JP2023136829A - 表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、第１副画素の第１下電極、第２副画素の第２下電極、第３副画素の第３下電極、第１下電極と重なる第１開口、第２下電極と重なる第２開口、及び、第３下電極と重なる第３開口を形成し、第１発光層を含む第１薄膜を形成し、第２副画素及び第３副画素の第１薄膜を露出するとともに第１副画素の第１薄膜を覆う第１レジストを形成し、第１レジストをマスクとして第２副画素及び第３副画素の第１薄膜を除去し、第２開口から第２下電極を露出するとともに第３開口から第３下電極を露出し、第２発光層を含む第２薄膜を形成し、第１副画素及び第３副画素の第２薄膜を露出するとともに第２副画素の第２薄膜を覆う第２レジストを形成し、第２レジストをマスクとして第１副画素及び第３副画素の第２薄膜を除去し、第３開口から第３下電極を露出する。第１開口の面積は第２開口の面積より大きい。
【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、表示装置の製造方法に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号

本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置の製造方法を提供することにある。

一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
第１副画素の第１下電極、第２副画素の第２下電極、及び、第３副画素の第３下電極を形成し、前記第１下電極と重なる第１開口、前記第２下電極と重なる第２開口、及び、前記第３下電極と重なる第３開口を有するリブを形成した処理基板を用意し、前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、第１発光層を含む第１薄膜を形成し、前記第２副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を露出するとともに前記第１副画素の前記第１薄膜を覆う第１レジストを形成し、前記第１レジストをマスクとして前記第２副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を除去し、前記第１副画素に前記第１薄膜が残留し、前記第２開口から前記第２下電極を露出するとともに前記第３開口から前記第３下電極を露出し、前記第１レジストを除去し、前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、第２発光層を含む第２薄膜を形成し、前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第２薄膜を露出するとともに前記第２副画素の前記第２薄膜を覆う第２レジストを形成し、前記第２レジストをマスクとして前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第２薄膜を除去し、前記第２副画素に前記第２薄膜が残留し、前記第３開口から前記第３下電極を露出し、前記第２レジストを除去し、前記第１開口の面積は、前記第２開口の面積より大きい。

一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
第１副画素の第１下電極、第２副画素の第２下電極、及び、第３副画素の第３下電極を形成し、前記第１下電極と重なる第１開口、前記第２下電極と重なる第２開口、及び、前記第３下電極と重なる第３開口を有するリブを形成した処理基板を用意し、前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、青波長域の光を放つ第１発光層を含む第１薄膜を形成し、前記第２副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を露出するとともに前記第１副画素の前記第１薄膜を覆う第１レジストを形成し、前記第１レジストをマスクとして前記第２副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を除去し、前記第１副画素に前記第１薄膜が残留し、前記第２開口から前記第２下電極を露出するとともに前記第３開口から前記第３下電極を露出し、前記第１レジストを除去し、前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、緑波長域の光を放つ第２発光層を含む第２薄膜を形成し、前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第２薄膜を露出するとともに前記第２副画素の前記第２薄膜を覆う第２レジストを形成し、前記第２レジストをマスクとして前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第２薄膜を除去し、前記第２副画素に前記第２薄膜が残留し、前記第３開口から前記第３下電極を露出し、前記第２レジストを除去し、前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、赤波長域の光を放つ第３発光層を含む第３薄膜を形成し、前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第３薄膜を露出するとともに前記第３副画素の前記第３薄膜を覆う第３レジストを形成し、前記第３レジストをマスクとして前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第３薄膜を除去し、前記第３副画素に前記第３薄膜が残留し、前記第３レジストを除去する。

一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
第１副画素の第１下電極、第２副画素の第２下電極、及び、第３副画素の第３下電極を形成し、前記第１下電極と重なる第１開口、前記第２下電極と重なる第２開口、及び、前記第３下電極と重なる第３開口を有するリブを形成した処理基板を用意し、前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、青波長域の光を放つ第１発光層を含む第１薄膜を形成し、前記第２副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を露出するとともに前記第１副画素の前記第１薄膜を覆う第１レジストを形成し、前記第１レジストをマスクとして前記第２副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を除去し、前記第１副画素に前記第１薄膜が残留し、前記第２開口から前記第２下電極を露出するとともに前記第３開口から前記第３下電極を露出し、前記第１レジストを除去し、前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、赤波長域の光を放つ第２発光層を含む第２薄膜を形成し、前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第２薄膜を露出するとともに前記第２副画素の前記第２薄膜を覆う第２レジストを形成し、前記第２レジストをマスクとして前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第２薄膜を除去し、前記第２副画素に前記第２薄膜が残留し、前記第３開口から前記第３下電極を露出し、前記第２レジストを除去し、前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、緑波長域の光を放つ第３発光層を含む第３薄膜を形成し、前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第３薄膜を露出するとともに前記第３副画素の前記第３薄膜を覆う第３レジストを形成し、前記第３レジストをマスクとして前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第３薄膜を除去し、前記第３副画素に前記第３薄膜が残留し、前記第３レジストを除去する。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。 図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。 図４は、表示素子２０１乃至２０３の構成の一例を示す図である。 図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。 図６は、薄膜形成工程の一例を説明するためのフロー図である。 図７は、薄膜除去工程の一例を説明するためのフロー図である。 図８は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図９は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１０は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１１は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１２は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１３は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１４は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１５は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２および第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。

隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ２，ＡＰ３の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ１の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙは、互いに接続されている。これにより、隔壁６は、全体として開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１，２０２，２０３を備えている。
副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。

図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、および、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のそれぞれの周縁部は、リブ５に重なっている。上電極ＵＥ１の外形は有機層ＯＲ１の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。上電極ＵＥ２の外形は有機層ＯＲ２の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。上電極ＵＥ３の外形は有機層ＯＲ３の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を構成する。

下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

図２の例においては、開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。

開口面積と副画素の色との関係は、以下の通りである。
開口面積が大きい副画素は、比較的寿命が短い画素、あるいは、発光効率が低い画素に割り当てられる。また、開口面積が大きい副画素は、プロセス変動にセンシティブな画素であるということもできる。このため、開口面積が大きい副画素は、汚染物質が少ない状況で形成されることが望ましい。つまり、画素ＰＸが開口面積の異なる３つの副画素を含む場合、開口面積が最も大きい副画素を最初に形成し、開口面積が最も小さい副画素を最後に形成することが望ましい。

例えば、副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、青波長域の光を放つように構成される。また、副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、緑波長域の光を放つように構成され、また、副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、赤波長域の光を放つように構成される。
あるいは、副画素ＳＰ１の表示素子２０１が青波長域の光を放つように構成され、副画素ＳＰ２の表示素子２０２が赤波長域の光を放つように構成され、また、副画素ＳＰ３の表示素子２０３が緑波長域の光を放つように構成される場合もあり得る。

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。つまり、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、絶縁層１２とリブ５との間に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２がリブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。上部６２のうち、下部６１よりも突出した部分は、単に突出部と称することがある。

図２に示した有機層ＯＲ１は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ１ａおよび第２部分ＯＲ１ｂを含む。第１部分ＯＲ１ａは、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、下電極ＬＥ１を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ１ｂは、上部６２の上に配置されている。
また、図２に示した上電極ＵＥ１は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ１ａおよび第２部分ＵＥ１ｂを含む。第１部分ＵＥ１ａは、下電極ＬＥ１と対向するとともに、第１部分ＯＲ１ａの上に配置されている。さらに、第１部分ＵＥ１ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ１ｂの上に配置されている。
第１部分ＯＲ１ａ、及び、第１部分ＵＥ１ａは、上部６２よりも下方に位置している。

図２に示した有機層ＯＲ２は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ２ａおよび第２部分ＯＲ２ｂを含む。第１部分ＯＲ２ａは、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、下電極ＬＥ２を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ２ｂは、上部６２の上に配置されている。
また、図２に示した上電極ＵＥ２は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ２ａおよび第２部分ＵＥ２ｂを含む。第１部分ＵＥ２ａは、下電極ＬＥ２と対向するとともに、第１部分ＯＲ２ａの上に配置されている。さらに、第１部分ＵＥ２ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ２ｂの上に配置されている。
第１部分ＯＲ２ａ、及び、第１部分ＵＥ２ａは、上部６２よりも下方に位置している。

図２に示した有機層ＯＲ３は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ３ａおよび第２部分ＯＲ３ｂを含む。第１部分ＯＲ３ａは、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、下電極ＬＥ３を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ３ｂは、上部６２の上に配置されている。
また、図２に示した上電極ＵＥ３は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ３ａおよび第２部分ＵＥ３ｂを含む。第１部分ＵＥ３ａは、下電極ＬＥ３と対向するとともに、第１部分ＯＲ３ａの上に配置されている。さらに、第１部分ＵＥ３ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ３ｂの上に配置されている。
第１部分ＯＲ３ａ、及び、第１部分ＵＥ３ａは、上部６２よりも下方に位置している。

図３に示す例では、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層（光学調整層）ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３を含む。

キャップ層ＣＰ１は、互いに離間した第１部分ＣＰ１ａおよび第２部分ＣＰ１ｂを含む。第１部分ＣＰ１ａは、開口ＡＰ１に位置し、上部６２よりも下方に位置し、第１部分ＵＥ１ａの上に配置されている。第２部分ＣＰ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ１ｂの上に配置されている。

キャップ層ＣＰ２は、互いに離間した第１部分ＣＰ２ａおよび第２部分ＣＰ２ｂを含む。第１部分ＣＰ２ａは、開口ＡＰ２に位置し、上部６２よりも下方に位置し、第１部分ＵＥ２ａの上に配置されている。第２部分ＣＰ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ２ｂの上に配置されている。

キャップ層ＣＰ３は、互いに離間した第１部分ＣＰ３ａおよび第２部分ＣＰ３ｂを含む。第１部分ＣＰ３ａは、開口ＡＰ３に位置し、上部６２よりも下方に位置し、第１部分ＵＥ３ａの上に配置されている。第２部分ＣＰ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ３ｂの上に配置されている。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。

封止層ＳＥ１は、第１部分ＣＰ１ａ、隔壁６の下部６１及び上部６２、及び、第２部分ＣＰ１ｂに接し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。なお、封止層ＳＥ１は、隔壁６の上部６２の下方（突出部６２１の下方）に、空隙を有する場合があり得るが、ここでは図示を省略している。

封止層ＳＥ２は、第１部分ＣＰ２ａ、隔壁６の下部６１及び上部６２、及び、第２部分ＣＰ２ｂに接し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。なお、封止層ＳＥ２は、隔壁６の上部６２の下方（突出部６２２の下方）に、空隙を有する場合があり得るが、ここでは図示を省略している。

封止層ＳＥ３は、第１部分ＣＰ３ａ、隔壁６の下部６１及び上部６２、及び、第２部分ＣＰ３ｂに接し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。なお、封止層ＳＥ３は、隔壁６の上部６２の下方（突出部６２３の下方）に、空隙を有する場合があり得るが、ここでは図示を省略している。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、保護層１３により覆われている。

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上においては、有機層ＯＲ１の第２部分ＯＲ１ｂは有機層ＯＲ２の第２部分ＯＲ２ｂから離間し、上電極ＵＥ１の第２部分ＵＥ１ｂは上電極ＵＥ２の第２部分ＵＥ２ｂから離間し、キャップ層ＣＰ１の第２部分ＣＰ１ｂはキャップ層ＣＰ２の第２部分ＣＰ２ｂから離間し、封止層ＳＥ１は封止層ＳＥ２から離間している。保護層１３は、第２部分ＯＲ１ｂと第２部分ＯＲ２ｂとの間、第２部分ＵＥ１ｂと第２部分ＵＥ２ｂとの間、第２部分ＣＰ１ｂと第２部分ＣＰ２ｂとの間、及び、封止層ＳＥ１と封止層ＳＥ２との間にそれぞれ配置されている。

また、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６上においては、有機層ＯＲ２の第２部分ＯＲ２ｂは有機層ＯＲ３の第２部分ＯＲ３ｂから離間し、上電極ＵＥ２の第２部分ＵＥ２ｂは上電極ＵＥ３の第２部分ＵＥ３ｂから離間し、キャップ層ＣＰ２の第２部分ＣＰ２ｂはキャップ層ＣＰ３の第２部分ＣＰ３ｂから離間し、封止層ＳＥ２は封止層ＳＥ３から離間している。保護層１３は、第２部分ＯＲ２ｂと第２部分ＯＲ３ｂとの間、第２部分ＵＥ２ｂと第２部分ＵＥ３ｂとの間、第２部分ＣＰ２ｂと第２部分ＣＰ３ｂとの間、及び、封止層ＳＥ２と封止層ＳＥ３との間にそれぞれ配置されている。

絶縁層１２は、有機絶縁層である。リブ５、および、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁層である。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、同一の無機絶縁材料で形成されている。
リブ５は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、リブ５は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、リブ５は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。このため、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、リブ５と同一材料で形成される場合があり得る。

隔壁６の下部６１は、導電材料によって形成され、各上電極の第１部分ＵＥ１ａ，ＵＥ２ａ，ＵＥ３ａと電気的に接続されている。隔壁６の下部６１及び上部６２がいずれも導電性を有してもよい。

リブ５の厚さは、隔壁６や絶縁層１２の厚さに比べて十分に小さい。一例では、リブ５の厚さは、２００ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下である。
封止層ＳＥ１の厚さ、封止層ＳＥ２の厚さ、及び、封止層ＳＥ３の厚さは、ほぼ同等である。
隔壁６の下部６１の厚さ（リブ５の上面から上部６２の下面までの厚さ）は、リブ５の厚さより大きい。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）などの金属材料と透明導電材料の積層構造を有してもよい。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位が上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位よりも相対的に高い場合、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がカソードに相当する。また、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位が下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位よりも相対的に高い場合、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がアノードに相当し、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がカソードに相当する。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の機能層を含む。また、有機層ＯＲ１の第１部分ＯＲ１ａおよび第２部分ＯＲ１ｂは、同一材料で形成した発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２の第１部分ＯＲ２ａおよび第２部分ＯＲ２ｂは、同一材料で形成した発光層ＥＭ２を含む。発光層ＥＭ２は、発光層ＥＭ１とは異なる材料で形成されている。有機層ＯＲ３の第１部分ＯＲ３ａおよび第２部分ＯＲ３ｂは、同一材料で形成した発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ３は、発光層ＥＭ１及びＥＭ２とは異なる材料で形成されている。

発光層ＥＭ１を形成する材料、発光層ＥＭ２を形成する材料、及び、発光層ＥＭ３を形成する材料は、互いに異なる波長域の光を放つ材料である。
一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。あるいは、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、赤波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、緑波長域の光を放つ材料によって形成されている。

キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、例えば、透明な薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいてもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、省略してもよい。

保護層１３は、透明な有機絶縁層である。封止層１４は、透明な無機絶縁層であり、保護層１３の上に配置されている。封止層１４は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。オーバーコート層１５は、透明な有機絶縁層であり、封止層１４の上に配置されている。

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した各上電極の第１部分ＵＥ１ａ，ＵＥ２ａ，ＵＥ３ａにそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１のうちの第１部分ＯＲ１ａの発光層ＥＭ１が第１波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２のうちの第１部分ＯＲ２ａの発光層ＥＭ２が第２波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３のうちの第１部分ＯＲ３ａの発光層ＥＭ３が第３波長域の光を放つ。

図４は、表示素子２０１乃至２０３の構成の一例を示す図である。なお、ここでは、下電極がアノードに相当し、上電極がカソードに相当する場合を例について説明する。
表示素子２０１は、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との間に有機層ＯＲ１を含む。

有機層ＯＲ１において、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロッキング層ＥＢＬは、下電極ＬＥ１と発光層ＥＭ１との間に位置している。正孔注入層ＨＩＬは下電極ＬＥ１の上に配置され、正孔輸送層ＨＴＬは正孔注入層ＨＩＬの上に配置され、電子ブロッキング層ＥＢＬは正孔輸送層ＨＴＬの上に配置され、発光層ＥＭ１は電子ブロッキング層ＥＢＬの上に配置されている。
また、有機層ＯＲ１において、正孔ブロッキング層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬは、発光層ＥＭ１と上電極ＵＥ１との間に位置している。正孔ブロッキング層ＨＢＬは発光層ＥＭ１の上に配置され、電子輸送層ＥＴＬは正孔ブロッキング層ＨＢＬの上に配置され、電子注入層ＥＩＬは電子輸送層ＥＴＬの上に配置され、上電極ＵＥ１は電子注入層ＥＩＬの上に配置されている。
なお、有機層ＯＲ１は、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。

キャップ層ＣＰ１は、透明層ＴＬ及び無機層ＩＬを含む。透明層ＴＬは、上電極ＵＥ１の上に配置されている。無機層ＩＬは、透明層ＴＬの上に配置されている。封止層ＳＥ１は、無機層ＩＬの上に配置されている。
透明層ＴＬは、例えば有機材料によって形成された有機層であり、また、上電極ＵＥ１よりも大きい屈折率を有する高屈折率層である。無機層ＩＬは、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）によって形成された透明な薄膜であり、透明層ＴＬよりも小さい屈折率を有する低屈折率層である。
なお、図４に示す例では、キャップ層ＣＰ１は、透明層ＴＬと無機層ＩＬとの２層の積層体であるが、３層以上の積層体であってもよい。キャップ層ＣＰ１において、無機層ＩＬは最上層に位置し、封止層ＳＥ１で覆われている。

表示素子２０２は、下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２との間の有機層ＯＲ２が発光層ＥＭ１の代わりに発光層ＥＭ２を含む点を除いて、表示素子２０１と同様に構成されている。
キャップ層ＣＰ２の透明層ＴＬは上電極ＵＥ２の上に配置され、キャップ層ＣＰ２の無機層ＩＬは封止層ＳＥ２で覆われている。

表示素子２０３は、下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３との間の有機層ＯＲ３が発光層ＥＭ１の代わりに発光層ＥＭ３を含む点を除いて、表示素子２０１と同様に構成されている。
キャップ層ＣＰ３の透明層ＴＬは上電極ＵＥ３の上に配置され、キャップ層ＣＰ３の無機層ＩＬは封止層ＳＥ３で覆われている。

図４に示した正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロッキング層ＥＢＬ、正孔ブロッキング層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬなどの各機能層は、表示素子２０１乃至２０３に共通に設けられるが、表示素子２０１乃至２０３毎に離間しており、また、表示素子２０１乃至２０３毎に個別に形成される。上記の機能層の各々の厚さは、表示素子２０１乃至２０３毎に異なる場合があり得る。
また、上記した複数の機能層のうちの１つの機能層に着目したとき、表示素子２０１乃至２０３のうちの１つ表示素子の機能層が他の２つの表示素子の機能層とは異なる材料で形成される場合があり得るし、表示素子２０１乃至２０３のすべての機能層が互いに異なる材料で形成される場合もあり得る。
また、表示素子２０１乃至２０３のうちの１つ表示素子の層構成が他の２つの表示素子の層構成とは異なる場合があり得るし、表示素子２０１乃至２０３のすべての層構成が互いに異なる場合もあり得る。例えば、１つの機能層に着目したとき、表示素子２０１乃至２０３のうちの１つ表示素子がこの機能層を含まない場合があり得るし、表示素子２０１乃至２０３のうちの１つ表示素子のみがこの機能層を含む場合もあり得る。また、１つの機能層に着目したとき、表示素子２０１乃至２０３のうちの１つ表示素子でこの機能層が多層化されている場合などがあり得る。

透明層ＴＬ及び無機層ＩＬの各々は、表示素子２０１乃至２０３に共通に設けられるが、表示素子２０１乃至２０３毎に離間しており、また、表示素子２０１乃至２０３毎に個別に形成される。透明層ＴＬ及び無機層ＩＬの各々厚さは、キャップ層ＣＰ１乃至ＣＰ３毎に異なる場合があり得る。
また、キャップ層ＣＰ１乃至ＣＰ３のうちの１つキャップ層の透明層ＴＬが他の２つのキャップ層の透明層ＴＬとは異なる材料で形成される場合があり得るし、キャップ層ＣＰ１乃至ＣＰ３のすべての透明層ＴＬが互いに異なる材料で形成される場合もあり得る。
また、キャップ層ＣＰ１乃至ＣＰ３のうちの１つキャップ層の無機層ＩＬが他の２つのキャップ層の無機層ＩＬとは異なる材料で形成される場合があり得るし、キャップ層ＣＰ１乃至ＣＰ３のすべての無機層ＩＬが互いに異なる材料で形成される場合もあり得る。
また、キャップ層ＣＰ１乃至ＣＰ３のうちの１つキャップ層の層構成が他の２つのキャップ層の層構成とは異なる場合があり得るし、キャップ層ＣＰ１乃至ＣＰ３のすべての層構成が互いに異なる場合もあり得る。

次に、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について説明する。

図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３を有する処理基板ＳＵＢを用意する工程（ステップＳＴ１）と、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を形成する工程（ステップＳＴ２）と、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を形成する工程（ステップＳＴ３）と、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を形成する工程（ステップＳＴ４）と、を含む。

ステップＳＴ１においては、まず、基板１０の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３、リブ５、及び、隔壁６を形成した処理基板ＳＵＢを用意する。図３に示したように、基板１０と下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３との間には、回路層１１及び絶縁層１２も形成される。詳細については後述する。

ステップＳＴ２においては、まず、処理基板ＳＵＢに、発光層ＥＭ１を含む第１薄膜３１を形成する（ステップＳＴ２１）。その後、第１薄膜３１の上に所定の形状にパターニングされた第１レジスト４１を形成する（ステップＳＴ２２）。その後、第１レジスト４１をマスクとしたエッチングにより第１薄膜３１の一部を除去する（ステップＳＴ２３）。その後、第１レジスト４１を除去する（ステップＳＴ２４）。これにより、副画素ＳＰ１が形成される。副画素ＳＰ１は、所定の形状の第１薄膜３１を有する表示素子２０１を備える。

ステップＳＴ３においては、まず、処理基板ＳＵＢに、発光層ＥＭ２を含む第２薄膜３２を形成する（ステップＳＴ３１）。その後、第２薄膜３２の上に所定の形状にパターニングされた第２レジスト４２を形成する（ステップＳＴ３２）。その後、第２レジスト４２をマスクとしたエッチングにより第２薄膜３２の一部を除去する（ステップＳＴ３３）。その後、第２レジスト４２を除去する（ステップＳＴ３４）。これにより、副画素ＳＰ２が形成される。副画素ＳＰ２は、所定の形状の第２薄膜３２を有する表示素子２０２を備える。

ステップＳＴ４においては、まず、処理基板ＳＵＢに、発光層ＥＭ３を含む第３薄膜３３を形成する（ステップＳＴ４１）。その後、第３薄膜３３の上に所定の形状にパターニングされた第３レジスト４３を形成する（ステップＳＴ４２）。その後、第３レジスト４３をマスクとしたエッチングにより第３薄膜３３の一部を除去する（ステップＳＴ４３）。その後、第３レジスト４３を除去する（ステップＳＴ４４）。これにより、副画素ＳＰ３が形成される。副画素ＳＰ３は、所定の形状の第３薄膜３３を有する表示素子２０３を備える。

図６は、薄膜形成工程の一例を説明するためのフロー図である。ここで説明する薄膜形成工程は、上記の第１薄膜３１を形成する工程（ステップＳＴ２１）、第２薄膜３２を形成する工程（ステップＳＴ３１）、及び、第３薄膜３３を形成する工程（ステップＳＴ４１）に相当する。以下、第１薄膜３１を形成する工程について説明する。なお、第１薄膜３１は、例えば、図４に示した有機層ＯＲ１と、上電極ＵＥ１と、キャップ層ＣＰ１と、封止層ＳＥ１と、を有するものとする。

まず、処理基板ＳＵＢの上に、正孔注入層ＨＩＬを形成するための材料を堆積する（ステップＳＴ２１１）。これにより、下電極ＬＥ１に接する正孔注入層ＨＩＬが形成される。

その後、正孔注入層ＨＩＬの上に、正孔輸送層ＨＴＬを形成するための材料を堆積する（ステップＳＴ２１２）。これにより、正孔注入層ＨＩＬに接する正孔輸送層ＨＴＬが形成される。

その後、正孔輸送層ＨＴＬの上に、電子ブロッキング層ＥＢＬを形成するための材料を堆積する（ステップＳＴ２１３）。これにより、正孔輸送層ＨＴＬに接する電子ブロッキング層ＥＢＬが形成される。

その後、電子ブロッキング層ＥＢＬの上に、発光層ＥＭ１を形成するための材料を堆積する（ステップＳＴ２１４）。これにより、電子ブロッキング層ＥＢＬに接する発光層ＥＭ１が形成される。

その後、発光層ＥＭ１の上に、正孔ブロッキング層ＨＢＬを形成するための材料を堆積する（ステップＳＴ２１５）。これにより、発光層ＥＭ１に接する正孔ブロッキング層ＨＢＬが形成される。

その後、正孔ブロッキング層ＨＢＬの上に、電子輸送層ＥＴＬを形成するための材料を堆積する（ステップＳＴ２１６）。これにより、正孔ブロッキング層ＨＢＬに接する電子輸送層ＥＴＬが形成される。

その後、電子輸送層ＥＴＬの上に、電子注入層ＥＩＬを形成するための材料を堆積する（ステップＳＴ２１７）。これにより、電子輸送層ＥＴＬに接する電子注入層ＥＩＬが形成される。

一連のステップＳＴ２１１からステップＳＴ２１７までの工程により、有機層ＯＲ１が形成される。なお、必要に応じて、上記のステップＳＴ２１１乃至ステップＳＴ２１３の少なくとも１つ、及び、ステップＳＴ２１５乃至ステップＳＴ２１７の少なくとも１つを省略してもよい。また、上記のステップＳＴ２１１乃至ステップＳＴ２１７の他に、機能層を形成するための工程が追加されてもよい。

その後、電子注入層ＥＩＬの上に、上電極ＵＥ１を形成するための材料を堆積する（ステップＳＴ２１８）。これにより、電子注入層ＥＩＬに接するとともに隔壁６に接する上電極ＵＥ１が形成される。

その後、上電極ＵＥ１の上に、キャップ層ＣＰ１の透明層ＴＬを形成するための材料を堆積する（ステップＳＴ２１９）。これにより、上電極ＵＥ１に接する透明層ＴＬが形成される。

その後、透明層ＴＬの上に、キャップ層ＣＰ１の無機層ＩＬを形成するための材料を堆積する（ステップＳＴ２２０）。これにより、透明層ＴＬに接する無機層ＩＬが形成される。
上記のステップＳＴ２２１乃至ＳＴ２２０において、材料を堆積する手法は、例えば蒸着法であるが、その他の手法を適用してもよい。例えば、ステップＳＴ２１８において材料を堆積する手法は、スパッタ法であってもよい。

その後、無機層ＩＬの上に、封止層ＳＥ１を形成するための材料をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ－Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程を経て堆積する（ステップＳＴ２２１）。これにより、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、隔壁６を覆う封止層ＳＥ１が形成される。

第２薄膜３２は、例えば、図４に示した有機層ＯＲ２と、上電極ＵＥ２と、キャップ層ＣＰ２と、封止層ＳＥ２と、を有するものとする。
この場合、第２薄膜３２を形成する工程については、上記のステップＳＴ２１４において発光層ＥＭ１を形成する代わりに発光層ＥＭ２を形成する点を除いて、他の工程は第１薄膜３１を形成する工程と同一であり、説明を省略する。

第３薄膜３３は、例えば、図４に示した有機層ＯＲ３と、上電極ＵＥ３と、キャップ層ＣＰ３と、封止層ＳＥ３と、を有するものとする。
この場合、第３薄膜３３を形成する工程については、上記のステップＳＴ２１４において発光層ＥＭ１を形成する代わりに発光層ＥＭ３を形成する点を除いて、他の工程は第１薄膜３１を形成する工程と同一であり、説明を省略する。

図７は、薄膜除去工程の一例を説明するためのフロー図である。ここで説明する薄膜除去工程は、上記の第１薄膜３１を除去する工程（ステップＳＴ２３）、第２薄膜３２を除去する工程（ステップＳＴ３３）、及び、第３薄膜３３を除去する工程（ステップＳＴ４３）に相当する。以下、第１薄膜３１を除去する工程について説明する。

まず、ステップＳＴ２２で形成した第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した封止層ＳＥ１を除去する（ステップＳＴ２３１）。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、封止層ＳＥ１から露出した無機層ＩＬを除去する（ステップＳＴ２３２）。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、無機層ＩＬから露出した透明層ＴＬを除去する（ステップＳＴ２３３）。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、透明層ＴＬから露出した上電極ＵＥ１を除去する（ステップＳＴ２３４）。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、上電極ＵＥ１から露出した有機層ＯＲ１を除去する（ステップＳＴ２３５）。

第２薄膜３２を除去する工程については、上記のステップＳＴ２３１乃至ステップＳＴ２３５と実質的に同一であり、以下簡単に説明する。
まず、ステップＳＴ３２で形成した第２レジスト４２をマスクとして利用し、第２レジスト４２から露出した封止層ＳＥ２を除去する。
その後、封止層ＳＥ２から露出した無機層ＩＬを除去し、無機層ＩＬから露出した透明層ＴＬを除去し、透明層ＴＬから露出した上電極ＵＥ２を除去する。
その後、上電極ＵＥ２から露出した有機層ＯＲ２を除去する。

第３薄膜３３を除去する工程については、上記のステップＳＴ２３１乃至ステップＳＴ２３５と実質的に同一であり、以下簡単に説明する。
まず、ステップＳＴ４２で形成した第３レジスト４３をマスクとして利用し、第３レジスト４３から露出した封止層ＳＥ３を除去する。
その後、封止層ＳＥ３から露出した無機層ＩＬを除去し、無機層ＩＬから露出した透明層ＴＬを除去し、透明層ＴＬから露出した上電極ＵＥ３を除去する。
その後、上電極ＵＥ３から露出した有機層ＯＲ３を除去する。

以下、ステップＳＴ１及びステップＳＴ４について図８乃至図１５を参照しながら説明する。

まず、ステップＳＴ１においては、図８の上段に示すように、処理基板ＳＵＢを用意する。処理基板ＳＵＢを用意する工程は、基板１０の上に回路層１１を形成する工程と、回路層１１の上に絶縁層１２を形成する工程と、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する工程と、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の各々と重なる開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５を形成する工程と、リブ５の上に配置された下部６１及び下部６１の上に配置され下部６１の側面から突出した上部６２を含む隔壁６を形成する工程と、を含む。上記の通り、開口ＡＰ１の面積は開口ＡＰの面積より大きく、開口ＡＰ２の面積は開口ＡＰ３の面積より大きい。但し、図８乃至図１５に示す各断面は、例えば図２中のIII－III線に沿う断面に相当し、各開口の面積の大小関係は図中に反映されていない。図９乃至図１５においては、絶縁層１２よりも下層の基板１０及び回路層１１の図示を省略する。

続いて、ステップＳＴ２１においては、図８の下段に示すように、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、第１薄膜３１を形成する。第１薄膜３１を形成する工程は、処理基板ＳＵＢの上に、青波長域の光を放つ発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１を形成する工程と、有機層ＯＲ１の上に上電極ＵＥ１を形成する工程と、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１を形成する工程と、キャップ層ＣＰ１の上に封止層ＳＥ１を形成する工程と、を含む。

有機層ＯＲ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の上にそれぞれ形成されるとともに、隔壁６の上にも形成される。有機層ＯＲ１のうち、上部６２の上に形成された部分は、各下電極の上に形成された部分から離間している。

上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、有機層ＯＲ１の上にそれぞれ形成され、隔壁６の下部６１に接している。また、上電極ＵＥ１は、上部６２の直上において、有機層ＯＲ１の上にも形成される。上電極ＵＥ１のうち、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分から離間している。

キャップ層ＣＰ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、上電極ＵＥ１の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、上電極ＵＥ１の上にも形成される。キャップ層ＣＰ１のうち、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分から離間している。

封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１、及び、隔壁６を覆うように形成される。つまり、封止層ＳＥ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、キャップ層ＣＰ１の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、キャップ層ＣＰ１の上にも形成されている。封止層ＳＥ１において、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分と繋がっている。

続いて、ステップＳＴ２２においては、図９に示すように、封止層ＳＥ１の上に第１レジスト４１を形成する。まず、図９の上段に示すように、封止層ＳＥ１の上の全面に亘って第１レジスト４１を塗布する。その後、図９の下段に示すように、第１レジスト４１をパターニングする。第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１の第１薄膜３１を覆い、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第１薄膜３１を露出する。つまり、第１レジスト４１は、下電極ＬＥ１の直上に配置されている。また、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１から隔壁６の上方に延出している。副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６上において、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１側（図の右側）に配置され、副画素ＳＰ２側（図の左側）では封止層ＳＥ１を露出している。また、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３において、封止層ＳＥ１を露出している。

続いて、ステップＳＴ２３においては、図１０の上段に示すように、第１レジスト４１をマスクとしてエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第１薄膜３１を除去し、副画素ＳＰ１に第１薄膜３１が残留する。つまり、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３における封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１が除去される。これにより、副画素ＳＰ２において開口ＡＰ２から下電極ＬＥ２が露出し、また、下電極ＬＥ２を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ３において開口ＡＰ３から下電極ＬＥ３が露出し、また、下電極ＬＥ３を囲むリブ５が露出する。
また、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６上において、封止層ＳＥ１の一部、キャップ層ＣＰ１の一部、上電極ＵＥ１の一部、及び、有機層ＯＲ１の一部が除去される。これにより、隔壁６の副画素ＳＰ２側が露出する。
また、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３との間の隔壁６が露出する。

続いて、ステップＳＴ２４においては、図１０の下段に示すように、第１レジスト４１を除去する。これにより、副画素ＳＰ１の封止層ＳＥ１が露出する。これらのステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４を経て、副画素ＳＰ１において、表示素子２０１が形成される。表示素子２０１は、下電極ＬＥ１、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１によって構成される。また、表示素子２０１は、封止層ＳＥ１によって覆われる。

副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６上には、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１の積層体が形成される。また、隔壁６のうち、副画素ＳＰ１の側の部分は、封止層ＳＥ１で覆われる。

続いて、ステップＳＴ３１においては、図１１の上段に示すように、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、第２薄膜３２を形成する。第２薄膜３２は、副画素ＳＰ１において第１薄膜３１を覆う。第２薄膜３２を形成する工程は、処理基板ＳＵＢの上に、緑波長域の光を放つ発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２を形成する工程と、有機層ＯＲ２の上に上電極ＵＥ２を形成する工程と、上電極ＵＥ２の上にキャップ層ＣＰ２を形成する工程と、キャップ層ＣＰ２の上に封止層ＳＥ２を形成する工程と、を含む。

有機層ＯＲ２は、下電極ＬＥ２及び下電極ＬＥ３の上にそれぞれ形成されるとともに、副画素ＳＰ１の封止層ＳＥ１の上にも形成される。また、有機層ＯＲ２は、隔壁６の上にも形成される。有機層ＯＲ２のうち、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６の上に形成された部分は、下電極ＬＥ２の直上に形成された部分から離間している。また、有機層ＯＲ２のうち、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３との間の隔壁６の上に形成された部分は、下電極ＬＥ２の直上に形成された部分及び下電極ＬＥ３の直上に形成された部分から離間している。

上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２の上に形成されている。下電極ＬＥ２及び下電極ＬＥ３の直上に形成された上電極ＵＥ２は、それぞれ隔壁６の下部６１に接している。また、上電極ＵＥ２は、上部６２の直上において、有機層ＯＲ２の上にも形成される。

キャップ層ＣＰ２は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上、及び、隔壁６の直上において、上電極ＵＥ２の上にそれぞれ形成されている。

封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２、及び、隔壁６を覆うように形成される。つまり、封止層ＳＥ２は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、キャップ層ＣＰ２の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、キャップ層ＣＰ２の上にも形成されている。

続いて、ステップＳＴ３２においては、封止層ＳＥ２の上に第２レジスト４２を形成する。まず、図１１の下段に示すように、封止層ＳＥ２の上の全面に亘って第２レジスト４２を塗布する。その後、図１２の上段に示すように、第２レジスト４２をパターニングする。第２レジスト４２は、副画素ＳＰ２の第２薄膜３２を覆い、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３の第２薄膜３２を露出する。つまり、第２レジスト４２は、下電極ＬＥ２の直上に配置されている。また、第２レジスト４２は、副画素ＳＰ２から隔壁６の上方に延出している。また、第２レジスト４２は、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３において、封止層ＳＥ２を露出している。

続いて、ステップＳＴ３３においては、図１２の下段に示すように、第２レジスト４２をマスクとしてエッチングを行い、第２レジスト４２から露出した副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３の第２薄膜３２を除去し、副画素ＳＰ２に第２薄膜３２が残留する。つまり、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３における封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２が除去される。これにより、副画素ＳＰ１の封止層ＳＥ１が露出するとともに、副画素ＳＰ３において開口ＡＰ３から下電極ＬＥ３が露出し、また、下電極ＬＥ３を囲むリブ５も露出する。

また、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６上において、封止層ＳＥ２の一部、キャップ層ＣＰ２の一部、上電極ＵＥ２の一部、及び、有機層ＯＲ２の一部が除去される。隔壁６の上において、第１薄膜３１と第２薄膜３２とが分離されている。つまり、隔壁６の上に残留した封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２は、隔壁６の上に残留した封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１から離間している。
また、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３との間の隔壁６上において、封止層ＳＥ２の一部、キャップ層ＣＰ２の一部、上電極ＵＥ２の一部、及び、有機層ＯＲ２の一部が除去される。これにより、隔壁６の副画素ＳＰ３側が露出する。

続いて、ステップＳＴ３４においては、図１３の上段に示すように、第２レジスト４２を除去する。これにより、副画素ＳＰ２の封止層ＳＥ２が露出する。これらのステップＳＴ３１乃至ＳＴ３４を経て、副画素ＳＰ２において、表示素子２０２が形成される。表示素子２０２は、下電極ＬＥ２、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２によって構成される。また、表示素子２０２は、封止層ＳＥ２によって覆われる。

副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６上、及び、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３との間の隔壁６上には、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２の積層体が形成される。また、隔壁６のうち、副画素ＳＰ２の側の部分は、封止層ＳＥ２で覆われる。

続いて、ステップＳＴ４１においては、図１３の下段に示すように、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、第３薄膜３３を形成する。第３薄膜３３は、副画素ＳＰ１において第１薄膜３１を覆うとともに、副画素ＳＰ２において第２薄膜３２を覆う。第３薄膜３３を形成する工程は、処理基板ＳＵＢの上に、赤波長域の光を放つ発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３を形成する工程と、有機層ＯＲ３の上に上電極ＵＥ３を形成する工程と、上電極ＵＥ３の上にキャップ層ＣＰ３を形成する工程と、キャップ層ＣＰ３の上に封止層ＳＥ３を形成する工程と、を含む。

有機層ＯＲ３は、下電極ＬＥ３の上に形成されるとともに、副画素ＳＰ１の封止層ＳＥ１の上にも形成され、また、副画素ＳＰ２の封止層ＳＥ２の上にも形成される。また、有機層ＯＲ３は、隔壁６の上にも形成される。副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６上においては、有機層ＯＲ３は、第１薄膜３１及び第２薄膜３２を覆っている。有機層ＯＲ３のうち、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３との間の隔壁６の上に形成された部分は、下電極ＬＥ３の上に形成された部分から離間している。

上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３の上に形成されている。下電極ＬＥ３の直上に形成された有機層ＯＲ３は、隔壁６の下部６１に接している。また、上電極ＵＥ３は、上部６２の直上において、有機層ＯＲ３の上にも形成される。

キャップ層ＣＰ３は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上、及び、隔壁６の直上において、上電極ＵＥ３の上にそれぞれ形成されている。

封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３、及び、隔壁６を覆うように形成される。つまり、封止層ＳＥ３は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、キャップ層ＣＰ３の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、キャップ層ＣＰ３の上にも形成される。

続いて、ステップＳＴ４２においては、封止層ＳＥ３の上に第３レジスト４３を形成する。まず、図１４の上段に示すように、封止層ＳＥ３の上の全面に亘って第３レジスト４３を塗布する。その後、図１４の下段に示すように、第３レジスト４３をパターニングする。第３レジスト４３は、副画素ＳＰ３の第３薄膜３３を覆い、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２の第３薄膜３３を露出している。つまり、第３レジスト４３は、下電極ＬＥ３の直上に配置されている。また、第３レジスト４３は、副画素ＳＰ３から隔壁６の上方に延出している。また、第３レジスト４３は、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２において、封止層ＳＥ３を露出している。

続いて、ステップＳＴ４３においては、図１５の上段に示すように、第３レジスト４３をマスクとしてエッチングを行い、第３レジスト４３から露出した副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２の第３薄膜３３を除去し、副画素ＳＰ３に第３薄膜３３が残留する。つまり、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２における封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３が除去される。これにより、副画素ＳＰ１の封止層ＳＥ１が露出するとともに、副画素ＳＰ２の封止層ＳＥ２が露出する。

また、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６上において、封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３が除去される。
また、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３との間の隔壁６上において、封止層ＳＥ３の一部、キャップ層ＣＰ３の一部、上電極ＵＥ３の一部、及び、有機層ＯＲ３の一部が除去される。隔壁６の上において、第２薄膜３２と第３薄膜３３とが分離されている。

続いて、ステップＳＴ４４においては、図１５の下段に示すように、第３レジスト４３を除去する。これにより、副画素ＳＰ３の封止層ＳＥ３が露出する。これらのステップＳＴ４１乃至ＳＴ４４を経て、副画素ＳＰ３において、表示素子２０３が形成される。表示素子２０３は、下電極ＬＥ３、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３によって構成される。また、表示素子２０３は、封止層ＳＥ３によって覆われる。
副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３との間の隔壁６上には、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３の積層体が形成される。

以上の工程により、副画素ＳＰ１には表示素子２０１が形成され、副画素ＳＰ２には表示素子２０２が形成され、副画素ＳＰ３には表示素子２０３が形成される。

なお、上記の工程のうち、ステップＳＴ３１の第２薄膜３２を形成する工程では発光層ＥＭ２が赤波長域の光を放つ材料で形成され、また、ステップＳＴ４１の第３薄膜３３を形成する工程では、発光層ＥＭ３が緑波長域の光を放つ材料で形成される場合もあり得る。

上記の例において、副画素ＳＰ１が第１副画素に相当し、開口ＡＰ１が第１開口に相当し、下電極ＬＥ１が第１下電極に相当し、有機層ＯＲ１が第１有機層に相当し、発光層ＥＭ１が第１発光層に相当し、上電極ＵＥ１が第１上電極に相当し、キャップ層ＣＰ１が第１キャップ層に相当し、封止層ＳＥ１が第１封止層に相当する。
また、副画素ＳＰ２が第２副画素に相当し、開口ＡＰ２が第２開口に相当し、下電極ＬＥ２が第２下電極に相当し、有機層ＯＲ２が第２有機層に相当し、発光層ＥＭ２が第２発光層に相当し、上電極ＵＥ２が第２上電極に相当し、キャップ層ＣＰ２が第２キャップ層に相当し、封止層ＳＥ２が第２封止層に相当する。
また、副画素ＳＰ３が第３副画素に相当し、開口ＡＰ３が第３開口に相当し、下電極ＬＥ３が第３下電極に相当し、有機層ＯＲ３が第３有機層に相当し、発光層ＥＭ３が第３発光層に相当し、上電極ＵＥ３が第３上電極に相当し、キャップ層ＣＰ３が第３キャップ層に相当し、封止層ＳＥ３が第３封止層に相当する。

本実施形態によれば、画素ＰＸにおいて、開口面積が最も大きい副画素ＳＰ１を最初に形成する。これにより、エッチングによるダメージが最も少なく良好な表面状態を有する下電極ＬＥ１の上に、センシティブな材料を含む有機層ＯＲ１が形成される。そして、この有機層ＯＲ１は、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１によって保護される。このため、有機層ＯＲ１が後のエッチング工程でダメージを受けることがなく、有機層ＯＲ１を品位良好な状態で保つことができる。
また、画素ＰＸにおいて、開口面積が最も小さい副画素ＳＰ３を最後に形成する。これにより、製造工程中のエッチングによって最もダメージを受けた下電極ＬＥ３の上に、プロセス変動の影響を受けにくい材料を含む有機層ＯＲ３が形成される。

したがって、有機層ＯＲ１、有機層ＯＲ２、及び、有機層ＯＲ３のいずれかが製造工程中の悪影響によって著しく早期に劣化し、輝度が低下したり、寿命が短くなったり、色度が変動したりするなどの不具合が抑制される。

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制し、製造歩留まりを向上することが可能な表示装置の製造方法を提供することができる。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置の製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置
１０…基板 １２…絶縁層
５…リブ ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＰＸ…画素 ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０，２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ，ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極（アノード）
ＵＥ，ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極（カソード）
ＯＲ，ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層
ＣＰ，ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層
ＳＥ，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層
３１…第１薄膜 ３２…第２薄膜 ３３…第３薄膜
４１…第１レジスト ４２…第２レジスト ４３…第３レジスト

Claims (14)

1. 第１副画素の第１下電極、第２副画素の第２下電極、及び、第３副画素の第３下電極を形成し、前記第１下電極と重なる第１開口、前記第２下電極と重なる第２開口、及び、前記第３下電極と重なる第３開口を有するリブを形成した処理基板を用意し、
   前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、第１発光層を含む第１薄膜を形成し、
   前記第２副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を露出するとともに前記第１副画素の前記第１薄膜を覆う第１レジストを形成し、
   前記第１レジストをマスクとして前記第２副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を除去し、前記第１副画素に前記第１薄膜が残留し、前記第２開口から前記第２下電極を露出するとともに前記第３開口から前記第３下電極を露出し、
   前記第１レジストを除去し、
   前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、第２発光層を含む第２薄膜を形成し、
   前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第２薄膜を露出するとともに前記第２副画素の前記第２薄膜を覆う第２レジストを形成し、
   前記第２レジストをマスクとして前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第２薄膜を除去し、前記第２副画素に前記第２薄膜が残留し、前記第３開口から前記第３下電極を露出し、
   前記第２レジストを除去し、
   前記第１開口の面積は、前記第２開口の面積より大きい、表示装置の製造方法。
2. 前記第２レジストを除去した後に、さらに、
   前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、第３発光層を含む第３薄膜を形成し、
   前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第３薄膜を露出するとともに前記第３副画素の前記第３薄膜を覆う第３レジストを形成し、
   前記第３レジストをマスクとして前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第３薄膜を除去し、前記第３副画素に前記第３薄膜が残留し、
   前記第３レジストを除去し、
   前記第２開口の面積は、前記第３開口の面積より大きい、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 前記第１発光層は、青波長域の光を放つ材料によって形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
4. 前記第１発光層は、青波長域の光を放つ材料によって形成し、
   前記第２発光層は、緑波長域の光を放つ材料によって形成し、
   前記第３発光層は、赤波長域の光を放つ材料によって形成する、請求項２に記載の表示装置の製造方法。
5. 前記第１発光層は、青波長域の光を放つ材料によって形成し、
   前記第２発光層は、赤波長域の光を放つ材料によって形成し、
   前記第３発光層は、緑波長域の光を放つ材料によって形成する、請求項２に記載の表示装置の製造方法。
6. 前記処理基板を用意する工程では、さらに、
   前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成する、請求項２に記載の表示装置の製造方法。
7. 前記隔壁の前記下部は、導電材料によって形成する、請求項６に記載の表示装置の製造方法。
8. 前記第１薄膜を形成する工程では、
   前記第１下電極、前記第２下電極、及び、前記第３下電極のそれぞれの上に、前記第１発光層を含む第１有機層を形成し、
   前記第１有機層の上に、前記隔壁の前記下部に接する第１上電極を形成し、
   前記第１上電極の上に、第１キャップ層を形成し、
   前記第１キャップ層の上に、第１封止層を形成する、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
9. 前記第２薄膜を形成する工程では、
   前記第２下電極の上、前記第３下電極の上、及び、前記第１副画素の前記第１封止層の上に、前記第２発光層を含む第２有機層を形成し、
   前記第２有機層の上に、前記隔壁の前記下部に接する第２上電極を形成し、
   前記第２上電極の上に、第２キャップ層を形成し、
   前記第２キャップ層の上に、第２封止層を形成する、請求項８に記載の表示装置の製造方法。
10. 前記第３薄膜を形成する工程では、
    前記第３下電極の上、前記第１副画素の前記第１封止層の上、及び、前記第２副画素の前記第２封止層の上に、前記第３発光層を含む第３有機層を形成し、
    前記第３有機層の上に、前記隔壁の前記下部に接する第３上電極を形成し、
    前記第３上電極の上に、第３キャップ層を形成し、
    前記第３キャップ層の上に、第３封止層を形成する、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
11. 前記第１封止層、前記第２封止層、及び、前記第３封止層は、同一の無機絶縁材料によって形成する、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
12. 前記リブ、前記第１封止層、前記第２封止層、及び、前記第３封止層は、シリコン窒化物によって形成する、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
13. 第１副画素の第１下電極、第２副画素の第２下電極、及び、第３副画素の第３下電極を形成し、前記第１下電極と重なる第１開口、前記第２下電極と重なる第２開口、及び、前記第３下電極と重なる第３開口を有するリブを形成した処理基板を用意し、
    前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、青波長域の光を放つ第１発光層を含む第１薄膜を形成し、
    前記第２副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を露出するとともに前記第１副画素の前記第１薄膜を覆う第１レジストを形成し、
    前記第１レジストをマスクとして前記第２副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を除去し、前記第１副画素に前記第１薄膜が残留し、前記第２開口から前記第２下電極を露出するとともに前記第３開口から前記第３下電極を露出し、
    前記第１レジストを除去し、
    前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、緑波長域の光を放つ第２発光層を含む第２薄膜を形成し、
    前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第２薄膜を露出するとともに前記第２副画素の前記第２薄膜を覆う第２レジストを形成し、
    前記第２レジストをマスクとして前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第２薄膜を除去し、前記第２副画素に前記第２薄膜が残留し、前記第３開口から前記第３下電極を露出し、
    前記第２レジストを除去し、
    前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、赤波長域の光を放つ第３発光層を含む第３薄膜を形成し、
    前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第３薄膜を露出するとともに前記第３副画素の前記第３薄膜を覆う第３レジストを形成し、
    前記第３レジストをマスクとして前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第３薄膜を除去し、前記第３副画素に前記第３薄膜が残留し、
    前記第３レジストを除去する、表示装置の製造方法。
14. 第１副画素の第１下電極、第２副画素の第２下電極、及び、第３副画素の第３下電極を形成し、前記第１下電極と重なる第１開口、前記第２下電極と重なる第２開口、及び、前記第３下電極と重なる第３開口を有するリブを形成した処理基板を用意し、
    前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、青波長域の光を放つ第１発光層を含む第１薄膜を形成し、
    前記第２副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を露出するとともに前記第１副画素の前記第１薄膜を覆う第１レジストを形成し、
    前記第１レジストをマスクとして前記第２副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を除去し、前記第１副画素に前記第１薄膜が残留し、前記第２開口から前記第２下電極を露出するとともに前記第３開口から前記第３下電極を露出し、
    前記第１レジストを除去し、
    前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、赤波長域の光を放つ第２発光層を含む第２薄膜を形成し、
    前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第２薄膜を露出するとともに前記第２副画素の前記第２薄膜を覆う第２レジストを形成し、
    前記第２レジストをマスクとして前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第２薄膜を除去し、前記第２副画素に前記第２薄膜が残留し、前記第３開口から前記第３下電極を露出し、
    前記第２レジストを除去し、
    前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、緑波長域の光を放つ第３発光層を含む第３薄膜を形成し、
    前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第３薄膜を露出するとともに前記第３副画素の前記第３薄膜を覆う第３レジストを形成し、
    前記第３レジストをマスクとして前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第３薄膜を除去し、前記第３副画素に前記第３薄膜が残留し、
    前記第３レジストを除去する、表示装置の製造方法。

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