KR102465826B1 - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판에 정의된 복수의 화소에 각각 구비된 애노드 전극, 애노드 전극 상에 구비된 뱅크 및 유기 발광층, 유기 발광층 상에 구비된 캐소드 전극, 및 캐소드 전극과 연결되고 애노드 전극과 상이한 층에 구비되도록 뱅크 상에 구비된 보조 전극을 포함하여 이루어진다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 상부 발광 방식의 투명 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(OLED)는 자발광 소자로서, 소비전력이 낮고, 고속의 응답 속도, 높은 발광 효율, 높은 휘도 및 광시야각을 가지고 있다.
유기 발광 표시 장치(OLED)는 유기 발광 소자를 통해 발광된 광의 투과 방향에 따라 상부 발광 방식(top emission type)과 하부 발광 방식(bottom emission type)으로 나뉜다. 상기 하부 발광 방식은 발광층과 화상 표시면 사이에 회로 소자가 위치하기 때문에 상기 회로 소자로 인해서 개구율이 저하되는 단점이 있는 반면에, 상기 상부 발광 방식은 발광층과 화상 표시면 사이에 회로 소자가 위치하지 않기 때문에 개구율이 향상되는 장점이 있다.
도 1은 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판(10) 상의 액티브 영역(Active Area; AA)에는 박막 트랜지스터층(T), 패시베이션층(20), 제1평탄화층(31)과 제2평탄화층(32), 제1애노드 전극(40)과 제2애노드 전극(60), 제1보조 전극(50)과 제2보조 전극(70), 뱅크(80), 격벽(92), 유기 발광층(94) 및 캐소드 전극(96)이 형성되어 있다.
상기 박막 트랜지스터층(T)은 액티브층(11), 게이트 절연막(12), 게이트 전극(13), 층간 절연막(14), 소스 전극(15) 및 드레인 전극(16)을 포함하여 이루어진다.
상기 제1평탄화층(31) 상에는 제1애노드 전극(40)과 제1보조 전극(50)이 형성되어 있고, 상기 제2평탄화층(32) 상에는 제2애노드 전극(60)과 제2보조 전극(70)이 형성되어 있다. 상기 제1보조 전극(50)은 상기 제2보조 전극(70)과 함께 상기 캐소드 전극(96)의 저항을 줄이는 역할을 한다.
상기 제2애노드 전극(60)과 제2보조 전극(70) 상에는 뱅크(80)가 형성되어 화소 영역이 정의되고, 상기 뱅크(80)에 의해 정의된 화소 영역 내에는 유기 발광층(94)이 형성되어 있고, 상기 유기 발광층(94) 상에는 캐소드 전극(96)이 형성되어 있다.
상기 격벽(92)은 상기 제2보조 전극(70) 상에 형성되어 있다. 상기 격벽(92)은 상기 뱅크(80)와 소정 거리를 두고 이격되어 있으며, 상기 격벽(92)과 뱅크(80) 사이의 이격된 공간을 통해서 상기 제2보조 전극(70)과 상기 캐소드 전극(96)이 연결되어 상기 캐소드 전극(96)의 저항을 줄인다.
상부 발광 방식의 경우 상기 유기 발광층(94)에서 발광된 광이 상기 캐소드 전극(96)을 통과하여 진행하게 된다. 따라서, 상기 캐소드 전극(96)은 투명한 도전물을 이용하여 형성되며, 그로 인해서 상기 캐소드 전극(96)의 저항이 커지는 문제가 발생한다. 이와 같은 캐소드 전극(96)의 저항을 줄이기 위해서 캐소드 전극(96)을 상기 제1보조 전극(50) 및 제2보조 전극(70)에 연결하는 것이다.
특히, 도 1에 도시된 종래의 유기 발광 표시 장치는 상기 캐소드 전극(96)의 저항을 낮추기 위해서 서로 연결되는 제1 보조 전극(50)과 제2 보조 전극(70)의 2개의 보조 전극을 형성한다.
이 때, 상기 제2보조 전극(70)은 상기 제2애노드 전극(60)과 동일한 층에 형성되기 때문에 상기 캐소드 전극(96)의 저항을 줄이기 위해 제2보조 전극(70)의 폭을 증가시키면 상기 제2애노드 전극(60)의 폭을 줄여야 하고, 그 경우 표시장치의 화소 영역이 줄어드는 단점이 있기 때문에 상기 제2보조 전극(70)의 폭을 증가시키는데 한계가 있다.
따라서, 종래에는 이를 해결하기 위해서 상기 제2보조 전극(70) 아래에 상기 제1보조 전극(50)을 추가로 형성함으로써 화소 영역이 줄어들지 않으면서도 상기 캐소드 전극(96)의 저항을 낮추고 있다.
이와 같은 종래의 상부 발광 방식의 투명 유기 발광 표시 장치는 다음과 같은 문제가 있다.
투명 유기 발광 표시 장치는 투명부와 발광부로 구성되는데 투과율 향상을 위해서는 투과부를 최대한 확보해야 하고, 이를 위해서는 발광부에 모든 구성을 적층해야 한다. 그러나, 상기 박막 트랜지스터층(T)을 발광부에 적층할 경우 보조 전극은 발광부에 적층할 수 없기 때문에 따로 적층해야 하는데, 한정된 공간에 2개의 보조 전극을 적층하기 위해서는 이들을 수직으로 적층하는 수밖에 없었다. 그리고, 하나의 층에 각각의 보조 전극을 적층하기 위해 각각 별개의 마스크를 이용함에 따라, 마스크 수가 증가하여 생산공정이 복잡해지는 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 마스크 수 증가에 따라 생산공정이 복잡해지지 않으면서도 상기 캐소드 전극(96)의 저항을 효과적으로 낮출 수 있는 기술에 대한 필요성이 증가하고 있는 상황이다.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 보조 전극의 면적을 충분히 확보하여 캐소드 전극의 저항을 효과적으로 줄이면서 마스크 수 저감을 통해 생산성을 향상시킬 수 있는 상부 발광 방식의 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판에 정의된 복수의 화소에 각각 구비된 애노드 전극, 애노드 전극 상에 구비된 뱅크 및 유기 발광층, 유기 발광층 상에 구비된 캐소드 전극, 및 캐소드 전극과 연결되고 애노드 전극과 상이한 층에 구비되도록 뱅크 상에 구비된 보조 전극을 포함하여 이루어진다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 상에 애노드 전극을 형성하고, 애노드 전극 상에 제1뱅크를 형성하고, 제1뱅크 상에 보조 전극을 형성하고 보조 전극 상에 제2뱅크를 형성하고, 애노드 전극 상에 유기 발광층을 형성하고, 유기 발광층 상에 보조 전극과 연결되는 캐소드 전극을 형성하는 공정을 통해 제조된다.
이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 특히, 보조 전극이 평면 상에서 화소를 둘러싸도록 구비함으로써 투명 유기 발광 표시 장치의 투과율에 영향을 미치지 않으면서, 보조 전극의 면적을 확보하여 캐소드 전극의 저항을 효과적으로 조절할 수 있다. 특히, 애노드 전극과 보조 전극을 각각 하나의 층에만 형성함으로써 마스크 공정을 저감시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 캐소드 전극만이 보조 전극과 연결될 수 있도록 처마(eaves) 역할을 하는 격벽을 형성하는 공정을 제거함으로써, 공정에 소요되는 시간 및 비용을 줄일 수 있다. 특히, 캐소드 전극과 연결되는 보조 전극 내부의 이격된 공간을 형성하기 위한 포토 레지스트 패턴을 이용하여 제2뱅크를 함께 형성함으로써 마스크 공정을 줄일 수 있다.
도 1은 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 “A-A” 라인을 따라 절취한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 보여주는 공정 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소를 나타낸 평면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 기판에는 복수의 화소가 정의되고, 도 2에 도시된 바와 같이 한 화소는 네 개의 서브 화소로 구비된 발광 영역, 및 투과 영역을 포함하여 이루어진다.
네 개의 서브 화소는 각각 적색(R), 백색(W), 청색(B), 및 녹색(G)을 발광하는 화소로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 이하 각각의 구성에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
상기 화소에는 박막 트랜지스터(T), 애노드 전극(180), 제1뱅크(191), 보조 전극(200) 및 캐소드 전극(미도시)이 형성되어 있다.
상기 박막 트랜지스터(T)는 게이트 라인(미도시)으로부터의 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인(미도시)으로부터의 데이터 신호를 상기 애노드 전극(180)에 공급한다.
상기 애노드 전극(180)은 각 서브 화소의 발광 영역 내에 형성된다. 상기 애노드 전극(180)은 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터(T)의 소스 전극(미도시)과 연결되어, 상기 박막 트랜지스터(T)로부터 데이터 신호를 공급받는다.
상기 보조 전극(200)은 평면 상에서 화소와 화소 사이의 경계 영역, 구체적으로 각 화소의 네 면을 둘러싸도록 상기 제1뱅크(191) 상에 형성될 수 있다. 즉, 상기 보조 전극(200)은 상기 제1뱅크(191) 상에 형성됨으로써 상기 애노드 전극(180)과 상이한 층에 형성될 수 있다. 상기 보조 전극(200)은 후술하는 캐소드 전극(미도시)에 연결되어 상기 캐소드 전극의 저항을 낮춘다. 도 2에는 상기 보조 전극(200)이 한 화소의 네 면을 모두 둘러싸는 폐쇄된 형태로 도시되어 있으나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니므로, 상기 캐소드 전극의 저항을 낮춰야 하는 정도에 따라 한 화소의 네 면 중 일부만을 둘러싸도록 형성될 수도 있다.
도 2에 도시된 상기 보조 전극(200)과 캐소드 전극이 연결되는 영역(C)의 넓이는 상기 캐소드 전극이 상기 보조 전극(200)으로 증착되는 상태에 따라 조절될 수 있다. 즉, 상기 영역(C)이 너무 좁은 경우에는 상기 캐소드 전극이 상기 보조 전극(200)과 제대로 연결되지 않을 수 있으므로, 상기 캐소드 전극이 상기 보조 전극(200) 상에 증착이 잘 되는 경우 상기 영역(C)의 면적을 줄이거나, 상기 캐소드 전극이 상기 보조 전극(200) 상에 증착이 안 되는 경우 상기 영역(C)의 면적을 넓힐 수 있다.
구체적으로 상기 영역(C)은 상기 보조 전극(200)의 상부 보조 전극(미도시)을 식각함에 따라 형성되는 하부 보조 전극(미도시)과 커버 보조 전극(미도시) 사이의 이격된 공간에서 형성되므로, 본 발명의 실시예에서는 상기 보조 전극(200)과 캐소드 전극의 연결 상태에 따라서 상기 상부 보조 전극이 식각되는 면적을 넓히거나 좁힘으로써, 캐소드 전극의 저항을 효과적으로 줄일 수 있다.
전술한 바와 같이 투명 유기 발광 표시 장치는 발광 영역과 투과 영역을 포함하는데, 투과 영역의 개구율에 영향을 미치지 않도록 상기 보조 전극(200)은 화소와 화소 사이의 경계 영역에서 게이트 라인(미도시)과 센싱 라인(미도시)과 같은 배선의 상부에 형성될 수 있다.
특히, 종래의 유기 발광 표시 장치에서는 상기 캐소드 전극의 저항을 효과적으로 줄일 수 있도록 보조 전극의 면적을 충분히 증가시키기 위해서 보조 전극을 복수개의 층에 형성하였으나, 본 발명의 실시예에서는 상기 보조 전극(200)을 하나의 층에만 형성함으로써 보조 전극을 수직으로 적층함에 따라 증가되는 마스크 공정을 줄일 수 있다.
다만, 상기 보조 전극(200)을 하나의 층에만 형성함에 따라 상기 캐소드 전극의 저항을 줄이기 위한 보조 전극(200)의 면적이 충분히 확보되지 않을 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에서는 상기 보조 전극(200)이 각 화소의 네 면을 둘러싸도록 형성함으로써 캐소드 전극(미도시)의 저항을 줄이기 위한 상기 보조 전극(200)의 면적을 충분히 확보할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 상기 보조 전극(200)을 화소와 화소 사이의 경계 영역에 형성하기 때문에, 각 화소의 개구율은 그대로 유지할 수 있다.
상기 캐소드 전극은 발광 영역 및 투과 영역을 포함하는 화소 영역 및 화소 영역들 사이를 포함하는 전 영역에 형성된다. 상기 캐소드 전극은 구동 전원 공급부(미도시)에 접속되어 구동 전원을 공급받는다.
도 3은 도 2에 도시된 “A-A” 라인을 따라 절취한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(100) 상에 구비된 액티브 영역(Active Area; AA) 및 패드 영역(미도시)을 포함하여 이루어진다.
상기 기판(100) 상의 액티브 영역(AA)에는 박막 트랜지스터층(T), 패시베이션층(165), 평탄화층(170), 애노드 전극(180), 제1뱅크(191), 보조 전극(200), 제2뱅크(192), 유기 발광층(210) 및 캐소드 전극(220)이 형성되어 있다.
상기 박막 트랜지스터층(T)은 액티브층(110), 게이트 절연막(120), 게이트 전극(130), 층간 절연막(140), 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)을 포함하여 이루어진다.
상기 액티브층(110)은 상기 게이트 전극(130)과 중첩되도록 상기 기판(100) 상에 형성된다. 상기 액티브층(110)은 실리콘계 반도체 물질로 이루어질 수도 있고 산화물계 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 도시하지는 않았지만, 상기 기판(100)과 상기 액티브층(110) 사이에 차광막이 추가로 형성될 수 있으며, 이 경우 상기 기판(100)의 하면을 통해서 입사되는 외부광이 상기 차광막에 의해서 차단됨으로써 상기 액티브층(110)이 외부광에 의해서 손상되는 문제가 방지될 수 있다.
상기 게이트 절연막(120)은 상기 액티브층(110) 상에 형성된다. 상기 게이트 절연막(120)은 상기 액티브층(110)과 게이트 전극(130)을 절연시키는 기능을 수행한다. 상기 게이트 절연막(120)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중막으로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 게이트 절연막(120)은 투과 영역(TA)을 포함하는 표시 영역 전체까지 연장될 수 있다.
상기 게이트 전극(130)은 상기 게이트 절연막(120) 상에 형성된다. 상기 게이트 전극(130)은 상기 게이트 절연막(120)을 사이에 두고 상기 액티브층(110)과 중첩되도록 형성된다. 상기 게이트 전극(130)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 층간 절연막(140)은 상기 게이트 전극(130) 상에 형성된다. 상기 층간 절연막(140)은 상기 게이트 절연막(120)과 동일한 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 층간 절연막(140)은 투과 영역을 포함하는 액티브 영역 전체까지 연장될 수 있다.
상기 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)은 상기 층간 절연막(140) 상에서 서로 마주하도록 형성된다. 전술한 게이트 절연막(120)과 층간 절연막(140)에는 상기 액티브층(110)의 일단 영역을 노출시키는 제1 콘택홀(CH1) 및 상기 액티브층(110)의 타단 영역을 노출시키는 제2 콘택홀(CH2)이 구비되어 있고, 상기 소스 전극(150)은 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해서 상기 액티브층(110)의 타단 영역과 연결되고, 상기 드레인 전극(160)은 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해서 상기 액티브층(110)의 일단 영역과 연결된다.
상기 소스 전극(150)은 하부 소스 전극(151) 및 상부 소스 전극(152)을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 하부 소스 전극(151)은 상기 층간 절연막(140)과 상기 상부 소스 전극(152) 사이에 형성되어 상기 층간 절연막(140)과 상기 상부 소스 전극(152) 사이의 접착력을 증진시키는 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 하부 소스 전극(151)은 상기 상부 소스 전극(152)의 하면을 보호함으로써 상기 상부 소스 전극(152)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 하부 소스 전극(151)의 산화도는 상기 상부 소스 전극(152)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 하부 소스 전극(151)을 이루는 물질이 상기 상부 소스 전극(152)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 상기 하부 소스 전극(151)은 접착력 증진층 또는 부식 방지층의 역할을 수행하는 것으로서, 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 상부 소스 전극(152)은 상기 하부 소스 전극(151)의 상면에 형성된다. 상기 상부 소스 전극(152)은 저항이 낮은 금속인 구리(Cu)로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 상부 소스 전극(152)은 상기 하부 소스 전극(151)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 상기 소스 전극(150)의 전체 저항을 줄이기 위해서 상기 상부 소스 전극(152)의 두께는 상기 하부 소스 전극(151)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
상기 드레인 전극(160)은 전술한 소스 전극(150)과 유사하게 하부 드레인 전극(161) 및 상부 드레인 전극(162)을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 하부 드레인 전극(161)은 상기 층간 절연막(140)과 상기 상부 드레인 전극(162) 사이에 형성되어 상기 층간 절연막(140)과 상기 상부 드레인 전극(162) 사이의 접착력을 증진시키는 역할을 수행하며 또한 상기 상부 드레인 전극(162)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 하부 드레인 전극(161)의 산화도는 상기 상부 드레인 전극(162)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 하부 드레인 전극(161)을 이루는 물질이 상기 상부 드레인 전극(162)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 상기 하부 드레인 전극(161)은 전술한 하부 소스 전극(151)과 동일한 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 상부 드레인 전극(162)은 상기 하부 드레인 전극(161)의 상면에 형성되며, 전술한 상부 소스 전극(152)과 동일한 구리(Cu)로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 상부 드레인 전극(162)의 두께는 상기 하부 드레인 전극(161)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 상기 드레인 전극(160)의 전체 저항을 줄이는데 바람직할 수 있다.
상기 상부 드레인 전극(162)은 상기 상부 소스 전극(152)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있고, 상기 하부 드레인 전극(161)은 상기 하부 소스 전극(151)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이 경우 드레인 전극(160)과 소스 전극(150)을 동일한 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 장점이 있다.
이상과 같은 박막 트랜지스터층(T)의 구성은 도시된 구조로 한정되지 않고, 당업자에게 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다. 예로서, 도면에는 게이트 전극(130)이 액티브층(110)의 위에 형성되는 탑 게이트 구조(Top Gate) 구조를 도시하였지만, 게이트 전극(130)이 액티브층(110)의 아래에 형성되는 바텀 게이트 구조(Bottom Gate) 구조로 이루어질 수도 있다.
상기 패시베이션층(165)은 상기 박막 트랜지스터층(T) 상에, 보다 구체적으로는, 상기 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)의 상면 상에 형성되어 있다. 상기 패시베이션층(165)은 상기 박막 트랜지스터층(T)을 보호하는 기능을 하며, 이와 같은 패시베이션층(165)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX) 또는 실리콘 질화막(SiNX)으로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 패시베이션층(165)은 투과 영역을 포함하는 액티브 영역(AA) 전체까지 연장될 수 있다.
상기 평탄화층(170)은 상기 패시베이션층(165) 상에 형성된다. 상기 평탄화층(170)은 상기 박막 트랜지스터(T)가 구비되어 있는 상기 기판(100) 상부를 평탄하게 해주는 기능을 수행한다. 상기 평탄화층(170)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 절연물로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 평탄화층(170)은 투과 영역을 포함하는 액티브 영역(AA) 전체까지 연장될 수 있다.
상기 애노드 전극(180)은 상기 평탄화층(170) 상에 형성되어 있다. 전술한 패시베이션층(165)과 평탄화층(170)에는 상기 소스 전극(150)을 노출시키는 제3 콘택홀(CH3)이 구비되어 있으며, 상기 제3 콘택홀(CH3)을 통하여 상기 소스 전극(150)과 상기 애노드 전극(180)이 연결된다.
상기 애노드 전극(180)은 상기 유기 발광층(220)에서 발광된 광을 상부 방향으로 반사시키는 역할을 하며, 따라서, 반사도가 우수한 물질을 포함하여 이루어진다. 이와 같은 애노드 전극(180)은 하부 애노드 전극(181), 중앙 애노드 전극(182), 및 상부 애노드 전극(183)을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 하부 애노드 전극(181)은 상기 평탄화층(170)과 상기 중앙 애노드 전극(182) 사이에 형성된다. 상기 하부 애노드 전극(181)은 상기 중앙 애노드 전극(182)의 하면을 보호함으로써 상기 중앙 애노드 전극(182)의 하면이 부식되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 하부 애노드 전극(181)의 산화도는 상기 중앙 애노드 전극(182)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 하부 애노드 전극(181)을 이루는 물질이 상기 중앙 애노드 전극(182)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같은 하부 애노드 전극(181)은 ITO와 같은 투명 도전물로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 중앙 애노드 전극(182)은 상기 하부 애노드 전극(181)과 상기 상부 애노드 전극(183) 사이에 형성된다. 상기 중앙 애노드 전극(182)은 상기 하부 애노드 전극(181) 및 상기 상부 애노드 전극(183)보다 저항이 낮고 반사도가 우수한 물질로 이루어지며, 예로서 은(Ag)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상대적으로 저항이 낮은 중앙 애노드 전극(182)의 두께는 상대적으로 저항이 높은 하부 애노드 전극(181) 및 상부 애노드 전극(183) 각각의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 애노드 전극(180)의 전체 저항을 줄일 수 있어 바람직할 수 있다.
상기 상부 애노드 전극(183)은 상기 중앙 애노드 전극(182)의 상면에 형성되어, 상기 중앙 애노드 전극(182)의 상면이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 상부 애노드 전극(183)의 산화도는 상기 중앙 애노드 전극(182)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 상부 애노드 전극(183)을 이루는 물질이 상기 중앙 애노드 전극(182)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같은 상부 애노드 전극(183)은 ITO와 같은 투명 도전물로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1뱅크(191)는 상기 애노드 전극(180) 상에 형성된다.
상기 제1뱅크(191)는 상기 애노드 전극(180)의 상면을 노출시키면서 상기 애노드 전극(180)의 일측 및 타측 상에 형성된다. 상기 제1뱅크(191)가 상기 애노드 전극(180)의 상면을 노출시키도록 형성됨으로써 화상이 디스플레이되는 영역을 확보할 수 있다. 또한, 상기 제1뱅크(191)가 상기 애노드 전극(180)의 일측 및 타측 상에 형성됨으로써, 부식에 취약한 상기 애노드 전극(180)의 측면이 외부로 노출되는 것이 방지되어 상기 애노드 전극(180)의 측면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
이와 같은 제1뱅크(191)는 폴리이미드 수지(polyimide resin), 아크릴 수지(acryl resin), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 등과 같은 유기절연물로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 보조 전극(200)은 상기 제1뱅크(191) 상에 형성되어 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에서 상기 보조 전극(200)은 상기 애노드 전극(180) 상에 형성된 상기 제1뱅크(191) 상에 형성됨으로써 상기 애노드 전극(180)과 상이한 층에 형성되는 것을 특징으로 한다. 상기 보조 전극(200)은 상기 캐소드 전극(220)에 연결되어 상기 캐소드 전극(220)의 저항을 낮추는 역할을 한다.
전술한 바와 같이 투명 유기 발광 표시 장치는 발광 영역과 투과 영역을 포함하는데, 투과 영역의 개구율에 영향을 미치지 않도록 상기 보조 전극(200)은 화소와 화소 사이의 데이터 라인(미도시), 게이트 라인(미도시) 및 센싱 라인(미도시)과 같은 배선의 상부에 위치할 수 있다.
특히, 종래의 유기 발광 표시 장치에서는 상기 캐소드 전극의 저항을 효과적으로 줄일 수 있도록 보조 전극의 면적을 충분히 증가시키기 위해서 보조 전극을 복수개의 층에 형성하였으나, 본 발명의 실시예에서는 상기 보조 전극(200)을 상기 애노드 전극(180)이 형성된 층과는 상이한 하나의 층에만 형성함으로써 보조 전극을 수직으로 적층함에 따라 증가되는 마스크 공정을 줄일 수 있다.
다만, 상기 보조 전극(200)을 하나의 층에만 형성함에 따라 상기 캐소드 전극(220)의 저항을 줄이기 위한 보조 전극(200)의 면적이 충분히 확보되지 않을 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에서는 상기 보조 전극(200)이 각 화소의 네 면을 둘러싸도록 형성함으로써 상기 캐소드 전극(220)의 저항을 줄이기 위한 상기 보조 전극(200)의 면적을 충분히 확보할 수 있다.
상기 보조 전극(200)은 하부 보조 전극(201), 상부 보조 전극(202) 및 커버 보조 전극(203)을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 하부 보조 전극(201)은 상기 제1뱅크(191)와 상기 상부 보조 전극(202) 사이에 형성되어 상기 제1뱅크(191)과 상기 상부 보조 전극(202) 사이의 접착력을 증진시키는 역할을 수행하며 또한 상기 상부 보조 전극(202)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 하부 보조 전극(201)의 산화도는 상기 상부 보조 전극(202)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 하부 보조 전극(201)을 이루는 물질이 상기 상부 보조 전극(202)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 상기 하부 보조 전극(201)은 접착력 증진층 또는 부식 방지층의 역할을 수행하는 것으로서, 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 상부 보조 전극(202)은 상기 하부 보조 전극(201)과 커버 보조 전극(203) 사이에 형성된다. 상기 상부 보조 전극(202)은 저항이 낮은 구리(Cu)로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 상부 보조 전극(202)은 상기 하부 보조 전극(201) 및 상기 커버 보조 전극(203)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 상기 보조 전극(200)의 전체 저항을 줄이기 위해서 상기 상부 보조 전극(202)의 두께는 상대적으로 저항이 높은 하부 보조 전극(201) 및 커버 보조 전극(203) 각각의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 보조 전극(200)의 전체 저항을 줄일 수 있어 바람직하다.
상기 커버 보조 전극(203)은 상기 상부 보조 전극(202) 상에 형성되어 있다. 상기 커버 보조 전극(203)은 상기 상부 보조 전극(202)의 상면 및 측면을 덮도록 형성됨으로써 상기 상부 보조 전극(202)이 부식되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 커버 보조 전극(203)의 산화도는 상기 상부 보조 전극(202)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 커버 보조 전극(203)을 이루는 물질이 상기 상부 보조 전극(202)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 커버 보조 전극(203)은 상기 하부 보조 전극(201)의 측면까지 덮도록 형성될 수 있다. 이 때, 상기 커버 보조 전극(203)의 산화도는 상기 하부 보조 전극(201)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 커버 보조 전극(203)을 이루는 물질이 상기 하부 보조 전극(201)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같은 커버 보조 전극(203)은 ITO와 같은 투명 도전물로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
한편, 본 발명의 일 실시예에서는 상기 캐소드 전극(220)을 상기 보조 전극(200)과 연결하여 상기 캐소드 전극(220)의 저항을 줄일 수 있도록, 상기 캐소드 전극(220)이 상기 보조 전극(200)에 연결되는 소정의 영역에서 상기 커버 보조 전극(203)은 상기 하부 보조 전극(201) 및 상부 보조 전극(202)의 측면을 덮지 않도록 형성된다.
그리고, 소정의 영역에서 상기 보조 전극(200)은 상기 하부 보조 전극(201) 및 상기 커버 보조 전극(203)만을 포함하기 때문에, 상기 소정의 영역에서 상기 하부 보조 전극(201)과 상기 커버 보조 전극(203)은 상기 상부 보조 전극(202)의 높이에 해당하는 소정 거리를 두고 이격되어 있으며, 상기 하부 보조 전극(201)과 상기 커버 보조 전극(203) 사이의 이격된 공간을 통해서 상기 하부 보조 전극(201)과 상기 캐소드 전극(220)이 서로 전기적으로 연결된다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에서는 도 1에 도시된 종래의 유기 발광 표시 장치와 같이 캐소드 전극과 보조 전극이 연결될 수 있는 공간을 형성하기 위한 격벽을 별도로 형성하지 않고, 소정의 영역에서 상부 보조 전극(202)이 제거된 공간을 통해서 상기 하부 보조 전극(201)과 상기 캐소드 전극(220)이 연결되도록 할 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시예에서는 상기 커버 보조 전극(203) 및 제2뱅크(192)가 처마(eaves)와 같은 역할을 함으로써 처마 아래 영역에는 상기 유기 발광층(210)이 증착되지 않게 되어 상기 하부 보조 전극(201)이 노출될 수 있다. 특히, 상기 유기 발광층(210)은 증발법(Evaporation)과 같은 증착 물질의 직진성이 우수한 증착 공정을 통해 형성할 수 있기 때문에, 상기 유기 발광층(210)의 증착 공정시 상기 하부 보조 전극(201)과 상기 커버 보조 전극(203) 사이의 이격된 공간으로 상기 유기 발광층(210)이 증착되지 않게 된다.
한편, 도 3에서는 상기 보조 전극(200)과 상기 애노드 전극(180)이 서로 오버랩되지 않는 것으로 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니므로 설계 마진 등을 고려하여 상기 보조 전극(200)은 상기 애노드 전극(180)와 일부 영역이 오버랩되도록 형성되는 것도 가능하다.
상기 제2뱅크(192)는 상기 보조 전극(200) 상에 형성되어 있다.
상기 제2뱅크(192)는 상기 보조 전극(200)의 상기 소정의 영역을 노출시키면서 상기 보조 전극(200) 상에 형성되어 있다. 즉, 상기 제2뱅크(192)가 상기 보조 전극(200) 상에 형성됨으로써, 상기 보조 전극(200)이 외부로 노출되는 것이 방지되어 상기 유기 발광층(210)이 상기 보조 전극(200) 상에 증착되는 것을 방지할 수 있다.
다만, 전술한 바와 같이 상기 캐소드 전극(220)이 상기 보조 전극(200)과 연결될 수 있는 공간을 외부로 노출시킬 수 있도록 상기 제2뱅크(192)는 상기 보조 전극(200)의 소정의 영역을 노출시키면서 상기 보조 전극(200) 상에 형성되어 있다.
특히, 상기 제2뱅크(192)는 상기 보조 전극(200)을 형성하는 마스크를 통해서 동시에 형성할 수 있기 때문에, 도 1에 도시된 종래의 유기 발광 표시 장치에 비해서 마스크 수를 줄일 수 있다는 장점이 있다. 상기 제2뱅크(192)를 형성하는 구체적인 과정에 대해서는 후술하기로 한다.
상기 제2뱅크(192)는 상기 제1뱅크(191)와 동일하게 폴리이미드 수지(polyimide resin), 아크릴 수지(acryl resin), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 등과 같은 유기절연물로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니므로 상기 제1뱅크(191)와 상기 제2뱅크(192)는 서로 다른 물질로 이루어질 수도 있다.
상기 유기 발광층(210)은 상기 애노드 전극(180) 상에 형성된다. 상기 유기 발광층(210)은 정공 주입층(Hole Injecting Layer), 정공 수송층(Hole Transporting Layer), 발광층(Emitting Layer), 전자 수송층(Electron Transporting Layer), 및 전자 주입층(Electron Injecting Layer)을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 유기 발광층(210)의 구조는 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다.
상기 유기 발광층(210)은 상기 제2뱅크(192)의 상면까지 연장될 수 있다. 다만, 상기 유기 발광층(210)은 상기 보조 전극(200)의 소정의 영역을 가리면서 상기 보조 전극(200)의 상면까지 연장되지는 않는다. 상기 유기 발광층(210)이 상기 보조 전극(200)의 상면 구체적으로 상기 하부 보조 전극(201)을 가리게 되면 상기 하부 보조 전극(201)과 상기 캐소드 전극(220) 사이의 전기적 연결이 어려워지기 때문이다. 전술한 바와 같이, 상기 유기 발광층(210)은 상기 보조 전극(200)의 상면을 가리는 마스크 없이 증착 공정을 통해 형성할 수 있으며, 이 경우 상기 유기 발광층(210)은 상기 소정의 영역에서 노출된 상기 하부 보조 전극(201)의 측면에도 형성될 수 있다.
상기 캐소드 전극(220)은 상기 유기 발광층(210) 상에 형성되어 있다. 상기 캐소드 전극(220)은 광이 방출되는 면에 형성되기 때문에 투명한 도전물질로 이루어진다. 상기 캐소드 전극(220)은 투명한 도전물질로 이루어지기 때문에 저항이 높게 되고, 따라서 상기 캐소드 전극(220)의 저항을 줄이기 위해서 상기 캐소드 전극(220)은 상기 보조 전극(200)과 연결된다. 구체적으로, 상기 캐소드 전극(220)은 상기 하부 보조 전극(201)과 상기 커버 보조 전극(203) 사이의 이격된 공간을 통해서 상기 하부 보조 전극(201)과 연결되어 있다. 상기 캐소드 전극(220)은 스퍼터링(Sputtering)과 같은 증착 물질의 직진성이 좋지 않은 증착 공정을 통해 형성할 수 있기 때문에, 상기 캐소드 전극(220)의 증착 공정시 상기 하부 보조 전극(201)과 상기 커버 보조 전극(203) 사이의 이격된 공간으로 상기 캐소드 전극(220)이 증착될 수 있다.
도면에 도시되지는 않았으나, 상기 캐소드 전극(220) 상에는 밀봉층(encapsulation layer)이 추가로 형성되어 수분의 침투를 방지할 수 있다. 상기 밀봉층은 당업계에 공지된 다양한 재료가 이용될 수 있다. 또한, 도시하지는 않았지만, 상기 캐소드 전극(220) 상에 각 화소별로 컬러 필터가 추가로 형성될 수도 있으며, 이 경우에는 상기 유기 발광층(220)에서 화이트(white) 광이 발광될 수 있다.
도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 보여주는 공정 단면도로서, 이는 전술한 도 3에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 각각의 구성의 물질 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략된다.
우선, 도 4a에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 액티브층(110), 게이트 절연막(120), 게이트 전극(130), 층간 절연막(140), 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)을 차례로 형성한다.
보다 구체적으로 설명하면, 상기 기판(100) 상에 상기 액티브층(110)을 형성하고, 상기 액티브층(110) 상에 상기 게이트 절연막(120)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(120) 상에 상기 게이트 전극(130)을 형성하고, 상기 게이트 전극(130) 상에 상기 층간 절연막(140)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(120) 및 상기 층간 절연막(140)에 제1 콘택홀(CH1)과 제2 콘택홀(CH2)을 형성하고, 그 후 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해서 상기 액티브층(110)의 일단 영역과 연결되는 상기 드레인 전극(160), 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해 상기 액티브층(110)의 타단 영역과 연결되는 상기 소스 전극(150)을 형성한다.
여기서, 상기 액티브층(110), 상기 게이트 전극(130), 상기 소스 전극(150), 및 상기 드레인 전극(160)은 기판(100)의 발광 영역에 형성하고, 상기 게이트 절연막(120) 및 상기 층간 절연막(140)은 발광 영역에서 투과 영역을 포함하는 액티브 영역(AA) 전체까지 연장되도록 형성한다.
상기 소스 전극(150)은 하부 소스 전극(151)과 상부 소스 전극(152)으로 이루어지고, 상기 드레인 전극(160)은 하부 드레인 전극(161)과 상부 드레인 전극(162)으로 이루어진다. 이와 같은 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)은 동일한 물질로 동일한 패터닝 공정에 의해서 동시에 형성할 수 있다.
다음, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 소스 전극(150) 및 상기 드레인 전극(160) 상에 패시베이션층(165)을 형성하고, 상기 패시베이션층(165) 상에 평탄화층(170)을 형성한다. 상기 패시베이션층(165) 및 상기 평탄화층(170)은 발광 영역에서 투과 영역을 포함하는 액티브 영역(AA) 전체까지 연장되도록 형성한다.
상기 패시베이션층(165)과 상기 평탄화층(170)은 상기 액티브 영역(AA)에서 제3 콘택홀(CH3)을 구비하도록 형성되어, 상기 제3 콘택홀(CH3)을 통해 상기 소스 전극(150)이 외부로 노출된다.
다음, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 액티브 영역(AA) 내의 상기 평탄화층(170) 상에 애노드 전극(180)을 형성하고, 상기 애노드 전극(180) 상에 제1뱅크(191)를 형성한다.
상기 애노드 전극(180)은 상기 제3 콘택홀(CH3)을 통해서 상기 소스 전극(150)과 연결되도록 형성된다. 상기 애노드 전극(180)은 하부 애노드 전극(181), 중앙 애노드 전극(182), 및 상부 애노드 전극(183)으로 이루어진다.
상기 제1뱅크(191)는 하프톤(Half-tone) 마스크를 이용하여 서로 다른 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 구체적으로 상기 제1뱅크(191)는 상기 애노드 전극(180)의 일측 및 타측 상에서는 상대적으로 두꺼운 두께를 갖고, 후술하는 도 4g에서 유기 발광층(210)이 상기 애노드 전극(180)의 상면 상에 직접 형성되는 영역에서는 상대적으로 얇은 두께를 갖도록 형성된다.
이는 후술하는 식각 공정에서 상기 애노드 전극(180)을 보호하고, 상기 제1뱅크(191)의 애싱 공정을 통해서 상기 애노드 전극(180)의 일측 및 타측을 제외한 영역만을 노출시키기 위함이다.
다음, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 제1뱅크(191) 상에 보조 전극(200)을 형성한다. 즉, 상기 보조 전극(200)은 상기 애노드 전극(180) 상에 형성된 상기 제1뱅크(191) 상에 형성됨으로써 상기 애노드 전극(180)과 상이한 단일층에 형성되는 것을 특징으로 한다. 상기 보조 전극(200)은 하부 보조 전극(201), 상부 보조 전극(202) 및 커버 보조 전극(203)으로 이루어진다.
특히, 상기 커버 보조 전극(203)은 상기 상부 보조 전극(202)의 상면 및 측면을 덮고, 상기 하부 보조 전극(201)의 측면을 덮도록 형성되지만, 도 4d에 도시된 바와 같은 소정의 영역에서 상기 커버 보조 전극(203)은 상기 상부 보조 전극(202) 및 상기 하부 보조 전극(201)의 측면을 덮지 않도록 형성된다.
여기서, 상기 소정의 영역에서만 상기 상부 보조 전극(202) 및 상기 하부 보조 전극(201)의 측면을 덮지 않는 것은, 상기 소정의 영역에서만 상기 상부 보조 전극(202)을 식각하기 위해서이고, 상기 상부 보조 전극(202)이 식각된 공간을 통해서 캐소드 전극(220)이 상기 하부 보조 전극(201)과 연결될 수 있게 된다.
다음, 도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 보조 전극(200) 상에 포토 레지스트 패턴(PR)을 형성하여 정렬시킨다. 특히, 상기 포토 레지스트 패턴(PR)은 도 4g에서 유기 발광층(210)이 상기 애노드 전극(180)의 상면 상에 직접 형성되는 영역, 및 상기 보조 전극(200)의 소정의 영역을 가리지 않는 패턴으로 형성된다.
다음, 도 4f에서 알 수 있듯이, 상기 포토 레지스트 패턴(PR)을 마스크로 하여 상기 소정의 영역에서 상기 상부 보조 전극(202)을 식각하고, 잔존하는 포토 레지스트 패턴(PR)을 통해 상기 보조 전극(200) 상에 제2뱅크(192)를 형성한다.
즉, 도 4e에 도시된 바와 같은 포토 레지스트 패턴(PR)을 마스크로 이용하기 때문에 소정의 영역을 제외한 영역에서 상기 보조 전극(200)의 식각을 방지할 수 있고, 전술한 도 4c에서 상기 제1뱅크(191)를 하프톤 마스크를 이용하여 상기 제1애노드 전극(180)을 모두 가리도록 형성했기 때문에 상기 제1애노드 전극(180)의 식각을 방지할 수 있으며, 상기 소정의 영역에 대해서만 상기 상부 보조 전극(202)을 식각하여 제거한다.
이에 대해서 보다 구체적으로 설명하면, 상기 상부 보조 전극(202)이 구리(Cu)로 이루어지고 상기 하부 보조 전극(201)이 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi)으로 이루어지고 상기 커버 보조 전극(203)이 ITO로 이루어진 경우, 구리(Cu)만을 선택적으로 식각할 수 있는 식각액으로 상기 상부 패드 전극(402)만을 제거할 수 있다. 일례로, 상기 식각 공정 시에 인산, 질산, 아세트산으로 이루어진 3성분계 혼산을 포함하는 식각액으로 구리(Cu)로 이루어진 상기 상부 보조 전극(202)만을 제거할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 식각액의 성분은 구체적인 상부 보조 전극(202)의 물질에 따라 달라질 수 있다.
이와 같이, 상기 보조 전극(200)을 형성한 이후에 상기 상부 보조 전극(202)만을 제거함으로써, 도 4f에 도시된 바와 같이 상기 하부 보조 전극(201)과 상기 커버 보조 전극(203) 사이에 이격된 공간(S)을 형성할 수 있다.
그리고, 잔존하는 포토 레지스트 패턴(PR)을 통해 상기 보조 전극(200) 상에 제2뱅크(192)를 형성하는 한편, 도 4c에서 형성했던 상기 제1뱅크(191) 및 상기 제2뱅크(192)를 애싱 처리함으로써, 도 4f에 도시된 바와 같이 상기 애노드 전극(180)의 상면이 노출된 상태의 기판(100)이 형성된다. 결국, 상기 제2뱅크(192)는 상기 보조 전극(200)을 형성하는 공정에서 잔존하는 포토 레지스트 패턴(PR)으로 함께 형성될 수 있기 때문에 별도의 마스크 공정 추가 없이 상기 보조 전극(200)이 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다.
다음, 도 4g에 도시된 바와 같이, 상기 애노드 전극(180) 상에 유기 발광층(210)을 형성한다. 상기 유기 발광층(210)은 증발법(Evaporation)과 같은 증착 물질의 직진성이 우수한 증착 공정을 통해 형성하며, 그에 따라, 상기 유기 발광층(210)은 상기 제2뱅크(192)의 상면에는 증착될 수 있지만 상기 하부 보조 전극(201)과 상기 커버 보조 전극(203) 사이의 이격된 공간(S)에는 증착되지 않게 된다. 즉, 상기 유기 발광층(210)의 증착시 상기 제2뱅크(192)가 처마(eaves)와 같은 역할을 하기 때문에, 상기 유기 발광층(210)을 증착하여도 상기 하부 보조 전극(201)과 상기 커버 보조 전극(203) 사이의 이격된 공간(S)으로 상기 유기 발광층(210)이 증착되는 것이 방지될 수 있다.
다음, 도 4h에 도시된 바와 같이, 상기 유기 발광층(210) 상에 캐소드 전극(220)을 형성한다.
상기 캐소드 전극(220)은 상기 하부 보조 전극(201)과 상기 커버 보조 전극(203) 사이의 이격된 공간(S)을 통해서 상기 하부 보조 전극(201)과 연결되도록 형성한다. 상기 캐소드 전극(220)은 스퍼터링(Sputtering)과 같은 증착 물질의 직진성이 좋지 않은 증착 공정을 통해 형성할 수 있으며, 그에 따라 상기 캐소드 전극(220)의 증착 공정시 상기 하부 보조 전극(201)과 상기 커버 보조 전극(203) 사이의 이격된 공간(S)으로 상기 캐소드 전극(220)이 증착될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 기판 T: 박막 트랜지스터층
165: 패시베이션층 170: 평탄화층
180: 애노드 전극 191, 192: 제1뱅크, 제2뱅크
200: 보조 전극 210: 유기 발광층
220: 캐소드 전극

Claims (11)

  1. 기판에 정의된 복수의 화소에 각각 구비된 애노드 전극;
    상기 애노드 전극의 일측 및 타측 상에 구비된 제1 뱅크;
    상기 제1 뱅크 위에 배치되고 하부 보조 전극, 상부 보조 전극 및 커버 보조 전극을 구비한 보조 전극;
    상기 보조 전극의 소정의 영역을 제외한 상기 보조 전극 상에 구비된 제2 뱅크;
    상기 제2 뱅크 및 상기 애노드 전극 위에 구비된 유기 발광층; 및
    상기 유기 발광층 상에 구비된 캐소드 전극을 포함하고,
    상기 소정의 영역에서 상기 보조 전극은 상기 하부 보조 전극, 상기 커버 보조 전극, 그리고 상기 하부 보조 전극과 상기 커버 보조 전극 사이의 이격된 공간을 구비하고,
    상기 보조 전극은 상기 소정의 영역에서 상기 공간을 통해 상기 캐소드 전극과 연결된, 유기 발광 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 하부 보조 전극과 상기 커버 보조 전극의 산화도는 상기 상부 보조 전극의 산화도보다 작고, 상기 상부 보조 전극의 저항은 상기 하부 보조 전극과 상기 커버 보조 전극의 산화도보다 낮은, 유기 발광 표시 장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 애노드 전극은 하부 애노드 전극, 중앙 애노드 전극 및 상부 애노드 전극을 포함하고,
    상기 하부 애노드 전극과 상기 상부 애노드 전극의 산화도는 상기 중앙 애노드 전극의 산화도보다 작고, 상기 중앙 애노드 전극의 저항은 상기 하부 애노드 전극과 상기 상부 애노드 전극의 산화도보다 낮은, 유기 발광 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 보조 전극은 평면 상에서 상기 복수의 화소를 각각 둘러싸도록 구비된, 유기 발광 표시 장치.
  7. 기판 상에 애노드 전극을 형성하는 공정;
    상기 애노드 전극 상에 상기 애노드 전극의 일측 및 타측에서 더 두꺼운 두께를 갖고, 나머지 영역에서 더 얇은 두께를 갖도록 제1뱅크를 형성하는 공정;
    상기 제1뱅크 상에 하부 보조 전극, 상부 보조 전극 및 커버 보조 전극을 포함하는 보조 전극을 형성하고, 상기 보조 전극의 소정의 영역에서 상기 상부 보조 전극을 제거하여 상기 하부 보조 전극과 상기 커버 보조 전극 사이의 이격된 공간을 형성하고, 상기 보조 전극 상에 제2뱅크를 형성하는 공정;
    상기 제1뱅크 및 상기 제2뱅크를 애싱하여 상기 애노드 전극의 일측 및 타측을 제외한 영역에서 상기 애노드 전극을 외부로 노출시키는 공정;
    상기 상부 보조 전극이 제거된 상기 소정의 영역을 제외한 상기 애노드 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 공정; 및
    상기 유기 발광층 상에 증착되며, 상기 소정의 영역에서 상기 공간을 통해 상기 보조 전극과 연결되는 캐소드 전극을 형성하는 공정을 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제2뱅크를 형성하는 공정은,
    상기 보조 전극 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 공정;
    상기 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 보조 전극의 상기 소정의 영역에서 상기 상부 보조 전극을 제거하는 공정; 및
    상기 포토 레지스트 패턴을 이용하여 상기 제2뱅크를 형성하는 공정을 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
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