CN117062461A - 显示装置及显示装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示装置、显示装置的制造方法。实施方式涉及的显示装置具备:基材;下电极,其配置于基材之上的第1区域;肋部,其覆盖下电极的一部分,具有与第1区域重叠的开口部;隔壁,其具有配置在肋部之上的下部和从该下部的侧面突出的上部,并划分出第1区域和与该第1区域不同的第2区域;有机层,其配置于第1区域,从开口部通过而与下电极接触;和上电极,其配置在有机层之上,有机层及上电极未配置于第2区域。
Description
本申请以日本专利申请2022-078308(申请日:2022年5月11日)为基础,基于该申请享有优先利益。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。
技术领域
本发明实施方式涉及显示装置及显示装置的制造方法。
背景技术
近年来,应用有机发光二极管(OLED)作为显示元件的显示装置正在实用化,已知例如智能手机这样的电子设备具备该显示装置。
在这样的电子设备中,通过采用在显示装置(显示区域)的背面配置摄像头(camera)的构成,从而能够将显示区域扩大至与该摄像头重叠的区域。
但是,在这种构成的情况下,由于光需要经由显示装置入射至摄像头(所具有的摄像元件),因此需要在该显示装置(显示区域中的与摄像头重叠的区域)中确保充分的透光率。
发明内容
本发明的目的在于提供能够提高透光率的显示装置及显示装置的制造方法。
实施方式涉及的显示装置具备:基材;下电极,其配置于所述基材之上的第1区域;肋部,其覆盖所述下电极的一部分,具有与所述第1区域重叠的开口部;隔壁,其具有配置在所述肋部之上的下部和从该下部的侧面突出的上部,并划分出所述第1区域和与该第1区域不同的第2区域;有机层,其配置于所述第1区域,从所述开口部通过而与下电极接触;和所述上电极,其配置在有机层之上,所述有机层及所述上电极未配置于所述第2区域。
附图说明
图1是示出实施方式涉及的显示装置的构成例的图。
图2是示出子像素的布局的一例的图。
图3是沿着图2中的III-III线的显示装置的概略剖视图。
图4是隔壁的概略剖视图。
图5是用于说明利用隔壁形成的显示元件的概略剖视图。
图6是用于说明利用隔壁形成的显示元件的概略剖视图。
图7是用于说明利用隔壁形成的显示元件的概略剖视图。
图8是示出组装有显示装置的电子设备的一部分的俯视图。
图9是用于说明配置于与摄像头重叠的位置的像素的图。
图10是本实施方式的比较例涉及的显示装置的配置于与摄像头重叠的位置的区域的概略剖视图。
图11是用于说明本实施方式涉及的显示装置的制造方法的概要的图。
图12是用于说明本实施方式涉及的显示装置的制造方法的概要的图。
图13是本实施方式涉及的显示装置的配置于与摄像头重叠的位置的区域的概略剖视图。
附图标记说明
DSP…显示装置、DA…显示区域、NDA…非显示区域、PX…像素、SP、SP1、SP2、SP3…子像素、LE、LE1、LE2、LE3…下电极、UE、UE1、UE2、UE3…上电极、OR、OR1、OR2、OR3…有机层、SE、SE1、SE2、SE3…密封层、1…像素电路、2…像素开关、3…驱动晶体管、4…电容器、5…肋部、6…隔壁、10…基材、11…绝缘层、12…电路层、13…绝缘层、14…树脂层、15…密封层、16…树脂层、20…显示元件、61…下部、62…上部。
具体实施方式
参照附图对一个实施方式进行说明。
公开只不过是一例,本领域技术人员能够容易想到的未脱离发明主旨的适当变更当然包含在本发明范围内。另外,附图是为了使说明更加明确,与实际方式相比,存在示意性表示各部分的宽度、厚度、形状等的情况,但只不过是一例,并非限定本发明的解释。另外,在本说明书和各图中,对于与关于已出现的附图说明过的构成要素发挥相同或类似功能的构成要素,存在标注同一附图标记并适当省略重复的详细说明的情况。
需要说明的是,为了便于理解而根据需要在附图中记载有相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向X,将沿着Y轴的方向称为第2方向Y,将沿着Z轴的方向称为第3方向Z。将与第3方向Z平行地观察各种要素的情况称为俯视观察。
本实施方式涉及的显示装置是具备有机发光二极管(OLED)作为显示元件的有机电致发光显示装置,能够搭载于例如智能手机这样的电子设备。需要说明的是,供本实施方式涉及的显示装置搭载的电子设备也可以是智能手机以外的构造(例如,平板电脑终端等)。
图1是示出本实施方式涉及的显示装置DSP的构成例的图。显示装置DSP在绝缘性的基材10之上具有显示图像的显示区域DA和该显示区域DA周边的非显示区域NDA。基材10既可以是玻璃,也可以是具有挠性的树脂膜。
在本实施方式中,俯视观察的基材10的形状为长方形。需要说明的是,基材10的俯视观察的形状不限于长方形,也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。
显示区域DA具备在第1方向X及在第2方向Y上以矩阵状排列(配置)的多个像素PX。像素PX包含多个子像素SP。在一例中,像素PX包含红色的子像素SP1、绿色的子像素SP2及蓝色的子像素SP3。需要说明的是,像素PX也可以与子像素SP1、SP2及SP3一并包含白色等其他颜色的子像素SP。另外,像素PX也可以取代子像素SP1、SP2及SP3中的任一者而包含其他颜色的子像素SP。
子像素SP具备像素电路1和由像素电路1驱动的显示元件20。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3是由例如薄膜晶体管构成的开关元件。
像素开关2的栅极电极与扫描线GL连接。像素开关2的源电极及漏电极中的一者与信号线SL连接,另一者与驱动晶体管3的栅极电极及电容器4连接。在驱动晶体管3中,源电极及漏电极中的一者与电源线PL及电容器4连接,另一者与显示元件20连接。
需要说明的是,像素电路1的构成不限于如图1所示的例子。像素电路1例如也可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。
显示元件20是作为发光元件的有机发光二极管(OLED)。例如,子像素SP1具备发出红色波长范围的光的显示元件20,子像素SP2具备发出绿色波长范围的光显示元件20,子像素SP3具备发出蓝色波长范围的光显示元件20。
图2示出子像素SP1、SP2及SP3的布局的一例。在图2所示的例子中,子像素SP1与SP2在第2方向Y上排列。此外,子像素SP1及SP2分别与子像素SP3在第1方向X上排列。
在子像素SP1、SP2及SP3为图2所示那样的布局的情况下,在显示区域DA中形成有子像素SP1及SP2在第2方向Y上交替配置的列和多个子像素SP3在第2方向Y上重复配置的列。这些列在第1方向X上交替排列。
需要说明的是,子像素SP1、SP2及SP3的布局,不限于图2所示的例子。作为另一例,各像素PX中的子像素SP1、SP2及SP3也可以在第1方向X上依次排列。
在显示区域DA中配置有肋部5及隔壁6。肋部5在子像素SP1、SP2及SP3处分别具有开口AP1、AP2及AP3。在图2所示的例子中,开口AP2比开口AP1大、开口AP3比开口AP2大。隔壁6配置在相邻的子像素SP的边界,俯视观察时与肋部5重叠。
隔壁6具有沿第1方向X延伸的多个第1隔壁6x和沿第2方向Y延伸的多个第2隔壁6y。多个第1隔壁6x分别配置于在第2方向Y上相邻的开口AP1和AP2之间、以及在第2方向Y上相邻的两个开口AP3之间。第2隔壁6y分别配置于在第1方向X上相邻的开口AP1和AP3之间、以及在第1方向X上相邻的开口AP2和AP3之间。
在图2所示的例子中,第1隔壁6x与第2隔壁6y相互连接。由此,隔壁6作为整体为包围开口AP1、AP2及AP3的格子状。隔壁6也可以与肋部5同样地在子像素SP1、SP2及SP3中具有开口。
即,在本实施方式中,肋部5及隔壁6以划分子像素SP1、SP2及SP3的方式配置。
子像素SP1具备分别与开口AP1重叠的下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1。子像素SP2具备分别与开口AP2重叠的下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2。子像素SP3具备分别与开口AP3重叠的下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3。在图2所示的例子中,上电极UE1与有机层OR1的外形一致,上电极UE2与有机层OR2的外形一致,上电极UE3与有机层OR3的外形一致。
下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1构成子像素SP1的显示元件20。下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2构成子像素SP2的显示元件20。下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3构成子像素SP3的显示元件20。
下电极LE1通过接触孔CH1与驱动子像素SP1(的显示元件20)的像素电路1连接。下电极LE2通过接触孔CH2与驱动子像素SP2(的显示元件20)的像素电路1连接。下电极LE3通过接触孔CH3与驱动子像素SP3(的显示元件20)的像素电路1连接。
在图2所示的例子中,接触孔CH1及CH2与在第2方向Y上相邻的开口AP1与AP2之间的第1隔壁6x整体重叠。接触孔CH3与在第2方向Y上相邻的两个开口AP3之间的第1隔壁6x整体重叠。作为另一例,也可以是接触孔CH1、CH2及CH3的至少一部分与第1隔壁6x不重叠。
在图2所示的例子中,下电极LE1及LE2分别具有突部PR1及PR2。突部PR1从下电极LE1的主体(与开口AP1重叠的部分)朝向接触孔CH1突出。突部PR2从下电极LE2的主体(与开口AP2重叠的部分)朝向接触孔CH2突出。接触孔CH1及CH2分别与突部PR1及PR2重叠。
图3是沿着图2中的III-III线的显示装置DSP的概略剖视图。在显示装置DSP中,在上述的玻璃这种具有透光性的基材10之上(配置有显示元件20等一侧的面上)配置有所谓底涂层的绝缘层11。
绝缘层11具有包括例如硅氧化膜(SiO)、硅氮化膜(SiN)、硅氧化膜(SiO)的三层层叠构造。需要说明的是,绝缘层11不限于三层层叠构造,可以具有三层以上的层叠构造,也可以具有单层构造或两层层叠构造。
在绝缘层11之上配置有电路层12。电路层12具有驱动图1所示的像素电路1、扫描线GL、信号线SL及电源线PL等子像素SP(SP1、SP2及SP3)的各种电路及布线。电路层12由绝缘层13覆盖。
绝缘层13作为使由电路层12产生的凹凸平坦化的平坦化膜发挥功能。图3中未示出,上述接触孔CH1、CH2及CH3设置于绝缘层13。
下电极LE(LE1、LE2及LE3)配置在绝缘层13之上。肋部5配置在绝缘层13与下电极LE之上。下电极LE的端部(一部分)由肋部5覆盖。
隔壁6具有配置在肋部5之上的下部61和覆盖下部61的上表面的上部62。上部62在第1方向X及在第2方向Y上具有大于下部61的宽度。由此,隔壁6具有上部62的两端部与下部61的侧面相比突出的形状。这样的隔壁6的形状也可以称为悬臂状。
有机层OR(OR1、OR2及OR3)及上电极UE(UE1、UE2及UE3)与上述下电极LE(LE1、LE2及LE3)一并构成显示元件20,如图3所示,有机层OR1包含相互分离的第1有机层OR1a和第2有机层OR1b。上电极UE1包含相互分离的第1上电极UE1a和第2上电极UE1b。第1有机层OR1a从开口AP1通过而与下电极LE1接触,并覆盖肋部5的一部分。第2有机层OR1b位于上部62之上。第1上电极UE1a与下电极LE1相对,并覆盖第1有机层OR1a。此外,第1上电极UE1a与下部61的侧面接触。第2上电极UE1b位于隔壁6的上方并覆盖第2有机层OR1b。
另外,如图3所示,有机层OR2包含相互分离的第1有机层OR2a及第2有机层OR2b。上电极UE2包含相互分离的第1上电极UE2a和第2上电极UE2b。第1有机层OR2a从开口AP2通过而与下电极LE2接触,并覆盖肋部5的一部分。第2有机层OR2b位于上部62之上。第1上电极UE2a与下电极LE2相对,并覆盖第1有机层OR2a。此外,第1上电极UE2a与下部61的侧面接触。第2上电极UE2b位于隔壁6的上方,并覆盖第2有机层OR2b。
另外,如图3所示,有机层OR3包含相互分离的第1有机层OR3a和第2有机层OR3b。上电极UE3包含相互分离的第1上电极UE3a和第2上电极UE3b。第1有机层OR3a从开口AP3通过而与下电极LE3接触,并覆盖肋部5的一部分。第2有机层OR3b位于上部62之上。第1上电极UE3a与下电极LE3相对,并覆盖第1有机层OR3a。此外,第1上电极UE3a与下部61的侧面接触。第2上电极UE3b位于隔壁6的上方,并覆盖第2有机层OR3b。
在图3所示的例子中,子像素SP1、SP2及SP3包含用于调整有机层OR1、OR2及OR3的发光层发出的光的光学特性的盖层CP1、CP2及CP3(光路调整层)。
盖层CP1包含相互分离的第1盖层CP1a和第2盖层CP1b。第1盖层CP1a位于开口AP1,并配置在第1上电极UE1a之上。第2盖层CP1b位于隔壁6的上方,并配置在第2上电极UE1b之上。
盖层CP2包含相互分离的第1盖层CP2a和第2盖层CP2b。第1盖层CP2a位于开口AP2,并配置在第1上电极UE2a之上。第2盖层CP2b位于隔壁6的上方,并配置在第2上电极UE2b之上。
盖层CP3包含相互分离的第1盖层CP3a和第2盖层CP3b。第1盖层CP3a位于开口AP3,并配置在第1上电极UE3a之上。第2盖层CP3b位于隔壁6的上方,并配置在第2上电极UE3b之上。
子像素SP1、SP2及SP3中分别配置有密封层SE1、SE2及SE3。密封层SE1连续覆盖包含第1盖层CP1a、隔壁6及第2盖层CP1b的子像素SP1的各部件。密封层SE2连续覆盖包含第1盖层CP2a、隔壁6及第2盖层CP2b的子像素SP2的各部件。密封层SE3连续覆盖包含第1盖层CP3a、隔壁6及第2盖层CP3b的子像素SP3的各部件。
在图3所示的例子中,子像素SP1与SP3之间的隔壁6上的第2有机层OR1b、第2上电极UE1b、第2盖层CP1b及密封层SE1、与该隔壁6上的第2有机层OR3b、第2上电极UE3b、第2盖层CP2b及密封层SE3分离。另外,子像素SP2与SP3之间的隔壁6上的第2有机层OR2b、第2上电极UE2b、第2盖层CP2b及密封层SE2、与该隔壁6上的第2有机层OR3b、第2上电极UE3b、第2盖层CP3b及密封层SE3分离。
密封层SE1、SE2及SE3由树脂层14(平坦化膜)覆盖。树脂层14由密封层15覆盖。此外,密封层15由树脂层16覆盖。
绝缘层13和树脂层14及16由有机材料形成。肋部5和密封层15及SE(SE1、SE2及SE3)由例如硅氮化物(SiNx)等无机材料形成。
隔壁6具有的下部61具有导电性。隔壁6具有的上部62同样也可以具有导电性。下电极LE可以由ITO(Indium Tin Oxide:铟锡氧化物)等透明的导电性氧化物形成,也可以具有银(Ag)等金属材料与导电性氧化物的层叠构造。上电极UE由例如镁和银的合金(MgAg)等金属材料形成。上电极UE也可以由ITO等导电性氧化物形成。
在下电极LE的电位与上电极UE的电位相比相对较高的情况下,下电极LE相当于阳极,上电极UE相当于阴极。另外,在上电极UE的电位与下电极LE的电位相比相对较高的情况下,上电极UE相当于阳极,下电极LE相当于阴极。
有机层OR包含一对功能层和配置在该功能层之间的发光层。作为一例,有机层OR具有将空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层依次层叠的构造。
盖层CP(CP1、CP2及CP3)由例如透明的多个薄膜的多层体形成。多层体作为多个薄膜也可以包含由无机材料形成的薄膜及由有机材料形成的薄膜。另外,上述多个薄膜具有相互不同的折射率。构成多层体的薄膜的材料与上电极UE的材料不同,另外也与密封层SE的材料不同。需要说明的是,盖层CP也可以省略。
对隔壁6供给公共电压。该公共电压分别被供给至与下部61的侧面接触的上电极UE(第1上电极UE1a、UE2a及UE3a)。下电极LE(LE1、LE2及LE3)通过子像素SP(SP1、SP2及SP3)各自具有的像素电路1被供给像素电压。
若在下电极LE1与上电极UE1之间形成电位差,则第1有机层OR1a的发光层发出红色波长范围的光。若在下电极LE2与上电极UE2之间形成电位差,则第1有机层OR2a的发光层发出绿色波长范围的光。若在下电极LE3与上电极UE3之间形成电位差,则第1有机层OR3a的发光层发出蓝色波长范围的光。
作为另一例,有机层OR1、OR2及OR3的发光层也可以发出同一颜色(例如白色)的光。在该情况下,显示装置DSP也可以具备将发光层发出的光变换为与子像素SP1、SP2及SP3对应的光的颜色的滤色器。另外,显示装置DSP也可以具备包含量子点的层,该量子点被发光层发出的光激发而生成与子像素SP1、SP2及SP3对应的颜色的光。
图4是隔壁6的概略放大剖视图。在图4中,省略肋部5、隔壁6、绝缘层13及一对下电极LE以外的要素。一对下电极LE与上述下电极LE1、LE2及LE3中的任一者相当。另外,上述第1隔壁6x及第2隔壁6y具有与图4所示的隔壁6相同的构造。
在图4所示的例子中,隔壁6具有的下部61包含配置在肋部5之上的阻隔层611和配置在该阻隔层611之上的金属层612。阻隔层611由与金属层612不同的材料形成,由例如钼等金属材料形成。金属层612形成得比阻隔层611厚。金属层612可以是单层构造,也可以是不同金属材料的层叠构造。作为一例,金属层612由例如铝(Al)形成。
上部62比下部61薄。在图4所示的例子中,上部62包含配置在金属层612之上的第1层621和配置在该第1层621之上的第2层622。作为一例,第1层621由例如钛(Ti)形成,第2层622由例如ITO形成。
在图4所示的例子中,下部61的宽度随着趋近上部62而减小。即,下部61的侧面61a及61b相对于第3方向Z倾斜。需要说明的是,上部62具有从侧面61a突出的端部62a和从侧面61b突出的端部62b。
端部62a及62b从侧面61a及61b的突出量D(以下记为隔壁6的突出量D)是例如2.0μm以下。本实施方式中的隔壁6的突出量D与侧面61a及61b的下端(阻隔层611)与端部62a及62b之间的、隔壁6的与第3方向Z正交的宽度方向(第1方向X或第2方向Y)上的距离相当。
需要说明的是,就隔壁6的构造及该隔壁6各部分的材料而言,能够考虑到例如形成隔壁6的方法等而适当选定。
在此,在本实施方式中,隔壁6以俯视观察时划分子像素SP的方式形成。上述有机层OR通过具有例如各向异性或指向性的真空蒸镀法而形成,在配置有隔壁6的状态下将用于形成该有机层OR的有机材料蒸镀于基材10整体的情况下,隔壁6具有图3及图4所示的形状,因此在该隔壁6的侧面几乎未形成有机层OR。由此,能够形成利用隔壁6按子像素SP分断的有机层OR(显示元件20)。
图5~图7是用于说明利用隔壁6形成的显示元件20的概略剖视图。该图5~图7所示的子像素SPα、SPβ及SPγ与子像素SP1、SP2及SP3中的任一者相当。
首先,如上所述,在配置有隔壁6的状态下,如图5所示,针对基材10整体,通过蒸镀而依次形成有机层OR、上电极UE、盖层CP及密封层SE。有机层OR包含发出与子像素SPα对应的颜色的光的发光层。通过悬臂状的隔壁6,从而有机层OR被分断为覆盖下电极LE的第1有机层ORa和隔壁6上的第2有机层ORb,上电极UE被分断为覆盖第1有机层ORa的第1上电极UEa和覆盖第2有机层ORb的第2上电极UEb,盖层CP被分断为覆盖第1上电极UEa的第1盖层CPa和覆盖第2上电极UEb的第2盖层CPb。第1上电极UEa与隔壁6的下部61接触。密封层SE连续覆盖第1盖层CPa、第2盖层CPb及隔壁6。
接下来,如图6所示,在密封层SE之上形成抗蚀剂R。抗蚀剂R覆盖子像素SPα。即,抗蚀剂R配置在位于子像素SPα的第1有机层ORa、第1上电极UEa和第1盖层CPa的正上方。抗蚀剂R也位于子像素SPα与子像素SPβ之间的隔壁6上的第2有机层ORb、第2上电极UEb及第2盖层CPb中的、靠近子像素SPα的部分的正上方。即,隔壁6的至少一部分从抗蚀剂R露出。
此外,通过以抗蚀剂R为掩模的蚀刻,从而如图7所示,有机层OR、上电极UE、盖层CP及密封层SE中的从抗蚀剂R露出的部分被除去。由此,子像素SPα中形成包含下电极LE、第1有机层ORa、第1上电极UEa和第1盖层CPa的显示元件20。另一方面,在子像素SPβ及SPγ中,下电极LE露出。需要说明的是,上述蚀刻包含例如密封层SE的干式蚀刻、盖层CP的湿式蚀刻及干式蚀刻、上电极UE的湿式蚀刻、有机层OR的干式蚀刻。
如上所述,若形成子像素SPα的显示元件20,则抗蚀剂R被除去,子像素SPβ及SPγ的显示元件20与子像素SPα同样地依次形成。
如以上的子像素SPα、SPβ及SPγ所例示地形成子像素SP1、SP2及SP3的显示元件20,进一步通过形成树脂层14、密封层15及树脂层16,从而实现如图3所示的显示装置DSP的构造。
在此,设想本实施方式涉及的显示装置DSP与例如摄像头一并被组装于智能手机等电子设备来使用的情况。
图8是示出组装有本实施方式涉及的显示装置DSP(显示面板)的电子设备的一部分的俯视图。如上所述,在显示装置DSP中,显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上以矩阵状排列的多个像素PX,该显示装置DSP具有包含显示区域DA的显示面及与该显示面相对的背面(以下记为显示装置DSP的背面)。在组装有本实施方式涉及的显示装置DSP的电子设备中,在该显示装置DSP的背面侧配置有摄像头100。
在该情况下,如图8所示,为了将电子设备(显示装置DSP)中的显示区域DA放大(将该显示区域DA的范围扩大),可考虑将摄像头100配置在与该显示区域DA(即多个像素PX)重叠的位置。
但是,在俯视观察时与显示区域DA重叠的位置配置有摄像头100的情况下,由于与该摄像头100重叠的像素PX各自具备的像素电路1及下电极LE等的影响,与该摄像头100重叠的区域(即,包含该像素PX的区域)的透光率降低,存在经由显示装置DSP而无充分的光入射至摄像头100(所具有的摄像元件)的可能性。
因而,例如如图9所示,考虑通过采用将配置在与摄像头100重叠的位置的多个像素PX中的至少一部分间隔剔除的构成来提高显示区域DA中的与该摄像头100重叠的区域(以下记为重叠区域)中的透光率。需要说明的是,图9示出重叠区域的一部分,该图9所示的区域PX1表示配置像素PX的区域,区域PX2表示未配置像素PX的(即,像素PX被间隔剔除的)区域。
在此,图10是本实施方式的比较例涉及的显示装置DSP′的概略剖视图。在图10中,作为本实施方式的比较例,设想未配置有上述隔壁6的显示装置DSP′。另外,在图10中,省略了基材10、绝缘层11、电路层12、密封层15及树脂层16。
在图10所示的显示装置DSP′中,通过不将配置在区域PX1中的下电极LE(及像素电路1)配置于区域PX2,从而能够提高该区域PX2(包含该区域PX2的重叠区域)中的透光率。
但是,在显示装置DSP′中,有机层OR、上电极UE及盖层CP通过蒸镀而跨于区域PX1及PX2同样地形成,因此,存在由于该有机层OR、上电极UE及盖层CP的影响而区域PX2的透光率无法充分提高的可能性。
对此,本实施方式涉及的显示装置DSP是通过以划分各像素PX(中包含的子像素SP)的方式配置隔壁6从而按每个该像素PX分离地形成有机层OR、上电极UE及盖层CP的构成,因此能够对应于例如区域PX2的配置而选择性地将有机层OR、上电极UE及盖层CP除去,由此,区域PX2的透光率提高。
以下,参照图11及图12说明本实施方式涉及的显示装置DSP的制造方法(制造工序)的概要。需要说明的是,在图11及图12中,主要说明配置在与摄像头100重叠的位置的区域PX2。另外,在本实施方式中,在像素PX被间隔剔除的区域PX2中,也以与配置有像素PX的区域PX1相同的图案(即,划分子像素SP1、SP及SP3的图案)配置隔壁6,在图11及图12中示出包含与由该隔壁6划分的子像素SP1、SP2及SP3各自相当的区域的区域PX2。
首先,如图11所示,在区域PX2中,通过蒸镀而依次形成有机层OR(ORa及ORb)、上电极UE(UEa及UEb)、盖层CP(CPa及CPb)及密封层SE。图11中未示出,如上述图5中所说明的那样,区域PX1中也同样地形成有机层OR、上电极UE、盖层CP及密封层SE。
在此,如上述图6及图7中所说明的,通过以抗蚀剂R为掩模的蚀刻而在区域PX1中形成子像素SPα的显示元件20,而在区域PX2中未形成抗蚀剂R,如图12所示,密封层SE、盖层CP、上电极UE及有机层OR被除去。
在此,对在区域PX1中形成子像素SPα的显示元件20的情况下的区域PX2进行了说明,但在区域PX1中形成子像素SPβ的显示元件20的情况也同样,如图11所示形成的有机层OR、上电极UE、盖层CP及密封层SE被除去。在区域PX1中形成子像素SPγ的显示元件20的情况也相同。
需要说明的是,在图11及图12中说明的显示装置DSP的制造方法的情况下,在区域PX2中也未配置密封层SE。此外,如上所述,在区域PX2中,由于未配置像素PX(子像素SP1、SP2及SP3的显示元件20),因此也未配置驱动该显示元件20的像素电1及下电极LE。在该情况下,区域PX2中形成的肋部5如图11及图12所示,也可以不具有开口部(开口AP)。需要说明的是,图11及图12示出不具有开口部的肋部5,肋部5也可以具有该开口部。
图13示出在本实施方式涉及的显示装置DSP的与摄像头100重叠的位置配置的区域PX1与PX2的边界部分。在本实施方式中,如图13所示,能够实现在区域PX1中配置有机层OR、上电极UE及盖层CP(即,各子像素SP的显示元件20),在区域PX2中未配置有机层OR、上电极UE及盖层CP,树脂层14直接层叠在肋部5之上的显示装置DSP。另外,树脂层14与区域PX2侧的隔壁6的上部62及下部61的侧面相接。
如上所述,本实施方式涉及的显示装置DSP具有:基材10;下电极LE,其配置在该基材10之上的区域PX1(第1区域);肋部5,其覆盖该下电极LE的一部分并具有与区域PX1重叠的开口部;隔壁6,其具有配置在该肋部5之上的下部61及从该下部61的侧面突出的上部62,并划分出区域PX1和与该区域PX1不同的区域PX2(第2区域);有机层OR,其配置于区域PX1并通过开口部而与下电极接触;和上电极UE,其配置在该有机层OR之上,有机层OR及上电极UE未配置于区域PX2。需要说明的是,本实施方式中的区域PX1及PX2配置于与光经由显示装置DSP而入射的摄像头100(摄像元件)重叠的位置。
在本实施方式中,能够通过上述构成提高区域PX2的透光率,作为结果,能够提高包含该区域PX2的重叠区域(显示区域DA中的与摄像头100重叠的区域)中的透光率。另外,在本实施方式中,由于能够通过在区域PX2以外的显示区域DA中形成各子像素SP的显示元件20的工艺来实现区域PX2的构成,因此能够高效地提高透光率。
需要说明的是,在本实施方式中,如上述图11及图12所示,能以不具有与区域PX2重叠的开口部的方式形成肋部5,根据这样的构成,能够抑制水分等异物通过例如该开口部而侵入肋部5的下方(位于肋部5下方的电路层12等)(即,提高显示装置DSP的可靠性)。
此外,在本实施方式中,由于是除了上述有机层OR及上电极UE以外,盖层CP及密封层SE也未配置于区域PX2的构成,因此能够进一步提高透光率。
需要说明的是,即使是例如上述本实施方式的比较例涉及的显示装置DSP′,也考虑例如通过增加区域PX2的开口率(开口部的面积)来增加重叠区域中的透光率(光透过量)。但是,增加开口率伴有设计难度。
对此,在本实施方式中,能够在维持开口率的状态下(即,无需实施增加开口率这样的设计变更)提高透光率,因此存在实现容易性高的优点。
另外,在本实施方式中,如图9所示,设想区域PX1的数量与区域PX2的数量相等的情况,但在区域PX1(即,像素PX)的数量少的情况下,担心重叠区域中的显示品质下降。另一方面,本实施方式是能够提高区域PX2中的透光率的构成,因此也可以对应于该透光率提高来增加重叠区域中的区域PX1的比例(数值)。根据这样的构成,能够在确保重叠区域中的规定的透光率的同时提高该重叠区域中的显示品质。
此外,在本实施方式中,对于以像素PX单位配置(形成)区域PX1及PX2的构成进行了说明,但区域PX1及PX2也可以以子像素SP的单位进行配置。即,本实施方式也可以是间隔剔除配置于重叠区域的多个子像素SP中的至少一部分的构成。
另外,在本实施方式中,设想在显示装置DSP的背面配置有摄像头100(具有的摄像元件)的情况,本实施方式能够应用于传感器或具备该传感器的设备配置在该显示装置DSP的背面的情况,其中,该传感器包含将入射的光转换为电信号的受光元件等。即,本实施方式涉及的显示装置DSP为提高显示区域DA中的规定区域中的透光率的构成即可,对于配置在该显示装置DSP的背面的结构则没有限定。
只要包含本发明要旨,本领域技术人员基于以上作为本发明的实施方式说明的显示装置及显示装置的制造方法能够适当设计变更、实施的全部显示装置及显示装置的制造方法也属于本发明的范围。
应知本领域技术人员在本发明的思想范畴内能够想到的各种变形例及其变形例也属于本发明的范围。例如,只要具备本发明的要旨,本领域技术人员针对上述实施方式进行适当、构成要素的追加、删除的或设计变更得到的技术方案或进行工序的追加、省略或条件变更得到的技术方案也包含在本发明的范围中。
另外,就上述实施方式中说明的方式所带来的其他作用效果而言,根据本说明书的记载所能明确的或本领域技术人员能够适当想到的作用效果当然应视为本发明带来的作用效果。
Claims (5)
1.显示装置,其具备:
基材;
下电极,其配置于所述基材之上的第1区域;
肋部,其覆盖所述下电极的一部分,具有与所述第1区域重叠的开口部;
隔壁,其具有配置在所述肋部之上的下部和从该下部的侧面突出的上部,并划分出所述第1区域和与该第1区域不同的第2区域;
有机层,其配置于所述第1区域,从所述开口部通过而与下电极接触;和
上电极,其配置在所述有机层之上,
所述有机层及所述上电极未配置于所述第2区域。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第1区域及第2区域配置于与经由所述显示装置而受光的受光元件重叠的位置。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述肋部不具有与所述第2区域重叠的开口部。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其具备:
盖层,其配置在所述上电极之上;和
密封层,其配置在所述盖层之上,
所述盖层及所述密封层未配置于所述第2区域。
5.显示装置的制造方法,其包括:
在基材之上的第1区域形成下电极;
形成覆盖所述下电极的一部分并具有与所述第1区域重叠的开口部的肋部;
形成隔壁,该隔壁具有配置在所述肋部之上的下部和从该下部的侧面突出的上部,并划分出所述第1区域和与该第1区域不同的第2区域;
在所述第1区域及第2区域形成有机层;
在所述有机层之上形成上电极;
在所述上电极之上形成盖层;
在所述盖层之上形成密封层;
在所述密封层之上的所述第1区域形成抗蚀剂;和
以所述抗蚀剂为掩模,将所述第2区域中形成的所述密封层、所述盖层、所述上电极及所述有机层除去。
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