JP2023088582A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 有機ＥＬ層の劣化を抑制することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 一実施形態に係る製造方法においては、一対の隔壁と、前記一対の隔壁の間に配置された下部電極と、を有する基板が形成される。前記下部電極を覆うとともに前記一対の隔壁の側面にそれぞれ接触する一対の端面を有する第１部分と、前記一対の隔壁の上にそれぞれ位置し前記第１部分から離間した第２部分と、を含む有機ＥＬ層が形成される。エッチングにより前記第２部分が除去される。さらに、前記第１部分を覆う上部電極が形成される。【選択図】 図５

Description

本発明の実施形態は、表示装置およびその製造方法に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下部電極と、上部電極と、これら電極の間に配置された有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）層とを備えている。有機ＥＬ層は、下部電極と上部電極の間の電圧に応じて発光する発光層を含む。

例えば有機ＥＬ層をエッチングによりパターニングする場合、有機ＥＬ層の上面はエッチング後も残存する保護膜により覆うことができるが、有機ＥＬ層の端部は雰囲気中に露出する。このように露出した端部から水分が浸入すると有機ＥＬ層の劣化が生じ得るため、何らかの対策が求められる。有機ＥＬ層への水分浸入への対策は、製造後の表示装置においても同様に必要である。

特開２００９－１８７９５７号公報

本発明は、有機ＥＬ層の劣化を抑制することが可能な表示装置およびその製造方法を提供することを目的の一つとする。

一実施形態に係る製造方法においては、一対の隔壁と、前記一対の隔壁の間に配置された下部電極と、を有する基板が形成される。前記下部電極を覆うとともに前記一対の隔壁の側面にそれぞれ接触する一対の端面を有する第１部分と、前記一対の隔壁の上にそれぞれ位置し前記第１部分から離間した第２部分と、を含む有機ＥＬ層が形成される。その後、エッチングにより前記第２部分が除去される。さらに、前記第１部分を覆う上部電極が形成される。

他の観点によると、一実施形態に係る製造方法においては、第１隔壁、第２隔壁、第３隔壁および第４隔壁と、前記第１隔壁と前記第２隔壁の間に配置された第１下部電極と、前記第２隔壁と前記第３隔壁の間に配置された第２下部電極と、前記第３隔壁と前記第４隔壁の間に配置された第３下部電極と、を有する基板が形成される。前記第１下部電極を覆うとともに前記第１隔壁および前記第２隔壁の側面にそれぞれ接触する一対の端面を有する第１部分と、前記第１隔壁および前記第２隔壁の上にそれぞれ位置し前記第１部分から離間した第２部分と、を含む第１有機ＥＬ層が形成され、エッチングにより前記第２部分を除去される。前記第２下部電極を覆うとともに前記第２隔壁および前記第３隔壁の側面にそれぞれ接触する一対の端面を有する第３部分と、前記第２隔壁および前記第３隔壁の上にそれぞれ位置し前記第３部分から離間した第４部分と、を含む第２有機ＥＬ層が形成され、エッチングにより前記第４部分が除去される。前記第３下部電極を覆うとともに前記第３隔壁および前記第４隔壁の側面にそれぞれ接触する一対の端面を有する第５部分と、前記第３隔壁および前記第４隔壁の上にそれぞれ位置し前記第５部分から離間した第６部分と、を含む第３有機ＥＬ層が形成され、エッチングにより前記第６部分が除去される。さらに、前記第１部分、前記第３部分および前記第５部分を覆う上部電極が形成される。

一実施形態に係る表示装置は、一対の隔壁と、前記一対の隔壁の間に配置された下部電極と、前記下部電極を覆うとともに前記一対の隔壁の側面にそれぞれ接触する一対の端面を有する有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層を覆う上部電極と、を備えている。さらに、前記一対の隔壁の前記側面は、前記有機ＥＬ層の厚さ方向と実質的に平行であり、前記一対の隔壁の厚さは、前記有機ＥＬ層の厚さの３倍以下である。

図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。 図２は、副画素のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２のIII－III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図４は、有機ＥＬ層に適用し得る層構成の一例を示す断面図である。 図５は、図３の一部を拡大した概略的な断面図である。 図６Ａは、表示装置の製造工程の一部を示す図である。 図６Ｂは、図６Ａに続く表示装置の製造工程を示す図である。 図６Ｃは、図６Ｂに続く表示装置の製造工程を示す図である。 図６Ｄは、図６Ｃに続く表示装置の製造工程を示す図である。 図６Ｅは、図６Ｄに続く表示装置の製造工程を示す図である。 図６Ｆは、図６Ｅに続く表示装置の製造工程を示す図である。 図６Ｇは、図６Ｆに続く表示装置の製造工程を示す図である。 図６Ｈは、図６Ｇに続く表示装置の製造工程を示す図である。 図６Ｉは、図６Ｈに続く表示装置の製造工程を示す図である。 図６Ｊは、図６Ｉに続く表示装置の製造工程を示す図である。 図６Ｋは、図６Ｊに続く表示装置の製造工程を示す図である。 図６Ｌは、図６Ｋに続く表示装置の製造工程を示す図である。 図７Ａは、比較例に係る表示装置の製造工程の一部を示す図である。 図７Ｂは、図７Ａに続く表示装置の製造工程を示す図である。 図７Ｃは、図７Ｂに続く表示装置の製造工程を示す図である。 図７Ｄは、図７Ｃに続く表示装置の製造工程を示す図である。 図７Ｅは、図７Ｄに続く表示装置の製造工程を示す図である。 図８Ａは、第１変形例に係る製造工程の一部を示す図である。 図８Ｂは、図８Ａに続く製造工程の一部を示す図である。 図９Ａは、第１変形例との比較例に係る製造工程の一部を示す図である。 図９Ｂは、図９Ａに続く製造工程の一部を示す図である。 図１０は、第２変形例に係る副画素のレイアウトの一例を示す図である。

以下、いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。Ｘ軸およびＹ軸によって規定される面をＸ－Ｙ平面と称し、Ｘ軸およびＺ軸によって規定される面をＸ－Ｚ平面と称する。Ｘ－Ｙ平面を見ることを平面視という。

本実施形態に係る表示装置ＤＳＰは、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基材１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの外側の周辺領域ＳＡとを有している。基材１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを備えている。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および青色の副画素ＳＰ３を備えている。なお、画素ＰＸは、上記の３色の副画素の他に、白色などの他の色の副画素を加えた４個以上の副画素を備えてもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２において、ゲート電極は走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤波長に対応した光を出射する表示素子２０を備え、副画素ＳＰ２は緑波長に対応した光を出射する表示素子２０を備え、副画素ＳＰ３は青波長に対応した光を出射する表示素子２０を備えている。表示素子２０の構成については後述する。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。ここでは、４個の画素ＰＸに着目する。それぞれの画素ＰＸにおいて、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３はこの順で第１方向Ｘに並んでいる。すなわち、表示領域ＤＡにおいて、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ１により構成される列と、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ２により構成される列と、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ３により構成される列とが、第１方向Ｘにおいて交互に配置されている。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の境界には、隔壁５が配置されている。図２の例において、隔壁５は、第１方向Ｘに隣り合う副画素ＳＰの間にそれぞれ位置する複数の隔壁５Ｘと、第２方向Ｙに隣り合う副画素ＳＰの間にそれぞれ位置する複数の隔壁５Ｙとを有した格子状である。図２の例においては、隔壁５Ｘが第２方向Ｙと平行に延び、隔壁５Ｙが第１方向Ｘと平行に延びている。これらの隔壁５Ｘ，５Ｙにより、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のそれぞれにおいて開口ＯＰが形成されている。

図３は、図２のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図３においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に配置される素子として駆動トランジスタ３および表示素子２０を示し、その他の素子の図示を省略している。

表示装置ＤＳＰは、上述の基材１０と、絶縁層１１，１２，１３と、上述の隔壁５Ｘと、封止層１４とを備えている。絶縁層１１，１２，１３は、基材１０の上において第３方向Ｚに積層されている。例えば、絶縁層１１，１２は無機材料で形成され、絶縁層１３、隔壁５Ｘおよび封止層１４は有機材料で形成されている。図２に示した隔壁５Ｙは、隔壁５Ｘと同じ材料によって隔壁５Ｘと一体的に形成されている。

駆動トランジスタ３は、半導体層３０と、電極３１，３２，３３とを備えている。電極３１は、ゲート電極に相当する。電極３２，３３の一方はソース電極に相当し、他方はドレイン電極に相当する。半導体層３０は、基材１０と絶縁層１１の間に配置されている。電極３１は、絶縁層１１，１２の間に配置されている。電極３２，３３は、絶縁層１２，１３の間に配置され、絶縁層１１，１２を貫通するコンタクトホールを通じて半導体層３０に接触している。

表示素子２０は、下部電極ＬＥと、有機ＥＬ層ＯＲと、上部電極ＵＥとを備えている。下部電極ＬＥは、副画素ＳＰ毎に配置された電極であり、画素電極と呼ばれる場合がある。上部電極ＵＥは、複数の表示素子２０に対して共通に配置された電極であり、共通電極と呼ばれる場合がある。有機ＥＬ層ＯＲは、下部電極ＬＥおよび上部電極ＵＥの間に配置されている。

以下の説明においては、副画素ＳＰ１に配置される下部電極ＬＥを第１下部電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２に配置される下部電極ＬＥを第２下部電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３に配置される下部電極ＬＥを第３下部電極ＬＥ３と呼ぶ。また、副画素ＳＰ１に配置される有機ＥＬ層ＯＲを第１有機ＥＬ層ＯＲ１、副画素ＳＰ２に配置される有機ＥＬ層ＯＲを第２有機ＥＬ層ＯＲ２、副画素ＳＰ３に配置される有機ＥＬ層ＯＲを第３有機ＥＬ層ＯＲ３と呼ぶ。また、図３に示した４つの隔壁５Ｘを、左から順に第１隔壁５Ｘ１、第２隔壁５Ｘ２、第３隔壁５Ｘ３および第４隔壁５Ｘ４と呼ぶ。

下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１３の上に配置されている。隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３，５Ｘ４も絶縁層１３の上に配置されている。図３の例においては、隔壁５Ｘ１、５Ｘ２が第１下部電極ＬＥ１の第１方向Ｘにおける両端部を覆い、隔壁５Ｘ２、５Ｘ３が第２下部電極ＬＥ２の第１方向Ｘにおける両端部を覆い、隔壁５Ｘ３、５Ｘ４が第３下部電極ＬＥ３の第１方向Ｘにおける両端部を覆っている。図３の断面には表れていないが、隔壁５Ｙも同様に絶縁層１３の上に配置され、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の第２方向Ｙにおける両端部を覆っている。平面視において、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、図２に示した開口ＯＰとそれぞれ重なっている。

下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、それぞれ絶縁層１３を貫通するコンタクトホールを通じて電極３３と電気的に接続されている。下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、金属材料で形成されている。ただし、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料で形成されてもよいし、透明導電材料と金属材料の積層体であってもよい。

第１有機ＥＬ層ＯＲ１は、第１方向Ｘにおいて隔壁５Ｘ１，５Ｘ２の間に位置し、第１下部電極ＬＥ１を覆っている。第２有機ＥＬ層ＯＲ２は、第１方向Ｘにおいて隔壁５Ｘ２，５Ｘ３の間に位置し、第２下部電極ＬＥ２を覆っている。第３有機ＥＬ層ＯＲ３は、第１方向Ｘにおいて隔壁５Ｘ３，５Ｘ４の間に位置し、第３下部電極ＬＥ３を覆っている。図３の断面には表れていないが、有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、第２方向Ｙにおいて隣り合う隔壁５Ｙの間に位置している。すなわち、有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、それぞれ平面視において図２に示した開口ＯＰの内側を満たしている。

上部電極ＵＥは、有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３および隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３，５Ｘ４を覆っている。上部電極ＵＥは、金属材料で形成されている。ただし、上部電極ＵＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。

封止層１４は、上部電極ＵＥの上に配置されている。封止層１４は、例えば絶縁層１１，１２，１３や隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３，５Ｘ４よりも厚く形成されている。封止層１４は、有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３，ＯＲ４を水分などから保護するとともに、隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３，５Ｘ４により生じる凹凸を平坦化している。

図４は、有機ＥＬ層ＯＲ（ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３，ＯＲ４）に適用し得る層構成の一例を示す断面図である。例えば、有機ＥＬ層ＯＲは、下部電極ＬＥ（ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３，ＬＥ４）から上部電極ＵＥに向けて順に積層された第１機能層Ｆ１、発光層ＥＭおよび第２機能層Ｆ２を含んでいる。

下部電極ＬＥの電位が上部電極ＵＥの電位よりも相対的に高い場合、下部電極ＬＥがアノードに相当し、上部電極ＵＥがカソードに相当する。また、上部電極ＵＥの電位が下部電極ＬＥの電位よりも相対的に高い場合、上部電極ＵＥがアノードに相当し、下部電極ＬＥがカソードに相当する。

一例として、下部電極ＬＥがアノードに相当する場合、第１機能層Ｆ１は正孔注入層、正孔輸送層および電子ブロッキング層の少なくとも１つを含み、第２機能層Ｆ２は電子輸送層、電子注入層および正孔ブロッキング層の少なくとも１つを含む。

下部電極ＬＥと上部電極ＵＥの間に電位差が形成されると、発光層ＥＭが発光する。本実施形態においては、第１有機ＥＬ層ＯＲ１の発光層ＥＭが赤色の光を放ち、第２有機ＥＬ層ＯＲ２の発光層ＥＭが緑色の光を放ち、第３有機ＥＬ層ＯＲ３の発光層ＥＭが青色の光を放つ場合を想定する。他の例として、有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層ＥＭがいずれも同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、例えば封止層１４の上方に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の色に応じたカラーフィルタが配置されてもよい。また、発光層ＥＭが放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層が副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に配置されてもよい。

図５は、図３の一部を拡大した概略的な断面図である。なお、図５においては主に第１有機ＥＬ層ＯＲ１、第２有機ＥＬ層ＯＲ２、第１隔壁５Ｘ１および第２隔壁５Ｘ２を示しているが、他の有機ＥＬ層ＯＲおよび隔壁５Ｘもこれらと同様の形状を有している。

隔壁５Ｘは、第１方向Ｘと交わる一対の側面５１，５２と、これら側面５１，５２を繋ぐ上面５３とを有している。本実施形態においては、側面５１，５２が第３方向Ｚ（有機ＥＬ層ＯＲ、下部電極ＬＥ、絶縁層１３および後述の基板ＳＵＢなどの厚さ方向）と実質的に平行である。ここで、「側面５１，５２が第３方向Ｚと実質的に平行」とは、側面５１，５２の全体が第３方向Ｚと完全に平行な場合だけでなく、側面５１，５２が第３方向Ｚに対して数度程度の傾きを有する場合や、側面５１，５２の一部が第３方向Ｚに対して傾斜しているもののその大部分が第３方向Ｚと平行である場合などを含む。他の観点から言うと、側面５１，５２は、絶縁層１３の上面、下部電極ＬＥの上面、有機ＥＬ層ＯＲの上面および隔壁５Ｘの上面５３などと実質的に垂直を成す。

有機ＥＬ層ＯＲは、第１方向Ｘと交わる一対の端面ＳＦ１，ＳＦ２を有している。図５の例においては、第１有機ＥＬ層ＯＲ１の端面ＳＦ１が第１隔壁５Ｘ１の側面５１に接触し、第１有機ＥＬ層ＯＲ１の端面ＳＦ２が第２隔壁５Ｘ２の側面５２に接触している。すなわち、有機ＥＬ層ＯＲの端面ＳＦ１，ＳＦ２は、第１方向Ｘに隣り合う一対の隔壁５Ｘの一方の側面５１と他方の側面５２とにそれぞれ接触している。

端面ＳＦ１，ＳＦ２は、例えば図４に示した機能層Ｆ１，Ｆ２および発光層ＥＭの端部を含む。ただし、端面ＳＦ１，ＳＦ２は、これら機能層Ｆ１，Ｆ２および発光層ＥＭのいずれかの端部を含まなくてもよい。

隔壁５Ｘは、第３方向Ｚにおいて厚さＴ１を有している。有機ＥＬ層ＯＲは、第３方向Ｚにおいて厚さＴ２を有している。厚さＴ１は、厚さＴ２よりも大きい（Ｔ１＞Ｔ２）。厚さＴ１は、絶縁層１３から上面５３までの距離に相当する。上面５３が平坦（Ｘ－Ｙ平面と平行）でない場合、厚さＴ１は隔壁５Ｘの平均厚さであってもよい。

本実施形態においては、厚さＴ１が厚さＴ２の３倍以下である。厚さＴ１は、厚さＴ２の２倍未満であってもよい。一例として、厚さＴ１は５００ｎｍ～６００ｎｍであり、厚さＴ２は２００～３００ｎｍである。例えば、有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の厚さＴ２は同一であるが、これら厚さが異なっていてもよい。

なお、従来知られているＯＬＥＤタイプの表示装置において、副画素の境界にリブやバンクと呼ばれる部材が配置されることがある。このような部材の厚さは一般に有機ＥＬ層の厚さの３倍よりも大きく、１μｍを超えている。

上部電極ＵＥは、複数の有機ＥＬ層ＯＲと複数の隔壁５Ｘとを連続的に覆っている。図５の例においては、隣り合う隔壁５Ｘの間で上部電極ＵＥが窪んでいる。上部電極ＵＥは、上面５３だけでなく、側面５１，５２の一部も覆っている。

続いて、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
図６Ａ乃至図６Ｌは、それぞれ表示装置ＤＳＰの製造工程の一部を示す図である。これらの図においては、主に絶縁層１３、隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３，５Ｘ４および下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３を含む断面を示しており、絶縁層１３より下方の要素を省略している。

先ず、図６Ａに示すように、絶縁層１３の上に隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３，５Ｘ４および下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が配置された基板ＳＵＢが形成される。

続いて、図６Ｂに示すように、第１有機ＥＬ層ＯＲ１ａが基板ＳＵＢの全体に蒸着により形成される。第１有機ＥＬ層ＯＲ１ａは、赤色の光を放つ発光層ＥＭを含む。第１有機ＥＬ層ＯＲ１ａは、下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３をそれぞれ覆う複数の第１部分Ｐ１と、隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３，５Ｘ４の上にそれぞれ位置する複数の第２部分Ｐ２とを含む。

隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３，５Ｘ４の側面５１，５２は、上述のように第３方向Ｚと実質的に平行である。これにより、側面５１，５２への第１有機ＥＬ層ＯＲ１ａの蒸着が抑制され、各第１部分Ｐ１と各第２部分Ｐ２は互いに離間する。さらに、各第１部分Ｐ１の端面ＳＦ１，ＳＦ２は、隣接する隔壁５Ｘの側面５１，５２にそれぞれ接触している。

第１有機ＥＬ層ＯＲ１ａの形成の後、各第１部分Ｐ１および各第２部分Ｐ２を覆う保護膜６１が例えば蒸着により形成される。この保護膜６１は、例えば金属酸化物であるが、この例に限られない。

さらに、図６Ｂにおいては、隔壁５Ｘ１，５Ｘ２の間にレジスト７１が形成されている。レジスト７１は、基板ＳＵＢの全体において保護膜６１の上に形成されたレジストをパターニングしたものである。レジスト７１は、下部電極ＬＥ１の上の第１部分Ｐ１と対向し、当該第１部分Ｐ１の上の保護膜６１を覆っている。

次に、保護膜６１を除去するためのエッチングが施される。これにより、図６Ｃに示すように、レジスト７１により覆われた部分を除き保護膜６１が除去される。さらに、レジスト７１が除去されるとともに、第１有機ＥＬ層ＯＲ１ａを除去するためのエッチングが施される。これにより、図６Ｄに示すように、保護膜６１により覆われた第１部分Ｐ１以外の第１部分Ｐ１と、全ての第２部分Ｐ２とが除去される。このエッチングを経て残った第１部分Ｐ１は、図３に示した第１有機ＥＬ層ＯＲ１に相当する。

以上の図６Ａ乃至図６Ｄに示すプロセスを経て、第１色（赤色）の第１有機ＥＬ層ＯＲ１が表示領域ＤＡの副画素ＳＰ１に形成される。第２色（緑色）の第２有機ＥＬ層ＯＲ２および第３色（青色）の第３有機ＥＬ層ＯＲ３の形成も、図６Ｅ乃至図６Ｊに示す同様のプロセスにより実施される。

すなわち、第２有機ＥＬ層ＯＲ２の形成に際しては、先ず図６Ｅに示すように、第２有機ＥＬ層ＯＲ２ａが基板ＳＵＢの全体に蒸着により形成される。第２有機ＥＬ層ＯＲ２ａは、緑色の光を放つ発光層ＥＭを含む。第２有機ＥＬ層ＯＲ２ａは、複数の第３部分Ｐ３と、複数の第４部分Ｐ４とを含む。複数の第３部分Ｐ３の一部は下部電極ＬＥ２，ＬＥ３を覆い、残りの一部は保護膜６１を覆っている。複数の第４部分Ｐ４は、隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３，５Ｘ４の上にそれぞれ位置している。

下部電極ＬＥ２，ＬＥ３の上に位置する第３部分Ｐ３は、隔壁５Ｘ２，５Ｘ３，５Ｘ４の上に位置する第４部分Ｐ４と離間している。一方、図６Ｅの例においては、保護膜６１の上に位置する第３部分Ｐ３が隔壁５Ｘ１，５Ｘ２の上に位置する第４部分Ｐ４と接続されている。他の例として、保護膜６１の上に位置する第３部分Ｐ３が隔壁５Ｘ１，５Ｘ２の上に位置する第４部分Ｐ４と離間していてもよい。第２下部電極ＬＥ２の上に位置する第３部分Ｐ３の端面ＳＦ１は第２隔壁５Ｘ２の側面５１に接触し、当該第３部分Ｐ３の端面ＳＦ２は第３隔壁５Ｘ３の側面５２に接触している。

第２有機ＥＬ層ＯＲ２ａの形成の後、各第３部分Ｐ３および各第４部分Ｐ４を覆う保護膜６２が例えば蒸着により形成される。この保護膜６２は、例えば金属酸化物であるが、この例に限られない。

さらに、図６Ｅにおいては、隔壁５Ｘ２，５Ｘ３の間に保護膜６２を覆うレジスト７２が配置されている。このレジスト７２は、基板ＳＵＢの全体において保護膜６２の上に形成されたレジストをパターニングしたものである。

次に、保護膜６２を除去するためのエッチングが施される。これにより、図６Ｆに示すように、レジスト７２により覆われた部分を除き保護膜６２が除去される。さらに、レジスト７２が除去されるとともに、第２有機ＥＬ層ＯＲ２ａを除去するためのエッチングが施される。これにより、図６Ｇに示すように、保護膜６２により覆われた第３部分Ｐ３以外の第３部分Ｐ３と、全ての第４部分Ｐ４とが除去される。このエッチングを経て残った第３部分Ｐ３は、図３に示した第２有機ＥＬ層ＯＲ２に相当する。

第３有機ＥＬ層ＯＲ３の形成に際しては、先ず図６Ｈに示すように、第３有機ＥＬ層ＯＲ３ａが基板ＳＵＢの全体に蒸着により形成される。第３有機ＥＬ層ＯＲ３ａは、青色の光を放つ発光層ＥＭを含む。第３有機ＥＬ層ＯＲ３ａは、複数の第５部分Ｐ５と、複数の第６部分Ｐ６とを含む。複数の第５部分Ｐ５の一部は第３下部電極ＬＥ３を覆い、残りの一部は保護膜６１，６２のいずれか一方を覆っている。複数の第６部分Ｐ６は、隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３，５Ｘ４の上にそれぞれ位置している。

第３下部電極ＬＥ３の上に位置する第５部分Ｐ５は、隔壁５Ｘ３，５Ｘ４の上に位置する第６部分Ｐ６と離間している。一方、図６Ｈの例においては、保護膜６１，６２の上に位置する第５部分Ｐ５がそれぞれ隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３の上に位置する第６部分Ｐ６と接続されている。他の例として、保護膜６１，６２の上に位置する第５部分Ｐ５が隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３の上に位置する第６部分Ｐ６と離間していてもよい。第３下部電極ＬＥ３の上に位置する第５部分Ｐ５の端面ＳＦ１は第３隔壁５Ｘ３の側面５１に接触し、当該第５部分Ｐ５の端面ＳＦ２は第４隔壁５Ｘ４の側面５２に接触している。

第３有機ＥＬ層ＯＲ３ａの形成の後、各第５部分Ｐ５および各第６部分Ｐ６を覆う保護膜６３が例えば蒸着により形成される。この保護膜６３は、例えば金属酸化物であるが、この例に限られない。

さらに、図６Ｈにおいては、隔壁５Ｘ３，５Ｘ４の間に保護膜６３を覆うレジスト７３が配置されている。このレジスト７３は、基板ＳＵＢの全体において保護膜６３の上に形成されたレジストをパターニングしたものである。

次に、保護膜６３を除去するためのエッチングが施される。これにより、図６Ｉに示すように、レジスト７３により覆われた部分を除き保護膜６３が除去される。さらに、レジスト７３が除去されるとともに、第３有機ＥＬ層ＯＲ３ａを除去するためのエッチングが施される。これにより、図６Ｊに示すように、保護膜６３により覆われた第５部分Ｐ５以外の第５部分Ｐ５と、全ての第６部分Ｐ６とが除去される。このエッチングを経て残った第５部分Ｐ５は、図３に示した第３有機ＥＬ層ＯＲ３に相当する。

有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の形成の後、図６Ｋに示すように、保護膜６１，６２，６３が除去される。さらに、図６Ｌに示すように、隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３，５Ｘ４および有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３を連続的に覆う上部電極ＵＥが例えば蒸着により形成される。その後、封止層１４の形成などを経て表示装置ＤＳＰが完成する。

図７Ａ乃至図７Ｅは、本実施形態との比較例に係る表示装置の製造工程の一部を示す図である。当該比較例においては、先ず図７Ａに示すように、絶縁層１３の上に下部電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が配置された基板ＳＵＢが形成される。基板ＳＵＢは、隔壁５に相当する要素を有していない。

続いて、図７Ｂに示すように、第１有機ＥＬ層ＯＲ１ａが基板ＳＵＢの全体に蒸着により形成される。さらに、第１有機ＥＬ層ＯＲ１ａを覆う保護膜６１が形成されるとともに、下部電極ＬＥ１の上方にレジスト７１が形成される。

その後、保護膜６１を除去するためのエッチングが施される。これにより、図７Ｃに示すように、レジスト７１により覆われた部分を除き保護膜６１が除去される。さらに、レジスト７１が除去されるとともに、第１有機ＥＬ層ＯＲ１ａを除去するためのエッチングが施される。これにより、図７Ｄに示すように、保護膜６１により覆われた部分以外の第１有機ＥＬ層ＯＲ１ａが除去される。このエッチングを経て残った部分が赤色の副画素ＳＰ１に配置される第１有機ＥＬ層ＯＲ１に相当する。

以降、第１有機ＥＬ層ＯＲ１と同様の手順にて、図７Ｅに示すように緑色の副画素ＳＰ２の第２有機ＥＬ層ＯＲ２および青色の副画素ＳＰ３の第３有機ＥＬ層ＯＲ３が形成される。

このような比較例に係る製造方法においては、表示装置の製造過程で有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の端面ＳＦ１，ＳＦ２が雰囲気中に露出する。この場合、端面ＳＦ１，ＳＦ２を通じて有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３に水分が浸入する可能性がある。

これに対し、図６Ａ乃至図６Ｌに示した本実施形態に係る製造方法においては、有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３（第１部分Ｐ１，Ｐ３，Ｐ５）の端面ＳＦ１，ＳＦ２が隔壁５Ｘ１，５Ｘ２，５Ｘ３，５Ｘ４の側面５１，５２に接触している。これにより、端面ＳＦ１，ＳＦ２を通じた水分浸入を抑制することができる。

また、図６Ｊに示す段階までは、有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の上面が保護膜６１，６２，６３により覆われている。したがって、有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の表面の全てあるいは殆どが雰囲気中に露出せず、水分浸入をより好適に抑制することが可能となる。

比較例に係る製造方法においては、図７Ｅの状態から保護膜６１，６２，６３が除去され、有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３を連続的に覆う上部電極ＵＥが形成される。このとき、有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の厚さが大きいと、上部電極ＵＥが端面ＳＦ１，ＳＦ２の近傍で途切れる可能性がある。

これに対し、本実施形態においては、隔壁５Ｘの厚さＴ１を適切な値に調整することによって上部電極ＵＥの途切れを抑制することが可能である。例えば、隔壁５Ｘの厚さＴ１が有機ＥＬ層ＯＲの厚さＴ２の２倍未満であれば、隔壁５Ｘと有機ＥＬ層ＯＲの間の段差の高さが厚さＴ２よりも小さくなる。この場合、比較例よりも上部電極ＵＥの下地の凹凸が緩やかとなるため、上部電極ＵＥが途切れにくくなる。

完成した表示装置ＤＳＰにおいても、端面ＳＦ１，ＳＦ２が側面５１，５２に接触していれば、端面ＳＦ１，ＳＦ２を通じた水分浸入が抑制される。これにより、表示装置ＤＳＰの信頼性が向上する。

また、端面ＳＦ１，ＳＦ２が側面５１，５２に接触することで、例えば図４に示した第１機能層Ｆ１が発光層ＥＭおよび機能層Ｆ２を介さずに上部電極ＵＥと接触したり、発光層ＥＭが第２機能層Ｆ２を介さずに上部電極ＵＥと接触したりすることがなくなる。これにより、表示素子２０におけるリーク電流の発生が抑制され、表示装置ＤＳＰの表示品位が向上する。

以上の他にも、本実施形態からは種々の好適な効果を得ることができる。また、本実施形態は、種々の態様に変形することが可能である。以下に、いくつかの変形例を開示する。

図８Ａおよび図８Ｂは、第１変形例に係る製造工程の一部を示す図である。また、図９Ａおよび図９Ｂは、本変形例との比較例に係る製造工程の一部を示す図である。

図８Ａにおいては、図６Ｂと同じく、基板ＳＵＢに第１有機ＥＬ層ＯＲ１ａ、保護膜６１およびレジスト７１が形成されている。ただし、レジスト７１の幅が大きく、一部が隔壁５Ｘ１，５Ｘ２の上方にはみ出している。以下、レジスト７１のうち隔壁５Ｘ１，５Ｘ２の上方にはみ出した部分を拡張部７１ａと呼ぶ。

レジスト７１が拡張部７１ａを有する場合、第１有機ＥＬ層ＯＲ１ａを異方性エッチングにより除去しようとすると、図９Ａに示すように拡張部７１ａの下に保護膜６１が残り得る。拡張部７１ａの下に保護膜６１が残ると、図９Ｂに示すように第１有機ＥＬ層ＯＲ１ａのエッチングを経ても隔壁５Ｘ１，５Ｘ２の上に第２部分Ｐ２の一部が残る可能性がある。このような第２部分Ｐ２は、その後に蒸着される上部電極ＵＥの途切れを招きかねない。

そこで、本変形例においては、保護膜６１を等方性エッチングにより除去する。この場合、図８Ｂに示すように拡張部７１ａの下の保護膜６１も除去することが可能である。その後にレジスト７１が除去され、第１有機ＥＬ層ＯＲ１ａを除去するためのエッチングが施されると、図６Ｄと同様の基板ＳＵＢを得ることができる。第１有機ＥＬ層ＯＲ１ａの除去に等方性エッチングが用いられてもよい。

図８Ａおよび図８Ｂに示すように端面ＳＦ１，ＳＦ２が隔壁５Ｘ１，５Ｘ２の側面５１，５２にそれぞれ接触していれば、保護膜６１や第１有機ＥＬ層ＯＲ１ａを除去する等方性エッチングにおいて第１下部電極ＬＥ１の上の第１部分Ｐ１が端面ＳＦ１，ＳＦ２から侵食されることはない。

仮にレジスト７１が拡張部７１ａを有していない場合にレジスト７１の形成時における露光ずれが生じると、保護膜６１を除去するエッチングにおいてレジスト７１の下方の保護膜６１まで侵食される可能性がある。この場合には、第１有機ＥＬ層ＯＲ１ａを除去するエッチングにおいて、第１下部電極ＬＥ１の上の第１部分Ｐ１が侵食され得る。これに対し、本変形例のようにレジスト７１が拡張部７１ａを有していれば、レジスト７１の形成時に露光ずれが生じた場合であっても第１下部電極ＬＥ１の上方の保護膜６１の全体を覆うレジスト７１を形成することができ、結果として第１有機ＥＬ層ＯＲ１を精度良く形成することができる。

ここではレジスト７１が拡張部７１ａを有する場合を例示したが、レジスト７２，７３が同様の拡張部を有し、保護膜６２，６３が等方性エッチングにより除去されてもよい。また、有機ＥＬ層ＯＲ２ａ，ＯＲ３ａの除去に等方性エッチングが用いられてもよい。レジスト７２，７３が拡張部を有する場合には、第１有機ＥＬ層ＯＲ１と同様に有機ＥＬ層ＯＲ２，ＯＲ３を精度良く形成することができる。

図１０は、第２変形例に係る副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。第２変形例において、隔壁５は、図２に示した隔壁５Ｙを有していない。また、有機ＥＬ層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、隣り合う隔壁５Ｘの間で第２方向Ｙに直線状に延びている。

第１有機ＥＬ層ＯＲ１は、第２方向Ｙに並ぶ複数の第１下部電極ＬＥ１と重なっている。第２有機ＥＬ層ＯＲ２は、第２方向Ｙに並ぶ複数の第２下部電極ＬＥ２と重なっている。第３有機ＥＬ層ＯＲ３は、第２方向Ｙに並ぶ複数の第３下部電極ＬＥ３と重なっている。
この変形例の他にも、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは種々の態様に変形し得る。

以上、本発明の実施形態およびその変形例として説明した表示装置およびその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置および製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態および変形例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態および変形例において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置、ＰＸ…画素、ＳＰ…副画素、ＬＥ…下部電極、ＵＥ…上部電極、ＯＲ…有機ＥＬ層、ＳＦ１，ＳＦ２…有機ＥＬ層の端面、５…隔壁、５１，５２…隔壁の側面、１３…絶縁層、１４…封止層、２０…表示素子、６１，６２，６３…保護膜、７１，７２，７３…レジスト。

Claims (10)

1. 一対の隔壁と、前記一対の隔壁の間に配置された下部電極と、を有する基板を形成すること、
   前記下部電極を覆うとともに前記一対の隔壁の側面にそれぞれ接触する一対の端面を有する第１部分と、前記一対の隔壁の上にそれぞれ位置し前記第１部分から離間した第２部分と、を含む有機ＥＬ層を形成すること、
   エッチングにより前記第２部分を除去すること、
   前記第１部分を覆う上部電極を形成すること、
   を含む表示装置の製造方法。
2. 前記一対の隔壁の前記側面は、前記基板の厚さ方向と実質的に平行である、
   請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 前記一対の隔壁の厚さは、前記有機ＥＬ層の厚さの３倍以下である、
   請求項１に記載の表示装置の製造方法。
4. 前記有機ＥＬ層を覆う保護膜を形成すること、
   前記保護膜の上に前記第１部分と対向するレジストを形成すること、
   前記第２部分の上の前記保護膜を除去すること、
   をさらに含み、
   前記保護膜が除去された後に、前記エッチングにより前記第２部分を除去する、
   請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
5. 前記保護膜は、等方性エッチングにより除去される、
   請求項４に記載の表示装置の製造方法。
6. 第１隔壁、第２隔壁、第３隔壁および第４隔壁と、前記第１隔壁と前記第２隔壁の間に配置された第１下部電極と、前記第２隔壁と前記第３隔壁の間に配置された第２下部電極と、前記第３隔壁と前記第４隔壁の間に配置された第３下部電極と、を有する基板を形成すること、
   前記第１下部電極を覆うとともに前記第１隔壁および前記第２隔壁の側面にそれぞれ接触する一対の端面を有する第１部分と、前記第１隔壁および前記第２隔壁の上にそれぞれ位置し前記第１部分から離間した第２部分と、を含む第１有機ＥＬ層を形成すること、
   エッチングにより前記第２部分を除去すること、
   前記第２下部電極を覆うとともに前記第２隔壁および前記第３隔壁の側面にそれぞれ接触する一対の端面を有する第３部分と、前記第２隔壁および前記第３隔壁の上にそれぞれ位置し前記第３部分から離間した第４部分と、を含む第２有機ＥＬ層を形成すること、
   エッチングにより前記第４部分を除去すること、
   前記第３下部電極を覆うとともに前記第３隔壁および前記第４隔壁の側面にそれぞれ接触する一対の端面を有する第５部分と、前記第３隔壁および前記第４隔壁の上にそれぞれ位置し前記第５部分から離間した第６部分と、を含む第３有機ＥＬ層を形成すること、
   エッチングにより前記第６部分を除去すること、
   前記第１部分、前記第３部分および前記第５部分を覆う上部電極を形成すること、
   を含む表示装置の製造方法。
7. 前記第１隔壁、前記第２隔壁、前記第３隔壁および前記第４隔壁の前記側面は、前記基板の厚さ方向と実質的に平行である、
   請求項６に記載の表示装置の製造方法。
8. 前記第１隔壁、前記第２隔壁、前記第３隔壁および前記第４隔壁の厚さは、前記第１有機ＥＬ層、前記第２有機ＥＬ層または前記第３有機ＥＬ層の厚さの３倍以下である、
   請求項６または７に記載の表示装置の製造方法。
9. 一対の隔壁と、
   前記一対の隔壁の間に配置された下部電極と、
   前記下部電極を覆うとともに前記一対の隔壁の側面にそれぞれ接触する一対の端面を有する有機ＥＬ層と、
   前記有機ＥＬ層を覆う上部電極と、
   を備え、
   前記一対の隔壁の前記側面は、前記有機ＥＬ層の厚さ方向と実質的に平行であり、
   前記一対の隔壁の厚さは、前記有機ＥＬ層の厚さの３倍以下である、
   表示装置。
10. 前記上部電極は、前記有機ＥＬ層および前記一対の隔壁を連続的に覆っている、
    請求項９に記載の表示装置。

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