JP2008218213A - 光デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】対向配置された第1基板1と第2基板7の対向面の一方に、有機EL素子による画素を画定する絶縁膜5が形成されると共に、前記第1基板と第2基板の対向面の他方には、前記第1基板と第2基板を貼り合わせた状態において、前記絶縁膜5に接触する凸状になされた絶縁リブ8が形成される。前記絶縁リブ8の間において形成される空間内に、有機EL素子を構成する一対の電極のうちのいずれか一方の電極として機能する導電性を有する注入材料12が注入される。
【選択図】図3
Description
2 第1電極
3 第1電極の引き出し配線
4 第2電極の引き出し配線
5 絶縁膜
6 有機材料層
7 第2基板
8 絶縁リブ
9a,9b シール材
11 開口部
12 第2電極(注入材料)
13 コンタクトホール
14a,14b 導電性接着剤
15a,15b 外部回路
17, 導電層
19 導電材料
20 有機ELセル
21 注入材料容器
22 注入用チャンバ
Claims (3)
- 一対の電極間に少なくとも1層の発光層を含む有機材料層を備えた有機EL素子を一つの画素として利用する光デバイスであって、
対向配置された第1基板と第2基板の対向面の一方に、前記有機EL素子による画素を画定する絶縁膜が形成されると共に、前記第1基板と第2基板の対向面の他方には、前記第1基板と第2基板を貼り合わせた状態において、前記絶縁膜に接触する凸状になされた絶縁リブが形成され、
前記凸状になされた絶縁リブの間において形成される空間内に、前記有機EL素子を構成する一対の電極のうちのいずれか一方の電極として機能する導電性を有する注入材料を注入したことを特徴とする光デバイス。 - 一対の電極間に少なくとも1層の発光層を含む有機材料層を備えた有機EL素子を一つの画素として利用する光デバイスの製造方法であって、
対向配置される第1基板と第2基板の対向面の一方に、直接または他の層を介して前記有機EL素子を構成する一対の電極のうちの一方の電極である第1電極を形成する第1電極形成工程と、
前記第1電極上に前記有機EL素子による画素を画定する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜により画定される前記第1電極上に、前記有機材料層を形成する有機層形成工程と、
前記第1基板と第2基板の対向面の他方に、絶縁性の素材により凸状になされた絶縁リブを形成する絶縁リブ形成工程と、
前記第1基板と第2基板を貼り合わせることで、前記絶縁膜と絶縁リブとが接触した状態で封止される封止工程と、
前記凸状になされた絶縁リブの間において形成される空間内に、導電性を有する注入材料を注入することで、前記有機EL素子を構成する前記一対の電極のうちの他方の電極である第2電極を形成する第2電極形成工程と、
が実行されることを特徴とする光デバイスの製造方法。 - 一対の電極間に少なくとも1層の発光層を含む有機材料層を備えた有機EL素子を一つの画素として利用する光デバイスの製造方法であって、
対向配置される第1基板と第2基板の対向面の一方に、直接または他の層を介して前記有機EL素子を構成する一対の電極のうちの一方の電極である第1電極を形成する第1電極形成工程と、
前記第1電極上に前記有機EL素子による画素を画定する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜により画定される前記第1電極上に、前記有機材料層を形成する有機層形成工程と、
前記第1基板と第2基板の対向面の他方に、絶縁性の素材により凸状になされた絶縁リブを形成する絶縁リブ形成工程と、
凸状になされた前記絶縁リブの間において形成される空間内に、導電材料を装着する導電材料装着工程と、
前記第1基板と第2基板を貼り合わせることで、前記絶縁膜と絶縁リブとが接触した状態で封止される封止工程と、
前記絶縁リブの間において形成される空間内に、導電性を有する注入材料を注入することで、前記導電材料と共に有機EL素子を構成する前記一対の電極のうちの他方の電極である第2電極を形成する第2電極形成工程と、
が実行されることを特徴とする光デバイスの製造方法。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
JP2015046264A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | パイオニア株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003142259A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Fuji Electric Co Ltd | 有機薄膜発光ディスプレイ及びその製造方法 |
JP2005285732A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-10-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機機能素子およびその製造方法 |
JP2006318910A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Lg Electronics Inc | 電界発光素子及びその製造方法、電界発光表示装置及びその製造方法 |
-
2007
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003142259A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Fuji Electric Co Ltd | 有機薄膜発光ディスプレイ及びその製造方法 |
JP2005285732A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-10-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機機能素子およびその製造方法 |
JP2006318910A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Lg Electronics Inc | 電界発光素子及びその製造方法、電界発光表示装置及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015046264A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | パイオニア株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
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