JP2023102548A - 蒸着装置及び蒸着方法 - Google Patents

蒸着装置及び蒸着方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2023102548A
JP2023102548A JP2022003106A JP2022003106A JP2023102548A JP 2023102548 A JP2023102548 A JP 2023102548A JP 2022003106 A JP2022003106 A JP 2022003106A JP 2022003106 A JP2022003106 A JP 2022003106A JP 2023102548 A JP2023102548 A JP 2023102548A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor deposition
vapor
angle
deposition head
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022003106A
Other languages
English (en)
Inventor
貴史 竹中
Takashi Takenaka
篤 武田
Atsushi Takeda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
Priority to JP2022003106A priority Critical patent/JP2023102548A/ja
Priority to KR1020230001113A priority patent/KR20230109101A/ko
Priority to CN202310029963.3A priority patent/CN116426881A/zh
Priority to US18/151,482 priority patent/US11958073B2/en
Publication of JP2023102548A publication Critical patent/JP2023102548A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/60Deposition of organic layers from vapour phase
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/36Successively applying liquids or other fluent materials, e.g. without intermediate treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/225Oblique incidence of vaporised material on substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8052Cathodes
    • H10K59/80522Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D2401/00Form of the coating product, e.g. solution, water dispersion, powders or the like
    • B05D2401/30Form of the coating product, e.g. solution, water dispersion, powders or the like the coating being applied in other forms than involving eliminable solvent, diluent or dispersant
    • B05D2401/33Form of the coating product, e.g. solution, water dispersion, powders or the like the coating being applied in other forms than involving eliminable solvent, diluent or dispersant applied as vapours polymerising in situ
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Figure 2023102548000001
【課題】ファインマスクを適用することなく所望の薄膜を形成する。
【解決手段】一実施形態によれば、蒸着方法は、基板上に、下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部及び前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を形成した処理基板を用意し、第1蒸着ヘッドから噴出される第1材料の蒸気の広がり角度を第1角度に設定し、前記処理基板に前記第1材料を蒸着し、第2蒸着ヘッドから噴出される第2材料の蒸気の広がり角度を前記第1角度より大きい第2角度に設定し、前記第1材料が蒸着された前記処理基板に前記第2材料を蒸着する。
【選択図】図12

Description

本発明の実施形態は、蒸着装置及び蒸着方法に関する。
近年、表示素子として有機発光ダイオード(OLED)を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
例えば、マスクを用いて有機層を蒸着する場合、各画素に対応した開口を有するファインマスクが適用される。しかしながら、ファインマスクの加工精度、開口形状の変形等に起因して、蒸着によって形成される薄膜の形成精度が低下するおそれがある。このため、ファインマスクを適用することなく、所望の領域に薄膜を形成する技術が必要とされている。
特開2000-195677号公報 特開2004-207217号公報 特開2008-135325号公報 特開2009-32673号公報 特開2010-118191号公報 国際公開第2018/179308号
本発明の目的は、ファインマスクを適用することなく所望の薄膜を形成することが可能な蒸着装置及び蒸着方法を提供することにある。
一実施形態によれば、蒸着方法は、
基板上に、下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部及び前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を形成した処理基板を用意し、第1蒸着ヘッドから噴出される第1材料の蒸気の広がり角度を第1角度に設定し、前記処理基板に前記第1材料を蒸着し、第2蒸着ヘッドから噴出される第2材料の蒸気の広がり角度を前記第1角度より大きい第2角度に設定し、前記第1材料が蒸着された前記処理基板に前記第2材料を蒸着する。
一実施形態によれば、蒸着方法は、
基板上に、下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部及び前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を形成した処理基板を用意し、前記処理基板を第1ステージに配置し、第1蒸着ヘッドのノズルの延出方向と前記第1ステージの法線とのなす角度を第1角度に設定し、前記第1蒸着ヘッドの前記ノズルから第1材料の蒸気を噴出し、前記処理基板に前記第1材料を蒸着し、前記第1材料が蒸着された前記処理基板を第2ステージに配置し、第2蒸着ヘッドのノズルの延出方向と前記第2ステージの法線とのなす角度を前記第1角度より大きい第2角度に設定し、前記第2蒸着ヘッドの前記ノズルから第2材料の蒸気を噴出し、前記処理基板に前記第2材料を蒸着する。
一実施形態によれば、蒸着装置は、
第1ステージと、前記第1ステージの上に配置された処理基板に第1材料を蒸着するように構成された第1蒸着ヘッドと、第2ステージと、前記第2ステージの上に配置され前記第1材料が蒸着された前記処理基板に第2材料を蒸着するように構成された第2蒸着ヘッドと、を備え、前記第1蒸着ヘッド及び前記第2蒸着ヘッドの各々は、材料を加熱して蒸気を発生させる蒸着源と、前記蒸着源に接続され、前記蒸着源で発生した蒸気を噴出するノズルと、を備え、前記第1蒸着ヘッドから噴出される前記第1材料の蒸気の広がり角度は、第1角度に設定され、前記第2蒸着ヘッドから噴出される前記第2材料の蒸気の広がり角度は、前記第1角度とは異なる第2角度に設定される。
図1は、表示装置DSPの構成例を示す図である。 図2は、副画素SP1,SP2,SP3のレイアウトの一例を示す図である。 図3は、図2中のIII-III線に沿う表示装置DSPの概略的な断面図である。 図4は、表示素子20の構成の一例を示す図である。 図5は、表示装置DSPの製造方法の一例を説明するための図である。 図6は、図5に示した第1薄膜の蒸着工程を説明するための図である。 図7は、本実施形態に係る蒸着装置100の一例を示す図である。 図8は、図7に示した蒸着ヘッド120の他の断面図である。 図9は、図7に示した蒸着ヘッド120の他の断面図である。 図10は、蒸着源121に接続されるスリーブ123の一例を示す平面図である。 図11は、蒸着源121に接続されるスリーブ123の他の例を示す平面図である。 図12は、本実施形態に係る蒸着装置及び蒸着方法の一例を示す図である。 図13は、第1薄膜を蒸着する際の蒸着角度を説明するための図である。 図14は、本実施形態に係る蒸着装置及び蒸着方法の他の例を示す図である。 図15は、第1薄膜を蒸着する際の蒸着角度を説明するための図である。
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を記載する。X軸に沿った方向を第1方向と称し、Y軸に沿った方向を第2方向と称し、Z軸に沿った方向を第3方向と称する。第3方向Zと平行に各種要素を見ることを平面視という。
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード(OLED)を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
図1は、表示装置DSPの構成例を示す図である。
表示装置DSPは、絶縁性の基板10の上に、画像を表示する表示領域DAと、表示領域DAの周辺の周辺領域SAと、を有している。基板10は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
本実施形態においては、平面視における基板10の形状が長方形である。ただし、基板10の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
表示領域DAは、第1方向Xおよび第2方向Yにマトリクス状に配列された複数の画素PXを備えている。画素PXは、複数の副画素SPを含む。一例では、画素PXは、赤色の副画素SP1、緑色の副画素SP2および青色の副画素SP3を含む。なお、画素PXは、副画素SP1,SP2,SP3とともに、あるいは副画素SP1,SP2,SP3のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素SPを含んでもよい。
副画素SPは、画素回路1と、画素回路1によって駆動される表示素子20とを備えている。画素回路1は、画素スイッチ2と、駆動トランジスタ3と、キャパシタ4とを備えている。画素スイッチ2および駆動トランジスタ3は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
画素スイッチ2のゲート電極は、走査線GLに接続されている。画素スイッチ2のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線SLに接続され、他方は駆動トランジスタ3のゲート電極およびキャパシタ4に接続されている。駆動トランジスタ3において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線PLおよびキャパシタ4に接続され、他方は表示素子20のアノードに接続されている。
なお、画素回路1の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路1は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。
表示素子20は、発光素子としての有機発光ダイオード(OLED)であり、有機EL素子と称する場合がある。例えば、副画素SP1は赤色の波長域の光を放つ表示素子20を備え、副画素SP2は緑色の波長域の光を放つ表示素子20を備え、副画素SP3は青色の波長域の光を放つ表示素子20を備えている。
図2は、副画素SP1,SP2,SP3のレイアウトの一例を示す図である。
図2の例においては、副画素SP1と副画素SP2が第2方向Yに並んでいる。さらに、副画素SP1,SP2がそれぞれ副画素SP3と第1方向Xに並んでいる。
副画素SP1,SP2,SP3がこのようなレイアウトである場合、表示領域DAには、副画素SP1,SP2が第2方向Yに交互に配置された列と、複数の副画素SP3が第2方向Yに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第1方向Xに交互に並ぶ。
なお、副画素SP1,SP2,SP3のレイアウトは図2の例に限られない。他の一例として、各画素PXにおける副画素SP1,SP2,SP3が第1方向Xに順に並んでいてもよい。
表示領域DAには、リブ5および隔壁6が配置されている。リブ5は、副画素SP1,SP2,SP3においてそれぞれ開口AP1,AP2,AP3を有している。図2の例においては、開口AP2が開口AP1よりも大きく、開口AP3が開口AP2よりも大きい。
隔壁6は、平面視においてリブ5と重なっている。隔壁6は、第1方向Xに延びる複数の第1隔壁6xと、第2方向Yに延びる複数の第2隔壁6yとを有している。複数の第1隔壁6xは、第2方向Yに隣り合う開口AP1,AP2の間、および、第2方向Yに隣り合う2つの開口AP3の間にそれぞれ配置されている。第2隔壁6yは、第1方向Xに隣り合う開口AP1,AP3の間、および、第1方向Xに隣り合う開口AP2,AP3の間にそれぞれ配置されている。
図2の例においては、第1隔壁6xおよび第2隔壁6yは、互いに接続されている。これにより、隔壁6は、全体として開口AP1,AP2,AP3を囲う格子状に形成されている。隔壁6は、リブ5と同様に副画素SP1,SP2,SP3において開口を有するということもできる。
副画素SP1は、開口AP1とそれぞれ重なる下電極LE1、上電極UE1および有機層OR1を備えている。副画素SP2は、開口AP2とそれぞれ重なる下電極LE2、上電極UE2および有機層OR2を備えている。副画素SP3は、開口AP3とそれぞれ重なる下電極LE3、上電極UE3および有機層OR3を備えている。
図2の例においては、下電極LE1、LE2、LE3の外形は点線で示し、有機層OR1、OR2、OR3、および、上電極UE1、UE2、UE3の外形は一点鎖線で示している。下電極LE1、LE2、LE3のそれぞれの周縁部は、リブ5に重なっている。上電極UE1の外形は有機層OR1の外形とほぼ一致し、上電極UE1及び有機層OR1のそれぞれの周縁部は、隔壁6に重なっている。上電極UE2の外形は有機層OR2の外形とほぼ一致し、上電極UE2及び有機層OR2のそれぞれの周縁部は、隔壁6に重なっている。上電極UE3の外形は有機層OR3の外形とほぼ一致し、上電極UE3及び有機層OR3のそれぞれの周縁部は、隔壁6に重なっている。
下電極LE1、上電極UE1および有機層OR1は、副画素SP1の表示素子20を構成する。下電極LE2、上電極UE2および有機層OR2は、副画素SP2の表示素子20を構成する。下電極LE3、上電極UE3および有機層OR3は、副画素SP3の表示素子20を構成する。下電極LE1、LE2、LE3は、例えば、表示素子20のアノードに相当する。上電極UE1、UE2、UE3は、表示素子20のカソード、あるいは、共通電極に相当する。
下電極LE1は、コンタクトホールCH1を通じて副画素SP1の画素回路1(図1参照)に接続されている。下電極LE2は、コンタクトホールCH2を通じて副画素SP2の画素回路1に接続されている。下電極LE3は、コンタクトホールCH3を通じて副画素SP3の画素回路1に接続されている。
図3は、図2中のIII-III線に沿う表示装置DSPの概略的な断面図である。
上述の基板10の上に回路層11が配置されている。回路層11は、図1に示した画素回路1、走査線GL、信号線SLおよび電源線PLなどの各種回路や配線を含む。回路層11は、絶縁層12により覆われている。絶縁層12は、回路層11により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
下電極LE1,LE2,LE3は、絶縁層12の上に配置されている。リブ5は、絶縁層12および下電極LE1,LE2,LE3の上に配置されている。下電極LE1,LE2,LE3の端部は、リブ5により覆われている。
隔壁6は、リブ5の上に配置された下部61と、下部61の上面を覆う上部62と、を含む。上部62は、下部61よりも大きい幅を有している。これにより、図3においては上部62の両端部が下部61の側面よりも突出している。このような隔壁6の形状は、オーバーハング状ということもできる。
図2に示した有機層OR1は、互いに離間した第1有機層OR1aおよび第2有機層OR1bを含む。また、図2に示した上電極UE1は、互いに離間した第1上電極UE1aおよび第2上電極UE1bを含む。図3に示すように、第1有機層OR1aは、開口AP1を通じて下電極LE1に接触し、下電極LE1を覆うとともに、リブ5の一部を覆っている。第2有機層OR1bは、上部62の上に位置している。第1上電極UE1aは、下電極LE1と対向するとともに、第1有機層OR1aを覆っている。さらに、第1上電極UE1aは、下部61の側面に接触している。第2上電極UE1bは、隔壁6の上方に位置し、第2有機層OR1bを覆っている。
図2に示した有機層OR2は、互いに離間した第1有機層OR2aおよび第2有機層OR2bを含む。また、図2に示した上電極UE2は、互いに離間した第1上電極UE2aおよび第2上電極UE2bを含む。図3に示すように、第1有機層OR2aは、開口AP2を通じて下電極LE2に接触し、下電極LE2を覆うとともに、リブ5の一部を覆っている。第2有機層OR2bは、上部62の上に位置している。第1上電極UE2aは、下電極LE2と対向するとともに、第1有機層OR2aを覆っている。さらに、第1上電極UE2aは、下部61の側面に接触している。第2上電極UE2bは、隔壁6の上方に位置し、第2有機層OR2bを覆っている。
図2に示した有機層OR3は、互いに離間した第1有機層OR3aおよび第2有機層OR3bを含む。また、図2に示した上電極UE3は、互いに離間した第1上電極UE3aおよび第2上電極UE3bを含む。図3に示すように、第1有機層OR3aは、開口AP3を通じて下電極LE3に接触し、下電極LE3を覆うとともに、リブ5の一部を覆っている。第2有機層OR3bは、上部62の上に位置している。第1上電極UE3aは、下電極LE3と対向するとともに、第1有機層OR3aを覆っている。さらに、第1上電極UE3aは、下部61の側面に接触している。第2上電極UE3bは、隔壁6の上方に位置し、第2有機層OR3bを覆っている。
副画素SP1,SP2,SP3には、封止層71,72,73がそれぞれ配置されている。封止層71は、第1上電極UE1a、下部61の側面および第2上電極UE1bを連続的に覆っている。封止層72は、第1上電極UE2a、下部61の側面および第2上電極UE2bを連続的に覆っている。封止層73は、第1上電極UE3a、下部61の側面および第2上電極UE3bを連続的に覆っている。
図3の例においては、副画素SP1,SP3の間の隔壁6上の第2有機層OR1b、第2上電極UE1bおよび封止層71と、当該隔壁6上の第2有機層OR3b、第2上電極UE3bおよび封止層73とが離間している。また、副画素SP2,SP3の間の隔壁6上の第2有機層OR2b、第2上電極UE2bおよび封止層72と、当該隔壁6上の第2有機層OR3b、第2上電極UE3bおよび封止層73とが離間している。
封止層71,72,73は、樹脂層13により覆われている。樹脂層13は、封止層14により覆われている。さらに、封止層14は、樹脂層15により覆われている。
絶縁層12は、有機材料で形成されている。リブ5および封止層14,71,72,73は、例えばシリコン窒化物(SiNx)などの無機材料で形成されている。無機材料で形成されたリブ5の厚さは、隔壁6や絶縁層12の厚さに比べて十分に小さい。一例では、リブ5の厚さは200nm以上かつ400nm以下である。
隔壁6の下部61は、導電性を有している。隔壁6の上部62も導電性を有してもよい。
下電極LE1,LE2,LE3は、ITOなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀(Ag)などの金属材料と透明導電材料の積層構造を有してもよい。上電極UE1,UE2,UE3は、例えばマグネシウムと銀の合金(MgAg)などの金属材料で形成されている。上電極UE1,UE2,UE3は、ITOなどの透明導電材料で形成されてもよい。
下電極LE1,LE2,LE3の電位が上電極UE1,UE2,UE3の電位よりも相対的に高い場合、下電極LE1,LE2,LE3がアノードに相当し、上電極UE1,UE2,UE3がカソードに相当する。また、上電極UE1,UE2,UE3の電位が下電極LE1,LE2,LE3の電位よりも相対的に高い場合、上電極UE1,UE2,UE3がアノードに相当し、下電極LE1,LE2,LE3がカソードに相当する。
有機層OR1,OR2,OR3は、複数の機能層と、発光層と、を含む。
副画素SP1,SP2,SP3は、有機層OR1,OR2,OR3の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層をさらに含んでもよい。このようなキャップ層は、上電極UE1と封止層71の間、上電極UE2と封止層72の間、上電極UE3と封止層73の間にそれぞれ設けられてもよい。
隔壁6には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部61の側面に接触した第1上電極UE1a,UE2a,UE3aにそれぞれ供給される。下電極LE1,LE2,LE3には、副画素SP1,SP2,SP3がそれぞれ有する画素回路1を通じて画素電圧が供給される。
下電極LE1と上電極UE1の間に電位差が形成されると、第1有機層OR1aの発光層が赤色の波長域の光を放つ。下電極LE2と上電極UE2の間に電位差が形成されると、第1有機層OR2aの発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極LE3と上電極UE3の間に電位差が形成されると、第1有機層OR3aの発光層が青色の波長域の光を放つ。
他の例として、有機層OR1,OR2,OR3の発光層が同一色(例えば白色)の光を放ってもよい。この場合において、表示装置DSPは、発光層が放つ光を副画素SP1,SP2,SP3に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置DSPは、発光層が放つ光により励起して副画素SP1,SP2,SP3に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。
図4は、表示素子20の構成の一例を示す図である。
図4に示す下電極LEは、図3の下電極LE1,LE2,LE3の各々に相当する。図4に示す有機層ORは、図3の有機層OR1,OR2,OR3の各々に相当する。図4に示す上電極UEは、図3の上電極UE1,UE2,UE3の各々に相当する。
有機層ORは、キャリア調整層CA1と、発光層EMと、キャリア調整層CA2と、を有している。キャリア調整層CA1は下電極LEと発光層EMとの間に位置し、キャリア調整層CA2は発光層EMと上電極UEとの間に位置している。キャリア調整層CA1及びCA2は、複数の機能層を含んでいる。以下、下電極LEがアノードに相当し、上電極UEがカソードに相当する場合を例に説明する。
キャリア調整層CA1は、機能層として、正孔注入層F11、正孔輸送層F12、電子ブロッキング層F13などを含んでいる。正孔注入層F11は下電極LEの上に配置され、正孔輸送層F12は正孔注入層F11の上に配置され、電子ブロッキング層F13は正孔輸送層F12の上に配置され、発光層EMは電子ブロッキング層F13の上に配置されている。
キャリア調整層CA2は、機能層として、正孔ブロッキング層F21、電子輸送層F22、電子注入層F23などを含んでいる。正孔ブロッキング層F21は発光層EMの上に配置され、電子輸送層F22は正孔ブロッキング層F21の上に配置され、電子注入層F23は電子輸送層F22の上に配置され、上電極UEは電子注入層F23の上に配置されている。
なお、キャリア調整層CA1及びCA2は、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも1つが省略されてもよい。
図5は、表示装置DSPの製造方法の一例を説明するための図である。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素SP1,SP2,SP3の各々の下地となる処理基板を用意する工程(ステップST1)と、第1副画素を形成する工程(ステップST2)と、を含む。なお、ここでの第1副画素は、副画素SP1,SP2,SP3のいずれかである。
まず、ステップST1においては、基板10の上に、下電極LEと、下電極LEと重なる開口APを有するリブ5と、リブ5の上に配置された下部61及び下部61の上に配置され下部61の側面から突出した上部62を含む隔壁6と、を形成した処理基板SUBを用意する。
続いて、ステップST2においては、まず、処理基板SUBに第1薄膜を蒸着する(ステップST21)。第1薄膜の蒸着工程については後述する。その後、第1薄膜の上に所定の形状にパターニングされたレジストを形成する(ステップST22)。その後、レジストをマスクとして第1薄膜をエッチングする(ステップST23)。その後、レジストを除去する(ステップST24)。これにより、所定の形状の第1薄膜を有する第1副画素が形成される。
図6は、図5に示した第1薄膜の蒸着工程を説明するための図である。ここで説明する第1薄膜は、有機層ORと、上電極UEと、封止層7と、を有している。また、有機層ORは、図4に示した複数の機能層を有している。
まず、処理基板SUBの上に、正孔注入層F11を形成するための材料を蒸着する(ステップST211)。これにより、下電極LEに接する正孔注入層F11が形成される。ここでの下電極LEは、上記の下電極LE1,LE2,LE3のいずれかに相当する。
その後、正孔注入層F11の上に、正孔輸送層F12を形成するための材料を蒸着する(ステップST212)。これにより、正孔注入層F11に接する正孔輸送層F12が形成される。
その後、正孔輸送層F12の上に、電子ブロッキング層F13を形成するための材料を蒸着する(ステップST213)。これにより、正孔輸送層F12に接する電子ブロッキング層F13が形成される。
その後、電子ブロッキング層F13の上に、発光層EMを形成するための材料を蒸着する(ステップST214)。これにより、電子ブロッキング層F13に接する発光層EMが形成される。
その後、発光層EMの上に、正孔ブロッキング層F21を形成するための材料を蒸着する(ステップST215)。これにより、発光層EMに接する正孔ブロッキング層F21が形成される。
その後、正孔ブロッキング層F21の上に、電子輸送層F22を形成するための材料を蒸着する(ステップST216)。これにより、正孔ブロッキング層F21に接する電子輸送層F22が形成される。
その後、電子輸送層F22の上に、電子注入層F23を形成するための材料を蒸着する(ステップST217)。これにより、電子輸送層F22に接する電子注入層F23が形成される。一連のステップST211からステップST217までの工程により、有機層ORが形成される。ここでの有機層ORは、上記の有機層OR1,OR2,OR3のいずれかに相当する。
その後、電子注入層F23の上に、上電極UEを形成するための材料を蒸着する(ステップST218)。これにより、電子注入層F23に接するとともに隔壁6の下部61に接し、且つ、有機層ORを覆う上電極UEが形成される。ここでの上電極UEは、上記の上電極UE1,UE2,UE3のいずれかに相当する。
その後、上電極UE及び隔壁6を覆う封止層7を形成する(ステップST219)。ここでの封止層7は、上記の封止層71,72,73のいずれかに相当する。
なお、封止層7を形成する前に、透明なキャップ層(光学調整層)を蒸着してもよい。また、上記のステップST211乃至ステップST213の少なくとも1つ、及び、ステップST215乃至ステップST217の少なくとも1つを省略してもよい。また、上記のステップST211乃至ステップST217の他に、有機層を構成する機能層を形成するための工程が追加されてもよい。
次に、上記の蒸着工程で適用可能な蒸着装置100の一例について説明する。
図7は、本実施形態に係る蒸着装置100の一例を示す図である。
蒸着装置100は、処理基板SUBを配置するためのステージ110と、ステージ110に対向する蒸着ヘッド120と、蒸着ヘッド120を駆動する駆動機構130と、チャンバー140と、を備えている。チャンバー140は、ステージ110、蒸着ヘッド120、駆動機構130等を収容し、内部の真空化を可能とするように構成されている。
例えば、図2に示したレイアウトの副画素SP1,SP2,SP3を形成する場合、蒸着ヘッド120は、第3方向Zにおいてステージ110と対向している。駆動機構130は、蒸気を噴出している蒸着ヘッド120を第2方向Yに沿って移動する走査機構と、蒸着ヘッド120を第1方向Xに移動する移動機構と、を備えている。
蒸着ヘッド120は、蒸着源121と、複数のノズル122と、複数のスリーブ123と、傾斜機構124と、を備えている。
蒸着源121は、材料を加熱して蒸気を発生させるように構成されている。蒸着源121は、第3方向Zにおいてステージ110と対向する側に底面121Aを有している。加熱される材料としては、有機層を形成するための材料、あるいは、上電極を形成するための材料である。
複数のノズル122は、第1方向Xに並び、蒸着源121の底面121Aに接続されている。図示した例では、ノズル122の各々は、底面121Aからステージ110に向かって第3方向Zに沿って延出している。これらの複数のノズル122は、蒸着源121で発生した蒸気をステージ110(あるいはステージ110の上の処理基板SUB)に向けて噴出するように構成されている。
複数のスリーブ123は、複数のノズル122に対応するように形成され、第1方向Xに並び、蒸着源121の底面121Aに接続されている。図示した例では、スリーブ123の各々は、底面121Aからステージ110に向かって第3方向Zに沿って延出している。スリーブ123の各々は、ノズル122を囲むように配置されている。スリーブ123は、蒸着源121に対して着脱可能である。
このようなスリーブ123は、蒸着ヘッド120から処理基板SUBに向けて噴出される蒸気を規制する。スリーブ123を介して蒸着ヘッド120から処理基板SUBに向けて噴出される蒸気の広がり角度は、以下、蒸着角度と称する。
傾斜機構124は、ノズル122の延出方向122Aをステージ110の法線110Aに対して傾斜させるように構成されている。図中には、延出方向122Aを一点鎖線で示し、法線110Aを二点鎖線で示している。
本実施形態において、例えば、蒸着ヘッド120から噴出される蒸気の蒸着角度が第1角度である第1モード(狭蒸着角モード)においては、長尺のスリーブ123が蒸着源121に接続される。また、蒸着ヘッド120から噴出される蒸気の蒸着角度が第1角度より大きい第2角度である第2モード(広蒸着角モード)においては、短尺のスリーブ123が蒸着源121に接続される。
ノズル122のうち最もステージ110に近接する部分をノズル122の先端122Tと称し、スリーブ123のうち最もステージ110に近接する部分をスリーブ123の先端123Tと称する。このとき、ノズル122の先端122Tからスリーブ123の先端123Tまでの第3方向Zに沿った距離Dに関して、第1モードの距離Daは、第2モードの距離Dbより大きい。
蒸着源121の底面121Aからスリーブ123の先端123Tまでの第3方向Zに沿った長さLに関して、第1モードで適用されるスリーブ123の長さLaは、第2モードで適用されるスリーブ123の長さLbよりも長い。
スリーブ123の長さLを調整することにより、距離Dは自在に設定することができる。距離Dが大きくなるほどノズル122から噴出された蒸気がスリーブ123によって規制され、蒸気の直進性が向上し、蒸着角度が小さくなる。距離Dが小さくなるほどノズル122から噴出された蒸気がスリーブ123によって規制されにくくなり、蒸気の発散性が向上し、蒸着角度が大きくなる。このように、スリーブ123の長さLを調整することにより、蒸着ヘッド120から処理基板SUBに向けて噴出される蒸気の蒸着角度を自在に制御することができる。
図8及び図9は、図7に示した蒸着ヘッド120の他の断面図である。図8及び図9では、第2方向Y及び第3方向Zによって規定されるY-Z平面における蒸着ヘッド120の断面を示している。なお、図8及び図9では、スリーブ123を図示していないが、スリーブ123が蒸着ヘッド120に設けられてもよい。
傾斜機構124は、例えばノズル122と一体化された蒸着源121をY-Z平面内で回転させるように構成されており、ステージ110の法線110Aに対してノズル122の延出方向122Aを傾斜させることができる。なお、傾斜機構124は、固定された蒸着源121に対してノズル122のみをY-Z平面内で回転させるように構成されてもよい。
図8に示す例では、ノズル122の延出方向122Aがステージ110の法線110Aとほぼ平行である。つまり、延出方向122Aと法線110Aとのなす角度は0°である。
図9に示す例では、ノズル122の延出方向122Aがステージ110の法線110Aに対して傾斜している。つまり、延出方向122Aと法線110Aとのなす角度θAは0°より大きい鋭角である。このとき、ノズル122は、その先端122Tが蒸着ヘッド120の移動方向YAとは逆を向くように傾斜している。なす角度θAは、傾斜機構124によって自在に設定することができる。つまり、なす角度θAは、0°以上の角度に自在に設定することができる。
図8に示した例の延出方向122Aと法線110Aとのなす角度を第1角度とし、図9に示した例の延出方向122Aと法線110Aとのなす角度を第2角度としたとき、第2角度は第1角度より大きい。
但し、蒸着ヘッド120から処理基板SUBに向けて噴出される材料Mの蒸気の広がり角度(蒸着角度)θBに関しては、図8に示した例と、図9に示した例とでは同等である。
このように、ノズル122がステージ110上の処理基板SUBと対向した状態で、蒸着ヘッド120は、材料Mの蒸気を噴出しながら移動し、材料Mを処理基板SUBに蒸着する。蒸着ヘッド120の移動方向YAは、例えば第2方向Yに平行である。
図10は、蒸着源121に接続されるスリーブ123の一例を示す平面図である。
ノズル122は、第3方向Zに延出した円筒状に形成されている。複数のノズル122は、第1方向Xに等ピッチで配列されている。
スリーブ123は、第3方向Zに延出した円筒状に形成されている。スリーブ123は、ノズル122に対して同心的に配置されている。スリーブ123の内径は、ノズル122の外径より大きい。複数のスリーブ123は、第1方向Xに等ピッチで配列されている。スリーブ123の配列ピッチは、ノズル122の配列ピッチと等しい。
図11は、蒸着源121に接続されるスリーブ123の他の例を示す平面図である。
図11に示す例は、図10に示した例と比較して、スリーブ123が格子状に形成された点で相違している。つまり、1つのノズル122は、四方に配置された平板のスリーブ123で囲まれている。
なお、図10及び図11に示した例では、蒸着ヘッド120が第1方向Xに一列に並んだノズル122を備えるが、この例に限らず、蒸着ヘッド120は、複数列に並んだノズル122を備えていてもよい。また、スリーブ123の形状については、図10及び図11に示した例に限らない。
図12は、本実施形態に係る蒸着装置及び蒸着方法の一例を示す図である。なお、ここに示した複数のチャンバー及びチャンバー内に収容された要素は、1つの蒸着装置100とみなすことができる。
まず、処理基板SUBを用意する。処理基板SUBは、上記したように、基板10の上に、下電極LE、リブ5、及び、隔壁6を形成したものである。
続いて、処理基板SUBは、チャンバー1401に導入され、ステージ1101の上に配置される。チャンバー1401に収容された蒸着ヘッド1201は、処理基板SUBに材料M1を蒸着するように構成されている。蒸着ヘッド1201においては、長さL1のスリーブ1231でノズル1221を囲み、このスリーブ1231を蒸着源1211に接続する。これにより、ノズル1221の先端とスリーブ1231の先端との間を距離D1に設定する。
そして、蒸着ヘッド1201は、第2方向Yに移動しながら材料M1の蒸気を処理基板SUBに向けて噴出する。このとき、ノズル1221から噴出された蒸気の一部は、スリーブ1231によって遮られる。蒸着ヘッド1201は、材料M1の蒸気を蒸着角度θ1で噴出する。これにより、材料M1が処理基板SUBに蒸着される。
続いて、処理基板SUBは、チャンバー1402に導入され、ステージ1102の上に配置される。チャンバー1402に収容された蒸着ヘッド1202は、材料M1が蒸着された処理基板SUBに材料M2を蒸着するように構成されている。蒸着ヘッド1202においては、長さL2のスリーブ1232でノズル1222を囲み、このスリーブ1232を蒸着源1212に接続する。長さL2は長さL1より短い。これにより、ノズル1222の先端とスリーブ1232の先端との間を距離D2に設定する。距離D2は距離D1より小さい。
そして、蒸着ヘッド1202は、第2方向Yに移動しながら材料M2の蒸気を処理基板SUBに向けて噴出する。このとき、ノズル1222から噴出された蒸気の一部は、スリーブ1232によって遮られる。蒸着ヘッド1202は、材料M2の蒸気を蒸着角度θ2で噴出する。蒸着角度θ2は、蒸着角度θ1とは異なり、ここでは、蒸着角度θ1より大きい。これにより、材料M2が処理基板SUBに蒸着される。材料M2は、先に蒸着された材料M1よりも広範囲にわたって蒸着され、材料M1を覆う。
続いて、処理基板SUBは、チャンバー1403に導入され、ステージ1103の上に配置される。チャンバー1403に収容された蒸着ヘッド1203は、材料M2が蒸着された処理基板SUBに材料M3を蒸着するように構成されている。蒸着ヘッド1203においては、スリーブは設けられてない。
そして、蒸着ヘッド1203は、第2方向Yに移動しながら材料M3の蒸気を処理基板SUBに向けて噴出する。このとき、蒸着ヘッド1203は、材料M3の蒸気を蒸着角度θ3で噴出する。蒸着角度θ3は、蒸着角度θ1及びθ2とは異なる。蒸着ヘッド1203においては、ノズル1223から噴出される蒸気を規制するスリーブが設けられていないため、蒸気は大きく広がる。このため、蒸着角度θ3は蒸着角度θ2より大きい。これにより、材料M3が処理基板SUBに蒸着される。材料M3は、先に蒸着された材料M2よりも広範囲にわたって蒸着され、材料M2を覆う。
図12に示した例では、ノズル1221の延出方向はステージ1101の法線に平行であり、ノズル1222の延出方向はステージ1102の法線に平行であり、ノズル1223の延出方向はステージ1103の法線に平行である。
また、ステージ1101からノズル1221までの第3方向Zに沿った距離、ステージ1102からノズル1222までの第3方向Zに沿った距離、及び、ステージ1103からノズル1223までの第3方向Zに沿った距離は、いずれも同等であるが、互いに異なっていてもよい。
図13は、第1薄膜を蒸着する際の蒸着角度を説明するための図である。
ここでは、複数の機能層や発光層を含む有機層ORのうち、下電極LEに近接する側の下層ORAと、上電極UEに近接する側の上層ORBと、を示している。下層ORAは、例えば、上記の正孔注入層、正孔輸送層、発光層などである。上層ORBは、例えば、上記の電子注入層、電子輸送層、正孔ブロッキング層などである。
蒸着ヘッド1201による蒸着工程は、図6に示した第1薄膜の蒸着工程のうち、例えば、ステップST211乃至ST214の少なくとも1つの工程に相当する。
蒸着ヘッド1201が第2方向Yに移動しながら材料M1の蒸気を噴出することにより、下層ORAが形成される。このとき、蒸着角度θ1で隔壁6に向かう蒸気の一部は、上部62で遮られる。このため、隔壁6を挟んで第2方向Yに隣接する下層ORAは、隔壁6によって分断され、しかも、下部61から離間している。また、隔壁6の上部62には、下層ORAを形成するための材料M1が蒸着されている。図中に実線で示す蒸着角度θ1は、例えば、55°~65°である。
蒸着ヘッド1202による蒸着工程は、図6に示した第1薄膜の蒸着工程のうち、例えば、ステップST215乃至ST217の少なくとも1つの工程に相当する。
蒸着ヘッド1202が第2方向Yに移動しながら材料M2の蒸気を噴出することにより、上層ORBが形成される。このとき、蒸着角度θ2で隔壁6に向かう蒸気の一部は、上部62で遮られる。このため、隔壁6を挟んで第2方向Yに隣接する上層ORBは、隔壁6によって分断され、しかも、下部61から離間している。また、隔壁6の上部62には、上層ORBを形成するための材料M2が蒸着されている。蒸着角度θ2が蒸着角度θ1より大きいため、材料M2は、材料M1よりも広範囲に蒸着される。このため、材料M2は、材料M1よりも隔壁6に近接する範囲にも蒸着されている。したがって、下層ORAは上層ORBによって覆われる。図中に点線で示す蒸着角度θ2は、例えば、95°~105°である。
蒸着ヘッド1203による蒸着工程は、図6に示した第1薄膜の蒸着工程のうち、例えば、ステップST218の工程に相当する。
蒸着ヘッド1203が第2方向Yに移動しながら材料M3の蒸気を噴出することにより、上電極UEが形成される。このとき、蒸着角度θ2よりも大きい蒸着角度θ3で隔壁6に向かう蒸気は、上部62で遮られるものの、一部の蒸気は下部61に到達する。このため、隔壁6を挟んで第2方向Yに隣接する上電極UEは、隔壁6によって分断され、しかも、下部61に接している。また、隔壁6の上部62には、上電極UEを形成するための材料M3が蒸着されている。材料M3が材料M2よりも隔壁6に近接する範囲に蒸着されるため、上層ORBは上電極UEによって覆われる。図中に一点鎖線で示す蒸着角度θ3は、例えば、115°~125°である。
リブ5の上において、下層ORA、上層ORB、上電極UEは、蒸着の際にそれぞれ隔壁6の影となる部分A、部分B、部分Cを有している。これらの部分A、部分B、部分Cは、下電極LEに重畳する部分よりも薄くなる傾向があるが、下電極LEから離間しているため、発光に寄与しない。上電極UEと隔壁6とが接触し且つ部分Aと部分Cとの不所望な接触を抑制する観点では、上記の蒸着角度θ1乃至θ3は、部分A、部分B、部分Cがそれぞれリブ5の上に形成されるように設定されることが望ましい。
部分A、部分B、部分Cの第2方向Yに沿った幅について、部分Bは部分Aより大きく、部分Cは部分Bより大きい。そして、部分Bは部分Aを覆い、部分Cは部分Bを覆っている。また、部分A及び部分Bは隔壁6から離間し、部分Cは隔壁6に接している。
このように、本実施形態によれば、蒸着ヘッド120は、蒸着角度を調整することができる。このため、各層を最適な蒸着角度で蒸着することができる。また、蒸着角度を制御することにより、各層の端部の位置をずらすことができる。したがって、ファインマスクを適用することなく、所望の形状の薄膜を所望の位置に形成することができる。
ここで説明した例において、蒸着ヘッド1201が第1蒸着ヘッドに相当し、長さL1が第1長さに相当し、材料M1が第1材料に相当し、蒸着角度θ1が第1角度に相当する場合、蒸着ヘッド1202または蒸着ヘッド1203は第2蒸着ヘッドに相当し、長さL2が第2長さに相当し、材料M2または材料M3は第2材料に相当し、蒸着角度θ2または蒸着角度θ3は第2角度に相当する。
あるいは、蒸着ヘッド1203が第2蒸着ヘッドに相当し、材料M3が第2材料に相当し、蒸着角度θ3が第2角度に相当する場合、蒸着ヘッド1201または蒸着ヘッド1202は第1蒸着ヘッドに相当し、材料M1または材料M2は第1材料に相当し、蒸着角度θ1または蒸着角度θ2は第1角度に相当する。
あるいは、蒸着ヘッド1201が第1蒸着ヘッドに相当し、長さL1が第1長さに相当し、材料M1が第1材料に相当し、蒸着角度θ1が第1角度に相当し、蒸着ヘッド1202が第2蒸着ヘッドに相当し、長さL2が第2長さに相当し、材料M2が第2材料に相当し、蒸着角度θ2が第2角度に相当し、蒸着ヘッド1203が第3蒸着ヘッドに相当し、材料M3が第3材料に相当し、蒸着角度θ3が第3角度に相当する場合もあり得る。
例えば、材料M1は有機層ORの下層ORAを形成するための材料であり、材料M2は有機層ORの上層ORBを形成するための材料であり、材料M3は上電極UEを形成するための材料である。
次に、他の製造方法について説明する。
図14は、本実施形態に係る蒸着装置及び蒸着方法の他の例を示す図である。なお、ここに示した複数のチャンバー及びチャンバー内に収容された要素は、1つの蒸着装置100とみなすことができる。
まず、処理基板SUBを用意する。処理基板SUBは、上記したように、基板10の上に、下電極LE、リブ5、及び、隔壁6を形成したものである。
続いて、処理基板SUBは、チャンバー1401に導入され、ステージ1101の上に配置される。チャンバー1401に収容された蒸着ヘッド1201は、処理基板SUBに材料M1を蒸着するように構成されている。蒸着ヘッド1201においては、長さL1のスリーブ1231でノズル1221を囲み、このスリーブ1231を蒸着源1211に接続する。これにより、ノズル1221の先端とスリーブ1231の先端との間を距離D1に設定する。ノズル1221の延出方向1221Aは、ステージ1101の法線1101Aと平行である。つまり、延出方向1221Aと法線1101Aとのなす角度は0°である。
そして、蒸着ヘッド1201は、第2方向Yに移動しながら材料M1の蒸気を処理基板SUBに向けて噴出する。このとき、ノズル1221から噴出された蒸気の一部は、スリーブ1231によって遮られる。蒸着ヘッド1201は、材料M1の蒸気を蒸着角度θ1で噴出する。これにより、材料M1が処理基板SUBに蒸着される。
続いて、処理基板SUBは、チャンバー1402に導入され、ステージ1102の上に配置される。チャンバー1402に収容された蒸着ヘッド1202は、材料M1が蒸着された処理基板SUBに材料M2を蒸着するように構成されている。蒸着ヘッド1202においては、長さL2のスリーブ1232でノズル1222を囲み、このスリーブ1232を蒸着源1212に接続する。長さL2は長さL1より短い。これにより、ノズル1222の先端とスリーブ1232の先端との間を距離D2に設定する。距離D2は距離D1より小さい。ノズル1222の延出方向1222Aは、ステージ1102の法線1102Aと平行である。つまり、延出方向1222Aと法線1102Aとのなす角度は、延出方向1221Aと法線1101Aとのなす角度と等しく、0°である。
そして、蒸着ヘッド1202は、第2方向Yに移動しながら材料M2の蒸気を処理基板SUBに向けて噴出する。このとき、ノズル1222から噴出された蒸気の一部は、スリーブ1232によって遮られる。蒸着ヘッド1202は、材料M2の蒸気を蒸着角度θ2で噴出する。蒸着角度θ2は、蒸着角度θ1とは異なり、ここでは、蒸着角度θ1より大きい。これにより、材料M2が処理基板SUBに蒸着される。材料M2は、先に蒸着された材料M1よりも広範囲にわたって蒸着され、材料M1を覆う。
続いて、処理基板SUBは、チャンバー1403に導入され、ステージ1103の上に配置される。チャンバー1403に収容された蒸着ヘッド1203は、材料M2が蒸着された処理基板SUBに材料M3を蒸着するように構成されている。蒸着ヘッド1203においては、スリーブは設けられてないが、蒸着ヘッド1201と同様のスリーブ1231が設けられてもよい。傾斜機構1243は、蒸着ヘッド1203あるいはノズル1223を傾斜させる。ノズル1223の延出方向1223Aは、ステージ1103の法線1103Aに対して傾斜している。つまり、延出方向1223Aと法線1103Aとのなす角度は、延出方向1222Aと法線1102Aとのなす角度、及び、延出方向1221Aと法線1101Aとのなす角度より大きく、0°より大きい鋭角である。
そして、蒸着ヘッド1203は、第2方向Yに移動しながら材料M3の蒸気を処理基板SUBに向けて噴出する。このとき、蒸着ヘッド1203は、材料M3の蒸気を蒸着角度θ3で噴出する。蒸着角度θ3は、蒸着角度θ1及びθ2とは異なる。一例では、蒸着角度θ3は、蒸着角度θ1より大きく、蒸着角度θ2より小さい。これにより、材料M3が処理基板SUBに蒸着される。材料M3は、先に蒸着された材料M2よりも広範囲にわたって蒸着され、材料M2を覆う。
図15は、第1薄膜を蒸着する際の蒸着角度を説明するための図である。
ここでは、複数の機能層や発光層を含む有機層ORのうち、下電極LEに近接する側の下層ORAと、上電極UEに近接する側の上層ORBと、を示している。下層ORAは、例えば、上記の正孔注入層、正孔輸送層、発光層などである。上層ORBは、例えば、上記の電子注入層、電子輸送層、正孔ブロッキング層などである。
蒸着ヘッド1201による蒸着工程は、図6に示した第1薄膜の蒸着工程のうち、例えば、ステップST211乃至ST214の少なくとも1つの工程に相当する。
蒸着ヘッド1201が第2方向Yに移動しながら材料M1の蒸気を噴出することにより、下層ORAが形成される。このとき、蒸着角度θ1で隔壁6に向かう蒸気の一部は、上部62で遮られる。このため、隔壁6を挟んで第2方向Yに隣接する下層ORAは、隔壁6によって分断され、しかも、下部61から離間している。また、隔壁6の上部62には、下層ORAを形成するための材料M1が蒸着されている。図中に実線で示す蒸着角度θ1は、例えば、55°~65°である。
蒸着ヘッド1202による蒸着工程は、図6に示した第1薄膜の蒸着工程のうち、例えば、ステップST215乃至ST217の少なくとも1つの工程に相当する。
蒸着ヘッド1202が第2方向Yに移動しながら材料M2の蒸気を噴出することにより、上層ORBが形成される。このとき、蒸着角度θ2で隔壁6に向かう蒸気の一部は、上部62で遮られる。このため、隔壁6を挟んで第2方向Yに隣接する上層ORBは、隔壁6によって分断され、しかも、下部61から離間している。また、隔壁6の上部62には、上層ORBを形成するための材料M2が蒸着されている。蒸着角度θ2が蒸着角度θ1より大きいため、材料M2は、材料M1よりも広範囲に蒸着される。このため、材料M2は、材料M1よりも隔壁6に近接する範囲にも蒸着されている。したがって、下層ORAは上層ORBによって覆われる。図中に点線で示す蒸着角度θ2は、例えば、95°~105°である。
蒸着ヘッド1203による蒸着工程は、図6に示した第1薄膜の蒸着工程のうち、例えば、ステップST218の工程に相当する。
蒸着ヘッド1203が第2方向Yに移動しながら材料M3の蒸気を噴出することにより、上電極UEが形成される。このとき、ノズルの延出方向1223Aがステージの法線1103Aに対して傾斜している(つまり蒸着ヘッド1203が傾斜している)ため、蒸着ヘッド1203から噴出された蒸気は、上部62で遮られるものの、一部の蒸気は下部61に到達する。このため、隔壁6を挟んで第2方向Yに隣接する上電極UEは、隔壁6によって分断され、しかも、下部61に接している。また、隔壁6の上部62には、上電極UEを形成するための材料M3が蒸着されている。材料M3が材料M2よりも隔壁6に近接する範囲に蒸着されるため、上層ORBは上電極UEによって覆われる。例えば、延出方向1223Aと法線1103Aとのなす角度θAは、15°~25°である。また、図中に一点鎖線で示す蒸着角度θ3は、蒸着角度θ2より小さく、例えば、75°~85°である。
ここで、隔壁6に対して蒸着ヘッド1201乃至1203の移動方向YAの下流側(図の右側)に着目する。リブ5の上において、下層ORA、上層ORB、上電極UEは、蒸着の際にそれぞれ隔壁6の影となる部分A、部分B、部分C’を有している。
部分A、部分B、部分C’の第2方向Yに沿った幅について、部分Bは部分Aより大きく、部分C’は部分Bより小さい。そして、部分Bは部分Aを覆い、部分C’は部分Bを覆っている。また、部分A及び部分Bは隔壁6から離間し、部分C’は隔壁6に接している。
一方で、隔壁6に対して蒸着ヘッド1201乃至1203の移動方向YAの上流側(図の左側)に着目する。リブ5の上において、下層ORA、上層ORB、上電極UEは、蒸着の際にそれぞれ隔壁6の影となる部分A、部分B、部分Cを有している。隔壁6を挟んだ下層ORAの部分Aはほぼ対称に形成される。隔壁6を挟んだ上層ORBの部分Bはほぼ対称に形成される。隔壁を挟んだ上電極UEの部分C及び部分C’は非対称に形成される。部分C’は部分Cより小さい。
部分A、部分B、部分Cの第2方向Yに沿った幅について、部分Bは部分Aより大きく、部分Cは部分Bより小さい。そして、部分Bは部分Aを覆い、部分Cは部分Bの一部を露出している。また、部分A、部分B、及び、部分Cは、いずれも隔壁6から離間している。
これらの部分A、部分B、部分C、及び、部分C’は、下電極LEに重畳する部分よりも薄くなる傾向があるが、下電極LEから離間しているため、発光に寄与しない。上電極UEは、図の右側で隔壁6と接触し、電気的に接続される。また、図のみ微側及び左側において、部分Aが部分Bによって覆われるため、部分Aと部分Cとの不所望な接触が抑制される。
このように、本実施形態によれば、蒸着ヘッド120は、蒸着角度を調整することができる。このため、各層を最適な蒸着角度で蒸着することができる。また、蒸着角度を制御することにより、各層の端部の位置をずらすことができる。したがって、ファインマスクを適用することなく、所望の形状の薄膜を所望の位置に形成することができる。
また、上電極UEの部分C及び部分C’のそれぞれの幅が低減され、リブ5の幅を低減することができる。このため、表示素子20において表示に寄与する開口率、あるいは、画素解像度を向上することができる。
ここで説明した例において、蒸着ヘッド1201または蒸着ヘッド1202が第1蒸着ヘッドに相当し、ステージ1101またはステージ1102が第1ステージに相当し、材料M1または材料M2が第1材料に相当し、延出方向1221Aと法線1101Aとのなす角度あるいは延出方向1222Aと法線1102Aとのなす角度が第1角度に相当し、蒸着ヘッド1203は第2蒸着ヘッドに相当し、ステージ1103が第2ステージに相当し、材料M3は第2材料に相当し、延出方向1223Aと法線1103Aとのなす角度が第2角度に相当する。
例えば、材料M1は有機層ORの下層ORAを形成するための材料であり、材料M2は有機層ORの上層ORBを形成するための材料であり、材料M3は上電極UEを形成するための材料である。
以上説明したように、本実施形態によれば、ファインマスクを適用することなく所望の薄膜を形成することが可能な蒸着装置及び蒸着方法を提供することができる。
以上、本発明の実施形態として説明した蒸着装置及び蒸着方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての蒸着装置及び蒸着方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
DSP…表示装置
SP1,SP2,SP3…副画素 20…表示素子(有機EL素子)
LE,LE1,LE2,LE3…下電極(アノード)
UE,UE1,UE2,UE3…上電極(カソード)
OR,OR1,OR2,OR3…有機層
10…基板 5…リブ 6…隔壁 61…下部 62…上部
7,71,72,73…封止層
100…蒸着装置 110…ステージ 130…駆動機構 140…チャンバー
120…蒸着ヘッド 121…蒸着源 122…ノズル 123…スリーブ 124…傾斜機構 SUB…処理基板

Claims (17)

  1. 基板上に、下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部及び前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を形成した処理基板を用意し、
    第1蒸着ヘッドから噴出される第1材料の蒸気の広がり角度を第1角度に設定し、前記処理基板に前記第1材料を蒸着し、
    第2蒸着ヘッドから噴出される第2材料の蒸気の広がり角度を前記第1角度より大きい第2角度に設定し、前記第1材料が蒸着された前記処理基板に前記第2材料を蒸着する、蒸着方法。
  2. 前記第1材料を蒸着する工程では、前記第1蒸着ヘッドにおいて第1長さのスリーブでノズルを囲み、
    前記第2材料を蒸着する工程では、前記第2蒸着ヘッドにおいて前記第1長さより短い第2長さのスリーブでノズルを囲む、請求項1に記載の蒸着方法。
  3. 前記第2蒸着ヘッドにおいて前記ノズルの先端から前記スリーブの先端までの距離は、前記第1蒸着ヘッドにおいて前記ノズルの先端から前記スリーブの先端までの距離よりも小さい、請求項2に記載の蒸着方法。
  4. 前記第1材料は、有機EL素子を構成する有機層の下層を形成し、前記下電極、前記リブ、及び、前記上部のそれぞれの上に蒸着され、前記下部から離間し、
    前記第2材料は、有機EL素子を構成する有機層の上層を形成し、前記第1材料を覆い、前記下部から離間している、請求項1に記載の蒸着方法。
  5. 前記第1材料は、有機EL素子を構成する有機層を形成し、前記下電極、前記リブ、及び、前記上部のそれぞれの上に蒸着され、前記下部から離間し、
    前記第2材料は、有機EL素子を構成する上電極を形成し、前記第1材料を覆い、前記下部に接している、請求項1に記載の蒸着方法。
  6. 基板上に、下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部及び前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を形成した処理基板を用意し、
    前記処理基板を第1ステージに配置し、第1蒸着ヘッドのノズルの延出方向と前記第1ステージの法線とのなす角度を第1角度に設定し、前記第1蒸着ヘッドの前記ノズルから第1材料の蒸気を噴出し、前記処理基板に前記第1材料を蒸着し、
    前記第1材料が蒸着された前記処理基板を第2ステージに配置し、第2蒸着ヘッドのノズルの延出方向と前記第2ステージの法線とのなす角度を前記第1角度より大きい第2角度に設定し、前記第2蒸着ヘッドの前記ノズルから第2材料の蒸気を噴出し、前記処理基板に前記第2材料を蒸着する、蒸着方法。
  7. 前記第1蒸着ヘッドの前記ノズルの延出方向は、前記第1ステージの法線と平行であり、
    前記第2蒸着ヘッドの前記ノズルの延出方向は、前記第2ステージの法線に対して傾斜している、請求項6に記載の蒸着方法。
  8. 前記第1材料は、有機EL素子を構成する有機層を形成し、前記下電極、前記リブ、及び、前記上部のそれぞれの上に蒸着され、前記下部から離間し、
    前記第2材料は、有機EL素子を構成する上電極を形成し、前記第1材料を覆い、前記下部に接する、請求項6に記載の蒸着方法。
  9. 前記第2蒸着ヘッドから噴出される前記第2材料の蒸気の広がり角度は、前記第1蒸着ヘッドから噴出される前記第1材料の蒸気の広がり角度より小さい、請求項6に記載の蒸着方法。
  10. 第1ステージと、
    前記第1ステージの上に配置された処理基板に第1材料を蒸着するように構成された第1蒸着ヘッドと、
    第2ステージと、
    前記第2ステージの上に配置され前記第1材料が蒸着された前記処理基板に第2材料を蒸着するように構成された第2蒸着ヘッドと、を備え、
    前記第1蒸着ヘッド及び前記第2蒸着ヘッドの各々は、
    材料を加熱して蒸気を発生させる蒸着源と、
    前記蒸着源に接続され、前記蒸着源で発生した蒸気を噴出するノズルと、を備え、
    前記第1蒸着ヘッドから噴出される前記第1材料の蒸気の広がり角度は、第1角度に設定され、
    前記第2蒸着ヘッドから噴出される前記第2材料の蒸気の広がり角度は、前記第1角度とは異なる第2角度に設定される、蒸着装置。
  11. 前記第1蒸着ヘッド及び前記第2蒸着ヘッドの各々は、さらに、
    前記ノズルを囲み、前記ノズルの先端よりも前記処理基板に向かって延出したスリーブを備え、
    前記第2蒸着ヘッドにおける前記スリーブの長さは、前記第1蒸着ヘッドにおける前記スリーブの長さよりも短い、請求項10に記載の蒸着装置。
  12. 前記第2角度は、前記第1角度より大きい、請求項11に記載の蒸着装置。
  13. 前記第2蒸着ヘッドは、さらに、前記ノズルの延出方向を前記第2ステージの法線に対して傾斜させる傾斜機構を備える、請求項10に記載の蒸着装置。
  14. 前記第1蒸着ヘッドの前記ノズルの延出方向は、前記第1ステージの法線と平行である、請求項13に記載の蒸着装置。
  15. 前記第1角度は、前記第2角度より大きい、請求項13に記載の蒸着装置。
  16. 前記第1材料は、有機EL素子を構成する有機層の下層を形成するための材料であり、
    前記第2材料は、有機EL素子を構成する有機層の上層を形成するための材料である、請求項10に記載の蒸着装置。
  17. 前記第1材料は、有機EL素子を構成する有機層を形成するための材料であり、
    前記第2材料は、有機EL素子を構成する上電極を形成するための材料である、請求項10に記載の蒸着装置。
JP2022003106A 2022-01-12 2022-01-12 蒸着装置及び蒸着方法 Pending JP2023102548A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022003106A JP2023102548A (ja) 2022-01-12 2022-01-12 蒸着装置及び蒸着方法
KR1020230001113A KR20230109101A (ko) 2022-01-12 2023-01-04 증착 장치 및 증착 방법
CN202310029963.3A CN116426881A (zh) 2022-01-12 2023-01-09 蒸镀装置及蒸镀方法
US18/151,482 US11958073B2 (en) 2022-01-12 2023-01-09 Deposition device and deposition method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022003106A JP2023102548A (ja) 2022-01-12 2022-01-12 蒸着装置及び蒸着方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023102548A true JP2023102548A (ja) 2023-07-25

Family

ID=87070028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022003106A Pending JP2023102548A (ja) 2022-01-12 2022-01-12 蒸着装置及び蒸着方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11958073B2 (ja)
JP (1) JP2023102548A (ja)
KR (1) KR20230109101A (ja)
CN (1) CN116426881A (ja)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3188678B2 (ja) 1998-12-25 2001-07-16 ティーディーケイ株式会社 有機el表示装置およびその製造方法
JP4089544B2 (ja) 2002-12-11 2008-05-28 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2008135325A (ja) 2006-11-29 2008-06-12 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置とその製造方法
US7834543B2 (en) 2007-07-03 2010-11-16 Canon Kabushiki Kaisha Organic EL display apparatus and method of manufacturing the same
JP5008606B2 (ja) 2007-07-03 2012-08-22 キヤノン株式会社 有機el表示装置及びその製造方法
JP2010118191A (ja) 2008-11-11 2010-05-27 Sharp Corp 有機el表示装置およびその製造方法
KR102046441B1 (ko) * 2012-10-12 2019-11-20 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
US10559772B2 (en) 2017-03-31 2020-02-11 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and production method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
CN116426881A (zh) 2023-07-14
US11958073B2 (en) 2024-04-16
US20230219114A1 (en) 2023-07-13
KR20230109101A (ko) 2023-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11522152B2 (en) Display panel and fabrication method thereof, and display apparatus
KR100518709B1 (ko) 마스크를 사용해서 층 재료를 부착시켜 기판 상에 사전설정된 패턴의 층을 형성하는 방법
TWI702455B (zh) 電致發光顯示裝置
JP6056091B2 (ja) 有機el表示パネル及び有機el表示装置
US9117782B2 (en) OLED display
US11393884B2 (en) Pixel definition layer, array substrate and display panel
JP2019133921A (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
CN110021636B (zh) 电致发光显示装置
CN109994644B (zh) 有机发光二极管显示装置
JPWO2013069234A1 (ja) 有機el表示パネル及び有機el表示装置
JP2011090909A (ja) 有機el装置用基板およびそれを用いた有機el装置の製造方法
JP6567349B2 (ja) 蒸着方法及び蒸着装置
JP2011090910A (ja) 有機el装置用基板およびそれを用いた有機el装置の製造方法
TWI706558B (zh) 發光顯示裝置
JP2023102548A (ja) 蒸着装置及び蒸着方法
JP2019054219A (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2023102549A (ja) 蒸着装置及び蒸着方法
US20220199937A1 (en) Display device
US20240040817A1 (en) Manufacturing method of display device and display device
US20220238852A1 (en) Display device and method for manufacturing display device
US20230255097A1 (en) Manufacturing method of display device
US20220238829A1 (en) Display device
JP2024027925A (ja) 表示装置
JP2023136829A (ja) 表示装置の製造方法
JP2016157799A (ja) El表示装置及びその製造方法