JP5008606B2 - 有機el表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
基板の上に設けられた複数の第1電極と、
隣接して配置される前記第1電極の間に設けられた絶縁性の画素分離膜と、
前記画素分離膜の上に設けられた導電性材料からなる補助配線と、
前記補助配線の上に設けられた逆テーパー状の絶縁体又は導電体からなる隔壁と、
前記第1電極、前記画素分離膜及び前記隔壁を含む表示領域全面を覆うように設けられ、少なくとも発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に設けられた第2電極と、を有し、
前記補助配線のうち少なくとも2本が表示領域内に並行して設けられており、
前記隔壁が、前記補助配線が設けられている方向に、かつ前記隔壁が並んでいる方向に対して交差する方向の隔壁の幅が、前記隔壁と隣り合う隔壁間の間隔よりも大きくなるように間隔を空けて設けられており、
前記隔壁の逆テーパー部の直下位置で前記補助配線と前記第2電極とが電気的に接続されていることを特徴とする。
(L6×tanθ3+L4/2)≦L5/2 <式1>
102 ソース領域
103 ドレイン領域
104 poly−Si
105 ゲート電極
106 ゲート絶縁膜
107 層間絶縁膜
108 ドレイン電極
109 無機絶縁膜
110 平坦化膜
200 TFT
300 反射電極(第1電極)
310 有機層
320 透明電極(第2電極)
330 画素分離膜
340 補助配線
341 偏光板
350 隔壁
401 封止ガラス
402 ドライ窒素
500 ガラス基板
501 TFT
510 ソース領域
511 poly−Si
512 ドレイン領域
514 ゲート電極
513 ゲート絶縁膜
515 層間絶縁膜
516 ドレイン電極
517 無機絶縁膜
518 有機平坦化膜
520 反射電極(第1電極)
521 透明電極
522 発光層
523 正孔輸送層
524 電子輸送層
525 有機層
530 画素分離膜
540 封止ガラス
541 不活性ガス
601 画素(表示領域)
602 補助配線
603 透明電極(第2電極)
604 隔壁
Claims (7)
- 基板の上に設けられた複数の第1電極と、
隣接して配置される前記第1電極の間に設けられた絶縁性の画素分離膜と、
前記画素分離膜の上に設けられた導電性材料からなる補助配線と、
前記補助配線の上に設けられた逆テーパー状の絶縁体又は導電体からなる隔壁と、
前記第1電極、前記画素分離膜及び前記隔壁を含む表示領域全面を覆うように設けられ、少なくとも発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に設けられた第2電極と、を有し、
前記補助配線のうち少なくとも2本が表示領域内に並行して設けられており、
前記隔壁が、前記補助配線が設けられている方向に、かつ前記隔壁が並んでいる方向に対して交差する方向の隔壁の幅が、前記隔壁と隣り合う隔壁間の間隔よりも大きくなるように間隔を空けて設けられており、
前記隔壁の逆テーパー部の直下位置で前記補助配線と前記第2電極とが電気的に接続されていることを特徴とする有機EL表示装置。 - 前記第2電極は透明導電性材料からなり、有機EL発光が前記第2電極を介して取り出されることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記隔壁が複数の層からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL表示装置。
- 前記第2電極の膜厚は、20nm以上45nm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
- 基板の上に、第1電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、第2電極とを有する有機EL素子を複数備え、隣接して配置される前記第1電極の間に絶縁性の画素分離膜を備え、前記画素分離膜の上に導電性材料からなる補助配線を備える有機EL表示装置の製造方法において、
前記基板の上に前記第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の周縁部を覆い、各前記第1電極を区画するように前記画素分離膜を形成 前記画素分離膜の上に前記補助配線を形成する補助配線の形成工程と、
前記補助配線の上に逆テーパー状の絶縁体又は導電体からなる前記隔壁を形成する隔壁の形成工程と、
前記第1電極、前記画素分離膜及び前記隔壁を含む表示領域全面を覆うように、前記有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に前記第2電極を形成し、前記隔壁の逆テーパー部の直下位置で前記補助配線と前記第2電極とを電気的に接続する工程とを有し、
前記補助配線の形成工程にて形成される前記補助配線のうち少なくとも2本が、表示領域内に並行して設けられており、
前記隔壁の形成工程にて形成される前記隔壁が、前記補助配線が設けられている方向に、かつ前記隔壁が並んでいる方向に対して交差する方向の隔壁の幅が、前記隔壁と隣り合う隔壁間の間隔よりも大きくなるように間隔を空けて設けられていることを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。 - 前記有機層を形成する工程は、前記有機層を真空蒸着法で形成する工程であることを特徴とする請求項5に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記第2電極を形成する工程は、前記第2電極をスパッタ法で形成する工程であることを特徴とする請求項5又は6に記載の有機EL表示装置の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2503851B1 (en) * | 2009-11-17 | 2018-07-11 | Unified Innovative Technology, LLC | Organic el display |
KR101074813B1 (ko) | 2010-01-07 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20140048087A (ko) * | 2011-02-10 | 2014-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 그 제작 방법, 조명 장치 및 표시 장치 |
KR102004305B1 (ko) * | 2011-02-11 | 2019-07-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 그 제작 방법, 그리고 조명 장치 및 표시 장치 |
WO2012115466A2 (ko) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | 주성엔지니어링(주) | 발광 장치 |
TWI562423B (en) | 2011-03-02 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device and lighting device |
KR101933952B1 (ko) * | 2011-07-01 | 2018-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 전자 기기 및 조명 장치 |
US8963137B2 (en) | 2011-09-02 | 2015-02-24 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of fabricating the same |
US20130056784A1 (en) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | Lg Display Co., Ltd. | Organic Light-Emitting Display Device and Method of Fabricating the Same |
JP6057143B2 (ja) * | 2012-03-19 | 2017-01-11 | 株式会社Joled | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2014038094A1 (ja) * | 2012-09-10 | 2014-03-13 | パイオニア株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
KR101548304B1 (ko) * | 2013-04-23 | 2015-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102131248B1 (ko) * | 2013-07-04 | 2020-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US9478591B2 (en) * | 2013-12-23 | 2016-10-25 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and repair method thereof |
KR102278160B1 (ko) * | 2013-12-23 | 2021-07-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 리페어 방법 |
JP6294071B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2018-03-14 | パイオニアOledライティングデバイス株式会社 | 発光装置 |
JP5937124B2 (ja) * | 2014-03-10 | 2016-06-22 | ユニファイド イノヴェイティヴ テクノロジー, エルエルシー | 有機elディスプレイ |
JP6371094B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-08-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
US9806279B2 (en) * | 2014-07-08 | 2017-10-31 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device comprising auxiliary electrode having void therein and manufacturing method thereof |
KR102584253B1 (ko) * | 2014-12-12 | 2023-10-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2015156381A (ja) * | 2015-03-31 | 2015-08-27 | ユニファイド イノヴェイティヴ テクノロジー, エルエルシー | 有機elディスプレイ |
CN104867962B (zh) * | 2015-05-06 | 2019-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled阵列基板及其制作方法、oled显示装置 |
KR102465826B1 (ko) * | 2015-10-29 | 2022-11-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP6736385B2 (ja) | 2016-07-01 | 2020-08-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102636749B1 (ko) * | 2016-11-28 | 2024-02-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 |
KR102604310B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2023-11-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
EP3343662B1 (en) * | 2016-12-30 | 2020-08-26 | LG Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
CN107565048B (zh) * | 2017-08-24 | 2020-05-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置 |
KR102430808B1 (ko) * | 2017-09-12 | 2022-08-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 패널 |
KR102474205B1 (ko) * | 2017-12-26 | 2022-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102439307B1 (ko) * | 2018-01-29 | 2022-09-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
JP2019160393A (ja) * | 2018-03-07 | 2019-09-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
CN108461649B (zh) * | 2018-03-22 | 2020-02-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
KR102480092B1 (ko) * | 2018-04-30 | 2022-12-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN109802052B (zh) * | 2019-01-25 | 2021-05-07 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板及其制作方法 |
KR102654917B1 (ko) * | 2019-04-15 | 2024-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR20210016145A (ko) | 2019-07-31 | 2021-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN111463250A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-07-28 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
CN111863918B (zh) * | 2020-07-29 | 2023-05-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
JP2022102401A (ja) | 2020-12-25 | 2022-07-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JPWO2022176395A1 (ja) * | 2021-02-17 | 2022-08-25 | ||
JPWO2022190617A1 (ja) * | 2021-03-09 | 2022-09-15 | ||
CN113270426B (zh) * | 2021-05-14 | 2022-07-22 | 长沙惠科光电有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
CN113270425B (zh) * | 2021-05-14 | 2022-06-17 | 长沙惠科光电有限公司 | 阵列基板、阵列基板制备方法及显示面板 |
JP2023102548A (ja) | 2022-01-12 | 2023-07-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着装置及び蒸着方法 |
JP2023132064A (ja) | 2022-03-10 | 2023-09-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2023136831A (ja) | 2022-03-17 | 2023-09-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN115295581A (zh) * | 2022-06-07 | 2022-11-04 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
JP2023184090A (ja) | 2022-06-17 | 2023-12-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2024004895A (ja) | 2022-06-29 | 2024-01-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3813217B2 (ja) * | 1995-03-13 | 2006-08-23 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法 |
JP3814102B2 (ja) * | 1999-05-24 | 2006-08-23 | 東北パイオニア株式会社 | 有機elディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP4434411B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法 |
US6626721B1 (en) * | 2000-09-22 | 2003-09-30 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with supplemental cathode bus conductor |
JP2002318553A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | 自己発光型表示装置 |
JP4664604B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2011-04-06 | Tdk株式会社 | 画像表示装置 |
JP4121514B2 (ja) * | 2004-07-22 | 2008-07-23 | シャープ株式会社 | 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置 |
KR100599469B1 (ko) * | 2004-10-05 | 2006-07-12 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 유기 el 소자 및 그 제조 방법 |
CN1816237A (zh) * | 2005-02-03 | 2006-08-09 | 悠景科技股份有限公司 | 有机电激发光平面显示器的电极结构及其制作方法 |
KR100683766B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
KR100686120B1 (ko) * | 2005-05-17 | 2007-02-26 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자의 제조방법 |
JP4736757B2 (ja) | 2005-12-01 | 2011-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP2008084541A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JP2008135325A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置とその製造方法 |
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