JP4058930B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置の構造及びその製造方法、並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬと称す）素子は、少なくとも一層の発光性有機層が陰極と陽極との間に配置された構造を有する自発光性素子であり、液晶表示素子と比較して、応答速度が速く視野角度が広い等、 表示素子としての利点を多く備えているため、表示装置の画素や光源等を含む多種多様な用途での実用化が検討されている。
【０００３】
ここで、加速する情報端末の携帯化に伴って、省電力ディスプレイ（表示装置）を実現するために、有機ＥＬ素子をＴＦＴ (Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ) 等のアクティブ素子で駆動させる手段が知られている。これにより、有機ＥＬ素子を直流電圧により駆動することができるため、有機ＥＬ素子に負担をかけずに低電圧で、且つ、発光効率の高い領域で駆動することが可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記ＴＦＴなどを用いたアクティブマトリックス構造を有する有機ＥＬ表示装置（ディスプレイ）においては、画素毎に設けられるＴＦＴの回路によって発光層の面積が制限され、開口率が低くなるという問題があった。そのため、表示輝度を上げるには、画素あたりの輝度を高める必要があるため、駆動電圧及び消費電力が高くなり、有機ＥＬ素子の寿命が短くなってしまうという不具合があった。
【０００５】
このような不具合を解消するために、特開２０００−３６３９１号公報において、補助配線を用いて電極の抵抗を下げ、輝度や効率を向上させる手段が開示されている。しかし、アクティブマトリックス構造の有機ＥＬディスプレイに応用するには、その構造上困難であった。
そこで、本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることによって均一な発光を実現するとともに、ＴＦＴ等アクティブ素子を用いても開口率および光透過率を低下させることのない有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供することを課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなり、少なくとも前記陰極の上面或いは下面に接するように補助陰極が形成され、前記補助陰極が、前記発光領域間に形成され、かつ、前記発光領域間隔壁の上面における内側領域のみに形成されてなるとともに、前記補助陰極の形成されていない前記発光領域間隔壁の上面には、撥液処理が施されてなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなり、少なくとも前記陰極の上面或いは下面に接するように、補助陰極が形成され、前記補助陰極が、前記陰極における前記発光領域間隔壁上に積層された部分に接するように形成され、かつ、前記発光領域間隔壁の上面における内側領域のみに形成されてなるとともに、前記補助陰極の形成されていない前記発光領域間隔壁の上面には、撥液処理が施されてなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記補助陰極が、耐酸化性を有する導電性材料からなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記補助陰極が、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれか、或いはこれら各金属の合金からなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記補助陰極が、光吸収性を有する導電性材料からなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記補助陰極が、カーボンまたはクロムからなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記陽極が、少なくとも一種類の金属を薄膜化することにより透明性を有する導電性材料からなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記陰極が、少なくとも一種類の金属を薄膜化することにより透明性を有する導電性材料からなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記陰極が、少なくとも一種類の導電性材料と、金属酸化物または金属弗化物との積層からなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記発光領域間隔壁と、前記発光性有機層の前記発光領域間隔壁寄りの縁部とが、絶縁性膜の上に形成されてなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記基板の上面に、アクティブマトリックス式の駆動回路を形成するＴＦＴを備えたことを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記ＴＦＴが、前記発光領域間隔壁の下に形成されてなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記基板として集積回路を形成した半導体基板を用いたことを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記陰極或いは前記補助陰極のさらに上面に、前記発光領域間隔壁と対応する部分に光吸収性層が具備された保護板が、封止樹脂を介して張り合わされてなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記発光領域及び前記発光領域間隔壁の上面における該発光領域寄りの縁部は覆い、当該発光領域間隔壁の内側領域は露出させるマスクを利用することにより、前記発光領域間隔壁の内側領域のみに補助陰極を形成する工程と、前記補助陰極が形成されていない前記発光領域間隔壁の上面に、撥液処理を施す工程と、を含むことを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、少なくとも発光領域間隔壁が形成された基板の上面に導電性薄膜を成膜することで、前記発光領域間隔壁で囲まれた凹部に成膜された前記薄膜によって陽極を形成し、前記発光領域間隔壁の上面に成膜された前記薄膜によって補助陰極を形成する工程を含むことを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記陽極が積層された前記基板の上面において、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間隔壁寄りの縁部を除いた内側領域は覆い、前記発光領域間隔壁の形成領域と、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間隔壁寄りの縁部とは露出させるようにパターニングすることで、前記発光領域間隔壁の形成領域と、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間隔壁寄りの縁部とに、絶縁性膜を形成する工程を含むことを特徴とする。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、前記発光領域間に形成されてなることを特徴としている。
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、前記陰極における前記発光領域間隔壁上に積層された部分に接するように形成されてなることを特徴としている。
【０００８】
請求項４に記載の発明は、請求項２又は３に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、前記発光領域間隔壁と実質的に同一パターンで形成されてなることを特徴としている。
請求項５に記載の発明は、請求項２又は３に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、前記発光領域間隔壁の上面における前記発光領域寄りの縁部を除いた内側領域のみに形成されてなるとともに、前記補助陰極の形成されていない前記発光領域間隔壁の上面には、撥液処理が施されてなることを特徴としている。
【０００９】
請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、耐酸化性を有する導電性材料からなることを特徴としている。
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれか、 或いはこれら各金属の合金からなることを特徴としている。
【００１０】
請求項８に記載の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、光吸収性を有する導電性材料からなることを特徴としている。
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、カーボンまたはクロムからなることを特徴としている。
【００１１】
請求項１０に記載の発明は、 請求項１〜９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記陽極が、少なくとも一種類の金属を薄膜化することにより透明性を有する導電性材料からなることを特徴としている。
請求項１１に記載の発明は、請求項１〜１０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記陰極が、少なくとも一種類の金属を薄膜化することにより透明性を有する導電性材料からなることを特徴としている。
【００１２】
請求項１２に記載の発明は、請求項１〜１０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記陰極が、少なくとも一種類の導電性材料と、金属酸化物または金属弗化物との積層からなることを特徴としている。
請求項１３に記載の発明は、請求項１〜１２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記発光領域間隔壁と、前記発光性有機層の前記発光領域間隔壁寄りの縁部とが、絶縁性膜の上に形成されてなることを特徴としている。
【００１３】
請求項１４に記載の発明は、請求項１〜１３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記基板の上面に、アクティブマトリックス式の駆動回路を形成するＴＦＴを備えたことを特徴としている。
請求項１５に記載の発明は、請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記ＴＦＴが、前記発光領域間隔壁の下に形成されていることを特徴としている。
【００１４】
請求項１６に記載の発明は、請求項１４又は１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記基板として集積回路を形成した半導体基板を用いたことを特徴としている。
請求項１７に記載の発明は、請求項１〜１６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記陰極或いは前記補助陰極のさらに上面に、前記発光領域間隔壁と対応する部分に光吸収性層が具備された保護板が、封止樹脂を介して張り合わされてなることを特徴としている。
【００１５】
請求項１８に記載の発明は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記発光領域は覆い、前記発光領域間隔壁上は露出させるマスクを利用することにより、前記発光領域間隔壁上に形成された陰極の上面或いは下面に接するように補助陰極を形成する工程を含むことを特徴としている。
【００１６】
請求項１９に記載の発明は、請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記発光領域間隔壁と同一パターンを有するマスクを用いて、前記発光領域間隔壁上に、前記補助陰極を形成する工程を含むことを特徴としている。
請求項２０に記載の発明は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記発光領域及び前記発光領域間隔壁の上面における該発光領域寄りの縁部は覆い、当該発光領域間隔壁の内側領域は露出させるマスクを利用することにより、前記発光領域間隔壁の内側領域のみに補助陰極を形成する工程と、前記補助陰極が形成されていない前記発光領域間隔壁の上面に、撥液処理を施す工程と、を含むことを特徴としている。
【００１７】
請求項２１に記載の発明は、 基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、少なくとも発光領域間隔壁が形成された基板の上面に導電性薄膜を成膜することで、前記発光領域間隔壁で囲まれた凹部に成膜された前記薄膜によって陽極を形成し、前記発光領域間隔壁の上面に成膜された前記薄膜によって補助陰極を形成する工程を含むことを特徴としている。
【００１８】
請求項２２に記載の発明は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記陽極が積層された前記基板の上面において、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間隔壁寄りの縁部を除いた内側領域は覆い、前記発光領域間隔壁の形成領域と、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間隔壁寄りの縁部とは露出させるようにパターニングすることで、前記発光領域間隔壁の形成領域と、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間隔壁寄りの縁部とに、絶縁性膜を形成する工程を含むことを特徴としている。
【００１９】
請求項２３に記載の発明は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、 複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記陽極が積層された前記基板の上面に、前記発光領域間隔壁用絶縁層を積層し、さらにその上面に補助陰極用導電層を積層する工程と、前記補助陰極の上面に、 前記発光領域の形成予定領域が露出するようにマスクを形成したのち、前記発光領域間隔壁用絶縁層と前記補助陰極壁用導電層とを同時にエッチングして前記発光領域間隔壁と前記補助陰極とを形成する工程と、を備えたことを特徴としている。
【００２０】
請求項２４に記載の発明は、表示体と、当該表示体に駆動電流を供給する駆動回路と、を備えた電子機器において、前記表示体として、請求項１〜１７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴としている。
本発明における有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板上に、少なくとも一層の発光性有機層が陰極と陽極に挟まれて積層され、この発光性有機層を絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割することで発光領域群を形成した構成を有しており、陰極の上面或いは下面に接するように、補助陰極を形成したことによって、陰極及び補助陰極に水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることができるようになる。このため、装置全面に渡って均一な発光を得ることが可能となる。
【００２１】
また、陰極に接している補助陰極によって、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることができるため、陰極自体の膜厚を薄くすることが可能となる。よって、薄膜化することにより透明性を有する陰極を用いた場合、より光透過性を向上させることが可能となる。
特に、請求項３に記載の発明において、補助陰極を、陰極における発光領域間隔壁の上に積層された部分に接するように形成したことによって、発光領域群を構成する各発光領域には薄い陰極を形成することができる。このため、薄膜化することで透明性を有する陰極を用いた場合、陰極側からの発光を得ることが可能となるとともに、光透過率及び発光効率を向上させることが可能となる。
【００２２】
ここで、発光領域間隔壁上の陰極上面に接するように補助陰極を形成するようにすれば、補助陰極を後付けすることが出来るようになるため、補助陰極に様々な材料を用いることができ、その材料特有の効果を付与することが出来る。
また、陰極側から発光させることによって、基板として、シリコン等半導体基板や金属基板等不透明な材料を用いることが可能となる。よって、例えば、シリコン基板上に集積回路を形成し、 その上に有機ＥＬ素子を組み込む等、有機ＥＬ装置自体の小型化を図ることが可能となる。
【００２３】
また、請求項４に記載の発明において、補助陰極を、発光領域間隔壁と実質的に同一パターンで形成するようにしたことによって、補助陰極が、各発光領域の周囲を網羅するため、装置全面に渡ってより均一な発光を得ることが可能となる。
さらに、請求項５及び請求項２０に記載の発明において、補助陰極が、発光領域間隔壁上における発光領域寄りの縁部を除いた内側領域のみに形成されているとともに、補助陰極の形成されていない発光領域間隔壁上には、 撥液処理が施されていることによって、発光領域間隔壁間に発光性有機層を形成する工程が容易且つ確実に行えるとともに、均一な発光性有機層を形成することが可能となる。
【００２４】
ここで、撥液処理としては、例えば、ＣＦ4 プラズマ照射法等いずれの方法を適用することができる。
さらに、請求項８に記載の発明において、補助陰極を光吸収性を有する導電性材料から形成することによって、光放射側から見る場合、発光領域間には光吸収性の前記補助陰極が見えるため、外光が吸収され、コントラストが高められるようになる。
【００２５】
さらに、請求項１３に記載の発明において、発光領域間隔壁と、発光性有機層の発光領域間隔壁寄りの縁部とが、絶縁性膜の上に形成されていることによって、例えば、インクジェット法によって発光性有機層を凹状に形成した場合、発光性有機層の厚さの違いを見かけ上緩衝することが可能となる。つまり、凹状に形成される発光性有機層の周縁部と中央部との厚みを見かけ上均一にすることで、厚みによって異なる色の発光を均一にすることができるようにする。一方、発光性有機層を凸状に形成した場合に、電極間の距離が短くなる発光性有機層の周囲部において、電極間のショートを抑制することが可能となる。
【００２６】
さらに、請求項１５に記載の発明において、アクティブマトリックス式駆動回路を形成するＴＦＴを、 発光領域間隔壁の下に形成したことによって、発光領域開口部の面積をＴＦＴとは無関係に設計することが可能となる。よって、開口率を向上させ、低駆動電圧及び低消費電力で輝度を向上させることが可能となるため、有機ＥＬ装置の高寿命を実現させることが可能となる。
【００２７】
さらに、請求項１６に記載の発明において、基板として集積回路を形成した半導体基板を用いたことによって、携帯端末の電子回路、ディスプレイ駆動用のコントローラー、ドライバー、電源回路等装置に必要とされる電子回路をすべて半導体基板上に形成し、さらに有機ＥＬ素子駆動用のトランジスタまで形成できるため、装置の高性能化及びコスト削減を同時に実現させることが可能となる。
【００２８】
さらに、請求項１７に記載の発明において、陰極或いは補助陰極のさらに上面に、発光領域間隔壁と対応する部分に光吸収性層が具備された保護板を、封止樹脂を介して張り合わさせたことによって、補助陰極とは別に、発光領域間に光吸収部を設けることができるため、請求項８と同様の効果を得ることが可能となる。
【００２９】
本発明における有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、請求項１〜１７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を容易に製造することが可能となる。
ここで、補助陰極のパターニングとしてはマスク蒸着法、インクジェット法、印刷法などを用いることが出来る。
【００３０】
本発明における電子機器において、表示体として、 本発明における有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことによって、光透過率及び発光効率が良好で、且つ、小型化を実現させることが可能となる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照して説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明に係る第１実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
第一実施形態における有機ＥＬ表示体（パネル）１００ａは、図１に示すように、基板１０と、その上面に形成される積層体２０と、この積層体２０を分割して発光領域となる発光画素領域を形成する画素間隔壁３０と、積層体２０のさらに上面に、酸素及び水分の侵入を抑制するために封止剤４０を介して張付けられる保護基板５０と、から構成されており、発光領域間隔壁３０の上面には、その画素間隔壁３０と同一パターンの補助陰極６０が形成されている。
【００３２】
積層体２０は、基板１０の上面に順次積層される陽極層２１、正孔注入層２２、発光性有機層（発光層）２３、陰極層２４、とから構成されている。ここで、陽極層２１の形成材料としては、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）や、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）を用いることができる。正孔注入層２２の形成材料としては、バイトロン（登録商標、バイエル社製）や、低分子のＴＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、銅フタロシアニン等を用いることができる。発光層２３の形成材料としては、例えば、ポリフルオレン、ＰＰＶなどの高分子材料や、Ａｌｑ3 などの低分子材料を用いることができる。陰極層２４の形成材料としては、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）など仕事関数の低いアルカリ金属やアルカリ土類金属などの材料を用いることにより、高い効率を得るとともに、その上面にアルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）などの耐酸化性及び導電性を併せ持つ金属の積層或いは合金化を行うことによって、耐酸化性及び導電性を向上させるようにすることが好ましい。ここで、陰極層２４として、ＩＴＯや薄膜化することにより透明性を有する金属材料を用いれば、陰極層２４側から発光を得ることができるようになり、そのときの陽極２１側の基板１０には不透明な材料を用いることが可能となる。
【００３３】
画素間隔壁３０は、絶縁体材料であるポリイミドやアクリル樹脂などから構成されており、基板１０の上面に所定形状に積層された陽極２１間に形成され、積層体２０を分割し、複数の発光画素領域２０Ａからなる発光画素群を形成している。
保護基板５０は、ガラス、金属、シリコン等半導体、プラスチック等から構成されており、封止剤４０として、２液性のエポキシ系熱硬化性樹やＵＶ硬化性樹脂等を用いて、基板１０と張り合わせ封止している。
【００３４】
補助陰極６０は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の耐酸化性を有する導電性材料や、カーボン、クロム等の光吸収性を有する導電性材料から形成される。特に、補助陰極６０として、耐酸化性を有するタンタルを用いた場合、陰極２４としてＣａを２〜２０ｎｍ、Ａｌを３ｎｍ程度の膜厚とすることができ、従来の膜厚（Ａｌの場合２００ｎｍ）に比べ薄くすることができるため、透明性を有する陰極層２４を用いた場合には、光透過性を向上させることが可能となる。また、補助陰極６０として、光吸収性を有する材料を用いた場合には外光を吸収できるため、陰極層２４側から発光する際には、より高いコントラストを得ることができる。
【００３５】
次に、第１実施形態に記載の有機ＥＬパネル１００ａの製造方法について説明する。
まず、基板１０の上面に、ＩＴＯなどからなる陽極用の薄膜を、 例えばスパッタリング法によって５０ｎｍの膜厚で成膜したのち、フォトリソグラフィ工程によりパターニング及びエッチングを行うことによって、所定形状の陽極層２１を形成する。
【００３６】
次いで、画素間隔３０の形成材料であるアクリル樹脂を陽極層２１のさらに全上面に塗布したのち、同様にフォトリソグラフィ工程によりパターニング及びエッチングを行うことによって、陽極層２１の形成部位以外の基板１０上面に、高さ１〜２μｍ程度の画素間隔壁３０を形成する。
次いで、画素間隔壁３０の上面から、補助陰極６０としてタンタルを、 例えばスパッタリング法によって１００ｎｍの膜厚で成膜したのち、画素間隔壁３０と同様のパターンとなるように、フォトリソグラフィ工程によりパターニング及びエッチングを行うことによって、画素間隔壁３０の上面に補助陰極６０を形成する。
【００３７】
次いで、画素間隔壁３０で区画された発光画素領域２０Ａ内に、正孔注入層２２としてバイトロン（バイエル社製）をスピンコート法などで６０ｎｍの膜厚で成膜する。ただし、膜厚はこの限りではなく、例えば１〜２００ｎｍの範囲を用いることができるが、５０〜７０ｎｍの範囲がより好ましい。
次いで、正孔注入層２２の上面に、発光層２３として赤、緑、青の発光材料であるポリフルオレン系の材料をインクジェット法などで各発光画素領域２０Ａ内にそれぞれ６０ｎｍの膜厚で成膜する。ただし、膜厚はこの限りではなく、例えば、１〜２００ｎｍの範囲を用いることができるが、５０〜８０ｎｍの範囲がより好ましい。ここで、発光層２３として、低分子材料を用いる場合には蒸着法等で形成することが望ましい。
【００３８】
次いで、発光層２３の上方及び画素間隔壁３０の上方、すなわち基板１０面全体に、陰極層２４として金属弗化物、例えば弗化リチウムを全面に２ｎｍの膜厚で蒸着したのち、順次、Ｃａを２０ｎｍ、Ａｌを３ｎｍの膜厚で蒸着して形成する。なお、金属弗化物の代わりに金属酸化物としてもよい。
次いで、陰極層２４の上面に、ガラスからなる保護基板５０を、２液性のエポキシ熱硬化性樹脂を用いて、基板１０と張り合わせ封止する。
【００３９】
上記構成の有機ＥＬパネル１００ａにおいて、画素間隔壁３０の上面に、同一パターンとなるように補助陰極６０を形成したことによって、発光画素領域２０Ａの周囲を網羅するように、陰極層２４と補助陰極６０とからなる厚い導電性膜が形成されるようになるため、有機ＥＬパネル１００ａの水平方向に電流が流れる際の電圧抵抗を極小さくすることができるようになるため、全体として均一な発光を得ることが可能となる。
（第２実施形態）
図２は、本発明に係る第２実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。図３は、図２における補助陰極まで形成した状態を示す斜視図である。
【００４０】
第２実施形態における有機ＥＬパネル１００ｂは、図３に示すように、第１実施形態における有機ＥＬパネル１００ａにおいて、補助陰極６０が、画素間隔壁３０上面における５μｍ幅の周縁部３０Ａ（つまり、発光画素領域２０Ａ寄りの部分）を除いた内側領域３０Ｂに形成されており、その５μｍ幅の周縁部３０Ａには、撥液処理が施されている。
【００４１】
次に、第２実施形態における有機ＥＬパネル１００ｂの製造方法について説明する。
まず、第１の実施形態の製造方法と同様に、基板１０の上面に、陽極層２１および画素間隔壁３０を形成する。
次いで、画素間隔壁３０の上面から、補助陰極６０としてタンタルを、 例えばスパッタリング法によって１００ｎｍの厚さで成膜したのち、画素間隔壁３０上面における幅５μｍの周縁部３０Ａは露出し、その周縁部３０Ａは除いた内側領域３０Ｂは覆うようにレジストのパターンを形成する。そして、エッチングを行うことで、画素間隔壁３０上面における内側領域３０Ｂのみに補助陰極６０を形成する。
【００４２】
次いで、画素間隔壁３０上面のうち、補助陰極６０が形成されていない、画素間隔壁３０の周縁部３０ＡをＣＦ4 によるプラズマ処理等により撥液化する。そして、それぞれの発光画素領域２０Ａに正孔注入層２２、発光層２３、陰極層２４を順次積層したのち、第１実施形態と同様の工程を経て、有機ＥＬパネル１００ｂを完成させる。
【００４３】
上記構成の有機ＥＬパネル１００ｂにおいて、画素間隔壁３０の内側領域３０Ｂのみに補助陰極６０を形成し、発光画素領域２０Ａ寄りの画素間隔壁３０の周縁部３０Ａを撥液化したことによって、画素間隔壁３０に囲まれた発光画素領域２０Ａ内に、正孔注入層２２を形成するための液体材料或いは発光層２３を形成するための液体材料の塗布を容易且つ確実に行うことが可能となる。ここで、図３に示すように、発光画素領域２０Ａの形状は円形である必要はなく、楕円や多角形、 或いは後述する図６に示すように、矩形体であっても良い。
（第３実施形態）
図４は、本発明に係る第３実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【００４４】
第３実施形態における有機ＥＬパネル１００ｃは、図４に示すように、第１実施形態における有機ＥＬパネル１００ａにおいて、補助陰極６０を、画素間隔壁３０に対応する陰極層２４の上面に形成している。
次に、第３実施形態における有機ＥＬパネル１００ｃの製造方法について説明する。
【００４５】
まず、第１実施形態における製造方法と同様に、基板１０の上面に、陽極層２１及び画素間隔壁３０を形成したのち、発光画素領域２０Ａ内に、正孔注入層２２、発光層２３を順次成膜する。
次いで、発光層２３の上方及び画素間隔壁３０の上方、すなわち基板１０面全体に、陰極層２４を蒸着法などによって成膜する。
【００４６】
次いで、同様に、陰極層２４の上面に補助陰極６０を形成するタンタルを蒸着したのち、フォトリソグラフィ工程によりパターニング及びエッチングを行うことによって、画素間隔壁３０に対応する陰極層２４の上面に補助陰極６０を形成する。
そして、第１の実施形態と同様の工程を経て、有機ＥＬパネル１００ｃを完成させる。
【００４７】
上記構成の有機ＥＬパネル１００ｃにおいて、陰極層２４を形成した後に補助陰極６０を形成するようにしたことによって、補助陰極６０のパターニングは画素間隔壁３０と同一にする必要がないため自由な設計ができるとともに、膜厚も厚く形成することができる。
また、画素間隔壁３０の上の陰極層２４の上面に接するように補助陰極６０を形成するようにすれば、補助陰極６０を後付けすることが出来るようになるため、補助陰極６０に様々な材料を用いることが出来、その材料特有の効果を付与することが出来る。
【００４８】
さらに、発光画素領域２０Ａ内に、正孔注入層２２、発光層２３を塗布した後に補助陰極６０を形成するため、発光画素領域２０Ａと隣接する画素間隔壁３０の周囲に撥水処理を施す必要がなくなる。
(第４実施形態）
図５は、本発明に係る第４実施形態における有機ＥＬパネルを示す断面図である。図６は、本発明に係る第４実施形態における有機ＥＬパネルを示す平面図である。
【００４９】
本実施形態における有機ＥＬパネル１００ｄは、図５に示すように、第１実施形態における有機ＥＬパネル１００ａにおいて、画素間隔壁３０及び発光層２３の画素間隔壁３０寄りの縁部が、絶縁層３０ａの上面に形成されているものである。この絶縁層３０ａには、画素間隔壁３０の下面から発光画素領域２０Ａ内部に向かって狭くなるテーパー状の傾斜が形成されている。
【００５０】
本実施の形態における有機ＥＬ素子１００ｄの製造方法は、まず、第１実施形態と同様に、基板１０の上面に所定形状を有する陽極層２１を積層したのち、その上面に、ＳｉＯ2 からなる絶縁層３０ａを、例えば、プラズマＣＶＤ法などにより１５０ｎｍの厚さで成膜する。ただし、膜厚はこの限りではなく、例えば、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましい。
【００５１】
次いで、発光層２３の形成領域のうち画素間隔壁３０寄りの縁部を除いた内側領域は覆い、画素間隔壁３０の形成領域と、発光層２３の形成領域のうち画素間隔壁３０寄りの縁部とは露出させるとともに、画素間隔壁３０側から発光領域２０Ａの内部に向かって狭まるテーパ状の斜面が形成されるように、レジストのパターンを形成する。そして、エッチングを行うことで、画素間隔壁３０の形成領域及び発光層２３の形成領域のうち画素間隔壁３０寄りの縁部に、絶縁層３０ａを形成する。
【００５２】
次いで、この絶縁層３０ａの上面に、画素間隔壁３０と、発光層２３の画素間隔壁３０寄りの縁部とが形成されるように、第一実施形態と同様の工程を行い、有機ＥＬパネル１００ｄを完成させる。
上記構成の有機ＥＬパネル１００ｄにおいて、画素間隔壁３０と、発光層２３の画素間隔壁３０寄りの縁部とを絶縁層３０ａの上面に形成したことによって、例えば、インクジェット法によって発光層２３を発光画素領域２０Ａ内に凹状となるように形成する際に、発光層２３の厚さの違いを見かけ上緩衝することが可能となる。つまり、凹状に形成される発光画素領域２０Ａの周縁部と中央部との厚みを見かけ上均一にすることで、厚みによって異なる色の発光を均一にすることができるようになる。同様に、インクジェット法によって、 発光層２３を発光画素領域２０Ａ内へ凸状となるように形成する際に、その発光層２３の厚みが小さな周縁部からの電極間のショートを抑制することが可能となる。
【００５３】
ここで、補助陰極６０は、図５（Ａ）に示すように、画素間隔壁３０の上面、つまり、陰極層２４の下面に形成してもよいし、図５（Ｂ）に示すように、画素間隔壁３０に対応する陰極層２４の上面に形成してもよい。また、補助陰極６０の形成部位は、図６（Ａ）に示すように、発光画素領域２０Ａ以外の全画素間隔壁３０の上面をカバーしてもよいし、 (ｂ) に示すように、発光画素領域２０Ａ間の所定の位置に形成するようにしても構わない。
【００５４】
(第５実施形態）
図７は、本発明に係る第５実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
本実施形態における有機ＥＬパネル１００ｅは、第１実施形態における有機ＥＬパネル１００ａにおいて、基板１０上に形成した画素間隔壁３０の下面に、各画素に対応するＴＦＴ７０が、アクティブマトリックス方式で具備されている。なお、陽極層２１としては、ＩＴＯにより形成された透明陽極が形成されており、本実施形態における有機ＥＬパネル１００ｅは、基板１０側からの発光が得られる。
【００５５】
本実施の形態における有機ＥＬパネル１００ｅの製造方法は、基板１０の上面に、各画素毎にＴＦＴ７０を形成した後、その上面に第１の実施形態と同様に、積層体２０及び画素間隔壁３０、保護板５０を形成し、有機ＥＬパネル１００ｅを完成させる。
上記構成の有機ＥＬパネル１００ｅにおいて、画素間隔壁３０の下面に、各画素に対応するＴＦＴ７０を配置したことによって、基板１０側から発光を得る際に発光層２３の面積がＴＦＴ７０によって制限されないため、発光効率を向上させることが可能となる。
【００５６】
ここで、ＴＦＴ７０は、本実施形態のように画素間隔壁３０の下面に配置されることが好適ではあるが、例えば、基板１０側に発光する場合に、発光画素領域２０Ａの下面にＴＦＴ７０が配置されたとしても、補助陰極６０によって水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることが可能となるため、駆動電圧を上げることなく、高い輝度及び発光効率を得ることが可能である。
（第６実施形態）
図８は、本発明に係る第６実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【００５７】
本実施形態に係る有機ＥＬパネル１００ｆは、第５実施形態における有機ＥＬパネル１００ｅにおいて、基板１０上に形成した発光画素領域２０Ａの下面に、各画素に対応するＴＦＴ７０が、アクティブマトリックス方式で具備されている。
ここで、陰極層２４は、ＩＴＯを薄膜化することにより透明性を有しているので、基板１０とは反対側（つまり、陰極層２４側）に発光を得る。ここで、 薄膜化し形成することにより透明性を有する陰極層２４の材料としては、金、銀、銅、カルシウム、マグネシウム、セシウム、ストロンチウム、ルビジウムなどの金属材料や、例えばマグネシウムと銀やアルミニウムとリチウムなど、これら各金属の合金を適用することができる。また、基板１０としては、シリコンウエハーなどの半導体基板や反射性を有する基板などが用いられる。
【００５８】
上記構成を有する有機ＥＬパネル１００ｆにおいて、陰極層２４側に発光が得られるため、基板１０上のＴＦＴ７０によって発光画素領域２０Ａ内の開口部は制限を受けることがない。よって、従来の開口率３０％に比べ開口率を７０％まで高めることができるため、輝度を高くすることが可能となる。
また、補助陰極６０を形成していることによって、駆動電圧を抑制することができるため、有機ＥＬ素子に掛かる負担が減り寿命も長くなる。
【００５９】
さらに、補助陰極６０を用いることによって、透明性を有する陰極層２４を用いる場合、補助陰極６０を用いない場合に比べて膜厚をさらに薄くすることができるため、透過率が高く、より輝度の高い発光を得ることが可能となる。
さらに、補助陰極６０として、光吸収性を有するカーボンやクロムを用いるようにすれば、陰極層２４側から発光する際に外光の反射率が抑えられコントラストを向上させることが可能となる。
（第７実施形態）
図９は、本発明に係る第７実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【００６０】
本実施の形態における有機ＥＬパネル１００ｇは、 第１実施形態における有機ＥＬパネル１００ａにおいて、保護基板５０の陰極層２４との接触面に、画素間隔壁３０の上面と対応するように光吸収層５１が形成されている。この保護基板５０は、第１の実施形態と同様に、陰極層２４の上面に封止剤４０を介して封止されている。
【００６１】
上記構成の有機ＥＬパネル１００ｇにおいて、画素間隔壁３０の上方に、補助陰極６０のみならず、光吸収層５１を形成したことによって、陰極層２４側から発光する際に、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくできることで均一な発光が得られるだけでなく、外光の反射を抑制させて高いコントラストを得ることが可能となる。
（第８実施形態）
図１０は、本発明に係る第８の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【００６２】
本実施の形態における有機ＥＬパネル１００ｈは、第１の実施形態における有機ＥＬパネル１００ａにおいて、陽極層２１及び補助陰極６０を同一の導電性薄膜を積層することで形成している。
本実施の形態における有機ＥＬパネル１００ｈの製造方法は、第１実施形態と同様に、基板１０上に陽極層２１としてＩＴＯを１５０ｎｍの厚さでスパッタリング法などにより成膜し、フォトリソグラフィ工程によりパターニングする。 次いで、さらにその全面にポリイミドを塗布した後、パターニングして画素間隔壁３０を形成する。
【００６３】
次いで、さらにその全面に、ＩＴＯから形成される透明性薄膜を１０ｎｍの膜厚でスパッタリングする。このとき、基板１０上に突出して形成されている画素間隔壁３０の上面に積層されるＩＴＯ薄膜は補助陰極６０として形成され、画素間隔壁３０間に形成されている凹部に積層されるＩＴＯ薄膜は陽極層２１として形成される。
【００６４】
次いで、第１実施形態と同様に手順で、画素間隔壁３０で区画された発光画素領域２０Ａ内に正孔注入層２２、発光層２３、 陰極層２４と順次積層し、封止剤４０を介して保護板５０で封止されることで、有機ＥＬパネル１００ｈを完成させる。
上記構成の有機ＥＬパネル１００ｈにおいて、補助陰極６０のパターニングにおけるマスク蒸着法やフォトリソグラフィ工程が必要ではないため、生産性を向上させることが可能となる。
【００６５】
ここで、全面にスパッタリングするＩＴＯの他に薄膜化することにより透明性を有する材料を蒸着して用いることも可能である。
上記第１〜８の実施形態において、有機ＥＬ装置の一例として有機ＥＬパネル１００ａ〜１００ｈについて説明したが、有機ＥＬ装置としてはこれに限らず、照明などの機器に適用することも可能である。
（第９実施形態）
図１１は、 本発明に係る有機ＥＬ装置を表示体として備えた有機ＥＬ表示装置（ディスプレイ）の断面図である。
【００６６】
本実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ２００は、シリコン基板上に第１〜第８のいずれかの実施形態に記載の有機ＥＬパネル１００ａ〜１００ｈで構成される表示部２０１の他に、Ｘドライバー２０２、Ｙドライバー２０３、コントローラ２０４、トランジスタ（図示しない）、 電源回路２０５、電子回路２０６等の集積回路を形成している。ここで、データ線Ｘと走査線Ｙとの交点に画素回路が設けられており、Ｘドライバー２０２によってデータ線を駆動し、Ｙドライバー２０３によって走査線Ｙを駆動している。
【００６７】
上記構成の有機ＥＬディスプレイ２００を、携帯電話、ＰＤＡ、携帯型ゲーム機などに搭載する場合、半導体基板上に全て形成できるため、これらの装置を小型かつ薄型にすることができる。
ここで、 本実施の形態において、有機ＥＬ装置を適用した電子機器の一例として、有機ＥＬディスプレイ２００について説明したが、その他、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、ディジタルスチルカメラ等に適用した実施例として、図１２〜図１４を参照して説明する。
【００６８】
図１２は、モバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
図１２において、パーソナルコンピュータ３００は、キーボード３０１を備えた本体部３０２と、前述の有機ＥＬディスプレイ２００からなる表示ユニット３０３とから構成されている。
図１３は、携帯電話の斜視図である。図１３において、携帯電話４００は、複数の操作ボタン４０１の他、受話口４０２、送話口４０３と共に、前述の有機ＥＬディスプレイ２００からなる表示パネル４０４を備えている。
【００６９】
図１４は、ディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、外部機器との接続についても簡易的に示している。
通常のカメラは、被写体の光像によってフィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ５００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge coupled device)等の撮像素子により光電変換して撮像信号を生成するものである。ここで、ディジタルスチルカメラ５００におけるケース５０１の背面には、前述した有機ＥＬディスプレイ２００からなる表示パネル５０２が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて、表示を行う構成となっている。このため、表示パネル５０２は、被写体を表示するファイダとして機能する。また、５０１の観察側（図においては裏面側）には、光学レンズやＣＣＤ等を含んだ受光ユニット５０３が設けられている。
【００７０】
ここで、撮影者が表示パネル５０２に表示された被写体像を確認して、シャッタボタン５０４を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板５０５のメモリに転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ５００にあっては、ケース５０１の側面にビデオ信号出力端子５０６と、データ通信用の入出力端子５０７とが設けられている。そして、図に示されるように、前者のビデオ信号出力端子５０６には、テレビモニタ６００が、また、後者のデータ通信用の入出力端子５０７にはパーソナルコンピュータ７００が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作によって、回路基板３１０のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ６００や、パーソナルコンピュータ７００に出力される構成となっている。
【００７１】
なお、電子機器としては、図１２のパーソナルコンピュータ３００や、図１３の携帯電話４００、図１４のディジタルスチルカメラ５００の他にも、テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができる。ここで、上記各種電子機器の表示部として、上述した有機ＥＬディスプレイ２００を適用することが可能である。
【００７２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明における有機エレクトロルミネッセンス装置によれば、少なくとも陰極の上面或いは下面に接するように補助陰極を形成したことによって、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることができるため、均一な発光を得ることが可能となる。よって、ＴＦＴなどを用いたアクティブマトリックス方式で駆動させる等、発光画素領域の開口率に制限がある場合であっても、駆動電圧を上げることなく、高輝度と高発光効率を提供することが可能となる。
【００７３】
また、補助陰極によって、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくできるため、陰極自体を薄くすることが可能となる。よって、 薄膜化することにより透明性を有する陰極を用いた場合に、光透過率をさらに向上させることが可能となる。
本発明における有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、本発明における有機エレクトロルミネッセンス装置を容易に製造することが可能となる。
本発明における電子機器によれば、本発明における有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことによって、光透過率及び発光効率が良好で、且つ、小型化を実現させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【図２】本発明に係る第２の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【図３】図２における補助陰極まで形成した斜視図である。
【図４】本発明に係る第３の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【図５】本発明に係る第４の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【図６】本発明に係る第４の実施形態を示す有機ＥＬパネルの平面図である。
【図７】本発明に係る第５の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【図８】本発明に係る第６の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【図９】本発明に係る第７の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【図１０】本発明に係る第８の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【図１１】本発明に係る第９の実施形態を示す有機ＥＬディスプレイの平面図である。
【図１２】モバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１３】携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図１４】ディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０ 基板
２０ 積層体
２０Ａ 発光画素領域（発光領域）
２１ 陽極層
２２ 正孔注入層
２３ 発光層
２４ 陰極層
３０ 画素間隔壁（発光領域間隔壁）
３０Ａ 周縁領域
３０Ｂ 内側領域
３０ａ 絶縁層
４０ 封止剤
５０ 保護板
５１ 光吸収層
６０ 補助陰極
７０ ＴＦＴ
１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ，１００ｅ，１００ｆ，１００ｇ，１００ｈ 有機ＥＬパネル (有機エレクトロルミネッセンス装置）
２００ 有機ＥＬディスプレイ (電子機器）
２０１ 表示部
２０２ Ｘドライバー
２０３ Ｙドライバー
２０４ コントローラ
２０５ 電子回路
２０６ 電源回路
３００ パーソナルコンピュータ（電子機器）
３０１ キーボード
３０２ 本体部
３０３ 表示ユニット
４００ 携帯電話（電子機器）
４０１ 操作ボタン
４０２ 受話口
４０３ 送話口
４０４ 表示パネル
５００ ディジタルスチルカメラ（電子機器）
５０１ ケース
５０２ 表示パネル
５０３ 受光ユニット
５０４ シャッタボタン
５０５ 回路基板
５０６ ビデオ信号出力端子
５０７ データ通信用の入出力端子５０７
６００ テレビモニタ
７００ パーソナルコンピュータ
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置の構造及びその製造方法、並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬと称す）素子は、少なくとも一層の発光性有機層が陰極と陽極との間に配置された構造を有する自発光性素子であり、液晶表示素子と比較して、応答速度が速く視野角度が広い等、 表示素子としての利点を多く備えているため、表示装置の画素や光源等を含む多種多様な用途での実用化が検討されている。
【０００３】
ここで、加速する情報端末の携帯化に伴って、省電力ディスプレイ（表示装置）を実現するために、有機ＥＬ素子をＴＦＴ (Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ) 等のアクティブ素子で駆動させる手段が知られている。これにより、有機ＥＬ素子を直流電圧により駆動することができるため、有機ＥＬ素子に負担をかけずに低電圧で、且つ、発光効率の高い領域で駆動することが可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記ＴＦＴなどを用いたアクティブマトリックス構造を有する有機ＥＬ表示装置（ディスプレイ）においては、画素毎に設けられるＴＦＴの回路によって発光層の面積が制限され、開口率が低くなるという問題があった。そのため、表示輝度を上げるには、画素あたりの輝度を高める必要があるため、駆動電圧及び消費電力が高くなり、有機ＥＬ素子の寿命が短くなってしまうという不具合があった。
【０００５】
このような不具合を解消するために、特開２０００−３６３９１号公報において、補助配線を用いて電極の抵抗を下げ、輝度や効率を向上させる手段が開示されている。しかし、アクティブマトリックス構造の有機ＥＬディスプレイに応用するには、その構造上困難であった。
そこで、本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることによって均一な発光を実現するとともに、ＴＦＴ等アクティブ素子を用いても開口率および光透過率を低下させることのない有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供することを課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなり、少なくとも前記陰極の上面或いは下面に接するように補助陰極が形成され、前記補助陰極が、前記発光領域間に形成され、かつ、前記発光領域間隔壁の上面における内側領域のみに形成されてなるとともに、前記補助陰極の形成されていない前記発光領域間隔壁の上面には、撥液処理が施されてなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなり、少なくとも前記陰極の上面或いは下面に接するように、補助陰極が形成され、前記補助陰極が、前記陰極における前記発光領域間隔壁上に積層された部分に接するように形成され、かつ、前記発光領域間隔壁の上面における内側領域のみに形成されてなるとともに、前記補助陰極の形成されていない前記発光領域間隔壁の上面には、撥液処理が施されてなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記補助陰極が、耐酸化性を有する導電性材料からなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記補助陰極が、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれか、或いはこれら各金属の合金からなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記補助陰極が、光吸収性を有する導電性材料からなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記補助陰極が、カーボンまたはクロムからなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記陽極が、少なくとも一種類の金属を薄膜化することにより透明性を有する導電性材料からなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記陰極が、少なくとも一種類の金属を薄膜化することにより透明性を有する導電性材料からなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記陰極が、少なくとも一種類の導電性材料と、金属酸化物または金属弗化物との積層からなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記発光領域間隔壁と、前記発光性有機層の前記発光領域間隔壁寄りの縁部とが、絶縁性膜の上に形成されてなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記基板の上面に、アクティブマトリックス式の駆動回路を形成するＴＦＴを備えたことを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記ＴＦＴが、前記発光領域間隔壁の下に形成されてなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記基板として集積回路を形成した半導体基板を用いたことを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記陰極或いは前記補助陰極のさらに上面に、前記発光領域間隔壁と対応する部分に光吸収性層が具備された保護板が、封止樹脂を介して張り合わされてなることを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記発光領域及び前記発光領域間隔壁の上面における該発光領域寄りの縁部は覆い、当該発光領域間隔壁の内側領域は露出させるマスクを利用することにより、前記発光領域間隔壁の内側領域のみに補助陰極を形成する工程と、前記補助陰極が形成されていない前記発光領域間隔壁の上面に、撥液処理を施す工程と、を含むことを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、少なくとも発光領域間隔壁が形成された基板の上面に導電性薄膜を成膜することで、前記発光領域間隔壁で囲まれた凹部に成膜された前記薄膜によって陽極を形成し、前記発光領域間隔壁の上面に成膜された前記薄膜によって補助陰極を形成する工程を含むことを特徴とする。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記陽極が積層された前記基板の上面において、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間隔壁寄りの縁部を除いた内側領域は覆い、前記発光領域間隔壁の形成領域と、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間隔壁寄りの縁部とは露出させるようにパターニングすることで、前記発光領域間隔壁の形成領域と、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間隔壁寄りの縁部とに、絶縁性膜を形成する工程を含むことを特徴とする。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、前記発光領域間に形成されてなることを特徴としている。
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、前記陰極における前記発光領域間隔壁上に積層された部分に接するように形成されてなることを特徴としている。
【０００８】
請求項４に記載の発明は、請求項２又は３に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、前記発光領域間隔壁と実質的に同一パターンで形成されてなることを特徴としている。
請求項５に記載の発明は、請求項２又は３に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、前記発光領域間隔壁の上面における前記発光領域寄りの縁部を除いた内側領域のみに形成されてなるとともに、前記補助陰極の形成されていない前記発光領域間隔壁の上面には、撥液処理が施されてなることを特徴としている。
【０００９】
請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、耐酸化性を有する導電性材料からなることを特徴としている。
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれか、 或いはこれら各金属の合金からなることを特徴としている。
【００１０】
請求項８に記載の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、光吸収性を有する導電性材料からなることを特徴としている。
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、カーボンまたはクロムからなることを特徴としている。
【００１１】
請求項１０に記載の発明は、 請求項１〜９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記陽極が、少なくとも一種類の金属を薄膜化することにより透明性を有する導電性材料からなることを特徴としている。
請求項１１に記載の発明は、請求項１〜１０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記陰極が、少なくとも一種類の金属を薄膜化することにより透明性を有する導電性材料からなることを特徴としている。
【００１２】
請求項１２に記載の発明は、請求項１〜１０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記陰極が、少なくとも一種類の導電性材料と、金属酸化物または金属弗化物との積層からなることを特徴としている。
請求項１３に記載の発明は、請求項１〜１２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記発光領域間隔壁と、前記発光性有機層の前記発光領域間隔壁寄りの縁部とが、絶縁性膜の上に形成されてなることを特徴としている。
【００１３】
請求項１４に記載の発明は、請求項１〜１３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記基板の上面に、アクティブマトリックス式の駆動回路を形成するＴＦＴを備えたことを特徴としている。
請求項１５に記載の発明は、請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記ＴＦＴが、前記発光領域間隔壁の下に形成されていることを特徴としている。
【００１４】
請求項１６に記載の発明は、請求項１４又は１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記基板として集積回路を形成した半導体基板を用いたことを特徴としている。
請求項１７に記載の発明は、請求項１〜１６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記陰極或いは前記補助陰極のさらに上面に、前記発光領域間隔壁と対応する部分に光吸収性層が具備された保護板が、封止樹脂を介して張り合わされてなることを特徴としている。
【００１５】
請求項１８に記載の発明は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記発光領域は覆い、前記発光領域間隔壁上は露出させるマスクを利用することにより、前記発光領域間隔壁上に形成された陰極の上面或いは下面に接するように補助陰極を形成する工程を含むことを特徴としている。
【００１６】
請求項１９に記載の発明は、請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記発光領域間隔壁と同一パターンを有するマスクを用いて、前記発光領域間隔壁上に、前記補助陰極を形成する工程を含むことを特徴としている。
請求項２０に記載の発明は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記発光領域及び前記発光領域間隔壁の上面における該発光領域寄りの縁部は覆い、当該発光領域間隔壁の内側領域は露出させるマスクを利用することにより、前記発光領域間隔壁の内側領域のみに補助陰極を形成する工程と、前記補助陰極が形成されていない前記発光領域間隔壁の上面に、撥液処理を施す工程と、を含むことを特徴としている。
【００１７】
請求項２１に記載の発明は、 基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、少なくとも発光領域間隔壁が形成された基板の上面に導電性薄膜を成膜することで、前記発光領域間隔壁で囲まれた凹部に成膜された前記薄膜によって陽極を形成し、前記発光領域間隔壁の上面に成膜された前記薄膜によって補助陰極を形成する工程を含むことを特徴としている。
【００１８】
請求項２２に記載の発明は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記陽極が積層された前記基板の上面において、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間隔壁寄りの縁部を除いた内側領域は覆い、前記発光領域間隔壁の形成領域と、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間隔壁寄りの縁部とは露出させるようにパターニングすることで、前記発光領域間隔壁の形成領域と、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間隔壁寄りの縁部とに、絶縁性膜を形成する工程を含むことを特徴としている。
【００１９】
請求項２３に記載の発明は、基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、 複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記陽極が積層された前記基板の上面に、前記発光領域間隔壁用絶縁層を積層し、さらにその上面に補助陰極用導電層を積層する工程と、前記補助陰極の上面に、 前記発光領域の形成予定領域が露出するようにマスクを形成したのち、前記発光領域間隔壁用絶縁層と前記補助陰極壁用導電層とを同時にエッチングして前記発光領域間隔壁と前記補助陰極とを形成する工程と、を備えたことを特徴としている。
【００２０】
請求項２４に記載の発明は、表示体と、当該表示体に駆動電流を供給する駆動回路と、を備えた電子機器において、前記表示体として、請求項１〜１７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴としている。
本発明における有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板上に、少なくとも一層の発光性有機層が陰極と陽極に挟まれて積層され、この発光性有機層を絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割することで発光領域群を形成した構成を有しており、陰極の上面或いは下面に接するように、補助陰極を形成したことによって、陰極及び補助陰極に水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることができるようになる。このため、装置全面に渡って均一な発光を得ることが可能となる。
【００２１】
また、陰極に接している補助陰極によって、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることができるため、陰極自体の膜厚を薄くすることが可能となる。よって、薄膜化することにより透明性を有する陰極を用いた場合、より光透過性を向上させることが可能となる。
特に、請求項３に記載の発明において、補助陰極を、陰極における発光領域間隔壁の上に積層された部分に接するように形成したことによって、発光領域群を構成する各発光領域には薄い陰極を形成することができる。このため、薄膜化することで透明性を有する陰極を用いた場合、陰極側からの発光を得ることが可能となるとともに、光透過率及び発光効率を向上させることが可能となる。
【００２２】
ここで、発光領域間隔壁上の陰極上面に接するように補助陰極を形成するようにすれば、補助陰極を後付けすることが出来るようになるため、補助陰極に様々な材料を用いることができ、その材料特有の効果を付与することが出来る。
また、陰極側から発光させることによって、基板として、シリコン等半導体基板や金属基板等不透明な材料を用いることが可能となる。よって、例えば、シリコン基板上に集積回路を形成し、 その上に有機ＥＬ素子を組み込む等、有機ＥＬ装置自体の小型化を図ることが可能となる。
【００２３】
また、請求項４に記載の発明において、補助陰極を、発光領域間隔壁と実質的に同一パターンで形成するようにしたことによって、補助陰極が、各発光領域の周囲を網羅するため、装置全面に渡ってより均一な発光を得ることが可能となる。
さらに、請求項５及び請求項２０に記載の発明において、補助陰極が、発光領域間隔壁上における発光領域寄りの縁部を除いた内側領域のみに形成されているとともに、補助陰極の形成されていない発光領域間隔壁上には、 撥液処理が施されていることによって、発光領域間隔壁間に発光性有機層を形成する工程が容易且つ確実に行えるとともに、均一な発光性有機層を形成することが可能となる。
【００２４】
ここで、撥液処理としては、例えば、ＣＦ4 プラズマ照射法等いずれの方法を適用することができる。
さらに、請求項８に記載の発明において、補助陰極を光吸収性を有する導電性材料から形成することによって、光放射側から見る場合、発光領域間には光吸収性の前記補助陰極が見えるため、外光が吸収され、コントラストが高められるようになる。
【００２５】
さらに、請求項１３に記載の発明において、発光領域間隔壁と、発光性有機層の発光領域間隔壁寄りの縁部とが、絶縁性膜の上に形成されていることによって、例えば、インクジェット法によって発光性有機層を凹状に形成した場合、発光性有機層の厚さの違いを見かけ上緩衝することが可能となる。つまり、凹状に形成される発光性有機層の周縁部と中央部との厚みを見かけ上均一にすることで、厚みによって異なる色の発光を均一にすることができるようにする。一方、発光性有機層を凸状に形成した場合に、電極間の距離が短くなる発光性有機層の周囲部において、電極間のショートを抑制することが可能となる。
【００２６】
さらに、請求項１５に記載の発明において、アクティブマトリックス式駆動回路を形成するＴＦＴを、 発光領域間隔壁の下に形成したことによって、発光領域開口部の面積をＴＦＴとは無関係に設計することが可能となる。よって、開口率を向上させ、低駆動電圧及び低消費電力で輝度を向上させることが可能となるため、有機ＥＬ装置の高寿命を実現させることが可能となる。
【００２７】
さらに、請求項１６に記載の発明において、基板として集積回路を形成した半導体基板を用いたことによって、携帯端末の電子回路、ディスプレイ駆動用のコントローラー、ドライバー、電源回路等装置に必要とされる電子回路をすべて半導体基板上に形成し、さらに有機ＥＬ素子駆動用のトランジスタまで形成できるため、装置の高性能化及びコスト削減を同時に実現させることが可能となる。
【００２８】
さらに、請求項１７に記載の発明において、陰極或いは補助陰極のさらに上面に、発光領域間隔壁と対応する部分に光吸収性層が具備された保護板を、封止樹脂を介して張り合わさせたことによって、補助陰極とは別に、発光領域間に光吸収部を設けることができるため、請求項８と同様の効果を得ることが可能となる。
【００２９】
本発明における有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、請求項１〜１７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を容易に製造することが可能となる。
ここで、補助陰極のパターニングとしてはマスク蒸着法、インクジェット法、印刷法などを用いることが出来る。
【００３０】
本発明における電子機器において、表示体として、 本発明における有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことによって、光透過率及び発光効率が良好で、且つ、小型化を実現させることが可能となる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照して説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明に係る第１実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
第一実施形態における有機ＥＬ表示体（パネル）１００ａは、図１に示すように、基板１０と、その上面に形成される積層体２０と、この積層体２０を分割して発光領域となる発光画素領域を形成する画素間隔壁３０と、積層体２０のさらに上面に、酸素及び水分の侵入を抑制するために封止剤４０を介して張付けられる保護基板５０と、から構成されており、発光領域間隔壁３０の上面には、その画素間隔壁３０と同一パターンの補助陰極６０が形成されている。
【００３２】
積層体２０は、基板１０の上面に順次積層される陽極層２１、正孔注入層２２、発光性有機層（発光層）２３、陰極層２４、とから構成されている。ここで、陽極層２１の形成材料としては、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）や、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）を用いることができる。正孔注入層２２の形成材料としては、バイトロン（登録商標、バイエル社製）や、低分子のＴＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、銅フタロシアニン等を用いることができる。発光層２３の形成材料としては、例えば、ポリフルオレン、ＰＰＶなどの高分子材料や、Ａｌｑ3 などの低分子材料を用いることができる。陰極層２４の形成材料としては、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）など仕事関数の低いアルカリ金属やアルカリ土類金属などの材料を用いることにより、高い効率を得るとともに、その上面にアルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）などの耐酸化性及び導電性を併せ持つ金属の積層或いは合金化を行うことによって、耐酸化性及び導電性を向上させるようにすることが好ましい。ここで、陰極層２４として、ＩＴＯや薄膜化することにより透明性を有する金属材料を用いれば、陰極層２４側から発光を得ることができるようになり、そのときの陽極２１側の基板１０には不透明な材料を用いることが可能となる。
【００３３】
画素間隔壁３０は、絶縁体材料であるポリイミドやアクリル樹脂などから構成されており、基板１０の上面に所定形状に積層された陽極２１間に形成され、積層体２０を分割し、複数の発光画素領域２０Ａからなる発光画素群を形成している。
保護基板５０は、ガラス、金属、シリコン等半導体、プラスチック等から構成されており、封止剤４０として、２液性のエポキシ系熱硬化性樹やＵＶ硬化性樹脂等を用いて、基板１０と張り合わせ封止している。
【００３４】
補助陰極６０は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の耐酸化性を有する導電性材料や、カーボン、クロム等の光吸収性を有する導電性材料から形成される。特に、補助陰極６０として、耐酸化性を有するタンタルを用いた場合、陰極２４としてＣａを２〜２０ｎｍ、Ａｌを３ｎｍ程度の膜厚とすることができ、従来の膜厚（Ａｌの場合２００ｎｍ）に比べ薄くすることができるため、透明性を有する陰極層２４を用いた場合には、光透過性を向上させることが可能となる。また、補助陰極６０として、光吸収性を有する材料を用いた場合には外光を吸収できるため、陰極層２４側から発光する際には、より高いコントラストを得ることができる。
【００３５】
次に、第１実施形態に記載の有機ＥＬパネル１００ａの製造方法について説明する。
まず、基板１０の上面に、ＩＴＯなどからなる陽極用の薄膜を、 例えばスパッタリング法によって５０ｎｍの膜厚で成膜したのち、フォトリソグラフィ工程によりパターニング及びエッチングを行うことによって、所定形状の陽極層２１を形成する。
【００３６】
次いで、画素間隔３０の形成材料であるアクリル樹脂を陽極層２１のさらに全上面に塗布したのち、同様にフォトリソグラフィ工程によりパターニング及びエッチングを行うことによって、陽極層２１の形成部位以外の基板１０上面に、高さ１〜２μｍ程度の画素間隔壁３０を形成する。
次いで、画素間隔壁３０の上面から、補助陰極６０としてタンタルを、 例えばスパッタリング法によって１００ｎｍの膜厚で成膜したのち、画素間隔壁３０と同様のパターンとなるように、フォトリソグラフィ工程によりパターニング及びエッチングを行うことによって、画素間隔壁３０の上面に補助陰極６０を形成する。
【００３７】
次いで、画素間隔壁３０で区画された発光画素領域２０Ａ内に、正孔注入層２２としてバイトロン（バイエル社製）をスピンコート法などで６０ｎｍの膜厚で成膜する。ただし、膜厚はこの限りではなく、例えば１〜２００ｎｍの範囲を用いることができるが、５０〜７０ｎｍの範囲がより好ましい。
次いで、正孔注入層２２の上面に、発光層２３として赤、緑、青の発光材料であるポリフルオレン系の材料をインクジェット法などで各発光画素領域２０Ａ内にそれぞれ６０ｎｍの膜厚で成膜する。ただし、膜厚はこの限りではなく、例えば、１〜２００ｎｍの範囲を用いることができるが、５０〜８０ｎｍの範囲がより好ましい。ここで、発光層２３として、低分子材料を用いる場合には蒸着法等で形成することが望ましい。
【００３８】
次いで、発光層２３の上方及び画素間隔壁３０の上方、すなわち基板１０面全体に、陰極層２４として金属弗化物、例えば弗化リチウムを全面に２ｎｍの膜厚で蒸着したのち、順次、Ｃａを２０ｎｍ、Ａｌを３ｎｍの膜厚で蒸着して形成する。なお、金属弗化物の代わりに金属酸化物としてもよい。
次いで、陰極層２４の上面に、ガラスからなる保護基板５０を、２液性のエポキシ熱硬化性樹脂を用いて、基板１０と張り合わせ封止する。
【００３９】
上記構成の有機ＥＬパネル１００ａにおいて、画素間隔壁３０の上面に、同一パターンとなるように補助陰極６０を形成したことによって、発光画素領域２０Ａの周囲を網羅するように、陰極層２４と補助陰極６０とからなる厚い導電性膜が形成されるようになるため、有機ＥＬパネル１００ａの水平方向に電流が流れる際の電圧抵抗を極小さくすることができるようになるため、全体として均一な発光を得ることが可能となる。
（第２実施形態）
図２は、本発明に係る第２実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。図３は、図２における補助陰極まで形成した状態を示す斜視図である。
【００４０】
第２実施形態における有機ＥＬパネル１００ｂは、図３に示すように、第１実施形態における有機ＥＬパネル１００ａにおいて、補助陰極６０が、画素間隔壁３０上面における５μｍ幅の周縁部３０Ａ（つまり、発光画素領域２０Ａ寄りの部分）を除いた内側領域３０Ｂに形成されており、その５μｍ幅の周縁部３０Ａには、撥液処理が施されている。
【００４１】
次に、第２実施形態における有機ＥＬパネル１００ｂの製造方法について説明する。
まず、第１の実施形態の製造方法と同様に、基板１０の上面に、陽極層２１および画素間隔壁３０を形成する。
次いで、画素間隔壁３０の上面から、補助陰極６０としてタンタルを、 例えばスパッタリング法によって１００ｎｍの厚さで成膜したのち、画素間隔壁３０上面における幅５μｍの周縁部３０Ａは露出し、その周縁部３０Ａは除いた内側領域３０Ｂは覆うようにレジストのパターンを形成する。そして、エッチングを行うことで、画素間隔壁３０上面における内側領域３０Ｂのみに補助陰極６０を形成する。
【００４２】
次いで、画素間隔壁３０上面のうち、補助陰極６０が形成されていない、画素間隔壁３０の周縁部３０ＡをＣＦ4 によるプラズマ処理等により撥液化する。そして、それぞれの発光画素領域２０Ａに正孔注入層２２、発光層２３、陰極層２４を順次積層したのち、第１実施形態と同様の工程を経て、有機ＥＬパネル１００ｂを完成させる。
【００４３】
上記構成の有機ＥＬパネル１００ｂにおいて、画素間隔壁３０の内側領域３０Ｂのみに補助陰極６０を形成し、発光画素領域２０Ａ寄りの画素間隔壁３０の周縁部３０Ａを撥液化したことによって、画素間隔壁３０に囲まれた発光画素領域２０Ａ内に、正孔注入層２２を形成するための液体材料或いは発光層２３を形成するための液体材料の塗布を容易且つ確実に行うことが可能となる。ここで、図３に示すように、発光画素領域２０Ａの形状は円形である必要はなく、楕円や多角形、 或いは後述する図６に示すように、矩形体であっても良い。
（第３実施形態）
図４は、本発明に係る第３実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【００４４】
第３実施形態における有機ＥＬパネル１００ｃは、図４に示すように、第１実施形態における有機ＥＬパネル１００ａにおいて、補助陰極６０を、画素間隔壁３０に対応する陰極層２４の上面に形成している。
次に、第３実施形態における有機ＥＬパネル１００ｃの製造方法について説明する。
【００４５】
まず、第１実施形態における製造方法と同様に、基板１０の上面に、陽極層２１及び画素間隔壁３０を形成したのち、発光画素領域２０Ａ内に、正孔注入層２２、発光層２３を順次成膜する。
次いで、発光層２３の上方及び画素間隔壁３０の上方、すなわち基板１０面全体に、陰極層２４を蒸着法などによって成膜する。
【００４６】
次いで、同様に、陰極層２４の上面に補助陰極６０を形成するタンタルを蒸着したのち、フォトリソグラフィ工程によりパターニング及びエッチングを行うことによって、画素間隔壁３０に対応する陰極層２４の上面に補助陰極６０を形成する。
そして、第１の実施形態と同様の工程を経て、有機ＥＬパネル１００ｃを完成させる。
【００４７】
上記構成の有機ＥＬパネル１００ｃにおいて、陰極層２４を形成した後に補助陰極６０を形成するようにしたことによって、補助陰極６０のパターニングは画素間隔壁３０と同一にする必要がないため自由な設計ができるとともに、膜厚も厚く形成することができる。
また、画素間隔壁３０の上の陰極層２４の上面に接するように補助陰極６０を形成するようにすれば、補助陰極６０を後付けすることが出来るようになるため、補助陰極６０に様々な材料を用いることが出来、その材料特有の効果を付与することが出来る。
【００４８】
さらに、発光画素領域２０Ａ内に、正孔注入層２２、発光層２３を塗布した後に補助陰極６０を形成するため、発光画素領域２０Ａと隣接する画素間隔壁３０の周囲に撥水処理を施す必要がなくなる。
(第４実施形態）
図５は、本発明に係る第４実施形態における有機ＥＬパネルを示す断面図である。図６は、本発明に係る第４実施形態における有機ＥＬパネルを示す平面図である。
【００４９】
本実施形態における有機ＥＬパネル１００ｄは、図５に示すように、第１実施形態における有機ＥＬパネル１００ａにおいて、画素間隔壁３０及び発光層２３の画素間隔壁３０寄りの縁部が、絶縁層３０ａの上面に形成されているものである。この絶縁層３０ａには、画素間隔壁３０の下面から発光画素領域２０Ａ内部に向かって狭くなるテーパー状の傾斜が形成されている。
【００５０】
本実施の形態における有機ＥＬ素子１００ｄの製造方法は、まず、第１実施形態と同様に、基板１０の上面に所定形状を有する陽極層２１を積層したのち、その上面に、ＳｉＯ2 からなる絶縁層３０ａを、例えば、プラズマＣＶＤ法などにより１５０ｎｍの厚さで成膜する。ただし、膜厚はこの限りではなく、例えば、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましい。
【００５１】
次いで、発光層２３の形成領域のうち画素間隔壁３０寄りの縁部を除いた内側領域は覆い、画素間隔壁３０の形成領域と、発光層２３の形成領域のうち画素間隔壁３０寄りの縁部とは露出させるとともに、画素間隔壁３０側から発光領域２０Ａの内部に向かって狭まるテーパ状の斜面が形成されるように、レジストのパターンを形成する。そして、エッチングを行うことで、画素間隔壁３０の形成領域及び発光層２３の形成領域のうち画素間隔壁３０寄りの縁部に、絶縁層３０ａを形成する。
【００５２】
次いで、この絶縁層３０ａの上面に、画素間隔壁３０と、発光層２３の画素間隔壁３０寄りの縁部とが形成されるように、第一実施形態と同様の工程を行い、有機ＥＬパネル１００ｄを完成させる。
上記構成の有機ＥＬパネル１００ｄにおいて、画素間隔壁３０と、発光層２３の画素間隔壁３０寄りの縁部とを絶縁層３０ａの上面に形成したことによって、例えば、インクジェット法によって発光層２３を発光画素領域２０Ａ内に凹状となるように形成する際に、発光層２３の厚さの違いを見かけ上緩衝することが可能となる。つまり、凹状に形成される発光画素領域２０Ａの周縁部と中央部との厚みを見かけ上均一にすることで、厚みによって異なる色の発光を均一にすることができるようになる。同様に、インクジェット法によって、 発光層２３を発光画素領域２０Ａ内へ凸状となるように形成する際に、その発光層２３の厚みが小さな周縁部からの電極間のショートを抑制することが可能となる。
【００５３】
ここで、補助陰極６０は、図５（Ａ）に示すように、画素間隔壁３０の上面、つまり、陰極層２４の下面に形成してもよいし、図５（Ｂ）に示すように、画素間隔壁３０に対応する陰極層２４の上面に形成してもよい。また、補助陰極６０の形成部位は、図６（Ａ）に示すように、発光画素領域２０Ａ以外の全画素間隔壁３０の上面をカバーしてもよいし、 (ｂ) に示すように、発光画素領域２０Ａ間の所定の位置に形成するようにしても構わない。
【００５４】
(第５実施形態）
図７は、本発明に係る第５実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
本実施形態における有機ＥＬパネル１００ｅは、第１実施形態における有機ＥＬパネル１００ａにおいて、基板１０上に形成した画素間隔壁３０の下面に、各画素に対応するＴＦＴ７０が、アクティブマトリックス方式で具備されている。なお、陽極層２１としては、ＩＴＯにより形成された透明陽極が形成されており、本実施形態における有機ＥＬパネル１００ｅは、基板１０側からの発光が得られる。
【００５５】
本実施の形態における有機ＥＬパネル１００ｅの製造方法は、基板１０の上面に、各画素毎にＴＦＴ７０を形成した後、その上面に第１の実施形態と同様に、積層体２０及び画素間隔壁３０、保護板５０を形成し、有機ＥＬパネル１００ｅを完成させる。
上記構成の有機ＥＬパネル１００ｅにおいて、画素間隔壁３０の下面に、各画素に対応するＴＦＴ７０を配置したことによって、基板１０側から発光を得る際に発光層２３の面積がＴＦＴ７０によって制限されないため、発光効率を向上させることが可能となる。
【００５６】
ここで、ＴＦＴ７０は、本実施形態のように画素間隔壁３０の下面に配置されることが好適ではあるが、例えば、基板１０側に発光する場合に、発光画素領域２０Ａの下面にＴＦＴ７０が配置されたとしても、補助陰極６０によって水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることが可能となるため、駆動電圧を上げることなく、高い輝度及び発光効率を得ることが可能である。
（第６実施形態）
図８は、本発明に係る第６実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【００５７】
本実施形態に係る有機ＥＬパネル１００ｆは、第５実施形態における有機ＥＬパネル１００ｅにおいて、基板１０上に形成した発光画素領域２０Ａの下面に、各画素に対応するＴＦＴ７０が、アクティブマトリックス方式で具備されている。
ここで、陰極層２４は、ＩＴＯを薄膜化することにより透明性を有しているので、基板１０とは反対側（つまり、陰極層２４側）に発光を得る。ここで、 薄膜化し形成することにより透明性を有する陰極層２４の材料としては、金、銀、銅、カルシウム、マグネシウム、セシウム、ストロンチウム、ルビジウムなどの金属材料や、例えばマグネシウムと銀やアルミニウムとリチウムなど、これら各金属の合金を適用することができる。また、基板１０としては、シリコンウエハーなどの半導体基板や反射性を有する基板などが用いられる。
【００５８】
上記構成を有する有機ＥＬパネル１００ｆにおいて、陰極層２４側に発光が得られるため、基板１０上のＴＦＴ７０によって発光画素領域２０Ａ内の開口部は制限を受けることがない。よって、従来の開口率３０％に比べ開口率を７０％まで高めることができるため、輝度を高くすることが可能となる。
また、補助陰極６０を形成していることによって、駆動電圧を抑制することができるため、有機ＥＬ素子に掛かる負担が減り寿命も長くなる。
【００５９】
さらに、補助陰極６０を用いることによって、透明性を有する陰極層２４を用いる場合、補助陰極６０を用いない場合に比べて膜厚をさらに薄くすることができるため、透過率が高く、より輝度の高い発光を得ることが可能となる。
さらに、補助陰極６０として、光吸収性を有するカーボンやクロムを用いるようにすれば、陰極層２４側から発光する際に外光の反射率が抑えられコントラストを向上させることが可能となる。
（第７実施形態）
図９は、本発明に係る第７実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【００６０】
本実施の形態における有機ＥＬパネル１００ｇは、 第１実施形態における有機ＥＬパネル１００ａにおいて、保護基板５０の陰極層２４との接触面に、画素間隔壁３０の上面と対応するように光吸収層５１が形成されている。この保護基板５０は、第１の実施形態と同様に、陰極層２４の上面に封止剤４０を介して封止されている。
【００６１】
上記構成の有機ＥＬパネル１００ｇにおいて、画素間隔壁３０の上方に、補助陰極６０のみならず、光吸収層５１を形成したことによって、陰極層２４側から発光する際に、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくできることで均一な発光が得られるだけでなく、外光の反射を抑制させて高いコントラストを得ることが可能となる。
（第８実施形態）
図１０は、本発明に係る第８の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【００６２】
本実施の形態における有機ＥＬパネル１００ｈは、第１の実施形態における有機ＥＬパネル１００ａにおいて、陽極層２１及び補助陰極６０を同一の導電性薄膜を積層することで形成している。
本実施の形態における有機ＥＬパネル１００ｈの製造方法は、第１実施形態と同様に、基板１０上に陽極層２１としてＩＴＯを１５０ｎｍの厚さでスパッタリング法などにより成膜し、フォトリソグラフィ工程によりパターニングする。 次いで、さらにその全面にポリイミドを塗布した後、パターニングして画素間隔壁３０を形成する。
【００６３】
次いで、さらにその全面に、ＩＴＯから形成される透明性薄膜を１０ｎｍの膜厚でスパッタリングする。このとき、基板１０上に突出して形成されている画素間隔壁３０の上面に積層されるＩＴＯ薄膜は補助陰極６０として形成され、画素間隔壁３０間に形成されている凹部に積層されるＩＴＯ薄膜は陽極層２１として形成される。
【００６４】
次いで、第１実施形態と同様に手順で、画素間隔壁３０で区画された発光画素領域２０Ａ内に正孔注入層２２、発光層２３、 陰極層２４と順次積層し、封止剤４０を介して保護板５０で封止されることで、有機ＥＬパネル１００ｈを完成させる。
上記構成の有機ＥＬパネル１００ｈにおいて、補助陰極６０のパターニングにおけるマスク蒸着法やフォトリソグラフィ工程が必要ではないため、生産性を向上させることが可能となる。
【００６５】
ここで、全面にスパッタリングするＩＴＯの他に薄膜化することにより透明性を有する材料を蒸着して用いることも可能である。
上記第１〜８の実施形態において、有機ＥＬ装置の一例として有機ＥＬパネル１００ａ〜１００ｈについて説明したが、有機ＥＬ装置としてはこれに限らず、照明などの機器に適用することも可能である。
（第９実施形態）
図１１は、 本発明に係る有機ＥＬ装置を表示体として備えた有機ＥＬ表示装置（ディスプレイ）の断面図である。
【００６６】
本実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ２００は、シリコン基板上に第１〜第８のいずれかの実施形態に記載の有機ＥＬパネル１００ａ〜１００ｈで構成される表示部２０１の他に、Ｘドライバー２０２、Ｙドライバー２０３、コントローラ２０４、トランジスタ（図示しない）、 電源回路２０５、電子回路２０６等の集積回路を形成している。ここで、データ線Ｘと走査線Ｙとの交点に画素回路が設けられており、Ｘドライバー２０２によってデータ線を駆動し、Ｙドライバー２０３によって走査線Ｙを駆動している。
【００６７】
上記構成の有機ＥＬディスプレイ２００を、携帯電話、ＰＤＡ、携帯型ゲーム機などに搭載する場合、半導体基板上に全て形成できるため、これらの装置を小型かつ薄型にすることができる。
ここで、 本実施の形態において、有機ＥＬ装置を適用した電子機器の一例として、有機ＥＬディスプレイ２００について説明したが、その他、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、ディジタルスチルカメラ等に適用した実施例として、図１２〜図１４を参照して説明する。
【００６８】
図１２は、モバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
図１２において、パーソナルコンピュータ３００は、キーボード３０１を備えた本体部３０２と、前述の有機ＥＬディスプレイ２００からなる表示ユニット３０３とから構成されている。
図１３は、携帯電話の斜視図である。図１３において、携帯電話４００は、複数の操作ボタン４０１の他、受話口４０２、送話口４０３と共に、前述の有機ＥＬディスプレイ２００からなる表示パネル４０４を備えている。
【００６９】
図１４は、ディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、外部機器との接続についても簡易的に示している。
通常のカメラは、被写体の光像によってフィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ５００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge coupled device)等の撮像素子により光電変換して撮像信号を生成するものである。ここで、ディジタルスチルカメラ５００におけるケース５０１の背面には、前述した有機ＥＬディスプレイ２００からなる表示パネル５０２が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて、表示を行う構成となっている。このため、表示パネル５０２は、被写体を表示するファイダとして機能する。また、５０１の観察側（図においては裏面側）には、光学レンズやＣＣＤ等を含んだ受光ユニット５０３が設けられている。
【００７０】
ここで、撮影者が表示パネル５０２に表示された被写体像を確認して、シャッタボタン５０４を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板５０５のメモリに転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ５００にあっては、ケース５０１の側面にビデオ信号出力端子５０６と、データ通信用の入出力端子５０７とが設けられている。そして、図に示されるように、前者のビデオ信号出力端子５０６には、テレビモニタ６００が、また、後者のデータ通信用の入出力端子５０７にはパーソナルコンピュータ７００が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作によって、回路基板３１０のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ６００や、パーソナルコンピュータ７００に出力される構成となっている。
【００７１】
なお、電子機器としては、図１２のパーソナルコンピュータ３００や、図１３の携帯電話４００、図１４のディジタルスチルカメラ５００の他にも、テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができる。ここで、上記各種電子機器の表示部として、上述した有機ＥＬディスプレイ２００を適用することが可能である。
【００７２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明における有機エレクトロルミネッセンス装置によれば、少なくとも陰極の上面或いは下面に接するように補助陰極を形成したことによって、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることができるため、均一な発光を得ることが可能となる。よって、ＴＦＴなどを用いたアクティブマトリックス方式で駆動させる等、発光画素領域の開口率に制限がある場合であっても、駆動電圧を上げることなく、高輝度と高発光効率を提供することが可能となる。
【００７３】
また、補助陰極によって、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくできるため、陰極自体を薄くすることが可能となる。よって、 薄膜化することにより透明性を有する陰極を用いた場合に、光透過率をさらに向上させることが可能となる。
本発明における有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、本発明における有機エレクトロルミネッセンス装置を容易に製造することが可能となる。
本発明における電子機器によれば、本発明における有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことによって、光透過率及び発光効率が良好で、且つ、小型化を実現させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【図２】本発明に係る第２の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【図３】図２における補助陰極まで形成した斜視図である。
【図４】本発明に係る第３の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【図５】本発明に係る第４の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【図６】本発明に係る第４の実施形態を示す有機ＥＬパネルの平面図である。
【図７】本発明に係る第５の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【図８】本発明に係る第６の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【図９】本発明に係る第７の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【図１０】本発明に係る第８の実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【図１１】本発明に係る第９の実施形態を示す有機ＥＬディスプレイの平面図である。
【図１２】モバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１３】携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図１４】ディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０ 基板
２０ 積層体
２０Ａ 発光画素領域（発光領域）
２１ 陽極層
２２ 正孔注入層
２３ 発光層
２４ 陰極層
３０ 画素間隔壁（発光領域間隔壁）
３０Ａ 周縁領域
３０Ｂ 内側領域
３０ａ 絶縁層
４０ 封止剤
５０ 保護板
５１ 光吸収層
６０ 補助陰極
７０ ＴＦＴ
１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ，１００ｅ，１００ｆ，１００ｇ，１００ｈ 有機ＥＬパネル (有機エレクトロルミネッセンス装置）
２００ 有機ＥＬディスプレイ (電子機器）
２０１ 表示部
２０２ Ｘドライバー
２０３ Ｙドライバー
２０４ コントローラ
２０５ 電子回路
２０６ 電源回路
３００ パーソナルコンピュータ（電子機器）
３０１ キーボード
３０２ 本体部
３０３ 表示ユニット
４００ 携帯電話（電子機器）
４０１ 操作ボタン
４０２ 受話口
４０３ 送話口
４０４ 表示パネル
５００ ディジタルスチルカメラ（電子機器）
５０１ ケース
５０２ 表示パネル
５０３ 受光ユニット
５０４ シャッタボタン
５０５ 回路基板
５０６ ビデオ信号出力端子
５０７ データ通信用の入出力端子５０７
６００ テレビモニタ
７００ パーソナルコンピュータ
Claims (18)
- 基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなり、
少なくとも前記陰極の上面或いは下面に接するように補助陰極が形成され、
前記補助陰極が、前記発光領域間に形成され、かつ、前記発光領域間隔壁の上面における内側領域のみに形成されてなるとともに、前記補助陰極の形成されていない前記発光領域間隔壁の上面には、撥液処理が施されてなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなり、
少なくとも前記陰極の上面或いは下面に接するように、補助陰極が形成され、
前記補助陰極が、前記陰極における前記発光領域間隔壁上に積層された部分に接するように形成され、かつ、前記発光領域間隔壁の上面における内側領域のみに形成されてなるとともに、前記補助陰極の形成されていない前記発光領域間隔壁の上面には、撥液処理が施されてなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記補助陰極が、耐酸化性を有する導電性材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記補助陰極が、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれか、 或いはこれら各金属の合金からなることを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記補助陰極が、光吸収性を有する導電性材料からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記補助陰極が、カーボンまたはクロムからなることを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記陽極が、少なくとも一種類の金属を薄膜化することにより透明性を有する導電性材料からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記陰極が、少なくとも一種類の金属を薄膜化することにより透明性を有する導電性材料からなることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記陰極が、少なくとも一種類の導電性材料と、金属酸化物または金属弗化物との積層からなることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記発光領域間隔壁と、前記発光性有機層の前記発光領域間隔壁寄りの縁部とが、絶縁性膜の上に形成されてなることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記基板の上面に、アクティブマトリックス式の駆動回路を形成するＴＦＴを備えたことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記ＴＦＴが、前記発光領域間隔壁の下に形成されてなることを特徴とする請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記基板として集積回路を形成した半導体基板を用いたことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記陰極或いは前記補助陰極のさらに上面に、前記発光領域間隔壁と対応する部分に光吸収性層が具備された保護板が、封止樹脂を介して張り合わされてなることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
前記発光領域及び前記発光領域間隔壁の上面における該発光領域寄りの縁部は覆い、当該発光領域間隔壁の内側領域は露出させるマスクを利用することにより、前記発光領域間隔壁の内側領域のみに補助陰極を形成する工程と、
前記補助陰極が形成されていない前記発光領域間隔壁の上面に、撥液処理を施す工程と、を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
少なくとも発光領域間隔壁が形成された基板の上面に導電性薄膜を成膜することで、前記発光領域間隔壁で囲まれた凹部に成膜された前記薄膜によって陽極を形成し、前記発光領域間隔壁の上面に成膜された前記薄膜によって補助陰極を形成する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 基板上に積層され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
前記陽極が積層された前記基板の上面において、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間隔壁寄りの縁部を除いた内側領域は覆い、前記発光領域間隔壁の形成領域と、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間隔壁寄りの縁部とは露出させるようにパターニングすることで、前記発光領域間隔壁の形成領域と、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間隔壁寄りの縁部とに、絶縁性膜を形成する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 表示体と、当該表示体に駆動電流を供給する駆動回路と、を備えた電子機器において、
前記表示体として、請求項１〜１４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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