JP3923038B2 - 有機ｅｌ発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ発光表示装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3923038B2 JP3923038B2 JP2003326039A JP2003326039A JP3923038B2 JP 3923038 B2 JP3923038 B2 JP 3923038B2 JP 2003326039 A JP2003326039 A JP 2003326039A JP 2003326039 A JP2003326039 A JP 2003326039A JP 3923038 B2 JP3923038 B2 JP 3923038B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- organic
- emitting layer
- organic light
- cathode electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 claims description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 17
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 7
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 33
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 28
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 11
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- -1 Tris (5,7-dichloro, 8-quinolinol) aluminum Chemical compound 0.000 description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 6
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 4
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- ZNPOESWWLMOHJB-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,4-tetraphenylbuta-1,3-dien-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C(C=1C=CC=CC=1)=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZNPOESWWLMOHJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2SC=NC2=C1 SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHBOFZNNPZNWGB-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(phenylethynyl)anthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C#CC(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C#CC1=CC=CC=C1 ZHBOFZNNPZNWGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAABVBOFAIYKNX-GPAWKIAZSA-N [(1e,3e)-1,3,4-triphenylbuta-1,3-dien-2-yl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C(\C=1C=CC=CC=1)/C(/C=1C=CC=CC=1)=C/C1=CC=CC=C1 DAABVBOFAIYKNX-GPAWKIAZSA-N 0.000 description 1
- NJCWXNFQFSVVLI-UHFFFAOYSA-N [Sc].Oc1cccc2cccnc12.Oc1cccc2cccnc12.Oc1cccc2cccnc12 Chemical compound [Sc].Oc1cccc2cccnc12.Oc1cccc2cccnc12.Oc1cccc2cccnc12 NJCWXNFQFSVVLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005010 aminoquinolines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INAAIJLSXJJHOZ-UHFFFAOYSA-N pibenzimol Chemical compound C1CN(C)CCN1C1=CC=C(N=C(N2)C=3C=C4NC(=NC4=CC=3)C=3C=CC(O)=CC=3)C2=C1 INAAIJLSXJJHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLJHXMRDIWMMGO-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol;zinc Chemical compound [Zn].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 DLJHXMRDIWMMGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、有機ＥＬ発光表示装置及びその製造方法に関する。
最近、有機物の多層膜を用いたエレクトロルミネセンス（ＥＬ）発光表示装置が注目されている。有機ＥＬ発光表示装置は、アノード電極とカソード電極との間に挟まれた有機発光層を有し、これらの電極間に直流電圧を印加すると、カソード電極金属から電子輸送層である有機化合物の最低空準位に電子が注入され、一方、アノード電極のITO電極からは正孔輸送層の最高非占準位に正孔が注入されて、有機発光層中で正孔と電子とが再結合することにより発光する。有機ＥＬ発光表示装置には大きく分けて、低分子を真空蒸着して作製する方法と、ポリマー溶液を塗布して作製する方法の二つがある。
一般に、有機ＥＬ発光表示装置においては、有機発光層の上に積層するカソード電極として、低仕事関数の金属を用いる。これは、仕事関数の低い金属を用いるほど、有機発光層への電子注入効率が高くなるからである。しかし、低仕事関数金属は極めて反応性が高い為、有機発光層中の発光分子と反応してしまい、有機ＥＬ発光表示装置劣化の原因の一つと考えられてきた。
この問題を回避する為に、有機発光層とカソード電極の間に、アルカリフッ化物やアルカリ土類フッ化物などの無機化合物層（バッファー層）を挟む構造が提唱されている（例えば、特許文献１参照）。しかしながらこの場合、バッファー層を構成する無機化合物のイオンが有機発光層へ拡散し、キャリアートラップなどの新たな劣化原因となっていた。
特開平１０−７４５８６号公報（第２−４頁、第１図）
本発明は以上の問題点を鑑みてなされたものであり、その目的は、劣化を防いで長寿命な有機ＥＬ発光表示装置及びその製造方法を提供することである。
そこで、本発明は、アノード電極と、アノード電極上に形成された有機発光層と、有機発光層上に形成されたカソード電極とを有する有機ＥＬ発光表示装置の製造方法であって、有機発光層のカソード電極側の表面をフッ素化処理した後に、フッ素化処理された表面直上にLi、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Baからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むカソード電極を形成することを特徴とする有機ＥＬ発光表示装置の製造方法を提供する。
また、本発明は、アノード電極と、アノード電極上に形成された有機発光層と、有機発光層上に形成され有機材料からなる電子注入輸送層と、電子注入輸送層上に形成されたカソード電極とを有する有機ＥＬ発光表示装置の製造方法であって、電子注入輸送層のカソード電極側の表面をフッ素化処理した後に、フッ素化処理された表面直上にLi、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Baからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むカソード電極を形成することを特徴とする有機ＥＬ発光表示装置の製造方法を提供する。
本発明においては、フッ素化処理が、フロロカーボンガスのプラズマの照射であっても良い。
また、本発明においては、フロロカーボンガスがＣＦ4、ＮＦ3、ＳＦ6、及びＣ2Ｆ6からなる群より選ばれる少なくとも１種であっても良い。
また、本発明は、アノード電極と、アノード電極上に形成された有機発光層と、有機発光層の直上に形成されたカソード電極とを有し、カソード電極は、Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Baからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、有機発光層の内部とカソード電極側の界面とを比較して、炭素−フッ素結合を持つ分子がカソード電極側の界面により多く存在することを特徴とする有機ＥＬ発光表示装置を提供する。
また、本発明は、アノード電極と、アノード電極上に形成された有機発光層と、有機発光層上に形成され有機材料からなる電子注入輸送層と、電子注入輸送層の直上に形成されたカソード電極とを有し、前記カソード電極は、Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Baからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、電子注入輸送層の内部とカソード電極側の界面とを比較して、炭素−フッ素結合を持つ分子がカソード電極側の界面により多く存在することを特徴とする有機ＥＬ発光表示装置を提供する。
本発明によれば、劣化を防いで長寿命な有機ＥＬ発光表示装置及びその製造方法を提供することが出来る。
従来の方法により、有機発光層用インクを用いて、アノード電極とカソード電極とに挟まれた有機発光層を有する有機ＥＬ発光表示装置を作製したところ、本発明者らは、カソード電極として用いる低仕事関数金属が有機発光層中の分子と反応してしまい表示装置が劣化していくことを見出した。また、有機発光層と低仕事関数金属が直に接触しないようにするためにバッファー層を設けた場合は、バッファー層を構成する無機化合物のイオンが有機発光層に拡散してしまい、表示装置が劣化していくことを見出した。有機発光層中の分子の反応や、有機発光層へのイオンの拡散はキャリアーブロックや、キャリアートラップの原因となるため、発光輝度の低下をもたらすことになる。
そこで本発明者らは、発光寿命の長い有機ＥＬ発光表示装置を得るために、カソード電極として用いる低仕事関数金属に接触する有機発光層中の分子の反応性を低くする必要があることを見出し、本発明を成すに至ったものである。また、カソード電極と有機発光層との間に有機材料からなる電子注入輸送層を設ける場合には、この電子注入輸送層の分子の反応性を低くする。なお、カソード電極としてLi、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba等の低仕事関数金属を用いる場合には、これに接する有機発光層や電子注入輸送層との反応性が高いが、カソード電極としてそれほど仕事関数の低くない、Al、Ag、Ga、V、Ti、Bi、Sn、Cr、Sb、Cu、Co、Au等の電極を用いる場合にも、やはり劣化やイオン拡散を防ぐために、有機発光層や電子注入輸送層の反応性を低下させる必要がある。また、カソード電極として、低仕事関数金属と、それほど仕事関数の低くない金属とを複合させたものを用いた場合でも、同様のことが言える。
有機発光層や電子注入輸送層の反応性を低下させるために、本発明は、有機発光層を形成した後に有機発光層をフッ素化処理し、そしてカソード電極を形成するものである。また、有機発光層とカソード電極との間に電子注入輸送層を有する場合には、有機発光層や電子注入輸送層を形成した後に電子注入輸送層をフッ素化処理し、そしてカソード電極を形成するものである。
カソード電極の形成前に、有機発光層のカソード電極側をフッ素化処理すると、有機発光層の界面に存在する分子のうち、炭素−水素（Ｃ−Ｈ）結合であった部分は、炭素−フッ素（Ｃ−Ｆ）結合となり、低仕事関数金属による水素引き抜き反応が起こりにくくなる。このとき、炭素−フッ素結合を有する分子は、有機発光層の界面にカソード電極側で濃度が高くなるような傾斜を持って存在する。このことにより、エネルギー準位が多段階的に形成されることから電子注入効率が高まり、発光効率が向上する。炭素−フッ素結合を有する分子は電子注入効率を高める効果はあるものの、効率的な発光には寄与しないと考えられるため、有機発光層の膜厚を約２０〜２００ｎｍとして、約５〜５０％をフッ素化処理することが好ましい。有機発光層の厚さが２００ｎｍよりも厚いと、駆動電圧を高くしなければならず、また注入された電子または正孔が失活して電子−正孔の再結合確率が低下し、有機発光層の発光効率が低下するおそれがある。２０ｎｍよりも薄いと、均一な製膜が困難となり、素子ごとの発光性にばらつきが生じるおそれがある。より好ましくは、有機発光層の膜厚を約８０〜１２０ｎｍとして、約１５〜２５％をフッ素化処理すると良い。従って反応性が低下することにより、有機発光層の劣化を防止することが出来、有機ＥＬ発光表示装置の長寿命化を図ることが出来る。有機発光層の表面をフッ素化処理しない場合は、フッ素化処理された有機発光層と比較して、反応性が高い為に、低仕事関数金属と容易に反応してしまい、有機発光層の劣化による短寿命化が生じる。
本発明において、フッ素化処理は、フロロカーボンガスのプラズマ処理が好ましいが、それに限定されるものではない。例えば、フッ素ガスを直接接触させて改質する方法なども可能である。また、フロロカーボンガスとしては、ＣＦ4、ＮＦ3、ＳＦ6、及びＣ2Ｆ6からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
フッ素化処理には、プラズマ処理装置を用い、フロロカーボンガスを電離した状態にできる処理装置を用いて、プラズマ状態のフッ素ガス雰囲気に有機発光層をさらす、もしくは有機発光層を電離させた状態でフッ素ガスを吹き付ける、等の方法で行うことが出来る。有機発光層上にカソード電極を形成する場合、有機発光層としては、アントラセン、ピレン、ペリレン、テトラフェニルブタジエン、９,１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、８−キノリノールロチウム、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジクロロ、８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛、トリス（５−フルオロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（８−キノリノール）スカンジウム、ビス[８−（パラ−トシル）アミノキノリン]亜鉛錯体およびカドミウム錯体、１，２，３，４−テトラフェニルブタジエン、ペンタフェニルブタジエン、ポリ（パラフェニレンビニレン）、ポリ（２−メトキシ，５−（２‘−エチルヘキソキシ）−１，４−フェニレンビニレン）、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）、ポリパラフェニレン、ポリカーボネート、ポリナフチルビニレンなどを用いることにより、発光を阻害することなく、効果的にカソード電極との反応性を低下させることが出来る。また、有機材料からなる電子注入輸送層上にカソード電極を形成する場合、電子注入輸送層としては、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ベンゾチアゾール亜鉛、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシル−ビス−ベンズイミダゾールなどを用いることにより、電子注入や電子輸送を効率的に行い、効果的に反応性を低下させることが出来る。電子注入輸送層の膜厚は、約１〜５０ｎｍとすることができる。有機発光層や電子注入輸送層は、上述したような材料を用いて、インクジェット方式、ディップ方式、スピンコート方式、真空蒸着方式等から適宜選択して形成することが出来る。
フッ素化処理されて導入されたフッ素元素の含有率（組成比）は、XPS（X線光電子分光）などにより測定することができる。
XPSにおいては、検出角度を変化させると、検出される電子の深さを変えることができ
る。例えば、検出角度５度で試料の表面から約９オングストローム、検出角度４５度で資料の表面から約７０オングストロームの元素組成を知ることができる。プラズマ処理した有機発光層をXPS分析して、検出された全元素量を１００％として各々の元素の組成比（％）を求める。検出角度１〜１０度におけるフッ素元素の組成比が検出角度４５〜９０度におけるフッ素元素の組成比よりも大きければ、カソード電極側の表面を構成する分子中の炭素−フッ素結合含有率（組成比）が、アノード電極界面近傍または膜内部を構成する分子中の炭素−フッ素結合含有率（組成比）よりも大きいといえる。
る。例えば、検出角度５度で試料の表面から約９オングストローム、検出角度４５度で資料の表面から約７０オングストロームの元素組成を知ることができる。プラズマ処理した有機発光層をXPS分析して、検出された全元素量を１００％として各々の元素の組成比（％）を求める。検出角度１〜１０度におけるフッ素元素の組成比が検出角度４５〜９０度におけるフッ素元素の組成比よりも大きければ、カソード電極側の表面を構成する分子中の炭素−フッ素結合含有率（組成比）が、アノード電極界面近傍または膜内部を構成する分子中の炭素−フッ素結合含有率（組成比）よりも大きいといえる。
なお、XPSなどで炭素−フッ素結合含有率を測定する場合は、有機ＥＬ発光表示装置の作製中であれば、有機発光層のカソード電極側の表面をプラズマ処理してカソード電極を形成する前に測定すればよい。あるいは、有機ＥＬ発光表示装置を作製した後であれば、有機ＥＬ発光表示装置のカソード電極を剥離して、有機発光層のカソード電極側の表面を測定すればよい。どちらの場合でも同様に、上述したような測定方法により、炭素−フッ素結合含有率を測定することが出来る。
また、上記の説明は、有機発光層上にカソード電極を形成する場合についての説明としたが、有機発光層上に電子注入輸送層を形成し、電子注入輸送層上にカソード電極を形成する場合も同じことが言える。この場合は、有機発光層を電子注入輸送層に置き換えて同様とすれば良い。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
図１に本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ発光表示装置の１部分の概略断面図を示す。以下においては図１を参照して説明するが、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置およびその製造方法はこれに限定されるものではない。
図１に示すように、ガラスなどの絶縁性を有する透明基板１上のトランジスタ形成層１４に、画素毎に設けられたトランジスタ２が形成される。この画素の区切りとして絶縁性材料からなる隔壁４が形成されている。隔壁４で分離された各画素は３種の発光色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）のうちいずれかの発光色を示す画素となる。すなわち、基板１上にトランジスタ２を形成したトランジスタ形成層１４があり、その上に、ＩＴＯなどの透明電極（アノード電極）３、正孔輸送層５、６及び７、ポリマー有機発光層８、９及び１０、対向電極（カソード電極）１１、銀電極（カソード電極）１２が順次形成された３つの画素が隔壁４によって分離・形成されている。ポリマー有機発光層８は発光中心の色素分子として赤（Ｒ）の発光を示す材料が、ポリマー有機発光層９は発光中心の色素分子として緑（Ｇ）の発光を示す材料が、ポリマー有機発光層１０は発光中心の色素分子として青（Ｂ）の発光を示す材料が使用されている。これらの画素は、それぞれ基板１上に形成されたトランジスタ２と接続されており、さらに最上層には吸水ポリマー層１５を介して封止膜１３が形成されている。吸水ポリマー層１５は、水による劣化を防ぐものであり、吸水ポリマーを用いずに乾燥窒素を充填した層としても良く、また、劣化の問題が生じないようであればこの層を無しとして銀電極１２上に封止膜１３を直接形成しても良い。
トランジスタ２によって、適宜いずれかの画素の透明電極−対向電極間に電圧を印加することで、ポリマー有機発光層８、９または１０から所望の色を発光させる。即ち、アノード電極３から供給された正孔は正孔輸送層５、６、７を通してポリマー有機発光層８、９、１０へ、カソード電極１１，１２から供給された電子はポリマー有機発光層８、９、１０へ達する。その結果、ポリマー有機発光層中で正孔と電子が再結合することで発光が生じ、透明基板１側からこの所望の色を観測することが可能になる。このような画素を２次元的に配列することで、本発明の有機ＥＬ発光表示装置を作製することができる。
アノード電極が形成される基板は特に限定されないが、基板側を発光面として使用する場合、ガラスなどの透明性基板が使用される。
正孔輸送層の形成には、正孔輸送層用インクとして、水中にポリチオフェンおよびその誘導体を含むドナー性分子とポリスチレンスルホン酸およびその誘導体を含むアクセプタ性分子の会合体が分散したインクを使用することが出来る。特に、ドナー性分子としてポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴと略す）、アクセプタ性分子としてポリスチレンスルホン酸あるいはポリスチレンスルホン酸塩（ポリスチレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸塩ともにＰＳＳと略す）の組み合わせが、熱的および化学的に安定であり、基板上への塗布が容易で、形成された膜（正孔輸送層）の膜厚が均一で、光透過率が高いため好ましい。このドナー性分子およびアクセプタ性分子は水に分散され、アルコールが含有されてもよい。
このようなインクを用いて、インクジェット方式、ディップ方式、スピンコート方式等の手法により正孔輸送層を形成することができる。これらの塗布を行った後には、ホットプレートやオーブンを用いて溶媒（水）を揮発させて、膜の状態とする。
多色表示を行う有機ＥＬ発光表示装置の場合、赤、緑、青といった表示する色の違う画素には、異なる材料のポリマー有機発光層が使用される。ポリマー有機発光層のイオン化ポテンシャルは使用する材料によって異なるため、種類の異なる（赤、緑、青）画素では、各々最適な正孔輸送層のイオン化ポテンシャルの値が異なる。このとき、正孔輸送層用インクの塗布を上述したようにインクジェット方式で塗布すれば、容易に各種の画素に、各々最適なイオン化ポテンシャルを示す正孔輸送層を形成することができる。正孔輸送層を設けることによりこのような効果を得ることが出来るが、正孔輸送層はなくとも良い。
正孔輸送層の厚さは２〜１００ｎｍが好ましく、１０〜５０ｎｍがより好ましい。正孔輸送層の厚さが２ｎｍより薄いと均一な膜が得られず、また１００ｎｍより厚いと可視光に吸収が生じるとともに駆動電圧が若干高くなる。
有機発光層は、上述したような材料、方法により形成する。そして、本実施形態においては、有機発光層のカソード電極側がフッ素化処理されている。
カソード電極側がフッ素化処理された有機発光層は、例えば、有機発光層を形成した後、カソード電極を形成する前に、その表面をプラズマ処理することにより製造することができる。
具体的には、まず、有機発光層を塗布形成した基板をプラズマ処理装置（インターナショナルプラズマコーポレーション製Ｐ−３０００）チャンバー内に入れ、電離したフッ素ガスに数秒から数分さらす。数秒から数分間さらすと、有機発光層表面の水素原子がフッ素を含む原子団と置き換わる。プラズマ処理によって、表面のフッ素元素の比率が多くなることで、フッ素化された有機発光層を形成することができる。フッ素ガスは、ＮＦ3やＳＦ6やＣＦ4やＣ2Ｆ6などを用いて行うことができるが、フッ素化処理でフッ素化率が高いことからＣＦ4やＣ2Ｆ6などのフロロカーボンガスを用いることが好ましい。
プラズマ処理装置としては、フロロカーボンガスを電離した状態にできる処理装置で、例えば、インターナショナルプラズマコーポレーション製Ｐ−３０００等のプラズマエッチング装置が好ましい。これは、数秒から数分間の処理で、フッ素化処理を行うことができるので、量産性が高いためである。
また、複数の発光色を有する画素が配列された場合には、フッ素化処理の必要な発光色
の画素の有機発光層だけをフッ素化することで、フッ素化されていない画素との発光特性のバランスをとることが可能である。また、フッ素化処理の効果が発光色によって異なる場合、フッ素化処理を発光色ごとに行うことで、フッ素化処理による発光特性の最適化を行うことができる。
の画素の有機発光層だけをフッ素化することで、フッ素化されていない画素との発光特性のバランスをとることが可能である。また、フッ素化処理の効果が発光色によって異なる場合、フッ素化処理を発光色ごとに行うことで、フッ素化処理による発光特性の最適化を行うことができる。
本実施形態に係る有機ＥＬ発光表示装置においては、有機発光層のカソード電極との界面は反応性が低いために、カソード電極として低仕事関数金属を用いた場合でも反応を妨げることができ、長寿命の素子を作ることができる。本実施形態においては、有機発光層上にカソード電極を形成した例を示したが、有機発光層上に有機材料からなる電子注入輸送層を形成し、電子注入輸送層上にカソード電極を形成した場合には、電子注入輸送層に対して上述したようなフッ素化処理を行えば同様な効果を得ることが出来る。
カソード電極としては、Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba等のほか、Al、Ag、Ga、V、Ti、Bi、Sn、Cr、Sb、Cu、Co、Au等も用いることが出来、真空蒸着等の方法により形成することが出来る。また、カソード電極は、これらの金属を単体で、若しくは複合させて用いるほか、ＡｌＬｉやＡｌＭｇとＡｌとの多重積層構造とすることも可能である。本実施形態においては、有機発光層（若しくは電子注入輸送層）の反応性が低減されていることから、カソード電極の材料が限定されずに最適な材料を用いることが可能となる。
以下、本発明の実施例を説明する。
（実施例１）
図２の断面図に示すような、基板１上にアノード電極３、正孔輸送層７、青のポリマー有機発光層１０及びカソード電極１１を積層した、単色で１ｍｍＸ５ｍｍ四方の形状の有機ＥＬ発光表示装置を作製した例について説明する。
（実施例１）
図２の断面図に示すような、基板１上にアノード電極３、正孔輸送層７、青のポリマー有機発光層１０及びカソード電極１１を積層した、単色で１ｍｍＸ５ｍｍ四方の形状の有機ＥＬ発光表示装置を作製した例について説明する。
まず、ガラス基板１上に常法により、アノード電極３として透明性導電材料であるＩＴＯ（インジウム−チン−オキサイド）（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を膜厚５０ｎｍで製膜した。
次に、正孔輸送層を形成するために用いるインクとして化学式（１）で示されるＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ化合物を含むインク原料（バイエル社製、ＢＡＹＴＲＯＮ（登録商標）Ｐ ＶＰ ＣＨ８０００）を用い、スピンコート方式によって膜厚約１５０Åの正孔輸送層７を製膜した。
ポリマー有機発光層１０の材料として化学式（２）で示される青色発光のポリ（９，９'−ジアルキルフルオレン）（ｐｏｌｙ[９，９'−ｄｉａｌｋｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ]：ＰＤＡＦ）を用い、スピンコート方式によって塗布した。
基板をホットプレート上１４０℃、1分間焼成して溶剤を揮発させた。ポリマー有機発光層１０の厚さは３００Åであった。
この基板をプラズマチャンバー内に入れ、ポリマー有機発光層１０表面をフッ素化処理した。具体的には、基板を真空に引いたチャンバー内に入れ、フロロカーボンガス（ＣＦ４）ガスを導入し、印加周波数１３．５６ＭＨｚ、電力３００Ｗで４５秒間フッ素化処理を行った。
このフッ素化処理したポリマー有機発光層１０上に、カソード電極１１として厚さ約１００ｎｍのMg（マグネシウム）を形成し、実施例１の有機ＥＬ発光表示装置を得た。
（比較例１）
ポリマー有機発光層に対してフッ素化処理を行わなかった以外は、実施例１と同様な材料、方法を用いて、比較例１の有機ＥＬ表示装置を作製した。
（比較例１）
ポリマー有機発光層に対してフッ素化処理を行わなかった以外は、実施例１と同様な材料、方法を用いて、比較例１の有機ＥＬ表示装置を作製した。
以上のようにして作製されたこれらの有機ＥＬ発光表示装置を１０-7ｔｏｒｒの環境下で、１８０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で駆動させたときの、初期輝度に対する輝度の変化を図３に示す。フッ素化処理した実施例１の有機ＥＬ発光表示装置の輝度は、半減するのに
６０分を要した。一方、フッ素化処理していない比較例１の有機ＥＬ発光表示装置の輝度は約３０秒で半減し、有機ＥＬ発光表示装置としての特性は不充分であることがわかった。これは、実施例１ではポリマー有機発光層に対してフッ素化処理を行っていることから、ポリマー有機発光層１０の反応性が低下し、カソード電極１１との反応が生じ難く劣化を防ぐことができるのに対し、比較例１ではポリマー有機発光層１０とカソード電極１１とが反応して、ポリマー有機発光層１０が劣化しているためである。
６０分を要した。一方、フッ素化処理していない比較例１の有機ＥＬ発光表示装置の輝度は約３０秒で半減し、有機ＥＬ発光表示装置としての特性は不充分であることがわかった。これは、実施例１ではポリマー有機発光層に対してフッ素化処理を行っていることから、ポリマー有機発光層１０の反応性が低下し、カソード電極１１との反応が生じ難く劣化を防ぐことができるのに対し、比較例１ではポリマー有機発光層１０とカソード電極１１とが反応して、ポリマー有機発光層１０が劣化しているためである。
本実施例ではポリマー有機発光層上にカソード電極を形成した例を示したが、ポリマー有機発光層上に電子注入輸送層を形成し、そ上にカソード電極を形成した場合にも同様の効果を得ることが出来る。また、本実施例では有機発光層としてポリマーを用いているが、低分子の有機発光層を用いた場合も同様な効果を得ることができる。
１…透明基板
２…トランジスタ
３…透明電極（アノード）
４…隔壁
５，６，７…正孔輸送層
８…赤のポリマー有機発光層
９…緑のポリマー有機発光層
１０…青のポリマー有機発光層
１１…対向電極（カソード）
１２…銀電極（カソード）
１３…封止膜
１４…トランジスタ形成層
１５…吸水ポリマー層
２…トランジスタ
３…透明電極（アノード）
４…隔壁
５，６，７…正孔輸送層
８…赤のポリマー有機発光層
９…緑のポリマー有機発光層
１０…青のポリマー有機発光層
１１…対向電極（カソード）
１２…銀電極（カソード）
１３…封止膜
１４…トランジスタ形成層
１５…吸水ポリマー層
Claims (6)
- アノード電極と、前記アノード電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成されたカソード電極とを有する有機ＥＬ発光表示装置の製造方法であって、前記有機発光層の前記カソード電極側の表面をフッ素化処理した後に、前記フッ素化処理された表面直上にLi、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Baからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むカソード電極を形成することを特徴とする有機ＥＬ発光表示装置の製造方法。
- アノード電極と、前記アノード電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成され有機材料からなる電子注入輸送層と、前記電子注入輸送層上に形成されたカソード電極とを有する有機ＥＬ発光表示装置の製造方法であって、前記電子注入輸送層の前記カソード電極側の表面をフッ素化処理した後に、前記フッ素化処理された表面直上にLi、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Baからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むカソード電極を形成することを特徴とする有機ＥＬ発光表示装置の製造方法。
- 前記フッ素化処理が、フロロカーボンガスのプラズマの照射であることを特徴とする請求項１または２記載の有機ＥＬ発光表示装置の製造方法。
- 前記フロロカーボンガスがＣＦ4、ＮＦ3、ＳＦ6、及びＣ2Ｆ6からなる群より選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項３記載の有機ＥＬ発光表示装置の製造方法。
- アノード電極と、前記アノード電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層の直上に形成されたカソード電極とを有し、前記カソード電極は、Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Baからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、前記有機発光層の内部と前記カソード電極側の界面とを比較して、炭素−フッ素結合を持つ分子が前記カソード電極側の界面により多く存在することを特徴とする有機ＥＬ発光表示装置。
- アノード電極と、前記アノード電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成され有機材料からなる電子注入輸送層と、前記電子注入輸送層の直上に形成されたカソード電極とを有し、前記カソード電極は、Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Baからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、前記電子注入輸送層の内部と前記カソード電極側の界面とを比較して、炭素−フッ素結合を持つ分子が前記カソード電極側の界面により多く存在することを特徴とする有機ＥＬ発光表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003326039A JP3923038B2 (ja) | 2003-09-18 | 2003-09-18 | 有機ｅｌ発光表示装置及びその製造方法 |
| US10/891,506 US7247886B2 (en) | 2003-09-18 | 2004-07-15 | Organic EL light emitting display device and method of manufacturing the same |
| US11/812,477 US7732249B2 (en) | 2003-09-18 | 2007-06-19 | Organic EL light emitting display device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003326039A JP3923038B2 (ja) | 2003-09-18 | 2003-09-18 | 有機ｅｌ発光表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005093279A JP2005093279A (ja) | 2005-04-07 |
| JP3923038B2 true JP3923038B2 (ja) | 2007-05-30 |
Family
ID=34308728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003326039A Expired - Fee Related JP3923038B2 (ja) | 2003-09-18 | 2003-09-18 | 有機ｅｌ発光表示装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7247886B2 (ja) |
| JP (1) | JP3923038B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114335132A (zh) * | 2015-07-22 | 2022-04-12 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4384005B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2009-12-16 | 株式会社東芝 | 表示装置 |
| GB2442028A (en) * | 2004-12-24 | 2008-03-26 | Cambridge Display Tech Ltd | Light emissive device |
| JP4412264B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2010-02-10 | ソニー株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| JP2007123422A (ja) | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、および電子機器の製造方法 |
| JP2010027952A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN102474937A (zh) * | 2009-07-06 | 2012-05-23 | 先锋股份有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
| KR101097319B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
| KR101839331B1 (ko) * | 2011-08-09 | 2018-03-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| CN107623076B (zh) * | 2017-09-29 | 2019-12-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 全溶液oled器件及其制作方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5776622A (en) | 1996-07-29 | 1998-07-07 | Eastman Kodak Company | Bilayer eletron-injeting electrode for use in an electroluminescent device |
| JP4026336B2 (ja) * | 2000-08-11 | 2007-12-26 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ装置の製造方法 |
| DE60134618D1 (de) * | 2000-12-28 | 2008-08-14 | Toshiba Kk | Organische elektrolumineszente Vorrichtung und Anzeigevorrichtung |
| KR100469240B1 (ko) * | 2001-09-06 | 2005-02-02 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광소자 |
| WO2003077609A1 (fr) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Dispositif electroluminescent organique |
-
2003
- 2003-09-18 JP JP2003326039A patent/JP3923038B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-07-15 US US10/891,506 patent/US7247886B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-06-19 US US11/812,477 patent/US7732249B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114335132A (zh) * | 2015-07-22 | 2022-04-12 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7247886B2 (en) | 2007-07-24 |
| JP2005093279A (ja) | 2005-04-07 |
| US20050062050A1 (en) | 2005-03-24 |
| US20070243651A1 (en) | 2007-10-18 |
| US7732249B2 (en) | 2010-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7732249B2 (en) | Organic EL light emitting display device and method of manufacturing the same | |
| TWI408995B (zh) | 有機發光顯示器 | |
| US20060138656A1 (en) | Electrode for an electronic device | |
| US20060181199A1 (en) | Organic light emitting device comprising multilayer cathode | |
| US20060232200A1 (en) | Organic electroluminescent element | |
| US8119254B2 (en) | Organic electroluminescent devices formed with rare-earth metal containing cathode | |
| JP2008098475A (ja) | 有機発光素子の構造 | |
| KR100875329B1 (ko) | 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 그 제조 방법 | |
| WO2012111595A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法 | |
| JP4810739B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| US6963081B2 (en) | Interfacial trap layer to improve carrier injection | |
| JP2001297883A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| US20050052118A1 (en) | Organic electroluminescent devices formed with rare-earth metal containing cathode | |
| JP2004171957A (ja) | 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ表示装置 | |
| KR20010067868A (ko) | 고내구성 유기발광소자 및 그 제조 방법 | |
| US20070138952A1 (en) | Polymer light-emitting diode and manufacturing method thereof | |
| JP2003229269A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| US20040195966A1 (en) | Method of providing a layer including a metal or silicon or germanium and oxygen on a surface | |
| JP2003347063A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法 | |
| US7408185B2 (en) | Organic light emitting device and display using the same | |
| US20110012504A1 (en) | Organic light emitting device | |
| KR100261539B1 (ko) | 안정성이 우수한 유기발광소자 | |
| JP3915565B2 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| KR100567220B1 (ko) | 개선된 효율을 갖는 유기 전계발광 소자 및 이에 기초한 디스플레이 장치 | |
| US20050064234A1 (en) | Emissive polymer layer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041228 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050415 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050606 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061120 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061124 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070119 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070216 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070220 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100302 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120302 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130302 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130302 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140302 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |