CN112420895B - QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种QD‑miniLED发光器件制作方法及QD‑miniLED发光器件。该QD‑miniLED发光器件制作方法包括以下步骤:对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理,得到多个第二miniLED单体;将所述多个第二miniLED单体转移到TFT阵列基板上,所述多个第二miniLED单体在所述TFT阵列基板上间隔分布;在所述TFT阵列基板上的多个第二miniLED单体的间隙内填充遮光材料层;将所述TFT阵列基板与设置有像素化的量子点基板对组贴合,得到QD‑miniLED发光器件。本申请实施例提供的QD‑miniLED发光器件制作方法通过在miniLED单体的表面进行超疏水化处理,从而降低miniLED单体的表面的浸润性,从而可以避免后续进行遮光材料层的涂布时,遮光材料层在miniLED单体的发光面残留,从而可以提高QD‑miniLED发光器的质量,降低不良率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件。
背景技术
近年来,量子点显示技术受到了光电领域研究者的广泛关注。相对传统的荧光粉而言,量子点具有发光波长可调、半峰宽较窄、荧光量子效率高、可溶液加工等优势,因此,能够得到高色域高品质的显示画面。特别地,可以将量子点与miniLED相结合,从而发展出QD-miniLED新型显示技术。
一般而言,QD-miniLED显示技术以蓝光miniLED作为背光,利用高能量的蓝光激发红或绿量子点产生相应的红光或绿光,从而实现色转换。这种显示技术相对红、绿、蓝三色miniLED直显技术而言,只需要蓝色miniLED芯片,再结合量子点色转换层,就可以实现全彩化,因此,其工艺和成本可能会相对较低。在开发QD-miniLED显示技术时,由于miniLED芯片的衬底较厚,故容易出现光串扰问题。
发明内容
本申请提供一种QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件,可以避免遮光材料层残留在miniLED单体的上表面,从而可以避免出现光串扰问题,可以提高产品质量,提高产品良率。
第一方面,本申请实施例提供了一种QD-miniLED发光器件制作方法,包括以下步骤:
对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理,得到多个第二miniLED单体;
将所述多个第二miniLED单体转移到TFT阵列基板上,所述多个第二miniLED单体在所述TFT阵列基板上间隔分布;
在所述TFT阵列基板上的多个第二miniLED单体的间隙内填充遮光材料层;
将所述TFT阵列基板与设置有像素化的量子点基板对组贴合,得到QD-miniLED发光器件。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中,所述对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理的步骤,包括:
对多个第一miniLED单体的表面进行粗糙化处理。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中,所述对多个第一miniLED单体的表面进行粗糙化处理的步骤,包括:
在所述多个第一miniLED单体的表面制作一层具有微纳结构的涂层。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中,所述在所述多个第一miniLED单体的表面制作一层具有微纳结构的涂层的步骤,包括:
采用化学气相沉淀法在所述多个第一miniLED单体的表面沉积一层具有微纳结构的涂层。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中,所述涂层为二氧化硅涂层或者氮化硅涂层。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中,所述对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理的步骤,包括:
对多个第一miniLED单体的表面进行降低表面能处理。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中,所述对多个第一miniLED单体的表面进行降低表面能处理的步骤,包括:
在多个第一miniLED单体的表面涂布表面能低于第一预设值的涂层。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中,所述在多个第一miniLED单体的表面涂布表面能低于预设值的涂层的步骤包括:
将氟化剂加入到透光度大于第二预设值的无机物溶液或者有机高分子溶液中进行混合,得到混合后的氟化剂溶液;
将所述氟化剂溶液涂布到所述多个第一miniLED单体的表面,以在所述多个第一miniLED单体的表面形成表面能低于预设值的涂层。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中,所述遮光材料层为黑胶或者黑色油墨。
第二方面,本申请实施例还提供了一种QD-miniLED发光器件,包括:
TFT阵列基板;
多个第二miniLED单体,所述多个第二miniLED单体间隔地设置于所述TFT阵列基板的上表面,每一所述第二miniLED单体的表面为进行超疏水化处理后的表面;
遮光材料层,其设置于所述TFT阵列基板上,并填充在所述多个第二miniLED单体的间隙内;
量子点基板,其与所述TFT阵列基板上表面对组贴合,以将多个第二miniLED单体以及遮光材料层夹持在其间。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件中,所述第二miniLED单体的表面设置有粗糙化涂层。
在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件中所述第二miniLED单体的表面设置有表面能低于第一预设值的涂层。
本申请提供的QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件通过在miniLED单体的表面进行超疏水化处理,从而降低miniLED单体的表面的浸润性,从而可以避免后续进行遮光材料层的涂布时,遮光材料层残留在miniLED单体的上表面,从而可以避免出现光串扰问题,可以提高产品质量,提高产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件制作方法的工艺流程图。
图2是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件制作方法的中间场景示意图。
图3是是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件制作方法的另一中间场景示意图。
图4是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件的一种结构示意图。
图5是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件的另一种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
请参照图1,图1是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件制作方法的工艺流程图。如图1所示,该QD-miniLED发光器件制作方法包括以下步骤:
S101、对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理,得到多个第二miniLED单体。
S102、将所述多个第二miniLED单体转移到TFT阵列基板上,所述多个第二miniLED单体在所述TFT阵列基板上间隔分布。
S103、在所述TFT阵列基板上的多个第二miniLED单体的间隙内填充遮光材料层。
S104、将所述TFT阵列基板与设置有像素化的量子点基板对组贴合,得到QD-miniLED发光器件。
其中,在该步骤S101中,在进行超疏水化处理时,可以降低第一miniLED单体的表面能或者增强第一miniLED单体的表面的粗糙结构。
具体地,在一些实施例中,该步骤S101,包括:对多个第一miniLED单体的表面进行粗糙化处理。其中,该步骤具体为:在所述多个第一miniLED单体的表面制作一层具有微纳结构的涂层。微纳结构是指其尺度为微米级别或者纳米级别。其中,该涂层可以为透光度较高的二氧化硅涂层或者氮化硅涂层。其中,可以采用化学气相沉淀法在所述多个第一miniLED单体的表面沉积一层具有微纳结构的涂层。当然,可以理解地,也可以采用其他的工艺。
在另一些实施例中,该步骤S101,包括:对多个第一miniLED单体的表面进行降低表面能处理。具体为,在多个第一miniLED单体的表面涂布表面能低于第一预设值的涂层。其中,该涂层可以采用氟化剂溶液涂布得到。具体地,该步骤S101可以包括:S1011、将氟化剂加入到透光度大于第二预设值的无机物溶液或者有机高分子溶液中进行混合,得到混合后的氟化剂溶液;S1012、将所述氟化剂溶液涂布到所述多个第一miniLED单体的表面,以在所述多个第一miniLED单体的表面形成表面能低于预设值的涂层。其中,在该步骤S1011中,该氟化剂可以采用全氟辛基三氯硅烷。该无机物溶液可以采用氮化硅溶液或者二氧化硅溶液,该有机高分子溶液可以采用环氧树脂溶液,其中,混合时可以采用超声波搅拌混合,以提高其混合度。其中,在该步骤S1012中,可以采用喷涂的方式将氟化剂溶液均匀喷涂到第一miniLED单体的表面。
当然,可以理解地,在一些实施例中,可以将降低第一miniLED单体的表面能以及增强第一miniLED单体的表面的粗糙结构相互结合,例如,可以先在该第一miniLED单体表面采用上述方法中的进行粗糙化处理,然后再在经过粗糙化处理后的表面进行降低表面能处理。
其中,在该步骤S102中,请参照图2或者图3,图2是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件制作方法的中间场景示意图;图3是是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件制作方法的另一中间场景示意图。如图2或者图3所示,可以采用打件固晶或者ACF工艺的方式,将该多个第二miniLED单体203转移到TFT阵列基板201上。
其中,在该步骤S103中,遮光材料层可以为黑胶或者黑色油墨。可以采用喷墨印刷或者压胶的方式,在多个第二miniLED单体203的间隙内填充黑胶或者黑色油墨。其中,TFT阵列基板201上预先形成有对应的驱动电路202,以用于驱动该多个第二miniLED单体203发光。其中,在图2中,由于该具有微纳结构的涂层2031的存在,喷涂的遮光材料层204的上表面呈球面状,可以避免在第二miniLED单体203的上表面形成遮光材料层残留。其中,在图3中,由于该表面能低于第一预设值的涂层2032的存在,喷涂的遮光材料层204的上表面呈球面状,可以避免在第二miniLED单体203的上表面形成遮光材料层残留。
其中,在该步骤S104中,该量子点基板上设置有多个呈阵列分布的像素区域,每一像素区域均呈矩形状,每一像素区域均涂布有量子点层。在进行对组贴合操作时,每一像素区域分别与一第二miniLED单体正对。并且,该遮光材料层刚好与该多个像素区域的间隙相互正对。遮光材料层的上端刚好伸入量子点层的间隙内。
本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件制作方法通过在miniLED单体的表面进行超疏水化处理,从而降低miniLED单体的表面的浸润性,从而可以避免后续进行遮光材料层的涂布时,遮光材料层残留在miniLED单体的上表面,从而可以避免出现光串扰问题,可以提高产品质量,提高产品良率。
请参阅图4,图4是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件的一种结构示意图。该D-miniLED发光器件采用上述任意实施例中的方法制成。如图4所示,该QD-miniLED发光器件,包括:TFT阵列基板201、第二miniLED单体203、遮光材料层204以及量子点基板205。
其中,该TFT阵列基板201的上表面设置有驱动电路202。该TFT阵列基板201可以采用玻璃基板添加对于的功能层制成。
其中,该多个第二miniLED单体203间隔地设置于所述TFT阵列基板的上表面,具体为,该多个第二miniLED单体203呈矩形阵列设置于该TFT阵列基板201的上表面。该驱动电路202驱动该多个第二miniLED单体203进行发光。每一第二miniLED单体的表面为进行超疏水化处理后的表面。例如,在图4中,第二miniLED单体203的表面设置有粗糙化涂层2031。粗糙化涂层2031为微纳结构的涂层。微纳结构是指其尺度为微米级别或者纳米级别。其中,该粗糙化涂层2031可以为透光度较高的二氧化硅涂层或者氮化硅涂层。其中,可以采用化学气相沉淀法在所述多个第一miniLED单体的表面沉积一层具有微纳结构的涂层。当然,可以理解地,也可以采用其他的工艺。
例如,请参阅图5,图5是本申请实施例提供的QD-miniLED发光器件的另一种结构示意图。在图5中,第二miniLED单体203的表面设置有表面能低于第一预设值的涂层2032。表面能低第一预设值的涂层可以采用氟化剂溶液涂布得到。其中,在本申请中,表面能低于第一预设值的涂层2032或者粗糙化涂层2031降低miniLED单体的表面的浸润性,从而可以避免后续进行遮光材料层的涂布时,遮光材料层在miniLED单体的发光面残留,从而可以提高QD-miniLED发光器的质量,降低不良率。
其中,该遮光材料层204设置于所述TFT阵列基板201上,并填充在所述多个第二miniLED单体203的间隙内。
其中,该量子点基板205与所述TFT阵列基板201上表面对组贴合,以将多个第二miniLED单体203以及遮光材料层204夹持在其间。
本申请实施例提供的QD-miniLED发光器通过在miniLED单体的表面进行超疏水化处理,从而降低miniLED单体的表面的浸润性,从而可以避免后续进行遮光材料层的涂布时,遮光材料层残留在miniLED单体的上表面,从而可以避免出现光串扰问题,可以提高产品质量,提高产品良率。
以上所述仅为本申请的实施例而已,并不用于限制本申请的保护范围,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种QD-miniLED发光器件制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理,得到多个第二miniLED单体;
将所述多个第二miniLED单体转移到TFT阵列基板上,所述多个第二miniLED单体在所述TFT阵列基板上间隔分布;
在所述TFT阵列基板上的多个第二miniLED单体的间隙内填充遮光材料层;
将所述TFT阵列基板与设置有像素化的量子点基板对组贴合,得到QD-miniLED发光器件。
2.根据权利要求1所述的QD-miniLED发光器件制作方法,其特征在于,所述对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理的步骤,包括:
对多个第一miniLED单体的表面进行粗糙化处理。
3.根据权利要求2所述的QD-miniLED发光器件制作方法,其特征在于,所述对多个第一miniLED单体的表面进行粗糙化处理的步骤,包括:
在所述多个第一miniLED单体的表面制作一层具有微纳结构的涂层。
4.根据权利要求3所述的QD-miniLED发光器件制作方法,其特征在于,所述在所述多个第一miniLED单体的表面制作一层具有微纳结构的涂层的步骤,包括:
采用化学气相沉淀法在所述多个第一miniLED单体的表面沉积一层具有微纳结构的涂层。
5.根据权利要求3所述的QD-miniLED发光器件制作方法,所述涂层为二氧化硅涂层或者氮化硅涂层。
6.根据权利要求1所述的QD-miniLED发光器件制作方法,其特征在于,所述对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理的步骤,包括:
对多个第一miniLED单体的表面进行降低表面能处理。
7.根据权利要求6所述的QD-miniLED发光器件制作方法,其特征在于,所述对多个第一miniLED单体的表面进行降低表面能处理的步骤,包括:
在多个第一miniLED单体的表面涂布表面能低于第一预设值的涂层。
8.根据权利要求7所述的QD-miniLED发光器件制作方法,其特征在于,所述在多个第一miniLED单体的表面涂布表面能低于预设值的涂层的步骤包括:
将氟化剂加入到透光度大于第二预设值的无机物溶液或者有机高分子溶液中进行混合,得到混合后的氟化剂溶液;
将所述氟化剂溶液涂布到所述多个第一miniLED单体的表面,以在所述多个第一miniLED单体的表面形成表面能低于预设值的涂层。
9.根据权利要求1所述的QD-miniLED发光器件制作方法,其特征在于,所述遮光材料层的材料为黑胶或者黑色油墨。
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