JP2023120847A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 信頼性の向上が可能な表示装置を提供する。【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極の一部を覆うとともに前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部と前記下部の側面から突出する上部とを有する隔壁と、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に位置し、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を備えている。前記上電極は、前記有機層を覆う第１層と、前記第１層を覆う第２層と、を含む。前記第２層は、前記下部の前記側面に接触している。【選択図】 図４

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。

上記のような表示装置において、信頼性を向上させる技術が必要とされている。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号

本発明の目的は、信頼性の向上が可能な表示装置を提供することにある。

一実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極の一部を覆うとともに前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部と前記下部の側面から突出する上部とを有する隔壁と、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に位置し、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を備えている。前記上電極は、前記有機層を覆う第１層と、前記第１層を覆う第２層と、を含む。前記第２層は、前記下部の前記側面に接触している。

図１は、一実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。 図２は、副画素のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図４は、図３の一部を拡大した概略的な断面図である。 図５は、表示装置に適用し得る構成の他の例を示す概略的な断面図である。 図６は、表示装置の製造工程の一部を示す概略的な断面図である。 図７は、図６に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図８は、図７に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図９は、図８に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および青色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０に接続されている。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ２は緑色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ３は青色の波長域の光を放つ表示素子２０を備えている。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。図２の例においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ１，ＳＰ２がそれぞれ副画素ＳＰ３と第１方向Ｘに並んでいる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１，ＳＰ２が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、開口ＡＰ２が開口ＡＰ１よりも大きく、開口ＡＰ３が開口ＡＰ２よりも大きい。

隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ３の間、および、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ２，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。図２の例においては、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１の外形が一致し、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２の外形が一致し、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３の外形が一致している。

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０を構成する。

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

図２の例において、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２は、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。コンタクトホールＣＨ３は、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。他の例として、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３の少なくとも一部が第１隔壁６ｘと重なっていなくてもよい。

図２の例において、下電極ＬＥ１，ＬＥ２は、凸部ＰＲ１，ＰＲ２をそれぞれ有している。凸部ＰＲ１は、下電極ＬＥ１の本体（開口ＡＰ１と重なる部分）からコンタクトホールＣＨ１に向けて突出している。凸部ＰＲ２は、下電極ＬＥ２の本体（開口ＡＰ２と重なる部分）からコンタクトホールＣＨ２に向けて突出している。コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２は、凸部ＰＲ１，ＰＲ２とそれぞれ重なっている。

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３は絶縁層１２に設けられている。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。

有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１と対向している。本実施形態において、上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆う第１層Ｌ１１と、第１層Ｌ１１を覆う第２層Ｌ１２とを含む。第１層Ｌ１１および第２層Ｌ１２は、下部６１に接触している。第２層Ｌ１２の上には、キャップ層ＣＰ１が配置されている。

有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、下電極ＬＥ２と対向している。本実施形態において、上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆う第１層Ｌ２１と、第１層Ｌ２１を覆う第２層Ｌ２２とを含む。第１層Ｌ２１および第２層Ｌ２２は、下部６１に接触している。第２層Ｌ２２の上には、キャップ層ＣＰ２が配置されている。

有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、下電極ＬＥ３と対向している。本実施形態において、上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆う第１層Ｌ３１と、第１層Ｌ３１を覆う第２層Ｌ３２とを含む。第１層Ｌ３１および第２層Ｌ３２は、下部６１に接触している。第２層Ｌ３２の上には、キャップ層ＣＰ３が配置されている。

有機層ＯＲ１、第１層Ｌ１１、第２層Ｌ１２およびキャップ層ＣＰ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、有機層ＯＲ１、第１層Ｌ１１、第２層Ｌ１２およびキャップ層ＣＰ１の他の部分と離間している。同様に、有機層ＯＲ２、第１層Ｌ２１、第２層Ｌ２２およびキャップ層ＣＰ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は有機層ＯＲ２、第１層Ｌ２１、第２層Ｌ２２およびキャップ層ＣＰ２の他の部分と離間している。さらに、有機層ＯＲ３、第１層Ｌ３１、第２層Ｌ３２およびキャップ層ＣＰ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は有機層ＯＲ３、第１層Ｌ３１、第２層Ｌ３２およびキャップ層ＣＰ３の他の部分と離間している。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１や隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２や隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３や隔壁６を連続的に覆っている。

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の有機層ＯＲ１、第１層Ｌ１１、第２層Ｌ１２、キャップ層ＣＰ１および封止層ＳＥ１と、当該隔壁６上の有機層ＯＲ３、第１層Ｌ３１、第２層Ｌ３２、キャップ層ＣＰ３および封止層ＳＥ３とが離間している。また、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６上の有機層ＯＲ２、第１層Ｌ２１、第２層Ｌ２２、キャップ層ＣＰ２および封止層ＳＥ２と、当該隔壁６上の有機層ＯＲ３、第１層Ｌ３１、第２層Ｌ３２、キャップ層ＣＰ３および封止層ＳＥ３とが離間している。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。さらに、封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。

絶縁層１２および樹脂層１３，１５は、有機材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機材料で形成されている。

隔壁６の下部６１は、例えばモリブデン（Ｍｏ）などの金属材料で形成され、導電性を有している。下部６１は、同一または異なる種類の金属材料の積層構造を有してもよい。隔壁６の上部６２も導電性を有してもよい。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）などの金属材料と導電性酸化物の積層構造を有してもよい。

第１層Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ３１は、例えばマグネシウムと銀を含む合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。第２層Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２は、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）およびＩＧＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＧａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成されている。

キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、第２層Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２よりも屈折率が小さい材料で形成されている。一例では、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）で形成することができる。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、屈折率が異なる複数の材料が積層された多層体であってもよい。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位が上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位よりも相対的に高い場合、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がカソードに相当する。また、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位が下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位よりも相対的に高い場合、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がアノードに相当し、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がカソードに相当する。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、一対の機能層と、これら機能層の間に配置された発光層とを含む。一例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層を順に積層した構造を有している。

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が青色の波長域の光を放つ。

他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

図４は、図３の一部を拡大した概略的な断面図である。この図においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の境界に配置された隔壁６の近傍および副画素ＳＰ２の一部を示し、基板１０、回路層１１、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３、樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５を省略している。

隔壁６の下部６１は、一対の側面６１ａ，６１ｂを有している。隔壁６の上部６２は、側面６１ａよりも突出した端部６２ａと、側面６１ｂよりも突出した端部６２ｂとを有している。

上電極ＵＥ１の第１層Ｌ１１の端部Ｅ１１は、側面６１ａのうち下方の領域に接触している。上電極ＵＥ１の第２層Ｌ１２は、端部Ｅ１１を覆っている。第２層Ｌ１２の端部Ｅ１２は、側面６１ａのうち、端部Ｅ１１が接触した領域よりも上方の領域に接触している。

同様に、上電極ＵＥ３の第１層Ｌ３１の端部Ｅ３１は、側面６１ｂのうち下方の領域に接触している。上電極ＵＥ３の第２層Ｌ３２は、端部Ｅ３１を覆っている。第２層Ｌ３２の端部Ｅ３２は、側面６１ｂのうち、端部Ｅ３１が接触した領域よりも上方の領域に接触している。

図４の断面には表れていないが、上電極ＵＥ２の第１層Ｌ２１の端部および第２層Ｌ２２の端部の形状は、それぞれ第１層Ｌ１１，Ｌ３１の端部Ｅ１１，Ｅ３１および第２層Ｌ１２，Ｌ３２の端部Ｅ１２，Ｅ３２の形状と同様である。

図４の例においては、上部６２の下面が第２層Ｌ１２，Ｌ３２によって覆われていない。他の例として、上部６２の下面が第２層Ｌ１２，Ｌ３２によって覆われてもよい。

上述の通り、キャップ層ＣＰ１の屈折率は、第２層Ｌ１２の屈折率よりも小さい。キャップ層ＣＰ１および第２層Ｌ１２は、有機層ＯＲ１が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層として機能する。同様に、キャップ層ＣＰ２および第２層Ｌ２２は有機層ＯＲ２が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層として機能し、キャップ層ＣＰ３および第２層Ｌ３２は有機層ＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層として機能する。

有機層ＯＲ１は開口ＡＰ１において厚さＴａ１を有し、有機層ＯＲ２は開口ＡＰ２において厚さＴａ２を有し、有機層ＯＲ３は開口ＡＰ３において厚さＴａ３を有している。図４の例においては、厚さＴａ１，Ｔａ２，Ｔａ３が異なる。具体的には、厚さＴａ２が厚さＴａ３よりも大きく、厚さＴａ１が厚さＴａ２よりも大きい（Ｔａ３＜Ｔａ２＜Ｔａ１）。

第１層Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ３１は、それぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３において同じ厚さＴｂを有している。一例として、厚さＴｂは１０ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下である。なお、第１層Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ３１の厚さが互いに異なってもよい。

第２層Ｌ１２は開口ＡＰ１において厚さＴｃ１を有し、第２層Ｌ２２は開口ＡＰ２において厚さＴｃ２を有し、第２層Ｌ３２は開口ＡＰ３において厚さＴｃ３を有している。これら厚さＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３は、厚さＴｂよりも大きい（Ｔｂ＜Ｔｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３）。図４の例においては、厚さＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３が同じである。

図５は、表示装置ＤＳＰに適用し得る構成の他の例を示す概略的な断面図である。この図においては、厚さＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３が互いに異なる。

具体的には、厚さＴｃ２が厚さＴｃ３よりも大きく、厚さＴｃ１が厚さＴｃ２よりも大きい（Ｔｃ３＜Ｔｃ２＜Ｔｃ１）。このように、第２層Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２の厚さを異ならせることで、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の色（波長）に応じた良好な光取り出し効率を実現できる。

なお、厚さＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３は必ずしも全て異なる必要はない。例えば、厚さＴｃ１，Ｔｃ２が厚さＴｃ３よりも大きく、かつ同じ値であってもよい。また、厚さＴｃ２，Ｔｃ３が厚さＴｃ１よりも小さく、かつ同じ値であってもよい。

図４および図５のいずれにおいても、第２層Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２は、同じ材料（導電性酸化物）で形成することができる。一例では、第２層Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２は、いずれも同質のＩＴＯによって形成されている。

第２層Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２は、異なる材料で形成することもできる。ＩＴＯは短波長透過率に優れるため、青色の副画素ＳＰ３への配置に適している。一方で、ＩＴＯを厚く形成した場合には、エッチングによる加工が困難となる。これに対し、ＩＺＯはＩＴＯよりも短波長透過率に劣るが、厚く形成した場合であってもエッチングによる加工が容易である。そこで、図５のように厚さＴｃ１を厚さＴｃ３よりも大きくする場合において、第２層Ｌ１２をＩＺＯにより形成し、第２層Ｌ３２をＩＴＯにより形成してもよい。第２層Ｌ２２は、加工性を重視する場合にはＩＺＯにより形成してもよいし、透過率を重視する場合にはＩＴＯにより形成してもよい。

他の例として、第２層Ｌ１２を非晶質性のＩＴＯにより形成し、第２層Ｌ３２を第２層Ｌ１２よりも結晶性の高いＩＴＯにより形成してもよい。非晶質性のＩＴＯは結晶性の高いＩＴＯに比べて短波長透過率に劣るが、エッチングによる加工性に優れる。そのため、第２層Ｌ１２を非晶質性のＩＴＯにより形成することで、図５のように厚さＴｃ１を大きくした場合であっても第２層Ｌ１２のパターニングが容易となる。第２層Ｌ２２は、加工性を重視する場合には非晶質性のＩＴＯにより形成してもよいし、透過率を重視する場合には結晶性の高いＩＴＯにより形成してもよい。

仮に下部６１をアルミニウムにより形成する場合、ＩＴＯで形成された第２層Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２との接触により電飾を生じ得る。そこで、下部６１を上述のようにモリブデンなどで形成することが好ましい。これにより、第２層Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２と下部６１との接触による電飾を抑制することが可能となる。

続いて、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
図６乃至図９は、表示装置ＤＳＰの製造方法のうち、主に表示素子２０を形成するための工程を示す概略的な断面図である。これらの図に示す副画素ＳＰα，ＳＰβ，ＳＰγは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに相当する。また、下電極ＬＥα，ＬＥβ，ＬＥγは下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のいずれかに相当し、有機層ＯＲαは有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３のいずれかに相当し、上電極ＵＥαは上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３のいずれかに相当し、第１層Ｌα１は第１層Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ３１のいずれかに相当し、第２層Ｌα２は第２層Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２のいずれかに相当し、キャップ層ＣＰαはキャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３のいずれかに相当し、封止層ＳＥαは封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３のいずれかに相当する。

絶縁層１２の上に副画素ＳＰα，ＳＰβ，ＳＰγの下電極ＬＥα，ＬＥβ，ＬＥγ、リブ５および隔壁６が形成された後、図６に示すように基板全体に対して副画素ＳＰαの有機層ＯＲα、上電極ＵＥα（第１層Ｌα１および第２層Ｌα２）、キャップ層ＣＰαおよび封止層ＳＥαが順に形成される。有機層ＯＲαは、副画素ＳＰαに対応する色の光を放つ発光層を含む。オーバーハング状の隔壁６によって、有機層ＯＲα、上電極ＵＥαおよびキャップ層ＣＰαは、隔壁６の下方に位置する部分と、隔壁６の上に位置する部分とに分断される。

第１層Ｌα１は、例えば蒸着により形成される。第２層Ｌα２は、例えばスパッタリングにより形成される。スパッタリングは、形成時の回り込み特性に優れる。そのため、下部６１の高さが小さい場合や上部６２の突出量が大きい場合であっても、隔壁６の下部６１の側面に対して良好に接触した第２層Ｌα２を形成することができる。

次に、図７に示すように、封止層ＳＥαの上にレジストＲが形成される。レジストＲは、副画素ＳＰαを覆っている。すなわち、レジストＲは、副画素ＳＰαに位置する有機層ＯＲα、上電極ＵＥαおよびキャップ層ＣＰαの直上に配置されている。レジストＲは、図示した２つの隔壁６上の有機層ＯＲα、上電極ＵＥαおよびキャップ層ＣＰαのうち、副画素ＳＰα寄りの部分の直上にも位置している。

その後、レジストＲをマスクとしたエッチングやアッシングにより、図８に示すように有機層ＯＲα、上電極ＵＥα、キャップ層ＣＰαおよび封止層ＳＥαのうちレジストＲから露出した部分が除去される。さらに、図９に示すようにレジストＲが除去される。これにより、副画素ＳＰαには下電極ＬＥα、有機層ＯＲα、上電極ＵＥαおよびキャップ層ＣＰαを含む表示素子２０が形成される。一方で、副画素ＳＰβ，ＳＰγにおいてはそれぞれ下電極ＬＥβ，ＬＥγが露出する。

リブ５と封止層ＳＥαがシリコン窒化物のような同種の無機材料で形成されている場合、封止層ＳＥαのエッチングの際にリブ５が露出していると、当該エッチングによりリブ５が損傷し得る。また、リブ５は、キャップ層ＣＰαのエッチングによっても損傷し得る。

これに対し、図７の例においては、ＩＴＯなどの導電性酸化物で形成された第２層Ｌα２が副画素ＳＰα，ＳＰβ，ＳＰγのそれぞれにおいて封止層ＳＥαおよびキャップ層ＣＰαの下方に位置している。そのため、第２層Ｌα２がエッチングストッパとして機能し、リブ５へのダメージを抑制できる。

副画素ＳＰαの表示素子２０が形成された後、副画素ＳＰβ，ＳＰγの表示素子２０を形成するための工程が順に実施される。これらの工程は、副画素ＳＰαについて上述した工程と同様である。

副画素ＳＰα，ＳＰβ，ＳＰγについて例示した工程により副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の表示素子２０を形成し、さらに樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５を形成することにより、図３に示した表示装置ＤＳＰが完成する。

例えば、図３の断面においては、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部がリブ５により覆われ、これによりリブ５の上面に段差が生じている。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がマグネシウムと銀を含む合金などの金属材料により薄く形成された単層構造である場合、このような段差の影響により上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３が途切れ得る。このような途切れが広範囲で生じると、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と隔壁６の導通を確保できない可能性がある。

これに対し、本実施形態においては上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がいずれも２つの導電層（第１層Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ３１および第２層Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２）で形成されている。これにより、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３が単層構造である場合に比べ、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と隔壁６の良好な導通を確保できる。結果として表示装置ＤＳＰの信頼性を高めることができる。

本実施形態においては、第１層Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ３１がマグネシウムと銀を含む合金などの金属材料により薄く形成され、第２層Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２がＩＴＯなどの導電性酸化物により厚く形成されている。このように第２層Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２を厚く形成することで、第１層Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ３１に途切れを生じさせる段差が存在する場合であっても、第２層Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２の途切れを抑制することができる。

また、図４に示したように第１層Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ３１と第２層Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２の双方が隔壁６の下部６１に接触する構成であれば、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と下部６１の広い接触面積を確保できる。

さらに、上述したように第２層Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２に光学調整層の一部（低屈折率層）としての役割を担わせることで、別途の低屈折率層を設ける場合に比べ製造コストの低減が可能となる。
その他にも、本実施形態からは種々の好適な効果を得ることができる。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置および製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置および製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ３１…第１層、Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２…第２層、５…リブ、６…隔壁、１０…基板、１２…絶縁層、６１…隔壁の下部、６２…隔壁の上部。

Claims (15)

1. 下電極と、
   前記下電極の一部を覆うとともに前記下電極と重なる開口を有するリブと、
   前記リブの上に配置された下部と、前記下部の側面から突出する上部と、を有する隔壁と、
   前記下電極に対向する上電極と、
   前記下電極と前記上電極の間に位置し、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を備え、
   前記上電極は、前記有機層を覆う第１層と、前記第１層を覆う第２層と、を含み、
   前記第２層は、前記下部の前記側面に接触している、
   表示装置。
2. 前記第２層は、前記第１層よりも厚い、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１層は、金属材料により形成され、
   前記第２層は、導電性酸化物により形成されている、
   請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記第１層は、マグネシウムおよび銀を含む合金で形成されている、
   請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第２層は、ＩＴＯまたはＩＺＯにより形成されている、
   請求項３または４に記載の表示装置。
6. 前記第１層の端部は、前記下部の前記側面に接触し、
   前記第２層は、前記第１層の前記端部を覆っている、
   請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記第２層を覆うキャップ層をさらに備え、
   前記キャップ層の屈折率は、前記第２層の屈折率よりも小さい、
   請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記有機層、前記第１層および前記第２層の一部が前記上部の上に位置している、
   請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記リブは、無機材料で形成されている、
   請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記下電極、前記有機層、前記第１層および前記第２層をそれぞれ含む第１副画素および第２副画素を備え、
    前記第１副画素の前記第２層の厚さと、前記第２副画素の前記第２層の厚さとが異なる、
    請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の表示装置。
11. 前記第１副画素の前記有機層は、赤色の光を放ち、
    前記第２副画素の前記有機層は、青色の光を放ち、
    前記第１副画素の前記第２層は、前記第２副画素の前記第２層よりも厚い、
    請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記下電極、前記有機層、前記第１層および前記第２層をそれぞれ含む第１副画素および第２副画素を備え、
    前記第１副画素の前記第２層と、前記第２副画素の前記第２層とが異なる材料で形成されている、
    請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の表示装置。
13. 前記第１副画素の前記第２層は、ＩＺＯにより形成され、
    前記第２副画素の前記第２層は、ＩＴＯにより形成されている、
    請求項１２に記載の表示装置。
14. 前記第１副画素の前記第２層は、ＩＴＯにより形成され、
    前記第２副画素の前記第２層は、前記第１副画素の前記第２層よりも結晶性が高いＩＴＯにより形成されている、
    請求項１２に記載の表示装置。
15. 前記第１副画素の前記有機層は、前記第２副画素の前記有機層よりも厚い、
    請求項１０乃至１４のうちいずれか１項に記載の表示装置。

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