CN101340754B - 有机el显示装置及其制造方法 - Google Patents

有机el显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101340754B
CN101340754B CN2008101357294A CN200810135729A CN101340754B CN 101340754 B CN101340754 B CN 101340754B CN 2008101357294 A CN2008101357294 A CN 2008101357294A CN 200810135729 A CN200810135729 A CN 200810135729A CN 101340754 B CN101340754 B CN 101340754B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
organic
substrate
organic electroluminescence
organic layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008101357294A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101340754A (zh
Inventor
高田健司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of CN101340754A publication Critical patent/CN101340754A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101340754B publication Critical patent/CN101340754B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/5328—Conductive materials containing conductive organic materials or pastes, e.g. conductive adhesives, inks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种有机EL显示装置及其制造方法，所述有机EL显示装置包括：衬底；在衬底上形成的多个有机EL器件，所述有机EL器件中的每一个包含从衬底侧依次设置的第一电极、有机层和第二电极，所述有机层包含至少发光层；多个像素分隔膜，所述像素分隔膜中的每一个是绝缘膜并形成于位置相邻的第一电极之间；形成在多个像素分隔膜上并包含导电材料的多条辅助布线；以及形成在辅助布线上并包含呈倒锥状以具有倒锥状部分的绝缘体和导体中之一的多个隔壁，其中，多条辅助布线和第二电极在多个隔壁的倒锥状部分的正下方位置中相互电连接。

Description

有机EL显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光(EL)显示装置以及有机EL显示装置的制造方法。
背景技术
近年来，使用由发光材料制成的有机EL器件的有机EL显示装置作为具有诸如高速响应和宽视角的优点的显示装置得到积极开发和研究。
当包含大量的有机EL器件的有机EL显示装置要被有源(active)矩阵电路驱动时，必须将每一个有机EL器件(像素)与用于控制流入每一个像素中的电流的一组薄膜晶体管(TFT)连接。
在有源矩阵有机EL显示装置中，微小的晶体管和电容器被布置在衬底之上。因此，为了改善开口率，希望采用如图3所示的从与衬底相对的一侧提取从每一个像素发射的光的所谓的顶发射型。
将参照图3和图4说明常规的有源矩阵顶发射有机EL显示装置。
各个像素包含在玻璃衬底500之上层叠的TFT和有机EL器件。
在玻璃衬底500上形成用于驱动有机EL器件的TFT部分501。图3示出源极区510、多晶Si层511、漏极区512、栅绝缘膜513、栅电极514和层间绝缘膜515。
TFT部分501覆盖有无机绝缘膜517，并进一步覆盖有用于使玻璃衬底500的表面平坦化的平坦化膜518。在平坦化膜518上形成反射电极(第一电极)520。
通过图案化对于各个像素形成反射电极520。反射电极520通过在无机绝缘膜517和平坦化膜518中形成的接触孔与在TFT部分501中包含的一个TFT的漏电极516电连接。
像素分隔膜530是被设置在相邻的像素之间并被布置为覆盖反射电极520的周边部分的绝缘膜。
在用作阳极的反射电极(第一电极)520上形成有机层525。有机层525包含空穴输运层523、发光层522和电子输运层524。在有机层525上形成用作阴极(共用电极)的透明电极(第二电极)521。
为了保护有机EL器件免受湿气(moisture)影响，密封玻璃材料540通过UV可固化环氧树脂被结合(bond)到所得到的玻璃衬底500。所得到的玻璃衬底500和密封玻璃材料540之间的间隙部分填充有不活泼气体541。
如上所述，在从与衬底相对的一侧提取光的顶发射型的情况下，由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料制成的薄膜被用于第二电极。但是，透明导电材料具有比金属材料的电阻高的电阻。
因此，在第二电极中更可能出现电压降，以向在显示表面上设置的各个有机EL器件施加不同的电压。因此，存在如下问题：出现由于电压梯度而导致的显示性能降低，诸如在显示表面的中心区域处发光强度的降低。
为了抑制电压梯度，希望形成低电阻辅助布线。为了保证每一个像素的开口，必须在诸如像素之间的区域的非显示区域上形成辅助布线。
当要在形成有机层之后形成低电阻辅助布线时，有机层的有机材料由于水、有机溶剂或紫外线而劣化。因此，难以通过光刻对所形成的辅助布线进行图案化，所以，必须在辅助布线的形成过程中使用金属掩模对其进行图案化。
当要在用诸如金属材料的低电阻材料通过真空气相沉积方法形成膜的过程中使用金属掩模对该膜进行图案化时，由于金属材料具有高的蒸发温度并且金属掩模通过辐射热而膨胀，因此难以维持衬底和金属掩模之间的恒定距离以及维持高的图案化精度。特别地，在高清晰度显示面板的情况下，由于像素间隔小，因此更加难以执行图案化。
因此，提出了在形成有机层之前在像素之间设置辅助布线(与第二电极电连接)的措施(日本专利申请公开No.2001-195008、No.2002-318553和No.2001-230086)。
日本专利申请公开No.2001-230086公开了：在形成有机层之前，形成包含上辅助电极和下辅助电极、并具有悬伸(overhanging)的截面形状的辅助电极(参见日本专利申请公开No.2001-230086中的图13～16)。所述辅助电极可通过位于所述辅助电极的悬伸的上部分下面的部分可靠地与上电极(与第二电极对应)电连接。
有机层由迁移率约为10-3cm2/V·s～10-6cm2/V·s、并由此电阻极高的有机半导体材料制成。当有机层位于第二电极和设置在像素之间的辅助布线之间时，难以使辅助布线与第二电极电连接。因此，在日本专利申请公开No.2001-195008或No.2002-318553公开的结构的情况下，如图2所示，必须对有机EL器件的整个有机层进行图案化，以形成在辅助布线上不设置有机层的区域。
为了对有机EL器件的整个有机层进行图案化以形成在辅助布线上不设置有机层的区域，所需要的包含对准的步骤的数目等于有机层的数目。在要对整个有机层进行图案化的情况下所需要的装置成本比在仅要对有机层的一部分进行图案化的情况(诸如对于各个像素仅要对发光层进行图案化的情况)下所需要的装置成本高。另外，存在诸如由延长成膜所需要的节拍时间(tact time)而导致用于有机EL器件的昂贵的有机材料的使用效率降低和由于图案化步骤中的图案化偏差而导致产量降低的问题。
在日本专利申请公开No.2001-230086公开的结构中，即使当不针对各个像素而对有机层进行图案化时，也可获得露出辅助电极的区域而不覆盖有有机层。露出辅助电极的区域与上辅助电极的后表面和下辅助电极的侧表面对应。因此，为了使第二电极(上电极)与该区域接触，必须以等于或大于所需厚度的厚度来形成第二电极。但是，在使用从与衬底相对的一侧提取光的顶发射型有机EL器件的有机EL显示装置的情况下，由于透光率的降低，因此难以获得高的光提取效率。
发明内容
本发明的目的是提供一种有机EL显示装置，在所述有机EL显示装置中，可以使辅助布线和用作阴极的第二电极相互连接，而不用针对各个像素而对有机层进行图案化或不用以等于或大于所需厚度的厚度来形成第二电极。
为了实现上述的目的，本发明的有机EL显示装置包括：衬底；在衬底上形成的多个有机EL器件，所述有机EL器件中的每一个包含从衬底侧依次设置的第一电极、有机层和第二电极，所述有机层包含至少发光层；多个像素分隔膜，所述像素分隔膜中的每一个是绝缘膜并形成于位置相邻的第一电极之间；形成在所述多个像素分隔膜上并包含导电材料的多条辅助布线；以及形成在所述辅助布线上并包含呈倒锥状(reverse-tapered)以具有倒锥状部分的绝缘体和导体之一的多个隔壁(partition wall)，其中，所述多条辅助布线和第二电极在所述多个隔壁的倒锥状部分的正下方位置中相互电连接。
根据本发明，可以使辅助布线和第二电极相互连接，而不用针对各个像素而对有机层进行图案化或不用以等于或大于所需厚度的厚度来形成第二电极。并且，能够提供通过图案化步骤数目少的制造过程制造的且具有更高的光提取效率的有机EL显示装置。
从参照附图对示例性实施例的以下说明，本发明的其它特征将变得明显。
附图说明
图1是示出根据本发明的有机EL显示装置的示意性截面图。
图2是示出常规的有源矩阵有机EL显示装置的示意性截面图。
图3是示出常规的有源矩阵有机EL显示装置的示意性截面图。
图4是示出有机层的示意性截面图。
图5是示出根据本发明的有机EL显示装置的一部分的示意性截面图。
图6A、图6B和图6C是示出根据本发明的有机EL显示装置的制造过程的示意图。
图7是示出根据本发明的有机EL显示装置的一部分的示意性截面图。
图8是示出根据本发明的有机EL显示装置的一部分的示意性截面图。
图9A、图9B、图9C、图9D、图9E、图9F、图9G、图9H、图9I、图9J、图9K、图9L、图9M和图9N是示出根据本发明的有机EL显示装置的一部分的例子的示意性截面图。
图10是示出根据本发明的有机EL显示装置的一部分的示意性平面图。
部件列表
101玻璃衬底
102源极区
103漏极区
104多晶Si层
105栅电极
106栅绝缘膜
107层间绝缘膜
108漏电极
109无机绝缘膜
110平坦化膜
200TFT部分
300反射电极(第一电极)
310有机层
320透明电极(第二电极)
330像素分隔膜
340辅助布线
341偏振片
350隔壁
401密封玻璃材料
402干燥的氮
500玻璃衬底
501TFT部分
510源极区
511多晶Si层
512漏极区
513栅绝缘膜
514栅电极
515层间绝缘膜
516漏电极
517无机绝缘膜
518有机平坦化膜
520反射电极(第一电极)
521透明电极
522发光层
523空穴输运层
524电子输运层
525有机层
530像素分隔膜
540密封玻璃材料
541不活泼气体
具体实施方式
以下参照附图说明用于实施本发明的示例性实施例。但是，本发明不限于该实施例。
图1是示出根据该实施例的有机EL显示装置的示意图。有机EL显示装置包括多个有机EL器件，每个有机EL器件具有设置在衬底101上的第一电极300、有机层310和第二电极320。有机层310包括至少发光层。通过第二电极320提取从发光层发射出的有机EL光。有机EL显示装置还包括：绝缘像素分隔膜330，所述绝缘像素分隔膜330中的每一个被设置在位置相邻的第一电极之间；以及被设置在像素分隔膜330上并由导电材料制成的辅助布线340。
根据本实施例的有机EL显示装置还包括形成在辅助布线340上并由倒锥状绝缘体或导体制成的隔壁350。辅助布线340和第二电极320在隔壁350的倒锥状部分的正下方位置中相互电连接。
以下，将与其制造方法一起具体说明根据本实施例的有机EL显示装置的结构。
在由玻璃制成的衬底101上形成用于驱动有机EL器件之一的TFT部分200。衬底101可以是透明或不透明的。衬底101可以为由合成树脂等制成的绝缘衬底、导电衬底或半导体衬底。注意，在导电衬底和半导体衬底中的每一个的表面上形成诸如氧化硅膜或氮化硅膜的绝缘膜。包含在TFT部分200中的每一个TFT的有源层由多晶Si104制成。但是，有源层的材料不限于多晶硅。例如，可以使用非晶硅或微晶硅。图1示出源极区102、漏极区103、栅电极105、栅绝缘膜106和层间绝缘膜107。
TFT部分200覆盖有由氮化硅制成的无机绝缘膜109，并进一步覆盖有用于使TFT部分200的不均匀部分平坦化的、由丙烯酸树脂制成的平坦化膜110。无机绝缘膜109可以是诸如氧氮化硅膜或氧化硅膜的无机绝缘膜。平坦化膜110可由聚酰亚胺树脂、降冰片烯(norbornene)树脂或氟化物树脂等制成。
通过在与各个像素对应的位置中进行图案化而形成第一电极(本实施例中的反射电极)300。第一电极300通过形成在无机绝缘膜109和平坦化膜110中的接触孔而与包含在TFT部分200中的TFT之一的漏电极108电连接。第一电极300和漏电极108可相互直接连接，或者通过诸如铝膜的金属膜或诸如氧化铟锡(ITO)膜的导电氧化物膜而相互连接。
使用铬膜作为第一电极300。可以使用银膜、具有添加剂的银膜、铝膜、具有添加剂的铝膜、或铝合金膜。并且，可以使用诸如ITO膜或氧化铟锌(IZO)膜的透明导电氧化物膜。
为了改善对于有机层的载流子注入，可以进一步在第一电极300上形成具有高功函数的电极，例如，诸如ITO膜或IZO膜的透明导电氧化物膜。
像素分隔膜330形成为覆盖第一电极300的周边部分以分开(section)各个第一电极300。像素分隔膜330中的每一个可以为诸如氧氮化硅膜或氧化硅膜的无机膜。并且，可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或酚醛清漆树脂(novolac resin)。
在像素分隔膜330上形成辅助布线340以与其接触。使用铝膜作为辅助布线340。可以使用其它的金属膜、具有添加剂的铝膜、或具有添加剂的其它的金属膜。为了更可靠地沉积要在后面形成的第二电极的材料，希望辅助布线340具有与衬底的表面平行的表面。用于辅助布线340的膜通过溅射方法形成，并且通过例如光刻被图案化以形成于设置在像素之间的像素分隔膜330上。可以通过气相沉积方法或CVD方法形成用于辅助布线340的膜。
在辅助布线340上形成由倒锥状绝缘体或导体制成的隔壁350。如下获得隔壁350。通过旋涂方法施加与UV吸收剂混合的负感光材料并对其进行预烘烤。然后，执行使用具有预定图案的光掩模的UV曝光和显影。然后，通过加热使得到的材料固化。当隔壁350由绝缘体制成时，希望使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或酚醛清漆树脂等作为绝缘体。当隔壁350由导体制成时，期望使用钼材料、钨材料、铝材料、钛材料、铬材料、银材料、具有添加剂的这些材料、或其合金作为导体。当金属材料用于隔壁350时，由于辅助布线340和隔壁350相互电连接，因此可望降低辅助布线340的布线电阻。
隔壁350可包含多个层。所述多个层中的至少一个可以是诸如氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜的无机膜。
参照图1、图5、图6、图7、图8和图9A～9N说明隔壁350的形状。
倒锥状形状指的是顶侧宽度L3与底侧宽度L4具有L3＜L4的关系的形状。因此，如图1、图5、图6和图7所示，可以使用其斜面形成为平的并且其宽度向衬底侧单调地减小的形状。另外，如图9A～9N所示，可以使用其斜面为弯曲的形状或其宽度逐步(stepwise)减小的形状。即，本发明中的隔壁的形状是用于在形成有机层时在辅助布线340上产生遮蔽处(shadow)(不形成有机层的区域)的形状。
当通过使用点气相沉积源的真空气相沉积来形成有机层310时，如下设置隔壁350。即，设置隔壁350使得角度θ1和角度θ2满足θ1≥θ2。在衬底的法线与连接隔壁350的上端部与其下端部的直线之间形成角度θ1。在衬底的法线与连接点气相沉积源和位于设置在衬底最外端的隔壁350的衬底中心侧上的上端的直线之间形成角度θ2。因此，可以在辅助布线340上产生遮蔽处(不形成有机层310的区域)。
当可通过隔壁350产生在第一电极上不形成有机层310的区域时，第一电极和第二电极被短路。为了防止这一点，希望隔壁350的宽度L4不比像素分隔膜330的宽度L5大。换句话说，希望将隔壁350设置为满足L4≤L5。
当辅助布线340的宽度L7比隔壁350的宽度L4小时，在通过隔壁350产生的遮蔽处上形成的第二电极320与辅助布线340接触的区域变得较小。因此，希望辅助布线340的宽度L7不比隔壁350的宽度L4小。换句话说，希望将隔壁350设置为满足L4≤L7。
隔壁350的从辅助布线340的高度L1是能够使用感光树脂而提供的高度，典型地，处于0.5μm或更大至5μm或更小的范围内的高度。希望高度L1是这样的厚度(高度)：其能够如L4的情况那样防止第一电极和第二电极短路，并且能够在辅助布线340上产生不形成有机层310的区域。
具体而言，当在衬底的法线与连接点气相沉积源和位于设置在衬底最外端的隔壁350的衬底端部侧上的上端的直线之间形成的角度由θ3表示时，希望形成隔壁350、辅助布线340和像素分隔膜330使得其总高度L6满足式1。
<式1>(L6×tanθ3+L4/2)≤L5/2
注意，可以在像素之间不连续地或连续地设置隔壁350。可以在像素之间设置多个隔壁或单个隔壁。
当不连续地设置隔壁时，即，当如图10所示的那样断续地设置隔壁时，被每一个隔壁的倒锥状部分遮蔽的部分604的面积增加。因此，辅助布线602和第二电极603可更可靠地相互电连接。为了增加遮蔽的部分604的面积，希望沿与布置隔壁的方向交叉的方向的隔壁宽度D1比相邻的隔壁之间的隔壁间隔D2大，即，希望满足D1＞D2。
当以X-Y矩阵布置像素时，可以在沿X方向和Y方向中的至少一个的像素之间的各个区域中、或仅在任意的像素之间的区域中设置辅助布线340和隔壁350。当要沿X方向和Y方向中的一个设置辅助布线340时，在显示区域内平行地布置多条辅助布线。
有机层310形成为覆盖包含第一电极300、像素分隔膜330和隔壁350的整个显示区域。希望通过真空气相沉积方法形成有机层310。当希望通过真空气相沉积方法形成有机层310时，从气相沉积源蒸发的材料粒子以同一角度入射到物体上。因此，由于隔壁350的倒锥状部分用作遮篷，所以在辅助布线340的遮蔽处上产生不形成有机层310的区域。
希望使用形成覆盖性能比第二电极320低的膜的方法以形成有机层310。可以使用真空气相沉积方法以外的成膜方法。真空气相沉积方法可以是沿对于衬底倾斜的方向形成膜的倾斜气相沉积方法。
有机层310包含例如三个层，即，空穴输运层、发光层和电子输运层。有机层310可包含仅发光层、或诸如两个层或四个层的多个层。例如，对于空穴输运层使用电子施予性的FL03。也可使用任何其它材料。
通过金属掩模对于各个发光色将有机层310的发光层分别地着色。例如，对于红色发光层使用掺杂有Ir(piq)3的CBP。例如，对于绿色发光层使用掺杂有香豆素的Alq3。例如，对于蓝色发光层使用掺杂有二萘嵌苯的B-Alq3。也可以使用任何其它的材料。
例如，对于电子输运层使用具有电子可接受性的红菲绕啉。也可以使用任何其它的材料。
可以通过金属掩模对于各种发光色将包含在有机层310中的空穴输运层和电子输运层中的任一个分别地着色。
以下的分子式表示用于形成有机层310的材料的分子结构。
在有机层310上形成用作阴极的透明电极(第二电极)320。第二电极320的希望的厚度为20nm或更大至45nm或更小。当厚度比45nm大时，透光率降低以降低从有机层310发射的光的光提取效率。另一方面，当厚度比20nm小时，薄层电阻增大。因此，即使当使用辅助布线时，也难以防止显示表面的亮度的不均匀性。
希望通过溅射方法形成第二电极320。当通过对于不均匀性的覆盖性能比真空气相沉积方法更优异的成膜方法形成第二电极320时，第二电极320被设置在辅助布线340上的不形成有机层310的区域中，即在隔壁350的倒锥状部分的正下方位置中。结果，辅助布线340和第二电极320在隔壁350的倒锥状部分的正下方位置中相互电连接。因此，即使当不通过使用金属掩模的图案化对于各个像素形成有机层310时，辅助布线340和第二电极320也可相互电连接。因此，能够提供通过图案化步骤数目少的制造过程所制造的有机EL显示装置。
为了形成第二电极320，希望使用具有优异的覆盖性能的成膜方法。也可以使用CVD方法。也可以使用任何其它的成膜方法。
使用氧化铟锌(IZO)膜作为第二电极320。也可以使用由例如氧化铟锡(ITO)制成的透明导电氧化物膜。也可以使用由例如银、铝或金制成的半透明金属膜。
在本实施例中，第一电极用作阳极，第二电极用作阴极。但是，在一些情况(日本专利申请公开No.2001-203080)下采用相反的结构。
即使在这种结构中，也可以使用例如由氧化铟锌(IZO)膜或氧化铟锡(ITO)制成的透明导电氧化物膜，或例如由银、铝或金制成的半透明金属膜作为用作阳极的第二电极。为了形成第二电极，希望使用具有优异的覆盖性能的成膜方法，诸如溅射方法或CVD方法。也可以使用具有优异的覆盖性能的任何其它成膜方法。
为了防止有机EL显示装置由于来自外面的湿气而劣化，在-60℃或更低的露点的氮气氛中通过UV可固化环氧树脂将密封玻璃材料401结合到所得到的衬底101。
希望在密封玻璃材料401的有机EL器件侧设置诸如氧化锶膜或氧化钙膜的吸湿膜。在本实施例中，所得到的玻璃衬底101和密封玻璃材料401之间的间隙部分填充有干燥的氮(dry nitrogen)402。
使用密封玻璃材料401用于密封。可以使用诸如氮化硅膜、氧氮化硅膜或氧化硅膜的无机绝缘膜用于密封。
希望在密封玻璃材料401上设置包含相差膜和偏振膜的偏振片341。但是，偏振片341不是必需要设置的。相差膜与偏振膜可通过结合材料相互结合。
根据本发明的有机EL显示装置及其制造方法可被应用于各种电器件的显示部分。例如，根据本发明的有机EL显示装置及其制造方法可被应用于数字照相机的电子取景器部分和照明器件。
虽然已参照示例性实施例说明了本发明，但应理解，本发明不限于公开的示例性实施例。随附的权利要求的范围应被赋予最宽的解释，以包含所有这样的改变以及等同的结构和功能。

Claims (9)

1.一种有机电致发光显示装置，包括：
衬底；
在所述衬底上形成的多个有机电致发光器件，所述有机电致发光器件中的每一个包含从所述衬底侧依次设置的第一电极、有机层和第二电极，所述有机层包含至少发光层；
多个像素分隔膜，所述像素分隔膜中的每一个是绝缘膜并形成于位置相邻的所述第一电极之间；
形成在所述多个像素分隔膜上并包含导电材料的多条辅助布线；和
多个隔壁，所述多个隔壁形成在所述辅助布线上，并且所述多个隔壁中的每一个包含绝缘体和导体之一，所述绝缘体和导体都呈倒锥状以具有倒锥状部分，所述倒锥状部分的接触所述辅助布线并在衬底侧的面积小于所述倒锥状部分的不接触所述辅助布线并在与所述衬底相对侧的面积，
其中，所述多条辅助布线和所述第二电极在所述多个隔壁的倒锥状部分的正下方位置中相互电连接。
2.根据权利要求1的有机电致发光显示装置，其中，所述有机层覆盖包含所述第一电极、所述像素分隔膜和所述隔壁的整个显示区域。
3.根据权利要求1的有机电致发光显示装置，其中，所述第二电极包含用于通过所述第二电极提取有机电致发光的光的透明导电材料。
4.根据权利要求1的有机电致发光显示装置，其中，所述隔壁中的每一个包含多个层。
5.根据权利要求1的有机电致发光显示装置，其中，
所述多条辅助布线被平行地布置在显示区域中；以及
所述隔壁以沿布置所述辅助布线的方向的间隔被断续地设置。
6.根据权利要求1的有机电致发光显示装置，其中，所述第二电极具有大于或等于20nm且小于或等于45nm的厚度。
7.一种有机电致发光显示装置的制造方法，所述有机电致发光显示装置包括：
衬底；
在所述衬底上形成的多个有机电致发光器件，所述有机电致发光器件中的每一个包含第一电极、有机层和第二电极，所述有机层包含至少发光层；
多个像素分隔膜，所述像素分隔膜中的每一个是绝缘膜并形成于位置相邻的所述第一电极之间；
形成在所述多个像素分隔膜上并包含导电材料的多条辅助布线；和
多个隔壁，
所述方法包括：
在所述衬底上形成所述第一电极；
形成所述像素分隔膜以覆盖所述第一电极的周边部分，从而分开各个第一电极；
在所述像素分隔膜上形成辅助布线；
在所述辅助布线上形成多个隔壁，所述多个隔壁中的每一个包含绝缘体和导体之一，所述绝缘体和导体都呈倒锥状以具有倒锥状部分，所述倒锥状部分的接触所述辅助布线并在衬底侧的面积小于所述倒锥状部分的不接触所述辅助布线并在与所述衬底相对侧的面积；
形成所述有机层，以覆盖包含所述第一电极、所述像素分隔膜和所述隔壁的整个显示区域；以及
在所述有机层上形成所述第二电极，以在所述隔壁的倒锥状部分的正下方位置中使所述辅助布线与所述第二电极电连接。
8.根据权利要求7的有机电致发光显示装置的制造方法，其中，形成所述有机层包含真空气相沉积方法。
9.根据权利要求7的有机电致发光显示装置的制造方法，其中，形成所述第二电极包含溅射方法。
CN2008101357294A 2007-07-03 2008-07-03 有机el显示装置及其制造方法 Expired - Fee Related CN101340754B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007175304 2007-07-03
JP2007-175304 2007-07-03
JP2007175304 2007-07-03
JP2008140297A JP5008606B2 (ja) 2007-07-03 2008-05-29 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP2008140297 2008-05-29
JP2008-140297 2008-05-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101340754A CN101340754A (zh) 2009-01-07
CN101340754B true CN101340754B (zh) 2010-09-08

Family

ID=40214679

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101357294A Expired - Fee Related CN101340754B (zh) 2007-07-03 2008-07-03 有机el显示装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5008606B2 (zh)
KR (1) KR100970607B1 (zh)
CN (1) CN101340754B (zh)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102668706B (zh) 2009-11-17 2015-03-25 联合创新技术有限公司 有机el显示器
KR101074813B1 (ko) 2010-01-07 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102050505B1 (ko) * 2011-02-10 2019-11-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법, 조명 장치 및 표시 장치
KR102004305B1 (ko) * 2011-02-11 2019-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법, 그리고 조명 장치 및 표시 장치
WO2012115466A2 (ko) * 2011-02-25 2012-08-30 주성엔지니어링(주) 발광 장치
TWI562423B (en) 2011-03-02 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device and lighting device
KR101933952B1 (ko) * 2011-07-01 2018-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기 및 조명 장치
US20130056784A1 (en) * 2011-09-02 2013-03-07 Lg Display Co., Ltd. Organic Light-Emitting Display Device and Method of Fabricating the Same
US8963137B2 (en) 2011-09-02 2015-02-24 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of fabricating the same
JP6057143B2 (ja) * 2012-03-19 2017-01-11 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2014038094A1 (ja) * 2012-09-10 2014-03-13 パイオニア株式会社 発光装置およびその製造方法
KR101548304B1 (ko) * 2013-04-23 2015-08-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102131248B1 (ko) * 2013-07-04 2020-07-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102278160B1 (ko) * 2013-12-23 2021-07-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 리페어 방법
US9478591B2 (en) * 2013-12-23 2016-10-25 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and repair method thereof
JP6294071B2 (ja) * 2013-12-27 2018-03-14 パイオニアＯｌｅｄライティングデバイス株式会社 発光装置
JP5937124B2 (ja) * 2014-03-10 2016-06-22 ユニファイド イノヴェイティヴ テクノロジー， エルエルシー 有機ｅｌディスプレイ
JP6371094B2 (ja) 2014-03-31 2018-08-08 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
US9806279B2 (en) 2014-07-08 2017-10-31 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device comprising auxiliary electrode having void therein and manufacturing method thereof
KR102584253B1 (ko) * 2014-12-12 2023-10-05 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2015156381A (ja) * 2015-03-31 2015-08-27 ユニファイド イノヴェイティヴ テクノロジー， エルエルシー 有機ｅｌディスプレイ
CN104867962B (zh) * 2015-05-06 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 一种oled阵列基板及其制作方法、oled显示装置
KR102465826B1 (ko) * 2015-10-29 2022-11-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6736385B2 (ja) 2016-07-01 2020-08-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102636749B1 (ko) 2016-11-28 2024-02-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR102663231B1 (ko) * 2016-12-30 2024-05-02 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102604310B1 (ko) 2016-12-30 2023-11-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN107565048B (zh) * 2017-08-24 2020-05-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置
KR102430808B1 (ko) * 2017-09-12 2022-08-09 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 패널
KR102474205B1 (ko) * 2017-12-26 2022-12-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102439307B1 (ko) * 2018-01-29 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
JP2019160393A (ja) * 2018-03-07 2019-09-19 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
CN108461649B (zh) * 2018-03-22 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
KR102480092B1 (ko) * 2018-04-30 2022-12-23 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN109802052B (zh) * 2019-01-25 2021-05-07 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板及其制作方法
KR102654917B1 (ko) * 2019-04-15 2024-04-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20210016145A (ko) 2019-07-31 2021-02-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN111463250A (zh) * 2020-04-14 2020-07-28 合肥京东方卓印科技有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN111863918B (zh) * 2020-07-29 2023-05-02 京东方科技集团股份有限公司 显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置
JP2022102401A (ja) 2020-12-25 2022-07-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN116848951A (zh) * 2021-02-17 2023-10-03 株式会社日本显示器 显示装置
JPWO2022190617A1 (zh) * 2021-03-09 2022-09-15
CN113270425B (zh) * 2021-05-14 2022-06-17 长沙惠科光电有限公司 阵列基板、阵列基板制备方法及显示面板
CN113270426B (zh) * 2021-05-14 2022-07-22 长沙惠科光电有限公司 阵列基板及显示面板
JP2023102548A (ja) 2022-01-12 2023-07-25 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着装置及び蒸着方法
JP2023132064A (ja) 2022-03-10 2023-09-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2023136831A (ja) 2022-03-17 2023-09-29 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN115295581A (zh) * 2022-06-07 2022-11-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
JP2023184090A (ja) 2022-06-17 2023-12-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2024004895A (ja) 2022-06-29 2024-01-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置およびその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1816237A (zh) * 2005-02-03 2006-08-09 悠景科技股份有限公司 有机电激发光平面显示器的电极结构及其制作方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3813217B2 (ja) * 1995-03-13 2006-08-23 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法
JP3814102B2 (ja) * 1999-05-24 2006-08-23 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
US6626721B1 (en) * 2000-09-22 2003-09-30 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with supplemental cathode bus conductor
JP2002318553A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp 自己発光型表示装置
JP4664604B2 (ja) * 2004-02-18 2011-04-06 Ｔｄｋ株式会社 画像表示装置
JP4121514B2 (ja) * 2004-07-22 2008-07-23 シャープ株式会社 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置
KR100599469B1 (ko) * 2004-10-05 2006-07-12 주식회사 대우일렉트로닉스 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법
KR100683766B1 (ko) * 2005-03-30 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR100686120B1 (ko) * 2005-05-17 2007-02-26 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자의 제조방법
JP4736757B2 (ja) 2005-12-01 2011-07-27 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP2008084541A (ja) * 2006-09-25 2008-04-10 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP2008135325A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置とその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1816237A (zh) * 2005-02-03 2006-08-09 悠景科技股份有限公司 有机电激发光平面显示器的电极结构及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009032673A (ja) 2009-02-12
JP5008606B2 (ja) 2012-08-22
KR20090004672A (ko) 2009-01-12
KR100970607B1 (ko) 2010-07-16
CN101340754A (zh) 2009-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101340754B (zh) 有机el显示装置及其制造方法
US7834543B2 (en) Organic EL display apparatus and method of manufacturing the same
US7247878B2 (en) Dual panel-type organic electroluminescent device
US6806504B2 (en) Active matrix organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
US8455893B2 (en) Light-emitting apparatus and production method thereof
US7718476B2 (en) Display apparatus and fabricating method thereof
CN101924120B (zh) 有机电致发光显示设备及其制造方法
US20040221806A1 (en) Organic electroluminescent device for fabricating shadow mask
KR20130025806A (ko) 유기전압 발광소자 및 이의 제조방법
CN102456849A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
TW200307893A (en) Active matrix organic electroluminescent display device and fabricating method thereof
KR20100076603A (ko) 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
CN109244269A (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
US20220140293A1 (en) Display panel and method of manufacturing the same, and display apparatus
KR20100068644A (ko) 상부발광 방식 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
JP6837410B2 (ja) 発光領域を含むディスプレイ装置
CN102544386A (zh) 有机发光显示设备及其制造方法
WO2015123915A1 (zh) 有源矩阵有机发光二极管阵列基板及制作方法和显示装置
WO2004010741A1 (ja) アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
CN101656263A (zh) 有机发光显示器、制造有机发光显示器的方法及显示设备
KR102078022B1 (ko) 양 방향 표시형 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
CN101409964B (zh) 显示装置及其制造方法
KR100728129B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI548067B (zh) 畫素結構
US11538885B2 (en) Array substrate and display panel

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100908

Termination date: 20180703

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee