KR101097319B1 - 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 Download PDF

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Abstract

유기 발광층을 용이하게 형성할 수 있도록, 본 발명은 기판상에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극상에 상기 제1 전극의 소정의 부분을 노출하도록 개구부를 갖는 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 화소 정의막 및 상기 개구부를 통하여 노출된 상기 제1 전극상에 전하 전달층을 형성하는 단계, 상기 전하 전달층의 노출된 표면을 소수화 하는 단계, 상기 전하 전달층의 노출된 표면 중 상기 개구부에 대응되는 표면을 친수화 하는 단계, 상기 전하 전달층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계 및 상기 유기 발광층과 전기적으로 연결되도록 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치를 제공한다.

Description

유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치{Method of manufacturing organic light emitting display apparatus and organic light emitting display apparatus}
본 발명은 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로 더 상세하게는 유기 발광층을 용이하게 형성할 수 있는 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 표시 장치로 대체되는 추세이다. 평판 표시 장치 중에서도 전계 발광 표시장치는 자발광형 표시 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐 만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어서 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다. 또한 발광층의 형성 물질이 유기물로 구성되는 유기 발광 표시 장치는 무기 발광 표시 장치에 비해 휘도, 구동 전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 점을 가지고 있다.
유기 발광 표시 장치는 캐소드 전극과 애노드 전극 및 유기 발광층을 포함한다. 캐소드 전극과 애노드 전극에 전압을 인가하면 유기 발광층에서 가시 광선을 취출된다.
유기 발광 표시 장치는 천연색 화면을 구현하기 위하여 적색, 녹색 및 청색 가시 광선을 구현하는 서브 픽셀들을 포함한다. 적색 서브 픽셀에는 적색 가시 광선을 발광하는 유기 발광층이 형성되고, 녹색 서브 픽셀에는 녹색 가시 광선을 발광하는 유기 발광층이 형성되고, 청색 서브 픽셀에는 청색 가시 광선을 발광하는 유기 발광층이 형성된다.
이 때 유기 발광층이 원하는 서브 픽셀에 대응되도록 형성되지 않고 다른 서브 픽셀에도 형성되면 다른 색을 발광하는 유기 발광층이 섞여 유기 발광 표시 장치의 화질이 감소하는 문제점이 있다.
특히 유기 발광층을 형성하는 데 있어 노즐을 이용하여 용액을 아래로 떨어뜨리는 노즐 프린팅을 이용하는 경우에 이러한 문제점으로 인하여 화질을 향상하는데 한계가 있다.
본 발명은 유기 발광층 용이하게 형성할 수 있는 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명은 기판상에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극상에 상기 제1 전극의 소정의 부분을 노출하도록 개구부를 갖는 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 화소 정의막 및 상기 개구부를 통하여 노출된 상기 제1 전극상에 전하 전달층을 형성하는 단계, 상기 전하 전달층의 노출된 표면을 소수화 하는 단계, 상기 전하 전달층의 노출된 표면 중 상기 개구부에 대응되는 표면을 친수화 하는 단계, 상기 전하 전달층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계 및 상기 유기 발광층과 전기적으로 연결되도록 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법 을 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 유기 발광층은 상기 전하 전달층 상에 상기 개구부와 대응되도록 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 전하 전달층은 정공 수송층 또는 정공 주입층일 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 소수화 하는 단계는 불소 화합물 가스 분위기에서 플라즈마 또는 자외선을 이용할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 불소 화합물은 CF4를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 친수화 하는 단계는 상기 개구부에 대응되는 투과부를 갖는 마스크를 준비 하는 단계 및 상기 마스크 상부에서 자외선 램프를 이용하여 에너지를 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 친수화 하는 단계는 자외선 레이저를 이용하여 상기 개구부에 대응하는 영역에 에너지를 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 친수화 하는 단계는 상기 개구부에 대응되는 크기로 집광된 자외선 레이저 빔을 스캐닝 하면서 진행하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 친수화 하는 단계는 상기 전하 전달층의 노출된 표면 중 상기 개구부의 바닥면 및 내측면에 대응되는 표면을 친수화 할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 친수화 하는 단계는 대기 분위기 또는 질소 가스 분위기에서 진행할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 유기 발광층을 형성 하는 단계는 노즐 프린팅을 이용할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면 본 발명의 제조 방법에 의하여 제조된 유기 발광 표시 장치를 개시한다.
본 발명에 관한 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치는 각 서브 픽셀에 안착되도록 유기 발광층이 서로 섞이지 않도록 형성하여 유기 발광 표시 장치의 화질을 향상할 수 있다.
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 1a를 참조하면 기판(101)상에 제1 전극(110)을 형성한다. 제1 전극(110)을 형성하기에 앞서 기판(101)상에 박막 트랜지스터를 형성할 수 있다. 물론 본 실시예의 유기 발광 소자의 제조 방법은 능동형 유기 발광 소자 뿐 아니라 수동형 유기 발광 소자의 제조방법에도 적용이 가능할 수 있다.
기판(101)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 기판(101)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재로 형성할 수도 있다. 플라스틱 기판은 절연성 유기물로 형성할 수 있는데 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물로 이루어질 수 있다.
또한 기판(101)은 금속으로도 형성할 수 있는데 금속으로 기판(101)을 형성할 경우 기판(101)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이 때 기판(101)은 포일 형태일 수 있다.
기판(101)의 상면의 평활성과 기판(101)으로의 불순 원소의 침투를 차단하기 위하여 기판(101)상에 버퍼층(미도시)을 형성할 수 있다. 버퍼층(미도시)은 SiO2 및/또는 SiNx 등으로 형성할 수 있다.
기판(101)상에 제1 전극(110)을 형성한다. 제1 전극(110)은 포토 리소그래피 법에 의해 소정의 패턴으로 형성할 수 있다. 제1 전극(110)의 패턴은 수동 구동형(passive matrix type: PM)의 유기 발광 표시 장치의 경우에는 서로 소정 간격 떨어진 스트라이프 상의 라인들로 형성될 수 있고, 능동 구동형(active matrix type: AM)의 유기 발광 표시 장치의 경우에는 서브 픽셀에 대응하는 형태로 형성될 수 있다.
제1 전극(110)은 반사형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 제1 전극(110)이 반사형 전극일 경우 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등을 배치하여 제1 전극(110)을 형성한다.
제1 전극(110)이 투과형 전극일 경우 제1 전극(110)은 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등으로 형성된다.
그리고 나서 도 1b를 참조하면 제1 전극(110)상에 화소 정의막(120)을 형성한다. 화소 정의막(120)은 개구부(120a)를 구비하고, 개구부(120a)를 통하여 제1 전극(110)이 노출된다. 화소 정의막(120)은 다양한 절연 물질을 이용하여 형성한다.
도 1c는 도 1b의 X 방향에서 본 정면도이다. 개구부(120a)는 대략적으로 직사각형의 형태이다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고 개구부(120a)는 서브 픽셀의 형태에 따라서 다각형 또는 곡선 형태를 갖도록 형성할 수 있다.
그리고 나서 도 1d를 참조하면 전하 전달층(131)을 형성한다. 전하 전달 층(131)은 화소 정의막(120)의 전체면 및 개구부(120a)를 통하여 노출된 제1 전극(110)상에 전체적으로 형성된다. 즉 별도의 패터닝 공정 없이 전하 전달층(131)을 형성한다.
전하 전달층(131)은 정공 수송층 또는 정공 주입층을 포함한다. 전하 전달층(131)은 정공 수송층 및 정공 주입층 중 어느 한 개의 층만을 포함할 수 있고, 정공 수송층 및 정공 주입층을 모두 포함할 수 있다. 전하 전달층(131)이 정공 수송층 및 정공 주입층을 모두 포함할 경우 정공 주입층이 정공 수송층보다 제1 전극(110)에 가깝도록 배치된다.
그리고 나서 도 1e를 참조하면 소수화 처리 장치(150)를 이용하여 전하 전달층(131)의 표면을 소수(hydrophobic)화 하는 단계를 진행한다. 이 때 전하 전달층(131)의 표면 전체를 소수화 한다.
소수화 처리 장치(150)는 플라즈마 장치 또는 자외선 램프이다. 소수화 처리는 반응 가스가 필요한데 불소 화합물을 반응 가스로 이용한다. 구체적으로 CF4와 같은 가스를 이용한다. CF4가스 분위기에서 소수화 처리 장치(150)에서 플라즈마 또는 자외선을 발생하면 CF4가스와 같은 반응 가스가 분해되어 불소 이온이 생성되고, 이렇게 생성된 불소 이온은 전하 전달층(131)의 표면에 흡착한다. 불소 이온이 흡착한 전하 전달층(131)의 표면은 불소와 결합한 상태로 존재하여 낮은 표면 에너지를 갖고 소수성 표면을 갖게 된다.
그리고 나서 도 1f를 참조하면 전하 전달층(131)의 표면 중 특정 표면을 친 수화 하는 단계를 진행한다. 구체적으로 전하 전달층(131)의 표면 중 화소 정의막(120)의 개구부(120a)에 대응하는 표면을 친수(hydrophilic)화 하는 단계를 진행한다.
친수화 하는 단계는 마스크(170)를 배치하고, 마스크(170) 상부에 배치된 자외선 램프(160)를 이용하여 자외선을 조사하여 진행한다. 마스크(170)는 자외선 램프(160)에서 발생한 자외선이 투과할 수 있는 투과부(171)를 갖고, 투과부(171)를 제외한 영역은 자외선이 투과할 수 없도록 형성된다. 또한 투과부(171)는 개구부(120a)와 대응되도록 형성된다.
자외선 램프(160)에서 발생한 자외선은 투과부(171)를 투과하여 전하 전달층(131)에 도달한다. 즉 전하 전달층(131)의 표면 중 개구부(120a)에 대응되는 부분에 자외선이 도달한다. 전하 전달층(131)에 전달한 자외선은 전하 전달층(131)의 표면의 불소 결합을 해체한다.
또한 친수화 단계는 대기 분위기 또는 질소 가스 분위기에서 진행된다. 자외선 램프(160)에서 발생한 자외선은 공기 또는 질소 가스를 이온화하고, 이러한 이온들이 불소와의 결합이 해체된 전하 전달층(131)의 표면에 흡착한다. 이를 통하여 이온들이 흡착된 전하 전달층(131)의 표면은 표면 에너지가 상승하여 친수성 표면을 갖게 된다.
결과적으로 전하 전달층(131)의 표면 중 개구부(120a)의 바닥면인 제1 전극(110)이 노출된 면, 개구부(120a)의 내측면은 친수화 되어 친수성을 갖는다. 또한 전하 전달층(131)의 표면 중 개구부(120)가 형성되지 않는 화소 정의막(120)의 상부면은 소수화 되어 소수성을 갖는다.
그리고 나서 도 1g를 참조하면 전하 전달층(131)상에 유기 발광층(132)을 형성한다. 이 때 노즐 프린팅 방법을 이용하여 유기 발광층(132)을 형성할 수 있다. 유기 발광층(132)은 적색, 녹색 및 청색 가시 광선을 발광하는 유기 발광층들을 포함할 수 있다.
전술한대로 전하 전달층(131)의 표면 중 개구부(120)의 바닥면 및 내측면에 대응되는 부분은 친수화되고, 그 이외의 부분은 소수화 되어 유기 발광층(132)이 각 개구부(120)에 대응되도록 안착된다. 즉 유기 발광층(132)이 각 개구부(120)들과 용이하게 정렬되어 형성되고, 개구부(120)를 벗어난 화소 정의막(120)의 상부면에 대응하는 영역이나 이웃한 개구부(120)로 넘어가지 않는다.
이를 통하여 원하는 패턴으로 유기 발광층(132)을 용이하게 형성하고 결과적으로 유기 발광 표시 장치의 화질을 향상할 수 있다.
유기 발광층(132)은 다양한 재료를 이용하여 형성하는데 구체적으로 적색 가시 광선을 발광하는 유기 발광층(132)인 경우 테트라페닐나프타센 (Tetraphenylnaphthacene) (루브린: Rubrene), 트리스(1-페닐이소퀴놀린)이리듐(III) (Ir(piq)3), 비스(2-벤조[b]티오펜-2-일-피리딘) (아세틸아세토네이트)이리듐(III) (Ir(btp)2(acac)), 트리스(디벤조일메탄)펜안트롤린 유로퓸(III) (Eu(dbm)3(phen)), 트리스[4,4'-디-tert-부틸-(2,2')-비피리딘]루테늄(III)착물(Ru(dtb-bpy)3*2(PF6)), DCM1, DCM2, Eu (삼불화테노일아세톤: thenoyltrifluoroacetone)3 (Eu(TTA)3, 부틸-6-(1,1,7,7-테트라메틸 줄로리딜-9-에닐)-4H-피란) (butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran: DCJTB) 등을 포함할 수 있고, 그 외에 폴리플루오렌계 고분자, 폴리비닐계 고분자 등과 같은 고분자 발광 물질을 포함할 수 있다.
또한 녹색 가시 광선을 발광하는 유기 발광층(132)인 경우 녹색 발광 재료인 3-(2-벤조티아졸일)-7-(디에틸아미노)쿠마린 (Coumarin 6) 2,3,6,7-테트라히드로-1,1,7,7,-테트라메틸-1H,5H,11H-10-(2-벤조티아졸일)퀴놀리지노-[9,9a,1gh]쿠마린 (C545T), N,N'-디메틸-퀸아크리돈 (DMQA), 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(III) (Ir(ppy)3) 등을 포함할 수 있고, 그 외에 폴리플루오렌계 고분자, 폴리비닐계 고분자 등과 같은 고분자 발광 물질을 포함할 수 있다.
또한 청색 가시 광선을 발광하는 유기 발광층(132)인 경우 청색 발광 재료인 옥사디아졸 다이머 염료 (oxadiazole dimer dyes (Bis-DAPOXP)), 스피로 화합물 (spiro compounds) (Spiro-DPVBi, Spiro-6P), 트리아릴아민 화합물 (triarylamine compounds), 비스(스티릴)아민 (bis(styryl)amine)(DPVBi, DSA), 4,4'-비스(9-에틸-3-카바조비닐렌)-1,1'-비페닐 (BCzVBi), 페릴렌 (perylene), 2,5,8,11-테트라-tert-부틸페릴렌 (TPBe), 9H-카바졸-3,3'-(1,4-페닐렌-디-2,1-에텐-디일)비스[9-에틸-(9C)] (BCzVB), 4,4-비스[4-(디-p-톨일아미노)스티릴]비페닐 (DPAVBi), 4-(디-p-톨일아미노)-4'-[(디-p-톨일아미노)스티릴]스틸벤 (DPAVB), 4,4'-비스[4-(디페닐아미노)스티릴]비페닐 (BDAVBi), 비스(3,5-디플루오로-2-(2-피리딜)페닐-(2-카르복 시피리딜)이리듐 III (FIrPic) 등을 포함할 수 있고, 그 외에 폴리플루오렌계 고분자, 폴리비닐계 고분자 등과 같은 고분자 발광 물질을 포함할 수 있다.
그리고 나서 도 1h를 참조하면 유기 발광층(132)상에 제2 전극(140)을 형성하여 최종적으로 유기 발광 표시 장치(100)를 제조한다.
도시하지 않았으나 유기 발광층(132)과 제2 전극(140)사이에 전자 수송층 또는 전자 주입층을 더 형성할 수 있다.
제2 전극(140)은 수동 구동형의 경우에는 제1 전극(110)의 패턴에 직교하는 스트라이프 형상일 수 있고 능동 구동형의 경우에는 화상이 구현되는 액티브 영역 전체에 걸쳐 형성될 수 있다.
제2 전극(140)은 투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(140)이 투과형 전극일 경우 제2 전극(140)은 일함수가 작은 금속 즉, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물을 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 도전물질로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다.
제2 전극(140)이 반사형 전극일 경우 제2 전극(140)은 일함수가 작은 금속 즉, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 등으로 형성될 수 있다. 위에 설명한 것은 제1 전극(110)을 애노드 전극, 제2 전극(140)을 캐소오드 전극으로 가정한 것이나 전극의 극성이 반대로 될 수 있음은 물론이다.
도시하지 않았으나 기판(101)의 일 면에 대향하도록 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 밀봉 부재(미도시)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 유기 발광 층(132)등을 보호하기 위해 형성하는 것으로 밀봉 부재(미도시)는 투명한 재질로 형성된다. 이를 위해 글라스, 플라스틱 또는 유기물과 무기물의 복수의 중첩된 구조일 수도 있다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치 제조 방법은 전하 전달층(131)을 전체면에 형성한 후 전하 전달층(131)의 전체면을 소수화 처리 한다. 그리고 나서 유기 발광층(132)이 형성될 부분의 전하 전달층(131)의 표면을 친수화 처리한다.
이를 통하여 유기 발광층(132)이 원하는 부분에 용이하게 형성되도록 한다. 즉 유기 발광층(132)이 원하는 서브 픽셀뿐만 아니라 인접한 다른 서브 픽셀에도 혼입되는 것을 방지하여 유기 발광 표시 장치(100)의 화질 특성을 향상한다.
또한 유기 발광층(132)과 직접적으로 접하는 전하 전달층(131)의 표면을 처리하므로 유기 발광층(132)이 안착되는 효과를 증대한다. 또한 표면 처리 진행 단계에서 제1 전극(110)의 손상을 방지할 수 있다. 결과적으로 유기 발광 표시 장치의 화질을 향상할 수 있다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다. 설명의 편의를 위하여 전술한 실시예와 상이한 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 2a를 참조하면 기판(201)상에 제1 전극(210), 화소 정의막(220) 및 전하 전달층(231)이 형성되어 있다.
구체적으로 제1 전극(210)을 형성하고, 제1 전극(210)상에 화소 정의막(220)을 형성한다. 화소 정의막(220)은 개구부(220a)를 구비하고, 개구부(220a)를 통하 여 제1 전극(210)이 노출된다.
그리고 나서 전하 전달층(231)을 형성한다. 전하 전달층(231)은 화소 정의막(220)의 전체면 및 개구부(220a)를 통하여 노출된 제1 전극(210)상에 전체적으로 형성된다. 즉 별도의 패터닝 공정 없이 전하 전달층(231)을 형성한다.
전하 전달층(231)은 정공 수송층 또는 정공 주입층을 포함한다. 전하 전달층(231)은 정공 수송층 및 정공 주입층 중 어느 한 개의 층만을 포함할 수 있고, 정공 수송층 및 정공 주입층을 모두 포함할 수 있다.
기판(201), 제1 전극(210), 화소 정의막(220) 및 전하 전달층(231)의 구성 및 재료 등에 대한 것은 전술한 실시예와 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다.
그리고 나서 도 2b를 참조하면 소수화 처리 장치(250)를 이용하여 전하 전달층(231)의 표면을 소수(hydrophobic)화 하는 단계를 진행한다. 이 때 전하 전달층(231)의 표면 전체를 소수화 한다.
소수화 처리 장치(250)는 플라즈마 장치 또는 자외선 램프이다. 소수화 처리는 반응 가스가 필요한데 불소 화합물을 반응 가스로 이용한다. 구체적으로 CF4와 같은 가스를 이용한다. CF4가스 분위기에서 소수화 처리 장치(250)에서 플라즈마 또는 자외선을 발생하면 CF4가스와 같은 반응 가스가 분해되어 불소 이온이 생성되고, 이렇게 생성된 불소 이온은 전하 전달층(231)의 표면에 흡착한다. 불소 이온이 흡착한 전하 전달층(231)의 표면은 불소와 결합한 상태로 존재하여 낮은 표면 에너지를 갖고 소수성 표면을 갖게 된다.
그리고 나서 도 2c를 참조하면 전하 전달층(231)의 표면 중 특정 표면을 친수화 하는 단계를 진행한다. 구체적으로 전하 전달층(231)의 표면 중 화소 정의막(220)의 개구부(220a)에 대응하는 표면을 친수(hydrophilic)화 하는 단계를 진행한다.
친수화 하는 단계는 별도의 마스크를 필요로 하지 않고 자외선 레이저 빔(260)을 이용하여 진행한다. 즉 전하 전달층(231)의 표면 중 개구부(220a)에 대응되는 부분에만 자외선 레이저 빔(260)이 도달되도록 한다. 즉 개구부(220a)에 대응되도록 집광된 레이저 빔(260)을 이용한다.
이 때 단일 자외선 레이저 소스를 이용하는 경우 단일 레이저 레이저 소스를 스캐닝 하면서 각 개구부(220a)마다 레이저 빔(260)을 조사한다. 또한 본 발명은 이에 한정되지 않고 복수의 자외선 레이저 소스를 이용하여 레이저 빔(260)을 조사할 수도 있다.
전하 전달층(231)에 전달한 자외선은 전하 전달층(231)의 표면의 불소 결합을 해체한다.
또한 친수화 단계는 대기 분위기 또는 질소 가스 분위기에서 진행된다. 자외선 레이저 빔(260)은 공기 또는 질소 가스를 이온화하고, 이러한 이온들이 불소와의 결합이 해체된 전하 전달층(231)의 표면에 흡착한다. 이를 통하여 이온들이 흡착된 전하 전달층(231)의 표면은 표면 에너지가 상승하여 친수성 표면을 갖게 된다.
결과적으로 전하 전달층(231)의 표면 중 개구부(220a)의 바닥면인 제1 전 극(210)이 노출된 면, 개구부(220a)의 내측면은 친수화 되어 친수성을 갖는다. 또한 전하 전달층(231)의 표면 중 개구부(220)가 형성되지 않는 화소 정의막(220)의 상부면은 소수화 되어 소수성을 갖는다.
그리고 나서 도 2d를 참조하면 전하 전달층(231)상에 유기 발광층(232)을 형성한다. 이 때 노즐 프린팅 방법을 이용하여 유기 발광층(232)을 형성할 수 있다.
전술한대로 전하 전달층(231)의 표면 중 개구부(220)의 바닥면 및 내측면에 대응되는 부분은 친수화되고, 그 이외의 부분은 소수화 되어 유기 발광층(232)이 각 개구부(220)에 대응되도록 안착된다. 즉 유기 발광층(232)이 각 개구부(220)들에 용이하게 정렬되어 형성되고, 개구부(220)를 벗어난 화소 정의막(220)의 상부면이나 이웃한 개구부(220)로 넘어가지 않는다.
이를 통하여 원하는 패턴으로 유기 발광층(232)을 용이하게 형성하고 결과적으로 유기 발광 표시 장치의 화질을 향상할 수 있다.
그리고 나서 도 2e를 참조하면 유기 발광층(232)상에 제2 전극(240)을 형성하여 최종적으로 유기 발광 표시 장치(200)를 제조한다.
도시하지 않았으나 유기 발광층(232)과 제2 전극(240)사이에 전자 수송층 또는 전자 주입층을 더 형성할 수 있다.
도시하지 않았으나 기판(201)의 일 면에 대향하도록 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 밀봉 부재(미도시)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 유기 발광 층(232)등을 보호하기 위해 형성하는 것으로 밀봉 부재(미도시)는 투명한 재질로 형성된다. 이를 위해 글라스, 플라스틱 또는 유기물과 무기물의 복수의 중첩된 구 조일 수도 있다.
도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명>
100, 200: 유기 발광 표시 장치 101, 201: 기판
110, 210: 제1 전극 120, 220: 화소 정의막
120a, 220a: 개구부 131, 231: 전하 전달층
132, 232: 유기 발광층 140, 240: 제2 전극
150, 250: 소수화 처리 장치 160: 자외선 램프
170: 마스크 260: 레이저 빔

Claims (12)

  1. 기판상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극상에 상기 제1 전극의 소정의 부분을 노출하도록 개구부를 갖는 화소 정의막을 형성하는 단계;
    상기 화소 정의막 및 상기 개구부를 통하여 노출된 상기 제1 전극상에 전하 전달층을 형성하는 단계;
    상기 전하 전달층의 노출된 표면을 전체적으로 소수화 하는 단계;
    상기 전하 전달층의 노출된 표면 중 상기 개구부에 대응되는 표면을 친수화 하는 단계;
    상기 전하 전달층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기 발광층과 전기적으로 연결되도록 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 유기 발광층은 상기 전하 전달층 상에 상기 개구부와 대응되도록 형성하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 전하 전달층은 정공 수송층 또는 정공 주입층인 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 소수화 하는 단계는 불소 화합물 가스 분위기에서 플라즈마 또는 자외선을 이용하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 불소 화합물은 CF4를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 친수화 하는 단계는
    상기 개구부에 대응되는 투과부를 갖는 마스크를 준비 하는 단계; 및
    상기 마스크 상부에서 자외선 램프를 이용하여 에너지를 조사하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 친수화 하는 단계는
    자외선 레이저를 이용하여 상기 개구부에 대응하는 영역에 에너지를 조사하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 친수화 하는 단계는
    상기 개구부에 대응되는 크기로 집광된 자외선 레이저 빔을 스캐닝 하면서 진행하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 친수화 하는 단계는 상기 전하 전달층의 노출된 표면 중 상기 개구부의 바닥면 및 내측면에 대응되는 표면을 친수화 하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 친수화 하는 단계는 대기 분위기 또는 질소 가스 분위기에서 진행하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 유기 발광층을 형성 하는 단계는 노즐 프린팅을 이용하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  12. 제1 항 내지 제11 항 중 어느 하나의 항의 제조 방법에 의하여 제조된 유기 발광 표시 장치.
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