JP2023141958A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置は、下電極と、無機絶縁材料で形成され下電極と重なる開口を有するリブと、リブの上に配置された隔壁と、開口において下電極の上に配置されリブの上に重なり隔壁から離間し発光層を含む有機層と、無機絶縁材料で形成され有機層の上方に配置され隔壁に接する封止層と、リブと封止層との間に配置され有機層と隔壁との間においてリブを覆うエッチングストッパー層と、を備え、エッチングストッパー層は封止層とは異なる材料によって形成され、エッチングストッパー層のエッチングレートは封止層のエッチングレートより小さい。
【選択図】図４

Description

本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号 米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。

一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記開口において前記下電極の上に配置され、前記リブの上に重なり、前記隔壁から離間し、発光層を含む有機層と、無機絶縁材料で形成され、前記有機層の上方に配置され、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、前記リブと前記封止層との間に配置され、前記有機層と前記隔壁との間において前記リブを覆うエッチングストッパー層と、を備え、前記エッチングストッパー層は、前記封止層とは異なる材料によって形成され、前記エッチングストッパー層のエッチングレートは、前記封止層のエッチングレートより小さい。

一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
基板の上方に、下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部及び前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を形成した処理基板を用意し、前記開口において前記下電極の上に有機層を形成し、前記有機層の上、及び、前記有機層と前記隔壁との間の前記リブの上にエッチングストッパー層を形成し、前記エッチングストッパー層の上に封止層を形成し、前記封止層の上にパターニングしたレジストを形成し、前記レジストをマスクとして、前記封止層のドライエッチングを行い、前記封止層のドライエッチングに際して、前記エッチングストッパー層のエッチングレートは、前記封止層のエッチングレートより小さい。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。 図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。 図４は、表示素子２０の構成の一例を示す図である。 図５は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。 図６は、図２中のＣ－Ｄ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。 図７は、蒸着装置ＥＶを説明するための図である。 図８は、エッチングストッパー層を形成する一製造方法を説明するための図である。 図９は、エッチングストッパー層を形成する他の製造方法を説明するための図である。 図１０は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。 図１１は、ステップＳＴ１を説明するための図である。 図１２は、ステップＳＴ２１を説明するための図である。 図１３は、第１薄膜３１の形成過程を説明するための図である。 図１４は、ステップＳＴ２２を説明するための図である。 図１５は、ステップＳＴ２３を説明するための図である。 図１６は、第１薄膜３１の除去過程を説明するための図である。 図１７は、ステップＳＴ２４を説明するための図である。

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、青色の副画素ＳＰ２および緑色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。例えば、副画素ＳＰ１は赤色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ２は青色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ３は緑色の波長域の光を放つ表示素子２０を備えている。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ１，ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ２と第１方向Ｘに並んでいる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、開口ＡＰ３が開口ＡＰ１よりも大きく、開口ＡＰ２が開口ＡＰ３よりも大きい。

隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ３の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ２の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ２，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙは、互いに接続されている。これにより、隔壁６は、全体として開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。

図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、および、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のそれぞれの周縁部は、リブ５に重なっている。上電極ＵＥ１の外形は有機層ＯＲ１の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。上電極ＵＥ２の外形は有機層ＯＲ２の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。上電極ＵＥ３の外形は有機層ＯＲ３の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子２０のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子２０のカソード、あるいは、共通電極に相当する。

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。つまり、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、絶縁層１２とリブ５との間に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２がリブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。上部６２のうち、下部６１よりも突出した部分は、単に突出部と称することがある。

図２に示した有機層ＯＲ１は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ１ａおよび第２部分ＯＲ１ｂを含む。第１部分ＯＲ１ａは、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、下電極ＬＥ１を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ１ｂは、上部６２の上に配置されている。
また、図２に示した上電極ＵＥ１は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ１ａおよび第２部分ＵＥ１ｂを含む。第１部分ＵＥ１ａは、下電極ＬＥ１と対向するとともに、第１部分ＯＲ１ａの上に配置されている。さらに、第１部分ＵＥ１ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ１ｂの上に配置されている。
第１部分ＯＲ１ａ、及び、第１部分ＵＥ１ａは、上部６２よりも下方に位置している。

図２に示した有機層ＯＲ２は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ２ａおよび第２部分ＯＲ２ｂを含む。第１部分ＯＲ２ａは、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、下電極ＬＥ２を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ２ｂは、上部６２の上に配置されている。
また、図２に示した上電極ＵＥ２は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ２ａおよび第２部分ＵＥ２ｂを含む。第１部分ＵＥ２ａは、下電極ＬＥ２と対向するとともに、第１部分ＯＲ２ａの上に配置されている。さらに、第１部分ＵＥ２ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ２ｂの上に配置されている。
第１部分ＯＲ２ａ、及び、第１部分ＵＥ２ａは、上部６２よりも下方に位置している。

図２に示した有機層ＯＲ３は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ３ａおよび第２部分ＯＲ３ｂを含む。第１部分ＯＲ３ａは、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、下電極ＬＥ３を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ３ｂは、上部６２の上に配置されている。
また、図２に示した上電極ＵＥ３は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ３ａおよび第２部分ＵＥ３ｂを含む。第１部分ＵＥ３ａは、下電極ＬＥ３と対向するとともに、第１部分ＯＲ３ａの上に配置されている。さらに、第１部分ＵＥ３ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ３ｂの上に配置されている。
第１部分ＯＲ３ａ、及び、第１部分ＵＥ３ａは、上部６２よりも下方に位置している。

図３に示す例では、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層（光学調整層）ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３を含む。

キャップ層ＣＰ１は、互いに離間した第１部分ＣＰ１ａおよび第２部分ＣＰ１ｂを含む。第１部分ＣＰ１ａは、開口ＡＰ１に位置し、上部６２よりも下方に位置し、第１部分ＵＥ１ａの上に配置されている。第２部分ＣＰ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ１ｂの上に配置されている。

キャップ層ＣＰ２は、互いに離間した第１部分ＣＰ２ａおよび第２部分ＣＰ２ｂを含む。第１部分ＣＰ２ａは、開口ＡＰ２に位置し、上部６２よりも下方に位置し、第１部分ＵＥ２ａの上に配置されている。第２部分ＣＰ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ２ｂの上に配置されている。

キャップ層ＣＰ３は、互いに離間した第１部分ＣＰ３ａおよび第２部分ＣＰ３ｂを含む。第１部分ＣＰ３ａは、開口ＡＰ３に位置し、上部６２よりも下方に位置し、第１部分ＵＥ３ａの上に配置されている。第２部分ＣＰ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ３ｂの上に配置されている。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。
封止層ＳＥ１は、第１部分ＣＰ１ａ、隔壁６の下部６１及び上部６２、及び、第２部分ＣＰ１ｂに接し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。なお、封止層ＳＥ１は、隔壁６の上部６２の下方（突出部６２１の下方）に、空隙を有する場合があり得るが、ここでは図示を省略している。

封止層ＳＥ２は、第１部分ＣＰ２ａ、隔壁６の下部６１及び上部６２、及び、第２部分ＣＰ２ｂに接し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。なお、封止層ＳＥ２は、隔壁６の上部６２の下方（突出部６２２の下方）に、空隙を有する場合があり得るが、ここでは図示を省略している。

封止層ＳＥ３は、第１部分ＣＰ３ａ、隔壁６の下部６１及び上部６２、及び、第２部分ＣＰ３ｂに接し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。なお、封止層ＳＥ３は、隔壁６の上部６２の下方（突出部６２３の下方）に、空隙を有する場合があり得るが、ここでは図示を省略している。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、保護層１３により覆われている。

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上においては、有機層ＯＲ１の第２部分ＯＲ１ｂは有機層ＯＲ２の第２部分ＯＲ２ｂから離間し、上電極ＵＥ１の第２部分ＵＥ１ｂは上電極ＵＥ２の第２部分ＵＥ２ｂから離間し、キャップ層ＣＰ１の第２部分ＣＰ１ｂはキャップ層ＣＰ２の第２部分ＣＰ２ｂから離間し、封止層ＳＥ１は封止層ＳＥ２から離間している。保護層１３は、第２部分ＯＲ１ｂと第２部分ＯＲ２ｂとの間、第２部分ＵＥ１ｂと第２部分ＵＥ２ｂとの間、第２部分ＣＰ１ｂと第２部分ＣＰ２ｂとの間、及び、封止層ＳＥ１と封止層ＳＥ２との間にそれぞれ配置されている。

また、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６上においては、有機層ＯＲ２の第２部分ＯＲ２ｂは有機層ＯＲ３の第２部分ＯＲ３ｂから離間し、上電極ＵＥ２の第２部分ＵＥ２ｂは上電極ＵＥ３の第２部分ＵＥ３ｂから離間し、キャップ層ＣＰ２の第２部分ＣＰ２ｂはキャップ層ＣＰ３の第２部分ＣＰ３ｂから離間し、封止層ＳＥ２は封止層ＳＥ３から離間している。保護層１３は、第２部分ＯＲ２ｂと第２部分ＯＲ３ｂとの間、第２部分ＵＥ２ｂと第２部分ＵＥ３ｂとの間、第２部分ＣＰ２ｂと第２部分ＣＰ３ｂとの間、及び、封止層ＳＥ２と封止層ＳＥ３との間にそれぞれ配置されている。

絶縁層１２は、有機絶縁層である。リブ５、および、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁層である。

リブ５、および、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、同一の無機絶縁材料で形成されている。
リブ５は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、リブ５は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、リブ５は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。このため、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、リブ５と同一材料で形成される場合があり得る。

隔壁６の下部６１は、導電材料によって形成され、各上電極の第１部分ＵＥ１ａ，ＵＥ２ａ，ＵＥ３ａと電気的に接続されている。隔壁６の下部６１及び上部６２がいずれも導電性を有してもよい。

リブ５の厚さＴ５は、隔壁６や絶縁層１２の厚さに比べて十分に小さい。一例では、リブ５の厚さＴ５は、２００ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下である。

開口ＡＰ１に重なる下電極ＬＥ１の直上において、封止層ＳＥ１は厚さＴ１を有している。開口ＡＰ２に重なる下電極ＬＥ２の直上において、封止層ＳＥ２は厚さＴ２を有している。開口ＡＰ３に重なる下電極ＬＥ３の直上において、封止層ＳＥ３は厚さＴ３を有している。厚さＴ１、厚さＴ２、および、厚さＴ３は、ほぼ同等である。
隔壁６の下部６１の厚さ（リブ５の上面から上部６２の下面までの厚さ）Ｔ６１は、リブ５の厚さＴ５より大きい。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）などの金属材料と透明導電材料の積層構造を有してもよい。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位が上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位よりも相対的に高い場合、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がカソードに相当する。また、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位が下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位よりも相対的に高い場合、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がアノードに相当し、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がカソードに相当する。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の機能層を含む。また、有機層ＯＲ１の第１部分ＯＲ１ａおよび第２部分ＯＲ１ｂは、同一材料で形成した発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２の第１部分ＯＲ２ａおよび第２部分ＯＲ２ｂは、同一材料で形成した発光層ＥＭ２を含む。発光層ＥＭ２は、発光層ＥＭ１とは異なる材料で形成されている。有機層ＯＲ３の第１部分ＯＲ３ａおよび第２部分ＯＲ３ｂは、同一材料で形成した発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ３は、発光層ＥＭ１及びＥＭ２とは異なる材料で形成されている。発光層ＥＭ１を形成する材料、発光層ＥＭ２を形成する材料、及び、発光層ＥＭ３を形成する材料は、互いに異なる波長域の光を放つ材料である。

キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、例えば、透明な薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいてもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、省略してもよい。

保護層１３は、透明な薄膜の多層体によって形成され、例えば、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいる。

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した各上電極の第１部分ＵＥ１ａ，ＵＥ２ａ，ＵＥ３ａにそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１のうちの第１部分ＯＲ１ａの発光層ＥＭ１が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２のうちの第１部分ＯＲ２ａの発光層ＥＭ２が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３のうちの第１部分ＯＲ３ａの発光層ＥＭ３が緑色の波長域の光を放つ。

他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

図４は、表示素子２０の構成の一例を示す図である。
図４に示す下電極ＬＥは、図３の下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の各々に相当する。図４に示す有機層ＯＲは、図３の有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々に相当する。図４に示す上電極ＵＥは、図３の上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の各々に相当する。

有機層ＯＲは、キャリア調整層ＣＡ１と、発光層ＥＭと、キャリア調整層ＣＡ２と、を有している。キャリア調整層ＣＡ１は下電極ＬＥと発光層ＥＭとの間に位置し、キャリア調整層ＣＡ２は発光層ＥＭと上電極ＵＥとの間に位置している。キャリア調整層ＣＡ１及びＣＡ２は、複数の機能層を含んでいる。以下、下電極ＬＥがアノードに相当し、上電極ＵＥがカソードに相当する場合を例に説明する。

キャリア調整層ＣＡ１は、機能層として、正孔注入層Ｆ１１、正孔輸送層Ｆ１２、電子ブロッキング層Ｆ１３などを含んでいる。正孔注入層Ｆ１１は下電極ＬＥの上に配置され、正孔輸送層Ｆ１２は正孔注入層Ｆ１１の上に配置され、電子ブロッキング層Ｆ１３は正孔輸送層Ｆ１２の上に配置され、発光層ＥＭは電子ブロッキング層Ｆ１３の上に配置されている。

キャリア調整層ＣＡ２は、機能層として、正孔ブロッキング層Ｆ２１、電子輸送層Ｆ２２、電子注入層Ｆ２３などを含んでいる。正孔ブロッキング層Ｆ２１は発光層ＥＭの上に配置され、電子輸送層Ｆ２２は正孔ブロッキング層Ｆ２１の上に配置され、電子注入層Ｆ２３は電子輸送層Ｆ２２の上に配置され、上電極ＵＥは電子注入層Ｆ２３の上に配置されている。

なお、キャリア調整層ＣＡ１及びＣＡ２は、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。

図４に示すキャップ層ＣＰは、図３のキャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３の各々に相当する。キャップ層ＣＰは、透明層ＴＬと、無機層ＩＬと、を含んでいる。透明層ＴＬは上電極ＵＥの上に配置され、無機層ＩＬは透明層ＴＬの上に配置されている。透明層ＴＬは、例えば有機材料によって形成された有機層であり、また、上電極ＵＥよりも大きい屈折率を有する高屈折率層である。無機層ＩＬは、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）またはシリコン酸化物（ＳｉＯ）によって形成された透明な薄膜であり、透明層ＴＬよりも小さい屈折率を有する低屈折率層である。
なお、図４に示す例では、キャップ層ＣＰは、透明層ＴＬと無機層ＩＬとの２層の積層体であるが、３層以上の積層体であってもよい。キャップ層ＣＰにおいて、無機層ＩＬは最上層に位置し、図３に示した封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３で覆われている。

このような表示素子２０の構成において、上電極ＵＥ及び無機層ＩＬは、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３をドライエッチングする際のエッチングストッパー層ＥＳとして機能する。

なお、図示した例のように、上電極ＵＥを第１エッチングストッパー層ＥＳ１とし、無機層ＩＬを第２エッチングストッパー層ＥＳ２として区別する場合がある。表示素子２０は、第１エッチングストッパー層ＥＳ１及び第２エッチングストッパー層ＥＳ２の少なくとも一方を備えていればよい。

エッチングストッパー層ＥＳと封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３とを同一条件でドライエッチングした際のエッチングレートを比較すると、エッチングストッパー層ＥＳのエッチングレートは、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３のエッチングレートより小さい。
例えば、エッチングストッパー層ＥＳの上に封止層ＳＥ１が積層された積層体について、ドライエッチングを行った場合、封止層ＳＥ１が除去される一方で、エッチングストッパー層ＥＳにおいてエッチングの進行を止めることができる。

エッチングストッパー層ＥＳは、リブ５とは異なる材料によって形成され、また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３とは異なる材料によって形成されている。例えば、リブ５、および、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がシリコン窒化物で形成されているのに対して、エッチングストッパー層ＥＳは、シリコン窒化物と比較して、ドライエッチングに対して高い耐性を有する材料であるフッ化リチウムまたはシリコン酸化物で形成された無機層ＩＬである。あるいは、エッチングストッパー層ＥＳは、シリコン窒化物と比較して、ドライエッチングに対して高い耐性を有する材料であるマグネシウム及び銀の合金で形成された上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３である。

図５は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図５に示す断面図は、第２方向Ｙに並んだ複数の副画素ＳＰ２を含む。なお、図５では、図３に示した基板、回路層、保護層の図示を省略する。

図の中央に位置する副画素ＳＰ２に着目する。有機層ＯＲ２の第１部分ＯＲ２ａにおいて、第２方向Ｙに沿った両端部は、リブ５の上に位置し、隔壁６から離間している。つまり、隔壁６と有機層ＯＲ２との間では、リブ５が露出している。

上電極ＵＥ２の第１部分ＵＥ２ａは、有機層ＯＲ２の第１部分ＯＲ２ａを覆い、また、第１部分ＯＲ２ａと隔壁６との間でリブ５を覆っている。また、第１部分ＵＥ２ａの第２方向Ｙに沿った両端部は、隔壁６の下部６１に接している。
キャップ層ＣＰ２のうちの第１部分ＣＰ２ａは、上電極ＵＥ２の第１部分ＵＥ２ａの上に配置されている。図中に拡大したように、第１部分ＣＰ２ａのうちの無機層ＩＬは、図示を省略した透明層ＴＬを介して、第１部分ＵＥ２ａの上に配置されている。また、無機層ＩＬの第２方向Ｙに沿った両端部は、隔壁６の下部６１に接している。
つまり、図示した例では、リブ５と封止層ＳＥ２との間に、エッチングストッパー層として上電極ＵＥ２及び無機層ＩＬが配置されている。

なお、エッチングストッパー層としては、リブ５と封止層ＳＥ２との間に、上電極ＵＥ２及び無機層ＩＬの少なくとも一方が配置されていればよい。例えば、図示した例のように、上電極ＵＥ２の第１部分ＵＥ２ａが隔壁６に接している場合、無機層ＩＬが隔壁６から離間していてもよい。あるいは、上電極ＵＥ２の第１部分ＵＥ２ａが隔壁６から離間している場合、無機層ＩＬは、隔壁６に接し、且つ、第１部分ＵＥ２ａと隔壁６との間においてリブ５を覆うように配置される。

図６は、図２中のＣ－Ｄ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図６に示す断面図は、第２方向Ｙにおいて交互に並んだ副画素ＳＰ１および副画素ＳＰ３を含む。なお、図３に示した基板、回路層、保護層の図示を省略する。

図の左側に位置する副画素ＳＰ１に着目する。有機層ＯＲ１の第１部分ＯＲ１ａにおいて、第２方向Ｙに沿った両端部は、リブ５の上に位置し、隔壁６から離間している。つまり、隔壁６と有機層ＯＲ１との間では、リブ５が露出している。

上電極ＵＥ１の第１部分ＵＥ１ａは、有機層ＯＲ１の第１部分ＯＲ１ａを覆い、また、第１部分ＯＲ１ａと隔壁６との間でリブ５を覆っている。また、第１部分ＵＥ１ａの第２方向Ｙに沿った両端部は、隔壁６の下部６１に接している。
キャップ層ＣＰ１のうちの第１部分ＣＰ１ａは、上電極ＵＥ１の第１部分ＵＥ１ａの上に配置されている。図中に拡大したように、第１部分ＣＰ１ａのうちの無機層ＩＬは、図示を省略した透明層ＴＬを介して、第１部分ＵＥ１ａの上に配置されている。また、無機層ＩＬの第２方向Ｙに沿った両端部は、隔壁６の下部６１に接している。
つまり、図示した例では、リブ５と封止層ＳＥ１との間に、エッチングストッパー層として上電極ＵＥ１及び無機層ＩＬが配置されている。図５を参照して説明したのと同様に、エッチングストッパー層としては、リブ５と封止層ＳＥ１との間に、上電極ＵＥ１及び無機層ＩＬの少なくとも一方が配置されていればよい。

図の右側に位置する副画素ＳＰ３に着目する。有機層ＯＲ３の第１部分ＯＲ３ａにおいて、第２方向Ｙに沿った両端部は、リブ５の上に位置し、隔壁６から離間している。つまり、隔壁６と有機層ＯＲ３との間では、リブ５が露出している。

上電極ＵＥ３の第１部分ＵＥ３ａは、有機層ＯＲ３の第１部分ＯＲ３ａを覆い、また、第１部分ＯＲ３ａと隔壁６との間でリブ５を覆っている。また、第１部分ＵＥ３ａの第２方向Ｙに沿った両端部は、隔壁６の下部６１に接している。
キャップ層ＣＰ３の第１部分ＣＰ３ａは、副画素ＳＰ１のキャップ層ＣＰ１と同様に、無機層ＩＬを含んでいるが、この無機層ＩＬの図示は省略している。この無機層ＩＬを含む第１部分ＣＰ３ａは、上電極ＵＥ３の第１部分ＵＥ３ａの上に配置され、隔壁６の下部６１に接している。
つまり、図示した例では、リブ５と封止層ＳＥ３との間に、エッチングストッパー層として上電極ＵＥ３及び無機層ＩＬを含むキャップ層ＣＰ３が配置されている。図５を参照して説明したのと同様に、エッチングストッパー層としては、リブ５と封止層ＳＥ３との間に、上電極ＵＥ３及び無機層ＩＬの少なくとも一方が配置されていればよい。

次に、エッチングストッパー層を形成するための蒸着装置ＥＶについて説明する。

図７は、蒸着装置ＥＶを説明するための図である。
蒸着装置ＥＶは、搬送機構１００と、蒸着源１１０Ａと、蒸着源１１０Ｂと、を備えている。

搬送機構１００は、処理基板ＳＵＢを搬送する。ここでの処理基板ＳＵＢは、基板１０の上に、回路層１１、絶縁層１２、下電極ＬＥ、リブ５、隔壁６、及び、有機層ＯＲを形成したものである。搬送機構１００による処理基板ＳＵＢの搬送方向ＴＤは、図中の矢印で示している。搬送方向ＴＤは、例えば、上記の第２方向Ｙに平行である。

蒸着源１１０Ａは、エッチングストッパー層ＥＳを形成するための材料Ｍを放射する。蒸着源１１０Ａの延出方向は、図中に点線で示すように、基板１０の法線に対して傾斜している。ここでの延出方向とは、例えば、材料Ｍの放射方向を規制するノズル１２０Ａが延出する方向である。

蒸着源１１０Ｂは、エッチングストッパー層ＥＳを形成するための材料Ｍを放射する。蒸着源１１０Ｂの延出方向は、図中に点線で示すように、基板１０の法線に対して傾斜している。ここでの延出方向とは、例えば、材料Ｍの放射方向を規制するノズル１２０Ｂが延出する方向である。

蒸着源１１０Ｂの延出方向は、蒸着源１１０Ａの延出方向とは異なる。図示した例では、蒸着源１１０Ａは搬送方向ＴＤの矢印の向きに材料Ｍを放射し、蒸着源１１０Ｂは搬送方向ＴＤの矢印の反対向きに材料Ｍを放射する。基板１０の法線と蒸着源１１０Ａの延出方向とのなす角度θ、及び、基板１０の法線と蒸着源１１０Ｂの延出方向とのなす角度θの各々は、例えば、５°以上、４０°以下である。

蒸着源１１０Ｂから放射される材料Ｍは、蒸着源１１０Ａから放射される材料Ｍと同一である。例えば、エッチングストッパー層ＥＳとして上電極ＵＥを形成する場合、蒸着源１１０Ａ及び１１０Ｂの各々は、材料Ｍとしてマグネシウム及び銀を放射する。また、エッチングストッパー層ＥＳとして無機層ＩＬを形成する場合、蒸着源１１０Ａ及び１１０Ｂの各々は、材料Ｍとしてフッ化リチウムを放射する。

このような蒸着装置ＥＶにおいては、蒸着源１１０Ａ及び１１０Ｂが固定されており、処理基板ＳＵＢを一方向に搬送しながら、材料Ｍを処理基板ＳＵＢに蒸着する。これにより、点線で示すような断面を有するエッチングストッパー層ＥＳが形成される。このとき、主として蒸着源１１０Ａから放射された材料Ｍが図中の右側の隔壁６の下部６１に回り込み、主として蒸着源１１０Ｂから放射された材料Ｍが図中の左側の隔壁６の下部６１に回り込む。これにより、搬送方向ＴＤに沿った両端部が隔壁６に接するエッチングストッパー層ＥＳを形成することができる。

図８は、エッチングストッパー層を形成する一製造方法を説明するための図である。
図示した例では、蒸着装置ＥＶは、単一のチャンバー１３０の内部に蒸着源１１０Ａ及び１１０Ｂを収容している。

処理基板ＳＵＢの搬送方向ＴＤは、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１及び副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ２が並ぶ方向に平行である。処理基板ＳＵＢは、チャンバー１３０に導入された後に、図示を省略した搬送機構によって一方向に搬送される。そして、チャンバー１３０内において、蒸着源１１０Ａ及び１１０Ｂの双方から放射された材料Ｍの蒸着が行われる。

図９は、エッチングストッパー層を形成する他の製造方法を説明するための図である。
図示した例では、蒸着装置ＥＶは、チャンバー１３０Ａの内部に蒸着源１１０Ａを収容し、チャンバー１３０Ｂの内部に蒸着源１１０Ｂを収容している。蒸着装置ＥＶは、チャンバー１３０Ａに導入した処理基板ＳＵＢを続けてチャンバー１３０Ｂに導入するように構成されている。

処理基板ＳＵＢは、チャンバー１３０Ａに導入された後に、図示を省略した搬送機構によって一方向に搬送される。そして、チャンバー１３０Ａ内において、蒸着源１１０Ａから放射された材料Ｍの蒸着が行われる。
その後、処理基板ＳＵＢは、チャンバー１３０Ｂに導入され、一方向に搬送される。チャンバー１３０Ｂでの処理基板ＳＵＢの搬送方向ＴＤは、チャンバー１３０Ａでの処理基板ＳＵＢの搬送方向ＴＤと同一である。チャンバー１３０Ｂ内においては、蒸着源１１０Ｂから放射された材料Ｍの蒸着が行われる。

上記の図８及び図９に示したそれぞれの製造方法は、上電極ＵＥ及び無機層ＩＬのいずれを形成する際にも適用することができる。

上記の図７乃至図９に示した例においては、蒸着源１１０Ａは第１蒸着源に相当し、蒸着源１１０Ｂは第２蒸着源に相当し、チャンバー１３０Ａは第１チャンバーに相当し、チャンバー１３０Ｂは第２チャンバーに相当する。

なお、図７乃至図９に示した例の蒸着装置ＥＶは、処理基板ＳＵＢの蒸着面が基板１０の上方に位置する状態（フェイスアップ）で処理基板ＳＵＢを搬送し、蒸着源１１０Ａ及び１１０Ｂが材料Ｍを下方に向けて放射するように構成された場合に相当するが、これに限らない。例えば、蒸着装置ＥＶは、処理基板ＳＵＢの蒸着面が基板１０の下方に位置する状態（フェイスダウン）で処理基板ＳＵＢを搬送し、蒸着源１１０Ａ及び１１０Ｂが材料Ｍを上方に向けて放射するように構成されてもよい。また、蒸着装置ＥＶは、処理基板ＳＵＢを垂直に立てた状態で搬送し、蒸着源１１０Ａ及び１１０Ｂが材料Ｍを横向きに放射するように構成されてもよい。

次に、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について説明する。

図１０は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素ＳＰα、ＳＰβ、ＳＰγの下地となる処理基板ＳＵＢを用意する工程（ステップＳＴ１）と、副画素ＳＰαを形成する工程（ステップＳＴ２）と、副画素ＳＰβを形成する工程（ステップＳＴ３）と、副画素ＳＰγを形成する工程（ステップＳＴ４）と、を含む。なお、ここでの副画素ＳＰα、ＳＰβ、ＳＰγは、上記の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかである。

ステップＳＴ１においては、まず、基板１０の上に、下電極ＬＥα、ＬＥβ、ＬＥγ、リブ５、及び、隔壁６を形成した処理基板ＳＵＢを用意する。図３に示したように、基板１０と下電極ＬＥα、ＬＥβ、ＬＥγとの間には、回路層１１及び絶縁層１２も形成される。

ステップＳＴ２においては、まず、処理基板ＳＵＢに、発光層ＥＭαを含む第１薄膜３１を形成する（ステップＳＴ２１）。その後、第１薄膜３１の上に所定の形状にパターニングされた第１レジスト４１を形成する（ステップＳＴ２２）。その後、第１レジスト４１をマスクとしたエッチングにより第１薄膜３１の一部を除去する（ステップＳＴ２３）。その後、第１レジスト４１を除去する（ステップＳＴ２４）。これにより、副画素ＳＰαが形成される。副画素ＳＰαは、所定の形状の第１薄膜３１を有する表示素子２１を備える。

ステップＳＴ３においては、まず、処理基板ＳＵＢに、発光層ＥＭβを含む第２薄膜３２を形成する（ステップＳＴ３１）。その後、第２薄膜３２の上に所定の形状にパターニングされた第２レジスト４２を形成する（ステップＳＴ３２）。その後、第２レジスト４２をマスクとしたエッチングにより第２薄膜３２の一部を除去する（ステップＳＴ３３）。その後、第２レジスト４２を除去する（ステップＳＴ３４）。これにより、副画素ＳＰβが形成される。副画素ＳＰβは、所定の形状の第２薄膜３２を有する表示素子２２を備える。

ステップＳＴ４においては、まず、処理基板ＳＵＢに、発光層ＥＭγを含む第３薄膜３３を形成する（ステップＳＴ４１）。その後、第３薄膜３３の上に所定の形状にパターニングされた第３レジスト４３を形成する（ステップＳＴ４２）。その後、第３レジスト４３をマスクとしたエッチングにより第３薄膜３３の一部を除去する（ステップＳＴ４３）。その後、第３レジスト４３を除去する（ステップＳＴ４４）。これにより、副画素ＳＰγが形成される。副画素ＳＰγは、所定の形状の第３薄膜３３を有する表示素子２３を備える。

発光層ＥＭα、発光層ＥＭβ、及び、発光層ＥＭγは、互いに異なる波長域の光を放つ材料によって形成されている。
なお、第２薄膜３２、発光層ＥＭβ、表示素子２２、第３薄膜３３、発光層ＥＭγ、及び、表示素子２３の詳細な図示は省略する。

以下、ステップＳＴ１及びステップＳＴ２について図１１乃至図１７を参照しながら説明する。なお、図１２、１４、１５、及び、図１７に示す各断面は、例えば図２中のIII－III線に沿う断面に相当する。

まず、ステップＳＴ１においては、図１１に示すように、処理基板ＳＵＢを用意する。処理基板ＳＵＢを用意する工程は、基板１０の上に回路層１１を形成する工程と、回路層１１の上に絶縁層１２を形成する工程と、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰαの下電極ＬＥα、副画素ＳＰβの下電極ＬＥβ、副画素ＳＰγの下電極ＬＥγを形成する工程と、下電極ＬＥα、ＬＥβ、ＬＥγの各々と重なる開口ＡＰα、ＡＰβ、ＡＰγを有するリブ５を形成する工程と、リブ５の上に配置された下部６１及び下部６１の上に配置され下部６１の側面から突出した上部６２を含む隔壁６を形成する工程と、を含む。なお、図１２、１４、１５、及び、図１７の各図においては、絶縁層１２よりも下層の基板１０及び回路層１１の図示を省略する。
リブ５は、例えばシリコン窒化物で形成する。

続いて、ステップＳＴ２１においては、図１２に示すように、副画素ＳＰα、副画素ＳＰβ、及び、副画素ＳＰγに亘って、第１薄膜３１を形成する。第１薄膜３１を形成する工程は、処理基板ＳＵＢの上に、発光層ＥＭαを含む有機層ＯＲ１０を形成する工程と、有機層ＯＲ１０の上に上電極ＵＥ１０を形成する工程と、上電極ＵＥ１０の上にキャップ層ＣＰ１０を形成する工程と、キャップ層ＣＰ１０の上に封止層ＳＥ１０を形成する工程と、を含む。つまり、図示した例では、第１薄膜３１は、有機層ＯＲ１０、上電極ＵＥ１０、キャップ層ＣＰ１０、及び、封止層ＳＥ１０を含む。

有機層ＯＲ１０は、有機層ＯＲ１１、有機層ＯＲ１２、有機層ＯＲ１３、有機層ＯＲ１４、及び、有機層ＯＲ１５を含む。有機層ＯＲ１１、有機層ＯＲ１２、有機層ＯＲ１３、有機層ＯＲ１４、及び、有機層ＯＲ１５は、いずれも発光層ＥＭαを含んでいる。
有機層ＯＲ１１は、下電極ＬＥαを覆うように形成される。有機層ＯＲ１２は、有機層ＯＲ１１から離間し、下電極ＬＥαと下電極ＬＥβとの間において隔壁６の上部６２の上に位置している。有機層ＯＲ１３は、有機層ＯＲ１２から離間し、下電極ＬＥβを覆うように形成される。有機層ＯＲ１４は、有機層ＯＲ１３から離間し、下電極ＬＥβと下電極ＬＥγとの間において隔壁６の上部６２の上に位置している。有機層ＯＲ１５は、有機層ＯＲ１４から離間し、下電極ＬＥγを覆うように形成される。

上電極ＵＥ１０は、上電極ＵＥ１１、上電極ＵＥ１２、上電極ＵＥ１３、上電極ＵＥ１４、及び、上電極ＵＥ１５を含む。
上電極ＵＥ１１は、有機層ＯＲ１１の上に位置し、下電極ＬＥαと下電極ＬＥβとの間において隔壁６の下部６１に接している。上電極ＵＥ１２は、上電極ＵＥ１１から離間し、下電極ＬＥαと下電極ＬＥβとの間において有機層ＯＲ１２の上に位置している。上電極ＵＥ１３は、上電極ＵＥ１２から離間し、有機層ＯＲ１３の上に位置している。また、上電極ＵＥ１３は、図示した例では、下電極ＬＥαと下電極ＬＥβとの間において隔壁６の下部６１に接し、下電極ＬＥβと下電極ＬＥγとの間において隔壁６の下部６１に接している。上電極ＵＥ１４は、上電極ＵＥ１３から離間し、下電極ＬＥβと下電極ＬＥγとの間において有機層ＯＲ１４の上に位置している。上電極ＵＥ１５は、上電極ＵＥ１４から離間し、有機層ＯＲ１５の上に位置し、下電極ＬＥβと下電極ＬＥγとの間において隔壁６の下部６１に接している。
キャップ層ＣＰ１０は、キャップ層ＣＰ１１、キャップ層ＣＰ１２、キャップ層ＣＰ１３、キャップ層ＣＰ１４、及び、キャップ層ＣＰ１５を含む。
キャップ層ＣＰ１１は、上電極ＵＥ１１の上に位置している。キャップ層ＣＰ１２は、キャップ層ＣＰ１１から離間し、上電極ＵＥ１２の上に位置している。キャップ層ＣＰ１３は、キャップ層ＣＰ１２から離間し、上電極ＵＥ１３の上に位置している。キャップ層ＣＰ１４は、キャップ層ＣＰ１３から離間し、上電極ＵＥ１４の上に位置している。キャップ層ＣＰ１５は、キャップ層ＣＰ１４から離間し、上電極ＵＥ１５の上に位置している。

封止層ＳＥ１０は、キャップ層ＣＰ１１、キャップ層ＣＰ１２、キャップ層ＣＰ１３、キャップ層ＣＰ１４、キャップ層ＣＰ１５、及び、隔壁６を覆うように形成される。隔壁６を覆う封止層ＳＥ１０は、上部６２の下方に接するとともに、下部６１の側面に接している。
封止層ＳＥ１０は、例えばシリコン窒化物で形成する。

図１３は、第１薄膜３１の形成過程を説明するための図である。ここでは、下電極ＬＥαの上に形成される第１薄膜３１の形成過程を例に説明する。下電極ＬＥαの上の第１薄膜３１の断面が図の左から右に向かって形成順に並んでいる。
まず、下電極ＬＥαの上に有機層ＯＲ１１を形成する。有機層ＯＲ１１は、図４を参照して説明したように、各種機能層及び発光層を含む。有機層ＯＲ１１を含む有機層ＯＲ１０は、例えば蒸着法により形成される。
その後、有機層ＯＲ１１の上に上電極ＵＥ１１を形成する。上電極ＵＥ１１を含む上電極ＵＥ１０は、蒸着法により、マグネシウム及び銀の合金で形成される。上電極ＵＥ１０は、図８または図９を参照して説明した蒸着装置ＥＶにおいて形成することができる。
その後、上電極ＵＥ１１の上にキャップ層ＣＰ１１の透明層ＴＬを形成する。透明層ＴＬは、例えば蒸着法で形成される。
その後、透明層ＴＬの上にキャップ層ＣＰ１１の無機層ＩＬを形成する。無機層ＩＬは、例えば、フッ化リチウムまたはシリコン酸化物で形成される。無機層ＩＬがフッ化リチウムで形成される場合、蒸着法が適用され、図８または図９を参照して説明した蒸着装置ＥＶにおいて無機層ＩＬを形成することができる。なお、無機層ＩＬがシリコン酸化物で形成される場合、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ－Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が適用される。
その後、無機層ＩＬの上に封止層ＳＥ１０を形成する。封止層ＳＥ１０は、例えばＣＶＤ法で形成される。

続いて、ステップＳＴ２２においては、図１４に示すように、封止層ＳＥ１０の上の第１レジスト４１を形成する。第１レジスト４１は、副画素ＳＰαを覆っている。つまり、第１レジスト４１は、下電極ＬＥα、有機層ＯＲ１１、上電極ＵＥ１１、及び、キャップ層ＣＰ１１の直上に配置されている。また、第１レジスト４１は、副画素ＳＰαから隔壁６の上方に延出している。副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間において、第１レジスト４１は、副画素ＳＰα側（図の左側）に配置され、副画素ＳＰβ側（図の右側）では封止層ＳＥ１０を露出している。図示した例では、第１レジスト４１は、副画素ＳＰβ及び副画素ＳＰγにおいて、封止層ＳＥ１０を露出している。

その後、ステップＳＴ２３においては、図１５に示すように、第１レジスト４１をマスクとしてエッチングを行い、第１薄膜３１の一部を除去する。
これにより、副画素ＳＰβでは下電極ＬＥβが露出し、副画素ＳＰγでは下電極ＬＥγが露出する。副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間の隔壁６について、上部６２の直上では、副画素ＳＰα側に有機層ＯＲ１２、上電極ＵＥ１２、キャップ層ＣＰ１２、封止層ＳＥ１０が残留し、副画素ＳＰβ側では有機層ＯＲ１２、上電極ＵＥ１２、キャップ層ＣＰ１２、封止層ＳＥ１０が除去される。このため、隔壁６の副画素ＳＰβ側が露出する。
また、副画素ＳＰβと副画素ＳＰγとの間の隔壁６も露出する。

図１６は、第１薄膜３１の除去過程を説明するための図である。ここでは、下電極ＬＥβの上に形成された第１薄膜３１の除去過程を例に説明する。下電極ＬＥβの上の第１薄膜３１の断面が図の左から右に向かって除去順に並んでいる。
まず、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した封止層ＳＥ１０を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、封止層ＳＥ１０から露出したキャップ層ＣＰ１３の無機層ＩＬを除去する。このとき、他のキャップ層の無機層も除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、無機層ＩＬから露出したキャップ層ＣＰ１３の透明層ＴＬを除去する。このとき、他のキャップ層の透明層も除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、透明層ＴＬから露出した上電極ＵＥ１３を除去する。このとき、他の上電極も除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、上電極ＵＥ１３から露出した有機層ＯＲ１３を除去し、下電極ＬＥβを露出する。このとき、他の有機極も除去する。

その後、ステップＳＴ２４においては、図１７に示すように、第１レジスト４１を除去する。これにより、副画素ＳＰαの封止層ＳＥ１０が露出する。これらのステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４を経て、副画素ＳＰαにおいて、表示素子２１が形成される。表示素子２１は、下電極ＬＥα、発光層ＥＭαを含む有機層ＯＲ１１、上電極ＵＥ１１、及び、キャップ層ＣＰ１１によって構成される。また、表示素子２１は、封止層ＳＥ１０によって覆われる。

副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間の隔壁６の上には、発光層ＥＭαを含む有機層ＯＲ１２、上電極ＵＥ１２、及び、キャップ層ＣＰ１２の積層体が形成され、この積層体は封止層ＳＥ１０で覆われる。また、隔壁６のうち、副画素ＳＰαの側の部分は、封止層ＳＥ１０で覆われる。

本実施形態によれば、リブ５と封止層ＳＥとの間に形成されたエッチングストッパー層ＥＳは、隔壁６と有機層ＯＲとの間で露出したリブ５を覆っている。このため、封止層ＳＥは、リブ５に接することがない。

また、エッチングストッパー層ＥＳのエッチングレートは、封止層ＳＥのエッチングレートより小さい。このため、封止層ＳＥのドライエッチングに際して、封止層ＳＥが完全に除去された後に、エッチングストッパー層ＥＳでドライエッチングの進行を止めることができる。これにより、封止層ＳＥのドライエッチングに際して、リブ５は、ほとんどダメージを受けることがない。また、リブ５を絶縁層１２まで貫通する不所望な孔（水分浸入経路）の形成が抑制される。さらには、不所望な水分の影響による下電極の変色や、腐食による有機ＥＬ素子の滅点化などの不具合が抑制される。
したがって、信頼性の低下を抑制することができる。

上記した例の副画素ＳＰαは、図２に示した副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかである。例えば、副画素ＳＰαが副画素ＳＰ１に相当する場合、下電極ＬＥαは下電極ＬＥ１に相当し、有機層ＯＲ１１は有機層ＯＲ１の第１部分ＯＲ１ａに相当し、有機層ＯＲ１２は有機層ＯＲ１の第２部分ＯＲ１ｂに相当し、発光層ＥＭαが発光層ＥＭ１に相当し、上電極ＵＥ１１は上電極ＵＥ１の第１部分ＵＥ１ａに相当し、上電極ＵＥ１２は上電極ＵＥ１の第２部分ＵＥ１ｂに相当し、キャップ層ＣＰ１１はキャップ層ＣＰ１の第１部分ＣＰ１ａに相当し、キャップ層ＣＰ１２はキャップ層ＣＰ１の第２部分ＣＰ１ｂに相当し、封止層ＳＥ１０は封止層ＳＥ１に相当する。

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制し、製造歩留まりを向上することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置及び表示装置の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置及び表示装置の製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置
１０…基板 １２…絶縁層
５…リブ ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３，ＡＰα，ＡＰβ，ＡＰγ…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰα，ＳＰβ，ＳＰγ…副画素
２０，２１，２２，２３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ，ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３，ＬＥα，ＬＥβ，ＬＥγ…下電極（アノード）
ＵＥ，ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３，ＵＥ１０…上電極（カソード）
ＯＲ，ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３，ＯＲ１０…有機層
ＣＰ，ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰ１０…キャップ層
ＳＥ，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，ＳＥ１０…封止層

Claims (20)

1. 基板と、
   前記基板の上方に配置された下電極と、
   無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、
   前記リブの上に配置された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
   前記開口において前記下電極の上に配置され、前記リブの上に重なり、前記隔壁から離間し、発光層を含む有機層と、
   無機絶縁材料で形成され、前記有機層の上方に配置され、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、
   前記リブと前記封止層との間に配置され、前記有機層と前記隔壁との間において前記リブを覆うエッチングストッパー層と、を備え、
   前記エッチングストッパー層は、前記封止層とは異なる材料によって形成され、
   前記エッチングストッパー層のエッチングレートは、前記封止層のエッチングレートより小さい、表示装置。
2. 前記リブ及び前記封止層は、シリコン窒化物で形成されている、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記エッチングストッパー層は、前記隔壁の前記下部に接している、請求項１に記載の表示装置。
4. さらに、前記有機層の上に配置された上電極を備え、
   前記エッチングストッパー層は、前記上電極である、請求項３に記載の表示装置。
5. 前記上電極は、マグネシウム及び銀の合金で形成されている、請求項４に記載の表示装置。
6. さらに、前記有機層の上に配置された上電極と、
   前記上電極の上に配置された透明層と、
   前記透明層の上に配置された無機層と、を備え、
   前記エッチングストッパー層は、前記無機層である、請求項１に記載の表示装置。
7. 前記無機層は、フッ化リチウムまたはシリコン酸化物で形成されている、請求項６に記載の表示装置。
8. さらに、前記有機層の上に配置された上電極と、
   前記上電極の上に配置された透明層と、
   前記透明層の上に配置された無機層と、を備え、
   前記エッチングストッパー層は、前記上電極及び前記無機層である、請求項１に記載の表示装置。
9. 基板の上方に、下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部及び前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を形成した処理基板を用意し、
   前記開口において前記下電極の上に有機層を形成し、
   前記有機層の上、及び、前記有機層と前記隔壁との間の前記リブの上にエッチングストッパー層を形成し、
   前記エッチングストッパー層の上に封止層を形成し、
   前記封止層の上にパターニングしたレジストを形成し、
   前記レジストをマスクとして、前記封止層のドライエッチングを行い、
   前記封止層のドライエッチングに際して、前記エッチングストッパー層のエッチングレートは、前記封止層のエッチングレートより小さい、表示装置の製造方法。
10. 前記エッチングストッパー層を形成する蒸着装置において、第１蒸着源の延出方向を前記基板の法線に対して傾斜し、前記処理基板を一方向に搬送しながら前記第１蒸着源から放射された材料を前記処理基板に蒸着する、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
11. 前記エッチングストッパー層を形成する蒸着装置において、第２蒸着源の延出方向を前記基板の法線に対して傾斜し、前記処理基板を一方向に搬送しながら前記第２蒸着源から放射された材料を前記処理基板に蒸着し、
    前記第１蒸着源の延出方向は、前記第２蒸着源の延出方向とは異なり、
    前記第１蒸着源から放射された材料は、前記第２蒸着源から放射された材料と同一である、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
12. 前記処理基板は、前記第１蒸着源及び前記第２蒸着源を収容した単一のチャンバーに導入する、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
13. 前記処理基板は、前記第１蒸着源を収容した第１チャンバーに導入した後に、前記第２蒸着源を収容した第２チャンバーに導入する、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
14. 前記リブ及び前記封止層は、シリコン窒化物で形成する、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
15. 前記有機層を形成した後に、前記エッチングストッパー層として、前記有機層の上に上電極を形成する、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
16. 前記上電極は、マグネシウム及び銀の合金で形成する、請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
17. 前記有機層を形成した後に、前記有機層の上に上電極を形成し、
    前記上電極の上に透明層を形成し、
    その後、前記エッチングストッパー層として、前記透明層の上に無機層を形成する、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
18. 前記無機層は、フッ化リチウムまたはシリコン酸化物で形成する、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
19. 前記有機層を形成した後に、前記エッチングストッパー層として、前記有機層の上に上電極を形成し、
    前記上電極の上に透明層を形成し、
    その後、前記エッチングストッパー層として、前記透明層の上に無機層を形成する、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
20. 前記上電極は、マグネシウム及び銀の合金で形成し、
    前記無機層は、フッ化リチウムまたはシリコン酸化物で形成する、請求項１９に記載の表示装置の製造方法。

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