TWI575791B - 有機發光顯示裝置 - Google Patents
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Description
相關申請案的交互參照
本申請案參照、於此併入其相同內容並主張稍早於2011年10月20日向韓國智慧財產局(KIPO)所提出之申請案之所有權益，而其序號為10-2011-0107651。
本發明涉及有機發光顯示裝置。特別是，本發明涉及一種具有新穎結構之有機發光顯示裝置。
有機發光顯示(OLED)裝置可運用以其有機層中自陽極所提供之電洞與自陰極所提供之電子之結合所產生之光線來顯示預期的信息，例如，影像、文字及/或字元。有機發光顯示裝置可具有若干優點，例如寬視角、高反應性時間、輕薄厚度及低功率消耗，使得有機發光顯示裝置可廣泛地運用於不同的電性及電子裝置中。近來，有機發光顯示裝置已被視為最有前景的顯示裝置之其中之一而快速地發展。
為形成有機發光顯示裝置的有機發射層，係採用利用噴墨(inkjet)、旋塗(spin)或噴嘴(nozzle)的印刷製程，堆層沈積後的圖樣化製程，以及使用熱或雷射的轉移製程。然而，藉由前述製程，具高解析度及/或對比度之有機發光顯示裝置的像素區中，可能無法均勻地形成有機發射層。特別是，隨著有機發光顯示裝置的尺寸增加，可能無法精確地於具高解析度的預定區域中圖樣化有機發射層。
本發明提供一種有機發光顯示裝置，其包括可分成相互具有不同特性的圖樣之中間層。
根據本發明的例示性實施例，其提供了一種有機發光顯示裝置。有機發光顯示裝置包括複數個第一電極，像素定義層、第一中間層、含氟層、發射層及第二電極。第一電極在基板上相互分隔。像素定義層係設置在基板上。像素定義層部分地暴露第一電極。第一中間層設置在基板、像素定義層及經暴露的第一電極上。含氟層形成於重疊於像素定義層之上表面的第一中間層之一部分上。含氟層包含從像素定義層或第一中間層擴散的氟。發射層至少部分地設置於其上不包括含氟層的第一中間層的一部分上。第二電極設置在發射層上。
在例示性實施例中，第一中間層可包括重疊於經暴露之第一電極的第一圖樣、以及重疊於像素定義層之第二圖樣。第二圖樣可具有小於第一圖樣的導電性，或大於第一圖樣的電阻。第二圖樣可具有高於第一圖樣之上表面。含氟層可形成於第二圖樣上。
在例示性實施例中，第一中間層可進一步包括第三圖樣，第三圖樣在相互分隔的相鄰第一電極之間重疊於基板之一部份。第三圖樣可具有小於第一圖樣的導電性，或大於第一圖樣的電阻。含氟層可包括在第二圖樣上的第一含氟層、以及在第三圖樣上的第二含氟層。第三圖樣可具有高於第一圖樣之上表面。
在例示性實施例中，有機發光顯示裝置可進一步包括引線及第三電極。引線可設置在基板上，以從而與第一電極分隔。第三電極可在第二電極及基板上延伸。第三電極可電性連接至引線。第三電極可藉由包含像素定義層及第一中間層之絕緣層圖樣而與第一電極分隔。
在例示性實施例中，絕緣層圖樣及第二電極可共享共同蝕刻面。
根據例示性實施例，其提供一種有機發光顯示裝置。有機發光顯示裝置包括第一電極、第一中間層、發射層及第二電極。複數個第一電極係被提供，且第一電極在基板上係相互分隔。覆蓋第一電極的第一中間層設置在基板上。發射層設置在第一中間層上。發射層重疊第一電極。第二電極設置在發射層上。第一中間層包括重疊第一電極之一第一圖樣、界定發射層之橫向部份的第二圖樣、以及在相互分隔的相鄰第一電極之間重疊基板之一部分之第三圖樣。第三圖樣具有小於第一圖樣之導電性，或大於第一圖樣之電阻。
在例示性實施例中，發射層在複數個第一電極上可連續地延伸。亦或，發射層可藉由第二圖樣及第三圖樣所界定，從而具有島狀。
在例示性實施例中，第三圖樣可具有小於第一圖樣的親墨性。
在例示性實施例中，含氟層可設置在第三圖樣上。含氟層可包括從第一中間層擴散的氟。
在例示性實施例中，第三圖樣可具有高於第一圖樣之上表面。
在例示性實施例中，第二圖樣可具有小於第一圖樣的親墨性。
在例示性實施例中，含氟層可設置在第二圖樣上。含氟層可包括從第一中間層擴散的氟。
在例示性實施例中，第二圖樣可具有小於第一圖樣之導電性，或大於第一圖樣之電阻。
在例示性實施例中，有機發光顯示裝置可進一步包括引線及第三電極。引線可設置在基板上，以與第一電極分隔。第三電極可在第二電極及基板上延伸。第三電極可電性連接至引線。第三電極可藉由包含第一中間層之絕緣層圖樣而與第一電極分隔。
在例示性實施例中，絕緣層圖樣及第二電極可共享共同蝕刻面。
根據例示性實施例，其提供一種有機發光顯示裝置。有機發光顯示裝置包括第一電極、第一中間層、發射層及第二電極。複數個第一電極係被提供，且第一電極在基板上係相互分隔。覆蓋第一電極的第一中間層設置在基板上。發射層設置在第一中間層上。發射層重疊第一電極。第二電極設置在發射層上。第一中間層包括重疊第一電極之第一圖樣、界定發射層之橫向部份之第二圖樣、以及在相互分隔的相鄰第一電極之間重疊基板之一部份之第三圖樣。第三圖樣可具有小於第一圖樣的親墨性。
在例示性實施例中，含氟層可設置在第三圖樣上。含氟層可包括從第一中間層擴散的氟。
在例示性實施例中，第三圖樣可具有小於第一圖樣之導電性，或大於第一圖樣之電阻。第三圖樣可具有高於第一圖樣之上表面。
在例示性實施例中，第二圖樣可具有小於第一圖樣的親墨性。
在例示性實施例中，含氟層可設置在第二圖樣上。含氟層可包括從第一中間層擴散的氟。
在例示性實施例中，第二圖樣可具有小於第一圖樣之導電性，或大於第一圖樣之電阻。
在例示性實施例中，發射層在複數個第一電極上可連續地延伸。亦或，發射層可藉由第二圖樣及第三圖樣所界定，以具有一島狀。
在例示性實施例中，有機發光顯示裝置可進一步包括引線及第三電極。引線可設置在基板上以與第一電極分隔。第三電極可在第二電極及基板上延伸。第三電極可電性連接至引線。第三電極可藉由包含第一中間層之絕緣層圖樣而與第一電極分隔。
在例示性實施例中，絕緣層圖樣及第二電極可共享一共同蝕刻面。
根據例示性實施例，係提供一種有機發光顯示裝置。有機發光顯示裝置包括第一電極、第一中間層、發射層及第二電極。複數個第一電極係被提供，且第一電極在基板上係相互分隔。覆蓋第一電極的第一中間層設置在基板上。發射層設置在第一中間層上。發射層重疊第一電極。第二電極設置在發射層上。第一中間層包括重疊第一電極之第一圖樣、界定發射層之橫向部份之第二圖樣、以及在相互分隔的相鄰第一電極之間重疊基板之一部份之第三圖樣。第三圖樣可具有大於第二圖樣之導電性，或小於第二圖樣之電阻。
在例示性實施例中，含氟層可設置在第二圖樣上。含氟層可包括從第一中間層擴散的氟。
在例示性實施例中，第二圖樣可具有高於第三圖樣之上表面。
在例示性實施例中，有機發光顯示裝置可進一步包括引線及第三電極。引線可設置在基板上以與第一電極分隔。第三電極可在第二電極及基板上延伸。第三電極可電性連接至引線。第三電極可藉由包含第一中間層之絕緣層圖樣而與第一電極分隔。
在例示性實施例中，絕緣層圖樣及第二電極可共享一共同蝕刻面。
根據例示性實施例係提供一種有機發光顯示裝置。有機發光顯示裝置包括第一電極、第一中間層、發射層及第二電極。複數個第一電極係被提供，且第一電極在基板上係相互分隔。覆蓋第一電極的第一中間層設置在基板上。發射層設置在第一中間層上。發射層重疊第一電極。第二電極設置在發射層上。第一中間層包括重疊第一電極之第一圖樣、界定發射層之橫向部份之第二圖樣、以及在相互分隔的相鄰第一電極之間重疊基板之一部分之第三圖樣。第三圖樣可具有大於第二圖樣的親墨性。
在例示性實施例中，含氟層可設置在第二圖樣上。含氟層可包括從第一中間層擴散的氟。
在例示性實施例中，第二圖樣可具有小於第三圖樣之導電性，或大於第三圖樣之電阻。第二圖樣可具有高於第三圖樣之上表面。
在例示性實施例中，有機發光顯示裝置可進一步包括引線及第三電極。引線可設置在基板上以與第一電極分隔。第三電極可在第二電極及基板上延伸。第三電極可電性連接至引線。第三電極可藉由包含第一中間層之絕緣層圖樣而與第一電極分隔。
在例示性實施例中，絕緣層圖樣及第二電極可共享一共同蝕刻面。
根據例示性實施例，有機發光顯示裝置可包括具有相對較低親墨性的含氟層。含氟層可形成於重疊於有機發光顯示裝置之像素定義層的第一中間層之一部分上。第一中間層可包括第一圖樣、第二圖樣及/或第三圖樣，其各可具有與彼此不同的化學特性(例如，親水性、疏水性、表面能等等)及/或電性特性(例如，導電性、電阻等等)。像素區可藉由含氟層、第一圖樣、第二圖樣及/或第三圖樣而界定或限制，使得發射層可在像素區中選擇性地形成。因此，可獲得以傳統印刷製程可能不易製造的具高解析度之有機發光顯示裝置。
以下將參考其中顯示一些例示性實施例之附圖而更完整地敘述各種本發明之例示性實施例。然而，本發明可以許多不同形式實行，且不應詮釋為限於在此所述的例示性實施例。相反地，這些例示性實施例係提供以使本說明書將徹底且完全，且將充分地將發明之範疇傳達予熟悉此技藝者。在圖式中，層及區域之大小及相對大小可為了清楚起見而誇大。
其將了解的是，在元件或層被稱為在另一元件或層「上(on)」、「連接至(connected to)」或「耦合至(coupled to)」另一元件或層時，其可直接在其他元件或層上、連接或耦合至其他元件或層，或者可存在中介元件或層。相對地，在元件被稱為「直接」在另一元件或層「上」、「直接連接至」或「直接耦合至」另一元件或層時，則無中介元件或層存在。全文中相同之參考符號係指相同的元件。當在此使用時，名詞「及/或」係包括一個或一個以上之附列項目的任何及全部組合。
其將了解的是，雖然在此可使用名詞第一、第二、第三等說明各種元件、組件、區域、層、及/或部分，但這些元件、組件、區域、層、及/或部分不應受這些名詞所限制。這些名詞僅用於將一元件、組件、區域、層或部分與其他元件、組件、區域、層或部分區別。因此，以下所討論的第一元件、組件、區域、層或部分可稱為第二元件、組件、區域、層、或部分，而不會背離本發明之教示。
空間相對術語，例如「下(beneath)」、「下(below)」、「下(lower)」、「上(above)」、「上(upper)」等可於此用來便於描述以闡釋ㄧ元件或特徵與於如圖中所繪示之另一元件或特徵(或其他元件或特徵)之關係。其將理解的是此些空間相對術語係旨在除了圖中所繪示的方向外，亦包括此裝置在使用或操作上的不同方向。例如，假如圖中的裝置翻轉時，被描述為在其它元件或特徵「下(below)」或「下(beneath)」的元件將接著指向為在其它元件或特徵「上(above)」。因此，例示性術語「下(below)」可包含上與下的兩種方向。此裝置可另行定向(旋轉90度或其它方向)，且本文中使用的空間相對描述係作對應的解釋。
本文中使用的術語僅作為描述特定例示性實施例之用途，而並非旨在限制本發明。當在此使用時，除非本文中清楚的另行表明，否則單數形式「ㄧ(a)」、「ㄧ(an)」、及「此(the)」同樣旨在包括複數形式。其將更進一步理解的是，當術語「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」使用於本說明書時，係指定所述特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組之存在，但並不排除ㄧ或多種其它特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組的存在或增加。
例示性實施例在此係參考橫切面圖而敘述，其為理想化例示性實施例(及中間結構)之示意圖。因此，係預期作為例如製造技術及/或公差之結果而與圖中之形狀有所變化。因此，例示性實施例係非詮釋為限於在此所示的區域之特定形狀，而包括例如來自製造所造成的形狀差異。例如，繪示為長方形之植入區域將一般具有圓形或曲形特徵及/或在其邊緣之植入濃度之梯度，而非從植入至非植入區域之二分變化。同樣地，以植入所形成的埋入區域可在埋入區域與經其進行植入的表面之間之區域造成一些植入。因此，圖中所示的區域為示意性質，及其形狀非旨在描述裝置區域之實際形狀，且不旨在限制本發明之範疇。
除非另行定義，否則在此使用的所有名詞(包括技術性及科學性名詞)均具有本發明所屬技術領域具有相關技藝者所一般了解的相同意義。其將進一步了解的是，如常用字典中所定義，名詞應解讀成具有與其在相關技藝內容中之意義相符的意義，且除非在此明確地定義，否則將不應以理想化或過度正式地解讀。
第1圖為描述依照本發明之例示性實施例之有機發光顯示裝置之橫切面圖。
參照第1圖，有機發光顯示裝置可包括基板100、第一電極110、像素定義層(PDL)120、第一中間層130、含氟層140、發射層(EML)150、第二中間層160、第二電極170等等。
基板100可包括下基板(未繪示)及設置於下基板上的下結構(未繪示)。下結構可包括開關裝置、絕緣層等等。下基板也可包括透明基板，例如玻璃基板、石英基板、透明塑膠基板等等。例如，透明塑膠基板可包括聚醯亞胺(polyimide)、丙烯酸系樹脂(acryl-based resin)、聚對苯二甲酸二乙酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚(polyether)等等。開關裝置可包括薄膜電晶體(TFT)或氧化物半導體裝置。
第一電極110可設置在具有下結構之基板100上。在例示性實施例中，相互分隔的複數個第一電極110可沿第一方向規則地設置在基板100上。此外，相互分隔的複數個第一電極110可沿實質上垂直於第一方向的第二方向設置。
根據有機發光顯示裝置的類型，例如，頂射式或背射式，第一電極110可作用為透明電極或反射電極。在第一電極110作為透明電極的例子中，第一電極110可包括具有相對高功函數之透明導電材料，例如氧化銦錫(ITO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化銦(InOx)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化錫(SnOx)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鎵銦鋅(GIZO)、鋁摻雜的氧化鋅(AZO)等等。這些可獨自或以其組合使用。
在第一電極110作為反射電極的例子中，第一電極110可包括金屬，例如銀(Ag)、鋁(Al)、鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)等等，或這些金屬的合金。在一例示性實施例中，第一電極110可具有包括第一層及第二層的多層堆疊結構。第一層可包括，例如，上述金屬或合金，而第二層可包括，例如，上述透明導電材料。在這種情況下，第一電極110可作為半透明電極。在例示性實施例中，第一電極110可作為提供電洞進入第一中間層130之陽極。
像素定義層120可設置在基板100及第一電極110上。像素定義層120可部分地暴露第一電極110，從而定義有機發光顯示裝置的像素區。在例示性實施例中，像素定義層120可包括含有碳-碳鏈的聚合物。像素定義層120可作為絕緣體。因此，當有機發光顯示裝置為背射式時，像素定義層120可運作為黑矩陣。
第一中間層130可設置在基板100、像素定義層120及經暴露之第一電極110上。在例示性實施例中，第一中間層130可包括電洞傳輸層(HTL)。電洞傳輸層可包括電洞傳輸材料，例如，4,4'-二聯苯(4,4'-bisbiphenyl, NPB)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)- 1,1'-biphenyl-4,4-diamine, TPD)、N,N'-二-1-萘基-N,N'-聯苯-1,1'-二苯基-4,4'-二胺(N,N'-di-1-naphtyl-N,N'-diphenyl-1,1'- biphenyl-4,4'-diamine, NPD)、N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)、聚乙烯咔唑(polyvinylcarbazole)，或這些材料的混合物。在一例示性實施例中，第一中間層130在電洞傳輸層下可包括電洞注入層(HIL)(未繪示)。電洞注入層可促進電洞從第一電極110注入至電洞傳輸層。例如，電洞注入層可包括銅酞菁(cupper phthalocyanine)、聚-(3,4)-乙撐二氧噻吩(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene, PEDOT)、聚苯胺(polyaniline, PANI)或這些材料的混合物。
含氟層140可形成於第一中間層130之上表面，該第一中間層130實質上重疊於像素定義層120之上表面。在下文中，其上形成含氟層140的第一中間層130之上表面可稱為第二表面，而其上未形成含氟層140的第一中間層130的其餘上表面可稱為第一表面。第一表面實質上可重疊經暴露的第一電極110。如第1圖所示，含氟層140實質上可重疊像素定義層120之上表面。在一例示性實施例中，含氟層140也可部分地重疊像素定義層120的側壁。
在例示性實施例中，包括含氟層140的第二表面可為疏水性。此外，第二表面可具有實質上低於第一表面的表面能及/或親墨性。含氟層140可包括可從像素定義層120擴散之氟原子、氟離子或含氟離子，並可固定於第一中間層130的第二表面。用於形成含氟層140的製程可參照第27圖至第33圖而詳細描述，其繪示一種製造例示性實施例中之有機發光顯示裝置的方法。
發射層150可設置在第一中間層130的第一表面上。發射層150可包括用於產生不同顏色光的至少一發光材料，例如、紅色光、綠色光或藍色光。發射層150可包括用於產生白色光的發光材料的混合或組合。發射層150可進一步包括具有相對較大帶隙之螢光基質材料或磷光基質材料。
在例示性實施例中，發射層150可選擇地設置於其上未形成含氟層140的第一表面上。因此，發射層150的發光材料可避免沈積或擴散到實質上重疊於像素定義層120的非像素區，而玷污或塗抹非像素區。因此，有機發光顯示裝置可具有包含例如解析度、對比度等的改善發光特性。
第二中間層160可形成於第一中間層130上，從而覆蓋含氟層140及發射層150。在例示性實施例中，第二中間層160可包括電子傳輸層(ETL)。電子傳輸層可包括，例如，三(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-quinolinolato)aluminum (III), Alq3)、2-(4-聯苯基)-5-4-叔丁基苯基-1,3,4-惡二唑(2-(4-biphenylyl)-5-4-tert-butylphenyl
-1,3,4-oxadiazole, PBD)、二(2-甲基-8-羥基喹啉-N1,O8)-(1,1'-聯苯-4-羥基)鋁(bis(2-methyl-8-quinolinolato)
-4-phenylphenolato-aluminum, BAlq)、浴銅靈(bathocuproine, BCP)等等。這些可以獨自或以其混合物使用。
-1,3,4-oxadiazole, PBD)、二(2-甲基-8-羥基喹啉-N1,O8)-(1,1'-聯苯-4-羥基)鋁(bis(2-methyl-8-quinolinolato)
-4-phenylphenolato-aluminum, BAlq)、浴銅靈(bathocuproine, BCP)等等。這些可以獨自或以其混合物使用。
在一例示性實施例中，第二中間層160可進一步包括設置於電子傳輸層上的電子注入層(EIL)(未繪示)。電子注入層可包括鹼金屬、鹼土金屬、這些金屬的氟化物、這些金屬的氧化物等。這些可以獨自或以其混合物使用。
第二電極170可設置在第二中間層160上。在其中第二電極170係作為透明電極之例子中，第二電極170可包括透明導電材料，例如氧化銦錫、氧化鋅錫、氧化銦、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵鋅、氧化鎵銦鋅、鋁摻雜的氧化鋅等等。在第二電極170作為反射電極的例子中，第二電極170可包括金屬，例如銀、鋁、鉑、金、鉻、鎢、鉬、鈦、鈀等等，或此些金屬之合金。在一例示性實施例中，第二電極170可具有包括第一層及第二層的多層堆疊結構。第一層可包括，例如，上述金屬或合金，而第二層可包括，例如，上述透明導電材料。第二電極170可作為提供電子進入第二中間層160之陰極。
在一些例示性實施例中，第二電極170及基板100上可進一步設置第三電極(未繪示)。第三電極可電性連接至可形成於基板100的周圍部分之引線(未繪示)，以從而與第一電極110分隔。第三電極的結構及形成第三電極的方法將參照第31圖至第33圖而進行詳細描述。
保護層(未繪示)及上基板(未繪示)可依序地設置於第二電極170上。保護層可包括透明導電材料，而上基板可包括透明絕緣基板。
第2圖至第4圖係繪示第1圖的有機發光顯示裝置之透視及橫切面圖。特別地，第2圖及第4圖係繪示根據例示性實施例之第1圖的有機發光顯示裝置之透視圖。第3圖是沿著第2圖之I-II線段所截取的橫切面圖。在第2圖及第4圖中，第1圖的發射層150、第二中間層160及第二電極170係為了方便說明起見而未繪示。如第2圖至第4圖所示，第一中間層130可包括依序地形成於基板100、像素定義層120以及第一電極110上的電洞注入層130a及電洞傳輸層130b。
參照第2圖及第3圖，像素定義層120可具有實質上呈「H」的形狀。例如，像素定義層120可包括第一線圖樣120a(見第2圖)及第二線圖樣120b(見第3圖)。在例示性實施例中，複數個第一線圖樣120a可沿第二方向延伸，而複數個第二線圖樣120b可沿第一方向延伸。第一及第二線圖樣120a及120b可分別相互交會，從而定義具有格子或網絡結構的像素區。
含氟層140可包括第一含氟層140a(第2圖)及第二含氟層140b(第3圖)。第一含氟層140a可實質上重疊第一線圖樣120a之上表面，而第二含氟層140b可實質上重疊第二線圖樣120b之上表面。第一及第二含氟層140a及140b也可分別以實質上相同或類似於第一及第二線圖樣120a及120b的方式而分別相互交會。
如第3圖所示，像素定義層120的第二線圖樣120b可設置於沿第二方向相互分隔的相鄰第一電極110之間。第二含氟層140b可形成於第一中間層130之上表面，其實質上重疊第二線圖樣120b之上表面。相對應地，發射層150可沿第二方向藉由第二含氟層140b而分隔。類似地，發射層150沿第一方向可藉由第一含氟層140a而分隔。
在一例示性實施例中，含氟層140可僅設置在第一線圖樣120a上。例如，可僅形成第一含氟層140a。
參照第4圖，像素定義層120可具有沿第二方向延伸的線型形狀。例如，像素定義層120可僅包括第2圖所示的第一線圖樣120a。含氟層140可形成於第一中間層130之上表面，其實質上重疊像素定義層120之上表面。
第5圖係繪示根據本發明的一些例示性實施例的有機發光顯示裝置之橫切面圖。除了第一中間層的結構之外，第5圖的有機發光顯示裝置可具有實質上相同或類似於第1圖的有機發光顯示裝置之構造。因此，相同參考符號代表相同元件，且其詳細說明係在此省略。
參照第5圖，第一中間層135可包括第一圖樣131及第二圖樣133。第一圖樣131可設置在第一電極110及像素定義層120的側壁上，而第二圖樣133可設置在像素定義層120之上表面上。在一例示性實施例中，第二圖樣133可延伸至像素定義層120的側壁之一部份上。第一中間層135可作為有機發光顯示裝置的電洞傳輸層。另外，電洞注入層(未示出)可在電洞傳輸層下設置。在例示性實施例中，第二圖樣133可具有實質上高於第一圖樣131之上表面。
在例示性實施例中，第一圖樣131可包括上述電洞傳輸材料。除了電洞傳輸材料之外，第二圖樣133可包括交聯或聚合的感光材料。因此，第二圖樣133可具有實質上小於第一圖樣131之導電性，或實質上大於第一圖樣131之電阻。另外，第二圖樣133可具有實質上小於第一圖樣131之表面能。
感光材料可代表能夠藉著暴露製程而交聯及/或聚合的材料。例如，感光材料可包括負型感光材料。感光材料可包括，例如，丙烯酸酯系(acrylate-based)材料、甲基丙烯酸酯系(methacrylate-based)材料、芳香烯烴系(aromatic olefin-based)材料或具乙烯基(vinyl group)之苯系(benzene-based)材料。例如，感光材料可包括1,4-丁二醇丙烯酸酯(1,4-butanediol acrylate)、1,3-丁二醇二丙烯酸酯(1,3-butylene glycol diacrylate)、1,6-己二醇二丙烯酸酯(1,6-hexanediol diacrylate)、二甘醇二丙烯酸酯(diethylene glycol diacrylate)、乙二醇二丙烯酸酯(ethylene glycol diacrylate)、三甘醇二丙烯酸酯(triethylene glycol diacrylate)、聚乙二醇二丙烯酸酯(polyethylene glycol diacrylate)、新戊二醇二丙烯酸酯(neopentyl glycol diacrylate)、丙二醇二丙烯酸酯(propylene glycol diacrylate)、二丙二醇二丙烯酸酯(dipropylene glycol diacrylate)、山梨醇三丙烯酸酯(sorbitol triacrylate)、雙酚A二丙烯酸酯衍生物(bisphenol A diacrylate derivatives)、季戊四醇三丙烯酸酯(pentaerythritol triacrylate)、季戊四醇四丙烯酸酯(pentaerythritol tetraacrylate)、季戊四醇二丙烯酸酯(pentaerythritol diacrylate)、聚二季戊四醇五丙烯酸酯(dipentaerythritol pentaacrylate)、聚二季戊四醇六丙烯酸酯(dipentaerythritol hexaacrylate)、乙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(trimethyl propane ethoxy triacrylate)，或這些材料的甲基丙烯酸甲酯(methacrylates)。這些可以獨自或以其混合使用。
根據例示性實施例，第二圖樣133可具有實質上小於第一圖樣131之表面能，使得第二圖樣133可具有相對較低的受潮性。因此，發射層150可由於表面能差異而選擇性地形成在第一圖樣131上。另外，第二圖樣133可具有相對較低的導電性或相對較高的電阻，從而可阻止電荷的橫向擴散。因此，可避免相鄰像素區間的串擾。
在一些例示性實施例中，第三電極(未繪示)可進一步設置於第二電極170及基板100上。第三電極可電性連接至可形成於基板100的周圍部份之引線(未繪示)，以從而與第一電極110分隔。在一些例示性實施例中，保護層(未繪示)及上基板(未繪示)可依序地設置於第二電極170上。
第6圖至第14圖係繪示第5圖的有機發光顯示裝置之透視及橫切面圖。
特別地，第6圖及第9圖係根據例示性實施例繪示第5圖的有機發光顯示裝置之透視圖，第7圖及第8圖係沿著第6圖之I-II線段所截取的橫切面圖，而第10圖係沿著第9圖的I-II線段所截取的橫切面圖。為了解釋方便起見，第5圖的發射層150、第二中間層160及第二電極170並未繪示於第6圖及9圖。如第6圖至第10圖所示，第一中間層135可包括依序地形成於基板100、像素定義層120及第一電極110上的電洞注入層135a及電洞傳輸層135b。
參照第6圖至第8圖，像素定義層120可具有實質上呈「H」的形狀。例如，像素定義層120可包括沿第二方向延伸的複數個第一線圖樣120a(第6圖)以及沿第一方向延伸的複數個第二線圖樣120b(第7圖)。第一及第二線圖樣120a及120b可分別地相互交會，從而定義具格子或網絡結構的像素區。
電洞傳輸層135b可分別包括第一、第二及第三圖樣131、133及137。第二圖樣133可實質上重疊第一線圖樣120a之上表面。實質上重疊於第二線圖樣120b之上表面的電洞傳輸層135b之一部分可定義為第三圖樣137。除了第二及第三圖樣133及137之外，電洞傳輸層135b的其餘部分可分別地定義為第一圖樣131。第二及第三圖樣133及137也可分別以實質上相同或類似於第一及第二線圖樣120a及120b的方式分別相互交會。
在例示性實施例中，第三圖樣137可實質上重疊於介於沿第二方向相互分隔的相鄰第一電極110之間之基板100之一部分。第二及/或第三圖樣133及137可分別地具有實質上高於第一圖樣131之上表面。
在例示性實施例中，第三圖樣137可具有實質上相同或類似於第二圖樣133的特性。例如，第三圖樣137可包括上述電洞傳輸材料及上述交聯或聚合感光材料。因此，第三圖樣137可具有實質上大於第一圖樣131之電阻，或實質上小於第一圖樣131之導電性。此外，第三圖樣137可具有實質上小於第一圖樣131之表面能。
如第7圖所示，像素定義層120的第二線圖樣120b可設置於沿第二方向相互分隔的相鄰第一電極110之間。發射層150a沿第二方向可藉由第三圖樣137而分隔。類似地，發射層150a沿第一方向可藉由第二圖樣133而分隔。
在此同時，如第8圖所示，發射層150b可沿第二方向連續地延伸於第一圖樣131及第三圖樣137上。
參照第9圖及第10圖，第三圖樣可不形成於像素定義層120的第二線圖樣120b上。在這種情況下，電洞傳輸層135b的第二圖樣133可實質上重疊於像素定義層120的第一線圖樣120a之上表面，且除了第二圖樣133之外，電洞傳輸層135b的其餘部分可定義為第一圖樣131。如第10圖所示，發射層150c可沿第二方向延伸於第一圖樣131上，且沿第一方向可藉由第二圖樣133而分隔。
第11圖係繪示第5圖的有機發光顯示裝置之例示性實施例的透視圖，而第12圖係沿著第11圖之I-II線段所截取的橫切面圖。
參照第11圖，像素定義層120可具有沿第二方向延伸的線型形狀或棒型形狀。例如，像素定義層120可僅包括第6圖的第一線圖樣120a。電洞傳輸層135b可包括實質上重疊像素定義層120之上表面的第二圖樣133。除了第二圖樣133之外，電洞傳輸層135b的其餘部分可定義為第一圖樣131。在這種情況下，發射層150d(第12圖)可如第12圖所示具有沿第二方向延伸於第一圖樣131上的線型形狀或棒型形狀。發射層150d沿第一方向可藉由第二圖樣133而分隔。
第13圖係繪示第5圖的有機發光顯示裝置之一例示性實施例的透視圖，而第14圖係沿著第13圖之I-II線段所截取的橫切面圖。
參照第13圖及第14圖，像素定義層120可具有沿第二方向延伸的線型形狀或棒型形狀。電洞傳輸層135b可分別包括第一、第二及第三圖樣131、133及137a。第二圖樣133(第13圖)可實質上重疊像素定義層120之上表面並可具有沿第二方向延伸的線型形狀。第三圖樣137a(第14圖)可實質上重疊於沿第二方向相互分隔的相鄰第一電極110之間的基板100之一部份。第三圖樣137a可具有沿第一方向延伸的線型形狀。除了第二及第三圖樣133及137a之外，電洞傳輸層135b的其餘部分可分別地定義為第一圖樣131。
第三圖樣137a可具有實質上低於第二圖樣133之上表面。第三圖樣137a之上表面可實質上與第一圖樣131為共平面。在例示性實施例中，第三圖樣137a可具有實質上相同或類似於第二圖樣133的特性。例如，第三圖樣137a可包括上述電洞傳輸材料及上述交聯或聚合感光材料。因此，第三圖樣137a可具有實質上大於第一圖樣131的電阻或實質上小於第一圖樣131的導電性。此外，第三圖樣137a可具有實質上小於第一圖樣131的表面能。在這種情況下，發射層150e(第14圖)可具有沿第二方向於第一圖樣131及第三圖樣137a上延伸的線型形狀。發射層150e沿第一方向可藉由第二圖樣133而分隔。
第15圖係繪示根據一些例示性實施例的有機發光顯示裝置之橫切面圖。除了第一中間層之結構之外，第15圖的有機發光顯示裝置可具有實質上相同或類似於第5圖之有機發光顯示裝置的構造。因此，相同參考符號代表相同元件，且其詳細說明係於此省略。
參照第15圖，如參照第5圖所述，第一中間層136可包括第一圖樣132及第二圖樣134。第一圖樣132可設置在第一電極110及像素定義層120的側壁上。第二圖樣134可設置在像素定義層120之上表面上。在一例示性實施例中，第二圖樣134可延伸至像素定義層120的側壁之一部份。第一中間層136可作為有機發光顯示裝置的電洞傳輸層。電洞注入層可進一步設置在電洞傳輸層下。
如參照第5圖所示，第一圖樣132可包括上述電洞傳輸材料，而除了電洞傳輸材料之外，第二圖樣134可包括上述交聯及/或聚合感光材料。
在例示性實施例中，第一中間層136可進一步包括在第二圖樣134上所形成的含氟層143。含氟層143可包括可從像素定義層120及/或第一中間層136擴散之氟原子、氟離子或含氟離子，並可固定於第一中間層136之上表面之上。
含氟層143可為疏水性的。含氟層143可具有相對較低的表面能及相對較低的親墨性。因此，發射層150可選擇性地設置在第一圖樣132上。
在一些例示性實施例中，第三電極(未繪示)可進一步設置於第二電極170及基板100之上。第三電極可電性連接至可形成於基板100之周圍部分之引線(未繪示)，以從而與第一電極110分隔。
保護層(未繪示)及上基板(未繪示)可依序地設置於第二電極170上。
第16圖至第26圖係繪示第15圖的有機發光顯示裝置之透視及橫切面圖。
第16圖、第19圖、第21圖、第23圖及第25圖係繪示第15圖的有機發光顯示裝置的例示性實施例之透視圖。為了解釋方便起見，第15圖的發射層150、第二中間層160及第二電極170並未繪示於此些圖式中。此外，第一中間層136係繪示以包括在基板100、像素定義層120及第一電極110上依序地堆積的電洞注入層136a及電洞傳輸層136b。
第17圖及第18圖係沿著第16圖之I-II線段所截取的橫切面圖，而第20圖、第22圖、第24圖及第26圖係分別沿著第19圖、第21圖、第23圖及第25圖之I-II線段所截取的橫切面圖。
參照第16圖及第17圖，像素定義層120可具有實質上呈「H」的形狀。例如，像素定義層120可包括沿第二方向延伸的複數個第一線圖樣120a(第16圖)以及沿第一方向延伸的複數個第二線圖樣120b(第17圖)。第一及第二線圖樣120a及120b可分別地相互交會，以定義具有格子或網絡結構的像素區。
電洞傳輸層136b可分別包括第一、第二及第三圖樣132、134及138。第二圖樣134(第16圖)可實質上重疊於第一線圖樣120a之上表面。第三圖樣138(第17圖)可實質上重疊於第二線圖樣120b之上表面。除了第二圖樣134及第三圖樣138之外，電洞傳輸層136b的其餘部分可分別地定義為第一圖樣132。第二圖樣134及第三圖樣138也可分別以實質上相同或類似於第一及第二線圖樣120a及120b的方式分別相互交會。第三圖樣138可實質上重疊於沿第二方向相互分隔的相鄰第一電極110之間的基板100之一部份。第二及第三圖樣134及138可分別地具有實質上高於第一圖樣132之上表面。
在例示性實施例中，第三圖樣138可具有實質上相同或類似於第二圖樣134的特性。例如，第三圖樣138可包括上述電洞傳輸材料及上述交聯或聚合感光材料。因此，第三圖樣138可具有實質上大於第一圖樣132之電阻，或實質上小於第一圖樣132之導電性。此外，第三圖樣138可具有實質上小於第一圖樣132之表面能。
含氟層143可包括第一含氟層143a及第二含氟層143b(第16圖)。第一含氟層143a可設置在第二圖樣134上，而第二含氟層143b可設置在第三圖樣138上。第一及第二含氟層143a及143b分別可以實質上相同或類似於第一及第二線圖樣120a及120b的方式分別地相互交會。第一含氟層143a可包括可從第一線圖樣120a及/或第二圖樣134擴散的氟原子、氟離子或含氟的離子。第二含氟層143b可包括可從第二線圖樣120b及/或第三圖樣138擴散的氟原子、氟離子或含氟的離子。
如第17圖所示，發射層150f可設置在第一圖樣132上，且沿第二方向可藉由第二含氟層143b而分隔。發射層150f沿第一方向可藉由第一含氟層143a而分隔。在例示性實施例中，發射層150f可具有分別以第一及第二含氟層143a及143b所界定之島狀，此第一及第二含氟層143a及143b可具有疏水性、相對較低的親墨性、相對較低的表面能等等。
如第18圖所示，發射層150g可沿第二方向在第一圖樣132及第二含氟層143b之上連續地延伸。在這種情況下，發射層150g沿第一方向可藉由第一含氟層143a而分隔。
參照第19圖及第20圖，第三圖樣138及第二含氟層143b(第18圖)可不形成於像素定義層120的第二線圖樣120b(第20圖)上。在這種情況下，第二圖樣134(第19圖)可實質上重疊第一線圖樣120a之上表面，且除了第二圖樣134之外，電洞傳輸層136b的其餘部分可定義為第一圖樣132。含氟層143可設置在第二圖樣134上，且可具有沿第二方向延伸的線型形狀或棒型形狀。在這種情況下，發射層150h(第20圖)可沿第二方向於第一圖樣132上連續地延伸。發射層150h沿第一方向可藉由含氟層143而分隔。
參照第21圖及第22圖，像素定義層120可具有沿第二方向延伸的線型形狀或棒型形狀。電洞傳輸層136b可包括第一圖樣132、第二圖樣134及含氟層143。第二圖樣134可實質上重疊像素定義層120之上表面。含氟層143可設置在第二圖樣134上。除了第二圖樣134及含氟層143之外，電洞傳輸層136b的其餘部分可定義為第一圖樣132。如第22圖所示，發射層150i可具有沿第二方向延伸於第一圖樣132上的線型形狀。發射層150i沿第一方向可藉由含氟層143而分隔。
參照第23圖及第24圖，像素定義層120可具有如第21圖所示沿第二方向延伸的線型形狀或棒型形狀。電洞傳輸層136b可分別包括第一、第二及第三圖樣132，134及138a。第二圖樣134可實質上重疊像素定義層120之上表面，且具有沿第二方向延伸的線型形狀。含氟層143可設置在第二圖樣134上。第三圖樣138a可具有沿第一方向延伸的線型形狀。第三圖樣138a可實質上重疊於沿第二方向相互分隔的相鄰第一電極110之間的基板100之一部份。除了第二圖樣134、第三圖樣138a及含氟層143之外，電洞傳輸層136b的其餘部分可定義為第一圖樣132。
第三圖樣138a可具有實質上低於第二圖樣134之上表面。第三圖樣138a之上表面可實質上與第一圖樣132為共平面。在例示性實施例中，第三圖樣138a可具有實質上相同或類似於第二圖樣134的特性。例如，第三圖樣138a可包括上述電洞傳輸材料及上述交聯或聚合感光材料。因此，第三圖樣138a可具有實質上大於第一圖樣132之電阻，或實質上小於第一圖樣132之導電性。此外，第三圖樣138a可具有實質上小於第一圖樣132之表面能。在這種情況下，發射層150j(第24圖)可具有在第一圖樣132及第三圖樣138a之上沿第二方向延伸的線型形狀。發射層150j沿第一方向可藉由含氟層143而分隔。
參照第25圖及第26圖，除了含氟層的形狀之外，第25圖的有機發光顯示裝置可具有實質上相同或類似於第23圖的構造。特別地，含氟層143可包括在第二圖樣134上沿第二方向延伸的第一含氟層143a，以及在第三圖樣138a上沿第一方向延伸的第二含氟層143c。
在例示性實施例中，第一含氟層143a可包括可從像素定義層120及/或電洞傳輸層136b擴散之氟原子、氟離子或含氟的離子。第二含氟層143c可包括可從電洞傳輸層136b擴散的氟原子、氟離子或含氟的離子。在這種情況下，發射層150k(第26圖)可具有在第一圖樣132及第二含氟層143c上沿著第二方向延伸的線型形狀。
在下文中，將說明製造參照第1圖至第26圖所繪示的有機發光顯示裝置的方法。
第27圖至第33圖係繪示根據本發明之例示性實施例之製造有機發光顯示裝置的方法之橫切面圖。特別地，第27圖至第33圖係繪示製造第1圖至第4圖的有機發光顯示裝置的方法。
參照第27圖，第一電極110可形成於基板100上，且部分地暴露第一電極110的初步像素定義層115可形成於基板100上。
基板100可包括下基板(未繪示)、在下基板上所形成的下結構(未繪示)。下結構可包括例如開關裝置、覆蓋開關裝置之絕緣層等等。
開關裝置可包括薄膜電晶體，該薄膜電晶體具有半導體層、閘極絕緣層、閘極電極、源極電極及汲極電極等等。另外，開關裝置可包括氧化物半導體裝置，其具有閘極電極、閘極絕緣層及半導體氧化物的主動層。
第一電極110可使用透明導電材料而形成，例如氧化銦錫、氧化鋅錫、氧化銦、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵鋅、氧化鎵銦鋅、鋁摻雜的氧化鋅等等，或第一電極110可使用金屬而形成，例如銀、鋁、鉑、金、鉻、鎢、鉬、鈦、鈀、釹(Nd)等等，及/或這些金屬的合金。第一電極110可藉由濺鍍(sputtering)製程、化學氣相沈積(chemical vapor deposition, CVD)製程、原子層沈積(atomic layer deposition, ALD)製程、脈衝雷射沈積(pulse laser deposition, PLD)製程、真空蒸發(vacuum evaporation)製程、印刷(printing)方法等等而獲得。在一些例示性實施例中，第一電極110可具有包括透明導電層及金屬層的多層堆疊結構。
在例示性實施例中，複數個第一電極110可形成以沿第一方向而相互分隔。另外，複數個第一電極110可形成以沿實質上垂直於第一方向的第二方向而相互分隔。第一電極110可電性連接至開關裝置的汲極電極。
初步像素定義層115可使用含有碳氟鍵的分子(在下文中，稱為碳氟結合分子)而形成。碳氟結合分子可包括一個碳原子與一個氟原子結合的CF1分子、一個碳原子與兩個氟原子結合的CF2分子、一個碳原子與三個氟原子結合的CF3分子、一個碳原子與四個氟原子結合的CF4分子等等。CF1、CF2、CF3及CF4分子的例子可分別包括CH3F、 CH2F2、CHF3、CF4。這些可以獨自或以其混合使用。
在例示性實施例中，碳氟包含層(未繪示)可利用碳氟結合分子藉由例如電漿輔助化學氣相沈積(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)製程而形成於基板100及第一電極110上。碳氟包含層可藉由例如蝕刻製程而圖樣化，從而形成初步像素定義層115。碳氟包含層可包括氟原子與碳-碳骨架結合之聚合物。
在例示性實施例中，初步像素定義層115可圖樣化以具有實質上呈「H」的形狀。例如，初步像素定義層115可包括沿第二方向延伸的複數個第一線圖樣(未繪示)及沿第一方向延伸的複數個第二線圖樣(未繪示)。在這種情況下，第一及第二線圖樣可相互交會。亦或，初步像素定義層115可具有沿第二方向延伸的線型形狀或棒型形狀。
參照第28圖，覆蓋初步像素定義層115及第一電極110的第一中間層130可形成在基板100上。在例示性實施例中，第一中間層130可包括在基板100、初步像素定義層115及第一電極110上依序地堆積的電洞注入層130a及電洞傳輸層130b。
電洞注入層130a可使用電洞注入材料而形成，例如，CuPc、PEDOT、PANI等等。電洞傳輸層130b可使用電洞傳輸材料而形成，例如，NPB、TPD、NPD、N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑等等。電洞注入層130a及電洞傳輸層130b可藉由旋轉塗佈(spin coating)製程、輥塗佈(roll coating)法、真空蒸發製程、熱蒸發(thermal evaporation)製程等在基板100、初步像素定義層115及第一電極110上塗佈或整面沉積。
參照第29圖，使用例如紫外線光源之暴露製程可選擇性地執行於實質上重疊初步像素定義層115之上表面的區域上。相對應地，含氟層140可形成於實質上重疊於初步像素定義層115之上表面的電洞傳輸層130b之上表面，且初步像素定義層115可轉換成像素定義層120。
在例示性實施例中，紫外線光源可發射紫外線，其具有於約180 nm至約260 nm範圍內的波長。在暴露製程期間，氟原子、氟離子及/或含氟的離子可從初步像素定義層115中所包括的碳-碳骨架分開或脫離，以擴散至實質上重疊於初步像素定義層115之上表面的第一中間層130的上部份。擴散的氟原子、氟離子及/或含氟的離子，藉由紫外線可固定在電洞傳輸層130b之上表面，以從而形成含氟層140。從中去除氟原子、氟離子及/或含氟的離子的初步像素定義層115可轉換成像素定義層120。在例示性實施例中，像素定義層120可包括具有重複碳-碳鏈的聚合物。相對應地，像素定義層120可作為絕緣體。在其中有機發光顯示裝置依據背射式作動的例子中，像素定義層120可運作為黑矩陣。
在例示性實施例中，含氟層140可實質上重疊像素定義層120之上表面。在一些例示性實施例中，含氟層140可部分地重疊像素定義層120的側壁。
從初步像素定義層115分離的氟原子、氟離子及/或含氟的離子可經由初步像素定義層115的側壁橫向擴散至實質上重疊第一電極110的第一中間層130之一部分。然而，這些橫向擴散之氟原子、氟離子及/或含氟的離子可不藉由紫外線固定，使得其可藉由蒸發而被去除。在一例示性實施例中，可進一步執行熱處理，以去除橫向擴散的氟原子、氟離子及/或含氟的離子。
現參照第2圖及第3圖，像素定義層120可具有實質上呈｢H｣的形狀。例如，像素定義層120可包括沿第二方向延伸的複數個第一線圖樣120a(第2圖)、以及沿第一方向延伸的複數個第二線圖樣120b(第3圖)。第一及第二線圖樣120a及120b可分別地相互交會，以定義具有格子或網絡結構的像素區。
在這種情況下，暴露製程可藉由遮罩來執行，所述遮罩包括可實質上重疊於像素定義層120之上表面的｢H｣形狀透明部分。相對應地，第一含氟層140a(第2圖)可形成於實質上重疊於第一線圖樣120a的上表面之電洞傳輸層130b的一部分上，而第二含氟層140b(第2圖及第3圖)可形成於實質上重疊於第二線圖樣120b的上表面之電洞傳輸層130b的一部分上。第一及第二含氟層140a及140b可分別以實質上相同或類似於第一及第二線圖樣120a及120b的方式分別地相互交會。在下文中，不包括含氟層的電洞傳輸層130b的上表面之一部份稱為第一表面。包括第一含氟層140a的電洞傳輸層130b的上表面之一部份稱為第二表面。包括第二含氟層140b的電洞傳輸層130b的上表面之一部份稱為第三表面。在例示性實施例中，第二表面及第三表面相對於第一表面可為疏水性的。另外，第二表面及第三表面可具有實質上小於第一表面的親墨性。
在一些例示性實施例中，暴露製程可藉由遮罩執行，該遮罩包括實質上重疊於第一線圖樣120a之上表面的線型形狀透明部分。在這種情況下，含氟層140可僅形成在第一線圖樣120a上。例如，可不形成第2圖的第二含氟層140b。電洞傳輸層130b之上表面可分成包括含氟層140的第二表面、以及不包括含氟層140的第一表面。
現參照第4圖，像素定義層120可具有實質上沿第二方向延伸的線型形狀。暴露製程可藉由遮罩執行，該遮罩包括實質上重疊於像素定義層120之上表面的線型形狀透明部分。相對應地，含氟層140可形成於實質上重疊像素定義層120之上表面的電洞傳輸層130b之上表面之一部份上。在這種情況下，電洞傳輸層130b之上表面可分成包括含氟層140的第二表面、以及不包括含氟層140的第一表面。
參照第30圖，發射層150可形成於不包括含氟層140的電洞傳輸層130b之一部分上。發射層150可利用用於產生光的不同顏色，例如，紅色光、綠色光及/或藍色光的至少一發光材料而形成。發射層150可利用用於產生白色光的發光材料之混合或組合而形成。在一例示性實施例中，發光材料可作為發射層150的摻雜材料。在這種情況下，發射層150可進一步包括具有相對較大帶隙的基質材料。合適的摻雜物及基質材料可根據發射層150的發光機制而選擇，例如，螢光機制或磷光機制。發射層150可藉由噴嘴印刷製程、噴墨印刷製程、透過熱或雷射的轉移製程等等而獲得。
現參照第2圖及第3圖，發射層150可藉由例如噴墨印刷製程而形成。在這種情況下，包括含氟層140a及140b的第二及第三表面可具有相對較低的親墨性，使得發射層150可選擇性地形成在不包括含氟層的第一表面上。此外，第一表面可實質上低於第二及第三表面，使得發射層150可藉重力選擇性地形成於第一表面上。因此，可防止墨水對非像素區的玷污或塗抹，使得有機發光顯示裝置可具有改善的解析度或對比度。
在此同時，在其中含氟層未形成於第二線圖樣120b上的例子中，發射層150可藉由例如噴嘴印刷製程而形成。在這種情況下，發射層150可形成於不包括含氟層140的第一表面上，從而沿第二方向延伸。
如第4圖所示，在其中像素定義層可具有沿第二方向延伸的實質上線型形狀的例子中，發射層150可藉由例如噴嘴印刷製程而形成。在這種情況下，發射層150可形成於不包括含氟層140的第一表面，從而沿第二方向延伸。
現參照第30圖，第二中間層160可形成於電洞傳輸層130b、發射層150及含氟層140之上。第二中間層160可藉由真空沈積(vacuum deposition)製程、熱蒸發製程、狹縫塗佈(slit coating)製程、旋轉塗佈製程、印刷製程等等而獲得。
第二中間層160可包括電子傳輸層。電子傳輸層可利用例如Alq3、PBD、BAlq、BCP等等而形成。這些可以獨自或以其混合使用。第二中間層160可進一步包括在電子傳輸層上形成的電子注入層。電子注入層可利用例如鹼金屬、鹼土金屬、這些金屬的氟化物、這些金屬的氧化物等等而形成。
第二電極170可形成於第二中間層160上。第二電極170可利用例如氧化銦錫、氧化鋅錫、氧化銦、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵鋅、氧化鎵銦鋅、鋁摻雜的氧化鋅等等的透明導電材料而形成，或第二電極170可利用例如銀、鋁、鉑、金、鉻、鎢、鉬、鈦、鈀、釹等，及/或這些金屬的合金的金屬而形成。第二電極110可藉由濺鍍製程、化學氣相沈積製程、原子層沈積製程、脈衝雷射沈積製程、真空蒸發製程、印刷製程等等而獲得。在一些例示性實施例中，第二電極170可具有包括透明導電層及金屬層的多層堆疊結構。第二電極170可作為提供電子進入第二中間層160之陰極。
保護層(未繪示)及上基板(未繪示)可形成於第二電極170上，從而獲得根據例示性實施例之有機發光顯示裝置。在一些例示性實施例中，電性連接至形成於基板100之周圍部份上之引線的第三電極可進一步形成於第二電極170上。
參照第31圖，引線180與第一電極110分隔，且像素定義層120可形成於基板100之周圍部份。引線180可電性連接至在基板100中形成的導線(未繪示)。
在例示性實施例中，引線180與第一電極110可在用於形成第一電極110的蝕刻製程期間同時形成。第二電極170可形成於第二中間層160上，從而實質上重疊於第一電極110，且使得實質上不重疊於引線180。
參照第32圖，第二中間層160、含氟層140、第一中間層130及像素定義層120可利用第二電極170作為蝕刻遮罩而依序地蝕刻。相對應地，可暴露在基板100上的引線180。另外，包括經蝕刻的第二中間層160、含氟層140、第一中間層130及像素定義層120的絕緣層圖樣185可形成。在例示性實施例中，蝕刻製程可包括使用例如氧(O2)電漿的乾蝕刻製程。
參照第33圖，第三電極190可形成於基板100、絕緣層圖樣185之經蝕刻表面及第二電極170上。第三電極190可利用實質上相同或類似於第二電極170的材料而形成。第三電極190可藉由濺鍍製程、化學氣相沈積製程、原子層沈積製程、真空沈積製程、脈衝雷射沈積製程、印刷製程等等而獲得。第三電極190也可作為陰極並可電性連接至基板100上的引線180。絕緣層圖樣185可插設於第一電極110及第三電極190之間。因此，可防止第一電極110與第三電極190之間的短路。
第34圖至第36圖係繪示製造根據本發明的一些例示性實施例之有機發光顯示裝置的方法之橫切面圖。例如，第34圖至第36圖繪示製造第5圖至第14圖的有機發光顯示裝置的方法。對實質上相同或類似於參照第27圖至第33圖之製程的詳細內容係予於省略。
參照第34圖，第一電極110可形成於基板100上，且部分地暴露第一電極110的像素定義層120可形成於基板100上。覆蓋像素定義層120及第一電極110的第一中間層135可形成於基板100上。在例示性實施例中，第一中間層135可包括在基板100、像素定義層120及第一電極110上依序地堆積的電洞注入層135a及電洞傳輸層135b。
像素定義層120可利用感光材料，例如丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺、苯並環丁烯(benzocyclobutene)等等而形成。舉例而言，感光材料可在基板100及第一電極110上沈積，然後可執行暴露及顯影製程以形成像素定義層120。在例示性實施例中，如第6圖至第10圖所示，像素定義層120可具有實質上呈｢H｣的形狀。例如，像素定義層120可包括沿第二方向延伸的複數個第一線圖樣120a及沿第一方向延伸的複數個第二線圖樣120b。在這種情況下，第一及第二線圖樣120a及120b可分別地相互交會。亦或，像素定義層120可具有如第11圖至第14圖所示沿第二方向延伸的線型形狀或棒型形狀。
現參照第34圖，電洞傳輸層135b可利用可包括上述電洞傳輸材料及上述感光材料的感光組合物而形成。在例示性實施例中，感光組合物可進一步包括光敏引發劑(photoinitiator)。光敏引發劑可為可產生活性種以在暴露製程期間引發感光材料的交聯及/或聚合反應之化合物。光敏引發劑的例子可包括苯乙酮衍生物(acetophenon derivatives)、二苯甲酮衍生物(benzophenon derivatives)、三嗪衍生物(triazine derivatives)、聯咪唑系(biimidazole-based)或肟酯系(oxime ester-based)的材料等等。這些可以獨自或以其混合使用。
參照第35圖，利用例如紫外線光源之暴露製程可選擇性地執行於實質上重疊像素定義層120之上表面的區域上。相對應地，電洞傳輸層135b可轉換成第一圖樣131及第二圖樣133。在例示性實施例中，實質上重疊像素定義層120之上表面的電洞傳輸層135b之一部份可轉換成第二圖樣133。可不轉換成第二圖樣133的電洞傳輸層135b的其餘部分可定義為第一圖樣131。
在例示性實施例中，感光材料的交聯及/或聚合反應可在選擇性地暴露於光的電洞傳輸層135b的一部分引發。因此，除了電洞傳輸材料之外，第二圖樣133可包括交聯及/或聚合感光材料。相對應地，第二圖樣133可具有實質上小於第一圖樣131的導電性，或實質上大於第一圖樣131的電阻。另外，第二圖樣133可具有實質上小於第一圖樣131之表面能。因此，發射層150可藉由後續製程而選擇性地形成於第一圖樣131上，且電荷的橫向擴散可被第二圖樣133阻擋，以從而避免相鄰像素區之間的串擾。
在例示性實施例中，可另外執行熱處理，使得殘留在第一圖樣131中的感光材料及/或光敏引發劑可藉由蒸發而移除。
現參照第6圖，像素定義層120可具有實質上呈｢H｣的形狀。在這種情況下，暴露製程可藉由遮罩來執行，所述遮罩包括可實質上重疊於像素定義層120之上表面之｢H｣形狀透明部分。相對應地，實質上重疊於第一線圖樣120a之上表面的電洞傳輸層135b之一部份可轉換成第二圖樣133，且實質上重疊第二線圖樣120b(第7圖)之上表面的電洞傳輸層135b之一部分可轉換成第三圖樣137。第二及第三圖樣133及137可分別以實質上相同或類似於第一及第二線圖樣120a及120b的方式分別地相互交會。在例示性實施例中，第三圖樣137可具有實質上相同或類似於第二圖樣133的電性及表面特質。第二及第三圖樣133及137可分別地具有實質上高於第一圖樣131之上表面。
現參照第9圖，暴露製程可藉由遮罩來執行，該遮罩包括實質上重疊於第一線圖樣120a之上表面的線型形狀透明部分。在這種情況下，如第6圖所示的第三圖樣137可不會形成。例如，可形成實質上重疊於第一線圖樣120a之上表面的第二圖樣133。除了第二圖樣133外，電洞傳輸層135b的其餘部分可定義為第一圖樣131。
現參照第11圖，像素定義層120可具有沿第二方向延伸的線型形狀或棒型形狀。在這種情況下，暴露製程可藉由遮罩來執行，該遮罩包括實質上重疊於像素定義層120之上表面的線型形狀透明部分。相對應地，實質上重疊像素定義層120之上表面的電洞傳輸層135b之一部份可轉換成第二圖樣133。除了第二圖樣133之外，電洞傳輸層135b的其餘部分可定義為第一圖樣131。
現參照第13圖，像素定義層120可具有如第13圖所示沿第二方向延伸的線型形狀或棒型形狀。在此同時，暴露製程可藉由包括｢H｣形狀透明部分的遮罩來執行。在這種情況下，實質上重疊於像素定義層120之上表面的電洞傳輸層135b之一部份可轉換成第二圖樣133。實質上重疊於沿第二方向相互分隔的相鄰第一電極110之間的基板100之一部分的電洞傳輸層135b之一部份可轉換成第三圖樣137a。除了第二及第三圖樣133及137a之外，電洞傳輸層135b的其餘部分可分別地定義為第一圖樣131。第三圖樣137a之上表面實質上可低於第二圖樣133，且可與第一圖樣131為共平面。在例示性實施例中，第三圖樣137a可具有實質上相同或類似於第二圖樣133的電性及表面特質。
參照第36圖，發射層150可形成於第一圖樣131上。發射層150可藉由噴墨印刷製程、噴嘴印刷製程、使用熱或雷射的轉移製程等等而獲得。
現參照第6圖及第7圖，發射層150a可藉由例如噴墨印刷製程而形成。第二及第三圖樣133及137可分別地具有實質上小於第一圖樣131的表面能及受潮性。另外，第二及第三圖樣133及137可分別地具有實質上高於第一圖樣131之上表面。因此，發射層150a可藉由上述如第7圖所示的表面性質及重力而選擇性地形成於第一圖樣131上。因此，可防止墨水對非像素區的玷污或塗抹，使得有機發光顯示裝置可具有改善的解析度或對比度。
現參照第8圖，發射層150b可藉由例如噴嘴印刷製程而形成。在這種情況下，發射層150b可形成在第一圖樣131及第三圖樣137上，以沿第二方向連續地延伸。
現參照第9圖及第10圖，發射層150c可藉由例如噴嘴印刷製程而形成。在這種情況下，發射層150c可具有沿第二方向延伸於第一圖樣131上的線型形狀。
現參照第11圖及第12圖，發射層150d可藉由例如噴嘴印刷製程而形成。在這種情況下，發射層150d可具有沿第二方向延伸於第一圖樣131上的線型形狀。
現參照第13圖及第14圖，發射層150e可藉由例如噴嘴印刷製程而形成。在這種情況下，發射層150e可具有沿第二方向延伸於第一圖樣131及第三圖樣137a上的線型形狀。
現參照第36圖，第二中間層160可形成於電洞傳輸層135b及發射層150上，且接著第二電極170可形成於第二中間層170上。此外，保護層(未繪示)及上基板(未繪示)可形成於第二電極170上，從而獲得根據例示性實施例之有機發光顯示裝置。
在一些例示性實施例中，電性連接至位於基板100之周圍部份之引線的第三電極可進一步藉由實質上相同或類似於參照第31圖至第33圖所示的製程而形成在第二電極170上。
第37圖至第39圖係繪示根據本發明的一些例示性實施例之製造有機發光顯示裝置的方法之橫切面圖。例如，第37圖至第39圖繪示製造第15圖至第26圖的有機發光顯示裝置的方法。實質上相同或類似於參照第27圖至第33圖所繪示之製程的詳細內容係予於省略。
參照第37圖，第一電極110可形成於基板100上，且部分地暴露第一電極110的像素定義層120可形成於基板100上。覆蓋像素定義層120及第一電極110的第一中間層136可形成於基板100上。在例示性實施例中，第一中間層136可包括在基板100、像素定義層120及第一電極110上依序地堆積的電洞注入層136a及電洞傳輸層136b。
像素定義層120可利用感光材料例如丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺、苯並環丁烯等等而形成。舉例而言，感光材料可沈積於基板100及第一電極110上，且接著可執行暴露及顯影製程以形成像素定義層120。此外，碳氟包含層可利用上述碳氟結合分子藉由例如電漿輔助化學氣相沈積製程而形成於基板100及第一電極110上。碳氟包含層可藉由例如蝕刻製程而圖樣化以形成像素定義層120。如第16圖至第19圖所示，像素定義層120可包括沿第二方向延伸的複數個第一線圖樣120a及沿第一方向延伸的複數個第二線圖樣120b。在這種情況下，第一及第二線圖樣120a及120b可分別地相互交會。另外，像素定義層120可具有如第21圖至第26圖所示沿第二方向延伸的線型形狀或棒型形狀。
現參照第37圖，電洞傳輸層136b可利用可包括上述電洞傳輸材料及上述感光材料的感光組合物而形成。感光組合物可進一步包括上述光敏引發劑。在例示性實施例中，感光組合物可進一步包括上述碳氟結合分子。在一些例示性實施例中，像素定義層120及電洞傳輸層136b之至少其一可包括碳氟結合分子。
參照第38圖，利用例如紫外線光源之暴露製程可選擇性地執行於可實質上重疊於像素定義層120之上表面的區域上，使得電洞傳輸層136b可分為第一圖樣132及第二圖樣134。在例示性實施例中，實質上重疊於像素定義層120之上表面的電洞傳輸層136b之一部份可轉換成第二圖樣134。除了第二圖樣134之外，電洞傳輸層136b的其餘部分可定義為第一圖樣132。第二圖樣134可包括交聯及/或聚合感光材料。
含氟層143可形成於第二圖樣134上。在暴露製程期間，氟原子、氟離子及/或含氟的離子可從像素定義層120及/或電洞傳輸層136b所包括的碳原子分開或脫離，以擴散至電洞傳輸層136b的上部份。擴散的氟原子、氟離子及/或含氟的離子可藉由紫外線固定在第二圖樣134之上表面以形成含氟層143。在其中像素定義層120包括碳氟結合分子的例子中，從中移除氟原子之像素定義層120可包括含有重複碳碳鍵的聚合物。相對應地，像素定義層120可作為絕緣體。在這種情況下，當有機發光顯示裝置以背射式作動時，像素定義層120可運作為黑矩陣。
在例示性實施例中，含氟層143可實質上重疊像素定義層120之上表面。在一些例示性實施例中，含氟層143可部分地重疊像素定義層120的側壁。
氟原子、氟離子及/或含氟的離子可橫向擴散進入第一圖樣132。然而，這些橫向擴散的氟原子、氟離子及/或含氟的離子可不會藉由紫外線固定，而可從而藉由蒸發而移除。在一例示性實施例中，可進一步執行用於蒸發會擴散進入第一圖樣132的氟原子、氟離子及/或含氟的離子的熱處理。
現參照第16圖至第18圖，像素定義層120可具有實質上呈｢H｣的形狀。在這種情況下，暴露製程可藉由遮罩而執行，所述遮罩包括可分別實質上重疊於像素定義層120之第一及第二線圖樣120a及120b之上表面的｢H｣形狀透明部分。相對應地，實質上重疊於第一線圖樣120a之上表面的電洞傳輸層136b之一部份可轉換成第二圖樣134，且實質上重疊於第二線圖樣120b之上表面的電洞傳輸層136b之一部份可轉換成第三圖樣138。除了第二及第三圖樣134及138之外，電洞傳輸層136b的其餘部分可分別地定義為第一圖樣132。第二及第三圖樣134及138可分別以實質上相同或類似於第一及第二線圖樣120a及120b的方式分別地相互交會。在例示性實施例中，第三圖樣138可具有實質上相同或類似於第二圖樣134的電性及表面特質。另外，第二及第三圖樣134及138可分別地具有實質上高於第一圖樣132之上表面。
第一及第二含氟層143a及143b可分別地形成於第二及第三圖樣134及138之上。第一含氟層143a可包括從第一線圖樣120a及/或第二圖樣134擴散的氟原子、氟離子及/或含氟的離子。第二含氟層143b可包括從第二線圖樣120b及/或第三圖樣138擴散的氟原子、氟離子及/或含氟的離子。
現參照第19圖及第20圖，暴露製程可藉由遮罩來執行，該遮罩包括實質上重疊於第一線圖樣120a之上表面的線型形狀透明部分。相對應地，實質上重疊於第一線圖樣120a之上表面的電洞傳輸層136b之一部份可轉換成第二圖樣134。除了第二圖樣134之外，電洞傳輸層136b的其餘部分可定義為第一圖樣132。在這種情況下，第16圖至第18圖所示的第三圖樣138可不會形成。包括從第一線圖樣120a及/或第二圖樣134擴散的氟原子、氟離子及/或含氟的離子的含氟層143可形成於第二圖樣134上。
現參照第21圖及第22圖，像素定義層120可具有沿第二方向延伸的線型形狀，而暴露製程可藉由遮罩來執行，該遮罩包括實質上重疊於像素定義層120之上表面的線型形狀透明部分。相對應地，實質上重疊於像素定義層120之上表面的電洞傳輸層136b之一部份可轉換成第二圖樣134。除了第二圖樣134之外，電洞傳輸層136b的其餘部分可定義為第一圖樣132。包括從像素定義層120及/或第二圖樣134擴散的氟原子、氟離子及/或含氟的離子的含氟層143可形成於第二圖樣134上。
現參照第23圖及第24圖，像素定義層120可具有沿第二方向延伸的線型形狀，且暴露製程可藉由遮罩來執行，所述遮罩包括實質上呈｢H｣形狀透明部分。在這種情況下，實質上重疊於像素定義層120之上表面的電洞傳輸層136b之一部份可轉換成第二圖樣134。實質上重疊於沿第二方向相互分隔的相鄰第一電極110之間的基板100之一部份的電洞傳輸層136b之一部份可轉換成第三圖樣138a。
在一些例示性實施例中，如第23圖所示，像素定義層120可包括碳氟結合分子。然而，電洞傳輸層136b可不用包括碳氟結合分子。在這種情況下，從像素定義層120擴散的氟原子、氟離子及/或含氟的離子可固定，以從而在第二圖樣134上形成含氟層143。然而，含氟層可不形成於第三圖樣138a上。第三圖樣138a可具有實質上與第一圖樣132為共平面之上表面。
現參照第25圖及第26圖，像素定義層120可具有沿第二方向延伸的線型形狀，且暴露製程可藉由遮罩來執行，所述遮罩包括實質上呈｢H｣形狀的透明部分。在這種情況下，實質上重疊於像素定義層120之上表面的電洞傳輸層136b之一部份可轉換成第二圖樣134。實質上重疊於沿第二方向相互分隔的相鄰第一電極110之間的基板100之一部份的電洞傳輸層136b之一部份可轉換成第三圖樣138a。從像素定義層120及/或第二圖樣134擴散的氟原子、氟離子及/或含氟的離子可被固定，以在第二圖樣134上形成第一含氟層143a，且從第三圖樣138a擴散的氟原子、氟離子及/或含氟的離子可被固定，以在第三圖樣138a上形成第二含氟層143c。
如第25圖所示，第二含氟層143c可具有實質上與第一圖樣132為共平面之上表面。
參照第39圖，發射層150可形成於第一圖樣132上。發射層150可藉由噴嘴印刷製程、噴墨印刷製程、藉由熱或雷射的轉移製程等等而獲得。
現參照第16圖及第17圖，發射層150f可藉由例如噴墨製程而形成。在這種情況下，具有疏水性及相對較低親墨性的含氟層143a及143b可分別地形成於第二及第三圖樣134及138上。此外，第二及第三圖樣134及138可分別地具有實質上高於第一圖樣132之上表面。因此，具有實質上島狀的發射層150f可藉由化學特性及重力而選擇性地形成於第一圖樣132上。因此，可防止墨水對非像素區的玷污或塗抹，使得有機發光顯示裝置可具有改善的解析度或對比度。
現參照第16圖及第18圖，發射層150g也可藉由例如噴嘴印刷製程而形成。在這種情況下，發射層150g可沿第二方向連續地形成於第一圖樣132及第二含氟層143b上。
現參照第19圖及第20圖，發射層150h可藉由例如噴嘴印刷製程而形成。在這種情況下，發射層150h可沿第二方向連續地形成於第一圖樣132上。
現參照第21圖及第22圖，發射層150i可藉由例如噴嘴印刷製程而形成。在這種情況下，發射層150i可沿第二方向連續地形成於第一圖樣132上。
現參照第23圖及第24圖，發射層150j可藉由例如噴嘴印刷製程而形成。在這種情況下，發射層150j可具有沿第二方向延伸於第一圖樣132及第三圖樣138a上的線型形狀。
現參照第25圖及第26圖，發射層150k可藉由例如噴嘴印刷製程而形成。在這種情況下，發射層150k可具有沿第二方向延伸於第一圖樣132及第二含氟層143c上的線型形狀。
現參照第39圖，第二中間層160可形成於電洞傳輸層136b及發射層150上，且第二電極170可形成於第二中間層160上。另外，保護層(未繪示)及上基板(未繪示)可形成於第二電極170上，以獲得根據例示性實施例之有機發光顯示裝置。
在一些例示性實施例中，電性連接至位於基板100之周圍部份上之引線的第三電極可進一步藉由實質上相同或類似於參照第31圖至第33圖所示的製程而形成在第二電極170上。
上述為例示性實施例之闡述且不應解釋為其限制。雖然已描述一些例示性實施例，但本發明所屬領域技術人士將輕易理解在實質上未脫離本發明之新教示與優勢下，例示性實施例中的許多修改係為可能的。據此，所有修改應旨在包含於由後附申請專利範圍所定義之本發明之範疇內。於申請專利範圍中，手段功能用語係旨在涵蓋於此所說明之作為執行所述功能之結構，且不僅是結構的同等物，等效的結構亦是。因此，將理解的是前述為各種例示性實施例之說明，而非解釋為限制於所揭露之特定例示性實施例，且對於揭露之例示性實施例的修改、以及其它例示性實施例係旨在包含於後附申請專利範圍的範疇中。
100．．．基板
110．．．第一電極
115．．．初步像素定義層
120．．．像素定義層
120a．．．第一線圖樣
120b．．．第二線圖樣
130、135、136．．．第一中間層
130a、135a、136a．．．電洞注入層
130b、135b、136b．．．電洞傳輸層
131、132．．．第一圖樣
133、134．．．第二圖樣
137、137a、138、138a．．．第三圖樣
140、143．．．含氟層
140a、143a．．．第一含氟層
140b、143b、143c．．．第二含氟層
150、150a~150k．．．發射層
160．．．第二中間層
170．．．第二電極
180．．．引線
185．．．絕緣層圖樣
190．．．第三電極
本發明更完整的領略以及其許多附帶益處將藉由在考量配合附圖時參照上述詳細解說而輕易明白且變得更好理解，其中相同的參考符號代表相同或類似的組件，其中：
第1圖係繪示根據本發明之例示性實施例的有機發光顯示裝置之橫切面圖；
第2圖至第4圖係繪示第1圖的有機發光顯示裝置之透視及橫切面圖；
第5圖係繪示根據本發明的一些例示性實施例的有機發光顯示裝置之橫切面圖；
第6圖至第14圖係繪示第5圖的有機發光顯示裝置之透視及橫切面圖；
第15圖係繪示根據本發明的一些例示性實施例的有機發光顯示裝置之橫切面圖；
第16圖至第26圖係繪示第15圖的有機發光顯示裝置之透視及橫切面圖；
第27圖至第33圖係繪示根據本發明的例示性實施例製造有機發光顯示裝置的方法之橫切面圖；
第34圖至第36圖係繪示根據本發明的一些例示性實施例製造有機發光顯示裝置的方法之橫切面圖；以及
第37圖至第39圖係繪示根據本發明的一些例示性實施例製造有機發光顯示裝置的方法之橫切面圖。
第1圖係繪示根據本發明之例示性實施例的有機發光顯示裝置之橫切面圖；
第2圖至第4圖係繪示第1圖的有機發光顯示裝置之透視及橫切面圖；
第5圖係繪示根據本發明的一些例示性實施例的有機發光顯示裝置之橫切面圖；
第6圖至第14圖係繪示第5圖的有機發光顯示裝置之透視及橫切面圖；
第15圖係繪示根據本發明的一些例示性實施例的有機發光顯示裝置之橫切面圖；
第16圖至第26圖係繪示第15圖的有機發光顯示裝置之透視及橫切面圖；
第27圖至第33圖係繪示根據本發明的例示性實施例製造有機發光顯示裝置的方法之橫切面圖；
第34圖至第36圖係繪示根據本發明的一些例示性實施例製造有機發光顯示裝置的方法之橫切面圖；以及
第37圖至第39圖係繪示根據本發明的一些例示性實施例製造有機發光顯示裝置的方法之橫切面圖。
100．．．基板
110．．．第一電極
120．．．像素定義層
130．．．第一中間層
140．．．含氟層
150．．．發射層
160．．．第二中間層
170．．．第二電極
Claims (50)
- 一種有機發光顯示裝置，其包括：
複數個第一電極，係在一基板上相互分隔；
一像素定義層，係設置於該基板上，該像素定義層部分地暴露該些第一電極；
一第一中間層，係設置於該像素定義層及經暴露的該些第一電極上；
一含氟層，係形成於重疊於該像素定義層之一上表面的該第一中間層之一部分上，該含氟層包含從該像素定義層或該第一中間層擴散的氟；
一發射層，係至少部分地設置於該第一中間層之一部份上，其不包含該含氟層在該第一中間層上；以及
一第二電極，係設置於該發射層上。 - 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一中間層包括一第一圖樣以及一第二圖樣，該第一圖樣重疊於經暴露的該些第一電極，且該第二圖樣重疊於該像素定義層。
- 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二圖樣具有一導電性小於該第一圖樣之一導電性，或一電阻大於該第一圖樣之一電阻。
- 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二圖樣具有一上表面，其高於該第一圖樣之一上表面。
- 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該含氟層形成於該第二圖樣上。
- 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一中間層更包括一第三圖樣，該第三圖樣重疊於相互分隔的相鄰該些第一電極之間的該基板之一部分。
- 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三圖樣具有一導電性小於該第一圖樣之一導電性，或一電阻大於該第一圖樣之一電阻。
- 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示裝置，其中該含氟層包括設置於該第二圖樣上的一第一含氟層、以及設置於該第三圖樣上的一第二含氟層。
- 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三圖樣具有一上表面，其高於該第一圖樣之一上表面。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包括：
一引線，係位於該基板上，該引線與該些第一電極分隔；以及
一第三電極，係設置並延伸於該第二電極及該基板上，該第三電極電性連接至該引線；
其中該第三電極藉由一絕緣層圖樣與該些第一電極分隔，該絕緣層圖樣包括該像素定義層及該第一中間層。 - 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示裝置，其中該絕緣層圖樣及該第二電極共享一共同蝕刻面。
- 一種有機發光顯示裝置，其包括：
複數個第一電極，係在一基板上相互分隔；
一第一中間層，係覆蓋該基板上的該些第一電極；
一發射層，係設置於該第一中間層上，該發射層重疊該些第一電極；以及
一第二電極，係設置於該發射層上；
其中該第一中間層包括：
一第一圖樣，係重疊該些第一電極；
一第二圖樣，係界定該發射層之一橫向部份；以及
一第三圖樣，係在相互分隔的相鄰該些第一電極之間重疊該基板之一部份，該第三圖樣具有一導電性小於該第一圖樣之一導電性，或一電阻大於該第一圖樣之一電阻。
- 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示裝置，其中該發射層在該些第一電極上連續地延伸。
- 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示裝置，其中該發射層藉由該第二圖樣及該第三圖樣所界定，以具有一島狀。
- 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三圖樣具有一親墨性，其小於該第一圖樣的一親墨性。
- 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示裝置，更包括設置於該第三圖樣上的一含氟層。
- 如申請專利範圍第16項所述之有機發光顯示裝置，其中該含氟層包括從該第一中間層擴散的氟。
- 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三圖樣具有一上表面，其高於該第一圖樣之一上表面。
- 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二圖樣具有一親墨性，其小於該第一圖樣之一親墨性。
- 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示裝置，更包括設置於該第二圖樣上的一含氟層。
- 如申請專利範圍第20項所述之有機發光顯示裝置，其中該含氟層包括從該第一中間層擴散的氟。
- 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二圖樣具有一導電性小於該第一圖樣之該導電性，或一電阻大於該第一圖樣之該電阻。
- 如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示裝置，更包括：
一引線，係設置於該基板上，該引線與該些第一電極分隔；以及
一第三電極，係配置並延伸於該第二電極及該基板上，該第三電極電性連接至該引線；
其中該第三電極藉由一絕緣層圖樣與該些第一電極分隔，該絕緣層圖樣包括該第一中間層。 - 如申請專利範圍第23項所述之有機發光顯示裝置，其中該絕緣層圖樣及該第二電極共享一共同蝕刻面。
- 一種有機發光顯示裝置，其包括：
複數個第一電極，係在一基板上相互分隔；
一第一中間層，係覆蓋該基板上的該些第一電極；
一發射層，係設置於該第一中間層上，該發射層重疊該些第一電極；以及
一第二電極，係設置於該發射層上；
其中該第一中間層包括：
一第一圖樣，係重疊於該些第一電極；
一第二圖樣，係界定該發射層之一橫向部份；以及
一第三圖樣，係在相互分隔的相鄰該些第一電極之間重疊該基板之一部份，該第三圖樣具有一親墨性，其小於該第一圖樣的一親墨性。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置，更包括設置於該第三圖樣上的一含氟層。
- 如申請專利範圍第26項所述之有機發光顯示裝置，其中該含氟層包括從該第一中間層擴散的氟。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三圖樣具有一導電性小於該第一圖樣之一導電性，或一電阻大於該第一圖樣之一電阻。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三圖樣具有一上表面，其高於該第一圖樣之一上表面。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二圖樣具有一親墨性，其小於該第一圖樣的該親墨性。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置，更包括設置於該第二圖樣上的一含氟層。
- 如申請專利範圍第31項所述之有機發光顯示裝置，其中該含氟層包括從該第一中間層擴散的氟。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二圖樣具有一導電性小於該第一圖樣之一導電性，或一電阻大於該第一圖樣之一電阻。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置，其中該發射層在該些第一電極上連續地延伸。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置，其中該發射層藉由該第二圖樣及該第三圖樣所界定，以具有一島狀。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置，更包括：
一引線，係位於該基板上，該引線與該些第一電極分隔；以及
一第三電極，係設置並延伸於該第二電極及該基板上，該第三電極電性連接至該引線；
其中該第三電極藉由一絕緣層圖樣與該些第一電極分隔，該絕緣層圖樣包括該第一中間層。 - 如申請專利範圍第36項所述之有機發光顯示裝置，其中該絕緣層圖樣及該第二電極共享一共同蝕刻面。
- 一種有機發光顯示裝置，其包括：
複數個第一電極，係在一基板上相互分隔；
一第一中間層，係覆蓋該基板上的該些第一電極；
一發射層，係設置於該第一中間層上，該發射層重疊該些第一電極；以及
一第二電極，係設置於該發射層上；
其中該第一中間層包括：
一第一圖樣，係重疊該些第一電極；
一第二圖樣，係界定該發射層之一橫向部份；以及
一第三圖樣，係在相互分隔的相鄰該些第一電極之間重疊該基板之一部份，該第三圖樣具有一導電性大於該第二圖樣之一導電性，或一電阻小於該第二圖樣之一電阻。
- 如申請專利範圍第38項所述之有機發光顯示裝置，更包括設置於該第二圖樣上的一含氟層。
- 如申請專利範圍第39項所述之有機發光顯示裝置，其中該含氟層包括從該第一中間層擴散的氟。
- 如申請專利範圍第38項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二圖樣具有一上表面，其高於該第三圖樣之一上表面。
- 如申請專利範圍第38項所述之有機發光顯示裝置，更包括：
一引線，係設置於該基板上，該引線與該些第一電極分隔；以及
一第三電極，係設置並延伸於該第二電極及該基板上，該第三電極電性連接至該引線；
其中該第三電極藉由一絕緣層圖樣與該些第一電極分隔，該絕緣層圖樣包括該第一中間層。 - 如申請專利範圍第42項所述之有機發光顯示裝置，其中該絕緣層圖樣及該第二電極共享一共同蝕刻面。
- 一種有機發光顯示裝置，其包括：
複數個第一電極，係在一基板上相互分隔；
一第一中間層，係覆蓋該基板上的該些第一電極；
一發射層，係設置於該第一中間層上，該發射層重疊該些第一電極；以及
一第二電極，係設置於該發射層上；
其中該第一中間層包括：
一第一圖樣，係重疊該些第一電極；
一第二圖樣，係界定該發射層之一橫向部份；以及
一第三圖樣，係在相互分隔的相鄰該些第一電極之間重疊該基板之一部份，該第三圖樣具有一親墨性，其大於該第二圖樣的一親墨性。
- 如申請專利範圍第44項所述之有機發光顯示裝置，更包括設置於該第二圖樣上的一含氟層。
- 如申請專利範圍第45項所述之有機發光顯示裝置，其中該含氟層包括從該第一中間層擴散的氟。
- 如申請專利範圍第44項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二圖樣具有一導電性小於該第三圖樣之一導電性，或一電阻大於該第三圖樣之一電阻。
- 如申請專利範圍第44項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二圖樣具有一上表面，其高於該第三圖樣之一上表面。
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一引線，係設置於該基板上，該引線與該些第一電極分隔；以及
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