JP2023167261A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光透過率を向上させることが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る表示装置は、基材と、基材の上の第１領域に配置された下電極と、下電極の一部を覆い、第１領域に重畳する開口部を有するリブと、リブの上に配置された下部と当該下部の側面から突出した上部とを有し、第１領域と当該第１領域とは異なる第２領域とを区画する隔壁と、第１領域に配置され、開口部を通じて下電極と接触する有機層と、有機層の上に配置された上電極とを具備し、有機層及び上電極は、第２領域に配置されない。【選択図】図１３

Description

本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

近年では、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されており、例えばスマートフォンのような電子機器が当該表示装置を備えることが知られている。

このような電子機器においては、表示装置（表示領域）の背面にカメラを配置する構成を採用することによって、当該カメラと重畳する領域まで表示領域を拡大することができる。

しかしながら、このような構成の場合には表示装置を介してカメラ（が有する撮像素子）に光が入射する必要があるため、当該表示装置（表示領域のうちのカメラと重畳する領域）において十分な光透過率を確保する必要がある。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号 米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

本発明の目的は、光透過率を向上させることが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。

実施形態に係る表示装置は、基材と、前記基材の上の第１領域に配置された下電極と、前記下電極の一部を覆い、前記第１領域に重畳する開口部を有するリブと、前記リブの上に配置された下部と当該下部の側面から突出した上部とを有し、前記第１領域と当該第１領域とは異なる第２領域とを区画する隔壁と、前記第１領域に配置され、前記開口部を通じて下電極と接触する有機層と、前記有機層の上に配置された上電極とを具備し、前記有機層及び前記上電極は、前記第２領域に配置されない。

図１は、実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。 図２は、副画素のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図４は、隔壁の概略的な断面図である。 図５は、隔壁を利用して形成される表示素子について説明するための概略的な断面図である。 図６は、隔壁を利用して形成される表示素子について説明するための概略的な断面図である。 図７は、隔壁を利用して形成される表示素子について説明するための概略的な断面図である。 図８は、表示装置が組み込まれた電子機器の一部を示す平面図である。 図９は、カメラと重畳する位置に配置されている画素について説明するための図である。 図１０は、本実施形態の比較例に係る表示装置のカメラと重畳する位置に配置される領域の概略的な断面図である。 図１１は、本実施形態に係る表示装置の製造方法の概要について説明するための図である。 図１２は、本実施形態に係る表示装置の製造方法の概要について説明するための図である。 図１３は、本実施形態に係る表示装置のカメラと重畳する位置に配置される領域の概略的な断面図である。

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、例えばスマートフォンのような電子機器に搭載され得る。なお、本実施形態に係る表示装置が搭載される電子機器は、スマートフォン以外（例えば、タブレット端末等）であってもよい。

図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基材１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、当該表示領域ＤＡの周辺の非表示領域ＮＤＡとを有している。基材１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基材１０の形状が長方形である。ただし、基材１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形または楕円形等の他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列（配置）された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２及び青色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３とともに白色等の他の色の副画素ＳＰを含んでいてもよい。また、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のいずれかに代えて他の色の副画素ＳＰを含んでいてもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０に接続されている。

なお、画素回路１の構成は、図１に示す例に限られない。画素回路１は、例えばより多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えていてもよい。

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ２は緑色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ３は青色の波長域の光を放つ表示素子２０を備えている。

図２は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のレイアウトの一例を示す。図２に示す例においては、副画素ＳＰ１とＳＰ２とが第２方向Ｙに並んでいる。更に、副画素ＳＰ１及びＳＰ２は、それぞれ副画素ＳＰ３と第１方向Ｘに並んでいる。

副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３が図２に示すようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１及びＳＰ２が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のレイアウトは、図２に示す例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３は、第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５及び隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３を有している。図２に示す例においては、開口ＡＰ２が開口ＡＰ１よりも大きく、開口ＡＰ３が開口ＡＰ２よりも大きい。隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。

隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１とＡＰ２との間、及び、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１とＡＰ３との間、及び、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ２とＡＰ３との間にそれぞれ配置されている。

図２に示す例においては、第１隔壁６ｘ及び第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３において開口を有するということもできる。

すなわち、本実施形態において、リブ５及び隔壁６は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３を区画するように配置されている。

副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。図２に示す例においては、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１の外形が一致し、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２の外形が一致し、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３の外形が一致している。

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０を構成する。

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１（の表示素子２０）を駆動する画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２（の表示素子２０）を駆動する画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３（の表示素子２０）を駆動する画素回路１に接続されている。

図２に示す例において、コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２は、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１とＡＰ２との間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。コンタクトホールＣＨ３は、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。他の例として、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２及びＣＨ３の少なくとも一部が第１隔壁６ｘと重なっていなくてもよい。

図２に示す例において、下電極ＬＥ１及びＬＥ２は、突部ＰＲ１及びＰＲ２をそれぞれ有している。突部ＰＲ１は、下電極ＬＥ１の本体（開口ＡＰ１と重なる部分）からコンタクトホールＣＨ１に向けて突出している。突部ＰＲ２は、下電極ＬＥ２の本体（開口ＡＰ２と重なる部分）からコンタクトホールＣＨ２に向けて突出している。コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２は、突部ＰＲ１及びＰＲ２とそれぞれ重なっている。

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。表示装置ＤＳＰにおいては、上記したガラスのような光透過性を有する基材１０の上（表示素子２０等が配置される側の面上）にアンダーコート層と称される絶縁層１１が配置されている。

絶縁層１１は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ）を有する三層積層構造を有する。なお、絶縁層１１は、三層積層構造に限られず、三層以上の積層構造を有していてもよいし、単層構造または二層積層構造を有していてもよい。

絶縁層１１の上には、回路層１２が配置されている。回路層１２は、図１に示す画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ及び電源線ＰＬ等の副画素ＳＰ（ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３）を駆動する各種回路及び配線を有する。回路層１２は、絶縁層１３により覆われている。

絶縁層１３は、回路層１２により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３には示されていないが、上記したコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２及びＣＨ３は、絶縁層１３に設けられている。

下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３）は、絶縁層１３の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１３と下電極ＬＥとの上に配置されている。下電極ＬＥの端部（一部）は、リブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された下部６１と、下部６１の上面を覆う上部６２とを有する。上部６２は、下部６１よりも第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに大きい幅を有している。これにより、隔壁６は、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出した形状を有する。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。

有機層ＯＲ（ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３）及び上電極ＵＥ（ＵＥ１、ＵＥ２及びＵＥ３）は上記した下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３）とともに表示素子２０を構成するが、図３に示すように、有機層ＯＲ１は、互いに離間した第１有機層ＯＲ１ａ及び第２有機層ＯＲ１ｂを含む。上電極ＵＥ１は、互いに離間した第１上電極ＵＥ１ａ及び第２上電極ＵＥ１ｂを含む。第１有機層ＯＲ１ａは、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ１ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ１ａは、下電極ＬＥ１と対向するとともに、第１有機層ＯＲ１ａを覆っている。更に、第１上電極ＵＥ１ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ１ｂを覆っている。

また、図３に示すように、有機層ＯＲ２は、互いに離間した第１有機層ＯＲ２ａ及び第２有機層ＯＲ２ｂを含む。上電極ＵＥ２は、互いに離間した第１上電極ＵＥ２ａ及び第２上電極ＵＥ２ｂを含む。第１有機層ＯＲ２ａは、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ２ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ２ａは、下電極ＬＥ２と対向するとともに、第１有機層ＯＲ２ａを覆っている。更に、第１上電極ＵＥ２ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ２ｂを覆っている。

また、図３に示すように、有機層ＯＲ３は、互いに離間した第１有機層ＯＲ３ａ及び第２有機層ＯＲ３ｂを含む。上電極ＵＥ３は、互いに離間した第１上電極ＵＥ３ａ及び第２上電極ＵＥ３ｂを含む。第１有機層ＯＲ３ａは、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ３ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ３ａは、下電極ＬＥ３と対向するとともに、第１有機層ＯＲ３ａを覆っている。更に、第１上電極ＵＥ３ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ３ｂを覆っている。

図３に示す例において、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３は、有機層ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３（光路調整層）を含む。

キャップ層ＣＰ１は、互いに離間した第１キャップ層ＣＰ１ａ及び第２キャップ層ＣＰ１ｂを含む。第１キャップ層ＣＰ１ａは、開口ＡＰ１に位置し、第１上電極ＵＥ１ａの上に配置されている。第２キャップ層ＣＰ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２上電極ＵＥ１ｂの上に配置されている。

キャップ層ＣＰ２は、互いに離間した第１キャップ層ＣＰ２ａ及び第２キャップ層ＣＰ２ｂを含む。第１キャップ層ＣＰ２ａは、開口ＡＰ２に位置し、第１上電極ＵＥ２ａの上に配置されている。第２キャップ層ＣＰ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２上電極ＵＥ２ｂの上に配置されている。

キャップ層ＣＰ３は、互いに離間した第１キャップ層ＣＰ３ａ及び第２キャップ層ＣＰ３ｂを含む。第１キャップ層ＣＰ３ａは、開口ＡＰ３に位置し、第１上電極ＵＥ３ａの上に配置されている。第２キャップ層ＣＰ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２上電極ＵＥ３ｂの上に配置されている。

副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３には、封止層ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、第１キャップ層ＣＰ１ａ、隔壁６及び第２キャップ層ＣＰ１ｂを含む副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、第１キャップ層ＣＰ２ａ、隔壁６及び第２キャップ層ＣＰ２ｂを含む副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、第１キャップ層ＣＰ３ａ、隔壁６及び第２キャップ層ＣＰ３ｂを含む副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。

図３に示す例においては、副画素ＳＰ１とＳＰ３との間の隔壁６上の第２有機層ＯＲ１ｂ、第２上電極ＵＥ１ｂ、第２キャップ層ＣＰ１ｂ及び封止層ＳＥ１と、当該隔壁６上の第２有機層ＯＲ３ｂ、第２上電極ＵＥ３ｂ、第２キャップ層ＣＰ２ｂ及び封止層ＳＥ３とが離間している。また、副画素ＳＰ２とＳＰ３との間の隔壁６上の第２有機層ＯＲ２ｂ、第２上電極ＵＥ２ｂ、第２キャップ層ＣＰ２ｂ及び封止層ＳＥ２と、当該隔壁６上の第２有機層ＯＲ３ｂ、第２上電極ＵＥ３ｂ、第２キャップ層ＣＰ３ｂ及び封止層ＳＥ３とが離間している。

封止層ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３は、樹脂層１４（平坦化膜）により覆われている。樹脂層１４は、封止層１５により覆われている。更に、封止層１５は、樹脂層１６により覆われている。

絶縁層１３と樹脂層１４及び１６とは、有機材料で形成されている。リブ５と封止層１５及びＳＥ（ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３）とは、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）等の無機材料で形成されている。

隔壁６が有する下部６１は、導電性を有している。隔壁６が有する上部６２も同様に導電性を有していてもよい。下電極ＬＥは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明な導電性酸化物で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）等の金属材料と導電性酸化物との積層構造を有していてもよい。上電極ＵＥは、例えばマグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ）等の金属材料で形成されている。上電極ＵＥは、ＩＴＯ等の導電性酸化物で形成されてもよい。

下電極ＬＥの電位が上電極ＵＥの電位よりも相対的に高い場合、下電極ＬＥがアノードに相当し、上電極ＵＥがカソードに相当する。また、上電極ＵＥの電位が下電極ＬＥの電位よりも相対的に高い場合、上電極ＵＥがアノードに相当し、下電極ＬＥがカソードに相当する。

有機層ＯＲは、一対の機能層と、これら機能層の間に配置された発光層とを含む。一例として、有機層ＯＲは、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層及び電子注入層を順に積層した構造を有している。

キャップ層ＣＰ（ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３）は、例えば透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥの材料とは異なり、また、封止層ＳＥの材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰは省略されてもよい。

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ（第１上電極ＵＥ１ａ、ＵＥ２ａ及びＵＥ３ａ）にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３）には、副画素ＳＰ（ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３）がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ１ａの発光層が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２との間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ２ａの発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３との間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ３ａの発光層が青色の波長域の光を放つ。

他の例として、有機層ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３の発光層が同一色（例えば、白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３に対応する光の色に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

図４は、隔壁６の概略的な拡大断面図である。図４においては、リブ５、隔壁６、絶縁層１３及び一対の下電極ＬＥ以外の要素を省略している。一対の下電極ＬＥは、上記した下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３のいずれかに相当する。また、上記した第１隔壁６ｘ及び第２隔壁６ｙは、図４に示す隔壁６と同様の構造を有している。

図４に示す例において、隔壁６が有する下部６１は、リブ５の上に配置されたバリア層６１１と、当該バリア層６１１の上に配置された金属層６１２とを含む。バリア層６１１は、金属層６１２とは異なる材料で形成されており、例えばモリブデン等の金属材料によって形成されている。金属層６１２は、バリア層６１１よりも厚く形成されている。金属層６１２は、単層構造であってもよいし、異なる金属材料の積層構造であってもよい。一例として、金属層６１２は例えばアルミニウム（Ａｌ）により形成される。

上部６２は、下部６１よりも薄い。図４に示す例において、上部６２は、金属層６１２の上に配置された第１層６２１と、当該第１層６２１の上に配置された第２層６２２とを含む。一例としては、第１層６２１は例えばチタン（Ｔｉ）により形成され、第２層６２２は例えばＩＴＯにより形成される。

図４に示す例においては、下部６１の幅が上部６２に近づくにつれて小さくなる。すなわち、下部６１の側面６１ａ及び６１ｂは、第３方向Ｚに対して傾斜している。なお、上部６２は、側面６１ａから突出した端部６２ａと、側面６１ｂから突出した端部６２ｂとを有している。

側面６１ａ及び６１ｂからの端部６２ａ及び６２ｂの突出量Ｄ（以下、隔壁６の突出量Ｄと表記）は、例えば２．０μｍ以下である。本実施形態における隔壁６の突出量Ｄは、側面６１ａ及び６１ｂの下端（バリア層６１１）と端部６２ａ及び６２ｂとの間の、隔壁６の第３方向Ｚと直交する幅方向（第１方向Ｘまたは第２方向Ｙ）における距離に相当する。

なお、隔壁６の構造及び当該隔壁６の各部の材料は、例えば隔壁６を形成する手法等を考慮して、適宜、選定することができる。

ここで、本実施形態において、隔壁６は、平面視において副画素ＳＰを区画するように形成されている。上記した有機層ＯＲは例えば異方性あるいは指向性のある真空蒸着法によって形成されるが、隔壁６が配置された状態で当該有機層ＯＲを形成するための有機材料を基材１０全体に蒸着した場合、隔壁６は図３及び図４に示すような形状を有しているため、当該隔壁６の側面には有機層ＯＲは殆ど形成されない。これによれば、隔壁６によって副画素ＳＰ毎に分断されるような有機層ＯＲ（表示素子２０）を形成することができる。

図５～図７は、隔壁６を利用して形成される表示素子２０について説明するための概略的な断面図である。この図５～図７に示す副画素ＳＰα、ＳＰβ及びＳＰγは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のいずれかに相当する。

まず、上記したように隔壁６が配置された状態で図５に示すように基材１０全体に対して有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、キャップ層ＣＰ及び封止層ＳＥが順に蒸着によって形成される。有機層ＯＲは、副画素ＳＰαに対応する色の光を放つ発光層を含む。オーバーハング状の隔壁６によって、有機層ＯＲは下電極ＬＥを覆う第１有機層ＯＲａと隔壁６上の第２有機層ＯＲｂに分断され、上電極ＵＥは第１有機層ＯＲａを覆う第１上電極ＵＥａと第２有機層ＯＲｂを覆う第２上電極ＵＥｂとに分断され、キャップ層ＣＰは第１上電極ＵＥａを覆う第１キャップ層ＣＰａと第２上電極ＵＥｂを覆う第２キャップ層ＣＰｂとに分断される。第１上電極ＵＥａは、隔壁６の下部６１に接触している。封止層ＳＥは、第１キャップ層ＣＰａ、第２キャップ層ＣＰｂ及び隔壁６を連続的に覆っている。

次に、図６に示すように、封止層ＳＥの上にレジストＲが形成される。レジストＲは、副画素ＳＰαを覆っている。すなわち、レジストＲは、副画素ＳＰαに位置する第１有機層ＯＲａ、第１上電極ＵＥａ及び第１キャップ層ＣＰａの直上に配置されている。レジストＲは、副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間の隔壁６上の第２有機層ＯＲｂ、第２上電極ＵＥｂ及び第２キャップ層ＣＰｂのうち、副画素ＳＰα寄りの部分の直上にも位置している。すなわち、隔壁６の少なくとも一部は、レジストＲから露出している。

更に、レジストＲをマスクとしたエッチングにより、図７に示すように有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、キャップ層ＣＰ及び封止層ＳＥのうちレジストＲから露出した部分が除去される。これにより、副画素ＳＰαには下電極ＬＥ、第１有機層ＯＲａ、第１上電極ＵＥａ及び第１キャップ層ＣＰａを含む表示素子２０が形成される。一方で、副画素ＳＰβ及びＳＰγにおいては下電極ＬＥが露出する。なお、上記したエッチングは、例えば封止層ＳＥのドライエッチング、キャップ層ＣＰのウェットエッチング及びドライエッチング、上電極ＵＥのウェットエッチング、有機層ＯＲのドライエッチングを含む。

上記したように副画素ＳＰαの表示素子２０が形成されると、レジストＲが除去され、副画素ＳＰβ及びＳＰγの表示素子２０が、副画素ＳＰαと同様に、順に形成される。

以上の副画素ＳＰα、ＳＰβ及びＳＰγについて例示したように副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３の表示素子２０を形成し、更に樹脂層１４、封止層１５及び樹脂層１６を形成することにより、図３に示した表示装置ＤＳＰの構造が実現される。

ここで、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰが例えばカメラとともにスマートフォン等の電子機器に組み込まれて使用される場合を想定する。

図８は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰ（表示パネル）が組み込まれた電子機器の一部を示す平面図である。上記したように表示装置ＤＳＰにおいて表示領域ＤＡは第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えているが、当該表示装置ＤＳＰは表示領域ＤＡを有する表示面及び当該表示面に対向する背面（以下、表示装置ＤＳＰの背面と表記）を有する。本実施形態に係る表示装置ＤＳＰが組み込まれた電子機器においては、当該表示装置ＤＳＰの背面側にカメラ１００が配置されるものとする。

この場合、図８に示すように、電子機器（表示装置ＤＳＰ）における表示領域ＤＡを拡大する（当該表示領域ＤＡの範囲を広げる）ために、カメラ１００を当該表示領域ＤＡ（つまり、複数の画素ＰＸ）と重畳する位置に配置することが考えられる。

しかしながら、平面視において表示領域ＤＡと重畳する位置にカメラ１００が配置された場合、当該カメラ１００と重畳する画素ＰＸの各々が備える画素回路１及び下電極ＬＥ等の影響により当該カメラ１００と重畳する領域（つまり、当該画素ＰＸを含む領域）の光透過率が低下し、表示装置ＤＳＰを介してカメラ１００（が有する撮像素子）に十分な光が入射しない可能性がある。

そこで、例えば図９に示すように、カメラ１００と重畳する位置に配置されている複数の画素ＰＸのうちの少なくとも一部を間引く構成を採用することによって、表示領域ＤＡのうちの当該カメラ１００と重畳する領域（以下、重畳領域と表記）における光透過率を向上させることが考えられる。なお、図９は重畳領域の一部を示しており、当該図９に示す領域ＰＸ１は画素ＰＸが配置される領域を示し、領域ＰＸ２は画素ＰＸが配置されない（つまり、画素ＰＸが間引かれた）領域を示す。

ここで、図１０は、本実施形態の比較例に係る表示装置ＤＳＰ´の概略的な断面図である。図１０においては、本実施形態の比較例として上記した隔壁６が配置されていない表示装置ＤＳＰ´を想定している。また、図１０においては、基材１０、絶縁層１１、回路層１２、封止層１５及び樹脂層１６は省略されている。

図１０に示す表示装置ＤＳＰ´においては、領域ＰＸ１において配置されている下電極ＬＥ（及び画素回路１）を領域ＰＸ２に配置しないことにより、当該領域ＰＸ２（を含む重畳領域）における光透過率を向上させることができる。

しかしながら、表示装置ＤＳＰ´においては、有機層ＯＲ、上電極ＵＥ及びキャップ層ＣＰが蒸着によって領域ＰＸ１及びＰＸ２に跨って一様に形成されるため、当該有機層ＯＲ、上電極ＵＥ及びキャップ層ＣＰの影響により領域ＰＸ２の光透過率が十分に向上しない可能性がある。

これに対して、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰは、画素ＰＸ（に含まれる副画素ＳＰ）の各々を区画するように隔壁６が配置されることにより、有機層ＯＲ、上電極ＵＥ及びキャップ層ＣＰを当該画素ＰＸ毎に分離して形成する構成であるため、例えば領域ＰＸ２の配置に応じて、有機層ＯＲ、上電極ＵＥ及びキャップ層ＣＰを選択的に除去することが可能であるため、領域ＰＸ２の光透過率が向上する。

以下、図１１及び図１２を参照して、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの製造方法（製造工程）の概要について説明する。なお、図１１及び図１２においては、カメラ１００と重畳する位置に配置される領域ＰＸ２について主に説明する。また、本実施形態においては、画素ＰＸが間引かれる領域ＰＸ２においても画素ＰＸが配置される領域ＰＸ１と同じパターン（つまり、副画素ＳＰ１、ＳP及びＳＰ３を区画するようなパターン）で隔壁６が配置されているものとし、図１１及び図１２においては当該隔壁６によって区画される副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３の各々に相当する領域を包含する領域ＰＸ２を示している。

まず、図１１に示すように、領域ＰＸ２において、有機層ＯＲ（ＯＲａ及びＯＲｂ）、上電極ＵＥ（ＵＥａ及びＵＥｂ）、キャップ層ＣＰ（ＣＰａ及びＣＰｂ）及び封止層ＳＥが順に蒸着によって形成される。図１１においては示されていないが、上記した図５において説明したように領域ＰＸ１にも同様に有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、キャップ層ＣＰ及び封止層ＳＥが形成される。

ここで、上記した図６及び図７において説明したようにレジストＲをマスクとしたエッチングにより、領域ＰＸ１においては副画素ＳＰαの表示素子２０が形成されるが、領域ＰＸ２においては、レジストＲを形成せず、図１２に示すように封止層ＳＥ、キャップ層ＣＰ、上電極ＵＥ及び有機層ＯＲが除去される。

ここでは領域ＰＸ１において副画素ＳＰαの表示素子２０が形成される場合の領域ＰＸ２について説明したが、領域ＰＸ１において副画素ＳＰβの表示素子２０が形成される場合においても同様に、図１１に示すように形成された有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、キャップ層ＣＰ及び封止層ＳＥが除去される。領域ＰＸ１において副画素ＳＰγの表示素子２０が形成される場合においても同様である。

なお、図１１及び図１２において説明した表示装置ＤＳＰの製造方法の場合、領域ＰＸ２には封止層ＳＥも配置されない。更に、上記したように領域ＰＸ２においては、画素ＰＸ（副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３の表示素子２０）が配置されないため、当該表示素子２０を駆動する画素回路１及び下電極ＬＥも配置されない。この場合、領域ＰＸ２に形成されるリブ５は、図１１及び図１２に示すように開口部（開口ＡＰ）を有していなくてよい。なお、図１１及び図１２は開口部を有さないリブ５を示しているが、リブ５は当該開口部を有していてもよい。

図１３は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰのカメラ１００と重畳する位置に配置される領域ＰＸ１とＰＸ２との境界部分を示している。本実施形態においては、図１３に示すように、領域ＰＸ１においては有機層ＯＲ、上電極ＵＥ及びキャップ層ＣＰ（つまり、各副画素ＳＰの表示素子２０）が配置され、領域ＰＸ２においては有機層ＯＲ、上電極ＵＥ及びキャップ層ＣＰが配置されず、樹脂層１４がリブ５の上に直接積層された表示装置ＤＳＰを実現することができる。また、樹脂層１４は領域ＰＸ２側の隔壁６の上部６２及び下部６１の側面に接している。

上記したように本実施形態に係る表示装置ＤＳＰは、基材１０と、当該基材１０の上の領域ＰＸ１（第１領域）に配置された下電極ＬＥと、当該下電極ＬＥの一部を覆い、領域ＰＸ１に重畳する開口部を有するリブ５と、当該リブ５の上に配置された下部６１と当該下部６１の側面から突出した上部６２とを有し、領域ＰＸ１と当該領域ＰＸ１とは異なる領域ＰＸ２（第２領域）とを区画する隔壁６と、領域ＰＸ１に配置され、開口部を通じて下電極と接触する有機層ＯＲと、当該有機層ＯＲの上に配置された上電極ＵＥとを備え、有機層ＯＲ及び上電極ＵＥは領域ＰＸ２には配置されない。なお、本実施形態における領域ＰＸ１及びＰＸ２は、表示装置ＤＳＰを介して光が入射されるカメラ１００（撮像素子）と重畳する位置に配置される。

本実施形態においては、上記した構成により、領域ＰＸ２の光透過率を向上させることができ、結果として、当該領域ＰＸ２を含む重畳領域（表示領域ＤＡのうちのカメラ１００と重畳する領域）における光透過率を向上させることが可能となる。また、本実施形態においては、領域ＰＸ２以外の表示領域ＤＡにおいて各副画素ＳＰの表示素子２０を形成するプロセスで領域ＰＸ２の構成を実現することが可能であるため、効率的に光透過率を向上させることが可能である。

なお、本実施形態においては、上記した図１１及び図１２に示すように領域ＰＸ２に重畳する開口部を有さないようにリブ５が形成され得るが、このような構成によれば、例えば当該開口部を通じて水分等の異物がリブ５の下方（に位置する回路層１２等）に侵入することを抑制する（つまり、表示装置ＤＳＰの信頼性を向上させる）ことが可能である。

更に、本実施形態においては、上記した有機層ＯＲ及び上電極ＵＥに加えて、キャップ層ＣＰ及び封止層ＳＥも領域ＰＸ２に配置されない構成であるため、より光透過率を向上させることができる。

なお、例えば上記した本実施形態の比較例に係る表示装置ＤＳＰ´であっても、例えば領域ＰＸ２の開口率（開口部の面積）を増加させることによって、重畳領域における光透過率（光透過量）を増加させることが考えられる。しかしながら、開口率を増加させることは設計の困難さを伴う。

これに対して、本実施形態においては、開口率を維持したままで（つまり、開口率を増加させるような設計変更を実施することなく）光透過率を向上させることができるため、実現容易性が高いという利点がある。

また、本実施形態においては図９に示すように領域ＰＸ１の数と領域ＰＸ２の数とが等しい場合を想定しているが、領域ＰＸ１（つまり、画素ＰＸ）の数が少ない場合には、重畳領域における表示品位が低下することが懸念される。一方、本実施形態は領域ＰＸ２における光透過率を向上させることができる構成であるため、当該光透過率の向上に応じて重畳領域における領域ＰＸ１の割合（数）を増加させるようにしてもよい。このような構成によれば、重畳領域における所定の光透過率を確保しながら当該重畳領域における表示品位を向上させるようなことが可能である。

更に、本実施形態においては画素ＰＸ単位で領域ＰＸ１及びＰＸ２が配置（形成）される構成について説明したが、領域ＰＸ１及びＰＸ２は副画素ＳＰの単位で配置されても構わない。すなわち、本実施形態は、重畳領域に配置されている複数の副画素ＳＰのうちの少なくとも一部を間引く構成であってもよい。

また、本実施形態においては表示装置ＤＳＰの背面にカメラ１００（が有する撮像素子）が配置される場合を想定しているが、本実施形態は、入射した光を電気信号に変換する受光素子等を含むセンサまたは当該センサを備えるデバイスが当該表示装置ＤＳＰの背面に配置されるような場合に適用可能である。すなわち、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰは表示領域ＤＡのうちの所定の領域における光透過率を向上させる構成であればよく、当該表示装置ＤＳＰの背面に配置されるものについては限定されない。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置及び表示装置の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施して実施し得る全ての表示装置及び表示装置の製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、ＰＸ…画素、ＳＰ，ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ，ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＵＥ，ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＯＲ，ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＳＥ，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、１…画素回路、２…画素スイッチ、３…駆動トランジスタ、４…キャパシタ、５…リブ、６…隔壁、１０…基材、１１…絶縁層、１２…回路層、１３…絶縁層、１４…樹脂層、１５…封止層、１６…樹脂層、２０…表示素子、６１…下部、６２…上部。

Claims (5)

1. 基材と、
   前記基材の上の第１領域に配置された下電極と、
   前記下電極の一部を覆い、前記第１領域に重畳する開口部を有するリブと、
   前記リブの上に配置された下部と当該下部の側面から突出した上部とを有し、前記第１領域と当該第１領域とは異なる第２領域とを区画する隔壁と、
   前記第１領域に配置され、前記開口部を通じて下電極と接触する有機層と、
   前記有機層の上に配置された上電極と
   を具備し、
   前記有機層及び前記上電極は、前記第２領域に配置されない
   表示装置。
2. 前記第１及び第２領域は、前記表示装置を介して受光する受光素子と重畳する位置に配置される請求項１記載の表示装置。
3. 前記リブは、前記第２領域に重畳する開口部を有さない請求項１記載の表示装置。
4. 前記上電極の上に配置されたキャップ層と、
   前記キャップ層の上に配置された封止層と
   を具備し、
   前記キャップ層及び前記封止層は、前記第２領域に配置されない
   請求項１記載の表示装置。
5. 基材の上の第１領域に下電極を形成し、
   前記下電極の一部を覆い、前記第１領域に重畳する開口部を有するリブを形成し、
   前記リブの上に配置された下部と当該下部の側面から突出した上部とを有し、前記第１領域と当該第１領域とは異なる第２領域とを区画する隔壁を形成し、
   前記第１及び第２領域に有機層を形成し、
   前記有機層の上に上電極を形成し、
   前記上電極の上にキャップ層を形成し、
   前記キャップ層の上に封止層を形成し、
   前記封止層の上の前記第１領域にレジストを形成し、
   前記レジストをマスクとして、前記第２領域に形成された前記封止層、前記キャップ層、前記上電極及び前記有機層を除去する
   表示装置の製造方法。

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