CN113270426B - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括：TFT器件层；像素定义层，像素定义层设置于TFT器件层非开口区域的非过孔区域，非开口区域包括过孔区域以及非过孔区域；阻隔墙，阻隔墙设置于过孔区域处，其中，阻隔墙呈倒梯形；有机发光二极管层，有机发光二极管层设置于阻隔墙上端、以及过孔区域的部分辅助电极上端；阴极，阴极设置于过孔区域的部分辅助电极上端。本发明可以改善阴极电压分布不均，以提高显示面板亮度均一性。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及显示屏技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
对于顶发光的阵列基板，由于阴极较薄，会导致阴极电阻增加，进而使得阴极电压分布不均，导致显示面板亮度均一性低。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种阵列基板及显示面板，旨在解决现有技术中，显示面板亮度均一性低的技术问题。
为实现上述目的，本发明提出的一种阵列基板，包括：
TFT器件层；
像素定义层，所述像素定义层设置于所述TFT器件层非开口区域的非过孔区域，所述非开口区域包括过孔区域以及非过孔区域；
阻隔墙，所述阻隔墙设置于所述过孔区域处，其中，所述阻隔墙呈倒梯形；
有机发光二极管层，所述有机发光二极管层设置于所述阻隔墙上端、以及所述过孔区域的部分辅助电极上端；
阴极，所述阴极设置于所述过孔区域的部分辅助电极上端。
优选地，所述阵列基板还包括无机薄膜，所述无机薄膜设置于所述像素定义层以及所述阻隔墙下方，所述无机薄膜包括二氧化硅薄膜以及氮化硅薄膜。
优选地，所述阻隔墙两侧与所述过孔区域的无机薄膜边缘形成有第一侧刻空间。
优选地，所述像素定义层与所述非过孔区域的无机薄膜边缘形成有第二侧刻空间。
优选地，所述无机薄膜的厚度区间为500～3000埃米。
优选地，所述有机发光二极管层还设置于所述像素定义层上端。
优选地，所述阴极还设置于所述有机发光二极管层上端。
优选地，所述有机发光二极管层还设置于所述开口区域的部分阳极上端。
优选地，所述TFT器件层包括辅助电极、阳极以及薄膜晶体管结构。
为了实现上述目的，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括以上各个架构的阵列基板。
本发明提供的阵列基板包括：TFT器件层；像素定义层，所述像素定义层设置于所述TFT器件层非开口区域的非过孔区域，所述非开口区域包括过孔区域以及非过孔区域；阻隔墙，所述阻隔墙设置于所述过孔区域处，其中，所述阻隔墙呈倒梯形；有机发光二极管层，所述有机发光二极管层设置于所述阻隔墙上端、以及所述过孔区域的部分辅助电极上端；阴极，所述阴极设置于所述过孔区域的部分辅助电极上端。
由于本发明提供的阵列基板使用了倒梯形的阻隔墙，因此，在蒸镀有机发光二极管层时，会在阻隔墙底部的两侧留下使得阴极与辅助电极接触的缝隙空间，因此可以改善阴极电压分布不均。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明阵列基板其中一个实施例的硬件结构示意图；
图2为本发明阵列基板其中一个实施例的硬件结构示意图；
图3为本发明TFT器件层的模块结构示意图；
图4为本发明TFT器件层的硬件结构示意图；
图5为本发明TFT器件层的区域划分图。
附图标号说明：
标号 名称 标号 名称
1 TFT器件层 2 辅助电极
3 阳极 4 像素定义层
5 阻隔墙 6 缝隙空间
7 有机发光二极管层 8 阴极
9 无机薄膜 10 第一侧刻空间
11 第二侧刻空间 12 平坦化层
13 源漏极 14 绝缘层
15 栅极 16 栅绝缘层
17 有缘层 18 缓冲层
19 遮光层 20 基板
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
有机发光二极管(OLED)TFT器件层的像素可以分成底部发光(bottom emitting)与上部发光(top emitting)两种。以往阵列基板的像素设计大多采用底部发光设计，其阳极为透明的电极，而阴极则以铝作为有机发光二极管发光的反射层，而光则需透过TFT数组与玻璃TFT器件层才能发射出去。由于发光面积与像素中的薄膜晶体管(TFT)与电容数目和面积有关，因为OLED所发出的光会被TFT与电容中的不透明金属导线所阻挡，因此开口率最大只能到达约40％。顶发光OLED设计则是采用透明或者半透的阴极，而阳极则为不透明的金属，因此即使TFT与电容占去像素中的大部分面积，但因为OLED是往上发光，所以其可发光面积不受像素中的TFT与电容面积影响。但是顶发光阴极金属为了维持透明，需要做的很薄，其方块电阻无法降低，进而使得阴极电压分布不均，导致显示面板亮度均一性低。
本发明提供的阵列基板包括：TFT器件层；像素定义层，所述像素定义层设置于所述TFT器件层非开口区域的非过孔区域，所述非开口区域包括过孔区域以及非过孔区域；阻隔墙，所述阻隔墙设置于所述过孔区域处，其中，所述阻隔墙呈倒梯形；有机发光二极管层，所述有机发光二极管层设置于所述阻隔墙上端、以及所述过孔区域的部分辅助电极上端；阴极，所述阴极设置于所述过孔区域的部分辅助电极上端。
由于本发明提供的阵列基板使用了倒梯形的阻隔墙，因此，在蒸镀有机发光二极管层时，会在阻隔墙底部的两侧留下使得阴极与辅助电极接触的缝隙空间，因此可以改善阴极电压分布不均。
如图1所示，图1为本发明阵列基板其中一个实施例的硬件结构示意图。包括：TFT器件层1；像素定义层4，所述像素定义层4设置于所述TFT器件层1非开口区域的非过孔区域，所述非开口区域包括过孔区域以及非过孔区域；阻隔墙5，所述阻隔墙5设置于所述过孔区域处，其中，所述阻隔墙呈倒梯形；有机发光二极管层7，所述有机发光二极管层7设置于所述阻隔墙上端、以及所述过孔区域的部分辅助电极2上端；阴极8，所述阴极8设置于所述过孔区域的部分辅助电极2上端。
在本实施例中，上述阵列基板包括TFT器件层1，其中，TFT器件层1包括辅助电极2、阳极3以及薄膜晶体管结构，具体的，TFT器件层1的模块架构可参考图3，进一步的，TFT器件层1的硬件架构可参考图4，上述薄膜晶体管结构由OC(平坦化层12)、SD(源漏极13)、ILD(绝缘层14)、Gate(栅极15)、GI(栅绝缘层16)、ACT(有缘层17)、Buffer(缓冲层18)、BottomShield Metal(遮光层19)以及Substrate(基板20)组成。
可选的，通过薄膜晶体管制程以及正极制程制备上述TFT器件层1。具体的，如图5，TFT器件层1的上端可分为开口区域(B)以及非开口区域(A)，其中，非开口区域包括过孔区域(A2)和非过孔区域(A1)，开口区域也称为发光区域。其中，发光区域的阳极3上方依次蒸镀了有机发光二极管层7以及阴极8，因此可成功发光；对于TFT器件层1上端的区域划分，可参考图5所示。
进一步的，上述像素定义层4设置于TFT器件层1非开口区域的非过孔区域，上述非开口区域包括过孔区域以及非过孔区域，过孔区域中部设置有阻隔墙5，阻隔墙5上端依次设置有有机发光二极管层7以及阴极8，其中，阻隔墙5呈倒梯形，容易理解的是，当存在倒梯形的阻隔墙5时，在垂直蒸镀有机发光二极管层7后，阻隔墙5底部的两侧不会被蒸镀上有机发光二极管层7，反而会形成缝隙空间6，容易理解的，在完成了有机发光二极管层7的蒸镀工艺后，像素定义层4以及发光区域的阳极上也蒸镀了像素定义层7；进一步的，当以预设角度θ蒸镀阴极8时，可使得未被蒸镀有机发光二极管层7的缝隙空间6成功蒸镀阴极8，从而实现阴极8与缝隙空间6下方的辅助电极2接触，例如：以TFT器件层1为平面，以预设角度θ向下倾斜蒸镀阴极，即可使得阴极8更容易进入缝隙空间6，从而与缝隙空间6下方的辅助电极2接触，具体的，蒸镀的有机发光二极管层7以及阴极8的厚度，在此不做限定，可视具体情况预设，优选的，上述预设角度θ优选30度至89度(30°-89°)。
在本实施例的技术方案中，由于阵列基板使用了倒梯形的阻隔墙，因此，在蒸镀有机发光二极管层时，会留下使得阴极与辅助电极接触的缝隙空间6，因此可以改善阴极电压分布不均。
可选的，参照图2，如图1所示，图1为本发明阵列基板其中一个实施例的硬件结构示意图，包括：所述阵列基板还包括无机薄膜9，所述无机薄膜9设置于所述像素定义层4以及所述阻隔墙5下方，所述无机薄膜9包括二氧化硅薄膜以及氮化硅薄膜。
在本实施例中，上述阵列基板还包括无机薄膜9，其中，上述无机薄膜9设置于像素定义层4以及阻隔墙5的下方，然后再对无机薄膜9进行侧刻，从而使得像素定义层4以及阻隔墙5底部的两侧与无机薄膜9边缘形成有第一侧刻空间10以及第二侧刻空间11，第一侧刻空间10以及第二侧刻空间11的宽度优选1至3纳米，优选的，上次侧刻工艺可为湿法刻蚀工艺，优选的，上述无机薄膜9为二氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜。优选的，上述无机薄膜9的厚度优选500至3000埃米之间。
在本实施例的技术方案中，由于增加了第一侧刻空间10以及第二侧刻空间11，可使得阴极8与辅助电极2在第一侧刻空间10以及第二侧刻空间11进行接触，进而可使得阴极8与辅助电极2之间的接触面积更广，更进一步的改善了阴极电压分布不均。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
为了实现上述目的，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括如上所述的阵列基板，由于本显示面板采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法或系统。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。
应当注意的是，在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的部件或步骤。位于部件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的部件。本发明可以借助于包括有若干不同部件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。本领域的技术人员也可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，在不脱离本申请构思的前提下，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
TFT器件层；
像素定义层，所述像素定义层设置于所述TFT器件层非开口区域的非过孔区域，所述非开口区域包括过孔区域以及非过孔区域；
阻隔墙，所述阻隔墙设置于所述过孔区域处，其中，所述阻隔墙呈倒梯形；
有机发光二极管层，所述有机发光二极管层设置于所述阻隔墙上端、以及所述过孔区域的部分辅助电极上端；
无机薄膜，所述无机薄膜设置于所述像素定义层以及所述阻隔墙下方，其中，所述像素定义层以及所述阻隔墙底部的两侧分别与所述无机薄膜边缘形成第一侧刻空间以及第二侧刻空间；
阴极，所述阴极在所述第一侧刻空间以及所述第二侧刻空间上与所述辅助电极接触。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阻隔墙两侧与所述过孔区域的无机薄膜边缘形成有第一侧刻空间。
3.如权利要求1至2任一所述的阵列基板，其特征在于，所述像素定义层与所述非过孔区域的无机薄膜边缘形成有第二侧刻空间。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述无机薄膜的厚度区间为500~3000埃米。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机发光二极管层还设置于所述像素定义层上端。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阴极还设置于所述有机发光二极管层上端。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机发光二极管层还设置于所述开口区域的部分阳极上端。
8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT器件层包括辅助电极、阳极以及薄膜晶体管结构。
9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
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