CN112420895B - QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件 - Google Patents
QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112420895B CN112420895B CN202011237249.6A CN202011237249A CN112420895B CN 112420895 B CN112420895 B CN 112420895B CN 202011237249 A CN202011237249 A CN 202011237249A CN 112420895 B CN112420895 B CN 112420895B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- miniled
- monomers
- emitting device
- coating
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 47
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 15
- 239000012025 fluorinating agent Substances 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 7
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 5
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000003075 superhydrophobic effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- AVXLXFZNRNUCRP-UHFFFAOYSA-N trichloro(1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-heptadecafluorooctyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)[Si](Cl)(Cl)Cl AVXLXFZNRNUCRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请公开了一种QD‑miniLED发光器件制作方法及QD‑miniLED发光器件。该QD‑miniLED发光器件制作方法包括以下步骤：对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理，得到多个第二miniLED单体；将所述多个第二miniLED单体转移到TFT阵列基板上，所述多个第二miniLED单体在所述TFT阵列基板上间隔分布；在所述TFT阵列基板上的多个第二miniLED单体的间隙内填充遮光材料层；将所述TFT阵列基板与设置有像素化的量子点基板对组贴合，得到QD‑miniLED发光器件。本申请实施例提供的QD‑miniLED发光器件制作方法通过在miniLED单体的表面进行超疏水化处理，从而降低miniLED单体的表面的浸润性，从而可以避免后续进行遮光材料层的涂布时，遮光材料层在miniLED单体的发光面残留，从而可以提高QD‑miniLED发光器的质量，降低不良率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件。
背景技术
近年来，量子点显示技术受到了光电领域研究者的广泛关注。相对传统的荧光粉而言，量子点具有发光波长可调、半峰宽较窄、荧光量子效率高、可溶液加工等优势，因此，能够得到高色域高品质的显示画面。特别地，可以将量子点与miniLED相结合，从而发展出QD-miniLED新型显示技术。
一般而言，QD-miniLED显示技术以蓝光miniLED作为背光，利用高能量的蓝光激发红或绿量子点产生相应的红光或绿光，从而实现色转换。这种显示技术相对红、绿、蓝三色miniLED直显技术而言，只需要蓝色miniLED芯片，再结合量子点色转换层，就可以实现全彩化，因此，其工艺和成本可能会相对较低。在开发QD-miniLED显示技术时，由于miniLED芯片的衬底较厚，故容易出现光串扰问题。
发明内容
本申请提供一种QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件，可以避免遮光材料层残留在miniLED单体的上表面，从而可以避免出现光串扰问题，可以提高产品质量，提高产品良率。
第一方面，本申请实施例提供了一种QD-miniLED发光器件制作方法，包括以下步骤：
对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理，得到多个第二miniLED单体；
将所述多个第二miniLED单体转移到TFT阵列基板上，所述多个第二miniLED单体在所述TFT阵列基板上间隔分布；
在所述TFT阵列基板上的多个第二miniLED单体的间隙内填充遮光材料层；
将所述TFT阵列基板与设置有像素化的量子点基板对组贴合，得到QD-miniLED发光器件。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中，所述对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理的步骤，包括：
对多个第一miniLED单体的表面进行粗糙化处理。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中，所述对多个第一miniLED单体的表面进行粗糙化处理的步骤，包括：
在所述多个第一miniLED单体的表面制作一层具有微纳结构的涂层。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中，所述在所述多个第一miniLED单体的表面制作一层具有微纳结构的涂层的步骤，包括：
采用化学气相沉淀法在所述多个第一miniLED单体的表面沉积一层具有微纳结构的涂层。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中，所述涂层为二氧化硅涂层或者氮化硅涂层。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中，所述对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理的步骤，包括：
对多个第一miniLED单体的表面进行降低表面能处理。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中，所述对多个第一miniLED单体的表面进行降低表面能处理的步骤，包括：
在多个第一miniLED单体的表面涂布表面能低于第一预设值的涂层。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中，所述在多个第一miniLED单体的表面涂布表面能低于预设值的涂层的步骤包括：
将氟化剂加入到透光度大于第二预设值的无机物溶液或者有机高分子溶液中进行混合，得到混合后的氟化剂溶液；
将所述氟化剂溶液涂布到所述多个第一miniLED单体的表面，以在所述多个第一miniLED单体的表面形成表面能低于预设值的涂层。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中，所述遮光材料层为黑胶或者黑色油墨。
第二方面，本申请实施例还提供了一种QD-miniLED发光器件，包括：
TFT阵列基板；
多个第二miniLED单体，所述多个第二miniLED单体间隔地设置于所述TFT阵列基板的上表面，每一所述第二miniLED单体的表面为进行超疏水化处理后的表面；
遮光材料层，其设置于所述TFT阵列基板上，并填充在所述多个第二miniLED单体的间隙内；
量子点基板，其与所述TFT阵列基板上表面对组贴合，以将多个第二miniLED单体以及遮光材料层夹持在其间。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件中，所述第二miniLED单体的表面设置有粗糙化涂层。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件中所述第二miniLED单体的表面设置有表面能低于第一预设值的涂层。
本申请提供的QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件通过在miniLED单体的表面进行超疏水化处理，从而降低miniLED单体的表面的浸润性，从而可以避免后续进行遮光材料层的涂布时，遮光材料层残留在miniLED单体的上表面，从而可以避免出现光串扰问题，可以提高产品质量，提高产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件制作方法的工艺流程图。
图2是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件制作方法的中间场景示意图。
图3是是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件制作方法的另一中间场景示意图。
图4是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件的一种结构示意图。
图5是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件的另一种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参照图1，图1是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件制作方法的工艺流程图。如图1所示，该QD-miniLED发光器件制作方法包括以下步骤：
S101、对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理，得到多个第二miniLED单体。
S102、将所述多个第二miniLED单体转移到TFT阵列基板上，所述多个第二miniLED单体在所述TFT阵列基板上间隔分布。
S103、在所述TFT阵列基板上的多个第二miniLED单体的间隙内填充遮光材料层。
S104、将所述TFT阵列基板与设置有像素化的量子点基板对组贴合，得到QD-miniLED发光器件。
其中，在该步骤S101中，在进行超疏水化处理时，可以降低第一miniLED单体的表面能或者增强第一miniLED单体的表面的粗糙结构。
具体地，在一些实施例中，该步骤S101，包括：对多个第一miniLED单体的表面进行粗糙化处理。其中，该步骤具体为：在所述多个第一miniLED单体的表面制作一层具有微纳结构的涂层。微纳结构是指其尺度为微米级别或者纳米级别。其中，该涂层可以为透光度较高的二氧化硅涂层或者氮化硅涂层。其中，可以采用化学气相沉淀法在所述多个第一miniLED单体的表面沉积一层具有微纳结构的涂层。当然，可以理解地，也可以采用其他的工艺。
在另一些实施例中，该步骤S101，包括：对多个第一miniLED单体的表面进行降低表面能处理。具体为，在多个第一miniLED单体的表面涂布表面能低于第一预设值的涂层。其中，该涂层可以采用氟化剂溶液涂布得到。具体地，该步骤S101可以包括：S1011、将氟化剂加入到透光度大于第二预设值的无机物溶液或者有机高分子溶液中进行混合，得到混合后的氟化剂溶液；S1012、将所述氟化剂溶液涂布到所述多个第一miniLED单体的表面，以在所述多个第一miniLED单体的表面形成表面能低于预设值的涂层。其中，在该步骤S1011中，该氟化剂可以采用全氟辛基三氯硅烷。该无机物溶液可以采用氮化硅溶液或者二氧化硅溶液，该有机高分子溶液可以采用环氧树脂溶液，其中，混合时可以采用超声波搅拌混合，以提高其混合度。其中，在该步骤S1012中，可以采用喷涂的方式将氟化剂溶液均匀喷涂到第一miniLED单体的表面。
当然，可以理解地，在一些实施例中，可以将降低第一miniLED单体的表面能以及增强第一miniLED单体的表面的粗糙结构相互结合，例如，可以先在该第一miniLED单体表面采用上述方法中的进行粗糙化处理，然后再在经过粗糙化处理后的表面进行降低表面能处理。
其中，在该步骤S102中，请参照图2或者图3，图2是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件制作方法的中间场景示意图；图3是是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件制作方法的另一中间场景示意图。如图2或者图3所示，可以采用打件固晶或者ACF工艺的方式，将该多个第二miniLED单体203转移到TFT阵列基板201上。
其中，在该步骤S103中，遮光材料层可以为黑胶或者黑色油墨。可以采用喷墨印刷或者压胶的方式，在多个第二miniLED单体203的间隙内填充黑胶或者黑色油墨。其中，TFT阵列基板201上预先形成有对应的驱动电路202，以用于驱动该多个第二miniLED单体203发光。其中，在图2中，由于该具有微纳结构的涂层2031的存在，喷涂的遮光材料层204的上表面呈球面状，可以避免在第二miniLED单体203的上表面形成遮光材料层残留。其中，在图3中，由于该表面能低于第一预设值的涂层2032的存在，喷涂的遮光材料层204的上表面呈球面状，可以避免在第二miniLED单体203的上表面形成遮光材料层残留。
其中，在该步骤S104中，该量子点基板上设置有多个呈阵列分布的像素区域，每一像素区域均呈矩形状，每一像素区域均涂布有量子点层。在进行对组贴合操作时，每一像素区域分别与一第二miniLED单体正对。并且，该遮光材料层刚好与该多个像素区域的间隙相互正对。遮光材料层的上端刚好伸入量子点层的间隙内。
本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件制作方法通过在miniLED单体的表面进行超疏水化处理，从而降低miniLED单体的表面的浸润性，从而可以避免后续进行遮光材料层的涂布时，遮光材料层残留在miniLED单体的上表面，从而可以避免出现光串扰问题，可以提高产品质量，提高产品良率。
请参阅图4，图4是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件的一种结构示意图。该D-miniLED发光器件采用上述任意实施例中的方法制成。如图4所示，该QD-miniLED发光器件，包括：TFT阵列基板201、第二miniLED单体203、遮光材料层204以及量子点基板205。
其中，该TFT阵列基板201的上表面设置有驱动电路202。该TFT阵列基板201可以采用玻璃基板添加对于的功能层制成。
其中，该多个第二miniLED单体203间隔地设置于所述TFT阵列基板的上表面，具体为，该多个第二miniLED单体203呈矩形阵列设置于该TFT阵列基板201的上表面。该驱动电路202驱动该多个第二miniLED单体203进行发光。每一第二miniLED单体的表面为进行超疏水化处理后的表面。例如，在图4中，第二miniLED单体203的表面设置有粗糙化涂层2031。粗糙化涂层2031为微纳结构的涂层。微纳结构是指其尺度为微米级别或者纳米级别。其中，该粗糙化涂层2031可以为透光度较高的二氧化硅涂层或者氮化硅涂层。其中，可以采用化学气相沉淀法在所述多个第一miniLED单体的表面沉积一层具有微纳结构的涂层。当然，可以理解地，也可以采用其他的工艺。
例如，请参阅图5，图5是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件的另一种结构示意图。在图5中，第二miniLED单体203的表面设置有表面能低于第一预设值的涂层2032。表面能低第一预设值的涂层可以采用氟化剂溶液涂布得到。其中，在本申请中，表面能低于第一预设值的涂层2032或者粗糙化涂层2031降低miniLED单体的表面的浸润性，从而可以避免后续进行遮光材料层的涂布时，遮光材料层在miniLED单体的发光面残留，从而可以提高QD-miniLED发光器的质量，降低不良率。
其中，该遮光材料层204设置于所述TFT阵列基板201上，并填充在所述多个第二miniLED单体203的间隙内。
其中，该量子点基板205与所述TFT阵列基板201上表面对组贴合，以将多个第二miniLED单体203以及遮光材料层204夹持在其间。
本申请实施例提供的QD-miniLED发光器通过在miniLED单体的表面进行超疏水化处理，从而降低miniLED单体的表面的浸润性，从而可以避免后续进行遮光材料层的涂布时，遮光材料层残留在miniLED单体的上表面，从而可以避免出现光串扰问题，可以提高产品质量，提高产品良率。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种QD-miniLED发光器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理，得到多个第二miniLED单体；
将所述多个第二miniLED单体转移到TFT阵列基板上，所述多个第二miniLED单体在所述TFT阵列基板上间隔分布；
在所述TFT阵列基板上的多个第二miniLED单体的间隙内填充遮光材料层；
将所述TFT阵列基板与设置有像素化的量子点基板对组贴合，得到QD-miniLED发光器件。
2.根据权利要求1所述的QD-miniLED发光器件制作方法，其特征在于，所述对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理的步骤，包括：
对多个第一miniLED单体的表面进行粗糙化处理。
3.根据权利要求2所述的QD-miniLED发光器件制作方法，其特征在于，所述对多个第一miniLED单体的表面进行粗糙化处理的步骤，包括：
在所述多个第一miniLED单体的表面制作一层具有微纳结构的涂层。
4.根据权利要求3所述的QD-miniLED发光器件制作方法，其特征在于，所述在所述多个第一miniLED单体的表面制作一层具有微纳结构的涂层的步骤，包括：
采用化学气相沉淀法在所述多个第一miniLED单体的表面沉积一层具有微纳结构的涂层。
5.根据权利要求3所述的QD-miniLED发光器件制作方法，所述涂层为二氧化硅涂层或者氮化硅涂层。
6.根据权利要求1所述的QD-miniLED发光器件制作方法，其特征在于，所述对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理的步骤，包括：
对多个第一miniLED单体的表面进行降低表面能处理。
7.根据权利要求6所述的QD-miniLED发光器件制作方法，其特征在于，所述对多个第一miniLED单体的表面进行降低表面能处理的步骤，包括：
在多个第一miniLED单体的表面涂布表面能低于第一预设值的涂层。
8.根据权利要求7所述的QD-miniLED发光器件制作方法，其特征在于，所述在多个第一miniLED单体的表面涂布表面能低于预设值的涂层的步骤包括：
将氟化剂加入到透光度大于第二预设值的无机物溶液或者有机高分子溶液中进行混合，得到混合后的氟化剂溶液；
将所述氟化剂溶液涂布到所述多个第一miniLED单体的表面，以在所述多个第一miniLED单体的表面形成表面能低于预设值的涂层。
9.根据权利要求1所述的QD-miniLED发光器件制作方法，其特征在于，所述遮光材料层的材料为黑胶或者黑色油墨。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011237249.6A CN112420895B (zh) | 2020-11-09 | 2020-11-09 | QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011237249.6A CN112420895B (zh) | 2020-11-09 | 2020-11-09 | QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112420895A CN112420895A (zh) | 2021-02-26 |
| CN112420895B true CN112420895B (zh) | 2022-01-28 |
Family
ID=74780692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011237249.6A Active CN112420895B (zh) | 2020-11-09 | 2020-11-09 | QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112420895B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113725248A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-11-30 | 上海天马微电子有限公司 | 显示装置及其制作方法 |
| CN114927605B (zh) * | 2022-03-16 | 2023-07-11 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1763979A (zh) * | 2004-10-22 | 2006-04-26 | 吴裕朝 | 均匀白光发光二极管及其制作方法 |
| CN103413819A (zh) * | 2013-07-22 | 2013-11-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板、像素界定层及其制作方法 |
| CN106206871A (zh) * | 2016-08-03 | 2016-12-07 | 纳晶科技股份有限公司 | 发光器件的制备方法与发光器件 |
| CN107968105A (zh) * | 2017-04-28 | 2018-04-27 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 像素结构、显示面板及显示装置 |
| CN109300943A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-02-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示装置 |
| CN109817826A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-05-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板的制作方法 |
| US10402145B2 (en) * | 2016-05-17 | 2019-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic lighting device, video wall module and signal transmitter for a light signaling installation |
| CN111063269A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-04-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| CN111816746A (zh) * | 2020-08-13 | 2020-10-23 | 利亚德光电股份有限公司 | 显示模组、其制造方法及led显示屏 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101681242B1 (ko) * | 2015-01-19 | 2016-11-30 | 광주과학기술원 | 발광다이오드의 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드 |
-
2020
- 2020-11-09 CN CN202011237249.6A patent/CN112420895B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1763979A (zh) * | 2004-10-22 | 2006-04-26 | 吴裕朝 | 均匀白光发光二极管及其制作方法 |
| CN103413819A (zh) * | 2013-07-22 | 2013-11-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板、像素界定层及其制作方法 |
| US10402145B2 (en) * | 2016-05-17 | 2019-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic lighting device, video wall module and signal transmitter for a light signaling installation |
| CN106206871A (zh) * | 2016-08-03 | 2016-12-07 | 纳晶科技股份有限公司 | 发光器件的制备方法与发光器件 |
| CN107968105A (zh) * | 2017-04-28 | 2018-04-27 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 像素结构、显示面板及显示装置 |
| CN109300943A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-02-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示装置 |
| CN109817826A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-05-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板的制作方法 |
| CN111063269A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-04-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| CN111816746A (zh) * | 2020-08-13 | 2020-10-23 | 利亚德光电股份有限公司 | 显示模组、其制造方法及led显示屏 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112420895A (zh) | 2021-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10096752B2 (en) | Manufacturing method for quantum dot color film substrate and quantum dot color film substrate | |
| CN112420895B (zh) | QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件 | |
| US20210336171A1 (en) | Quantum dot color filter substrate, fabricating method thereof, and display panel | |
| CN108303819A (zh) | 背光源及其制造方法、导光板及其制造方法及显示装置 | |
| TWI667517B (zh) | 包含凸面色彩轉換元件的裝置 | |
| CN108008565B (zh) | 一种基于自组装的量子点滤色膜的制备方法 | |
| US20220262995A1 (en) | Display substrate and method for manufacturing the same, and display apparatus | |
| CN112885823B (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| WO2019218849A1 (zh) | 显示基板及其制造方法、显示面板 | |
| CN110007508A (zh) | 彩膜基板、液晶显示面板及液晶显示装置 | |
| CN111752045A (zh) | 背光模组及显示装置 | |
| CN114384725A (zh) | 一种量子点复合膜及其制备方法 | |
| CN111048648B (zh) | 一种显示面板、制作方法及电子设备 | |
| CN114509897B (zh) | 一种量子点增亮复合膜及其制备方法 | |
| WO2024131423A1 (zh) | 背光模组、显示模组以及显示装置 | |
| CN113492607B (zh) | 喷墨印刷封装型量子点制造方法、光转换单元及显示面板 | |
| WO2024082488A1 (zh) | 封装发光单元、显示装置和封装发光单元的制作方法 | |
| CN112993093A (zh) | 显示面板、显示面板的制备方法及电子设备 | |
| US11906844B2 (en) | Light emitting device, backlight, and display panel with reflective layer | |
| CN113809116B (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| KR20130056038A (ko) | 플렉서블 디스플레이 및 이의 제조 방법 | |
| US20240053635A1 (en) | Display panel and display device | |
| US11131879B2 (en) | Backlight module and applications thereof | |
| CN115220262A (zh) | 高亮度复合型mini量子点膜背光模组 | |
| CN114824035B (zh) | 一种led显示模块及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |