JP2024004168A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の低下を抑制する。【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、前記開口において前記下電極の上に有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記上電極の上にキャップ層を形成し、前記キャップ層の上に封止層を形成し、前記封止層の上にパターニングしたレジストを形成し、前記レジストから露出した前記封止層をドライエッチングにより除去し、前記封止層は、無機絶縁材料で形成した第１高密度層と、無機絶縁材料で形成した低密度層と、を含み、前記封止層のドライエッチングに際して、前記低密度層のエッチングレートは、前記第１高密度層のエッチングレートより大きい。【選択図】図４

Description

本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号 米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。

一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、前記開口において前記下電極の上に有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記上電極の上にキャップ層を形成し、前記キャップ層の上に封止層を形成し、前記封止層の上にパターニングしたレジストを形成し、前記レジストから露出した前記封止層をドライエッチングにより除去し、前記封止層は、無機絶縁材料で形成した第１高密度層と、前記第１高密度層に積層され、前記第１高密度層よりも低密度であり、無機絶縁材料で形成した低密度層と、を含み、前記封止層のドライエッチングに際して、前記低密度層のエッチングレートは、前記第１高密度層のエッチングレートより大きい。

一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接する上電極と、前記上電極の上に配置されたキャップ層と、前記キャップを覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、を備え、前記封止層は、無機絶縁材料で形成した第１高密度層と、前記第１高密度層に積層され、前記第１高密度層よりも低密度であり、無機絶縁材料で形成した低密度層と、を含む。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。 図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。 図４は、封止層の一構成例を示す断面図である。 図５は、封止層の他の構成例を示す断面図である。 図６は、封止層の他の構成例を示す断面図である。 図７は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。 図８は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図９は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１０８は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１１は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１２は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１３は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１４は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１５は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１６は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２、及び、第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５及び隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。

隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙと、を有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ２，ＡＰ３の間、及び、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ１の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、及び、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

図２の例においては、第１隔壁６ｘ及び第２隔壁６ｙは、互いに接続されている。これにより、隔壁６は、全体として開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１，２０２，２０３を備えている。
副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。

図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のそれぞれの周縁部は、リブ５に重なっている。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を構成する。

下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

図２の例においては、開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。

例えば、副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、青波長域の光を放つように構成される。また、副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、緑波長域の光を放つように構成され、また、副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、赤波長域の光を放つように構成される。

図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。つまり、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、絶縁層１２とリブ５との間に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２がリブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。上部６２のうち、下部６１よりも開口ＡＰ１に向かって突出した部分は突出部６２１と称し、下部６１よりも開口ＡＰ２に向かって突出した部分は突出部６２２と称し、下部６１よりも開口ＡＰ３に向かって突出した部分は突出部６２３と称する。

有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、下電極ＬＥ１を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１と対向するとともに、有機層ＯＲ１の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ１は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１は、上部６２よりも下方に位置している。

有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、下電極ＬＥ２を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ２は、下電極ＬＥ２と対向するとともに、有機層ＯＲ２の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ２は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２は、上部６２よりも下方に位置している。

有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、下電極ＬＥ３を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ３は、下電極ＬＥ３と対向するとともに、有機層ＯＲ３の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ３は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３は、上部６２よりも下方に位置している。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、さらに、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層（光学調整層）ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３を含む。
キャップ層ＣＰ１は、開口ＡＰ１に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ１の上に配置されている。キャップ層ＣＰ２は、開口ＡＰ２に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ２の上に配置されている。キャップ層ＣＰ３は、開口ＡＰ３に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ３の上に配置されている。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ１は、突出部６２１の直下に空隙を含まない。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、突出部６２２の直下に空隙を含まない。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、突出部６２３の直下に空隙を含まない。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、保護層１３により覆われている。

図示した例では、有機層ＯＲ１の一部、上電極ＵＥ１の一部、及び、キャップ層ＣＰ１の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ１との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２の一部を露出し、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ２の一部、上電極ＵＥ２の一部、及び、キャップ層ＣＰ２の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ２との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２の一部を露出し、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ３の一部、上電極ＵＥ３の一部、及び、キャップ層ＣＰ３の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ３との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２の一部を露出し、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６の直上においては、有機層ＯＲ１は有機層ＯＲ２から離間し、上電極ＵＥ１は上電極ＵＥ２から離間し、キャップ層ＣＰ１はキャップ層ＣＰ２から離間し、封止層ＳＥ１は封止層ＳＥ２から離間している。保護層１３は、有機層ＯＲ１と有機層ＯＲ２との間、上電極ＵＥ１と上電極ＵＥ２との間、キャップ層ＣＰ１とキャップ層ＣＰ２との間、及び、封止層ＳＥ１と封止層ＳＥ２との間にそれぞれ配置され、上部６２に接している。

副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６の直上においては、有機層ＯＲ２は有機層ＯＲ３から離間し、上電極ＵＥ２は上電極ＵＥ３から離間し、キャップ層ＣＰ２はキャップ層ＣＰ３から離間し、封止層ＳＥ２は封止層ＳＥ３から離間している。保護層１３は、有機層ＯＲ２と有機層ＯＲ３との間、上電極ＵＥ２と上電極ＵＥ３との間、キャップ層ＣＰ２とキャップ層ＣＰ３との間、及び、封止層ＳＥ２と封止層ＳＥ３との間にそれぞれ配置され、上部６２に接している。

絶縁層１２は、有機絶縁層である。リブ５、及び、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁層である。

リブ５は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、リブ５は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、リブ５は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、同一の無機絶縁材料で形成されている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）で形成されてもよい。また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。このため、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、リブ５と同一材料で形成される場合があり得る。

隔壁６の下部６１は、導電材料によって形成され、各上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と電気的に接続されている。隔壁６の上部６２も導電材料によって形成されてもよい。

リブ５の厚さは、隔壁６や絶縁層１２の厚さに比べて十分に小さい。一例では、リブ５の厚さは、２００ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下である。
隔壁６の下部６１の厚さ（リブ５の上面から上部６２の下面までの厚さ）は、リブ５の厚さより大きい。
封止層ＳＥ１の厚さ、封止層ＳＥ２の厚さ、及び、封止層ＳＥ３の厚さは、ほぼ同等であり、例えば、１μｍ以上である。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）などの金属材料と透明導電材料との積層構造を有してもよい。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。また、有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。発光層ＥＭ２は、発光層ＥＭ１とは異なる材料で形成されている。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ３は、発光層ＥＭ１及びＥＭ２とは異なる材料で形成されている。

発光層ＥＭ１を形成する材料、発光層ＥＭ２を形成する材料、及び、発光層ＥＭ３を形成する材料は、互いに異なる波長域の光を放つ材料である。
一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。

キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、例えば、透明な薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、薄膜として、有機材料によって形成された薄膜を含んでいる。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の材料とも異なる。

保護層１３は、透明な薄膜の多層体によって形成され、例えば、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいる。

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した各上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１のうちの発光層ＥＭ１が青波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２のうちの発光層ＥＭ２が緑波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３のうちの発光層ＥＭ３が青波長域の光を放つ。

図４は、封止層の一構成例を示す断面図である。ここでは、表示素子２０１と表示素子２０２との間の隔壁６の近傍を拡大した断面図を参照しながら、封止層ＳＥ１の構成例について説明する。

表示素子２０１を覆う封止層ＳＥ１は、高密度層ＳＥ１１と、低密度層ＳＥ１２と、高密度層ＳＥ１３と、を有している。高密度層ＳＥ１１、低密度層ＳＥ１２、及び、高密度層ＳＥ１３は、この順に積層されている。

高密度層ＳＥ１１は、低密度層ＳＥ１２よりも高密度であり、透明な無機絶縁材料で形成されている。高密度層ＳＥ１１は、下電極ＬＥ１の直上において、キャップ層ＣＰ１に重なっている。また、高密度層ＳＥ１１は、隔壁６の直上において、キャップ層ＣＰ１に重なっている。高密度層ＳＥ１１のうち、隔壁６の上部６２の上に配置された部分は、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。このため、隔壁６のうち、少なくとも下部６１の側面の一部は、高密度層ＳＥ１１から露出している。

低密度層ＳＥ１２は、透明な無機絶縁材料で形成されている。低密度層ＳＥ１２は、高密度層ＳＥ１１を覆うとともに、隔壁６の下部６１の側面に接し、突出部６２１の下方に充填されている。

高密度層ＳＥ１３は、低密度層ＳＥ１２よりも高密度であり、透明な無機絶縁材料で形成されている。高密度層ＳＥ１３は、低密度層ＳＥ１２を覆っている。

高密度層ＳＥ１１、低密度層ＳＥ１２、及び、高密度層ＳＥ１３は、上記の通り、シリコン窒化物で形成されているが、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、酸化アルミニウムで形成されてもよい。
高密度層ＳＥ１１、低密度層ＳＥ１２、及び、高密度層ＳＥ１３がいずれもシリコン窒化物で形成される場合、低密度層ＳＥ１２は、高密度層ＳＥ１１及び高密度層ＳＥ１３と比較して、水素等の他の元素を多く含み、その分、シリコンと窒素との結合が抑制され、低密度化されている。つまり、本明細書の密度とは、単位体積当たりのシリコン窒化物の含有量を密度に相当する。

高密度層ＳＥ１１及び高密度層ＳＥ１３は、低密度層ＳＥ１２と比較して、防水性に優れている。

高密度層ＳＥ１１、低密度層ＳＥ１２、及び、高密度層ＳＥ１３は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成される。このとき、高密度層ＳＥ１１及び高密度層ＳＥ１３は、低密度層ＳＥ１２と比較して、堆積する材料の指向性が高い条件で形成される。このため、高密度層ＳＥ１１は、隔壁６により分断される。低密度層ＳＥ１２は、高密度層ＳＥ１１よりも堆積する材料が回り込みやすい条件で形成される。このため、低密度層ＳＥ１２は、突出部６２１の下方に充填され、空隙の形成が抑制される。

なお、高密度層ＳＥ１１、低密度層ＳＥ１２、及び、高密度層ＳＥ１３は、他の方法として、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により形成されてもよい。

下電極ＬＥ１の直上において、高密度層ＳＥ１１は厚さＴ１１を有し、低密度層ＳＥ１２は厚さＴ１２を有し、高密度層ＳＥ１３は厚さＴ１３を有している。
低密度層ＳＥ１２の厚さＴ１２は、高密度層ＳＥ１１の厚さＴ１１より大きく、高密度層ＳＥ１３の厚さＴ１３より大きい。
低密度層ＳＥ１２の厚さＴ１２は、隔壁６の下部６１の厚さＴ６１の０．６倍以上、０．８倍以下である。
高密度層ＳＥ１１の厚さＴ１１及び高密度層ＳＥ１３の厚さＴ１３の総和は、８００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である。

一例として、下部６１の厚さＴ６１が１μｍである場合、高密度層ＳＥ１１の厚さＴ１１が５００ｎｍであり、低密度層ＳＥ１２の厚さＴ１２が８００ｎｍであり、高密度層ＳＥ１３の厚さＴ１３が５００ｎｍであり、封止層ＳＥ１の総厚は１８００ｎｍである。

表示素子２０２を覆う封止層ＳＥ２も、封止層ＳＥ１と同様に、高密度層ＳＥ２１と、低密度層ＳＥ２２と、高密度層ＳＥ２３と、を有している高密度層ＳＥ２１、低密度層ＳＥ２２、及び、高密度層ＳＥ２３は、この順に積層されている。封止層ＳＥ２については、封止層ＳＥ１と同様に構成されており、詳細な説明は省略する。

図４に示す構成例では、高密度層ＳＥ１１は第１高密度層に相当し、高密度層ＳＥ１３は第２高密度層に相当する。

図５は、封止層の他の構成例を示す断面図である。ここでは、表示素子２０１と表示素子２０２との間の隔壁６の近傍を拡大した断面図を参照しながら、封止層ＳＥ１の構成例について説明する。

図５に示す構成例は、図４に示した構成例と比較して、表示素子２０１を覆う封止層ＳＥ１が上層の高密度層を有していない点で相違している。すなわち、封止層ＳＥ１は、高密度層ＳＥ１１及び低密度層ＳＥ１２を有している。

高密度層ＳＥ１１は、下電極ＬＥ１の直上において、キャップ層ＣＰ１に重なっている。また、高密度層ＳＥ１１は、隔壁６の直上において、キャップ層ＣＰ１に重なっている。高密度層ＳＥ１１のうち、隔壁６の上部６２の上に配置された部分は、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
低密度層ＳＥ１２は、高密度層ＳＥ１１を覆うとともに、隔壁６の下部６１の側面に接し、突出部６２１の下方に充填されている。

高密度層ＳＥ１１及び低密度層ＳＥ１２は、上記の通り、シリコン窒化物で形成されているが、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、酸化アルミニウムで形成されてもよい。

表示素子２０２を覆う封止層ＳＥ２も、封止層ＳＥ１と同様に、高密度層ＳＥ２１及び低密度層ＳＥ２２を有し、上層の高密度層を有していない。

図５に示す構成例では、高密度層ＳＥ１１は第１高密度層に相当する。

図６は、封止層の他の構成例を示す断面図である。ここでは、表示素子２０１と表示素子２０２との間の隔壁６の近傍を拡大した断面図を参照しながら、封止層ＳＥ１の構成例について説明する。

図６に示す構成例は、図４に示した構成例と比較して、表示素子２０１を覆う封止層ＳＥ１が下層の高密度層を有していない点で相違している。すなわち、封止層ＳＥ１は、低密度層ＳＥ１２及び高密度層ＳＥ１３を有している。

低密度層ＳＥ１２は、下電極ＬＥ１の直上及び隔壁６の直上において、キャップ層ＣＰ１を覆っている。また、低密度層ＳＥ１２は、隔壁６の下部６１の側面に接し、突出部６２１の下方に充填されている。
高密度層ＳＥ１３は、低密度層ＳＥ１２を覆っている。

高密度層ＳＥ１３及び低密度層ＳＥ１２は、上記の通り、シリコン窒化物で形成されているが、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、酸化アルミニウムで形成されてもよい。

表示素子２０２を覆う封止層ＳＥ２も、封止層ＳＥ１と同様に、高密度層ＳＥ２３及び低密度層ＳＥ２２を有し、下層の高密度層を有していない。

図６に示す構成例では、高密度層ＳＥ１３は第１高密度層に相当する。

図４乃至図６に示したように、封止層ＳＥ１は、２層以上の積層体であり、下部６１の下方に充填される低密度層ＳＥ１２を含むように構成されている。

次に、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について説明する。

図７は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３を有する処理基板ＳＵＢを用意する工程（ステップＳＴ１）と、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を形成する工程（ステップＳＴ２）と、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を形成する工程（ステップＳＴ３）と、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を形成する工程（ステップＳＴ４）と、を含む。

ステップＳＴ１においては、まず、基板１０の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３、リブ５、及び、隔壁６を形成した処理基板ＳＵＢを用意する。図３に示したように、基板１０と下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３との間には、回路層１１及び絶縁層１２も形成される。

ステップＳＴ２においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ１を含む第１薄膜３１を形成する（ステップＳＴ２１）。第１薄膜３１は、図３に示した有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１の積層体である。その後、第１薄膜３１の上に所定の形状にパターニングされた第１レジスト４１を形成する（ステップＳＴ２２）。その後、第１レジスト４１をマスクとしたエッチングにより第１薄膜３１の一部を除去する（ステップＳＴ２３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３に配置された第１薄膜３１が除去される。その後、第１レジスト４１を除去する（ステップＳＴ２４）。これにより、副画素ＳＰ１が形成される。副画素ＳＰ１は、所定の形状の第１薄膜３１を有する表示素子２０１を備える。

ステップＳＴ３においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ２を含む第２薄膜３２を形成する（ステップＳＴ３１）。第２薄膜３２は、図３に示した有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２の積層体である。その後、第２薄膜３２の上に所定の形状にパターニングされた第２レジスト４２を形成する（ステップＳＴ３２）。その後、第２レジスト４２をマスクとしたエッチングにより第２薄膜３２の一部を除去する（ステップＳＴ３３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３に配置された第２薄膜３２が除去される。その後、第２レジスト４２を除去する（ステップＳＴ３４）。これにより、副画素ＳＰ２が形成される。副画素ＳＰ２は、所定の形状の第２薄膜３２を有する表示素子２０２を備える。

ステップＳＴ４においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ３を含む第３薄膜３３を形成する（ステップＳＴ４１）。第３薄膜３３は、図３に示した有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３の積層体である。その後、第３薄膜３３の上に所定の形状にパターニングされた第３レジスト４３を形成する（ステップＳＴ４２）。その後、第３レジスト４３をマスクとしたエッチングにより第３薄膜３３の一部を除去する（ステップＳＴ４３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２に配置された第３薄膜３３が除去される。その後、第３レジスト４３を除去する（ステップＳＴ４４）。これにより、副画素ＳＰ３が形成される。副画素ＳＰ３は、所定の形状の第３薄膜３３を有する表示素子２０３を備える。

なお、第２薄膜３２、第２レジスト４２、第３薄膜３３、及び、第３レジスト４３の詳細な図示は省略する。

以下、ステップＳＴ１及びステップＳＴ２について図８乃至図１６を参照しながら説明する。なお、図８乃至図１６に示す各断面は、例えば図２中のＡ－Ｂ線に沿う断面に相当する。

まず、ステップＳＴ１においては、図８に示すように、処理基板ＳＵＢを用意する。処理基板ＳＵＢを用意する工程は、基板１０の上に回路層１１を形成する工程と、回路層１１の上に絶縁層１２を形成する工程と、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する工程と、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の各々と重なる開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５を形成する工程と、リブ５の上に配置された下部６１及び下部６１の上に配置され下部６１の側面から突出した上部６２を含む隔壁６を形成する工程と、を含む。なお、図９乃至図１６の各図においては、絶縁層１２よりも下層の基板１０及び回路層１１の図示を省略する。
リブ５は、例えばシリコン窒化物で形成する。
隔壁６のうち、少なくとも下部６１は、導電材料で形成する。

続いて、ステップＳＴ２１においては、図９乃至図１２に示すように、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、第１薄膜３１を形成する。第１薄膜３１を形成する工程は、処理基板ＳＵＢの上に、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１を形成する工程と、有機層ＯＲ１の上に上電極ＵＥ１を形成する工程と、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１を形成する工程と、キャップ層ＣＰ１の上に封止層ＳＥ１を形成する工程と、を含む。封止層ＳＥ１を形成する工程は、高密度層ＳＥ１１を形成する工程と、低密度層ＳＥ１２を形成する工程と、高密度層ＳＥ１３を形成する工程と、を含む。

図９に示すように、有機層ＯＲ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の上にそれぞれ形成されるとともに、隔壁６の上にも形成されている。有機層ＯＲ１のうち、上部６２の上に形成された部分は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の上に形成された部分から離間している。有機層ＯＲ１の各種機能層及び発光層ＥＭ１は、蒸着法により形成される。

上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、有機層ＯＲ１の上にそれぞれ形成され、リブ５を覆い、隔壁６の下部６１に接している。また、上電極ＵＥ１は、上部６２の直上において、有機層ＯＲ１の上にも形成されている。上電極ＵＥ１のうち、上部６２の直上に形成された部分は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の直上に形成された部分から離間している。上電極ＵＥ１は、蒸着法により、マグネシウム及び銀の合金で形成される。

キャップ層ＣＰ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、上電極ＵＥ１の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、上電極ＵＥ１の上にも形成されている。キャップ層ＣＰ１のうち、上部６２の直上に形成された部分は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の直上に形成された部分から離間している。キャップ層ＣＰ１は、例えば蒸着法により形成される。

その後、封止層ＳＥ１が形成される。

まず、封止層ＳＥ１のうち、高密度層ＳＥ１１が無機絶縁材料で形成される。図１０に示すように、高密度層ＳＥ１１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、キャップ層ＣＰ１の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、キャップ層ＣＰ１の上にも形成されている。高密度層ＳＥ１１のうち、上部６２の直上に形成された部分は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の直上に形成された部分から離間している。

高密度層ＳＥ１１は、例えばＣＶＤ法により形成される。
すなわち、キャップ層ＣＰ１を形成した処理基板ＳＵＢがチャンバーに搬入され、その後、チャンバーには、例えば、水素化珪素（ＳｉＨ_４）、アンモニア（ＮＨ_３）、窒素（Ｎ_２）、水素（Ｈ_２）などの混合ガスがガス導入口を通じて導入される。そして、ガス導入口に高周波電力が印加されることにより、処理基板ＳＵＢの上にシリコン窒化物が高密度層ＳＥ１１として堆積する。

続いて、封止層ＳＥ１のうち、低密度層ＳＥ１２が無機絶縁材料で形成される。図１１に示すように、低密度層ＳＥ１２は、高密度層ＳＥ１１及び隔壁６を覆うように形成されている。つまり、低密度層ＳＥ１２は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、高密度層ＳＥ１１の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、高密度層ＳＥ１１の上にも形成されている。しかも、低密度層ＳＥ１２は、隔壁６の下部６１も接し、突出部６２１乃至６２３の直下に充填されている。低密度層ＳＥ１２において、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分と繋がっている。

低密度層ＳＥ１２は、例えば、高密度層ＳＥ１１を形成したときと同一のチャンバーにおいて、ＣＶＤ法により形成される。但し、チャンバーに導入される混合ガスの流量、混合ガスの比率、印加される高周波電力などの各種条件は、高密度層ＳＥ１１を形成したときの条件とは異なる。例えば、高密度層ＳＥ１１を形成したときと比べて、水素の比率が高くなるように調整される。これにより、処理基板ＳＵＢの上にシリコン窒化物が低密度層ＳＥ１２として堆積する。

続いて、封止層ＳＥ１のうち、高密度層ＳＥ１３が無機絶縁材料で形成される。図１２に示すように、高密度層ＳＥ１３は、低密度層ＳＥ１２を覆うように形成されている。つまり、高密度層ＳＥ１３は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、低密度層ＳＥ１２の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、低密度層ＳＥ１２の上にも形成されている。高密度層ＳＥ１３において、上部６２の直上に形成された部分は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の直上に形成された部分と繋がっている。

高密度層ＳＥ１３は、例えば、低密度層ＳＥ１２を形成したときと同一のチャンバーにおいて、ＣＶＤ法により形成される。高密度層ＳＥ１３を形成するときの条件は、例えば、高密度層ＳＥ１１を形成するときの条件と同一である。これにより、処理基板ＳＵＢの上にシリコン窒化物が高密度層ＳＥ１３として堆積する。

これにより、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、高密度層ＳＥ１１、低密度層ＳＥ１２、及び、高密度層ＳＥ１３の積層体である第１薄膜３１が形成される。

続いて、ステップＳＴ２２においては、図１３に示すように、封止層ＳＥ１の上のパターニングした第１レジスト４１を形成する。第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１の第１薄膜３１を覆い、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第１薄膜３１を露出する。つまり、第１レジスト４１は、下電極ＬＥ１の直上に位置する封止層ＳＥ１に重なっている。また、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１から隔壁６の上方に延出している。副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６上において、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１側（図の左側）に配置され、副画素ＳＰ２側（図の右側）では封止層ＳＥ１を露出している。また、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３において、封止層ＳＥ１を露出している。

その後、ステップＳＴ２３においては、第１レジスト４１をマスクとしてエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第１薄膜３１を除去し、副画素ＳＰ１に第１薄膜３１が残留する。

第１薄膜３１を除去する工程は、例えば、以下の通りである。
まず、図１４に示すように、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した封止層ＳＥ１を除去する。突出部６２２及び６２３の直下においても封止層ＳＥ１が除去される。封止層ＳＥ１のドライエッチングに際して、単位時間当たり除去される層の厚さをエッチングレートとして定義すると、低密度層ＳＥ１２のエッチングレートは、高密度層ＳＥ１１のエッチングレートより大きく、高密度層ＳＥ１３のエッチングレートより大きい。

上記の通り、低密度層ＳＥ１２は、隔壁の突出部の下方に充填されるため、高密度層ＳＥ１１及びＳＥ１３と比較して厚い層である。一方で、低密度層ＳＥ１２のエッチングレートは、高密度層ＳＥ１１及びＳＥ１３のエッチングレートより大きいため、封止層ＳＥ１のドライエッチングに際して、長い処理時間を必要としない。また、封止層ＳＥ１の全体が高密度層である場合と比較して、処理時間を短縮することができる。

このような封止層ＳＥ１のエッチングにより、一部のキャップ層ＣＰ１が封止層ＳＥ１から露出する。

その後、図１５に示すように、第１レジスト４１をマスクとして利用し、エッチングを行い、封止層ＳＥ１から露出したキャップ層ＣＰ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、キャップ層ＣＰ１から露出した上電極ＵＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、上電極ＵＥ１から露出した有機層ＯＲ１を除去する。
これにより、副画素ＳＰ２において下電極ＬＥ２が露出し、また、下電極ＬＥ２を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ３において下電極ＬＥ３が露出し、また、下電極ＬＥ３を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６において、副画素ＳＰ２側が露出する。また、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３との間の隔壁６が露出する。

その後、ステップＳＴ２４においては、図１６に示すように、第１レジスト４１を除去する。これにより、副画素ＳＰ１の封止層ＳＥ１が露出する。これらのステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４を経て、副画素ＳＰ１において、表示素子２０１が形成される。表示素子２０１は、下電極ＬＥ１、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１によって構成される。また、表示素子２０１は、封止層ＳＥ１によって覆われている。

副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６上には、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１の積層体が形成される。また、隔壁６のうち、副画素ＳＰ１の側の部分は、封止層ＳＥ１で覆われる。なお、図１６に示した隔壁６上の積層体は、完全に除去される場合があり得る。

図７に示したステップＳＴ３１乃至ＳＴ３４は、上記のステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４と同様である。これらのステップＳＴ３１乃至ＳＴ３４を経て、図３に示した副画素ＳＰ２において、表示素子２０２が形成される。表示素子２０２は、下電極ＬＥ２、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２によって構成される。また、表示素子２０２は、封止層ＳＥ２によって覆われている。

図７に示したステップＳＴ４１乃至ＳＴ４４も、上記のステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４と同様である。これらのステップＳＴ４１乃至ＳＴ４４を経て、図３に示した副画素ＳＰ３において、表示素子２０３が形成される。表示素子２０３は、下電極ＬＥ３、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３によって構成される。また、表示素子２０３は、封止層ＳＥ３によって覆われている。

本実施形態によれば、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３において、厚膜化することなく、空隙の形成が抑制される。これにより、空隙を起点としたクラックの発生が抑制される。このため、空隙を介した水分浸入が抑制され、また、表示素子２０１乃至２０３の製造過程での封止層の部分的な剥離が抑制される。

また、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の各々は、主として防水機能を発揮する高密度層と、隔壁６の突出部６２１乃至６２３の下方に充填される低密度層と、を含み、これらの高密度層及び低密度層は、同一のチャンバーにおいて処理条件を変更するのみで連続的に形成することができる。

また、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の各々の厚さは、３μｍ未満であり、さらには２μｍ未満である。このため、表示素子２０１乃至２０３からそれぞれ放射された光の封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３での透過率の低下が抑制される。
また、低密度層は、高密度層より厚い層であるが、低密度層の透過率は、高密度層の透過率より高いため、封止層の全体が高密度層である場合と比較して、透過率の低下が抑制される。

また、低密度層のエッチングレートは、高密度層のエッチングレートより大きい。このため、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３のドライエッチングに際して、封止層の全体が高密度層である場合と比較して、封止層の除去に要する処理時間を短縮することができる。

上記した製造方法は、図４に示した封止層ＳＥ１を形成するための方法を開示するものである。
なお、図５に示した封止層ＳＥ１を形成する場合には、図１２を参照して説明した高密度層ＳＥ１３を形成する工程が省略される。この場合、図１３に示した第１レジスト４１は、低密度層ＳＥ１２の上に形成される。

また、図６に示した封止層ＳＥ１を形成する場合には、図１０を参照して説明した高密度層ＳＥ１１を形成する工程が省略される。
すなわち、キャップ層ＣＰ１を形成した処理基板ＳＵＢがチャンバーに搬入され、同一のチャンバーにおいて、低密度層ＳＥ１２及び高密度層ＳＥ１３が順次形成される。
低密度層ＳＥ１２は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、キャップ層ＣＰ１の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、キャップ層ＣＰ１の上にも形成されている。しかも、低密度層ＳＥ１２は、隔壁６の下部６１も接している。低密度層ＳＥ１２において、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分と繋がっている。
高密度層ＳＥ１３は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、低密度層ＳＥ１２の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、低密度層ＳＥ１２の上にも形成されている。高密度層ＳＥ１３において、上部６２の直上に形成された部分は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の直上に形成された部分と繋がっている。

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制し、製造歩留まりを向上することが可能な表示装置及びその製造方法を提供することができる。
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置
１０…基板 １２…絶縁層
５…リブ ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０，２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極（アノード）
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極（カソード）
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層
ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層
ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層
ＳＥ１１、ＳＥ１３…高密度層 ＳＥ１２…低密度層

Claims (17)

1. 基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、
   前記開口において前記下電極の上に有機層を形成し、
   前記有機層の上に上電極を形成し、
   前記上電極の上にキャップ層を形成し、
   前記キャップ層の上に封止層を形成し、
   前記封止層の上にパターニングしたレジストを形成し、
   前記レジストから露出した前記封止層をドライエッチングにより除去し、
   前記封止層は、
   無機絶縁材料で形成した第１高密度層と、
   前記第１高密度層に積層され、前記第１高密度層よりも低密度であり、無機絶縁材料で形成した低密度層と、を含み、
   前記封止層のドライエッチングに際して、前記低密度層のエッチングレートは、前記第１高密度層のエッチングレートより大きい、表示装置の製造方法。
2. 前記封止層を形成する工程は、
   前記下電極の直上及び前記隔壁の直上にそれぞれ前記第１高密度層を形成し、
   前記第１高密度層を覆うとともに前記隔壁の前記下部に接する前記低密度層を形成する工程を含む、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 前記封止層を形成する工程は、
   前記キャップ層を覆うとともに前記隔壁の前記下部に接する前記低密度層を形成し、
   前記低密度層を覆う前記第１高密度層を形成する工程を含む、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
4. 前記低密度層及び前記第１高密度層は、シリコン窒化物で形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
5. 前記封止層は、さらに、前記低密度層よりも高密度であり、無機絶縁材料で形成した第２高密度層を含み、
   前記封止層を形成する工程は、
   前記下電極の直上及び前記隔壁の直上にそれぞれ前記第１高密度層を形成し、
   前記第１高密度層を覆うとともに前記隔壁の前記下部に接する前記低密度層を形成し、
   前記低密度層を覆う第２高密度層を形成する工程を含む、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
6. 前記低密度層、前記第１高密度層、及び、前記第２高密度層は、シリコン窒化物で形成する、請求項５に記載の表示装置の製造方法。
7. さらに、前記封止層を除去した後に、
   前記封止層から露出した前記キャップ層を除去し、
   前記キャップ層から露出した前記上電極を除去し、
   前記上電極から露出した前記有機層を除去する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
8. 基板と、
   前記基板の上方に配置された下電極と、
   無機絶縁材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、
   前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
   前記開口において前記下電極の上に配置された有機層と、
   前記有機層の上に配置され、前記隔壁の前記下部に接する上電極と、
   前記上電極の上に配置されたキャップ層と、
   前記キャップ層を覆い、前記隔壁の前記下部に接する封止層と、を備え、
   前記封止層は、
   無機絶縁材料で形成された第１高密度層と、
   前記第１高密度層に積層され、前記第１高密度層よりも低密度であり、無機絶縁材料で形成された低密度層と、を含む、表示装置。
9. 前記隔壁の直上に形成された前記有機層、前記上電極、前記キャップ層、及び、前記封止層は、前記隔壁の前記上部の一部を露出し、且つ、前記下電極の直上に形成された前記有機層、前記上電極、前記キャップ層、及び、前記封止層から離間している、請求項８に記載の表示装置。
10. 前記封止層において、
    前記第１高密度層は、前記下電極の直上及び前記隔壁の直上にそれぞれ形成され、
    前記低密度層は、前記第１高密度層を覆うとともに前記隔壁の前記下部に接している、請求項８に記載の表示装置。
11. 前記封止層において、
    前記低密度層は、前記キャップ層を覆うとともに前記隔壁の前記下部に接し、
    前記第１高密度層は、前記低密度層を覆っている、請求項８に記載の表示装置。
12. 前記低密度層及び前記第１高密度層は、シリコン窒化物で形成されている、請求項８に記載の表示装置。
13. 前記封止層は、さらに、前記低密度層よりも高密度であり、無機絶縁材料で形成された第２高密度層を含み、
    前記封止層において、
    前記第１高密度層は、前記下電極の直上及び前記隔壁の直上にそれぞれ形成され、
    前記低密度層は、前記第１高密度層を覆うとともに前記隔壁の前記下部に接し、
    前記第１高密度層は、前記低密度層を覆っている、請求項８に記載の表示装置。
14. 前記低密度層、前記第１高密度層、及び、前記第２高密度層は、シリコン窒化物で形成されている、請求項１３に記載の表示装置。
15. 前記低密度層の厚さは、前記第１高密度層の厚さより大きく、前記第２高密度層の厚さより大きい、請求項１３に記載の表示装置。
16. 前記低密度層の厚さは、前記隔壁の前記下部の厚さの０．６倍以上、０．８倍以下である、請求項１５に記載の表示装置。
17. 前記第１高密度層の厚さ及び前記第２高密度層の厚さの総和は、８００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である、請求項１６に記載の表示装置。

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