CN109378409A - 一种电致发光器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种电致发光器件及其制造方法，涉及发光器件领域。本发明实施例的电致发光器件的制造方法采用涂布加打印的工艺，降低器件制作难度，降低成本；并且在像素隔离结构上完成所有溶液制程之后，在蒸镀或溅射电极层之前，在像素隔离结构上打印绝缘层，解决湿法工艺中器件漏电及阴阳极短路的技术问题。本发明实施例的电致发光器件采用上述制造方法制得，该电致发光器能够极大减少器件漏电和阴阳极短路的技术问题，提高器件性能。

Description

一种电致发光器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及发光器件领域，具体而言，涉及一种电致发光器件及其制造方法。
背景技术
量子点发光器件(QLED，Quantum Dot light Emitting Device)和有机发光器件(OLED，Organic Light-Emitting Diode)都是采用电致发光原理进行发光的发光器件。这种电致发光器件的功能层组一般包括电子注入层EIL、电子传输层ETL、发光层EML、空穴传输层HTL、空穴注入层HIL，功能层组和设置于两侧的阳极和阴极组成发光结构，共同实现发光。
目前电致发光器件采用湿法工艺制作。现有技术中采用湿法工艺制作OLED时，除EML的R、G、B像素使用打印工艺外，其它功能层还是使用成熟的蒸镀工艺，但是这样又存在蒸镀材料利用率低、成本较高的缺陷。另一方面，QLED只能用湿法工艺制作，但是当各个功能层均采用打印工艺，则需要配制可用的墨水，其制作难度加大，会出现打印过程及干燥过程中像素内产生不均匀性从而导致器件漏电的现象。
因此，现有技术还有待改进和发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电致发光器件，其能够极大减少器件漏电和阴阳极短路的技术问题，提高器件性能。
本发明的另一目的在于提供一种电致发光器件的制造方法，其采用涂布加打印的工艺，解决漏电现象。
本发明的实施例是这样实现的：
一种电致发光器件的制造方法，其包括以下步骤：
在导电基板上形成多个像素隔离结构，相邻像素隔离结构之间形成多个相互隔离的像素区域；
在各个像素隔离结构的外表面和导电基板裸露的外表面上涂布形成第一载流子传输层；
在各像素区域内的第二部分第一载流子传输层上打印形成发光层；
在发光层和位于各像素隔离结构上方的第一部分第一载流子传输层上涂布形成第二载流子传输层；
在位于各像素隔离结构上方的第一部分第二载流子传输层上打印形成绝缘层；
在绝缘层和位于各像素区域上方的第二部分第二载流子传输层上蒸镀或溅射形成电极层；
其中，第一载流子传输层为电子传输层或空穴传输层，对应的第二载流子为空穴传输层或电子传输层。
在本发明较佳的实施例中，上述涂布工艺选自狭缝涂布工艺、旋涂工艺、喷涂工艺中的一种，优选为狭缝涂布工艺。
在本发明较佳的实施例中，上述先在第一部分第二载流子传输层的上方设置具有镂空部的掩膜，再打印墨水穿过镂空部，固化形成绝缘层。
一种电致发光器件，包括：
导电基板；
多个像素隔离结构，位于导电基板上，相邻像素隔离结构之间形成多个相互隔离的像素区域；以及按照下述顺序依次叠置的多层结构：
第一载流子传输层，位于各像素隔离结构的外表面和导电基板裸露的外表面上；
发光层，位于各像素区域内的第二部分第一载流子传输层远离导电基板的一侧表面上；
第二载流子传输层，位于发光层远离导电基板的一侧表面上和各像素隔离结构上方的第一部分第一载流子传输层远离导电基板的一侧表面上；
绝缘层，位于各像素隔离结构上方的第一部分第二载流子传输层远离导电基板的一侧表面上；以及
电极层，位于绝缘层远离导电基板的一侧表面上和各像素区域上方的第二部分第二载流子传输层远离导电基板的一侧表面上；
其中，第一载流子传输层为电子传输层或空穴传输层，对应的第二载流子为空穴传输层或电子传输层。
在本发明较佳的实施例中，上述导电基板为阳极底衬，第一载流子传输层为空穴传输层，第二载流子传输层为电子传输层，电极层为阴极层。
在本发明较佳的实施例中，上述导电基板为阴极底衬，第一载流子传输层为电子传输层，第二载流子传输层为空穴传输层，电极层为阳极层。
在本发明较佳的实施例中，上述空穴传输层包括第一空穴传输层，或者空穴传输层包括叠置的空穴注入层和第二空穴传输层，第二空穴传输层位于空穴注入层和发光层之间。
在本发明较佳的实施例中，上述电子传输层包括第一电子传输层，或者电子传输层包括叠置的第二电子传输层和电子注入层，第二电子传输层位于电子注入层和发光层之间。
在本发明较佳的实施例中，上述绝缘层的厚度为0.5-1.5μm；绝缘层的材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、丙烯酸树脂、聚酰胺、聚四氟乙烯、聚酯-酰亚胺、聚胺-酰亚胺、聚酯、聚碳酸酯、酚醛树酯、聚丙烯、交联聚乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯和环氧树酯中的一种或多种。
在本发明较佳的实施例中，上述像素隔离结构的高度为0.5-2.5μm。
本发明实施例的有益效果是：本发明实施例的电致发光器件的制造方法采用涂布加打印的工艺，降低器件制作难度，降低成本；并且在像素隔离结构上完成所有溶液制程之后，在蒸镀或溅射电极层之前，在像素隔离结构上打印绝缘层，解决湿法工艺中器件漏电及阴阳极短路的技术问题。本发明实施例的电致发光器件采用上述制造方法制得，该电致发光器能够极大减少器件漏电和阴阳极短路的技术问题，提高器件性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明第一实施例提供的一种电致发光器件的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的电致发光器件的掩膜图案示意图；
图3为本发明第二实施例提供的一种电致发光器件的结构示意图；
图4为本发明第三实施例提供的一种电致发光器件的结构示意图；
图5为本发明第四实施例提供的一种电致发光器件的结构示意图；
图6为本发明第五实施例提供的一种电致发光器件的结构示意图；
图7为本发明第六实施例提供的一种电致发光器件的结构示意图。
图标：100-电致发光器件；110-阳极底衬；120-像素隔离结构；130-空穴传输层；140-发光层；150-电子传输层；160-绝缘层；170-阴极层；180-像素区域；200-电致发光器件；210-空穴注入层；220-空穴传输层；300-电致发光器件；310-电子传输层；320-电子注入层；400-电致发光器件；410-阴极底衬；430-电子传输层；450-空穴传输层；470-阳极层；500-电致发光器件；510-电子注入层；520-电子传输层；600-电致发光器件；610-空穴传输层；620-空穴注入层。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“上方”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
第一实施例
请参照图1和图2所示，本实施例提供一种电致发光器件100的制造方法，其包括以下步骤：
S1、在阳极底衬110(即带阳极层的导电基板，阳极层未示出)上形成多个像素隔离结构120，相邻像素隔离结构120之间形成多个相互隔离的像素区域180。
S2、在各个像素隔离结构120的外表面和阳极底衬110裸露的外表面上涂布形成第一载流子传输层，本实施例具体为空穴传输层130。需要说明的是，在本技术领域中，与阳极相邻的空穴传输层130也称为空穴注入层。本申请的实施例中，可以涂布形成叠置的第一空穴传输层，即单层的空穴传输层130，也可以依次涂布形成空穴注入层和第二空穴传输层，第二空穴传输层位于空穴注入层和后续形成的发光层140之间，本实施例具体是涂布形成单层的空穴传输层130。第一部分空穴传输层130是指位于各像素隔离结构120上方的空穴传输层130，第二部分空穴传输层130是指位于各像素区域180内的空穴传输层130。
S3、在各像素区域180内的空穴传输层130(即第二部分空穴传输层130)上打印形成发光层140。
S4、在发光层140和位于各像素隔离结构120上方的第一部分空穴传输层130上涂布形成第二载流子传输层，本实施例具体为电子传输层150。需要说明的是，在本技术领域中，与阴极相邻的电子传输层150称为电子注入层。本申请的实施例中，可以涂布形成第一电子传输层，即单层的电子传输层150，也可以依次涂布形成叠置的第二电子传输层和电子注入层，第二电子传输层位于电子注入层和发光层140之间，本实施例具体是涂布形成单层的电子传输层150。第一部分电子传输层150是指位于各像素隔离结构120上方的电子传输层150，第二部分电子传输层150是指各像素区域180上方的电子传输层150。
本实施例中，涂布工艺选自狭缝涂布工艺、旋涂工艺、喷涂工艺中的一种，优选为狭缝涂布工艺。
S5、在位于各像素隔离结构120上方的第一部分电子传输层150上打印形成绝缘层160。
本实施例中，绝缘层160的具体打印方法为：先在第一部分电子传输层150的上方设置具有镂空部的掩膜，再打印墨水穿过镂空部，固化形成绝缘层160，墨水可以通过加热挥发固化，该电致发光器件的掩膜(mask)图案示意图如图2所示。
S6、在绝缘层160和位于各像素区域180上方的第二部分电子传输层150上蒸镀或溅射形成阴极层170。
全打印工艺尚不成熟，因此利用现有的成熟工艺，如涂布的方法制作一些公用层(除发光层140之外)，方法简单，膜层均匀，所以涂布加打印的工艺制作大尺寸的OLED或QLED是将来工艺的首选。打印工艺需要用到像素隔离结构(Bank)技术，使打印墨滴局限在像素区域内，但如果使用涂布加打印的技术，Bank上涂布的公用层材料本身具有一定的导电能力，极易产生漏电现象，增加器件功耗，或产生其它短路问题。基于现有技术及上述问题的发现，本发明实施例通过采用涂布结合打印的工艺，降低器件制作难度，降低成本，减少全打印工艺中由于像素内墨水不均匀而导致器件漏电的现象；并且在像素隔离结构上完成所有溶液的制程后，在蒸镀阴极层前，再在像素隔离结构上打印绝缘层，极大减少湿法工艺制备的器件的漏电现象，提高器件性能。
本实施例还提供一种电致发光器件100，其按照上述制造方法制得，该电致发光器件100包括：
阳极底衬110；多个像素隔离结构120，像素隔离结构120位于阳极底衬110上，相邻像素隔离结构120之间形成多个相互隔离的像素区域180；以及按照下述顺序依次叠置的多层结构：
空穴传输层130，位于各像素隔离结构120的外表面和阳极底衬110裸露的外表面上；
发光层140，位于各像素区域180内的第二部分空穴传输层130远离阳极底衬110的一侧表面上；
电子传输层150，位于发光层140远离阳极底衬110的一侧表面上和各像素隔离结构120上方的第一部分空穴传输层130远离阳极底衬110的一侧表面上，即电子传输层150包括第一部分电子传输层150和第二部分电子传输层150，第一部分电子传输层150位于各所述像素隔离结构120上方的第一部分所述空穴传输层130远离所述阳极底衬110的一侧表面上，第二部分电子传输层150位于所述发光层140远离阳极底衬110的一侧表面上。
绝缘层160，位于各像素隔离结构120上方的第一部分电子传输层150远离阳极底衬110的一侧表面上；以及
阴极层170，位于绝缘层160远离阳极底衬110的一侧表面上和位于各像素区域180上方的第二部分电子传输层150远离阳极底衬110的一侧表面上。
本实施例中，阳极底衬110可以为导电玻璃ITO；阳极底衬110的厚度为0.2mm-1.5mm，优选为1mm。
本实施例中，像素隔离结构120的高度一般为0.5-2.5μm，优选为1μm。
本实施例中，空穴传输层130的材料可以为但不限于PEDOT：PSS、ZnO等强导电的材料，或poly-TPD、TFB等有机传输材料，或NiO、Mo2O3等无机传输材料及其复合物；空穴注入层的厚度为20nm-120nm，优选为60nm。
本实施例中，发光层140的材料为量子点，其可以选自红色量子点、绿色量子点、蓝色量子点中的一种或多种，发光层140的厚度为15nm-50nm，优选为25nm。
本实施例中，电子传输层150的材料为ZnO或ZnMgO，电子注入层的厚度为15nm-100m，优选为25nm。
本实施例中，绝缘层160的材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、丙烯酸树脂、聚酰胺、聚四氟乙烯、聚酯-酰亚胺、聚胺-酰亚胺、聚酯、聚碳酸酯、酚醛树酯、聚丙烯、交联聚乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯和环氧树酯中的一种或多种；绝缘层160的厚度为0.5-1.5μm，优选为1μm。
本实施例中，阴极层170的材料为Ag，电极的厚度为50nm-250nm，优选地，电极的厚度为200nm。
本实施例中，电致发光器件100可以为OLED显示面板或者QLED显示面板，还可以为其他显示面板结构。具体为：发光层140为量子点发光层140，对应的电致发光器件100为QLED显示面板；发光层140为有机发光层140，对应的电致发光器件100为OLED显示面板。
现有技术中采用溶液法制备OLED/QLED器件时，为了防止器件的阴阳极或TFT单元与电极短路问题，通常在基板上设置像素限定绝缘层，因此像素隔离结构位于像素限定绝缘层之上。而本申请发现像素隔离结构120可以同时作为像素限定绝缘层使用，从而取代现有技术中像素限定绝缘层，即设置在基板上的像素限定绝缘层可有可无。另外，采用溶液制程时，将强导电性的材料和溶剂混合配成溶液，涂布或打印后干燥成膜，因此公用层材料具有导电性；同时上述溶液挥发不彻底可能会有游离的导电离子存在等现象均可能导致器件的漏电问题。而本申请在像素隔离结构120上完成所有溶液制程之后，在蒸镀阴极层170之前，再在像素隔离结构120上打印绝缘层160，从而避免器件产生漏电及阴阳极短路问题。
第二实施例
请参照图2和图3所示，本实施例提供一种电致发光器件200的制造方法，该制造方法与第一实施例的制造方法大致相同，不同之处在于：
先在各个像素隔离结构120的外表面和阳极底衬110裸露的外表面上涂布形成空穴注入层210，再在空穴注入层210上涂布形成第二空穴传输层，即空穴传输层220。
本实施例还提供一种电致发光器件200，其按照本实施例的制造方法制得，该电致发光器件200的结构与第一实施例中的电致发光器件100结构大致相同，具体包括：阳极底衬110；多个像素隔离结构120，位于阳极底衬110上，相邻像素隔离结构120之间形成多个相互隔离的像素区域180；以及
空穴注入层210，位于各像素隔离结构120的外表面和阳极底衬110裸露的外表面上；空穴注入层210的材料可以但不限于PEDOT：PSS、ZnO等强导电的材料，空穴注入层210的厚度为20nm-120nm，优选为40nm。
空穴传输层220，位于空穴注入层210远离阳极底衬110的一侧表面上，位于空穴注入层210和发光层140之间；空穴传输层220的材料可以但不限于poly-TPD、TFB等有机传输材料，或NiO、Mo2O3等无机传输材料及其复合物，空穴传输层220的厚度为20nm-40nm，优选为25nm。
发光层140，位于各像素区域180内的空穴传输层220远离阳极底衬110的一侧表面上。
电子传输层150，位于各像素隔离结构120上方的第一部分空穴传输层220远离阳极底衬110的一侧表面上和位于发光层140远离阳极底衬110的一侧表面上。
绝缘层160，位于各像素隔离结构120上方的第一部分电子传输层150远离阳极底衬110的一侧表面上。
阴极层170，位于绝缘层160远离阳极底衬110的一侧表面上和位于各像素区域180上方的第二部分电子传输层150远离阳极底衬110的一侧表面上。
第三实施例
请参照图2和图4所示，本实施例还提供一种电致发光器件300，其按照上述制造方法制得，该电致发光器件300的结构与第一实施例中的电致发光器件100结构大致相同，具体包括：阳极底衬110；多个像素隔离结构120，位于阳极底衬110上，相邻像素隔离结构120之间形成多个相互隔离的像素区域180；以及
空穴传输层130，位于各像素隔离结构120的外表面和阳极底衬110裸露的外表面上；
发光层140，位于各像素区域180内的空穴传输层130远离阳极底衬110的一侧表面上；
电子传输层310(即第二电子传输层)，位于各像素隔离结构120上方的第一部分空穴传输层130远离阳极底衬110的一侧表面上和位于发光层140远离阳极底衬110的一侧表面上，位于电子注入层320和发光层140之间；
电子注入层320，位于电子传输层310远离阳极底衬110的一侧表面上；
绝缘层160，位于各像素隔离结构120上方的第一部分电子注入层320远离阳极底衬110的一侧表面上；以及
阴极层170，位于绝缘层160远离阳极底衬110的一侧表面上和位于各像素区域180上方的第二部分电子注入层320远离阳极底衬110的一侧表面上。
第四实施例
请参照图2和图5所示，本实施例提供一种电致发光器件400的制造方法，其包括以下步骤：
S1、在阴极底衬410(即带有阴极层的导电基板，阴极层未示出)上形成多个像素隔离结构120，相邻像素隔离结构120之间形成多个相互隔离的像素区域180。
S2、在各个像素隔离结构120的外表面和阴极底衬410裸露的外表面上涂布形成第一载流子传输层，本实施例具体为电子传输层430。需要说明的是，在本技术领域中，与阴极相邻的电子传输层430也称为电子注入层。本申请的实施例中，可以涂布形成第一电子传输层，即单层的电子传输层430，也可以依次涂布形成电子注入层和第二电子传输层，第二电子传输层位于电子注入层和后续形成的发光层140之间，本实施例具体是涂布形成单层电子传输层430。第一部分电子传输层430是指位于各像素隔离结构120上方的电子传输层430，第二部分电子传输层430是指位于各像素区域180内的电子传输层430。
S3、在各像素区域180内的电子传输层430(即第二部分电子传输层430)上打印形成发光层140。
S4、在发光层140和位于各像素隔离结构120上方的第一部分电子传输层430上涂布形成第二载流子传输层，本实施例具体为空穴传输层450。需要说明的是，在本技术领域中，与阳极相邻的空穴传输层450称为空穴注入层。本申请的实施例中，可以涂布形成第一空穴传输层，即单层的空穴传输层450，也可以依次涂布形成第二空穴传输层和空穴注入层，第二空穴传输层位于空穴注入层和发光层140之间，本实施例具体是涂布形成单层空穴传输层450。第一部分空穴传输层450是指位于各像素隔离结构120上方的空穴传输层450，第二部分空穴传输层450是指各像素区域180上方的空穴传输层450。
本实施例中，涂布工艺选自狭缝涂布工艺、旋涂工艺、喷涂工艺中的一种，优选为狭缝涂布工艺。
S5、在位于各像素隔离结构120上方的第一部分空穴传输层450上打印形成绝缘层160。
本实施例中，绝缘层160的具体打印方法为：先在第一部分空穴传输层450的上方设置具有镂空部的掩膜，再打印墨水穿过镂空部，固化形成绝缘层160，墨水可以通过加热挥发固化。
S6、在绝缘层160和位于各像素区域180上方的第二部分空穴传输层450上溅射形成阳极层470。
本发明实施例通过采用涂布结合打印的工艺，降低器件制作难度，降低成本，减少全打印工艺中由于像素内墨水不均匀而导致器件漏电的现象；并且在像素隔离结构上完成所有溶液的制程后，在溅射阳极层前，再在像素隔离结构上打印绝缘层，极大减少湿法工艺制备的器件的漏电现象，提高器件性能。
本实施例还提供一种电致发光器件400，其按照上述制造方法制得，该电致发光器件400包括：
阴极底衬410；多个像素隔离结构120，像素隔离结构120位于阴极底衬410上，相邻像素隔离结构120之间形成多个相互隔离的像素区域180；以及按照下述顺序依次叠置的多层结构：
电子传输层430，位于各像素隔离结构120的外表面和阴极底衬410裸露的外表面上；
发光层140，位于各像素区域180内的第二部分电子传输层430远离阴极底衬410的一侧表面上；
空穴传输层450，位于各像素隔离结构120上方的第一部分电子传输层430远离阴极底衬410的一侧表面上和发光层140远离阴极底衬410的一侧表面上；
绝缘层160，位于各像素隔离结构120上方的第一部分空穴传输层450远离阴极底衬410的一侧表面上；以及
阳极层470，位于绝缘层160远离阴极底衬410的一侧表面上和位于各像素区域180上方的第二部分空穴传输层450远离阴极底衬410的一侧表面上。
本实施例中，阴极底衬410的材料可以选自ITO或FTO；阴极底衬410的厚度为50nm-250nm，优选地，厚度为200nm。
本实施例中，像素隔离结构120的高度一般为0.5-2.5μm，优选为1μm。
本实施例中，电子传输层430的材料为ZnO或ZnMgO，电子注入层的厚度为15nm-100m，优选为25nm。
本实施例中，发光层140的材料为量子点，其可以选自红色量子点、绿色量子点、蓝色量子点中的一种或多种，发光层140的厚度为15nm-50nm，优选为25nm。
本实施例中，空穴传输层450的材料可以但不限于PEDOT：PSS、ZnO等强导电的材料，或poly-TPD、TFB等有机传输材料，或NiO、Mo2O3等无机传输材料及其复合物；空穴注入层的厚度为20nm-120nm，优选为60nm。
本实施例中，绝缘层160的材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、丙烯酸树脂、聚酰胺、聚四氟乙烯、聚酯-酰亚胺、聚胺-酰亚胺、聚酯、聚碳酸酯、酚醛树酯、聚丙烯、交联聚乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯和环氧树酯中的一种或多种；绝缘层160的厚度为0.5-1.5μm，优选为1μm。
本实施例中，阳极层470的材料选自氧化铟锡靶材，电极的厚度为0.2mm-1.5mm，优选为1mm。
本实施例中，电致发光器件400可以为OLED显示面板或者QLED显示面板，还可以为其他显示面板结构。具体为：发光层140为量子点发光层140，对应的电致发光器件400为QLED显示面板；发光层140为有机发光层140，对应的电致发光器件400为OLED显示面板。
第五实施例
请参照图2和图6所示，本实施例提供一种电致发光器件500的制造方法，该制造方法与第四实施例的制造方法大致相同，不同之处在于：
先在各个像素隔离结构120的外表面和阴极底衬410裸露的外表面上涂布形成电子注入层510，再在电子注入层510上涂布形成第二电子传输层，即电子传输层520。
本实施例还提供一种电致发光器件500，其按照本实施例的制造方法制得，该电致发光器件500的结构与第四实施例中的电致发光器件400结构大致相同，具体包括：阴极底衬410；多个像素隔离结构120，位于阴极底衬410上，相邻像素隔离结构120之间形成多个相互隔离的像素区域180；以及
电子注入层510，位于各像素隔离结构120的外表面和阴极底衬410裸露的外表面上；电子注入层510的材料可以为但不限于ZnO、TiO2、SnO、ZrO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO或InSnO。
电子传输层520，位于电子注入层510远离阴极底衬410的一侧表面上，位于电子注入层510和后续形成的发光层140之间；电子传输层520的材料可以为但不限于ZnO或ZnMgO，电子注入层的厚度为15nm-100m，优选为25nm。
发光层140，位于各像素区域180内的电子传输层520远离阴极底衬410的一侧表面上。
空穴传输层450，位于各像素隔离结构120上方的第一部分电子传输层520远离阴极底衬410的一侧表面上和位于发光层140远离阴极底衬410的一侧表面上。
绝缘层160，位于各像素隔离结构120上方的第一部分空穴传输层450远离阴极底衬410的一侧表面上。
阳极层470，位于绝缘层160远离阴极底衬410的一侧表面上和位于各像素区域180上方的第二部分空穴传输层450远离阴极底衬410的一侧表面上。
第六实施例
请参照图2和图7所示，本实施例还提供一种电致发光器件600，其按照上述制造方法制得，该电致发光器件600的结构与第四实施例中的电致发光器件400结构大致相同，具体包括：阴极底衬410；多个像素隔离结构120，位于阴极底衬410上，相邻像素隔离结构120之间形成多个相互隔离的像素区域180；以及
电子传输层430，位于各像素隔离结构120的外表面和阴极底衬410裸露的外表面上；
发光层140，位于各像素区域180内的电子传输层430远离阴极底衬410的一侧表面上；
空穴传输层610(第二空穴传输层)，位于各像素隔离结构120上方的第一部分电子传输层430远离阴极底衬410的一侧表面上和位于发光层140远离阴极底衬410的一侧表面上，位于空穴注入层620和发光层140之间；
空穴注入层620，位于空穴传输层610远离阴极底衬410的一侧表面上；
绝缘层160，位于各像素隔离结构120上方的第一部分空穴注入层620远离阴极底衬410的一侧表面上；以及
阳极层470，位于绝缘层160远离阴极底衬410的一侧表面上和位于各像素区域180上方的第二部分空穴注入层620远离阴极底衬410的一侧表面上。
第一对比例
本对比例提供一种电致发光器件的制造方法，包括以下步骤：
提供设置有ITO电极的基板，且该基板上设置有多个像素隔离结构，在相邻的像素隔离结构之间裸露的ITO电极的表面上喷墨打印或涂布聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)溶液，干燥处理后得到空穴注入层，该空穴注入层的厚度为40nm；
在空穴注入层的表面上打印或涂布聚乙烯咔唑(PVK)溶液，干燥处理后得到空穴传输层，该空穴传输层的厚度为20nm；
在空穴传输层的表面上喷墨打印发光波长为465nm的蓝色量子点的正癸烷墨水，正癸烷挥发干燥后得到发光层，该发光层的厚度为25nm；
在发光层的表面上喷墨打印或涂布氧化锌(ZnO)溶液，干燥处理后得到电子传输兼注入层，该层的厚度为25nm；
最后，在电子传输层上蒸镀200nm厚度的Ag电极。
根据第一至第六实施例以及第一对比例的制造方法，并在发光层的制备中均采用发光波长为465nm的蓝色量子点作为发光材料，得到的QLED显示面板分别采用Keithley2400SourceMeter,PHOTO RESEARCH公司生产的PR670光谱光度/色度/辐射度计进行电流-电压-亮度测试，并在1V电压下记录各自的漏电数据(见表1)。
表1不同产品的外量子效率和漏电流数据
外量子效率(％) 1V下漏电流(mA/cm<sup>2</sup>)
第一实施例 8.2 0.02
第二实施例 8.3 0.03
第三实施例 8.7 0.01
第四实施例 8.8 0.02
第五实施例 8.2 0.015
第六实施例 8.3 0.02
第一对比例 8.0 0.4
从表1数据可以看到，相比于第一对比例(现有技术)，本申请第一至第六实施例的制造方法得到的QLED显示面板的电致发光效率(即外量子效率)有一定程度的提高；并且在相同的电压条件下，相比第一对比例，本发明实施例的QLED显示面板所产生的漏电流最好可降低约98％，器件性能大大提高。
综上所述，本发明实施例的电致发光器件能够极大减少器件漏电和阴阳极短路问题，提高器件性能；本发明实施例的电致发光器件的制造方法采用涂布加打印的工艺，并且在像素隔离结构上完成所有溶液制程之后，在蒸镀或溅射电极层之前，在像素隔离结构上打印绝缘层，解决电致发光器件的漏电及阴阳极短路的技术问题。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种电致发光器件的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：
在导电基板上形成多个像素隔离结构，相邻所述像素隔离结构之间形成多个相互隔离的像素区域；
在各个所述像素隔离结构的外表面和所述导电基板裸露的外表面上涂布形成第一载流子传输层；
在各所述像素区域内的第二部分所述第一载流子传输层上打印形成发光层；
在所述发光层和位于各所述像素隔离结构上方的第一部分所述第一载流子传输层上涂布形成第二载流子传输层；
在位于各所述像素隔离结构上方的第一部分所述第二载流子传输层上打印形成绝缘层；
在所述绝缘层和位于各所述像素区域上方的第二部分所述第二载流子传输层上蒸镀或溅射形成电极层；
其中，所述第一载流子传输层为电子传输层或空穴传输层，对应的所述第二载流子为空穴传输层或电子传输层。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件的制造方法，其特征在于，所述涂布工艺选自狭缝涂布工艺、旋涂工艺、喷涂工艺中的一种，优选为狭缝涂布工艺。
3.根据权利要求1所述的电致发光器件的制造方法，其特征在于，先在第一部分所述第二载流子传输层的上方设置具有镂空部的掩膜，再打印墨水穿过所述镂空部，固化形成所述绝缘层。
4.一种电致发光器件，其特征在于，包括：
导电基板；
多个像素隔离结构，位于所述导电基板上，相邻所述像素隔离结构之间形成多个相互隔离的像素区域；以及按照下述顺序依次叠置的多层结构：
第一载流子传输层，位于各所述像素隔离结构的外表面和所述导电基板裸露的外表面上；
发光层，位于各所述像素区域内的第二部分所述第一载流子传输层远离所述导电基板的一侧表面上；
第二载流子传输层，位于所述发光层远离所述导电基板的一侧表面上和各所述像素隔离结构上方的第一部分所述第一载流子传输层远离所述导电基板的一侧表面上；
绝缘层，位于各所述像素隔离结构上方的第一部分所述第二载流子传输层远离所述导电基板的一侧表面上；以及
电极层，位于所述绝缘层远离所述导电基板的一侧表面上和各所述像素区域上方的第二部分所述第二载流子传输层远离所述导电基板的一侧表面上；
其中，所述第一载流子传输层为电子传输层或空穴传输层，对应的所述第二载流子为空穴传输层或电子传输层。
5.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述导电基板为阳极底衬，所述第一载流子传输层为空穴传输层，所述第二载流子传输层为电子传输层，所述电极层为阴极层。
6.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述导电基板为阴极底衬，所述第一载流子传输层为电子传输层，所述第二载流子传输层为空穴传输层，所述电极层为阳极层。
7.根据权利要求5或6所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层包括第一空穴传输层，或者所述空穴传输层包括叠置的空穴注入层和第二空穴传输层，所述第二空穴传输层位于所述空穴注入层和所述发光层之间。
8.根据权利要求5或6所述的电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层包括第一电子传输层，或者所述电子传输层包括叠置的第二电子传输层和电子注入层，所述第二电子传输层位于所述电子注入层和所述发光层之间。
9.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述绝缘层的厚度为0.5-1.5μm；所述绝缘层的材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、丙烯酸树脂、聚酰胺、聚四氟乙烯、聚酯-酰亚胺、聚胺-酰亚胺、聚酯、聚碳酸酯、酚醛树酯、聚丙烯、交联聚乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯和环氧树酯中的一种或多种。
10.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述像素隔离结构的高度为0.5-2.5μm。
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