JP2023100414A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 表示品位の向上が可能な表示装置を提供する。【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、基板と、基板の上方に配置された画素回路と、画素回路を覆い、コンタクトホールを有する絶縁層と、絶縁層の上方に配置され、コンタクトホールを通じて画素回路に接続された下電極と、下電極に対向する上電極と、下電極と上電極の間に位置し、下電極と上電極の電位差に応じて発光する有機層と、無機材料で形成され、下電極と重なる開口を有するリブと、リブの上方に配置された隔壁と、コンタクトホールの内側に配置された充填材と、を備えている。有機層は、開口を通じて下電極に接触する第１有機層と、隔壁の上に位置し第１有機層と離間した第２有機層と、を含む。隔壁およびリブは、平面視においてコンタクトホールおよび充填材の少なくとも一部と重なっている。【選択図】 図５

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。

一般に、画素回路は有機材料で形成された絶縁層により覆われ、この絶縁層に設けられたコンタクトホールを通じて下電極が画素回路に接続されている。絶縁層の上に配置される要素がコンタクトホールにより変形すると、表示不良を生じる可能性がある。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号

本発明の目的は、表示品位の向上が可能な表示装置を提供することにある。

一実施形態に係る表示装置は、基板と、前記基板の上方に配置された画素回路と、前記画素回路を覆い、コンタクトホールを有する絶縁層と、前記絶縁層の上方に配置され、前記コンタクトホールを通じて前記画素回路に接続された下電極と、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に位置し、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、無機材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上方に配置された隔壁と、前記コンタクトホールの内側に配置された充填材と、を備えている。前記有機層は、前記開口を通じて前記下電極に接触する第１有機層と、前記隔壁の上に位置し前記第１有機層と離間した第２有機層と、を含む。前記隔壁および前記リブは、平面視において前記コンタクトホールおよび前記充填材の少なくとも一部と重なっている。

図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。 図２は、第１実施形態に係る副画素のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図４は、図２の一部を拡大した概略的な平面図である。 図５は、図４中のV－V線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図６は、第１実施形態に係る表示装置の製造工程の一部を示す概略的な断面図である。 図７は、比較例に係る表示装置の概略的な断面図である。 図８は、第２実施形態に係る表示装置の概略的な断面図である。 図９は、第３実施形態に係る表示装置の概略的な断面図である。 図１０は、第４実施形態に係る表示装置の概略的な断面図である。

いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１（第１副画素）、緑色の副画素ＳＰ２（第２副画素）および青色の副画素ＳＰ３（第３副画素）を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０に接続されている。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ２は緑色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ３は青色の波長域の光を放つ表示素子２０を備えている。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。図２の例においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ１，ＳＰ２がそれぞれ副画素ＳＰ３と第１方向Ｘに並んでいる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１，ＳＰ２が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、開口ＡＰ２が開口ＡＰ１よりも大きく、開口ＡＰ３が開口ＡＰ２よりも大きい。

隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ３の間、および、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ２，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。図２の例においては、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１の外形が一致し、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２の外形が一致し、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３の外形が一致している。

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０を構成する。

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３は、全体的にリブ５と重なっている。コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２の少なくとも一部は、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間の第１隔壁６ｘと重なっている。コンタクトホールＣＨ３の少なくとも一部は、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間の第１隔壁６ｘと重なっている。

図２の例においては、下電極ＬＥ１が下電極ＬＥ２に向けて突出した凸部ＰＲ１を有し、下電極ＬＥ２が下電極ＬＥ１に向けて突出した凸部ＰＲ２を有している。コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２は、凸部ＰＲ１，ＰＲ２とそれぞれ重なっている。

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３は絶縁層１２に設けられている。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された下部６１と、下部６１の上面を覆う上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。

図２に示した有機層ＯＲ１は、互いに離間した第１有機層ＯＲ１ａおよび第２有機層ＯＲ１ｂを含む。また、図２に示した上電極ＵＥ１は、互いに離間した第１上電極ＵＥ１ａおよび第２上電極ＵＥ１ｂを含む。図３に示すように、第１有機層ＯＲ１ａは、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ１ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ１ａは、下電極ＬＥ１と対向するとともに、第１有機層ＯＲ１ａを覆っている。さらに、第１上電極ＵＥ１ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ１ｂを覆っている。

図２に示した有機層ＯＲ２は、互いに離間した第１有機層ＯＲ２ａおよび第２有機層ＯＲ２ｂを含む。また、図２に示した上電極ＵＥ２は、互いに離間した第１上電極ＵＥ２ａおよび第２上電極ＵＥ２ｂを含む。図３に示すように、第１有機層ＯＲ２ａは、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ２ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ２ａは、下電極ＬＥ２と対向するとともに、第１有機層ＯＲ２ａを覆っている。さらに、第１上電極ＵＥ２ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ２ｂを覆っている。

図２に示した有機層ＯＲ３は、互いに離間した第１有機層ＯＲ３ａおよび第２有機層ＯＲ３ｂを含む。また、図２に示した上電極ＵＥ３は、互いに離間した第１上電極ＵＥ３ａおよび第２上電極ＵＥ３ｂを含む。図３に示すように、第１有機層ＯＲ３ａは、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ３ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ３ａは、下電極ＬＥ３と対向するとともに、第１有機層ＯＲ３ａを覆っている。さらに、第１上電極ＵＥ３ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ３ｂを覆っている。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層７１，７２，７３がそれぞれ配置されている。封止層７１は、第１上電極ＵＥ１ａ、下部６１の側面および第２上電極ＵＥ１ｂを連続的に覆っている。封止層７２は、第１上電極ＵＥ２ａ、下部６１の側面および第２上電極ＵＥ２ｂを連続的に覆っている。封止層７３は、第１上電極ＵＥ３ａ、下部６１の側面および第２上電極ＵＥ３ｂを連続的に覆っている。

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の第２有機層ＯＲ１ｂ、第２上電極ＵＥ１ｂおよび封止層７１と、当該隔壁６上の第２有機層ＯＲ３ｂ、第２上電極ＵＥ３ｂおよび封止層７３とが離間している。また、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６上の第２有機層ＯＲ２ｂ、第２上電極ＵＥ２ｂおよび封止層７２と、当該隔壁６上の第２有機層ＯＲ３ｂ、第２上電極ＵＥ３ｂおよび封止層７３とが離間している。

封止層７１，７２，７３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。さらに、封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。

絶縁層１２および樹脂層１３，１５は、有機材料で形成されている。リブ５および封止層１４，７１，７２，７３は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機材料で形成されている。無機材料で形成されたリブ５の厚さは、隔壁６や絶縁層１２の厚さに比べて十分に小さい。一例では、リブ５の厚さは２００ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下である。

隔壁６の下部６１は、導電性を有している。隔壁６の上部６２も導電性を有してもよい。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）などの金属材料と透明導電材料の積層構造を有してもよい。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位が上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位よりも相対的に高い場合、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がカソードに相当する。また、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位が下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位よりも相対的に高い場合、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がアノードに相当し、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がカソードに相当する。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、一対の機能層と、これら機能層の間に配置された発光層とを含む。一例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層を順に積層した構造を有している。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層をさらに含んでもよい。このようなキャップ層は、上電極ＵＥ１と封止層７１の間、上電極ＵＥ２と封止層７２の間、上電極ＵＥ３と封止層７３の間にそれぞれ設けられてもよい。

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した第１上電極ＵＥ１ａ，ＵＥ２ａ，ＵＥ３ａにそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ１ａの発光層が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ２ａの発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ３ａの発光層が青色の波長域の光を放つ。

他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

図４は、図２における副画素ＳＰ１の近傍を拡大した概略的な平面図である。上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１の外形を示す鎖線で囲われた領域のうち、隔壁６と重なる部分が上述の第２上電極ＵＥ１ｂおよび第２有機層ＯＲ１ｂに相当する。さらに、当該鎖線で囲われた領域のうち、第２上電極ＵＥ１ｂおよび第２有機層ＯＲ１ｂの内側に位置する部分が上述の第１上電極ＵＥ１ａおよび第１有機層ＯＲ１ａに相当する。

第２上電極ＵＥ１ｂおよび第２有機層ＯＲ１ｂは、第１上電極ＵＥ１ａ、第１有機層ＯＲ１ａおよび開口ＡＰ１を囲っている。同様に、図３に示した第２上電極ＵＥ２ｂおよび第２有機層ＯＲ２ｂは、第１上電極ＵＥ２ａ、第１有機層ＯＲ２ａおよび開口ＡＰ２を囲っている。また、図３に示した第２上電極ＵＥ３ｂおよび第２有機層ＯＲ３ｂは、第１上電極ＵＥ３ａ、第１有機層ＯＲ３ａおよび開口ＡＰ３を囲っている。

詳しくは図５を参照して説明するが、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２には充填材８が配置されている。開口ＡＰ１，ＡＰ２の間に位置する第１隔壁６ｘは、コンタクトホールＣＨ１の一部および充填材８の一部と重なっている。さらに、リブ５は、コンタクトホールＣＨ１および充填材８の全体と重なっている。第１隔壁６ｘは、コンタクトホールＣＨ１および充填材８の全体と重なってもよい。図４の例においては、コンタクトホールＣＨ１が第１有機層ＯＲ１ａ、第２有機層ＯＲ１ｂ、第１上電極ＵＥ１ａおよび第２上電極ＵＥ１ｂとも重なっている。

コンタクトホールＣＨ１と重なる第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙにおいて幅Ｗｘ１を有している。コンタクトホールＣＨ１と重ならない第１隔壁６ｘ（図中上方の第１隔壁６ｘ）は、幅Ｗｘ２を有している。各第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘにおいて幅Ｗｙを有している。図４の例においては、幅Ｗｘ１が幅Ｗｘ２および幅Ｗｙよりも大きい（Ｗｘ１＞Ｗｘ２，Ｗｙ）。一例として、幅Ｗｙは幅Ｗｘ２と同じである。

下電極ＬＥ１は、第１方向Ｘと平行な第１辺Ｓ１１および第２辺Ｓ１２と、第２方向Ｙと平行な第３辺Ｓ１３および第４辺Ｓ１４とを有している。図４の例においては、各辺Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４が隔壁６と重なっていない。第１辺Ｓ１１は、第２方向ＹにおいてコンタクトホールＣＨ１と開口ＡＰ１の間に位置している。凸部ＰＲ１は、第１辺Ｓ１１から下電極ＬＥ２に向けて突出し、コンタクトホールＣＨ１と重なっている。

コンタクトホールＣＨ１の一部が重なる第１隔壁６ｘは、コンタクトホールＣＨ２の一部とも重なっている。コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２は、第１方向Ｘに並んでいる。下電極ＬＥ２は、この第１隔壁６ｘの近傍の第１辺Ｓ２１を有している。第１辺Ｓ２１および下電極ＬＥ２の他の辺は、下電極ＬＥ１の各辺Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４と同じく隔壁６と重なっていない。凸部ＰＲ２は、第１辺Ｓ２１から下電極ＬＥ１に向けて突出し、コンタクトホールＣＨ２と重なっている。図４には表れていないが、下電極ＬＥ３についはコンタクトホールＣＨ３に近接する一辺が第１隔壁６ｘと重なり、他の辺の大部分が隔壁６と重なっていない（図２参照）。

リブ５は、コンタクトホールＣＨ２およびコンタクトホールＣＨ２に配置された充填材８の全体と重なっている。コンタクトホールＣＨ２の一部は、有機層ＯＲ２および上電極ＵＥ２と重なっている。図４の例においては、コンタクトホールＣＨ１は有機層ＯＲ２および上電極ＵＥ２と重なっていない。また、コンタクトホールＣＨ２は有機層ＯＲ１および上電極ＵＥ１と重なっていない。

図５は、図４中のV－V線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。この図においては、図３に示した基板１０、樹脂層１３，１５および封止層１４を省略している。

コンタクトホールＣＨ１は、絶縁層１２を貫通している。下電極ＬＥ１の凸部ＰＲ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて回路層１１に含まれる導電層ＣＬに接触している。導電層ＣＬは、例えば図１に示した駆動トランジスタ３のソース電極またはドレイン電極に相当する。

コンタクトホールＣＨ１の内側には、充填材８が配置されている。充填材８は、例えばポリイミドなどの絶縁性の有機材料で形成することができる。充填材８は、絶縁層１２と同じ材料で形成されてもよい。充填材８の厚さは、リブ５の厚さよりも大きい。

充填材８は、下電極ＬＥ１のうち、コンタクトホールＣＨ１により窪んだ部分（凸部ＰＲ１の一部）を覆っている。図５の例においては、充填材８の上面８ａと、下電極ＬＥ１のうちコンタクトホールＣＨ１の周囲に位置する部分の上面とが略一致している。ただし、上面８ａは、下電極ＬＥ１のうちコンタクトホールＣＨ１の周囲に位置する部分の上面より僅かに突出してもよいし、当該上面より僅かに下方に位置してもよい。

本実施形態においては、上面８ａがリブ５により覆われている。すなわち、充填材８の少なくとも一部は、第３方向Ｚ（絶縁層１２やリブ５の厚さ方向）において下電極ＬＥ１とリブ５の間に位置している。

第１隔壁６ｘ（隔壁６）の下部６１は、側面６１ａ，６１ｂを有している。第１上電極ＵＥ１ａは、側面６１ａの一部と接触している。側面６１ａの他の部分は、封止層７１で覆われている。同様に、第１上電極ＵＥ２ａは、側面６１ｂの一部と接触している。側面６１ｂの他の部分は、封止層７２で覆われている。

第１隔壁６ｘの上部６２は、側面６１ａから突出した端部６２ａと、側面６１ｂから突出した端部６２ｂとを有している。図５の例においては、封止層７１が端部６２ａの下面を覆い、封止層７２が端部６２ｂの下面を覆っている。

第１隔壁６ｘの上に位置する第２有機層ＯＲ１ｂ，ＯＲ２ｂは、第２方向Ｙに離間している。第１隔壁６ｘの上に位置する第２上電極ＵＥ１ｂ，ＵＥ２ｂは、第２方向Ｙに離間している。さらに、封止層７１の端部７１ａおよび封止層７２の端部７２ａは、それぞれ第１隔壁６ｘの上に位置し、第２方向Ｙに離間している。

図５の例においては、側面６１ａがコンタクトホールＣＨ１および充填材８の上方に位置している。図５の断面には表れていないが、側面６１ｂはコンタクトホールＣＨ２の上方に位置している。すなわち、側面６１ａは平面視においてコンタクトホールＣＨ１と重なり、側面６１ｂは平面視においてコンタクトホールＣＨ２と重なる。

コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３の近傍の断面構造は、図５に示したコンタクトホールＣＨ１の近傍の断面構造と同様である。すなわち、コンタクトホールＣＨ２の内側には下電極ＬＥ２を覆う充填材８が配置され、この充填材８の上面８ａがリブ５により覆われている。また、コンタクトホールＣＨ３の内側には下電極ＬＥ３を覆う充填材８が配置され、この充填材８の上面８ａがリブ５により覆われている。

ここで、本実施形態が奏する効果の一例につき、図６および図７を用いて説明する。
図６は、表示装置ＤＳＰの製造工程の一部を示す概略的な断面図である。有機層ＯＲ１の形成に際しては、先ずその基となる材料が表示領域ＤＡの全体に蒸着される。このとき、当該材料が隔壁６によって第１有機層ＯＲ１ａと第２有機層ＯＲ１ｂに分断される。続いて、上電極ＵＥ１の基となる材料が表示領域ＤＡの全体に蒸着される。このとき、当該材料が隔壁６によって第１上電極ＵＥ１ａと第２上電極ＵＥ１ｂに分断される。

さらに、第１上電極ＵＥ１ａおよび第２上電極ＵＥ１ｂの上に封止層７１が形成され、最終的に第１有機層ＯＲ１ａ、第２有機層ＯＲ１ｂ、第１上電極ＵＥ１ａおよび第２上電極ＵＥ１ｂを残すべき領域において封止層７１の上にレジストＲが形成される。その後のエッチングにより、第１有機層ＯＲ１ａ、第２有機層ＯＲ１ｂ、第１上電極ＵＥ１ａ、第２上電極ＵＥ１ｂおよび封止層７１のうちレジストＲで覆われていない部分が除去される。

図７は、比較例に係る表示装置の概略的な断面図であり、図６と同様の製造工程を示している。この比較例においては、コンタクトホールＣＨ１に充填材８が設けられていない。無機材料で形成されたリブ５は有機材料で形成された絶縁層１２よりも十分に薄いために、コンタクトホールＣＨ１の上方においてリブ５が窪み、凹部ＲＳが形成されている。さらに、下部６１の側面６１ａが凹部ＲＳの内側に位置している。

比較例の構造においては、図６の構造に比べて上部６２の端部６２ａが上方を向いているために、有機層ＯＲ１および上電極ＵＥ１が第１隔壁６ｘによって分断されない可能性がある。この場合、レジストＲを形成してエッチングを行うと、表示素子を構成する有機層ＯＲ１の端部が上電極ＵＥ１や封止層７１から露出する。一般に、有機層ＯＲ１は水分に対する耐性が低い。そのため、露出した端部を通じて有機層ＯＲ１に水分が浸入すると表示不良を生じ得る。

これに対し本実施形態においては、コンタクトホールＣＨ１の内側に充填材８が配置されているために、凹部ＲＳの形成が抑制される。したがって、コンタクトホールＣＨ１の近傍においても良好な形状の第１隔壁６ｘが形成され、有機層ＯＲ１を第１有機層ＯＲ１ａと第２有機層ＯＲ１ｂに分断することが可能である。この場合、第１有機層ＯＲ１ａの端部が第１上電極ＵＥ１ａおよび封止層７１によって良好に覆われ、第１有機層ＯＲ１ａへの水分浸入が抑制される。結果として表示不良が抑制され、表示装置ＤＳＰの表示品位が向上する。

なお、図５および図６においては有機層ＯＲ１に着目して本実施形態における効果を説明したが、コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３の内側に充填材８が配置されていることにより、有機層ＯＲ２，ＯＲ３についても同様の効果を得ることができる。

本実施形態においては、充填材８が下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３とリブ５の間に配置されている。したがって、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は充填材８と接触しない。この場合においては、仮に充填材８に水分が含まれていたとしても、この水分が有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３に到達することを抑制できる。

本実施形態においては、下電極ＬＥ１，ＬＥ２が凸部ＰＲ１，ＰＲ２を有している。この場合においては、図２および図４に示したようにコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２を第１方向Ｘに並べることができる。これにより、画素ＰＸのレイアウトの効率化が可能となる。

以下に、表示装置ＤＳＰの第２乃至第４実施形態を開示する。これらの実施形態においては主に第１実施形態との相違点に着目し、第１実施形態と同一の構成については説明を省略する。

［第２実施形態］
図８は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。この図においては、回路層１１、絶縁層１２、隔壁６（第１隔壁６ｘ）、リブ５および下電極ＬＥ１，ＬＥ２を示し、他の要素を省略している。

図８の例においては、コンタクトホールＣＨ１の内側においてリブ５が下電極ＬＥ１を覆っている。これにより、コンタクトホールＣＨ１の上方においてリブ５が窪み、凹部ＲＳが形成されている。充填材８は、凹部ＲＳを満たしている。充填材８の上面８ａの少なくとも一部は、下部６１によって覆われている。

このように、図８の例においては、充填材８の少なくとも一部が第３方向Ｚにおいてリブ５と隔壁６の間に位置している。この場合であっても、コンタクトホールＣＨ１の近傍において良好な形状の第１隔壁６ｘが形成されるので、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

例えば第１実施形態において図５に開示した構造の表示装置ＤＳＰを製造する際には、下電極ＬＥ１を形成するプロセスの後、リブ５を形成するプロセスまでの間に充填材８を形成する必要がある。この場合、充填材８を設けない構造に比べて、下電極ＬＥ１の端部が雰囲気中に露出する時間が長くなる。下電極ＬＥ１の端部の露出時間が長くなると、当該端部を通じて下電極ＬＥ１が劣化する可能性がある。

これに対し、図８の構造の表示装置ＤＳＰを製造する際には、下電極ＬＥ１を形成するプロセスの直後にリブ５を形成するプロセスを実施できるため、下電極ＬＥ１の端部の露出時間を短縮できる。これにより、下電極ＬＥ１の劣化を抑制することができる。

コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３の近傍に対しても図８と同様の構造を適用できる。これにより、コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３の近傍においても上述の各効果を得ることができる。

［第３実施形態］
図９は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。この図においては、回路層１１、絶縁層１２、隔壁６（第１隔壁６ｘ）、リブ５および下電極ＬＥ１，ＬＥ２を示し、他の要素を省略している。

図９の例において、下電極ＬＥ１は、第１透明導電層ＴＬ１、金属層ＭＬ、第２透明導電層ＴＬ２および下地層ＵＬを含む。これらの層は、いずれも導電性を有している。下電極ＬＥ２，ＬＥ３も下電極ＬＥ１と同様の構成を有している。

第１透明導電層ＴＬ１および第２透明導電層ＴＬ２は、例えばＩＴＯなどの透明導電材料で形成されている。金属層ＭＬは、例えば銀などの反射性に優れた金属材料で形成されている。下地層ＵＬは、透明導電材料で形成されてもよいし、金属材料で形成されてもよい。

下地層ＵＬは、絶縁層１２を覆い、コンタクトホールＣＨ１を通じて導電層ＣＬに接触している。充填材８は、下地層ＵＬのうちコンタクトホールＣＨ１の内側に位置する部分を覆っている。第１透明導電層ＴＬ１は、下地層ＵＬおよび充填材８の上面８ａを覆っている。金属層ＭＬは、第１透明導電層ＴＬ１を覆っている。第２透明導電層ＴＬ２は、金属層ＭＬを覆っている。

このように、図９の例においては、充填材８の少なくとも一部が第３方向Ｚにおいて下地層ＵＬと第１透明導電層ＴＬ１の間に位置している。この場合であっても、コンタクトホールＣＨ１の近傍において良好な形状の第１隔壁６ｘが形成されるので、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

また、図９の構造の表示装置ＤＳＰを製造する際には、第１透明導電層ＴＬ１、金属層ＭＬおよび第２透明導電層ＴＬ２を形成するプロセスの直後にリブ５を形成するプロセスを実施できる。これにより、第１透明導電層ＴＬ１、金属層ＭＬおよび第２透明導電層ＴＬ２の端部ＥＤの露出時間が短縮され、これらの層の劣化を抑制できる。

図９の例においては、第１透明導電層ＴＬ１、金属層ＭＬおよび第２透明導電層ＴＬ２の端部ＥＤが上面８ａの上に位置している。すなわち、上面８ａの一部が第１透明導電層ＴＬ１によって覆われていない。他の例として、端部ＥＤが全体的に第１透明導電層ＴＬ１によって覆われてもよい。

コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３の近傍に対しても図９と同様の構造を適用できる。これにより、コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３の近傍においても上述の各効果を得ることができる。

［第４実施形態］
図１０は、第４実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。この図においては、回路層１１、絶縁層１２、隔壁６（第１隔壁６ｘ）、リブ５および下電極ＬＥ１，ＬＥ２を示し、他の要素を省略している。

図１０の例において、下電極ＬＥ１は、第１透明導電層ＴＬ１、金属層ＭＬおよび第２透明導電層ＴＬ２を含む。これらの層はいずれも導電性を有しており、第３実施形態にて例示した材料にて形成することができる。下電極ＬＥ２，ＬＥ３も下電極ＬＥ１と同様の構成を有している。

図１０の例において、第１透明導電層ＴＬ１は、絶縁層１２を覆い、コンタクトホールＣＨ１を通じて導電層ＣＬに接触している。充填材８は、第１透明導電層ＴＬ１のうちコンタクトホールＣＨ１の内側に位置する部分を覆っている。金属層ＭＬは、第１透明導電層ＴＬ１および充填材８の上面８ａを覆っている。第２透明導電層ＴＬ２は、金属層ＭＬを覆っている。

このように、図１０の例においては、充填材８が第３方向Ｚにおいて第１透明導電層ＴＬ１と金属層ＭＬの間に位置している。この場合であっても、コンタクトホールＣＨ１の近傍において良好な形状の第１隔壁６ｘが形成されるので、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

図１０の例においては、第１透明導電層ＴＬ１、金属層ＭＬおよび第２透明導電層ＴＬ２の端部ＥＤがコンタクトホールＣＨ１の外側に位置している。すなわち、充填材８の全体が第１透明導電層ＴＬ１および金属層ＭＬで囲われている。他の例として、第１透明導電層ＴＬ１の端部が充填材８により覆われてもよい。また、金属層ＭＬおよび第２透明導電層ＴＬ２の端部が上面８ａの上に位置してもよい。

コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３の近傍に対しても図１０と同様の構造を適用できる。これにより、コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３の近傍においても上述の各効果を得ることができる。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３…コンタクトホール、１…画素回路、５…リブ、６…隔壁、１０…基板、６１…下部、６２…上部、７１，７２，７３…封止層。

Claims (20)

1. 基板と、
   前記基板の上方に配置された画素回路と、
   前記画素回路を覆い、コンタクトホールを有する絶縁層と、
   前記絶縁層の上方に配置され、前記コンタクトホールを通じて前記画素回路に接続された下電極と、
   前記下電極に対向する上電極と、
   前記下電極と前記上電極の間に位置し、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、
   無機材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するリブと、
   前記リブの上方に配置された隔壁と、
   前記コンタクトホールの内側に配置された充填材と、を備え、
   前記有機層は、前記開口を通じて前記下電極に接触する第１有機層と、前記隔壁の上に位置し前記第１有機層と離間した第２有機層と、を含み、
   前記隔壁および前記リブは、平面視において前記コンタクトホールおよび前記充填材の少なくとも一部と重なっている、
   表示装置。
2. 前記充填材の少なくとも一部は、前記絶縁層の厚さ方向において、前記下電極と前記リブの間に位置している、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記充填材の少なくとも一部は、前記絶縁層の厚さ方向において、前記リブと前記隔壁の間に位置している、
   請求項１に記載の表示装置。
4. 前記下電極は、
   前記絶縁層を覆う導電性の下地層と、
   透明導電材料で形成され、前記下地層を覆う第１透明導電層と、
   金属材料で形成され、前記第１透明導電層を覆う金属層と、
   透明導電材料で形成され、前記金属層を覆う第２透明導電層と、
   を含み、
   前記下地層は、前記コンタクトホールを通じて前記画素回路に接続され、
   前記充填材の少なくとも一部は、前記下地層と前記第１透明導電層の間に位置している、
   請求項１に記載の表示装置。
5. 前記下電極は、
   透明導電材料で形成され、前記絶縁層を覆う第１透明導電層と、
   金属材料で形成され、前記第１透明導電層を覆う金属層と、
   透明導電材料で形成され、前記金属層を覆う第２透明導電層と、
   を含み、
   前記第１透明導電層は、前記コンタクトホールを通じて前記画素回路に接続され、
   前記充填材の少なくとも一部は、前記第１透明導電層と前記金属層の間に位置している、
   請求項１に記載の表示装置。
6. 前記隔壁は、前記リブの上に配置された下部と、前記下部の上に配置され、前記下部の側面から突出した端部を有する上部と、を含み、
   前記第２有機層は、前記上部の上に配置されている、
   請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記下部の前記側面は、平面視において前記コンタクトホールと重なっている、
   請求項６に記載の表示装置。
8. 前記上電極は、前記第１有機層を覆う第１上電極と、前記第２有機層を覆い、前記第１上電極と離間した第２上電極と、を含み、
   前記第１上電極は、前記側面に接触している、
   請求項６または７に記載の表示装置。
9. 前記下部は、導電性を有している、
   請求項８に記載の表示装置。
10. 無機材料で形成され、前記第１上電極、前記側面および前記第２上電極を覆う封止層をさらに備えている、
    請求項８または９に記載の表示装置。
11. 前記下電極は、平面視において前記コンタクトホールと前記開口の間に位置する第１辺と、前記第１辺から突出し、平面視において前記コンタクトホールと重なる凸部と、を有している、
    請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の表示装置。
12. 前記隔壁は、平面視において前記開口を囲っている、
    請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載の表示装置。
13. 前記第２有機層は、平面視において前記開口を囲っている、
    請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載の表示装置。
14. 前記第２有機層は、平面視において前記コンタクトホールと重なっている、
    請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
15. 前記リブの厚さは、前記隔壁の厚さよりも小さい、
    請求項１乃至１４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
16. 前記画素回路、前記コンタクトホール、前記下電極、前記上電極、前記有機層および前記開口をそれぞれ含む第１副画素、第２副画素および第３副画素を備え、
    前記第１副画素と前記第３副画素は、第１方向に並び、
    前記第１副画素と前記第２副画素は、前記第１方向と交差する第２方向に並び、
    前記隔壁は、前記第１副画素の前記開口と前記第２副画素の前記開口との間に配置された第１隔壁と、前記第１副画素の前記開口と前記第３副画素の前記開口との間に配置された第２隔壁と、を有している、
    請求項１に記載の表示装置。
17. 前記第１隔壁の前記第２方向における幅は、前記第２隔壁の前記第１方向における幅よりも大きい、
    請求項１６に記載の表示装置。
18. 前記第１副画素の前記コンタクトホールは、平面視において前記第１隔壁と重なっている、
    請求項１６または１７に記載の表示装置。
19. 前記第２副画素の前記コンタクトホールは、平面視において前記第１隔壁と重なり、前記第１副画素の前記コンタクトホールと前記第１方向に並んでいる、
    請求項１８に記載の表示装置。
20. 前記第１副画素の前記第２有機層および前記第２副画素の前記第２有機層は、前記第１隔壁の上に位置し、前記第２方向に離間している、
    請求項１６乃至１９のうちいずれか１項に記載の表示装置。

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