JP2006318910A - 電界発光素子及びその製造方法、電界発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】カソード共通電極と共に補助共通電極を形成し、カソード共通電極が劣化されることを防止するだけではなく、補助共通電極を通して電流を流れるようにするため、カソード共通電極の透過率を極大化できるトップエミッションの電界発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電界発光素子の製造方法は、薄膜トランジスタがパターニングされた基板と、前記基板上に形成され、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された第１電極と、前記第１電極上に形成された発光部と、前記発光部上に形成された第２電極と、前記第２電極の一部領域上に形成され、その一部領域は、非発光領域の一部を含むように形成された補助共通電極とを含む。
【選択図】図３

Description

本発明は、電界発光素子及びその製造方法、電界発光表示装置及びその製造方法に関する。

一般に、電界発光素子は、基板上に二つの電極の間に形成された発光部によって、発光する自発光素子である。電界発光素子は、駆動方法によって、発光部が薄膜トランジスタによって駆動されるアクティブマトリックス型と、そうではないパッシブ型がある。また、電界発光素子は、発光方向によって、基板方向に発光するボトムエミッション（ｂｏｔｔｏｍ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ）と、基板の反対方向に発光するトップエミッション（ｔｏｐ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ）がある。一方、電界発光素子は、発光層の材料によって、有機発光層を含む有機電界発光素子と、無機発光層を含む無機電界発光素子とに分けられている。

例えば、トップエミッションのアクティブマトリックス型の有機電界発光素子（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ：ＡＭＯＥＬＤ）の画素部分は、大きく各画素部分をスイチングしてくれるスイチング用薄膜トランジスタ、駆動用薄膜トランジスタ、格納キャパシタ、画素電極、有機物層、共通電極（ｃａｔｈｏｄｅ）から構成される。

このうち、駆動用薄膜トランジスタを基準に、従来の有機電界発光素子による画素の断面を図１に示している。

図１は、従来の有機電界発光素子は、硝子基板１上に、それぞれ複数個から形成された画素電極８及び共通電極（メタル共通電極１５及び透明共通電極１６）が交差する領域によって画定される複数個の画素に形成される有機発光層１２と、硝子基板１上に形成され、そのドレイン電極が画素電極８に電気的に接続される薄膜トランジスタ「Ａ」と、画素電極８と有機発光層１２との間に積層形成された正孔注入層１０、正孔輸送層１１と、有機発光層１２とメタル共通電極１５との間に積層して形成された電子輸送層１３、電子注入層１４とから構成された。

この薄膜トランジスタ「Ａ」は、硝子基板１の一領域上に形成され、ソース／ドレイン領域２ａ／２ｂ及びチャンネル領域２ｃから構成される半導体層２と、半導体層２を含む硝子基板１の全面に形成されるゲート絶縁膜３と、チャンネル領域２ｃ上部のゲート絶縁膜３上に形成されるゲート電極４とから構成された。

この時、前記ソース／ドレイン領域２ａ／２ｂとチャンネル領域２ｃとの境界は、ゲート電極４の両エッジと整列（ａｌｉｇｎ）された。

そして、薄膜トランジスタ「Ａ」上には、ソース領域２ａ及びドレイン領域２ｂを開口する層間絶縁膜５が形成されており、層間絶縁膜５の開口部を通してソース／ドレイン領域２ａ／２ｂに電気的に接続される電極ライン６が形成されていた。

そして、層間絶縁膜５及び電極ライン６を含む全面には、ドレイン領域２ｂに電気的に接続された電極ライン６を開口する平坦化絶縁膜７が形成された。

平坦化絶縁膜７上には、画素電極８が形成されるが、画素電極８は、平坦化絶縁膜７の開口部を通して薄膜トランジスタ「Ａ」のドレイン領域２ｂに電気的に接続されるようになった。

そして、絶縁膜９が隣接する画素電極８の間に画素電極８の１部分を覆うように形成されていた。

画素電極８上に、順次正孔注入層１０、正孔輸送層１１、Ｒ，Ｇ，Ｂのうち１つの有機発光層１２、電子輸送層１３と電子注入層１４とが形成された。

共通電極１５、１６は、電子注入層１４上に積層されたメタル共通電極１５と透明共通電極１６とから構成され、透明電極１６上には、保護膜１７が形成されていた。

図１に示しているように、従来の有機電界発光素子の製造方法を図２を参照して説明する。

図２Ａないし図２Ｄは、従来の有機電界発光素子の工程図である。

図２Ａは、まず、硝子基板１上に薄膜トランジスタの活性層として用いるため、例えば、多結晶シリコンなどを利用して半導体層２を形成した後、薄膜トランジスタが形成される領域、すなわち、薄膜トランジスタの予定領域にだけ残るように、前記半導体層２をパターニングした。

次いで、全面にゲート絶縁膜３とゲート電極用導電膜とを順に積層した後、パターニングされた半導体層２の一領域上に残るように、前記ゲート電極用導電膜をパターニングしてゲート電極４を形成した。

そして、ゲート電極４をマスクで半導体層２にボロン（Ｂ）やリン（Ｐ）などの不純物を注入した後、熱処理をして薄膜トランジスタのソース／ドレイン領域２ａ／２ｂを形成した。この時、不純物イオンが注入されなかった半導体層２は、チャンネル領域２ｃであった。

次いで、全面に層間絶縁膜５を形成し、薄膜トランジスタのソース／ドレイン領域２ａ／２ｂが露出するように、層間絶縁膜５とゲート絶縁膜３とを選択的に取り除いてコンタクトホールを形成した。

そして、コンタクトホールが埋め込まれ得る程度に十分な厚さに第１金属膜を形成し、コンタクトホール及びそれに接した領域にだけ残るように第１金属膜を選択的に取り除いてソース／ドレイン領域２ａ／２ｂに、それぞれ電気的に接続される電極ライン６を形成した。

そして、全面に平坦化絶縁膜７を形成して全面を平坦化させ、ドレイン領域２ｂに接続された電極ライン６が露出するように、平坦化絶縁膜７を選択的に取り除いてコンタクトホールを形成した後、Ｃｒ，Ａｌ，Ｍｏ，Ａｇ，Ａｕなどのように、反射率と仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）値が高い第２金属膜を全面に蒸着した。

この時、コンタクトホール内にも第２金属膜が形成され、第２金属膜はコンタクトホール下部の電極ライン６に接続されるようになった。

次いで、画素部分にだけ残るように、第２金属膜を選択的に取り除いて電極ライン６を通して下部のドレイン領域２ｂに電気的に接続される画素電極またはアノード電極８（ａｎｏｄｅ）を形成した。

図２Ｂは、隣接する画素電極８の間に画素電極８の１部分が覆われるように、絶縁膜９を形成した。

図２Ｃは、正孔注入層１０、正孔輸送層１１を共通有機膜に蒸着し、シャドーマスクを用いてＲ，Ｇ，Ｂ有機発光層１２をそれぞれ蒸着した。次いで、全面に電子輸送層１３と電子注入層１４などの有機物層を順に形成した。

図２Ｄは、有機物層１０ないし１４を形成した後、その上に、メタル共通電極１５を形成した。この時、メタル共通電極１５は、アルミニウムＡｌを数ｎｍ蒸着した後、銀Ａｇを数ｎｍ〜数十ｎｍ蒸着して形成するか、Ｍｇ_ｘＡｇ_１―ｘなどの金属を、数ｎｍ〜数十ｎｍ蒸着して形成した。

そして、メタル共通電極１５上にＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明伝導性物質を利用して透明共通電極１６を形成した。

最後に、有機物層１０ないし１４を酸素や水分から保護するために保護膜１７を形成した後、封止材（ｓｅａｌａｎｔ）と透明基板を用いて保護キャップを装着し、トップエミッションのアクティブマトリックス有機電界発光素子を完成した。

このような、トップエミッションのアクティブマトリックス有機電界発光素子は、基板下部に有機電界発光するボトムエミッションとは異なり、有機発光層において正孔と電子の再結合によって発生した光が、メタル共通電極１５方向に出なければならない。よって、メタル共通電極１５として用いられる金属膜の厚さを、透過率の問題のため厚く形成することができず、普通数ｎｍ〜数十ｎｍに形成した。

しかし、有機電界発光素子の特性上、持続して多くの量の電流がメタル共通電極１５を通して流れなければならないが、メタル共通電極１５が薄ければ、持続して多くの量の電流が流れる場合、熱を受けてショートしたり、酸化するという問題があった。

特に、メタル共通電極１５として銀Ａｇを利用する場合には、銀Ａｇ原子の移動（ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）が起こり、一か所に固まる現象が発生し得、これによって、素子の寿命が短縮されるようになり、信頼性が低下するという問題があった。

反対に、素子の寿命が短縮及び信頼性の低下の問題を解決するため、メタル共通電極１５の厚さが１０〜１５ｎｍ、さらには、２０ｎｍになるように厚く形成するしかなかった。メタル共通電極１５の厚さが厚くなると、透過率が急激に低下するため、発光効率が著しく低下して現実的に用い難いという問題があった。

一方、有機電界発光素子が駆動するために、電気的に配線と接続されて形成されたパッド部を含む有機電界発光表示装置を説明したものが次の図３及び図４である。

図３は、従来の有機電界発光表示装置の平面図であり、図４は、図３に示している有機電界発光表示装置のＸ〜Ｘ’断面図である。

図３は、従来の有機電界発光表示装置３００は、基板３０２上に示さなかったが、複数の画素（図示せず）が位置している画素回路部３０８と、有機電界発光素子を駆動するために、パッド部３０４と電気的に接続されて形成された配線部３０６が形成された。

また、パッド部３０４と電気的に接続された配線部３０６に接地電源で電圧を印加する共通電極であるカソード電極３１０が形成されていた。

さらに詳細には、図４に示されているように、従来の有機電界発光表示装置４００は、基板３０２上にゲート電極を絶縁するためのゲート絶縁膜４０３が形成されおり、図示しなかったが、ソース領域（図示せず）及びドレーン領域（図示せず）を開口する層間絶縁膜４０５が形成されていた。また、層間絶縁膜４０５の上部に表面を平坦化するための平坦化絶縁膜４０７が形成され、平坦化絶縁膜４０７のコンタクトホールＰ_１を介し、パッド部（図３の３０４）と電気的に接続させるための配線部３０６が接地電圧として電圧を印加させるように形成した。

また、コンタクトホールＰ_１を介して露出した配線部３０６と、電気的に接続されるように共通電極であるカソード電極３１０が、正孔注入層４１１、正孔輸送層４１３、発光層４１４、電子輸送層４１５、電子注入層４１７などを覆いながら形成された。

最後に、水分及び酸素の浸透を防止するための保護膜４１９が、カソード電極３１０の上部に形成された。

このような従来の有機電界発光表示装置３００，４００は、有機電界発光素子の特性上、持続して多くの量の電流が、配線部３０６と電気的に接続された共通電極であるカソード電極３１０とを介して流れるようになった。この時、カソード電極３１０が薄く形成される時、持続して多くの量の電流が流れる場合に熱を受けてショートしたり、また、酸化するという問題が発生した。このため、素子寿命の短縮を招き、信頼性が低下するという問題があった。

本発明の目的は、このような問題点に鑑みて成されたもので、カソード共通電極と共に補助共通電極を形成し、カソード共通電極が劣化されることを防止するだけではなく、補助共通電極を通して電流を流れるようにするため、カソード共通電極の透過率を極大化できるトップエミッションの電界発光素子及びその製造方法を提供することにある。

本発明に係る電界発光素子は、薄膜トランジスタを含む基板と、該基板上に形成され、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された第１電極と、該第１電極上に形成された発光部と、該発光部上に形成された第２電極と、該第２電極の一部領域上に形成され、その一部領域は、非発光領域の一部を含むように形成された補助共通電極とを含む。

また、異なる側面において、本発明に係る電界発光素子の製造方法は、薄膜トランジスタを含む基板を準備する基板準備ステップと、前記基板上に、前記薄膜トランジスタと電気的に接続される第１電極を形成する第１電極形成ステップと、前記第１電極上に発光部を形成する発光部形成ステップと、該発光部上に第２電極を形成する第２電極形成ステップと、前記第２電極の一部領域上に形成され、その一部領域は、非発光領域の一部を含むように、補助共通電極を形成する補助共通電極の形成ステップとを含む。

この時、前記第１電極上に形成され、該第１電極と前記発光部との間に一部が開口された絶縁膜をさらに含む。また、補助共通電極は、第２電極の上部または下部に形成され得る。また、第２電極の厚さは、前記補助共通電極の厚さより薄いことがある。また、補助共通電極の材料は、第２電極の材料より低抵抗であることを特徴とする。一方、第１電極と第２電極とは、アノード電極とカソード共通電極であり得る。

また、異なる側面において、本発明に係る電界発光表示装置は、基板と、該基板上の第１電極と第２電極との間に形成された発光部を含む画素回路部と、前記第２電極と電気的に接続されるように形成された配線部と、該配線部上に形成され、前記配線部の一部が露出され、前記第２電極と前記配線部とを電気的に接続するコンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記第２電極上に形成され、前記コンタクトホールと同一線上に位置する補助共通電極とを含む。

また、異なる側面において、本発明に係る電界発光表示装置の製造方法は、基板を準備するステップと、前記基板上に、第１電極と第２電極との間に形成された発光部を含む画素回路を形成するステップと、前記第２電極と電気的に接続されるように配線部を形成するステップと、前記配線部上に形成し、該配線部の一部を露出して前記第２電極と前記配線部とを電気的に接続するようにコンタクトホールを形成させて絶縁膜を形成するステップと、前記第２電極に形成し、前記コンタクトホールと同一線上に位置するように補助共通電極を形成するステップとを含む。

本発明に係る電界発光表示装置は、基板と、該基板上の第１電極と第２電極との間に形成された発光部を含む画素回路部と、前記第２電極と電気的に接続されるように形成された配線部と、該配線部上に形成され、前記配線部の一部が露出され、前記第２電極と前記配線部とを電気的に接続する一つ以上のコンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記配線部の長さ方向に前記コンタクトホールのうち、１つ以上に対応させ、第２電極上に形成され、補助共通電極とを含む。

また、異なる側面において、本発明に係る電界発光表示装置の製造方法は、基板を準備するステップと、前記基板上に、第１電極と第２電極との間に形成された発光部を含む画素回路を形成するステップと、前記第２電極と電気的に接続されるように配線部を形成するステップと、前記配線部上に形成し、該配線部の一部を露出して前記第２電極と前記配線部とを電気的に接続するようにコンタクトホールを形成させて絶縁膜を形成するステップと、前記配線部の長さ方向に前記コンタクトホールのうち、１つ以上に対応させて第２電極に補助共通電極を形成するステップとを含む。

上記目的を達成するために、本発明は、例えば、以下の手段を提供する。
（項目１）
薄膜トランジスタを含む基板と、
該基板上に形成され、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された第１電極と、
該第１電極上に形成された発光部と、
該発光部上に形成された第２電極と、
該第２電極の一部領域上に形成され、その一部領域は、非発光領域の一部を含むように形成された補助共通電極と
を含むことを特徴とする電界発光素子。
（項目２）
前記第１電極上に形成され、該第１電極と前記発光部との間に一部が開口された絶縁膜をさらに含み、
前記非発光領域は、開口された領域を除いた前記絶縁膜に対応する領域であることを特徴とする項目１に記載の電界発光素子。
（項目３）
前記補助共通電極が、前記第２電極の上部または下部に形成されたことを特徴とする項目１に記載の電界発光素子。
（項目４）
前記第２電極の厚さが、前記補助共通電極の厚さより薄いことを特徴とする項目３に記載の電界発光素子。
（項目５）
前記補助共通電極の材料が、前記第２電極の材料より低抵抗であることを特徴とする項目４に記載の電界発光素子。
（項目６）
前記第１電極と前記第２電極とが、それぞれアノード電極とカソード共通電極であることを特徴とする項目１に記載の電界発光素子。
（項目７）
前記発光部が、有機発光層を含むことを特徴とする項目１に記載の電界発光素子。
（項目８）
前記第２電極と前記補助共通電極との間に、透明電極をさらに含むことを特徴とする項目５に記載の電界発光素子。
（項目９）
前記第２電極と前記補助共通電極とが、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｏ，ＬｉＦ，ＩＴＯ，ＩＺＯのうち何れか一つ、または何れか一つの合金であることを特徴とする項目８に記載の電界発光素子。
（項目１０）
前記第２電極と前記補助共通電極上とに形成された保護膜をさらに含むことを特徴とする項目８に記載の電界発光素子。
（項目１１）
薄膜トランジスタを含む基板を準備する基板準備ステップと、
前記基板上に、前記薄膜トランジスタと電気的に接続される第１電極を形成する第１電極形成ステップと、
前記第１電極上に発光部を形成する発光部形成ステップと、
該発光部上に第２電極を形成する第２電極形成ステップと、
前記第２電極の一部領域上に形成され、その一部領域は、非発光領域の一部を含むように、補助共通電極を形成する補助共通電極の形成ステップと
を含むことを特徴とする電界発光素子の製造方法。
（項目１２）
前記第１電極形成ステップと前記発光部形成ステップとの間に位置し、前記第１電極上に形成され、該第１電極と前記発光部との間に一部が開口された絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップとをさらに含み、
前記非発光領域は、開口された領域を除いた前記絶縁膜に対応する領域であることを特徴とする項目１１に記載の電界発光素子の製造方法。
（項目１３）
前記補助共通電極の形成ステップが、前記非発光領域に対応する位置が開口されたシャドーマスクを用いて、真空蒸着によって前記補助共通電極を形成することを特徴とする項目１１に記載の電界発光素子の製造方法。
（項目１４）
前記補助共通電極の形成ステップが、前記第２電極の上部または下部に、前記補助共通電極を形成することを特徴とする項目１３に記載の電界発光素子の製造方法。
（項目１５）
前記第２電極の厚さが、前記補助共通電極の厚さより薄いことを特徴とする項目１４に記載の電界発光素子の製造方法。
（項目１６）
前記補助共通電極の材料が、前記第２電極の材料より低抵抗であることを特徴とする項目１５に記載の電界発光素子の製造方法。
（項目１７）
前記第１電極と前記第２電極とが、アノード電極とカソード共通電極であることを特徴とする項目１１に記載の電界発光素子の製造方法。
（項目１８）
前記発光部が、有機発光層を含むことを特徴とする項目１１に記載の電界発光素子の製造方法。
（項目１９）
前記第２電極と前記補助共通電極との間に、透明電極をさらに含むことを特徴とする項目１６に記載の電界発光素子の製造方法。
（項目２０）
前記第２電極と前記補助共通電極とが、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｏ，ＬｉＦ，ＩＴＯ，ＩＺＯのうち何れか一つ、または何れか一つの合金であることを特徴とする項目１９に記載の電界発光素子の製造方法。
（項目２１）
前記第２電極と前記補助共通電極上とに形成された保護膜をさらに含むことを特徴とする項目２０に記載の電界発光素子の製造方法。
（項目２２）
基板と、
該基板上の第１電極と第２電極との間に形成された発光部を含む画素回路部と、
前記第２電極と電気的に接続されるように形成された配線部と、
該配線部上に形成され、前記配線部の一部が露出され、前記第２電極と前記配線部とを電気的に接続するコンタクトホールが形成された絶縁膜と、
前記第２電極上に形成され、前記コンタクトホールと同一線上に位置する補助共通電極と
を含むことを特徴とする電界発光表示装置。
（項目２３）
前記補助共通電極が、前記コンタクトホールまで接続されて形成されることを特徴とする項目２２に記載の電界発光表示装置。
（項目２４）
前記補助共通電極が、前記画素回路部の非発光領域に形成されることを特徴とする項目２２に記載の電界発光表示装置。
（項目２５）
基板と、
該基板上の第１電極と第２電極との間に形成された発光部を含む画素回路部と、
前記第２電極と電気的に接続されるように形成された配線部と、
該配線部上に形成され、前記配線部の一部が露出され、前記第２電極と前記配線部とを電気的に接続する一つ以上のコンタクトホールが形成された絶縁膜と、
前記配線部の長さ方向に前記コンタクトホールのうち、１つ以上に対応され、第２電極上に形成され、補助共通電極と
を含むことを特徴とする電界発光表示装置。
（項目２６）
前記補助共通電極が、前記配線部の全領域と対応するように形成されることを特徴とする項目２５に記載の電界発光表示装置。
（項目２７）
前記配線部が、ゲート電極物質、データライン電極物質のうち何れか一つを特徴とする項目２２に記載の電界発光表示装置。
（項目２８）
前記配線部が、ゲート電極物質、データライン電極物質のうち何れか一つを特徴とする項目２５に記載の電界発光表示装置。
（項目２９）
前記第２電極が、共通カソード電極であることを特徴とする項目２２に記載の電界発光表示装置。
（項目３０）
前記第２電極が、共通カソード電極であることを特徴とする項目２５に記載の電界発光表示装置。
（項目３１）
基板を準備するステップと、
前記基板上に、第１電極と第２電極との間に形成された発光部を含む画素回路を形成するステップと、
前記第２電極と電気的に接続されるように配線部を形成するステップと、
前記配線部上に形成し、該配線部の一部を露出して前記第２電極と前記配線部とを電気的に接続するようにコンタクトホールを形成させて絶縁膜を形成するステップと、
前記第２電極に形成し、前記コンタクトホールと同一線上に位置するように補助共通電極を形成するステップと
を含むことを特徴とする電界発光表示装置の製造方法。
（項目３２）
前記補助共通電極を形成するステップが、前記補助共通電極を前記コンタクトホールまで接続させて形成するステップであることを特徴とする項目３１に記載の電界発光表示装置の製造方法。
（項目３３）
前記補助共通電極を形成するステップが、前記補助共通電極を前記画素回路部の非発光領域に形成するステップであることを特徴とする項目３１に記載の電界発光表示装置の製造方法。
（項目３４）
基板を準備するステップと、
前記基板上に、第１電極と第２電極との間に形成された発光部を含む画素回路を形成するステップと、
前記第２電極と電気的に接続されるように配線部を形成するステップと、
前記配線部上に形成し、該配線部の一部を露出して前記第２電極と前記配線部とを電気的に接続するようにコンタクトホールを形成させて絶縁膜を形成するステップと、
前記配線部の長さ方向に前記コンタクトホールのうち、１つ以上に対応させて第２電極に補助共通電極を形成するステップと
を含むことを特徴とする電界発光表示装置。
（項目３５）
前記補助共通電極を形成するステップが、前記補助共通電極を前記配線部の全領域と対応するように形成するステップであることを特徴とする項目３４に記載の電界発光表示装置の製造方法。

本発明は、カソード共通電極上に補助共通電極を形成するため、カソード共通電極の面抵抗を低くできるという効果を奏する。

また、他の発明の効果は、配線部と電気的に接続されたカソード共通電極１３１０の上部に補助共通電極が形成されるため、カソード共通電極１３１０の面抵抗を低くできるという効果を奏する。

以下、本発明のもっとも好ましい実施の形態を添付する図面を参照して説明する。

「１．電界発光素子（Ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ）」
図５は、本発明の一実施の形態に係る電界発光素子の断面図である。

本発明の一実施の形態に係る電界発光素子は、硝子基板２１上にそれぞれ複数個に形成されたアノード電極２８とカソード共通電極３５とが交差する領域によって、画定される発光領域である複数個の画素に形成される発光層３２と、硝子基板２１上に形成され、そのドレイン電極がアノード電極２８に電気的に接続される薄膜トランジスタＢと、薄膜トランジスタＢを含む非発光領域である画素以外の部分に形成されてカソード共通電極３５に電気的に接続され、カソード共通電極３５に持続して多くの量の電流が流れる場合に熱を受けてショートされたり、または、酸化されることを防止するための補助共通電極３７が所定の厚さにさらに形成される。

さらに詳細には、薄膜トランジスタＢは、硝子基板２１の一領域上に形成され、ソース／ドレイン領域２２ａ／２２ｂ及びチャンネル領域２２ｃから構成される半導体層２２と、半導体層２２を含む硝子基板２１全面に形成されるゲート絶縁膜２３と、チャンネル領域２２ｃ上部のゲート絶縁膜２３上に形成されるゲート電極２４から構成される。

この時、ソース／ドレイン領域２２ａ／２２ｂとチャンネル領域２２ｃとの境界は、ゲート電極２４の両エッジと整列される。

また、薄膜トランジスタＢ上には、ソース領域２２ａ及びドレイン領域２２ｂを開口する層間絶縁膜２５が形成されており、層間絶縁膜２５の開口部を通してソース／ドレイン領域２２ａ／２２ｂに電気的に接続される電極ライン２６が形成されている。

ここで、層間絶縁膜２５及び電極ライン２６を含む全面には、ドレイン領域２２ｂに電気的に接続された電極ライン２６を開口する平坦化絶縁膜２７に平坦化されている。

この時、平坦化絶縁膜２７上の画素部位には、アノード電極２８が形成されるが、アノード電極２８は、平坦化絶縁膜２７の開口部を通して薄膜トランジスタＢのドレイン領域２２ｂに電気的に接続される。

ここで、アノード電極２８の１部分と平坦化絶縁膜２７の１部上には、絶縁膜２９が位置される。このような、アノード電極２８と絶縁膜２９上とには、正孔注入層３０、正孔輸送層３１が順に積層され、正孔輸送層３１上の画素部位には、Ｒ，Ｇ，Ｂ発光層３２が形成されている。

このような、Ｒ，Ｇ，Ｂ発光層３２及び正孔輸送層３１上には、電子輸送層３３、電子注入層３４が形成されている。この時、絶縁膜２９は、Ｒ，Ｇ，Ｂ発光層３２と隣接した他のＲ，Ｇ，Ｂ発光層３２を電気的に絶縁する役割を果たす。

また、電子注入層３４上にカソード共通電極３５が形成されており、カソード共通電極３５のうち、発光層３２が形成される画素領域以外の部分である非発光領域にストライプ状の補助共通電極３７が形成される。

ここで、カソード共通電極３５の材料は、銀Ａｇ、またはＭｇ_ｘＡｇ_１−ｘ、厚さは１〜５ｎｍである。一方、補助共通電極３７の材料は、カソード共通電極３５より抵抗が低い物質、例えば、アルミニウムＡｌを用いて、厚さはカソード共通電極３５より厚く、例えば、８〜２０ｎｍであることが好ましい。このように、カソード共通電極３５の厚さを最小化するため、発光層３２から発生した光が硝子基板２１の反対方向に透過し得る。このような電界発光素子を、トップエミッションエレクトロルミネッセンス（ＥＬ素子）と言う。

このように、補助共通電極３７は、薄膜トランジスタＢを含む非発光領域のカソード共通電極３５上部に形成されるため、発光領域の開口率に影響を与えなくなり、透過率は向上する。

また、補助共通電極３７の厚さが、カソード共通電極３５の厚さより厚く、低抵抗の物質を用いて、カソード共通電極３５の電流をほとんど流れるようにするため、カソード共通電極３５が過熱されてショートするか、または、Ａｇ原子の移動が生じて固まる現象が発生しなくなる。結果的に、カソード共通電極３５上に補助共通電極３７を形成するため、面抵抗を低くできる。

図５及び図６を参照し、図６を主に参照すると、本発明の一実施の形態による電界発光素子は、Ｒ，Ｇ，Ｂ発光部３０ないし３４が形成された基板２１上に、カソード共通電極３５が形成されており、発光層３２が形成される画素領域以外の部分（非発光領域）に、ストライプ状の補助共通電極３７が形成されている。よって、補助共通電極３７は、発光層３２の開口率に影響を与えず、カソード共通電極３５の電流をほぼ流れるようにするため、カソード共通電極３５が過熱されてショートするか、または、Ａｇ原子の移動が生じて固まる現象が発生しなくなる。

この時、上述のＲ，Ｇ，Ｂ発光部３０ないし３４は、有機物を発光する有機発光層を含むが、本発明は、これに限定せず無機物を発光する無機発光層を含み得る。この時、Ｒ，Ｇ，Ｂ発光部３０ないし３４が、有機発光層を含む場合、電界発光素子を有機電界発光素子と言い、Ｒ，Ｇ，Ｂ発光部３０ないし３４が、無機発光層を含む場合、無機電界発光素子、または単純に電界発光素子と言う。

本発明の一実施の形態による電界発光素子の製造方法を、図７Ａないし図７Ｆを参照して説明する。

図７Ａないし図７Ｆは、本発明の一実施の形態による電界発光素子の工程図である。

図７Ａは、硝子基板２１上に薄膜トランジスタの活性層で用いるため、例えば、多結晶シリコン層などの半導体層２２を形成し、薄膜トランジスタの予定領域上にだけ残るように半導体層２２をパターニングする。

そして、構造全面にゲート絶縁層２３とゲート電極用の物質とを順に積層した後、パターニングされた半導体層２２の一領域上に残るようにゲート電極用の物質をパターニングしてゲート電極２４を形成する。

次いで、ゲート電極２４をマスクとして、半導体層２２にＰ，Ｂなどの不純物を注入して熱処理をし、薄膜トランジスタのソース／ドレイン領域２２ａ／２２ｂを形成する。

次いで、全面に層間絶縁膜２５を形成し、薄膜トランジスタＢのソース／ドレイン領域２２ａ／２２ｂの表面が露出するように層間絶縁膜２５とゲート絶縁層２３とを選択的に取り除いてコンタクトホールを形成する。

次いで、コンタクトホールが埋め込まれるように全面に第１金属膜を蒸着し、コンタクトホール及びそれに接した領域上にだけ残るように第１金属膜を選択的に取り除いてコンタクトホールを通してソース／ドレイン領域２２ａ／２２ｂに電気的に接続される電極ライン２６を形成する。

そして、全面に平坦化絶縁膜２７を形成して全面を平坦化させた後に、ドレイン領域２２ｂに接続された電極ライン２６の表面が露出するように、平坦化絶縁膜２７を１部を取り除いた後、Ｃｒ，Ａｌ，Ｍｏ，Ａｇ，Ａｕなどのように、反射率と仕事関数値が高い第２金属膜を形成する。

この時、コンタクトホール内にも第２金属膜が形成され、第２金属膜は、コンタクトホール下部の電極ライン２６に接続されるようになる。

次いで、第２金属膜を選択的に取り除き、画素領域にはアノード電極２８を形成する。

図７Ｂは、アノード電極２８の１部分と絶縁膜２７の１部分上とに絶縁膜２９を形成する。

図７Ｃは、平坦化絶縁膜２７とアノード電極２８上とに正孔注入層３０、正孔輸送層３１を順に積層して共通有機膜を形成する。正孔輸送層３１上に発光領域を形成するためのシャドーマスクを用いて、Ｒ，Ｇ，Ｂ発光層３２をそれぞれ形成し、その上に電子輸送層３３、電子注入層３４を形成して発光部３０ないし３４を形成するようになる。

図７Ｄは、電子注入層３４上にカソード共通電極３５を形成する。このような、カソード共通電極３５は、銀ＡｇまたはＭｇ_ｘＡｇ_１−ｘを１〜５ｎｍに蒸着して形成する。

図７Ｅは、補助共通電極３７は、ストライプ状のパターンが形成されたシャドーマスク３６を用いて、薄膜トランジスタＢが形成された画素領域以外の部分にカソード共通電極３５より抵抗が低い物質、例えばアルミニウムＡｌを１０〜１５ｎｍにカソード共通電極３５より厚く真空蒸着して形成する。

図７Ｆは、最後に、Ｒ，Ｇ，Ｂ発光部３０ないし３４を酸素や水気から保護するために保護膜３８を形成した封止材３９を利用して透明基板４０を用いて保護キャップを装着するため、本発明の一実施の形態によるトップエミッションのアクティブマトリックス型の電界発光素子を完成する。

この時、上述のＲ，Ｇ，Ｂ発光部３０ないし３４は、有機物を発光する有機発光層を含むが、本発明は、これに限定せず無機物を発光する無機発光層を含み得る。

このように製作された電界発光素子に、回路基板と制御部とを結合し、携帯電話やコンピューター、ＨＤＴＶとして用いることのできる電界発光パネルが完成できる。

このような、本発明に係る電界発光素子の補助共通電極３７は、薄膜トランジスタＢを含む非発光領域のカソード共通電極３５上部に形成されるため、発光領域の開口率に影響を与えないようになり、透過率は向上する。

以上、本発明は、図面を参照にし、一実施の形態を例にして説明したが、本発明はこれに限定されない。

前記実施の形態で、補助共通電極３７が、薄膜トランジスタＢが形成された非発光領域または画素以外の領域に形成されていると説明したが、有機発光層３２が形成された発光領域、または、画素領域に形成することもできる。この時、開口率を最大化するために、有機発光層３２を薄膜トランジスタが形成された部位まで一部延長して形成し、一部延長された端に補助共通電極３７を形成することもできる。

前記実施の形態で、補助共通電極３７が、カソード共通電極３５より厚いと説明したが、補助共通電極３７がカソード共通電極３５と同じ厚さを有するか、または薄いこともある。カソード共通電極３５の厚さを最小化し、カソード共通電極３５に電流のため劣化されない程度であれば、補助共通電極３７の厚さはどのくらいであっても良い。

前記実施の形態で、補助共通電極３７は、カソード共通電極３５より低抵抗であるアルミニウムＡｌであると説明したが、カソード共通電極３５と同じ材料を用いることもできる。補助共通電極３７とカソード共通電極３５とに同じ材料を用いるため、真空蒸着の時、シャドーマスクを用いず、カソード共通電極３５を形成した後、同じチャンバで補助共通電極３７を形成するため、製造工程を単純化できる。
結果的に、カソード共通電極３５上にカソード共通電極３５と同じ材料の補助共通電極３７を形成するため、面抵抗を低くできる。このように、本発明は、補助共通電極３７を介して、カソード共通電極３５の面抵抗を低くできる現在または、未来の全ての実施の形態や変形例を含む。

前記実施の形態で、図６及び図８Ａに示しているように、補助共通電極３７が、Ｒ，Ｇ，Ｂ有機発光層の横方向に形成されたものであると説明したが、図８Ｂに示しているように、補助共通電極３７がＲ，Ｇ，Ｂ有機発光層の縦方向に形成され得る。この時、Ｒ，Ｇ，Ｂ有機発光層は、縦方向に長く形成することが好ましい。

一方、カソード共通電極３５や補助共通電極３７の材料は、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｏ，ＬｉＦ，ＩＴＯ，ＩＺＯのうち何れか一つ、または何れか一つの合金材料であり得る。特に、ＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明電極で、カソード共通電極３５を形成するため、透過率を極大化することができ、また、ＬｉＦなどを用いるためカソード共通電極３５の厚さを最小１ｎｍに薄くできる。

前記実施の形態で、トップエミッションのアクティブマトリックス型の有機電界発光素子を例に説明したが、本発明は、トップエミッションのパッシブマトリックス型の有機電界発光素子のカソード電極の上下に低抵抗の補助電極を形成し、抵抗による劣化を防止することもできる。また、本発明は、アノード電極２８として、ＩＴＯやＩＺＯ，ＩＴＺＯのような透明電極を用いるボトムエミッションのアクティブマトリックス型の有機電界発光素子でもあり得る。

前記実施の形態において、カソード共通電極３５と補助共通電極３７上とに保護膜３８と封止材３９、透明基板４０が形成されていると説明したが、保護膜３８がカソード共通電極３５と補助共通電極３７上とに形成されず、ガラス透明基板が密封剤によって下部基板２１に附着していることもある。この時、水気と酸素を取り除くための吸湿剤が内部に附着し得る。

前記実施の形態において、平坦化絶縁膜２７上には、アノード電極２８が形成され、アノード電極２８上部には、正孔注入層３０が形成され、電子注入層３４上には、カソード共通電極３５が形成されていると説明したが、カソード共通電極３５が平坦化絶縁膜２７上に形成され、カソード共通電極３５上部には、電子注入層３４が形成され、正孔注入層３０上には、アノード電極２８が形成され得る。これは、電界発光素子が、一方、または両方向に電界発光の時に駆動方式を異にするか、２つの電極物質を異にし、開口率に最大限影響を与えずに発光効率を高めるためのものである。

前記実施の形態において、説明の便宜上、補助共通電極３７が非発光領域のカソード共通電極３５上部に形成されると限定したが、本発明はここに限定せず図示していないが、カソード共通電極３５下部に形成されることも可能である。

「２．電界発光表示装置（Ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）」
一方、本発明に係る有機電界発光素子が駆動するために、電気的に配線と接続されて形成されたパッド部を含む有機電界発光表示装置を説明したものが次の図９及び図１０である。

図９は、本発明の一実施の形態に係る従来の有機電界発光表示装置の平面図であり、図１０は、図９に示している有機電界発光表示装置のＹ〜Ｙ’断面図である。

まず、図９に示されているように、本発明に係る一つの実施の形態である有機電界発光表示装置９００は、基板９０２上に示さなかったが、複数の画素９０３が備わった画素回路部９０８と、有機電界発光素子を駆動するために、パッド部９０４と電気的に接続されて形成された配線部９０６とが形成される。

また、パッド部９０４と電気的に接続された配線部９０６に接地電源で電圧を印加する第２電極であるカソード共通電極９１０が形成される。

この時、本発明に係る有機電界発光表示装置９００は、補助共通電極９１２が、コンタクトホールＰ_１を介して露出した配線部９０６と同一線上に位置するように、カソード共通電極９１０の上部に形成される。

さらに詳細には、図１０に示されているように、本発明に係る有機電界発光表示装置１０００は、基板９０２上にゲート電極を絶縁するためのゲート絶縁膜９０３が形成されおり、図示しなかったが、ソース領域（図示せず）及びドレーン領域（図示せず）を開口する層間絶縁膜１００５が形成される。

また、層間絶縁膜１００５の上部に表面を平坦化するための平坦化絶縁膜１００７が形成され、平坦化絶縁膜１００７のコンタクトホールＰ_１を介し、パッド部（図９の９０４）と電気的に接続させるための配線部９０６が接地電圧として電圧を印加させるように形成される。

この時、配線部９０６は、ゲート電極物質、またはデータライン電極物質のうち、何れか一つの物質で形成されるが、ここではデータ信号を印加するためのデータライン電極物質が形成される。

また、コンタクトホールＰ_１を介して露出した配線部９０６と電気的に接続されるように、第２電極であるカソード共通電極９１０が、正孔注入層１０１１、正孔輸送層１０１３、発光層１０１４、電子輸送層１０１５、電子注入層１０１７などを覆いながら形成され、補助共通電極９１２が平坦化のための平坦化絶縁膜１００７のコンタクトホールＰ_１を介して露出した配線部９０６と同一線上に位置するようにカソード共通電極９１０の上部に形成される。

好ましくは、補助共通電極９１２がコンタクトホール Ｐ_１を介して露出した配線部９０６まで接続されカソード共通電極９１０の上部に形成され、画素回路部（図９の９０８）の非発光領域（図９のＰ_２）にまで形成される。

この時、カソード共通電極９１０と補助共通電極９１２は、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｏ，ＬｉＦ，ＩＴＯ，ＩＺＯのうち何れか一つ、または何れか一つの合金の材質で形成され、補助共通電極９１２の材料が、カソード電極９１０の材料より低抵抗である成分で形成されることが好ましい。

最後に、水分及び酸素の浸透を防止するための保護膜１０１９が、補助共通電極９１２の上部に形成される。

このような、本発明に係る有機電界発光表示装置９００，１０００は、有機電界発光素子の特性上、持続して多くの量の電流が、配線部９０６と電気的に接続されたカソード共通電極９１０とを介して流れるようになっても、補助共通電極９１２がコンタクトホールＰ_１を介して露出した配線部９０６まで接続され、カソード電極９１０の上部に形成され、画素回路部（図９の９０８）の非発光領域（図９のＰ_２）にまで形成されるため、カソード電極９１０の面抵抗を低くできるようになった。

これによって、持続して多くの量の電流が流れる場合、熱を受けてショートしたり、酸化を防止することができ、素子の寿命延長と信頼性は向上する。

一方、本発明に係る有機電界発光表示装置の補助共通電極の構造とは別にし、配線部と電気的に接触されたカソード共通電極の面抵抗を低くできる。

図１１は、本発明の他の一実施の形態による有機電界発光表示装置の平面図であり、図１２は、図１１に示した有機電界発光表示装置のＺ〜Ｚ’断面図である。

図１１に示されているように、本発明に係る有機電界発光表示装置１１００は、図３示され、上述の有機電界発光表示装置 （図３の３００）と同じように、基板１１０２と、図示しなかったが、複数の画素（図示せず）が備わった画素回路部１１０８と、パッド部１１０４と電気的に接続されて形成された配線部１１０６と、第２電極であるカソード共通電極１１１０が形成される。

このような、本発明に係る有機電界発光表示装置１１００に備えられるそれぞれの構成要素と、これらの間の有機的な関係及び、それぞれの機能は、図３に示し、有機電界発光表示装置（図３の３００）に備わるそれぞれの構成要素と、これらの間の有機的な関係及び、それぞれの機能と同一であるため、これに対するそれぞれの敷衍説明は以下省略する。

しかし、本発明に係る有機電界発光表示装置１１００は、補助共通電極１１１２が、配線部１１０６の長さ方向にコンタクトホールＰ_１のうち一つ以上に対応し、カソード共通電極１１１０の上部に形成される。

さらに詳細には、図１２に示されているように、本発明に係る有機電界発光表示装置１２００は、基板１１０２上にゲート電極を絶縁するためのゲート絶縁膜１２０３が形成され、図示しなかったが、ソース領域（図示せず）及び、ドレーン領域（図示せず）を開口する層間絶縁膜１２０５が形成され、層間絶縁膜１２０５の上部に表面を平坦化するための平坦化絶縁膜１２０７が形成され、平坦化絶縁膜１２０７のコンタクトホール Ｐ_１を介し、パッド部（図１１の１１０４）と電気的に接続させるための配線部１１０６が接地電圧源で電圧を印加させるように形成される。この時、配線部１１０６は、ゲート電極物質またはデータライン電極物質のうち何れか一つの物質で形成されるが、ここではデータ信号を印加するためのデータライン電極物資が形成される。

また、配線部１１０６と電気的に接続されるように、第２電極であるカソード共通電極１１１０が、正孔注入層１２１１、正孔輸送層１２１３、発光層１２１４、電子輸送層１２１５、電子注入層１２１７などを覆いながら形成され、補助共通電極１１１２が配線部１２０６の長さ方向にコンタクトホールＰ_１のうち一つ以上に対応するカソード共通電極１１１０の上部に形成される。好ましくは、補助共通電極１１１２が、配線部１２０６の全領域Ｐ_３と対応するように、カソード共通電極１１１０の上部に形成される。

この時、カソード共通電極１１１０と補助共通電極１１１２は、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｏ，ＬｉＦ，ＩＴＯ，ＩＺＯのうち何れか一つ、または何れか一つの合金の材質で形成され、補助共通電極１１１２の材料が、カソード電極１１１０の材料より低抵抗である成分で形成されることが好ましい。

次いで、形成される保護膜１２１９は、図１０に示し、上述の有機電界発光表示装置（図１０の１０００）の保護膜（図１０の１０１９）と同じように順次の過程を通して形成されるため、これに対する敷衍説明は以下省略する。

このような、本発明に係る有機電界発光表示装置１１００，１２００は、図９及び図１０に示し、上述の有機電界発光表示装置９００，１０００と同じように、有機電界発光素子の特性上、持続して多くの量の電流が、配線部１２０６と電気的に接続された共通電極であるカソード電極１１１０とを介して流れるようになっても、補助共通電極１１１２が配線部１２０６の長さ方向に配線部１２０６の全領域Ｐ_３と対応するように、カソード共通電極１１１０の上部に形成されるようになるため、カソード共通電極１１１０の面抵抗を低くできるようになる。これによって、持続して多くの量の電流が流れる場合、熱を受けてショートしたり、酸化を防止することができ、素子の寿命延長と信頼性は向上する。

一方、本発明に係る有機電界発光表示装置の補助共通電極の構造とは別にし、配線部と電気的に接触されたカソード共通電極の面抵抗をさらに低くできるが、このような本発明に係る有機電界発光表示装置の他の一例を説明したものが図１３である。

図１３は、本発明のまた異なる一実施の形態に係る有機電界発光表示装置の平面図である。まず、本発明に係る有機電界発光表示装置は、図９及び図１１に示し、上述の有機電界発光表示装置と同じように備えるようになる。

図１３に示されているように、本発明に係る有機電界発光表示装置１３００は、図９及び図１１に示され、上述の有機電界発光表示装置（図９の９００、図１１の１１００）と同じように基板１３０２と、複数の画素１３０３とを備えた画素回路部１３０８と、パッド部１３０４と電気的に接続されて形成された配線部１３０６と、第２電極であるカソード共通電極１３１０が形成される。

このような、本発明に係る有機電界発光表示装置１３００に備えられるそれぞれの構成要素と、これらの間の有機的な関係及び、それぞれの機能は、図９及び図１１に示し、上述の有機電界発光表示装置（図９の９００、図１１の１１００）に備わるそれぞれの構成要素と、これらの間の有機的な関係及び、それぞれの機能と同一であるため、これに対するそれぞれの敷衍説明は以下省略する。

しかし、本発明に係る有機電界発光表示装置１３００は、補助共通電極１３１２が、配線部１３０６の長さ方向に配線部１３０６の全領域Ｐ_３と対応するように、カソード共通電極１３１０の上部に形成され、補助共通電極１３１２と接続され、コンタクトホールＰ_１と同一線上に位置ｓするようにカソード共通電極１３１０の上部に他の補助共通電極１３２１がさらに形成される。この時、他の補助共通電極１３２１は、画素回路部１３０８の非発光領域Ｐ_２にまで形成される。

このように、本発明に係る有機電界発光表示装置１３００は、図９ないし図１２に示し、上述の有機電界発光表示装置９００、１０００、１１００、１２００と同じように、有機電界発光素子の特性上、持続して多くの量の電流が配線部１３０６と電気的に接続されたカソード共通電極１３１０を介して流れるようになっても、補助共通電極７１２が配線部７０６の長さ方向に配線部７０６の全領域Ｐ_３と対応するように、カソード電極７１０の上部に形成され、補助共通電極１３１２と接続され、コンタクトホールＰ_１と同一線上に位置するようにカソード共通電極１３１０の上部に他の補助共通電極１３２１がさらに形成されるため、カソード共通電極１３１０の面抵抗をさらに低くできるようになる。これによって、持続して多くの量の電流が流れる場合、熱を受けてショートしたり、酸化を防止することができ、素子の寿命延長と信頼性は向上する。

以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。

カソード共通電極と共に補助共通電極を形成し、カソード共通電極が劣化されることを防止するだけではなく、補助共通電極を通して電流を流れるようにするため、カソード共通電極の透過率を極大化できるトップエミッションの電界発光素子及びその製造方法を提供する。

本発明の電界発光素子の製造方法は、薄膜トランジスタがパターニングされた基板と、前記基板上に形成され、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された第１電極と、前記第１電極上に形成された発光部と、前記発光部上に形成された第２電極と、前記第２電極の一部領域上に形成され、その一部領域は、非発光領域の一部を含むように形成された補助共通電極とを含む。

従来の有機電界発光素子の断面図である。 従来の有機電界発光素子の工程図である。 従来の有機電界発光素子の工程図である。 従来の有機電界発光素子の工程図である。 従来の有機電界発光素子の工程図である。 従来の有機電界発光表示装置の平面図である。本発明の一実施の形態による電界発光素子の断面図である。 図３に示される有機電界発光表示装置をＸ〜Ｘ’断面図である。 発明の一実施の形態による電界発光素子の平面図である。 本発明の一実施の形態に係る電界発光素子の平面図である。 本発明の一実施の形態による電界発光素子の製造工程である。 本発明の一実施の形態による電界発光素子の製造工程である。 本発明の一実施の形態による電界発光素子の製造工程である。 本発明の一実施の形態による電界発光素子の製造工程である。 本発明の一実施の形態による電界発光素子の製造工程である。 本発明の一実施の形態による電界発光素子の製造工程である。 本発明の他の実施の形態による電界発光素子の平面図である。 本発明の他の実施の形態による電界発光素子の平面図である。 本発明の一実施の形態に係る有機電界発光表示装置の平面図である。 図９に示される有機電界発光表示装置をＹ〜Ｙ’断面図である。 本発明の他の一実施の形態に係る有機電界発光表示装置の平面図である。 図１１に示される有機電界発光表示装置をＺ〜Ｚ’断面図である。 本発明のまた異なる一実施の形態に係る有機電界発光表示装置の平面図である。

Claims (35)

1. 薄膜トランジスタを含む基板と、
   該基板上に形成され、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された第１電極と、
   該第１電極上に形成された発光部と、
   該発光部上に形成された第２電極と、
   該第２電極の一部領域上に形成され、その一部領域は、非発光領域の一部を含むように形成された補助共通電極と
   を含むことを特徴とする電界発光素子。
2. 前記第１電極上に形成され、該第１電極と前記発光部との間に一部が開口された絶縁膜をさらに含み、
   前記非発光領域は、開口された領域を除いた前記絶縁膜に対応する領域であることを特徴とする請求項１に記載の電界発光素子。
3. 前記補助共通電極が、前記第２電極の上部または下部に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の電界発光素子。
4. 前記第２電極の厚さが、前記補助共通電極の厚さより薄いことを特徴とする請求項３に記載の電界発光素子。
5. 前記補助共通電極の材料が、前記第２電極の材料より低抵抗であることを特徴とする請求項４に記載の電界発光素子。
6. 前記第１電極と前記第２電極とが、それぞれアノード電極とカソード共通電極であることを特徴とする請求項１に記載の電界発光素子。
7. 前記発光部が、有機発光層を含むことを特徴とする請求項１に記載の電界発光素子。
8. 前記第２電極と前記補助共通電極との間に、透明電極をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の電界発光素子。
9. 前記第２電極と前記補助共通電極とが、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｏ，ＬｉＦ，ＩＴＯ，ＩＺＯのうち何れか一つ、または何れか一つの合金であることを特徴とする請求項８に記載の電界発光素子。
10. 前記第２電極と前記補助共通電極上とに形成された保護膜をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の電界発光素子。
11. 薄膜トランジスタを含む基板を準備する基板準備ステップと、
    前記基板上に、前記薄膜トランジスタと電気的に接続される第１電極を形成する第１電極形成ステップと、
    前記第１電極上に発光部を形成する発光部形成ステップと、
    該発光部上に第２電極を形成する第２電極形成ステップと、
    前記第２電極の一部領域上に形成され、その一部領域は、非発光領域の一部を含むように、補助共通電極を形成する補助共通電極の形成ステップと
    を含むことを特徴とする電界発光素子の製造方法。
12. 前記第１電極形成ステップと前記発光部形成ステップとの間に位置し、前記第１電極上に形成され、該第１電極と前記発光部との間に一部が開口された絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップとをさらに含み、
    前記非発光領域は、開口された領域を除いた前記絶縁膜に対応する領域であることを特徴とする請求項１１に記載の電界発光素子の製造方法。
13. 前記補助共通電極の形成ステップが、前記非発光領域に対応する位置が開口されたシャドーマスクを用いて、真空蒸着によって前記補助共通電極を形成することを特徴とする請求項１１に記載の電界発光素子の製造方法。
14. 前記補助共通電極の形成ステップが、前記第２電極の上部または下部に、前記補助共通電極を形成することを特徴とする請求項１３に記載の電界発光素子の製造方法。
15. 前記第２電極の厚さが、前記補助共通電極の厚さより薄いことを特徴とする請求項１４に記載の電界発光素子の製造方法。
16. 前記補助共通電極の材料が、前記第２電極の材料より低抵抗であることを特徴とする請求項１５に記載の電界発光素子の製造方法。
17. 前記第１電極と前記第２電極とが、アノード電極とカソード共通電極であることを特徴とする請求項１１に記載の電界発光素子の製造方法。
18. 前記発光部が、有機発光層を含むことを特徴とする請求項１１に記載の電界発光素子の製造方法。
19. 前記第２電極と前記補助共通電極との間に、透明電極をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の電界発光素子の製造方法。
20. 前記第２電極と前記補助共通電極とが、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｏ，ＬｉＦ，ＩＴＯ，ＩＺＯのうち何れか一つ、または何れか一つの合金であることを特徴とする請求項１９に記載の電界発光素子の製造方法。
21. 前記第２電極と前記補助共通電極上とに形成された保護膜をさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載の電界発光素子の製造方法。
22. 基板と、
    該基板上の第１電極と第２電極との間に形成された発光部を含む画素回路部と、
    前記第２電極と電気的に接続されるように形成された配線部と、
    該配線部上に形成され、前記配線部の一部が露出され、前記第２電極と前記配線部とを電気的に接続するコンタクトホールが形成された絶縁膜と、
    前記第２電極上に形成され、前記コンタクトホールと同一線上に位置する補助共通電極と
    を含むことを特徴とする電界発光表示装置。
23. 前記補助共通電極が、前記コンタクトホールまで接続されて形成されることを特徴とする請求項２２に記載の電界発光表示装置。
24. 前記補助共通電極が、前記画素回路部の非発光領域に形成されることを特徴とする請求項２２に記載の電界発光表示装置。
25. 基板と、
    該基板上の第１電極と第２電極との間に形成された発光部を含む画素回路部と、
    前記第２電極と電気的に接続されるように形成された配線部と、
    該配線部上に形成され、前記配線部の一部が露出され、前記第２電極と前記配線部とを電気的に接続する一つ以上のコンタクトホールが形成された絶縁膜と、
    前記配線部の長さ方向に前記コンタクトホールのうち、１つ以上に対応され、第２電極上に形成され、補助共通電極と
    を含むことを特徴とする電界発光表示装置。
26. 前記補助共通電極が、前記配線部の全領域と対応するように形成されることを特徴とする請求項２５に記載の電界発光表示装置。
27. 前記配線部が、ゲート電極物質、データライン電極物質のうち何れか一つを特徴とする請求項２２に記載の電界発光表示装置。
28. 前記配線部が、ゲート電極物質、データライン電極物質のうち何れか一つを特徴とする請求項２５に記載の電界発光表示装置。
29. 前記第２電極が、共通カソード電極であることを特徴とする請求項２２に記載の電界発光表示装置。
30. 前記第２電極が、共通カソード電極であることを特徴とする請求項２５に記載の電界発光表示装置。
31. 基板を準備するステップと、
    前記基板上に、第１電極と第２電極との間に形成された発光部を含む画素回路を形成するステップと、
    前記第２電極と電気的に接続されるように配線部を形成するステップと、
    前記配線部上に形成し、該配線部の一部を露出して前記第２電極と前記配線部とを電気的に接続するようにコンタクトホールを形成させて絶縁膜を形成するステップと、
    前記第２電極に形成し、前記コンタクトホールと同一線上に位置するように補助共通電極を形成するステップと
    を含むことを特徴とする電界発光表示装置の製造方法。
32. 前記補助共通電極を形成するステップが、前記補助共通電極を前記コンタクトホールまで接続させて形成するステップであることを特徴とする請求項３１に記載の電界発光表示装置の製造方法。
33. 前記補助共通電極を形成するステップが、前記補助共通電極を前記画素回路部の非発光領域に形成するステップであることを特徴とする請求項３１に記載の電界発光表示装置の製造方法。
34. 基板を準備するステップと、
    前記基板上に、第１電極と第２電極との間に形成された発光部を含む画素回路を形成するステップと、
    前記第２電極と電気的に接続されるように配線部を形成するステップと、
    前記配線部上に形成し、該配線部の一部を露出して前記第２電極と前記配線部とを電気的に接続するようにコンタクトホールを形成させて絶縁膜を形成するステップと、
    前記配線部の長さ方向に前記コンタクトホールのうち、１つ以上に対応させて第２電極に補助共通電極を形成するステップと
    を含むことを特徴とする電界発光表示装置。
35. 前記補助共通電極を形成するステップが、前記補助共通電極を前記配線部の全領域と対応するように形成するステップであることを特徴とする請求項３４に記載の電界発光表示装置の製造方法。

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