JP7390739B2 - 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス - Google Patents
核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP7390739B2 JP7390739B2 JP2021552884A JP2021552884A JP7390739B2 JP 7390739 B2 JP7390739 B2 JP 7390739B2 JP 2021552884 A JP2021552884 A JP 2021552884A JP 2021552884 A JP2021552884 A JP 2021552884A JP 7390739 B2 JP7390739 B2 JP 7390739B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- limiting examples
- electrode
- conductive coating
- nic
- optoelectronic device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 623
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 title claims description 54
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 title claims description 54
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 title claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 286
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 562
- -1 1-phenanthryl Chemical group 0.000 claims description 205
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 146
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 103
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 83
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 40
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 33
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 29
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 26
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 22
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 22
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims description 16
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 125000003106 haloaryl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims description 15
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 125000004428 fluoroalkoxy group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000004361 3,4,5-trifluorophenyl group Chemical group [H]C1=C(F)C(F)=C(F)C([H])=C1* 0.000 claims description 14
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 11
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 11
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000001028 difluoromethyl group Chemical group [H]C(F)(F)* 0.000 claims description 10
- 125000004407 fluoroaryl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000004216 fluoromethyl group Chemical group [H]C([H])(F)* 0.000 claims description 10
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 10
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 claims description 10
- 125000001255 4-fluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1F 0.000 claims description 9
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims description 9
- 125000004438 haloalkoxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 8
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical compound N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000005562 phenanthrylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 6
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 6
- 125000005548 pyrenylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000012799 electrically-conductive coating Substances 0.000 claims description 5
- 125000001207 fluorophenyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical compound C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000005649 substituted arylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004360 trifluorophenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 claims description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000003784 fluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(F)C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- VOZBMWWMIQGZGM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(9,10-dinaphthalen-2-ylanthracen-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC=C(C=2C=C3C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C3=CC=2)C=C1 VOZBMWWMIQGZGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 875
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 192
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 189
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 161
- 238000000034 method Methods 0.000 description 102
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 76
- 230000008569 process Effects 0.000 description 69
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 67
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 67
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 66
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 66
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 65
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 49
- 238000001152 differential interference contrast microscopy Methods 0.000 description 40
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 36
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 36
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 33
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 30
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 29
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 23
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 23
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 23
- 210000005155 neural progenitor cell Anatomy 0.000 description 20
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 19
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 14
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 13
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 12
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 11
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 11
- 229920000740 poly(D-lysine) polymer Polymers 0.000 description 11
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 10
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 10
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 10
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 9
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 9
- 238000004680 force modulation microscopy Methods 0.000 description 9
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 9
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 8
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 8
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 8
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 125000000876 trifluoromethoxy group Chemical group FC(F)(F)O* 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 7
- 125000004786 difluoromethoxy group Chemical group [H]C(F)(F)O* 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 5
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 5
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- PQIOSYKVBBWRRI-UHFFFAOYSA-N methylphosphonyl difluoride Chemical group CP(F)(F)=O PQIOSYKVBBWRRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N phenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1 HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- SYACRXBYRNYMLN-UHFFFAOYSA-N 9-bromo-10-naphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(Br)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 SYACRXBYRNYMLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100459319 Arabidopsis thaliana VIII-2 gene Proteins 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003775 Density Functional Theory Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000002171 field ion microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000003380 quartz crystal microbalance Methods 0.000 description 2
- 239000012925 reference material Substances 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHDDEIOYXFXNNJ-UHFFFAOYSA-N (3,4,5-trifluorophenyl)boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC(F)=C(F)C(F)=C1 UHDDEIOYXFXNNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQURYVBAXSWGDX-UHFFFAOYSA-N 2,6-dibromo-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC(Br)=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)Br)=CC=C21 WQURYVBAXSWGDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRQRVVXRRUOQMF-UHFFFAOYSA-N 2-[3-(10-naphthalen-1-ylanthracen-9-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC(=C1)N1C2=C(N=C1C1=CC=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C4=C5C=CC=CC5=CC=C4)C4=CC=CC=C34)=C1)C=CC=C2 DRQRVVXRRUOQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGSGIFIURINYFX-UHFFFAOYSA-N 3-(10-naphthalen-1-ylanthracen-9-yl)quinoline Chemical compound C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=C2C=CC=CC2=C(C2=CC=CC=C12)C=1C=NC2=CC=CC=C2C=1 ZGSGIFIURINYFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDBQJSCPCGTAFG-QHCPKHFHSA-N 4,4-difluoro-N-[(1S)-3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-pyridin-3-ylpropyl]cyclohexane-1-carboxamide Chemical compound FC1(CCC(CC1)C(=O)N[C@@H](CCN1CCC(CC1)N1C(=NN=C1C)C(C)C)C=1C=NC=CC=1)F WDBQJSCPCGTAFG-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- BWGRDBSNKQABCB-UHFFFAOYSA-N 4,4-difluoro-N-[3-[3-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)-8-azabicyclo[3.2.1]octan-8-yl]-1-thiophen-2-ylpropyl]cyclohexane-1-carboxamide Chemical compound CC(C)C1=NN=C(C)N1C1CC2CCC(C1)N2CCC(NC(=O)C1CCC(F)(F)CC1)C1=CC=CS1 BWGRDBSNKQABCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZIDIEKMBGGLCT-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-yl-2,6-bis(3,4,5-trifluorophenyl)anthracene Chemical compound C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)C=1C2=CC=C(C=C2C(=C2C=CC(=CC=12)C1=CC(=C(C(=C1)F)F)F)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)C1=CC(=C(C(=C1)F)F)F RZIDIEKMBGGLCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZVSUIXHENWPGJ-UHFFFAOYSA-N 9-(3-naphthalen-1-ylphenyl)-10-phenanthren-9-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C=2C=CC=C(C=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C12 QZVSUIXHENWPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGORXTQHHCGPTK-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-1-yl-10-(3-naphthalen-1-ylphenyl)anthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C=2C=CC=C(C=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 MGORXTQHHCGPTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100132433 Arabidopsis thaliana VIII-1 gene Proteins 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N N-[3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-thiophen-2-ylpropyl]acetamide Chemical compound C(C)(C)C1=NN=C(N1C1CCN(CC1)CCC(C=1SC=CC=1)NC(C)=O)C LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YALVJUMJQAACQL-UHFFFAOYSA-N [3-(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 YALVJUMJQAACQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Cu] Chemical compound [Mg].[Cu] OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- WIGAYVXYNSVZAV-UHFFFAOYSA-N ac1lavbc Chemical compound [W].[W] WIGAYVXYNSVZAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012445 acidic reagent Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N boronic acid Chemical compound OBO ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031709 bromination Effects 0.000 description 1
- 238000005893 bromination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 1
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 1
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- YGDICLRMNDWZAK-UHFFFAOYSA-N quinolin-3-ylboronic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(B(O)O)=CN=C21 YGDICLRMNDWZAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004574 scanning tunneling microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/24—Electrically-conducting paints
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/60—Additives non-macromolecular
- C09D7/63—Additives non-macromolecular organic
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/01—Hydrocarbons
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Description
関連出願
本開示は、２０１９年３月７日に出願された米国仮特許出願第６２／８１５，２６７号、２０１９年３月２２日に出願された米国仮特許出願第６２／８２２，７１５号、および２０１９年４月５日に出願された米国仮特許出願第６２／８３０，３３８号に対する優先権の利益を主張し、これらの各内容は、参照によりそれら全体が本明細書に組み込まれる。
本開示は、２０１９年３月７日に出願された米国仮特許出願第６２／８１５，２６７号、２０１９年３月２２日に出願された米国仮特許出願第６２／８２２，７１５号、および２０１９年４月５日に出願された米国仮特許出願第６２／８３０，３３８号に対する優先権の利益を主張し、これらの各内容は、参照によりそれら全体が本明細書に組み込まれる。
本開示は、光電子デバイスおよび特に核生成抑制コーティング、ならびにそのようなデバイスで使用するためにそれを組み込んだデバイスに関する。
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの光電子デバイスでは、少なくとも１つの半導電性層が、アノードおよびカソードなどの一対の電極間に配設される。アノードおよびカソードは、電源に電気的に結合され、それぞれ、少なくとも１つの半導電性層を通って互いに向かって移動する正孔および電子を生じさせる。正孔および電子の対が組み合わされるとき、光子が放出される場合がある。
ＯＬＥＤディスプレイパネルは、複数のピクセル（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）を含むことができ、これらの各々は、関連する一対の電極を有し、これら電極は通常、真空条件下で基部材料の露出表面上に導電性コーティングを堆積することによって形成される。いくつかの用途では、ＯＬＥＤ製造プロセスにおいて、各ピクセルおよび／またはサブピクセル用のパターン化された電極を提供することが望ましい場合がある。
そうするための１つの方法は、導電性コーティングの堆積中のファインメタルマスク（ＦＭＭ）の挿入を伴う。しかしながら、導電性コーティング堆積プロセスは高温で発生し、これは、ＦＭＭを再利用する能力、および／または達成され得るパターンの精度に影響を及ぼし、それに付随して、コスト、労力、および複雑さが増大する。
そうするための１つの方法は、導電性コーティングを堆積することと、その後レーザー穴あけプロセスを含む、その不要な領域を除去して、パターンを形成することと、を伴う。しかしながら、除去プロセスは、多くの場合、破片の作成および／または存在を伴い、製造プロセスの収率に影響する場合がある。
導電性コーティングのパターン化された堆積を提供するための改善されたメカニズムを提供することは有益であろう。
ここで、本開示の例を、以下の図を参照することによって説明し、異なる図中の同一の参照番号は、同一の要素を示している。
本開示では、限定ではなく解説の目的で、特定のアーキテクチャ、インターフェース、および／または技法を含むがこれらに限定されない、本開示の完全な理解を提供するために特定の詳細が記述される。場合によっては、本開示の説明を不必要な詳細で曖昧にしないように、よく知られているシステム、技術、構成要素、デバイス、回路、方法、および用途の詳細な説明が省略されている。
さらに、本明細書で再現されたブロック図は、技術の原理を具体化する例示的な構成要素の概念図を表し得ることが理解されよう。
したがって、システムおよび方法の構成要素は、図面中の従来の記号によって適切に表されており、本明細書における説明の利益を有する当業者に容易に明らかになる詳細で本開示を曖昧にしないように、本開示の例を理解することに関連するこれらの特定の詳細のみを示している。
本明細書で提供されるいかなる図面も、縮尺通りに描かれているものではなく、いかなる方法でも本開示を制限すると見なされるものではない。
破線のアウトラインで示す任意の特徴または作用は、いくつかの例では任意選択として見なされる場合がある。
本開示の目的は、先行技術の少なくとも１つの欠点を取り除くまたは軽減することである。
本開示は、光電子デバイスを製造するための製造プロセスにおいて、導電性コーティングを形成するための所与の材料に対して、表面の初期付着確率Ｓ０よりも実質的に低い初期付着確率Ｓ０を有する表面を有する、光電子デバイスの横方向の第１の部分内のその表面上に、選択的に配設され得る核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）を開示する。したがって、導電性コーティングが、オープンマスクおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを含めて、デバイスの表面上に堆積されるとき、導電性コーティングは、第１の部分内に留まらない傾向があり、一方、導電性コーティングは、表面の横方向の第２の部分内に留まる傾向がある。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣは、ファインメタルマスク（ＦＭＭ）を使用することによって、第１の部分内に選択的に堆積され得る。ＮＩＣは、導電性コーティングが堆積され得る温度よりも実質的に低い温度で堆積することができるため、ＦＭＭを再利用することができる、および／または堆積された導電性コーティングの正確なパターンを達成し、それに付随してコストおよび労力を削減することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣは、式（Ｉ）、（ＩＩ）＜（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、および（ＶＩＩＩ）からなる群から選択される式を有する化合物を含み得る：
．
本開示の広い態様によれば、光電子デバイスであって、デバイスの横方向の第１の部分内のデバイスの表面上に配設された核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）、デバイスの横方向の第２の部分内のデバイスの表面上に配設された導電性コーティング、を含み、第１の部分に導電性コーティングが実質的にないように、導電性コーティングの初期付着確率は、第１の部分内の表面についてよりもＮＩＣについての方が実質的に低く、ＮＩＣが、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、および（ＶＩＩＩ）からなる群から選択される式を有する化合物を含む、光電子デバイス、を開示する。
．
実施例は、それらを実施することができる本開示の態様と併せて上述している。当業者は、実施例が、それらが説明されている態様と併せて実施され得るが、その態様または別の態様の他の実施例とともに実施されてもよいことを理解するであろう。実施例が相互に排他的である、または他の点で互いに不適合であるとき、それは、当業者には明らかであろう。いくつかの実施例は、１つの態様に関係して説明され得るが、当業者には明らかであるように、他の態様にも適用可能であり得る。
本開示のいくつかの態様または実施例は、ＮＩＣおよびデバイス中に選択的に堆積されたそのようなＮＩＣを有する光電子デバイスを提供し得る。
エレクトロルミネセントデバイス
本開示は概して、電子デバイス、およびより具体的には光電子デバイスに関する。光電子デバイスは概して、電気信号を光子に、およびその逆に変換する任意のデバイスを包含する。
本開示は概して、電子デバイス、およびより具体的には光電子デバイスに関する。光電子デバイスは概して、電気信号を光子に、およびその逆に変換する任意のデバイスを包含する。
本開示では、「光子」および「光」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得る。
本開示では、光子は、その赤外線（ＩＲ）および／または紫外線（ＵＶ）領域において、可視光スペクトルに位置する波長を有し得る。
有機光電子デバイスは、デバイスの１つ以上の活性層が主に有機材料、およびより具体的には有機半導電性材料で形成される任意の光電子デバイスを包含することができる。
本開示では、有機材料は、ＰＣＴ公開第ＷＯ２０１２／０１７０７４号で説明されているものを含むがこれに限定されない、多種多様な有機（炭素含有）分子および／または有機ポリマーを含み得るがこれらに限定されない、ことが当業者に理解されよう。さらに、元素および／または無機化合物を含むがこれらに限定されない、様々な無機物質でドープされた有機材料は、依然として有機材料と見なされ得ることが当業者に理解されよう。依然として、様々な有機材料が使用されてもよく、本明細書で説明するプロセスは、概して、そのような有機材料の全範囲に適用可能であることが当業者にさらに理解されよう。
本開示では、無機物質は、主に無機材料を含む物質を指し得る。本開示では、無機材料は、金属、ガラス、および／または鉱物を含むがこれらに限定されない、有機材料とはみなされない任意の材料を含み得る。
光電子デバイスがルミネセントプロセスを通して光子を放出する場合、デバイスは、エレクトロルミネセントデバイスと見なすことができる。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、有機発光ダイオード（ＬＥＤ）（ＯＬＥＤ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、電子デバイスの一部であり得る。非限定的な例として、エレクトロルミネセントデバイスは、ＯＬＥＤ照明パネルまたはモジュール、かつ／あるいはスマートフォン、タブレット、ラップトップ、電子書籍リーダーなどのコンピューティングデバイス、ならびに／もしくはモニターおよび／またはテレビなどのいくつかの他の電子デバイスのＯＬＥＤディスプレイまたはモジュールであり得る。
いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、太陽エネルギーを光子に変換する有機薄膜太陽電池（ＯＰＶ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な
例では、エレクトロルミネセントデバイスは、エレクトロルミネセント量子ドットデバイスであり得る。本開示では、具体的には、特に異議を唱えない限り、いくつかの例では、そのような開示が、当業者に明らかな様態で、ＯＰＶおよび／または量子ドットデバイスを含むがこれらに限定されない、他のエレクトロルミネセントデバイスに等しく適用可能にされ得ることを理解して、ＯＬＥＤエレクトロルミネセントデバイスを参照する。
例では、エレクトロルミネセントデバイスは、エレクトロルミネセント量子ドットデバイスであり得る。本開示では、具体的には、特に異議を唱えない限り、いくつかの例では、そのような開示が、当業者に明らかな様態で、ＯＰＶおよび／または量子ドットデバイスを含むがこれらに限定されない、他のエレクトロルミネセントデバイスに等しく適用可能にされ得ることを理解して、ＯＬＥＤエレクトロルミネセントデバイスを参照する。
そのようなエレクトロルミネセントデバイスの構造は、２つの方向の各々から、すなわち、断面図から、および／または横（平面図）方向から説明する。
下記の断面図を紹介する文脈では、そのようなエレクトロルミネセントデバイスの構成要素は、実質的に平面の横層状部で示す。当業者は、そのような実質的に平面の表現は例示のみを目的とするものであり、そのようなデバイスの横範囲にわたるものであり、いくつかの非限定的な例では層または層状部の実質的に完全な欠如、および／または非平面遷移領域（横ギャップおよび不連続部も含む）によって分離された層および／または層状部を含む、異なる厚さおよび寸法の局所化された実質的に平坦な層状部があってもよいことを理解するであろう。したがって、例示目的で、エレクトロルミネセントデバイスは、実質的に層状の構造としてその断面図において下記に示されているが、下記で述べる平面図の態様では、そのようなデバイスは、特徴部を画定するための多様な形態（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）を示し得、これらの各特徴部は、断面図において述べる層状プロファイルを実質的に示し得る。
断面図
図１は、本開示による、エレクトロルミネセントデバイスの例の断面図からの簡略化されたブロック図である。概して、１００で示すエレクトロルミネセントデバイスは、基板１１０を含み、この上に、複数の層、それぞれ第１の電極１２０、有機層１３０、および第２の電極１４０を含むフロントプレーン１０が配設される。いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１５５０（図１５Ｃ）を設けて、層１２０、１３０、１４０、および／またはそれらの上に配設された基板１１０を取り囲む、ならびに／もしくは封止することができる。
図１は、本開示による、エレクトロルミネセントデバイスの例の断面図からの簡略化されたブロック図である。概して、１００で示すエレクトロルミネセントデバイスは、基板１１０を含み、この上に、複数の層、それぞれ第１の電極１２０、有機層１３０、および第２の電極１４０を含むフロントプレーン１０が配設される。いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１５５０（図１５Ｃ）を設けて、層１２０、１３０、１４０、および／またはそれらの上に配設された基板１１０を取り囲む、ならびに／もしくは封止することができる。
例示する目的で、基部材料の露出層は１１１と呼ばれる。図１では、露出層１１１は、第２の電極１４０のものであるとして示されている。当業者は、非限定的な例として、第１の電極１２０の堆積時に、露出層が基板１１０の１１１ａとして示されていることを理解するであろう。
本開示では、方向の慣習に従い、基板１１０がエレクトロルミネセントデバイス１００の「下面」であると見なされ、層１２０、１３０、１４０が基板１１の「上面」上に配設される、上述の横方向に対して実質的に垂直に延在している。そのような慣習に従って、たとえ（１つ以上の層１２０、１３０、１４０が蒸着プロセスによって導入され得る、製造プロセス中を含むがこれに限定されない、いくつかの例での場合であり得るとして）、堆積材料（図示せず）が上方に移り、その上面に薄膜として堆積することを可能にするために、基板１１０が、第１の電極１２０などであるがこれに限定されない、層１２０、１３０、１４０のうちの１つが配設されるべき上面が、基板１１０の物理的に下方にあるように、物理的に反転されても、第２の電極１４０は、示すエレクトロルミネセントデバイス１００の上面にある。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、電源１５と電気的に結合され得る。そのように結合されるとき、デバイス１００は、本明細書で説明するように光子を放出することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、そこからの光子の放出方向に従って分類することができる。いくつかの非限定的な例では、生じた光子が、デバイス１００の下面にある基板１００に向かうおよびそれを通り、基板１１０の上面に配設された層１２０、１３０、１４０から離れる方向に放出される場合、デバイス１００は、下面発光デバイスであると見なされ得る。いくつかの非限定的な例では、光子が、デバイス１００の下面にある基板１１０から離れ、基板１１０の上面に中間層１２０、１３０とともに配設された上層１４０に向かうおよび／またはそれを通る方向に放出される場合、デバイス１００は上面発光デバイスであると見なされ得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、それが下面（基板１１０に向かう、およびそれを通る）および上面（上層１４０に向かう、およびそれを通る）の両方で光子を放出するように構成されている場合、両面発光デバイスであると見なされ得る。
薄膜の形成
フロントプレーン１０層１２０、１３０、１４０は、基部材料のターゲット露出表面１１１（および／またはいくつかの非限定的な例では、本明細書に開示する選択的堆積の場合に、そのような表面の少なくとも１つのターゲット領域含むがこれに限定されない）の上面に順次配設することができ、この基部材料は、いくつかの非限定的な例では、時々、基板１１０および薄膜として、介在する下層１２０、１３０、１４０であり得る。いくつかの非限定的な例では、電極１２０、１４０は、少なくとも１つの薄膜導電性コーティング９３０（図９）層から形成され得る。
フロントプレーン１０層１２０、１３０、１４０は、基部材料のターゲット露出表面１１１（および／またはいくつかの非限定的な例では、本明細書に開示する選択的堆積の場合に、そのような表面の少なくとも１つのターゲット領域含むがこれに限定されない）の上面に順次配設することができ、この基部材料は、いくつかの非限定的な例では、時々、基板１１０および薄膜として、介在する下層１２０、１３０、１４０であり得る。いくつかの非限定的な例では、電極１２０、１４０は、少なくとも１つの薄膜導電性コーティング９３０（図９）層から形成され得る。
図１に示す各層１２０、１３０、１４０、および基板１１０の厚さは、例示のみであり、必ずしも別の層１２０、１３０、１４０（および／または基板１１０）に対する厚さを表すものではない。
基部材料の露出表面１１１への蒸着中の薄膜の形成は、核生成および成長のプロセスを伴う。膜形成の初期段階中に、十分な数の蒸気モノマー（例えば、原子および／または分子）は、通常、気相から凝縮して、基板１１０（または介在する下層１２０、１３０、１４０）のいずれであっても、提示された表面１１１上に初期核を形成する。蒸気モノマーがそのような表面上に衝突し続けると、これらの初期核のサイズと密度が増加して、小さいクラスタまたは島が形成される。島の密度に飽和した後、概して、隣接する島が合体し始め、島の密度を減らしながら島の平均サイズが増加する。隣接する島の合体は、実質的に閉じた膜が形成されるまで続き得る。
薄膜の形成には、１）島（Ｖｏｌｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ）、２）層毎（Ｆｒａｎｋ－ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ）、および３）Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖの少なくとも３つの基本的な成長モードがあり得る。島の成長は通常、モノマーの安定したクラスタが表面で核となり、成長して離散した島を形成するときに発生する。この成長モードは、モノマー間の相互作用がモノマーと表面間の相互作用よりも強いときに発生する。
核生成率は、単位時間あたりに表面上に形成する所与のサイズの核（自由エネルギーがそのような核のクラスタを押して成長または収縮させない場合）（「臨界核」）がいくつあるかを説明する。膜形成の初期段階中に、核の密度が低く、これにより核が表面の比較的小さい部分を被覆するため（例えば、隣り合う核の間に大きいギャップ／空間がある）、核が表面へのモノマーの直接衝突から成長する可能性は低い。したがって、臨界核が成長する速度は、通常、表面上の吸着したモノマー（例えば、吸着原子）が移動して近傍の核に付着する速度に依存する。
吸着原子が表面に吸着した後、吸着原子は、表面から脱離するか、あるいは、脱離し、他の吸着原子と相互作用して小さなクラスタを形成し、または成長している核に付着する
前に、表面上をある程度移動することができる。最初の吸着後に吸着原子が表面上に留まる平均時間は、次の式で与えられる。
前に、表面上をある程度移動することができる。最初の吸着後に吸着原子が表面上に留まる平均時間は、次の式で与えられる。
上記の等式では、νは表面の吸着原子の振動周波数であり、ｋはボルツマン定数であり、Ｔは温度であり、Ｅｄｅｓ６３１（図６）は吸着原子を表面から脱離させるために必要なエネルギーである。この等式から、Ｅｄｅｓ６３１の値が低いほど、吸着原子が表面から脱離しやすくなるため、吸着原子が表面上に留まる時間が短くなることがわかる。吸着原子が拡散できる平均距離は、次の式で与えられる。
式中、α０は格子定数であり、Ｅｓ６２１（図６）は、表面拡散の活性化エネルギーである。低い値および／または高い値の吸着原子については、脱離前に短い距離を拡散するため、成長している核に付着したり、別の吸着原子または吸着原子のクラスタと相互作用したりする可能性が低くなる。
膜形成の初期段階では、吸着された吸着原子が相互作用してクラスタを形成することができ、単位面積あたりのクラスタの臨界濃度は、次の式で与えられる。
式中、Ｅｉはｉ個の吸着原子を含有する臨界クラスタを別個の吸着原子に解離するために必要なエネルギーであり、ｎ０は吸着部位の総密度であり、Ｎ１は次の式で与えられるモノマー密度である。
式中、
は蒸気衝突速度である。通常、ｉは、堆積される材料の結晶構造に依存し、安定した核を形成するための臨界クラスタサイズを決定する。
成長するクラスタの臨界モノマー供給速度は、蒸気衝突の速度と、吸着原子が脱離する前に拡散できる平均面積によって与えられる。
したがって、臨界核生成速度は、上記の等式の組み合わせによって与えられる。
上記の等式から、吸着した吸着原子の脱離エネルギーが低い表面、吸着原子の拡散の活性化エネルギーが高い表面、高温である表面、または蒸気衝突速度を受ける表面では、臨界核生成速度が抑制されることがわかる。
欠陥、レッジ、またはステップ縁部などの基板の異質性の部位は、Ｅｄｅｓ６３１を増加させ、そのような部位で観察される核の密度を高める場合がある。また、不純物または表面の汚染もＥｄｅｓ６３１を増加させ、核密度を高める場合がある。高真空条件下で行われる蒸着プロセスの場合、表面の汚染物質の種類と密度は、真空圧力と、その圧力を構成する残留ガスの組成に影響される。
高真空条件下では、表面に衝突する分子のフラックス（ｃｍ２－ｓｅｃあたり）は次のように与えられる。
式中、Ｐは圧力、Ｍは分子量である。したがって、Ｈ２Ｏなどの反応性ガスの分圧が高くなると、蒸着中に表面の汚染密度が高くなり、Ｅｄｅｓ６３１が増加するため核の密度が高くなり得る。
本開示は、蒸着に関して、少なくとも１つの層またはコーティングを参照して、薄膜形成について述べているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイス１００の様々な構成要素が、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、物理蒸着（ＰＶＤ）（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、化学蒸着（ＣＶＤ（プラズマ強化ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）を含むがこれに限定されない）、有機気相成長（ＯＶＰＤ）、レーザーアニーリング、レーザー誘起熱イメージング（ＬＩＴＩ）パターニング、原子層堆積（ＡＬＤ）、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれに限定されない）、ならびに／もしくはそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、多種多様な技法を使用して選択的に堆積され得ることを理解するであろう。そのようなプロセスは、様々な層および／またはコーティングのいずれかの堆積中に、いくつかの非限定的な例ではオープンマスクおよび／またはファインメタルマスク（ＦＭＭ）であり得るシャドウマスクと組み合わせて使用して、表面に露出された基部材料の表面のある特定の部分上への堆積された材料の堆積を覆うおよび／または排除することによる様々なパターンを達成することができる。
本開示では、「蒸発」および／または「昇華」という用語は、概して、加熱によるものを含むがこれに限定されない源材料が蒸気に変換されて、固体状態であるがこれに限定されないターゲット表面（および／またはターゲット領域および／またはその部分）に堆積される堆積プロセスを指すように互換的に使用され得る。理解されるように、蒸発プロセスはＰＶＤプロセスの一種であり、１つ以上の源材料を低圧（真空を含むがこれに限定されない）環境下で蒸発あるいは昇華させ、１つ以上の蒸発した源材料の逆昇華によりター
ゲット表面（および／またはターゲット領域および／またはその部分）に堆積させる。様々な異なる蒸発源が源材料を加熱するために使用され、したがって、源材料を様々な形で加熱してもよいことが当業者に理解されよう。非限定的な例として、源材料は、電気フィラメント、電子ビーム、誘導加熱、および／または抵抗加熱によって加熱してもよい。いくつかの非限定的な例では、源材料は、加熱されたるつぼ、加熱されたボート、クヌーセンセル（エフュージョン蒸発源であり得る）、および／または他の任意のタイプの蒸発源に充填されてもよい。
ゲット表面（および／またはターゲット領域および／またはその部分）に堆積させる。様々な異なる蒸発源が源材料を加熱するために使用され、したがって、源材料を様々な形で加熱してもよいことが当業者に理解されよう。非限定的な例として、源材料は、電気フィラメント、電子ビーム、誘導加熱、および／または抵抗加熱によって加熱してもよい。いくつかの非限定的な例では、源材料は、加熱されたるつぼ、加熱されたボート、クヌーセンセル（エフュージョン蒸発源であり得る）、および／または他の任意のタイプの蒸発源に充填されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積源材料は、混合物および／または化合物であり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積源材料の混合物の少なくとも１つの成分は、堆積プロセス中に堆積されない（または、いくつかの非限定的な例では、そのような混合物の他の成分と比較して比較的少量で堆積される）場合がある。
本開示では、材料の層厚さへの言及は、その堆積のメカニズムに関係なく、言及された層厚さを有する材料の均一に厚い層でターゲット表面（および／またはターゲット領域および／またはその部分）を被覆する材料の量に対応するターゲット露出表面１１１（および／またはターゲット領域および／またはその部分）上に堆積された材料の量を指す。非限定的な例として、１０ｎｍの材料の層厚さを堆積させることは、表面上に堆積された材料の量が、１０ｎｍ厚である材料の均一に厚い層を形成するための材料の量に対応することを示す。上記で述べた薄膜が形成されるメカニズムに関して、非限定的な例として、モノマー（原子および／または分子を含むがこれらに限定されない）の起こり得るスタッキングまたはクラスタリングのために、堆積材料の実際の厚さが不均一である場合があることが理解されよう。非限定的な例として、１０ｎｍの層厚さを堆積させることにより、１０ｎｍを超える実際の厚さを有する堆積材料のいくつかの部分、または１０ｎｍ未満の実際の厚さを有する堆積材料の他の部分が得られる場合がある。したがって、表面上に堆積された材料のある特定の層厚さは、いくつかの非限定的な例では、ターゲット表面（および／またはそのターゲット領域にわたる堆積材料の平均厚さに対応し得る。
本開示では、材料の数Ｘの単分子層を堆積させることへの言及は、ある量の材料を堆積させて、材料の構成分子および／または原子のＸ個の単分子層で露出表面１１１の所望の面積を被覆することを指す。本開示では、材料の画分０．Ｘの単分子層を堆積することへの言及は、ある量の材料を堆積させて、材料の構成分子および／または原子の単分子層および／または構成分子で表面の所望の面積の画分０．Ｘを被覆することを指す。当業者は、非限定的な例として、分子および／または原子の起こり得るスタッキングおよび／またはクラスタリングのために、表面の所望の面積にわたる堆積材料の実際の局所的な厚さが不均一である場合があることを理解するであろう。非限定的な例として、材料の１つの単分子層を堆積させると、表面の所望の面積のいくつかの局所的な領域が材料によって被覆されなくなる場合があり、一方、表面の所望の面積の他の局所的な領域は、その上に堆積した多数の原子層および／または分子層を有し得る。
本開示では、ターゲット表面（および／またはそのターゲット領域）は、任意の好適な決定メカニズムによって決定されるようなターゲット表面（および／またはそのターゲット領域）上の材料が実質的に欠如している場合、材料「が実質的にない」、「を実質的に含まない」、または「によって実質的に被覆されていない」と見なされ得る。
いくつかの非限定的な例では、表面上の材料の量の１つの尺度は、そのような材料による表面の被覆率のパーセンテージであり、ここで、いくつかの非限定的な例では、表面は、そのような材料による表面のパーセンテージが１０％を超えない、８％を超えない、５％を超えない、３％を超えない、および／または１％を超えない場合、実質的にその材料であると見なされ得る。いくつかの非限定的な例では、表面被覆率は、透過型電子顕微鏡
法、原子間力顕微鏡法、および／または走査型電子顕微鏡法を含むがこれらに限定されない、様々な撮像技法を使用して判断され得る。
法、原子間力顕微鏡法、および／または走査型電子顕微鏡法を含むがこれらに限定されない、様々な撮像技法を使用して判断され得る。
したがって、いくつかの非限定的な例では、材料の表面を通る光透過率がそのような材料の同様の組成および寸法の参照材料の透過率の９０％を超える、９２％を超える、９５％を超える、および／または９８％を超える場合、いくつかの非限定的な例では電磁スペクトルの可視部分において、材料の表面には、導電性材料が実質的にないと見なすことができる。
本開示では、例示を簡単にするために、層の厚さプロファイルおよび／または縁部プロファイルを含むがこれらに限定されない、堆積材料の詳細は省略されている。核生成抑制化合物および／またはコーティング（ＮＩＣ）９１０（図９）と導電性コーティング９３０との間の界面にある様々な起こり得る縁部プロファイルが本明細書で述べられている。
基板１１０
いくつかの例では、基板１１０は、ベース基板１１２を備えてもよい。いくつかの例では、ベース基板１１２は、シリコン（Ｓｉ）、ガラス、金属（金属箔を含むがこれに限定されない）、サファイア、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、および／またはベース基板１１２として使用するのに好適な他の無機材料、ならびに／もしくはシリコン系ポリマーを含むがこれに限定されない、ポリマーを含むがこれに限定されない有機材料を含むがこれらに限定されない、ベース基板１１２として使用するのに好適な材料から形成され得る。いくつかの例では、ベース基板１１２は、剛性または可撓性であり得る。いくつかの例では、基板１１２は、少なくとも１つの平面によって画定され得る。基板１１０は、第１の電極１２０、少なくとも１つの有機層１３０、および／または第２の電極１４０を含むがこれらに限定されない、エレクトロルミネセントデバイス１００の残りのフロントプレーン１０の構成要素を支持する少なくとも１つの表面を有する。
いくつかの例では、基板１１０は、ベース基板１１２を備えてもよい。いくつかの例では、ベース基板１１２は、シリコン（Ｓｉ）、ガラス、金属（金属箔を含むがこれに限定されない）、サファイア、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、および／またはベース基板１１２として使用するのに好適な他の無機材料、ならびに／もしくはシリコン系ポリマーを含むがこれに限定されない、ポリマーを含むがこれに限定されない有機材料を含むがこれらに限定されない、ベース基板１１２として使用するのに好適な材料から形成され得る。いくつかの例では、ベース基板１１２は、剛性または可撓性であり得る。いくつかの例では、基板１１２は、少なくとも１つの平面によって画定され得る。基板１１０は、第１の電極１２０、少なくとも１つの有機層１３０、および／または第２の電極１４０を含むがこれらに限定されない、エレクトロルミネセントデバイス１００の残りのフロントプレーン１０の構成要素を支持する少なくとも１つの表面を有する。
いくつかの非限定的な例では、そのような表面は、有機表面および／または無機表面であり得る。
いくつかの例では、基板１１０は、ベース基板１１２に加えて、ベース基板１１２の露出表面１１１上に支持された１つ以上の追加の有機層および／または無機層（本明細書には示されず、具体的に説明もされない）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような追加の層は、１つ以上の有機層を含む、および／またはそれらを形成し得、これらは、少なくとも１つの有機層１３０のうちの１つ以上を含む、置き換える、および／または補足し得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような追加の層は、１つ以上の無機層を含み得、これらは、１つ以上の電極を含む、および／またはそれらを形成し得、これらは、いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０および／または第２の電極１４０を含む、置き換える、および／または補足し得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような追加の層は、半導電性材料のバックプレーン層２０（図２）を含む、ならびに／もしくはそれからおよび／またはそれとして形成され得る。いくつかの非限定的な例では、バックプレーン層２０は、その電子構成要素２００（図２）を含むバックプレーン層２０がフォトリソグラフィプロセスによって形成され得るという点で、デバイス１００のフロントプレーン１０とは区別され、このプロセスは、フロントプレーン１０層１２０、１３０、１４０のうちの１つ以上の堆積を伴う場合など、低圧（真空を含むがこれに限定されない）環境の導入下で提供されることはない、およ
び／またはその導入に先行し得る。
び／またはその導入に先行し得る。
本開示では、半導電性材料は、概してバンドギャップを示す材料として説明することができる。いくつかの非限定的な例では、バンドギャップは、半導電性材料の最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）と最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）との間に形成され得る。したがって、半導電性材料は、概して、導電性材料（金属を含むがこれに限定されない）の導電性よりも低いが、絶縁材料（ガラスを含むがこれに限定されない）よりも高い導電性を示す。いくつかの非限定的な例では、半導電性材料は、有機半導電性材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、半導電性材料は、無機半導電性材料を含み得る。
その中に具体化されたバックプレーンおよびＴＦＴ構造
図２は、そのバックプレーン層２０を含む、エレクトロルミネセントデバイス１００の基板１１０の例の簡略化された断面図である。いくつかの非限定的な例では、基板１１０のバックプレーン２０は、アクティブマトリックスおよび／またはパッシブマトリックスデバイスとして作用するデバイス１００を支持することができるような、トランジスタ、抵抗器、および／またはコンデンサを含むがこれらに限定されない１つ以上の電子および／または光電子構成要素を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような構造は、２００で示すような薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造であり得る。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造２００は、有機および／または無機材料を使用して製作されて、様々な層２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２７０、２７０、２８０、および／またはベース基板１１２の上方にある、基板１１０のバックプレーン層２０の一部分を形成し得る。図２では、示すＴＦＴ構造２００は、トップゲートＴＦＴである。いくつかの非限定的な例では、層２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２７０、２７０、２８０のうちの１つ以上を含むがこれらに限定されない、ＴＦＴ技術および／または構造を採用して、抵抗器および／またはコンデンサを含むがこれらに限定されない非トランジスタ構成要素を実装してもよい。
図２は、そのバックプレーン層２０を含む、エレクトロルミネセントデバイス１００の基板１１０の例の簡略化された断面図である。いくつかの非限定的な例では、基板１１０のバックプレーン２０は、アクティブマトリックスおよび／またはパッシブマトリックスデバイスとして作用するデバイス１００を支持することができるような、トランジスタ、抵抗器、および／またはコンデンサを含むがこれらに限定されない１つ以上の電子および／または光電子構成要素を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような構造は、２００で示すような薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造であり得る。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造２００は、有機および／または無機材料を使用して製作されて、様々な層２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２７０、２７０、２８０、および／またはベース基板１１２の上方にある、基板１１０のバックプレーン層２０の一部分を形成し得る。図２では、示すＴＦＴ構造２００は、トップゲートＴＦＴである。いくつかの非限定的な例では、層２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２７０、２７０、２８０のうちの１つ以上を含むがこれらに限定されない、ＴＦＴ技術および／または構造を採用して、抵抗器および／またはコンデンサを含むがこれらに限定されない非トランジスタ構成要素を実装してもよい。
いくつかの非限定的な例では、バックプレーン２０は、ＴＦＴ構造２００の構成要素を支持するために、ベース基板１１２の露出表面１１１上に堆積されたバッファ層２１０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造２００は、半導体活性面積２２０、ゲート絶縁層２３０、ＴＦＴゲート電極２４０、層間絶縁層２５０、ＴＦＴソース電極２７０、ＴＦＴドレイン電極２７０、および／またはＴＦＴ絶縁層２８０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、半導体活性面積２２０は、バッファ層２１０の一部分上に形成され、ゲート絶縁層２３０は、半導体活性面積２２０を実質的に被覆するように堆積される。いくつかの非限定的な例では、ゲート電極２４０は、ゲート絶縁層２３０の上面に形成され、層間絶縁層２５０がその上に堆積される。ＴＦＴソース電極２７０およびＴＦＴドレイン電極２７０は、それらが半導体活性面積２２０に電気的に結合されるように、それらが層間絶縁層２５０およびゲート絶縁層２３０の両方を通して形成された開口部を通って延在するように形成される。次いで、ＴＦＴ絶縁層２８０がＴＦＴ構造２００上に形成される。
いくつかの非限定的な例では、バックプレーン２０の層２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２７０、２７０、２８０のうちの１つ以上は、基部デバイス層を被覆するフォトレジストの選択部分をＵＶ光に曝露するためのフォトマスクを使用する、フォトリソグラフィを使用してパターン化することができる。次いで、使用されるフォトレジストのタイプに依存して、フォトマスクの露出部分または非露出部分を除去して、その下にあるデバイス層の所望の部分を露出させることができる。いくつかの例では、フォトレジストはポジ型フォトレジストであり、ＵＶ光に露出されたその選択部分はその後実質的に除去することはできないが、そのように露出されていない残りの部分はその後実質的に除去可能である。いくつかの非限定的な例では、フォトレジストはネガ型フォトレジストであり
、ＵＶ光に露出されたその選択部分はその後実質的に除去可能であるが、そのように露出されていない残りの部分はその後実質的に除去することができない。したがって、パターン化された表面は、化学的および／または物理的を含むがこれらに限定されないエッチングされる、ならびに／もしくは洗い落とすおよび／または洗い流されて、そのような層２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２７０、２７０、２８０の露出部分を効果的に除去することができる。
、ＵＶ光に露出されたその選択部分はその後実質的に除去可能であるが、そのように露出されていない残りの部分はその後実質的に除去することができない。したがって、パターン化された表面は、化学的および／または物理的を含むがこれらに限定されないエッチングされる、ならびに／もしくは洗い落とすおよび／または洗い流されて、そのような層２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２７０、２７０、２８０の露出部分を効果的に除去することができる。
さらに、トップゲートＴＦＴ構造２００を図２に示しているが、当業者は、ボトムゲートＴＦＴ構造を含むがこれに限定されない他のＴＦＴ構造が、本開示の範囲から逸脱することなく、バックプレーン２０内に形成され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造２００は、ｎ型ＴＦＴおよび／またはｐ型ＴＦＴであり得る。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造２００は、アモルファスＳｉ（ａ－Ｓｉ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、および／または低温多結晶Ｓｉ（ＬＴＰＳ）のうちのいずれか１つ以上を組み込んでもよい。
第１の電極１２０
第１の電極１２０は、基板１１０上に堆積され、電源１５の端子に電気的に結合される。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、電源１５の端子に直接結合される。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、いくつかの非限定的な例では、基板１１０のバックプレーン２０内の少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を組み込むことができる少なくとも１つの駆動回路３００（図３）を通して電源１５の端子に結合される。
第１の電極１２０は、基板１１０上に堆積され、電源１５の端子に電気的に結合される。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、電源１５の端子に直接結合される。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、いくつかの非限定的な例では、基板１１０のバックプレーン２０内の少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を組み込むことができる少なくとも１つの駆動回路３００（図３）を通して電源１５の端子に結合される。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、アノード３４１（図３）および／またはカソード３４２（図３）を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０はアノード３４１であり、電源１５の正端子に電気的に結合される。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０は、基板１１０（の一部分）上に少なくとも１つの薄膜を堆積することによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、基板１１０の横方向上に空間配置で配設された複数の第１の電極１２０があってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような少なくとも１つの第１の電極１２０のうちの１つ以上は、空間配置で横方向に配設されたＴＦＴ絶縁層２８０（の一部分）上に堆積され得る。そうである場合、いくつかの非限定的な例では、そのような少なくとも１つの第１の電極１２０のうちの少なくとも１つは、図２に示すように、対応するＴＦＴ絶縁層２８０の開口部を通って延在して、バックプレーン２０内のＴＦＴ構造２００の電極２４０、２７０、２７０に電気的に結合され得る。図２では、少なくとも１つの第１の電極１２０の一部分がＴＦＴドレイン電極２７０に結合されて示されている。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第１の電極１２０および／またはその少なくとも１つの薄膜は、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、バリウム（Ｂａ）、および／またはイテルビウム（Ｙｂ）を含むがこれらに限定されない、１つ以上の金属材料を含むがこれらに限定されない、様々な材料、ならびに／もしくはそのような材料のいずれかを含有する合金を含むがこれらに限定されない、これらの組み合わせ、フッ素スズ酸化物（ＦＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、および／またはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの三元組成物を含むがこれらに限定されない、透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）を含むがこれに限定されない、１つ以上の酸化物、ならびに／もしくはそれらの組み合わせおよび／または様々な比率で、かつ／あるいは少なくとも１つの層内のそれらの組み合わせ、限定されないが、薄膜であり得るもののいずれか１つ以上を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０を含む薄膜は、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸発ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、ＰＶＤ（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤを含むがこれに限定されない、ＯＶＰＤ、レーザーアニーリング、ＬＩＴＩパターニング、ＡＬＤ、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれらに限定されない）、および／またはそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、様々な技法を使用して選択的に塗布、堆積、ならびに／もしくは加工され得る。
第２の電極１４０
第２の電極１４０は、有機層１３０上に堆積され、電源１５の端子に電気的に結合される。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、電源１５の端子に直接結合される。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、いくつかの非限定的な例では、基板１１０のバックプレーン２０内の少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を組み込むことができる少なくとも１つの駆動回路３００を通して電源１５の端子に結合される。
第２の電極１４０は、有機層１３０上に堆積され、電源１５の端子に電気的に結合される。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、電源１５の端子に直接結合される。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、いくつかの非限定的な例では、基板１１０のバックプレーン２０内の少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を組み込むことができる少なくとも１つの駆動回路３００を通して電源１５の端子に結合される。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、アノード３４１および／またはカソード３４２を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１３０はカソード３４２であり、電源１５の負端子に電気的に結合される。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、いくつかの非限定的な例では有機層１３０（の一部分）上に少なくとも１つの薄膜として、導電性コーティング９３０を堆積させることによって形成することができる。いくつかの非限定的な例では、有機層１３０の横方向上に空間配設で配設された複数の第２の電極１４０があってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第２の電極１４０は、Ｍｇ、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、バリウム（Ｂａ）、および／またはイテルビウム（Ｙｂ）を含むがこれらに限定されない、１つ以上の金属材料を含むがこれらに限定されない様々な材料、ならびに／もしくはそのような材料のいずれかを含有する合金を含むがこれらに限定されない、これらの組み合わせ、限定されないが、フッ素スズ酸化物（ＦＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、および／またはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの三元組成物を含むがこれらに限定されない、透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）を含むがこれに限定されない、１つ以上の酸化物、ならびに／もしくはそれらの組み合わせおよび／または様々な比率で、かつ／あるいは少なくとも１つの層内のそれらの組み合わせ、限定されないが、薄膜であり得るもののいずれか１つ以上を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０を含む薄膜は、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸発ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、ＰＶＤ（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤを含むがこれに限定されない、ＯＶＰＤ、レーザーアニーリング、ＬＩＴＩパターニング、ＡＬＤ、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれらに限定されない）、および／またはそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、様々な技法を使用して選択的に塗布、堆積ならびに／もしくは加工され得る。
駆動回路
図３は、バックプレーン２０に示すＴＦＴ構造２００のうちの１つ以上によって提供され得るような駆動回路の例についての回路図である。示している例では、概して３００で示す回路は、第１の電極１２０および第２の電極１４０に電流を供給するためのであり、デバイス１００（および／またはピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）からの光子の放出を制御するアクティブマトリックスＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ）デバイス１００（および／またはピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３（図２５Ａ））用の駆動回路の例についてである。示している回路３００は、複数のｐ型トップゲート薄膜ＴＦＴ構造２００を組み込んでいることを示しているが、１つまたは複数の薄膜層として形成されているかどうかにかかわらず、回路３００は、１つ以上のｐ型ボトムゲートＴＦＴ構造２００、１つ以上のｎ型トップゲートＴＦＴ構造２００、１つ以上のｎ型ボトムゲートＴＦＴ構造２００、１つ以上の他のＴＦＴ構造２００、および／またはそれらの任意の組み合わせを等しく組み込むことができる。回路３００は、いくつかの非限定的な例では、スイッチングＴＦＴ３１０、駆動ＴＦＴ３２０、および蓄電コンデンサ３３０を含む。
図３は、バックプレーン２０に示すＴＦＴ構造２００のうちの１つ以上によって提供され得るような駆動回路の例についての回路図である。示している例では、概して３００で示す回路は、第１の電極１２０および第２の電極１４０に電流を供給するためのであり、デバイス１００（および／またはピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）からの光子の放出を制御するアクティブマトリックスＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ）デバイス１００（および／またはピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３（図２５Ａ））用の駆動回路の例についてである。示している回路３００は、複数のｐ型トップゲート薄膜ＴＦＴ構造２００を組み込んでいることを示しているが、１つまたは複数の薄膜層として形成されているかどうかにかかわらず、回路３００は、１つ以上のｐ型ボトムゲートＴＦＴ構造２００、１つ以上のｎ型トップゲートＴＦＴ構造２００、１つ以上のｎ型ボトムゲートＴＦＴ構造２００、１つ以上の他のＴＦＴ構造２００、および／またはそれらの任意の組み合わせを等しく組み込むことができる。回路３００は、いくつかの非限定的な例では、スイッチングＴＦＴ３１０、駆動ＴＦＴ３２０、および蓄電コンデンサ３３０を含む。
ＯＬＥＤディスプレイ１００のピクセル３４０（および／またはサブピクセル）その）は、ダイオード３４０によって表される。スイッチングＴＦＴ３１０のソース３１１は、データ（または、いくつかの非限定的な例では、列選択）ライン３０に結合される。スイッチングＴＦＴ３１０のゲート３１２は、ゲート（または、いくつかの非限定的な例では、行選択）ライン３１に結合される。スイッチングＴＦＴ３１０のドレイン３１３は、駆動ＴＦＴ３２０のゲート３２２に結合される。
駆動ＴＦＴ３２０のソース３２１は、電源１５の正（または負）端子に結合される。電源１５の（正）端子は、電気供給ライン（ＶＤＤ）３２によって表される。
駆動ＴＦＴ３２０のドレイン３２３は、駆動ＴＦＴ３２０およびダイオード３４０（ＯＬＥＤディスプレイ１００のピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３））が電気供給ライン（ＶＤＤ）３２と接地との間で直列に結合されるように、ダイオード３４０（ＯＬＥＤディスプレイ１００のピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）を表す）のアノード３４１（いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０であり得る）に結合される。
ダイオード３４０（ＯＬＥＤディスプレイ１００のピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３を表す）のカソード３４２（いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０であり得る）は、回路３００内の抵抗器３５０として表されている。
蓄電コンデンサ３３０は、そのそれぞれの端部で、駆動ＴＦＴ３２０のソース３２１およびゲート３２２に結合される。駆動ＴＦＴ３２０は、ダイオード３４０（ＯＬＥＤディスプレイ１００のピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３を表す））が所望の輝度を出力するように、蓄電コンデンサ３３０内に蓄えられた電荷の電圧に従って、ダイオード３４０（ＯＬＥＤディスプレイ１００のピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３を表す）を通過する電流を制限する。蓄電コンデンサ３３０の電圧は、スイッチングＴＦＴ３１０によって設定され、それをデータライン３０に結合する。
いくつかの非限定的な例では、補償回路３７０は、製造プロセス中の変動からのトランジスタ特性における任意のずれ、ならびに／もしくは経時的なスイッチＴＦＴ３１０および／または駆動ＴＦＴ３２０の劣化を補償するために提供される。
有機層１３０
いくつかの非限定的な例では、有機層１３０は、複数の半導電性層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９を含み得、これらのいずれも、いくつかの非限定的な例では、正孔注入層（ＨＩＬ）１３１、正孔輸送層（ＨＴＬ）１３３、ＥＬ１３５、電子輸送層（ＥＴＬ）１３７、および／または電子注入層（ＥＩＬ）１３９のうちのいずれか１つ以上を含み得るがこれらに限定されない積層構成で、薄膜内に配設され得る。本開示では、「半導電性層」という用語は、ＯＬＥＤデバイス１００内の半導電性層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９が、いくつかの非限定的な例では有機半導電性材料を含み得ることができるため、「有機層」と互換的に使用することができる。
いくつかの非限定的な例では、有機層１３０は、複数の半導電性層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９を含み得、これらのいずれも、いくつかの非限定的な例では、正孔注入層（ＨＩＬ）１３１、正孔輸送層（ＨＴＬ）１３３、ＥＬ１３５、電子輸送層（ＥＴＬ）１３７、および／または電子注入層（ＥＩＬ）１３９のうちのいずれか１つ以上を含み得るがこれらに限定されない積層構成で、薄膜内に配設され得る。本開示では、「半導電性層」という用語は、ＯＬＥＤデバイス１００内の半導電性層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９が、いくつかの非限定的な例では有機半導電性材料を含み得ることができるため、「有機層」と互換的に使用することができる。
いくつかの非限定的な例では、有機層１３０を構成する積層体内に半導電性層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９を含む薄膜は、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸発ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、ＰＶＤ（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤを含むがこれに限定されない、ＯＶＰＤ、レーザーアニーリング、ＬＩＴＩパターニング、ＡＬＤ、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれらに限定されない）、ならびに／もしくはそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、様々な技法を使用して選択的に塗布、堆積、および／または加工され得る。
当業者は、デバイス１００の構造が半導電性層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９のうちの１つ以上を省略および／または組み合わせることによって変更することができることを容易に理解するであろう。
さらに、有機層１３０の半導電性層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９のいずれも、任意の数の副層を含み得る。またさらに、そのような層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９、および／またはその副層のいずれかは、様々な混合物および／または組成勾配を含み得る。加えて、当業者は、デバイス１００が、無機および／または有機金属材料を含有する１つ以上の層を含み得、必ずしも有機材料単独で構成されたデバイスに限定されないことを理解するであろう。非限定的な例として、デバイス１００は、１つ以上の量子ドットを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＨＩＬ１３１は、いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０であり得るアノード３４１による正孔の注入を容易にすることができる正孔注入材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＨＴＬ１３３は、いくつかの非限定的な例では、高い正孔移動度を示し得る正孔輸送材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＴＬ１３７は、いくつかの非限定的な例では、高い電子移動度を示し得る電子輸送材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＩＬ１３９は、いくつかの非限定的な例では第２の電極１４０であり得るカソード３４２による電子の注入を容易にすることができる電子注入材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＬ１３５は、非限定的な例として、ホスト材料を少なくとも１つのエミッタ材料でドープすることによって形成することができる。いくつかの
非限定的な例では、エミッタ材料は、蛍光エミッタ、リン光エミッタ、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）エミッタ、および／またはこれらの複数の任意の組み合わせであり得る。
非限定的な例では、エミッタ材料は、蛍光エミッタ、リン光エミッタ、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）エミッタ、および／またはこれらの複数の任意の組み合わせであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、有機層が導電性薄膜電極１２０、１４０の間に挟入された少なくともＥＬ１３５、および通常、有機材料のいくつかの層を含むＯＬＥＤであり得る。電圧が電源１５によって第１の電極１２０および第２の電極１４０に印加されるとき、正孔は、いくつかの非限定的な例では第１の電極１２０であり得るアノード３４１を通して有機層１３０に注入され、電子は、いくつかの非限定的な例では第２の電極１４０であり得るカソード３４２を通して有機層１３０に注入される。
注入された正孔および電子は、互いに到達して出会うまで、様々な半導電性層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９を通って移動する傾向がある。正孔と電子とが極めて近位にあるとき、それらはクーロン力によって互いに引き付けられる傾向があり、いくつかの例では、結合して励起子と呼ばれる束縛状態の電子正孔対を形成する場合がある。特に励起子がＥＬ１３５内で形成される場合、励起子は、光子が放出される輻射再結合プロセスを通して減衰し得る。輻射再結合プロセスのタイプは、励起子のスピン状態に依存し得る。いくつかの例では、励起子は、一重項または三重項スピン状態を有するものとして特徴付けられ得る。いくつかの非限定的な例では、一重項励起子の輻射減衰は、蛍光をもたらし得る。いくつかの非限定的な例では、三重項励起子の輻射減衰は、リン光をもたらし得る。
より最近では、ＯＬＥＤ用の他の発光メカニズムが提案かつ調査され、それらはＴＡＤＦを含んでいるがこれに限定されない。いくつかの非限定的な例では、ＴＡＤＦ発光は、熱エネルギーの支援下での逆項間交差プロセスを介して三重項励起子を一重項励起子へ変換し、続いて一重項励起子が輻射減衰することで発生する。
いくつかの非限定的な例では、励起子は、特に励起子がＥＬ１３５内で形成されない場合、光子が解放されない非輻射プロセスを通じて減衰し得る。
本開示では、ＯＬＥＤデバイス１００の「内部量子効率」（ＩＱＥ）という用語は、輻射再結合プロセスを通して減衰し、光子を放出する、デバイス１００内で生じたすべての電子正孔対の割合を指す。
本開示では、ＯＬＥＤデバイス１００の「外部量子効率」（ＥＱＥ）という用語は、デバイス１００によって放出される光子の数に対する、デバイス１００に送達される電荷キャリアの割合を指す。いくつかの非限定的な例では、ＥＱＥが１００％の場合、デバイス１００に注入される電子ごとに１つの光子が放出されることを示す。
当業者は、デバイス１００のＥＱＥが、いくつかの非限定的な例では、同じデバイス１００のＩＱＥよりも実質的に低い場合があることを理解するであろう。所与のデバイス１００のＥＱＥとＩＱＥとの間の差は、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の様々な構成要素によって引き起こされる光子の吸着および反射を含むがこれらに限定されない、多くの要因に起因し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、有機層１３０が少なくとも１つの量子ドットを含む活性層を含むエレクトロルミネセント量子ドットデバイスであり得る。電流が電源１５によって第１の電極１２０および第２の電極１４０に提供されるとき、光子は、それらの間の有機層１３０を含む活性層から放出される。
当業者は、デバイス１００の構造が、正孔遮断層（図示せず）、電子遮断層（図示せず
）、追加の電荷輸送層（図示せず）、および／または追加の電荷注入層（図示せず）を含むがこれらに限定されない、有機層１３０積層体内の適切な位置に１つ以上の追加の層（図示せず）を導入することによって変えることができることを容易に理解するであろう。
）、追加の電荷輸送層（図示せず）、および／または追加の電荷注入層（図示せず）を含むがこれらに限定されない、有機層１３０積層体内の適切な位置に１つ以上の追加の層（図示せず）を導入することによって変えることができることを容易に理解するであろう。
バリアコーティング１５５０
いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１５５０（図１５Ｃ）を提供して、第１の電極１２０、第２の電極１４０、および有機層１３０の様々な半導電性層、ならびに／またはデバイス１００のそれらの上に配設された基板１１０を取り囲むかつ／あるいは封止することができる。
いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１５５０（図１５Ｃ）を提供して、第１の電極１２０、第２の電極１４０、および有機層１３０の様々な半導電性層、ならびに／またはデバイス１００のそれらの上に配設された基板１１０を取り囲むかつ／あるいは封止することができる。
いくつかの非限定的な例では、これらの層１２０、１３０、１４０は酸化する傾向があるため、バリアコーティング１５５０は、有機層１３０および／またはカソード３４２（これは、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０であり得る場合がある）を含むデバイス１００の様々な層１２０、１３０、１４０が湿気および／または周囲空気に曝露されるのを抑制するために提供され得る。
いくつかの非限定的な例では、非常に不均一な表面へのバリアコーティング１５５０の塗布は、そのような表面へのバリアコーティング１５５０の不十分な接着の可能性を高める場合がある。
いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１５５０の欠如および／または不十分に塗布されたバリアコーティング１５５０は、デバイス１００での欠陥、ならびに／もしくは部分的および／または全体的な故障を引き起こすかつ／あるいはそれらに寄与する場合がある。いくつかの非限定的な例では、不十分に塗布されたバリアコーティング１５５０は、デバイス１００へのバリアコーティング１５５０の接着を低下させる場合がある。いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１５５０の不十分な接着は、特にデバイス１００が屈曲および／または曲げられた場合、バリアコーティング１５５０がデバイス１００の全体または一部から剥離する可能性を高める場合がある。いくつかの非限定的な例では、不十分に塗布されたバリアコーティング１５５０は、バリアコーティング１５５０の塗布中に、バリアコーティング１５５０とバリアコーティング１５５０が塗布されたデバイス１００の基部表面との間にエアポケットを封じ込める場合がある。
いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１５５０は、薄膜封止であり得、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸発ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、ＰＶＤ（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤを含むがこれに限定されない、ＯＶＰＤ、レーザーアニーリング、ＬＩＴＩパターニング、ＡＬＤ、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれらに限定されない）、および／またはそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、様々な技法を使用して選択的に塗布、堆積、ならびに／もしくは加工され得る。
いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１５５０は、予め形成されたバリア膜をデバイス１００上に積層することによって提供され得る。いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１５５０は、有機材料、無機材料、および／またはそれらの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つを含む多層コーティングを含み得る。いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１５５０は、ゲッター材料および／または乾燥剤をさらに含んでもよい。
横方向
ＯＬＥＤデバイス１００が照明パネルを含む場合を含むいくつかの非限定的な例では、デバイス１００の横方向全体が単一の照明要素に対応し得る。したがって、図１に示す実質的に平面の断面プロファイルは、光子が実質的にその横範囲の全体に沿ってデバイス１００から放出されるように、実質的にデバイス１００の横方向全体に沿って延在し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような単一の照明要素は、デバイス１００の単一の駆動回路３００によって駆動され得る。
ＯＬＥＤデバイス１００が照明パネルを含む場合を含むいくつかの非限定的な例では、デバイス１００の横方向全体が単一の照明要素に対応し得る。したがって、図１に示す実質的に平面の断面プロファイルは、光子が実質的にその横範囲の全体に沿ってデバイス１００から放出されるように、実質的にデバイス１００の横方向全体に沿って延在し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような単一の照明要素は、デバイス１００の単一の駆動回路３００によって駆動され得る。
ＯＬＥＤデバイス１００がディスプレイモジュールを含む場合を含むいくつかの非限定的な例では、デバイス１００の横方向は、デバイス１００の複数の発光領域に細分され得、ここで、図１に示すがこれに限定されない、発光領域の各々内のデバイス構造１００の断面図は、エネルギーを与えられるときに、そこから光子を放出させる。
発光領域
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の個々の発光領域は、横パターンで並べられてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１の横方向に沿って延在し得る。いくつかの非限定的な例では、パターンはまた、第２の横方向に沿って延在してもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、第１の横方向に実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、パターンは、そのようなパターン内に多くの要素を有し得、各要素は、その発光領域によって放出された光の波長、そのような発光領域の形状、寸法（第１および／または第２の横方向のいずれかまたは両方に沿って）、向き（第１および／または第２の横方向のいずれかならびに／もしくは両方に対して）、および／またはパターン内の前の要素からの間隔（第１および／または第２の横方向のいずれかならびに／もしくは両方に対して）を含むがこれらに限定されない、その１つ以上の特徴によって特徴付けられる。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１および／または第２の横方向のいずれかまたは両方で繰り返され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の個々の発光領域は、横パターンで並べられてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１の横方向に沿って延在し得る。いくつかの非限定的な例では、パターンはまた、第２の横方向に沿って延在してもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、第１の横方向に実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、パターンは、そのようなパターン内に多くの要素を有し得、各要素は、その発光領域によって放出された光の波長、そのような発光領域の形状、寸法（第１および／または第２の横方向のいずれかまたは両方に沿って）、向き（第１および／または第２の横方向のいずれかならびに／もしくは両方に対して）、および／またはパターン内の前の要素からの間隔（第１および／または第２の横方向のいずれかならびに／もしくは両方に対して）を含むがこれらに限定されない、その１つ以上の特徴によって特徴付けられる。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１および／または第２の横方向のいずれかまたは両方で繰り返され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の各個々の発光領域は、デバイス１００のバックプレーン２０内の対応する駆動回路３００に関連付けられ、それによって駆動され、ここで、ダイオード３４０は、関連付けられた発光領域用のＯＬＥＤ構造に対応する。発光領域が第１（行）の横方向および第２（列）の横方向の両方に延在する規則的なパターンで並べられる場合を含むがこれに限定されないいくつかの非限定的な例では、第１の横方向に延在する発光領域の各行に対応するゲートライン（または行選択）ライン３１であり得るバックプレーン２０内の信号ライン３０、３１、および第２の横方向に延在する発光領域の各列に対応する、いくつかの非限定的な例ではデータ（または列選択）ライン３０であり得る信号ライン３０、３１があり得る。そのような非限定的な構成では、行選択ライン３１／データライン３０の対上の信号が、電源１５の正端子（電気供給ラインＶＤＤ３２によって表される）、そこから光子の放出を引き起こすそのような対に関連付けられた発光領域のＯＬＥＤ構造の、いくつかの非限定的な例では第１の電極１２０であり得るアノード３４１、電源１５の負端子に電気的に結合されているその、いくつかの非限定的な例では第２の電極１４０であり得るカソード３４２によって電気的に結合され、エネルギーを与えるように、行選択ライン３１上の信号は、それに電気的に結合されたスイッチングＴＦＴ３１０のそれぞれのゲート３１２にエネルギーを与えることができ、データライン３０上の信号は、それに電気的に結合されたスイッチングＴＦＴ３１０のそれぞれのソースにエネルギーを与えることができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の各発光領域は、単一のディスプレイピクセル３４０に対応する。いくつかの非限定的な例では、各ピクセル３４０は、所与の波長で光を放出する。いくつかの非限定的な例では、波長は、可視光スペクトル、紫外線スペクトル、および／または赤外線スペクトルの色に対応するがこれらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の各発光領域は、ディスプレイピクセル３４０のサブピクセル２５４１～２５４３に対応する。いくつかの非限定的な例では、複数のサブピクセル２５４１～２５４３が組み合わされて、単一のディスプレイピクセル３４０を形成するか、または表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイピクセル３４０は、３つのサブピクセル２５４１～２５４３によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、３つのサブピクセル２５４１～２５４３は、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル２５４１、Ｇ（緑）サブピクセル２５４２、および／またはＢ（青）サブピクセル２５４３として表示することができる。いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイピクセル３４０は、４つのサブピクセル２５４１～２５４３によって表すことができ、ここで、そのようなサブピクセル２５４１～２５４３のうちの３つは、Ｒ、Ｇ、およびＢサブピクセル２５４１～２５４３として表示することができ、第４のサブピクセル２５４１～２５４３は、Ｗ（白）サブピクセル２５４１～２５４３として表示することができる。いくつかの非限定的な例では、所与のサブピクセル２５４１～２５４３によって放出される光の発光スペクトルは、サブピクセル２５４１～２５４３が表示される色に対応する。いくつかの非限定的な例では、光の波長はそのような色に対応しないが、さらなる加工が実行されて、当業者に明らかな様態で、波長をそのように対応する波長に換える。
異なる色のサブピクセル２５４１～２５４３の波長は異なる場合があるため、そのようなサブピクセル２５４１～２５４３の光学特性は、特に実質的に均一な厚さプロファイルを有する共通電極１２０、１４０が異なる色のサブピクセル２５４１～２５４３に採用される場合、異なり得る。
結果として、いくつかの非限定的な例では、ＯＬＥＤデバイス１００を含むがこれに限定されない光電子デバイスを構築するために使用され得るような、異なる屈折率を有する多数の薄膜層およびコーティングによって作成された光学界面の存在は、異なる色のサブピクセル２５４１～２５４３のための異なる光学マイクロキャビティ効果を作成する場合がある。
デバイス１００において、観察されるマイクロキャビティ効果に影響を及ぼし得るいくつかの要因には、限定されないが、総経路長（これは、いくつかの非限定的な例では、そこから放出された光子が取り出される前に通り過ぎるデバイス１００の総厚に対応し得る）、ならびに様々な層およびコーティングの屈折率が含まれるがこれらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル）の発光領域の横方向４１０内およびそれにわたる電極１２０、１４０の厚さを調整することにより、観察可能なマイクロキャビティ効果に影響を及ぼす場合がある。いくつかの非限定的な例では、そのような影響は、総光路長の変化に起因する場合がある。
いくつかの非限定的な例では、電極１２０、１４０の厚さの変化はまた、いくつかの非限定的な例では、総光路長の変化に加えて、それを通過する光の屈折率を変化させ得る。いくつかの非限定的な例では、これは、特に、電極１２０、１４０が少なくとも１つの薄膜導電性コーティング９３０で形成されている場合であり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の、および／またはいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの光学マイクロキャビティ効果を調整することによって変えることができるピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル）の発光領域の横方向４１０にわたる光学特性には、発光スペクトル、強度（光度を含むがこれに限定されない）、ならびに／もしくは放出された光の輝度および／またはカラーシフトの角度依存性を含むがこれらに限定されない、放出された光の角度分布が含まれるが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、サブピクセルは、第１のディスプレイピクセル３４０を表すために他のサブピクセル２５４１～２５４３の第１の組に関連付けられ、また、第２のディスプレイピクセル３４０を表すために他のサブピクセル２５４１～２５４３の第２の組に関連付けられるため、第１および第２のディスプレイピクセル３４０は、同じサブピクセル２５４１～２５４３をそれらに関連付けることができる。
サブピクセル２５４１～２５４３のディスプレイピクセル３４０へのパターンおよび／または組織は進化し続けている。現在および将来のすべてのパターンおよび／または組織は、本開示の範囲内に収まっていると見なされる。
非発光領域
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の様々な発光領域は、少なくとも１つの横方向において、１つ以上の非発光領域によって実質的に取り囲まれ、分離され、ここで、図１に示すがこれに限定されない、デバイス構造１００の断面図に沿った構造および／または構成は、そこから放出される光子を実質的に抑制するように変わる。いくつかの非限定的な例では、非発光領域は、発光領域が実質的にない横方向内のこれらの領域を含む。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の様々な発光領域は、少なくとも１つの横方向において、１つ以上の非発光領域によって実質的に取り囲まれ、分離され、ここで、図１に示すがこれに限定されない、デバイス構造１００の断面図に沿った構造および／または構成は、そこから放出される光子を実質的に抑制するように変わる。いくつかの非限定的な例では、非発光領域は、発光領域が実質的にない横方向内のこれらの領域を含む。
したがって、図４の断面図に示すように、有機層１３０の様々な半導電性層の横形状（ｔｏｐｏｌｏｇｙ）を変えて、少なくとも１つの非発光領域によって（少なくとも、１つの横方向に）取り囲まれた少なくとも１つの発光領域を画定することができる。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル）に対応する発光領域は、横方向４２０を有する少なくとも１つの非発光領域で少なくとも１つの横方向に取り囲まれた横方向４１０を有すると理解され得る。
ＯＬＥＤディスプレイの単一のディスプレイピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル）に対応する発光領域に適用されるようなエレクトロルミネセントデバイス１００の断面図の実装の非限定的な例について、ここで説明する。そのような実装の特徴部は、発光領域に特有であることが示されているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、２つ以上の発光領域が共通の特徴部を包含し得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例ではアノード３４１であり得る第１の電極１２０は、いくつかの非限定的な例では発光領域の横方向４１０の少なくとも一部分内で、デバイス１００の露出した上層上に配設され得る。少なくとも、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の発光領域の横方向４１０内でのいくつかの非限定的な例では、露出した上層は、第１の電極の堆積時に、単一のディスプレイピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル）に対応する発光領域用の駆動回路３００を作り上げる様々なＴＦＴ構造のＴＦＴ絶縁層２８０を含む。
いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層２８０は、それを通って延在する開口部４３０で形成されて、第１の電極１２０が、図４に示す非限定的な例として、ＴＦＴドレイン電極２７０を含むがこれに限定されない、ＴＦＴ電極２４０、２７０、２７０のうちの１つに電気的に結合されることを可能にすることができる。
図４では、当業者は、駆動回路３００が、スイッチングＴＦＴ３１０、駆動ＴＦＴ３２
０、および／または蓄電コンデンサ３３０を含むがこれらに限定されない、複数のＴＦＴ構造を含むことを理解するであろう。図４では、例示を簡単にするために、１つのＴＦＴ構造２００のみが示されているが、そのようなＴＦＴ構造２００が駆動回路３００を含むそのような複数のＴＦＴ構造を表すものであることが当業者に理解されよう。
０、および／または蓄電コンデンサ３３０を含むがこれらに限定されない、複数のＴＦＴ構造を含むことを理解するであろう。図４では、例示を簡単にするために、１つのＴＦＴ構造２００のみが示されているが、そのようなＴＦＴ構造２００が駆動回路３００を含むそのような複数のＴＦＴ構造を表すものであることが当業者に理解されよう。
断面図では、各発光領域の構成は、いくつかの非限定的な例では、取り囲む非発光領域の横方向４２０全体に実質的に少なくとも１つのピクセル定義層（ＰＤＬ）４４０のを導入することによって画定することができる。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０は、絶縁有機材料および／または絶縁無機材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０は、実質的にＴＦＴ絶縁層２８０上に堆積されるが、示すように、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０はまた、および／またはその代わりに、堆積された第１の電極１２０および／またはその外縁の少なくとも一部分にわたっていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、図４に示すように、ＰＤＬ４４０の断面厚さおよび／またはプロファイルは、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル）に対応する、取り囲む非発光領域の横方向４２０と取り囲まれた発光領域の横方向４１０との境界に沿って、増加した厚さの領域によって、各（サブ）ピクセルの発光領域に実質的に谷形状の構成を付与することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０のプロファイルは、いくつかの非限定的な例では、そのような非発光領域の横方向４２０内で実質的に良好な、取り囲む非発光領域の横方向４２０と取り囲まれた発光領域の横方向４１０との間の境界から離れることを含むがこれに限定されない、そのような谷形状の構成を越える低減した厚さを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、有機層１３０（および／またはその１つ以上の半導電性層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９）は、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）のそのような発光領域の横方向４１０の少なくとも一部分を含む、デバイス１００の露出表面１１１上に堆積され得る。少なくとも、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の発光領域の横方向４１０内でのいくつかの非限定的な例では、そのような露出表面１１１は、有機層１３０（および／またはその半導電性層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９）の堆積時に、第１の電極１２０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、有機層１３０（および／またはその半導電性層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９）はまた、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の発光領域の横方向４１０を越えて、および少なくとも部分的に、取り囲む非発光領域の横方向４２０内に延在し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような取り囲む非発光領域のそのような露出した上層は、有機層１３０（および／またはその半導電性層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９）の堆積時に、ＰＤＬ４４０を含む。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る第２の電極１４０は、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の発光領域の横方向４１０の少なくとも一部分を含むデバイス１００の露出表面１１１上に配設され得る。少なくとも、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の発光領域の横方向４１０内でのいくつかの非限定的な例では、そのような露出した上層は、第２の電極１３０の堆積時に、有機層１３０（および／またはその半導電性層１３１、１３３、１３５、１３７、１３９）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０はまた、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の発光領域の横方向４１０を越えて、および少なくとも部分的に、取り囲む非発光領域の横方向４２０内に延在し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような取り囲む非発光領域のそのような露出した上層は、第２の電極１４０の堆積時に、ＰＤＬ４４０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、取り囲む非発光領域の横方向４２０の実質的にすべてまたは実質的な部分全体に延在することができる。
透過性
ＯＬＥＤデバイス１００は、いくつかの非限定的な例ではアノード３４１であり得る第１の電極１２０（下面放出および／または両面発光デバイスの場合に）、ならびに基板１１０および／またはいくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る第２の電極１４０（上面放出および／または両面発光デバイスの場合に）のいずれかまたは両方を通して光子を放出するため、いくつかの非限定的な例では、少なくとも、デバイス１００の発光領域の横方向４１０の実質的な部分にわたる、第１の電極１２０および／または第２の電極１４０のいずれかまたは両方を実質的に光子（または光）透過性（「透過性」）にすることが望ましい。本開示では、電極１２０、１４０、そのような要素を形成する材料、および／またはその特性を含むがこれらに限定されない、そのような透過性要素は、少なくとも１つの波長帯において、いくつかの非限定的な例では実質的に透過性（「透明」）、および／またはいくつかの非限定的な例では部分的に透過性（「半透明」）である要素、材料、および／またはその特性を含み得る。
ＯＬＥＤデバイス１００は、いくつかの非限定的な例ではアノード３４１であり得る第１の電極１２０（下面放出および／または両面発光デバイスの場合に）、ならびに基板１１０および／またはいくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る第２の電極１４０（上面放出および／または両面発光デバイスの場合に）のいずれかまたは両方を通して光子を放出するため、いくつかの非限定的な例では、少なくとも、デバイス１００の発光領域の横方向４１０の実質的な部分にわたる、第１の電極１２０および／または第２の電極１４０のいずれかまたは両方を実質的に光子（または光）透過性（「透過性」）にすることが望ましい。本開示では、電極１２０、１４０、そのような要素を形成する材料、および／またはその特性を含むがこれらに限定されない、そのような透過性要素は、少なくとも１つの波長帯において、いくつかの非限定的な例では実質的に透過性（「透明」）、および／またはいくつかの非限定的な例では部分的に透過性（「半透明」）である要素、材料、および／またはその特性を含み得る。
少なくとも、その発光領域の横方向４１０の実質的な部分にわたって、デバイス１００に透過性特性を付与するために、様々なメカニズムが適合されてきた。
デバイス１００が下面発光デバイスおよび／または両面発光デバイスである場合を含むがこれらに限定されないいくつかの非限定的な例では、取り囲む基板１１０の透過性を少なくとも部分的に低減することができるピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の発光領域に関連付けられた駆動回路３００のＴＦＴ２００は、取り囲む非発光領域の横方向４２０内に位置付けられて、発光領域の横方向４１０内の基板１１０の透過性特性に影響を及ぼすことを回避する。
両面発光デバイスであるいくつかの非限定的な例では、デバイス１００がピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の発光領域の横方向４１０に関して、電極１２０、１４０のうちの一方は、本明細書に開示するメカニズムのうちの少なくとも１つによることを含むがこれに限定されない、実質的に透過性されてもよく、近接および／または隣接するピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の横方向４１０に関して、電極１２０、１４０のうちのもう一方は、本明細書に開示するメカニズムのうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない、実質的に透過性にされてもよい。したがって、交互のピクセル３４０（および／またはサブピクセル２５４１～２５４３）配列で、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の実質的に半分が上面発光であり、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の実質的に半分が実質的に下面発光であるように、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の第１の発光領域の横方向４１０は実質的に上面発光にすることができるが、近接するピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の第２の発光領域の横方向４１０は実質的に下面発光にすることができ、一方、各ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の単一の電極１２０、１４０のみが実質的に透過性にされ
る。
る。
いくつかの非限定的な例では、電極１２０、１４０（下面発光デバイスおよび／または両面発光デバイスの場合には第１の電極１２０、ならびに／もしくは上面発光デバイスおよび／または両面発光デバイスの場合には第２の電極１４０）を透過性にするためのメカニズムは、透過性材料のそのような電極１２０、１４０を形成することである。
いくつかの非限定的な例では、特にそのような導電性コーティング９３０の場合に、最大で実質的に数十ナノメートル（ｎｍ）の比較的薄い層厚さは、ＯＬＥＤデバイス１００で使用するための強化された透過性品質および好ましい光学特性 低減したマイクロキャビティ効果を含むがこれに限定されない）に寄与することができる。
いくつかの非限定的な例では、透過性品質を促進するための電極１２０、１４０の厚さを低減すると、電極１２０、１４０のシート抵抗の増加を伴う場合がある。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇを含むがこれに限定されない、金属を含むがこれに限定されない、導電性材料は、光子減衰および／または吸着するため、いくつかの非限定的な例では、表面上の導電性材料の量の１つの尺度は透過率である。
したがって、いくつかの非限定的な例では、材料の表面を通る光透過率がそのような材料の同様の組成および寸法の参照材料の透過率よりも９０％を超える、９２％を超える、９５％を超える、および／または９８％を超える場合、いくつかの非限定的な例では電磁スペクトルの可視部分において、材料の表面には、導電性材料が実質的にないと見なすことができる。
いくつかの非限定的な例では、高いシート抵抗を有する少なくとも１つの電極１２０、１４０を有するデバイス１００は、動作時に電源１５に結合されたときに大きい電流抵抗（ＩＲ）降下を生み出す。いくつかの非限定的な例では、そのようなＩＲ降下は、電源１５のレベル（ＶＤＤ）を上昇させることによって、ある程度補償され得る。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）について、電源１５のレベルを増加させて、高いシート抵抗によるＩＲ降下を補償することにより、他の構成要素に供給される電圧のレベルを上昇させて、デバイス１００の効果的な動作を維持することを必要とする場合がある。
いくつかの非限定的な例では、電極１２０、１４０を実質的に透過性にする能力に大きい影響を及ぼすことなく、デバイス１００の電気供給需要を低減するために（ＴＣＯ、金属薄膜、および／または金属合金薄膜の任意の組み合わせの少なくとも１つの薄膜層を採用することによって）、補助電極１６５０（図１６）および／またはバスバー構造をデバイス１００上に形成して、デバイス１００の様々な発光領域に電流をより効果的に運搬することを可能にすることができ、同時に、透過性電極１２０、１４０のシート抵抗およびその関連するＩＲ降下を低減する。
ＡＭＯＬＥＤディスプレイデバイスの共通電極のシート抵抗の仕様は、ディスプレイデバイスの（パネル）サイズおよびデバイス（パネルにわたる電圧変動の許容範囲を含むがこれら限定されない、多くのパラメータに従って変わり得る。いくつかの非限定的な例では、パネルサイズが大きくなるにつれて、シート抵抗の仕様が大きくなり得る（つまり、より低いシート抵抗が指定される）。いくつかの非限定的な例では、電圧変動に対する許容範囲が減少するにつれて、シート抵抗の仕様が大きくなり得る。
いくつかの非限定的な例では、シート抵抗の仕様を使用して、様々なパネルサイズにつ
いてそのような仕様に準拠するための補助電極１６５０の厚さの例を導き出すことができる。１つの非限定的な例では、すべてのディスプレイパネルサイズについて０．６４のアパーチャ比が推測され、様々なパネルサイズの例についての補助電極１６５０の厚さが、例えば、下記の表１の０．１Ｖおよび０．２Ｖの電圧許容範囲について計算された。
いてそのような仕様に準拠するための補助電極１６５０の厚さの例を導き出すことができる。１つの非限定的な例では、すべてのディスプレイパネルサイズについて０．６４のアパーチャ比が推測され、様々なパネルサイズの例についての補助電極１６５０の厚さが、例えば、下記の表１の０．１Ｖおよび０．２Ｖの電圧許容範囲について計算された。
非限定的な例として、上面発光デバイスについては、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る第２の電極１４０は、透過性にされ得る。他方では、いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極１６５０は、実質的に透過性ではない場合があるが、第２の電極１４０に電気的に結合されて、第２の電極１４０の実効シート抵抗を低減することができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極１６５０は、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル）の発光領域の横方向４１０からの光子の放出を干渉しないように、横方向および／または断面図のいずれかまたは両方に位置決めおよび／または成形され得る。
いくつかの非限定的な例では、電極１２０、１４０（下面発光デバイスおよび／または両面発光デバイスの場合には第１の電極１２０、ならびに／もしくは上面発光デバイスおよび／または両面発光デバイスの場合には第２の電極１４０）を作製するためのメカニズムは、その発光領域の横方向４１０の少なくとも一部分にわたる、および／またはいくつかの非限定的な例では、それらを取り囲む非発光領域の横方向４２０の少なくとも一部分にわたるパターンで、そのような電極１２０、１４０を形成することである。いくつかの非限定的な例では、そのようなメカニズムを採用して、上記のように、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル）の発光領域の横方向４１０からの光子の放出を干渉しないように、横方向および／または断面図のいずれかまたは両方の位置および／または形状で補助電極１６５０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、これらおよび／または他のメカニズムの組み合わせを採用することができる。
追加的に、いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０、第２の電極１４０、および／または補助電極１６５０を含むがこれらに限定されない電極のうちの１つ以上を、少なくとも、デバイス１００のピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する発光領域の横方向４１０の実質的な部分にわたってわたって、実質的に透過性にすることに加えて、光子がその横方向４１０にわたって実質的に放出されることを可能にするために、本明細書で開示するように、デバイス１００内で内部的に生じた光子の放出（上面放出、下面放出、および／または両面放出で）に加えて、そのような外部入射光のかなりの部分がデバイス１００を透過することができるように、デバイス１００を、その外部表面に入射する光子に対して実質的に透過性にするために、デバイス１００の非発光領域の横方向４２０のうちの少なくとも１つを、下面方向および上面方向の両方に実質的に透過性にすることが望ましい場合がある。
導電性コーティング９３０
いくつかの非限定的な例では、基部材料の露出表面１１１上に導電性コーティング９３０を堆積するために使用される導電性コーティング材料９３１（図９）は、混合物および／または化合物であり得る。
いくつかの非限定的な例では、基部材料の露出表面１１１上に導電性コーティング９３０を堆積するために使用される導電性コーティング材料９３１（図９）は、混合物および／または化合物であり得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような混合物および／または化合物の少なくとも１つの成分は、堆積中にそのような露出表面１１１に堆積されない、ならびに／もしくはそのような露出表面１１１に堆積するそのような混合物および／または化合物の残りの成分の量に対して少量で堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような混合物および／または化合物のそのような少なくとも１つの成分は、実質的に残りの成分のみを選択的に堆積させるための残りの成分に対する特性を有し得る。いくつかの非限定的な例では、この特性は、蒸気圧であり得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような混合物および／または化合物のそのような少なくとも１つの成分は、残りの成分に対してより低い蒸気圧を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料９３１は、銅－マグネシウム（Ｃｕ－Ｍｇ）混合物および／または化合物であり得、ここで、Ｃｕは、Ｍｇよりも低い蒸気圧を有する。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０を露出表面１１１上に堆積させるために使用される導電性コーティング材料９３１は、実質的に純粋であり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇを堆積するために使用される導電性コーティング材料９３１は、いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＭｇを含む。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＭｇは、純粋なＭｇに対して実質的に同様の特性を示し得る。いくつかの非限定的な例では、Ｍｇの純度は、約９５％以上、約９８％以上、約９９％以上、約９９．９％以上、および９９．９９％以上であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、露出表面１１１上に導電性コーティング９３０を堆積させるために使用される導電性コーティング材料９３１は、Ｍｇの代用としておよび／またはそれと組み合わせて他の金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような他の金属を含む導電性コーティング材料９３１は、Ｙｂ、Ｃｄ、Ｚｎ、および／またはこれらのいずれかの任意の組み合わせを含むがこれらに限定されない、高蒸気圧材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、透過性電極１２０、１４０を形成するために通常使用される材料は、ＦＴＯ、ＩＺＯ、および／またはＩＴＯなどであるがこれらに限定されない、三元組成物を含むがこれらに限定されないＴＣＯを含む。いくつかの非限定的な例では、Ａｇ、Ａｌを含むがこれらに限定されない金属の薄層を堆積することによって、ならびに／もしくはマグネシウム銀（Ｍｇ：Ａｇ）合金および／またはイテルビウム銀（Ｙｂ：Ａｇ）合金を含むがこれらに限定されない金属合金、の薄層を堆積することによって形成されるものを含むがこれらに限定されない、薄層での、導電性コーティング９３０は、光透過性特性を示し得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、体積で約１：９～約９：１の範囲の組成物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、電極１２０、１４０は、導電性コーティング９３０の任意の組み合わせの複数の層から形成することができ、これらのうちのいずれか１つ以上は、ＴＣＯ、金属薄膜、金属合金薄膜、および／またはこれらのうちのいずれかの任意の組み合わせから成る。
パターニング
前述の結果として、第１の電極１２０、第２の電極１４０、および／または有機層１３０（および／またはその半導電性層）、ならびに／もしくは補助電極１６５０（存在する場合）のうちの少なくとも１つ、を含むがこれらに限定されない、デバイス１００のフロントプレーン１０層の露出表面１１１上のパターンで、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル）の発光領域の横方向４１０および／または発光領域を取り囲む非発光領域の横方向４２０にわたって選択的に堆積されることが望ましい場合がある。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０、第２の電極１４０、および／または補助電極１６５０は、複数の導電性コーティング９３０のうちの少なくとも１つに堆積され得る。
前述の結果として、第１の電極１２０、第２の電極１４０、および／または有機層１３０（および／またはその半導電性層）、ならびに／もしくは補助電極１６５０（存在する場合）のうちの少なくとも１つ、を含むがこれらに限定されない、デバイス１００のフロントプレーン１０層の露出表面１１１上のパターンで、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル）の発光領域の横方向４１０および／または発光領域を取り囲む非発光領域の横方向４２０にわたって選択的に堆積されることが望ましい場合がある。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０、第２の電極１４０、および／または補助電極１６５０は、複数の導電性コーティング９３０のうちの少なくとも１つに堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのようなパターニングは、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸発ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、ＰＶＤ（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤを含むがこれに限定されない、ＯＶＰＤ、レーザーアニーリング、ＬＩＴＩパターニング、ＡＬＤ、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれらに限定されない）、および／またはそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、様々な技法を使用して、少なくとも１つの層が選択的に堆積されるべき領域にわたってその中にアパーチャのパターンを有する各少なくとも１つの層にシャドウマスクを採用することによって達成することができる。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０、第２の電極１４０、および／または補助電極１６５０を含むがこれらに限定されない、パターン化された電極は、そのようなマスクを採用して、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する発光領域の横方向４１０にわたる特徴部、ならびに／もしくはその上に導電性コーティング９３０の堆積で不連続性を生み出す多様な形態を付与するための、それらを取り囲む非発光領域の横方向４２０の特徴部を作成することによって達成することができる。
図５は、デバイス１００と実質的に同様であるが、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する発光領域の横方向４１０を取り囲む非発光領域の横方向４２０にわたる複数の隆起したＰＤＬ４４０をさらに含むデバイス５００の断面図の例を示す。
導電性コーティング９３０が、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されるとき、導電性コーティング９３０は、その上に（図では）第２の電極１４０を形成するためのピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する発光領域の横方向４１０にわたって、ならびに／もしくはＰＤＬ４４０の上面に導電性コーティング９３０の領域を形成するためのそれらを取り囲む非発光領域の横方向４２０にわたって堆積される。第２の電極１４０の各々（セグメント）が少なくとも１つの導電性領域９３０のいずれにも電気的に結合されないことを確実にするために、ＰＤＬ４４０の厚さは、第２の電極１４０の厚さよりも厚い。いくつかの非限定的な例では、図に示すように、ＰＤＬ４４０にアンダーカットプロファイルを提供して、第２の電極１４０のいずれか（セグメント）が少なくとも１つの導電性領域９３０のいずれかに電気的に結合される可能性をさらに減少させることができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス５００上にバリアコーティング１６５０を塗布すると、デバイス５００の非常に不均一な表面形態を考慮して、バリアコーティング１６
５０のデバイス５００への接着が不十分になる場合がある。
５０のデバイス５００への接着が不十分になる場合がある。
そのようなシャドウマスクは、いくつかの非限定的な例では、ＦＭＭであり得る。
当業者は、ＦＭＭが、いくつかの非限定的な例では、数十ミクロン程度以下の特徴部のサイズを有する比較的小さい特徴部を形成するために使用され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、ＦＭＭは、導電性コーティング９３０の堆積に採用され得るような、特に高温でのシャドウマスク堆積プロセス中に変形され得る。
いくつかの非限定的な例では、特に高温堆積プロセスにおける、ＦＭＭの機械的（引張を含むがこれに限定されない）強度および／またはシャドウイング効果の制限は、そのようなＦＭＭを使用して達成可能であり得る特徴部のアスペクト比に制約を付与する場合がある。
いくつかの非限定的な例では、そのようなＦＭＭを使用して達成可能であり得るパターンのタイプおよび数は制約される場合がある。非限定的な例として、ＦＭＭの各部分は物理的に支持される。結果として、いくつかの非限定的な例では、いくつかのパターンは、パターンが孤立した特徴部を指定する場合の非限定的な例を含む、単一の加工段階で達成することができない場合がある。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の表面全体にわたって広がる、補助電極１６５０および／またはバスバー構造を含むがこれらに限定されない、繰り返し構造を生成するために使用することができるＦＭＭは、ＦＭＭ内に形成されるような多数のアパーチャを必要とする場合がある。いくつかの非限定的な例では、多数のアパーチャの形成は、ＦＭＭの構造的完全性を損なう場合がある。いくつかの非限定的な例では、特に高温堆積プロセスにおいて、そのようなＦＭＭは、加工中に著しい反りまたは変形を受ける場合があり、これにより、その中のアパーチャの形状および位置が歪む場合があり、これにより、選択的堆積パターンが変わり、性能および／または収率が低下する場合がある。
いくつかの非限定的な例では、そのようなＦＭＭは、高温堆積プロセス中に反る傾向を示し得、これにより、いくつかの非限定的な例では、ＦＭＭの中のアパーチャの形状および位置が歪む場合があり、これにより、選択的堆積パターンが変わり、性能および／または収率が低下する場合がある。
いくつかの非限定的な例では、特に高温堆積プロセスにおいて、連続堆積でそのようなＦＭＭを繰り返し使用すると、堆積材料がＦＭＭに接着する場合があり、これにより、ＦＭＭの特徴部が不明瞭になり得、選択的堆積パターンが変わり、性能および／または収率が低下する場合がある。
いくつかの非限定的な例では、ＦＭＭは、そのような接着した材料を除去するために定期的に洗浄され得る。そのような洗浄手順は、いくつかの非限定的な例では時間および／または費用がかかる場合がある。
いくつかの非限定的な例では、任意のそのような洗浄プロセスに関係なく、特に高温堆積プロセスにおいてそのようなＦＭＭを継続して使用すると、所望のパターニングを生成する際に無駄になる場合があり、複雑かつ費用がかかるプロセスにおいて、それらが廃棄および／または交換される場合がある。
いくつかの非限定的な例では、別の色のサブピクセル２５４１～２５４３に対応する発光領域の横方向４１０に対する１つの色のサブピクセル２５４１～２５４３に対応する発光領域の横方向４１０にわたって有機層（および／またはその半導電性層）の厚さを変えることによって、異なる色（および／または波長）のサブピクセル２５４１～２５４３に関連する光学マイクロキャビティ効果を変調させることが望ましい場合がある。いくつかの非限定的な例では、パターニングを実行するためのＦＭＭの使用は、少なくともいくつかの場合では、および／またはいくつかの非限定的な例では、ＯＬＥＤディスプレイ１００についての生成環境において、そのような光学マイクロキャビティ変調効果を提供するために必要とされる精度を提供しない場合がある。
核生成抑制および／または核生成促進材料特性
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０は、電極１２０、１４０を形成するための導電性コーティング９３０の複数の層として、もしくはそれらのうちの少なくとも１つとして採用され得る、および／または補助電極１６５０は、基部露出表面上に堆積されることに関して比較的低い親和性を示し得るため、薄膜導電性コーティング９３０の堆積が抑制される。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０は、電極１２０、１４０を形成するための導電性コーティング９３０の複数の層として、もしくはそれらのうちの少なくとも１つとして採用され得る、および／または補助電極１６５０は、基部露出表面上に堆積されることに関して比較的低い親和性を示し得るため、薄膜導電性コーティング９３０の堆積が抑制される。
その上に堆積された導電性コーティング９３０を有することに対する材料および／またはその特性の相対的な親和性またはその欠如は、それぞれ「核生成促進」および／または「核生成抑制」であると称され得る。
本開示では、「核生成抑制」は、導電性コーティング９３０および／または材料の堆積に関して比較的低い親和性を示す表面を有し、その結果そのような表面への導電性コーティング９３０の堆積が抑制されるコーティング、材料、および／またはその層を指す。
本開示では、「核生成促進」は、導電性コーティング９３０および／または材料の堆積に関して比較的高い親和性を示す表面を有し、その結果そのような表面への導電性コーティング９３０の堆積を容易にするコーティング、材料、および／またはその層を指す。
これらの用語における「核生成」という用語は、気相中の分子が表面ｔ上で凝縮し、核を形成する、薄膜形成プロセスの核生成段階について言及する。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、そのような核の形状およびサイズ、ならびにそのような核の島へのおよびその後の薄膜へのその後の成長は、蒸気、表面、および凝縮した膜核の間の界面張力を含むがこれらに限定されない、多くの要因に依存し得ると想定される。
本開示では、そのような親和性は、多くの様式で測定することができる。
表面の核生成抑制および／または核生成促進特性の１つの尺度は、Ｍｇを含むがこれに限定されない、所与の導電性材料についての表面の初期付着確率または初期付着係数Ｓ０である。本開示では、「付着確率」および「付着係数」という用語は、互換的に使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、付着確率Ｓは、以下によって与えられ得る。
式中、Ｎａｄｓは、露出表面１１１上に留まる（つまり、膜に組み込まれる）多くの吸着
されたモノマーの数であり、Ｎｔｏｔａｌは、表面上に衝突するモノマーの総数である。付着確率Ｓが１に等しいとは、表面上に衝突するすべてのモノマーが吸着され、その後成長する膜に組み込まれることを示す。付着確率Ｓが０に等しいとは、表面上に衝突するすべてのモノマーが吸着され、その後膜が表面上に形成されることを示す。Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｃ ２００７，１１１，７６５（２００６）で説明されている二重水晶振動子マイクロバランス（ＱＣＭ）技法を含むがこれに限定されない、付着確率Ｓを測定する様々な技法を使用して、様々な表面上の金属の付着確率Ｓを評価することができる。
されたモノマーの数であり、Ｎｔｏｔａｌは、表面上に衝突するモノマーの総数である。付着確率Ｓが１に等しいとは、表面上に衝突するすべてのモノマーが吸着され、その後成長する膜に組み込まれることを示す。付着確率Ｓが０に等しいとは、表面上に衝突するすべてのモノマーが吸着され、その後膜が表面上に形成されることを示す。Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｃ ２００７，１１１，７６５（２００６）で説明されている二重水晶振動子マイクロバランス（ＱＣＭ）技法を含むがこれに限定されない、付着確率Ｓを測定する様々な技法を使用して、様々な表面上の金属の付着確率Ｓを評価することができる。
島の密度が増加する（例えば、平均膜厚さが増加する）につれて、付着確率Ｓが変化する場合がある。非限定的な例として、低い初期付着確率Ｓ０は、平均膜厚さが増加するにつれて増加する場合がある。これは、島のない表面の面積、非限定的な例としてベア基板１１０と島の密度が高い面積との間の付着確率Ｓの違いに基づいて理解することができる。非限定的な例として、島の表面上に衝突するモノマーは、１に近い付着確率Ｓを有し得る。
したがって、初期付着確率Ｓ０は、任意の有意な数の臨界核が形成される前の表面の付着確率Ｓとして指定され得る。初期付着確率Ｓ０の１つの尺度は、表面全体の堆積材料の平均厚さが閾値にあるか、またはそれを下回る、材料の堆積の初期段階中の材料についての表面の付着確率Ｓを伴うことができる。いくつかの非限定的な例の説明では、初期付着確率Ｓ０についての閾値は、非限定的な例として、１ｎｍとして指定することができる。次いで、平均付着確率
は、以下のように与えられ得る。
式中、Ｓｎｕｃは島で被覆された面積の付着確率Ｓであり、Ａｎｕｃは島で被覆された基板表面の面積の割合である。
基部材料（図では、基板１１０）の露出表面１１１に吸着された吸着原子のエネルギープロファイルの例を図６に示す。具体的には、図６は、局所的低エネルギー部位から脱出する吸着原子（６１０）、露出表面１１１での吸着原子の拡散（６２０）、および吸着原子の脱着（６３０）に対応する定性的エネルギープロファイルの例を示している。
６１０では、局所的低エネルギー部位は、吸着原子がより低いエネルギーになる基部表面の露出表面１１１上の任意の部位であり得る。通常、核生成部位は、ステップ縁部、化学的不純物、結合部位、および／またはキンクを含むがこれらに限定されない、露出表面１１１上の欠陥および／または異常を含み得る。吸着原子が局所的低エネルギー部位でトラップされると、通常、表面拡散が起こる前にエネルギー障壁が存在する場合がある。そのようなエネルギー障壁は、図６においてΔＥ６１１として表されている。いくつかの非限定的な例では、局所的低エネルギー部位から脱出するためのエネルギー障壁ΔＥ６１１が十分に大きい場合、その部位は核生成部位として作用する場合がある。
６２０では、吸着原子は、露出表面１１１上に拡散し得る。非限定的な例として、局在化した吸収物の場合に、吸着原子は、表面電位の最小値付近で振動し、吸着原子が脱離するならびに／もしくは吸着原子のクラスタによって形成される成長している膜および／または成長している島に組み込まれるまで、様々な近接部位に移動する傾向がある。図６の
図では、吸着原子の表面拡散に関連した活性化エネルギーは、Ｅｓ６２１として表される。
図では、吸着原子の表面拡散に関連した活性化エネルギーは、Ｅｓ６２１として表される。
６３０では、吸着原子の表面からの脱離に関連した活性化エネルギーは、Ｅｄｅｓ６３１として表される。当業者は、脱着されていない任意の吸着原子が露出表面１１１に残っている場合があることを理解するであろう。非限定的な例として、そのような吸着原子は、成長膜および／またはコーティングの一部として組み込まれた露出表面１１１上に拡散する、ならびに／もしくは露出表面１１１上に島を形成する吸着原子のクラスタの一部になり得る。
図６に示すエネルギープロファイル６１０、６２０、６３０に基づいて、脱着のための比較的低い活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ６３１）、および／または表面拡散のための比較的高い活性化エネルギー（Ｅｓ６３１）を示すＮＩＣ９１０材料が、様々な用途での使用に特に有利であり得ると想定することができる。
表面の核生成抑制特性または核生成促進特性の１つの尺度は、基準表面上の同じ導電性材料の初期堆積速度に対する、表面上のＭｇを含むがこれに限定されない、所与の導電性材料の初期堆積速度であり、両方の表面は、導電性材料の蒸発フラックスに曝す、および／または曝露される。
核生成抑制および／または核生成促進材料特性に影響を及ぼすための選択的コーティング
いくつかの非限定的な例では、１つ以上の選択的コーティング７１０（図７）を、基部材料の露出表面１１１の少なくとも第１の部分７０１（図７）に選択的に塗布して、その上に薄膜導電性コーティング９３０を塗布するために提示されるように核生成抑制特性（および／または逆に、核生成促進特性）を変更することができる。いくつかの非限定的な例では、そのような選択的コーティング７１０が塗布されておらず、その結果、その核生成抑制特性（および／または逆に、その核生成促進特性）が実質的に変更されない、基部材料の露出表面１１１の第２の部分７０３（図７）が存在する場合がある。
いくつかの非限定的な例では、１つ以上の選択的コーティング７１０（図７）を、基部材料の露出表面１１１の少なくとも第１の部分７０１（図７）に選択的に塗布して、その上に薄膜導電性コーティング９３０を塗布するために提示されるように核生成抑制特性（および／または逆に、核生成促進特性）を変更することができる。いくつかの非限定的な例では、そのような選択的コーティング７１０が塗布されておらず、その結果、その核生成抑制特性（および／または逆に、その核生成促進特性）が実質的に変更されない、基部材料の露出表面１１１の第２の部分７０３（図７）が存在する場合がある。
そのような選択的コーティング７１０は、ＮＩＣ９１０、ならびに／もしくは核生成促進化合物および／またはコーティング（ＮＰＣ１０２０（図１０））であり得る。
そのような選択的コーティング７１０の使用は、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０を堆積する段階においてＦＭＭを採用することなく、導電性コーティング９３０の選択的堆積を容易にするおよび／または許容することができることが当業者に理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０のそのような選択的堆積は、パターンであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなパターンは、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル）の１つ以上の発光領域の横方向４１０内で、および／またはいくつかの非限定的な例では、そのような発光領域を取り囲み得る１つ以上の非発光領域の横方向４２０内で、デバイス１００の上面および／または下面のうちの少なくとも１つの透過性を提供ならびに／もしくは増大させることを容易にすることができる。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０を堆積させて、および／またはいくつかの非限定的な例ではその層、いくつかの非限定的な例ではアノード３４１および／またはカソード３４２のうちの１つとして作用する第１の電極１２０ならびに／もしくは第２の電極１４０、かつ／あるいはその導電性を支持するための補助電極１６５０を含むがこれらに限定されない、電極であり得るデバイス１００の導電性構造を形成するこ
とができる。
とができる。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇを含むがこれに限定されない、所与の導電コーティング９３０に関するＮＩＣ９１０は、露出表面１１１への導電性コーティング９３０（例では、Ｍｇ）の堆積が抑制されるように、蒸気形態の導電性コーティング９３０（例では、Ｍｇ）について比較的低い初期付着確率Ｓ０を示す表面を有する化合物および／またはコーティングを指す場合がある。したがって、いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０の選択的塗布により、露出表面１１１の上に導電性コーティング９３０を堆積するために提示される（ＮＩＣ９１０の）露出表面１１１の初期付着確率Ｓ０が低減され得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇを含むがこれに限定されない、所与の導電性コーティング９３０に関するＮＰＣ１０２０は、露出表面１１１への導電性コーティング９３０（例では、Ｍｇ）の堆積を容易にするように、蒸気形態の導電性コーティング９３０（例では、Ｍｇ）について比較的高い初期付着確率Ｓ０を示す露出表面１１１を有する化合物および／またはコーティングを指す場合がある。したがって、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０の選択的塗布により、露出表面１１１の上に導電性コーティング９３０を堆積するために提示される（ＮＰＣ１０２０の）露出表面１１１の初期付着確率Ｓ０が増加され得る。
選択的コーティング７１０がＮＩＣ９１０であるとき、ＮＩＣ９１０が塗布される基部材料の露出表面１１１の第１の部分７０１は、その後、核形成抑制特性が増加した、あるいは核形成促進特性が低減した（いずれの場合にも、第１の部分７０１に塗布されたＮＩＣ９１０の表面は、その上の導電性コーティング９３０の堆積について低減した親和性を有する）（ＮＩＣ９１０の）処理表面を提示するであろう。対照的に、そのようなＮＩＣ９１０が塗布されていない第２の部分７０３は、核形成抑制特性、あるいは核形成促進特性（いずれの場合にも、選択的コーティング７１０が実質的にない基部基板１１０の露出表面１１１は、実質的に変更されていないその上の導電性コーティング９３０の堆積についての親和性を有する、基部基板１１０の）露出表面１１１を提示し続けるであろう。
選択的コーティング７１０がＮＰＣ１０２０であるとき、ＮＰＣ１０２０が塗布される基部材料の露出表面１１１の第１の部分７０１は、その後、核形成抑制特性が低減した、あるいは核形成促進特性が増加した（いずれの場合にも、第１の部分７０１に塗布されたＮＰＣ１０２０の表面は、その上の導電性コーティング９３０の堆積について増加した親和性を有する）（ＮＰＣ１０２０の）処理表面を提示するであろう。対照的に、そのようなＮＰＣ１０２０が塗布されていない第２の部分７０３は、核形成抑制特性、あるいは核形成促進特性（いずれの場合にも、選択ＮＰＣ１０２０が実質的にない基部基板１１０の露出表面１１１は、実質的に変更されていないその上の導電性コーティング９３０の堆積についての親和性を有する、（基部基板１１０の）露出表面１１１を提示し続けるであろう。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０およびＮＰＣ１０２０の両方を、基部材料の露出表面１１１のそれぞれの第１の部分７０１およびＮＰＣ部分１００２に選択的に塗布して、その上に薄膜導電性コーティング９３０を塗布するために提示されるように核生成抑制特性（および／または逆に、核生成促進特性）をそれぞれ変更することができる。いくつかの非限定的な例では、選択的コーティング７１０が塗布されておらず、その結果、その核生成抑制特性（および／または逆に、その核生成促進特性）が実質的に変更されない、基部材料の露出表面１１１の第２の部分７０３が存在する場合がある。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０および／またはＮＰＣ１０２０の第１のコーティングが、そのような重なる領域において基部材料の露出表面１１１に選択的に塗布
することができるように、第１の部分７０１およびＮＰＣ部分１００２は重なっていてもよく、ＮＩＣ９１０および／またはＮＰＣ１０２０の第２のコーティングは、第１のコーティングの処理された露出表面に選択的に塗布することができる。いくつかの非限定的な例では、第１のコーティングは、ＮＩＣ９１０である。いくつかの非限定的な例では、第１のコーティングは、ＮＰＣ１０２０である。
することができるように、第１の部分７０１およびＮＰＣ部分１００２は重なっていてもよく、ＮＩＣ９１０および／またはＮＰＣ１０２０の第２のコーティングは、第１のコーティングの処理された露出表面に選択的に塗布することができる。いくつかの非限定的な例では、第１のコーティングは、ＮＩＣ９１０である。いくつかの非限定的な例では、第１のコーティングは、ＮＰＣ１０２０である。
いくつかの非限定的な例では、選択的コーティング７１０が塗布された第１の部分７０１（および／またはＮＰＣ部分１００２）は、塗布された選択的コーティング７１０が除去された除去領域を含む、その核生成抑制特性（および／または逆に、その核性促進特性）が実質的に変更されないように、その上に薄膜導電性コーティング９３０を塗布するための基部材料の被覆されていない表面を提示することができる。
いくつかの非限定的な例では、基部材料は、基板１１０から選択される少なくとも１つの層、ならびに／もしくは第１の電極１２０、第２の電極１４０、有機層１３０（および／またはその半導電性層のうちの少なくとも１つ）を含むがこれらに限定されない、フロントプレーン１０層のうちの少なくとも１つ、かつ／あるいはこれらのいずれかの任意の組み合わせであり得る。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０は、特定の材料特性を有し得る。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０は、単独であっても化合物および／または合金中であっても、Ｍｇを含み得る。
非限定的な例として、純粋および／または実質的に純粋なＭｇは、いくつかの有機表面上のＭｇの低付着確率Ｓにより、いくつかの有機表面上に容易に堆積されない場合がある。
選択的コーティングの塗布
いくつかの非限定的な例では、選択的コーティング７１０を含む薄膜は、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸発ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、ＰＶＤ（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤを含むがこれに限定されない、ＯＶＰＤ、レーザーアニーリング、ＬＩＴＩパターニング、ＡＬＤ、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれらに限定されない）、および／またはそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、様々な技法を使用して選択的に塗布、堆積ならびに／もしくは加工され得る。
いくつかの非限定的な例では、選択的コーティング７１０を含む薄膜は、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸発ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、ＰＶＤ（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤを含むがこれに限定されない、ＯＶＰＤ、レーザーアニーリング、ＬＩＴＩパターニング、ＡＬＤ、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれらに限定されない）、および／またはそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、様々な技法を使用して選択的に塗布、堆積ならびに／もしくは加工され得る。
図７は、基部材料（図では、例示を簡単にするために、基板１１０のみ）の露出表面１１１の第１の部分７０１上に選択的コーティング７１０を選択的に堆積させるための、チャンバ７０内で、概して７００で示す蒸発プロセスの非限定的な例を示す概略図の例である。
プロセス７００では、ある量の選択的コーティング材料７１１が真空下で加熱されて、選択的コーティング材料７１１を蒸発および／または昇華させる７１２。いくつかの非限定的な例では、選択的コーティング材料７１１は、選択的コーティング７１０を形成するために使用される材料を、完全に、および／または実質的に含む。蒸発した選択的コーティング材料７１２は、矢印７１で示す方向を含めて、露出表面１１１に向かって、チャンバ７０全体に分散する。蒸発した選択的コーティング材料７１２が露出表面１１１に入射するとき、つまり、第１の部分７０１内で、選択的コーティング７１０がその上に形成さ
れる。
れる。
いくつかの非限定的な例では、選択的コーティング材料７１１の堆積は、選択的コーティング７１０が基部材料（図では、基板１１０）の露出表面１１１全体にわたって実質的に形成されて、（選択的コーティング７１０の）処理された表面を生成するように、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して実行することができる。
ＦＭＭのサイズとは反対に、オープンマスクの特徴部のサイズは、概して、製造されているデバイス１００のサイズと同等であることが、当業者には理解されよう。いくつかの非限定的な例では、そのようなオープンマスクは、概してデバイス１００のサイズに対応し得るアパーチャを有し得、これは、いくつかの非限定的な例では、製造中にそのようなデバイス１００の縁部をマスクするために、マイクロディスプレイについては約１インチ、モバイルディスプレイについては約４～６インチ、および／またはラップトップおよび／またはタブレットディスプレイについては約８～１７インチに対応し得るがこれらに限定されない。いくつかの非限定的な例では、オープンマスクの特徴部のサイズは、約１ｃｍ程度以上であってもよい。いくつかの非限定的な例では、オープンマスク内に形成されたアパーチャは、いくつかの非限定的な例では、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル）に各々対応する複数の発光領域の横方向４１０、かつ／あるいは取り囲むおよび／または介在する非発光領域の取り囲む図ならびに／もしくは横方向４２０を包含するようにサイズ決定され得る。
いくつかの非限定的な例では、所望する場合、オープンマスクの使用を省略してもよいことが当業者には理解されよう。いくつかの非限定的な例では、本明細書で説明するオープンマスク堆積プロセスは、代替として、オープンマスクを使用せずに実施することができ、その結果、ターゲット露出表面１１１全体が露出され得る。
いくつかの非限定的な例では、プロセス７００について図に示すように、選択的コーティング７１０は、いくつかの非限定的な例ではＦＭＭであり得るシャドウマスク７１５を、選択的コーティング材料７１１と露出表面１１１との間に挿入することによって、露出表面１１１の一部分、示す例では第１の部分７０１上にのみ選択的に堆積され得る。シャドウマスク７１５は、蒸発した選択的コーティング材料７１２の一部分がアパーチャ７１６を通過し、露出表面１１１に入射して、選択的コーティング７１０を形成するように、シャドウマスク７１５を通って延在する少なくとも１つのアパーチャ７１６を有する。蒸発した選択的コーティング材料７１２がアパーチャ７１６を通過せず、シャドウマスク７１５の表面７１７に入射する場合、第２の部分７０３内に選択的コーティング７１０を形成するために露出表面１１１上に配設されることが妨げられる。したがって、露出表面１１１の第２の部分７０３には、選択的コーティング７１０が実質的にない。いくつかの非限定的な例（図示せず）では、シャドウマスク７１５に入射する選択的コーティング材料７１１は、その表面７１７上に堆積され得る。
したがって、パターニング表面は、選択的コーティング７１０の堆積の完了時に生成される。
いくつかの非限定的な例では、例示を簡単にするために、図７で採用された選択的コーティング７１０は、ＮＩＣ９１０であり得る。いくつかの非限定的な例では、例示を簡単にするために、図７で採用された選択的コーティング７１０は、ＮＰＣ１０２０であり得る。
図８Ａ～８Ｄは、オープンマスクの非限定的な例を示す。
図８Ａは、その中に形成されたアパーチャ８１０を有するおよび／またはそれを画定するオープンマスク８００の非限定的な例を示す。示すようないくつかの非限定的な例では、オープンマスク８００のアパーチャ８１０は、デバイス１００のサイズよりも小さく、その結果、マスク８００がデバイス１００上に重ねられるとき、マスク８００は、デバイス１００の縁部を被覆する。いくつかの非限定的な例では、示すように、デバイス１００のピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）のすべてならびに／もしくは実質的にすべてに対応する発光領域の横方向４１０は、アパーチャ８１０を通して露出され、一方、非露出領域８２０は、デバイス１００の外縁部８１とアパーチャ８１０との間に形成される。いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の電気接点および／または他の構成要素（図示せず）は、そのような非露出領域８２０に位置付けることができ、その結果、これらの構成要素は、オープンマスク堆積プロセス全体に実質的に影響されないままであることが当業者には理解されよう。
図８Ｂは、マスク８０１がデバイス１００上に重ねられるとき、マスク８０１が少なくともいくつかのピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する発光領域の少なくとも横方向８１５を被覆するように、図８Ａのアパーチャ８１０よりも小さい、オープンマスク８０１の中に形成されたアパーチャ８１１を有するおよび／または画定するオープンマスク８０１の非限定的な例を示す。示すように、いくつかの非限定的な例では、最も外側のピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する発光領域の横方向８１５は、デバイス１００の外縁部８１とアパーチャ８１１との間に形成されたデバイス１００の非露出領域８１３内に位置付けられ、蒸発した選択的コーティング材料７１２が非露出領域８１３に入射するのを抑制するために、オープンマスク堆積プロセス中にマスクされる。
図８Ｃは、オープンマスク８０２の中に形成されたアパーチャ８１２を有するおよび／または画定するオープンマスク８０２の非限定的な例が、少なくともいくつかのピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する発光領域の横方向８１５を被覆し、同時に、少なくともいくつかのピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する発光領域の横方向８１６を露出するパターンを画定することを示す。示すように、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の非露出領域８１４内に位置付けられた少なくともいくつかのピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する発光領域の横方向８１５は、蒸発した選択的コーティング材料７１２が非露出領域８１４に入射するのを抑制するために、オープンマスク堆積プロセス中にマスクされる。
図８Ａ～８Ｃでは、例示するように、最も外側のピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）のうちの少なくともいくつかに対応する発光領域の横方向８１５がマスクされているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク８００～８０２のアパーチャが、デバイス１００の他の発光領域の横方向４１０および／または非発光領域の横方向４２０をマスクするように成形され得ることを理解するであろう。
さらに、図８Ａ～８Ｃは、単一のアパーチャ８１０～８１２を有するオープンマスク８００～８０２を示しているが、当業者は、そのようなオープンマスク８００～８０２が、いくつかの非限定的な例（図示せず）では、デバイス１００の基部材料の露出表面１１１の多数の領域を露出するための追加のアパーチャ（図示せず）であり得ることを理解するであろう。
図８Ｄは、複数のアパーチャ８１７ａ～８１７ｄを有するおよび／または画定するオー
プンマスク８０３の非限定的な例を示す。アパーチャ８１７ａ～８１７ｄは、いくつかの非限定的な例では、他の領域８２２をマスクしながら、それらがデバイス１００のある特定の領域８２１を選択的に露出することができるように位置決めされる。いくつかの非限定的な例では、少なくともいくつかのピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応するある特定の発光領域の横方向８１９は、領域８２１内のアパーチャ８１７ａ～８１７ｄを通して露出され、同時に、少なくとも１つのいくつかのピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する他の発光領域の横方向８１８は、領域８２２内に位置し、したがってマスクされる。
プンマスク８０３の非限定的な例を示す。アパーチャ８１７ａ～８１７ｄは、いくつかの非限定的な例では、他の領域８２２をマスクしながら、それらがデバイス１００のある特定の領域８２１を選択的に露出することができるように位置決めされる。いくつかの非限定的な例では、少なくともいくつかのピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応するある特定の発光領域の横方向８１９は、領域８２１内のアパーチャ８１７ａ～８１７ｄを通して露出され、同時に、少なくとも１つのいくつかのピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する他の発光領域の横方向８１８は、領域８２２内に位置し、したがってマスクされる。
図９は、図７の蒸発プロセス７００によることを含むがこれに限定されない、第１の部分７０１上に選択的に堆積されるＮＩＣ９１０が実質的にない基部材料（図では、例示を簡単にするために、基板１１０のみ）の露出表面１１１の第２の部分７０３上に導電性コーティング９３０を選択的に堆積するための、チャンバ７０内での、概して９００で示す蒸発プロセスの結果の非限定的な例を示す概略図の例である。いくつかの非限定的な例では、第２の部分７０３は、第１の部分７０１を越えて位置する露出表面１１１のその部分を含む。
ＮＩＣ９１０が基部材料（図では、基板１１０）の露出表面１１１の第１の部分７０１上に堆積されると、導電性コーティング９３０は、ＮＩＣ９１０が実質的にない露出表面１１１の第２の部分７０３上に堆積され得る。
プロセス９００では、ある量の導電性コーティング材料９３１が真空下で加熱されて、導電性コーティング９３１を蒸発および／または昇華させる９３２。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料９３１は、導電性コーティング９３０を形成するために使用される材料を、完全に、および／または実質的に含む。蒸発した導電性コーティング材料９３２は、矢印９１で示す方向を含めて、第１の部分７０１および第２の部分７０３の露出表面１１１に向かって、チャンバ７０全体にわたって分散する。蒸発した導電性コーティング材料９３２が露出表面１１１の第２の部分７０３に入射するとき、導電性コーティング９３０がその上に形成される。
いくつかの非限定的な例では、プロセス９００について図に示すように、導電性コーティング９３０の堆積は、導電性コーティング９３０が基部材料の（図では、基板１１０の）露出表面１１１全体にわたって実質的に形成されて、（導電性コーティング９３０の）処理された表面を生成するように、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して実行することができる。
いくつかの非限定的な例（図示せず）では、導電性コーティング９３０は、いくつかの非限定的な例ではオープンマスクであり得るシャドウマスク（図示せず）を、導電性コーティング材料９３１と露出表面１１１との間に挿入することによって、基部材料の露出表面１１１の一部分上にのみ選択的に堆積され得る。
実際、図９に示すように、蒸発した導電性コーティング材料９３２は、第１の部分７０１にわたるＮＩＣ９１０の露出表面１１１、および実質的にＮＩＣ９１０がない第２の部分７０３にわたる基板１１０の露出表面１１１の両方に入射する。
第１の部分７０１内のＮＩＣ９１０の露出表面１１１は、第２の部分７０３内の基板１１０の露出表面１１１と比較して、比較的低い初期付着確率Ｓ０を示すため、導電性コーティング９３０は、実質的にＮＩＣ９１０がない第２の部分７０３内の基板１１０の露出表面上にのみ実質的に選択的に堆積される。対照的に、第１の部分７０１にわたるＮＩＣ９１０の露出表面１１１に入射する蒸発した導電性コーティング材料９３２は、示すよう
に堆積されない傾向があり（９３３）、第１の部分７０１にわたるＮＩＣ９１０の露出表面１１１には導電性コーティング９３０が実質的にない。
に堆積されない傾向があり（９３３）、第１の部分７０１にわたるＮＩＣ９１０の露出表面１１１には導電性コーティング９３０が実質的にない。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分７０３内の基板１１０の露出表面１１１上の蒸発した導電性コーティング材料９３２の初期堆積速度は、第１の部分７０１内のＮＩＣ９１０の露出表面１１１上の蒸発した導電性コーティング材料９３２の初期堆積速度の少なくとも約２００倍および／またはそれを超える、少なくとも約５５０倍および／またはそれを超える、少なくとも約９００倍および／またはそれを超える、少なくとも約１，０００倍および／またはそれを超える、少なくとも約１，５００倍および／またはそれを超える、少なくとも約１，９００倍および／またはそれを超える、ならびに／もしくは約２，０００倍および／またはそれを超える場合がある。
図１０Ａ～１０Ｂは、図７の蒸発プロセス７００によることを含むがこれに限定されない、第１の部分７０１上に選択的に堆積されたＮＩＣ９１０が実質的にない基部材料（図では、例示を簡単にするために、基板１１０のみ）の露出表面１１１の第２の部分７０３上に導電性コーティング９３０を選択的に堆積するための、チャンバ７０内での、概して１０００で示す蒸発プロセスの非限定的な例を示す。
図１０Ａは、プロセス１０００の段階１００１を説明し、ここで、ＮＩＣ９１０が基部材料（図では、基板１１０）の露出表面１１１の第１の部分７０１上に堆積されると、ＮＰＣ１０２０は、露出表面１１１のＮＰＣ部分１００２上に堆積され得る。図では、非限定的な例として、ＮＰＣ部分１００２は、第１の部分７０１内に完全に延在する。結果として、図では、非限定的な例として、第２の部分７０３は、第１の部分７０１を越えて位置する露出表面１１１のその部分を含む。
段階１００１では、ある量のＮＰＣ材料１０２１が真空下で加熱されて、ＮＰＣ材料１０２１を蒸発および／または昇華させる１０２２。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ材料１０２１は、ＮＰＣ１０２０を形成するために使用される材料を、完全に、および／または実質的に含む。蒸発したＮＰＣ材料１０２２は、矢印１０１で示す方向を含めて、第１の部分７０１およびＮＰＣ部分１００２の露出表面１１１に向かって、チャンバ７０全体にわたって流れる。蒸発したＮＰＣ材料１０２２が露出表面１１１のＮＰＣ部分１００２に入射するとき、ＮＰＣ１０２０がその上に形成される。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ材料１０２１の堆積は、オープンマスクおよび／またはマスクフリー堆積技法を使用して実行することができ、その結果、ＮＰＣ１０２０は、基部材料（図では、ＮＩＣ９１０）の露出表面１１１全体にわたって実質的に形成されて、（ＮＰＣ１０２０の）処理された表面を生成する。
いくつかの非限定的な例では、段階１００１について図に示すように、ＮＰＣ１０２０は、いくつかの非限定的な例ではＦＭＭであり得るシャドウマスク１０２５を、ＮＰＣ材料１０２１と露出表面１１１との間に挿入することによって、一部分、示す例では、（図では、ＮＩＣ９１０の）露出表面１１１のＮＰＣ部分１００２上にのみ選択的に堆積され得る。シャドウマスク１０２５は、蒸発したＮＰＣ材料１０２２の一部分がアパーチャ１０２６を通過し、露出表面１１１（図では、非限定的な例として、ＮＩＣ９１０）に入射して、ＮＰＣ１０２０を形成するように、シャドウマスク１０２５を通って延在する少なくとも１つのアパーチャ１０２６を有する。蒸発したＮＰＣ材料１０２２がアパーチャ１０２６を通過せず、シャドウマスク１０２５の表面１０２７に入射する場合、ＮＰＣ部分１００２内にＮＰＣ１０２０を形成するために露出表面１１１上に配設されることが妨げられる。したがって、ＮＰＣ部分１００２を越えて位置する露出表面１１１の部分１００３には、ＮＰＣ１０２０が実質的にない。いくつかの非限定的な例（図示せず）では、シ
ャドウマスク１０２５に入射するＮＰＣ材料１０２１は、その表面１０２７上に堆積され得る。
ャドウマスク１０２５に入射するＮＰＣ材料１０２１は、その表面１０２７上に堆積され得る。
第１の部分７０１内のＮＩＣ９１０の露出表面１１１は、導電性コーティング９３０について比較的低い初期付着確率Ｓ０を示すが、いくつかの非限定的な例では、これは、ＮＰＣコーティング１０２０がＮＰＣ部分１００２内の（図では、ＮＩＣ９１０の）露出表面上に依然として選択的に堆積されているように、ＮＰＣコーティング１０２０についての場合に必ずしも当てはまらない場合がある。
したがって、パターニング表面は、ＮＰＣ１０２０の堆積の完了時に生成される。
図１０Ｂは、プロセス１０００の段階１００４を説明し、ここで、ＮＩＣ９１０が基部材料（図では、基板１１０）の露出表面１１１の第１の部分７０１上に堆積され、ＮＰＣ１０２０が（図では、ＮＩＣ９１０の）露出表面１１１のＮＰＣ部分１００２上に堆積されると、導電性コーティング９３０は、露出表面１１１（図では、基板１１０）のＮＰＣ部分１００２および第２の部分７０３上に堆積され得る。
段階１００４では、ある量の導電性コーティング材料９３１が真空下で加熱されて、導電性コーティング９３１を蒸発および／または昇華させる９３２。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料９３１は、導電性コーティング９３０を形成するために使用される材料を、完全に、および／または実質的に含む。蒸発した導電性コーティング材料９３２は、矢印１０２で示す方向を含めて、ＮＰＣ部分１００２の第１の部分７０１および第２の部分７０３の露出表面１１１に向かって、チャンバ７０全体にわたって分散する。蒸発した導電性コーティング材料９３２が（ＮＰＣ１０２０の）露出表面１１１のＮＰＣ部分１００２および（基板１１０の）露出表面１１１の第２の部分７０３、つまりＮＩＣ９１０の露出表面１１１以外に入射するとき、導電性コーティング９３０は、それらの上に形成される。
いくつかの非限定的な例では、段階１００４について図に示すように、導電性コーティング９３０の堆積は、導電性コーティング９３０が基部材料（基部材料がＮＩＣ９１０である場合以外）の露出表面１１１全体にわたって実質的に形成されて、（導電性コーティング９３０の）処理された表面を生成するように、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して実行することができる。
いくつかの非限定的な例（図示せず）では、導電性コーティング９３０は、いくつかの非限定的な例ではオープンマスクであり得るシャドウマスク（図示せず）を、導電性コーティング材料９３１と露出表面１１１との間に挿入することによって、基部材料の露出表面１１１の一部分上にのみ選択的に堆積され得る。
実際、図１０Ｂに示すように、蒸発した導電性コーティング材料９３２は、ＮＰＣ部分１００２を越えて位置する第１の部分７０１にわたるＮＩＣ９１０の露出表面１１１、ならびにＮＰＣ部分１００２にわたるＮＰＣ１０２０の露出表面１１１およびＮＩＣ９１０が実質的にない第２の部分７０３にわたる基板１１０の露出表面１１１の両方に入射する。
ＮＰＣ部分１００２を越えて位置する第１の部分７０１内のＮＩＣ９１０の露出表面１１１は、第２の部分７０３内の基板１１０の露出表面１１１と比較して、比較的低い初期付着確率Ｓ０を示すため、ならびに／またはＮＰＣ部分１００２内のＮＰＣ１０２０の露出表面１１１は、ＮＰＣ部分１００２を越えて位置する第１の部分７０１内のＮＩＣ９１０の露出表面１１１、および第２の部分７０３内の基板１１０の露出表面１１１の両方と
比較して、比較的高い初期付着確率Ｓ０を示すため、導電性コーティング９３０は、ＮＩＣ９１０が実質的にない、ＮＰＣ部分１００２および第２の部分７０３内の基板１１０の露出表面上にのみ実質的に選択的に堆積される。対照的に、ＮＰＣ部分１００２を越えて位置する第１の部分７０１にわたるＮＩＣ９１０の露出表面１１１に入射する蒸発した導電性コーティング材料９３２は、示すように堆積されない傾向があり（８２３）、ＮＰＣ部分１００２を越えて位置する第１の部分７０１にわたるＮＩＣ９１０の露出表面１１１には導電性コーティング９３０が実質的にない。
比較して、比較的高い初期付着確率Ｓ０を示すため、導電性コーティング９３０は、ＮＩＣ９１０が実質的にない、ＮＰＣ部分１００２および第２の部分７０３内の基板１１０の露出表面上にのみ実質的に選択的に堆積される。対照的に、ＮＰＣ部分１００２を越えて位置する第１の部分７０１にわたるＮＩＣ９１０の露出表面１１１に入射する蒸発した導電性コーティング材料９３２は、示すように堆積されない傾向があり（８２３）、ＮＰＣ部分１００２を越えて位置する第１の部分７０１にわたるＮＩＣ９１０の露出表面１１１には導電性コーティング９３０が実質的にない。
したがって、パターニング表面は、導電性コーティング９３０の堆積の完了時に生成される。
図１１Ａ～１１Ｃは、図７の蒸発プロセス７００によることを含むがこれに限定されない、第１の部分７０１上に選択的に堆積されたＮＩＣ９１０が実質的にない基部材料の露出表面１１１の第２の部分１１０３（図１１Ｃ）上に導電性コーティング９３０を選択的に堆積するための、チャンバ７０内での、概して１１００で示す蒸発プロセスの非限定的な例を示す。
図１１Ａはプロセス１１００の段階１００１を説明し、ここで、ある量のＮＰＣ材料１０２１が真空下で加熱されて、ＮＰＣ材料１０２１を蒸発および／または昇華させる１０２２。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ材料１０２１は、ＮＰＣ１０２０を形成するために使用される材料を、完全に、および／または実質的に含む。蒸発したＮＰＣ材料１０２２は、矢印１１１０で示す方向を含めて、露出表面１１１（図では、基板１１０）に向かって、チャンバ７０全体にわたって分散する。蒸発したＮＰＣ材料１０２２が露出表面１１１に入射するとき、つまり、ＮＰＣ部分１００２内で、ＮＰＣ１０２０がその上に形成される。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ材料１０２１の堆積は、ＮＰＣ１０２０が基部材料（図では、基板１１０）の露出表面１１１全体にわたって実質的に形成されて、（ＮＰＣ１０２０の）処理された表面を生成するように、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して実行することができる。
いくつかの非限定的な例では、段階１００１について図に示すように、ＮＰＣ１０２０は、いくつかの非限定的な例ではＦＭＭであり得るシャドウマスク１０２５を、ＮＰＣ材料１０２１と露出表面１１１との間に挿入することによって、一部分、示す例では、露出表面１１１のＮＰＣ部分１００２上にのみ選択的に堆積され得る。シャドウマスク１０２５は、蒸発したＮＰＣ材料１０２２の一部分がアパーチャ１０２６を通過し、露出表面１１１に入射して、ＮＰＣ１０２０を形成するように、それを通って延在する少なくとも１つのアパーチャ１０２６を有する。蒸発したＮＰＣ材料１０２２がアパーチャ１０２６を通過せず、シャドウマスク１０２５の表面１０２７に入射する場合、ＮＰＣ部分１００２を越えて位置する露出表面１１１の部分７０３内にＮＰＣ１０２０を形成するために露出表面１１１上に配設されることが妨げられる。したがって、部分７０３には、ＮＰＣ１０２０が実質的にない。いくつかの非限定的な例（図示せず）では、シャドウマスク１０２５に入射するＮＰＣ材料１０２１は、その表面１０２７上に堆積され得る。
したがって、パターニング表面は、ＮＰＣ１０２０の堆積の完了時に生成される。
図１１Ｂは、プロセス１１００の段階１１０２を説明し、ここで、ＮＰＣ１０２０が基部材料（図では、基板１１０）の露出表面１１１のＮＰＣ部分１００２上に堆積されると、ＮＩＣ９１０は、露出表面１１１の第１の部分７０１上に堆積され得る。図では、非限定的な例として、第１の部分７０１は、ＮＰＣ部分１００２内に完全に延在する。結果と
して、図では、非限定的な例として、第２の部分１１０３は、第１の部分７０１を越えて位置する露出表面１１１のその部分を含む。
して、図では、非限定的な例として、第２の部分１１０３は、第１の部分７０１を越えて位置する露出表面１１１のその部分を含む。
段階１１０２では、ある量のＮＩＣ材料１１１１が真空下で加熱されて、ＮＩＣ材料１１１１を蒸発および／または昇華させる１１１２。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ材料１１１１は、ＮＩＣ９１０を形成するために使用される材料を、完全に、および／または実質的に含む。蒸発したＮＩＣ材料１１１２は、矢印１１２０で示す方向を含めて、第１の部分７０１を越えて延在するＮＰＣ部分１００２の第１の部分７０１、および第２の部分７０３の露出表面１１１に向かって、チャンバ７０全体にわたって分散する。蒸発したＮＩＣ材料１１１２が露出表面１１１の第１の部分７０１に入射するとき、ＮＩＣ９１０がその上に形成される。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ材料１１１１の堆積は、ＮＩＣ９１０が基部材料（図では）の露出表面１１１全体にわたって実質的に形成されて、（ＮＩＣ９１０の）処理された表面を生成するように、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して実行することができる。
いくつかの非限定的な例では、段階１１０２について図に示すように、ＮＩＣ９１０は、いくつかの非限定的な例ではＦＭＭであり得るシャドウマスク１１１５を、ＮＩＣ材料１１１１と露出表面１１１との間に挿入することによって、一部分、示す例では、（図では、ＮＰＣ１０２０の）露出表面１１１の第１の部分７０１上にのみ選択的に堆積され得る。シャドウマスク１１１５は、蒸発したＮＩＣ材料１１１２の一部分がアパーチャ１１１６を通過し、露出表面１１１（図では、非限定的な例として、ＮＰＣ１０２０）に入射して、ＮＩＣ９１０を形成するように、シャドウマスク１１１５を通って延在する少なくとも１つのアパーチャ１１１６を有する。蒸発したＮＩＣ材料１１１２がアパーチャ１１１６を通過せず、シャドウマスク１１１５の表面１１１７に入射する場合、第１の部分７０１を越える部分１００３内にＮＩＣ９１０を形成するために露出表面１１１上に配設されることが妨げられる。したがって、第１の部分７０１を越えて位置する露出表面１１１の部分１００３には、ＮＩＣ９１０が実質的にない。いくつかの非限定的な例（図示せず）では、シャドウマスク１１１５に入射する蒸発したＮＩＣ材料１１１２は、その表面１１１７上に堆積され得る。
ＮＰＣ部分１００２内のＮＰＣ１０２０の露出表面１１１は、導電性コーティング９３０について比較的高い初期付着確率Ｓ０を示すが、いくつかの非限定的な例では、これは、ＮＩＣコーティング９１０についての場合に必ずしも当てはまらない場合がある。そうであっても、いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣコーティング９１０についてのそのような親和性は、ＮＩＣコーティング９１０が依然として第１の部分７０１内の（図ではＮＰＣ１０２０の）露出表面１１１上に選択的に堆積されるようにすることができる。
したがって、パターニング表面は、ＮＩＣ９１０の堆積の完了時に生成される。
図１１Ｃは、プロセス１１００の段階１１０４を説明し、ここで、ＮＩＣ９１０が基部材料（図では、ＮＰＣ１０２０）の露出表面１１１の第１の部分７０１上に堆積されると、導電性コーティング９３０は、（図では、ＮＰＣ部分１００２を越える部分７０３にわたる基板１１０の、および第１の部分７０１を越えるＮＰＣ部分１００２にわたるＮＰＣ１０２０の）露出表面１１１の第２の部分１１０３上に堆積され得る。
段階１１０４では、ある量の導電性コーティング材料９３１が真空下で加熱されて、導電性コーティング９３１を蒸発および／または昇華させる９３２。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング材料９３１は、導電性コーティング９３０を形成するために
使用される材料を、完全に、および／または実質的に含む。蒸発した導電性コーティング材料９３２は、矢印１１３０で示す方向を含めて、ＮＰＣ部分１００２の第１の部分７０１、およびＮＰＣ部分１００２を越える部分７０３の露出表面１１１に向かって、チャンバ７０全体にわたって分散する。蒸発した導電性コーティング材料９３２が第１の部分７０１を越える（ＮＰＣ１０２０の）露出表面１１１のＮＰＣ部分１００２、および（基板１１０の）露出表面１１１のＮＰＣ部分１００２を越える部分７０３、つまりＮＩＣ９１０の露出表面１１１以外の第２の部分１１０３に入射するとき、導電性コーティング９３０は、それらの上に形成される。
使用される材料を、完全に、および／または実質的に含む。蒸発した導電性コーティング材料９３２は、矢印１１３０で示す方向を含めて、ＮＰＣ部分１００２の第１の部分７０１、およびＮＰＣ部分１００２を越える部分７０３の露出表面１１１に向かって、チャンバ７０全体にわたって分散する。蒸発した導電性コーティング材料９３２が第１の部分７０１を越える（ＮＰＣ１０２０の）露出表面１１１のＮＰＣ部分１００２、および（基板１１０の）露出表面１１１のＮＰＣ部分１００２を越える部分７０３、つまりＮＩＣ９１０の露出表面１１１以外の第２の部分１１０３に入射するとき、導電性コーティング９３０は、それらの上に形成される。
いくつかの非限定的な例では、段階１１０４について図に示すように、導電性コーティング９３０の堆積は、導電性コーティング９３０が基部材料（基部材料がＮＩＣ９１０である場合以外）の露出表面１１１全体にわたって実質的に形成されて、（導電性コーティング９３０の）処理された表面を生成するように、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して実行することができる。
いくつかの非限定的な例（図示せず）では、導電性コーティング９３０は、いくつかの非限定的な例ではオープンマスクであり得るシャドウマスク（図示せず）を、導電性コーティング材料９３１と露出表面１１１との間に挿入することによって、基部材料の露出表面１１１の一部分上にのみ選択的に堆積され得る。
実際、図１１Ｃに示すように、蒸発した導電性コーティング材料９３２は、ＮＰＣ部分１００２を越えて位置する第１の部分７０１にわたるＮＩＣ９１０の露出表面１１１、ならびにＮＰＣ部分１００２にわたるＮＰＣ１０２０の露出表面１１１およびＮＰＣ部分１００２を越えて位置する部分７０３にわたる基板１１０の露出表面１１１の両方に入射する。
第１の部分７０１内のＮＩＣ９１０の露出表面１１１は、ＮＰＣ部分１００２を越えて位置する部分７０３内の基板１１０の露出表面１１１と比較して、比較的低い初期付着確率Ｓ０を示すため、ならびに／または第１の部分７０１を越えて位置するＮＰＣ部分１００２内のＮＰＣ１０２０の露出表面１１１は、第１の部分７０１内のＮＩＣ９１０の露出表面１１１、およびＮＰＣ部分１００２を越えて位置する部分７０３内の基板１１０の露出表面１１１の両方と比較して、比較的高い初期付着確率Ｓ０を示すため、導電性コーティング９３０は、ＮＩＣ９１０が実質的にない、第１の部分７０１を越えて位置するＮＰＣ部分１００２、およびＮＰＣ部分１００２を越えて位置する部分７０３内の基板１１０の露出表面上にのみ実質的に選択的に堆積される。対照的に、第１の部分７０１にわたるＮＩＣ９１０の露出表面１１１に入射する蒸発した導電性コーティング材料９３２は、示すように堆積されない傾向があり（１１３３）、第１の部分７０１にわたるＮＩＣ９１０の露出表面１１１には導電性コーティング９３０が実質的にない。
したがって、パターニング表面は、導電性コーティング９３０の堆積の完了時に生成される。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分７０３内の基板１１０の露出表面１１１上の蒸発した導電性コーティング材料９３２の初期堆積速度は、第１の部分７０１内のＮＩＣ９１０の露出表面１１１上の蒸発した導電性コーティング材料９３２の初期堆積速度の少なくとも約２００倍および／またはそれを超える、少なくとも約５５０倍および／またはそれを超える、少なくとも約９００倍および／またはそれを超える、少なくとも約１，０００倍および／またはそれを超える、少なくとも約１，５００倍および／またはそれを超える、少なくとも約１，９００倍および／またはそれを超える、ならびに／もしくは約２，０００倍および／またはそれを超える場合がある。
図１２Ａ～１２Ｃは、基部材料（図では、例示を簡単にするために、基板１１０）の露出表面１１１上に、いくつかの非限定的な例ではＮＩＣ９１０および／またはＮＰＣ１０２０であり得る選択的コーティング７１０を選択的に堆積するための、概して１２００で示す、印刷プロセスの非限定的な例を示す。
図１２Ａはプロセス１２００の段階を説明し、ここで、その上に突起１２１１を有するスタンプ１２１０は、突起１２１１の露出表面１２１２上に選択的コーティング７１０が設けられる。当業者は、選択的コーティング７１０が、様々な好適なメカニズムを使用して、突起表面１２１２に堆積および／または塗布され得ることを理解するであろう。
図１２Ｂはプロセス１００の段階を説明し、ここで、選択的コーティング７１０は、露出表面１１１と接触し、露出表面１１１に接着するように、スタンプ１２１０が露出表面１１１との近位１２０１へと運ばれる。
図１２Ｃはプロセス１２００の段階を説明し、ここで、スタンプ１２１０は、露出表面１１１に塗布された選択的コーティング７１０を残して、露出表面１１１から離れて移動される１２０３。
パターン化された電極の選択的堆積
少なくとも１つの導電性コーティング９３０の選択的堆積をもたらして、高温導電性コーティング９３０堆積プロセス内でＦＭＭを採用することなく、いくつかの非限定的な例では第２の電極１４０（いくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る）および／または補助電極１６５０であり得るパターン化された電極を形成するために、前述のものを組み合わせることができる。いくつかの非限定的な例では、そのようなパターニングは、デバイスの透過性を許容および／または強化することができる。
少なくとも１つの導電性コーティング９３０の選択的堆積をもたらして、高温導電性コーティング９３０堆積プロセス内でＦＭＭを採用することなく、いくつかの非限定的な例では第２の電極１４０（いくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る）および／または補助電極１６５０であり得るパターン化された電極を形成するために、前述のものを組み合わせることができる。いくつかの非限定的な例では、そのようなパターニングは、デバイスの透過性を許容および／または強化することができる。
図１３は、平面図でパターン化された電極１３００の例、図では、エレクトロルミネセントデバイス１４００（図１４）での使用に好適なカソード３４２として機能する、つまり、パターン化された電極１３００を除く、デバイス１００と実質的に同様の第２の電極１４０を示す。電極１３００は、パターン化された複数のアパーチャ１２２０をその中に有するか、または画定する単一の連続構造を含むパターン１３１０で形成され、ここで、アパーチャ１２２０は、カソード３４２がないデバイス１００の領域に対応する。
図では、非限定的な例として、パターン１３１０は、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する発光領域の横方向４１０、および発光領域を取り囲むピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する非発光領域の横方向４２０を区別することなく、デバイス１００の横範囲全体にわたって配設される。したがって、示す例は、本明細書に開示するように、デバイス１００内で内部的に生じた光子の放出（上面発光、下面発光、および／または両面発光で）に加えて、かなりの部分のそのような外部入射光がデバイス１００を透過することができるように、その外部表面に入射する光に対して実質的に透過性であるデバイス１００に対応することができる。
デバイス１００の透過性は、アパーチャ１２２０の平均サイズ、ならびに／もしくはアパーチャ１２２０の間隔および／または密度を含むがこれらに限定されない、採用されるパターン１３１０を変更することによって調節および／または調整され得る。
ここで、図１４を参照すると、図１３の直線１４－１４に沿って取られた、デバイス１４００の断面図を示している。図では、デバイス１４００を、基板１１０（いくつかの非
限定的な例ではアノード３４１であり得る第１の電極１２０、および有機層１３０）を含むものとして示す。いくつかの非限定的な例では、選択的コーティング７１０、すなわちＮＰＣ１０２０は、有機層１３０の露出表面１１１の実質的にすべてに配設される。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０は省略することができる。
限定的な例ではアノード３４１であり得る第１の電極１２０、および有機層１３０）を含むものとして示す。いくつかの非限定的な例では、選択的コーティング７１０、すなわちＮＰＣ１０２０は、有機層１３０の露出表面１１１の実質的にすべてに配設される。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０は省略することができる。
選択的コーティング７１０、すなわちＮＩＣ９１０は、図に示すように、ＮＰＣ１０２０であるが、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣが省略されている場合、有機層１３０であり得る）、基部材料の露出表面１１１上のパターン１３１０に実質的に対応するパターンで選択的に配設される。
図では、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る第２の電極１４０である、パターン化された電極１３００を形成するのに好適な導電性コーティング９３０は、高温導電性コーティング堆積プロセス中に任意のＦＭＭを採用しない、オープンマスクおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して、基部材料の露出表面１１１の実質的にすべてに配設される。基部材料は、パターン１３１０で配設されたＮＩＣ９１０の領域、およびＮＩＣ９１０が堆積されていないパターン１３１０でのＮＰＣ１０２０（または、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０が省略されている場合、有機層１３０）の領域の両方を含む。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０の領域は、パターン１３１０で示すアパーチャ１３２０に実質的に対応することができ、一方、ＮＰＣ１０２０（または、ＮＰＣ１０２０が省略されている場合、有機層１３０）の領域は、パターン１３１０の第２の部分７０３に実質的に対応することができる。
ＮＩＣ９１０が配設されたパターン１３１０のそれらの領域（アパーチャ１３２０に対応する）の核生成抑制特性のために、そのような領域上に配設された導電性コーティング９３０は残らない傾向があり、その結果、導電性コーティング９３０が実質的にないアパーチャ１３２０に対応するパターン１３１０のそれらの領域を残しつつ、パターン１３１０の第２の部分７０３に実質的に対応する導電性コーティング９３０の選択的堆積のパターンが得られる。
換言すれば、カソード３４２を形成する導電性コーティング９３０は、パターン１３１０内のアパーチャ１３２０を取り囲むが占領しないＮＰＣ１０２０（または、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０が省略されている場合、有機層１３０）のこれらの領域上にのみ実質的に選択的に堆積される。
図１５Ａは、電極１５２０、１５４０の複数のパターンを示す概略図を平面図で示す。
いくつかの非限定的な例では、電極１５２０の第１のパターンは、第１の横方向に延在する複数の細長い離間領域を含む。いくつかの非限定的な例では、電極１５２０の第１のパターンは、複数の第１の電極１２０を含み得、これらのうちの少なくとも１つは、いくつかの非限定的な例ではアノード３４１であり得る。いくつかの非限定的な例では、電極１５２０の第１のパターンを含む複数の領域は、電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、電極１５４０の第２のパターンは、第２の横方向に延在する複数の細長い離間領域を含む。いくつかの非限定的な例では、第２の横方向は、第１の横方向に実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、電極１５４０の第２のパターンは、複数の第２の電極１４０を含み得、これらのうちの少なくとも１つは、いくつかの非限定的な例では、カソード３４２であり得る。いくつかの非限定的な例では、電極１５４０の第２のパターンを含む複数の領域は、電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、電極１５２０の第１のパターンおよび電極１５４０の第
２のパターンは、複数のＰＭＯＬＥＤ要素１４０１を含み得る、概して１５００で示す、デバイスの一部を形成し得る。
２のパターンは、複数のＰＭＯＬＥＤ要素１４０１を含み得る、概して１５００で示す、デバイスの一部を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する発光領域の横方向１５１０は、電極１６２０の第１のパターンが電極１４４０の第２のパターンと重なって形成される。いくつかの非限定的な例では、非発光領域の横方向１５３０は、横方向１６１０以外の任意の横方向に対応する。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では電源１５の正端子であり得る第１の端子は、電極１５２０の第１のパターンのうちの少なくとも１つに電気的に結合される。いくつかの非限定的な例では、第１の端子は、少なくとも１つの駆動回路３００を通して電極１５２０の第１のパターンのうちの少なくとも１つに結合される。いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では電源１５の負端子であり得る第２の端子は、電極１５４０の第２のパターンのうちの少なくとも１つに電気的に結合される。いくつかの非限定的な例では、第２の端子は、少なくとも１つの駆動回路３００を通して電極１５４０の第２のパターンのうちの少なくとも１つに結合される。
ここで、図１５Ｂを参照すると、図１５Ａの直線１５Ｂ－１５Ｂに沿って取られた、中間堆積段階１５００ｂでの、デバイス１５００の断面図を示している。図では、段階１５００ｂにあるデバイスを、基板１１０を含むものとして示す。いくつかの非限定的な例では、選択的コーティング７１０、すなわちＮＰＣ１０２０は、基板１１０の露出表面１１１の実質的にすべてに配設される。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０は省略することができる。
選択的コーティング７１０、すなわちＮＩＣ９１０は、図に示すように、ＮＰＣ１０２０であるが、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣが省略されている場合、基板１１０であり得る）、基部材料の露出表面１１１上の電極１５２０の第１のパターンに実質的に対応するパターンで選択的に配設される。
図では、いくつかの非限定的な例ではアノード３４１であり得る第１の電極１２０である、電極１５２０の第１のパターンを形成するのに好適な導電性コーティング９３０は、高温導電性コーティング堆積プロセス中に任意のＦＭＭを採用しない、オープンマスクおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して、基部材料の露出表面１１１の実質的にすべてに配設される。基部材料は、第１のパターン１５２０で配設されたＮＩＣ９１０の領域、およびＮＩＣ９１０が堆積されていない第１のパターン１５２０でのＮＰＣ１０２０（または、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０が省略されている場合、基板１１０）の領域の両方を含む。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０（または、ＮＰＣ１０２０が省略されている場合、基板１１０）の領域は、第１のパターン１５２０の細長い離間領域に実質的に対応することができ、一方、ＮＩＣ９１０の領域は、実質的に第１のパターン１５２０間のギャップに対応する。
ＮＩＣ９１０が配設された第１のパターン１５２０のそれらの領域（第１のパターン１５２０間のギャップに対応する）の核生成抑制特性のために、そのような領域上に配設された導電性コーティング９３０は残らない傾向があり、導電性コーティング９３０が実質的にない第１のパターン１５２０間のギャップを残しつつ、第１のパターン１５２０の細長い離間領域に実質的に対応する導電性コーティング９３０の選択的堆積のパターンが得られる。
換言すれば、電極１５２０の第１のパターンを形成する導電性コーティング９３０は、第１のパターン１５２０の細長い離間領域を画定するＮＰＣ１０２０（または、いくつか
の非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０が省略されている場合、基板１１０）のこれらの領域上にのみ実質的に選択的に堆積される。
の非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０が省略されている場合、基板１１０）のこれらの領域上にのみ実質的に選択的に堆積される。
ここで、図１５Ｃを参照すると、図１５Ａの直線１５Ｃ－１５Ｃに沿って取られた、デバイス１５００の断面図を示している。図では、デバイス１５００を、基板１１０（いくつかの非限定的な例ではアノード３４１であり得る、図１５Ｂに示すように堆積された電極１５２０の第１のパターン、および有機層１３０）を含むものとして示す。
いくつかの非限定的な例では、有機層１３０は、デバイス１５００の横方向の実質的にすべてにわたる共通の層として提供され得る。いくつかの非限定的な例では、有機層１３０は、ＨＩＬ１３１、ＨＴＬ１３３、ＥＬ１３５、ＥＴＬ１３７、および／またはＥＩＬ１３９を含むがこれらに限定されない、有機ならびに／もしくは無機材料の任意の数の層を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、選択的コーティング７１０、すなわちＮＰＣ１０２０は、有機層１３０の露出表面１１１の実質的にすべてに配設される。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０は省略することができる。
選択的コーティング７１０、すなわちＮＩＣ９１０は、図に示すように、ＮＰＣ１０２０であるが、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣが省略されている場合、有機層１３０であり得る）、基部材料の露出表面１１１上の電極１５４０の第２のパターンに実質的に対応するパターンで選択的に配設される。
図では、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る第２の電極１４０である、電極１５４０の第２のパターンを形成するのに好適な導電性コーティング９３０は、高温導電性コーティング堆積プロセス中に任意のＦＭＭを採用しない、オープンマスクおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して、基部材料の露出表面１１１の実質的にすべてに配設される。基部材料は、第２のパターン１５４０で配設されたＮＩＣ９１０の領域、およびＮＩＣ９１０が堆積されていない第２のパターン１５４０でのＮＰＣ１０２０（または、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０が省略されている場合、有機層１３０）の領域の両方を含む。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０（または、ＮＰＣ１０２０が省略されている場合、有機層１３０）の領域は、第２のパターン１５４０の細長い離間領域に実質的に対応することができ、一方、ＮＩＣ９１０の領域は、実質的に第２のパターン１５４０間のギャップに対応する。
ＮＩＣ９１０が配設された第２のパターン１５４０のそれらの領域（第２のパターン１５４０間のギャップに対応する）の核生成抑制特性のために、そのような領域上に配設された導電性コーティング９３０は残らない傾向があり、導電性コーティング９３０が実質的にない第２のパターン１５４０間のギャップを残しつつ、第２のパターン１５４０の細長い離間領域に実質的に対応する導電性コーティング９３０の選択的堆積のパターンが得られる。
換言すれば、電極１５４０の第２のパターンを形成する導電性コーティング９３０は、第２のパターン１５４０の細長い離間領域を画定するＮＰＣ１０２０（または、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０が省略されている場合、有機層１３０）のこれらの領域上にのみ実質的に選択的に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、電極の第１のパターンおよび／または電極１５４０の第２のパターンのいずれかまたは両方を形成するためにその後に塗布されるＮＩＣ９１０ならびに導電性コーティング９３０の厚さは、所望の用途および所望の性能特徴を含むがこ
れらに限定されない、様々なパラメータに従って変わり得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０の厚さは、その後に塗布される導電性コーティング９３０の厚さと同等、および／または実質的にそれよりも小さくてもよい。その後に塗布される導電性コーティングの選択的パターニングを達成するための比較的薄いＮＩＣ９１０の使用は、ＰＭＯＬＥＤデバイスを含むがこれに限定されない、可撓性デバイス１５００を提供するのに好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄いＮＩＣ９１０は、バリアコーティング１５５０が塗布され得る比較的平坦な表面を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１５５０の塗布のためにそのような比較的平坦な表面を提供することは、そのような表面へのバリアコーティング１５５０の接着を高めることができる。
れらに限定されない、様々なパラメータに従って変わり得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０の厚さは、その後に塗布される導電性コーティング９３０の厚さと同等、および／または実質的にそれよりも小さくてもよい。その後に塗布される導電性コーティングの選択的パターニングを達成するための比較的薄いＮＩＣ９１０の使用は、ＰＭＯＬＥＤデバイスを含むがこれに限定されない、可撓性デバイス１５００を提供するのに好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄いＮＩＣ９１０は、バリアコーティング１５５０が塗布され得る比較的平坦な表面を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、バリアコーティング１５５０の塗布のためにそのような比較的平坦な表面を提供することは、そのような表面へのバリアコーティング１５５０の接着を高めることができる。
電極１５２０の第１のパターンのうちの少なくとも１つおよび電極１５４０の第２のパターンのうちの少なくとも１つは、直接、および／またはいくつかの非限定的な例では、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する発光領域の横方向１５１０からの光子放出を制御するためのそれらのそれぞれの駆動回路３００を通すにかかわらず、電源１５に電気的に結合され得る。
当業者は、図１５Ａ～１５Ｃに示す電極１５４０の第２のパターンで第２の電極１４０を形成するプロセスが、いくつかの非限定的な例では、デバイス１５００用の補助電極１６５０を形成するために同様の様式で使用され得る。いくつかの非限定的な例では、その第２の電極１４０は、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る共通電極を含むことができ、補助電極１６５０は、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０の上方および／またはいくつかの非限定的な例ではその下方の、ならびに第２の電極１４０に電気的に結合された電極１５４０の第２のパターンで堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極１６５０用の電極１５４０の第２のパターンは、第２のパターン１５４０の細長い離間領域がピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する発光領域の横方向４１０を取り囲む非発光領域の横方向４２０内に実質的に位置するようにすることができる。いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極１６５０用の電極１５４０の第２のパターンは、第２のパターン１５４０の細長い離間領域がピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する発光領域の横方向４１０、ならびに／もしくはそれらを取り囲む非発光領域の横方向４２０内に実質的に位置するようにすることができる。
図１６は、デバイス１００と実質的に同様であるが、上記のパターンで配設され、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る第２の電極１４０と電気的に結合された（図示せず）少なくとも１つの補助電極１６５０をさらに含む、デバイス１６００の断面図の例を示す。
デバイス１６００は、基板１１０（いくつかの非限定的な例ではアノード３４１であり得る第１の電極１２０、および有機層１３０）を含むものとして示されている。
いくつかの非限定的な例では、選択的コーティング７１０、すなわちＮＰＣ１０２０は、有機層１３０の露出表面１１１の実質的にすべてに配設される。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０は省略することができる。
いくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る第２の電極１４０は、ＮＰＣ１０２０（または、ＮＰＣ１０２０が省略されている場合、有機層１３０）の露出表面の実質的にすべてに配設される。
いくつかの非限定的な例では、特に上面発光デバイス１６００では、いくつかの非限定
的な例ではカソード３４２であり得る第２の電極１４０は、非限定的な例として、第２の電極１４０の存在に関係する光学干渉（減衰、反射、および／または拡散を含むがこれらに限定されない）を低減するために、導電性コーティング９３０の比較的薄い層（図示せず）を堆積することによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、他の箇所で述べるように、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る第２の電極１４０の厚さを低減することにより、概して、第２の電極１４０のシート抵抗が増加する場合があり、これにより、いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の性能および／または効率が低下する場合がある。第２の電極１４０に電気的に結合される補助電極１６５０を提供することによって、シート抵抗、およびしたがって第２の電極１４０に関連するＩＲ降下が、いくつかの非限定的な例では減少し得る。
的な例ではカソード３４２であり得る第２の電極１４０は、非限定的な例として、第２の電極１４０の存在に関係する光学干渉（減衰、反射、および／または拡散を含むがこれらに限定されない）を低減するために、導電性コーティング９３０の比較的薄い層（図示せず）を堆積することによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、他の箇所で述べるように、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る第２の電極１４０の厚さを低減することにより、概して、第２の電極１４０のシート抵抗が増加する場合があり、これにより、いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の性能および／または効率が低下する場合がある。第２の電極１４０に電気的に結合される補助電極１６５０を提供することによって、シート抵抗、およびしたがって第２の電極１４０に関連するＩＲ降下が、いくつかの非限定的な例では減少し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００は、下面発光および／または両面発光デバイス１６００であり得る。そのような例では、第２の電極１４０は、そのようなデバイス１６００の光学特徴に実質的に影響することなく、比較的厚い層として形成され得る。それにもかかわらず、そのような状況においてさえ、第２の電極１４０は、それにもかかわらず、非限定的な例として、導電性コーティング９３０の比較的薄い層（図示せず）として形成することができるため、デバイス１６００は、本明細書に開示するように、デバイス１００内で内部的に生じた光子の放出に加えて、そのような外部入射光のかなりの部分がデバイス１００を通って透過することができるように、その外部表面に入射する光に対して実質的に透過性であり得る。
選択的コーティング７１０、すなわちＮＩＣ９１０は、図に示すように、ＮＰＣ１０２０であるが、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣが省略されている場合、有機層１３０であり得る）、基部材料の露出表面１１１上のパターンで選択的に配設される。いくつかの非限定的な例では、図に示すように、ＮＩＣ９１０は、一連の平行な列１６２０としてのパターンで配設され得る。
パターン化された補助電極１６５０を形成するのに好適な導電性コーティング９３０は、高温導電性コーティング堆積プロセス中に任意のＦＭＭを採用しない、オープンマスクおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して、基部材料の露出表面１１１の実質的にすべてに配設される。基部材料は、行１６２０のパターンで配設されたＮＩＣ９１０の領域、およびＮＩＣ９１０が堆積されていないＮＰＣ１０２０（または、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０が省略されている場合、有機層１３０）の領域の両方を含む。
ＮＩＣ９１０が配設されたそれらの行１６２０の核生成抑制特性のために、そのような行１６２０上に配設された導電性コーティング９３０は残らない傾向があり、導電性コーティング９３０が実質的にない行１６２０を残しつつ、パターンの第２の部分７０３に実質的に対応する導電性コーティング９３０の選択的堆積のパターンが得られる。
換言すれば、補助電極１６５０を形成する導電性コーティング９３０は、行１６２０を取り囲むが占領しないＮＰＣ１０２０（または、いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０が省略されている場合、有機層１３０）のこれらの領域上にのみ実質的に選択的に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の横方向のある特定の行１６２０のみを被覆し、一方、それらの他の領域は被覆されないままであるように補助電極１６５０を選択的に堆積することにより、補助電極１６５０の存在に関係する光学干渉を制御および／または低減することができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１６５０は、通常の視距離から肉眼で容易に検出することができないパターンで選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１６５０は、そのようなデバイスの電極の実効抵抗を減少させる場合を含めて、ＯＬＥＤデバイス以外のデバイス内で形成され得る。
補助電極１６５０
いくつかの非限定的な例では、図１６に図示するプロセスを含むがこれらに限定されない、ＮＩＣ９１０および／またはＮＰＣ１０２０であり得る、選択的コーティング７１０を採用することにより、高温導電性コーティング９３０堆積プロセス中にＦＭＭを採用することなく、第２の電極１４０および／または補助電極１６５０を含むがこれらに限定されない電極をパターン化する能力は、補助電極１６５０の多数の構成を展開することができる。
いくつかの非限定的な例では、図１６に図示するプロセスを含むがこれらに限定されない、ＮＩＣ９１０および／またはＮＰＣ１０２０であり得る、選択的コーティング７１０を採用することにより、高温導電性コーティング９３０堆積プロセス中にＦＭＭを採用することなく、第２の電極１４０および／または補助電極１６５０を含むがこれらに限定されない電極をパターン化する能力は、補助電極１６５０の多数の構成を展開することができる。
図１７Ａは、複数の発光領域１７１０ａ～１７１０ｊ、およびそれらを取り囲む少なくとも１つの非発光領域１７２０を有する、エレクトロルミネセントデバイス１７００の一部分を平面図で示す。いくつかの非限定的な例では、デバイス１７００は、発光領域１７１０ａ～１７１０ｊの各々がピクセル３４０および／またはそのサブピクセルに対応するＡＭＯＬＥＤデバイスであり得る。
図１７Ｂ～１７Ｄは、近接する発光領域１７１０ａおよびその１７１０ｂの上に重なり合う補助電極１６５０の異なる構成１７５０ｂ～１７５０ｄと併せて、その近接する発光領域１７１０ａおよび１７１０ｂに対応するデバイス１７００の一部分、ならびにそれらの間の少なくとも１つの非発光領域１７２０の一部分の例を示す。いくつかの非限定的な例では、図１７Ｂ～１７Ｄには明示的に示していないが、いくつかの非限定的な例では共通のカソード３４２であり得るデバイス１７００の第２の電極１４０は、その発光領域１７１０ａおよび１７１０ｂ、ならびにそれらの間の少なくとも１つの非発光領域１７２０の部分の少なくとも両方を実質的に被覆すると理解される。
図１７Ｂでは、補助電極構成１７５０ｂは、２つの近接する発光領域１７１０ａと１７１０ｂとの間に配設され、第２の電極１４０に電気的に結合される。この例では、補助電極構成１７５０ｂの幅αは、近接する発光領域１７１０ａと１７１０ｂとの間の分離距離δよりも小さい。結果として、補助電極構成１７３０ｂの各側部上の少なくとも１つの非発光領域１７２０内にギャップが存在する。いくつかの非限定的な例では、そのような配置は、補助電極構成１７５０ｂが、いくつかの非限定的な例では発光領域１７１０ａおよび１７１０ｂのうちの少なくとも１つからのデバイス１７００の光学出力に干渉する可能性を低減することができる。いくつかの非限定的な例では、そのような配置は、補助電極構成１７５０ｂが比較的厚い場合（いくつかの非限定的な例では、厚さにおいて、数百ナノメートルを超えるおよび／または数ミクロン程度）に適切であり得る。いくつかの非限定的な例では、その幅に対する補助電極構成１７５０ｂ高さ（厚さ）の比（「アスペクト比」）は、約０．０５よりも大きい、例えば、約０．１以上、約０．２以上、約０．５以上、約０．８以上、約１以上、または約２以上であってもよい。非限定的な例として、補助電極構成１７５０ｂの高さ（厚さ）は、約５０ｎｍより大きく、例えば、約８０ｎｍ以上、約１００ｎｍ以上、約２００ｎｍ以上、約５００ｎｍ以上、約７００ｎｍ以上、約１０００ｎｍ以上、約１５００ｎｍ以上、約１７００ｎｍ以上、または約２０００ｎｍ以上であってもよい。
図１７Ｃでは、補助電極構成１７５０ｃは、２つの近接する発光領域１７１０ａと１７１０ｂとの間に配設され、第２の電極１４０に電気的に結合される。この例では、補助電極構成１７５０ｃの幅αは、近接する発光領域１７１０ａと１７１０ｂとの間の分離距離
δと実質的に同じである。結果として、補助電極構成１７５０ｃのどちらの側の少なくとも１つの非発光領域１７２０内にもギャップが存在しない。いくつかの非限定的な例では、そのような配置は、近接する発光領域１７１０ａと１７１０ｂとの間の分離距離δが、非限定的な例として、高ピクセル密度デバイス１７００内で、比較的小さい場合に適切であり得る。
δと実質的に同じである。結果として、補助電極構成１７５０ｃのどちらの側の少なくとも１つの非発光領域１７２０内にもギャップが存在しない。いくつかの非限定的な例では、そのような配置は、近接する発光領域１７１０ａと１７１０ｂとの間の分離距離δが、非限定的な例として、高ピクセル密度デバイス１７００内で、比較的小さい場合に適切であり得る。
図１７Ｄでは、補助電極１７５０ｄは、２つの近接する発光領域１７１０ａと１７１０ｂとの間に配設され、第２の電極１４０に電気的に結合される。この例では、補助電極構成１７５０ｄの幅αは、近接する発光領域１７１０ａと１７１０ｂとの間の分離距離δよりも大きい。結果として、補助電極構成１７５０ｄの一部分は、近接する発光領域１７１ａおよび／または１７１０ｂのうちの少なくとも１つの一部分と重なる。この図は、補助電極構成１７５０ｄと近接する発光領域１７１０ａおよび１７１０ｂの各々との重なりの程度を示しているが、いくつかの非限定的な例では、重なりの程度、および／またはいくつかの非限定的な例では、補助電極構成１７５０ｄと近接する発光領域１７１０ａおよび１７１０ｂのうちの少なくとも１つとの間の重なりのプロファイルは、変えるおよび／または調整することができる。
図１８は、デバイス１８００のピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応し得る発光領域１８１０の横方向、ならびに発光領域１８１０を取り囲む非発光領域１８２０の横方向の両方に重ね合わせられるグリッドとして形成された補助電極１６５０のパターン１８５０の例を示す概略図を平面図で示す。
いくつかの非限定的な例では、補助電極パターン１８５０は、発光領域１８１０の横方向のいずれも実質的に被覆しないように、非発光領域１８２０の横方向のすべてではなくいくつかの上にのみ実質的に延在する。
当業者は、図では、そのすべての要素が物理的に接続され、互いに電気的に結合され、少なくとも１つの電極に電気的に結合され、いくつかの非限定的な例では第１の電極１２０および／または第２の電極１４０であり得る少なくとも１つの電極と電気的に結合するように、補助電極パターン１８５０が連続構造として形成されているものとして示され、一方、いくつかの非限定的な例では、補助電極パターン１８５０は、互いに電気的に結合されたままであるが、互いに物理的に結合されていない補助電極パターン１８５０の複数の個別の要素として提供され得ることを理解するであろう。そうであっても、補助電極パターン１８５０のそのような個別の要素は、それらの光学特徴に実質的に干渉することなく、デバイス１８００の効率を高めるように、それらが電気的に結合される少なくとも１つの電極の、結果的に、デバイス１８００のシート抵抗を依然として実質的に下げることができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１６５０は、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の様々な配置を有するデバイス１００で採用され得る。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配置は、実質的にダイヤモンド形状であり得る。
非限定的な例として、図１９Ａは、デバイス１９００では、ダイヤモンド構成のＰＤＬ４４０を含む複数の非発光領域の横方向に取り囲まれた、サブピクセルに各々対応する発光領域１９４１～１９４３の複数の群を平面図で示す。いくつかの非限定的な例では、この構成は、第１の行と第２の行の交互のパターンで発光領域１９４１～１９４３およびＰＤＬ４４０のパターンによって画定される。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０を含む非発光領域の横方向は、実質的に楕
円形状であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の行内の非発光領域の横方向の主軸は、整列され、第２の行内の非発光領域の横方向の主軸に実質的に垂直である。いくつかの非限定的な例では、第１の行内の非発光領域の横方向の主軸は、第１の行の軸に実質的に平行である。
円形状であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の行内の非発光領域の横方向の主軸は、整列され、第２の行内の非発光領域の横方向の主軸に実質的に垂直である。いくつかの非限定的な例では、第１の行内の非発光領域の横方向の主軸は、第１の行の軸に実質的に平行である。
いくつかの非限定的な例では、第１の群１９４１は、第１の波長で光を放出するサブピクセル２５４１～２５４３に対応し、いくつかの非限定的な例では、第１の群１９４１のサブピクセル２５４１～２５４３は、赤（Ｒ）サブピクセル２５４１に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の群１９４１の発光領域の横方向は、実質的にダイヤモンド形状構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の群１９４１の発光領域は、ＰＤＬ４４０の前後の第１の行のパターン内にある。いくつかの非限定的な例では、第１の群１９４１の発光領域の横方向は、同じ行内のＰＤＬ４４０を含む前後の非発光領域の横方向、および第２の行の前後のパターン内のＰＤＬ４４０を含む隣接する非発光領域の横方向とわずかに重なる。
いくつかの非限定的な例では、第２の群１９４２は、第２の波長で光を放出するサブピクセル２５４１～２５４３に対応し、いくつかの非限定的な例では、第２の群１９４２のサブピクセル２５４１～２５４３は、緑（Ｇ）サブピクセル２５４２に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、第２の群１９４１の発光領域の横方向は、実質的に楕円形状構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第２の群１９４１の発光領域は、ＰＤＬ４４０の前後の第２の行のパターン内に位置する。いくつかの非限定的な例では、第２の群１９４１の発光領域の横方向のうちのいくつかの主軸は、いくつかの非限定的な例では、第２の行の軸に対して４５°であり得る第１の角度にあってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の群１９４１の発光領域の横方向の他の主軸は、いくつかの非限定的な例では、第１の角度に実質的に垂直であり得る第２の角度にあってもよい。いくつかの非限定的な例では、横方向が第１の角度に主軸を有する第１の群１９４１の発光領域は、横方向が第２の角度に主軸を有する第１の群１９４１の発光領域と交互になっている。
いくつかの非限定的な例では、第３の群１９４３は、第３の波長で光を放出するサブピクセル２５４１～２５４３に対応し、いくつかの非限定的な例では、第３の群１９４３のサブピクセル２５４１～２５４３は、青（Ｂ）サブピクセル２５４３に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、第３の群１９４３の発光領域の横方向は、実質的にダイヤモンド形状構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第３の群１９４３の発光領域は、ＰＤＬ４４０の前後の第１の行のパターン内にある。いくつかの非限定的な例では、第３の群１９４３の発光領域の横方向は、同じ行内のＰＤＬ４４０を含む前後の非発光領域の横方向、および第２の行の前後のパターン内のＰＤＬ４４０を含む隣接する非発光領域の横方向とわずかに重なる。いくつかの非限定的な例では、第２の行のパターンは、第１の群１９４１の発光領域、第３の群１９４３の交互の領域を含み、各々がＰＤＬ４４０の前後にある。
ここで、図１９Ｂを参照すると、図１９Ａの直線１９Ｂ－１９Ｂに沿って取られた、デバイス１９００の断面図の例を示している。図では、デバイス１９００は、基板１１０、およびいくつかの非限定的な例では基板１１０の表面上に形成されたアノード３４１であり得る第１の電極１２０の複数の要素を含むものとして示す。基板１１０は、ベース基板１１２（例示を簡単にするために、図示せず）、および／または各サブピクセルに対応する少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を含む、少なくとも１つの駆動回路３００（例示を簡単にするために、図示せず）を含み得る。ＰＤＬ４４０は、第１の電極１２０の要素間の基板１１０にわたって形成されて、ＰＤＬ４４０を含む非発光領域によって分離された、第１の電極１２０の各要素上の発光領域を画定する。図では、発光領域はすべて、第２の群１９４２に対応する。
いくつかの非限定的な例では、有機層１３０は、取り囲むＰＤＬ４４０間の第１の電極１２０の各要素上に堆積される。いくつかの非限定的な例では、有機層１３０は、ＨＴＬ１３１、ＨＩＬ１３３、ＥＬ１３５、ＥＩＬ１３７、および／またはＥＴＬ１３９を含むがこれらに限定されない、複数の有機ならびに／もしくは無機半導電性層を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２、いくつかの非限定的な例では共通のカソードであり得る第２の電極１４０は、そのサブピクセル２５４１～２５４３を形成するための第２の群１９４２の発光領域上に、および取り囲むＰＤＬ４４０上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、サブピクセル２５４１～２５４３の第２の群１９４２の発光領域の横方向にわたる第２の電極１４０上に選択的に堆積されて、ＮＩＣ９１０が実質的にない第２の電極１４０の部分上の、すなわちＰＤＬ４４０を含む非発光領域の横方向にわたる、導電性コーティング９３０の選択的堆積を可能にする。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０は、ＰＤＬ４４０の傾斜部分上に留まらない傾向があり得るが、アルＮＩＣ９１０でコーティングされるそのような傾斜部分のベースへと下降する傾向があるため、導電性コーティング９３０は、ＰＤＬ４４０の実質的に平坦な部分に沿って蓄積する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０の実質的に平坦な部分上の導電性コーティング９３０は、第２の電極１４０に電気的に結合され得る少なくとも１つの補助電極１６５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０はまた、屈折率整合コーティングとして作用し得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０はまた、取り出し層（ｏｕｔｃｏｕｐｌｉｎｇ ｌａｙｅｒ）として作用し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１９００を封止するために、薄膜封止（ＴＦＥ）層１９５０が提供されてもよい。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＥは、バリアコーティング１５５０のタイプと見なされ得る。
ここで、図１９Ｃを参照すると、図１９Ａの直線１９Ｃ－１９Ｃに沿って取られた、デバイス１９００の断面図の例を示している。図では、デバイス１９００は、基板１１０、およびいくつかの非限定的な例では基板１１０の表面上に形成されたアノード３４１であり得る第１の電極１２０の複数の要素を含むものとして示す。基板１１０は、ベース基板１１２（例示を簡単にするために、図示せず）、および／または各サブピクセルに対応する少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を含む、少なくとも１つの駆動回路３００（例示を簡単にするために、図示せず）を含み得る。ＰＤＬ４４０は、第１の電極１２０の要素間の基板１１０にわたって形成されて、ＰＤＬ４４０を含む非発光領域によって分離された、第１の電極１２０の各要素上の発光領域を画定する。図では、発光領域は、第１の群１９４１および第３の群１９４３に交互に対応している。
いくつかの非限定的な例では、有機層１３０は、取り囲むＰＤＬ４４０間の第１の電極１２０の各要素上に堆積される。いくつかの非限定的な例では、有機層１３０は、ＨＴＬ１３１、ＨＩＬ１３３、ＥＬ１３５、ＥＩＬ１３７、および／またはＥＴＬ１３９を含むがこれらに限定されない、複数の有機ならびに／もしくは無機半導電性層を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２、いくつかの非限定的な例では共通のカソードであり得る第２の電極１４０は、そのサブピクセル２５４１～２５４３を形成するための第２の群１９４２の発光領域上に、および取り囲むＰＤＬ４４０上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、サブピクセル２５４１～２５４３の第１の群１９４１、およびサブピクセル２５４１～２５４３の第３の群の発光領域の横方向にわたる第２の電極１４０上に選択的に堆積されて、ＮＩＣ９１０が実質的にない第２の電極１４０の部分上の、すなわちＰＤＬ４４０を含む非発光領域の横方向にわたる、導電性コーティング９３０の選択的堆積を可能にする。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０は、ＰＤＬ４４０の傾斜部分上に留まらない傾向があり得るが、ＮＩＣ９１０でコーティングされるそのような傾斜部分のベースへと下降する傾向があるため、導電性コーティング９３０は、ＰＤＬ４４０の実質的に平坦な部分に沿って蓄積する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０の実質的に平坦な部分上の導電性コーティング９３０は、第２の電極１４０に電気的に結合され得る少なくとも１つの補助電極１６５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０はまた、屈折率整合コーティングとして作用し得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０はまた、アウトカップリング層として作用し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１９００を封止するために、薄膜封止層１９５０が提供され得る。
ここで、図２０を参照すると、図４の断面図に示されているが、本明細書で説明する多くの追加の堆積ステップを有するデバイス１００を包含するデバイス２０００を示している。
デバイス２０００は、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する発光領域の横方向４１０に実質的に対応するデバイス２０００の第１の部分７０１内であるが、第１の部分７０１を取り囲む非発光領域の横方向４２０に実質的に対応するデバイス２０００の第２の部分７０３内ではない、基部材料、図では、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２である第２の電極１４０の露出表面上に選択的に堆積されたＮＩＣ９１０を示す。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、シャドウマスクを使用して選択的に堆積され得る。
ＮＩＣ９１０は、導電性コーティング９３０についての比較的低い初期付着確率Ｓ０（換言すれば、比較的低い脱離エネルギー）を有する表面を第１の部分７０１内に提供して、補助電極１６５０を形成するためにその後塗布される。
ＮＩＣ９１０の選択的堆積後、導電性コーティング９３０は、デバイス２０００にわたって堆積されるが、ＮＩＣ９１０が実質的にない第２の部分７０３内にのみ実質的に留まって、補助電極１６５０を形成する。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極１６５０は、示すように、ＮＩＣ９１０が実質的にない第２の部分７０３にわたる第２の電極１４０の上方に位置し、それと物理的に接触することによるものを含めて、第２の電極１４０のシート抵抗を低減するように、第２の電極１４０に電気的に結合される。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０は、第２の部分７０３内の導電性コーティング９３０についての高い初期付着確率Ｓ０を確実にするように、第２の電極１４０と実質的に同じ材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、純粋なＭｇおよび／またはＭｇと、Ａｇを含むがこれに限定されない別の金属との合金を実質的に含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金組成は、体積で約１：９～約９：１の範囲であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０は、限定されないがＩＴＯおよび／またはＩＺＯなどの三元金属酸化物、ならびに／もしくは金属および／または金属酸化物の組み合わせを含むがこれらに限定されない金属酸化物を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１６５０を形成するために使用される導電性コーティング９３０は、実質的に純粋なＭｇを含み得る。
ここで、図２１を参照すると、図４の断面図に示しているが、本明細書で説明する多くの追加の堆積ステップを有するデバイス１００を包含するデバイス２１００を示している。
デバイス２１００は、いくつかの非限定的な例では、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する発光領域の横方向４１０の部分に実質的に対応するデバイス２１００の第１の部分７０１内であるが、第２の部分７０３内ではない、基部材料、図では、カソード３４２である第２の電極１４０の露出表面上に選択的に堆積されたＮＩＣ９１０を示す。図では、第１の部分７０１は、発光領域を画定するＰＤＬ４４０の傾斜部分の範囲に沿って部分的に延在する。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、シャドウマスクを使用して選択的に堆積され得る。
ＮＩＣ９１０は、導電性コーティング９３０についての比較的低い初期付着確率Ｓ０（換言すれば、比較的低い脱離エネルギー）を有する表面を第１の部分７０１内に提供して、補助電極１６５０を形成するためにその後塗布される。
ＮＩＣ９１０の選択的堆積後、導電性コーティング９３０は、デバイス２１００にわたって堆積されるが、ＮＩＣ９１０が実質的にない第２の部分７０３内にのみ実質的に留まって、補助電極１６５０を形成する。したがって、デバイス２０１１では、補助電極は、発光領域を画定するＰＤＬ４４０の傾斜部分にわたって部分的に延在する。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極１６５０は、示すように、ＮＩＣ９１０が実質的にない第２の部分７０３にわたる第２の電極１４０の上方に位置し、それと物理的に接触することによるものを含めて、第２の電極１４０のシート抵抗を低減するように、第２の電極１４０に電気的に結合される。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０が含まれ得る材料は、導電性コーティング９３０について高い初期付着確率Ｓ０を有しない場合がある。
図２２は、図４の断面図に示しているが、本明細書で説明する多くの追加の堆積ステップを有するデバイス１００を包含するデバイス２２００が示すそのような状況を示してい
る。
る。
デバイス２２００は、基部材料、図では、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る第２の電極１４０の露出表面上に堆積されたＮＰＣ１０２０を示す。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
その後、ＮＩＣ９１０は、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する発光領域の横方向４１０の部分に実質的に対応するデバイス２１００の第１の部分７０１内であるが、第１の部分７０１を取り囲む非発光領域の横方向４２０に実質的に対応するデバイス２０００の第２の部分７０３内ではない、基部材料（図では、ＮＰＣ１０２０）の露出表面にわたって選択的に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、シャドウマスクを使用して選択的に堆積され得る。
ＮＩＣ９１０は、導電性コーティング９３０についての比較的低い初期付着確率Ｓ０（換言すれば、比較的低い脱離エネルギー）を有する表面を第１の部分７０１内に提供して、補助電極１６５０を形成するためにその後塗布される。
ＮＩＣ９１０の選択的堆積後、導電性コーティング９３０は、デバイス２１００にわたって堆積されるが、ＮＩＣ９１０が実質的にない第２の部分７０３内にのみ実質的に留まって、補助電極１６５０を形成する。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極１６５０は、第２の電極１４０のシート抵抗を低減するように、第２の電極１４０に電気的に結合される。示すように、補助電極１６５０は、第２の電極１４０の上方には位置せず、それと物理的に接触していないが、それにもかかわらず、当業者は、補助電極１６５０が、多くのよく理解されたメカニズムによって第２の電極１４０に電気的に結合され得ることを理解するであろう。非限定的な例として、ＮＩＣ９１０および／またはＮＰＣ１０２０の比較的薄い膜（いくつかの非限定的な例では、最大約５０ｎｍ）の存在は、依然として、電流がその膜を通過することを可能にし、したがって第２の電極１４０のシート抵抗を低減することを可能にすることができる。
ここで図２３を参照すると、図４の断面図に示しているが、本明細書で説明する多くの追加の堆積ステップを有するデバイス１００を包含するデバイス２３００を示している。
デバイス２３００は、基部材料、図では、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２である第２の電極１４０の露出表面上に堆積されたＮＩＣ９１０を示す。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
ＮＩＣ９１０は、導電性コーティング９３０についての比較的低い初期付着確率Ｓ０（換言すれば、比較的低い脱離エネルギー）を有する表面を提供して、補助電極１６５０を形成するためにその後塗布される。
ＮＩＣ９１０の堆積後、ＮＰＣ１０２０は、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応する横方向４１０に実質的に対応するデバイス２３００の第２の部分７０３内を取り囲む非発光領域の横方向４１０の部分に実質的に対応する、デバイス２３００のＮＰＣ部分１００２内に、基部材料（図では、ＮＩＣ９１０）の露出表面上に選択的に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０は、シャドウマスクを使用して選択的に堆積され得る。
ＮＰＣ１０２０は、導電性コーティング９３０についての比較的高い初期付着確率Ｓ０（換言すれば、比較的高い脱離エネルギー）を有する表面を第１の部分７０１内に提供して、補助電極１６５０を形成するためにその後塗布される。
ＮＰＣ１０２０の選択的堆積後、導電性コーティング９３０は、デバイス２０００上に堆積されるが、ＮＩＣ９１０がＮＰＣ１０２０と重なり合っているＮＰＣ部分１００２内にのみ実質的に留まって、補助電極１６５０を形成する。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極１６５０は、第２の電極１４０のシート抵抗を低減するように、第２の電極１４０に電気的に結合される。示すように、補助電極１６５０は、第２の電極１４０の上方には位置せず、それと物理的に接触していないが、それにもかかわらず、当業者は、補助電極１６５０が、多くのよく理解されたメカニズムによって第２の電極１４０に電気的に結合され得ることを理解するであろう。非限定的な例として、ＮＩＣ９１０および／またはＮＰＣ１０２０の比較的薄い膜（いくつかの非限定的な例では、最大約１００ｎｍ）の存在は、依然として、電流がその膜を通過することを可能にし、したがって第２の電極１４０のシート抵抗を可能にすることができる。
選択的コーティングの除去
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、ＮＩＣ９１０によって被覆された基部材料の予め露出された表面１１１の少なくとも一部分が再び露出され得るように、導電性コーティング９３０の堆積の後に除去され得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、ＮＩＣ９１０をエッチングならびに／または溶解することによって、かつ／あるいは導電性コーティング９３０に実質的に影響しないか、もしくは損耗しないプラズマならびに／または溶媒加工技法を採用することによって選択的に除去され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、ＮＩＣ９１０によって被覆された基部材料の予め露出された表面１１１の少なくとも一部分が再び露出され得るように、導電性コーティング９３０の堆積の後に除去され得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、ＮＩＣ９１０をエッチングならびに／または溶解することによって、かつ／あるいは導電性コーティング９３０に実質的に影響しないか、もしくは損耗しないプラズマならびに／または溶媒加工技法を採用することによって選択的に除去され得る。
ここで、図２４Ａを参照すると、核生成抑制コーティング９１０が基部材料の露出表面１１１上に選択的に堆積された、堆積段階２４００ａでのデバイス２４００の断面図の例を示している。図では、基部材料は、基板１１０であり得る。
図２４Ｂでは、デバイス２４００を、堆積段階２４００ｂで示し、ここで、導電性コーティング９３０は、基部材料の露出表面１１１上、すなわち段階２４００ａ中にＮＩＣ９１０が堆積されたＮＩＣ９１０の露出表面、およびそのＮＩＣ９１０が段階２４００ａ中に堆積されなかった基板１１０の露出表面１１１の両方の上に塗布される。
図２４Ｃでは、デバイス２４００を、堆積段階２４００ｃに示し、ここで、ＮＩＣ９１０は、段階２４００ｂ中に堆積された導電性コーティング９３０が基板１１０上に留まり、段階２４００ａ中にＮＩＣ９１０が堆積された基板１１０の領域がここで露出または被覆されていないように、基板１１０の露出表面１１１から除去されている。
いくつかの非限定的な例では、段階２４００ｃ内のＮＩＣ９１０の除去は、導電性コーティング９３０に実質的に影響を及ぼすことなく、ＮＩＣ９１０と反応および／またはエッチング除去する溶媒および／またはプラズマにデバイス２４００を曝露することによって実現することができる。
透明ＯＬＥＤ
ここで、図２５Ａを参照すると、概して２５００で示す、光透過性（透明）デバイスの平面図の例を示している。いくつかの非限定的な例では、デバイス２５００は、複数のピクセル領域２５１０および複数の光透過性領域２５２０を有するＡＭＯＬＥＤデバイスである。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１６５０は、ピクセル領域２５１０および／または光透過性領域２５２０との間の基礎となる材料の露出表面１１１上に堆積され得る。
ここで、図２５Ａを参照すると、概して２５００で示す、光透過性（透明）デバイスの平面図の例を示している。いくつかの非限定的な例では、デバイス２５００は、複数のピクセル領域２５１０および複数の光透過性領域２５２０を有するＡＭＯＬＥＤデバイスである。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１６５０は、ピクセル領域２５１０および／または光透過性領域２５２０との間の基礎となる材料の露出表面１１１上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、各ピクセル領域２５１０は、サブピクセル２５４１～２５４３に各々対応する複数の発光領域を含み得る。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル２５４１～２５４３は、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル２５４１、Ｇ（緑）サブピクセル、および／またはＢ（青）サブピクセル２５４３に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、各光透過性領域２５２０は、実質的に光透過性（透明）であり、光がその断面図の全体を通過することを可能にする。
ここで、図２５Ｂを参照すると、図２５Ａの直線２５Ｂ－２５Ｂに沿って取られた、デバイス２５００の断面図の例を示している。図では、デバイス２５００を、基板１１０、ＴＦＴ絶縁層２８０、およびいくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層２８０の表面上に形成されたアノード３４１であり得る第１の電極１２０を含むものとして示す。基板１１０は、ベース基板１１２（例示を簡単にするために、図示せず）、および／または各サブピクセル２５４１～２５４３に対応する少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を含み、実質的に少なくとも１つのＴＦＴ構造２００の下に位置決めされ、第１の電極１２０に電気的に結合された少なくとも１つの駆動回路３００（例示を簡単にするために、図示せず）を含み得る。ＰＤＬ４４０は、基板１１０上に形成されて、それに対応する第１の電極１２０上に各サブピクセル２５４１～２５４３にも対応する発光領域を画定する。ＰＤＬ４４０は、第１の電極１２０の縁部を被覆する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの有機層１３０は、第１の電極１２０の露出領域、および取り囲むＰＤＬ４４０の一部分にわたって堆積される。いくつかの非限定的な例では、有機層１３０は、ＨＴＬ１３１、ＨＩＬ１３３、ＥＬ１３５、ＥＩＬ１３７、および／またはＥＴＬ１３９を含むがこれらに限定されない、複数の有機ならびに／もしくは無機半導電性層を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る第２の電極１４０は、そのサブピクセル２５４１を形成するためのピクセル領域２５１０上、および光透過性領域２５２０内の取り囲むＰＤＬ４４０にわたることを含めて、有機層１３０上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、ピクセル領域２５１０および光透過性領域２５２０の両方を含むが、補助電極１６５０に対応する第２の電極１４０の領域を含まない、デバイス２５００の部分上に選択的に堆積される。
次いで、いくつかの非限定的な例では、デバイス２５００の表面全体は、いくつかの非
限定的な例ではＭｇであり得る導電性コーティング９３０の蒸気フラックスに曝露される。導電性コーティング９３０は、ＮＩＣ９１０が実質的にない第２の電極１４０の部分上に選択的に堆積されて、第２の電極１４０のコーティングされていない部分に電気的に結合され、いくつかの非限定的な例ではそれと物理的に接触する補助電極１６５０を形成する。
限定的な例ではＭｇであり得る導電性コーティング９３０の蒸気フラックスに曝露される。導電性コーティング９３０は、ＮＩＣ９１０が実質的にない第２の電極１４０の部分上に選択的に堆積されて、第２の電極１４０のコーティングされていない部分に電気的に結合され、いくつかの非限定的な例ではそれと物理的に接触する補助電極１６５０を形成する。
同時に、デバイス２５００の光透過性領域１５２０には、それを通る光の透過に実質的に影響し得る任意の材料が実質的にないままである。特に、図に示すように、ＴＦＴ構造２００、第１の電極１２０は、それに対応するサブピクセル２５４１の下方の断面図内に位置決めされ、補助電極１６５０と一緒に、光透過性領域１５２０を越えて位置する。結果として、これらの構成要素は、光が光透過性領域１５２０を透過することを減衰または妨害しない。いくつかの非限定的な例では、そのような配置により、いくつかの非限定的な例ではピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）が発光しておらず、したがって透明なＡＭＯＬＥＤディスプレイ２５００を作成しているとき、通常の視距離からデバイス２５００を見る者がデバイス２５００を通して見ることが可能になる。
図には示していないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２５００は、補助電極１６５０と第２の電極１４０との間に配設されたＮＰＣをさらに含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣはまた、ＮＩＣ９１０と第２の電極１４０との間に配設され得る。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、有機層１３０および／または第２の電極１４０を形成するものを含むがこれらに限定されない、様々な他の層ならびに／もしくはコーティングが、特にそのような層および／またはコーティングが実質的に透明である場合、光透過性領域２５２０の一部分を被覆し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０は、いくつかの非限定的な例では発光領域のために画定されたウェルとそれほど異ならないウェルをその中にその中にウェルを形成して、光透過性領域２５２０を通る光透過をさらに容易にすることをによること含むがこれに限定されない、低減した厚さを有し得る。
当業者は、図２５Ａおよび２５Ｂに示す配置以外のピクセル３４０（および／またはサブピクセル２５４１～２５４３）配置が、いくつかの非限定的な例では採用され得ることを理解するであろう。
当業者は、図２５Ａおよび２５Ｂに示す配置以外の補助電極１６５０の配置が、いくつかの非限定的な例では採用され得ることを理解するであろう。非限定的な例として、補助電極１６５０は、ピクセル領域２５１０と光透過性領域２５２０との間に配設され得る。非限定的な例として、補助電極１６５０は、ピクセル領域２５１０内のサブピクセル２５４１～２５４３間に配設され得る。
ここで、図２６Ａを参照すると、概して２６００で示す、光透過性（透明）デバイスの平面図の例を示している。いくつかの非限定的な例では、デバイス２６００は、複数のピクセル領域２５１０および複数の光透過性領域２５２０を有するＡＭＯＬＥＤデバイスである。デバイス２６００は、補助電極がピクセル領域２５１０および／または光透過性領域２５２０の間に位置しないという点で、デバイス２５００とは異なる。
いくつかの非限定的な例では、各ピクセル領域２５１０は、サブピクセル２５４１～２５４３に各々対応する複数の発光領域を含み得る。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル２５４１～２５４３は、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル２５４１、Ｇ（緑）サブ
ピクセル、および／またはＢ（青）サブピクセル２５４３に対応し得る。
ピクセル、および／またはＢ（青）サブピクセル２５４３に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、各光透過性領域２５２０は、実質的に光透過性（透明）であり、光がその断面図の全体を通過することを可能にする。
ここで、図２６Ｂを参照すると、図２６Ａの直線２６Ｂ－２６Ｂに沿って取られた、デバイス２６００の断面図の例を示している。図では、デバイス２６００を、基板１１０、ＴＦＴ絶縁層２８０、およびいくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層２８０の表面上に形成されたアノード３４１であり得る第１の電極１２０を含むものとして示している。基板１１０は、ベース基板１１２（例示を簡単にするために、図示せず）、および／または各サブピクセル２５４１～２５４３に対応し、実質的に第１の電極１２０の下に位置決めされ、それに電気的に結合された少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を含む、少なくとも１つの駆動回路３００（例示を簡単にするために、図示せず）を含み得る。ＰＤＬ４４０は、基板１１０上に形成されて、それに対応する第１の電極１２０上に各サブピクセル２５４１～２５４３にも対応する発光領域を画定する。ＰＤＬ４４０は、第１の電極１２０の縁部を被覆する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの有機層１３０は、第１の電極１２０の露出領域、および取り囲むＰＤＬ４４０の一部分にわたって堆積される。いくつかの非限定的な例では、有機層１３０は、ＨＴＬ１３１、ＨＩＬ１３３、ＥＬ１３５、ＥＩＬ１３７、および／またはＥＴＬ１３９を含むがこれらに限定されない、複数の有機ならびに／もしくは無機半導電性層を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング９３０ａは、そのサブピクセル２５４１を形成するためのピクセル領域２５１０上、および光透過性領域２５２０内の取り囲むＰＤＬ４４０上を含めて、有機層１３０上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング９３０ａの厚さは、光透過性領域２５２０にわたる第１の導電性コーティング９３０ａの存在が光透過性領域２５２０を通る光の透過を実質的に減衰させないように比較的薄くてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング９３０ａは、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、光透過性領域２５２０を含む、デバイス２６００の部分上に選択的に堆積される。
次いで、いくつかの非限定的な例では、デバイス２６００の表面全体は、第２の導電性コーティング９３０ｂが第１の導電性コーティング９３０ａのコーティングされていない部分に電気的に結合され、それと物理的に接触して、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る第２の電極１４０を形成するように、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る導電性コーティング９３０の蒸気フラックスに曝露されて、ＮＩＣ９１０（いくつかの例では、ピクセル領域２５１０）が実質的にない第１の導電性コーティング９３０ａの部分上に第２の導電性コーティング９３０ｂを選択的に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング９３０ａの厚さは、第２の導電性コーティング９３０ｂの厚さよりも小さくてもよい。このようにして、第１の導電性コーティング９３０ａのみが延在する光透過性領域２５２０内で比較的高い光透過率を維持することができる。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング９３０ａの厚さは、約３０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、約約８ｎｍ未満、および／または約５ｎｍ未満であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の導電性コーティング９３０ｂの厚さは、約３０ｎｍ未満、約２５ｎｍ
未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、および／または約８ｎｍ未満であり得る。
未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、および／または約８ｎｍ未満であり得る。
したがって、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１４０の厚さは、約４０ｎｍ未満、ならびに／もしくはいくつかの非限定的な例では、約５ｎｍ～３０ｎｍ、約１０ｎｍ～約２５ｎｍ、および／または約１５ｎｍ～約２５ｎｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング９３０ａの厚さは、第２の導電性コーティング９３０ｂの厚さより大きくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング９３０ａの厚さおよび第２の導電性コーティング９３０ｂの厚さは、実質的に同じであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング９３０ａを形成するために使用される少なくとも１つの材料は、第２の導電性コーティング９３０ｂを形成するために使用される少なくとも１つの材料と実質的に同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような少なくとも１つの材料は、実質的に、第１の電極１２０、第２の電極１４０、補助電極１６５０、および／またはそれらの導電性コーティング９３０に関して本明細書で説明する通りであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２６００の光透過性領域１５２０には、それを通る光の透過に実質的に影響し得る任意の材料が実質的にないままである。特に、図に示すように、ＴＦＴ構造２００、第１の電極１２０は、それに対応するサブピクセル２５４１の下方の断面図内に、および光透過性領域１５２０を越えて位置決めされる。結果として、これらの構成要素は、光が光透過性領域１５２０を透過することを減衰または妨害しない。いくつかの非限定的な例では、そのような配置により、いくつかの非限定的な例ではピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）が発光せず、したがって透明なＡＭＯＬＥＤディスプレイ２６００を作成するとき、通常の視距離からデバイス２５００を見る者がデバイス２６００を通して見ることが可能になる。
図には示していないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２６００は、第２の導電性コーティング９３０ｂと第１の導電性コーティング９３０ａとの間に配設されたＮＰＣをさらに含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣはまた、ＮＩＣ９１０と第１の導電性コーティング９３０ａとの間に配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、有機層１３０のうちの少なくとも１つと同時に形成され得る。非限定的な例として、ＮＩＣ９１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料はまた、有機層１３０のうちの少なくとも１つを形成するために使用され得る。そのような非限定的な例では、デバイス２６００を製作するための多くの段階を削減することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では有機層１３０および／または第１の導電性コーティング９３０ａを形成するものを含むがこれらに限定されない、様々な他の層ならびに／もしくはコーティングが、特にそのような層および／またはコーティングが実質的に透明である場合、光透過性領域２５２０の一部分を被覆し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０は、いくつかの非限定的な例では発光領域のために画定されたウェルとそれほど異ならないウェルをその中にその中にウェルを形成して、光透過性領域２５２０を通る光透過をさらに容易にすることをによること含むがこれに限定されない、低減した厚さを有し得る。
当業者は、図２６Ａおよび２６Ｂに示す配置以外のピクセル３４０（および／またはサ
ブピクセル２５４１～２５４３）配置が、いくつかの非限定的な例では採用され得ることを理解するであろう。
ブピクセル２５４１～２５４３）配置が、いくつかの非限定的な例では採用され得ることを理解するであろう。
ここで、図２６Ｃを参照すると、図２６Ａの同じ直線２６Ｂ－２６Ｂに沿って取られた、デバイス２６１０として示すデバイス２６００の異なる例の断面図の例を示している。図では、デバイス２６１０は、基板１１０、ＴＦＴ絶縁層２８０、およびいくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層２８０の表面上に形成されたアノード３４１であり得る第１の電極１２０を含むものとして示されている。基板１１０は、ベース基板１１２（例示を簡単にするために、図示せず）、および／または各サブピクセル２５４１～２５４３に対応し、実質的に第１の電極１２０の下に位置決めされ、それに電気的に結合された少なくとも１つのＴＦＴ構造２００を含む、少なくとも１つの駆動回路３００（例示を簡単にするために、図示せず）を含み得る。ＰＤＬ４４０は、基板１１０上に形成されて、それに対応する第１の電極１２０上に各サブピクセル２５４１～２５４３にも対応する発光領域を画定する。ＰＤＬ４４０は、第１の電極１２０の縁部を被覆する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの有機層１３０は、第１の電極１２０の露出領域、および取り囲むＰＤＬ４４０の一部分にわたって堆積される。いくつかの非限定的な例では、有機層１３０は、ＨＴＬ１３１、ＨＩＬ１３３、ＥＬ１３５、ＥＩＬ１３７、および／またはＥＴＬ１３９を含むがこれらに限定されない、複数の有機ならびに／もしくは無機半導電性層を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、光透過性領域２５２０を含む、デバイス２６００の部分上に選択的に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０は、そのサブピクセル２５４１を形成するためのピクセル領域２５１０上を含むが、光透過性領域２５２０内の取り囲むＰＤＬ４４０にわたることを含まない、有機層１３０上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング９３０ａは、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、導電性コーティング９３０が有機層１３０上に堆積されて、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る第２の電極１４０を形成するように、デバイス２６１０の表面全体をいくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る導電性コーティング９３０の蒸気フラックスに曝露して、ＮＩＣ９１０（いくつかの例では、ピクセル領域２５１０）が実質的にない有機層１３０の部分上に導電性コーティング９３０を選択的に堆積させることによって実現することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２６１０の光透過性領域１５２０には、それを通る光の透過に実質的に影響し得る任意の材料が実質的にないままである。特に、図に示すように、ＴＦＴ構造２００、第１の電極１２０は、それに対応するサブピクセル２５４１の下方の断面図内に、および光透過性領域１５２０を越えて位置決めされる。結果として、これらの構成要素は、光が光透過性領域１５２０を透過することを減衰または妨害しない。いくつかの非限定的な例では、そのような配置により、いくつかの非限定的な例ではピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）が発光せず、したがって透明なＡＭＯＬＥＤディスプレイ２６００を作成するとき、通常の視距離からデバイス２５００を見る者がデバイス２６００を通して見ることが可能になる。
導電性コーティング９３０を含まない、および／またはそれが実質的にない光透過性領域２５２０を提供することにより、そのような領域内の光透過率を、いくつかの非限定的な例では、非限定的な例として図２６Ｂのデバイス２６００と比較することによって、好ましく強化することができる。
図には示していないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２６００は、導電性コーティング９３０と有機層１３０との間に配設されたＮＰＣをさらに含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣはまた、ＮＩＣ９１０とＰＤＬ４４０との間に配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、有機層１３０のうちの少なくとも１つと同時に形成され得る。非限定的な例として、ＮＩＣ９１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料はまた、有機層１３０のうちの少なくとも１つを形成するために使用され得る。そのような非限定的な例では、デバイス２６１０を製作するための多くの段階を削減することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では有機層１３０および／または導電性コーティング９３０を形成するものを含むがこれらに限定されない、様々な他の層ならびに／もしくはコーティングが、特にそのような層および／またはコーティングが実質的に透明である場合、光透過性領域２５２０の一部分を被覆し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ４４０は、いくつかの非限定的な例では発光領域のために画定されたウェルとそれほど異ならないウェルをその中にその中にウェルを形成して、光透過性領域２５２０を通る光透過をさらに容易にすることをによること含むがこれに限定されない、低減した厚さを有し得る。
当業者は、図２６Ａおよび２６Ｂに示す配置以外のピクセル３４０（および／またはサブピクセル２５４１～２５４３）配置が、いくつかの非限定的な例では採用され得ることを理解するであろう。
発光領域への導電性コーティングの選択的堆積
上述のように、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の発光領域の横方向４１０内およびそれにわたる電極１２０、１４０、１６５０の厚さを調整することにより、観察可能なマイクロキャビティ効果に影響を及ぼす場合がある。いくつかの非限定的な例では、ピクセル領域２５１０内の異なるサブピクセル２５４１～２５４３に対応する発光領域の横方向４１０内への、ＮＩＣ９１０および／またはＮＰＣ１０２０などの少なくとも１つの選択的コーティング７１０の塗布を通した少なくとも１つの導電性コーティング９３０の選択的堆積は、各発光領域内の光学マイクロキャビティ効果を制御および／または調整して、発光スペクトル、光度、ならびに／もしくは放出光の輝度および／またはカラーシフトの角度依存性を含むがこれらに限定されない、サブピクセルベースでの所望の光学マイクロキャビティ効果を最適化する。
上述のように、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の発光領域の横方向４１０内およびそれにわたる電極１２０、１４０、１６５０の厚さを調整することにより、観察可能なマイクロキャビティ効果に影響を及ぼす場合がある。いくつかの非限定的な例では、ピクセル領域２５１０内の異なるサブピクセル２５４１～２５４３に対応する発光領域の横方向４１０内への、ＮＩＣ９１０および／またはＮＰＣ１０２０などの少なくとも１つの選択的コーティング７１０の塗布を通した少なくとも１つの導電性コーティング９３０の選択的堆積は、各発光領域内の光学マイクロキャビティ効果を制御および／または調整して、発光スペクトル、光度、ならびに／もしくは放出光の輝度および／またはカラーシフトの角度依存性を含むがこれらに限定されない、サブピクセルベースでの所望の光学マイクロキャビティ効果を最適化する。
そのような効果は、サブピクセル２５４１～２５４３の各発光領域内に互いに独立して配設された、ＮＩＣ９１０および／またはＮＰＣ１０２０などの選択的コーティング７１０の厚さを変調することによって制御することができる。非限定的な例として、青のサブピクセル２５４３上に配設されたＮＩＣ９１０の厚さは、緑のサブピクセル２５４２上に配設されたＮＩＣ９１０の厚さよりも薄くてもよく、緑のサブピクセル２５４２上に配設されたＮＩＣの厚さは、赤のサブピクセル２５４１に上に配設されたＮＩＣ９１０の厚さよりも薄くてもよい。
いくつかの非限定的な例では、そのような効果は、ＮＩＣ９１０および／またはＮＰＣ１０２０であり得る選択的コーティング７１０だけでなく、サブピクセル２５４１～２５４３の各発光領域の一部分内に塗布される導電性コーティング９３０の厚さを独立して調整することによって、さらに大きい範囲まで制御することができる。
そのようなメカニズムは、図２７Ａ～２７Ｄの概略図に示す。これらの図は、概して２７００で示す、デバイスを製造する様々な段階を示している。
図２７Ａは、デバイス２７００を製造する段階２７１０を示す。段階２７１０では、基板１１０が提供される。基板１１０は、第１の発光領域２７１１および第２の発光領域２７１２を含む。いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域２７１１および／または第２の発光領域２７１２は、少なくとも１つの非発光領域２７２０ａ～２７２０ｃによって取り囲まれるおよび／または離間され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域２７１１および／または第２の発光領域２７１２は各々、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）に対応し得る。
図２７Ｂは、デバイス２７００を製造する段階２７２０を示す。段階２７２０では、第１の導電性コーティング２７３１は、基部材料、この場合は基板１１０の露出表面１１１上に堆積される。第１の導電性コーティング２７３１は、第１の発光領域２７１１および第２の発光領域２７１２にわたって堆積される。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング２７３１は、非発光領域２７２０ａ～２７２０ｃのうちの少なくとも１つにわたって堆積される。
いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング２７３１は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
図２７Ｃは、デバイス２７００を製造する段階２７３０を示す。段階２７３０では、ＮＩＣ９１０は、第１の導電性コーティング２７３１の一部分上に選択的に堆積される。図に示すように、いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、第１の発光領域２７１１にわたって堆積されるが、いくつかの非限定的な例では、第２の発光領域２７１２／またはいくつかの非限定的な例では、非発光領域２７２０ａ～２７２０ｃのうちの少なくとも１つには、実質的にＮＩＣ９１０がない。
図２７Ｄは、デバイス２７００を製造する段階２７４０を示す。段階２７４０では、第２の導電性コーティング２７３２は、ＮＩＣ９１０が実質的にないデバイス２７００のそれらの部分にわたって堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の導電性コーティング２７３２は、第２の発光領域２７１２、および／またはいくつかの非限定的な例では、非発光領域２７２０ａ～２７２０ｃのうちの少なくとも１つにわたって堆積され得る。
当業者は、図２７Ｄに示し、図７、９、１０Ａ～１０Ｂ、および／または１１Ａ～１１Ｃのうちのいずれか１つ以上に関連して詳細に説明する蒸発プロセスが、例示を簡単にするために、図示されていないが、図２７Ａ～２７Ｃで説明する先行する段階のうちのいずれか１つ以上に等しく適用され得ることを理解するであろう。
当業者は、デバイス２７００の製造が、いくつかの非限定的な例では、例示を簡単にするために示されていない追加の段階を包含し得ることを理解するであろう。そのような追加の段階は、１つ以上のＮＩＣ９１０を堆積すること、１つ以上のＮＰＣ１０２０を堆積すること、１つ以上の追加の導電性コーティング９３０を堆積すること、アウトカップリングコーティングを堆積すること、および／またはデバイス２７００の封止を含むがこれらに限定されなくてもよい。
当業者は、デバイス２７００の製造が、第１の発光領域２７１１および第２の発光領域２７１２に関連して説明および例示されているが、いくつかの非限定的な例では、そこから導き出された原理は、３つ以上の発光領域を有するデバイスの製造に等しく適用され得
ることを理解するであろう。
ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、そのような原理は、いくつかの非限定的な例では、異なる発光スペクトルを有するＯＬＥＤディスプレイデバイスにおいて、サブピクセル２５４１～２５４３に対応する発光領域について様々な厚さの導電性コーティングを堆積するために適用され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域２７１１は、第１の波長および／または発光スペクトルの光を放出するように構成されたサブピクセル２５４１～２５４３に対応し得、ならびに／もしくはいくつかの非限定的な例では、第２の発光領域２７１２は、第２の波長および／または発光スペクトルの光を放射するように構成されたサブピクセル２５４１～２５４３に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２７００は、第３の波長および／または発光スペクトルの光を放出するように構成されたサブピクセル２５４１～２５４３に対応し得る第３の発光領域２８１３（図２８Ａ）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の波長は、第２の波長および／または第３の波長のうちの少なくとも１つよりも小さい、それよりも大きい、ならびに／もしくはそれに等しい場合がある。いくつかの非限定的な例では、第２の波長は、第１の波長および／または第３の波長のうちの少なくとも１つよりも小さい、それよりも大きい、ならびに／もしくはそれに等しい場合がある。いくつかの非限定的な例では、第３の波長は、第１の波長および／または第２の波長のうちの少なくとも１つよりも小さい、それよりも大きい、ならびに／もしくはそれに等しい場合がある。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２７００はまた、いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域２７１１、第２の発光領域２７１２、および／または第３の発光領域２８１３のうちの少なくとも１つと実質的に同一である波長ならびに／もしくは発光スペクトルを有する光を放出するように構成され得る少なくとも１つの追加の発光領域（図示せず）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、第１の発光領域２７１１の少なくとも１つの有機層１３０を堆積するためにも使用され得るシャドウマスクを使用して選択的に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、シャドウマスクのそのような共有使用は、費用効果の高い様態で各サブピクセル２５４１～２５４２についての光学マイクロキャビティ効果を変調させることができる。
調整されたマイクロキャビティ効果を有する所与のピクセル３４０のサブピクセル２５４１～２５４３を有するデバイス２８００を作成するためのそのようなメカニズムの使用は、図２８Ａ～２８Ｄで説明する。
図２８Ａでは、デバイス２８００の製造の段階２８１０は、基板１１０、ＴＦＴ絶縁層２８０、およびＴＦＴ絶縁層２８０の表面上に形成された、いくつかの非限定的な例ではアノード３４１であり得る複数の第１の電極１２０ａ～１２０ｃを含むものとして示す。
基板１１０は、ベース基板１１２（例示を簡単にするために、図示せず）、および／または対応するサブピクセル２５４１～２５４３を各々が有する発行領域２７１１～２７１３に対応する少なくとも１つのＴＦＴ構造２００ａ～２００ｃを含み、実質的に少なくとも１つのＴＦＴ構造２００ａ～２００ｃ下に位置決めされ、その関連付けられた第１の電極１２０ａ～１２０ｃに電気的に結合された、少なくとも１つの駆動回路３００（例示を簡単にするために、図示せず）を含み得る。ＰＤＬ４４０ａ～４４０ｄは、基板１１０上に形成されて、発光領域２７１１～２７１３を画定する。ＰＤＬ４４０ａ～４４０ｄは、それぞれの第１の電極１２０ａ～１２０ｃの縁部を被覆する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの有機層１３０ａ～１３０ｃは、それらのそれぞれの第１の電極１２０ａ～１２０ｃ、および取り囲むＰＤＬ４４０ａ～４４０ｄの一部分の露出領域上に堆積される。いくつかの非限定的な例では、有機層１３０ａ～１３０ｃは、ＨＴＬ１３１、ＨＩＬ１３３、ＥＬ１３５、ＥＩＬ１３７、および／またはＥＴＬ１３９を含むがこれらに限定されない、複数の有機ならびに／もしくは無機半導電性層を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング２７３１は、有機層１３０ａ～１３０ｃ上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング２７３１は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２８００の露出面１１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る第１の導電性コーティング２７３１の蒸気フラックスに曝露して、有機層１３０ａ～１３０ｃ上に第１の導電性コーティング２７３１を堆積させ、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２、および／またはいくつかの非限定的な例では少なくとも第１の発光領域２７１１についての共通電極であり得る第２の電極１４０ａ（図示せず）の第１の層を形成することによって実現することができる。そのような共通電極は、第１の発光領域２７１１内に第１の厚さｔｃ１を有する。第１の厚さｔｃ１は、第１の導電性コーティング２７３１の厚さに対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のＮＩＣ９１０ａは、第１の発光領域２７１１を含むデバイス２８１０の一部分上に選択的に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、第２の導電性コーティング２７３２は、デバイス２８００上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の導電性コーティング２７３２は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、第２の導電性コーティング２７３２が第１のＮＩＣ９１０ａが実質的にない第１の導電性コーティング２７３１の一部分に堆積されて、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２、および／またはいくつかの非限定的な例では少なくとも、第２の発光領域２７１２用の共通電極であり得る第２の電極１４０ｂ（図示せず）の第２の層を形成するように、デバイス２８１０の露出表面１１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る第２の導電性コーティング２７３２の蒸気フラックスに曝露して、第１のＮＩＣ９１０ａが実質的にない第１の導電性コーティング２７３１、いくつかの例では、第２および第３の発光領域２７１２、２７１３、および／またはＰＤＬ４４０ａ～４４０ｄが位置する非発光領域の少なくとも一部分上に第２の導電性コーティング２７３２を堆積することによって実現することができる。そのような共通電極は、第２の発光領域２７１２内に第２の厚さｔｃ２を有する。第２の厚さｔｃ２は、第１の導電性コーティング２７３１と第２の導電性コーティング２７３２の合計厚さに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１よりも厚い場合がある。
図２８Ｂでは、デバイス２８００の製造の段階２８２０を示している。
いくつかの非限定的な例では、第２のＮＩＣ９１０ｂは、第２の発光領域２７１２を含むデバイス２８００の一部分上に選択的に堆積される。
いくつかの非限定的な例では、第３の導電性コーティング２７３３は、デバイス２８００上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第３の導電性コーティング２７３３は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆
積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、第３の導電性コーティング２７３３が第２のＮＩＣ９１０ｂが実質的にない第２の導電性コーティング２７３２の一部分に堆積されて、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２、および／またはいくつかの非限定的な例では少なくとも、第３の発光領域２７１３用の共通電極であり得る第２の電極１４０ｃ（図示せず）の第３の層を形成するように、デバイス２８００の露出表面１１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る第３の導電性コーティング２７３３の蒸気フラックスに曝露して、第１のＮＩＣ９１０ａもしくは第２のＮＩＣ９１０ｂのいずれかが実質的にない第２の導電性コーティング２７３１、いくつかの例では、第３の発光領域２７１３、および／またはＰＤＬ４４０ａ～４４０ｄが位置する非発光領域の少なくとも一部分上に第３の導電性コーティング２７３３を堆積することによって実現することができる。そのような共通電極は、第３の発光領域２７１３内に第３の厚さｔｃ３を有する。第３の厚さｔｃ３は、第１の導電性コーティング２７３１、第２の導電性コーティング２７３２、および第３の導電性コーティング２７３３の合計厚さに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１および第２の厚さｔｃ２のいずれかまたは両方よりも大きくてもよい。
積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、第３の導電性コーティング２７３３が第２のＮＩＣ９１０ｂが実質的にない第２の導電性コーティング２７３２の一部分に堆積されて、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２、および／またはいくつかの非限定的な例では少なくとも、第３の発光領域２７１３用の共通電極であり得る第２の電極１４０ｃ（図示せず）の第３の層を形成するように、デバイス２８００の露出表面１１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る第３の導電性コーティング２７３３の蒸気フラックスに曝露して、第１のＮＩＣ９１０ａもしくは第２のＮＩＣ９１０ｂのいずれかが実質的にない第２の導電性コーティング２７３１、いくつかの例では、第３の発光領域２７１３、および／またはＰＤＬ４４０ａ～４４０ｄが位置する非発光領域の少なくとも一部分上に第３の導電性コーティング２７３３を堆積することによって実現することができる。そのような共通電極は、第３の発光領域２７１３内に第３の厚さｔｃ３を有する。第３の厚さｔｃ３は、第１の導電性コーティング２７３１、第２の導電性コーティング２７３２、および第３の導電性コーティング２７３３の合計厚さに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１および第２の厚さｔｃ２のいずれかまたは両方よりも大きくてもよい。
図２８Ｃでは、デバイス２８００の製造の段階２８３０を示している。
いくつかの非限定的な例では、第３のＮＩＣ９１０ｃは、第３の発光領域２７１２を含むデバイス２８００の一部分上に選択的に堆積される。
図２８Ｄでは、デバイス２８００の製造の段階２８４０を示している。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１６５０は、その近接する発光領域２７１１～２７１３の間のデバイス２８００の非発光領域内、およびいくつかの非限定的な例ではＰＤＬ４４０ａ～４４０ｄ上に配設される。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１６５０を堆積するために使用される導電性コーティング９３０は、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、導電性コーティング９３０が第１のＮＩＣ９１０ａ、第２のＮＩＣ９１０ｂ、および／または第３のＮＩＣ９１０ｃのいずれも実質的ない第１の導電性コーティング２７３１、第２の導電性コーティング２７３２、ならびに／もしくは第３の導電性コーティング２７３３の露出部分に堆積されて、少なくとも１つの補助電極１６５０を形成するように、デバイス２８００の露出表面１１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る導電性コーティング９３０の蒸気フラックスに曝露して、第１のＮＩＣ９１０ａ、第２のＮＩＣ９１０ｂ、および／または第３のＮＩＣのいずれも実質的にない第１の導電性コーティング２７３１、第２の導電性コーティング２７３２、ならびに第３の導電性コーティング２７３３の露出部分上に導電性コーティング９３０および／またはを堆積することによって実現することができる。少なくとも１つの補助電極１６５０の各々は、第２の電極１４０ａ～１４０ｃのうちのそれぞれの１つに電気的に結合される。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１６５０の各々は、そのような第２の電極１４０ａ～１４０ｃと物理的に接触している。
いくつかの非限定的な例では、第１の発光領域２７１１、第２の発光領域２７１２、および第３の発光領域２７１３は、少なくとも１つの補助電極１６５０を形成するために使用される材料が実質的になくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング２７３１、第２の導電性コーティング２７３２、および／または第３の導電性コーティング２７３３のうちの少なくとも１つは、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部分において光透過性および／
または実質的に透明であり得る。したがって、第２の導電性コーティング２７３２ならびに／もしくは第３の導電性コーティング２７３１（および／または任意の追加の導電性コーティング）が第１の導電性コーティング２７３１の上部に配置されて、多層コーティング電極１２０、１４０、１６５０を形成する場合、そのような電極１２０、１４０、１６５０はまた、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部分において光透過性および／または実質的に透明であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング２７３１、第２の導電性コーティング２７３２、第３の導電性コーティング、任意の追加の導電性コーティング、および／またはマルチコーティング電極１２０、１４０、１６５０のうちのいずれか１つ以上の光透過率は、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部分において、約３０％を超える、約４０％を超える、約４５％を超える、約５０％を超える、約６０％を超える、７０％を超える、約７５％を超える、および／または約８０％を超えてもよい。
または実質的に透明であり得る。したがって、第２の導電性コーティング２７３２ならびに／もしくは第３の導電性コーティング２７３１（および／または任意の追加の導電性コーティング）が第１の導電性コーティング２７３１の上部に配置されて、多層コーティング電極１２０、１４０、１６５０を形成する場合、そのような電極１２０、１４０、１６５０はまた、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部分において光透過性および／または実質的に透明であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング２７３１、第２の導電性コーティング２７３２、第３の導電性コーティング、任意の追加の導電性コーティング、および／またはマルチコーティング電極１２０、１４０、１６５０のうちのいずれか１つ以上の光透過率は、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部分において、約３０％を超える、約４０％を超える、約４５％を超える、約５０％を超える、約６０％を超える、７０％を超える、約７５％を超える、および／または約８０％を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング２７３１、第２の導電性コーティング２７３２、および／または第３の導電性コーティング２７３３の厚さを比較的薄くして、比較的高い光透過率を維持することができる。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング２７３１の厚さは、約５～３０ｎｍ、約８～２５ｎｍ、および／または約１０～２０ｎｍであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の導電性コーティング２７３２の厚さは、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、および／または約３～６ｎｍであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の導電性コーティング２７３３の厚さは、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、および／または約３～６ｎｍであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の導電性コーティング２７３１、第２の導電性コーティング２７３２、第３の導電性コーティング２７３３、および／または任意の追加の導電性コーティングの組み合わせによって形成されるマルチコーティング電極の厚さは、約６～３５ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、または約１０～２５ｎｍ、および／または約１２～１８ｎｍであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１６５０の厚さは、第１の導電性コーティング２７３１、第２の導電性コーティング２７３２、第３の導電性コーティング２７３３、および／または共通電極の厚さより厚くてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１６５０の厚さは、約５０ｎｍを超える、約８０ｎｍを超える、約１００ｎｍを超える、約１５０ｎｍを超える、約２００ｎｍを超える、約３００ｎｍを超える、約４００ｎｍを超える、約５００ｎｍを超える、約７００ｎｍを超える、約８００ｎｍを超える、約１μｍを超える、約１．２μｍを超える、約１．５μｍを超える、約２μｍを超える、約２．５μｍを超える、および／または約３μｍを超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１６５０は、実質的に透明ではない、および／または不透明であり得る。しかしながら、少なくとも１つの補助電極１６５０は、いくつかの非限定的な例では、デバイス２８００の非発光領域に提供され得るため、少なくとも１つの補助電極１６５０は、重大な光学干渉を引き起こさないか、またはそれに寄与しない場合がある。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１６５０の光透過率は、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部分の約５０％未満、約７０％未満、約８０％未満、約８５％未満、約９０％未満、および／または約９５％未満であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１３７５は、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部分の光を吸収することができる。
いくつかの非限定的な例では、それぞれ第１の発光領域２７１１、第２の発光領域２７１２、および／または第３の発光領域２７１３内に配設された第１のＮＩＣ９１０ａ、第２のＮＩＣ９１０ｂ、ならびに／もしくは第３のＮＩＣ９１０ｃの厚さは、各発光領域２７１１～２７１３によって放出された光の色および／または発光スペクトルに従って変えることができる。図２８Ｃ～２８Ｄに示すように、第１のＮＩＣ９１０ａは、第１のＮＩＣ厚さｔｎ１を有し得る、第２のＮＩＣ９１０ｂは、第２のＮＩＣ厚さｔｎ２を有し得る、および／または第３のＮＩＣ９１０ｃは、第３のＮＩＣ厚さｔｎ３を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のＮＩＣ厚さｔｎ１、第２のＮＩＣ厚さｔｎ２、および／または第３のＮＩＣ厚さｔｎ３は、互いに実質的に同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のＮＩＣ厚さｔｎ１、第２のＮＩＣ厚さｔｎ２、および／または第３のＮＩＣ厚さｔｎ３は、互いに異なる場合がある。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２８００はまた、任意の数の発光領域、２７１１～２７１３、ピクセル３４０、および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３を含み得る。いくつかの非限定的な例では、デバイスは、複数のピクセル３４０を含むことができ、各ピクセル３４０は、２、３、またはそれ以上のサブピクセル２５４１～２５４３を含むことができる。
当業者は、ピクセル３４０（および／またはそのサブピクセル２５４１～２５４３）の特定の配置がデバイス設計に依存して変わり得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル２５４１～２５４３は、ＲＧＢサイドバイサイド、ダイヤモンド、および／またはＰｅｎＴｉｌｅ（登録商標）を含むがこれらに限定されない、既知の配置スキームに従って配置することができる。
電極を補助電極に電気的に結合するための導電性コーティング
図２９を参照すると、光電子デバイス２９００の例の断面図を示している。デバイス２９００は、発光領域２９１０および隣接する非発光領域２９２０を横方向内に含む。
図２９を参照すると、光電子デバイス２９００の例の断面図を示している。デバイス２９００は、発光領域２９１０および隣接する非発光領域２９２０を横方向内に含む。
いくつかの非限定的な例では、発光領域２９１０は、デバイス２９００のサブピクセル２５４１～２５４３に対応する。発光領域２９１０は、基板１１０、いくつかの非限定的な例ではアノード３４１であり得る第１の電極１２０、いくつかの非限定的な例ではカソード３４２であり得る第２の電極１４０、およびそれらの間に配置された少なくとも１つの半導電性層または有機層１３０を有する。
第１の電極１２０は、基板１１０の表面上に配設される。基板１１０は、第１の電極１２０に電気的に結合されるＴＦＴ構造２００を含む。第１の電極１２０の縁部および／または外周は、概して少なくとも１つのＰＤＬ４４０によって被覆されている。
非発光領域２９２０は、補助電極２９６０を有し、非発光領域２９２０の第１の部分は、補助電極２９５０の横方向上に突出し、重なるように配置されたパターニング構造２９６０を有する。パターニング構造２９６０は、遮蔽領域２９６５を提供するように側方に延在する。非限定的な例として、パターニング構造２９６０は、陰影領域２９６５を設けるために、少なくとも一方の側の補助電極２９５０で、またはその近傍で凹状となってもよい。示すように、陰影領域２９６５は、いくつかの非限定的な例では、パターニング構造２９６０の横突起と重なるＰＤＬ４４０の表面の領域に対応することができる。非発光領域２９２０は、陰影領域２９６５内に配設された導電性コーティング２９３０をさらに含む。導電性コーティング２９３０は、補助電極２９５０を第２の電極１４０と電気的に結合する。
ＮＩＣ９１０は、第２の電極１４０の表面上の発光領域２９１０内に配設される。いく
つかの非限定的な例では、パターニング構造２９６０の表面は、導電性コーティング９３０の堆積からの残留導電性コーティング２９４０でコーティングされて、第２の電極１４０を形成する。いくつかの非限定的な例では、残留導電性コーティング２９４０の表面は、ＮＩＣ９１０の堆積からの残留ＮＩＣ２９４１でコーティングされる。
つかの非限定的な例では、パターニング構造２９６０の表面は、導電性コーティング９３０の堆積からの残留導電性コーティング２９４０でコーティングされて、第２の電極１４０を形成する。いくつかの非限定的な例では、残留導電性コーティング２９４０の表面は、ＮＩＣ９１０の堆積からの残留ＮＩＣ２９４１でコーティングされる。
しかしながら、陰影領域２９６５上のパターニング構造２９６０の横突起のために、陰影領域２９６５には、ＮＩＣ９１０が実質的にない。したがって、導電性コーティング２９３０がＮＩＣ９１０の堆積後にデバイス２９００に堆積されるとき、導電性コーティング２９３０は、陰影領域に堆積されるおよび／または移動して、補助電極２９５０を第２の電極１４０に結合する。
当業者は、非限定的な例が図２９に示されていること、および様々な修正が明らかであり得ることを理解するであろう。非限定的な例として、パターニング構造２９６０は、その側部のうちの少なくとも２つに沿って陰影領域２９６５を提供することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング構造２９６０は省略されてもよく、補助電極２９５０は、陰影領域２９６５を画定する凹状部分を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、補助電極２９５０および導電性コーティング２９３０は、ＰＤＬ４４０の代わりに、基板１１０の表面上に直接配設されてもよい。
光学コーティングの選択的堆積
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では光電子デバイスであり得るデバイス（図示せず）は、基板１１０、ＮＩＣ９１０、および光学コーティングを含む。ＮＩＣ９１０は、基板１１０の第１の横部分を被覆する。光学コーティングは、基板の第２の横部分を被覆する。ＮＩＣ９１０の少なくとも一部分には、光学コーティングが実質的にない。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では光電子デバイスであり得るデバイス（図示せず）は、基板１１０、ＮＩＣ９１０、および光学コーティングを含む。ＮＩＣ９１０は、基板１１０の第１の横部分を被覆する。光学コーティングは、基板の第２の横部分を被覆する。ＮＩＣ９１０の少なくとも一部分には、光学コーティングが実質的にない。
いくつかの非限定的な例では、光学コーティングを使用して、プラズモンモードを含むがこれに限定されないデバイスによって透過、放出、および／または吸収される光の光学特性を調整することができる。非限定的な例として、光学コーティングは、光学フィルタ、屈折率整合コーティング、光学取り出しコーティング、散乱層、回折格子、またはそれらの部分として使用されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学コーティングを使用して、光路の全長および／またはその屈折率を変調することによるがこれらに限定されない、デバイス内の少なくとも１つの光学マイクロキャビティ効果を調整することができる。デバイスの少なくとも１つの光学特性は、輝度および／またはそのカラーシフトの角度依存性を含むがこれらに限定されない、出力光を含むがこれに限定されない、少なくとも１つの光学マイクロキャビティ効果を調整することによって影響され得る。いくつかの非限定的な例では、光学コーティングは、非電気的構成要素であってもよい、すなわち、光学コーティングは、平常のデバイス動作中に電流を伝導および／または伝達するように構成されていない場合がある。
いくつかの非限定的な例では、光学コーティングは、導電性コーティング９３０として使用される任意の材料、および／または本明細書で説明する導電性コーティング９３０を堆積する任意のメカニズムを採用することで形成することができる。
ＮＩＣおよび導電性コーティングのエッジ効果
図３０Ａ～Ｉは、導電性コーティング９３０との堆積界面でのＮＩＣ９１０の様々な潜在的挙動を説明する。
図３０Ａ～Ｉは、導電性コーティング９３０との堆積界面でのＮＩＣ９１０の様々な潜在的挙動を説明する。
図３０Ａを参照すると、ＮＩＣ堆積境界にあるデバイス３０００の一部分の第１の例を
示している。デバイス３０００は、表面３００１を有する基板１１０を含む。ＮＩＣ９１０は、表面３００１の第１の領域３０１０上に堆積される。導電性コーティング９３０は、表面３００１の第２の領域３０２０上に堆積される。示すように、非限定的な例として、第１の領域３０１０および第２の領域３０２０は、表面３００１の別個のおよび重なっていない領域である。
示している。デバイス３０００は、表面３００１を有する基板１１０を含む。ＮＩＣ９１０は、表面３００１の第１の領域３０１０上に堆積される。導電性コーティング９３０は、表面３００１の第２の領域３０２０上に堆積される。示すように、非限定的な例として、第１の領域３０１０および第２の領域３０２０は、表面３００１の別個のおよび重なっていない領域である。
導電性コーティング９３０は、第１の一部３０２１および残りの一部３０２２を含む。示すように、非限定的な例として、導電性コーティング９３０の第１の一部３０２１は、実質的に第２の領域３０２０を被覆し、導電性コーティング９３０の第２の一部３０２２は、ＮＩＣ９１０の第１の一部上に部分的に突出するおよび／または重なる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、その表面３０１１が導電性コーティング９３０を形成するために使用される材料に対して比較的低い親和性または初期付着確率Ｓ０を示すように形成され、導電性コーティング９３０の突出するおよび／または重なる第２の一部３０２２とＮＩＣ９１０の表面３０１１との間に形成されたギャップ３０２４がある。結果として、第２の一部３０２２は、ＮＩＣと直接物理的に接触していないが、断面図内のギャップ３０２９によってＮＩＣから離間される。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０の第１の一部３０２１は、第１の領域３０１０と第２の領域３０２０との間の界面および／または境界でＮＩＣと直接物理的に接触していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０の突出するおよび／または重なる第２の一部３０２２は、導電性コーティング９３０の厚さｔ１と同等の範囲まで、ＮＩＣ９１０上に横に延在することができる。非限定的な例として、示すように、第２の一部３０２２の幅ｗ２は、厚さｔ１と同等であってもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ２：ｔ１の比は、約１：１～約１：３、約１：１～約１：１．５、および／または約１：１～約１：２の範囲であってもよい。厚さｔ１は、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０にわたって比較的均一であり得るが、いくつかの非限定的な例では、第２の一部３０２２が突出するおよび／またはＮＩＣ９１０と重なる範囲（すなわち、ｗ２）は、表面３００１の異なる部分にわたってある程度変わってもよい。
ここで、図３０Ｂを参照すると、導電性コーティング９３０は、第２の一部３０２２とＮＩＣ９１０との間に配設された第３の部分３０２３を含むように示している。示すように、導電性コーティング９３０の第２の一部３０２２は、導電性コーティング９３０の第３の部分３０２３上に横に延在し、そこから離間され、第３の部分３０２３は、ＮＩＣ９１０の表面３０１１と直接物理的に接触してもよい。導電性コーティング９３０の第３の部分３０２３の厚さｔ３は、導電性コーティング９３０の第１の一部３０２１の厚さｔ１より薄くてもよく、いくつかの非限定的な例ではそれよりも実質的に薄くてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分３０２３の幅ｗ３は、第２の一部３０２２の幅ｗ２より大きくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分３０２３は、第２の一部３０２２よりも大きい程度までＮＩＣ９１０と重なるように横に延在することができる。いくつかの非限定的な例では、ｗ３：ｔ１の比は、約１：２～約３：１および／または約１：１．２～約２．５：１の範囲であってもよい。厚さｔ１は、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０にわたって比較的均一であり得るが、いくつかの非限定的な例では、第３の部分３０２３が突出するおよび／またはＮＩＣ９１０と重なる範囲（すなわち、ｗ３）は、表面３００１の異なる部分にわたってある程度変わってもよい。
第３の部分３０２３の厚さｔ３は、第１の一部３０２１の厚さｔ１の約５％以下および／または約５％未満であり得る。非限定的な例として、ｔ３は、ｔ１の約４％以下および／またはそれ未満、約３％以下および／またはそれ未満、約２％以下および／またはそれ
未満、約１％以下および／またはそれ未満、ならびに／もしくは約０．５％以下および／またはそれ未満であり得る。示すように、薄膜として形成される第３の部分３０２３の代わりに、および／またはそれに加えて、導電性コーティング９３０の材料は、ＮＩＣ９１０の一部分に島および／または切り離されたクラスタとして形成することができる。非限定的な例として、そのような島および／または切り離されたクラスタは、島および／またはクラスタが連続層を形成しないように、互いに物理的に分離された特徴部を含み得る。
未満、約１％以下および／またはそれ未満、ならびに／もしくは約０．５％以下および／またはそれ未満であり得る。示すように、薄膜として形成される第３の部分３０２３の代わりに、および／またはそれに加えて、導電性コーティング９３０の材料は、ＮＩＣ９１０の一部分に島および／または切り離されたクラスタとして形成することができる。非限定的な例として、そのような島および／または切り離されたクラスタは、島および／またはクラスタが連続層を形成しないように、互いに物理的に分離された特徴部を含み得る。
ここで、図３０Ｃを参照すると、ＮＰＣ１０２０は、基板１１０と導電性コーティング９３０との間に配設されている。ＮＰＣ１０１０は、導電性コーティング９３０の第１の一部３０２１と基板１１０の第２の領域３０２０との間に配設される。ＮＰＣ１０２０を、ＮＩＣ９１０が堆積された第１の領域３０１０ではなく、第２の領域３０２０に配設されているように示している。ＮＰＣ１０２０は、ＮＰＣ１０２０と導電性コーティング９３０との間の界面および／または境界において、ＮＰＣ１０２０の表面が導電性コーティング９３０の材料について比較的高い親和性または初期付着確率Ｓ０を示すように形成され得る。したがって、ＮＰＣ１０２０の存在は、堆積中の導電性コーティング９３０の形成および／または成長を促進することができる。
ここで、図３０Ｄを参照すると、ＮＰＣ１０２０は、基板１１０の第１の領域３０１０および第２の領域３０２０の両方に配設され、ＮＩＣ９１０は、第１の領域３０１０に配設されたＮＰＣ１０２０の一部分を被覆する。ＮＰＣ１０２０の別の部分には、ＮＩＣ９１０が実質的になく、導電性コーティング９３０がＮＰＣ１０２０のそのような部分を被覆する。
ここで、図３０Ｅを参照すると、導電性コーティング９３０が基板１１０の第３の領域３０３０内でＮＩＣ９１０の一部分と部分的に重なっていることを示している。いくつかの非限定的な例では、第１の一部３０２１および第２の一部３０２２に加えて、導電性コーティング９３０は、第４の部分３０２４をさらに含む。示すように、導電性コーティング９３０の第４の部分３０２４は、導電性コーティング９３０の第１の一部３０２１と第２の一部３０２２との間に配設され、第４の部分３０２４は、ＮＩＣ９１０の表面３０１１と直接物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の領域３０３０における重なりは、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセス中の導電性コーティング９３０の横成長の結果として形成され得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０の表面３０１１は、導電性コーティング９３０の材料について比較的低い初期付着確率Ｓ０を示し得、これにより、導電性コーティング９３０の厚さが成長するにつれて、材料が表面３０１１で核生成する確率は低くなるが、導電性コーティング９３０も横に成長し得、示すようにＮＩＣ９１０の配分を被覆し得る。
ここで、図３０Ｆを参照すると、基板１１０の第１の領域３０１０はＮＩＣ９１０でコーティングされ、第１の領域３０１０に隣接する第２の領域３０２０は導電性コーティング９３０でコーティングされている。いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０のオープンマスク堆積および／またはマスクフリー堆積を実施することにより、導電性コーティング９３０とＮＩＣ９１０との間の界面および／またはその近傍の先細り断面プロファイルを示す導電性コーティング９３０を得ることができることが観察された。
いくつかの非限定的な例では、界面でおよび／またはその近傍での導電性コーティング９３０の厚さは、導電性コーティング９３０の平均厚さより薄くてもよい。そのような先細りプロファイルは、湾曲および／またはアーチ状であるように示しているが、いくつかの非限定的な例では、このプロファイルは、いくつかの非限定的な例では、実質的に線形および／または非線形であってもよい。非限定的な例として、導電性コーティング９３０の厚さは、界面に近位の領域において実質的に線形、指数関数的、二次的であるがこれら
に限定されない、様式で減少し得る。
に限定されない、様式で減少し得る。
導電性コーティング９３０とＮＩＣ９１０との間の界面のおよび／またはその近傍の導電性コーティング９３０の接触角θｃは、相対的な親和性および／または初期付着確率Ｓ０などのＮＩＣ９１０の特性に依存して変わり得ることが観察されている。さらに、核の接触角は、いくつかの非限定的な例では、堆積によって形成された導電性コーティング９３０の薄膜接触角を決定づけ得ると想定されている。非限定的な例として図３０Ｆを参照すると、接触角θｃは、導電性コーティング９３０とＮＩＣ９１０との間の界面のまたはその近傍の導電性コーティング９３０の接線の勾配を測定することによって決定され得る。導電性コーティング９３０の断面テーパプロファイルが実質的に線形であるいくつかの非限定的な例では、接触角θｃは、界面および／またはその近傍の導電性コーティング９３０の勾配を測定することによって決定され得る。当業者によって理解されるように、接触角θｃは、概して基部表面の角度に対して測定され得る。本開示では、例示を簡単にするために、コーティングは、平面に堆積されて示している。しかしながら、当業者は、そのようなコーティングが非平面表面上に堆積されてもよいことを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０の接触角は、約９０°を超えてもよい。ここで、図３０Ｇを参照すると、非限定的な例として、導電性コーティング９３０は、ＮＩＣ９１０と導電性コーティング９３０との間の界面を過ぎて延在する部分を含むものとして示しており、ギャップ３０２８によってＮＩＣから離間されている。そのような非限定的な状況では、接触角θｃは、いくつかの非限定的な実施例では、約９０°を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、比較的高い接触角θｃを示す導電性コーティング９３０を形成することが有利であり得る。非限定的な例として、接触角θｃは、約１０°超える、約１５°を超える、約２０°を超える、約２５°を超える、約３０°を超える、約３５°を超える、約４０°を超える、約５０°を超える、約７０°を超える、約７０°を超える、約７５°を超える、および／または約８０°を超えてもよい。非限定的な例として、比較的高い接触角θｃを有する導電性コーティング９３０は、比較的高いアスペクト比を維持しながら、微細にパターン化された特徴部の作成を可能にすることができる。非限定的な例として、約９０°を超える接触角θｃを示す導電性コーティング９３０を形成することが望ましい場合がある。非限定的な例として、接触角θｃは、約９０°を超える、約９５°を超える、約１００°を超える、約１０５°を超える、約１１０°を超える 約１２０°を超える、約１３０°を超える、約１３５°を超える、約１４０°を超える、約１４５°を超える、約１５０°を超える、および／または約１７０°を超えてもよい。
ここで、図３０Ｈ～３０Ｉを参照すると、導電性コーティング９３０は、基板１００の第１の領域３０１０と第２の領域３０２０との間に配設される、基板１００の第３の領域３０３３内のＮＩＣ９１０の一部分と部分的に重なっている。示すように、ＮＩＣ９１０の一部分と部分的に重なる導電性コーティング９３０の部分は、その表面３０１１と直接物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の領域３０３０における重なりは、オープンマスク堆積プロセスおよび／またはマスクフリー堆積プロセス中の導電性コーティング９３０の横成長の結果として形成され得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０の表面３０１１は、導電性コーティング９３０の材料について比較的低い親和性または初期付着確率Ｓ０を示し得、これにより、導電性コーティング９３０の厚さが成長するにつれて、材料が表面３０１１で核生成する確率は低くなるが、コーティング９３０も横に成長し得、ＮＩＣ９１０の一部分を被覆し得る。
図３０Ｈ～３０Ｉの場合には、導電性コーティング９３０の接触角θｃは、示すように、導電性コーティング９３０とＮＩＣ９１０との界面の近傍にあるその縁部で測定されて
もよい。図３０Ｉでは、接触角θｃは、約９０°を超えてもよく、これにより、いくつかの非限定的な例では、ギャップ３０２８によってＮＩＣ９１０から離間されている導電性コーティング９３０の一部分を得ることができる。
もよい。図３０Ｉでは、接触角θｃは、約９０°を超えてもよく、これにより、いくつかの非限定的な例では、ギャップ３０２８によってＮＩＣ９１０から離間されている導電性コーティング９３０の一部分を得ることができる。
ＮＰＣ１０２０
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０を形成するために使用するのに好適な材料には、少なくとも約０．６（または７０％）、少なくとも約０．７、少なくとも約０．７５、少なくとも約０．８、少なくとも約０．９、少なくとも約０．９３、少なくとも約０．９５、少なくとも約０．９８、および／または少なくとも約０．９９の導電性コーティング９３０の材料についての初期付着確率Ｓ０を示すか、またはそれを有するように特徴付けられるものが含まれる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０を形成するために使用するのに好適な材料には、少なくとも約０．６（または７０％）、少なくとも約０．７、少なくとも約０．７５、少なくとも約０．８、少なくとも約０．９、少なくとも約０．９３、少なくとも約０．９５、少なくとも約０．９８、および／または少なくとも約０．９９の導電性コーティング９３０の材料についての初期付着確率Ｓ０を示すか、またはそれを有するように特徴付けられるものが含まれる。
成果および実験的観察に基づいて、本明細書でさらに述べるようなフラーレン、Ａｇおよび／またはＹｂを含むがこれらに限定されない金属、ならびに／もしくはＩＴＯおよび／またはＩＺＯを含むがこれらに限定されない金属酸化物を含むがこれらに限定されない核生成促進材料は、Ｍｇを含むがこれに限定されない導電性コーティング９３０の堆積のための核生成部位として作用し得る。
本開示では、「フラーレン」という用語は、概して炭素分子を含む材料を指し得る。フラーレン分子の非限定的な例には、閉殻を形成し、球形状および／または半球形状であり得るがこれらに限定されない、多数の炭素原子を含む３次元骨格を含むがこれらに限定されない、炭素ケージ分子が含まれる。いくつかの非限定的な例では、フラーレン分子はＣｎとして指示することができ、ここで、ｎはフラーレン分子の炭素骨格内に含まれた炭素原子の数に対応している整数である。フラーレン分子の非限定的な例には、Ｃｎが含まれ、ここで、ｎは、Ｃ７０、Ｃ７０、Ｃ７２、Ｃ７４、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８０、Ｃ８２、およびＣ８４などであるがこれらに限定されない、５０～２５０の範囲である。フラーレン分子のさらなる非限定的な例には、単層カーボンナノチューブおよび／または多層カーボンナノチューブを含むがこれらに限定されない、管形状および／または円筒形状の炭素分子が含まれる。
非限定的な例として、限定されないが、フラーレン処理表面での蒸発プロセスを使用してＭｇが堆積される状況では、いくつかの非限定的な例では、フラーレン分子は、Ｍｇ堆積のための安定した核の形成を促進することができる核生成部位として作用し得る。
いくつかの非限定的な例では、フラーレンを含むがこれに限定されない、ＮＰＣ１０２０の単分子層未満は、Ｍｇの堆積のための核生成部位として作用するように処理された表面上に提供され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ１０２０のいくつかの単分子層をその上に堆積することによって表面を処理すると、核生成部位の数が多くなり、したがって、初期付着確率Ｓ０が高くなり得る。
当業者は、表面上に堆積された、フラーレンを含むがこれに限定されない材料の量が、１つの単分子層よりも多い、または少なくてもよいことを理解するであろう。非限定的な例として、そのような表面は、０．１単分子層、１単分子層、１０単分子層、またはそれ以上の核生成促進材料および／または核生成抑制材料を堆積させることによって処理されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、基部材料の露出表面上に堆積されたＮＰＣ１０２０の厚さは、約１ｎｍ～約５ｎｍおよび／または約１ｎｍ～約３ｎｍであり得る。
本開示は、蒸着に関して、少なくとも１つの層および／またはコーティングを参照して、薄膜形成について述べているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイス１００の様々な構成要素が、蒸発（熱蒸発および／または電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェットおよび／または蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、ならびに／もしくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、ＰＶＤ（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤを含むがこれに限定されない、ＯＶＰＤ、レーザーアニーリング、ＬＩＴＩパターニング、ＡＬＤ、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティング、および／またはスプレーコーティングを含むがこれに限定されない）、および／またはそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、多種多様な技法を使用して堆積され得ることを理解するであろう。そのようなプロセスは、シャドウマスクと組み合わせて使用して、様々なパターンを達成することができる。
ＮＩＣ９１０
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、基板１１０の露出表面１１１とＮＩＣ９１０との間の界面のおよび／またはその近傍での薄膜の核形成および成長中、ＮＩＣ９１０による薄膜の固体表面の「ディウェッティング」のために、フィルムの縁部と基板１１０との間の比較的高い接触角θｃが観察されると想定されている。そのようなディウェッティング特性は、基板１１０、薄膜、蒸気７１２、およびＮＩＣ９１０層の間の表面エネルギーの最小化によって推進され得る。したがって、ＮＩＣ９１０の存在およびその特性は、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０の縁部の核形成および成長モードへの影響を有し得ると想定されている。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、基板１１０の露出表面１１１とＮＩＣ９１０との間の界面のおよび／またはその近傍での薄膜の核形成および成長中、ＮＩＣ９１０による薄膜の固体表面の「ディウェッティング」のために、フィルムの縁部と基板１１０との間の比較的高い接触角θｃが観察されると想定されている。そのようなディウェッティング特性は、基板１１０、薄膜、蒸気７１２、およびＮＩＣ９１０層の間の表面エネルギーの最小化によって推進され得る。したがって、ＮＩＣ９１０の存在およびその特性は、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０の縁部の核形成および成長モードへの影響を有し得ると想定されている。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、導電性コーティング９３０の接触角θｃは、導電性コーティング９３０が形成される面積に隣接して配設されたＮＩＣ９１０の特性（初期付着確率Ｓ０を含むがこれに限定されない）に少なくとも部分的に基づいて決定され得る。したがって、比較的高い接触角θｃを示す導電性コーティング９３０の選択的堆積を可能にするＮＩＣ９１０材料は、いくつかの利点を提供することができる。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、核生成および成長中に存在する様々な界面張力間の関係は、毛細管理論におけるヤングの式に従って決定され得ると想定されている。
γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆｃｏｓθ
式中、γｓｖは基板１１０と蒸気７１２との間の界面張力に対応し、γｆｓは薄膜と基板１１０との間の界面張力に対応し、γｖｆは蒸気７１２と膜との間の界面張力に対応し、θは膜核の接触角である。図３１は、この方程式で表される様々なパラメータ間の関係を示している。
γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆｃｏｓθ
式中、γｓｖは基板１１０と蒸気７１２との間の界面張力に対応し、γｆｓは薄膜と基板１１０との間の界面張力に対応し、γｖｆは蒸気７１２と膜との間の界面張力に対応し、θは膜核の接触角である。図３１は、この方程式で表される様々なパラメータ間の関係を示している。
ヤングの式に基づいて、島の成長の場合、膜核の接触角θはゼロよりも大きく、したがってθｓｖ＜θｆｓ＋θｖｆであると導出することができる。
堆積膜が基板１１０を「濡らす」層成長の場合、核接触角θ＝０、およびしたがって、θｓｖ＝θｆｓ＋θｖｆである。
Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ（Ｓ－Ｋ）成長の場合、膜の異常成長の単位面積あたりのひずみエネルギーは、蒸気７１２と膜との間の界面張力に対して大きく、θｓｖ＞θｆｓ＋θｖｆである。
ＮＩＣ９１０と基板１１０の露出表面との間の界面での導電性コーティング９３０の核生成および成長モードは、θ＞０である島成長モデルに従うことができると想定され得る。特に、ＮＩＣ９１０が、導電性コーティング９３０を形成するために使用される材料に対して比較的低い親和性および／または低い初期付着確率Ｓ０（すなわち、ディウェッティング）を示し、導電性コーティング９３０の比較的高い薄膜接触角をもたらす場合である。反対に、非限定的な例として、シャドウマスクを採用することにより、ＮＩＣ９１０を使用せずに導電性コーティング９３０を表面上に選択的に堆積させるとき、導電性コーティング９３０の核生成および成長モードが異なる場合がある。特に、シャドウマスクパターニングプロセスを使用して形成された導電性コーティング９３０は、少なくとも、いくつかの非限定的な例では、約１０°未満の比較的低い薄膜接触角を示し得ることが観察されている。
当業者は、明示的に示していないが、ＮＩＣ９１０を形成するために使用される材料７１１はまた、導電性コーティング９３０と基部表面（ＮＰＣ１０２０層および／または基板１１０の表面を含むがこれらに限定されない）との間の界面に、ある程度存在し得る。そのような材料は、シャドウイング効果の結果として堆積される場合があり、その場合、堆積したパターンはマスクのパターンと同一ではなく、いくつかの非限定的な例では、いくらかの蒸発した材料７１２がターゲット表面１１１のマスクされた部分に堆積される場合がある。非限定的な例として、そのような材料７１２は、島および／または切り離されたクラスタとして、ならびに／もしくはＮＩＣ９１０の平均厚さよりも実質的に薄い場合がある厚さを有する薄膜として形成することができる。
非限定的な例として、脱離のための活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ６３１）が熱エネルギー（ｋＢＴ）の約２倍未満、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約１．５倍未満、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約１．３倍未満、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約１．２倍未満、熱エネルギー（ｋＢＴ）未満、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約０．８倍未満、および／または熱エネルギー（ｋＢＴ）の約０．５倍未満であることが望ましい。いくつかの非限定的な例では、表面拡散（Ｅｓ６２１）についての活性化エネルギーが、熱エネルギー（ｋＢＴ）よりも大きく、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約１．５倍を超える、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約１．８倍を超える、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約２倍を超える、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約３倍を超える、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約５倍を超える、熱エネルギー（ｋＢＴ）の約７倍を超える、および／または熱エネルギー（ｋＢＴ）の約１０倍を超えることが望ましい。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０形成するための使用に好適な材料には、約０．１（または１０％）以下および／またはそれ未満 約０．０５以下および／またはそれ未満、０．０３以下および／またはそれ未満、０．０２以下および／またはそれ未満、０．０１以下および／またはそれ未満、約０．０８以下および／またはそれ未満、約０．００５以下および／またはそれ未満、約０．００３以下および／またはより小さいその未満、約０．００１以下および／または約それ未満、約０．０００８以下および／またはそれ未満、約０．０００５以下および／またはそれ未満、ならびに／もしくは約０．０００１以下および／またはそれ未満の導電性コーティング９３０の材料についての初期付着確率Ｓ０を示す、かつ／あるいはそれを有するように特徴付けられるものが含まれ得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０を形成するために使用するのに好適な材料には、小分子有機材料および／または有機ポリマーなどの有機材料が含まれ得る。好適な有機材料の非限定的な例には、窒素（Ｎ）、硫黄（Ｓ）、酸素（Ｏ）、リン（Ｐ）、および／またはアルミニウム（Ａｌ）を含むがこれらに限定されない、任意に１つ以上のヘテロ原子を含むがこれらに限定されない、有機分子を含むがこれらに限定されない、多環式芳香族化合物が含まれるがこれらに限定されない。いくつかの実施形態では、多環式芳香
族化合物には、コア部分およびコア部分に化学結合した少なくとも１つの末端部分を各々が含む有機分子が含まれるがこれらに限定されない。末端部分の非限定的な数は、１以上、２以上、３以上、および／または４以上であってもよい。上記の一般性を限定することなく、２つ以上の末端部分の場合に、末端部分は同じであっても異なっていてもよく、および／または末端部分のサブセットは同じでも少なくとも１つの残りの部分と異なっていてもよい。
族化合物には、コア部分およびコア部分に化学結合した少なくとも１つの末端部分を各々が含む有機分子が含まれるがこれらに限定されない。末端部分の非限定的な数は、１以上、２以上、３以上、および／または４以上であってもよい。上記の一般性を限定することなく、２つ以上の末端部分の場合に、末端部分は同じであっても異なっていてもよく、および／または末端部分のサブセットは同じでも少なくとも１つの残りの部分と異なっていてもよい。
ＮＩＣ９１０形成するための使用に好適な材料には、約０．１（または１０％）以下および／またはそれ未満 約０．０５以下および／またはそれ未満、さらにより具体的には、約０．０３以下および／またはそれ未満、約０．０２以下および／またはそれ未満、約０．０１以下および／またはそれ未満、約０．０８以下および／またはそれ未満、約０．００５以下および／またはそれ未満、約０．００３以下および／またはそれ未満、約０．００１以下および／またはそれ未満、約０．０００８以下および／またはそれ未満、約０．０００５以下および／またはそれ未満、ならびに／もしくは約０．０００１以下および／またはそれ未満の導電性コーティングの材料についての初期付着確率Ｓ０を示す、かつ／あるいはそれを有するように特徴付けられるものが含まれる。核生成促進コーティングを形成するために使用するのに好適な材料には、少なくとも約０．６（または６０％）、少なくとも約０．７、少なくとも約０．７５、少なくとも約０．８、少なくとも約０．９、少なくとも約０．９３、少なくとも約０．９５、少なくとも約０．９８、および／または少なくとも約０．９９の導電性コーティングの材料についての初期付着確率Ｓ０を示す、および／またはそれを有するように特徴付けられるものが含まれる。
好適な核生成抑制材料には、小分子有機材料および有機ポリマーなどの有機材料が含まれる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、または（ＶＩＩＩ）の化合物を含む。
式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、および（ＶＩ）では、Ａｒ１は、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、４～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリール基、および／または５～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基を表す。Ａｒ１の例には、以下の１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル（５－、６－、７－、８－、および９－ベンズアトラセニルを含む）、ピレニル（１－、２－、および４－ピレニルを含む）、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ピラジン、キノキサリン、アルシジン（ａｒｃｉｄｉｎｅ）、ピリミジン、キナゾリン、ピリダジン、シンノリン、ならびにフタラジンが含まれるが、これらに限定されない。いくつかの非限定的な例では、Ａｒ１は、６～５０個の炭素原子および／または４～５０個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基を表す。いくつかの非限定的な例では、Ａｒ１は、６～５０個の炭素原子および／または４～５０個の炭素原子を有する置換または非置換のアリーレン基を表す。
式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、（ＶＩＩＩ）では、ＲａおよびＲｂは各々、独立して、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ハロアリール、ヘテロアリール、アルコキシ、ハロアルコキシ、フルオロアルコキシ、フルオロアリール、トリフルオロアリール、ならびにそれらの任意の２つおよび／またはそれ以上の組み合わせから選択される１つ以上の置換基の任意の存在を表す。いくつかの非限定的な例では、１つおよび／またはそれ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオロアルコキシ、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、ポリフルオロエチル、４－フルオロフェニル、３，４，５－トリフルオロフェニル、および４－（トリフルオロメトキシ）フェニルから選択される。本明細書で説明するいくつかの非限定的な例では、各Ｒａおよび／またはＲｂは、独立して、各場合において互いに選択され得る１、２、３、４、５、および／またはそれ以上の置換基の任意の存在を示し得ることが理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、Ｒｂは、少なくとも１つのフッ素原子を含有する。非限定的な例として、Ｒｂは、Ｆ、フルオロアルキル、フルオロアルコキシ、フルオロアリール、およびトリフルオロアリールから選択され得る。
式（Ｉ）および（ＩＩ）では、Ａｒ２は、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、および／または４～５０個の炭素原子を有する置換または非置換ヘテロアリーレン基を表す。Ａｒ２例には、以下のフェニレン、ナフチレン、アントラシレン（ａｎｔｈｒａｃｙｌｅｎｅ）、フェナントリレン、ベンズアントラシレン、およびピレニレンが含まれるが、これらに限定されない。
式（Ｉ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、および（ＶＩ）では、Ａｒ３は、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、４～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリール基、および／または５～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基を表す。Ａｒ３の例には、以下の１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル（５－、６－、７－、８－、および９－ベンズアトラセニルを含む
）、ピレニル（１－、２－、および４－ピレニルを含む）、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ピラジン、キノキサリン、アルシジン（ａｒｃｉｄｉｎｅ）、ピリミジン、キナゾリン、ピリダジン、シンノリン、ならびにフタラジンが含まれるが、これらに限定されない。いくつかの非限定的な例では、Ａｒ３は、６～５０個の炭素原子および／または４～５０個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基を表す。いくつかの非限定的な例では、Ａｒ３は、６～５０個の炭素原子および／または４～５０個の炭素原子を有する置換または非置換のアリーレン基を表す。
）、ピレニル（１－、２－、および４－ピレニルを含む）、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ピラジン、キノキサリン、アルシジン（ａｒｃｉｄｉｎｅ）、ピリミジン、キナゾリン、ピリダジン、シンノリン、ならびにフタラジンが含まれるが、これらに限定されない。いくつかの非限定的な例では、Ａｒ３は、６～５０個の炭素原子および／または４～５０個の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基を表す。いくつかの非限定的な例では、Ａｒ３は、６～５０個の炭素原子および／または４～５０個の炭素原子を有する置換または非置換のアリーレン基を表す。
式（ＩＩ）では、Ａｒ４は、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、および／または４～５０個の炭素原子を有する置換または非置換ヘテロアリーレン基を表す。Ａｒ４には、以下のフェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ベンズアントラシレン、ピレニレンが含まれるが、これらに限定されない。いくつかの非限定的な実施例では、Ａｒ４は、ベンズイミダゾールである。
式（ＩＩ）では、Ａｒ５は、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～６０個の炭素原子を有するａもしくは非置換のアリーレン基、４～５０個の炭素原子を有するａもしくは非置換のヘテロアリール基、および／または５～６０個の炭素原子を有するａもしくは非置換のヘテロアリーレン基を表す。Ａｒ５の例には、以下のフェニル、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル（５－、６－、７－、８－、および９－ベンズアトラセニルを含む）、ならびにピレニル（１－、２－、および４－ピレニルを含む）、が含まれるが、これらに限定されない。
式（ＩＶ）および（Ｖ）では、Ａｒ６およびＡｒ７は各々、独立して、６～５０個の炭素原子を有するａもしくは非置換のアリール基、６～５０個の炭素原子を有するａもしくは非置換のハロアリール基、置換基を有し得る６～６０個の炭素原子を有するアリーレン基、および／または５～６０個の炭素原子を有するａもしくは非置換のヘテロアリール基を表す。Ａｒ６およびＡｒ７の例には、以下のフェニル、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル（５－、６－、７－、８－、および９－ベンズアトラセニルを含む）、ピレニル（１－、２－、および４－ピレニルを含む）、４－フルオロフェニル、３，４，５－トリフルオロフェニル、４－（トリフルオロメトキシ）フェニルが含まれるが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、および／または（ＶＩ）の化合物では、Ａｒ１は、６～５０個の炭素原子を有するａもしくは非置換のアリール基を表し、Ａｒ３は、４～５０個の炭素原子を有するａまたは非置換のヘテロアリール基を表す。いくつかの非限定的な例では、式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、および／または（ＶＩ）の化合物では、Ｒａは、４～５０個の炭素原子を有するａまたは非置換のヘテロアリール基を表す。いくつかの非限定的な例では、式（ＩＶ）および／または（Ｖ）の化合物では、Ａｒ６は、４～５０個の炭素原子を有するａまたは非置換のヘテロアリール基を表す。
いくつかの非限定的な例では、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６、およびＡｒ７の各々に対応する基は、１つおよび／またはそれ以上の置換基（Ｒｃ）によって置換され得る。いくつかの非限定的な例では、１つおよび／またはそれ以上の置換基（Ｒｃ）は、独立して、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ハロアリール
、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、フルオロアリール、トリフルオロアリール、ならびにそれらの任意の２つおよび／またはそれ以上の組み合わせから選択される。いくつかの非限定的な例では、１つおよび／またはそれ以上の置換基（Ｒｃ）は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオロアルコキシ、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、ポリフルオロエチル、４－フルオロフェニル、３，４，５－トリフルオロフェニル、および４－（トリフルオロメトキシ）フェニルから選択される。
、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、フルオロアリール、トリフルオロアリール、ならびにそれらの任意の２つおよび／またはそれ以上の組み合わせから選択される。いくつかの非限定的な例では、１つおよび／またはそれ以上の置換基（Ｒｃ）は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオロアルコキシ、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、ポリフルオロエチル、４－フルオロフェニル、３，４，５－トリフルオロフェニル、および４－（トリフルオロメトキシ）フェニルから選択される。
いくつかの非限定的な例では、式（Ｖ）および／または（ＶＩ）の化合物では、Ａｒ１およびＡｒ３は各々、独立して、２－ナフチルを表す。いくつかの非限定的な例では、Ａｒ６およびＡｒ７のうちの少なくとも１つは、３，４，５－トリフルオロフェニルである。
いくつかの非限定的な例では、Ｒａ、Ｒｂ、およびＲｃは各々、２つおよび／またはそれ以上の置換基を表し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような置換基のうちの２つおよび／またはそれ以上は、縮合されたｔ形態のアリール環および／またはヘテロアリール環であり得る。いくつかの非限定的な例では、縮合ヘテロアリール環は、少なくとも１つのヘテロ原子を含有する。いくつかの非限定的な例では、縮合アリール環および／またはヘテロアリール環は、非置換であるか、１つおよび／またはそれ以上の追加の置換基によって置換される。そのような縮合ヘテロアリール環の非限定的な例には、下記に示す式Ｓ１～Ｓ１５からなる群が含まれるが、これらに限定されない。
当業者は、上記の縮合ヘテロアリール環Ｓ１～Ｓ１５のいずれかが、分子の一部分に様々な構成および／または位置において化学結合され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、本明細書で指すアリーレン基は、下記に示す式（Ａ－０）～（Ｒ－０）からなる群から選択される。
いくつかの非限定的な例では、式（Ａ－０）～（Ｒ－０）から選択されるアリーレン基のいずれかは、任意に、１つおよび／またはそれ以上の置換基によって置換され得る。そのような置換基の非限定的な例には、本明細書のＲａ、Ｒｂ、およびＲｃに関係して説明するものが含まれるがこれらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、アリール基は、下記に示す式（ＡＸ－０）～（ＲＸ－０）からなる群から選択される。
いくつかの非限定的な例では、置換基Ｒａ、Ｒｂ、および／またはＲｃは、独立して、下記に示す式（ＡＺ－１）～（ＡＺ－１３）からなる群から選択される。
いくつかの非限定的な例では、置換基Ｒａ、Ｒｂ、および／またはＲｃは、独立して、式（ＡＺ－５）、（ＡＺ－６）、（ＡＺ－７）、（ＡＺ－８）、（ＡＺ－９）、（ＡＺ－１１）、（ＡＺ－１２）、および／または（ＡＺ－１３）からなる群から選択される。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、式（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、（ＩＩ－１）、（ＩＩＩ－１）、（ＩＩＩ－２）、（ＩＩＩ－３）、（ＩＩＩ－４）、（ＩＩＩ－５）、（ＩＩＩ－６）、（ＩＩＩ－７）、（ＩＩＩ－８）、（ＩＩＩ－９）、（ＩＩＩ－１０）、（ＩＩＩ－１１）、（ＩＶ－１）、（ＩＶ－２）、および／または（ＶＩＩＩ－１）の化合物を含む。
Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７、およびＲａ８は各々、独立して、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、ならびにそれらの任意の２つおよび／またはそれ以上の組み合わせから選択される１つおよび／またはそれ以上の置換基の任意の存在を表す。いくつかの非限定的な例では、１つおよび／またはそれ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロ、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、ポリフルオロエチル、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル（５－、６－、７－、８－、および９－ベンズアトラセニルを含む）、ピレニル（１－、２－、および４－ピレニルを含む）、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ピラジン、キノキサリン、アルシジン（ａｒｃｉｄｉｎｅ）、ピリミジン、キナゾリン、ピリダジン、シンノリン、ならびにフタラジンから選択される。
いくつかの非限定的な例では、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７、およびＲａ８は各々、独立して、上述の式（ＡＺ－１）～（ＡＺ－１２）から選択される。いくつかの非限定的な例では、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７、およびＲａ８は各々、独立して、式（ＡＺ－５）、（ＡＺ－６）、（ＡＺ－７）、（ＡＺ－８）、（ＡＺ－９）、（ＡＺ－１１）、（ＡＺ－１２）、および／または（ＡＺ－１３）からなる群から選択される。
いくつかの非限定的な例では、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７、およびＲａ８は各々、独立して、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、ｔ－ブチル、トリフルオロメチル、およびトリフルオロメトキシから選択される。
いくつかの非限定的な例では、Ｒａ１およびＲａ４は、各場合において、アリールであり、Ｒａ２は、ヘテロアリールである。
式（ＩＩＩ－１０）を参照すると、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、およびＸ６は各々、独立して、炭素および／または窒素である。いくつかの非限定的な例では、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、およびＸ６のうちの少なくとも１つは窒素であり、残りは炭素である。いくつかの非限定的な例では、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、およびＸ６のうちの少なくとも２つは窒素であり、残りは炭素である。
式（ＩＩＩ－１１）、（ＩＶ－１）、および（ＩＶ－２）を参照すると、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、およびＸ１０は各々、独立して、炭素および／または窒素である。いくつかの非限定的な例では、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、およびＸ１０のうちの少なくとも１つは窒素であり、残りは炭素である。いくつかのさらなる非限定的な例では、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、およびＸ１０のうちの少なくとも２つは窒素であり、残りは炭素である。
式（ＩＩＩ－１１）を参照すると、いくつかの非限定的な例では、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、およびＸ６のうちの少なくとも１つは窒素であり、残りは炭素である。いくつかの非限定的な例では、Ｘ５は窒素であり、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、およびＸ１０は炭素である。
式（ＩＶ－１）および（ＩＶ－２）を参照すると、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８のうちの少なくとも１つは窒素であり、残りは炭素である。いくつかの非限定的な例では、Ｘ１、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、およびＸ８のうちの少なくとも１つは窒素であり、残りは炭素である。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０は、式ＩＩＩ－１２、ＩＶ－４、およびＶＩＩＩ－２の化合物を含む。
式ＩＩＩ－１２では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５、Ｚ６、Ｚ７、Ｚ８、Ｂ’１、Ｂ’２、Ｂ’３、Ｂ’４、Ｂ’５、Ｂ’６、およびＢ’８は各々、独立して、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、ハロアリール、ヘテロアリール、アルコキシ、ハロアルコキシ、フルオロアリールおよびトリフルオロアリール、ならびにそれらの任意の２つおよび／またはそれ以上の組み合わせから選択される１つおよび／またはそれ以上の置換基の任意の存在を表す。いくつかの非限定的な例では、１つおよび／またはそれ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオロアルコキシ、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、ポリフルオロエチル、４－フルオロフェニル、３，４，５－トリフルオロフェニル、および４－（トリフルオロメトキシ）フェニルから選択される。
いくつかの非限定的な例では、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ６、およびＺ７のうちの少なくとも１つは、３，４，５－トリフルオロフェニルである。
いくつかの非限定的な例では、Ｚ２およびＺ６のうちの少なくとも１つは、３，４，５－トリフルオロフェニルである。
非限定的な例では、Ｚ３およびＺ７のうちの少なくとも１つは、３，４，５－トリフルオロフェニルである。
式ＩＶ－４では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５、Ｚ６、Ｚ８、Ｂ’１、Ｂ’２、Ｂ’３、Ｂ’４、Ｂ’５、Ｂ’６、Ｂ’８、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、およびＡ５は各々、独立して、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、ハロアリール、ヘテロアリール、アルコキシ、ハロアルコキシ、フルオロアリールおよびトリフルオロアリール、ならびにそれらの任意の２つおよび／またはそれ以上の組み合わせから選択される１つおよび／またはそれ以上の置換基の任意の存在を表す。
いくつかの非限定的な例では、１つおよび／またはそれ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオロアルコキシ、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、ポリフルオロエチル、４－フルオロフェニル、３，４，５－トリフルオロフェニル、および４－（トリフルオロメトキシ）フェニルから選択される。
いくつかの非限定的な例では、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、およびＡ５のうちの少なくとも１つは、フルオロである。
いくつかの非限定的な例では、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、ならびにＡ５のうちの２つおよび／またはそれ以上、３つおよび／またはそれ以上、４つおよび／またはそれ以上は、フルオロである。いくつかの非限定的な例では、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、およびＡ５の各々は、フルオロである。
式ＶＩＩＩ－２では、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５、Ｚ６、Ｚ８、Ｂ’１、Ｂ’２、Ｂ’３、Ｂ’４、Ｂ’５、Ｂ’６、Ｂ’８、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ’１、Ａ’２、Ａ’４、Ａ’５、およびＡ’６は各々、独立して、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、ハロアリール、ヘテロアリール、アルコキシ、ハロアルコキシ、フルオロアリールおよびトリフルオロアリール、ならびにそれらの任意の２つおよび／またはそれ以上の組み合わせから選択される１つおよび／またはそれ以上の置換基の任意の存在を表す。いくつかの非限定的な例では、１つおよび／またはそれ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオロアルコキシ、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、ポリフルオロエチル、４－フルオロフェニル、３，４，５－トリフルオロフェニル、および４－（トリフルオロメトキシ）フェニルから選択される。
いくつかの非限定的な例では、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ’１、Ａ’２、Ａ’４、Ａ’５、およびＡ’６のうちの少なくとも１つは、Ｆ（フルオロ）、トリフルオロメトキシ、またはジフルオロメトキシである、および／またはそれらを含有する。
いくつかの非限定的な例では、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５，Ａ’１、Ａ’２、Ａ’４、Ａ’５、およびＡ’６のうちの少なくとも１つは、フルオロである。
いくつかの非限定的な例では、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５のうちの少なくとも１つはフルオロであり、Ａ’１、Ａ’２、Ａ’４、Ａ’５、およびＡ’６のうちの少なくとも１つはフルオロである。
いくつかの非限定的な例では、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５のうちの２つおよび／またはそれ以上、３つおよび／またはそれ以上、４つおよび／またはそれ以上はフルオロであり、Ａ’１、Ａ’２、Ａ’４、Ａ’５、ならびにＡ’６のうちの２つおよび／またはそれ以上、３つおよび／またはそれ以上、４つおよび／またはそれ以上はフルオロである。
いくつかの非限定的な例では、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ’１、Ａ’２、Ａ’４、Ａ’５、およびＡ’６の各々は、フルオロである。
いくつかの非限定的な例では、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ’１、Ａ’５、およびＡ’６の各々は、フルオロである。
いくつかの非限定的な例では、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５，Ａ’１、Ａ’２、Ａ’４、Ａ’５、およびＡ’６のうちの少なくとも１つは、トリフルオロメトキシである。
いくつかの非限定的な例では、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、およびＡ５うちの少なくとも１つはトリフルオロメトキシであり、Ａ’１、Ａ’２、Ａ’４、Ａ’５、およびＡ’６のうちの少なくとも１つは、トリフルオロメトキシである。
いくつかの非限定的な例では、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５のうちの２つおよび／またはそれ以上、ならびに／もしくは３つおよび／またはそれ以上はトリフルオロメトキシであり、Ａ’１、Ａ’２、Ａ’４、Ａ’５、ならびにＡ’６のうちの２つおよび／またはそれ以上、ならびに／もしくは３つおよび／またはそれ以上はトリフルオロメトキシである。
いくつかの非限定的な例では、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ’１、Ａ’５、およびＡ’６の各々は、トリフルオロメトキシである。
いくつかの非限定的な例では、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ’１、Ａ’２、Ａ’４、Ａ’５および、Ａ’６のうちの少なくとも１つは、ジフルオロメトキシである。
いくつかの非限定的な例では、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、およびＡ５のうちの少なくとも１つはジフルオロメトキシであり、Ａ’１、Ａ’２、Ａ’４、Ａ’５、およびＡ’６のうちの少なくとも１つはジフルオロメトキシである。
いくつかの非限定的な例では、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、ならびにＡ５のうちの２つ以上、および／または３つ以上はジフルオロメトキシであり、Ａ’１、Ａ’２、Ａ’４、Ａ’５、およびＡ’６のうちの２つ以上、および／または３つ以上はジフルオロメトキシである。
いくつかの非限定的な例では、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ’１、Ａ’５、およびＡ’６の各々は、ジフルオロメトキシである。
様々な芳香族基における共鳴結合の存在は、交互の単結合および二重結合によって示されるが、そのような表現は、本明細書では例示のみの目的で提供されており、芳香族基の結合配置を示された特定の配置に限定することを意図するものではないことが理解されよう。さらに、様々な芳香族構造における単結合および二重結合の表現は、したがって、芳香族構造が１つ以上のヘテロ原子を含むいくつかの非限定的な例では、再構成され得ることが理解されよう。
ここで、いくつかの非限定的な例の態様を、本開示の範囲を決して限定することを意図しない以下の実施例を参照して例示および説明する。
以下の化合物を、下記の一般的な合成手順を使用して合成した。
一般的な合成手順。以下の試薬（臭素化試薬、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４））、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）、およびボロン酸試薬）を、５００ｍＬの反応容器内で混合した。混合物を含む反応容器を加熱プレートマントルに置き、そしてマグネチックスターラーを使用して撹拌した。また、反応容器を水凝縮器に接続した。９：１の容積比のｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）：水を含有する十分に撹拌した３００ｍｌの溶媒混合物を、丸底フラスコで別個に調製した。溶媒混合物を含むフラスコを密封し、Ｎ２を使用して最低３０分間脱気した後、カニューレを使用して、空気に曝すことなく溶媒混合物を丸底フラスコから反応容器に移した。すべての溶媒混合物を移した後、反応容器を窒素でパージし、約１２００ＲＰＭで撹拌しながら９０℃の温度に加熱し、窒素環境下で少なくとも１２時間反応させた。反応が完了したと決定した後、混合物を室温に冷却してから３５００ｍＬの三角フラスコに移した。混合物を穏やかに撹拌しながらフラスコに水３２００ｍＬをゆっくりと加えた。混合物が２つの相に分離した後、ブフナー漏斗を使用して沈殿物を濾過し、乾燥させた。次いで、生成物を、１５０～２００ｍＴｏｒｒの減圧下でトレイン昇華を使用し、ＣＯ２をキャリアガスとして使用してさらに精製した。
化合物１の合成：９－（３－（ナフタレン－１－イル）フェニル）－１０－（フェナントレン－９－イル）アントラセン。以下の試薬：９－ブロモ－１０－（フェナントラセン－１０－イル）アントラセン（１．５０ｇ）、３－ナフタレン－１－イル）フェニルボロン酸（１．１２ｇ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（０．２２６ｇ）、およびＫ２ＣＯ３（０．９６ｇ）を用いて、化合物１を上述の一般的な合成手順を使用して合成した。昇華後の収率を５４．７ｍｏｌ％と決定した。
化合物２の合成：９－（ナフタレン－１－イル）－１０－（３－（ナフタレン－１－イル）フェニル）アントラセン。以下の試薬：９－ブロモ－１０－（ナフタレン－１－イル）アントラセン（１．５０ｇ）、３－ナフタレン－１－イル）フェニルボロン酸（１．２５ｇ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（０．２２６ｇ）、およびＫ２ＣＯ３（１．０７ｇ）を用いて、化合物２を上述の一般的な合成手順を使用して合成した。昇華後の収率を５０．６ｍｏｌ％と決定した。
化合物３の合成：２－（３－（１０－（ナフタレン－１－イル）アントラセン－９－イル）フェニル）－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール。以下の試薬：９－ブロモ－１０－（ナフタレン－１－イル）アントラセン（１．５０ｇ）、３－（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）フェニルボロン酸（１．６０ｇ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（０．２２６ｇ）、およびＫ２ＣＯ３（１．０８ｇ）を用いて、化合物３を上述の一般的な合成手順を使用して合成した。昇華後の収率を５５．３ｍｏｌ％と決定した。
化合物４の合成：３－（１０－（ナフタレン－１－イル）アントラセン－９－イル）キノリン。以下の試薬：９－ブロモ－１０－（ナフタレン－１－イル）アントラセン、（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４、Ｋ２ＣＯ３、および３－キノリンボロン酸を用いて、化合物４を上述の一般的な合成手順を使用して合成した。
化合物５の合成：９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）－２，６－ビス（３，４，５－トリフルオロフェニル）アントラセン。以下の試薬：２，６－ジブロモ－９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４、Ｋ２ＣＯ３、および３，４，５－トリフルオロフェニルボロン酸を用いて、化合物５を上述の一般的な合成手順を使用して合成した。
実施例１：化合物１～５の評価。様々な材料を使用してＮＩＣ９１０を形成する効果を特徴付けるために、一連のサンプルを、化合物１～５の各々を使用して調製し、ＮＩＣ９１０を形成した。
本明細書の例で使用するように、材料の層厚さへの言及は、ターゲット表面（ならびに／もしくは選択的堆積の場合は表面のターゲット領域および／またはその部分）に堆積された材料の量を指しており、これは、基準となる層の厚さを有する材料の均一に厚い層でターゲット表面を被覆する材料の量に対応する。一例として、１０ｎｍの層厚を堆積させることは、表面上に堆積された材料の量が、１０ｎｍ厚の材料の均一に厚い層を形成するための材料の量に対応することを示す。非限定的な例として、分子および／または原子のスタッキングならびに／もしくはクラスタリングの可能性があるため、堆積された材料の実際の厚さは不均一になる場合があることが理解されよう。非限定的な例として、１０ｎｍの層厚を堆積させることにより、１０ｎｍを超える実際の厚さを有する堆積材料のいくつかの部分、および／または１０ｎｍ未満の実際の厚さを有する堆積材料の他の部分が得られる場合がある。表面上に堆積された材料の特定の層の厚さは、表面全体にわたって堆積された材料の平均厚さに対応し得る。
一連のサンプルを、ガラス基板上に約５０ｎｍの厚さを有するＮＩＣ９１０を堆積することによって製作した。次いで、ＮＩＣ９１０の表面にＭｇのオープンマスク堆積を施した。各サンプルを、約５０Å／秒の平均蒸発速度を有するＭｇ蒸気フラックスに曝した。Ｍｇコーティングの堆積を実施する際に、約５００ｎｍのＭｇの基準層の厚さを取得するために、約１００秒の堆積時間を使用した。
サンプルが製作されると、ＮＩＣ９１０の表面上に堆積したＭｇの相対量を決定するために、光透過率測定を行った。理解されるように、非限定的な例として、数ｎｍ未満の厚さを有する比較的薄いＭｇコーティングは、実質的に透明である。しかしながら、Ｍｇコーティングの厚さが増すと、光透過率は低下する。したがって、様々なＮＩＣ９１０材料の相対的な性能は、サンプルを通る光透過率を測定することによって判断することができ、これは、Ｍｇ堆積プロセスからその上に堆積されたＭｇコーティングの量または厚さに直接相関する。ガラス基板およびＮＩＣ９１０の存在によって引き起こされた光の任意の損失および／または吸収を考慮すると、化合物１、２、３、４、および５を使用して調製されたサンプルはすべて、電磁スペクトルの可視部分にわたって約９０％を超える比較的高い透過率を示すことが見出された。高い光透過率は、ＮＩＣ９１０の表面上に存在して、サンプルを透過する光を吸収する比較的少量のＭｇコーティングがある場合に直接起因し得る。したがって、これらのＮＩＣ９１０材料は、概してＭｇに対する比較的低い親和性および／または初期付着確率Ｓ０を示し、したがって、ある特定の用途においてＭｇコーティングの選択的堆積およびパターニングを達成するために特に有用であり得る。
本明細書で説明するこの例および他の例で使用されるように、基準層の厚さは、高い初期付着確率Ｓ０を示す基準表面（例えば、約１．０、および／または１．０に近い初期付着確率Ｓ０を有する表面）に堆積されＭｇの層の厚さを指す。具体的には、これらの例の場合、基準表面は、堆積速度と基準層の厚さを監視するために堆積チャンバ内に位置付けられた水晶の表面である。換言すれば、基準層の厚さは、ターゲット表面（すなわち、ＮＩＣ９１０の表面）に堆積されたＭｇの実際の厚さを示すものではない。むしろ、基準層の厚さは、ターゲット表面および基準表面を同じ堆積期間（すなわち、水晶の表面）で同一のＭｇ蒸気フラックスに曝したときに、基準表面上に堆積されるＭｇの層厚さを指す。理解されるように、ターゲット表面と基準表面が堆積中に同時に同じ蒸気フラックスに曝されない場合、基準厚さを決定および監視するために適切なツーリングファクタが使用されてもよい。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、上記の核生成および成長の理論に基づいて、化合物１などの材料を堆積することによって形成された表面は、概して、吸着したＭｇ吸着原子の比較的低い脱離エネルギー（Ｅｄｅｓ）、Ｍｇ吸着原子の拡散の高い活性化エネルギー（Ｅｓ）、またはその両方を示すと想定されている。このように、Ｍｇの蒸気衝突速度（
）が増加しても、次の等式に従って決定される臨界核生成速度（
）は比較的低いままであり、Ｍｇの堆積を実質的に抑制する。
蒸気衝突速度（すなわち、蒸発速度）が増加すると、基板の温度が上昇し得ると想定されている。非限定的な例として、蒸発速度が増加するとき、蒸発源は通常、より高い温度で動作する。したがって、より高い蒸発速度では、基板は、基板を加熱し得る高いレベルの熱輻射に曝され得る。基板温度の上昇をもたらし得る他の要因には、基板表面に入射する多数の蒸発した分子からのエネルギー移動によって引き起こされる基板の加熱、ならびにプロセスでエネルギーを解放して加熱を引き起こす基板表面上の分子の凝縮および／または凝結の速度の増加が含まれる。
さらなる明確化のために、ＮＩＣ９１０の文脈で使用される場合の「選択性」という用語は、概して、導電性コーティングを形成するために使用される材料の蒸気フラックスに曝されたときに、ＮＩＣ９１０がその上への導電性コーティングの堆積を抑制および／または阻止する程度を指すと理解される。非限定的な例として、Ｍｇについて比較的高い選択性を示すＮＩＣ９１０は、概して、比較的低い選択性を有するＮＩＣ９１０と比較して、その上へのＭｇコーティングの堆積をより良好に抑制および／または阻止するであろう。概して、比較的高い選択性を示すＮＩＣ９１０はまた、比較的低い初期付着確率Ｓ０を示し、比較的低い選択性を示すＮＩＣ９１０は、比較的高い初期付着確率Ｓ０を示すことが観察されている。
実施例４。一連の動的モンテカルロ（ＫＭＣ）計算を行って、様々な活性化エネルギーを示す表面への金属吸着原子の堆積をシミュレーションした。具体的には、そのような表面をモノマーフラックスの一定速度で蒸発蒸気フラックスに曝すことにより、脱離（Ｅｄｅｓ）、拡散（Ｅｓ）、解離（Ｅｉ）、表面への反応（Ｅｂ）に関連した様々な活性化エネルギーレベルを有する表面へのＭｇ吸着原子のような金属吸着原子の堆積をシミュレーションするために計算を実施した。図３２は、現在の実施例で考慮された様々な「事象」の概略図である。図３２では、気相中の原子３２０１は、表面３２００に入射するように示されている。原子３２０１が表面３２００に吸着されると、それは吸着原子３２０３になる。吸着原子３２０３は、（ｉ）脱離（その上に脱離した原子３２１１が生成される）、（ｉｉ）拡散（表面３２００上で拡散する吸着原子３２１３を生じさせる）、（ｉｉｉ）核生成（臨界数の吸着原子３２１５が集まって核を形成する）、（ｉｖ）表面への反応（吸着原子３２１７が反応して表面３２００に結合する）、を含む様々な事象を経験する可能性がある。
脱離、拡散、または解離が発生する速度（Ｒ）は、下記で提供された等式に従って、試行の頻度（ω）、それぞれの事象の活性化エネルギー（Ｅ）、ボルツマン定数（ｋＢ）、およびシステムの温度（Ｔ）から計算される。
上記の計算の目的で、臨界クラスタサイズｉ（すなわち、安定した核を形成するための吸着原子の臨界数）を２に選択した。吸着原子－吸着原子相互作用の拡散の活性化エネルギーは約０．６ｅＶより大きくなるように選択し、吸着原子－吸着原子相互作用の脱離の活性化エネルギーは約１．５ｅＶより大きくなるように選択し、吸着原子－吸着原子相互作用の脱離の活性化エネルギーは、表面－吸着原子相互作用の脱離の活性化エネルギーの約１．２５倍より大きくなるように選択した。上記の値および条件は、Ｍｇ－Ｍｇ相互作用についての報告された値に基づいて選択した。シミュレーションの目的で、３００Ｋの温度（Ｔ）を使用した。タングステン－タングステンのような他の金属吸着原子－金属吸着原子活性化相互作用についての報告値を使用して、計算を繰り返した。上記の参照値は、非限定的な例として、Ｎｅｕｇｂａｕｅｒ，Ｃ．Ａ．，１９６４，Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ，２，１，Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ Ｄｉｓｏｒｄｅｒ Ｐｈｅｎｏｍｅｎａ ｉｎ Ｔｈｉｎ Ｍｅｔａｌ Ｆｉｌｍｓにおいて報告されている。
以下の等式に従って、シミュレーション期間中に表面に衝突したモノマーの総数（Ｎｔｏｔａｌ）のうち、表面に残っている吸着モノマーの数（Ｎａｄｓ）の割合を計算することにより、累積付着確率を決定した。
シミュレーションは、約９６ｎｍを超える基準厚さを有する膜を堆積させるための時間に対応する、約８分を超える堆積期間にわたって約２Å／秒に対応する蒸気フラックス速度を使用して堆積をシミュレートするために実施した。
典型的な表面の場合、脱離の活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）は、概して、拡散の活性化エネルギー（Ｅｓ）以上である。シミュレーションに基づいて、少なくともいくつか場合では、脱離の活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）と拡散の活性化エネルギー（Ｅｓ）との間に比較的小さい差を示す表面は、ＮＩＣ９１０の表面として作用するのに特に有用であり得ることが現在見出されている。いくつかの非限定的な例では、脱離の活性化エネルギーは、表面の拡散の活性化エネルギーを超えるおよび／またはそれに等しく、表面の拡散の活性化エネルギーの約１．１倍未満および／またはそれに等しい、約１．３倍未満および／またはそれに等しい、約１．５倍未満および／またはそれに等しい、約１．６倍未満および／またはそれに等しい、約１．７５倍未満および／またはそれに等しい、約１．８倍未満および／またはそれに等しい、約１．９倍未満および／またはそれに等しい、約２倍未満および／またはそれに等しい、ならびに／もしくは約２．５倍未満および／またはそれに等しい。いくつかの非限定的な例では、脱離の活性化エネルギーと拡散の活性化エネルギーとの間の差（例えば、絶対値に関して）は、約０．５ｅＶ未満および／またはそれに等しい、約０．４ｅＶ未満および／またはそれに等しい、約０．３５ｅＶ未満および／またはそれに等しく、いくつかの非限定的な例では、約０．３ｅＶ未満および／またはそれに等しい、ならびに／もしくは約０．２ｅＶ未満および／またはそれに等しい。いくつかの非限定的な例では、脱離の活性化エネルギーと拡散の活性化エネルギーとの間の差は、約０．０５ｅＶ～約０．４ｅＶ、約０．１ｅＶ～約０．３ｅＶ、および／または約０．１ｅＶ～約０．２ｅＶである。
また、少なくともいくつかの場合では、脱離の活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）と解離の活性化エネルギー（Ｅｉ）との間に比較的小さい差を示す表面は、ＮＩＣ９１０の表面として作用するのに特に有用であり得ることが現在見出されている。いくつかの非限定的な例では、脱離の活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）は、乗数に解離の活性化エネルギー（Ｅｉ）を掛けた値未満および／またはそれに等しい。いくつかの非限定的な例では、脱離の活性化エネルギーは、表面の解離の活性化エネルギーの約１．５倍未満および／またはそれに等しい、約２倍未満および／またはそれに等しい、約２．５倍未満および／またはそれに等しい、約２．８倍未満および／またはそれに等しい、約３倍未満および／またはそれに等しい、約３．２倍未満および／またはそれに等しい、約３．５倍未満および／またはそれに等しい、約４倍未満および／またはそれに等しい、ならびに／もしくは約５倍未満および／またはそれに等しい。
また、少なくともいくつかの場合では、拡散の活性化エネルギー（Ｅｓ）と解離の活性化エネルギー（Ｅｉ）との間に比較的小さい差を示す表面は、ＮＩＣ９１０の表面として作用するのに特に有用であり得ることが現在見出されている。いくつかの非限定的な例では、拡散の活性化エネルギー（Ｅｓ）は、乗数に解離の活性化エネルギー（Ｅｉ）を掛けた値未満および／またはそれに等しい。いくつかの非限定的な例では、拡散の活性化エネルギーは、表面の解離の活性化エネルギーの約２倍未満および／またはそれに等しい、約２．５倍未満および／またはそれに等しい、約２．８倍未満および／またはそれに等しい、約３倍未満および／またはそれに等しい、約３．２倍未満および／またはそれに等しい、約３．５倍未満および／またはそれに等しい、約４倍未満および／またはそれに等しい、ならびに／もしくは約５倍未満および／またはそれに等しい。
いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ９１０の脱離の活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）と、拡散の活性化エネルギー（Ｅｓ）と、表面の解離の活性化エネルギー（Ｅｉ）との間の関係は、以下のように表され得る。
Ｅｄｅｓ≦α＊Ｅｓ≦β＊Ｅｉ
式中、αは約１．１～約２．５の範囲から選択される任意の数であり得、βは約２～約５の範囲から選択される任意の数であり得る。いくつかの非限定的な例では、αは約１．５～約２の範囲から選択される任意の数であり得、βは約２．５～約３．５の範囲から選択される任意の数であり得る。別の非限定的な例では、αは約１．７５になるように選択され、βは約３になるように選択される。
Ｅｄｅｓ≦α＊Ｅｓ≦β＊Ｅｉ
式中、αは約１．１～約２．５の範囲から選択される任意の数であり得、βは約２～約５の範囲から選択される任意の数であり得る。いくつかの非限定的な例では、αは約１．５～約２の範囲から選択される任意の数であり得、βは約２．５～約３．５の範囲から選択される任意の数であり得る。別の非限定的な例では、αは約１．７５になるように選択され、βは約３になるように選択される。
以下の関係を有する表面は、少なくともある特定の場合において、Ｍｇ蒸気について約０．１未満の累積付着確率を示す場合があることが現在見出されている。
Ｅｄｅｓ≦１．７５＊Ｅｓ≦３＊Ｅｉ
Ｅｄｅｓ≦１．７５＊Ｅｓ≦３＊Ｅｉ
したがって、上記の活性化エネルギーの関係を有する表面は、いくつかの実施例では、ＮＩＣ９１０の表面としての使用に特に有利であり得る。
上記の活性化エネルギーの関係に加えて、拡散の活性化エネルギーと解離の活性化エネルギーとの間に約０．３ｅＶ未満および／またはそれに等しい比較的小さい差を示す表面は、約０．１未満の累積付着確率が望まれるある特定の用途において特に有用であり得ることが現在見出されている。拡散の活性化エネルギー（Ｅｓ）と解離の活性化エネルギー（Ｅｉ）との間のエネルギー差（ΔＥｓ－ｉ）は、以下の等式に従って計算され得る。
ΔＥｓ－ｉ＝Ｅｓ－Ｅｉ
ΔＥｓ－ｉ＝Ｅｓ－Ｅｉ
非限定的な例として、少なくともいくつかの場合では、拡散の活性化エネルギーと解離の活性化エネルギーとの間のエネルギー差が約０．２５ｅＶ未満および／またはそれに等しい表面は、Ｍｇ蒸気についての累積付着確率が約０．０７未満および／またはそれに等しいことが現在見出されている。他の例では、ΔＥｓ－ｉが約０．２ｅＶ未満および／またはそれに等しい場合、累積付着確率は約０．０５未満および／またはそれに等しくなり、ΔＥｓ－ｉが約０．１ｅＶ未満および／またはそれに等しい場合、累積付着確率は約０．０４未満および／またはそれに等しくなり、ΔＥｓ－ｉが約０．０５ｅＶ未満および／またはそれに等しい場合、累積付着確率は約０．０２５未満および／またはそれに等しくなる。
したがって、いくつかの非限定的な例では、表面は、以下の不等式の関係において、以下によって特徴付けられ、αは、約１．１～約２．５の範囲、および／またはいくつかの限定的な例では、非限定的な例として約１．７５などの約１．５～約２の範囲から選択される任意の数であり、βは、約２～約５の範囲、および／またはいくつかの非限定的な例では、非限定的な例として約３などの約２．５～約３．５の範囲から選択される任意の数であり、
Ｅｄｅｓ≦α＊Ｅｓ≦β＊Ｅｉ
ここで、次の等式に従って計算されたΔＥｓ－ｉは、次の等式において約０．３ｅＶ未満および／またはそれに等しい、約０．２５ｅＶ未満および／またはそれに等しい、約０．２ｅＶ未満および／またはそれに等しい、約０．１５ｅＶ未満および／またはそれに等しい、約０．１ｅＶ未満および／またはそれに等しい、ならびに／もしくは約０．０５ｅＶ未満および／またはそれに等しい。
ΔＥｓ－ｉ＝Ｅｓ－Ｅｉ
Ｅｄｅｓ≦α＊Ｅｓ≦β＊Ｅｉ
ここで、次の等式に従って計算されたΔＥｓ－ｉは、次の等式において約０．３ｅＶ未満および／またはそれに等しい、約０．２５ｅＶ未満および／またはそれに等しい、約０．２ｅＶ未満および／またはそれに等しい、約０．１５ｅＶ未満および／またはそれに等しい、約０．１ｅＶ未満および／またはそれに等しい、ならびに／もしくは約０．０５ｅＶ未満および／またはそれに等しい。
ΔＥｓ－ｉ＝Ｅｓ－Ｅｉ
計算の結果も分析して、シミュレーションされた初期付着確率Ｓ０を決定し、これは、本実施例では、約１ｎｍの平均厚さを有するＭｇコーティングを得るそのような表面上に堆積したときの表面上のＭｇの付着確率であると特定された。結果の分析に基づいて、少なくともいくつかの場合では、脱離の活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）が拡散の活性化エネルギー（Ｅｓ）の約２倍未満であり、拡散のエネルギー（Ｅｓ）が解離の活性化エネルギー（Ｅｉ）の約３倍未満である表面は、概して、約０．１未満の比較的低い初期付着確率Ｓ０を示すことが現在見出されている。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、様々な事象の活性化エネルギーおよび上記のこれらのエネルギー間のそれぞれの関係は、概して、表面への吸着原子反応の活性化エネルギー（Ｅｂ）が脱離の活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）よりも大きい表面に適用されると想定される。表面への吸着原子反応の活性化エネルギー（Ｅｂ）が脱離の活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ）未満である表面については、そのような表面での吸着原子の初期付着確率Ｓ０は、概して約０．１を超えると想定される。
当業者は、上記の様々な活性化エネルギーは、電子ボルト（ｅＶ）などの任意のエネルギー単位で測定された負ではない値として処理されることを理解するであろう。そのような場合、上述の活性化エネルギーに関連する様々な不等式および式が概して適用可能であり得る。
様々な活性化エネルギーのシミュレーションされた値が上記で議論されたが、これらの活性化エネルギーはまた、様々な技術を使用して実験的に測定および／または導出され得ることが理解されよう。このような目的で使用できる技術と機器の例には、熱脱離分光法、フィールドイオン顕微鏡（ＦＩＭ）、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、および中性子放射化トレーサースキャン（ＮＡＴＳ）が含まれるが、これらに限定されない。
概して、本明細書で説明する様々な活性化エネルギーは、表面の一般的な組成と構造および吸着原子が（例えば、実験的測定と分析によって）特定されている場合、量子化学シミュレーションを実施することによって導出できる。シミュレーションについては、非限定的な例として、単一のエネルギー点、遷移状態、エネルギー表面スキャン、および局所／大域エネルギー最小値などの方法を使用する量子化学シミュレーションを使用することができる。非限定的な例として、密度汎関数理論（ＤＦＴ）、ハートリーフォック（ＨＦ）、自己無撞着場（ＳＣＦ）、および完全構成相互作用（ＦＣＩ）などの様々な理論を、そのようなシミュレーション方法と併せて使用することができる。理解されるように、拡散、脱離、および核生成などの様々な事象は、初期状態、遷移状態、および最終状態の相対エネルギーを調べることによってシミュレーションすることができる。非限定的な例として、遷移状態と初期状態との間の相対的なエネルギー差は、概して、様々な事象に関連する活性化エネルギーの比較的正確な推定を提供し得る。
本開示の特徴および／または態様がマーカッシュグループに関して説明する場合、本開示がまた、それにより、そのようなマーカッシュグループの要素のサブグループの任意の個々の要素に関して説明していることが当業者に理解されよう。
専門用語
特に明記されていない限り、単数形の参照には複数形が含まれ、その逆も同様である。
特に明記されていない限り、単数形の参照には複数形が含まれ、その逆も同様である。
本明細書で使用される場合、「第１の」および「第２の」などの関係用語、および「ａ」、「ｂ」などのような、番号を付したデバイスは、そのような対象物および／または要素間の物理的および／または論理的関係ならびに／もしくは順序を必ずしも必要かつ／あるいは暗示することなく、１つの対象物および／または要素を別の対象物と区別するためにのみ使用され得る。
「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」および「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という用語は、広範かつオープンエンド様式で使用され、したがって、「含むが、～に限定されない」を意味すると解釈されるべきである。「例」および「例示的な」という用語は、単に例示の目的で事例を識別するために使用され、本発明の範囲を記述された事例に限定するものとして解釈されるべきではない。特に、「例示的な」という用語は、デザイン、性能、および／またはその他の観点から、それが使用される表現に賞賛、有益、および／または他の品質を示すおよび／または授けると解釈されるべきではない。
任意の形態の「結合する」および「通信する」という用語は、光学的、電気的、機械的、化学的、および／または別の方法であるかに関わらず、いくつかのインターフェース、デバイス、中間構成要素、および／または接続を通した直接接続ならびに／もしくは間接接続のいずれかを意味することを意図する。
別の構成要素に対する最初の構成要素に関して使用されるときの「上（ｏｎ）」および／または「上（ｏｖｅｒ）」、ならびに／もしくは「被覆する（ｃｏｖｅｒｉｎｇ）」および／または別の構成要素を「被覆する（ｃｏｖｅｒｓ）」という用語は、最初の構成要素が他の構成要素上に直接ある（それと物理的に接触している）場面、ならびに１つ以上の介在する構成要素が最初の構成要素と他の構成要素との間に位置決めされている場面を包含し得る。
「上向き」、「下向き」、「左」および「右」などの方向用語は、特記しない限り、参照される図面内の方向を指すために使用される。同様に、「内向き」および「外向き」などの単語は、それぞれ、デバイスの幾何中心、面積および／または体積、ならびに／もしくはそれらの指示された一部に向かう方向、かつ離れる方向を指すために使用される。さらに、本明細書で説明するすべての寸法は、ある特定の非限定的な例を示す目的の例としてのみ意図されており、本開示の範囲を、指定され得るようなそのような寸法から逸脱し得る任意の非限定的な例に限定することを意図しない。
本明細書で使用する場合、「実質的に」、「実質的な」、「約（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）」、および／または「約（ａｂｏｕｔ）」という用語は、小さい変動を示し、考慮するために使用される。事象および／または状況と併せて使用するとき、そのような用語は、事象および／または状況が正確に発生する場合だけでなく、事象および／または状況が極めて近似的に発生する場合も指す場合がある。非限定的な例として、数値と併せて使用されるとき、そのような用語は、±５％未満および／またはそれに等しい、±４％未満および／またはそれに等しい、±３％未満および／またはそれに等しい、±２％未満および／またはそれに等しい、±１％未満および／またはそれに等しい、±０．５％未満および／またはそれに等しい、±０．１％未満および／またはそれに等しい、ならびに／もしくは±０．０５％未満それに等しいなどの、そのような数値の±１０％未満および／またはそれに等しい変動の範囲を指すことができる。
本明細書で使用される場合、「から実質的になる」という語句は、具体的に列挙されたこれらの要素、および説明する技術の基本的かつ新規の特徴に著しく影響を与えない任意の追加の要素を含むと理解されるが、任意の修飾語句を使用していない「からなる」という句は、具体的に説明していない任意の要素を除外する。
当業者によって理解されるように、特に書面による説明を提供するという観点から、ありとあらゆる目的のために、本明細書に開示されるすべての範囲は、ありとあらゆる可能な部分範囲およびその部分範囲の組み合わせも包含する。任意に列挙された範囲は、２分の１、３分の１、４分の１、５分の１、１０分の１などを含むがこれらに限定されない、同じ範囲を少なくともその等しい分数に分割することを十分に説明し、可能にするものとして簡単に認識することができる。非限定的な例として、本明細書で述べる各範囲は、下３分の１、中３分の１、および／または上３分の１などに容易に分割することができる。
また、当業者によって理解されるように、「最大」、「少なくとも」、「より大きい」、「未満」などのすべての言語および／または専門用語は、列挙された範囲を含む、および／またはそれ（それら）を指す場合があり、本明細書で述べるように、その後部分範囲に分割することができる範囲も指す場合がある。
当業者によって理解されるように、範囲は、列挙された範囲の各個々の要素を含む。
概要
要約書の目的は、関連する特許庁および／または一般利用者、かつ具体的には特許および／または法的な用語ならびに／もしくは言い回しに精通していない当業者が、大まかな検査、技術開示の性質から迅速に決定することを可能にするためである。要約は、本開示の範囲を定義することを意図するものでも、決して本開示の範囲を限定することを意図するものでもない。
要約書の目的は、関連する特許庁および／または一般利用者、かつ具体的には特許および／または法的な用語ならびに／もしくは言い回しに精通していない当業者が、大まかな検査、技術開示の性質から迅速に決定することを可能にするためである。要約は、本開示の範囲を定義することを意図するものでも、決して本開示の範囲を限定することを意図するものでもない。
現在開示されている実施例の構造、製造、および使用は、上述されている。述べた特定の実施例は、本明細書に開示された概念を作製および使用するための特定の方法の単なる例示であり、本開示の範囲を限定するものではない。むしろ、本明細書に記述された一般原則は、本開示の範囲の単なる例示であると見なされる。
提供される実装形態の詳細ではなく特許請求の範囲によって説明し、変更、省略、追加、および／または置換することによって、かつ／あるいは代替物および／または均等物の機能的要素を有する任意の要素ならびに／もしくは限定の欠如によって修正することができる本開示は、本明細書に具体的に開示されているかどうかにかかわらず、当業者には明らかであり、本明細書に開示された実施例に対して行うことができ、本開示から外れることなく、多種多様な特定の文脈で具体化され得る多くの適用可能な発明の概念を提供し得る。
特に、上記の実施例のうちの１つ以上に説明および例示する特徴、技法、システム、サブシステム、および方法は、個別のおよび／または別個のものとして説明しており、例示されているかどうかにかかわらず、本開示の範囲から逸脱することなく、別のシステムと組み合わせる、および／またはそれと一体化して、明示的に上述されていない場合がある特徴部の組み合わせおよび／または部分組み合わせ、ならびに／もしくは特定の機能が省略されている、および／または実装されていないある特定の特徴部から成る代替実施例を作成することができる。そのような組み合わせおよび部分組み合わせに好適な特徴部は、本出願全体を見直すと、当業者には容易に明らかになるであろう。変化、置換、および変更の他の例は、簡単に確認可能であり、本明細書に開示された精神および範囲から逸脱することなく行うことができる。
本開示の原理、態様、および実施例、ならびにそれらの具体例を列挙する本明細書のすべての記述は、それらの構造的均等物および機能的均等物の両方を包含し、技術におけるすべての好適な変化を網羅および包含することを意図している。追加的に、そのような均等物には、現在知られている均等物および将来開発される均等物の両方、すなわち、構造に関係なく同じ機能を実行する開発された任意の要素が含まれることが意図されている。
したがって、本明細書およびそこに開示された実施例は、例示のみであると見なされるべきであり、本開示の真の範囲は、以下の番号が付された特許請求の範囲によって開示されている。
本発明の好ましい実施形態によれば、例えば、以下が提供される。
（項１）
光電子デバイスであって、
前記デバイスの横方向の第１の部分の前記デバイスの表面上に配設された核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）と、
前記デバイスの前記横方向の第２の部分の前記デバイスの表面上に配設された導電性コーティングと、を含み、
前記第１の部分内の前記ＮＩＣの表面上に前記導電性コーティングを形成するための初期付着確率が、前記第１の部分に前記導電性コーティングが実質的にないように、前記第２の部分内の前記表面上に前記導電性コーティングを形成するための前記初期付着確率よりも実質的に低く、
前記ＮＩＣが、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、および（ＶＩＩＩ）からなる群から選択される式を有する化合物を含み、
式中、
Ａｒ１が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、４～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリール基、または５～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基を表し、
Ｒａが、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、ハロアルコキシ、フルオロアルコキシ、フルオロアリール、およびトリフルオロアリールである、１つ以上の置換基を表し、
Ｒｂが、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ハロアリール、ヘテロアリール、アルコキシ、ハロアルコキシ、フルオロアルコキシ、フルオロアリール、およびトリフルオロアリールである、１つ以上の置換基を表し、
Ａｒ２が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、または４～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基を表し、
Ａｒ３が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、４～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリール基、または５～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基を表し、
Ａｒ４が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、または４～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基を表し、
Ａｒ５が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、４～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリール基、または５～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基を表し、
Ａｒ６が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のハロアリール基、６～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、または５～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換ヘテロアリール基を表し、
Ａｒ７が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のハロアリール基、６～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、または５～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリール基を表す、光電子デバイス。
（項２）
前記第１の部分が、少なくとも１つの発光領域を含む、上記項１に記載の光電子デバイス。
（項３）
前記第２の部分が、非発光領域の少なくとも一部を含む、上記項１または２に記載の光電子デバイス。
（項４）
前記第１の部分の前記少なくとも１つの発光領域内の前記ＮＩＣの厚さが、その光学マイクロキャビティ効果を調節するように調整される、上記項２または３に記載の光電子デバイス。
（項５）
第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極との間の半導電性層をさらに含み、前記第２の電極が、前記第１の部分内の前記ＮＩＣと前記半導電性層との間に延在する、上記項１～４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項６）
前記導電性コーティングが、前記第２の電極に電気的に結合される、上記項５に記載の光電子デバイス。
（項７）
前記導電性コーティングが、前記第２の部分内の前記第２の電極の少なくとも一部をコーティングする、上記項５または６に記載の光電子デバイス。
（項８）
前記第２の電極とその少なくとも一部に沿った前記導電性コーティングとの間に少なくとも１つの中間コーティングを含む、上記項５～７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項９）
前記中間コーティングが、核生成促進コーティング（ＮＰＣ）を含む、上記項８に記載の光電子デバイス。
（項１０）
前記中間コーティングが、ＮＩＣの表面上に前記導電性コーティングを形成するための前記初期付着確率を実質的に上昇させるように加工されたＮＩＣを含む、上記項８または９に記載の光電子デバイス。
（項１１）
前記中間コーティングが、放射線への曝露によって加工されている、上記項１０に記載の光電子デバイス。
（項１２）
前記第２の部分の少なくとも第２の一部が、前記第１の部分の少なくとも第１の一部と重なり、前記第２の一部内の前記導電性コーティングの断面厚さが、前記第２の部分の残りの一部内の前記導電性コーティングの断面厚さよりも薄い、上記項２～１１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項１３）
前記導電性コーティングが、前記第１の一部に近い前記第１の部分の少なくともセクションに沿って前記ＮＩＣの上に配設される、上記項１２に記載の光電子デバイス。
（項１４）
前記導電性コーティングが、断面図において前記ＮＩＣから離間している、上記項１３に記載の光電子デバイス。
（項１５）
前記導電性コーティングが、前記第１の一部と前記第２の部分との間の境界で前記ＮＩＣに当接している、上記項１２または１４に記載の光電子デバイス。
（項１６）
前記導電性コーティングが、前記境界で前記ＮＩＣとの接触角を形成する、上記項１５に記載の光電子デバイス。
（項１７）
前記接触角が、１０度を上回る、上記項１６に記載の光電子デバイス。
（項１８）
前記接触角が、９０度を上回る、上記項１６または１７に記載の光電子デバイス。
（項１９）
前記第１の部分の少なくとも第１の一部が、前記第２の部分の少なくとも第２の一部と重なる、上記項２～１１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項２０）
前記ＮＩＣが、前記第２の一部内の前記デバイスの前記表面上に配設され、前記導電性コーティングが、その中の前記ＮＩＣ上に配設されている、上記項１９に記載の光電子デバイス。
（項２１）
前記導電性コーティングが、断面図において前記ＮＩＣから離間している、上記項２０に記載の光電子デバイス。
（項２２）
前記第２の一部が、前記第１の一部と前記少なくとも１つの発光領域を含む前記第２の部分の第３の一部との間に延在する、上記項２～２１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項２３）
前記第３の一部の前記少なくとも１つの発光領域が、第１の電極、前記導電性コーティングに電気的に結合された第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極との間の半導電性層を含み、前記第２の電極が、前記ＮＩＣと前記第３の一部内の前記半導電性層との間に延在する、上記項２２に記載の光電子デバイス。
（項２４）
前記導電性コーティングが、補助電極に電気的に結合される、上記項２～２３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項２５）
前記導電性コーティングが、前記補助電極と物理的に接触している、上記項２４に記載の光電子デバイス。
（項２６）
前記補助電極が、前記第１の一部にある、上記項２４または２５に記載の光電子デバイス。
（項２７）
前記第２の部分が、少なくとも１つの追加の発光領域を含む、上記項５～１１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項２８）
前記デバイスの前記第２の部分の前記追加の発光領域のうちの少なくとも１つが、第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極との間の半導電性層を含み、前記第２の電極が、前記導電性コーティングを含む、上記項２７に記載の光電子デバイス。
（項２９）
前記デバイスの前記第２の部分の前記少なくとも１つの追加の発光領域から放出された光の波長が、前記デバイスの前記第１の部分の前記少なくとも１つの発光領域から放出された光の波長と異なる、上記項２７または２８に記載の光電子デバイス。
（項３０）
前記導電性コーティングが、補助電極を含む、上記項１～２３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項３１）
前記第２の部分が、少なくとも１つの発光領域を含む、上記項１に記載の光電子デバイス。
（項３２）
前記第１の部分が、非発光領域の少なくとも一部を含む、上記項３１に記載の光電子デバイス。
（項３３）
前記第１の部分が、前記第１の部分を通して実質的に光透過性である、上記項３１または３２に記載の光電子デバイス。
（項３４）
第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極との間の半導電性層をさらに含み、前記第２の電極が、前記第１の部分内の前記ＮＩＣと前記半導電性層との間に延在する、上記項３１～３３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項３５）
前記第２の電極が、前記導電性コーティングと前記第２の部分内の前記半導電性層との間に延在する、上記項３４に記載の光電子デバイス。
（項３６）
第１の電極、前記第１の電極と前記導電性コーティングとの間の半導電性層をさらに含み、前記導電性コーティングが、前記デバイスの第２の電極を含む、上記項３１～３５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項３７）
Ａｒ１が、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル、ピレニル、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ピラジン、キノキサリン、アルシジン（ａｒｃｉｄｉｎｅ）、ピリミジン、キナゾリン、ピリダジン、シンノリン、およびフタルジン（ｐｈｔｈａｌｚｉｎｅ）からなる群から選択される、上記項１～３６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項３８）
Ｒａが、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオルアルコキシ（ｆｌｕｏｒａｌｋｏｘｙ）、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、ポリフルオロエチル、フルオロフェニル、トリフルオロフェニル、およびトリフルオロメトキシフェニルからなる群から選択される、上記項１～３７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項３９）
Ｒｂが、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トルフルオロメチル（ｔｒｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）、フルオロアルコキシ、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、ポリフルオロエチル、フルオロフェニル、トリフルオロフェニル、およびトリフルオロメトキシフェニルからなる群から選択される、上記項１～３８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項４０）
Ａｒ２が、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン（ａｎｔｈｒａｃｙｌｅｎｅ）、フェナントリレン、ベンズアントラシレン、およびピレニレンからなる群から選択される、上記項１～３９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項４１）
Ａｒ３が、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル、ピレニル、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ピラジン、キノキサリン、アルシジン（ａｒｃｉｄｉｎｅ）、ピリミジン、キアゾリン（ｑｕｉａｚｏｌｉｎｅ）、ピリダジン、シンノリン、およびフタラジンからなる群から選択される、上記項１～４０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項４２）
Ａｒ４が、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ベンズアントラシレン、ピレニレン、およびベンズイミダゾールからなる群から選択される、上記項１～４１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項４３）
Ａｒ５が、フェニル、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル、およびピレニルからなる群から選択される、上記項１～４２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項４４）
Ａｒ６が、フェニル、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル、ピレニル、４－フルオロフェニル、３，４，５－トリフルオロフェニル、および４－（トリフルオロメトキシ）フェニルからなる群から選択される、上記項１～４３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項４５）
Ａｒ７が、フェニル、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル、ピレニル、４－フルオロフェニル、３，４，５－トリフルオロフェニル、および４－（トリフルオロメトキシ）フェニルからなる群から選択される、上記項１～４４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
本発明の好ましい実施形態によれば、例えば、以下が提供される。
（項１）
光電子デバイスであって、
前記デバイスの横方向の第１の部分の前記デバイスの表面上に配設された核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）と、
前記デバイスの前記横方向の第２の部分の前記デバイスの表面上に配設された導電性コーティングと、を含み、
前記第１の部分内の前記ＮＩＣの表面上に前記導電性コーティングを形成するための初期付着確率が、前記第１の部分に前記導電性コーティングが実質的にないように、前記第２の部分内の前記表面上に前記導電性コーティングを形成するための前記初期付着確率よりも実質的に低く、
前記ＮＩＣが、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、および（ＶＩＩＩ）からなる群から選択される式を有する化合物を含み、
Ａｒ１が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、４～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリール基、または５～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基を表し、
Ｒａが、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、ハロアルコキシ、フルオロアルコキシ、フルオロアリール、およびトリフルオロアリールである、１つ以上の置換基を表し、
Ｒｂが、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ハロアリール、ヘテロアリール、アルコキシ、ハロアルコキシ、フルオロアルコキシ、フルオロアリール、およびトリフルオロアリールである、１つ以上の置換基を表し、
Ａｒ２が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、または４～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基を表し、
Ａｒ３が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、４～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリール基、または５～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基を表し、
Ａｒ４が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、または４～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基を表し、
Ａｒ５が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、４～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリール基、または５～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基を表し、
Ａｒ６が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のハロアリール基、６～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、または５～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換ヘテロアリール基を表し、
Ａｒ７が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のハロアリール基、６～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、または５～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリール基を表す、光電子デバイス。
（項２）
前記第１の部分が、少なくとも１つの発光領域を含む、上記項１に記載の光電子デバイス。
（項３）
前記第２の部分が、非発光領域の少なくとも一部を含む、上記項１または２に記載の光電子デバイス。
（項４）
前記第１の部分の前記少なくとも１つの発光領域内の前記ＮＩＣの厚さが、その光学マイクロキャビティ効果を調節するように調整される、上記項２または３に記載の光電子デバイス。
（項５）
第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極との間の半導電性層をさらに含み、前記第２の電極が、前記第１の部分内の前記ＮＩＣと前記半導電性層との間に延在する、上記項１～４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項６）
前記導電性コーティングが、前記第２の電極に電気的に結合される、上記項５に記載の光電子デバイス。
（項７）
前記導電性コーティングが、前記第２の部分内の前記第２の電極の少なくとも一部をコーティングする、上記項５または６に記載の光電子デバイス。
（項８）
前記第２の電極とその少なくとも一部に沿った前記導電性コーティングとの間に少なくとも１つの中間コーティングを含む、上記項５～７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項９）
前記中間コーティングが、核生成促進コーティング（ＮＰＣ）を含む、上記項８に記載の光電子デバイス。
（項１０）
前記中間コーティングが、ＮＩＣの表面上に前記導電性コーティングを形成するための前記初期付着確率を実質的に上昇させるように加工されたＮＩＣを含む、上記項８または９に記載の光電子デバイス。
（項１１）
前記中間コーティングが、放射線への曝露によって加工されている、上記項１０に記載の光電子デバイス。
（項１２）
前記第２の部分の少なくとも第２の一部が、前記第１の部分の少なくとも第１の一部と重なり、前記第２の一部内の前記導電性コーティングの断面厚さが、前記第２の部分の残りの一部内の前記導電性コーティングの断面厚さよりも薄い、上記項２～１１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項１３）
前記導電性コーティングが、前記第１の一部に近い前記第１の部分の少なくともセクションに沿って前記ＮＩＣの上に配設される、上記項１２に記載の光電子デバイス。
（項１４）
前記導電性コーティングが、断面図において前記ＮＩＣから離間している、上記項１３に記載の光電子デバイス。
（項１５）
前記導電性コーティングが、前記第１の一部と前記第２の部分との間の境界で前記ＮＩＣに当接している、上記項１２または１４に記載の光電子デバイス。
（項１６）
前記導電性コーティングが、前記境界で前記ＮＩＣとの接触角を形成する、上記項１５に記載の光電子デバイス。
（項１７）
前記接触角が、１０度を上回る、上記項１６に記載の光電子デバイス。
（項１８）
前記接触角が、９０度を上回る、上記項１６または１７に記載の光電子デバイス。
（項１９）
前記第１の部分の少なくとも第１の一部が、前記第２の部分の少なくとも第２の一部と重なる、上記項２～１１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項２０）
前記ＮＩＣが、前記第２の一部内の前記デバイスの前記表面上に配設され、前記導電性コーティングが、その中の前記ＮＩＣ上に配設されている、上記項１９に記載の光電子デバイス。
（項２１）
前記導電性コーティングが、断面図において前記ＮＩＣから離間している、上記項２０に記載の光電子デバイス。
（項２２）
前記第２の一部が、前記第１の一部と前記少なくとも１つの発光領域を含む前記第２の部分の第３の一部との間に延在する、上記項２～２１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項２３）
前記第３の一部の前記少なくとも１つの発光領域が、第１の電極、前記導電性コーティングに電気的に結合された第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極との間の半導電性層を含み、前記第２の電極が、前記ＮＩＣと前記第３の一部内の前記半導電性層との間に延在する、上記項２２に記載の光電子デバイス。
（項２４）
前記導電性コーティングが、補助電極に電気的に結合される、上記項２～２３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項２５）
前記導電性コーティングが、前記補助電極と物理的に接触している、上記項２４に記載の光電子デバイス。
（項２６）
前記補助電極が、前記第１の一部にある、上記項２４または２５に記載の光電子デバイス。
（項２７）
前記第２の部分が、少なくとも１つの追加の発光領域を含む、上記項５～１１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項２８）
前記デバイスの前記第２の部分の前記追加の発光領域のうちの少なくとも１つが、第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極との間の半導電性層を含み、前記第２の電極が、前記導電性コーティングを含む、上記項２７に記載の光電子デバイス。
（項２９）
前記デバイスの前記第２の部分の前記少なくとも１つの追加の発光領域から放出された光の波長が、前記デバイスの前記第１の部分の前記少なくとも１つの発光領域から放出された光の波長と異なる、上記項２７または２８に記載の光電子デバイス。
（項３０）
前記導電性コーティングが、補助電極を含む、上記項１～２３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項３１）
前記第２の部分が、少なくとも１つの発光領域を含む、上記項１に記載の光電子デバイス。
（項３２）
前記第１の部分が、非発光領域の少なくとも一部を含む、上記項３１に記載の光電子デバイス。
（項３３）
前記第１の部分が、前記第１の部分を通して実質的に光透過性である、上記項３１または３２に記載の光電子デバイス。
（項３４）
第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極との間の半導電性層をさらに含み、前記第２の電極が、前記第１の部分内の前記ＮＩＣと前記半導電性層との間に延在する、上記項３１～３３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項３５）
前記第２の電極が、前記導電性コーティングと前記第２の部分内の前記半導電性層との間に延在する、上記項３４に記載の光電子デバイス。
（項３６）
第１の電極、前記第１の電極と前記導電性コーティングとの間の半導電性層をさらに含み、前記導電性コーティングが、前記デバイスの第２の電極を含む、上記項３１～３５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項３７）
Ａｒ１が、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル、ピレニル、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ピラジン、キノキサリン、アルシジン（ａｒｃｉｄｉｎｅ）、ピリミジン、キナゾリン、ピリダジン、シンノリン、およびフタルジン（ｐｈｔｈａｌｚｉｎｅ）からなる群から選択される、上記項１～３６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項３８）
Ｒａが、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオルアルコキシ（ｆｌｕｏｒａｌｋｏｘｙ）、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、ポリフルオロエチル、フルオロフェニル、トリフルオロフェニル、およびトリフルオロメトキシフェニルからなる群から選択される、上記項１～３７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項３９）
Ｒｂが、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トルフルオロメチル（ｔｒｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）、フルオロアルコキシ、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、ポリフルオロエチル、フルオロフェニル、トリフルオロフェニル、およびトリフルオロメトキシフェニルからなる群から選択される、上記項１～３８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項４０）
Ａｒ２が、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン（ａｎｔｈｒａｃｙｌｅｎｅ）、フェナントリレン、ベンズアントラシレン、およびピレニレンからなる群から選択される、上記項１～３９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項４１）
Ａｒ３が、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル、ピレニル、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ピラジン、キノキサリン、アルシジン（ａｒｃｉｄｉｎｅ）、ピリミジン、キアゾリン（ｑｕｉａｚｏｌｉｎｅ）、ピリダジン、シンノリン、およびフタラジンからなる群から選択される、上記項１～４０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項４２）
Ａｒ４が、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ベンズアントラシレン、ピレニレン、およびベンズイミダゾールからなる群から選択される、上記項１～４１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項４３）
Ａｒ５が、フェニル、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル、およびピレニルからなる群から選択される、上記項１～４２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項４４）
Ａｒ６が、フェニル、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル、ピレニル、４－フルオロフェニル、３，４，５－トリフルオロフェニル、および４－（トリフルオロメトキシ）フェニルからなる群から選択される、上記項１～４３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項４５）
Ａｒ７が、フェニル、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル、ピレニル、４－フルオロフェニル、３，４，５－トリフルオロフェニル、および４－（トリフルオロメトキシ）フェニルからなる群から選択される、上記項１～４４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
Claims (45)
- 光電子デバイスであって、
横方向に延在する複数の層を含み、前記複数の層が、前記デバイスの断面図において層状の構造を提供し、そして
前記デバイスの表面上に配設された核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）と、
前記デバイスの表面上に配設された導電性コーティングと、を含み、
ここで、前記デバイスの平面図において、前記ＮＩＣが、第１の部分に配設され、そして前記導電性コーティングが、第２の部分に配設され、
前記第１の部分内の前記ＮＩＣの表面上に前記導電性コーティングを形成するための初期付着確率が、前記第１の部分に前記導電性コーティングが実質的にないように、前記第２の部分内の前記表面上に前記導電性コーティングを形成するための前記初期付着確率よりも実質的に低く、
前記ＮＩＣが、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、および（ＶＩＩＩ）からなる群から選択される式を有する化合物を含み、
Ａｒ１が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、４～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリール基、または５～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基を表し、
Ｒａが、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、ハロアルコキシ、フルオロアルコキシ、フルオロアリール、およびトリフルオロアリールである、１つ以上の置換基を表し、
Ｒｂが、独立して、Ｈ、Ｄ（重水素）、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１～Ｃ６アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ハロアリール、ヘテロアリール、アルコキシ、ハロアルコキシ、フルオロアルコキシ、フルオロアリール、およびトリフルオロアリールである、１つ以上の置換基を表し、
Ａｒ２が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、または４～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基を表し、
Ａｒ３が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、４～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリール基、または５～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基を表し、
Ａｒ４が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、または４～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基を表し、
Ａｒ５が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、４～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリール基、または５～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基を表し、
Ａｒ６が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のハロアリール基、６～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、または５～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換ヘテロアリール基を表し、
Ａｒ７が、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリール基、６～５０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のハロアリール基、６～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアリーレン基、または５～６０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のヘテロアリール基を表し、
ただし、前記化合物は、２－（４－（９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン－２－イル）フェニル）－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ－［Ｄ］イミダゾールではない、
光電子デバイス。 - 前記第１の部分が、少なくとも１つの発光領域を含む、請求項１に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の部分が、非発光領域の少なくとも一部を含む、請求項１または２に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の部分の前記少なくとも１つの発光領域内の前記ＮＩＣの厚さが、その光学マイクロキャビティ効果を調節するように調整される、請求項２または３に記載の光電子デバイス。
- 第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極との間の半導電性層をさらに含み、前記第２の電極が、前記第１の部分内の前記ＮＩＣと前記半導電性層との間に延在する、請求項１～４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、前記第２の電極に電気的に結合される、請求項５に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、前記第２の部分内の前記第２の電極の少なくとも一部をコーティングする、請求項５または６に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の電極とその少なくとも一部に沿った前記導電性コーティングとの間に少なくとも１つの中間コーティングを含む、請求項５～７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記中間コーティングが、核生成促進コーティング（ＮＰＣ）を含む、請求項８に記載の光電子デバイス。
- 前記中間コーティングが、ＮＩＣの表面上に前記導電性コーティングを形成するための前記初期付着確率を実質的に上昇させるように加工されたＮＩＣを含む、請求項８または９に記載の光電子デバイス。
- 前記中間コーティングが、放射線への曝露によって加工されている、請求項１０に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の部分の少なくとも第２の一部が、前記第１の部分の少なくとも第１の一部と重なり、前記第２の一部内の前記導電性コーティングの断面厚さが、前記第２の部分の残りの一部内の前記導電性コーティングの断面厚さよりも薄い、請求項２～１１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、前記第１の一部に近い前記第１の部分の少なくともセクションに沿って前記ＮＩＣの上に配設される、請求項１２に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、断面図において前記ＮＩＣから離間している、請求項１３に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、前記第１の一部と前記第２の部分との間の境界で前記ＮＩＣに当接している、請求項１２または１４に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、前記ＮＩＣと重なり、その結果、それらの間の前記境界における接触角で前記導電性コーティングが前記ＮＩＣに当接している、請求項１５に記載の光電子デバイス。
- 前記接触角が、１０度を上回る、請求項１６に記載の光電子デバイス。
- 前記接触角が、９０度を上回る、請求項１６または１７に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の部分の少なくとも第１の一部が、前記第２の部分の少なくとも第２の一部と重なる、請求項２～１１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記ＮＩＣが、前記第２の一部内の前記デバイスの前記表面上に配設され、前記導電性コーティングが、その中の前記ＮＩＣ上に配設されている、請求項１９に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、断面図において前記ＮＩＣから離間している、請求項２０に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の一部が、前記第１の一部と前記少なくとも１つの発光領域を含む前記第２の部分の第３の一部との間に延在する、請求項２～２１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第３の一部の前記少なくとも１つの発光領域が、第１の電極、前記導電性コーティングに電気的に結合された第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極との間の半導電性層を含み、前記第２の電極が、前記ＮＩＣと前記第３の一部内の前記半導電性層との間に延在する、請求項２２に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、補助電極に電気的に結合される、請求項２～２３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、前記補助電極と物理的に接触している、請求項２４に記載の光電子デバイス。
- 前記補助電極が、前記第１の一部にある、請求項２４または２５に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の部分が、少なくとも１つの追加の発光領域を含む、請求項５～１１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記デバイスの前記第２の部分の前記追加の発光領域のうちの少なくとも１つが、第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極との間の半導電性層を含み、前記第２の電極が、前記導電性コーティングを含む、請求項２７に記載の光電子デバイス。
- 前記デバイスの前記第２の部分の前記少なくとも１つの追加の発光領域から放出された光の波長が、前記デバイスの前記第１の部分の前記少なくとも１つの発光領域から放出された光の波長と異なる、請求項２７または２８に記載の光電子デバイス。
- 前記導電性コーティングが、補助電極を含む、請求項１～２３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の部分が、少なくとも１つの発光領域を含む、請求項１に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の部分が、非発光領域の少なくとも一部を含む、請求項３１に記載の光電子デバイス。
- 前記第１の部分が、光透過性である、請求項３１または３２に記載の光電子デバイス。
- 第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極との間の半導電性層をさらに含み、前記第２の電極が、前記第１の部分内の前記ＮＩＣと前記半導電性層との間に延在する、請求項３１～３３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- 前記第２の電極が、前記導電性コーティングと前記第２の部分内の前記半導電性層との間に延在する、請求項３４に記載の光電子デバイス。
- 第１の電極、前記第１の電極と前記導電性コーティングとの間の半導電性層をさらに含み、前記導電性コーティングが、前記デバイスの第２の電極を含む、請求項３１～３５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- Ａｒ１が、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル、ピレニル、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ピラジン、キノキサリン、アルシジン（ａｒｃｉｄｉｎｅ）、ピリミジン、キナゾリン、ピリダジン、シンノリン、およびフタルジン（ｐｈｔｈａｌｚｉｎｅ）からなる群から選択される、請求項１～３６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- Ｒａが、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオルアルコキシ（ｆｌｕｏｒａｌｋｏｘｙ）、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、ポリフルオロエチル、フルオロフェニル、トリフルオロフェニル、およびトリフルオロメトキシフェニルからなる群から選択される、請求項１～３７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- Ｒｂが、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、メチル、メトキシ、エチル、ｔ－ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トルフルオロメチル（ｔｒｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）、フルオロアルコキシ、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、ポリフルオロエチル、フルオロフェニル、トリフルオロフェニル、およびトリフルオロメトキシフェニルからなる群から選択される、請求項１～３８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- Ａｒ２が、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン（ａｎｔｈｒａｃｙｌｅｎｅ）、フェナントリレン、ベンズアントラシレン、およびピレニレンからなる群から選択される、請求項１～３９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- Ａｒ３が、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル、ピレニル、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ピラジン、キノキサリン、アルシジン（ａｒｃｉｄｉｎｅ）、ピリミジン、キアゾリン（ｑｕｉａｚｏｌｉｎｅ）、ピリダジン、シンノリン、およびフタラジンからなる群から選択される、請求項１～４０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- Ａｒ４が、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ベンズアントラシレン、ピレニレン、およびベンズイミダゾールからなる群から選択される、請求項１～４１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- Ａｒ５が、フェニル、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル、およびピレニルからなる群から選択される、請求項１～４２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- Ａｒ６が、フェニル、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル、ピレニル、４－フルオロフェニル、３，４，５－トリフルオロフェニル、および４－（トリフルオロメトキシ）フェニルからなる群から選択される、請求項１～４３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
- Ａｒ７が、フェニル、１－ナフチル、２－ナフチル、１－フェナントリル、２－フェナントリル、１０－フェナントリル、９－フェナントリル、１－アントラセニル、２－アントラセニル、３－アントラセニル、９－アントラセニル、ベンズアントラセニル、ピレニル、４－フルオロフェニル、３，４，５－トリフルオロフェニル、および４－（トリフルオロメトキシ）フェニルからなる群から選択される、請求項１～４４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022119653A JP2022153547A (ja) | 2019-03-07 | 2022-07-27 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201962815267P | 2019-03-07 | 2019-03-07 | |
| US62/815,267 | 2019-03-07 | ||
| US201962822715P | 2019-03-22 | 2019-03-22 | |
| US62/822,715 | 2019-03-22 | ||
| US201962830338P | 2019-04-05 | 2019-04-05 | |
| US62/830,338 | 2019-04-05 | ||
| PCT/IB2020/051991 WO2020178804A1 (en) | 2019-03-07 | 2020-03-07 | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022119653A Division JP2022153547A (ja) | 2019-03-07 | 2022-07-27 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022520493A JP2022520493A (ja) | 2022-03-30 |
| JP7390739B2 true JP7390739B2 (ja) | 2023-12-04 |
Family
ID=72337598
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021552884A Active JP7390739B2 (ja) | 2019-03-07 | 2020-03-07 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
| JP2022119653A Pending JP2022153547A (ja) | 2019-03-07 | 2022-07-27 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022119653A Pending JP2022153547A (ja) | 2019-03-07 | 2022-07-27 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11730012B2 (ja) |
| JP (2) | JP7390739B2 (ja) |
| KR (1) | KR20210149058A (ja) |
| CN (2) | CN113785411B (ja) |
| WO (1) | WO2020178804A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11737298B2 (en) | 2019-12-24 | 2023-08-22 | Oti Lumionics Inc. | Light emitting device including capping layers on respective emissive regions |
| KR20230127202A (ko) * | 2020-09-22 | 2023-08-31 | 오티아이 루미오닉스 인크. | Ir 신호 투과 영역을 포함하는 디바이스 |
| WO2022203222A1 (ko) * | 2021-03-26 | 2022-09-29 | 주식회사 랩토 | 핵생성 억제 형성용 물질 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006194926A (ja) | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 透明電極の製造方法 |
| JP2006318910A (ja) | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Lg Electronics Inc | 電界発光素子及びその製造方法、電界発光表示装置及びその製造方法 |
| JP2007273261A (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2008091323A (ja) | 2006-09-07 | 2008-04-17 | Canon Inc | 有機発光装置 |
| WO2012001728A1 (ja) | 2010-06-28 | 2012-01-05 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネル、有機el表示パネルを備えた表示装置、および有機el表示パネルの製造方法 |
| WO2014199741A1 (ja) | 2013-06-11 | 2014-12-18 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、ディスプレイパネル、および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| US20150076456A1 (en) | 2013-09-13 | 2015-03-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
| JP2016502734A (ja) | 2012-11-06 | 2016-01-28 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッドＯｔｉ Ｌｕｍｉｏｎｉｃｓ Ｉｎｃ． | 導電性コーティングを表面に堆積する方法 |
Family Cites Families (587)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1096600A (en) | 1965-08-12 | 1967-12-29 | Monsanto Chemicals | Fluoro-aromatic substituted heterocyclic compounds |
| SU508198A3 (ru) | 1971-07-22 | 1976-03-25 | Группо Лепетит С.П.А. (Фирма) | Способ получени производных 1,2,4-триазола |
| US4022928A (en) | 1975-05-22 | 1977-05-10 | Piwcyzk Bernhard P | Vacuum deposition methods and masking structure |
| GB1584296A (en) | 1976-12-07 | 1981-02-11 | Kanebo Ltd | 2-substituted benzimidazole compounds |
| US4379155A (en) | 1979-06-11 | 1983-04-05 | Gruppo Lepetit S.P.A. | 3,5-Disubstituted-1H-1,2,4-triazole derivatives |
| FR2488891A1 (fr) | 1980-08-22 | 1982-02-26 | Roussel Uclaf | Nouveaux derives du 4h-1,2,4-triazole, leur procede de preparation et leur application comme medicament |
| BE1003403A7 (fr) | 1989-11-28 | 1992-03-17 | Continental Photo | Solution chimiluminescente a base d'anthracene substitue. |
| US5159105A (en) | 1990-02-28 | 1992-10-27 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Higher pentafluorosulfanyl-fluoroaliphatic carbonyl and sulfonyl fluorides, and derivatives |
| JPH05307997A (ja) | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US5550290A (en) | 1993-10-13 | 1996-08-27 | Mita Industrial Co. Ltd. | Benzidine derivative and electrophotosensitive material using the same |
| US5834130A (en) | 1994-05-26 | 1998-11-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Organic electroluminescent device |
| AU2630495A (en) | 1994-06-09 | 1996-01-04 | Nippon Soda Co., Ltd. | Triazole compound, production process, and pest control agent |
| JP3866293B2 (ja) | 1996-08-19 | 2007-01-10 | Ｔｄｋ株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| DE69706197T2 (de) | 1996-10-16 | 2001-11-29 | Mobil Oil Corp | Verfahren zur gerüstisomerisierung von n-olefinen |
| US5795798A (en) * | 1996-11-27 | 1998-08-18 | The Regents Of The University Of California | Method of making full color monolithic gan based leds |
| JP3588978B2 (ja) | 1997-06-12 | 2004-11-17 | 凸版印刷株式会社 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| US6016033A (en) | 1997-07-11 | 2000-01-18 | Fed Corporation | Electrode structure for high resolution organic light-emitting diode displays and method for making the same |
| US6171715B1 (en) | 1997-08-07 | 2001-01-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
| DE19748109B4 (de) | 1997-10-31 | 2006-09-07 | Merck Patent Gmbh | Schwefelpentafluorid-Derivate und flüssigkristallines Medium |
| US5935721A (en) | 1998-03-20 | 1999-08-10 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent elements for stable electroluminescent |
| US6292454B1 (en) | 1998-10-08 | 2001-09-18 | Sony Corporation | Apparatus and method for implementing a variable-speed audio data playback system |
| US6361886B2 (en) | 1998-12-09 | 2002-03-26 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved hole transport layer |
| US6465115B2 (en) | 1998-12-09 | 2002-10-15 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with anthracene derivatives hole transport layer |
| JP3949363B2 (ja) | 1999-10-26 | 2007-07-25 | 富士フイルム株式会社 | 芳香族縮環化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子 |
| JP4434411B2 (ja) | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
| AU4162101A (en) | 2000-02-23 | 2001-09-03 | Hope City | Pyrophosphorolysis activated polymerization (pap): application to allele-specific amplification and nucleic acid sequence determination |
| PL358392A1 (en) | 2000-03-06 | 2004-08-09 | Fumakilla Limited | Fan type chemicals diffusing device |
| US6439083B1 (en) | 2000-03-23 | 2002-08-27 | Dbm Innovation, Inc. | Universal spring tool |
| TWI290546B (en) | 2000-08-10 | 2007-12-01 | Mitsui Chemicals Inc | Hydrocarbon compounds for organic electroluminescent elements and organic electroluminescent elements |
| US7053255B2 (en) | 2000-11-08 | 2006-05-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Substituted diphenylanthracene compounds for organic electroluminescence devices |
| EP1213337B1 (en) | 2000-12-06 | 2005-11-02 | MERCK PATENT GmbH | Liquid crystalline medium and liquid crystal display |
| US7363308B2 (en) | 2000-12-28 | 2008-04-22 | Fair Isaac Corporation | System and method for obtaining keyword descriptions of records from a large database |
| KR100399417B1 (ko) | 2001-01-08 | 2003-09-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 집적 회로의 제조 방법 |
| JP2002212163A (ja) | 2001-01-24 | 2002-07-31 | Seimi Chem Co Ltd | 五フッ化硫黄化合物及び該化合物を含有する液晶組成物 |
| US6407408B1 (en) | 2001-03-12 | 2002-06-18 | Universal Display Corporation | Method for patterning devices |
| JP4972844B2 (ja) | 2001-03-30 | 2012-07-11 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| TWI257496B (en) | 2001-04-20 | 2006-07-01 | Toshiba Corp | Display device and method of manufacturing the same |
| US6638644B2 (en) | 2001-08-28 | 2003-10-28 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent devices having diarylanthracene polymers |
| DE10145778B4 (de) | 2001-09-17 | 2012-07-19 | Merck Patent Gmbh | Fluorierte Anthracene und ihre Verwendung in Flüssigkristallmischungen und in Flüssigkristalldisplays |
| KR100691543B1 (ko) | 2002-01-18 | 2007-03-09 | 주식회사 엘지화학 | 새로운 전자 수송용 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자 |
| SG143063A1 (en) | 2002-01-24 | 2008-06-27 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7986672B2 (en) | 2002-02-25 | 2011-07-26 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for channel quality feedback in a wireless communication |
| US7099299B2 (en) | 2002-03-04 | 2006-08-29 | Agency For Science, Technology And Research | CDMA system with frequency domain equalization |
| US6835950B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-12-28 | Universal Display Corporation | Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer |
| JP4170655B2 (ja) | 2002-04-17 | 2008-10-22 | 出光興産株式会社 | 新規芳香族化合物及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP4025111B2 (ja) | 2002-04-19 | 2007-12-19 | 出光興産株式会社 | 新規アントラセン化合物及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| AU2003221969A1 (en) | 2002-04-19 | 2003-11-03 | 3M Innovative Properties Company | Materials for organic electronic devices |
| TWI271131B (en) | 2002-04-23 | 2007-01-11 | Via Tech Inc | Pattern fabrication process of circuit substrate |
| JP2003317971A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| US7169482B2 (en) | 2002-07-26 | 2007-01-30 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Display device with anthracene and triazine derivatives |
| JP4025136B2 (ja) | 2002-07-31 | 2007-12-19 | 出光興産株式会社 | アントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US7839074B2 (en) | 2002-08-23 | 2010-11-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and anthracene derivative |
| US20040058193A1 (en) | 2002-09-16 | 2004-03-25 | Eastman Kodak Company | White organic light-emitting devices with improved performance |
| KR101016164B1 (ko) | 2002-10-09 | 2011-02-17 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자 |
| DE10249723A1 (de) | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Covion Organic Semiconductors Gmbh | Arylamin-Einheiten enthaltende konjugierte Polymere, deren Darstellung und Verwendung |
| CN100384961C (zh) | 2002-12-13 | 2008-04-30 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电场致发光器件 |
| US20040126617A1 (en) | 2002-12-31 | 2004-07-01 | Eastman Kodak Company | Efficient electroluminescent device |
| WO2004063159A1 (ja) | 2003-01-10 | 2004-07-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2004262761A (ja) | 2003-01-16 | 2004-09-24 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US7651787B2 (en) | 2003-02-19 | 2010-01-26 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| CN101503393B (zh) | 2003-03-13 | 2015-08-19 | 出光兴产株式会社 | 含氮杂环衍生物及使用该衍生物的有机电致发光元件 |
| US7018713B2 (en) | 2003-04-02 | 2006-03-28 | 3M Innovative Properties Company | Flexible high-temperature ultrabarrier |
| EP1621597B1 (en) | 2003-05-01 | 2013-09-18 | UDC Ireland Limited | 1,3,6,8-tetrasubstituted pyrene compounds, organic el device and organic el display |
| US6995035B2 (en) | 2003-06-16 | 2006-02-07 | Eastman Kodak Company | Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution |
| US7998540B2 (en) | 2003-07-10 | 2011-08-16 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Substituted anthracenes |
| JP4070676B2 (ja) | 2003-07-25 | 2008-04-02 | 三井化学株式会社 | 非対称置換アントラセン化合物、および該非対称置換アントラセン化合物を含有する有機電界発光素子 |
| US6852429B1 (en) | 2003-08-06 | 2005-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent device based on pyrene derivatives |
| JP4440267B2 (ja) | 2003-09-08 | 2010-03-24 | エルジー・ケム・リミテッド | ナノサイズの半球状凹部が形成された基板を用いた高効率の有機発光素子及びこの作製方法 |
| US7056601B2 (en) | 2003-10-24 | 2006-06-06 | Eastman Kodak Company | OLED device with asymmetric host |
| US7887931B2 (en) | 2003-10-24 | 2011-02-15 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device with anthracene derivative host |
| US8568902B2 (en) | 2003-12-01 | 2013-10-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Asymmetric monoanthracene derivative, material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device utilizing the same |
| EP1696015B1 (en) | 2003-12-19 | 2015-05-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Light-emitting material for organic electroluminescent device, organic electroluminescent device using same, and material for organic electroluminescent device |
| JP4846982B2 (ja) | 2004-01-26 | 2011-12-28 | 三井化学株式会社 | アントラセン化合物、および該アントラセン化合物を含有する有機電界発光素子 |
| US7252893B2 (en) | 2004-02-17 | 2007-08-07 | Eastman Kodak Company | Anthracene derivative host having ranges of dopants |
| US6899963B1 (en) | 2004-02-25 | 2005-05-31 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent devices having pendant naphthylanthracene-based polymers |
| US20070194701A1 (en) | 2004-03-19 | 2007-08-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd., | Organic electroluminescent device |
| US7326371B2 (en) | 2004-03-25 | 2008-02-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with anthracene derivative host |
| KR20120101558A (ko) | 2004-04-07 | 2012-09-13 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 질소함유 헤테로환 유도체 및 이를 이용한 유기 전기 발광 소자 |
| US7427783B2 (en) | 2004-04-07 | 2008-09-23 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Top emission organic light emitting diode display using auxiliary electrode to prevent voltage drop of upper electrode |
| US7192659B2 (en) | 2004-04-14 | 2007-03-20 | Eastman Kodak Company | OLED device using reduced drive voltage |
| EP1749809A4 (en) | 2004-05-27 | 2008-07-02 | Idemitsu Kosan Co | ASYMMETRIC PYRENE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE USING THIS |
| CN1842509A (zh) | 2004-06-09 | 2006-10-04 | 出光兴产株式会社 | 蒽衍生物以及使用该衍生物的有机电致发光器件 |
| US20060019116A1 (en) | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Eastman Kodak Company | White electroluminescent device with anthracene derivative host |
| JP4121514B2 (ja) | 2004-07-22 | 2008-07-23 | シャープ株式会社 | 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置 |
| US20060182993A1 (en) | 2004-08-10 | 2006-08-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Compositions for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device |
| KR100669757B1 (ko) | 2004-11-12 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
| JP2006176491A (ja) | 2004-11-25 | 2006-07-06 | Kyoto Univ | ピレン系化合物及びこれを用いた発光トランジスタ素子 |
| JP2006176494A (ja) | 2004-11-25 | 2006-07-06 | Kyoto Univ | ピレン系化合物及びこれを用いた発光トランジスタ素子及びエレクトロルミネッセンス素子 |
| KR100700643B1 (ko) | 2004-11-29 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법 |
| EP1820801B1 (en) | 2004-12-10 | 2015-04-01 | Pioneer Corporation | Organic compound, charge-transporting material, and organic electroluminescent element |
| KR100712111B1 (ko) | 2004-12-14 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법 |
| JP4790260B2 (ja) | 2004-12-22 | 2011-10-12 | 出光興産株式会社 | アントラセン誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPWO2006070711A1 (ja) | 2004-12-28 | 2008-06-12 | 出光興産株式会社 | 有機ｅｌ塗布膜形成用インク及びその製造方法 |
| JPWO2006070712A1 (ja) | 2004-12-28 | 2008-06-12 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光性インク組成物 |
| JP4195487B2 (ja) | 2005-01-05 | 2008-12-10 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| DE102005002061A1 (de) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Dorma Gmbh + Co. Kg | Schiebetür mit einem magnetischen Antriebssystem mit einer Spuleneinheit |
| JP5233074B2 (ja) | 2005-03-02 | 2013-07-10 | 三菱レイヨン株式会社 | 金属パターン及び有機電子デバイスとその製造方法 |
| JP4263700B2 (ja) | 2005-03-15 | 2009-05-13 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| CN101155896B (zh) | 2005-04-12 | 2012-08-29 | 默克专利有限公司 | 有机电致发光器件 |
| US20060246315A1 (en) | 2005-04-27 | 2006-11-02 | Begley William J | Phosphorescent oled with mixed electron transport materials |
| WO2006114377A1 (en) | 2005-04-28 | 2006-11-02 | Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. | Electroluminescent device |
| DE102005023437A1 (de) | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen |
| US20100193768A1 (en) | 2005-06-20 | 2010-08-05 | Illuminex Corporation | Semiconducting nanowire arrays for photovoltaic applications |
| US20070003785A1 (en) | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent devices containing benzidine derivatives |
| US20070077349A1 (en) | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Eastman Kodak Company | Patterning OLED device electrodes and optical material |
| EP1957604B1 (de) | 2005-12-08 | 2015-09-23 | Merck Patent GmbH | Neue materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen |
| DE102005058558A1 (de) | 2005-12-08 | 2007-06-14 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| US9214636B2 (en) | 2006-02-28 | 2015-12-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
| JPWO2007102361A1 (ja) | 2006-03-07 | 2009-07-23 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2007106818A1 (en) | 2006-03-13 | 2007-09-20 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Synthesis of pentafluorosulfanyl (sf5)-substituted heterocycles and alkynes |
| JP5093879B2 (ja) | 2006-03-20 | 2012-12-12 | 国立大学法人京都大学 | ピレン系有機化合物、トランジスタ材料及び発光トランジスタ素子 |
| JP4702136B2 (ja) | 2006-03-28 | 2011-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| US7733009B2 (en) | 2006-04-27 | 2010-06-08 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device including an anthracene derivative |
| US20070252517A1 (en) | 2006-04-27 | 2007-11-01 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device including an anthracene derivative |
| JP5432523B2 (ja) | 2006-05-11 | 2014-03-05 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR101245217B1 (ko) | 2006-06-12 | 2013-03-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광소자 및 그 제조방법 |
| CN101473012B (zh) | 2006-06-15 | 2013-12-18 | 东丽株式会社 | 发光元件材料和发光元件 |
| CN102903734B (zh) | 2006-06-19 | 2015-07-15 | 索尼株式会社 | 发光显示装置及其制造方法 |
| WO2008001577A1 (fr) | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Pioneer Corporation | pile solaire organique |
| WO2008010377A1 (fr) | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Composé aminé contenant un carbazole et son utilisation |
| KR100893044B1 (ko) | 2006-07-26 | 2009-04-15 | 주식회사 엘지화학 | 안트라센 유도체, 이를 이용한 유기 전자 소자 및 이 유기전자 소자를 포함하는 전자 장치 |
| US7935854B2 (en) | 2006-10-03 | 2011-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stilbene derivative, light-emitting element, display apparatus, and electronic appliance |
| JP5233228B2 (ja) | 2006-10-05 | 2013-07-10 | Ｊｎｃ株式会社 | ベンゾフルオレン化合物、該化合物を用いた発光層用材料及び有機電界発光素子 |
| DE602007008337D1 (de) | 2006-10-24 | 2010-09-23 | Semiconductor Energy Lab | Anthrazenderivat und lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung und elektronische Vorrichtung mit Anthrazenderivat |
| JP5153292B2 (ja) | 2006-10-24 | 2013-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アントラセン誘導体、およびアントラセン誘導体を用いた発光素子、発光装置、電子機器 |
| KR100989467B1 (ko) | 2006-12-06 | 2010-10-22 | 주식회사 엘지화학 | 신규한 플루오렌 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자 |
| GB2444491A (en) * | 2006-12-06 | 2008-06-11 | Univ Muenster Wilhelms | Selective growth of organic molecules |
| JP5428147B2 (ja) | 2006-12-07 | 2014-02-26 | 三菱化学株式会社 | 有機蛍光体材料 |
| DE102007002714A1 (de) | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| US8795855B2 (en) | 2007-01-30 | 2014-08-05 | Global Oled Technology Llc | OLEDs having high efficiency and excellent lifetime |
| US7839083B2 (en) | 2007-02-08 | 2010-11-23 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and electronic apparatus |
| EP2124270A4 (en) | 2007-02-28 | 2010-08-25 | Idemitsu Kosan Co | ORGANIC EL-INSTALLATION |
| KR100874472B1 (ko) | 2007-02-28 | 2008-12-18 | 에스에프씨 주식회사 | 청색발광화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자 |
| TWI462989B (zh) | 2007-02-28 | 2014-12-01 | Idemitsu Kosan Co | A method for forming an organic EL film, a method for forming an organic EL film containing an organic EL film, and a method for producing an organic EL display panel |
| KR100858816B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 안트라센 유도체 화합물을 포함하는 유기막을 구비하는유기 발광 소자 |
| CA2857831C (en) | 2007-03-23 | 2017-01-03 | Ube Industries, Ltd. | Process for producing arylsulfur pentafluorides |
| US8399720B2 (en) | 2007-03-23 | 2013-03-19 | Ube Industries, Ltd. | Methods for producing fluorinated phenylsulfur pentafluorides |
| US20080265377A1 (en) | 2007-04-30 | 2008-10-30 | International Business Machines Corporation | Air gap with selective pinchoff using an anti-nucleation layer |
| CN110724124A (zh) | 2007-05-17 | 2020-01-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 三唑衍生物 |
| JP5603233B2 (ja) | 2007-05-17 | 2014-10-08 | エルジー・ケム・リミテッド | 新規なアントラセン誘導体およびそれを用いた有機電子素子 |
| US20080286610A1 (en) | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Deaton Joseph C | Hybrid oled with fluorescent and phosphorescent layers |
| DE102007024850A1 (de) | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| EP2165366B8 (en) | 2007-07-04 | 2018-12-26 | Beijing Xiaomi Mobile Software Co., Ltd. | A method for forming a patterned layer on a substrate |
| US8779655B2 (en) | 2007-07-07 | 2014-07-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device |
| EP2166592A4 (en) | 2007-07-07 | 2012-04-18 | Idemitsu Kosan Co | ORGANIC EL DEVICE |
| KR20100044200A (ko) | 2007-07-07 | 2010-04-29 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 나프탈렌 유도체, 유기 ｅｌ 소자용 재료 및 그것을 사용한 유기 ｅｌ 소자 |
| KR20090011831A (ko) | 2007-07-27 | 2009-02-02 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101432110B1 (ko) | 2007-09-11 | 2014-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2009051454A2 (en) | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Cheil Industries Inc. | Novel compound for organic photoelectric device and organic photoelectric device including the same |
| KR100950968B1 (ko) | 2007-10-18 | 2010-04-02 | 에스에프씨 주식회사 | 적색 인광 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자 |
| KR100923655B1 (ko) | 2007-11-02 | 2009-10-28 | (주)그라쎌 | 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자 |
| KR100923571B1 (ko) | 2007-11-05 | 2009-10-27 | (주)그라쎌 | 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자 |
| KR100933229B1 (ko) | 2007-11-12 | 2009-12-22 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자 |
| KR100933228B1 (ko) | 2007-11-15 | 2009-12-22 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자 |
| KR100875103B1 (ko) | 2007-11-16 | 2008-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR100935356B1 (ko) | 2007-11-19 | 2010-01-06 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 녹색 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는유기 전기 발광 소자 |
| KR100910153B1 (ko) | 2007-11-20 | 2009-07-30 | (주)그라쎌 | 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자 |
| KR100933226B1 (ko) | 2007-11-20 | 2009-12-22 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자 |
| JP5399920B2 (ja) | 2007-11-21 | 2014-01-29 | 出光興産株式会社 | 縮合芳香族誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR100910151B1 (ko) | 2007-11-22 | 2009-07-30 | (주)그라쎌 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로 채용하고있는 전기발광소자 |
| KR100933225B1 (ko) | 2007-11-27 | 2009-12-22 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는유기발광소자 |
| KR100940938B1 (ko) | 2007-12-04 | 2010-02-08 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전기 발광 소자 |
| US8174185B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-05-08 | E I Du Pont De Nemours And Company | Charge transport materials for luminescent applications |
| KR101121703B1 (ko) | 2007-12-28 | 2012-03-13 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자 |
| KR20100097182A (ko) | 2007-12-28 | 2010-09-02 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 다이아민 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자 |
| KR100970713B1 (ko) | 2007-12-31 | 2010-07-16 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 유기발광화합물을 발광재료로서 채용하고 있는 전기 발광소자 |
| KR100974562B1 (ko) | 2007-12-31 | 2010-08-06 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자 |
| KR20090082778A (ko) | 2008-01-28 | 2009-07-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101068224B1 (ko) | 2008-02-05 | 2011-09-28 | 에스에프씨 주식회사 | 안트라센 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
| JP2009209127A (ja) | 2008-02-08 | 2009-09-17 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | カルバゾリル基を有する化合物およびその用途 |
| DE102008008953B4 (de) | 2008-02-13 | 2019-05-09 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| JPWO2009102054A1 (ja) | 2008-02-15 | 2011-06-16 | 出光興産株式会社 | 有機発光媒体および有機ｅｌ素子 |
| WO2009116628A1 (ja) | 2008-03-19 | 2009-09-24 | 出光興産株式会社 | アントラセン誘導体、発光材料および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| CN104910064A (zh) | 2008-04-24 | 2015-09-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 蒽衍生物、发光元件、发光器件及电子设备 |
| US8232350B2 (en) | 2008-06-02 | 2012-07-31 | 3M Innovative Properties Company | Adhesive encapsulating composition and electronic devices made therewith |
| KR101415794B1 (ko) | 2008-06-12 | 2014-07-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| US20110156016A1 (en) | 2008-07-28 | 2011-06-30 | Masahiro Kawamura | Organic light-emitting medium and organic el element |
| WO2010014665A1 (en) | 2008-07-30 | 2010-02-04 | Im&T Research, Inc. | Methods for producing arylsulfur pentafluorides |
| US8541113B2 (en) | 2008-08-26 | 2013-09-24 | Sfc Co., Ltd. | Pyrene compounds and organic electroluminescent devices using the same |
| US8101771B2 (en) | 2008-09-01 | 2012-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Triazole derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device using triazole derivative |
| JPWO2010032447A1 (ja) | 2008-09-19 | 2012-02-09 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス材料組成物、薄膜形成方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR20100041043A (ko) | 2008-10-13 | 2010-04-22 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는 유기 발광 소자 |
| EP2340580B1 (en) | 2008-10-21 | 2017-05-03 | OLEDWorks GmbH | Transparent oled device |
| JP2010123917A (ja) | 2008-10-22 | 2010-06-03 | Canon Inc | 有機発光素子 |
| KR101506919B1 (ko) | 2008-10-31 | 2015-03-30 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자 |
| KR20100054630A (ko) | 2008-11-14 | 2010-05-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터와 이의 제조방법 그리고 이를 이용한표시장치 |
| KR101561479B1 (ko) | 2008-12-05 | 2015-10-19 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 발광소자 |
| DE102008061843B4 (de) | 2008-12-15 | 2018-01-18 | Novaled Gmbh | Heterocyclische Verbindungen und deren Verwendung in elektronischen und optoelektronischen Bauelementen |
| DE102008064200A1 (de) | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtung |
| KR101147428B1 (ko) | 2009-02-09 | 2012-05-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| DE102009009277B4 (de) | 2009-02-17 | 2023-12-07 | Merck Patent Gmbh | Organische elektronische Vorrichtung, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung von Verbindungen |
| US8759818B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-06-24 | E I Du Pont De Nemours And Company | Deuterated compounds for electronic applications |
| DE102009014513A1 (de) | 2009-03-23 | 2010-09-30 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtung |
| KR20100109050A (ko) | 2009-03-31 | 2010-10-08 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광소자 |
| KR101427605B1 (ko) | 2009-03-31 | 2014-08-07 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계발광 소자 |
| KR20100108914A (ko) | 2009-03-31 | 2010-10-08 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계발광 소자 |
| US8178427B2 (en) | 2009-03-31 | 2012-05-15 | Commissariat A. L'energie Atomique | Epitaxial methods for reducing surface dislocation density in semiconductor materials |
| JP2010258410A (ja) | 2009-04-02 | 2010-11-11 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 金属膜のパターン形成方法及び部材 |
| JP2010244868A (ja) | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Sony Corp | 有機電界発光素子および表示装置 |
| KR101180531B1 (ko) | 2009-04-24 | 2012-09-06 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 그것을 이용한 유기 전계 발광 소자 |
| US8932735B2 (en) | 2009-04-24 | 2015-01-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Aromatic amine derivative and organic electroluminescent element comprising the same |
| KR101317511B1 (ko) | 2009-04-30 | 2013-10-15 | 주식회사 엘지화학 | 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자 |
| US20100295444A1 (en) | 2009-05-22 | 2010-11-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
| DE102009023155A1 (de) | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Merck Patent Gmbh | Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| KR20100137198A (ko) | 2009-06-22 | 2010-12-30 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| KR101795081B1 (ko) | 2009-06-24 | 2017-11-07 | 사이륨 테크놀로지즈 인코포레이티드 | 청색/자색 디페닐안트라센 화학발광 형광물질 |
| US8877356B2 (en) | 2009-07-22 | 2014-11-04 | Global Oled Technology Llc | OLED device with stabilized yellow light-emitting layer |
| DE102009034625A1 (de) | 2009-07-27 | 2011-02-03 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| EP2462203B1 (en) | 2009-08-04 | 2016-03-02 | Merck Patent GmbH | Electronic devices comprising multi cyclic hydrocarbons |
| KR101084171B1 (ko) | 2009-08-10 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| EP3042890A3 (en) | 2009-08-21 | 2016-10-19 | The University Of South Dakota | Fluorinated aromatic materials and their use in optoelectronics |
| WO2011021689A1 (ja) | 2009-08-21 | 2011-02-24 | 東ソー株式会社 | 環状アジン誘導体とそれらの製造方法、ならびにそれらを構成成分とする有機電界発光素子 |
| KR100991105B1 (ko) | 2009-10-23 | 2010-11-01 | 한국기계연구원 | 자기패턴된 전도성 패턴과 도금을 이용한 고전도도 미세패턴 형성방법 |
| US20120245658A1 (en) | 2009-12-09 | 2012-09-27 | Merck Patent Gmbh | Therapeutic and Cosmetic Electroluminescent Compositions |
| CN102232106A (zh) | 2009-12-16 | 2011-11-02 | 出光兴产株式会社 | 有机发光介质 |
| EP2441750A4 (en) | 2009-12-16 | 2012-12-12 | Idemitsu Kosan Co | AROMATIC AMINE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT THEREWITH |
| JP5690283B2 (ja) | 2009-12-21 | 2015-03-25 | 出光興産株式会社 | ピレン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| EP2518038A4 (en) | 2009-12-21 | 2013-06-26 | Idemitsu Kosan Co | PYRENE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT USING THE DERIVATIVE |
| WO2011077691A1 (ja) | 2009-12-21 | 2011-06-30 | 出光興産株式会社 | ピレン誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| DE102010006121B4 (de) | 2010-01-29 | 2022-08-11 | Merck Patent Gmbh | Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| KR101193186B1 (ko) | 2010-02-01 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
| JP2011173972A (ja) | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその用途 |
| DE102011003578A1 (de) * | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686 | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Silizium-Blöcken |
| JP6246468B2 (ja) | 2010-03-11 | 2017-12-13 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 治療および化粧品におけるファイバー |
| KR20110104765A (ko) | 2010-03-17 | 2011-09-23 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자 |
| JP2011222831A (ja) | 2010-04-12 | 2011-11-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR20110123701A (ko) | 2010-05-07 | 2011-11-15 | 에스에프씨 주식회사 | 안트라센계 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
| TWI492944B (zh) | 2010-05-21 | 2015-07-21 | Semiconductor Energy Lab | 三唑衍生物，以及使用此三唑衍生物之發光元件、發光裝置、電子裝置與照明裝置 |
| KR101640772B1 (ko) | 2010-06-10 | 2016-07-19 | 삼성전자주식회사 | 무선 전력 수신기의 송전 영역 유도 장치 및 방법 |
| JP6058533B2 (ja) | 2010-06-18 | 2017-01-11 | オーエルイーディーワークス ゲーエムベーハーＯＬＥＤＷｏｒｋｓ ＧｍｂＨ | 制御された放射を有する透明発光デバイス |
| US9254506B2 (en) | 2010-07-02 | 2016-02-09 | 3M Innovative Properties Company | Moisture resistant coating for barrier films |
| US8474017B2 (en) | 2010-07-23 | 2013-06-25 | Verizon Patent And Licensing Inc. | Identity management and single sign-on in a heterogeneous composite service scenario |
| US20120018770A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Min-Hao Michael Lu | Oled light source having improved total light emission |
| US9287339B2 (en) | 2010-10-28 | 2016-03-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| US8467177B2 (en) | 2010-10-29 | 2013-06-18 | Apple Inc. | Displays with polarizer windows and opaque masking layers for electronic devices |
| WO2012070535A1 (ja) | 2010-11-25 | 2012-05-31 | Jnc株式会社 | 電子輸送材料およびこれを用いた有機電界発光素子 |
| KR101889918B1 (ko) | 2010-12-14 | 2018-09-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101983401B1 (ko) | 2011-01-11 | 2019-05-28 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 유기 전계 발광 소자용 조성물, 유기 전계 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치 |
| CN102617626B (zh) | 2011-01-17 | 2016-12-14 | 三星显示有限公司 | 缩合环化合物和包括该缩合环化合物的有机发光二极管 |
| US9653689B2 (en) | 2011-01-17 | 2017-05-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Condensed-cyclic compound and organic light-emitting diode including the same |
| US8791667B2 (en) | 2011-01-31 | 2014-07-29 | Infineon Technologies Ag | Inductive charge balancing |
| JP6132470B2 (ja) | 2011-04-12 | 2017-05-24 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子、該素子に用いる化合物および有機電界発光素子用材料、並びに該素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置 |
| JP5981736B2 (ja) | 2011-04-12 | 2016-08-31 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子、並びに、該有機電界発光素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置 |
| US10014476B2 (en) | 2011-04-18 | 2018-07-03 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Pyrene derivative, organic light-emitting medium, and organic electroluminescent element containing pyrene derivative or organic light-emitting medium |
| US8927308B2 (en) | 2011-05-12 | 2015-01-06 | Universal Display Corporation | Method of forming bus line designs for large-area OLED lighting |
| KR101407587B1 (ko) | 2011-06-02 | 2014-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| DE112012005831B3 (de) | 2011-07-22 | 2015-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dibenzo[c,g]Carbazol-Verbindung, lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung, Displayvorrichtung, Beleuchtungsvorrichtung und elektronische Vorrichtung |
| KR20130022986A (ko) | 2011-08-26 | 2013-03-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
| US8963137B2 (en) | 2011-09-02 | 2015-02-24 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of fabricating the same |
| US20130056784A1 (en) | 2011-09-02 | 2013-03-07 | Lg Display Co., Ltd. | Organic Light-Emitting Display Device and Method of Fabricating the Same |
| WO2013039221A1 (ja) | 2011-09-16 | 2013-03-21 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| FR2980333B1 (fr) | 2011-09-26 | 2014-08-29 | Florentaise | Installation pour preparer des fibres de bois pour un substrat de culture |
| US9985239B2 (en) | 2011-10-28 | 2018-05-29 | Koninklike Philips N.V. | OLED device and method of producing an OLED device |
| JP2013118349A (ja) | 2011-11-02 | 2013-06-13 | Udc Ireland Ltd | 有機電界発光素子、有機電界発光素子用材料並びに該有機電界発光素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置 |
| KR20130053053A (ko) | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
| US9818953B2 (en) | 2011-11-25 | 2017-11-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Aromatic amine derivative, material for organic electroluminescent element, and organic electroluminescent element |
| US10056558B2 (en) | 2011-11-25 | 2018-08-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Aromatic amine derivative, material for organic electroluminescent element, and organic electroluminescent element |
| KR101402526B1 (ko) | 2011-12-26 | 2014-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 수명이 향상된 유기발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101407588B1 (ko) | 2011-12-27 | 2014-06-13 | 에스에프씨 주식회사 | 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
| KR20130077276A (ko) | 2011-12-29 | 2013-07-09 | 가톨릭대학교 산학협력단 | 이종 코어 구조를 포함하는 유기발광 소자용 화합물 및 그를 채용한 유기발광 소자 |
| KR20130127014A (ko) | 2012-01-16 | 2013-11-22 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 유기전기발광화합물을 발광재료로서 채용하고 있는 유기전기발광소자 |
| JP5758314B2 (ja) | 2012-01-17 | 2015-08-05 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子、及び照明装置 |
| JP2013219278A (ja) | 2012-04-11 | 2013-10-24 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2013154378A1 (ko) | 2012-04-13 | 2013-10-17 | 주식회사 엘지화학 | 새로운 함질소 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자 |
| KR20130134205A (ko) | 2012-05-30 | 2013-12-10 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자 |
| WO2013180503A1 (ko) | 2012-05-31 | 2013-12-05 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 |
| WO2013183851A1 (ko) | 2012-06-04 | 2013-12-12 | (주)피엔에이치테크 | 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자 |
| KR101931176B1 (ko) | 2012-06-11 | 2018-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| JP6060530B2 (ja) | 2012-06-12 | 2017-01-18 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子及び表示装置 |
| US9559310B2 (en) | 2012-07-11 | 2017-01-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Compound with electron injection and/or electron transport capabilities and organic light-emitting device including the same |
| KR102583348B1 (ko) | 2012-07-23 | 2023-09-26 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 화합물 및 유기 전계 발광 디바이스 |
| JP2015216135A (ja) | 2012-08-10 | 2015-12-03 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器 |
| US8940568B2 (en) | 2012-08-31 | 2015-01-27 | Universal Display Corporation | Patterning method for OLEDs |
| CN103664746B (zh) | 2012-09-03 | 2016-11-16 | 乐金显示有限公司 | 蒽化合物以及包含该蒽化合物的有机发光二极管 |
| US9059427B2 (en) | 2012-09-11 | 2015-06-16 | Apple Inc. | Device and method for top emitting AMOLED |
| US9385172B2 (en) | 2012-10-19 | 2016-07-05 | Universal Display Corporation | One-way transparent display |
| KR20140050994A (ko) | 2012-10-22 | 2014-04-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| CN103788087B (zh) | 2012-10-30 | 2017-05-10 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 含咪唑［1,2,a］并吡啶基团的蒽类衍生物及其在OLED中的应用 |
| KR101994816B1 (ko) | 2012-11-14 | 2019-07-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기발광소자 |
| KR20140067527A (ko) | 2012-11-26 | 2014-06-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
| KR102059940B1 (ko) | 2012-11-29 | 2019-12-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| TWI602901B (zh) | 2012-12-11 | 2017-10-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件，發光裝置，電子裝置，與照明裝置 |
| KR102202171B1 (ko) | 2012-12-26 | 2021-01-12 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 함산소 축합환 아민 화합물, 함황 축합환 아민 화합물 및 유기 전기발광 소자 |
| KR102090555B1 (ko) | 2012-12-27 | 2020-03-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR102020805B1 (ko) | 2012-12-28 | 2019-09-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| US9310843B2 (en) | 2013-01-02 | 2016-04-12 | Apple Inc. | Electronic devices with light sensors and displays |
| KR20140088369A (ko) | 2013-01-02 | 2014-07-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20140088731A (ko) | 2013-01-03 | 2014-07-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 및 그 마스크 세정 방법과 그 마스크를 이용한 복수의 유기전계발광소자 제조 방법 |
| KR102017118B1 (ko) | 2013-01-03 | 2019-09-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102023896B1 (ko) | 2013-02-15 | 2019-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판 및 그 제조방법 |
| WO2014129048A1 (ja) | 2013-02-22 | 2014-08-28 | 出光興産株式会社 | アントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器 |
| KR102050484B1 (ko) | 2013-03-04 | 2019-12-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 안트라센 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
| KR102256770B1 (ko) | 2013-03-22 | 2021-05-26 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 유기 전계발광 소자용 재료의 제조를 위한 합성 빌딩 블록 |
| WO2014163228A1 (ko) | 2013-04-04 | 2014-10-09 | (주)피엔에이치테크 | 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자 |
| KR102038969B1 (ko) | 2013-04-12 | 2019-11-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 장치 |
| KR102156562B1 (ko) | 2013-04-22 | 2020-09-16 | 에스에프씨주식회사 | 아릴 아민기를 포함하는 비대칭 피렌 유도체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR101548304B1 (ko) | 2013-04-23 | 2015-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101606558B1 (ko) * | 2013-05-02 | 2016-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치, 그 제조방법 및 제조에 사용되는 마스크 |
| KR102107106B1 (ko) | 2013-05-09 | 2020-05-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스티릴계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
| KR102056865B1 (ko) | 2013-05-29 | 2020-01-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 필름 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102083983B1 (ko) | 2013-05-29 | 2020-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| JP6210745B2 (ja) | 2013-06-11 | 2017-10-11 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子 |
| KR102188028B1 (ko) | 2013-06-18 | 2020-12-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102085320B1 (ko) | 2013-06-18 | 2020-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101514526B1 (ko) | 2013-07-01 | 2015-04-22 | 삼성전기주식회사 | 셀 도금장치 |
| KR102131248B1 (ko) | 2013-07-04 | 2020-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP6123895B2 (ja) | 2013-07-10 | 2017-05-10 | Jnc株式会社 | 環縮合フルオレン化合物またはフルオレン化合物を含む発光補助層用材料 |
| KR102117607B1 (ko) | 2013-07-23 | 2020-06-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| JP6089009B2 (ja) | 2013-07-31 | 2017-03-01 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子および太陽電池 |
| KR102092705B1 (ko) | 2013-08-16 | 2020-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| US20160181542A1 (en) | 2013-09-06 | 2016-06-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Anthracene derivative and organic electroluminescent element using same |
| CN103467396A (zh) | 2013-09-12 | 2013-12-25 | 长春工业大学 | 含1,2,4-三唑环的化合物、含1,2,4-三唑环的聚合物质子交换膜和制备方法 |
| KR102313045B1 (ko) | 2013-09-20 | 2021-10-14 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자 및 전자 기기 |
| WO2015041352A1 (ja) | 2013-09-20 | 2015-03-26 | 出光興産株式会社 | アミン化合物及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP6211873B2 (ja) | 2013-09-30 | 2017-10-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| KR102227455B1 (ko) | 2013-10-08 | 2021-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20150061921A (ko) | 2013-11-28 | 2015-06-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| US10062850B2 (en) | 2013-12-12 | 2018-08-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Amine-based compounds and organic light-emitting devices comprising the same |
| US9478591B2 (en) | 2013-12-23 | 2016-10-25 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and repair method thereof |
| CN104752619A (zh) | 2013-12-26 | 2015-07-01 | 东丽先端材料研究开发（中国）有限公司 | 有机发光元件 |
| KR102153043B1 (ko) | 2014-01-07 | 2020-09-07 | 삼성전자주식회사 | 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
| KR101661925B1 (ko) | 2014-03-03 | 2016-10-05 | 한국교통대학교산학협력단 | 파이렌 유도체 및 이를 이용한 유기전계발광소자 |
| CN106471094B (zh) | 2014-03-25 | 2021-04-20 | 分子玻璃公司 | 用于OLED和OED的π共轭半导体有机玻璃混合物 |
| JP6514005B2 (ja) | 2014-04-08 | 2019-05-15 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びインク組成物 |
| KR102207605B1 (ko) | 2014-05-07 | 2021-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR20150132795A (ko) | 2014-05-16 | 2015-11-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102327086B1 (ko) | 2014-06-11 | 2021-11-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| CN104037359B (zh) | 2014-06-20 | 2017-01-25 | 上海和辉光电有限公司 | 一种oled阴极结构及其制造方法 |
| US20150376768A1 (en) | 2014-06-30 | 2015-12-31 | Palo Alto Research Center Incorporated | Systems and methods for implementing digital vapor phase patterning using variable data digital lithographic printing techniques |
| US9806279B2 (en) | 2014-07-08 | 2017-10-31 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device comprising auxiliary electrode having void therein and manufacturing method thereof |
| EP2966705B1 (en) | 2014-07-11 | 2018-09-19 | LG Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display device and method of fabricating the same |
| US9570471B2 (en) | 2014-08-05 | 2017-02-14 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| KR101530266B1 (ko) | 2014-08-25 | 2015-06-23 | (주)피엔에이치테크 | 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
| KR102430648B1 (ko) | 2014-09-05 | 2022-08-09 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 정공 전달 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| US10032843B2 (en) | 2014-09-11 | 2018-07-24 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| KR102285383B1 (ko) | 2014-09-12 | 2021-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| CN105428387B (zh) | 2014-09-17 | 2018-09-07 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| US20160284998A1 (en) | 2014-09-19 | 2016-09-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Novel compound and organic electroluminescence device obtained by using same |
| JP6012889B2 (ja) | 2014-09-19 | 2016-10-25 | 出光興産株式会社 | 新規な化合物 |
| KR102273654B1 (ko) | 2014-10-08 | 2021-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2016081562A (ja) | 2014-10-09 | 2016-05-16 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
| KR102352287B1 (ko) | 2014-11-07 | 2022-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102290785B1 (ko) | 2014-11-18 | 2021-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102374833B1 (ko) | 2014-11-25 | 2022-03-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN105633297B (zh) | 2014-11-25 | 2018-04-20 | 乐金显示有限公司 | 透视有机发光显示装置及其制造方法 |
| KR102385227B1 (ko) | 2014-12-02 | 2022-04-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
| KR102363259B1 (ko) | 2014-12-02 | 2022-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR20160076179A (ko) | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전계발광 디스플레이 장치 및 그 구동 방법 |
| KR102190108B1 (ko) | 2014-12-31 | 2020-12-11 | 에스에프씨주식회사 | 고효율과 장수명을 갖는 유기 발광 소자 |
| KR102343145B1 (ko) | 2015-01-12 | 2021-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
| KR102291492B1 (ko) | 2015-01-16 | 2021-08-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102147712B1 (ko) | 2015-01-20 | 2020-08-25 | 시노라 게엠베하 | 유기 분자, 특히 광전자 구성성분에 사용하기 위한 유기 분자 |
| US20160211454A1 (en) | 2015-01-20 | 2016-07-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
| JP6731355B2 (ja) | 2015-01-20 | 2020-07-29 | 保土谷化学工業株式会社 | ピリミジン誘導体および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR102316684B1 (ko) | 2015-01-21 | 2021-10-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102316682B1 (ko) | 2015-01-21 | 2021-10-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102343572B1 (ko) | 2015-03-06 | 2021-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102394427B1 (ko) | 2015-04-02 | 2022-05-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 이를 제조하는 방법 |
| KR101847431B1 (ko) | 2015-04-20 | 2018-04-10 | 에스에프씨주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US10693084B2 (en) | 2015-04-23 | 2020-06-23 | Sfc Co., Ltd. | Compound for organic light-emitting device and organic light-emitting device including same |
| WO2016182388A2 (ko) | 2015-05-14 | 2016-11-17 | 주식회사 엘지화학 | 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| US10367147B2 (en) | 2015-05-27 | 2019-07-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
| US10056440B2 (en) | 2015-05-28 | 2018-08-21 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| KR102483434B1 (ko) | 2015-05-28 | 2022-12-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102555656B1 (ko) | 2015-05-29 | 2023-07-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102523099B1 (ko) | 2015-06-18 | 2023-04-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
| KR102458597B1 (ko) | 2015-06-30 | 2022-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
| TWI599556B (zh) | 2015-07-03 | 2017-09-21 | 友達光電股份有限公司 | 有機發光元件 |
| CN105097877A (zh) | 2015-07-06 | 2015-11-25 | 上海和辉光电有限公司 | 一种透明显示器及其制造方法 |
| KR102348876B1 (ko) | 2015-07-29 | 2022-01-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| CN106432200B (zh) | 2015-08-11 | 2019-07-05 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种用于有机电致发光器件的主体材料 |
| KR102405695B1 (ko) | 2015-08-31 | 2022-06-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20170030168A (ko) | 2015-09-09 | 2017-03-17 | 대림산업 주식회사 | 용존공기 부상법과 입상 산화철 공정을 결합한 해수 담수화 설비용 전처리 장치 |
| CN105094451A (zh) | 2015-09-18 | 2015-11-25 | 上海和辉光电有限公司 | 一种透明显示设备 |
| KR20150120906A (ko) | 2015-10-02 | 2015-10-28 | 가톨릭대학교 산학협력단 | 이중 코어 구조를 포함하는 유기발광 소자용 화합물 및 그를 채용한 유기발광 소자 |
| KR102552274B1 (ko) | 2015-10-08 | 2023-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
| CN105206650A (zh) | 2015-10-10 | 2015-12-30 | 上海和辉光电有限公司 | 一种透明显示面板及其制造方法 |
| GB2545626A (en) | 2015-10-16 | 2017-06-28 | Lomox Ltd | Cross-linkable charge transport materials |
| CN111628101A (zh) * | 2015-10-26 | 2020-09-04 | Oti照明公司 | 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置 |
| KR102465826B1 (ko) | 2015-10-29 | 2022-11-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102397686B1 (ko) | 2015-10-30 | 2022-05-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102448611B1 (ko) | 2015-10-30 | 2022-09-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US10207992B2 (en) | 2015-10-30 | 2019-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dibenzocarbazole compound, light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| KR101795579B1 (ko) | 2015-11-10 | 2017-11-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102552272B1 (ko) | 2015-11-20 | 2023-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102469949B1 (ko) | 2015-11-30 | 2022-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102484645B1 (ko) | 2015-12-15 | 2023-01-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US10355246B2 (en) * | 2015-12-16 | 2019-07-16 | Oti Lumionics Inc. | Barrier coating for opto-electronics devices |
| KR102506532B1 (ko) | 2015-12-17 | 2023-03-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102384293B1 (ko) | 2015-12-22 | 2022-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR20170075114A (ko) | 2015-12-22 | 2017-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR20170075118A (ko) | 2015-12-22 | 2017-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102481737B1 (ko) | 2015-12-23 | 2022-12-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시 장치 |
| KR102458907B1 (ko) | 2015-12-29 | 2022-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2017122538A1 (ja) | 2016-01-13 | 2017-07-20 | ソニー株式会社 | 光電変換素子および撮像素子ならびに電子機器 |
| US11011711B2 (en) | 2016-02-11 | 2021-05-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organometallic compound, organic light-emitting device including the organometallic compound, and diagnosis composition incluidng the organometallic compound |
| KR20170113066A (ko) | 2016-03-24 | 2017-10-12 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이를 가진 전자 장치 및 그의 이미지 표시 방법 |
| KR102606277B1 (ko) | 2016-04-06 | 2023-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US9954187B2 (en) | 2016-04-08 | 2018-04-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Compound, organic electroluminescence device and electronic device |
| EP3240036A1 (en) | 2016-04-29 | 2017-11-01 | LG Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
| KR102525501B1 (ko) | 2016-05-23 | 2023-04-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102521254B1 (ko) | 2016-06-01 | 2023-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
| KR102354865B1 (ko) | 2016-06-28 | 2022-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN107565041B (zh) | 2016-06-30 | 2019-12-31 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| KR102651858B1 (ko) | 2016-07-04 | 2024-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 패널 |
| US20180012499A1 (en) | 2016-07-07 | 2018-01-11 | Passur Aerospace, Inc. | System and Method for Predicting Aircraft Taxi Time |
| KR102611206B1 (ko) | 2016-07-13 | 2023-12-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102543639B1 (ko) | 2016-07-18 | 2023-06-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치 |
| CN106317025B (zh) | 2016-07-28 | 2019-03-05 | 浙江工业大学 | 一种含三氟甲基吡唑的三唑类化合物及其制备方法和其应用 |
| KR102650330B1 (ko) | 2016-08-24 | 2024-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20180023297A (ko) | 2016-08-25 | 2018-03-07 | 삼성전자주식회사 | 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 진단용 조성물 |
| EP3291299B1 (en) | 2016-08-31 | 2019-06-26 | LG Display Co., Ltd. | Organic light-emitting array and organic light-emitting display device using the same |
| KR102576557B1 (ko) | 2016-09-21 | 2023-09-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US10224386B2 (en) | 2016-09-23 | 2019-03-05 | Apple Inc. | Display with power supply mesh |
| KR20180036434A (ko) | 2016-09-30 | 2018-04-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN106206995B (zh) | 2016-09-30 | 2018-08-14 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种有机发光二极管散射层的制备方法及其产品 |
| KR102640754B1 (ko) | 2016-10-05 | 2024-02-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자의 제조 방법 |
| KR102602164B1 (ko) | 2016-10-12 | 2023-11-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20180046229A (ko) | 2016-10-27 | 2018-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20180047578A (ko) | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 보조 전극을 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR20180047584A (ko) | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 보조 전극을 포함하는 디스플레이 장치 |
| US10833276B2 (en) | 2016-11-21 | 2020-11-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| KR20180062284A (ko) | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102582884B1 (ko) | 2016-12-02 | 2023-09-26 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 방출 영역 위에 배치된 전도성 코팅을 포함하는 디바이스 및 이를 위한 방법 |
| KR20180066320A (ko) | 2016-12-07 | 2018-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN109791996B (zh) | 2016-12-08 | 2021-04-20 | 广州华睿光电材料有限公司 | 高聚物及电致发光器件 |
| KR20180066948A (ko) | 2016-12-09 | 2018-06-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20180068549A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치와 그의 제조방법 |
| KR20180082808A (ko) | 2017-01-11 | 2018-07-19 | 삼성전자주식회사 | 유기금속 화합물, 유기금속 화합물-함유 조성물 및 유기 발광 소자 |
| KR20180088099A (ko) | 2017-01-26 | 2018-08-03 | 삼성전자주식회사 | 전자 장치에 있어서 광 검출 장치 및 방법 |
| KR20180097372A (ko) | 2017-02-23 | 2018-08-31 | 삼성전자주식회사 | 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 진단용 조성물 |
| KR102370355B1 (ko) | 2017-03-09 | 2022-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| CN108630830B (zh) | 2017-03-22 | 2020-10-23 | 上海和辉光电股份有限公司 | 透明oled显示面板及其制作方法 |
| KR102395780B1 (ko) | 2017-03-23 | 2022-05-09 | 삼성전자주식회사 | 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 |
| JP2018170152A (ja) | 2017-03-29 | 2018-11-01 | Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 | Ｏｌｅｄ表示装置の製造方法、マスク及びマスクの設計方法 |
| KR102315502B1 (ko) | 2017-04-14 | 2021-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 |
| KR102501466B1 (ko) | 2017-04-21 | 2023-02-20 | 삼성전자주식회사 | 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 진단용 조성물 |
| KR20230117645A (ko) * | 2017-04-26 | 2023-08-08 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 표면의 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을포함하는 장치 |
| CN106992267A (zh) | 2017-04-28 | 2017-07-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种顶发射oled器件及制备方法、显示面板 |
| KR20180121304A (ko) | 2017-04-28 | 2018-11-07 | (주)에스엔텍 | 소자 기판을 이용한 소자의 공정처리 수행방법 |
| EP3401701B1 (en) | 2017-05-11 | 2021-08-11 | ams AG | Optical sensor arrangement |
| US11043636B2 (en) | 2017-05-17 | 2021-06-22 | Oti Lumionics Inc. | Method for selectively depositing a conductive coating over a patterning coating and device including a conductive coating |
| KR102446877B1 (ko) | 2017-05-18 | 2022-09-23 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이를 포함하는 전자 장치 |
| KR102504130B1 (ko) | 2017-05-23 | 2023-02-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
| CN106981585B (zh) | 2017-05-23 | 2019-02-12 | 上海天马微电子有限公司 | 透明oled面板和显示装置 |
| US10357921B2 (en) | 2017-05-24 | 2019-07-23 | International Business Machines Corporation | Light generating microcapsules for photo-curing |
| US10333098B2 (en) | 2017-06-15 | 2019-06-25 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Transparent OLED display panel and manufacturing method thereof |
| CN110024366B (zh) | 2017-07-07 | 2020-08-14 | 华为技术有限公司 | 一种具有摄像头的终端和拍摄方法 |
| CN109299631B (zh) | 2017-07-24 | 2021-03-23 | 华为技术有限公司 | 一种屏幕及终端 |
| KR20190020930A (ko) | 2017-08-22 | 2019-03-05 | (주)피엔에이치테크 | 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
| CN107564945A (zh) | 2017-08-30 | 2018-01-09 | 上海天马微电子有限公司 | 透明显示面板、透明显示装置及透明显示面板的制作方法 |
| CN107579102B (zh) | 2017-08-31 | 2020-07-07 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| EP3660821A4 (en) | 2017-09-07 | 2020-07-29 | Huawei Technologies Co., Ltd. | ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY (OLED) AND TERMINAL |
| US10636359B2 (en) | 2017-09-21 | 2020-04-28 | Apple Inc. | OLED voltage driver with current-voltage compensation |
| WO2019062221A1 (zh) | 2017-09-30 | 2019-04-04 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示屏及显示装置 |
| WO2019062223A1 (zh) | 2017-09-30 | 2019-04-04 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏和电子产品 |
| CN109599030B (zh) | 2017-09-30 | 2020-12-11 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏及电子产品 |
| WO2019062236A1 (zh) | 2017-09-30 | 2019-04-04 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏、显示屏驱动方法及其显示装置 |
| CN108389878B (zh) | 2017-09-30 | 2022-01-25 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏及显示装置 |
| CN107768407B (zh) | 2017-10-19 | 2020-05-12 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及显示装置 |
| CN107808895B (zh) | 2017-10-24 | 2019-10-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 透明oled显示器及其制作方法 |
| KR102507742B1 (ko) | 2017-10-30 | 2023-03-09 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이를 포함하는 전자 장치 |
| CN108010947B (zh) | 2017-11-29 | 2021-01-08 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置 |
| KR102461360B1 (ko) | 2017-12-15 | 2022-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| CN110060578B (zh) | 2018-01-19 | 2021-09-14 | 华为技术有限公司 | 终端设备和显示方法 |
| KR102443229B1 (ko) | 2018-01-23 | 2022-09-15 | 삼성전자주식회사 | 센서를 장착하기 위한 개구를 포함하는 디스플레이 |
| CN108196388B (zh) | 2018-02-12 | 2022-04-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及其制造方法 |
| CN110224003B (zh) | 2018-03-01 | 2023-06-09 | 天马日本株式会社 | 显示装置 |
| CN111868930A (zh) | 2018-03-21 | 2020-10-30 | 华为技术有限公司 | 一种显示屏及其制备方法、移动终端 |
| US11073712B2 (en) | 2018-04-10 | 2021-07-27 | Apple Inc. | Electronic device display for through-display imaging |
| KR20190119960A (ko) | 2018-04-13 | 2019-10-23 | 삼성전자주식회사 | 표시 영역에 의해 둘러싸인 홀 영역을 우회하는 복수의 배선들을 포함하는 디스플레이 및 이를 포함하는 전자 장치 |
| WO2019199131A1 (en) | 2018-04-13 | 2019-10-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display having opaque member disposed in area surrounded by pixels and electronic apparatus having the same |
| CN108574054B (zh) | 2018-04-17 | 2020-03-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置和显示装置的制作方法 |
| KR102528560B1 (ko) | 2018-05-04 | 2023-05-04 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 드라이버, 디스플레이 시스템 및 디스플레이 드라이버의 동작 방법 |
| CN108648679B (zh) | 2018-05-18 | 2020-06-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板的驱动方法及装置、显示设备 |
| CN108418928A (zh) | 2018-05-23 | 2018-08-17 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子装置 |
| CN108376019A (zh) | 2018-05-28 | 2018-08-07 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子装置 |
| CN108900659B (zh) | 2018-05-28 | 2020-09-18 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子装置 |
| CN108881531A (zh) | 2018-06-04 | 2018-11-23 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子装置 |
| CN108767136B (zh) | 2018-06-05 | 2020-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种镜面显示屏和制备方法 |
| WO2019242510A1 (zh) | 2018-06-20 | 2019-12-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其驱动方法和显示装置 |
| US11211587B2 (en) | 2018-07-30 | 2021-12-28 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with structured electrode |
| CN110767674B (zh) | 2018-08-06 | 2022-05-17 | 苏州清越光电科技股份有限公司 | 显示面板、显示屏及显示终端 |
| CN110767677A (zh) | 2018-08-06 | 2020-02-07 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板、显示屏及显示终端 |
| CN110767672B (zh) | 2018-08-06 | 2020-11-17 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板、显示屏及显示终端 |
| KR102598230B1 (ko) | 2018-08-13 | 2023-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| JP6935374B2 (ja) | 2018-08-31 | 2021-09-15 | マイクロメトリックステクノロジーズプライベイトリミティッド | アンダーディスプレイ型指紋認証用センサモジュールおよびアンダーディスプレイ型指紋認証装置 |
| US11177329B2 (en) | 2018-09-04 | 2021-11-16 | Apple Inc. | Viewing angle color shift control |
| US10872939B2 (en) | 2018-09-04 | 2020-12-22 | Apple Inc. | Viewing angle color shift control |
| CN110911440B (zh) | 2018-09-14 | 2020-10-16 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板、显示屏和显示终端 |
| WO2020052232A1 (zh) | 2018-09-14 | 2020-03-19 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示屏和显示终端 |
| CN109379454B (zh) | 2018-09-17 | 2020-04-17 | 深圳奥比中光科技有限公司 | 电子设备 |
| CN109461758B (zh) | 2018-09-21 | 2021-07-16 | 华为技术有限公司 | 显示屏的制备方法、显示屏和终端 |
| WO2020062903A1 (en) | 2018-09-26 | 2020-04-02 | Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. | Elecronic apparatus, and light field imaging system and method with optical metasurface |
| KR20200036137A (ko) | 2018-09-27 | 2020-04-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20200039866A (ko) | 2018-10-05 | 2020-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| GB201817037D0 (en) | 2018-10-19 | 2018-12-05 | Univ Warwick | Selective depositon of metallic layers |
| CN109742132B (zh) | 2019-02-28 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| KR102625413B1 (ko) | 2018-10-29 | 2024-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN110767682B (zh) | 2018-10-31 | 2022-10-21 | 苏州清越光电科技股份有限公司 | 显示屏及显示终端 |
| CN117769309A (zh) | 2018-11-23 | 2024-03-26 | Oti照明公司 | 电致发光装置 |
| KR20200075996A (ko) | 2018-12-18 | 2020-06-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN111369946A (zh) | 2018-12-25 | 2020-07-03 | 华为终端有限公司 | 一种显示屏、移动终端及其控制方法 |
| CN110767830A (zh) | 2018-12-28 | 2020-02-07 | 云谷（固安）科技有限公司 | 透明oled基板、阵列基板、显示屏及显示装置 |
| CN109448575B (zh) | 2018-12-29 | 2020-12-29 | 上海天马微电子有限公司 | 一种透明显示面板和透明显示装置 |
| KR20200082763A (ko) | 2018-12-31 | 2020-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 |
| CN109817672B (zh) | 2019-01-29 | 2020-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示基板及其制造方法、显示面板、装置 |
| CN110767708B (zh) | 2019-01-31 | 2022-05-10 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、掩模板、显示面板和显示装置 |
| CN110767844B (zh) | 2019-01-31 | 2022-06-03 | 云谷（固安）科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示屏及显示装置 |
| CN110767709B (zh) | 2019-02-02 | 2022-02-08 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板、显示屏及显示装置 |
| CN109920931B (zh) | 2019-03-04 | 2022-08-26 | 荣耀终端有限公司 | 显示终端、掩膜组件、蒸镀系统及其控制方法 |
| CN110767713A (zh) | 2019-03-08 | 2020-02-07 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示装置及其oled基板、oled透光基板 |
| CN109830495B (zh) | 2019-03-21 | 2021-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置及其成像方法 |
| CN109817694B (zh) | 2019-03-26 | 2021-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示面板及制作方法、显示装置 |
| CN109979980A (zh) | 2019-03-28 | 2019-07-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN109979979B (zh) | 2019-03-28 | 2020-09-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
| CN110767835B (zh) | 2019-03-29 | 2021-01-26 | 昆山国显光电有限公司 | 透明显示面板、显示屏、显示装置及掩膜板 |
| CN110048005B (zh) | 2019-03-29 | 2020-06-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示器件及其制备方法 |
| CN110112182A (zh) | 2019-04-10 | 2019-08-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及制备方法 |
| CN109950293B (zh) | 2019-04-10 | 2021-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN110767836B (zh) | 2019-04-12 | 2020-08-25 | 昆山国显光电有限公司 | 半导体结构、显示面板及其制备方法和显示终端 |
| KR20200129571A (ko) | 2019-05-09 | 2020-11-18 | 삼성전자주식회사 | 센서를 포함하는 디스플레이 모듈을 포함하는 전자 장치 및 상기 디스플레이 모듈의 제조 방법 |
| CN110767662B (zh) | 2019-05-31 | 2020-10-27 | 昆山国显光电有限公司 | 显示基板、显示面板及显示装置 |
| CN110444125B (zh) | 2019-06-25 | 2022-03-08 | 荣耀终端有限公司 | 显示屏、终端 |
| CN114097102B (zh) | 2019-06-26 | 2023-11-03 | Oti照明公司 | 包括具有光衍射特征的光透射区域的光电设备 |
| CN210668382U (zh) | 2019-06-27 | 2020-06-02 | 北京小米移动软件有限公司 | 显示面板、显示屏及电子设备 |
| CN110144551B (zh) | 2019-07-04 | 2022-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸镀设备及蒸镀方法 |
| CN110265474B (zh) | 2019-07-22 | 2022-05-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制备方法和显示装置 |
| CN110391348A (zh) | 2019-07-23 | 2019-10-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| CN110518034B (zh) | 2019-07-24 | 2021-02-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示屏及其制作方法、oled显示装置 |
| CN110416269B (zh) | 2019-07-29 | 2022-02-18 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板和显示面板的制作方法 |
| CN110473898B (zh) | 2019-07-30 | 2021-10-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制作方法 |
| CN110429117A (zh) | 2019-07-30 | 2019-11-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机发光器件、显示装置及有机发光器件的制作方法 |
| CN110473988B (zh) | 2019-08-02 | 2020-11-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板制程用掩模版及其应用 |
| CN110492018A (zh) | 2019-08-09 | 2019-11-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示装置 |
| CN110491917A (zh) | 2019-08-09 | 2019-11-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及电子设备 |
| CN110459175A (zh) | 2019-08-09 | 2019-11-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110570774A (zh) | 2019-08-09 | 2019-12-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110783484B (zh) | 2019-09-24 | 2020-11-10 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN110783485B (zh) | 2019-09-24 | 2021-06-18 | 昆山国显光电有限公司 | 透光显示面板、显示面板、制作方法、显示装置 |
| CN110634930B (zh) | 2019-09-27 | 2022-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN110783486A (zh) | 2019-10-10 | 2020-02-11 | 复旦大学 | 一种适用于屏下摄像头的显示面板 |
| CN110727142B (zh) | 2019-10-29 | 2023-04-28 | Oppo广东移动通信有限公司 | 偏光片、显示屏以及电子设备 |
| CN110767736A (zh) | 2019-11-06 | 2020-02-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN110780375B (zh) | 2019-11-15 | 2022-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 偏光片及其制备方法、显示面板、显示装置 |
| CN110718580A (zh) | 2019-11-20 | 2020-01-21 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示模组及电子设备 |
| CN110752249B (zh) | 2019-11-20 | 2022-08-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其控制方法，显示面板 |
| CN110867527B (zh) | 2019-11-27 | 2022-08-26 | 昆山国显光电有限公司 | 透光显示面板、显示面板、显示装置以及制作方法 |
| CN110828699B (zh) | 2019-11-27 | 2022-03-08 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及电子设备 |
| CN110989861B (zh) | 2019-11-27 | 2024-03-05 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| CN111029381A (zh) | 2019-12-09 | 2020-04-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及有机发光显示装置 |
| CN111029382A (zh) | 2019-12-13 | 2020-04-17 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板、多区域显示面板和显示装置 |
| CN110923625A (zh) | 2019-12-16 | 2020-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜模组、蒸镀系统及蒸镀方法及显示基板 |
| CN111048564A (zh) | 2019-12-18 | 2020-04-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN111020489A (zh) | 2019-12-19 | 2020-04-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 蒸镀装置、蒸镀方法以及显示装置 |
| CN110928453A (zh) | 2019-12-20 | 2020-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN111009619B (zh) | 2019-12-24 | 2022-05-17 | 昆山国显光电有限公司 | 透光显示面板及其制作方法、显示面板 |
| CN110956925A (zh) | 2019-12-25 | 2020-04-03 | 北京集创北方科技股份有限公司 | 显示装置、电子设备和对显示面板进行老化补偿的方法 |
| CN111142180A (zh) | 2019-12-30 | 2020-05-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | 偏光片及其制作方法、显示屏组件和电子装置 |
| CN111180490B (zh) | 2019-12-31 | 2022-12-13 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示屏及电子装置 |
| CN111155055A (zh) | 2020-01-06 | 2020-05-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled面板、其蒸镀方法和其掩膜版组 |
| CN111261641B (zh) | 2020-01-22 | 2022-11-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN111293235B (zh) | 2020-02-17 | 2023-04-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 |
| CN111524469A (zh) | 2020-02-17 | 2020-08-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及偏光片 |
| CN111293236B (zh) | 2020-02-21 | 2022-07-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled屏幕打孔方法 |
| CN111292617B (zh) | 2020-02-27 | 2021-06-29 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN111223908B (zh) | 2020-02-29 | 2022-12-27 | Oppo广东移动通信有限公司 | 屏下摄像显示模组以及电致发光显示屏 |
| CN111341936B (zh) | 2020-03-10 | 2021-11-12 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN111046599B (zh) | 2020-03-17 | 2020-06-23 | 昆山国显光电有限公司 | 像素排布优化方法、装置、透光显示面板和显示面板 |
| CN111403621A (zh) | 2020-03-25 | 2020-07-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 |
| CN111312795B (zh) | 2020-04-02 | 2022-10-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置、显示面板及其制作方法 |
| CN111524460B (zh) | 2020-04-26 | 2021-10-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、掩膜板和显示面板的制作方法 |
| CN111584725A (zh) | 2020-05-15 | 2020-08-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled的面板及其制造方法 |
| CN111584748A (zh) | 2020-05-20 | 2020-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 透明显示器件、仿真方法及制造方法 |
| CN111755623B (zh) | 2020-06-17 | 2022-07-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 用于屏下摄像头的显示面板及其制造方法 |
| CN111682120B (zh) | 2020-06-22 | 2023-09-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法和显示装置 |
| CN111668240B (zh) | 2020-06-23 | 2022-10-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 |
| CN111682055B (zh) | 2020-06-24 | 2022-08-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
| CN111755493B (zh) | 2020-06-28 | 2022-08-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 屏下摄像头的oled显示面板及其制备方法及显示装置 |
| CN111739921B (zh) | 2020-06-30 | 2024-03-05 | 联想(北京)有限公司 | 一种显示装置和电子设备 |
| CN111640882B (zh) | 2020-06-30 | 2022-09-16 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 一种显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN111834547B (zh) | 2020-07-08 | 2022-12-06 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置及刮刀的制备方法 |
| CN111725288B (zh) | 2020-07-17 | 2022-09-13 | 昆山国显光电有限公司 | 像素结构及显示面板 |
| CN111799374B (zh) | 2020-07-17 | 2023-04-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、制备方法及其显示装置 |
| CN111863900A (zh) | 2020-07-21 | 2020-10-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111862875B (zh) | 2020-07-27 | 2022-03-15 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示方法、显示面板、显示控制装置及存储介质 |
| CN111739924A (zh) | 2020-07-31 | 2020-10-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和电子装置 |
-
2020
- 2020-03-07 CN CN202080032836.3A patent/CN113785411B/zh active Active
- 2020-03-07 JP JP2021552884A patent/JP7390739B2/ja active Active
- 2020-03-07 US US17/436,562 patent/US11730012B2/en active Active
- 2020-03-07 CN CN202310301649.6A patent/CN116456753A/zh active Pending
- 2020-03-07 WO PCT/IB2020/051991 patent/WO2020178804A1/en active Application Filing
- 2020-03-07 KR KR1020217032090A patent/KR20210149058A/ko unknown
-
2022
- 2022-07-27 JP JP2022119653A patent/JP2022153547A/ja active Pending
-
2023
- 2023-07-10 US US18/349,834 patent/US20240074230A1/en active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006194926A (ja) | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 透明電極の製造方法 |
| JP2006318910A (ja) | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Lg Electronics Inc | 電界発光素子及びその製造方法、電界発光表示装置及びその製造方法 |
| JP2007273261A (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2008091323A (ja) | 2006-09-07 | 2008-04-17 | Canon Inc | 有機発光装置 |
| WO2012001728A1 (ja) | 2010-06-28 | 2012-01-05 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネル、有機el表示パネルを備えた表示装置、および有機el表示パネルの製造方法 |
| JP2016502734A (ja) | 2012-11-06 | 2016-01-28 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッドＯｔｉ Ｌｕｍｉｏｎｉｃｓ Ｉｎｃ． | 導電性コーティングを表面に堆積する方法 |
| WO2014199741A1 (ja) | 2013-06-11 | 2014-12-18 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、ディスプレイパネル、および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| US20150076456A1 (en) | 2013-09-13 | 2015-03-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220246887A1 (en) | 2022-08-04 |
| US11730012B2 (en) | 2023-08-15 |
| CN113785411B (zh) | 2023-04-11 |
| US20240074230A1 (en) | 2024-02-29 |
| CN113785411A (zh) | 2021-12-10 |
| KR20210149058A (ko) | 2021-12-08 |
| WO2020178804A1 (en) | 2020-09-10 |
| CN116456753A (zh) | 2023-07-18 |
| JP2022520493A (ja) | 2022-03-30 |
| JP2022153547A (ja) | 2022-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20230165124A1 (en) | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating | |
| US11706969B2 (en) | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating | |
| US10700304B2 (en) | Device including a conductive coating disposed over emissive regions and method therefor | |
| JP7425480B2 (ja) | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス | |
| JP7390739B2 (ja) | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス | |
| US20220216414A1 (en) | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same | |
| US20220221619A1 (en) | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same | |
| TWI744322B (zh) | 用於在表面上圖案化塗層之方法及包括經圖案化的塗層之裝置 | |
| KR20220131245A (ko) | 캡핑 층을 포함하는 발광 장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211104 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20211104 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220301 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220531 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220727 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221004 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20221228 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230306 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230509 |
|
| A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20230911 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20230919 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231102 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231114 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7390739 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |