JP4026336B2 - 有機el装置の製造方法 - Google Patents
有機el装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4026336B2 JP4026336B2 JP2001244851A JP2001244851A JP4026336B2 JP 4026336 B2 JP4026336 B2 JP 4026336B2 JP 2001244851 A JP2001244851 A JP 2001244851A JP 2001244851 A JP2001244851 A JP 2001244851A JP 4026336 B2 JP4026336 B2 JP 4026336B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- forming
- substrate
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 64
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 25
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 23
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 23
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 16
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 10
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 30
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 19
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 5
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940123973 Oxygen scavenger Drugs 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001349 alkyl fluorides Chemical class 0.000 description 2
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000285 Polydioctylfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機EL(エレクトロルミネッセンス)装置の製造方法に関する。有機EL装置は、テレビやコンピュータ等のディスプレイ、液晶ディスプレイ用バックライト等の光源として使用される。
【0002】
【従来の技術】
近年、液晶ディスプレイに替わる自発光型ディスプレイとして、有機EL素子(陽極と陰極との間に有機物からなる発光層を設けた構造の発光素子)の開発が加速度的に進んでいる。
有機EL素子の発光層材料としては、低分子量の有機材料であるアルミキノリノール錯体(Alq3)等と、高分子量の有機材料であるポリパラフェニレンビニレン(PPV)等がある。
【0003】
低分子量の有機材料からなる発光層は、例えば「Appl.Phys.Lett.51(12),21 September 1987 913頁」に記載されているように、蒸着法で成膜される。高分子量の有機材料からなる発光層は、例えば「Appl.Phys.Lett.71(1),7 July 199734頁〜」に示されているように、塗布法で成膜される。
【0004】
例えばディスプレイ用の有機EL素子では、基板上の各画素位置に発光層を配置する必要がある。また、カラーディスプレイおよび白色光源の場合には、3原色の各発光層を基板上の各位置に配置する必要がある。
したがって、発光層の配置をインクジェット法により行うことができれば、塗布とパターニングが同時にできるため、短時間で精度の高いパターニングができる。しかも、用いる材料が必要最小限で済むため、材料に無駄がなく製造コストを低くするという点でも有効である。
【0005】
従来、インクジェット法により発光層を所定パターンで形成する場合には、絶縁層による隔壁(バンク)を形成してその中に発光層を形成している。陽極が発光領域に合わせてパターニングされている場合でもされていない場合でも、このような絶縁層の形成は行われている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来技術においては、インクジェット法により発光層を所定パターンで形成する場合に、絶縁層による隔壁を形成することが前提となっている。この隔壁を形成する際には、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程を行う必要があり、製造コストが嵩むという問題点がある。
【0007】
本発明はこのような従来技術の問題点に着目してなされたものであり、有機EL装置の製造方法において、発光層を所定パターンで形成する方法としてインクジェット法を採用する場合であっても、絶縁層による隔壁を形成する必要のない方法を提供することを課題とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の有機EL装置の製造方法は、基板上に、少なくとも第1電極層、発光層、第2電極層を順次形成する工程を有し、発光材料を含有する液体を前記基板上の発光領域に配置することで前記発光層の形成を行う工程を含む有機EL装置の製造方法において、前記基板上の前記発光領域に前記第1電極層を形成する工程と、前記発光層を形成する前に前記基板上の前記発光領域及び前記発光領域間双方に、フッ化アルキルカップリング剤を塗布することにより前記液体の液滴の接触角が15°以上90°以下となるように撥液化処理を施す工程と、前記撥液化処理が施された基板上の、前記第1電極層形成位置に対応する領域に前記液体を配置することにより、前記発光領域に前記発光層を形成する工程と、を有し、前記発光領域に前記発光層を形成する工程の前に、前記発光領域を囲う隔壁を形成する工程を含まないことを特徴とする。
【0009】
この方法においては、発光層を形成する直前の基板面に対して前記液体の液滴の接触角が15°以上90°以下となる撥液化処理を施すことによって、インクジェット法により発光層の形成を行う際に、前記隔壁が無くても、前記液体を所定位置に留めておくことができる。
本発明の方法は、発光層の形成を、インクジェット法により基板面内の複数の発光領域に対して行う場合に好適である。なお、発光領域とは、互いに対向する第1電極層及び第2電極層との間に発光層が存在する領域を示す。例えば、表示体においては、各単画素をあらわす。
【0010】
本発明の方法において、前記撥液化処理としては基板表面にフッ素原子を存在させるフッ素化処理が好適である。このフッ素化処理としては、▲1▼フロロカーボンガス(CF4ガス等)を用いたプラズマ処理、▲2▼フッ化アルキルカップリング剤(例えばパーフロロアルキルトリメトキシシラン等、市販品の例として、信越シリコーン(株)製の「LP−8T」)を塗布する方法、▲3▼フッ化アルキルカップリング剤(パーフロロアルキルトリメトキシシラン等)の蒸気に曝す方法等が挙げられる。また、発光層の直下の層(例えば正孔注入/輸送層)を液状材料の塗布によって形成する場合には、その液状材料にフッ化アルキルカップリング剤を混合することで、前記撥液化処理を行うこともできる。
【0011】
本発明の方法においては、撥液化処理を行う直前の基板面に対して、酸素ラジカルを導入する処理(酸素プラズマ処理または紫外線照射)を行うことが好ましい。これにより、前記基板面に対する撥液化処理層の密着性が良好となる。
本発明の方法においては、基板面内の発光層形成領域以外の部分に前記領域を囲う隔壁を形成しないため、隔壁形成以外の方法により、発光層形成領域以外の部分の両電極間を絶縁する必要がある。
【0012】
本発明の有機EL装置の製造方法は、基板上に、少なくとも第1電極層、発光層、第2電極層を順次形成する工程を有し、発光材料を含有する液体を前記基板上の発光領域に配置することで前記発光層の形成を行う工程を含む有機EL装置の製造方法において、前記基板上に、前記第1電極層の材料となる薄膜を形成し、フォトリソグラフィとエッチングにより前記基板上の発光領域に前記第1電極層を形成する工程と、前記発光層を形成する前に前記基板上の前記発光領域及び前記発光領域間双方に、前記液体の液滴の接触角が15°以上90°以下となるように撥液化処理を施す工程と、前記第1電極層が形成された位置に対応する前記撥液化処理が施された基板上に、前記液体を配置することにより前記発光層を形成する工程と、前記基板上における前記発光領域及び前記発光領域間に、電子を通過させ、かつ、正孔を通過させない正孔ブロック層を形成する工程と、を有し、前記発光領域に前記発光層を形成する工程の前に、前記発光領域を囲う隔壁を形成する工程を含まないことを特徴とする。
【0013】
本発明の有機EL装置の製造方法においては、前記基板上における前記発光領域及び前記発光領域間に、正孔を通過させ、かつ、電子を通過させない電子ブロック層を形成する工程をさらに有することが好ましい。
本発明はまた、有機EL装置の製造方法において、第1電極層は陽極であり、
第2電極層は陰極であり、前記撥液化処理を、発光層を形成する前の基板における前記発光領域及び前記発光領域間に対して行うことを特徴とする方法を提供する。
【0014】
本発明はまた、第1電極層は陽極であり、第2電極層は陰極であり、前記発光層形成後の基板上における前記発光領域及び前記発光領域間に、電子を通過させるが正孔を通過させない正孔ブロック層を形成することを特徴とする方法を提供する。
本発明の方法において、陽極と発光層との間に正孔注入/輸送層を形成する場合には、陽極の上に正孔注入/輸送層を形成した後、この正孔注入/輸送層に対してフッ素化処理する。
【0015】
ここで、多くの場合、有機EL素子の発光層と陽極との間には正孔輸送層が設けられている。この正孔輸送層に向けて陽極から正孔が注入され、正孔輸送層はこの正孔を発光層まで輸送する。発光層が正孔輸送性を有する場合には正孔輸送層を設けないこともある。また、正孔注入層と正孔輸送層を別の層として設けることもある。そのため、本発明では、発光層と陽極との間に形成される正孔注入層および/または正孔輸送層のことを「正孔注入/輸送層」と称する。
【0016】
本発明は、互いに対向する第1電極層と第2電極層との間に発光層が存在する発光領域を、基板上に複数有する有機EL装置において、前記発光領域及び前記発光領域間に、電子を通過させるが正孔を通過させない正孔ブロック層が形成されていることを特徴とする有機EL装置を提供する。
本発明の前記有機EL装置の例としては、前記第1電極層と前記発光層との間にフッ素を含む材料からなる層を有してなるものが挙げられる。
本発明の前記有機EL装置の例としては、第1電極層は陽極であり、第2電極層は陰極であり、陽極上に正孔注入/輸送層を有し、アルカリ金属のフッ化物またはアルカリ土類金属のフッ化物からなる正孔ブロック層を有する有機EL装置が挙げられる。
本発明はまた、基板上方に、複数の発光領域を有する有機EL装置の製造方法であって、前記基板上方の、前記発光領域が形成されるべき領域に第1電極層をパターニングして形成する工程と、前記第1電極層上方及び前記第1電極層間に、正孔注入/輸送層を形成する工程と、前記発光領域が形成されるべき領域における前記正孔注入/輸送層上に発光層を形成する工程と、前記発光層上方を含み、前記発光領域及び前記発光領域間に、電子を通過させるが正孔を通過させない正孔ブロック層を形成する工程と、前記正孔ブロック層上方に第2電極層を形成する工程と、を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法を提供する。
前記方法においては、前記正孔注入/輸送層と前記発光層との間であって、前記発光領域及び前記発光領域間に、正孔は通過させるが電子は通過させない電子ブロック層をさらに形成することが好ましい。
前記方法において、前記発光層の形成は、インクジェット法、蒸着法により行うことができる。
前記方法において、前記正孔ブロック層は、アルカリ金属のフッ化物またはアルカリ土類金属のフッ化物からなる金属フッ化物層とすることができる。
【0017】
本発明はまた、有機EL装置を備えた電子機器において、前記有機EL装置は、互いに対向する第1電極層及び第2電極層との間に発光層が存在する発光領域を、基板上に複数有し、前記発光領域及び前記発光領域間に、正孔注入/輸送層及び電子を通過させるが正孔を通過させない正孔ブロック層が形成されていることを特徴とする電子機器を提供する。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
〔第1実施形態〕
図1は、本発明の第1実施形態に相当する有機EL装置の製造方法を説明する工程図である。
【0019】
この方法においては、先ず、透明なガラス基板1上にIDIXO(In2 O3 −ZnO)薄膜を形成し、この薄膜に対してフォトリソグラフィとエッチングを行うことにより、基板面内の各画素位置(複数箇所)に透明な陽極(第1電極層)2を形成した。図1(a)はこの状態を示す。透明な陽極用の材料としては、ITO(In2 O3−SnO2 )を使用してもよい。
【0020】
次に、陽極2の表面に、波長200nm以下の紫外線を照射する処理を行った。この処理は陽極2の仕事関数を高めるための処理であって、酸素プラズマ処理によっても代用できる。次に、この基板1の全面に、バイエル社製「バイトロン」をスピンコート法により成膜した後、乾燥することにより、正孔注入/輸送層3を形成した。図1(b)はこの状態を示す。なお、本実施例では、正孔注入/輸送層3は基板の全面に形成しているが、少なくとも発光領域及び発光領域間に存在していればよく、すなわち、発光領域及び発光領域間において正孔注入/輸送層が接続されていなくてもよい。
【0021】
次に、正孔注入/輸送層3の表面(発光層を形成する直前の基板面)の全体に対して、CF4ガス(フロロカーボンガス)を用いたプラズマ処理を行うことにより、正孔注入/輸送層3の表面をフッ素化(撥液化)した。プラズマ処理条件は、パワー:300W、基板面と電極との距離:1mm、基板の搬送速度10mm/秒、キャリアガス:ヘリウム、雰囲気圧力:大気圧とした。
【0022】
これにより、図1(c)に示すように、正孔注入/輸送層3の上にフッ素含有層(フッ素を含む材料からなる層)4が形成された。プラズマ処理によって、正孔注入/輸送層3をなす高分子材料の表面に存在する分子にフッ素原子が結合される。フッ素含有層4は、このフッ素原子が結合されている部分を指す。
次に、ポリジオクチルフルオレン(発光材料)をキシレンに溶解させた1重量%溶液をインクジェット法により、各陽極2の位置に吐出した。この吐出直前の時点で、基板1の最表面にはフッ素含有層4が存在し、このフッ素含有層4の表面は、前記溶液の液滴50の接触角が15°以上90°以下となっているため、前記溶液は陽極面内の所定範囲に留まる。図1(d)はこの状態を示す。
【0023】
次に、この液滴50から溶剤を蒸発させることにより、各陽極2の上に発光層5を形成する。図1(e)はこの状態を示す。
なお、本実施形態においては、発光層の形成をインクジェット法により行ったが、印刷法を用いることもできる。
【0024】
次に、ガラス基板1上の全面に、真空蒸着法により、フッ化リチウム薄膜(正孔ブロック層)6を形成した。図1(f)はこの状態を示す。なお、本実施例では、フッ化リチウム薄膜(正孔ブロック層)7は基板の全面に形成しているが、少なくとも発光領域及び発光領域間に存在していればよく、すなわち、発光領域と発光領域間においてフッ化リチウム薄膜(正孔ブロック層)が接続していなくてもよい。
【0025】
次に、このフッ化リチウム薄膜6上の全面に、真空蒸着法によりリチウム/アルミニウム積層薄膜(陰極)7を形成(フッ化リチウム薄膜6側にリチウム薄膜を形成)した。図1(g)はこの状態を示す。なお、陰極としては、Liの他、Ca、Mgまたはこれらの金属を含む合金などが好ましく用いられる。また、その上に、Al、Ag、Auなどの比較的安定な金属を製膜して用いることができる。製膜方法としては、蒸着法の他にスパッタ法を用いることができる。
【0026】
次に、この陰極7の上面を封止することによって、図2に示すような、有機ELパネル(有機EL装置)が得られる。ここでは、陰極7上の全面にエポキシ樹脂からなる封止材8を設け、その上に封止用のガラス板9を設けている。また、封止の方法としては、金属やガラスを用いた缶封止を行ってもよい。いずれの封止方法の場合も、必要に応じて、封止領域内に除湿剤、脱酸素剤を封入してもよい。その他、ガスバリア性の優れた薄膜、例えば窒化アルミニウム、窒化珪素、酸化珪素などを蒸着またはスパッタする方法もある。
こうして作成した有機ELパネルに駆動回路を接続することによって有機EL表示体が得られる。
【0027】
この有機ELパネルに電圧を印加して、発光層2の位置での発光特性および電流特性を測定したところ、図3に示すグラフが得られた。また、隣り合う発光層5の間の位置(非発光領域)で電流特性を測定したところ、図4に示す曲線aが得られた。
なお、図4の曲線bは、この装置において、非発光領域にフッ素含有層4を形成しなかった場合、曲線cは、非発光領域にフッ化リチウム薄膜6を形成しなかった場合、曲線dは、非発光領域にフッ素含有層4とフッ化リチウム薄膜6の両方を形成しなかった場合の電流特性の測定結果をそれぞれ示す。
【0028】
これらの結果から、この実施形態の有機EL装置によれば、発光領域(発光層5)で十分な発光特性が得られることが分かる。また、非発光領域に従来のような隔壁を設けずに、フッ素含有層4とフッ化リチウム薄膜6の両方を形成することによって、両方とも形成しなかった場合(図4の曲線d)と比較して良好な絶縁特性が得られることが分かる。すなわち、この実施形態の有機EL装置においては、各発光領域間がフッ化リチウム薄膜(正孔ブロック層)6およびフッ素含有層(電子ブロック層)4によって分離されている。
【0029】
なお、非発光領域の絶縁特性については、この実施形態の結果(曲線a)よりも、非発光領域にフッ化リチウム薄膜(正孔ブロック層)6を形成するがフッ素含有層4を形成しない場合(曲線b)の方が、良好な絶縁特性が得られている。また、非発光領域にフッ素含有層4を形成するがフッ化リチウム薄膜6を形成しない場合(曲線c)は、両方を形成しない場合(曲線d)と同等程度の絶縁特性となっている。
〔第2実施形態〕
図5は、本発明の第2実施形態に相当する有機EL装置を示す断面図である。この実施形態では、第1実施形態とは異なり、各画素電極(陽極2)毎にTFT(薄膜トランジスタ)素子15が形成されている。
【0030】
そのために、この有機EL装置を作製する際には、第1実施形態で図1(a)に示す工程(ガラス基板1の上に陽極2を形成する工程)を行う前に、ガラス基板1の各画素に対応する所定位置(隣り合う画素の間となる位置)に、TFT素子15を形成する工程と、TFT素子15と陽極2とを接続するコンタクト孔の形成工程等を行う。なお、符号16はこれらの工程の際に形成された絶縁層(SiO2膜等)である。
【0031】
上記以外の点は全て第1実施形態と同じ方法で、図5に示す有機EL装置を作製した。この有機EL装置は、アクティブマトリックス型有機EL表示装置である。この装置を用い、各画素用のTFT素子に所定の駆動信号を入力することによって、静止画および動画を表示することができた。
〔第3実施形態〕
陽極上に、正孔注入層または正孔輸送層と、発光画素(発光領域)に対応する部分に発光層を積層し、前面に正孔ブロック層を積層した後に陰極および封止層を積層した構造の有機EL装置の製造方法において、前記発光画素に対応する部分に発光層を積層する手段として、マスク蒸着法を用いた例を示す。本実施例の有機EL装置の断面図は、図2と同様である。
陽極2としてITOをパターニングした後に174nmのUV照射処理を行い、正孔注入層または正孔輸送層3としてm−MTDATAおよびTPDを蒸着した。このとき、これらの層を発光画素にあわせてフィジカルマスク越しにマスク蒸着してもよい。次に発光層5の材料Alq3を、発光画素に合わせてフィジカルマスク越しにマスク蒸着した。正孔ブロック層6としてフッ化リチウムを真空中で蒸着した。次に陰極7としてカルシウム、続いてアルミニウムを蒸着した。
さらに封止、実装して有機EL装置とした。封止方法としては、ここでは陰極7上の全面にエポキシ樹脂からなる封止材8を設け、その上に封止用のガラス板9を設けたが、金属やガラスを用いた缶封止を行ってもよい。いずれの封止方法の場合も、必要に応じて、封止領域内に除湿剤、脱酸素剤を封入してもよい。その他、ガスバリア性の優れた薄膜、例えば窒化アルミニウム、窒化珪素、酸化珪素などを蒸着またはスパッタする方法もある。
〔第4実施形態〕
図6は、本発明の第4実施形態に相当する有機EL装置を示す斜視図である。この有機EL装置は白色面光源であり、以下の2点を除いて、ガラス基板1面に垂直な断面は第1実施形態の図2とほぼ同じである。
【0032】
異なる点の一つは、第1実施形態の封止用ガラス板9の代わりに、上面に円形の開口部91aが規則的な配置で形成されたハウジング91を使用している点である。もう一つは、発光層5として、赤色発光材料(R)、緑色発光材料(G)、青色発光材料(B)を繰り返し規則的に形成している点である。
また、R、G、Bの各発光層5は、ピッチ:70.5μm、1ドットの直径:40μmで形成し、同一電圧で駆動した場合に白色が得られるように、ここでは各ドット(発光層の平面をなす円)の直径を同じにして、ドット数の比率をR:G:B=2:1:4とした。
【0033】
上記以外の点は全て第1実施形態と同じ方法で、図6に示す白色面光源を作製した。この白色面光源に電圧を印加したところ白色発光を得ることができた。
なお、前記各実施形態では発光層をインクジェット法により形成しているが、スクリーン印刷法等の印刷法で形成してもよい。
また、本発明の方法においては、基板面内の発光層形成領域を囲う隔壁を形成しないが、発光層形成前の基板面に画素寸法に対応させた開口部を有する絶縁材料からなるパターンを形成し、このパターンが形成された後の基板面に対して本発明で規定する撥液化処理を行ってもよい。これにより、各画素の寸法精度を高くすることができる。この場合、発光層はこのパターンの開口部より外側の領域まで形成されるため、このパターンは前記隔壁には該当しない。
【0034】
また、前記各実施形態では、基板として透明なガラス基板1を用い、基板側に透明な陽極2を設け、陰極7を不透明にしているため、発光層5で生じた光は陰極7で反射されてガラス基板1側に出射されるが、基板側の電極(第1電極)を不透明とし第2電極を透明とすることで、発光層で生じた光を基板とは反対側に出射させるようにしてもよい。陰極の材料としては、ITOの他に、金、銀、銅や仕事関数の低いカルシウム、マグネシウム、セシウム、ストロンチウム、ルビジウムなどの金属材料を透明性を有するように薄膜化したものを用いることができる。または、マグネシウムと銀や、アルミニウムとリチウムの合金を薄膜化したのものを用いることもできる。
【0035】
この場合、第1電極が不透明であることから、基板面内の画素位置にTFT素子を形成することが可能となるため、TFT素子を画素間位置に形成する必要のある図5の構造よりも、全画素面積の基板面積に対する比率を大きくすることができる。また、不透明な基板が使用できるため、シリコン基板等の半導体基板を使用することも可能になる。
【0036】
また、前記各実施形態では、基板側の電極(第1電極)を陽極とし、基板とは反対側の電極(第2電極)を陰極としているが、第1電極を陰極、第2電極を陽極としてもよい。この場合、基板を基準とした各層の位置関係が、第1実施形態に記載された構造とは逆転する。
さらに、本発明の有機EL装置は、例えば、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、ディジタルスチルカメラ等の各種電子機器に適用することができる。
【0037】
図7は、モバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
図7において、パーソナルコンピュータ100は、キーボード102を備えた本体部104と、本発明の有機EL装置からなる表示ユニット106とから構成されている。
図8は、携帯電話の斜視図である。図8において、携帯電話200は、複数の操作ボタン202の他、受話口204、送話口206と共に、本発明の有機EL装置からなる表示パネル208を備えている。
【0038】
図9は、ディジタルスチルカメラ300の構成を示す斜視図である。なお、外部機器との接続についても簡易的に示している。通常のカメラは、被写体の光像によってフィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ300は、被写体の光像をCCD(Charge coupled device)等の撮像素子により光電変換して撮像信号を生成するものである。
【0039】
ここで、ディジタルスチルカメラ300におけるケース302の背面には、本発明の有機EL装置からなる表示パネル304が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて、表示を行う構成となっている。このため、表示パネル304は、被写体を表示するファイダとして機能する。また、302の観察側(図においては裏面側)には、光学レンズやCCD等を含んだ受光ユニット306が設けられている。
【0040】
ここで、撮影者が表示パネル304に表示された被写体像を確認して、シャッタボタン308を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、回路基板310のメモリに転送されて格納される。また、このディジタルスチルカメラ300にあっては、ケース302の側面にビデオ信号出力端子312と、データ通信用の入出力端子314とが設けられている。
【0041】
そして、図示されているように、ビデオ信号出力端子312にはテレビモニタ430が、データ通信用の入出力端子314にはパーソナルコンピュータ440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作によって、回路基板310のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ430やパーソナルコンピュータ440に出力される構成となっている。
【0042】
なお、本発明の有機EL装置を表示部等として適用できる電子機器としては、図7のパーソナルコンピュータ、図8の携帯電話、および図9のディジタルスチルカメラの他にも、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、およびタッチパネルを備えた機器等を挙げることができる。
【0043】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の方法によれば、従来は形成することが前提となっている隔壁(発光層形成領域を囲う隔壁)を形成しないで、有機EL装置を形成するため、製造コストを低減することができる。
特に、請求項6の方法によれば、非発光領域の絶縁性が確実に確保できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に相当する有機EL装置の製造方法を説明する工程図である。
【図2】第1及び第3実施形態の方法で得られた有機EL装置を示す断面図である。
【図3】第1実施形態の方法で得られた有機EL装置の、発光層の位置での発光特性および電流特性を測定した結果を示すグラフである。
【図4】有機EL装置の隣り合う発光層間の位置(非発光領域)での電流特性を測定した結果を示すグラフであって、曲線aは第1実施形態の方法で得られた有機EL装置について、曲線bは、この装置において、非発光領域にフッ素含有層4を形成しなかった場合、曲線cは、非発光領域にフッ化リチウム薄膜を形成しなかった場合、曲線dは、非発光領域にフッ素含有層とフッ化リチウム薄膜の両方を形成しなかった場合についての結果を示す。
【図5】第2実施形態の方法で得られた有機EL装置を示す断面図である。
【図6】第4実施形態の方法で得られた有機EL装置を示す斜視図である。
【図7】本発明の有機EL装置を適用した電子機器の一例に相当するパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図8】本発明の有機EL装置を適用した電子機器の一例に相当する携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図9】本発明の有機EL装置を適用した電子機器の一例に相当するディジタルスチルカメラの背面側の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
1 ガラス基板
2 陽極(第1電極層)
3 正孔注入/輸送層
4 フッ素含有層(フッ素を含む材料からなる層)
5 発光層
50 液滴
6 フッ化リチウム薄膜(正孔ブロック層)
7 リチウム/アルミニウム積層薄膜(陰極)
8 エポキシ樹脂からなる封止材
9 封止用のガラス板
15 TFT素子
16 絶縁層
91 ハウジング
91a 開口部
100 パーソナルコンピュータ
102 キーボード
104 本体部
106 表示ユニット
200 携帯電話
202 操作ボタン
204 受話口
206 送話口
208 表示パネル
300 ディジタルスチルカメラ
302 ケース
304 表示パネル
308 シャッタボタン
310 回路基板
312 ビデオ信号出力端子
314 データ通信用の入出力端子
430 テレビモニタ
440 パーソナルコンピュータ
Claims (8)
- 基板上に、少なくとも第1電極層、発光層、第2電極層を順次形成する工程を有し、発光材料を含有する液体を前記基板上の発光領域に配置することで前記発光層の形成を行う工程を含む有機EL装置の製造方法において、
前記基板上の前記発光領域に前記第1電極層を形成する工程と、
前記発光層を形成する前に前記基板上の前記発光領域及び前記発光領域間双方に、フッ化アルキルカップリング剤を塗布することにより前記液体の液滴の接触角が15°以上90°以下となるように撥液化処理を施す工程と、
前記撥液化処理が施された基板上の、前記第1電極層形成位置に対応する領域に前記液体を配置することにより、前記発光領域に前記発光層を形成する工程と、を有し、
前記発光領域に前記発光層を形成する工程の前に、前記発光領域を囲う隔壁を形成する工程を含まないことを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 前記発光層を形成する工程においては、インクジェット法により前記基板上の複数の発光領域に前記発光層を形成することを特徴とする請求項1記載の有機EL装置の製造方法。
- 前記撥液化処理を施す工程の前に、前記撥液化処理を行う前の基板に対して、酸素ラジカルを導入する処理を行う工程を有することを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL装置の製造方法。
- 基板上に、少なくとも第1電極層、発光層、第2電極層を順次形成する工程を有し、発光材料を含有する液体を前記基板上の発光領域に配置することで前記発光層の形成を行う工程を含む有機EL装置の製造方法において、
前記基板上に、前記第1電極層の材料となる薄膜を形成し、フォトリソグラフィとエッチングにより前記基板上の発光領域に前記第1電極層を形成する工程と、
前記発光層を形成する前に前記基板上の前記発光領域及び前記発光領域間双方に、前記液体の液滴の接触角が15°以上90°以下となるように撥液化処理を施す工程と、
前記第1電極層が形成された位置に対応する前記撥液化処理が施された基板上に、前記液体を配置することにより前記発光層を形成する工程と、
前記基板上における前記発光領域及び前記発光領域間に、電子を通過させ、かつ、正孔を通過させない正孔ブロック層を形成する工程と、を有し、
前記発光領域に前記発光層を形成する工程の前に、前記発光領域を囲う隔壁を形成する工程を含まないことを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 前記基板上における前記発光領域及び前記発光領域間に、正孔を通過させ、かつ、電子を通過させない電子ブロック層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項4記載の有機EL装置の製造方法。
- 前記第1電極層は陽極であり、前記第2電極層は陰極であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。
- 前記正孔ブロック層は、アルカリ金属のフッ化物またはアルカリ土類金属のフッ化物からなる金属フッ化物層であることを特徴とする請求項6記載の有機EL装置の製造方法。
- 前記第1電極層と前記発光層との間に正孔注入/輸送層を形成する工程を有し、前記撥液化処理を施す工程においては、前記該正孔注入/輸送層に対して撥液化処理を行うことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/925,320 US6906458B2 (en) | 2000-08-11 | 2001-08-10 | Method for manufacturing organic EL device, organic EL device and electronic apparatus |
JP2001244851A JP4026336B2 (ja) | 2000-08-11 | 2001-08-10 | 有機el装置の製造方法 |
US11/117,458 US20050253131A1 (en) | 2000-08-11 | 2005-04-29 | Method for manufacturing organic EL device, organic EL device, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000244591 | 2000-08-11 | ||
JP2000-244591 | 2000-08-11 | ||
JP2001244851A JP4026336B2 (ja) | 2000-08-11 | 2001-08-10 | 有機el装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002124381A JP2002124381A (ja) | 2002-04-26 |
JP4026336B2 true JP4026336B2 (ja) | 2007-12-26 |
Family
ID=26597854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001244851A Expired - Fee Related JP4026336B2 (ja) | 2000-08-11 | 2001-08-10 | 有機el装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6906458B2 (ja) |
JP (1) | JP4026336B2 (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2003211786A1 (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting device |
TW594617B (en) * | 2002-03-13 | 2004-06-21 | Sanyo Electric Co | Organic EL display panel and method for making the same |
JP4060113B2 (ja) * | 2002-04-05 | 2008-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP3729262B2 (ja) | 2002-08-29 | 2005-12-21 | セイコーエプソン株式会社 | エレクトロルミネセンス装置及び電子機器 |
JP3997888B2 (ja) | 2002-10-25 | 2007-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
GB0226401D0 (en) * | 2002-11-12 | 2002-12-18 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent devices and their manufacture |
US7052351B2 (en) * | 2002-12-31 | 2006-05-30 | Eastman Kodak Company | Using hole- or electron-blocking layers in color OLEDS |
EP1596637A4 (en) * | 2003-02-20 | 2007-09-05 | Fujifilm Corp | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
GB0306409D0 (en) * | 2003-03-20 | 2003-04-23 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent device |
US6969166B2 (en) * | 2003-05-29 | 2005-11-29 | 3M Innovative Properties Company | Method for modifying the surface of a substrate |
US20040241323A1 (en) * | 2003-05-29 | 2004-12-02 | 3M Innovative Properties Company | Method for applying adhesive to a substrate |
US20040241396A1 (en) * | 2003-05-29 | 2004-12-02 | 3M Innovative Properties Company | Method of modifying a surface of a substrate and articles therefrom |
US20040241395A1 (en) * | 2003-05-29 | 2004-12-02 | 3M Innovative Properties Company | Method of modifying a surface of a substrate and articles therefrom |
JP2005041835A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Fuji Xerox Co Ltd | カーボンナノチューブ構造体、その製造方法、カーボンナノチューブ転写体および溶液 |
US7291967B2 (en) | 2003-08-29 | 2007-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof |
JP3923038B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2007-05-30 | 株式会社東芝 | 有機el発光表示装置及びその製造方法 |
US7902747B2 (en) | 2003-10-21 | 2011-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide |
JP3994994B2 (ja) * | 2003-10-23 | 2007-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置の製造方法、有機el装置、電子機器 |
US6992326B1 (en) | 2004-08-03 | 2006-01-31 | Dupont Displays, Inc. | Electronic device and process for forming same |
US7166860B2 (en) | 2004-12-30 | 2007-01-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic device and process for forming same |
JP4604743B2 (ja) * | 2005-02-01 | 2011-01-05 | セイコーエプソン株式会社 | 機能性基板の製造方法、機能性基板、微細パターンの形成方法、導電膜配線、電子光学装置および電子機器 |
JP4876415B2 (ja) | 2005-03-29 | 2012-02-15 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置の製造方法、デバイスの製造方法 |
KR100729089B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2007-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그 제조방법 |
US9166197B2 (en) * | 2005-08-29 | 2015-10-20 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Metallic anode treated by carbon tetrafluoride plasma for organic light emitting device |
JP4904903B2 (ja) * | 2006-04-20 | 2012-03-28 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
US8093806B2 (en) | 2007-06-20 | 2012-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus |
US9105867B2 (en) | 2007-07-04 | 2015-08-11 | Koninklijke Philips N.V. | Method for forming a patterned layer on a substrate |
US7813907B2 (en) * | 2007-07-12 | 2010-10-12 | Seiko Epson Corporation | Hybrid method for enforcing curvature related boundary conditions in solving one-phase fluid flow over a deformable domain |
JP2009076779A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Casio Comput Co Ltd | 有機el素子およびその製造方法 |
US8410476B2 (en) * | 2007-09-28 | 2013-04-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent display device and production method thereof |
JP2009211890A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | 有機el表示装置 |
US7899654B2 (en) * | 2008-03-06 | 2011-03-01 | Seiko Epson Corporation | Hybrid front tracking algorithm for solving single phase fluid equations with a moving boundary on a quadrilateral grid |
US7930155B2 (en) * | 2008-04-22 | 2011-04-19 | Seiko Epson Corporation | Mass conserving algorithm for solving a solute advection diffusion equation inside an evaporating droplet |
KR101107160B1 (ko) | 2009-07-10 | 2012-01-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2012227284A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Seiko Epson Corp | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
CN103718321B (zh) * | 2011-08-03 | 2016-03-30 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机发光元件 |
JP2013033872A (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-14 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2013024885A1 (ja) * | 2011-08-18 | 2013-02-21 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
US9502435B2 (en) | 2015-04-27 | 2016-11-22 | International Business Machines Corporation | Hybrid high electron mobility transistor and active matrix structure |
KR20180077439A (ko) | 2016-12-29 | 2018-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN109962094B (zh) * | 2018-06-22 | 2021-05-28 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4356429A (en) * | 1980-07-17 | 1982-10-26 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent cell |
GB9507862D0 (en) * | 1995-04-18 | 1995-05-31 | Cambridge Display Tech Ltd | Fabrication of organic light-emitting devices |
JP3899566B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
US6274979B1 (en) * | 1997-09-17 | 2001-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Organic light emitting diodes |
US6075316A (en) * | 1997-12-15 | 2000-06-13 | Motorola, Inc. | Full color organic electroluminescent display device and method of fabrication |
EP0929104B1 (en) * | 1998-01-09 | 2009-08-05 | Sony Corporation | Electroluminescence device and process for producing the same |
JP3206646B2 (ja) * | 1998-01-22 | 2001-09-10 | 日本電気株式会社 | 多色発光有機elパネルおよびその製造方法 |
US6396208B1 (en) * | 1998-01-27 | 2002-05-28 | Nec Corporation | Organic electroluminescent device and its manufacturing process |
US6403237B1 (en) * | 1998-06-10 | 2002-06-11 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Polymeric fluorescent substance and organic electroluminescence device |
TW439387B (en) * | 1998-12-01 | 2001-06-07 | Sanyo Electric Co | Display device |
JP2000228284A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーel表示装置 |
US6361886B2 (en) * | 1998-12-09 | 2002-03-26 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved hole transport layer |
US6114088A (en) * | 1999-01-15 | 2000-09-05 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element for forming multilayer devices |
US6384427B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
US6876144B2 (en) * | 2002-09-09 | 2005-04-05 | Kuan-Chang Peng | Organic electroluminescent device having host material layer intermixed with luminescent material |
TW534335U (en) * | 2002-09-11 | 2003-05-21 | Delta Electronics Inc | Filter wheel module of image display device |
-
2001
- 2001-08-10 US US09/925,320 patent/US6906458B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-10 JP JP2001244851A patent/JP4026336B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-29 US US11/117,458 patent/US20050253131A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002124381A (ja) | 2002-04-26 |
US6906458B2 (en) | 2005-06-14 |
US20050253131A1 (en) | 2005-11-17 |
US20020057051A1 (en) | 2002-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4026336B2 (ja) | 有機el装置の製造方法 | |
JP4058930B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
KR101933266B1 (ko) | 표시 장치 및 전자 기기 | |
KR100941129B1 (ko) | 발광장치 및 그의 제조방법 | |
US7128632B2 (en) | Method for manufacturing light-emitting device | |
JP4655942B2 (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器 | |
JP5808624B2 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
US7777411B2 (en) | Light-emitting device, method of producing light-emitting device, exposure unit, and electronic device | |
CN108321175B (zh) | 基板及其制造方法、显示装置 | |
US7116045B2 (en) | Display panel, electronic apparatus with the same, and method of manufacturing the same | |
JP4770519B2 (ja) | 有機発光装置、有機発光装置の製造方法および電子機器 | |
JP4651916B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP4288918B2 (ja) | 有機elパネルおよびその製造方法、それを用いた電気光学パネル並びに電子機器 | |
KR20060094685A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
JP5759760B2 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
TW200306132A (en) | Light emitting apparatus and method of fabricating the same | |
JP2022071025A (ja) | 表示装置および電子機器 | |
US20090218943A1 (en) | Display device and electronic equipment | |
JP3893916B2 (ja) | 有機el装置の製造方法および有機el装置、電子機器 | |
JP2004006278A (ja) | 発光装置およびその作製方法 | |
US7355337B2 (en) | Display panel, electronic apparatus with the same, and method of manufacturing the same | |
JP4066637B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 | |
JP2008004376A (ja) | デバイス、薄膜形成方法及びデバイスの製造方法並びに電子機器 | |
JP4284971B2 (ja) | 有機elパネルの製造方法 | |
JP4341201B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法、電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070205 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070508 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070621 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070918 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071001 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131019 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |