JP6170651B2

JP6170651B2 - 有機発光表示装置の製造方法および有機発光表示装置

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Description

本発明は、有機発光表示装置の製造方法および有機発光表示装置に係り、さらに詳細には、有機発光層を容易に形成できる有機発光表示装置の製造方法および有機発光表示装置に関する。

最近の表示装置は、ポータブルで薄型の平板表示装置に代替される勢いである。平板表示装置の中でも、電界発光表示装置は自発光型表示装置であって、視野角が広く、コントラストに優れるだけでなく、応答速度が速いという長所があって次世代表示装置として注目されている。また、発光層の形成物質が有機物で構成される有機発光表示装置は、無機発光表示装置に比べて輝度、駆動電圧、および応答速度特性に優れて多色化が可能であるという長所を持っている。

有機発光表示装置は、カソード電極、アノード電極、および有機発光層を備える。カソード電極およびアノード電極に電圧を印加すれば、有機発光層で可視光線を発光することができる。

有機発光表示装置は、天然色画面を具現するために、赤色、緑色、および青色可視光線を具現するサブピクセルを含む。赤色サブピクセルには、赤色可視光線を発光させる有機発光層が形成され、緑色サブピクセルには、緑色可視光線を発光させる有機発光層が形成され、青色サブピクセルには、青色可視光線を発光させる有機発光層が形成される。

韓国特許出願公開第２００７−００３６７００号明細書

しかしながら、有機発光層が所望のサブピクセルに対応して形成されずに他のサブピクセルにも形成されると、他の色を発光させる有機発光層が混じるため、有機発光表示装置の画質が低下するという問題があった。

特に有機発光層を形成する際に、ノズルを利用して溶液を滴下するノズルプリンティングを利用する場合に、上記の問題によって画質を向上させるには限界があるという問題もあった。

そこで、本発明は、上記有機発光層を容易に形成できる有機発光表示装置の製造方法および有機発光表示装置を提供することを目的とする。

本発明者は、上記課題に鑑み鋭意研究を積み重ねた。その結果、下記手段により、課題が解決することを見出した。

すなわち、本発明は、基板上に第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に前記第１電極の所定の部分を露出させるように開口部を有する画素定義膜を形成する工程と、前記画素定義膜および前記開口部を通じて、露出された前記第１電極上に電荷伝達層を形成する工程と、前記電荷伝達層の露出された表面を疎水化する工程と、前記電荷伝達層の露出された表面のうち、前記開口部に対応する表面を親水化する工程と、前記電荷伝達層上に有機発光層を形成する工程と、前記有機発光層と電気的に連結されるように第２電極を形成する工程と、を含む有機発光表示装置の製造方法である。

本発明の有機発光表示装置の製造方法および有機発光表示装置によれば、各サブピクセルに載置されるように有機発光層が互いに混ざらないように形成して、有機発光表示装置の画質を向上できる。

本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面概略図である。本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面概略図である。本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した平面概略図である。本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面概略図である。本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面概略図である。本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面概略図である。本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面概略図である。本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面概略図である。本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面概略図である。本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面概略図である。本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面概略図である。本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面概略図である。本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面概略図である。

以下、添付した図面に図示された本発明に関する実施形態を参照して、本発明の構成および作用効果を詳細に説明する。

図１Ａ〜図１Ｈは、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面概略図である。

図１Ａを参照すれば、基板１０１上に第１電極１１０を形成する。第１電極１１０を形成する前に、基板１０１上に薄膜トランジスタを形成することもできる。もちろん、本実施形態の有機発光素子の製造方法は、能動型有機発光素子だけでなく受動型有機発光素子の製造方法にも適用できる。

基板１０１は、ＳｉＯ_２を主成分とする透明なガラス材質からなりうる。基板１０１の材料は、必ずしもこれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材料で形成してもよい。プラスチック基板は、絶縁性樹脂が好ましく、より具体的には、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）からなる群より選択される樹脂などが挙げられる。

また、基板１０１は金属からも形成できるが、金属で基板１０１を形成する場合、の材料としては、例えば、鉄、クロム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレス（ＳＵＳ）、インバー合金、インコネル合金、およびコバール合金からなる群より選択される少なくとも１種が挙げられるが、これらに限定されるものではない。この時、基板１０１は箔状でありうる。

基板１０１の上面の平滑性と、基板１０１への不純元素の浸透の遮断とのために、基板１０１上にバッファ層（図示せず）を形成することができる。バッファ層（図示せず）は、ＳｉＯ_２および／またはＳｉＮ_ｘなどで形成することができる。

基板１０１上に第１電極１１０を形成する。第１電極１１０は、フォトリソグラフィー法により所定のパターンで形成することができる。第１電極１１０のパターンは、受動駆動型（ＰａｓｓｉｖｅＭａｔｒｉｘｔｙｐｅ：ＰＭ）の有機発光表示装置の場合には、互いに所定の間隔で離れたストライプ状のラインで形成され、能動駆動型（ＡｃｔｉｖｅＭａｔｒｉｘｔｙｐｅ：ＡＭ）の有機発光表示装置の場合には、サブピクセルに対応する形態で形成されうる。

第１電極１１０は、反射型電極または透過型電極でありうる。第１電極１１０が反射型電極である場合、例えば、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの化合物などで反射膜を形成した後、その上に仕事関数が高い、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３などを配置して第１電極１１０を形成する。

第１電極１１０が透過型電極である場合、第１電極１１０は、仕事関数が高い、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３などで形成されうる。

次いで、図１Ｂを参照すれば、第１電極１１０上に画素定義膜１２０を形成する。画素定義膜１２０は開口部１２０ａを備え、開口部１２０ａを通じて第１電極１１０が露出される。画素定義膜１２０は、多様な絶縁物質を利用して形成することができる。

図１Ｃは、図１ＢのＸ方向から見た平面概略図である。開口部１２０ａは、概略的に長方形の形態である。しかし、本発明はこれに限定されず、開口部１２０ａは、サブピクセルの形態によって多角形の形態または曲線形態を有するように形成することができる。

次いで、図１Ｄを参照すれば、電荷伝達層１３１を形成する。電荷伝達層１３１は、画素定義膜１２０の全面および開口部１２０ａを通じて露出された第１電極１１０上に全体的に形成される。すなわち、別途のパターニング工程なしに電荷伝達層１３１を形成することができる。

電荷伝達層１３１は、正孔輸送層および正孔注入層の少なくとも一方を備えることが好ましい。電荷伝達層１３１は、正孔輸送層および正孔注入層のうちいずれか１つの層のみ備えてもよく、正孔輸送層および正孔注入層を両方備えてもよい。電荷伝達層１３１が正孔輸送層および正孔注入層を両方備える場合、正孔注入層は正孔輸送層よりも第１電極１１０に近い場所に配置されることが好ましい。

次いで、図１Ｅを参照すれば、疎水化処理装置１５０を利用して電荷伝達層１３１の表面を疎水化する工程を行う。この時、電荷伝達層１３１の表面全体を疎水化する。

疎水化処理装置１５０は、プラズマ装置または紫外線ランプであることが好ましい。疎水化処理には反応ガスが必要であるが、フッ素化合物を反応ガスとして利用することが好ましく、より具体的には、ＣＦ_４などのガスを含む反応ガスを利用することが好ましい。フッ素化合物ガス雰囲気下（好ましくはＣＦ_４ガス雰囲気下）で、疎水化処理装置１５０を用いてプラズマまたは紫外線を発生させれば、ＣＦ_４ガスなどの反応ガスが分解されてフッ素イオンが生成され、生成されたフッ素イオンは電荷伝達層１３１の表面に吸着する。フッ素イオンが吸着した電荷伝達層１３１の表面は、フッ素と結合した状態で存在して、低い表面エネルギーを持って疏水性表面を有するようになる。

次いで、図１Ｆを参照すれば、電荷伝達層１３１の表面のうち特定の表面を親水化する工程を行う。具体的に、電荷伝達層１３１の表面のうち、画素定義膜１２０の開口部１２０ａに対応する表面を親水化する工程を行う。

親水化する工程は、マスク１７０を準備し、かつマスク１７０上部に配された紫外線ランプ１６０を利用して紫外線を照射して行う。マスク１７０は、紫外線ランプ１６０で発生した紫外線が透過できる透過部１７１を有し、透過部１７１を除いた領域は紫外線が透過できないように形成されている。また透過部１７１は、開口部１２０ａと対応するように形成される。

紫外線ランプ１６０で発生した紫外線は、透過部１７１を透過して電荷伝達層１３１に到達する。すなわち、電荷伝達層１３１の表面のうち、開口部１２０ａに対応する部分に紫外線が到達する。電荷伝達層１３１に到達した紫外線は、電荷伝達層１３１の表面のフッ素結合を解離する。

また、親水化工程は、大気雰囲気下または窒素ガス雰囲気下で行われることが好ましい。紫外線ランプ１６０で発生した紫外線は、空気または窒素ガスをイオン化し、これらのイオンが、フッ素との結合が解離された電荷伝達層１３１の表面に吸着する。これを通じてイオンが吸着した電荷伝達層１３１の表面は、表面エネルギーが上昇して親水性表面を有するようになる。

結果的に、電荷伝達層１３１の表面のうち、開口部１２０ａの底面である第１電極１１０が露出された面、開口部１２０ａの内側面は親水化して親水性を有する。また、電荷伝達層１３１の表面のうち、開口部１２０ａの形成されていない画素定義膜１２０の上表面は、疎水化して疏水性を有する。

次いで、図１Ｇを参照すれば、電荷伝達層１３１上に有機発光層１３２を形成する。この時、ノズルプリンティング法を利用して有機発光層１３２を形成することができる。有機発光層１３２は、赤色、緑色、および青色可視光線を発光させる有機発光層を含むことができる。

前述したように、電荷伝達層１３１の表面のうち、開口部１２０ａの底面および内側面に対応する部分は親水化され、それ以外の部分は疎水化して、有機発光層１３２が各開口部１２０ａに対応するように形成され載置されることが好ましい。すなわち、有機発光層１３２は各開口部１２０ａと容易に整列されて形成され、開口部１２０ａを外れた画素定義膜１２０の上表面に対応する領域や、隣接した開口部１２０ａを越えないことが好ましい。

これを通じて、所望のパターンに有機発光層１３２を容易に形成し、結果的に有機発光表示装置の画質を向上させることができる。

有機発光層１３２は、多様な材料を利用して形成することができる。具体的には、赤色可視光線を発光させる有機発光層１３２の場合、赤色発光材料であるテトラフェニルナフタセン（ルブレン）、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）_３）、ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル−ピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、トリス（ジベンゾイルメタン）フェナントロリンユーロピウム（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ｄｂｍ）_３（ｐｈｅｎ））、トリス［４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−（２，２’）−ビピリジン］ルテニウム（ＩＩＩ）錯体（Ｒｕ（ｄｔｂ−ｂｐｙ）_３＊２（ＰＦ_６））、４−ジシアンメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ１）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ユロリジン−４−イル−ビニル）−４Ｈ−ピル（ＤＣＭ２）、Ｅｕ（テノイルトリフルオロアセトン）３（Ｅｕ（ＴＴＡ）３）、ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン）（ＤＣＪＴＢ）などを含むことができ、その他にポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子などの高分子発光物質を含むことができる。

また、緑色可視光線を発光させる有機発光層１３２の場合、具体的には、緑色発光材料である３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−（ジエチルアミノ）クマリン、２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７，−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ−１０−（２−ベンゾチアゾリル）キノリジノ−［９，９ａ，１ｇｈ］クマリン（Ｃ５４５Ｔ）、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−キナクリドン（ＤＭＱＡ）、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）などを含むことができ、その他にポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子などの高分子発光物質を含むことができる。

さらに、青色可視光線を発光させる有機発光層１３２の場合、青色発光材料であるオキサジアゾールダイマー染料（Ｂｉｓ−ＤＡＰＯＸＰ）、スピロ化合物（Ｓｐｉｒｏ−ＤＰＶＢｉ、Ｓｐｉｒｏ−６Ｐ）、トリアリールアミン化合物、ビス（スチリル）アミン（ＤＰＶＢｉ、ＤＳＡ）、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾールビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（ＴＰＢｅ）、９Ｈ−カルバゾール−３，３’−（１，４−フェニレン−ジ−２，１−エテン−ジイル）ビス［９−エチル−（９Ｃ）］（ＢＣｚＶＢ）、４，４−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン（ＤＰＡＶＢ）、４，４’−ビス［４−（ジフェニルアミノ）スチリル］ビフェニル（ＢＤＡＶＢｉ）、ビス（３，５−ジフルオロ−２−（２−ピリジル）フェニル−（２−カルボキシピリジル）イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒＰｉｃ）などを含むことができ、その他にポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子などの高分子発光物質を含むことができる。

次いで、図１Ｈを参照すれば、有機発光層１３２上に、有機発光層１３２と電気的に連結されるように第２電極１４０を形成して、最終的に有機発光表示装置１００を製造する。

図示していないが、有機発光層１３２と第２電極１４０との間に、電子輸送層または電子注入層をさらに形成することができる。

第２電極１４０は、ＰＭの場合には第１電極１１０のパターンに直交するストライプ状であり、ＡＭの場合には、画像が具現される能動領域全体にかけて形成されうる。

第２電極１４０は、透過型電極または反射型電極でありうる。第２電極１４０が透過型電極である場合、第２電極１４０は仕事関数が小さな金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａまたはこれらの化合物などを蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３などの透明導電物質で補助電極層やバス電極ラインを形成することができる。

第２電極１４０が反射型電極である場合、第２電極１４０は仕事関数が小さな金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａなどで形成されうる。前述したのは、第１電極１１０をアノード電極、第２電極１４０をカソード電極と仮定したものであるが、電極の極性が逆になりうるということは言うまでもない。

図示していないが、基板１０１の一面に対向するように密封部材（図示せず）が配置されうる。密封部材（図示せず）は、外部の水分や酸素などから有機発光層１３２を保護するために形成するものであって、密封部材（図示せず）は透明な材質で形成されうる。このために、ガラス、プラスチック、または有機物と無機物との複数の重畳した構造にしてもよい。

本実施形態の有機発光表示装置の製造方法は、電荷伝達層１３１を全面に形成した後、電荷伝達層１３１の全面を疎水化処理する。次いで、有機発光層１３２が形成される部分の電荷伝達層１３１の表面を親水化処理する。

これを通じて、有機発光層１３２を所望の部分に容易に形成させる。すなわち、有機発光層１３２が所望のサブピクセルだけでなく隣接した他のサブピクセルにも混入されることを防止して、有機発光表示装置１００の画質特性を向上させる。

また、有機発光層１３２と直接的に接する電荷伝達層１３１の表面を処理することで、有機発光層１３２が載置される効果を高める。さらに、表面処理を行う工程で第１電極１１０の損傷を防止することができる。結果的に有機発光表示装置の画質を向上させることができる。

図２Ａ〜図２Ｅは、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した断面概略図である。説明の便宜のために、前述した実施形態と異なる点を中心に説明する。

図２Ａを参照すれば、基板２０１上に第１電極２１０、画素定義膜２２０および電荷伝達層２３１が形成されている。

具体的には、第１電極２１０を形成し、第１電極２１０上に画素定義膜２２０を形成する。画素定義膜２２０は開口部２２０ａを備え、開口部２２０ａを通じて第１電極２１０が露出される。

次いで、電荷伝達層２３１を形成する。電荷伝達層２３１は、画素定義膜２２０の全面および開口部２２０ａを通じて露出された第１電極２１０上に全体的に形成される。すなわち、別途のパターニング工程なしに電荷伝達層２３１を形成する。

電荷伝達層２３１は、正孔輸送層または正孔注入層を備えることが好ましい。電荷伝達層２３１は、正孔輸送層および正孔注入層のうちいずれか１層のみ備えてもよく、正孔輸送層および正孔注入層を両方とも備えてもよい。

基板２０１、第１電極２１０、画素定義膜２２０、および電荷伝達層２３１の構成ならびに用いられる形成材料などは、前述した実施形態と同様であるので、ここでは具体的な説明は省略する。

次いで、図２Ｂを参照すれば、疎水化処理装置２５０を利用して電荷伝達層２３１の表面を疎水化する工程を行う。この時、電荷伝達層２３１の表面全体を疎水化する。

疎水化処理装置２５０は、プラズマ装置または紫外線ランプであることが好ましい。疎水化処理には反応ガスが必要であるが、フッ素化合物を反応ガスとして利用することが好ましく、より具体的には、ＣＦ_４のようなガスを利用することが好ましい。ＣＦ_４ガス雰囲気下で、疎水化処理装置２５０でプラズマまたは紫外線を発生させれば、ＣＦ_４ガスのような反応ガスが分解されてフッ素イオンが生成され、生成されたフッ素イオンは電荷伝達層２３１の表面に吸着する。フッ素イオンが吸着した電荷伝達層２３１の表面はフッ素と結合した状態で存在して、低い表面エネルギーを持って疏水性表面を有するようになる。

次いで、図２Ｃを参照すれば、電荷伝達層２３１の表面のうち特定の表面を親水化する工程を行う。具体的に、電荷伝達層２３１の表面のうち、画素定義膜２２０の開口部２２０ａに対応する表面を親水化する工程を行う。

親水化する工程は別途のマスクを必要とせず、紫外線レーザービーム２６０を利用して行う。すなわち、電荷伝達層２３１の表面のうち開口部２２０ａに対応する部分のみに紫外線レーザービーム２６０を到達させる。すなわち、開口部２２０ａに対応するサイズに集光されたレーザービーム２６０を利用する。

この時、単一の紫外線レーザーソースを利用する場合、単一のレーザーソースをスキャニングしつつ、開口部２２０ａごとにレーザービーム２６０を照射することが好ましい。本発明はこれに限定されず、複数の紫外線レーザーソースを利用してレーザービーム２６０を照射してもよい。

電荷伝達層２３１に伝達した紫外線は、電荷伝達層２３１の表面のフッ素結合を解離する。

また、親水化工程は、大気雰囲気下または窒素ガス雰囲気下で行われることが好ましい。紫外線レーザービーム２６０は空気または窒素ガスをイオン化し、これらのイオンが、フッ素との結合が解離された電荷伝達層２３１の表面に吸着する。これを通じて、イオンが吸着した電荷伝達層２３１の表面は、表面エネルギーが上昇して親水性表面を有するようになる。

結果的に、電荷伝達層２３１の表面のうち、開口部２２０ａの底面である第１電極２１０が露出された面、開口部２２０ａの内側面は親水化して親水性を有する。また、電荷伝達層２３１の表面のうち、開口部２２０ａが形成されていない画素定義膜２２０の上表面は疎水化して疏水性を持つ。

次いで、図２Ｄを参照すれば、電荷伝達層２３１上に有機発光層２３２を形成する。この時、ノズルプリンティング法を利用して有機発光層２３２を形成することができる。

前述したように、電荷伝達層２３１の表面のうち、開口部２２０ａの底面および内側面に対応する部分は親水化され、それ以外の部分は疎水化して、有機発光層２３２が各開口部２２０ａに対応するように形成され載置されることが好ましい。すなわち、有機発光層２３２が各開口部２２０ａに容易に整列されて形成され、開口部２２０ａを外れた画素定義膜２２０の上表面や、隣接した開口部２２０ａに越えないことが好ましい。

これを通じて、所望のパターンに有機発光層２３２を容易に形成することができ、結果的に有機発光表示装置の画質を向上させることができる。

次いで、図２Ｅを参照すれば、有機発光層２３２上に第２電極２４０を形成して、最終的に有機発光表示装置２００を製造する。

図示していないが、有機発光層２３２と第２電極２４０との間には、電子輸送層または電子注入層をさらに形成することができる。

図示していないが、基板２０１の一面に対向するように密封部材（図示せず）が配されうる。密封部材（図示せず）は、外部の水分や酸素から有機発光層２３２を保護するために形成するものであって、密封部材（図示せず）は透明な材質から形成されうる。このために、ガラス、プラスチック、または有機物と無機物との複数の重畳した構造にしてもよい。

図面に図示された実施形態を参考までに説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形および均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想によって定められねばならない。

本発明は、有機発光表示装置関連の技術分野に好適に用いられる。

１００、２００有機発光表示装置、
１０１、２０１基板、
１１０、２１０第１電極、
１２０、２２０画素定義膜
１２０ａ、２２０ａ開口部
１３１、２３１電荷伝達層、
１３２、２３２有機発光層、
１４０、２４０第２電極、
１５０、２５０疎水化処理装置、
１６０紫外線ランプ、
１７０マスク、
２６０紫外線レーザービーム。

Claims

基板上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に前記第１電極の所定の部分を露出させるように開口部を有する画素定義膜を形成する工程と、
前記画素定義膜および前記開口部を通じて、露出された前記第１電極上に電荷伝達層を形成する工程と、
前記電荷伝達層の露出された表面全体を、フッ素化合物を含む反応ガス雰囲気下でプラズマまたは紫外線を発生させ、生成したフッ化物イオンを前記電荷伝達層の表面に結合させることにより疎水化する工程と、
前記疎水化する工程の後に、前記電荷伝達層の露出された表面のうち、前記開口部に対応する表面を親水化する工程（ただし、光触媒を用いて親水化する工程を除く）と、
前記電荷伝達層上に有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層と電気的に連結されるように第２電極を形成する工程と、
を含み、
前記親水化する工程は、紫外線レーザーを利用して、前記開口部に対応する領域に紫外線レーザービームを照射する工程を含み、かつ、前記開口部に対応するサイズに集光された紫外線レーザービームをスキャニングしながら照射する工程を含む有機発光表示装置の製造方法。
前記有機発光層は、前記電荷伝達層上に前記開口部と対応するように形成される、請求項１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
前記電荷伝達層は、正孔輸送層および正孔注入層の少なくとも一方を備える、請求項１または２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
前記疎水化する工程は、フッ素化合物ガス雰囲気下でプラズマまたは紫外線を利用する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
前記フッ素化合物はＣＦ_４を含む、請求項４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
前記親水化する工程は、前記電荷伝達層の露出された表面のうち、前記開口部の底面および内側面に対応する表面を親水化する請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
前記親水化する工程は、大気雰囲気下または窒素ガス雰囲気下で行う請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
前記有機発光層を形成する工程は、ノズルプリンティング法を利用する請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。