CN106206871A - 发光器件的制备方法与发光器件 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了发光器件的制备方法与发光器件。该发光器件的制备方法包括:步骤S1,提供基板,基板上设置有多个像素隔离结构和电致发光结构的第一电极,相邻的像素隔离结构之间具有子像素区域,在各子像素区域上设置电致发光结构的发光层和第二电极,其中,发光层和第二电极依次远离基板设置,第二电极为出光电极;步骤S2,采用喷墨打印法在至少一个第二电极的远离对应的发光层的表面上设置量子点墨水,并固化形成至少一个光转换层。该方法避免了采用光刻法造成的材料浪费的问题,简化了发光器的制备过程,降低了生产成本。
Description
技术领域
本申请涉及发光器件领域,具体而言,涉及一种发光器件的制备方法与发光器件。
背景技术
量子点材料是指在三个维度上都出现量子尺度效应,即材料的特征尺寸与电子的德布罗意波长、相干波长及激子波尔半径可比拟,电子局限在纳米空间使得电子输运受到限制,导致电子平均自由程很短,最终导致电子的局域性和相干性增强,此时原本准连续的能带演变为分立的能级结构。这种特殊的能级结构使得量子点具备光致发光和电致发光。可以通过控制量子点的结构、材料和粒径制备相应发光光谱。
发光器件不仅能结合电致发光器件的优点,同时能够结合量子点激发后的高亮度、高色纯度的特点。
现有技术中的发光器件主要是在电致发光器件的盖板内侧设置不同颜色的光转换材料层;通过掩膜及光刻工艺除去不需要的光转换材料层,进而形成不同的光转换区域即形成不同的子像素;然后,将该盖板和电致发光器件贴合实现光致发光与电致发光。
上述的制备方法浪费了光转换材料,且整个制备过程复杂、且成本较高,不适合大规模生产。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种发光器件的制备方法与发光器件,以解决现有技术中的发光器件生产成本高且制备过程复杂的问题。
为了实现上述目的,根据本申请的一个方面,提供了一种发光器件的制备,上述制备方法包括:步骤S1,提供基板,上述基板上设置有多个像素隔离结构和电致发光结构的第一电极,相邻的上述像素隔离结构之间具有子像素区域,在各上述子像素区域上设置上述电致发光结构的发光层和第二电极,其中,上述发光层和上述第二电极依次远离上述基板设置,上述第二电极为出光电极;步骤S2,采用喷墨打印法在至少一个上述第二电极的远离上述对应的发光层的表面上设置量子点墨水,并固化形成至少一个光转换层。
进一步地,上述步骤S1还包括:于至少一个上述子像素区域内,在上述第一电极和上述发光层之间设置空穴注入层和/或空穴传输层。
进一步地,上述步骤S1还包括:于至少一个上述子像素区域内,在上述发光层和对应的上述第二电极之间设置电子注入层和/或电子传输层。
进一步地,上述步骤S2包括:步骤S21,于至少一个上述子像素区域内,在上述第二电极的远离对应的上述发光层的表面上设置保护层;步骤S22,采用喷墨打印法在各上述保护层远离对应的上述第二电极的表面上设置上述量子点墨水,并固化形成光转换层。
进一步地,上述步骤S21中采用物理气相沉积法、化学气相沉积法、溅射法或蒸镀法形成上述保护层。
进一步地,上述步骤S2还包括:步骤S21',于至少一个上述子像素区域内,采用喷墨打印法在上述第二电极的远离对应的上述发光层的表面上设置辅助量子点墨水,并固化形成辅助光转换层;步骤S22',采用喷墨打印法在各上述辅助光转换层的远离对应的上述第二电极的表面上设置量子点墨水,并固化形成光转换层。
进一步地,上述步骤S21'包括:步骤S211',于至少一个上述子像素区域内,在上述第二电极的远离对应的上述发光层的表面上设置保护层;步骤S212',采用喷墨打印法在各上述保护层的远离对应的上述第二电极的表面上设置辅助量子点墨水,并固化形成辅助光转换层。
进一步地,上述保护层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化锌、氧化钡、钛酸钡、氧化硼、氧化铈、氧化钴、氧化锗、氧化铪、氧化铟、镁铝尖晶石、氧化镁、氧化锰、氧化镍、氧化铌、三氧化二妮、氧化钽、氧化锶、氧化钛、氮化钛、氧化钇、氧化锆、氟化铝、氟化钡、氟化铋、氟化镁、氟化铈、氟化铽、氟化钇、氟化锌、氧化钼、硒化铋、锑化铋、硒化锌、硫化锌、锑化锌、硒化锡、硫化锡与锑化锡中的一种或多种,或者上述保护层的材料为聚醚砜、聚丙烯酸、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺,聚碳酸酯、醋酸纤维素与醋酸丙酸纤维素中的一种或多种。
进一步地,上述步骤S2中,采用激光或者电子束能量固化上述量子点墨水。
根据本申请的另一方面,提供了一种发光器件,该发光器件包括基板与电致发光结构,上述基板上设置有第一电极和多个像素隔离结构,相邻的上述像素隔离结构之间具有子像素区域,上述电致发光结构包括上述第一电极、设置在上述子像素区域的发光层和第二电极,且上述发光层和上述第二电极依次远离上述基板设置,上述发光器件还包括:至少一个光转换层,各上述光转换层设置上述第二电极远离对应的上述发光层的表面上。
进一步地,上述发光器件还包括:至少一个保护层,各上述保护层设置在各上述第二电极与对应的上述光转换层之间。
进一步地,各上述保护层的透光率大于等于70%。
进一步地,各上述保护层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化锌、氧化钡、钛酸钡、氧化硼、氧化铈、氧化钴、氧化锗、氧化铪、氧化铟、镁铝尖晶石、氧化镁、氧化锰、氧化镍、氧化铌、三氧化二妮、氧化钽、氧化锶、氧化钛、氮化钛、氧化钇、氧化锆、氟化铝、氟化钡、氟化铋、氟化镁、氟化铈、氟化铽、氟化钇、氟化锌、氧化钼、硒化铋、锑化铋、硒化锌、硫化锌、锑化锌、硒化锡、硫化锡与锑化锡中的一种或多种,或者上述保护层的材料为聚醚砜、聚丙烯酸、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺,聚碳酸酯、醋酸纤维素与醋酸丙酸纤维素中的一种或多种。
进一步地,上述发光器件还包括:至少一个辅助光转换层,各上述辅助光转换层设置在各上述第二电极与对应的上述光转换层之间;各上述辅助光转换层的发光波长大于对应的上述发光层的发光波长,且小于对应的上述光转换层的发光波长。
进一步地,各上述发光层为量子点发光层或者有机发光层,且各上述发光层的发光波长为小于等于480nm。
进一步地,上述光转换层中,部分的上述光转换层为红色量子点层,另一部分的上述光转换层为绿色量子点层。
进一步地,上述发光器件还包括:至少一个光提取层,各上述光提取层设置在各上述光转换层与对应的保护层之间。
应用本申请的技术方案,采用喷墨打印的方式在出光电极上形成光转换层,避免了采用光刻法造成的材料浪费的问题;并且,该制备方法简化了子像素区域形成过程,进而简化了发光器的制备过程,降低了生产成本。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1示出了本申请的一种典型的实施方式提供的发光器件的结构示意图;
图2示出了本申请的一种实施例提供的发光器件的结构示意图;
图3示出了本申请的另一种实施例提供的发光器件的结构示意图;
图4示出了本申请的再一种实施例提供的发光器件的结构示意图;以及
图5示出了本申请的又一种实施例提供的发光器件的结构示意图。
其中,上述附图包括以下附图标记:
01、像素隔离结构;11、基板;12、第一电极;20、发光层;30、第二电极;40、保护层;45、光提取层;50、辅助光转换层;60、光转换层。
具体实施方式
应该指出,以下详细说明都是例示性的,旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明,本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
正如背景技术所介绍的,现有技术中发光器件的制备方法较复杂,并且浪费了大量的光转换材料,为了解决如上的技术问题,本申请提出了一种发光器件的制备方法与发光器件。
本申请一种典型的实施方式中,提供了一种发光器件的制备方法,该制备方法包括:提供基板,上述基板上设置有多个像素隔离结构和电致发光结构的第一电极,相邻的上述像素隔离结构之间具有子像素区域,在各上述子像素区域上设置上述电致发光结构的发光层和第二电极,其中,上述发光层和上述第二电极依次远离上述基板设置,上述第二电极为出光电极;步骤S2,采用喷墨打印法在至少一个上述第二电极的远离对应的上述发光层的表面上设置量子点墨水,并固化形成至少一个光转换层,形成图1所示的结构。
上述的制备方法,利用像素隔离结构的隔离作用,采用喷墨打印的方式在出光电极上能够形成光转换层,进而避免了采用光刻法造成的材料浪费的问题;并且,该制备方法简化了子像素形成过程,进而简化了量子点电致发光器件的制备过程,降低了生产成本。
本申请的第一电极的材料可以是氧化铟锡(ITO)、氧化锌锡(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡(ITO)、铟镓锌氧化物(IGZO)与铟锡锌氧化物(ITZO)的一种或多种,第二电极可以是Li、Ca、LiF/Ca、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF与Ba的一种或多种,且呈透明或者半透明。
本申请中的第一电极层设置在基板的表面上,第一电极可以是一个布满基板表面的整层电极层,也可以是由像素隔离结构隔离开来的多个相互独立的电极。本领域技术人员可以根据实际的情况选择设置一个第一电极或者多个相互隔离的第一电极。当第一电极为一个时,该第一电极为多个电致发光结构的公共电极,当第一电极为多个时,第一电极、发光层与第二电极一一对应,并且,对应的第一电极、发光层与第二电极形成一个电致发光结构。
本申请的一种实施例中,上述步骤S1还包括:于至少一个上述子像素区域内,在上述第一电极和上述发光层之间设置空穴注入层和/或空穴传输层。这样能够使空穴由第一电极有效地注入到发光层中。
没有特殊说明的情况下,本申请中“对应的”都是指同一个电致发光结构中的结构层或者同一个子像素区域中的结构层,A与对应的B表示中的“对应的B”表示同一个电致发光结构中的结构层或者同一个子像素区域中的与A接触设置的B。
本申请的空穴注入和/或空穴传输层可以是现有技术中的任何一种空穴注入和/或空穴传输层,本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的材料层作为空穴注入和/或空穴传输层。
为了使得电子由第二电极有效地注入到发光层中,本申请优选上述步骤S1还包括:于至少一个上述子像素区域内,在上述发光层和对应的上述第二电极之间设置电子注入层和/或电子传输层。
本申请的电子注入层和/或电子传输层可以是现有技术中的任何一种电子注入层和/或电子传输层,本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的材料层作为电子注入层和/或电子传输层。
由于第二电极较薄,一般只有几十纳米,为了进一步防止第二电极在喷墨打印时被量子点墨水损坏或者量子点墨水的成分渗透到第二电极对第二电极造成损害。本申请的优选上述步骤S2包括:步骤S21,于至少一个上述子像素区域内,在上述第二电极的远离对应的上述发光层的表面上设置保护层;;步骤S22,采用喷墨打印法在各上述保护层40远离上述第二电极30的表面上设置量子点墨水,并固化形成光转换层60,形成图2所示的结构。
本申请中的保护层的材料可以是无机物,例如氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化锌、氧化钡、钛酸钡、氧化硼、氧化铈、氧化钴、氧化锗、氧化铪、氧化铟、镁铝尖晶石、氧化镁、氧化锰、氧化镍、氧化铌、三氧化二妮、氧化钽、氧化锶、氧化钛、氮化钛、氧化钇、氧化锆、氟化铝、氟化钡、氟化铋、氟化镁、氟化铈、氟化铽、氟化钇、氟化锌、氧化钼、硒化铋、锑化铋、硒化锌、硫化锌、锑化锌、硒化锡、硫化锡与锑化锡中的一种或者多种的混合物;保护层的材料也可以是绝缘的或电阻较高的有机物。例如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸(PA)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、醋酸纤维素(CAT或TAC)与醋酸丙酸纤维素(CAP)中的一种或者多种的混合物。本申请中的保护层的材料不限于上述列举的这些。
为了更加方便地设置保护层,且形成性能较好的保护层,本申请优选上述步骤S21中采用物理气相沉积法、化学气相沉积法、溅射法或蒸镀法形成上述保护层。本领域技术人员可以根据实际采用的保护层的材料来选择具体的设置保护层的方法,其中,化学气相沉积法包括原子层沉积法。
本申请另一种优选的实施例中,上述步骤S2还包括:步骤S21',于至少一个上述子像素区域内,采用喷墨打印法在上述第二电极的远离对应的上述发光层的表面上设置辅助量子点墨水,并固化形成辅助光转换层;步骤S22',采用喷墨打印法在各上述辅助光转换层50的远离对应的上述第二电极30的表面上设置量子点墨水,并固化形成光转换层60,形成图3所示的结构。
由于每种量子点都有对应的特征吸收光谱,当电致发光结构的发出的光与光转换层中的量子点的吸收光谱不完全重合时,即电致发光结构中的发出的光不能全部被光转换层吸收,而辅助光转换层可以将电致发光结构中发光层的光先转换为适合光转换层吸收的光,然后再激发光转换层,这样通过在第二电极与光转换层之间设置辅助光转换层,可以提高第一光转换层和第二光转换层的吸收的光的量,进而提高发光器件的发光效率。辅助光转换层中的量子点的发光波长大于对应的电致发光结构的发光层的发光波长,但小于对应的光转换层的量子点的发光波长。
用于光致发光的量子点墨水和辅助量子点墨水包括量子点、溶剂(或称作分散剂)与可固化物质,其中,可固化物质为可固化树脂或其单体,溶剂可以选自沸点为40~250℃之间的长链烃、醇、酯和醚的混合物作为有机溶剂。优选地,上述烃为直链或支链烷烃,例如,上述烃为C6-10烷烃。上述有机溶剂可以为氯苯、邻二氯苯、四氢呋喃、苯甲醚、吗啉、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、烷基苯、硝基苯、正己烷、环己烷、正庚烷、环庚烷、二氧六环、二氯甲烷、三氯甲烷、二氯乙烷、氯仿、氯苯、1,4二氧杂环己烷、1,2二氯乙烷、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、四氢萘、萘烷、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜氯仿、四氢呋喃、二氯甲烷、甲苯、正己烷、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、丙酮、二氧六环、二甲基甲酰胺和二甲基亚砜。其中可固化树脂选自环氧树脂、丙烯酸树脂、有机硅树脂,或者对应的单体交联形成可固化树脂。墨水组分还可以有带双键的交联剂,光固化剂或热固化剂等。
量子点墨水和辅助量子点墨水的配方不限于此,量子点墨水和辅助量子点墨水的配方除了量子点之外的其他组分可以相同或不同,本领域技术人员可以根据需要调整。需要解释的是,电致发光结构中的发光层所用的量子点墨水和光致发光的量子点墨水一般情况下是不同的,一般不包含可固化树脂。
另外,光转换层或辅助光转换层的厚度可以根据量子点墨水中的量子点浓度和发光器件的发光光谱进行调整,优选的,光转换层或辅助光转换层的厚度≤50μm,更为优选的,光转换层或辅助光转换层的厚度≤10μm,使得发光器件更加薄。
本申请的再一种实施例中,上述步骤S21'包括:步骤S211',于至少一个上述子像素区域内,在上述第二电极的远离对应的上述发光层的表面上设置保护层;步骤S212',采用喷墨打印法在各上述保护层40的远离对应的上述第二电极30的表面上设置辅助量子点墨水,并固化形成辅助光转换层50,形成如图4所示的结构。
本申请的再一种实施例中,上述光转换层或者辅助光转换层包括可紫外固化的树脂,本申请发明人发现由于量子点本身可以吸收紫外光,所以使得光转换层或辅助光转换层固化缓慢。
固化可以为普通的紫外光或可见光,也可以为热固化,也可以为电子束能量固化,具体采用哪一种方式与具体的量子点墨水中的材料密切相关。
本申请的一种实施例中,有优选采用激光或者电子束能量固化上述量子点墨水与辅助量子点墨水,可以加快固化过程。
其中,激光比如紫外光激光波段、可见光波段激光或者红外光波段的激光,当采用可见光波段与红外光波段的激光固化量子点墨水时,可以减少紫外光被量子点的吸收。
本申请的另一种典型的实施方式中,提供了一种发光器件,如图1所示,该发光器件包括基板11与电致发光结构,上述基板11上设置有第一电极12和多个像素隔离结构01,相邻的上述像素隔离结构01之间具有子像素区域,上述电致发光结构包括上述第一电极12、设置在上述子像素区域的发光层20和第二电极30,且上述发光层20和上述第二电极30依次远离上述基板11设置,上述发光器件还包括至少一个光转换层60,各上述光转换层60设置在各上述电致发光结构的上述第二电极30远离对应的上述发光层20的表面上。
该发光器件中的光转换层直接设置在第二电极的表面上,结构简单,成本较低,更适合推广于市场。
本申请的另一种实施例中,发光器件中包括多个电致发光结构,这些电致发光结构包括第一电致发光区、第二电致发光区和第三电致发光区;上述多个光转换层包括第一光转换层与第二光转换层,其中,上述第一光转换层位于上述第一电致发光区的上述第二电极远离上述发光层的表面,上述第二光转换层位于上述第二电致发光区的上述第二电极远离上述发光层的表面;上述第一光转换层与对应的上述电致发光结构形成第一子像素区域,上述第二光转换层与对应的上述电致发光结构形成第二子像素区域,第三电致发光区对应的电致发光结构为第三子像素。
为了避免采用喷墨法制备光转换层的过程对第二电极层造成损伤,或者避免光转换材料的分子渗透进入第二电极,如图2所示,本申请优选上述发光器件包括至少一个保护层40,各上述保护层40设置在各上述电致发光结构的上述第二电极30与对应的(同一个子像素中的,即与该保护层接触设置的)上述光转换层60之间。
本申请的一种实施例中,各上述保护层的透光率大于等于70%。这样可以进一步避免保护层对光路造成影响,进而进一步保证发光器件的出光率。
为了提高发光器件的发光效率,如图3与图4所示,本申请优选上述发光器件还包括至少一个辅助光转换层50,各辅助光转换层50设置在各上述第二电极30与对应的上述光转换层60之间;上述辅助光转换层50的发光波长大于对应的上述发光层的发光波长,且小于对应的上述光转换层60的发光波长。
当发光器件中包括保护层时,辅助光转换层设置在保护层的远离第二电极的表面上,而光转换层设置在辅助光转换层的远离保护层的表面上,具体的结构如图4所示。
由于第三电致发光区的不需要光转换,因此,也就无需设置辅助光转换层,如图3与图4所示。
本申请的另一种实施例中,各上述发光层为量子点发光层或者有机发光层。本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的发光层。
电致发光结构的发光层的发光波长为小于等于480nm,即发光层发出的可以是紫光,也可以是蓝光,本领域技术人员可以根据具体情况选择合适的发光层,进而使光转换层能受激发发光预定波长的光。
本申请的一种实施例中,上述多个光转换层中,部分光转换层为红色量子点层,另一部分光转换层为绿色量子点层。
本申请的另一种实施例中,红色量子点层的发光波长在600~680nm之间。另一种实施例中,绿色量子点层的发光波长在510~560nm之间。
本申请的再一种实施例中,如图5所示,在光转换层60的和保护层40之间设置有光提取层45,光提取层可以有一层或者多层,并且,该层用于增强出光率。光提取层可以是散射纳米粒子和有机物的混合层。散射纳米粒子选自氧化钛颗粒、氧化钽颗粒、氧化铌颗粒、氧化锆颗粒、氧化铝颗粒、氧化钨颗粒、氧化锑颗粒、氧化钒颗粒、氧化钼颗粒、氧化硅颗粒、氧化铬颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化铅颗粒、氧化钇颗粒、氧化锰颗粒、氧化锡颗粒、氧化锌颗粒、硫化铅颗粒、硫化锌颗粒、硫化镉颗粒、碲化锌颗粒与硒化镉颗粒一种或多种。有机物可选自聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯和乙氰脲酸酯等材料中的一种或多种。散射纳米粒子和有机物的混合层可以通过旋涂、喷涂、狭缝涂布、喷墨打印、丝网印刷制备。
当发光器件中包括辅助光转换层时,光提取层设置在保护层与辅助光装换层之间。
另外,需要说明的一点是,本申请中的图1至图5的发光器件中,简化发光器件的结构,第三电致发光区的第二电极的远离发光层的表面均没有设置任何结构层,但这并不代表第三电致发光区的第二电极的远离发光层的表面一定不设置任何结构层,实际上,第三电致发光区的第二电极的远离发光层的表面可以打印光学透明树脂(OCR Optical ClearResin)层,OCR层可以用紫外固化。
为了使得本领域技术人员能够更加清楚地理解本申请的技术方案,以下将结合具体的实施例说明本申请的技术方案。
实施例1
发光器件的形成过程具体为:
步骤S1,准备设置有ITO电极(第一电极)的基板,且该基板上设置有多个像素隔离结构,在相邻的像素隔离结构之间裸露的ITO电极的表面上喷墨打印聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)溶液,干燥后作为空穴注入层,打印聚乙烯咔唑(PVK)溶液到空穴注入层上,干燥后作为空穴传输层,喷墨打印发光波长为465nm的蓝色量子点的正癸烷墨水至空穴传输层上,正癸烷挥发干燥后作为发光层,喷墨打印氧化锌(ZnO)溶液至发光层上,干燥后作为电子传输兼注入层,蒸镀第二电极,第二电极为20nm厚度的Ag,第二电极为出光电极;公共的第一电极、多个空穴注入层、多个空穴传输层、多个发光层与多个第二电极形成多个电致发光结构,多个电致发光结构分成第一电致发光区、第二电致发光区与第三电致发光区。得到电致发光外量子效率为6.2%。
步骤S2,采用喷墨打印法在第一电致发光区的第二电极的远离发光层的表面上设置红色量子点的墨水,紫外激光固化形成红色量子点层,该红色量子点的发光波长为600nm,在第二电致发光区的第二电极的远离发光层的表面上设置绿色量子点墨水,紫外激光固化形成绿色量子点层,该绿色量子点的发光波长为560nm,其中,红色量子点层与对应的电致发光结构形成第一子像素(即红色子像素)区域,绿色量子点层与对应的电致发光结构形成第二子像素(即绿色子像素)区域,第三电致发光区对应的第三电致发光结构为第三子像素(即蓝色子像素)区域,形成图1所示的结构。得到红色子像素区域的光致发光效率为38%,绿色子像素区域的光致发光效率为30%。
实施例2
步骤S1的具体工艺与实施例1的相同,在步骤S2中,在各第二电极的远离发光层的表面采用溅射法设置氧化硅层,形成保护层,然后,在第一电致发光区对应的各保护层的远离第二电极的表面上喷墨打印红色量子点墨水,紫外激光固化后形成红色量子点层,在第二电致发光区对应的各保护层的远离第二电极的表面上喷墨打印绿色量子点墨水,紫外激光固化后形成绿色量子点层,进而表面设置了红色量子点层的电致发光结构与对应的红色量子点层形成第一子像素(即红色子像素)区域,进而表面设置了绿色量子点层的电致发光结构与对应的绿色量子点层形成第二子像素(即绿色子像素)区域,第三电致发光区对应的电致发光结构为第三子像素(即蓝色子像素)区域。
其中,保护层的透光率为90%。具体的红色量子点层与绿色量子点层的材料与实施例1的相同。得到红色子像素区域的光致发光效率为41%,绿色子像素区域的光致发光效率为33%。
实施例3
与实施例2的区别在于,在步骤S2中的形成保护层后,在保护层的远离第二电极的表面上喷墨打印辅助量子点墨水,紫外激光固化后形成辅助光转换层,辅助量子点墨水中的量子点的发光波长为500nm;然后,采用喷墨打印法在辅助光转换层的远离保护层的表面上设置红色量子点层或者绿色量子点层。得到红色子像素区域的光致发光效率为51%,绿色子像素区域的光致发光效率为38%。
实施例4
与实施例2的区别在于,在步骤S2中,在所有保护层的远离第二电极的表面上采用狭缝涂布法涂布氧化钛散射粒子及环氧丙烯酸酯混合的光提取层,采用喷墨打印法在各光提取层的远离对应的保护层的表面上打印红色量子点层或者绿色量子点层。得到红色子像素区域的光致发光效率为46%,绿色子像素区域的光致发光效率为37%。
实施例5
与实施例4的区别在于,在步骤S2中的形成光提取层后,在光提取层远离保护层的表面上喷墨打印辅助量子点墨水,电子束固化后形成辅助光转换层,辅助量子点墨水中的量子点的发光波长为500nm;然后,采用喷墨打印法在各辅助光转换层的远离对应的光提取层的表面上打印红色量子点层或者绿色量子点层。得到红色子像素区域的光致发光效率为57%,绿色子像素区域的光致发光效率为42%。
上述是实施例的外量子效率测试方法为:采用PHOTO RESEARCH公司生产的PR670光谱光度/色度/辐射度计,在电流密度为2mA/cm2的条件下,测试实施例1的发光器件的外量子效率(EQE),外量子效率越大,发光器件的发光率越高。
上述实施例的子像素区域的光致发光效率测试方法为:利用积分球分别测试蓝色背光光谱和透过光转换层的光谱,利用谱图的积分面积计算量子点光致发光效率。红色子像素区域的光致发光效率=红色量子点吸收峰面积/(蓝色背光峰面积-透过量子点复合材料未被吸收的蓝色峰面积)×100%;绿色子像素区域的光致发光效率=绿色量子点吸收峰面积/(蓝色背光峰面积-透过量子点复合材料未被吸收的蓝色峰面积)×100%。
由实施例的测试数据可以看出,实施例1至实施例5的红色子像素区域的光致发光效率为与绿色子像素区域的光致发光效率均较高,与实施例1相比,实施例2的发光器件在第二电极与光转换层之间设置了保护层,使得红色子像素区域的光致发光效率为与绿色子像素区域光致发光效率进一步提高;与实施例2相比,实施例3的发光结构在保护层与光转换层之间设置了辅助光转换层,使得红色子像素区域的光致发光效率为与绿色子像素区域的光致发光效率再一步提高;实施例4与实施例2相比,在保护层与光转换层之间设置了光提取层,使得红色子像素区域的光致发光效率为与绿色子像素区域的光致发光效率均较高;实施例5与实施例4相比,在光提取层与光转换层之间设置了辅助光转换层,使得红色子像素区域的光致发光效率为与绿色子像素区域的光致发光效率最高。
从以上的描述中,可以看出,本申请上述的实施例实现了如下技术效果:
1)、本申请的制备方法,采用喷墨打印的方式在出光电极上形成光转换层,避免了采用光刻法造成的材料浪费的问题;并且,该制备方法简化了子像素区域形成过程,进而简化了发光器的制备过程,降低了生产成本。
2)、本申请的发光器件中的光转换层直接设置在第二电极的表面上,结构简单,成本较低,更适合推广于市场。
以上上述仅为本申请的优选实施例而已,并不用于限制本申请,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (17)
1.一种发光器件的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
步骤S1,提供基板,所述基板上设置有多个像素隔离结构和电致发光结构的第一电极,相邻的所述像素隔离结构之间具有子像素区域,在各所述子像素区域上设置所述电致发光结构的发光层和第二电极,其中,所述发光层和所述第二电极依次远离所述基板设置,所述第二电极为出光电极;以及
步骤S2,采用喷墨打印法在至少一个所述第二电极的远离对应的所述发光层的表面上设置量子点墨水,并固化形成至少一个光转换层。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1还包括:
于至少一个所述子像素区域内,在所述第一电极和所述发光层之间设置空穴注入层和/或空穴传输层。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1还包括:
于至少一个所述子像素区域内,在所述发光层和对应的所述第二电极之间设置电子注入层和/或电子传输层。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S2包括:
步骤S21,于至少一个所述子像素区域内,在所述第二电极的远离对应的所述发光层的表面上设置保护层;以及
步骤S22,采用喷墨打印法在各所述保护层远离对应的所述第二电极的表面上设置所述量子点墨水,并固化形成光转换层。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S21中采用物理气相沉积法、化学气相沉积法、溅射法或蒸镀法形成所述保护层。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S2还包括:
步骤S21',于至少一个所述子像素区域内,采用喷墨打印法在所述第二电极的远离对应的所述发光层的表面上设置辅助量子点墨水,并固化形成辅助光转换层;以及
步骤S22',采用喷墨打印法在各所述辅助光转换层的远离对应的所述第二电极的表面上设置量子点墨水,并固化形成光转换层。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S21'包括:
步骤S211',于至少一个所述子像素区域内,在所述第二电极的远离对应的所述发光层的表面上设置保护层;以及
步骤S212',采用喷墨打印法在各所述保护层的远离对应的所述第二电极的表面上设置辅助量子点墨水,并固化形成辅助光转换层。
8.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述保护层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化锌、氧化钡、钛酸钡、氧化硼、氧化铈、氧化钴、氧化锗、氧化铪、氧化铟、镁铝尖晶石、氧化镁、氧化锰、氧化镍、氧化铌、三氧化二妮、氧化钽、氧化锶、氧化钛、氮化钛、氧化钇、氧化锆、氟化铝、氟化钡、氟化铋、氟化镁、氟化铈、氟化铽、氟化钇、氟化锌、氧化钼、硒化铋、锑化铋、硒化锌、硫化锌、锑化锌、硒化锡、硫化锡与锑化锡中的一种或多种,或者所述保护层的材料为聚醚砜、聚丙烯酸、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺,聚碳酸酯、醋酸纤维素与醋酸丙酸纤维素中的一种或多种。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,采用激光或者电子束能量固化所述量子点墨水。
10.一种发光器件,包括基板(11)与电致发光结构,所述基板(11)上设置有第一电极(12)和多个像素隔离结构(01),相邻的所述像素隔离结构(01)之间具有子像素区域,所述电致发光结构包括所述第一电极(12)、设置在所述子像素区域的发光层(20)和第二电极(30),且所述发光层(20)和所述第二电极(30)依次远离所述基板(11)设置,其特征在于,所述发光器件还包括:
至少一个光转换层(60),各所述光转换层(60)设置所述第二电极(30)远离对应的所述发光层(20)的表面上。
11.根据权利要求10所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括:
至少一个保护层(40),各所述保护层(40)设置在各所述第二电极(30)与对应的所述光转换层(60)之间。
12.根据权利要求11所述的发光器件,其特征在于,各所述保护层(40)的透光率大于等于70%。
13.根据权利要求11所述的发光器件,其特征在于,各所述保护层(40)的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化锌、氧化钡、钛酸钡、氧化硼、氧化铈、氧化钴、氧化锗、氧化铪、氧化铟、镁铝尖晶石、氧化镁、氧化锰、氧化镍、氧化铌、三氧化二妮、氧化钽、氧化锶、氧化钛、氮化钛、氧化钇、氧化锆、氟化铝、氟化钡、氟化铋、氟化镁、氟化铈、氟化铽、氟化钇、氟化锌、氧化钼、硒化铋、锑化铋、硒化锌、硫化锌、锑化锌、硒化锡、硫化锡与锑化锡中的一种或多种,或者所述保护层(40)的材料为聚醚砜、聚丙烯酸、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺,聚碳酸酯、醋酸纤维素与醋酸丙酸纤维素中的一种或多种。
14.根据权利要求10或11所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括:
至少一个辅助光转换层(50),各所述辅助光转换层(50)设置在各所述第二电极(30)与对应的所述光转换层(60)之间;各所述辅助光转换层(50)的发光波长大于对应的所述发光层(20)的发光波长,且小于对应的所述光转换层(60)的发光波长。
15.根据权利要求10或11所述的发光器件,其特征在于,各所述发光层(20)为量子点发光层或者有机发光层,且各所述发光层(20)的发光波长为小于等于480nm。
16.根据权利要求15所述的发光器件,其特征在于,所述光转换层(60)中,部分的所述光转换层(60)为红色量子点层,另一部分的所述光转换层(60)为绿色量子点层。
17.根据权利要求11所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括:
至少一个光提取层(45),各所述光提取层(45)设置在各所述光转换层(60)与对应的所述保护层(40)之间。
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CN110264877A (zh) * | 2018-03-12 | 2019-09-20 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 像素化波长转换装置、像素化波长转换元件及其制造方法 |
WO2020182001A1 (zh) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、其制作方法及显示装置 |
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CN112420895A (zh) * | 2020-11-09 | 2021-02-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件 |
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109841647A (zh) * | 2017-11-24 | 2019-06-04 | 上海和辉光电有限公司 | 一种oled显示模组及显示器 |
CN110264877A (zh) * | 2018-03-12 | 2019-09-20 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 像素化波长转换装置、像素化波长转换元件及其制造方法 |
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CN109061941B (zh) * | 2018-08-07 | 2022-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点膜及其制备方法、背光模组及显示装置 |
US11552228B2 (en) * | 2018-08-17 | 2023-01-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
WO2020182001A1 (zh) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、其制作方法及显示装置 |
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