CN105789484B

CN105789484B - 发光器件及其制作方法

Info

Publication number: CN105789484B
Application number: CN201610134723.XA
Authority: CN
Inventors: 甄常刮
Original assignee: Najing Technology Corp Ltd
Current assignee: Najing Technology Corp Ltd
Priority date: 2016-03-09
Filing date: 2016-03-09
Publication date: 2018-05-15
Anticipated expiration: 2036-03-09
Also published as: WO2017152743A1; CN105789484A

Abstract

本发明提供了发光器件及其制作方法。该制作方法包括以下步骤：在基板上形成像素隔离结构，像素隔离结构具有多个相互隔离的像素区域，且像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面或疏水性表面；在与像素区域对应的基板上设置光提取溶液，形成光提取层，光提取溶液包括基体材料、散射粒子和溶剂，且当像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面时，光提取溶液为疏水性溶液，当像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面时，光提取溶液为亲水性溶液。上述方案能够在形成光提取层的步骤中光提取溶液不会残留在像素隔离结构的上表面或者侧壁，而是在重力作用下回流到像素区域中，进而有效地防止相邻像素区域之间的混色，提高了发光器件的发光效率。

Description

发光器件及其制作方法

技术领域

本发明涉及光学技术领域，具体而言，涉及一种发光器件及其制作方法。

背景技术

量子点发光器件(QLED，Quantum Dot light Emitting Device)是近些年显示领域的重要突破，它和OLED一样都是采用电致发光原理进行发光。各个QLED器件制作在每一由像素隔离层界定(Pixel define layer,PDL)的像素区域内，QLED的功能层组一般包括电子注入层，电子传输层，发光层，空穴传输层，空穴注入层，功能层组以及设置于其两侧的阳极和阴极组成发光结构，共同实现QLED的发光。阴极通常用银材料，阳极通常用ITO。

在发光器件中，由于界面间的全反射导致光损失，会导致出光效率降低。现有技术中通常在发光器件的电极之间或在电极外设置光提取层，来提高发光器件的出光效率。然而，在用狭缝涂布、旋转涂布、丝网印刷等工艺制备光提取层时，容易造成光提取层材料在像素隔离层的上表面和倾斜面的残留；在用打印工艺制备光提取层时，容易造成光提取层材料在像素隔离层的倾斜面的残留，从而使光从一个像素区域通过光提取层的散射粒子传播到相邻的另一个像素区域，进而导致相邻像素之间造成混色。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种发光器件及其制作方法，以解决现有发光器件的制作工艺中相邻像素区域之间容易混色的技术问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种发光器件的制作方法，包括以下步骤：在基板上形成像素隔离结构，像素隔离结构具有多个相互隔离的像素区域，且像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面或疏水性表面；在与像素区域对应的基板上设置光提取溶液，形成光提取层，光提取溶液包括基体材料、散射粒子和溶剂，且当像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面时，光提取溶液为疏水性溶液，当像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面时，光提取溶液为亲水性溶液。

进一步地，形成像素隔离结构的步骤包括：形成隔离基体，隔离基体的裸露表面构成像素隔离结构的裸露表面。

进一步地，形成像素隔离结构的步骤包括：形成隔离基体；形成设置于隔离基体上表面和侧表面的隔离膜，隔离膜的表面构成像素隔离结构的裸露表面。

进一步地，当裸露表面为亲水性表面时，形成裸露表面的材料为聚酰亚胺和/或亲水性光刻胶；当裸露表面为疏水性表面时，形成裸露表面的材料为氟化聚酰亚胺和/或疏水性树脂。

进一步地，当裸露表面为亲水性表面时，形成裸露表面的材料为氧化硅和/或氮化硅；当裸露表面为疏水性表面时，形成裸露表面的材料为氟化聚酰亚胺和/或疏水性树脂。

进一步地，形成隔离基体的步骤包括：在基板的表面上依次设置第一电极层和光刻胶；对光刻胶进行光刻工艺，以使第一电极层的部分表面露出以形成像素区域，剩余的光刻胶形成隔离基体，隔离基体的相邻侧壁的沿远离基板方向的延伸面相交，且相邻的侧壁之间的隔离基体为隔离条。

进一步地，在光刻工艺之后，形成隔离基体的步骤还包括：刻蚀掉部分隔离条，以使隔离条的远离基板的一侧表面为向远离基板的方向凸起的非平面，非平面由与第一电极层的上表面具有夹角的平面段和/或弧面段组成，且具有弧形拱顶。

进一步地，隔离条的远离第一电极层的一侧表面到第一电极层的垂直距离为1～4μm。

进一步地，光提取溶液包括质量百分比为1～20％的基体材料，1～30％的散射粒子和50～98％的溶剂。

进一步地，在形成像素隔离结构的步骤之前，制作方法还包括在基板的表面上设置第一电极层的步骤，此时形成光提取层的步骤包括：在与像素区域对应的部分第一电极层上顺序层叠功能层组和第二电极层，与像素区域对应的部分第一电极层、功能层组和第二电极层构成发光结构，且第一电极层和第二电极层不同且分别选自阴极层和阳极层中的一种；在第二电极层的远离功能层组的表面上设置光提取溶液，形成光提取层。

进一步地，在形成像素隔离结构的步骤之前，制作方法还包括在基板的表面上设置第一电极层的步骤，此时形成光提取层的步骤包括：将光提取溶液与形成功能层组中任一层或多层的溶液混合形成混合液，将混合液设置在与像素区域对应的部分第一电极层上，形成具有光提取层的功能层组，或在与像素区域对应的部分第一电极层的表面设置光提取溶液，形成光提取层，或在与像素区域对应的部分第一电极层的表面上形成功能层组的一层功能层或多层功能层，在功能层上设置光提取溶液，形成光提取层，或在与像素区域对应的部分第一电极层的表面上形成功能层组，在功能层组上设置光提取溶液，形成光提取层；在光提取层上形成第二电极层，且第二电极层和第一电极层不同且分别选自阴极层和阳极层中的一种，其中，形成的光提取层为具有导电性的光提取层。

进一步地，形成功能层组的过程包括：在与像素区域对应的部分第一电极层上顺序设置第一注入层、第一传输层、发光层、第二注入层和第二传输层。

根据本发明的另一方面，提供了一种发光器件，发光器件由上述的制作方法制作而成。

应用本发明的技术方案，首先形成具有亲水性或疏水性裸露表面的像素隔离结构，像素隔离结构具有多个相互隔离的像素区域，然后在与像素区域对应的基板上涂布、印刷或打印光提取溶液，由于当像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面时，光提取溶液为疏水性溶液，当像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面时，光提取溶液为亲水性溶液，从而使上述像素隔离结构的表面与光提取溶液具有不同的亲水性和疏水性，进而在形成光提取层的步骤中光提取溶液不会残留在像素隔离结构的上表面或者侧壁，而是在重力作用下回流到像素区域中，进而有效地防止相邻像素区域之间的混色，提高了发光器件的发光效率。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。

附图说明

构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了本发明所提供的光提取层设置于阳极层的表面上的发光器件的结构示意图；

图2示出了本发明所提供的功能层组中具有光提取层的发光器件的结构示意图，其中，光提取层未在图中示出；

图3示出了本发明所提供的光提取层设置于第一电极层与功能层组之间、功能层组中相邻的任意两层之间或功能层组与第二电极层之间的发光器件的结构示意图；以及

图4示出了本发明的实施例与对比例中制作的发光器件的像素光谱图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

由背景技术可知，现有技术中发光器件的制备工艺中均需要在像素隔离层的表面上涂覆或喷印一层疏液型材料，从而不仅导致工艺复杂，也导致了制备的器件结构复杂。本发明的发明人针对上述问题进行研究，提供了一种发光器件的制作方法，包括以下步骤：在基板上形成像素隔离结构，像素隔离结构具有多个相互隔离的像素区域，且像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面或疏水性表面；在与像素区域对应的基板上涂布、印刷或打印光提取溶液，形成光提取层，光提取溶液包括基体材料、散射粒子和溶剂，且当像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面时，光提取溶液为疏水性溶液，当像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面时，光提取溶液为亲水性溶液。

该制作方法通过首先形成具有亲水性或疏水性裸露表面的像素隔离结构，像素隔离结构具有多个相互隔离的像素区域，然后在与像素区域对应的基板上涂布、印刷或打印光提取溶液，由于当像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面时，光提取溶液为疏水性溶液，当像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面时，光提取溶液为亲水性溶液，从而使上述像素隔离结构的表面与光提取溶液具有不同的亲水性和疏水性，进而在形成光提取层的步骤中光提取溶液不会残留在像素隔离结构的上表面或者侧壁，而是在重力作用下回流到像素区域中，进而有效地防止相邻像素区域之间的混色，提高了发光器件的发光效率。

下面将更详细地描述根据本发明提供的发光器件的制作方法的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员。

首先，在基板上形成像素隔离结构，像素隔离结构具有多个相互隔离的像素区域，且像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面或疏水性表面。优选地，当裸露表面为亲水性表面时，形成裸露表面的材料为聚酰亚胺、氧化硅、氮化硅、亲水性光刻胶中的至少一种；当裸露表面为疏水性表面时，形成裸露表面的材料为氟化聚酰亚胺、疏水性树脂中的至少一种。采用上述优选的材料能够使形成的隔离结构裸露表面具有较高的亲水性或疏水性。

形成上述像素隔离结构的步骤可以包括：形成隔离基体；形成设置于隔离基体上表面和侧表面的隔离膜，隔离膜的表面构成像素隔离结构的裸露表面。优选地，当裸露表面为亲水性表面时，形成裸露表面的材料为氧化硅和/或氮化硅；当裸露表面为疏水性表面时，形成裸露表面的材料为氟化聚酰亚胺和/或疏水性树脂。此时，形成于隔离基体表面的隔离膜利用亲水性材料或疏水性材料形成，从而当光提取溶液与隔离膜具有不同的亲水性和疏水性时，能够使在后续形成光提取层的步骤中光提取溶液不会残留在像素隔离结构的上表面或者侧壁，而是在重力作用下回流到像素区域中，进而有效地防止相邻像素区域之间的混色。

还可以采用其它的实施方式来形成上述像素隔离结构，在一种优选的实施方式中，形成像素隔离结构的步骤包括：形成隔离基体，隔离基体的裸露表面构成像素隔离结构的裸露表面。优选地，上述像素隔离结构可以是采用亲水性材料或疏水性材料形成的隔离基体。并且，优选地，当裸露表面为亲水性表面时，形成裸露表面的材料为聚酰亚胺和/或亲水性光刻胶；当裸露表面为疏水性表面时，形成裸露表面的材料为氟化聚酰亚胺和/或疏水性树脂。此时，像素隔离结构的裸露表面能够直接具备亲水性或疏水性，从而不仅能够防止相邻像素区域之间的混色，还省去了制备上述隔离膜的工艺步骤，简化了发光器件的工艺流程。

在形成上述像素隔离结构的步骤中，形成隔离基体的步骤可以包括：在基板的表面上依次设置第一电极层和光刻胶；对光刻胶进行光刻工艺，以使第一电极层的部分表面露出以形成像素区域，剩余的光刻胶形成隔离基体，隔离基体的相邻侧壁的沿远离基板方向的延伸面相交，且相邻的侧壁之间的隔离基体为隔离条。上述光刻工艺具体可以包括：在预制基板上溅射形成第一电极层，在第一电极层上涂覆一层光刻胶，并根据现有技术依次进行曝光和显影，去掉部分的上述光刻胶，以形成像素区域，剩余的部分光刻胶形成设置于第一电极层上的具有倾斜侧壁的上述隔离基体。由于形成的上述隔离基体具有倾斜的侧壁，从而在后续形成光提取层的步骤中光提取溶液能够在重力作用下回流到像素区域中。当隔离条为倒梯形时，在光刻工艺中选用负性的光刻胶；当隔离条为正梯形时，在光刻工艺中则需要选择正性光刻胶。

在一种优选的实施方式中，在光刻工艺之后，形成隔离基体的步骤还包括：刻蚀掉部分隔离条，以使隔离条的远离基板的一侧表面为向远离基板的方向凸起的非平面，非平面由与第一电极层的上表面具有夹角的平面段和/或弧面段组成，且具有弧形拱顶。优选地，上述非平面为弧面。上述非平面可以是通过工艺自然形成的，且具有上述表面的隔离条能够进一步地保证在后续形成光提取层的步骤中光提取溶液不会残留在像素隔离结构的上表面，而是在重力作用下回流到像素区域中，进而有效地防止相邻像素区域之间的混色。更为优选地，隔离条的远离第一电极层的一侧表面到第一电极层的垂直距离为1～4μm。将隔离条的表面到第一电极层的垂直距离限定在上述优选的范围内能够保证像素内的涂覆的溶液不会溢流到相邻像素内造成混色。

在基板上形成像素隔离结构的步骤之后，在与像素区域对应的基板上设置光提取溶液，形成光提取层，光提取溶液包括基体材料、散射粒子和溶剂，且当像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面时，光提取溶液为疏水性溶液，当像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面时，光提取溶液为亲水性溶液。上述光提取溶液的设置方式可以为涂布、印刷或打印，具体为狭缝涂布、旋转涂布、丝网印刷或喷墨打印。

在一种优选的实施方式中，在形成像素隔离结构20的步骤之前，制作方法还包括在基板10上设置第一电极层410的步骤，此时形成上述光提取层30的步骤包括：在与像素区域对应的部分第一电极层上顺序层叠功能层组420和第二电极层430，与像素区域对应的部分第一电极层、功能层组和第二电极层构成发光结构，且第一电极层410和第二电极层430不同且分别选自阴极层和阳极层中的一种；在第二电极的远离功能层组420的表面上设置光提取溶液，形成光提取层30。当第二电极层430为阳极层或阴极层时，均可通过上述工艺步骤形成设置于第二电极层430的外表面上的光提取层30，形成的发光器件如图1。由于阴极层的材料通常为银等透光性较低的材料，因此，当第二电极层430为阴极层时，阴极层的厚度优选为小于等于25nm。当阴极层的厚度在上述优选的厚度范围内时，发光结构中发出的光可以同时穿透阴极层和阳极层，即形成两面发光的发光器件。

在另一种优选的实施方式中，在形成像素隔离结构20的步骤之前，制作方法还包括在基板10上设置第一电极层410的步骤，此时形成上述光提取层30的步骤还包括：将光提取溶液与形成功能层组中任一层或多层的溶液混合形成混合液，将混合液设置在与像素区域对应的部分第一电极层上，形成具有光提取层30的功能层组420；在光提取层30上形成第二电极层430，且第二电极层430和第一电极层410不同且分别选自阴极层和阳极层中的一种，其中，形成的光提取层30为具有导电性的光提取层，形成的发光器件如图2所示。通过上述工艺步骤能够使光提取层30形成于功能层组420中，从而省去了单独制备光提取层30的步骤，进一步简化了发光器件的工艺流程。

除了上述优选的实施方式，形成上述光提取层30的步骤还可以包括：在与像素区域对应的部分第一电极层的表面设置光提取溶液，形成光提取层30，形成的发光器件如图3所示，或在与像素区域对应的部分第一电极层的表面上形成功能层组420的一层功能层或多层功能层，在功能层上设置光提取溶液，形成光提取层30，或在与像素区域对应的部分第一电极层的表面上形成功能层组420，在功能层组420上设置光提取溶液，形成光提取层30；在光提取层30上形成第二电极层430，且第二电极层430和第一电极层410不同且分别选自阴极层和阳极层中的一种，其中，形成的光提取层30为具有导电性的光提取层。

更为优选地，形成的上述光提取层设置于每个像素区域中，从而形成多个相互隔离的光提取层。由于隔离基体具有倾斜的侧壁，从而在向各个像素区域中涂布、印刷或打印光提取溶液时，光提取溶液均不会残留在像素隔离结构的上表面或者侧壁，而是在重力作用下回流到像素区域中，从而使发光器件中形成多个被像素隔离结构隔离的发光结构，进而能够通过调整各个发光结构中发出的光的颜色，使发光器件中发出的光满足实际的色彩需求。

在基板上设置第一电极层以及在与像素区域对应的部分第一电极层上形成第二电极层的步骤中，阴极层和阳极层的制备工艺可以根据现有技术进行选择，优选地，上述制备工艺为溅射或蒸镀。

上述功能层组的结构可以根据实际需求进行设定，在一种优选的实施方式中，形成功能层组的过程包括：在与像素区域对应的部分第一电极层上顺序设置第一注入层、第一传输层、发光层、第二注入层和第二传输层。具有上述结构的功能层组形成的发光器件为QLED，此时，通过涂布、印刷或打印工艺形成的光提取层可以位于QLED中。

在上述功能层组中，当第一电极层为阳极层时，第二电极层为阴极层时，第一注入层为空穴注入层，第一传输层为空穴传输层；此时，第二电极层为阳极层，第二注入层为电子注入层，第二传输层为电子传输层。而当第一电极层为阴极层，第二电极层为阳极层时，第一注入层为电子注入层，第一传输层为电子传输层，第二注入层为空穴注入层，第二传输层为空穴传输层。

在形成上述发光结构的步骤中，制备上述QLED器件中功能层组的工艺可以为狭缝涂布、旋转涂布、丝网印刷或喷墨打印，优选为喷墨打印技术，此时各功能层材料由于包括溶剂因此均呈液态，各液态功能层材料包括形成电子注入/传输层的氧化锌材料、形成发光层的量子点材料、形成空穴注入层的聚乙烯二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT：PSS)以及形成空穴传输层的聚乙烯咔唑(PVK)材料。上述像素隔离结构能够将喷墨打印喷出的液态功能层材料限定在像素区域中，打印后液态功能层材料中的溶剂挥发后成为干燥的各个功能层。

在上述光提取溶液中，优选地，上述光提取溶液包括质量百分比为1～20％的基体材料、1～30％的散射粒子和50～98％的溶剂。并且，优选地，基体材料的折射率与散射粒子的折射率之差大于等于0.5。将基体材料的折射率与散射粒子的折射率限定在上述优选的范围内，能够进一步提高形成的光提取层的散射能力和光提取效率，且光提取层的散射能力越强，光提取效率就越高。

当上述光提取层设置于发光器件之外时，上述基体材料为不导电聚合物，如聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯和乙氰脲酸酯等材料中的一种或多种。当上述光提取层设置于发光器件之内时，上述基体材料为导电聚合物，如聚乙炔、聚苯胺、经掺杂的聚乙烯、聚吡咯、聚噻吩和导电环氧树脂中的一种或多种；如果作为功能层组的一层或多层，功能层组中的基体材料为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌、聚乙烯咔唑、N,N'-二苯基-N,N'-(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(DOFL-TPD)、N',N'-双(4-丁基苯基),-N',N'-双(苯基)联苯胺)、N',N'-双(3-甲基苯基),-N',N'-双(苯基)-9,9-二辛基芴、聚((9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共(4,4'-(N-(4-仲-丁基苯基)二苯胺))、2-(4-联苯基)-5-苯基-1,3,4-噁二唑)、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑、4,7-二苯基-1,10-菲啰啉、(1，3-二[2-(2，2’-联吡啶-6-基)-1，3，4-噁二唑-5-基]苯、(1，4-二[2-(2，2’-联吡啶-6-基)-1，3，4-噁二唑-5-基]苯、(2，6-二[2-(2，2’-联吡啶-6-基)-1，3，4-噁二唑-5-基]苯等材料中的一种或多种。

当上述光提取溶液为亲水性溶液时，该亲水性溶液的溶剂可以包括水、甲酰胺、二甲亚砜、乙腈、二甲基甲酰胺、甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、正丁醇、四氢呋喃、甲酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丁酮、正丁醚、丙二醇甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯中的任一种或多种；当上述光提取溶液为疏水性溶液时，该疏水性溶液的溶剂可以包括氯仿、氯苯、二甲苯、甲苯、苯、正己烷、环己烷、正庚烷、辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、正十四烷、十六烷和正十八烷、苯甲酸乙酯中的任一种或多种，但并不限于上述种类，本领域技术人员可以根据实际制备工艺中的蒸发面积、真空度和温度等工艺因素选择合适的溶剂种类。采用具有上述含量的组分能够使形成的光提取溶液具有较高的亲水性或疏水性，从而进一步保证了光提取溶液不会残留在像素隔离结构的上表面或者侧壁，而是在重力作用下回流到像素区域中。

为了进一步保证形成的光提取层的光提取效果，且避免光提取层表面的粗糙度过大造成漏电或短路问题，优选光提取溶液中光散射粒子的平均粒径在20～500nm之间，进一步优选在50～400nm之间。并且，由于散射粒子占光提取层的体积含量越大，散射作用越大，光提取效果越好；但是散射粒子含量增加的同时，膜层表面粗糙度会变大，会增加漏电的风险。因此，为了避免光散射粒子过多导致粒子凝集或者使得光提取层表面产生凸起刺穿其它结构层，进而导致的漏电或短路问题的产生，优选散射粒子的体积占光提取层的体积的至少20％，优选至少50％，且本申请中的散射粒子的体积是指所有分散在一个光提取层中的所有的散射粒子的体积总和。

为了进一步保证光散射粒子的加入能够增加发光器件的发光效率，本申请优选上述光散射粒子为氧化钛颗粒、氧化钽颗粒、氧化铌颗粒、氧化锆颗粒、氧化铝颗粒、氧化钨颗粒、氧化锑颗粒、氧化钒颗粒、氧化钼颗粒、氧化硅颗粒、氧化铬颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化铅颗粒、氧化锰颗粒、氧化锡颗粒、氧化锌颗粒、硫化铅颗粒、氧化钇颗粒、硫化锌颗粒、硫化镉颗粒、碲化锌颗粒与硒化镉颗粒中的一种或多种。

根据本发明的另一个方面，提供了一种由上述的制作方法制备而成的发光器件，如图1至3所示，发光器件包括基板10以及设置于基板10上的像素隔离结构20和光提取层30，像素隔离结构20具有多个相互隔离的像素区域，光提取层30设置在像素区域中，光提取层30包括光提取基体和设置于光提取基体中的散射粒子，其中，光提取层是将光提取溶液的溶剂挥发后形成的。

本发明的上述发光器件中由于当像素隔离结构的表面为亲水性材料时，形成光提取层的材料为疏水性溶液，而当像素隔离结构的表面为疏水性材料时，形成提取层的材料为亲水性溶液，从而在提取层的制备工艺中像素隔离结构与光提取溶液能够具有不同的亲水疏水性，进而使光提取溶液不会残留在像素隔离结构的上表面或者侧壁，而是在重力作用下回流到像素区域中，进而有效地防止相邻像素区域之间的混色，提高了发光器件的发光效率。

下面将结合实施例和对比例进一步说明本申请提供的发光器件的制作方法。

实施例1

本实施例制作的发光器件如图1所示，其制作方法包括以下步骤：

在基板上采用蒸镀技术形成阴极层，并在阴极层上涂覆光刻胶，然后依次进行曝光和显影，以形成像素隔离结构，像素隔离结构具有三个相互隔离的像素区域，且像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面，像素隔离结构中隔离基体的相邻侧壁与基板垂直，相邻的侧壁之间的隔离基体为隔离条，且隔离条的远离基板的一侧表面为平面；

在与像素区域对应的部分阴极层上顺序层叠电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层，其中，采用喷墨打印技术形成上述发光层，采用溅镀技术形成上述阳极层，采用狭缝涂布技术形成其余各层。然后在阳极层的远离功能层组的表面上涂布疏水的光提取溶液，形成光提取层。

其中，形成上述裸露表面的材料为聚酰亚胺，光提取溶液包括1wt％的TiO₂，20wt％的聚氨酯丙烯酸酯和79wt％的甲苯，形成阴极电极层的材料为Ag，形成电子注入/传输层的材料为氧化锌，形成空穴注入层的材料为聚乙烯二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸盐，形成空穴传输层的材料为聚乙烯咔唑，且阳极电极层为ITO阳极。

并且，像素隔离结构的中间像素区域中发光层的材料包括发射波长为635nm的红光量子点以及与该量子点表面配位的油酸配体，位于中间像素区域两侧的像素区域中发光层的材料包括波长为525nm绿色量子点。

实施例2

本实施例制作的发光器件如图3所示，其制作方法包括以下步骤：

在与像素区域对应的部分阴极层上顺序层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层和电子传输层和阳极层，其中，采用喷墨打印技术形成上述发光层，采用溅镀技术形成上述阳极层，采用狭缝涂布技术形成其余各层。在形成空穴注入层之前，在阴极层的远离基板的表面上涂布疏水的光提取溶液，形成设置于阴极层与空穴注入层之间的光提取层。

其中，形成上述裸露表面的材料为聚酰亚胺，光提取溶液包括光提取溶液包括30wt％的TiO₂，1wt％的聚噻吩和69wt％的苯甲酸乙酯，形成阴极电极层的材料为Ag，且阴极电极层的厚度为20nm，形成电子注入/传输层的材料为氧化锌，形成空穴注入层的材料为聚乙烯咔唑，形成空穴传输层的材料为聚乙烯二氧噻吩，且阳极电极层为ITO阳极。

并且，像素隔离结构的中间像素区域中发光层的材料包括发射波长为635nm的红光量子点以及与该量子点表面配位的油酸配体，位于中间像素区域域两侧的像素区域中发光层的材料包括波长为525nm绿色量子点。

实施例3

本实施例制作的发光器件如图2所示，其制作方法包括以下步骤：

在基板上采用蒸镀技术形成阴极层，并在阴极层上涂覆光刻胶，然后依次进行曝光和显影，以形成像素隔离结构，像素隔离结构具有三个相互隔离的像素区域，且像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面，像素隔离结构中隔离基体的相邻侧壁与基板垂直，相邻的侧壁之间的隔离基体为隔离条，且隔离条的远离基板的一侧表面为平面；

在与像素区域对应的部分阴极层上顺序层叠电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层，其中，采用喷墨打印技术形成上述发光层，采用溅镀技术形成上述阳极层，采用狭缝涂布技术形成其余各层。在形成上述阳极电极层的步骤中，将亲水的光提取溶液与形成阳极电极层的材料混合形成混合液，形成设置于阳极电极层中的光提取层。

其中，形成上述裸露表面的材料为氟化聚酰亚胺，光提取溶液包括光提取溶液包括9wt％的TiO₂，1wt％的聚噻吩和90wt％的甲酰胺，形成阴极电极层的材料为Ag，形成电子注入/传输层的材料为氧化锌，形成空穴注入层的材料为聚乙烯二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸盐，形成空穴传输层的材料为聚乙烯咔唑，且阳极电极层为ITO阳极。

像素隔离结构的中间像素区域中发光层的材料包括发射波长为635nm的红光量子点以及与该量子点表面配位的油酸配体，位于中间像素区域两侧的像素区域中发光层的材料包括波长为525nm绿色量子点。

实施例4

本实施例制作的发光器件如图1所示，其制作方法与实施例1的区别在于：

像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面，形成裸露表面的材料为氟化聚酰亚胺；

像素隔离结构中隔离基体的相邻侧壁的延伸面沿远离基板的方向相交，且相邻的侧壁之间的隔离基体为隔离条，隔离条的远离基板的一侧表面为向远离基板的方向凸起的弧面，且表面到阴极层的最大垂直距离为5μm；

光提取溶液为亲水性溶液，且光提取溶液包括9wt％的TiO₂，1wt％的聚氨酯丙烯酸酯和90wt％的丁酮。

实施例5

本实施例制作的发光器件如图3所示，其制作方法与实施例2的区别在于：

像素隔离结构中隔离基体的相邻侧壁的延伸面沿远离基板的方向相交，且相邻的侧壁之间的隔离基体为隔离条，隔离条的远离基板的一侧表面为向远离基板的方向凸起的弧面，且表面到阴极层的最大垂直距离为1μm；

光提取溶液为亲水性溶液，且光提取溶液包括9wt％的TiO₂，1wt％的聚吡咯，90wt％的丁酮。

实施例6

本实施例制作的发光器件如图2所示，其制作方法与实施例3的区别在于：

像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面，形成裸露表面的材料为聚酰亚胺；

像素隔离结构中隔离基体的相邻侧壁的延伸面沿远离基板的方向相交，且相邻的侧壁之间的隔离基体为隔离条，隔离条的远离基板的一侧表面为向远离基板的方向凸起的弧面，且表面到阴极层的最大垂直距离为4μm；

光提取溶液为疏水性溶液，且光提取溶液包括光提取溶液包括9wt％的TiO₂，1wt％的聚吡咯和90wt％的苯甲酸乙酯。

对比例1

本对比例制作的发光器件如图1所示，其制作方法与实施例4的区别在于：

像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面，形成上述裸露表面的材料为聚酰亚胺。

采用F STAR Optical Measurement Systems，对上述各实施例与对比例中制作的发光器件的性能进行测试，测试得到的像素光谱图如图4所示，图中横坐标为波长(400～800nm)，纵坐标为在1mA/cm²的电流密度下光的强度。从图中可以看出，实施例1至6均仅在600～700nm之间有峰，从而不存在混色现象；而对比例1不仅在600-700nm之间有峰，而且在500～600nm之间也存在波峰，即由于存在混色的现象而同时出现了红光和绿光。

从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：

1、在形成光提取层的步骤中光提取溶液不会残留在像素隔离结构的上表面或者侧壁，而是在重力作用下回流到像素区域中，进而有效地防止相邻像素区域之间的混色，提高了发光器件的发光效率；

2、像素隔离结构的裸露表面能够直接具备亲水性或疏水性，从而不仅能够防止相邻像素区域之间的混色，还省去了制备上述隔离膜的工艺步骤，简化了发光器件的工艺流程；

3、本发明通过使光提取层形成于功能层组中，从而省去了单独制备光提取层的步骤，进一步简化了发光器件的工艺流程。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上形成像素隔离结构，所述像素隔离结构具有多个相互隔离的像素区域，且所述像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面或疏水性表面；

在与所述像素区域对应的所述基板上设置光提取溶液，形成光提取层，所述光提取溶液包括基体材料、散射粒子和溶剂，且当所述像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面时，所述光提取溶液为疏水性溶液，当所述像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面时，所述光提取溶液为亲水性溶液，

形成所述像素隔离结构的步骤包括：

形成隔离基体，所述隔离基体的裸露表面构成所述像素隔离结构的裸露表面，或

形成所述像素隔离结构的步骤包括：

形成隔离基体；

形成设置于所述隔离基体上表面和侧表面的隔离膜，所述隔离膜的表面构成所述像素隔离结构的裸露表面。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

当所述裸露表面为亲水性表面时，形成所述裸露表面的材料为聚酰亚胺和/或亲水性光刻胶；

当所述裸露表面为疏水性表面时，形成所述裸露表面的材料为氟化聚酰亚胺/或疏水性树脂。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

当所述裸露表面为亲水性表面时，形成所述裸露表面的材料为氧化硅和/或氮化硅；当所述裸露表面为疏水性表面时，形成所述裸露表面的材料为氟化聚酰亚胺/或疏水性树脂。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述隔离基体的步骤包括：

在所述基板的表面上依次设置第一电极层和光刻胶；

对所述光刻胶进行光刻工艺，以使所述第一电极层的部分表面露出以形成所述像素区域，剩余的所述光刻胶形成所述隔离基体，所述隔离基体的相邻侧壁的沿远离所述基板方向的延伸面相交，且相邻的所述侧壁之间的隔离基体为隔离条。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在所述光刻工艺之后，形成所述隔离基体的步骤还包括：

刻蚀掉部分所述隔离条，以使所述隔离条的远离所述基板的一侧表面为向远离所述基板的方向凸起的非平面，所述非平面由与所述第一电极层的上表面具有夹角的平面段和/或弧面段组成，且具有弧形拱顶。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述隔离条的远离所述第一电极层的一侧表面到所述第一电极层的垂直距离为1～4μm。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述光提取溶液包括质量百分比为1～20％的基体材料、1～30％的散射粒子和50～98％的溶剂。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，在形成所述像素隔离结构的步骤之前，所述制作方法还包括在所述基板的表面上设置第一电极层的步骤，此时形成所述光提取层的步骤包括：

在与所述像素区域对应的部分所述第一电极层上顺序层叠功能层组和第二电极层，与所述像素区域对应的部分所述第一电极层、所述功能层组和所述第二电极层构成发光结构，且所述第一电极层和所述第二电极层不同且分别选自阴极层和阳极层中的一种；

在所述第二电极层的远离所述功能层组的表面上设置所述光提取溶液，形成所述光提取层。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，在形成所述像素隔离结构的步骤之前，所述制作方法还包括在所述基板的表面上设置第一电极层的步骤，此时形成所述光提取层的步骤包括：

将所述光提取溶液与形成功能层组中任一层或多层的溶液混合形成混合液，将所述混合液设置在与所述像素区域对应的部分所述第一电极层上，形成具有所述光提取层的所述功能层组，或

在与所述像素区域对应的部分所述第一电极层的表面设置所述光提取溶液，形成所述光提取层，或

在与所述像素区域对应的部分所述第一电极层的表面上形成功能层组的一层功能层或多层功能层，在所述功能层上设置光提取溶液，形成所述光提取层，或

在与所述像素区域对应的部分所述第一电极层的表面上形成功能层组，在所述功能层组上设置光提取溶液，形成所述光提取层；

在所述光提取层上形成第二电极层，且所述第二电极层和所述第一电极层不同且分别选自阴极层和阳极层中的一种，

其中，形成的所述光提取层为具有导电性的光提取层。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成所述功能层组的过程包括：

在与所述像素区域对应的部分所述第一电极层上顺序设置第一注入层、第一传输层、发光层、第二注入层和第二传输层。

11.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件由权利要求1至10中任一项所述的制作方法制作而成。