JP2023122328A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置は、第1下電極及び第2下電極と、第1下電極と重なる第1開口及び第2下電極と重なる第2開口を有するリブと、第1開口と第2開口との間で前記リブの上に配置された下部と、下部の上に配置され下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、第1開口において第1下電極の上に配置され、第1発光層を含む第1有機層と、第2開口において第2下電極の上に配置され、第1発光層とは異なる材料で形成された第2発光層を含む第2有機層と、第1有機層の上に配置され隔壁の下部に接する第1上電極と、第2有機層の上に配置され隔壁の下部に接する第2上電極と、第1上電極の上方に配置され隔壁の下部に接し隔壁の上部の上に延出した第1封止層と、第2上電極の上方に配置され隔壁の下部に接し隔壁の上部の上に延出し第1封止層から離間した第2封止層と、を備える。
【選択図】図3
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置は、第1下電極及び第2下電極と、第1下電極と重なる第1開口及び第2下電極と重なる第2開口を有するリブと、第1開口と第2開口との間で前記リブの上に配置された下部と、下部の上に配置され下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、第1開口において第1下電極の上に配置され、第1発光層を含む第1有機層と、第2開口において第2下電極の上に配置され、第1発光層とは異なる材料で形成された第2発光層を含む第2有機層と、第1有機層の上に配置され隔壁の下部に接する第1上電極と、第2有機層の上に配置され隔壁の下部に接する第2上電極と、第1上電極の上方に配置され隔壁の下部に接し隔壁の上部の上に延出した第1封止層と、第2上電極の上方に配置され隔壁の下部に接し隔壁の上部の上に延出し第1封止層から離間した第2封止層と、を備える。
【選択図】図3
Description
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
近年、表示素子として有機発光ダイオード(OLED)を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。
本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。
一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、前記基板の上方に配置された第1下電極及び第2下電極と、前記第1下電極と重なる第1開口及び前記第2下電極と重なる第2開口を有するリブと、前記第1開口と前記第2開口との間で前記リブの上に配置された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記第1開口において前記第1下電極の上に配置され、第1発光層を含む第1有機層と、前記第2開口において前記第2下電極の上に配置され、前記第1発光層とは異なる材料で形成された第2発光層を含む第2有機層と、前記第1有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接する第1上電極と、前記第2有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接する第2上電極と、前記第1上電極の上方に配置され、前記隔壁の前記下部に接し、前記隔壁の前記上部の上に延出した第1封止層と、前記第2上電極の上方に配置され、前記隔壁の前記下部に接し、前記隔壁の前記上部の上に延出し、前記第1封止層から離間した第2封止層と、を備える。
基板と、前記基板の上方に配置された第1下電極及び第2下電極と、前記第1下電極と重なる第1開口及び前記第2下電極と重なる第2開口を有するリブと、前記第1開口と前記第2開口との間で前記リブの上に配置された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記第1開口において前記第1下電極の上に配置され、第1発光層を含む第1有機層と、前記第2開口において前記第2下電極の上に配置され、前記第1発光層とは異なる材料で形成された第2発光層を含む第2有機層と、前記第1有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接する第1上電極と、前記第2有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接する第2上電極と、前記第1上電極の上方に配置され、前記隔壁の前記下部に接し、前記隔壁の前記上部の上に延出した第1封止層と、前記第2上電極の上方に配置され、前記隔壁の前記下部に接し、前記隔壁の前記上部の上に延出し、前記第1封止層から離間した第2封止層と、を備える。
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を記載する。X軸に沿った方向を第1方向と称し、Y軸に沿った方向を第2方向と称し、Z軸に沿った方向を第3方向と称する。第3方向Zと平行に各種要素を見ることを平面視という。
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード(OLED)を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
図1は、表示装置DSPの構成例を示す図である。
表示装置DSPは、絶縁性の基板10の上に、画像を表示する表示領域DAと、表示領域DAの周辺の周辺領域SAと、を有している。基板10は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
表示装置DSPは、絶縁性の基板10の上に、画像を表示する表示領域DAと、表示領域DAの周辺の周辺領域SAと、を有している。基板10は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
本実施形態においては、平面視における基板10の形状が長方形である。ただし、基板10の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
表示領域DAは、第1方向Xおよび第2方向Yにマトリクス状に配列された複数の画素PXを備えている。画素PXは、複数の副画素SPを含む。一例では、画素PXは、赤色の副画素SP1、青色の副画素SP2および緑色の副画素SP3を含む。なお、画素PXは、副画素SP1,SP2,SP3とともに、あるいは副画素SP1,SP2,SP3のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素SPを含んでもよい。
副画素SPは、画素回路1と、画素回路1によって駆動される表示素子20とを備えている。画素回路1は、画素スイッチ2と、駆動トランジスタ3と、キャパシタ4とを備えている。画素スイッチ2および駆動トランジスタ3は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
画素スイッチ2のゲート電極は、走査線GLに接続されている。画素スイッチ2のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線SLに接続され、他方は駆動トランジスタ3のゲート電極およびキャパシタ4に接続されている。駆動トランジスタ3において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線PLおよびキャパシタ4に接続され、他方は表示素子20のアノードに接続されている。
なお、画素回路1の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路1は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。
表示素子20は、発光素子としての有機発光ダイオード(OLED)であり、有機EL素子と称する場合がある。例えば、副画素SP1は赤色の波長域の光を放つ表示素子20を備え、副画素SP2は青色の波長域の光を放つ表示素子20を備え、副画素SP3は緑色の波長域の光を放つ表示素子20を備えている。
図2は、副画素SP1,SP2,SP3のレイアウトの一例を示す図である。
図2の例においては、副画素SP1と副画素SP3が第2方向Yに並んでいる。さらに、副画素SP1,SP3がそれぞれ副画素SP2と第1方向Xに並んでいる。
図2の例においては、副画素SP1と副画素SP3が第2方向Yに並んでいる。さらに、副画素SP1,SP3がそれぞれ副画素SP2と第1方向Xに並んでいる。
副画素SP1,SP2,SP3がこのようなレイアウトである場合、表示領域DAには、副画素SP1,SP3が第2方向Yに交互に配置された列と、複数の副画素SP2が第2方向Yに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第1方向Xに交互に並ぶ。
なお、副画素SP1,SP2,SP3のレイアウトは図2の例に限られない。他の一例として、各画素PXにおける副画素SP1,SP2,SP3が第1方向Xに順に並んでいてもよい。
表示領域DAには、リブ5および隔壁6が配置されている。リブ5は、副画素SP1,SP2,SP3においてそれぞれ開口AP1,AP2,AP3を有している。図2の例においては、開口AP3が開口AP1よりも大きく、開口AP2が開口AP3よりも大きい。
隔壁6は、平面視においてリブ5と重なっている。隔壁6は、第1方向Xに延びる複数の第1隔壁6xと、第2方向Yに延びる複数の第2隔壁6yとを有している。複数の第1隔壁6xは、第2方向Yに隣り合う開口AP1,AP3の間、および、第2方向Yに隣り合う2つの開口AP2の間にそれぞれ配置されている。第2隔壁6yは、第1方向Xに隣り合う開口AP1,AP2の間、および、第1方向Xに隣り合う開口AP2,AP3の間にそれぞれ配置されている。
図2の例においては、第1隔壁6xおよび第2隔壁6yは、互いに接続されている。これにより、隔壁6は、全体として開口AP1,AP2,AP3を囲う格子状に形成されている。隔壁6は、リブ5と同様に副画素SP1,SP2,SP3において開口を有するということもできる。
副画素SP1は、開口AP1とそれぞれ重なる下電極LE1、上電極UE1および有機層OR1を備えている。副画素SP2は、開口AP2とそれぞれ重なる下電極LE2、上電極UE2および有機層OR2を備えている。副画素SP3は、開口AP3とそれぞれ重なる下電極LE3、上電極UE3および有機層OR3を備えている。
図2の例においては、下電極LE1、LE2、LE3の外形は点線で示し、有機層OR1、OR2、OR3、および、上電極UE1、UE2、UE3の外形は一点鎖線で示している。下電極LE1、LE2、LE3のそれぞれの周縁部は、リブ5に重なっている。上電極UE1の外形は有機層OR1の外形とほぼ一致し、上電極UE1及び有機層OR1のそれぞれの周縁部は、隔壁6に重なっている。上電極UE2の外形は有機層OR2の外形とほぼ一致し、上電極UE2及び有機層OR2のそれぞれの周縁部は、隔壁6に重なっている。上電極UE3の外形は有機層OR3の外形とほぼ一致し、上電極UE3及び有機層OR3のそれぞれの周縁部は、隔壁6に重なっている。
下電極LE1、上電極UE1および有機層OR1は、副画素SP1の表示素子20を構成する。下電極LE2、上電極UE2および有機層OR2は、副画素SP2の表示素子20を構成する。下電極LE3、上電極UE3および有機層OR3は、副画素SP3の表示素子20を構成する。下電極LE1、LE2、LE3は、例えば、表示素子20のアノードに相当する。上電極UE1、UE2、UE3は、表示素子20のカソード、あるいは、共通電極に相当する。
下電極LE1は、コンタクトホールCH1を通じて副画素SP1の画素回路1(図1参照)に接続されている。下電極LE2は、コンタクトホールCH2を通じて副画素SP2の画素回路1に接続されている。下電極LE3は、コンタクトホールCH3を通じて副画素SP3の画素回路1に接続されている。
図3は、図2中のIII-III線に沿う表示装置DSPの概略的な断面図である。
上述の基板10の上に回路層11が配置されている。回路層11は、図1に示した画素回路1、走査線GL、信号線SLおよび電源線PLなどの各種回路や配線を含む。回路層11は、絶縁層12により覆われている。絶縁層12は、回路層11により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
上述の基板10の上に回路層11が配置されている。回路層11は、図1に示した画素回路1、走査線GL、信号線SLおよび電源線PLなどの各種回路や配線を含む。回路層11は、絶縁層12により覆われている。絶縁層12は、回路層11により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
下電極LE1,LE2,LE3は、絶縁層12の上に配置されている。リブ5は、絶縁層12および下電極LE1,LE2,LE3の上に配置されている。下電極LE1,LE2,LE3の端部は、リブ5により覆われている。つまり、下電極LE1,LE2,LE3の端部は、絶縁層12とリブ5との間に配置されている。下電極LE1,LE2,LE3のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層12がリブ5により覆われている。
隔壁6は、リブ5の上に配置された下部(茎)61と、下部61の上に配置された上部(笠)62と、を含む。図の左側に示した隔壁6の下部61は、開口AP1と開口AP2との間に位置している。図の右側に示した隔壁6の下部61は、開口AP2と開口AP3との間に位置している。上部62は、下部61よりも大きい幅を有している。これにより、図3においては上部62の両端部が下部61の側面よりも突出している。このような隔壁6の形状は、オーバーハング状ということもできる。上部62のうち、下部61よりも突出した部分は、単に突出部と称することがある。
図2に示した有機層OR1は、図3に示すように、互いに離間した第1部分OR1aおよび第2部分OR1bを含む。第1部分OR1aは、開口AP1を通じて下電極LE1に接触し、下電極LE1を覆うとともに、リブ5の一部に重なっている。第2部分OR1bは、上部62の上に配置されている。
また、図2に示した上電極UE1は、図3に示すように、互いに離間した第1部分UE1aおよび第2部分UE1bを含む。第1部分UE1aは、下電極LE1と対向するとともに、第1部分OR1aの上に配置されている。さらに、第1部分UE1aは、下部61の側面に接触している。第2部分UE1bは、隔壁6の上方に位置し、第2部分OR1bの上に配置されている。
第1部分OR1a、及び、第1部分UE1aは、上部62よりも下方に位置している。
また、図2に示した上電極UE1は、図3に示すように、互いに離間した第1部分UE1aおよび第2部分UE1bを含む。第1部分UE1aは、下電極LE1と対向するとともに、第1部分OR1aの上に配置されている。さらに、第1部分UE1aは、下部61の側面に接触している。第2部分UE1bは、隔壁6の上方に位置し、第2部分OR1bの上に配置されている。
第1部分OR1a、及び、第1部分UE1aは、上部62よりも下方に位置している。
図2に示した有機層OR2は、図3に示すように、互いに離間した第1部分OR2aおよび第2部分OR2bを含む。第1部分OR2aは、開口AP2を通じて下電極LE2に接触し、下電極LE2を覆うとともに、リブ5の一部に重なっている。第2部分OR2bは、上部62の上に配置されている。
また、図2に示した上電極UE2は、図3に示すように、互いに離間した第1部分UE2aおよび第2部分UE2bを含む。第1部分UE2aは、下電極LE2と対向するとともに、第1部分OR2aの上に配置されている。さらに、第1部分UE2aは、下部61の側面に接触している。第2部分UE2bは、隔壁6の上方に位置し、第2部分OR2bの上に配置されている。
第1部分OR2a、及び、第1部分UE2aは、上部62よりも下方に位置している。
また、図2に示した上電極UE2は、図3に示すように、互いに離間した第1部分UE2aおよび第2部分UE2bを含む。第1部分UE2aは、下電極LE2と対向するとともに、第1部分OR2aの上に配置されている。さらに、第1部分UE2aは、下部61の側面に接触している。第2部分UE2bは、隔壁6の上方に位置し、第2部分OR2bの上に配置されている。
第1部分OR2a、及び、第1部分UE2aは、上部62よりも下方に位置している。
図2に示した有機層OR3は、図3に示すように、互いに離間した第1部分OR3aおよび第2部分OR3bを含む。第1部分OR3aは、開口AP3を通じて下電極LE3に接触し、下電極LE3を覆うとともに、リブ5の一部に重なっている。第2部分OR3bは、上部62の上に配置されている。
また、図2に示した上電極UE3は、図3に示すように、互いに離間した第1部分UE3aおよび第2部分UE3bを含む。第1部分UE3aは、下電極LE3と対向するとともに、第1部分OR3aの上に配置されている。さらに、第1部分UE3aは、下部61の側面に接触している。第2部分UE3bは、隔壁6の上方に位置し、第2部分OR3bの上に配置されている。
第1部分OR3a、及び、第1部分UE3aは、上部62よりも下方に位置している。
また、図2に示した上電極UE3は、図3に示すように、互いに離間した第1部分UE3aおよび第2部分UE3bを含む。第1部分UE3aは、下電極LE3と対向するとともに、第1部分OR3aの上に配置されている。さらに、第1部分UE3aは、下部61の側面に接触している。第2部分UE3bは、隔壁6の上方に位置し、第2部分OR3bの上に配置されている。
第1部分OR3a、及び、第1部分UE3aは、上部62よりも下方に位置している。
図3に示す例では、副画素SP1,SP2,SP3は、有機層OR1,OR2,OR3の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層(光学調整層)CP1、CP2、CP3を含む。
キャップ層CP1は、互いに離間した第1部分CP1aおよび第2部分CP1bを含む。第1部分CP1aは、開口AP1に位置し、上部62よりも下方に位置し、第1部分UE1aの上に配置されている。第2部分CP1bは、隔壁6の上方に位置し、第2部分UE1bの上に配置されている。
キャップ層CP2は、互いに離間した第1部分CP2aおよび第2部分CP2bを含む。第1部分CP2aは、開口AP2に位置し、上部62よりも下方に位置し、第1部分UE2aの上に配置されている。第2部分CP2bは、隔壁6の上方に位置し、第2部分UE2bの上に配置されている。
キャップ層CP3は、互いに離間した第1部分CP3aおよび第2部分CP3bを含む。第1部分CP3aは、開口AP3に位置し、上部62よりも下方に位置し、第1部分UE3aの上に配置されている。第2部分CP3bは、隔壁6の上方に位置し、第2部分UE3bの上に配置されている。
副画素SP1,SP2,SP3には、封止層SE1,SE2,SE3がそれぞれ配置されている。
封止層SE1は、第1部分CP1a、隔壁6の下部61及び上部62、及び、第2部分CP1bに接し、副画素SP1の各部材を連続的に覆っている。図示した例では、封止層SE1は、隔壁6の上部62の下方(突出部621の下方)に、閉じた空隙V1を有している。空隙V1は、隔壁6から離間している。このような空隙V1は、封止層SE1のうち、隔壁6の下部61の側面に接する部分、隔壁6の上部62の底面に接する部分、及び、第1部分CP1aに接する部分で囲まれている。空隙V1は、開口AP1を囲む隔壁6の全周に沿って形成されるが、部分的に消失している場合があり得る。また、空隙V1は、全体に亘って閉じている。
封止層SE2は、第1部分CP2a、隔壁6の下部61及び上部62、及び、第2部分CP2bに接し、副画素SP2の各部材を連続的に覆っている。封止層SE2は、隔壁6の上部62の下方(突出部622の下方)に、閉じた空隙V2を有している。空隙V2は、隔壁6を挟んで空隙V1の反対側に位置している。空隙V2は、開口AP2を囲む隔壁6の全周に沿って形成されるが、部分的に消失している場合があり得る。また、空隙V2は、全体に亘って閉じている。
封止層SE3は、第1部分CP3a、隔壁6の下部61及び上部62、及び、第2部分CP3bに接し、副画素SP3の各部材を連続的に覆っている。封止層SE3は、隔壁6の上部62の下方(突出部623の下方)に、閉じた空隙V3を有している。空隙V3は、隔壁6を挟んで空隙V2の反対側に位置している。空隙V3は、開口AP3を囲む隔壁6の全周に沿って形成されるが、部分的に消失している場合があり得る。また、空隙V3は、全体に亘って閉じている。
封止層SE1は、第1部分CP1a、隔壁6の下部61及び上部62、及び、第2部分CP1bに接し、副画素SP1の各部材を連続的に覆っている。図示した例では、封止層SE1は、隔壁6の上部62の下方(突出部621の下方)に、閉じた空隙V1を有している。空隙V1は、隔壁6から離間している。このような空隙V1は、封止層SE1のうち、隔壁6の下部61の側面に接する部分、隔壁6の上部62の底面に接する部分、及び、第1部分CP1aに接する部分で囲まれている。空隙V1は、開口AP1を囲む隔壁6の全周に沿って形成されるが、部分的に消失している場合があり得る。また、空隙V1は、全体に亘って閉じている。
封止層SE2は、第1部分CP2a、隔壁6の下部61及び上部62、及び、第2部分CP2bに接し、副画素SP2の各部材を連続的に覆っている。封止層SE2は、隔壁6の上部62の下方(突出部622の下方)に、閉じた空隙V2を有している。空隙V2は、隔壁6を挟んで空隙V1の反対側に位置している。空隙V2は、開口AP2を囲む隔壁6の全周に沿って形成されるが、部分的に消失している場合があり得る。また、空隙V2は、全体に亘って閉じている。
封止層SE3は、第1部分CP3a、隔壁6の下部61及び上部62、及び、第2部分CP3bに接し、副画素SP3の各部材を連続的に覆っている。封止層SE3は、隔壁6の上部62の下方(突出部623の下方)に、閉じた空隙V3を有している。空隙V3は、隔壁6を挟んで空隙V2の反対側に位置している。空隙V3は、開口AP3を囲む隔壁6の全周に沿って形成されるが、部分的に消失している場合があり得る。また、空隙V3は、全体に亘って閉じている。
封止層SE1,SE2,SE3は、保護層13により覆われている。
図3の例においては、副画素SP1,SP2の間の隔壁6上においては、有機層OR1の第2部分OR1bは有機層OR2の第2部分OR2bから離間し、上電極UE1の第2部分UE1bは上電極UE2の第2部分UE2bから離間し、キャップ層CP1の第2部分CP1bはキャップ層CP2の第2部分CP2bから離間し、封止層SE1は封止層SE2から離間している。保護層13は、第2部分OR1bと第2部分OR2bとの間、第2部分UE1bと第2部分UE2bとの間、第2部分CP1bと第2部分CP2bとの間、及び、封止層SE1と封止層SE2との間にそれぞれ配置されている。
また、副画素SP2,SP3の間の隔壁6上においては、有機層OR2の第2部分OR2bは有機層OR3の第2部分OR3bから離間し、上電極UE2の第2部分UE2bは上電極UE3の第2部分UE3bから離間し、キャップ層CP2の第2部分CP2bはキャップ層CP3の第2部分CP3bから離間し、封止層SE2は封止層SE3から離間している。保護層13は、第2部分OR2bと第2部分OR3bとの間、第2部分UE2bと第2部分UE3bとの間、第2部分CP2bと第2部分CP3bとの間、及び、封止層SE2と封止層SE3との間にそれぞれ配置されている。
絶縁層12は、有機絶縁層である。リブ5、および、封止層SE1,SE2,SE3は、無機絶縁層である。
リブ5、および、封止層SE1,SE2,SE3は、例えば、同一の無機絶縁材料で形成されている。
リブ5は、例えば、シリコン窒化物(SiNx)で形成される。なお、リブ5は、シリコン酸化物(SiOx)、シリコン酸窒化物(SiON)、または、酸化アルミニウム(Al2O3)のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、リブ5は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも2つの組合せによる積層体として形成されてもよい。
封止層SE1,SE2,SE3は、例えば、シリコン窒化物(SiNx)で形成されている。
リブ5は、例えば、シリコン窒化物(SiNx)で形成される。なお、リブ5は、シリコン酸化物(SiOx)、シリコン酸窒化物(SiON)、または、酸化アルミニウム(Al2O3)のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、リブ5は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも2つの組合せによる積層体として形成されてもよい。
封止層SE1,SE2,SE3は、例えば、シリコン窒化物(SiNx)で形成されている。
隔壁6の下部61は、導電材料によって形成され、各上電極の第1部分UE1a,UE2a,UE3aと電気的に接続されている。隔壁6の下部61及び上部62がいずれも導電性を有してもよい。
リブ5の厚さT5は、隔壁6や絶縁層12の厚さに比べて十分に小さい。一例では、リブ5の厚さT5は、200nm以上かつ400nm以下である。
隔壁6の上部62の直上において、封止層SE1の厚さT1、封止層SE2の厚さT2、および、封止層SE3の厚さT3は、ほぼ同等であり、2μm以上、5μm以下である。
隔壁6の下部61の厚さ(リブ5の上面から上部62の下面までの厚さ)T61は、リブ5の厚さT5より大きい。また、厚さT1乃至T3は、厚さT61より大きく、厚さT61の2倍以上、5倍以下である。
下電極LE1,LE2,LE3は、ITOなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀(Ag)などの金属材料と透明導電材料の積層構造を有してもよい。上電極UE1,UE2,UE3は、例えばマグネシウムと銀の合金(MgAg)などの金属材料で形成されている。上電極UE1,UE2,UE3は、ITOなどの透明導電材料で形成されてもよい。
隔壁6の下部61の厚さ(リブ5の上面から上部62の下面までの厚さ)T61は、リブ5の厚さT5より大きい。また、厚さT1乃至T3は、厚さT61より大きく、厚さT61の2倍以上、5倍以下である。
下電極LE1,LE2,LE3は、ITOなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀(Ag)などの金属材料と透明導電材料の積層構造を有してもよい。上電極UE1,UE2,UE3は、例えばマグネシウムと銀の合金(MgAg)などの金属材料で形成されている。上電極UE1,UE2,UE3は、ITOなどの透明導電材料で形成されてもよい。
下電極LE1,LE2,LE3の電位が上電極UE1,UE2,UE3の電位よりも相対的に高い場合、下電極LE1,LE2,LE3がアノードに相当し、上電極UE1,UE2,UE3がカソードに相当する。また、上電極UE1,UE2,UE3の電位が下電極LE1,LE2,LE3の電位よりも相対的に高い場合、上電極UE1,UE2,UE3がアノードに相当し、下電極LE1,LE2,LE3がカソードに相当する。
有機層OR1,OR2,OR3は、複数の機能層を含む。また、有機層OR1の第1部分OR1aおよび第2部分OR1bは、同一材料で形成した発光層EM1を含む。有機層OR2の第1部分OR2aおよび第2部分OR2bは、同一材料で形成した発光層EM2を含む。発光層EM2は、発光層EM1とは異なる材料で形成されている。有機層OR3の第1部分OR3aおよび第2部分OR3bは、同一材料で形成した発光層EM3を含む。発光層EM3は、発光層EM1及びEM2とは異なる材料で形成されている。発光層EM1を形成する材料、発光層EM2を形成する材料、及び、発光層EM3を形成する材料は、互いに異なる波長域の光を放つ材料である。
キャップ層CP1、CP2、CP3は、例えば、透明な薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいてもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極UE1、UE2、UE3の材料とは異なり、また、封止層SE1、SE2、SE3の材料とも異なる。なお、キャップ層CP1、CP2、CP3は、省略してもよい。
保護層13は、透明な薄膜の多層体によって形成され、例えば、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいる。
隔壁6には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部61の側面に接触した各上電極の第1部分UE1a,UE2a,UE3aにそれぞれ供給される。下電極LE1,LE2,LE3には、副画素SP1,SP2,SP3がそれぞれ有する画素回路1を通じて画素電圧が供給される。
下電極LE1と上電極UE1の間に電位差が形成されると、有機層OR1のうちの第1部分OR1aの発光層EM1が赤色の波長域の光を放つ。下電極LE2と上電極UE2の間に電位差が形成されると、有機層OR2のうちの第1部分OR2aの発光層EM2が青色の波長域の光を放つ。下電極LE3と上電極UE3の間に電位差が形成されると、有機層OR3のうちの第1部分OR3aの発光層EM3が緑色の波長域の光を放つ。
他の例として、有機層OR1,OR2,OR3の発光層が同一色(例えば白色)の光を放ってもよい。この場合において、表示装置DSPは、発光層が放つ光を副画素SP1,SP2,SP3に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置DSPは、発光層が放つ光により励起して副画素SP1,SP2,SP3に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。
図1乃至図3に示した例においては、開口AP1は第1開口に相当し、開口AP2は第2開口に相当し、下電極LE1は第1下電極に相当し、有機層OR1は第1有機層に相当し、発光層EM1は第1発光層に相当し、上電極UE1は第1上電極に相当し、キャップ層CP1は第1キャップ層に相当し、封止層SE1は第1封止層に相当し、下電極LE2は第2下電極に相当し、有機層OR2は第2有機層に相当し、発光層EM2は第2発光層に相当し、上電極UE2は第2上電極に相当し、キャップ層CP2は第2キャップ層に相当し、封止層SE2は第2封止層に相当する。
図4は、表示素子20の構成の一例を示す図である。
図4に示す下電極LEは、図3の下電極LE1,LE2,LE3の各々に相当する。図4に示す有機層ORは、図3の有機層OR1,OR2,OR3の各々に相当する。図4に示す上電極UEは、図3の上電極UE1,UE2,UE3の各々に相当する。
図4に示す下電極LEは、図3の下電極LE1,LE2,LE3の各々に相当する。図4に示す有機層ORは、図3の有機層OR1,OR2,OR3の各々に相当する。図4に示す上電極UEは、図3の上電極UE1,UE2,UE3の各々に相当する。
有機層ORは、キャリア調整層CA1と、発光層EMと、キャリア調整層CA2と、を有している。キャリア調整層CA1は下電極LEと発光層EMとの間に位置し、キャリア調整層CA2は発光層EMと上電極UEとの間に位置している。キャリア調整層CA1及びCA2は、複数の機能層を含んでいる。以下、下電極LEがアノードに相当し、上電極UEがカソードに相当する場合を例に説明する。
キャリア調整層CA1は、機能層として、正孔注入層F11、正孔輸送層F12、電子ブロッキング層F13などを含んでいる。正孔注入層F11は下電極LEの上に配置され、正孔輸送層F12は正孔注入層F11の上に配置され、電子ブロッキング層F13は正孔輸送層F12の上に配置され、発光層EMは電子ブロッキング層F13の上に配置されている。
キャリア調整層CA2は、機能層として、正孔ブロッキング層F21、電子輸送層F22、電子注入層F23などを含んでいる。正孔ブロッキング層F21は発光層EMの上に配置され、電子輸送層F22は正孔ブロッキング層F21の上に配置され、電子注入層F23は電子輸送層F22の上に配置され、上電極UEは電子注入層F23の上に配置されている。
なお、キャリア調整層CA1及びCA2は、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも1つが省略されてもよい。
次に、表示装置DSPの製造方法の一例について説明する。
図5は、表示装置DSPの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素SPα、SPβ、SPγの下地となる処理基板SUBを用意する工程(ステップST1)と、副画素SPαを形成する工程(ステップST2)と、副画素SPβを形成する工程(ステップST3)と、副画素SPγを形成する工程(ステップST4)と、を含む。なお、ここでの副画素SPα、SPβ、SPγは、上記の副画素SP1,SP2,SP3のいずれかである。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素SPα、SPβ、SPγの下地となる処理基板SUBを用意する工程(ステップST1)と、副画素SPαを形成する工程(ステップST2)と、副画素SPβを形成する工程(ステップST3)と、副画素SPγを形成する工程(ステップST4)と、を含む。なお、ここでの副画素SPα、SPβ、SPγは、上記の副画素SP1,SP2,SP3のいずれかである。
ステップST1においては、まず、基板10の上に、下電極LEα、LEβ、LEγ、リブ5、及び、隔壁6を形成した処理基板SUBを用意する。図3に示したように、基板10と下電極LEα、LEβ、LEγとの間には、回路層11及び絶縁層12も形成される。詳細については後述する。
ステップST2においては、まず、処理基板SUBに、発光層EMαを含む第1薄膜31を形成する(ステップST21)。その後、第1薄膜31の上に所定の形状にパターニングされた第1レジスト41を形成する(ステップST22)。その後、第1レジスト41をマスクとしたエッチングにより第1薄膜31の一部を除去する(ステップST23)。その後、第1レジスト41を除去する(ステップST24)。これにより、副画素SPαが形成される。副画素SPαは、所定の形状の第1薄膜31を有する表示素子21を備える。
ステップST3においては、処理基板SUBに、発光層EMβを含む第2薄膜32を形成する(ステップST31)。その後、第2薄膜32の上に所定の形状にパターニングされた第2レジスト42を形成する(ステップST32)。その後、第2レジスト42をマスクとしたエッチングにより第2薄膜32の一部を除去する(ステップST33)。その後、第2レジスト42を除去する(ステップST34)。これにより、副画素SPβが形成される。副画素SPβは、所定の形状の第2薄膜32を有する表示素子22を備える。
ステップST4においては、処理基板SUBに、発光層EMγを含む第3薄膜33を形成する(ステップST41)。その後、第3薄膜33の上に所定の形状にパターニングされた第3レジスト43を形成する(ステップST42)。その後、第3レジスト43をマスクとしたエッチングにより第3薄膜33の一部を除去する(ステップST43)。その後、第3レジスト43を除去する(ステップST44)。これにより、副画素SPγが形成される。副画素SPγは、所定の形状の第3薄膜33を有する表示素子23を備える。
発光層EMα、発光層EMβ、及び、発光層EMγは、互いに異なる波長域の光を放つ材料によって形成されている。
なお、第2薄膜32、発光層EMβ、表示素子22、第3薄膜33、発光層EMγ、及び、表示素子23の詳細な図示は省略する。
以下、ステップST1及びステップST2について図6乃至図12を参照しながら説明する。
まず、ステップST1においては、図6に示すように、処理基板SUBを用意する。処理基板SUBを用意する工程は、基板10の上に回路層11を形成する工程と、回路層11の上に絶縁層12を形成する工程と、絶縁層12の上に、副画素SPαの下電極LEαと、副画素SPβの下電極LEβと、副画素SPγの下電極LEγとを形成する工程と、下電極LEα、LEβ、LEγの各々と重なる開口APα、APβ、APγを有するリブ5を形成する工程と、リブ5の上に配置された下部61及び下部61の上に配置され下部61の側面から突出した上部62を含む隔壁6を形成する工程と、を含む。なお、図7乃至図12においては、絶縁層12よりも下層の基板10及び回路層11の図示を省略する。
続いて、ステップST21においては、図7に示すように、副画素SPα、副画素SPβ、及び、副画素SPγに亘って、第1薄膜31を形成する。第1薄膜31を形成する工程は、処理基板SUBの上に、発光層EMαを含む有機層OR10を形成する工程と、有機層OR10の上に上電極UE10を形成する工程と、上電極UE10の上にキャップ層CP10を形成する工程と、キャップ層CP10の上に封止層SE10を形成する工程と、を含む。つまり、図示した例では、第1薄膜31は、有機層OR10、上電極UE10、キャップ層CP10、及び、封止層SE10を含む。
有機層OR10は、有機層OR11、有機層OR12、有機層OR13、有機層OR14、及び、有機層OR15を含む。有機層OR11、有機層OR12、有機層OR13、有機層OR14、及び、有機層OR15は、いずれも発光層EMαを含んでいる。
有機層OR11は、下電極LEαを覆うように形成される。有機層OR12は、有機層OR11から離間し、下電極LEαと下電極LEβとの間において隔壁6の上部62の上に位置している。有機層OR13は、有機層OR12から離間し、下電極LEβを覆うように形成される。有機層OR14は、有機層OR13から離間し、下電極LEβと下電極LEγとの間において隔壁6の上部62の上に位置している。有機層OR15は、有機層OR14から離間し、下電極LEγを覆うように形成される。
有機層OR11は、下電極LEαを覆うように形成される。有機層OR12は、有機層OR11から離間し、下電極LEαと下電極LEβとの間において隔壁6の上部62の上に位置している。有機層OR13は、有機層OR12から離間し、下電極LEβを覆うように形成される。有機層OR14は、有機層OR13から離間し、下電極LEβと下電極LEγとの間において隔壁6の上部62の上に位置している。有機層OR15は、有機層OR14から離間し、下電極LEγを覆うように形成される。
上電極UE10は、上電極UE11、上電極UE12、上電極UE13、上電極UE14、及び、上電極UE15を含む。
上電極UE11は、有機層OR11の上に位置し、下電極LEαと下電極LEβとの間において隔壁6の下部61に接している。上電極UE12は、上電極UE11から離間し、下電極LEαと下電極LEβとの間において有機層OR12の上に位置している。上電極UE13は、上電極UE12から離間し、有機層OR13の上に位置している。また、上電極UE13は、図示した例では、下電極LEαと下電極LEβとの間において隔壁6の下部61に接し、下電極LEβと下電極LEγとの間において隔壁6の下部61に接しているが、いずれか一方の下部61に接していてもよい。上電極UE14は、上電極UE13から離間し、下電極LEβと下電極LEγとの間において有機層OR14の上に位置している。上電極UE15は、上電極UE14から離間し、有機層OR15の上に位置し、下電極LEβと下電極LEγとの間において隔壁6の下部61に接している。
上電極UE11は、有機層OR11の上に位置し、下電極LEαと下電極LEβとの間において隔壁6の下部61に接している。上電極UE12は、上電極UE11から離間し、下電極LEαと下電極LEβとの間において有機層OR12の上に位置している。上電極UE13は、上電極UE12から離間し、有機層OR13の上に位置している。また、上電極UE13は、図示した例では、下電極LEαと下電極LEβとの間において隔壁6の下部61に接し、下電極LEβと下電極LEγとの間において隔壁6の下部61に接しているが、いずれか一方の下部61に接していてもよい。上電極UE14は、上電極UE13から離間し、下電極LEβと下電極LEγとの間において有機層OR14の上に位置している。上電極UE15は、上電極UE14から離間し、有機層OR15の上に位置し、下電極LEβと下電極LEγとの間において隔壁6の下部61に接している。
キャップ層CP10は、キャップ層CP11、キャップ層CP12、キャップ層CP13、キャップ層CP14、及び、キャップ層CP15を含む。
キャップ層CP11は、上電極UE11の上に位置している。キャップ層CP12は、キャップ層CP11から離間し、上電極UE12の上に位置している。キャップ層CP13は、キャップ層CP12から離間し、上電極UE13の上に位置している。キャップ層CP14は、キャップ層CP13から離間し、上電極UE14の上に位置している。キャップ層CP15は、キャップ層CP14から離間し、上電極UE15の上に位置している。
キャップ層CP11は、上電極UE11の上に位置している。キャップ層CP12は、キャップ層CP11から離間し、上電極UE12の上に位置している。キャップ層CP13は、キャップ層CP12から離間し、上電極UE13の上に位置している。キャップ層CP14は、キャップ層CP13から離間し、上電極UE14の上に位置している。キャップ層CP15は、キャップ層CP14から離間し、上電極UE15の上に位置している。
封止層SE10は、例えば、CVD(Chemical-Vapor Deposition)工程を経て形成される。封止層SE10は、キャップ層CP11、キャップ層CP12、キャップ層CP13、キャップ層CP14、キャップ層CP15、及び、隔壁6を覆うように形成される。隔壁6を覆う封止層SE10は、上部62の下方に接するとともに、下部61の側面に接している。封止層SE10の厚さT10は、例えば3μmである。封止層SE10は、隔壁6の副画素SPαに面して空隙Vαを有し、隔壁6の副画素SPβに面して空隙Vβを有し、隔壁6の副画素SPγに面して空隙Vγを有している。
その後、ステップST22においては、まず、図8に示すように、封止層SE10の上の全面に亘ってレジスト40を塗布する。このとき、空隙Vα、空隙Vβ、及び、空隙Vγのいずれもが閉じているため、レジスト40がこれらの空隙Vα、空隙Vβ、及び、空隙Vγに流入することが防止される。
その後、このレジスト40をパターニングする。
レジスト40は、例えば、感光性樹脂であり、光照射により感光して現像液に対して可溶性を呈するポジ型である。このため、レジスト40を除去すべき領域に対応した開口を有するマスクを用意し、このマスクを用いてレジスト40を露光する。その後、現像液を用いてレジスト40を現像し、残ったレジストを硬化させる。硬化したレジストは、第1レジスト41に相当する。
その後、このレジスト40をパターニングする。
レジスト40は、例えば、感光性樹脂であり、光照射により感光して現像液に対して可溶性を呈するポジ型である。このため、レジスト40を除去すべき領域に対応した開口を有するマスクを用意し、このマスクを用いてレジスト40を露光する。その後、現像液を用いてレジスト40を現像し、残ったレジストを硬化させる。硬化したレジストは、第1レジスト41に相当する。
図9に示すように、パターニングによって形成された第1レジスト41は、副画素SPαを覆っている。つまり、第1レジスト41は、下電極LEα、有機層OR11、上電極UE11、及び、キャップ層CP11の直上に配置されている。また、第1レジスト41は、副画素SPαから隔壁6の上方に延出している。副画素SPαと副画素SPβとの間において、第1レジスト41は、副画素SPα側(図の左側)に配置され、副画素SPβ側(図の右側)では封止層SE10を露出している。図示した例では、第1レジスト41は、副画素SPβ及び副画素SPγにおいて、封止層SE10を露出している。
その後、ステップST23においては、第1レジスト41をマスクとしてエッチングを行い、第1レジスト41から露出した第1薄膜31を除去する。第1薄膜31を除去する工程は、封止層SE10の一部を除去する工程と、キャップ層CP10の一部を除去する工程と、上電極UE10の一部を除去する工程と、有機層OR10の一部を除去する工程と、を含む。
まず、図10に示すように、第1レジスト41をマスクとしてドライエッチングを行い、第1レジスト41から露出した封止層SE10の一部を除去する。図示した例では、封止層SE10のうち、副画素SPαを覆う部分(キャップ層CP11を覆う部分)、及び、隔壁6の直上における副画素SPα側(図の左側)の部分(キャップ層CP12のうちの副画素SPα側を覆う部分)は残留する。一方で、封止層SE10のうち、隔壁6の直上における副画素SPβ側(図の右側)の部分(キャップ層CP12のうちの副画素SPβ側を覆う部分)、副画素SPβを覆う部分(キャップ層CP13を覆う部分)、副画素SPβと副画素SPγとの間の隔壁6を覆う部分(キャップ層CP14を覆う部分)、及び、副画素SPγを覆う部分(キャップ層CP15を覆う部分)は、除去される。これにより、キャップ層CP12の一部、キャップ層CP13、キャップ層CP14、及び、キャップ層CP15は、封止層SE10から露出する。
そして、図11に示すように、第1レジスト41をマスクとしてエッチングを行い、第1レジスト41及び封止層SE10から露出したキャップ層CP10の一部を除去する。図示した例では、キャップ層CP12の一部、キャップ層CP13の全部、キャップ層CP14の全部、及び、キャップ層CP15の全部を除去する。
そして、第1レジスト41をマスクとしてエッチングを行い、第1レジスト41、封止層SE10、及び、キャップ層CP10から露出した上電極UE10の一部を除去する。図示した例では、上電極UE12の一部、上電極UE13の全部、上電極UE14の全部、及び、上電極UE15の全部を除去する。
そして、第1レジスト41をマスクとしてエッチングを行い、第1レジスト41、封止層SE10、キャップ層CP10、及び、上電極UE10から露出した有機層OR10の一部を除去する。図示した例では、有機層OR12の一部、有機層OR13の全部、有機層OR14の全部、及び、有機層OR15の全部を除去する。
そして、第1レジスト41をマスクとしてエッチングを行い、第1レジスト41、封止層SE10、及び、キャップ層CP10から露出した上電極UE10の一部を除去する。図示した例では、上電極UE12の一部、上電極UE13の全部、上電極UE14の全部、及び、上電極UE15の全部を除去する。
そして、第1レジスト41をマスクとしてエッチングを行い、第1レジスト41、封止層SE10、キャップ層CP10、及び、上電極UE10から露出した有機層OR10の一部を除去する。図示した例では、有機層OR12の一部、有機層OR13の全部、有機層OR14の全部、及び、有機層OR15の全部を除去する。
これにより、副画素SPβでは下電極LEβが露出し、副画素SPγでは下電極LEγが露出する。
副画素SPαと副画素SPβとの間の隔壁6について、上部62の直上では、副画素SPα側に有機層OR12、上電極UE12、キャップ層CP12、封止層SE10が残留し、副画素SPβ側では有機層OR12、上電極UE12、キャップ層CP12、封止層SE10が除去される。このため、隔壁6の副画素SPβ側が露出する。
また、副画素SPβと副画素SPγとの間の隔壁6も露出する。
また、副画素SPβと副画素SPγとの間の隔壁6も露出する。
その後、ステップST24においては、図12に示すように、第1レジスト41を除去する。これにより、副画素SPαの封止層SE10が露出する。これらのステップST21乃至ST24を経て、副画素SPαにおいて、表示素子21が形成される。表示素子21は、下電極LEα、発光層EMαを含む有機層OR11、上電極UE11、及び、キャップ層CP11によって構成される。また、表示素子21は、封止層SE10によって覆われる。
副画素SPαと副画素SPβとの間の隔壁6の上には、発光層EMαを含む有機層OR12、上電極UE12、及び、キャップ層CP12の積層体が形成され、この積層体は封止層SE10で覆われる。また、隔壁6のうち、副画素SPαの側の部分は、封止層SE10で覆われる。
上記した例の副画素SPαは、図2に示した副画素SP1,SP2,SP3のいずれかである。例えば、副画素SPαが副画素SP1に相当する場合、下電極LEαは第1下電極LE1に相当し、有機層OR11は第1有機層の第1部分OR1aに相当し、有機層OR12は第1有機層の第2部分OR1bに相当し、発光層EMαが第1発光層EM1に相当し、上電極UE11は第1上電極の第1部分UE1aに相当し、上電極UE12は第1上電極の第2部分UE1bに相当し、キャップ層CP11は第1キャップ層の第1部分CP1aに相当し、キャップ層CP12は第1キャップ層の第2部分CP1bに相当し、封止層SE10は第1封止層SE1に相当する。
ここで、レジスト40のパターニングする過程において、隔壁6の上部62の下方にレジスト40が流入した場合について説明する。上記の通り、レジスト40がポジ型である場合、上部62の下方に位置するレジスト40は、上部62の陰となって露光されず、現像後に残留する。このため、残留したレジスト40に重なる封止層SE10は、その後のドライエッチング工程で十分に除去できず、残留するおそれがある。また、ドライエッチング工程において、残留したレジスト40に含まれる炭素などに起因して生成物が出現するおそれがある。
例えば、上記の例において、副画素SPβと副画素SPγとの間の隔壁6において、レジスト40が残留したり、生成物が隔壁6に付着したりした場合、下部61の側面に封止層SE10が残存してしまい、副画素SPβ、SPγのそれぞれの上電極と下部61との電気的な接続不良を招くおそれがある。また、副画素SPβあるいは副画素SPγを形成する際に、封止層にクラックが生じて封止不良を招くおそれがある。
本実施形態によれば、隔壁6の上部62の下方へのレジスト40の流入が抑制される。このため、封止層SE10のドライエッチング工程において、第1レジスト41で覆われていない副画素の封止層SE10あるいは隔壁6を覆っていた封止層SE10が確実に除去される。しかも、不所望な生成物の出現が抑制される。このため、後段の副画素形成工程において、上電極と下部とが確実に電気的に接続される。また、後段の副画素形成工程において、表示素子が確実に封止層で封止され、不所望な孔(水分浸入経路)の形成が抑制される。したがって、信頼性の低下を抑制することができる。
発明者が種々検討したところによると、1回のCVD工程を経て形成した封止層SE10の厚さが2μm以上(または、下部61の厚さT61の2倍以上)に設定されることで、封止層SE10に閉じた空隙が形成される、または、空隙の形成が抑制されることを確認した。一方で、封止層SE10の厚さが過度に厚くなると、表示素子から放射された光の透過率の低下を招くおそれがある。このため、封止層SE10の厚さは、5μm以下(または、厚さT61の5倍以下)に設定されることが望ましい。
以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制し、製造歩留まりを向上することが可能な表示装置を提供することができる。
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
DSP…表示装置
10…基板 12…絶縁層 5…リブ
6…隔壁 61…下部 62…上部
SP1,SP2,SP3,SPα,SPβ,SPγ…副画素
20,21,22,23…表示素子(有機EL素子)
LE,LE1,LE2,LE3,LEα,LEβ,LEγ…下電極(アノード)
UE,UE1,UE2,UE3,UE10…上電極(カソード)
OR,OR1,OR2,OR3,OR10…有機層
CP,CP1,CP2,CP3,CP10…キャップ層
SE,SE1,SE2,SE3,SE10…封止層
10…基板 12…絶縁層 5…リブ
6…隔壁 61…下部 62…上部
SP1,SP2,SP3,SPα,SPβ,SPγ…副画素
20,21,22,23…表示素子(有機EL素子)
LE,LE1,LE2,LE3,LEα,LEβ,LEγ…下電極(アノード)
UE,UE1,UE2,UE3,UE10…上電極(カソード)
OR,OR1,OR2,OR3,OR10…有機層
CP,CP1,CP2,CP3,CP10…キャップ層
SE,SE1,SE2,SE3,SE10…封止層
Claims (12)
- 基板と、
前記基板の上方に配置された第1下電極及び第2下電極と、
前記第1下電極と重なる第1開口及び前記第2下電極と重なる第2開口を有するリブと、
前記第1開口と前記第2開口との間で前記リブの上に配置された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記第1開口において前記第1下電極の上に配置され、第1発光層を含む第1有機層と、
前記第2開口において前記第2下電極の上に配置され、前記第1発光層とは異なる材料で形成された第2発光層を含む第2有機層と、
前記第1有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接する第1上電極と、
前記第2有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接する第2上電極と、
前記第1上電極の上方に配置され、前記隔壁の前記下部に接し、前記隔壁の前記上部の上に延出した第1封止層と、
前記第2上電極の上方に配置され、前記隔壁の前記下部に接し、前記隔壁の前記上部の上に延出し、前記第1封止層から離間した第2封止層と、
を備える、表示装置。 - 前記上部の上において、前記第1封止層及び前記第2封止層の各々の厚さは、2μm以上、5μm以下である、請求項1に記載の表示装置。
- 前記上部の上において、前記第1封止層及び前記第2封止層の各々の厚さは、前記下部の厚さの2倍以上、5倍以下である、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1封止層及び前記第2封止層は、無機絶縁材料で形成されている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1封止層及び前記第2封止層は、シリコン窒化物によって形成されている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1封止層及び前記第2封止層の各々は、前記上部の下方に閉じた空隙を有している、請求項1に記載の表示装置。
- さらに、
前記第1上電極の上に配置され、前記第1封止層で覆われた第1キャップ層と、
前記第2上電極の上に配置され、前記第2封止層で覆われた第2キャップ層と、を備える、請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1有機層、前記第1上電極、及び、前記第1キャップ層の各々は、前記隔壁の前記上部よりも下方に位置する第1部分と、前記上部の上に位置し前記第1部分から離間した第2部分と、を有し、
前記第1封止層は、前記第1キャップ層の前記第1部分及び前記第2部分に接している、請求項7に記載の表示装置。 - 前記第2有機層、前記第2上電極、及び、前記第2キャップ層の各々は、前記隔壁の前記上部よりも下方に位置する第1部分と、前記上部の上に位置し前記第1部分から離間した第2部分と、を有し、
前記第2封止層は、前記第2キャップ層の前記第1部分及び前記第2部分に接している、請求項8に記載の表示装置。 - 前記第1有機層の前記第2部分は、前記第2有機層の前記第2部分から離間し、
前記第1上電極の前記第2部分は、前記第2上電極の前記第2部分から離間し、
前記第1キャップ層の前記第2部分は、前記第2キャップ層の前記第2部分から離間している、請求項9に記載の表示装置。 - 前記リブは、無機絶縁材料で形成されている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記隔壁の前記下部は、導電材料で形成され、前記第1上電極及び前記第2上電極と電気的に接続されている、請求項1に記載の表示装置。
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- 2023-02-21 US US18/171,762 patent/US20230269991A1/en active Pending
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CN116648086A (zh) | 2023-08-25 |
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