JP2023109535A - 表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性を向上することが可能な表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、下電極と、リブと、下部及び上部を含む隔壁とを形成した処理基板を用意し、前記下電極を覆う第１有機層及び前記上部の上に位置する第２有機層を形成し、前記第１有機層の上に位置する第１上電極及び前記第２有機層の上に位置する第２上電極を形成し、前記第１上電極の上に位置する第１透明層及び前記第２上電極の上に位置する第２透明層を形成し、前記第１透明層の上に位置する第１無機層及び前記第２透明層の上に位置する第２無機層を形成し、前記第１無機層及び前記第２無機層の上に位置し前記隔壁を覆う封止層を形成し、前記封止層の一部を覆うレジストを形成し、前記レジストから露出した前記封止層を除去し、前記レジストをマスクとし、酸性溶液を用いたウエットエッチングを行い、前記レジストから露出した前記第２無機層を除去する。【選択図】図１０

Description

本発明の実施形態は、表示装置の製造方法に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子は、水分によって劣化しやすい。このため、表示素子を確実に封止する技術が必要とされている。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号

本発明の目的は、信頼性を向上することが可能な表示装置の製造方法を提供することにある。

一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
基板の上方に、下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部及び前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を形成した処理基板を用意し、前記下電極を覆う第１有機層、及び、前記第１有機層から離間し前記上部の上に位置する第２有機層を形成し、前記第１有機層の上に位置し前記下部に接する第１上電極、及び、前記第１上電極から離間し前記第２有機層の上に位置する第２上電極を形成し、前記第１上電極の上に位置する第１透明層、及び、前記第１透明層から離間し前記第２上電極の上に位置する第２透明層を形成し、前記第１透明層の上に位置する第１無機層、及び、前記第１無機層から離間し前記第２透明層の上に位置する第２無機層を形成し、前記第１無機層及び前記第２無機層の上に位置し、前記隔壁を覆う封止層を形成し、前記下電極の直上の前記封止層を覆うとともに前記隔壁の直上の前記封止層の一部を覆うレジストを形成し、前記レジストをマスクとしてドライエッチングを行い、前記レジストから露出した前記封止層を除去し、前記レジストをマスクとし、酸性溶液を用いたウエットエッチングを行い、前記レジストから露出した前記第２無機層を除去する。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。 図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。 図４は、表示素子２０の構成の一例を示す図である。 図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。 図６は、処理基板を用意する工程を説明するための図である。 図７は、第１薄膜を形成する工程を説明するための図である。 図８は、レジストを形成する工程を説明するための図である。 図９は、第１薄膜の第１エッチング（ドライエッチング）を説明するための図である。 図１０は、第１薄膜の第２エッチング（ウエットエッチング）を説明するための図である。 図１１は、第１薄膜の第３エッチングを説明するための図である。 図１２は、レジストを除去する工程を説明するための図である。 図１３は、実験１の結果を示す図である。 図１４は、実験２の結果を示す図である。

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および青色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。例えば、副画素ＳＰ１は赤色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ２は緑色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ３は青色の波長域の光を放つ表示素子２０を備えている。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ１，ＳＰ２がそれぞれ副画素ＳＰ３と第１方向Ｘに並んでいる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１，ＳＰ２が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、開口ＡＰ２が開口ＡＰ１よりも大きく、開口ＡＰ３が開口ＡＰ２よりも大きい。

隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ３の間、および、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ２，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙは、互いに接続されている。これにより、隔壁６は、全体として開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。

図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、および、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のそれぞれの周縁部は、リブ５に重なっている。上電極ＵＥ１の外形は有機層ＯＲ１の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。上電極ＵＥ２の外形は有機層ＯＲ２の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。上電極ＵＥ３の外形は有機層ＯＲ３の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子２０のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子２０のカソード、あるいは、共通電極に相当する。

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層（有機絶縁層）１２の上に配置されている。リブ（無機絶縁層）５は、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された下部（茎）６１と、下部６１の上面を覆う上部（笠）６２と、を含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。

図２に示した有機層ＯＲ１は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ１ａおよび第２部分ＯＲ１ｂを含む。第１部分ＯＲ１ａは、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、下電極ＬＥ１を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ１ｂは、上部６２の上に位置している。
また、図２に示した上電極ＵＥ１は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ１ａおよび第２部分ＵＥ１ｂを含む。第１部分ＵＥ１ａは、下電極ＬＥ１と対向するとともに、第１部分ＯＲ１ａの上に位置している。さらに、第１部分ＵＥ１ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ１ｂの上に位置している。

図２に示した有機層ＯＲ２は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ２ａおよび第２部分ＯＲ２ｂを含む。第１部分ＯＲ２ａは、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、下電極ＬＥ２を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ２ｂは、上部６２の上に位置している。
また、図２に示した上電極ＵＥ２は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ２ａおよび第２部分ＵＥ２ｂを含む。第１部分ＵＥ２ａは、下電極ＬＥ２と対向するとともに、第１部分ＯＲ２ａの上に位置している。さらに、第１部分ＵＥ２ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ２ｂの上に位置している。

図２に示した有機層ＯＲ３は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ３ａおよび第２部分ＯＲ３ｂを含む。第１部分ＯＲ３ａは、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、下電極ＬＥ３を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ３ｂは、上部６２の上に位置している。
また、図２に示した上電極ＵＥ３は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ３ａおよび第２部分ＵＥ３ｂを含む。第１部分ＵＥ３ａは、下電極ＬＥ３と対向するとともに、第１部分ＯＲ３ａの上に位置している。さらに、第１部分ＵＥ３ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ３ｂの上に位置している。

図３に示す例では、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層（光学調整層）ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３を含む。

キャップ層ＣＰ１は、互いに離間した第１部分ＣＰ１ａおよび第２部分ＣＰ１ｂを含む。第１部分ＣＰ１ａは、開口ＡＰ１に位置し、第１部分ＵＥ１ａの上に位置している。第２部分ＣＰ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ１ｂの上に位置している。

キャップ層ＣＰ２は、互いに離間した第１部分ＣＰ２ａおよび第２部分ＣＰ２ｂを含む。第１部分ＣＰ２ａは、開口ＡＰ２に位置し、第１部分ＵＥ２ａの上に位置している。第２部分ＣＰ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ２ｂの上に位置している。

キャップ層ＣＰ３は、互いに離間した第１部分ＣＰ３ａおよび第２部分ＣＰ３ｂを含む。第１部分ＣＰ３ａは、開口ＡＰ３に位置し、第１部分ＵＥ３ａの上に位置している。第２部分ＣＰ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ３ｂの上に位置している。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、第１部分ＣＰ１ａ、隔壁６、及び、第２部分ＣＰ１ｂを含む副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、第１部分ＣＰ２ａ、隔壁６、及び、第２部分ＣＰ２ｂを含む副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、第１部分ＣＰ３ａ、隔壁６、及び、第２部分ＣＰ３ｂを含む副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の第２部分ＯＲ１ｂ、第２部分ＵＥ１ｂ、第２部分ＣＰ１ｂ、及び、封止層ＳＥ１と、当該隔壁６上の第２部分ＯＲ３ｂ、第２部分ＵＥ３ｂ、第２部分ＣＰ３ｂ、及び、封止層ＳＥ３とが離間している。また、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６上の第２部分ＯＲ２ｂ、第２部分ＵＥ２ｂ、第２部分ＣＰ２ｂ、及び、封止層ＳＥ２と、当該隔壁６上の第２部分ＯＲ３ｂ、第２部分ＵＥ３ｂ、第２部分ＣＰ３ｂ、及び、封止層ＳＥ３とが離間している。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。さらに、封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。

絶縁層１２は、有機材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機材料で形成されている。無機材料で形成されたリブ５の厚さは、隔壁６や絶縁層１２の厚さに比べて十分に小さい。一例では、リブ５の厚さは２００ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下である。

隔壁６の下部６１は、導電材料によって形成されている。隔壁６の下部６１及び上部６２がいずれも導電性を有してもよい。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）などの金属材料と透明導電材料の積層構造を有してもよい。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位が上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位よりも相対的に高い場合、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がカソードに相当する。また、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位が下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位よりも相対的に高い場合、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がアノードに相当し、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がカソードに相当する。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の機能層を含む。また、有機層ＯＲ１の第１部分ＯＲ１ａおよび第２部分ＯＲ１ｂは、同一材料で形成した発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２の第１部分ＯＲ２ａおよび第２部分ＯＲ２ｂは、同一材料で形成した発光層ＥＭ２を含む。有機層ＯＲ３の第１部分ＯＲ３ａおよび第２部分ＯＲ３ｂは、同一材料で形成した発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ１、発光層ＥＭ２、及び、発光層ＥＭ３は、互いに異なる波長域の光を放つ材料によって形成されている。

キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、例えば、透明な薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいてもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、省略してもよい。

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した各上電極の第１部分ＵＥ１ａ，ＵＥ２ａ，ＵＥ３ａにそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１のうちの第１部分ＯＲ１ａの発光層ＥＭ１が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２のうちの第１部分ＯＲ２ａの発光層ＥＭ２が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３のうちの第１部分ＯＲ３ａの発光層ＥＭ３が青色の波長域の光を放つ。

他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

図４は、表示素子２０の構成の一例を示す図である。
図４に示す下電極ＬＥは、図３の下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の各々に相当する。図４に示す有機層ＯＲは、図３の有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々に相当する。図４に示す上電極ＵＥは、図３の上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の各々に相当する。

有機層ＯＲは、キャリア調整層ＣＡ１と、発光層ＥＭと、キャリア調整層ＣＡ２と、を有している。キャリア調整層ＣＡ１は下電極ＬＥと発光層ＥＭとの間に位置し、キャリア調整層ＣＡ２は発光層ＥＭと上電極ＵＥとの間に位置している。キャリア調整層ＣＡ１及びＣＡ２は、複数の機能層を含んでいる。以下、下電極ＬＥがアノードに相当し、上電極ＵＥがカソードに相当する場合を例に説明する。

キャリア調整層ＣＡ１は、機能層として、正孔注入層Ｆ１１、正孔輸送層Ｆ１２、電子ブロッキング層Ｆ１３などを含んでいる。正孔注入層Ｆ１１は下電極ＬＥの上に配置され、正孔輸送層Ｆ１２は正孔注入層Ｆ１１の上に配置され、電子ブロッキング層Ｆ１３は正孔輸送層Ｆ１２の上に配置され、発光層ＥＭは電子ブロッキング層Ｆ１３の上に配置されている。

キャリア調整層ＣＡ２は、機能層として、正孔ブロッキング層Ｆ２１、電子輸送層Ｆ２２、電子注入層Ｆ２３などを含んでいる。正孔ブロッキング層Ｆ２１は発光層ＥＭの上に配置され、電子輸送層Ｆ２２は正孔ブロッキング層Ｆ２１の上に配置され、電子注入層Ｆ２３は電子輸送層Ｆ２２の上に配置され、上電極ＵＥは電子注入層Ｆ２３の上に配置されている。

なお、キャリア調整層ＣＡ１及びＣＡ２は、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。

図４に示すキャップ層ＣＰは、図３のキャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３の各々に相当する。キャップ層ＣＰは、透明層（第１層）ＴＬと、無機層（第２層）ＩＬと、を含んでいる。透明層ＴＬは上電極ＵＥの上に配置され、無機層ＩＬは透明層ＴＬの上に配置されている。透明層ＴＬは、例えば有機材料によって形成された薄膜であり、また、上電極ＵＥよりも大きい屈折率を有する高屈折率層である。無機層ＩＬは、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）によって形成された透明な薄膜であり、透明層ＴＬよりも小さい屈折率を有する低屈折率層である。
なお、図４に示す例では、キャップ層ＣＰは、透明層ＴＬと無機層ＩＬとの２層の積層体であるが、３層以上の積層体であってもよい。キャップ層ＣＰにおいて、無機層ＩＬは最上層に位置し、図３に示した封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３に接する。

次に、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について説明する。

図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素ＳＰα、ＳＰβ、ＳＰγの下地となる処理基板ＳＵＢを用意する工程（ステップＳＴ１）と、副画素ＳＰαを形成する工程（ステップＳＴ２）と、を含む。ステップＳＴ２の後に、副画素ＳＰαを形成する工程と同様の副画素ＳＰβを形成する工程を行い、さらに、副画素ＳＰγを形成する工程を行う。なお、ここでの副画素ＳＰα、ＳＰβ、ＳＰγは、上記の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかである。

ステップＳＴ２においては、まず、処理基板ＳＵＢに、発光層ＥＭαを含む第１薄膜３１を形成する（ステップＳＴ２１）。第１薄膜３１を形成する工程としては、まず、処理基板ＳＵＢの上に有機層ＯＲ１０を形成する（ステップＳＴ２１１）。そして、有機層ＯＲ１０の上に上電極ＵＥ１０を形成する（ステップＳＴ２１２）。そして、上電極ＵＥ１０の上に、キャップ層を構成する透明層ＴＬ１０を形成する（ステップＳＴ２１３）。そして、透明層ＴＬ１０の上に、キャップ層を構成する無機層ＩＬ１０を形成する（ステップＳＴ２１４）。そして、無機層ＩＬ１０の上に封止層ＳＥ１０を形成する（ステップＳＴ２１５）。

その後、第１薄膜３１の上に所定の形状にパターニングされたレジスト４１を形成する（ステップＳＴ２２）。

その後、レジスト４１をマスクとしたエッチングにより第１薄膜３１の一部を除去する（ステップＳＴ２３）。第１薄膜３１の一部を除去する工程としては、まず、レジスト４１から露出した封止層ＳＥ１０を除去する（ステップＳＴ２３１）。そして、レジスト４１及び封止層ＳＥ１０から露出した無機層ＩＬ１０を除去する（ステップＳＴ２３２）。そして、レジスト４１、封止層ＳＥ１０、及び、無機層ＩＬ１０から露出した透明層ＴＬ１０を除去する（ステップＳＴ２３３）。そして、レジスト４１、封止層ＳＥ１０、無機層ＩＬ１０、及び、透明層ＴＬ１０から露出した上電極ＵＥ１０を除去する（ステップＳＴ２３４）。そして、レジスト４１、封止層ＳＥ１０、無機層ＩＬ１０、透明層ＴＬ１０、及び、上電極ＵＥ１０から露出した有機層ＯＲ１０を除去する（ステップＳＴ２３５）。

その後、レジスト４１を除去する（ステップＳＴ２４）。
これにより、副画素ＳＰαが形成される。副画素ＳＰαは、所定の形状の第１薄膜３１を有する表示素子２１を備える。

副画素ＳＰβを形成する工程は、ステップＳＴ２１乃至ステップＳＴ２４と同様の工程を含むが、ステップＳＴ２１では第１薄膜３１の代わりに、発光層ＥＭβを含む第２薄膜３２を形成する。そして、第２薄膜３２をパターニングすることにより、副画素ＳＰβが形成される。副画素ＳＰβは、所定の形状の第２薄膜３２を有する表示素子２２を備える。なお、ここでは第２薄膜３２、発光層ＥＭβ、及び、表示素子２２の図示を省略する。

副画素ＳＰγを形成する工程は、ステップＳＴ２１乃至ステップＳＴ２４と同様の工程を含むが、ステップＳＴ２１では第１薄膜３１の代わりに、発光層ＥＭγを含む第３薄膜３３を形成する。そして、第３薄膜３３をパターニングすることにより、副画素ＳＰγが形成される。副画素ＳＰγは、所定の形状の第３薄膜３３を有する表示素子２３を備える。なお、ここでは第３薄膜３３、発光層ＥＭγ、及び、表示素子２３の図示を省略する。

発光層ＥＭα、発光層ＥＭβ、及び、発光層ＥＭγは、互いに異なる波長域の光を放つ材料によって形成されている。

以下、ステップＳＴ１及びステップＳＴ２について具体的に説明する。

まず、ステップＳＴ１においては、図６に示すように、基板１０の上方に、副画素ＳＰαの下電極ＬＥαと、副画素ＳＰβの下電極ＬＥβと、副画素ＳＰγの下電極ＬＥγと、下電極ＬＥα、ＬＥβ、ＬＥγの各々と重なる開口ＡＰα、ＡＰβ、ＡＰγを有するリブ５と、リブ５の上に配置された下部６１及び下部６１の上に配置され下部６１の側面から突出した上部６２を含む隔壁６と、を形成した処理基板ＳＵＢを用意する。なお、図７乃至図１２においては、絶縁層１２よりも下層の基板１０及び回路層１１の図示を省略する。

続いて、ステップＳＴ２１においては、図７に示すように、副画素ＳＰα、副画素ＳＰβ、及び、副画素ＳＰγに亘って、第１薄膜３１を形成する。第１薄膜３１を形成する工程は、処理基板ＳＵＢの上に、発光層ＥＭαを含む有機層ＯＲ１０を形成する工程（ＳＴ２１１）と、有機層ＯＲ１０の上に上電極ＵＥ１０を形成する工程（ＳＴ２１２）と、上電極ＵＥ１０の上に透明層ＴＬ１０を形成する工程（ＳＴ２１３）と、透明層ＴＬの上に無機層ＩＬ１０を形成する工程（ＳＴ２１４）と、無機層ＩＬ１０の上に封止層ＳＥ１０を形成する工程（ＳＴ２１５）と、を含む。つまり、図示した例では、第１薄膜３１は、有機層ＯＲ１０、上電極ＵＥ１０、透明層ＴＬ１０、無機層ＩＬ１０、及び、封止層ＳＥ１０を含む。

有機層ＯＲ１０は、第１有機層ＯＲ１１、第２有機層ＯＲ１２、第３有機層ＯＲ１３、第４有機層ＯＲ１４、及び、第５有機層ＯＲ１５を含む。第１有機層ＯＲ１１、第２有機層ＯＲ１２、第３有機層ＯＲ１３、第４有機層ＯＲ１４、及び、第５有機層ＯＲ１５は、いずれも同一材料で形成した発光層ＥＭαを含んでいる。
第１有機層ＯＲ１１は、下電極ＬＥαを覆うように形成される。第２有機層ＯＲ１２は、第１有機層ＯＲ１１から離間し、下電極ＬＥαと下電極ＬＥβとの間において隔壁６の上部６２の上に位置している。第３有機層ＯＲ１３は、第２有機層ＯＲ１２から離間し、下電極ＬＥβを覆うように形成される。第４有機層ＯＲ１４は、第３有機層ＯＲ１３から離間し、下電極ＬＥβと下電極ＬＥγとの間において隔壁６の上部６２の上に位置している。第５有機層ＯＲ１５は、第４有機層ＯＲ１４から離間し、下電極ＬＥγを覆うように形成される。

上電極ＵＥ１０は、第１上電極ＵＥ１１、第２上電極ＵＥ１２、第３上電極ＵＥ１３、第４上電極ＵＥ１４、及び、第５上電極ＵＥ１５を含む。
第１上電極ＵＥ１１は、第１有機層ＯＲ１１の上に位置し、下電極ＬＥαと下電極ＬＥβとの間において隔壁６の下部６１に接している。第２上電極ＵＥ１２は、第１上電極ＵＥ１１から離間し、下電極ＬＥαと下電極ＬＥβとの間において第２有機層ＯＲ１２の上に位置している。第３上電極ＵＥ１３は、第２上電極ＵＥ１２から離間し、第３有機層ＯＲ１３の上に位置している。また、第３上電極ＵＥ１３は、図示した例では、下電極ＬＥαと下電極ＬＥβとの間において隔壁６の下部６１に接し、下電極ＬＥβと下電極ＬＥγとの間において隔壁６の下部６１に接しているが、いずれか一方の下部６１に接していてもよい。第４上電極ＵＥ１４は、第３上電極ＵＥ１３から離間し、下電極ＬＥβと下電極ＬＥγとの間において第４有機層ＯＲ１４の上に位置している。第５上電極ＵＥ１５は、第４上電極ＵＥ１４から離間し、第５有機層ＯＲ１５の上に位置し、下電極ＬＥβと下電極ＬＥγとの間において隔壁６の下部６１に接している。

透明層ＴＬ１０は、第１透明層ＴＬ１１、第２透明層ＴＬ１２、第３透明層ＴＬ１３、第４透明層ＴＬ１４、及び、第５透明層ＴＬ１５を含む。
第１透明層ＴＬ１１は、第１上電極ＵＥ１１の上に位置している。第２透明層ＴＬ１２は、第１透明層ＴＬ１１から離間し、第２上電極ＵＥ１２の上に位置している。第３透明層ＴＬ１３は、第２透明層ＴＬ１２から離間し、第３上電極ＵＥ１３の上に位置している。第４透明層ＴＬ１４は、第３透明層ＴＬ１３から離間し、第４上電極ＵＥ１４の上に位置している。第５透明層ＴＬ１５は、第４透明層ＴＬ１４から離間し、第５上電極ＵＥ１５の上に位置している。

無機層ＩＬ１０は、第１無機層ＩＬ１１、第２無機層ＩＬ１２、第３無機層ＩＬ１３、第４無機層ＩＬ１４、及び、第５無機層ＩＬ１５を含む。第１無機層ＩＬ１１、第２無機層ＩＬ１２、第３無機層ＩＬ１３、第４無機層ＩＬ１４、及び、第５無機層ＩＬ１５は、フッ化リチウムによって形成した単層の薄膜である。第１無機層ＩＬ１１、第２無機層ＩＬ１２、第３無機層ＩＬ１３、第４無機層ＩＬ１４、及び、第５無機層ＩＬ１５の各々の厚さは、２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である。

第１無機層ＩＬ１１は、第１透明層ＴＬ１１の上に位置している。第１無機層ＩＬ１１の屈折率は、第１透明層ＴＬ１１の屈折率より小さい。
第２無機層ＩＬ１２は、第１無機層ＩＬ１１から離間し、第２透明層ＴＬ１２の上に位置している。第２無機層ＩＬ１２の屈折率は、第２透明層ＴＬ１２の屈折率より小さい。
第３無機層ＩＬ１３は、第２無機層ＩＬ１２から離間し、第３透明層ＴＬ１３の上に位置している。第３無機層ＩＬ１３の屈折率は、第３透明層ＴＬ１３の屈折率より小さい。
第４無機層ＩＬ１４は、第３無機層ＩＬ１３から離間し、第４透明層ＴＬ１４の上に位置している。第４無機層ＩＬ１４の屈折率は、第４透明層ＴＬ１４の屈折率より小さい。
第５無機層ＩＬ１５は、第４無機層ＩＬ１４から離間し、第５透明層ＴＬ１５の上に位置している。第５無機層ＩＬ１５の屈折率は、第５透明層ＴＬ１５の屈折率より小さい。

封止層ＳＥ１０は、第１無機層ＩＬ１１、第２無機層ＩＬ１２、第３無機層ＩＬ１３、第４無機層ＩＬ１４、第５無機層ＩＬ１５、及び、隔壁６を覆うように形成される。封止層ＳＥ１０は、無機材料であるシリコン窒化物によって形成する。隔壁６を覆う封止層ＳＥ１０は、上部６２の下方に接するとともに、下部６１の側面に接している。

その後、ステップＳＴ２２においては、図８に示すように、封止層ＳＥ１０の上にレジストを塗布し、このレジストをパターニングする。このようなパターニングによって形成されたレジスト４１は、副画素ＳＰαを覆っている。つまり、レジスト４１は、下電極ＬＥα、第１有機層ＯＲ１１、第１上電極ＵＥ１１、第１透明層ＴＬ１１、及び、第１無機層ＩＬ１１の直上に配置されている。また、レジスト４１は、副画素ＳＰαから隔壁６の上方に延出している。副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間の隔壁６の直上において、レジスト４１は、副画素ＳＰα側（図の左側）に配置され、副画素ＳＰβ側（図の右側）では封止層ＳＥ１０を露出している。図示した例では、レジスト４１は、副画素ＳＰβ及び副画素ＳＰγにおいて、封止層ＳＥ１０を露出している。

その後、ステップＳＴ２３１においては、図９に示すように、レジスト４１をマスクとした第１薄膜３１の第１エッチングとして、ドライエッチングを行い、レジスト４１から露出した封止層ＳＥ１０を除去する。

このドライエッチングにより、副画素ＳＰβ及び副画素ＳＰγの封止層ＳＥ１０が除去され、副画素ＳＰβの第３無機層ＩＬ１３及び副画素ＳＰγの第５無機層ＩＬ１５が封止層ＳＥ１０から露出する。副画素ＳＰαには、封止層ＳＥ１０が残留する。

また、副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間の下部６１、上部６２、第２無機層ＩＬ１２について、それぞれの副画素ＳＰα側が封止層ＳＥ１０で覆われている一方で、それぞれの副画素ＳＰβ側は封止層ＳＥ１０から露出している。副画素ＳＰβと副画素ＳＰγとの間の下部６１、上部６２、第４無機層ＩＬ１４について、封止層ＳＥ１０から露出する。このような無機層ＩＬ１０は、封止層ＳＥ１０をドライエッチングによって除去する際に、エッチングストッパ層として機能する。

このように、第１薄膜３１のうちの封止層ＳＥ１０は、ドライエッチングを行うことで所定の形状を有するように形成される。

その後、ステップＳＴ２３２においては、図１０に示すように、レジスト４１をマスクとした第１薄膜３１の第２エッチングとして、酸性溶液を用いたウエットエッチングを行い、レジスト４１から露出した無機層ＩＬ１０を除去する。ここでの酸性溶液は、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、及び、ブタン酸の少なくとも１つの有機酸の溶液である。あるいは、ここでの酸性溶液は、硝酸、及び、塩酸の少なくとも１つの無機酸の溶液である。一例では、酸性溶液として酢酸を適用している。酢酸濃度は、０．０１％以上であり、例えば０．１％以上、１５％以下の範囲が好ましい。酸性溶液のｐＨは、例えば２．５以上、３．６以下である。これらの数値範囲の根拠については、後に説明する実験１及び実験２の結果に基づくものである。

このウエットエッチングにより、第２無機層ＩＬ１２の一部（副画素ＳＰβ側）が除去され、また、第３無機層ＩＬ１３の全部、第４無機層ＩＬ１４の全部、及び、第５無機層ＩＬ１５の全部が除去される。このため、第２透明層ＴＬ１２の一部（副画素ＳＰβ側）が露出し、また、第３透明層ＴＬ１３、第４透明層ＴＬ１４、及び、第５透明層ＴＬ１５が露出する。副画素ＳＰαには、第１透明層ＴＬ１１が残留する。

その後、図１１に示すように、レジスト４１をマスクとした第１薄膜３１の第３エッチングを行う。この第３エッチングでは、まず、ステップＳＴ２３３において、レジスト４１から露出した第２透明層ＴＬ１２の一部、第３透明層ＴＬ１３の全部、第４透明層ＴＬ１４の全部、及び、第５透明層ＴＬ１５の全部を除去する。そして、ステップＳＴ２３４において、レジスト４１から露出した第２上電極ＵＥ１２の一部、第３上電極ＵＥ１３の全部、第４上電極ＵＥ１４の全部、及び、第５上電極ＵＥ１５の全部を除去する。そして、ステップＳＴ２３５において、レジスト４１から露出した、第２有機層ＯＲ１２の一部、第３有機層ＯＲ１３の全部、第４有機層ＯＲ１４の全部、及び、第５有機層ＯＲ１５の全部を除去する。

これにより、副画素ＳＰβでは下電極ＬＥβが露出し、副画素ＳＰγでは下電極ＬＥγが露出する。
副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間の隔壁６について、上部６２の直上では、副画素ＳＰα側に第２有機層ＯＲ１２、第２上電極ＵＥ１２、第２透明層ＴＬ１２、第２無機層ＩＬ１２、封止層ＳＥ１０が残留し、副画素ＳＰβ側では第２有機層ＯＲ１２、第２上電極ＵＥ１２、第２透明層ＴＬ１２、第２無機層ＩＬ１２、封止層ＳＥ１０が除去される。このため、副画素ＳＰβ側では、上部６２が露出する。
また、副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間のリブ５について、副画素ＳＰβ側が露出する。
また、副画素ＳＰβと副画素ＳＰγとの間の隔壁６について、下部６１及び上部６２が露出する。
また、副画素ＳＰβと副画素ＳＰγとの間のリブ５について、副画素ＳＰβ側及び副画素ＳＰγ側がそれぞれ露出する。

その後、図１２に示すように、ステップＳＴ２４においては、レジスト４１を除去する。これにより、副画素ＳＰαの封止層ＳＥ１０が露出する。これらのステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４を経て、副画素ＳＰαにおいて、表示素子２１が形成される。表示素子２１は、下電極ＬＥα、第１有機層ＯＲ１１、第１上電極ＵＥ１１、第１キャップ層ＣＰ１１（第１透明層ＴＬ１１及び第１無機層ＩＬ１１）によって構成される。また、表示素子２１は、封止層ＳＥ１０によって覆われる。

上記した例の副画素ＳＰαは、図２に示した副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかである。例えば、副画素ＳＰαが副画素ＳＰ１に相当する場合、下電極ＬＥαは下電極ＬＥ１に相当し、第１有機層ＯＲ１１は第１部分ＯＲ１ａに相当し、第２有機層ＯＲ１２は第２部分ＯＲ１ｂに相当し、発光層ＥＭαが第１発光層ＥＭ１に相当し、第１上電極ＵＥ１１は第１部分ＵＥ１ａに相当し、第２上電極ＵＥ１２は第２部分ＵＥ１ｂに相当し、第１キャップ層ＣＰ１１（第１透明層ＴＬ１１及び第１無機層ＩＬ１１）は第１部分ＣＰ１ａに相当し、第２キャップ層ＣＰ１２（第２透明層ＴＬ１２及び第２無機層ＩＬ１２）は第２部分ＣＰ１ｂに相当し、封止層ＳＥ１０は封止層ＳＥ１に相当する。

本実施形態によれば、キャップ層ＣＰを構成する無機層ＩＬのパターニング技術を確立することができる。また、フッ化リチウムによって形成した無機層ＩＬを除去するための酸性溶液として、酢酸溶液を適用することができる。酸性溶液が単一組成であるため、濃度管理が容易であり、環境負荷が小さい。

また、上記の例で説明した副画素ＳＰβ及びＳＰγを覆う無機層ＩＬが確実に除去されることにより、透明層ＴＬ、上電極ＵＥ、及び、有機層ＯＲを除去することができる。このため、後段の副画素形成工程において、他の副画素ＳＰβ及びＳＰγにそれぞれ所望の形状の表示素子を形成することができる。また、各副画素において、上電極ＵＥと隔壁６の下部６１とを確実に電気的に接続することができる。したがって、信頼性を向上することができる。

次に、発明者は、濃度（重量％濃度）が異なる酢酸溶液を用意し、これらの酢酸溶液を用いて、フッ化リチウムの溶解可否を確認する実験１を行った。実験１では、まず、図７を参照して説明した有機層ＯＲ１０及び上電極ＵＥ１０を形成した後に、フッ化リチウム層を形成した処理基板を用意する。フッ化リチウム層の厚さは、約８０ｎｍである。処理基板を酢酸溶液に浸漬する時間は２分とした。その後、フッ化リチウム層が残留しているか否か、また、隔壁６が酢酸溶液で溶解することによるダメージがあるか否か、を確認した。

図１３は、実験１の結果を示す図である。
濃度０．０１％（ｐＨ３．６）の酢酸溶液を適用した場合、フッ化リチウム層の一部が残留し、また、隔壁６のダメージは確認されなかった。
濃度０．１％（ｐＨ３．４）の酢酸溶液を適用した場合、フッ化リチウム層は残留せず、また、隔壁６のダメージは確認されなかった。
濃度０．５％（ｐＨ３．０）の酢酸溶液を適用した場合、フッ化リチウム層は残留せず、また、隔壁６のダメージは確認されなかった。
濃度１％（ｐＨ２．８）の酢酸溶液を適用した場合、フッ化リチウム層は残留せず、また、隔壁６のダメージは確認されなかった。
濃度２％（ｐＨ２．７）の酢酸溶液を適用した場合、フッ化リチウム層は残留せず、また、隔壁６のダメージは確認されなかった。
濃度９９．８％（ｐＨ２．５）の酢酸溶液を適用した場合、フッ化リチウム層は残留せず、また、隔壁６のダメージは確認されなかった。

発明者は、同一濃度の酢酸溶液を用いて複数回にわたって同様の実験を繰り返したところ、酢酸溶液の濃度が０．１％の場合に安定してフッ化リチウム層を溶解できることを確認した。また、酢酸溶液の濃度が９９．８％の場合に、浸漬時間を１０分まで延長しても、隔壁６のダメージがないことも確認した。
また、処理基板の酢酸溶液への浸漬時間を延長することでフッ化リチウム層の溶解が進行する。このため、酢酸濃度が０．０１％の場合であっても、浸漬時間を２分より長く延長することで、フッ化リチウム層をすべて除去することができる。

上記の実験１の結果に基づき、フッ化リチウム層を確実に除去し且つ隔壁６へのダメージを抑制する観点で、酸性溶液として酢酸溶液を適用することが好適であることが確認された。また、酢酸濃度が０．０１％以上の範囲（ｐＨ３．６以下の範囲）、好ましくは酢酸濃度が０．０１％より大きい範囲（ｐＨ３．６より小さい範囲）であれば、フッ化リチウム層を除去できることも確認された。実験１の結果によれば、フッ化リチウム層を除去できる酢酸濃度は、０．０１％以上、９９．８％以下の範囲であり、好ましくは酢酸濃度が０．０１％より大きく、９９．８％以下の範囲である。また、フッ化リチウム層を除去できる酸性溶液のｐＨとしては、２．５以上、３．６以下の範囲であり、好ましくはｐＨが２．５以上であり、３．６より小さい範囲である。

次に、発明者は、濃度（重量％濃度）が異なる酢酸溶液を用意し、これらの酢酸溶液を用いた浸漬時間を変えて、フッ化リチウムの溶解可否を確認する実験２を行った。実験２では、まず、図７を参照して説明した有機層ＯＲ１０及び上電極ＵＥ１０を形成した後に、フッ化リチウム層を形成した処理基板を用意する。フッ化リチウム層の厚さは、約１００ｎｍである。その後、フッ化リチウム層が残留しているか否か、を確認した。

図１４は、実験２の結果を示す図である。
濃度０．１％の酢酸溶液を適用した場合、浸漬時間が５分のときにはフッ化リチウム層がわずかに残留し、浸漬時間が１０分及び１５分のときにはフッ化リチウム層は残留しなかった。
濃度０．５％の酢酸溶液を適用した場合、浸漬時間が５分のときにはフッ化リチウム層がわずかに残留し、浸漬時間が１０分及び１５分のときにはフッ化リチウム層は残留しなかった。
濃度１％の酢酸溶液を適用した場合、浸漬時間が５分のときにはフッ化リチウム層がわずかに残留し、浸漬時間が１０分及び１５分のときにはフッ化リチウム層は残留しなかった。
濃度２％の酢酸溶液を適用した場合、浸漬時間が５分のときにはフッ化リチウム層がわずかに残留し、浸漬時間が１０分及び１５分のときにはフッ化リチウム層は残留しなかった。
濃度５％の酢酸溶液を適用した場合、浸漬時間が５分のときにはフッ化リチウム層がわずかに残留し、浸漬時間が１０分及び１５分のときにはフッ化リチウム層は残留しなかった。
濃度１０％の酢酸溶液を適用した場合、浸漬時間が５分のときにはフッ化リチウム層がわずかに残留し、浸漬時間が１０分及び１５分のときにはフッ化リチウム層は残留しなかった。
濃度１５％の酢酸溶液を適用した場合、浸漬時間が５分のときにはフッ化リチウム層がわずかに残留し、浸漬時間が１０分及び１５分のときにはフッ化リチウム層は残留しなかった。

上記の実験２の結果に基づき、酢酸濃度が０．１％以上、１５％以下の範囲において、フッ化リチウム層の溶解速度の差はほとんどないことが確認された。フッ化リチウム層を確実に除去するための最適な浸漬時間は、フッ化リチウム層の厚さに応じて決まる。例えば、上記の実験２のように、フッ化リチウム層の厚さが１００ｎｍである場合には、浸漬時間を５分より長く設定する、好ましくは浸漬時間を１０分以上に設定すればよい。
以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性を向上し、製造歩留まりを向上することが可能な表示装置の製造方法を提供することができる。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置の製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素 ２０…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ，ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極（アノード）
ＵＥ，ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３，ＵＥ１０…上電極（カソード）
ＯＲ，ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３，ＯＲ１０…有機層
ＴＬ，ＴＬ１，ＴＬ２，ＴＬ３，ＴＬ１０…透明層（キャップ層、高屈折率層）
ＩＬ，ＩＬ１，ＩＬ２，ＩＬ３，ＩＬ１０…無機層（キャップ層、低屈折率層）
１０…基板 ５…リブ ６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＥ，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，ＳＥ１０…封止層
４１…レジスト

Claims (13)

1. 基板の上方に、下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部及び前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を形成した処理基板を用意し、
   前記下電極を覆う第１有機層、及び、前記第１有機層から離間し前記上部の上に位置する第２有機層を形成し、
   前記第１有機層の上に位置し前記下部に接する第１上電極、及び、前記第１上電極から離間し前記第２有機層の上に位置する第２上電極を形成し、
   前記第１上電極の上に位置する第１透明層、及び、前記第１透明層から離間し前記第２上電極の上に位置する第２透明層を形成し、
   前記第１透明層の上に位置する第１無機層、及び、前記第１無機層から離間し前記第２透明層の上に位置する第２無機層を形成し、
   前記第１無機層及び前記第２無機層の上に位置し、前記隔壁を覆う封止層を形成し、
   前記下電極の直上の前記封止層を覆うとともに前記隔壁の直上の前記封止層の一部を覆うレジストを形成し、
   前記レジストをマスクとしてドライエッチングを行い、前記レジストから露出した前記封止層を除去し、
   前記レジストをマスクとし、酸性溶液を用いたウエットエッチングを行い、前記レジストから露出した前記第２無機層を除去する、表示装置の製造方法。
2. 前記第１無機層及び前記第２無機層は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）によって形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 前記第１無機層及び前記第２無機層の厚さは、２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である、請求項２に記載の表示装置の製造方法。
4. 前記第１無機層及び前記第２無機層の屈折率は、前記第１透明層及び前記第２透明層の屈折率より小さい、請求項２に記載の表示装置の製造方法。
5. 前記酸性溶液は、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、及び、ブタン酸の少なくとも１つの有機酸の溶液である、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
6. 前記酸性溶液は、酢酸溶液であり、
   酢酸濃度は、０．０１％以上である、請求項５に記載の表示装置の製造方法。
7. 前記酢酸濃度は、０．１％以上、１５％以下である、請求項６に記載の表示装置の製造方法。
8. 前記酸性溶液のｐＨは、２．５以上、３．６以下である、請求項５に記載の表示装置の製造方法。
9. 前記酸性溶液は、硝酸、及び、塩酸の少なくとも１つの無機酸の溶液である、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
10. 前記第１有機層及び前記第２有機層は、同一材料で形成した発光層を含む、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
11. さらに、前記レジストをマスクとして、前記レジストから露出した前記第２透明層を除去する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
12. さらに、前記レジストをマスクとして、前記レジストから露出した前記第２上電極を除去する、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
13. さらに、前記レジストをマスクとして、前記レジストから露出した前記第２有機層を除去する、請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

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