-4-이소프로필-5-(트리메틸실릴)피리딘-1-일]-[(2-(디벤조[
b,d
]푸란-4-일)-3'-일)-4-(4-(2,2-디메틸프로필-1,1-
d
2
)-2-((메틸-
d
3
)페닐-6-
d
)-5-(메틸-
d
3
)피리딘-1-일]이리듐(III)
mer 이성질체의 fac로의 이성질체화는 실온에서 용액에서 광화학적으로 수행되었다.
비교 화합물의 정제
조 mer 이성질체 용액을 감압 하에 농축시켰다. 잔류물(1.9 g)을 헥산 중 30% 디클로로메탄으로 용리시키면서, Biotage 자동화 크로마토그래피 시스템(4개의 적층된 120 g Sorbtech 실리카겔 카트리지)에서 정제했다. 순수한 분획을 감압 하에 농축시켰다. 디클로로메탄(25 mL) 중 잔류 고체 용액을 염기성 알루미나(150 g) 12인치 패드를 통해 여과하고, 모든 생성물이 용리될 때까지 디클로로메탄(350 mL)으로 헹구었다. 여액을 감압 하에 농축시켰다. 잔류물을 디클로로메탄(60 mL)에 용해시키고 메탄올(300 mL)로 침전시켰다. 현탁액을 실온에서 밤새 교반하였다. 고체를 여과하고 밤새 50℃에서 진공 오븐에서 건조시켜 bis[2-(5-플루오로페닐-1'-일)-4-이소프로필-5-(트리메틸실릴)피리딘-1-일]-[(2-(디벤조[b,d]푸란-4-일)-3'-일)-4-(4-(2,2-디메틸프로필-1,1-d 2)-2-((메틸-d 3)페닐-6-d)-5-(메틸-d 3)피리딘-1-일]이리듐(III)(비교 화합물 1)(0.81 g)을 황색 고체로서 얻었다.
디바이스 실시예
모든 예시적인 디바이스는 고진공(<10-7 Torr) 열 증발에 의해 제작하였다. 애노드 전극은 800 Å의 인듐 주석 산화물(ITO)이었다. 캐소드는 10 Å의 Liq(8-하이드록시퀴놀린 리튬)에 이어 1,000 Å의 Al로 구성되었다. 모든 디바이스는 제작 직후 패키지 내부에 통합된 수분 게터를 갖는 질소 글로브 박스(<1 ppm의 H2O 및 O2)에서 에폭시 수지로 밀봉된 유리 덮개로 캡슐화되었다. 디바이스 예의 유기 스택은 ITO 표면으로부터 순차적으로, 정공 주입층(HIL)으로서 100 Å의 LG101(LG Chem에서 구입); 정공 수송층(HTL)으로서 400 Å의 HTM; 두께 400 Å의 발광층(EML); 전자 차단층(EBL)으로서 50 Å의 EBM; H-호스트(H1):E-호스트(H2)를 6:4의 비로 함유하고 5 중량%의 녹색 이미터를 함유하는 발광층; ETL로서 35%의 ETM으로 도핑된 350 Å의 Liq(8-하이드록시퀴놀린 리튬)구성되었다. 디바이스 구조를 표 2에 나타내었다. 디바이스 재료의 화학 구조를 아래에 나타내었다.
제작 시, EL 및 JVL을 측정하기 위해 디바이스를 테스트했다. 이를 위해, 샘플을 2채널 Keysight B2902A SMU에 의해 10 mA/cm2의 전류 밀도로 활성화시켰고 Photo Research PR735 분광복사계에 의해 측정하였다. 380 nm에서 1080 nm까지의 광휘(Radiance)(W/str/cm2), 및 총 통합 광자 수를 수집하였다. 이후 JVL 스윕을 위해 디바이스를 대면적 실리콘 포토다이오드 아래에 배치했다. 10 mA/cm2에서 디바이스의 통합 광자 수는 광다이오드 전류를 광자 수로 변환하는 데 사용된다. 전압은 0에서 200 mA/cm2에 해당하는 전압으로 스윕된다. 디바이스의 EQE는 총 통합 광자 수를 사용하여 계산된다. 모든 결과는 표 3에 요약되어 있다. 본 발명의 실시예 1(디바이스 1)의 전압 및 수명은 비교예 1(디바이스 2)의 결과로 정규화된 상대 수치로 보고된다.
표 3은 상기 재료의 전계발광 디바이스의 성능의 요약을 제공한다. 본 발명의 디바이스와 비교 디바이스는 517 및 518 nm에서 유사한 녹색 발광을 나타내고, 56 및 57 nm의 FWHM을 갖는 유사한 선 모양을 나타낸다. 그러나, 본 발명의 실시예 1은 비교예 1에 비해 훨씬 더 우수한 디바이스 수명 및 더 우수한 디바이스 전압을 나타낸다. 이러한 값의 개선은 실험 오차에서 기인인할 수 있는 모든 값을 넘으며 관찰된 개선은 유의한 것이다. 위 데이터에서 관찰된 성능 개선은 예상치 못한 것이었다. 모든 결과는 OLED에서의 적용을 위한 본 발명의 화합물의 중요성을 보여준다.
Claims (15)
- 화학식 Ir(LA)m(LB)n의 화합물로서,
상기 식에서,
m 및 n은 각각 독립적으로 1 또는 2이고;
m+n=3이고;
LA는 하기 화학식 I의 구조를 갖고:
[화학식 I]
;
LB는 하기 화학식 II의 구조를 갖고:
[화학식 II]
;
모이어티 D는 단환 고리 또는 다환 융합 고리 시스템이고, 여기서 단환 고리 및 다환 융합 고리 시스템의 각 고리는 독립적으로 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이고;
모이어티 D는 최대 3개의 융합 고리를 포함하며;
R은 H, D, 메틸, 및 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 메틸로 이루어진 군으로부터 선택되고;
RA, RB, RC, RD, 및 RE는 각각 독립적으로 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고;
각 R1, R2, R3, R4, R5, R6, RA, RB, RC, RD, 및 RE는 독립적으로 수소이거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 보릴, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고;
하기 두 진술 중 적어도 하나가 적용되고:
(1) R4 및 R5는 종합적으로 3개 이상의 탄소 원자를 포함함, 또는
(2) R6은 3개 이상의 탄소 원자를 포함함;
임의의 2개의 치환기는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있는 것인 화합물. - 제1항에 있어서, 적어도 하나의 RA는 알킬, 시클로알킬, 불소, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 변이체, 이들의 부분적으로 또는 완전히 불소화된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 및/또는 적어도 하나의 RB는 알킬, 시클로알킬, 불소, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 변이체, 이들의 부분적으로 또는 완전히 불소화된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 및/또는 적어도 하나의 RC는 알킬, 시클로알킬, 불소, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 변이체, 이들의 부분적으로 또는 완전히 불소화된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 및/또는 적어도 하나의 RE는 알킬, 시클로알킬, 불소, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 변이체, 이들의 부분적으로 또는 완전히 불소화된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물.
- 제1항에 있어서, 2개의 RB는 함께 연결되어 고리 B에 융합된 고리를 형성하고; 및/또는 고리 B와 고리 B에 융합된 고리는 나프탈렌, 퀴나졸린, 벤조푸란, 벤즈옥사졸, 벤조티오펜, 벤조티아졸, 벤조셀레노펜, 인덴, 인돌, 벤즈이미다졸, 카르바졸, 아자-카르바졸, 디벤조푸란, 아자-디벤조푸란, 디벤조티오펜, 아자-디벤조티오펜, 퀴녹살린, 프탈라진, 페난트렌, 페난트리딘, 및 플루오렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 모이어티를 형성하는 것인 화합물.
- 제1항에 있어서, 고리 E와의 결합에 인접한 적어도 하나의 RC는 알킬, 시클로알킬, 불소, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 변이체, 이들의 부분적으로 또는 완전히 불소화된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 및/또는
R1, R2, 또는 R3 중 적어도 하나는 알킬 또는 아릴이고; 및/또는 R4, R5, 또는 R6 중 적어도 하나는 알킬, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 및/또는 R4, R5, 또는 R6 중 적어도 2개는 독립적으로 알킬, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 및/또는 R6은 치환 또는 비치환될 수 있는 페닐을 포함하고; 및/또는
R6과 RE는 연결되어 고리 E에 융합된 고리를 형성하고; 및/또는 고리 E와 고리 E에 융합된 고리는 나프탈렌, 퀴나졸린, 벤조푸란, 벤즈옥사졸, 벤조티오펜, 벤조티아졸, 벤조셀레노펜, 인덴, 인돌, 벤즈이미다졸, 카르바졸, 아자-카르바졸, 디벤조푸란, 아자-디벤조푸란, 디벤조티오펜, 아자-디벤조티오펜, 퀴녹살린, 프탈라진, 페난트렌, 페난트리딘 및 플루오렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 모이어티를 형성하는 것인 화합물. - 제1항에 있어서, 모이어티 D는 벤젠, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 이미다졸, 피라졸, 피롤, 옥사졸, 푸란, 티오펜, 티아졸, 나프탈렌, 퀴나졸린, 벤조푸란, 벤즈옥사졸, 벤조티오펜, 벤조티아졸, 벤조셀레노펜, 인덴, 인돌, 벤즈이미다졸, 카르바졸, 아자-카르바졸, 디벤조푸란, 아자-디벤조푸란, 디벤조티오펜, 아자-디벤조티오펜, 퀴녹살린, 프탈라진, 페난트렌, 페난트리딘, 및 플루오렌으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 및/또는 적어도 하나의 RD는 알킬, 시클로알킬, 실릴, 시아노, 불소, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 변이체, 이들의 부분적으로 또는 완전히 불소화된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물.
- 제1항에 있어서, 리간드 LA는 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
- 제1항에 있어서, 리간드 LA는 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
상기 식에서, 각각의 RA1, RA2, RB1, 및 RB2는 독립적으로 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 보릴, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로부터 선택된다. - 제1항에 있어서, 리간드 LA는 LAi로부터 선택되고, i는 1 내지 191의 정수이고, 각 LAi는 하기와 같이 정의되는 것인 화합물:
- 제1항에 있어서, 리간드 LB는 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
상기 식에서,
Z는 BR, BRR', NR, PR, O, P(O)R, S, Se, C=O, C=S, C=Se, C=NR, C=CRR', S=O, SO2, CR, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군으로부터 선택되고;
X1은 C 또는 N이고;
RDD는 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고;
각 R, R' 및 RDD는 독립적으로 수소이거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 보릴, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고;
임의의 2개 치환기는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있다. - 제1항에 있어서, 리간드 LB는 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
- 제1항에 있어서, 리간드 LB는 LBk로부터 선택되고, k는 1 내지 331의 정수이고, 각 LBk는 하기와 같이 정의되는 것인 화합물:
- 제8항에 있어서, LA는 LA i 로부터 선택될 수 있고, 여기서 i는 1 내지 191의 정수이고; LB는 LB k 로부터 선택될 수 있고, 여기서 k는 1 내지 331의 정수이고;
화합물이 화학식 Ir(LA i )(LB k )2를 갖는 경우, 화합물은 Ir(LA 1 )(LB 1 )2 내지 Ir(LA191)(LB331)2로 이루어진 군으로부터 선택되고;
화합물이 화학식 Ir(LA i )2(LB k )를 갖는 경우, 화합물은 Ir(LA 1 )2(LB 1 ) 내지 Ir(LA191)2(LB331)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물. - 제1항에 있어서, 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물:
- 애노드;
캐소드; 및
애노드와 캐소드 사이에 배치된, 제1항에 따른 화합물을 포함하는 유기층
을 포함하는 유기 발광 디바이스. - 애노드;
캐소드; 및
애노드와 캐소드 사이에 배치된, 제1항에 따른 화합물을 포함하는 유기층
을 포함하는 유기 발광 디바이스를 포함하는 소비자 제품.
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