JP2024059317A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 製造工程の歩留まりを向上させることが可能な表示装置を提供する。【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出する第１層、および、前記第１層の上に配置され前記第１層よりも小さい幅を有する第２層を含む隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記有機層を覆うとともに、前記下部の前記側面に接触した上電極と、を備えている。【選択図】 図４

Description

本発明の実施形態は、表示装置およびその製造方法に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。

上記のような表示装置を製造するにあたり、製造工程の歩留まり向上させる技術が必要とされている。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号 米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

本発明の目的は、製造工程の歩留まりを向上させることが可能な表示装置を提供することにある。

一実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出する第１層、および、前記第１層の上に配置され前記第１層よりも小さい幅を有する第２層を含む隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記有機層を覆うとともに、前記下部の前記側面に接触した上電極と、を備えている。

一実施形態に係る表示装置の製造方法は、下電極を形成し、前記下電極に重なる画素開口を有するリブを形成し、前記リブの上に配置された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出する第１層と、前記第１層の上に配置され前記第１層よりも小さい幅を有する第２層とを含む隔壁を形成し、前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層を形成し、前記有機層を覆うとともに、前記下部の前記側面に接触した上電極を形成する、ことを含む。

図１は、一実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。 図２は、副画素のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図４は、図２中のIV－IV線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図５は、表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。 図６は、表示装置の製造工程の一部を示す概略的な断面図である。 図７は、図６に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図８は、図７に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図９は、図８に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１０は、図９に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１１は、図１０に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１２は、図１１に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１３は、上電極の蒸着方法の一例を示す模式図である。 図１４は、図１２に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１５は、図１４に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１６は、図１５に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１７は、図１６に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１８は、図１７に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１９は、変形例に係る隔壁の概略的な断面図である。

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

図１は、一実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、青色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および赤色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。表示素子ＤＥは、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。図２の例においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並んでいる。副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ３も第１方向Ｘに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１において画素開口ＡＰ１を有し、副画素ＳＰ２において画素開口ＡＰ２を有し、副画素ＳＰ３において画素開口ＡＰ３を有している。

図２の例においては、画素開口ＡＰ１の面積が画素開口ＡＰ２の面積よりも大きい。画素開口ＡＰ１の面積は、画素開口ＡＰ３の面積よりも大きい。さらに、画素開口ＡＰ３の面積は、画素開口ＡＰ２の面積よりも小さい。

隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ１の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層をさらに含んでもよい。

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

図２の例において、コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３は、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。また、コンタクトホールＣＨ１は、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ１の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。他の例として、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３の少なくとも一部が第１隔壁６ｘと重なっていなくてもよい。

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。

回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３はいずれも有機絶縁層１２に設けられている。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。

本実施形態において、上部６２は、第１層６３および第２層６４を含む。第１層６３は、下部６１の上に配置されている。第２層６４は、第１層６３の上に配置されている。

有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。

図３の例においては、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１が配置され、上電極ＵＥ２の上にキャップ層ＣＰ２が配置され、上電極ＵＥ３の上にキャップ層ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を担う。

以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む積層体を薄膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む積層体を薄膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む積層体を薄膜ＦＬ３と呼ぶ。

薄膜ＦＬ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、薄膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、薄膜ＦＬ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、薄膜ＦＬ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々を個別に覆う封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、薄膜ＦＬ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、薄膜ＦＬ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、薄膜ＦＬ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上に位置する薄膜ＦＬ１，ＦＬ２が離間している。副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上に位置する薄膜ＦＬ１，ＦＬ３も離間している。

また、図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上に位置する封止層ＳＥ１，ＳＥ２の端部同士が離間している。副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上に位置する封止層ＳＥ１，ＳＥ３の端部同士も離間している。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。樹脂層１３，１５および封止層１４は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。

樹脂層１５の上方に光学素子、保護フィルム、カバーガラスまたはタッチパネルなどの他の基板が配置されてもよい。この基板は、ＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）などの透明な接着層を介して樹脂層１５に接着されてもよい。

有機絶縁層１２および樹脂層１３，１５は、有機絶縁材料で形成されている。リブ５、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３および封止層１４は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料で形成されている。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された反射層と、この反射層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。

上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３のアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３が表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３のカソードに相当する。

キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は省略されてもよい。

隔壁６の下部６１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）によって形成されている。下部６１は、アルミニウム－ネオジム（ＡｌＮｄ）などのアルミニウム合金によって形成されてもよいし、アルミニウム層とアルミニウム合金層の積層構造を有してもよい。さらに、下部６１は、アルミニウム層またはアルミニウム合金層の下に、アルミニウムやアルミニウム合金とは異なる金属材料で形成された薄膜を有してもよい。このような薄膜は、例えばモリブデン（Ｍｏ）によって形成することができる。

上部６２の第１層６３は、例えばチタン（Ｔｉ）などの金属材料によって形成されている。上部６２の第２層６４は、例えばシリコン窒化物、シリコン酸化物またはシリコン酸窒化物などの無機絶縁材料によって形成されている。第２層６４は、ＩＴＯなどの導電性酸化物で形成されてもよいし、金属材料で形成されてもよい。

下部６１には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、それぞれ副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。

他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

図４は、図２中のIV－IV線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図であり、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６（第１隔壁６ｘ）の一部を示している。この断面は、Ｙ－Ｚ平面に沿うものである。図４においては、基板１０、回路層１１、有機絶縁層１２、樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５を省略している。

下部６１は、幅Ｗ０を有している。第１層６３は、幅Ｗ０よりも大きい幅Ｗ１を有している（Ｗ０＜Ｗ１）。これにより、第１層６３の両端部は、下部６１の側面ＳＦから突出している。

第２層６４は、幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２を有している（幅Ｗ１＞Ｗ２）。これにより、第１層６３の上面は、第２層６４により覆われた第１領域Ａ１と、第２層６４から露出した一対の第２領域Ａ２とを有している。

一対の第２領域Ａ２は、第１層６３の両端部付近にそれぞれ形成されている。第１領域Ａ１は、隔壁６の幅方向（図４の例においては第２方向Ｙ）において、これら第２領域Ａ２の間に位置している。

上部６２の上に位置する薄膜ＦＬ１は、第２領域Ａ２を覆っている。より具体的には、第２領域Ａ２は、薄膜ＦＬ１に含まれる有機層ＯＲ１により覆われている。薄膜ＦＬ１（有機層ＯＲ１）は、第２層６４の側面や上面の一部も覆っている。

幅Ｗ２は、幅Ｗ０よりも大きいことが好ましい（Ｗ０＜Ｗ２）。これにより、図４に示すように第２層６４の両端部が下部６１の側面ＳＦよりも幅方向に突出する。この場合には、第１層６３のみが側面ＳＦよりも突出する場合に比べ、上部６２の強度を高めることができる。

下部６１は、厚さＴ０を有している。第１層６３は、厚さＴ０よりも十分に小さい厚さＴ１を有している（Ｔ０＞Ｔ１）。図４の例において、第２層６４は、厚さＴ１よりも大きい厚さＴ２を有している（Ｔ１＜Ｔ２）。このように第２層６４を厚く形成することにより、上部６２の強度を高めることができる。ただし、厚さＴ２は必ずしも厚さＴ１よりも大きい必要はない。

例えば、上部６２の厚さ（Ｔ１＋Ｔ２）は、下部６１の厚さＴ０の１／２以下である。厚さ（Ｔ１＋Ｔ２）は、厚さＴ０の１／３以下であってもよい。一例では、厚さＴ０が９００ｎｍであり、厚さ（Ｔ１＋Ｔ２）が２００ｎｍである。

薄膜ＦＬ１は、側面ＳＦに近づくに連れて厚さが漸次減少する減厚部ＳＨを有している。減厚部ＳＨは、リブ５の上に位置している。減厚部ＳＨにおいては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１のそれぞれの厚さが漸次減少している。

上電極ＵＥ１は、側面ＳＦに接触する端部Ｅ１ａ，Ｅ１ｂを有している。側面ＳＦのうち端部Ｅ１ａ，Ｅ１ｂよりも上方の領域は、封止層ＳＥ１により覆われている。封止層ＳＥ１は、第１層６３の下面も覆っている。

図４の例においては、端部Ｅ１ａが端部Ｅ１ｂよりも上方に位置している。すなわち、上電極ＵＥ１は、図４中左側に位置する隔壁６の下部６１の側面ＳＦに対して良好に接触している。なお、図４中左側の隔壁６は、図３においてコンタクトホールＣＨ１と重なる第１隔壁６ｘに相当する。

副画素ＳＰ２，ＳＰ３とその周囲の隔壁６の構成は、図４に示した副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の構成と同様である。

続いて、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図６乃至図１８は、それぞれ表示装置ＤＳＰの製造工程の一部を示す概略的な断面図である。図６乃至図１８においては、基板１０および回路層１１等を省略している。

表示装置ＤＳＰの製造においては、先ず基板１０の上に回路層１１および有機絶縁層１２が形成される（工程Ｐ１）。

工程Ｐ１の後、図６に示すように、有機絶縁層１２の上に下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成され（工程Ｐ２）、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３を覆うリブ５が形成される（工程Ｐ３）。その後、リブ５の上に隔壁６が形成される（工程Ｐ４）。画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３は、工程Ｐ４の前に形成されてもよいし、工程Ｐ４の後に形成されてもよい。

工程Ｐ４においては、先ず図７に示すように、リブ５の上に下部６１の基となる金属層６１ａが形成され、金属層６１ａの上に第１層６３の基となる第１薄膜６３ａが形成され、第１薄膜６３ａの上に第２層６４の基となる第２薄膜６４ａが形成される。さらに、隔壁６に対応する形状の第１レジストＲ１が第２薄膜６４ａの上に配置される。

第１レジストＲ１の形成後、図８に示すように、第２薄膜６４ａのうち第１レジストＲ１から露出した部分がウェットエッチングにより除去される。このウェットエッチングにおいては、第１レジストＲ１の下方に残った第２薄膜６４ａの幅も低減される。これにより、第１レジストＲ１よりも幅が小さい第２層６４が形成される。

続いて異方性のドライエッチングが行われ、図９に示すように、第１薄膜６３ａのうち第１レジストＲ１から露出した部分が除去される。これにより、第２層６４よりも幅が大きい第１層６３が形成される。

さらに、当該ドライエッチングにおいては、金属層６１ａのうち第１レジストＲ１から露出した部分も除去される。当該ドライエッチングにおいて、金属層６１ａのうち第１レジストＲ１から露出した部分が薄く残されてもよい。また、金属層６１ａに対するドライエッチングは、第１薄膜６３ａに対するドライエッチングと異なる条件で行われてもよい。

続いて等方性のウェットエッチングが行われ、図１０に示すように金属層６１ａの幅が低減される。これにより、第１層６３よりも幅が小さい下部６１が形成される。

その後、図１１に示すように第１レジストＲ１が除去される。以上の工程により、下部６１と、第１層６３および第２層６４を含む上部６２とを備える隔壁６が形成される。

工程Ｐ４の後、表示素子ＤＥ１が形成される（工程Ｐ５）。具体的には、図１２に示すように、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３、リブ５および隔壁６の上に有機層ＯＲ１が蒸着によって形成され（工程Ｐ１１）、有機層ＯＲ１の上に上電極ＵＥ１が蒸着によって形成され（工程Ｐ１２）、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１が蒸着によって形成される（工程Ｐ１３）。さらに、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む薄膜ＦＬ１を覆う封止層ＳＥ１がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される（工程Ｐ１４）。

なお、工程Ｐ１１は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層など、有機層ＯＲ１を構成する薄膜を順次形成する工程を含む。また、工程Ｐ１３は、キャップ層ＣＰ１を構成する複数の薄膜を順次形成する工程を含む。

薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２，ＳＰ３にも配置されている。薄膜ＦＬ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。

図１３は、上電極ＵＥ１の蒸着方法の一例を示す模式図であり、蒸着源１００のノズルＮから上電極ＵＥ１の蒸着材料Ｍが放たれる様子を示している。なお、図１３は図４と同様の断面であり、図１３中の隔壁６はいずれも図２に示した第１隔壁６ｘに相当する。

蒸着源１００と蒸着対象の基板は、例えば第２方向Ｙと平行な搬送方向ＴＤに沿って相対的に移動される。蒸着材料Ｍは、ノズルＮから拡がりをもって放射される。蒸着材料Ｍの放射方向ＲＤ（あるいはノズルＮの延出方向）は、図１３中左方の隔壁６（コンタクトホールＣＨ１と重なる第１隔壁６ｘ）を向くように第３方向Ｚに対して傾斜している。そのため、蒸着材料Ｍが当該左方の隔壁６の側面ＳＦに良好に付着する。

一方で、図１３中右方の隔壁６の側面ＳＦに向かう蒸着材料Ｍは、上部６２によって遮られやすい。そのため、右方の隔壁６の側面ＳＦには、左方の隔壁６の側面ＳＦほど蒸着材料Ｍが付着しない。

なお、有機層ＯＲ１およびキャップ層ＣＰ１の蒸着時においては、蒸着源１００のノズルＮは第３方向（Ｚ方向）を向いた蒸着方法で形成される。したがって、有機層ＯＲ１およびキャップ層ＣＰ１は、図４に示したように、Ｙ－Ｚ断面においては副画素ＳＰ１内で側面ＳＦに近づくに連れて両側とも同じように厚さが漸次減少するように配置される。また、蒸着時に有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１の蒸着材料が上部６２によって遮られることで、リブ５の上に上述の減厚部ＳＨが形成される。

図１３の蒸着方法を用いれば、上電極ＵＥ１が一方の隔壁６の側面ＳＦに良好に付着する。そのため、上電極ＵＥ１と隔壁６の安定した導通を確保することができる。

工程Ｐ１４の後、図１４に示すように、封止層ＳＥ１の上に第２レジストＲ２が形成される（工程Ｐ１５）。第２レジストＲ２は、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。

その後、図１５に示すように、第２レジストＲ２をマスクとして薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１がパターニングされる（工程Ｐ１６）。このパターニングには、封止層ＳＥ１のうち第２レジストＲ２から露出した部分を除去するドライエッチングが含まれる。さらに、このパターニングには、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１のうち第２レジストＲ２から露出した部分を順次除去するドライエッチングやウェットエッチングも含まれる。

上電極ＵＥ１は、封止層ＳＥ１のドライエッチングにおけるエッチングストッパとして機能する。これにより、当該ドライエッチングによるリブ５の侵食が抑制される。

なお、第２層６４が封止層ＳＥ１と同様の無機絶縁材料により形成されている場合、封止層ＳＥ１のドライエッチングにおいて第２層６４も侵食され得る。そこで、第２層６４は、当該ドライエッチングにおけるエッチングレートが封止層ＳＥ１よりも遅い材料で形成されることが好ましい。例えば、封止層ＳＥ１がシリコン窒化物で形成されている場合に、第２層６４がシリコン酸化物またはシリコン酸窒化物で形成されていれば、このようなエッチングレートの関係が実現される。

工程Ｐ１６の後、第２レジストＲ２が剥離液によって除去されるとともに、アッシングによって第２レジストＲ２などの残渣が除去される（工程Ｐ１７）。これにより、図１６に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成された基板を得ることができる。

表示素子ＤＥ１の形成後、表示素子ＤＥ２が形成される（工程Ｐ６）。表示素子ＤＥ２を形成する手順は工程Ｐ１１乃至Ｐ１７と同様である。すなわち、工程Ｐ１１乃至Ｐ１４と同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２が蒸着によって順に形成され、第１封止層ＳＥ１２がＣＶＤによって形成される。

その後、工程Ｐ１５と同様に封止層ＳＥ２の上にレジストが配置され、工程Ｐ１６と同様に有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２および封止層ＳＥ２がパターニングされる。このパターニングの後、工程Ｐ１７と同様にレジストが除去される。

以上の工程を経ると、図１７に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２および封止層ＳＥ２が形成された基板を得ることができる。

表示素子ＤＥ２の形成後、表示素子ＤＥ３が形成される（工程Ｐ７）。表示素子ＤＥ３を形成する手順は工程Ｐ１１乃至Ｐ１７と同様である。すなわち、工程Ｐ１１乃至Ｐ１４と同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３が蒸着によって順に形成され、封止層ＳＥ３がＣＶＤによって形成される。

その後、工程Ｐ１５と同様に封止層ＳＥ３の上にレジストが配置され、工程Ｐ１６と同様に有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および封止層ＳＥ３がパターニングされる。このパターニングの後、工程Ｐ１７と同様にレジストが除去される。

以上の工程を経ると、図１８に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２および封止層ＳＥ２が形成され、副画素ＳＰ３に表示素子ＤＥ３および封止層ＳＥ３が形成された基板を得ることができる。

工程Ｐ７の後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５が順に形成される（工程Ｐ８）。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。なお、以上の製造工程においては最初に表示素子ＤＥ１が形成され、次に表示素子ＤＥ２が形成され、最後に表示素子ＤＥ３が形成される場合を想定したが、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成順はこの例に限られない。

本実施形態においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の境界にオーバーハング状の隔壁６が設けられている。この場合には、蒸着によって形成される有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３が隔壁６によって分断される。このように分断された各層を封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３で覆うことにより、個別に封止された表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を得ることができる。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３が個別に封止されていれば、いずれかの表示素子に水分浸入などの不具合が生じた場合であっても、その影響の他の表示素子への波及が抑制される。

上述の通り、上電極ＵＥ１が封止層ＳＥ１のドライエッチングにおけるエッチングストッパとして機能し、リブ５の侵食が抑制される。そのため、上電極ＵＥ１は、リブ５を全体的に覆っている必要がある。しかしながら、下部６１の近傍においては、上部６２によって蒸着材料が遮られることにより、上述の減厚部ＳＨが生じる。減厚部ＳＨにおいては上電極ＵＥ１も薄くなり、リブ５を上記ドライエッチングから十分に保護することができない可能性がある。特に、図１３を用いて説明したように蒸着源１００からの蒸着材料Ｍの放射方向ＲＤが傾いている場合には、端部Ｅ１ｂ側において上電極ＵＥ１が大幅に薄くなり得る。

上電極ＵＥ１が薄すぎる領域や、上電極ＵＥ１が形成されていない領域が生じると、リブ５が封止層ＳＥ１のドライエッチングにより損傷し得る。このような損傷が副画素ＳＰ２，ＳＰ３において生じると、その後に形成される薄膜ＦＬ２，ＦＬ３の封止不良や段切れに繋がりかねない。

リブ５の全体を上電極ＵＥ１により良好に覆う一つの方法として、上部６２を薄くすることが考えられる。すなわち、上部６２を薄くすれば、蒸着源１００からの影となる領域が減少するので、減厚部ＳＨも小さくなる。しかしながら、上部６２を薄くすると、上部６２が強度不足によって損傷する可能性がある。

これに対し、本実施形態においては、上部６２が第１層６３と第１層６３よりも幅が小さい第２層６４とを有している。この場合には、上部６２の端部付近が薄くなり、減厚部ＳＨを小さくすることができる。一方で、上部６２の中央付近が厚くなり、上部６２の強度を高めることができる。これらにより、表示装置ＤＳＰの製造工程の歩留まりが改善される。

以上の上電極ＵＥ１に関して述べた効果は、上電極ＵＥ２，ＵＥ３についても同様に生じる。すなわち、本実施形態における隔壁６の構成であれば、リブ５を上電極ＵＥ２，ＵＥ３により良好に覆うことが可能となる。

隔壁６の構成は、本実施形態にて開示したものに限られない。例えば、本実施形態においては上部６２が２層の積層構造を有する例を示したが、上部６２は３層以上の積層構造を有してもよい。この場合において、上部６２を構成する各層の幅が、上方の層ほど小さくてもよい。

図１９は、一変形例に係る隔壁６の概略的な断面図である。図１９の例において、上部６２は、中央部６２１と、中央部６２１の両端部に設けられたテーパ部６２２とを有している。

中央部６２１は、一様な厚さを有している。図１９の例においては、中央部６２１が下部６１よりも大きい幅を有しているが、この例に限られない。

テーパ部６２２は、中央部６２１から離れるに連れて徐々に薄くなる形状を有している。テーパ部６２２の上面ＵＦは、中央部６２１から離れるに連れて下方に向かうように傾斜している。

このような形状の上部６２は、例えばシリコン窒化物、シリコン酸化物またはシリコン酸窒化物のような無機絶縁材料によって形成することができる。上部６２は、無機絶縁材料の単層構造を有してもよいし、複数の異なる材質の薄膜の積層構造を有してもよい。

この変形例のように上部６２がテーパ部６２２を有する場合でも、上電極ＵＥ１などを形成する際に蒸着源１００からの影となる領域が減少する。したがって、リブ５を上電極ＵＥ１によって良好に覆うことができる。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置およびその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置およびその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３…表示素子、５…リブ、６…隔壁、６１…隔壁の下部、６２…隔壁の上部、６３…第１層、６４…第２層、Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域。

Claims (11)

1. 下電極と、
   前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、
   前記リブの上に配置された下部、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出する第１層、および、前記第１層の上に配置され前記第１層よりも小さい幅を有する第２層を含む隔壁と、
   前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
   前記有機層を覆うとともに、前記下部の前記側面に接触した上電極と、
   を備える表示装置。
2. 前記第１層の上面は、
   前記第２層により覆われた第１領域と、
   前記第２層から露出した第２領域と、
   を有する、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記有機層の一部が前記第２領域を覆っている、
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１層の前記上面は、一対の前記第２領域を有し、
   前記第１領域は、前記隔壁の幅方向において一対の前記第２領域の間に位置している、
   請求項２に記載の表示装置。
5. 前記第２層の幅は、前記下部の幅よりも大きい、
   請求項１に記載の表示装置。
6. 前記第２層は、前記第１層よりも厚い、
   請求項１に記載の表示装置。
7. 前記第１層は、金属材料により形成され、
   前記第２層は、無機絶縁材料により形成されている、
   請求項１に記載の表示装置。
8. 前記有機層および前記上電極を含む薄膜を覆う封止層をさらに備え、
   前記リブおよび前記封止層は、無機絶縁材料により形成されている、
   請求項１に記載の表示装置。
9. 下電極を形成し、
   前記下電極に重なる画素開口を有するリブを形成し、
   前記リブの上に配置された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出する第１層と、前記第１層の上に配置され前記第１層よりも小さい幅を有する第２層とを含む隔壁を形成し、
   前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層を形成し、
   前記有機層を覆うとともに、前記下部の前記側面に接触した上電極を形成する、
   ことを含む表示装置の製造方法。
10. 前記隔壁の形成は、
    前記リブの上に金属層を形成し、
    前記金属層の上に第１薄膜を形成し、
    前記第１薄膜の上に第２薄膜を形成し、
    前記第２薄膜の上に前記隔壁に対応する形状の第１レジストを配置し、
    前記第２薄膜のうち前記第１レジストから露出した部分をエッチングにより除去するとともに、前記第２薄膜の幅を低減することにより、前記第１レジストよりも幅が小さい前記第２層を形成し、
    前記第１薄膜のうち前記第１レジストから露出した部分をエッチングにより除去することにより、前記第１層を形成し、
    前記金属層のうち前記第１レジストから露出した部分をエッチングにより除去するとともに、前記金属層の幅を低減することにより、前記第１層よりも幅が小さい前記下部を形成する、
    ことを含む、
    請求項９に記載の表示装置の製造方法。
11. 前記上電極および前記有機層を含む薄膜を覆う封止層を形成し、
    前記封止層の上に第２レジストを配置し、
    前記封止層および前記薄膜のうち前記第２レジストから露出した部分をエッチングにより除去する、
    ことをさらに含む、
    請求項９に記載の表示装置の製造方法。

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