JP2023127264A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の低下を抑制する。【解決手段】一実施形態によれば、表示装置は、第１下電極及び第２下電極と、第１下電極と重なる第１開口及び第２下電極と重なる第２開口を有するリブと、第１開口と第２開口との間で前記リブの上に配置された下部と、下部の上に配置され下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、第１開口において第１下電極の上に配置され第１発光層を含む第１有機層と、第２開口において第２下電極の上に配置され第１発光層とは異なる材料で形成された第２発光層を含む第２有機層と、第１有機層の上に配置され隔壁の下部に接する第１上電極と、第２有機層の上に配置され隔壁の下部に接する第２上電極と、第１上電極の上方に配置され隔壁の下部に接する第１封止層と、第２上電極の上方に配置され隔壁の下部に接し第１封止層から離間した第２封止層と、を備え、第１下電極の直上において第１封止層の厚さは隔壁の下部の厚さの０．５倍以上、２倍未満である。【選択図】図３

Description

本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号

本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。

一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、前記基板の上方に配置された第１下電極及び第２下電極と、前記第１下電極と重なる第１開口及び前記第２下電極と重なる第２開口を有するリブと、前記第１開口と前記第２開口との間で前記リブの上に配置された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記第１開口において前記第１下電極の上に配置され、第１発光層を含む第１有機層と、前記第２開口において前記第２下電極の上に配置され、前記第１発光層とは異なる材料で形成された第２発光層を含む第２有機層と、前記第１有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接する第１上電極と、前記第２有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接する第２上電極と、前記第１上電極の上方に配置され、前記隔壁の前記下部に接する第１封止層と、前記第２上電極の上方に配置され、前記隔壁の前記下部に接し、前記第１封止層から離間した第２封止層と、を備え、前記第１下電極の直上において、前記第１封止層の厚さは、前記隔壁の前記下部の厚さの０．５倍以上、２倍未満である。

一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
基板の上方に、下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部及び前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を形成した処理基板を用意し、前記処理基板の上に、有機層、上電極、及び、キャップ層を含む薄膜を形成し、前記薄膜及び前記隔壁を覆う封止層を形成し、前記封止層の一部を覆うレジストを形成し、前記レジストをマスクとしてドライエッチングを行い、前記レジストから露出した前記封止層を除去し、前記レジスト及び前記封止層から露出した前記薄膜を除去し、前記封止層を形成する工程は、前記薄膜及び前記隔壁に接する第１無機絶縁層を形成し、前記第１無機絶縁層の異方性ドライエッチングを行い、前記下電極の直上及び前記隔壁の前記上部の直上に位置する前記第１無機絶縁層の膜厚を低減し、前記第１無機絶縁層の上に、第２無機絶縁層を形成する、工程を含む。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。 図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。 図４は、表示素子２０の構成の一例を示す図である。 図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。 図６は、封止層ＳＥ１０を形成する工程の一例を説明するための図である。 図７は、封止層ＳＥ１０を形成する工程の他の例を説明するための図である。 図８は、ステップＳＴ１を説明するための図である。 図９は、ステップＳＴ２１を説明するための図である。 図１０は、ステップＳＴ２２を説明するための図である。 図１１は、ステップＳＴ２２を説明するための図である。 図１２は、図７を参照して説明した工程を経て形成した封止層ＳＥ１０の断面図である。 図１３は、図７を参照して説明した工程を経て形成した封止層ＳＥ１０の他の断面図である。 図１４は、ステップＳＴ２３を説明するための図である。 図１５は、ステップＳＴ２３を説明するための図である。 図１６は、ステップＳＴ２４を説明するための図である。 図１７は、ステップＳＴ２５を説明するための図である。 図１８は、ステップＳＴ２６を説明するための図である。

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、青色の副画素ＳＰ２および緑色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。例えば、副画素ＳＰ１は赤色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ２は青色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ３は緑色の波長域の光を放つ表示素子２０を備えている。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ１，ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ２と第１方向Ｘに並んでいる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、開口ＡＰ３が開口ＡＰ１よりも大きく、開口ＡＰ２が開口ＡＰ３よりも大きい。

隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ３の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ２の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ２，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙは、互いに接続されている。これにより、隔壁６は、全体として開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。

図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、および、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のそれぞれの周縁部は、リブ５に重なっている。上電極ＵＥ１の外形は有機層ＯＲ１の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。上電極ＵＥ２の外形は有機層ＯＲ２の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。上電極ＵＥ３の外形は有機層ＯＲ３の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子２０のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子２０のカソード、あるいは、共通電極に相当する。

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。つまり、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、絶縁層１２とリブ５との間に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２がリブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。上部６２のうち、下部６１よりも突出した部分は、単に突出部と称することがある。

図２に示した有機層ＯＲ１は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ１ａおよび第２部分ＯＲ１ｂを含む。第１部分ＯＲ１ａは、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、下電極ＬＥ１を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ１ｂは、上部６２の上に配置されている。
また、図２に示した上電極ＵＥ１は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ１ａおよび第２部分ＵＥ１ｂを含む。第１部分ＵＥ１ａは、下電極ＬＥ１と対向するとともに、第１部分ＯＲ１ａの上に配置されている。さらに、第１部分ＵＥ１ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ１ｂの上に配置されている。
第１部分ＯＲ１ａ、及び、第１部分ＵＥ１ａは、上部６２よりも下方に位置している。

図２に示した有機層ＯＲ２は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ２ａおよび第２部分ＯＲ２ｂを含む。第１部分ＯＲ２ａは、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、下電極ＬＥ２を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ２ｂは、上部６２の上に配置されている。
また、図２に示した上電極ＵＥ２は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ２ａおよび第２部分ＵＥ２ｂを含む。第１部分ＵＥ２ａは、下電極ＬＥ２と対向するとともに、第１部分ＯＲ２ａの上に配置されている。さらに、第１部分ＵＥ２ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ２ｂの上に配置されている。
第１部分ＯＲ２ａ、及び、第１部分ＵＥ２ａは、上部６２よりも下方に位置している。

図２に示した有機層ＯＲ３は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ３ａおよび第２部分ＯＲ３ｂを含む。第１部分ＯＲ３ａは、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、下電極ＬＥ３を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ３ｂは、上部６２の上に配置されている。
また、図２に示した上電極ＵＥ３は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ３ａおよび第２部分ＵＥ３ｂを含む。第１部分ＵＥ３ａは、下電極ＬＥ３と対向するとともに、第１部分ＯＲ３ａの上に配置されている。さらに、第１部分ＵＥ３ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ３ｂの上に配置されている。
第１部分ＯＲ３ａ、及び、第１部分ＵＥ３ａは、上部６２よりも下方に位置している。

図３に示す例では、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層（光学調整層）ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３を含む。

キャップ層ＣＰ１は、互いに離間した第１部分ＣＰ１ａおよび第２部分ＣＰ１ｂを含む。第１部分ＣＰ１ａは、開口ＡＰ１に位置し、上部６２よりも下方に位置し、第１部分ＵＥ１ａの上に配置されている。第２部分ＣＰ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ１ｂの上に配置されている。

キャップ層ＣＰ２は、互いに離間した第１部分ＣＰ２ａおよび第２部分ＣＰ２ｂを含む。第１部分ＣＰ２ａは、開口ＡＰ２に位置し、上部６２よりも下方に位置し、第１部分ＵＥ２ａの上に配置されている。第２部分ＣＰ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ２ｂの上に配置されている。

キャップ層ＣＰ３は、互いに離間した第１部分ＣＰ３ａおよび第２部分ＣＰ３ｂを含む。第１部分ＣＰ３ａは、開口ＡＰ３に位置し、上部６２よりも下方に位置し、第１部分ＵＥ３ａの上に配置されている。第２部分ＣＰ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ３ｂの上に配置されている。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。
封止層ＳＥ１は、第１部分ＣＰ１ａ、隔壁６の下部６１及び上部６２、及び、第２部分ＣＰ１ｂに接し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。図示した例では、封止層ＳＥ１は、隔壁６の上部６２の下方（突出部６２１の下方）に、閉じた空隙Ｖ１を有している。空隙Ｖ１は、隔壁６から離間している。このような空隙Ｖ１は、封止層ＳＥ１のうち、隔壁６の下部６１の側面に接する部分、隔壁６の上部６２の底面に接する部分、及び、第１部分ＣＰ１ａに接する部分で囲まれている。空隙Ｖ１は、開口ＡＰ１を囲む隔壁６の全周に沿って形成されるが、部分的に消失している場合があり得る。また、空隙Ｖ１は、全体に亘って閉じている。
封止層ＳＥ２は、第１部分ＣＰ２ａ、隔壁６の下部６１及び上部６２、及び、第２部分ＣＰ２ｂに接し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、隔壁６の上部６２の下方（突出部６２２の下方）に、閉じた空隙Ｖ２を有している。空隙Ｖ２は、隔壁６を挟んで空隙Ｖ１の反対側に位置している。空隙Ｖ２は、開口ＡＰ２を囲む隔壁６の全周に沿って形成されるが、部分的に消失している場合があり得る。また、空隙Ｖ２は、全体に亘って閉じている。
封止層ＳＥ３は、第１部分ＣＰ３ａ、隔壁６の下部６１及び上部６２、及び、第２部分ＣＰ３ｂに接し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、隔壁６の上部６２の下方（突出部６２３の下方）に、閉じた空隙Ｖ３を有している。空隙Ｖ３は、隔壁６を挟んで空隙Ｖ２の反対側に位置している。空隙Ｖ３は、開口ＡＰ３を囲む隔壁６の全周に沿って形成されるが、部分的に消失している場合があり得る。また、空隙Ｖ３は、全体に亘って閉じている。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、保護層１３により覆われている。

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上においては、有機層ＯＲ１の第２部分ＯＲ１ｂは有機層ＯＲ２の第２部分ＯＲ２ｂから離間し、上電極ＵＥ１の第２部分ＵＥ１ｂは上電極ＵＥ２の第２部分ＵＥ２ｂから離間し、キャップ層ＣＰ１の第２部分ＣＰ１ｂはキャップ層ＣＰ２の第２部分ＣＰ２ｂから離間し、封止層ＳＥ１は封止層ＳＥ２から離間している。保護層１３は、第２部分ＯＲ１ｂと第２部分ＯＲ２ｂとの間、第２部分ＵＥ１ｂと第２部分ＵＥ２ｂとの間、第２部分ＣＰ１ｂと第２部分ＣＰ２ｂとの間、及び、封止層ＳＥ１と封止層ＳＥ２との間にそれぞれ配置されている。

また、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６上においては、有機層ＯＲ２の第２部分ＯＲ２ｂは有機層ＯＲ３の第２部分ＯＲ３ｂから離間し、上電極ＵＥ２の第２部分ＵＥ２ｂは上電極ＵＥ３の第２部分ＵＥ３ｂから離間し、キャップ層ＣＰ２の第２部分ＣＰ２ｂはキャップ層ＣＰ３の第２部分ＣＰ３ｂから離間し、封止層ＳＥ２は封止層ＳＥ３から離間している。保護層１３は、第２部分ＯＲ２ｂと第２部分ＯＲ３ｂとの間、第２部分ＵＥ２ｂと第２部分ＵＥ３ｂとの間、第２部分ＣＰ２ｂと第２部分ＣＰ３ｂとの間、及び、封止層ＳＥ２と封止層ＳＥ３との間にそれぞれ配置されている。

絶縁層１２は、有機絶縁層である。リブ５、および、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁層である。

リブ５、および、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、同一の無機絶縁材料で形成されている。
リブ５は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成される。なお、リブ５は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、リブ５は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。

隔壁６の下部６１は、導電材料によって形成され、各上電極の第１部分ＵＥ１ａ，ＵＥ２ａ，ＵＥ３ａと電気的に接続されている。隔壁６の下部６１及び上部６２がいずれも導電性を有してもよい。

リブ５の厚さＴ５は、隔壁６や絶縁層１２の厚さに比べて十分に小さい。一例では、リブ５の厚さＴ５は、２００ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下である。

開口ＡＰ１に重なる下電極ＬＥ１の直上において、封止層ＳＥ１は厚さＴ１を有している。開口ＡＰ２に重なる下電極ＬＥ２の直上において、封止層ＳＥ２は厚さＴ２を有している。開口ＡＰ３に重なる下電極ＬＥ３の直上において、封止層ＳＥ３は厚さＴ３を有している。厚さＴ１、厚さＴ２、および、厚さＴ３は、ほぼ同等であり、０．５μｍ以上、２μｍ未満である。
隔壁６の下部６１の厚さ（リブ５の上面から上部６２の下面までの厚さ）Ｔ６１は、リブ５の厚さＴ５より大きい。また、厚さＴ１乃至Ｔ３は、厚さＴ６１の０．５倍以上、２倍未満である。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）などの金属材料と透明導電材料の積層構造を有してもよい。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位が上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位よりも相対的に高い場合、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がカソードに相当する。また、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位が下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位よりも相対的に高い場合、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がアノードに相当し、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がカソードに相当する。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の機能層を含む。また、有機層ＯＲ１の第１部分ＯＲ１ａおよび第２部分ＯＲ１ｂは、同一材料で形成した発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２の第１部分ＯＲ２ａおよび第２部分ＯＲ２ｂは、同一材料で形成した発光層ＥＭ２を含む。発光層ＥＭ２は、発光層ＥＭ１とは異なる材料で形成されている。有機層ＯＲ３の第１部分ＯＲ３ａおよび第２部分ＯＲ３ｂは、同一材料で形成した発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ３は、発光層ＥＭ１及びＥＭ２とは異なる材料で形成されている。発光層ＥＭ１を形成する材料、発光層ＥＭ２を形成する材料、及び、発光層ＥＭ３を形成する材料は、互いに異なる波長域の光を放つ材料である。

キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、例えば、透明な薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいてもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、省略してもよい。

保護層１３は、透明な薄膜の多層体によって形成され、例えば、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいる。

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した各上電極の第１部分ＵＥ１ａ，ＵＥ２ａ，ＵＥ３ａにそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１のうちの第１部分ＯＲ１ａの発光層ＥＭ１が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２のうちの第１部分ＯＲ２ａの発光層ＥＭ２が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３のうちの第１部分ＯＲ３ａの発光層ＥＭ３が緑色の波長域の光を放つ。

他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

図１乃至図３に示した例においては、開口ＡＰ１は第１開口に相当し、開口ＡＰ２は第２開口に相当し、下電極ＬＥ１は第１下電極に相当し、有機層ＯＲ１は第１有機層に相当し、発光層ＥＭ１は第１発光層に相当し、上電極ＵＥ１は第１上電極に相当し、キャップ層ＣＰ１は第１キャップ層に相当し、封止層ＳＥ１は第１封止層に相当し、下電極ＬＥ２は第２下電極に相当し、有機層ＯＲ２は第２有機層に相当し、発光層ＥＭ２は第２発光層に相当し、上電極ＵＥ２は第２上電極に相当し、キャップ層ＣＰ２は第２キャップ層に相当し、封止層ＳＥ２は第２封止層に相当する。

図４は、表示素子２０の構成の一例を示す図である。
図４に示す下電極ＬＥは、図３の下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の各々に相当する。図４に示す有機層ＯＲは、図３の有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々に相当する。図４に示す上電極ＵＥは、図３の上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の各々に相当する。

有機層ＯＲは、キャリア調整層ＣＡ１と、発光層ＥＭと、キャリア調整層ＣＡ２と、を有している。キャリア調整層ＣＡ１は下電極ＬＥと発光層ＥＭとの間に位置し、キャリア調整層ＣＡ２は発光層ＥＭと上電極ＵＥとの間に位置している。キャリア調整層ＣＡ１及びＣＡ２は、複数の機能層を含んでいる。以下、下電極ＬＥがアノードに相当し、上電極ＵＥがカソードに相当する場合を例に説明する。

キャリア調整層ＣＡ１は、機能層として、正孔注入層Ｆ１１、正孔輸送層Ｆ１２、電子ブロッキング層Ｆ１３などを含んでいる。正孔注入層Ｆ１１は下電極ＬＥの上に配置され、正孔輸送層Ｆ１２は正孔注入層Ｆ１１の上に配置され、電子ブロッキング層Ｆ１３は正孔輸送層Ｆ１２の上に配置され、発光層ＥＭは電子ブロッキング層Ｆ１３の上に配置されている。

キャリア調整層ＣＡ２は、機能層として、正孔ブロッキング層Ｆ２１、電子輸送層Ｆ２２、電子注入層Ｆ２３などを含んでいる。正孔ブロッキング層Ｆ２１は発光層ＥＭの上に配置され、電子輸送層Ｆ２２は正孔ブロッキング層Ｆ２１の上に配置され、電子注入層Ｆ２３は電子輸送層Ｆ２２の上に配置され、上電極ＵＥは電子注入層Ｆ２３の上に配置されている。

なお、キャリア調整層ＣＡ１及びＣＡ２は、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。

次に、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について説明する。

図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素ＳＰα、ＳＰβ、ＳＰγの下地となる処理基板ＳＵＢを用意する工程（ステップＳＴ１）と、副画素ＳＰαを形成する工程（ステップＳＴ２）と、副画素ＳＰβを形成する工程（ステップＳＴ３）と、副画素ＳＰγを形成する工程（ステップＳＴ４）と、を含む。なお、ここでの副画素ＳＰα、ＳＰβ、ＳＰγは、上記の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかである。

ステップＳＴ１においては、まず、基板１０の上に、下電極ＬＥα、ＬＥβ、ＬＥγ、リブ５、及び、隔壁６を形成した処理基板ＳＵＢを用意する。図３に示したように、基板１０と下電極ＬＥα、ＬＥβ、ＬＥγとの間には、回路層１１及び絶縁層１２も形成される。

ステップＳＴ２においては、まず、処理基板ＳＵＢに、発光層ＥＭαを含む第１薄膜３１を形成する（ステップＳＴ２１）。その後、第１薄膜３１及び隔壁６を覆う封止層ＳＥ１０を形成する（ステップＳＴ２２）。その後、封止層ＳＥ１０の上に所定の形状にパターニングされた第１レジスト４１を形成する（ステップＳＴ２３）。その後、第１レジスト４１をマスクとしたエッチングにより封止層ＳＥ１０の一部を除去する（ステップＳＴ２４）。その後、第１レジスト４１をマスクとしたエッチングにより第１薄膜３１の一部を除去する（ステップＳＴ２５）。その後、第１レジスト４１を除去する（ステップＳＴ２６）。これにより、副画素ＳＰαが形成される。副画素ＳＰαは、所定の形状の第１薄膜３１を有する表示素子２１を備える。表示素子２１は、封止層ＳＥ１０で封止される。

ステップＳＴ３においては、まず、処理基板ＳＵＢに、発光層ＥＭβを含む第２薄膜３２を形成する（ステップＳＴ３１）。その後、第２薄膜３２及び隔壁６を覆う封止層ＳＥ２０を形成する（ステップＳＴ３２）。その後、封止層ＳＥ２０の上に所定の形状にパターニングされた第２レジスト４２を形成する（ステップＳＴ３３）。その後、第２レジスト４２をマスクとしたエッチングにより封止層ＳＥ２０の一部を除去する（ステップＳＴ３４）。その後、第２レジスト４２をマスクとしたエッチングにより第２薄膜３２の一部を除去する（ステップＳＴ３５）。その後、第２レジスト４２を除去する（ステップＳＴ３６）。これにより、副画素ＳＰβが形成される。副画素ＳＰβは、所定の形状の第２薄膜３２を有する表示素子２２を備える。表示素子２２は、封止層ＳＥ２０で封止される。

ステップＳＴ４においては、まず、処理基板ＳＵＢに、発光層ＥＭγを含む第３薄膜３３を形成する（ステップＳＴ４１）。その後、第３薄膜３３及び隔壁６を覆う封止層ＳＥ３０を形成する（ステップＳＴ４２）。その後、封止層ＳＥ３０の上に所定の形状にパターニングされた第３レジスト４３を形成する（ステップＳＴ４３）。その後、第３レジスト４３をマスクとしたエッチングにより封止層ＳＥ３０の一部を除去する（ステップＳＴ４４）。その後、第３レジスト４３をマスクとしたエッチングにより第３薄膜３３の一部を除去する（ステップＳＴ４５）。その後、第３レジスト４３を除去する（ステップＳＴ４６）。これにより、副画素ＳＰγが形成される。副画素ＳＰγは、所定の形状の第３薄膜３３を有する表示素子２３を備える。表示素子２３は、封止層ＳＥ３０で封止される。

発光層ＥＭα、発光層ＥＭβ、及び、発光層ＥＭγは、互いに異なる波長域の光を放つ材料によって形成されている。

なお、第２薄膜３２、発光層ＥＭβ、表示素子２２、封止層ＳＥ２０、第３薄膜３３、発光層ＥＭγ、表示素子２３、及び、封止層ＳＥ３０の詳細な図示は省略する。

ここで、ステップＳＴ２２の封止層ＳＥ１０を形成する工程についてより具体的に説明する。

図６は、封止層ＳＥ１０を形成する工程の一例を説明するための図である。
まず、第１薄膜３１及び隔壁６に接する第１無機絶縁層ＩＬ１を形成する（ステップＳＴ２２１）。その後、第１無機絶縁層ＩＬ１の異方性ドライエッチングを行い、第１無機絶縁層ＩＬ１の膜厚を低減する（ステップＳＴ２２２）。このとき、第１無機絶縁層ＩＬ１の膜厚は、０μｍより大きい。つまり、第１無機絶縁層ＩＬ１には貫通孔が形成されることはない。その後、第１無機絶縁層ＩＬ１の上に、第２無機絶縁層ＩＬ２を形成する（ステップＳＴ２２３）。

これにより、封止層ＳＥ１０が形成される。つまり、図６に示す例では、封止層ＳＥ１０は、第１無機絶縁層ＩＬ１及び第２無機絶縁層ＩＬ２の積層体として形成される。

図７は、封止層ＳＥ１０を形成する工程の他の例を説明するための図である。
まず、第１薄膜３１及び隔壁６に接する第１無機絶縁層ＩＬ１を形成する（ステップＳＴ２２１）。その後、第１無機絶縁層ＩＬ１の異方性ドライエッチングを行い、第１無機絶縁層ＩＬ１の膜厚を低減する（ステップＳＴ２２２）。このとき、第１無機絶縁層ＩＬ１の膜厚は、０μｍより大きい。その後、第１無機絶縁層ＩＬ１の上に、第２無機絶縁層ＩＬ２を形成する（ステップＳＴ２２３）。その後、第２無機絶縁層ＩＬ２の異方性ドライエッチングを行い、第２無機絶縁層ＩＬ２の膜厚を低減する（ステップＳＴ２２４）。このとき、第２無機絶縁層ＩＬ２の膜厚は、０μｍより大きい。つまり、第２無機絶縁層ＩＬ２には貫通孔が形成されることはない。その後、第２無機絶縁層ＩＬ２の上に、第３無機絶縁層ＩＬ３を形成する（ステップＳＴ２２５）。

これにより、封止層ＳＥ１０が形成される。つまり、図７に示す例では、封止層ＳＥ１０は、第１無機絶縁層ＩＬ１、第２無機絶縁層ＩＬ２、及び、第３無機絶縁層ＩＬ３の積層体として形成される。

なお、図７に示す例では、第３無機絶縁層ＩＬ３を形成した後に、さらに、異方性ドライエッチングを行う工程と、無機絶縁層を形成する工程とを繰り返し行ってもよい。この場合、封止層ＳＥ１０は、４層以上の無機絶縁層の積層体として形成される。

図６及び図７では、ステップＳＴ２２の封止層ＳＥ１０を形成する工程について説明したが、ステップＳＴ３２の封止層ＳＥ２０を形成する工程、及び、ステップＳＴ４２の封止層ＳＥ３０を形成する工程の各々についても、図６の工程または図７の工程を適用することができる。

以下、ステップＳＴ１及びステップＳＴ２について図８乃至図１８を参照しながら説明する。

まず、ステップＳＴ１においては、図８に示すように、処理基板ＳＵＢを用意する。処理基板ＳＵＢを用意する工程は、基板１０の上に回路層１１を形成する工程と、回路層１１の上に絶縁層１２を形成する工程と、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰαの下電極ＬＥαと、副画素ＳＰβの下電極ＬＥβと、副画素ＳＰγの下電極ＬＥγとを形成する工程と、下電極ＬＥα、ＬＥβ、ＬＥγの各々と重なる開口ＡＰα、ＡＰβ、ＡＰγを有するリブ５を形成する工程と、リブ５の上に配置された下部６１及び下部６１の上に配置され下部６１の側面から突出した上部６２を含む隔壁６を形成する工程と、を含む。なお、図９乃至図１８においては、絶縁層１２よりも下層の基板１０及び回路層１１の図示を省略する。

続いて、ステップＳＴ２１においては、図９に示すように、副画素ＳＰα、副画素ＳＰβ、及び、副画素ＳＰγに亘って、第１薄膜３１を形成する。第１薄膜３１を形成する工程は、処理基板ＳＵＢの上に、発光層ＥＭαを含む有機層ＯＲ１０を形成する工程と、有機層ＯＲ１０の上に上電極ＵＥ１０を形成する工程と、上電極ＵＥ１０の上にキャップ層ＣＰ１０を形成する工程と、を含む。つまり、図示した例では、第１薄膜３１は、有機層ＯＲ１０、上電極ＵＥ１０、及び、キャップ層ＣＰ１０を含む。

有機層ＯＲ１０は、有機層ＯＲ１１、有機層ＯＲ１２、有機層ＯＲ１３、有機層ＯＲ１４、及び、有機層ＯＲ１５を含む。有機層ＯＲ１１、有機層ＯＲ１２、有機層ＯＲ１３、有機層ＯＲ１４、及び、有機層ＯＲ１５は、いずれも発光層ＥＭαを含んでいる。
有機層ＯＲ１１は、下電極ＬＥαを覆うように形成される。有機層ＯＲ１２は、有機層ＯＲ１１から離間し、下電極ＬＥαと下電極ＬＥβとの間において隔壁６の上部６２の上に位置している。有機層ＯＲ１３は、有機層ＯＲ１２から離間し、下電極ＬＥβを覆うように形成される。有機層ＯＲ１４は、有機層ＯＲ１３から離間し、下電極ＬＥβと下電極ＬＥγとの間において隔壁６の上部６２の上に位置している。有機層ＯＲ１５は、有機層ＯＲ１４から離間し、下電極ＬＥγを覆うように形成される。

上電極ＵＥ１０は、上電極ＵＥ１１、上電極ＵＥ１２、上電極ＵＥ１３、上電極ＵＥ１４、及び、上電極ＵＥ１５を含む。
上電極ＵＥ１１は、有機層ＯＲ１１の上に位置し、下電極ＬＥαと下電極ＬＥβとの間において隔壁６の下部６１に接している。上電極ＵＥ１２は、上電極ＵＥ１１から離間し、下電極ＬＥαと下電極ＬＥβとの間において有機層ＯＲ１２の上に位置している。上電極ＵＥ１３は、上電極ＵＥ１２から離間し、有機層ＯＲ１３の上に位置している。また、上電極ＵＥ１３は、図示した例では、下電極ＬＥαと下電極ＬＥβとの間において隔壁６の下部６１に接し、下電極ＬＥβと下電極ＬＥγとの間において隔壁６の下部６１に接しているが、いずれか一方の下部６１に接していてもよい。上電極ＵＥ１４は、上電極ＵＥ１３から離間し、下電極ＬＥβと下電極ＬＥγとの間において有機層ＯＲ１４の上に位置している。上電極ＵＥ１５は、上電極ＵＥ１４から離間し、有機層ＯＲ１５の上に位置し、下電極ＬＥβと下電極ＬＥγとの間において隔壁６の下部６１に接している。

キャップ層ＣＰ１０は、キャップ層ＣＰ１１、キャップ層ＣＰ１２、キャップ層ＣＰ１３、キャップ層ＣＰ１４、及び、キャップ層ＣＰ１５を含む。
キャップ層ＣＰ１１は、上電極ＵＥ１１の上に位置している。キャップ層ＣＰ１２は、キャップ層ＣＰ１１から離間し、上電極ＵＥ１２の上に位置している。キャップ層ＣＰ１３は、キャップ層ＣＰ１２から離間し、上電極ＵＥ１３の上に位置している。キャップ層ＣＰ１４は、キャップ層ＣＰ１３から離間し、上電極ＵＥ１４の上に位置している。キャップ層ＣＰ１５は、キャップ層ＣＰ１４から離間し、上電極ＵＥ１５の上に位置している。

その後、ステップＳＴ２２においては、図１０に示すように、副画素ＳＰα、副画素ＳＰβ、及び、副画素ＳＰγに亘って、封止層ＳＥ１０を形成する。
封止層ＳＥ１０は、キャップ層ＣＰ１１、キャップ層ＣＰ１２、キャップ層ＣＰ１３、キャップ層ＣＰ１４、キャップ層ＣＰ１５、及び、隔壁６を覆うように形成される。隔壁６を覆う封止層ＳＥ１０は、上部６２の下方に接するとともに、下部６１の側面に接している。例えば、下電極ＬＥαの直上における封止層ＳＥ１０の厚さＴ１０は、例えば１μｍである。

封止層ＳＥ１０は、隔壁６の副画素ＳＰαに面して空隙Ｖαを有し、隔壁６の副画素ＳＰβに面して空隙Ｖβを有し、隔壁６の副画素ＳＰγに面して空隙Ｖγを有している。

ここで、封止層ＳＥ１０を形成するための工程について図１１を参照しながら説明する。なお、図１１では、副画素ＳＰα及び副画素ＳＰβを含む処理基板の断面を示している。

まず、ステップＳＴ２２１においては、図１１の上段に示すように、第１無機絶縁層ＩＬ１を形成する。第１無機絶縁層ＩＬ１は、例えば、シリコン窒化物によって形成する。第１無機絶縁層ＩＬ１は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ－Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程を経て形成される。

副画素ＳＰαに位置する第１無機絶縁層ＩＬ１に着目すると、第１無機絶縁層ＩＬ１は、キャップ層ＣＰ１１及びＣＰ１２に接し、隔壁６の下部６１の側面に接し、また、隔壁６の上部６２の底面に接している。また、第１無機絶縁層ＩＬ１は、上部６２の下方に、閉じた空隙Ｖα及びＶβを有している。下電極ＬＥαの直上において、第１無機絶縁層ＩＬ１の厚さＴ１１は、例えば３μｍである。

その後、ステップＳＴ２２２においては、図１１の中段に示すように、レジストを介することなく、第１無機絶縁層ＩＬ１の全体の異方性ドライエッチングを行う。異方性ドライエッチングでは、等方性ドライエッチングと比較して、サイドエッチングが進行しにくい。このため、下電極ＬＥα、ＬＥβの直上に位置する第１無機絶縁層ＩＬ１の膜厚が低減し、また、隔壁６の上部６２の直上に位置する第１無機絶縁層ＩＬ１の膜厚が低減し、さらには、空隙Ｖα、Ｖβのそれぞれの先端側の第１無機絶縁層ＩＬ１が除去され、空隙Ｖα、Ｖβが開放される。異方性ドライエッチングを行った後、下電極ＬＥαの直上において、第１無機絶縁層ＩＬ１の厚さＴ１２は、例えば０．３μｍである。

なお、隔壁６の上部６２の下方に位置する第１無機絶縁層ＩＬ１は、ほとんど除去されない。つまり、異方性ドライエッチングを行った後において、第１無機絶縁層ＩＬ１は、隔壁６の下部６１の側面、及び、隔壁６の上部６２の底面を覆っている。

その後、ステップＳＴ２２３においては、図１１の下段に示すように、第１無機絶縁層ＩＬ１の上に第２無機絶縁層ＩＬ２を形成する。第２無機絶縁層ＩＬ２は、例えば、シリコン窒化物によって形成する。第２無機絶縁層ＩＬ２は、例えば、ＣＶＤ工程を経て形成される。第１無機絶縁層ＩＬ１及び第２無機絶縁層ＩＬ２が同一材料で形成された場合、両者の界面はほとんど認識されない。つまり、図１０に示した封止層ＳＥ１０は、第１無機絶縁層ＩＬ１及び第２無機絶縁層ＩＬ２の積層体であるが、単一層とみなすことができる。このため、封止層ＳＥ１０の内部での不所望な光の反射や散乱が抑制される。

また、図示した例では、封止層ＳＥ１０は、上部６２の下方に、閉じた空隙Ｖα及びＶβを有している。但し、図１１の上段の断面図と、図１１の下段の断面図とを比較すると、第２無機絶縁層ＩＬ２を形成した直後の空隙Ｖαの断面積は、第１無機絶縁層ＩＬ１を形成した直後の空隙Ｖαの断面積より小さい。また、第１無機絶縁層ＩＬ１を形成した直後の空隙Ｖαは隔壁６の外側に大きく広がり、隔壁６の下部６１から斜め上方に向かって延出しているが、第２無機絶縁層ＩＬ２を形成した直後の空隙Ｖαは隔壁６の外側にはあまり広がらず、空隙Ｖαの傾きが小さくなる傾向がある。また、空隙Ｖαの先端を通る延長線上で封止層ＳＥ１０の膜厚が大きくなり、空隙Ｖαを起点としたクラックの発生が抑制される。

同様に、第２無機絶縁層ＩＬ２を形成した直後の空隙Ｖβの断面積は、第１無機絶縁層ＩＬ１を形成した直後の空隙Ｖβの断面積より小さい。

図１２は、図７を参照して説明した工程を経て形成した封止層ＳＥ１０の断面図である。
すなわち、封止層ＳＥ１０は、第１無機絶縁層、第２無機絶縁層、及び、第３無機絶縁層の積層体である。なお、図中には、第１無機絶縁層の参照符号ＩＬ１、第２無機絶縁層の参照符号ＩＬ２、及び、第３無機絶縁層の参照符号ＩＬ３は付していない。第３無機絶縁層は、例えば、シリコン窒化物によって形成する。第３無機絶縁層は、例えば、ＣＶＤ工程を経て形成される。第２無機絶縁層及び第３無機絶縁層が同一材料で形成された場合、両者の界面はほとんど認識されない。

また、図示した例では、封止層ＳＥ１０は、上部６２の下方に、閉じた空隙Ｖα及びＶβを有している。但し、図１１の下段の断面図と、図１２の断面図とを比較すると、第３無機絶縁層を形成した直後の空隙Ｖαの断面積は、第２無機絶縁層を形成した直後の空隙Ｖαの断面積より小さい。また、第３無機絶縁層を形成した直後の空隙Ｖαは隔壁６の外側にはあまり広がらず、空隙Ｖαの傾きがさらに小さくなる傾向がある。

図１３は、図７を参照して説明した工程を経て形成した封止層ＳＥ１０の他の断面図である。
封止層ＳＥ１０が、第１無機絶縁層、第２無機絶縁層、及び、第３無機絶縁層の積層体である点については、図１２に示した例と同一である。

封止層ＳＥ１０は、上部６２の下方に空隙を形成することなく、上部６２の下方に充填されている。このように、封止層ＳＥ１０が空隙を有していないことにより、空隙を起点としたクラックを防止することができる。

以上が封止層ＳＥ１０を形成するステップＳＴ２２についての説明である。

続いて、ステップＳＴ２３においては、まず、図１４に示すように、封止層ＳＥ１０の上の全面に亘ってレジスト４０を塗布する。このとき、空隙Ｖα、空隙Ｖβ、及び、空隙Ｖγのいずれもが閉じているため、レジスト４０がこれらの空隙Ｖα、空隙Ｖβ、及び、空隙Ｖγに流入することが防止される。また、図１３を参照して説明したように、封止層ＳＥ１０が空隙を有していない場合には、レジスト４０が不所望な領域に流入することがない。

その後、このレジスト４０をパターニングする。
レジスト４０は、例えば、感光性樹脂であり、光照射により感光して現像液に対して可溶性を呈するポジ型である。このため、レジスト４０を除去すべき領域に対応した開口を有するマスクを用意し、このマスクを用いてレジスト４０を露光する。その後、現像液を用いてレジスト４０を現像し、残ったレジストを硬化させる。硬化したレジストは、第１レジスト４１に相当する。

図１５に示すように、パターニングによって形成された第１レジスト４１は、副画素ＳＰαを覆っている。つまり、第１レジスト４１は、下電極ＬＥα、有機層ＯＲ１１、上電極ＵＥ１１、及び、キャップ層ＣＰ１１の直上に配置されている。また、第１レジスト４１は、副画素ＳＰαから隔壁６の上方に延出している。副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間において、第１レジスト４１は、副画素ＳＰα側（図の左側）に配置され、副画素ＳＰβ側（図の右側）では封止層ＳＥ１０を露出している。図示した例では、第１レジスト４１は、副画素ＳＰβ及び副画素ＳＰγにおいて、封止層ＳＥ１０を露出している。

その後、ステップＳＴ２４においては、図１６に示すように、第１レジスト４１をマスクとしてドライエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した封止層ＳＥ１０を除去する。図示した例では、封止層ＳＥ１０のうち、副画素ＳＰαを覆う部分（キャップ層ＣＰ１１を覆う部分）、及び、隔壁６の直上における副画素ＳＰα側（図の左側）の部分（キャップ層ＣＰ１２のうちの副画素ＳＰα側を覆う部分）は残留する。一方で、封止層ＳＥ１０のうち、隔壁６の直上における副画素ＳＰβ側（図の右側）の部分（キャップ層ＣＰ１２のうちの副画素ＳＰβ側を覆う部分）、副画素ＳＰβを覆う部分（キャップ層ＣＰ１３を覆う部分）、副画素ＳＰβと副画素ＳＰγとの間の隔壁６を覆う部分（キャップ層ＣＰ１４を覆う部分）、及び、副画素ＳＰγを覆う部分（キャップ層ＣＰ１５を覆う部分）は、除去される。これにより、キャップ層ＣＰ１２の一部、キャップ層ＣＰ１３、キャップ層ＣＰ１４、及び、キャップ層ＣＰ１５は、封止層ＳＥ１０から露出する。

その後、ステップＳＴ２５においては、図１７に示すように、第１レジスト４１をマスクとしてエッチングを行い、第１レジスト４１及び封止層ＳＥ１０から露出した第１薄膜３１を除去する。第１薄膜３１を除去する工程は、キャップ層ＣＰ１０の一部を除去する工程と、上電極ＵＥ１０の一部を除去する工程と、有機層ＯＲ１０の一部を除去する工程と、を含む。

まず、第１レジスト４１をマスクとしてエッチングを行い、第１レジスト４１及び封止層ＳＥ１０から露出したキャップ層ＣＰ１０の一部を除去する。図示した例では、キャップ層ＣＰ１２の一部、キャップ層ＣＰ１３の全部、キャップ層ＣＰ１４の全部、及び、キャップ層ＣＰ１５の全部を除去する。
そして、第１レジスト４１をマスクとしてエッチングを行い、第１レジスト４１、封止層ＳＥ１０、及び、キャップ層ＣＰ１０から露出した上電極ＵＥ１０の一部を除去する。図示した例では、上電極ＵＥ１２の一部、上電極ＵＥ１３の全部、上電極ＵＥ１４の全部、及び、上電極ＵＥ１５の全部を除去する。
そして、第１レジスト４１をマスクとしてエッチングを行い、第１レジスト４１、封止層ＳＥ１０、キャップ層ＣＰ１０、及び、上電極ＵＥ１０から露出した有機層ＯＲ１０の一部を除去する。図示した例では、有機層ＯＲ１２の一部、有機層ＯＲ１３の全部、有機層ＯＲ１４の全部、及び、有機層ＯＲ１５の全部を除去する。

これにより、副画素ＳＰβでは下電極ＬＥβが露出し、副画素ＳＰγでは下電極ＬＥγが露出する。

副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間の隔壁６について、上部６２の直上では、副画素ＳＰα側に有機層ＯＲ１２、上電極ＵＥ１２、キャップ層ＣＰ１２、封止層ＳＥ１０が残留し、副画素ＳＰβ側では有機層ＯＲ１２、上電極ＵＥ１２、キャップ層ＣＰ１２、封止層ＳＥ１０が除去される。このため、隔壁６の副画素ＳＰβ側が露出する。
また、副画素ＳＰβと副画素ＳＰγとの間の隔壁６も露出する。

その後、ステップＳＴ２６においては、図１８に示すように、第１レジスト４１を除去する。これにより、副画素ＳＰαの封止層ＳＥ１０が露出する。これらのステップＳＴ２１乃至ＳＴ２６を経て、副画素ＳＰαにおいて、表示素子２１が形成される。表示素子２１は、下電極ＬＥα、発光層ＥＭαを含む有機層ＯＲ１１、上電極ＵＥ１１、及び、キャップ層ＣＰ１１によって構成される。また、表示素子２１は、封止層ＳＥ１０によって覆われる。

副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間の隔壁６の上には、発光層ＥＭαを含む有機層ＯＲ１２、上電極ＵＥ１２、及び、キャップ層ＣＰ１２の積層体が形成され、この積層体は封止層ＳＥ１０で覆われる。また、隔壁６のうち、副画素ＳＰαの側の部分は、封止層ＳＥ１０で覆われる。

上記した例の副画素ＳＰαは、図２に示した副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかである。例えば、副画素ＳＰαが副画素ＳＰ１に相当する場合、下電極ＬＥαは第１下電極ＬＥ１に相当し、有機層ＯＲ１１は第１有機層ＯＲ１の第１部分ＯＲ１ａに相当し、有機層ＯＲ１２は第１有機層ＯＲ１の第２部分ＯＲ１ｂに相当し、発光層ＥＭαが第１発光層ＥＭ１に相当し、上電極ＵＥ１１は第１上電極ＵＥ１の第１部分ＵＥ１ａに相当し、上電極ＵＥ１２は第１上電極ＵＥ１の第２部分ＵＥ１ｂに相当し、キャップ層ＣＰ１１は第１キャップ層ＣＰ１の第１部分ＣＰ１ａに相当し、キャップ層ＣＰ１２は第１キャップ層ＣＰ１の第２部分ＣＰ１ｂに相当し、封止層ＳＥ１０は封止層ＳＥ１に相当する。

ここで、レジスト４０をパターニングする過程において、隔壁６の上部６２の下方にレジスト４０が流入した場合について説明する。上記の通り、レジスト４０がポジ型である場合、上部６２の下方に位置するレジスト４０は、上部６２の陰となって露光されず、現像後に残留する。このため、残留したレジスト４０に重なる封止層ＳＥ１０は、その後のドライエッチング工程で十分に除去できず、残留するおそれがある。また、ドライエッチング工程において、残留したレジスト４０に含まれる炭素などに起因して生成物が出現するおそれがある。

例えば、上記の例において、副画素ＳＰβと副画素ＳＰγとの間の隔壁６において、レジスト４０が残留したり、生成物が隔壁６に付着したりした場合、下部６１の側面に封止層ＳＥ１０が残存してしまい、副画素ＳＰβ、ＳＰγのそれぞれの上電極と下部６１との電気的な接続不良を招くおそれがある。また、副画素ＳＰβあるいは副画素ＳＰγを形成する際に、封止層にクラックが生じて封止不良を招くおそれがある。

本実施形態によれば、隔壁６の上部６２の下方へのレジスト４０の流入が抑制される。このため、封止層ＳＥ１０のドライエッチング工程において、第１レジスト４１で覆われていない副画素の封止層ＳＥ１０あるいは隔壁６を覆っていた封止層ＳＥ１０が確実に除去される。しかも、不所望な生成物の出現が抑制される。このため、後段の副画素形成工程において、上電極と隔壁６の下部６１とが確実に電気的に接続される。また、後段の副画素形成工程において、表示素子が確実に封止層で封止され、不所望な孔（水分浸入経路）の形成が抑制される。したがって、信頼性の低下を抑制することができる。

発明者が種々検討したところによると、複数回のＣＶＤ工程を経て形成した封止層ＳＥ１０の厚さが０．５μｍ以上（または、厚さＴ６１の０．５倍以上）に設定されることで、封止層ＳＥ１０に閉じた空隙が形成される、または、空隙の形成が抑制されることを確認した。

また、複数回のＣＶＤ工程を経て封止層ＳＥ１０を形成した場合、たとえ空隙が形成されたとしても、１回のＣＶＤ工程を経て形成した封止層内の空隙と比較して、空隙の断面積を低減することができる。このため、空隙を起点としたクラックの発生が抑制される。

また、下電極に重なる封止層の厚さは２μｍ未満（または、下部６１の厚さＴ６１の２倍未満）に設定されることにより、表示素子から放射された光の透過率の低下を抑制することができる。

また、複数回のＣＶＤ工程を経て封止層ＳＥ１０では、積層された無機絶縁層の界面がほとんど認識されない。このため、封止層ＳＥ１０の内部での不所望な反射や散乱を抑制することができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制し、製造歩留まりを向上することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置及び表示装置の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置及び表示装置の製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置
１０…基板 １２…絶縁層 ５…リブ
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰα，ＳＰβ，ＳＰγ…副画素
２０，２１，２２，２３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ，ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３，ＬＥα，ＬＥβ，ＬＥγ…下電極（アノード）
ＵＥ，ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３，ＵＥ１０…上電極（カソード）
ＯＲ，ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３，ＯＲ１０…有機層
ＣＰ，ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰ１０…キャップ層
ＳＥ，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，ＳＥ１０…封止層

Claims (20)

1. 基板と、
   前記基板の上方に配置された第１下電極及び第２下電極と、
   前記第１下電極と重なる第１開口及び前記第２下電極と重なる第２開口を有するリブと、
   前記第１開口と前記第２開口との間で前記リブの上に配置された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
   前記第１開口において前記第１下電極の上に配置され、第１発光層を含む第１有機層と、
   前記第２開口において前記第２下電極の上に配置され、前記第１発光層とは異なる材料で形成された第２発光層を含む第２有機層と、
   前記第１有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接する第１上電極と、
   前記第２有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接する第２上電極と、
   前記第１上電極の上方に配置され、前記隔壁の前記下部に接する第１封止層と、
   前記第２上電極の上方に配置され、前記隔壁の前記下部に接し、前記第１封止層から離間した第２封止層と、を備え、
   前記第１下電極の直上において、前記第１封止層の厚さは、前記隔壁の前記下部の厚さの０．５倍以上、２倍未満である、表示装置。
2. 前記第１封止層の厚さは、０．５μｍ以上、２μｍ未満である、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１封止層及び前記第２封止層は、無機絶縁材料で形成されている、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１封止層及び前記第２封止層は、シリコン窒化物によって形成されている、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第１封止層及び前記第２封止層の各々は、前記隔壁の前記上部の下方に閉じた空隙を有している、請求項１に記載の表示装置。
6. 前記第１封止層及び前記第２封止層の各々は、空隙を形成することなく、前記隔壁の前記上部の下方に充填されている、請求項１に記載の表示装置。
7. さらに、
   前記第１上電極の上に配置され、前記第１封止層で覆われた第１キャップ層と、
   前記第２上電極の上に配置され、前記第２封止層で覆われた第２キャップ層と、を備える、請求項１に記載の表示装置。
8. 前記第１有機層、前記第１上電極、及び、前記第１キャップ層の各々は、前記隔壁の前記上部よりも下方に位置する第１部分と、前記上部の上に位置し前記第１部分から離間した第２部分と、を有し、
   前記第１封止層は、前記第１キャップ層の前記第１部分及び前記第２部分に接している、請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第２有機層、前記第２上電極、及び、前記第２キャップ層の各々は、前記隔壁の前記上部よりも下方に位置する第１部分と、前記上部の上に位置し前記第１部分から離間した第２部分と、を有し、
   前記第２封止層は、前記第２キャップ層の前記第１部分及び前記第２部分に接している、請求項８に記載の表示装置。
10. 前記第１有機層の前記第２部分は、前記第２有機層の前記第２部分から離間し、
    前記第１上電極の前記第２部分は、前記第２上電極の前記第２部分から離間し、
    前記第１キャップ層の前記第２部分は、前記第２キャップ層の前記第２部分から離間している、請求項９に記載の表示装置。
11. 基板の上方に、下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部及び前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を形成した処理基板を用意し、
    前記処理基板の上に、有機層、上電極、及び、キャップ層を含む薄膜を形成し、
    前記薄膜及び前記隔壁を覆う封止層を形成し、
    前記封止層の一部を覆うレジストを形成し、
    前記レジストをマスクとしてドライエッチングを行い、前記レジストから露出した前記封止層を除去し、
    前記レジスト及び前記封止層から露出した前記薄膜を除去し、
    前記封止層を形成する工程は、
    前記薄膜及び前記隔壁に接する第１無機絶縁層を形成し、
    前記第１無機絶縁層の異方性ドライエッチングを行い、前記下電極の直上及び前記隔壁の前記上部の直上に位置する前記第１無機絶縁層の膜厚を低減し、
    前記第１無機絶縁層の上に、第２無機絶縁層を形成する、工程を含む、
    表示装置の製造方法。
12. 前記封止層を形成する工程は、さらに、
    前記第２無機絶縁層の異方性ドライエッチングを行い、前記下電極の直上及び前記隔壁の前記上部の直上に位置する前記第２無機絶縁層の膜厚を低減し、
    前記第２無機絶縁層の上に、第３無機絶縁層を形成する、工程を含む、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
13. 前記下電極の直上において、前記封止層の厚さは、前記隔壁の前記下部の厚さの０．５倍以上、２倍未満である、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
14. 前記下電極の直上において、前記封止層の厚さは、０．５μｍ以上、２μｍ未満である、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
15. 前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層は、シリコン窒化物によって形成する、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
16. 前記第１無機絶縁層、前記第２無機絶縁層、及び、前記第３無機絶縁層は、シリコン窒化物によって形成する、請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
17. 前記第２無機絶縁層を形成した直後に前記隔壁の前記上部の下方に位置する空隙の断面積は、前記第１無機絶縁層を形成した直後に前記隔壁の前記上部の下方に位置する空隙の断面積より小さい、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
18. 前記第３無機絶縁層を形成した直後に前記隔壁の前記上部の下方に位置する空隙の断面積は、前記第２無機絶縁層を形成した直後に前記隔壁の前記上部の下方に位置する空隙の断面積より小さい、請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
19. 前記封止層は、空隙を形成することなく、前記隔壁の前記上部の下方に充填されている、請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
20. 前記有機層、前記上電極、及び、前記キャップ層の各々は、前記隔壁の前記上部よりも下方に位置する第１部分と、前記上部の上に位置し前記第１部分から離間した第２部分と、を有し、
    前記薄膜を除去する工程において、前記レジストをマスクとしてエッチングを行い、前記有機層、前記上電極、及び、前記キャップ層の各々の前記第２部分の一部を除去する、
    請求項１１に記載の表示装置の製造方法。

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