JP2023160054A - 表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の低下を抑制する。【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、第１副画素の第１下電極、第２副画素の第２下電極、及び、第３副画素の第３下電極を形成し、第１発光層を含む第１薄膜を形成し、第２副画素及び第３副画素の第１薄膜を露出するとともに第１副画素の第１薄膜を覆うネガ型の第１レジストを形成し、第１レジストをマスクとして第１薄膜を除去し、第２発光層を含む第２薄膜を形成し、第３副画素の第２薄膜を露出するとともに第１副画素及び第２副画素の第２薄膜を覆うネガ型の第２レジストを形成し、第２レジストをマスクとして第２薄膜を除去し、第１副画素及び第２副画素に第２薄膜が残留し、第１副画素の第２薄膜を露出するとともに第２副画素の第２薄膜及び第３副画素の第３下電極を覆うポジ型の第３レジストを形成し、第３レジストをマスクとして第１副画素の第２薄膜を除去する。【選択図】図４

Description

本発明の実施形態は、表示装置の製造方法に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号 米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置の製造方法を提供することにある。

一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
第１副画素の第１下電極、第２副画素の第２下電極、及び、第３副画素の第３下電極を形成し、前記第１下電極と重なる第１開口、前記第２下電極と重なる第２開口、及び、前記第３下電極と重なる第３開口を有するリブを形成した処理基板を用意し、前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、第１発光層を含む第１薄膜を形成し、前記第２副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を露出するとともに前記第１副画素の前記第１薄膜を覆うネガ型の第１レジストを形成し、前記第１レジストをマスクとして前記第２副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を除去し、前記第１副画素に前記第１薄膜が残留し、前記第２開口から前記第２下電極を露出するとともに前記第３開口から前記第３下電極を露出し、前記第１レジストを除去し、前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、第２発光層を含む第２薄膜を形成し、前記第３副画素の前記第２薄膜を露出するとともに前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第２薄膜を覆うネガ型の第２レジストを形成し、前記第２レジストをマスクとして前記第３副画素の前記第２薄膜を除去し、前記第１副画素及び前記第２副画素に前記第２薄膜が残留し、前記第３開口から前記第３下電極を露出し、前記第２レジストを除去し、前記第１副画素の前記第２薄膜を露出するとともに前記第２副画素の前記第２薄膜及び前記第３副画素の前記第３下電極を覆うポジ型の第３レジストを形成し、前記第３レジストをマスクとして前記第１副画素の前記第２薄膜を除去し、前記第３レジストを除去する。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。 図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。 図４は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。 図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図６は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図７は、副画素ＳＰ１に配置された第１薄膜３１を拡大した断面図である。 図８は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図９は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１０は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１１は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１２は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１３は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１４は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１５は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２および第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。

隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ２，ＡＰ３の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ１の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙは、互いに接続されている。これにより、隔壁６は、全体として開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１，２０２，２０３を備えている。
副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。

図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、および、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のそれぞれの周縁部は、リブ５に重なっている。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を構成する。

下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

図２の例においては、開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。

例えば、副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、青波長域の光を放つように構成される。また、副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、緑波長域の光を放つように構成され、また、副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、赤波長域の光を放つように構成される。

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。つまり、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、絶縁層１２とリブ５との間に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２がリブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。上部６２のうち、下部６１よりも開口ＡＰ１に向かって突出した部分は突出部６２１と称し、下部６１よりも開口ＡＰ２に向かって突出した部分は突出部６２２と称し、下部６１よりも開口ＡＰ３に向かって突出した部分は突出部６２３と称する。

有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、下電極ＬＥ１を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１と対向するとともに、有機層ＯＲ１の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ１は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１は、上部６２よりも下方に位置している。

有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、下電極ＬＥ２を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ２は、下電極ＬＥ２と対向するとともに、有機層ＯＲ２の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ２は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２は、上部６２よりも下方に位置している。

有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、下電極ＬＥ３を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ３は、下電極ＬＥ３と対向するとともに、有機層ＯＲ３の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ３は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３は、上部６２よりも下方に位置している。

図３に示す例では、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層（光学調整層）ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３を含む。
キャップ層ＣＰ１は、開口ＡＰ１に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ１の上に配置されている。キャップ層ＣＰ２は、開口ＡＰ２に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ２の上に配置されている。キャップ層ＣＰ３は、開口ＡＰ３に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ３の上に配置されている。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、保護層１３により覆われている。

図３の例においては、隔壁６の上には、有機層、上電極、キャップ層、封止層のいずれも配置されていないが、これらの一部が配置される場合があり得る。例えば、有機層の一部が隔壁６の上に配置される場合、有機層のうち、上部６２より下方の部分と上部６２の上に配置される部分とは離間している。上電極の一部が隔壁６の上に配置される場合、上電極のうち、上部６２より下方の部分と上部６２の上に配置される部分とは離間している。キャップ層の一部が隔壁６の上に配置される場合、キャップ層のうち、上部６２より下方の部分と上部６２の上に配置される部分とは離間している。副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上においては、有機層ＯＲ１は有機層ＯＲ２から離間し、上電極ＵＥ１は上電極ＵＥ２から離間し、キャップ層ＣＰ１はキャップ層ＣＰ２から離間し、封止層ＳＥ１は封止層ＳＥ２から離間している。副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６上においては、有機層ＯＲ２は有機層ＯＲ３から離間し、上電極ＵＥ２は上電極ＵＥ３から離間し、キャップ層ＣＰ２はキャップ層ＣＰ３から離間し、封止層ＳＥ２は封止層ＳＥ３から離間している。

絶縁層１２は、有機絶縁層である。リブ５、および、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁層である。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、同一の無機絶縁材料で形成されている。
リブ５は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、リブ５は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、リブ５は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。このため、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、リブ５と同一材料で形成される場合があり得る。

隔壁６の下部６１は、導電材料によって形成され、各上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と電気的に接続されている。隔壁６の下部６１及び上部６２がいずれも導電性を有してもよい。上部６２は、遮光性の材料で形成されている。

リブ５の厚さは、隔壁６や絶縁層１２の厚さに比べて十分に小さい。一例では、リブ５の厚さは、２００ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下である。
隔壁６の下部６１の厚さ（リブ５の上面から上部６２の下面までの厚さ）は、リブ５の厚さより大きい。
封止層ＳＥ１の厚さ、封止層ＳＥ２の厚さ、及び、封止層ＳＥ３の厚さは、ほぼ同等である。
シリコン窒化物は青波長（４５０ｎｍ以下の波長範囲）をわずかに吸収する性質がある。このため、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がシリコン窒化物で形成される場合、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の厚さは、封止性能を確保できる範囲で薄いことが望ましく、例えば２μｍ以下である。これにより、青波長の透過率が向上する。
一方で、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の厚さを薄くすると、突出部６２１，６２２，６２３の下方には空隙が形成され得る。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）などの金属材料と透明導電材料の積層構造を有してもよい。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。また、有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。発光層ＥＭ２は、発光層ＥＭ１とは異なる材料で形成されている。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ３は、発光層ＥＭ１及びＥＭ２とは異なる材料で形成されている。

発光層ＥＭ１を形成する材料、発光層ＥＭ２を形成する材料、及び、発光層ＥＭ３を形成する材料は、互いに異なる波長域の光を放つ材料である。
一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。

キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、例えば、透明な薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいてもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、省略してもよい。

保護層１３は、透明な薄膜の多層体によって形成され、例えば、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいる。

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した各上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１のうちの発光層ＥＭ１が第１波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２のうちの発光層ＥＭ２が第２波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３のうちの発光層ＥＭ３が第３波長域の光を放つ。

次に、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について説明する。

図４は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３を有する処理基板ＳＵＢを用意する工程（ステップＳＴ１）と、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を形成する工程（ステップＳＴ２）と、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を形成する工程（ステップＳＴ３）と、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を形成する工程（ステップＳＴ４）と、を含む。

ステップＳＴ１においては、まず、基板１０の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３、リブ５、及び、隔壁６を形成した処理基板ＳＵＢを用意する。図３に示したように、基板１０と下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３との間には、回路層１１及び絶縁層１２も形成される。

ステップＳＴ２においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ１を含む第１薄膜３１を形成する（ステップＳＴ２１）。その後、第１薄膜３１の上に所定の形状にパターニングされたネガ型の第１レジスト４１を形成する（ステップＳＴ２２）。第１レジスト４１は、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第１薄膜３１を露出し、副画素ＳＰ１の第１薄膜３１を覆う。
その後、第１レジスト４１をマスクとしたエッチングにより副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第１薄膜３１を除去する（ステップＳＴ２３）。副画素ＳＰ１には第１薄膜３１が残留する。その後、第１レジスト４１を除去する（ステップＳＴ２４）。これにより、副画素ＳＰ１が形成される。副画素ＳＰ１は、所定の形状の第１薄膜３１を有する表示素子２０１を備える。

ステップＳＴ３においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ２を含む第２薄膜３２を形成する（ステップＳＴ３１）。その後、第２薄膜３２の上に所定の形状にパターニングされたネガ型の第２レジスト４２を形成する（ステップＳＴ３２）。第２レジスト４２は、副画素ＳＰ３の第２薄膜３２を露出し、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２の第２薄膜３２を覆う。
その後、第２レジスト４２をマスクとしたエッチングにより副画素ＳＰ３の第２薄膜３２を除去する（ステップＳＴ３３）。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２には第２薄膜３２が残留する。その後、第２レジスト４２を除去する（ステップＳＴ３４）。
その後、所定の形状にパターニングされたポジ型の第３レジスト４３を形成する（ステップＳＴ３５）。第３レジスト４３は、副画素ＳＰ１の第２薄膜３２を露出し、副画素ＳＰ２の第２薄膜３２を覆い、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を覆う。
その後、第３レジスト４３をマスクとしたエッチングにより副画素ＳＰ１の第２薄膜３２を除去する（ステップＳＴ３６）。副画素ＳＰ１には第１薄膜３１が残留し、副画素ＳＰ２には第２薄膜３２が残留する。その後、第３レジスト４３を除去する（ステップＳＴ３７）。これにより、副画素ＳＰ２が形成される。副画素ＳＰ２は、所定の形状の第２薄膜３２を有する表示素子２０２を備える。

ステップＳＴ４においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ３を含む第３薄膜３３を形成する（ステップＳＴ４１）。その後、第３薄膜３３の上に所定の形状にパターニングされたポジ型の第４レジスト４４を形成する（ステップＳＴ４２）。第４レジスト４４は、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２の第３薄膜３３を露出し、副画素ＳＰ３の第３薄膜３３を覆う。
その後、第４レジスト４４をマスクとしたエッチングにより副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２の第３薄膜３３を除去する（ステップＳＴ４３）。副画素ＳＰ３には第３薄膜３３が残留する。その後、第４レジスト４４を除去する（ステップＳＴ４４）。これにより、副画素ＳＰ３が形成される。副画素ＳＰ３は、所定の形状の第３薄膜３３を有する表示素子２０３を備える。

なお、ネガ型のレジストとは、露光されることで現像液に対して不溶化する材料であり、ポジ型のレジストとは、露光されることで現像液に溶解する材料である。

以下、ステップＳＴ１及びステップＳＴ４について図５乃至図１５を参照しながら説明する。

まず、ステップＳＴ１においては、図５に示すように、処理基板ＳＵＢを用意する。処理基板ＳＵＢを用意する工程は、基板１０の上に回路層１１を形成する工程と、回路層１１の上に絶縁層１２を形成する工程と、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する工程と、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の各々と重なる開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５を形成する工程と、リブ５の上に配置された下部６１及び下部６１の上に配置され下部６１の側面から突出した上部６２を含む隔壁６を形成する工程と、を含む。図６乃至図１５においては、絶縁層１２よりも下層の基板１０及び回路層１１の図示を省略する。

続いて、ステップＳＴ２１においては、図６に示すように、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、第１薄膜３１を形成する。第１薄膜３１は、副画素ＳＰ１の開口ＡＰ１において下電極ＬＥ１に重なり、副画素ＳＰ２の開口ＡＰ２において下電極ＬＥ２に重なり、副画素ＳＰ３の開口ＡＰ３において下電極ＬＥ３に重なり、リブ５に重なり、隔壁６の下部６１及び上部６２を覆う。

図７は、副画素ＳＰ１に配置された第１薄膜３１を拡大した断面図である。
第１薄膜３１は、青波長域の光を放つ発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１と、有機層ＯＲ１の上に配置された上電極ＵＥ１と、上電極ＵＥ１の上に配置されたキャップ層ＣＰ１と、キャップ層ＣＰ１の上に配置された封止層ＳＥ１と、を含む。副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３に配置された第１薄膜３１も、図７に示した第１薄膜と同様に形成されている。

続いて、ステップＳＴ２２においては、図８に示すように、第１薄膜３１の上に第１レジスト４１を形成する。
まず、図８の上段に示すように、第１薄膜３１の上の全面に亘って第１レジスト４１を塗布する。このとき、第１レジスト４１は、突出部６２１，６２２，６２３の下方に形成された第１薄膜３１の空隙に充填される。

その後、図８の中段に示すように、所定の開口パターンを有するフォトマスクＭ１を適用して、第１レジスト４１を露光する。上記の通り、第１レジスト４１はネガ型である。ここでは、副画素ＳＰ１に対応した開口パターンを有するフォトマスクＭ１を適用する。これにより、副画素ＳＰ１の第１レジスト４１は露光され、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第１レジスト４１は露光されない。

その後、図８の下段に示すように、第１レジスト４１を現像した後、第１レジスト４１を硬化処理する。これにより、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１の第１薄膜３１を覆い、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第１薄膜３１を露出する。また、第１レジスト４１は、突出部６２１の下方の空隙に残留し、突出部６２２，６２３の下方の空隙から除去される。

続いて、ステップＳＴ２３においては、図９の上段に示すように、第１レジスト４１をマスクとしてエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第１薄膜３１を除去し、副画素ＳＰ１に第１薄膜３１が残留する。つまり、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３における封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１が除去される。これにより、副画素ＳＰ２において開口ＡＰ２から下電極ＬＥ２が露出し、また、下電極ＬＥ２を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ３において開口ＡＰ３から下電極ＬＥ３が露出し、また、下電極ＬＥ３を囲むリブ５が露出する。

続いて、ステップＳＴ２４においては、図９の中段に示すように、第１レジスト４１を除去する。これにより、副画素ＳＰ１の第１薄膜３１が露出する。これらのステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４を経て、副画素ＳＰ１において、表示素子２０１が形成される。

続いて、ステップＳＴ３１においては、図９の下段に示すように、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、第２薄膜３２を形成する。第２薄膜３２は、副画素ＳＰ１において第１薄膜３１に重なり、副画素ＳＰ２の開口ＡＰ２において下電極ＬＥ２に重なり、副画素ＳＰ３の開口ＡＰ３において下電極ＬＥ３に重なり、リブ５に重なり、隔壁６の下部６１及び上部６２を覆う。
第２薄膜３２は、図３に示したように、緑波長域の光を放つ発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２と、有機層ＯＲ２の上に配置された上電極ＵＥ２と、上電極ＵＥ２の上に配置されたキャップ層ＣＰ２と、キャップ層ＣＰ２の上に配置された封止層ＳＥ２と、を含む。

続いて、ステップＳＴ３２においては、図１０に示すように、第２薄膜３２の上に第２レジスト４２を形成する。
まず、図１０の上段に示すように、第２薄膜３２の上の全面に亘って第２レジスト４２を塗布する。このとき、第２レジスト４２は、突出部６２１，６２２，６２３の下方に形成された第２薄膜３２の空隙に充填される。

その後、図１０の中段に示すように、所定の開口パターンを有するフォトマスクＭ２を適用して、第２レジスト４２を露光する。上記の通り、第２レジスト４２はネガ型である。ここでは、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２に対応した開口パターンを有するフォトマスクＭ２を適用する。これにより、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２の第２レジスト４２は露光され、副画素ＳＰ３の第２レジスト４２は露光されない。

その後、図１０の下段に示すように、第２レジスト４２を現像した後、第２レジスト４２を硬化処理する。これにより、第２レジスト４２は、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２の第２薄膜３２を覆い、副画素ＳＰ３の第２薄膜３２を露出する。また、第１レジスト４１は、突出部６２１，６２２の下方の空隙に残留し、突出部６２３の下方の空隙から除去される。

続いて、ステップＳＴ３３においては、図１１の上段に示すように、第２レジスト４２をマスクとしてエッチングを行い、第２レジスト４２から露出した副画素ＳＰ３の第２薄膜３２を除去し、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２に第２薄膜３２が残留する。つまり、副画素ＳＰ３における封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２が除去される。これにより、副画素ＳＰ３において開口ＡＰ３から下電極ＬＥ３が露出し、また、下電極ＬＥ３を囲むリブ５も露出する。

続いて、ステップＳＴ３４においては、図１１の下段に示すように、第２レジスト４２を除去する。これにより、副画素ＳＰ２の第２薄膜３２が露出する。これらのステップＳＴ３１乃至ＳＴ３４を経て、副画素ＳＰ２において、表示素子２０２が形成される。また、副画素ＳＰ１においては、第１薄膜３１に重なる第２薄膜３２が露出する。

続いて、ステップＳＴ３５においては、図１２に示すように、第３レジスト４３を形成する。
まず、図１２の上段に示すように、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、第３レジスト４３を塗布する。このとき、第３レジスト４３は、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２において第２薄膜３２に重なり、副画素ＳＰ３において下電極ＬＥ３及びリブ５に重なり、隔壁６を覆う。また、第３レジスト４３は、突出部６２１，６２２，６２３の下方に形成された空隙に充填される。

その後、図１２の中段に示すように、所定の開口パターンを有するフォトマスクＭ３を適用して、第３レジスト４３を露光する。上記の通り、第３レジスト４３はポジ型である。ここでは、副画素ＳＰ１に対応した開口パターンを有するフォトマスクＭ３を適用する。これにより、副画素ＳＰ１の第３レジスト４３は露光されるが、突出部６２１の下方の第３レジスト４３は、突出部６２１が遮光性の材料で形成されているため、露光されない。副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第３レジスト４３は露光されない。

その後、図１２の下段に示すように、第３レジスト４３を現像した後、第３レジスト４３を硬化処理する。これにより、第３レジスト４３は、副画素ＳＰ２の第２薄膜３２を覆い、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を覆い、副画素ＳＰ１の第２薄膜３２を露出する。また、第３レジスト４３は、突出部６２１の下方の空隙に残留する。

続いて、ステップＳＴ３６おいては、図１３の上段に示すように、第３レジスト４３をマスクとしてエッチングを行い、第３レジスト４３から露出した副画素ＳＰ１の第２薄膜３２を除去する。このとき、突出部６２１の下方に残留した第３レジスト４３がマスクとなり、一部の第２薄膜３２が残留する。

続いて、ステップＳＴ３７においては、図１３の中段に示すように、第３レジスト４３を除去する。

続いて、ステップＳＴ４１においては、図１３の下段に示すように、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、第３薄膜３３を形成する。第３薄膜３３は、副画素ＳＰ１において第１薄膜３１に重なり、副画素ＳＰ２において第２薄膜３２に重なり、副画素ＳＰ３の開口ＡＰ３において下電極ＬＥ３に重なり、リブ５に重なり、隔壁６の下部６１及び上部６２を覆う。
第３薄膜３３は、図３に示したように、赤波長域の光を放つ発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３と、有機層ＯＲ３の上に配置された上電極ＵＥ３と、上電極ＵＥ３の上に配置されたキャップ層ＣＰ３と、キャップ層ＣＰ３の上に配置された封止層ＳＥ３と、を含む。

続いて、ステップＳＴ４２においては、図１４に示すように、第３薄膜３３の上に第４レジスト４４を形成する。
まず、図１４の上段に示すように、第３薄膜３３の上の全面に亘って第４レジスト４４を塗布する。このとき、第４レジスト４４は、突出部６２１，６２２，６２３の下方に形成された空隙に充填される。

その後、図１４の中段に示すように、所定の開口パターンを有するフォトマスクＭ４を適用して、第４レジスト４４を露光する。上記の通り、第４レジスト４４はポジ型である。ここでは、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２に対応した開口パターンを有するフォトマスクＭ４を適用する。これにより、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２の第４レジスト４４は露光され、副画素ＳＰ３の第４レジスト４４は露光されない。また、突出部６２１及び突出部６２２の下方の第４レジスト４４は、突出部６２１及び突出部６２２が遮光性の材料で形成されているため、露光されない。

その後、図１４の下段に示すように、第４レジスト４４を現像した後、第４レジスト４４を硬化処理する。これにより、第４レジスト４４は、副画素ＳＰ３の第３薄膜３３を覆い、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２の第３薄膜３３を露出する。また、第４レジスト４４は、突出部６２１及び突出部６２２の下方の空隙に残留する。

続いて、ステップＳＴ４３においては、図１５の上段に示すように、第４レジスト４４をマスクとしてエッチングを行い、第４レジスト４４から露出した副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ１の第３薄膜３３を除去し、副画素ＳＰ３に第３薄膜３３が残留する。つまり、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２における封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３が除去される。このとき、突出部６２１及び突出部６２２の下方に残留した第４レジスト４４がマスクとなり、一部の第３薄膜３３が残留する。

続いて、ステップＳＴ４４においては、図１５の下段に示すように、第４レジスト４４を除去する。これにより、副画素ＳＰ３の第３薄膜３３が露出する。これらのステップＳＴ４１乃至ＳＴ４４を経て、副画素ＳＰ３において、表示素子２０３が形成される。

以上の工程により、副画素ＳＰ１には表示素子２０１が形成され、副画素ＳＰ２には表示素子２０２が形成され、副画素ＳＰ３には表示素子２０３が形成される。

なお、上記の工程のうち、ステップＳＴ２１の第１薄膜３１を形成する工程では発光層ＥＭ１が赤波長域の光を放つ材料で形成され、ステップＳＴ３１の第２薄膜３２を形成する工程では発光層ＥＭ２が緑波長域の光を放つ材料で形成され、ステップＳＴ４１の第３薄膜３３を形成する工程では発光層ＥＭ３が青波長域の光を放つ材料で形成される場合もあり得る。

上記の例において、副画素ＳＰ１が第１副画素に相当し、開口ＡＰ１が第１開口に相当し、下電極ＬＥ１が第１下電極に相当し、有機層ＯＲ１が第１有機層に相当し、発光層ＥＭ１が第１発光層に相当し、上電極ＵＥ１が第１上電極に相当し、キャップ層ＣＰ１が第１キャップ層に相当し、封止層ＳＥ１が第１封止層に相当する。
また、副画素ＳＰ２が第２副画素に相当し、開口ＡＰ２が第２開口に相当し、下電極ＬＥ２が第２下電極に相当し、有機層ＯＲ２が第２有機層に相当し、発光層ＥＭ２が第２発光層に相当し、上電極ＵＥ２が第２上電極に相当し、キャップ層ＣＰ２が第２キャップ層に相当し、封止層ＳＥ２が第２封止層に相当する。
また、副画素ＳＰ３が第３副画素に相当し、開口ＡＰ３が第３開口に相当し、下電極ＬＥ３が第３下電極に相当し、有機層ＯＲ３が第３有機層に相当し、発光層ＥＭ３が第３発光層に相当し、上電極ＵＥ３が第３上電極に相当し、キャップ層ＣＰ３が第３キャップ層に相当し、封止層ＳＥ３が第３封止層に相当する。

本実施形態によれば、第１薄膜３１をパターニングするための第１レジスト４１はネガ型である。突出部６２２，６２３の下方に第１薄膜３１の空隙が形成される場合、突出部６２２，６２３の下方に充填された第１レジスト４１は、未露光であるため、除去され、第１薄膜３１を露出する（図８下段）。このため、第１薄膜３１をエッチングする際に、突出部６２２，６２３の下方の第１薄膜３１は除去され、隔壁６が露出する（図９上段）。これにより、その後に形成される第２薄膜３２と隔壁６との電気的な接続が可能となる（図９下段）。

第２薄膜３２をパターニングするための第２レジスト４２はネガ型である。突出部６２３の下方に第２薄膜３２の空隙が形成される場合、突出部６２３の下方に充填された第２レジスト４２は、未露光であるため、除去され、第２薄膜３２を露出する（図１０下段）。このため、第２薄膜３２をエッチングする際に、突出部６２３の下方の第２薄膜３２は除去され、隔壁６が露出する（図１１上段）。これにより、その後に形成される第３薄膜３３と隔壁６との電気的な接続が可能となる（図１３下段）。

副画素ＳＰ１の第１薄膜３１に重なる第２薄膜３２を除去する工程において、第２薄膜３２をパターニングするための第３レジスト４３はポジ型である。突出部６２１の下方に第２薄膜３２の空隙が形成される場合、突出部６２１の下方に充填された第３レジスト４３は、未露光であるため、残留する（図１２下段）。このため、第２薄膜３２をエッチングする際に、第３レジスト４３がエッチングストッパとして機能し、突出部６２１の下方の第１薄膜３１が保護される（図１３上段）。これにより、第１薄膜３１に含まれる封止層ＳＥ１の破壊が抑制され、水分浸入に起因した表示不良を抑制することができる。

副画素ＳＰ１の第１薄膜３１に重なる第３薄膜３３及び副画素ＳＰ２の第２薄膜３２に重なる第３薄膜３３を除去する工程において、第３薄膜３３をパターニングするための第４レジスト４４はポジ型である。突出部６２１、６２２の下方に第３薄膜３３の空隙が形成される場合、突出部６２１、６２２の下方に充填された第４レジスト４４は、未露光であるため、残留する（図１４下段）。このため、第３薄膜３３をエッチングする際に、第４レジスト４４がエッチングストッパとして機能し、突出部６２１の下方の第１薄膜３１及び突出部６２２の下方の第２薄膜３２が保護される（図１５上段）。これにより、第１薄膜３１に含まれる封止層ＳＥ１及び第２薄膜３２に含まれる封止層ＳＥ２の破壊が抑制され、水分浸入に起因した表示不良を抑制することができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制し、製造歩留まりを向上することが可能な表示装置の製造方法を提供することができる。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置の製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置
１０…基板 １２…絶縁層
５…リブ ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＰＸ…画素 ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０，２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ，ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極（アノード）
ＵＥ，ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極（カソード）
ＯＲ，ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層
ＣＰ，ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層
ＳＥ，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層
３１…第１薄膜 ３２…第２薄膜 ３３…第３薄膜
４１…第１レジスト ４２…第２レジスト ４３…第３レジスト ４４…第４レジスト

Claims (12)

1. 第１副画素の第１下電極、第２副画素の第２下電極、及び、第３副画素の第３下電極を形成し、前記第１下電極と重なる第１開口、前記第２下電極と重なる第２開口、及び、前記第３下電極と重なる第３開口を有するリブを形成した処理基板を用意し、
   前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、第１発光層を含む第１薄膜を形成し、
   前記第２副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を露出するとともに前記第１副画素の前記第１薄膜を覆うネガ型の第１レジストを形成し、
   前記第１レジストをマスクとして前記第２副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を除去し、前記第１副画素に前記第１薄膜が残留し、前記第２開口から前記第２下電極を露出するとともに前記第３開口から前記第３下電極を露出し、
   前記第１レジストを除去し、
   前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、第２発光層を含む第２薄膜を形成し、
   前記第３副画素の前記第２薄膜を露出するとともに前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第２薄膜を覆うネガ型の第２レジストを形成し、
   前記第２レジストをマスクとして前記第３副画素の前記第２薄膜を除去し、前記第１副画素及び前記第２副画素に前記第２薄膜が残留し、前記第３開口から前記第３下電極を露出し、
   前記第２レジストを除去し、
   前記第１副画素の前記第２薄膜を露出するとともに前記第２副画素の前記第２薄膜及び前記第３副画素の前記第３下電極を覆うポジ型の第３レジストを形成し、
   前記第３レジストをマスクとして前記第１副画素の前記第２薄膜を除去し、
   前記第３レジストを除去する、表示装置の製造方法。
2. 前記第３レジストを除去した後に、さらに、
   前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、第３発光層を含む第３薄膜を形成し、
   前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第３薄膜を露出するとともに前記第３副画素の前記第３薄膜を覆うポジ型の第４レジストを形成し、
   前記第４レジストをマスクとして前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第３薄膜を除去し、前記第３副画素に前記第３薄膜が残留し、
   前記第４レジストを除去する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 前記第１発光層は、青波長域の光を放つ材料によって形成し、
   前記第２発光層は、緑波長域の光を放つ材料によって形成し、
   前記第３発光層は、赤波長域の光を放つ材料によって形成する、請求項２に記載の表示装置の製造方法。
4. 前記第１発光層は、赤波長域の光を放つ材料によって形成し、
   前記第２発光層は、緑波長域の光を放つ材料によって形成し、
   前記第３発光層は、青波長域の光を放つ材料によって形成する、請求項２に記載の表示装置の製造方法。
5. 前記処理基板を用意する工程では、さらに、
   前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成する、請求項２に記載の表示装置の製造方法。
6. 前記隔壁の前記下部は、導電材料によって形成する、請求項５に記載の表示装置の製造方法。
7. 前記第１薄膜は、
   前記第１下電極の上に位置し、前記第１発光層を含む第１有機層と、
   前記第１有機層の上に位置し、前記隔壁の前記下部に接する第１上電極と、
   前記第１上電極の上に位置する第１キャップ層と、
   前記第１キャップ層の上に位置する第１封止層と、を有している、請求項６に記載の表示装置の製造方法。
8. 前記第２薄膜を形成する工程では、前記第１副画素の前記第１薄膜の上、前記第２下電極の上、及び、前記第３下電極の上に、前記第２薄膜を形成する、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
9. 前記第２薄膜は、
   前記第２下電極の上に位置し、前記第２発光層を含む第２有機層と、
   前記第２有機層の上に位置し、前記隔壁の前記下部に接する第２上電極と、
   前記第２上電極の上に位置する第２キャップ層と、
   前記第２キャップ層の上に位置する第２封止層と、を有している、請求項８に記載の表示装置の製造方法。
10. 前記第３薄膜を形成する工程では、前記第１副画素の前記第１薄膜の上、前記第２副画素の前記第２薄膜の上、及び、前記第３下電極の上に、前記第３薄膜を形成する、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
11. 前記第３薄膜は、
    前記第３下電極の上に位置し、前記第３発光層を含む第３有機層と、
    前記第３有機層の上に位置し、前記隔壁の前記下部に接する第３上電極と、
    前記第３上電極の上に位置する第３キャップ層と、
    前記第３キャップ層の上に位置する第３封止層と、を有している、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
12. 前記リブ、前記第１封止層、前記第２封止層、及び、前記第３封止層は、シリコン窒化物によって形成する、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。

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