JP2023109533A - 表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、基板の上方に下電極を形成し、前記下電極に重なる絶縁層を形成し、前記絶縁層の上方に、第１アルミニウム層を形成し、前記第１アルミニウム層を冷却し、前記第１アルミニウム層の上に第２アルミニウム層を形成し、前記第２アルミニウム層の上方に薄膜を形成し、前記第１アルミニウム層、前記第２アルミニウム層、及び、前記薄膜のエッチングを行い、前記第１アルミニウム層及び前記第２アルミニウム層を含む下部、及び、前記薄膜を含み前記下部の側面から突出した上部を有する隔壁を形成し、前記下電極の上に位置する有機層を形成し、前記有機層の上に位置し、前記隔壁の前記下部に接する上電極を形成する。
【選択図】図７

Description

本発明の実施形態は、表示装置の製造方法に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号

本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置の製造方法を提供することにある。

一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極に重なる絶縁層を形成し、前記絶縁層の上方に、第１アルミニウム層を形成し、前記第１アルミニウム層を冷却し、前記第１アルミニウム層の上に第２アルミニウム層を形成し、前記第２アルミニウム層の上方に薄膜を形成し、前記第１アルミニウム層、前記第２アルミニウム層、及び、前記薄膜のエッチングを行い、前記第１アルミニウム層及び前記第２アルミニウム層を含む下部、及び、前記薄膜を含み前記下部の側面から突出した上部を有する隔壁を形成し、前記下電極の上に位置する有機層を形成し、前記有機層の上に位置し、前記隔壁の前記下部に接する上電極を形成する。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。 図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。 図４は、表示素子２０の構成の一例を示す図である。 図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。 図６は、処理基板ＳＵＢを用意する工程を説明するための図である。 図７は、処理基板ＳＵＢを用意する工程を説明するための図である。 図８は、処理基板ＳＵＢを用意する工程を説明するための図である。 図９は、処理基板ＳＵＢを用意する工程を説明するための図である。 図１０は、処理基板ＳＵＢを用意する工程を説明するための図である。 図１１は、ステップＳＴ１を経て用意した処理基板ＳＵＢの断面図である。 図１２は、第１薄膜３１を形成する工程を説明するための図である。 図１３は、レジスト４１を形成する工程を説明するための図である。 図１４は、レジスト４１をマスクとしてエッチングする工程を説明するための図である。 図１５は、レジスト４１を除去する工程を説明するための図である。 図１６は、副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間の隔壁６を拡大した断面図である。

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および青色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。例えば、副画素ＳＰ１は赤色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ２は緑色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ３は青色の波長域の光を放つ表示素子２０を備えている。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ１，ＳＰ２がそれぞれ副画素ＳＰ３と第１方向Ｘに並んでいる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１，ＳＰ２が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、開口ＡＰ２が開口ＡＰ１よりも大きく、開口ＡＰ３が開口ＡＰ２よりも大きい。

隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ３の間、および、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ２，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙは、互いに接続されている。これにより、隔壁６は、全体として開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。

図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、および、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のそれぞれの周縁部は、リブ５に重なっている。上電極ＵＥ１の外形は有機層ＯＲ１の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。上電極ＵＥ２の外形は有機層ＯＲ２の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。上電極ＵＥ３の外形は有機層ＯＲ３の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子２０のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子２０のカソード、あるいは、共通電極に相当する。

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層（有機絶縁層）１２の上に配置されている。絶縁層（無機絶縁層）５は、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された下部（茎）６１と、下部６１の上面を覆う上部（笠）６２と、を含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。

図２に示した有機層ＯＲ１は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ１ａおよび第２部分ＯＲ１ｂを含む。第１部分ＯＲ１ａは、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、下電極ＬＥ１を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ１ｂは、上部６２の上に位置している。
また、図２に示した上電極ＵＥ１は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ１ａおよび第２部分ＵＥ１ｂを含む。第１部分ＵＥ１ａは、下電極ＬＥ１と対向するとともに、第１部分ＯＲ１ａの上に位置している。さらに、第１部分ＵＥ１ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ１ｂの上に位置している。

図２に示した有機層ＯＲ２は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ２ａおよび第２部分ＯＲ２ｂを含む。第１部分ＯＲ２ａは、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、下電極ＬＥ２を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ２ｂは、上部６２の上に位置している。
また、図２に示した上電極ＵＥ２は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ２ａおよび第２部分ＵＥ２ｂを含む。第１部分ＵＥ２ａは、下電極ＬＥ２と対向するとともに、第１部分ＯＲ２ａの上に位置している。さらに、第１部分ＵＥ２ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ２ｂの上に位置している。

図２に示した有機層ＯＲ３は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ３ａおよび第２部分ＯＲ３ｂを含む。第１部分ＯＲ３ａは、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、下電極ＬＥ３を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ３ｂは、上部６２の上に位置している。
また、図２に示した上電極ＵＥ３は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ３ａおよび第２部分ＵＥ３ｂを含む。第１部分ＵＥ３ａは、下電極ＬＥ３と対向するとともに、第１部分ＯＲ３ａの上に位置している。さらに、第１部分ＵＥ３ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ３ｂの上に位置している。

図３に示す例では、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層（光学調整層）ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３を含む。

キャップ層ＣＰ１は、互いに離間した第１部分ＣＰ１ａおよび第２部分ＣＰ１ｂを含む。第１部分ＣＰ１ａは、開口ＡＰ１に位置し、第１部分ＵＥ１ａの上に位置している。第２部分ＣＰ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ１ｂの上に位置している。

キャップ層ＣＰ２は、互いに離間した第１部分ＣＰ２ａおよび第２部分ＣＰ２ｂを含む。第１部分ＣＰ２ａは、開口ＡＰ２に位置し、第１部分ＵＥ２ａの上に位置している。第２部分ＣＰ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ２ｂの上に位置している。

キャップ層ＣＰ３は、互いに離間した第１部分ＣＰ３ａおよび第２部分ＣＰ３ｂを含む。第１部分ＣＰ３ａは、開口ＡＰ３に位置し、第１部分ＵＥ３ａの上に位置している。第２部分ＣＰ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ３ｂの上に位置している。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、第１部分ＣＰ１ａ、隔壁６、及び、第２部分ＣＰ１ｂを含む副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、第１部分ＣＰ２ａ、隔壁６、及び、第２部分ＣＰ２ｂを含む副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、第１部分ＣＰ３ａ、隔壁６、及び、第２部分ＣＰ３ｂを含む副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の第２部分ＯＲ１ｂ、第２部分ＵＥ１ｂ、第２部分ＣＰ１ｂ、及び、封止層ＳＥ１と、当該隔壁６上の第２部分ＯＲ３ｂ、第２部分ＵＥ３ｂ、第２部分ＣＰ３ｂ、及び、封止層ＳＥ３とが離間している。また、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６上の第２部分ＯＲ２ｂ、第２部分ＵＥ２ｂ、第２部分ＣＰ２ｂ、及び、封止層ＳＥ２と、当該隔壁６上の第２部分ＯＲ３ｂ、第２部分ＵＥ３ｂ、第２部分ＣＰ３ｂ、及び、封止層ＳＥ３とが離間している。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。さらに、封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。

絶縁層１２は、有機材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機材料で形成されている。無機材料で形成されたリブ５の厚さは、隔壁６や絶縁層１２の厚さに比べて十分に小さい。一例では、リブ５の厚さは２００ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下である。

隔壁６の下部６１は、導電材料によって形成されている。隔壁６の下部６１及び上部６２がいずれも導電性を有してもよい。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）などの金属材料と透明導電材料の積層構造を有してもよい。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位が上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位よりも相対的に高い場合、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がカソードに相当する。また、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位が下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位よりも相対的に高い場合、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がアノードに相当し、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がカソードに相当する。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の機能層を含む。また、有機層ＯＲ１の第１部分ＯＲ１ａおよび第２部分ＯＲ１ｂは、同一材料で形成した発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２の第１部分ＯＲ２ａおよび第２部分ＯＲ２ｂは、同一材料で形成した発光層ＥＭ２を含む。有機層ＯＲ３の第１部分ＯＲ３ａおよび第２部分ＯＲ３ｂは、同一材料で形成した発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ１、発光層ＥＭ２、及び、発光層ＥＭ３は、互いに異なる波長域の光を放つ材料によって形成されている。

キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、例えば、透明な薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいてもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、省略してもよい。

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した各上電極の第１部分ＵＥ１ａ，ＵＥ２ａ，ＵＥ３ａにそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１のうちの第１部分ＯＲ１ａの発光層ＥＭ１が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２のうちの第１部分ＯＲ２ａの発光層ＥＭ２が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３のうちの第１部分ＯＲ３ａの発光層ＥＭ３が青色の波長域の光を放つ。

他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

図４は、表示素子２０の構成の一例を示す図である。
図４に示す下電極ＬＥは、図３の下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の各々に相当する。図４に示す有機層ＯＲは、図３の有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々に相当する。図４に示す上電極ＵＥは、図３の上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の各々に相当する。

有機層ＯＲは、キャリア調整層ＣＡ１と、発光層ＥＭと、キャリア調整層ＣＡ２と、を有している。キャリア調整層ＣＡ１は下電極ＬＥと発光層ＥＭとの間に位置し、キャリア調整層ＣＡ２は発光層ＥＭと上電極ＵＥとの間に位置している。キャリア調整層ＣＡ１及びＣＡ２は、複数の機能層を含んでいる。以下、下電極ＬＥがアノードに相当し、上電極ＵＥがカソードに相当する場合を例に説明する。

キャリア調整層ＣＡ１は、機能層として、正孔注入層Ｆ１１、正孔輸送層Ｆ１２、電子ブロッキング層Ｆ１３などを含んでいる。正孔注入層Ｆ１１は下電極ＬＥの上に配置され、正孔輸送層Ｆ１２は正孔注入層Ｆ１１の上に配置され、電子ブロッキング層Ｆ１３は正孔輸送層Ｆ１２の上に配置され、発光層ＥＭは電子ブロッキング層Ｆ１３の上に配置されている。

キャリア調整層ＣＡ２は、機能層として、正孔ブロッキング層Ｆ２１、電子輸送層Ｆ２２、電子注入層Ｆ２３などを含んでいる。正孔ブロッキング層Ｆ２１は発光層ＥＭの上に配置され、電子輸送層Ｆ２２は正孔ブロッキング層Ｆ２１の上に配置され、電子注入層Ｆ２３は電子輸送層Ｆ２２の上に配置され、上電極ＵＥは電子注入層Ｆ２３の上に配置されている。

なお、キャリア調整層ＣＡ１及びＣＡ２は、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。

次に、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について説明する。

図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素ＳＰα、ＳＰβ、ＳＰγの下地となる処理基板ＳＵＢを用意する工程（ステップＳＴ１）と、副画素ＳＰαを形成する工程（ステップＳＴ２）と、を含む。ステップＳＴ２の後に、副画素ＳＰαを形成する工程と同様の副画素ＳＰβを形成する工程を行い、さらに、副画素ＳＰγを形成する工程を行う。なお、ここでの副画素ＳＰα、ＳＰβ、ＳＰγは、上記の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかである。

ステップＳＴ１においては、まず、基板１０の上に、下電極ＬＥα、ＬＥβ、ＬＥγ、リブ５、及び、隔壁６を形成した処理基板ＳＵＢを用意する。詳細については後述する。

ステップＳＴ２においては、まず、処理基板ＳＵＢに、発光層ＥＭαを含む第１薄膜３１を形成する（ステップＳＴ２１）。その後、第１薄膜３１の上に所定の形状にパターニングされたレジスト４１を形成する（ステップＳＴ２２）。その後、レジスト４１をマスクとしたエッチングにより第１薄膜３１の一部を除去する（ステップＳＴ２３）。その後、レジスト４１を除去する（ステップＳＴ２４）。これにより、副画素ＳＰαが形成される。副画素ＳＰαは、所定の形状の第１薄膜３１を有する表示素子２１を備える。

副画素ＳＰβを形成する工程は、ステップＳＴ２１乃至ステップＳＴ２４と同様の工程を含むが、ステップＳＴ２１では第１薄膜３１の代わりに、発光層ＥＭβを含む第２薄膜３２を形成する。そして、第２薄膜３２をパターニングすることにより、副画素ＳＰβが形成される。副画素ＳＰβは、所定の形状の第２薄膜３２を有する表示素子２２を備える。

副画素ＳＰγを形成する工程は、ステップＳＴ２１乃至ステップＳＴ２４と同様の工程を含むが、ステップＳＴ２１では第１薄膜３１の代わりに、発光層ＥＭγを含む第３薄膜３３を形成する。そして、第３薄膜３３をパターニングすることにより、副画素ＳＰγが形成される。副画素ＳＰγは、所定の形状の第３薄膜３３を有する表示素子２３を備える。

発光層ＥＭα、発光層ＥＭβ、及び、発光層ＥＭγは、互いに異なる波長域の光を放つ材料によって形成されている。

図６乃至図１０は、処理基板ＳＵＢを用意する工程を説明するための図である。なお、各図においては、処理基板ＳＵＢのうち副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間の隔壁６を形成する部分を拡大して示す。
まず、図６の上段に示すように、基板１０の上方に、下電極ＬＥα、ＬＥβを形成する。回路層１１及び絶縁層１２は、基板１０と下電極ＬＥα、ＬＥβとの間に介在している。下電極ＬＥα、ＬＥβは、絶縁層１２の上に位置している。
その後、図６の中段に示すように、下電極ＬＥα、ＬＥβに重なるリブ５を形成する。リブ５は、無機材料によって形成した絶縁層である。リブ５は、下電極ＬＥα、ＬＥβの間で絶縁層１２に重なっている。
その後、図６の下段に示すように、リブ５の上に金属層６０１を形成する。金属層６０１は、リブ５よりも薄い。

続いて、図７に示すように、リブ５の上方であって、金属層６０１の上に、第１アルミニウム層６１１を形成する。第１アルミニウム層６１１は、金属層６０１よりも厚い。第１アルミニウム層６１１の厚さは、例えば、リブ５の厚さよりも大きく、２００ｎｍ以上であり、５００ｎｍ以下であり、好ましくは４００ｎｍ以下である。第１アルミニウム層６１１は、例えば、純アルミニウムによって形成する。

第１アルミニウム層６１１を形成するための製造装置１００は、ステージ１０１と、ステージ１０１に対向するターゲット１０２と、ステージ１０１及びターゲット１０２を収容するチャンバ１０３と、を備えている。

まず、金属層６０１を形成した処理基板ＳＵＢは、チャンバ１０３に導入され、ステージ１０１の上に配置される。チャンバ１０３の内部を真空化し、ターゲット１０２に高電圧を印加することで、ターゲット１０２の表面から飛散したアルミニウムが金属層６０１の上に堆積する。このように、５００ｎｍ以下の厚さになるまで連続的なスパッタリングを行い、第１アルミニウム層６１１を形成する。

アルミニウム層を形成するに際して、スパッタリング時間が長くなると、プラズマ等の熱の影響により、アルミニウムの結晶粒が成長しやすい。発明者が検討したところによると、アルミニウム層が４００ｎｍ以上の厚さになるまで連続的なスパッタリングを行うと、結晶粒が出現しはじめることが確認された。アルミニウム層が５００ｎｍを超える厚さになるまで連続的なスパッタリングを行うと、結晶粒が成長し、不具合をもたらすおそれがある。例えば、局所的に結晶粒が成長すると、第１アルミニウム層６１１の表面の平坦性が損なわれるおそれがある。また、不所望な位置に結晶粒が付着すると、後工程での不具合が生ずるおそれがある。

このため、５００ｎｍ以下、好ましくな４００ｎｍ以下の厚さになるまで第１アルミニウム層６１１を形成した後に、第１アルミニウム層６１１を冷却する。図７に示す例では、第１アルミニウム層６１１を形成した処理基板ＳＵＢをチャンバ１０３の外に排出して第１アルミニウム層６１１の冷却を行う。なお、チャンバ１０３の内部に処理基板ＳＵＢを留めて冷却を行ってもよい。冷却は、第１アルミニウム層６１１の温度が室温程度に低下するまで行う。

続いて、図８に示すように、第１アルミニウム層６１１の上に、第２アルミニウム層６１２を形成する。第２アルミニウム層６１２の厚さは、第１アルミニウム層６１１の厚さと同等であり、例えば、２００ｎｍ以上であり、５００ｎｍ以下であり、好ましくは４００ｎｍ以下である。第２アルミニウム層６１２は、例えば、純アルミニウムによって形成する。

第２アルミニウム層６１２を形成するための製造装置１００は、図７に示した製造装置１００と同様に構成されている。

まず、第１アルミニウム層６１１を形成した処理基板ＳＵＢは、チャンバ１０３に導入され、ステージ１０１の上に配置される。チャンバ１０３の内部を真空化し、ターゲット１０２に高電圧を印加することで、ターゲット１０２の表面から飛散したアルミニウムが第１アルミニウム層６１１の上に堆積する。このように、５００ｎｍ以下の厚さになるまで連続的なスパッタリングを行い、第２アルミニウム層６１２を形成する。第１アルミニウム層６１１及び第２アルミニウム層６１２の総厚は、５００ｎｍより大きく、例えば、さらには、７００ｎｍ以上である。

第２アルミニウム層６１２の形成工程は、第１アルミニウム層６１１の形成工程と同一の製造装置１００を用いて行ってもよいし、異なる製造装置１００を用いて行ってもよい。
ここでは、アルミニウム層として、第１アルミニウム層６１１及び第２アルミニウム層６１２の積層体を形成する例について説明したが、同様のスパッタリング工程を繰り返すことで、３層以上のアルミニウム層を形成してもよい。

続いて、図９に示すように、第２アルミニウム層６１２の上方に、薄膜６２０を形成する。図９に示す例では、薄膜６２０として、第２アルミニウム層６１２の上に第１層６２１を形成した後、第１層６２１の上に第２層６２２を形成する。薄膜６２０は、第２アルミニウム層６１２よりも薄く、リブ５よりも薄い。第２層６２２は、第１層６２１よりも薄い。なお、薄膜６２０は、単層体であってもよいし、３層以上の積層体であってもよい。

続いて、図１０に示すように、金属層６０１、第１アルミニウム層６１１、第２アルミニウム層６１２、及び、薄膜６２０のエッチングを行う。これにより、下部６１及び上部６２を有する隔壁６が形成される。下部６１は、金属層６０１、第１アルミニウム層６１１、及び、第２アルミニウム層６１２を含む。上部６２は、薄膜６２０を含む。上部６２を構成する第１層６２１及び第２層６２２は、下部６１を構成する金属層６０１、第１アルミニウム層６１１、及び、第２アルミニウム層６１２の各々の側面６０１Ｓ、６１１Ｓ、６１２Ｓよりも突出している。なお、図１０に示す例では、下電極ＬＥα、ＬＥβの端部が下部６１の直下に位置している。

上記の工程を経て用意した処理基板ＳＵＢを図１１に示す。
処理基板ＳＵＢは、基板１０の上方に、副画素ＳＰαの下電極ＬＥαと、副画素ＳＰβの下電極ＬＥβと、副画素ＳＰγの下電極ＬＥγと、下電極ＬＥα、ＬＥβ、ＬＥγの各々と重なる開口ＡＰα、ＡＰβ、ＡＰγを有するリブ５と、リブ５の上に配置された隔壁６と、を備えている。なお、図１２乃至図１５においては、絶縁層１２よりも下層の基板１０及び回路層１１の図示を省略する。

以下に、図５に示した副画素ＳＰαを形成する工程（ステップＳＴ２）について説明する。

ステップＳＴ２１においては、図１２に示すように、副画素ＳＰα、副画素ＳＰβ、及び、副画素ＳＰγに亘って、第１薄膜３１を形成する。第１薄膜３１を形成する工程は、処理基板ＳＵＢの上に、発光層ＥＭαを含む有機層ＯＲ１０を形成する工程と、有機層ＯＲ１０の上に上電極ＵＥ１０を形成する工程と、上電極ＵＥ１０の上にキャップ層ＣＰ１０を形成する工程と、キャップ層ＣＰ１０の上に封止層ＳＥ１０を形成する工程と、を含む。ここでの封止層ＳＥ１０は、無機材料によって形成する。つまり、図示した例では、第１薄膜３１は、有機層ＯＲ１０、上電極ＵＥ１０、キャップ層ＣＰ１０、及び、封止層ＳＥ１０を含む。

有機層ＯＲ１０は、第１有機層ＯＲ１１、第２有機層ＯＲ１２、第３有機層ＯＲ１３、第４有機層ＯＲ１４、及び、第５有機層ＯＲ１５を含む。第１有機層ＯＲ１１、第２有機層ＯＲ１２、第３有機層ＯＲ１３、第４有機層ＯＲ１４、及び、第５有機層ＯＲ１５は、いずれも発光層ＥＭαを含んでいる。
第１有機層ＯＲ１１は、下電極ＬＥαを覆うように形成される。第２有機層ＯＲ１２は、第１有機層ＯＲ１１から離間し、下電極ＬＥαと下電極ＬＥβとの間において隔壁６の上部６２の上に位置している。第３有機層ＯＲ１３は、第２有機層ＯＲ１２から離間し、下電極ＬＥβを覆うように形成される。第４有機層ＯＲ１４は、第３有機層ＯＲ１３から離間し、下電極ＬＥβと下電極ＬＥγとの間において隔壁６の上部６２の上に位置している。第５有機層ＯＲ１５は、第４有機層ＯＲ１４から離間し、下電極ＬＥγを覆うように形成される。

上電極ＵＥ１０は、第１上電極ＵＥ１１、第２上電極ＵＥ１２、第３上電極ＵＥ１３、第４上電極ＵＥ１４、及び、第５上電極ＵＥ１５を含む。
第１上電極ＵＥ１１は、第１有機層ＯＲ１１の上に位置し、下電極ＬＥαと下電極ＬＥβとの間において隔壁６の下部６１に接している。第２上電極ＵＥ１２は、第１上電極ＵＥ１１から離間し、下電極ＬＥαと下電極ＬＥβとの間において第２有機層ＯＲ１２の上に位置している。第３上電極ＵＥ１３は、第２上電極ＵＥ１２から離間し、第３有機層ＯＲ１３の上に位置している。また、第３上電極ＵＥ１３は、図示した例では、下電極ＬＥαと下電極ＬＥβとの間において隔壁６の下部６１に接し、下電極ＬＥβと下電極ＬＥγとの間において隔壁６の下部６１に接しているが、いずれか一方の下部６１に接していてもよい。第４上電極ＵＥ１４は、第３上電極ＵＥ１３から離間し、下電極ＬＥβと下電極ＬＥγとの間において第４有機層ＯＲ１４の上に位置している。第５上電極ＵＥ１５は、第４上電極ＵＥ１４から離間し、第５有機層ＯＲ１５の上に位置し、下電極ＬＥβと下電極ＬＥγとの間において隔壁６の下部６１に接している。

キャップ層ＣＰ１０は、第１キャップ層ＣＰ１１、第２キャップ層ＣＰ１２、第３キャップ層ＣＰ１３、第４キャップ層ＣＰ１４、及び、第５キャップ層ＣＰ１５を含む。
第１キャップ層ＣＰ１１は、第１上電極ＵＥ１１の上に位置している。第２キャップ層ＣＰ１２は、第１キャップ層ＣＰ１１から離間し、第２上電極ＵＥ１２の上に位置している。第３キャップ層ＣＰ１３は、第２キャップ層ＣＰ１２から離間し、第３上電極ＵＥ１３の上に位置している。第４キャップ層ＣＰ１４は、第３キャップ層ＣＰ１３から離間し、第４上電極ＵＥ１４の上に位置している。第５キャップ層ＣＰ１５は、第４キャップ層ＣＰ１４から離間し、第５上電極ＵＥ１５の上に位置している。

封止層ＳＥ１０は、第１キャップ層ＣＰ１１、第２キャップ層ＣＰ１２、第３キャップ層ＣＰ１３、第４キャップ層ＣＰ１４、第５キャップ層ＣＰ１５、及び、隔壁６を覆うように形成される。

その後、ステップＳＴ２２においては、図１３に示すように、封止層ＳＥ１０の上にレジスト４１を形成する。レジスト４１は、副画素ＳＰαを覆っている。つまり、レジスト４１は、下電極ＬＥα、第１有機層ＯＲ１１、第１上電極ＵＥ１１、及び、第１キャップ層ＣＰ１１の直上に配置されている。また、レジスト４１は、副画素ＳＰαから隔壁６の上方に延出している。副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間において、レジスト４１は、副画素ＳＰα側（図の左側）に配置され、副画素ＳＰβ側（図の右側）では封止層ＳＥ１０を露出している。図示した例では、レジスト４１は、副画素ＳＰβ及び副画素ＳＰγにおいて、封止層ＳＥ１０を露出している。

その後、ステップＳＴ２３においては、図１４に示すように、レジスト４１をマスクとしてエッチングを行い、レジスト４１から露出した第１薄膜３１を除去する。図示した例では、レジスト４１から露出した、第２有機層ＯＲ１２の一部、第３有機層ＯＲ１３の全部、第４有機層ＯＲ１４の全部、第５有機層ＯＲ１５の全部、第２上電極ＵＥ１２の一部、第３上電極ＵＥ１３の全部、第４上電極ＵＥ１４の全部、第５上電極ＵＥ１５の全部、第２キャップ層ＣＰ１２の一部、第３キャップ層ＣＰ１３の全部、第４キャップ層ＣＰ１４の全部、第５キャップ層ＣＰ１５の全部、及び、封止層ＳＥ１０の一部を除去する。これにより、副画素ＳＰβでは下電極ＬＥβが露出し、副画素ＳＰγでは下電極ＬＥγが露出する。

副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間の隔壁６について、上部６２の直上では、副画素ＳＰα側に第２有機層ＯＲ１２、第２上電極ＵＥ１２、第２キャップ層ＣＰ１２、封止層ＳＥ１０が残留し、副画素ＳＰβ側では第２有機層ＯＲ１２、第２上電極ＵＥ１２、第２キャップ層ＣＰ１２、封止層ＳＥ１０が除去される。このため、隔壁６の副画素ＳＰβ側が露出する。
また、副画素ＳＰβと副画素ＳＰγとの間の隔壁６も露出する。

その後、ステップＳＴ２４においては、図１５に示すように、レジスト４１を除去する。これにより、副画素ＳＰαの封止層ＳＥ１０が露出する。これらのステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４を経て、副画素ＳＰαにおいて、表示素子２１が形成される。表示素子２１は、下電極ＬＥα、発光層ＥＭαを含む第１有機層ＯＲ１１、第１上電極ＵＥ１１、及び、第１キャップ層ＣＰ１１によって構成される。また、表示素子２１は、封止層ＳＥ１０によって覆われる。

副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間の隔壁６の上には、発光層ＥＭαを含む第２有機層ＯＲ１２、第２上電極ＵＥ１２、及び、第２キャップ層ＣＰ１２の積層体が形成され、この積層体は封止層ＳＥ１０で覆われる。また、隔壁６のうち、副画素ＳＰαの側の部分は、積層体ＳＥ１０で覆われる。

図１６は、副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間の隔壁６を拡大した断面図である。なお、図１６では、第１キャップ層及び封止層の図示を省略している。
第１有機層ＯＲ１１は、下電極ＬＥαに接し、リブ５の上に延出し、隔壁６から離間している。第１上電極ＵＥ１１は、第１有機層ＯＲ１１を覆い、第１有機層ＯＲ１１と隔壁６との間でリブ５に接し、金属層６０１の側面６０１Ｓ及び第１アルミニウム層６１１の側面６１１Ｓに接している。

本実施形態によれば、連続的なスパッタリングによって５００ｎｍ以下の厚さを有する第１アルミニウム層６１１を形成した後に、第１アルミニウム層６１１を冷却することにより、アルミニウムの結晶粒の成長が抑制される。このため、第１アルミニウム層６１１の表面が平坦化される。

同様に、連続的なスパッタリングによって５００ｎｍ以下の厚さを有する第２アルミニウム層６１２を形成することにより、５００ｎｍを超える総厚のアルミニウム層を形成することができる。このようなアルミニウム層は、隔壁６の下部６１を構成する。したがって、比較的高い高さの隔壁６を容易に形成することができる。また、各アルミニウム層の厚さを制御したり、アルミニウム層の層数を調整したりすることにより、所望の高さの隔壁６を容易に形成することができる。

また、第２アルミニウム層６１２を形成する過程でのアルミニウムの結晶粒の成長が抑制される。このため、第２アルミニウム層６１２の表面が平坦化される。そして、第２アルミニウム層６１２の上に形成される薄膜６２０のクラックが抑制される。

さらには、処理基板ＳＵＢのアライメントマークなどの不所望な位置への結晶粒の付着が抑制される。このため、例えば、レジスト４１をパターニングする際に、アライメントマークを確実に読み取ることができ、レジスト４１の位置ずれが抑制される。

したがって、信頼性の低下を抑制することができる。

上記した例の副画素ＳＰαは、図２に示した副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかである。例えば、副画素ＳＰαが副画素ＳＰ１に相当する場合、下電極ＬＥαは下電極ＬＥ１に相当し、第１有機層ＯＲ１１は第１部分ＯＲ１ａに相当し、第２有機層ＯＲ１２は第２部分ＯＲ１ｂに相当し、発光層ＥＭαが第１発光層ＥＭ１に相当し、第１上電極ＵＥ１１は第１部分ＵＥ１ａに相当し、第２上電極ＵＥ１２は第２部分ＵＥ１ｂに相当し、第１キャップ層ＣＰ１１は第１部分ＣＰ１ａに相当し、第２キャップ層ＣＰ１２は第２部分ＣＰ１ｂに相当し、封止層ＳＥ１０は封止層ＳＥ１に相当する。

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制し、製造歩留まりを向上することが可能な表示装置の製造方法を提供することができる。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置の製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置
１０…基板 １２…絶縁層 ５…リブ（絶縁層） ６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰα，ＳＰβ，ＳＰγ…副画素
２０，２１，２２，２３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ，ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３，ＬＥα，ＬＥβ，ＬＥγ…下電極（アノード）
ＵＥ，ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３，ＵＥ１０…上電極（カソード）
ＯＲ，ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３，ＯＲ１０…有機層
ＣＰ，ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰ１０…キャップ層
ＳＥ，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，ＳＥ１０…封止層

Claims (7)

1. 基板の上方に下電極を形成し、
   前記下電極に重なる絶縁層を形成し、
   前記絶縁層の上方に、第１アルミニウム層を形成し、
   前記第１アルミニウム層を冷却し、
   前記第１アルミニウム層の上に第２アルミニウム層を形成し、
   前記第２アルミニウム層の上方に薄膜を形成し、
   前記第１アルミニウム層、前記第２アルミニウム層、及び、前記薄膜のエッチングを行い、前記第１アルミニウム層及び前記第２アルミニウム層を含む下部、及び、前記薄膜を含み前記下部の側面から突出した上部を有する隔壁を形成し、
   前記下電極の上に位置する有機層を形成し、
   前記有機層の上に位置し、前記隔壁の前記下部に接する上電極を形成する、表示装置の製造方法。
2. 前記第１アルミニウム層及び前記第２アルミニウム層の各々は、５００ｎｍ以下の厚さまで連続的なスパッタリングにより形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 前記第１アルミニウム層を冷却する工程は、前記第１アルミニウム層を形成した処理基板をチャンバの外に排出して行う、請求項２に記載の表示装置の製造方法。
4. 前記第１アルミニウム層及び前記第２アルミニウム層の各々は、純アルミニウムによって形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
5. 前記第１アルミニウム層を形成する前に、前記絶縁層の上に金属層を形成し、
   前記第１アルミニウム層は、前記金属層の上に形成し、
   前記金属層のエッチングは、前記第１アルミニウム層のエッチングと同時に行い、
   前記上電極は、前記金属層及び前記第１アルミニウム層の各々の側面に接する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
6. 前記絶縁層は、無機材料によって形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
7. 前記第１アルミニウム層及び前記第２アルミニウム層の総厚は、５００ｎｍより大きい、請求項１に記載の表示装置の製造方法。

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