CN116634792A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示装置。根据一个实施方式,显示装置具备:下电极;肋部,其覆盖所述下电极的一部分并且具有与所述下电极重叠的开口;隔壁,其具有配置在所述肋部之上的下部、和从所述下部的侧面突出的上部;上电极,其与所述下电极相对;有机层,其位于所述下电极与所述上电极之间,并相应于所述下电极与所述上电极的电位差而发光。所述上电极包含覆盖所述有机层的第1层、和覆盖所述第1层的第2层。所述第2层与所述下部的所述侧面接触。
Description
关联申请的交叉参照
本申请基于2022年2月18日提出申请的日本专利申请第2022-023942号主张优先权,并引用该日本专利申请所记载的全部记载内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置。
背景技术
近年来,作为显示元件应用有机发光二极管(OLED)的显示装置被实用化。该显示元件具备下电极、覆盖下电极的有机层、和覆盖有机层的上电极。
在这样的显示装置中,需要提高可靠性的技术。
发明内容
总体而言,根据实施方式,显示装置具备:下电极;肋部,其覆盖前述下电极的一部分并且具有与前述下电极重叠的开口;隔壁,其具有配置在前述肋部之上的下部、和从前述下部的侧面突出的上部;上电极,其与前述下电极相对;和有机层,其位于前述下电极与前述上电极之间,并相应于前述下电极与前述上电极的电位差而发光。前述上电极包含覆盖前述有机层的第1层、和覆盖前述第1层的第2层。前述第2层与前述下部的前述侧面接触。
根据这样的构成,能够提供能实现可靠性的提高的显示装置。
附图说明
图1是示出一个实施方式涉及的显示装置的构成例的图。
图2是示出子像素的布局的一例的图。
图3是沿着图2中的III-III线的显示装置的示意性剖视图。
图4是将图3的一部分放大后的示意性剖视图。
图5是示出可应用于显示装置的构成的另一例的示意性剖视图。
图6是示出显示装置的制造工序的一部分的示意性剖视图。
图7是示出接着图6的制造工序的示意性剖视图。
图8是示出接着图7的制造工序的示意性剖视图。
图9是示出接着图8的制造工序的示意性剖视图。
具体实施方式
参照附图对一个实施方式进行说明。
实施方式不过是一例,本领域技术人员能够容易想到的未脱离发明主旨的适当变更当然包含在本发明范围内。另外,为了使说明更加明确,与实际方式相比,附图有时示意性示出各部分的宽度、厚度、形状等,但只不过是一例,并非限定本发明的解释。另外,在本说明书和各图中,对于与关于已出现的附图说明过的构成要素发挥相同或类似功能的构成要素,存在标注同一附图标记并适当省略重复的详细说明的情况。
需要说明的是,为了便于理解而根据需要在附图中记载有相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向X、将沿着Y轴的方向称为第2方向Y、将沿着Z轴的方向称为第3方向Z。将与第3方向Z平行地观察各种要素的情况称为俯视观察。
本实施方式涉及的显示装置是作为显示元件具备有机发光二极管(OLED)的有机电致发光显示装置,能够搭载于电视、个人电脑、车载设备、平板电脑终端、智能手机、移动电话终端等。
图1是示出本实施方式涉及的显示装置DSP的构成例的图。显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA和显示区域DA周边的周边区域SA。基板10可以是玻璃,也可以是具有挠性的树脂膜。
在本实施方式中,俯视观察的基板10的形状为长方形。但是,基板10的俯视观察的形状不限于长方形,也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。
显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上以矩阵状排列的多个像素PX。像素PX包含多个子像素SP。在一例中,像素PX包含红色的子像素SP1、绿色的子像素SP2及蓝色的子像素SP3。需要说明的是,像素PX也可以与子像素SP1、SP2、SP3一起、或代替子像素SP1、SP2、SP3中的任一者而包含白色等其他颜色的子像素SP。此外,子像素SP的颜色的组合可以是红色、绿色及蓝色以外的组合,与1个像素对应的子像素SP的数量可以是2个或4个以上。
子像素SP具备像素电路1、和由像素电路1驱动的显示元件20。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3是由例如薄膜晶体管构成的开关元件。
像素开关2的栅电极与扫描线GL连接。像素开关2的源电极及漏电极中的一者与信号线SL连接,另一者与驱动晶体管3的栅电极及电容器4连接。在驱动晶体管3中,源电极及漏电极中的一者与电源线PL及电容器4连接,另一者与显示元件20连接。
需要说明的是,像素电路1的构成不限于图示的例子。例如,像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。
显示元件20是作为发光元件的有机发光二极管(OLED)。例如,子像素SP1具备发出红色波长区域的光的显示元件20,子像素SP2具备发出绿色波长区域的光的显示元件20,子像素SP3具备发出蓝色波长区域的光的显示元件20。
图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。在图2的例子中,子像素SP1和子像素SP2在第2方向Y上排列。此外,子像素SP1、SP2分别与子像素SP3在第1方向X上排列。
在子像素SP1、SP2、SP3为这样的布局的情况下,在显示区域DA中形成有子像素SP1、SP2在第2方向Y上交替配置的列、和多个子像素SP3在第2方向Y上重复配置的列。这些列在第1方向X上交替排列。
需要说明的是,子像素SP1、SP2、SP3的布局不限于图2的例子。作为另一例,各像素PX中的子像素SP1、SP2、SP3也可以在第1方向X上依次排列。
显示区域DA中配置有肋部5及隔壁6。肋部5在子像素SP1、SP2、SP3中分别具有开口AP1、AP2、AP3。在图2的例子中,开口AP2比开口AP1大,开口AP3比开口AP2大。
隔壁6配置在相邻的子像素SP的边界,在俯视观察时与肋部5重叠。隔壁6具有沿第1方向X延伸的多个第1隔壁6x、和沿第2方向Y延伸的多个第2隔壁6y。多个第1隔壁6x分别配置在第2方向Y上相邻的开口AP1、AP2之间、以及在第2方向Y上相邻的2个开口AP3之间。第2隔壁6y分别配置在第1方向X上相邻的开口AP1、AP3之间、以及在第1方向X上相邻的开口AP2、AP3之间。
在图2的例子中,第1隔壁6x及第2隔壁6y相互连接。由此,隔壁6作为整体为包围开口AP1、AP2、AP3的格子状。隔壁6也可以与肋部5同样地在子像素SP1、SP2、SP3中具有开口。
子像素SP1具备分别与开口AP1重叠的下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1。子像素SP2具备分别与开口AP2重叠的下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2。子像素SP3具备分别与开口AP3重叠的下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3。在图2的例子中,上电极UE1及有机层OR1的外形一致,上电极UE2及有机层OR2的外形一致,上电极UE3及有机层OR3的外形一致。
下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1构成子像素SP1的显示元件20。下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2构成子像素SP2的显示元件20。下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3构成子像素SP3的显示元件20。
下电极LE1通过接触孔CH1与子像素SP1的像素电路1(参见图1)连接。下电极LE2通过接触孔CH2与子像素SP2的像素电路1连接。下电极LE3通过接触孔CH3与子像素SP3的像素电路1连接。
在图2的例子中,接触孔CH1、CH2与在第2方向Y上相邻的开口AP1、AP2之间的第1隔壁6x整体地重叠。接触孔CH3与在第2方向Y上相邻的2个开口AP3之间的第1隔壁6x整体地重叠。作为另一例,接触孔CH1、CH2、CH3的至少一部分也可以不与第1隔壁6x重叠。
在图2的例子中,下电极LE1、LE2分别具有凸部PR1、PR2。凸部PR1从下电极LE1的主体(与开口AP1重叠的部分)向接触孔CH1突出。凸部PR2从下电极LE2的主体(与开口AP2重叠的部分)向接触孔CH2突出。接触孔CH1、CH2分别与凸部PR1、PR2重叠。
图3是沿着图2中的III-III线的显示装置DSP的示意性剖视图。在上述基板10之上配置有电路层11。电路层11包含图1所示的像素电路1、扫描线GL、信号线SL及电源线PL等各种电路、布线。电路层11由绝缘层12覆盖。绝缘层12作为使由电路层11产生的凹凸平坦化的平坦化膜发挥功能。虽然在图3的剖面中没有示出,但上述接触孔CH1、CH2、CH3设置于绝缘层12。
下电极LE1、LE2、LE3配置于绝缘层12之上。肋部5设置在绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3之上。下电极LE1、LE2、LE3的端部由肋部5覆盖。
隔壁6包含配置于肋部5之上的下部61、和配置于下部61之上的上部62。上部62具有比下部61大的宽度。由此,在图3中,上部62的两端部比下部61的侧面突出。这样的隔壁6的形状也可以称为悬臂状。
有机层OR1从开口AP1通过而覆盖下电极LE1。上电极UE1与下电极LE1相对。在本实施方式中,上电极UE1包含覆盖有机层OR1的第1层L11、和覆盖第1层L11的第2层L12。第1层L11及第2层L12与下部61接触。在第2层L12之上配置有盖层CP1。
有机层OR2从开口AP2通过而覆盖下电极LE2。上电极UE2与下电极LE2相对。在本实施方式中,上电极UE2包含覆盖有机层OR2的第1层L21、和覆盖第1层L21的第2层L22。第1层L21及第2层L22与下部61接触。在第2层L22之上配置有盖层CP2。
有机层OR3从开口AP3通过而覆盖下电极LE3。上电极UE3与下电极LE3相对。在本实施方式中,上电极UE3包含覆盖有机层OR3的第1层L31、和覆盖第1层L31的第2层L32。第1层L31及第2层L32与下部61接触。在第2层L32之上配置有盖层CP3。
有机层OR1、第1层L11、第2层L12及盖层CP1的一部分位于上部62之上。该一部分与有机层OR1、第1层L11、第2层L12及盖层CP1的其他部分分离。同样地,有机层OR2、第1层L21、第2层L22及盖层CP2的一部分位于上部62之上,该一部分与有机层OR2、第1层L21、第2层L22及盖层CP2的其他部分分离。此外,有机层OR3、第1层L31、第2层L32及盖层CP3的一部分位于上部62之上,该一部分与有机层OR3、第1层L31、第2层L32及盖层CP3的其他部分分离。
密封层SE1、SE2、SE3分别配置于子像素SP1、SP2、SP3。密封层SE1连续地覆盖盖层CP1、隔壁6。密封层SE2连续地覆盖盖层CP2、隔壁6。密封层SE3连续地覆盖盖层CP3、隔壁6。
在图3的例子中,子像素SP1、SP3之间的隔壁6上的有机层OR1、第1层L11、第2层L12、盖层CP1及密封层SE1与该隔壁6上的有机层OR3、第1层L31、第2层L32、盖层CP3及密封层SE3分离。此外,子像素SP2、SP3之间的隔壁6上的有机层OR2、第1层L21、第2层L22、盖层CP2及密封层SE2与该隔壁6上的有机层OR3、第1层L31、第2层L32、盖层CP3及密封层SE3分离。
密封层SE1、SE2、SE3由树脂层13覆盖。树脂层13由密封层14覆盖。此外,密封层14由树脂层15覆盖。
绝缘层12及树脂层13、15由有机材料形成。肋部5及密封层14、SE1、SE2、SE3由例如硅氮化物(SiNx)等无机材料形成。
隔壁6的下部61由例如钼(Mo)等金属材料形成,具有导电性。下部61可以具有同一或不同种类的金属材料的层叠构造。隔壁6的上部62也可以具有导电性。下电极LE1、LE2、LE3也可以由ITO(Indium Tin Oxide,铟锡氧化物)等透明的导电性氧化物形成,也可以具有银(Ag)等金属材料与导电性氧化物的层叠构造。
第1层L11、L21、L31由例如包含镁和银的合金(MgAg)等金属材料形成。第2层L12、L22、L32由例如ITO、IZO(Indium Zinc Oxide,铟锌氧化物)及IGZO(Indium Gallium ZincOxide,铟镓锌氧化物)等透明的导电性氧化物形成。
盖层CP1、CP2、CP3由折射率比第2层L12、L22、L32小的材料形成。在一例中,盖层CP1、CP2、CP3可以由氟化锂(LiF)形成。盖层CP1、CP2、CP3也可以是层叠了折射率不同的多种材料而成的多层体。需要说明的是,也可以省略盖层CP1、CP2、CP3中的至少一者。
在下电极LE1、LE2、LE3的电位比上电极UE1、UE2、UE3的电位相对高的情况下,下电极LE1、LE2、LE3与阳极相当,上电极UE1、UE2、UE3与阴极相当。此外,在上电极UE1、UE2、UE3的电位比下电极LE1、LE2、LE3的电位相对高的情况下,上电极UE1、UE2、UE3与阳极相当,下电极LE1、LE2、LE3与阴极相当。
有机层OR1、OR2、OR3包含一对功能层、和配置在上述功能层之间的发光层。作为一例,有机层OR1、OR2、OR3具有依次层叠有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层的构造。
对隔壁6供给公共电压。该公共电压被分别供给至与下部61的侧面接触的上电极UE1、UE2、UE3。通过子像素SP1、SP2、SP3分别具有的像素电路1对下电极LE1、LE2、LE3供给像素电压。
若在下电极LE1与上电极UE1之间形成电位差,则有机层OR1的发光层发出红色波长区域的光。若在下电极LE2与上电极UE2之间形成电位差,则有机层OR2的发光层发出绿色波长区域的光。若在下电极LE3和上电极UE3之间形成电位差,则有机层OR3的发光层发出蓝色波长区域的光。
作为另一例,有机层OR1、OR2、OR3的发光层也可以发出同一颜色(例如白色)的光。在该情况下,显示装置DSP也可以具备将发光层发出的光转换为与子像素SP1、SP2、SP3对应的颜色的光的滤色部。此外,显示装置DSP也可以具备包含量子点的层,该量子点由发光层发出的光激发而生成相应于子像素SP1、SP2、SP3的颜色的光。
图4是将图3的一部分放大后的示意性剖视图。在该图中示出配置于子像素SP1、SP3的边界的隔壁6的附近及子像素SP2的一部分,省略了基板10、电路层11、密封层SE1、SE2、SE3、树脂层13、密封层14及树脂层15的图示。
隔壁6的下部61具有一对侧面61a、61b。隔壁6的上部62具有从侧面61a突出的端部62a、和从侧面61b突出的端部62b。
上电极UE1的第1层L11的端部E11与侧面61a中的下方的区域接触。上电极UE1的第2层L12覆盖端部E11。第2层L12的端部E12与侧面61a中的与端部E11所接触的区域相比靠上方的区域接触。
同样地,上电极UE3的第1层L31的端部E31与侧面61b中的下方的区域接触。上电极UE3的第2层L32覆盖端部E31。第2层L32的端部E32与侧面61b中的与端部E31所接触的区域相比靠上方的区域接触。
图4的剖面中虽未示出,但上电极UE2的第1层L21的端部及第2层L22的端部的形状分别与第1层L11、L31的端部E11、E31及第2层L12、L32的端部E12、E32的形状同样。
在图4的例子中,上部62的下表面未由第2层L12、L32覆盖。作为另一例,上部62的下表面也可以由第2层L12、L32覆盖。
如上所述,盖层CP1的折射率小于第2层L12的折射率。盖层CP1及第2层L12作为提高有机层OR1发出的光的取出效率的光学调整层而发挥功能。同样地,盖层CP2及第2层L22作为提高有机层OR2发出的光的取出效率的光学调整层而发挥功能,盖层CP3及第2层L32作为提高有机层OR3发出的光的取出效率的光学调整层而发挥功能。
有机层OR1在开口AP1中具有厚度Ta1,有机层OR2在开口AP2中具有厚度Ta2,有机层OR3在开口AP3中具有厚度Ta3。在图4的例子中,厚度Ta1、Ta2、Ta3不同。具体而言,厚度Ta2大于厚度Ta3,厚度Ta1大于厚度Ta2(Ta3<Ta2<Ta1)。
第1层L11、L21、L31分别在开口AP1、AP2、AP3中具有相同的厚度Tb。作为一例,厚度Tb为10nm以上且20nm以下。需要说明的是,作为另一例,第1层L11、L21、L31中的至少一者的厚度也可以相互不同。
第2层L12在开口AP1中具有厚度Tc1,第2层L22在开口AP2中具有厚度Tc2,第2层L32在开口AP3中具有厚度Tc3。这些厚度Tc1、Tc2、Tc3比厚度Tb大(Tb<Tc1、Tc2、Tc3)。在图4的例子中,厚度Tc1、Tc2、Tc3相同。
图5是示出可应用于显示装置DSP的构成的另一例的示意性剖视图。在该图中,厚度Tc1、Tc2、Tc3彼此不同。
具体而言,厚度Tc2比厚度Tc3大,厚度Tc1比厚度Tc2大(Tc3<Tc2<Tc1)。如此,通过使第2层L12、L22、L32的厚度不同,能够实现与有机层OR1、OR2、OR3发出的光的颜色(波长)相应的、良好的光取出效率。
需要说明的是,厚度Tc1、Tc2、Tc3不必完全不同。例如,厚度Tc1、Tc2可以比厚度Tc3大、且为相同的值。此外,厚度Tc2、Tc3也可以比厚度Tc1小、且为相同的值。
在图4及图5的任意中,第2层L12、L22、L32可以由相同的材料(导电性氧化物)形成。在一例中,第2层L12、L22、L32均由同质的ITO形成。
作为另一例,第2层L12、L22、L32中的至少一者也可由不同的材料形成。由于ITO的短波长透过率优异,因此适合配置于蓝色的子像素SP3。另一方面,在较厚地形成ITO的情况下,利用蚀刻的加工变得困难。与此相对,IZO的短波长透过率比ITO差,但即使在较厚地形成的情况下,通过蚀刻进行加工也是容易的。因此,如图5所示,在使厚度Tc1大于厚度Tc3的情况下,也可以由IZO形成第2层L12,由ITO形成第2层L32。就第2层L22而言,在重视加工性的情况下也可以由IZO形成,在重视透过率的情况下也可以由ITO形成。
作为另一例,可以由非晶性的ITO形成第2层L12,并由结晶性比第2层L12高的ITO形成第2层L32。非晶性的ITO与结晶性高的ITO相比短波长透过率差,但基于蚀刻的加工性优异。因此,通过由非晶性的ITO形成第2层L12,即使在如图5那样增大厚度Tc1的情况下,第2层L12的图案化也变得容易。就第2层L22而言,在重视加工性的情况下也可以由非晶性的ITO形成,在重视透过率的情况下也可以由结晶性高的ITO形成。
假设在由铝形成下部61的情况下,通过与由ITO形成的第2层L12、L22、L32的接触而可产生电蚀。因此,如上所述由钼等形成下部61是优选的。由此,能够抑制由第2层L12、L22、L32与下部61的接触引起的电蚀。
接下来,针对显示装置DSP的制造方法进行说明。
图6至图9是示出显示装置DSP的制造方法之中主要用于形成显示元件20的工序的示意性剖视图。这些图中所示的子像素SPα、SPβ、SPγ与子像素SP1、SP2、SP3中的任一者相当。此外,下电极LEα、LEβ、LEγ与下电极LE1、LE2、LE3中的任一者相当,有机层ORα与有机层OR1、OR2、OR3中的任一者相当,上电极UEα与上电极UE1、UE2、UE3中的任一者相当,第1层Lα1与第1层L11、L21、L31中的任一者相当,第2层Lα2与第2层L12、L22、L32中的任一者相当,盖层CPα与盖层CP1、CP2、CP3中的任一者相当,密封层SEα与密封层SE1、SE2、SE3中的任一者相当。
在绝缘层12之上形成子像素SPα、SPβ、SPγ的下电极LEα、LEβ、LEγ、肋部5及隔壁6之后,如图6所示在整个基板上依次形成子像素SPα的有机层ORα、上电极UEα(第1层Lα1及第2层Lα2)、盖层CPα及密封层SEα。有机层ORα包含发出与子像素SPα对应的颜色的光的发光层。通过悬臂状的隔壁6,有机层ORα、上电极UEα及盖层CPα被分为位于隔壁6的下方的部分和位于隔壁6之上的部分。
第1层Lα1例如通过蒸镀而形成。第2层Lα2例如通过溅射形成。溅射在形成时的蔓延特性优异。因此,即使在下部61的高度小的情况下、在上部62的突出量大的情况下,也能够形成与隔壁6的下部61的侧面良好地接触的第2层Lα2。
接下来,如图7所示,在密封层SEα之上形成抗蚀剂R。抗蚀剂R覆盖子像素SPα。即,抗蚀剂R配置在位于子像素SPα的有机层ORα、上电极UEα及盖层CPα的正上方。抗蚀剂R也位于图示的2个隔壁6上的有机层ORα、上电极UEα及盖层CPα中的靠近子像素SPα的部分的正上方。
之后,通过以抗蚀剂R为掩模的蚀刻、灰化,如图8所示将有机层ORα、上电极UEα、盖层CPα及密封层SEα之中从抗蚀剂R中露出的部分除去。此外,如图9所示,除去抗蚀剂R。由此,在子像素SPα中形成包含下电极LEα、有机层ORα、上电极UEα及盖层CPα的显示元件20。另一方面,在子像素SPβ、SPγ中,下电极LEβ、LEγ分别露出。
在肋部5和密封层SEα由硅氮化物这样的同种的无机材料形成的情况下,若在密封层SEα的蚀刻时露出肋部5,则肋部5可能因该蚀刻而损伤。此外,肋部5也可能因盖层CPα的蚀刻而损伤。
与此相对,在图7的例子中,由ITO等导电性氧化物形成的第2层Lα2在各个子像素SPα、SPβ、SPγ中位于密封层SEα及盖层CPα的下方。因此,第2层Lα2作为蚀刻停止层发挥功能,并且能够抑制对肋部5的损害。
在形成了子像素SPα的显示元件20之后,依次实施用于形成子像素SPβ、SPγ的显示元件20的工序。这些工序与针对子像素SPα而在上文说明的工序是同样的。
利用针对子像素SPα、SPβ、SPγ而例示的工序来形成子像素SP1、SP2、SP3的显示元件20,进而形成树脂层13、密封层14及树脂层15,从而完成图3所示的显示装置DSP。
例如,在图3的剖面中,下电极LE1、LE2、LE3的端部由肋部5覆盖,由此在肋部5的上表面产生阶差。在上电极UE1、UE2、UE3是由包含镁和银的合金等金属材料来薄薄地形成的单层构造的情况下,上电极UE1、UE2、UE3可因这种阶差的影响而中断。若在大范围内发生这样的中断,则有可能无法确保上电极UE1、UE2、UE3与隔壁6的导通。
与此相对,在本实施方式中,上电极UE1、UE2、UE3均由两个导电层(第1层L11、L21、L31及第2层L12、L22、L32)形成。由此,与上电极UE1、UE2、UE3为单层构造的情况相比,能够确保上电极UE1、UE2、UE3与隔壁6的良好的导通。结果,能够提高显示装置DSP的可靠性。
在本实施方式中,第1层L11、L21、L31由包含镁和银的合金等金属材料来薄薄地形成,第2层L12、L22、L32由ITO等导电性氧化物来较厚地形成。通过像这样较厚地形成第2层L12、L22、L32,即使在第1层L11、L21、L31中导致中断的阶差存在的情况下,也能够抑制第2层L12、L22、L32的中断。
此外,如图4所示,若为第1层L11、L21、L31和第2层L12、L22、L32的双方与隔壁6的下部61接触的构成,则能够确保上电极UE1、UE2、UE3和下部61有大的接触面积。
此外,如上所述,通过使第2层L12、L22、L32承担作为光学调整层的一部分(低折射率层)的作用,与另行设置低折射率层的情况相比,能够减少制造成本。
此外,根据本实施方式能够得到各种适宜的效果。
以上,以作为本发明的实施方式而说明的显示装置及制造方法为基础,本领域技术人员进行适当设计变更而可实施的全部显示装置及制造方法只要包含本发明的主旨则也属于本发明的范围。
在本发明的思想范围内,本领域技术人员能够想到各种变形例,这些变形例也属于本发明的范围。例如,本领域技术人员针对上述的各实施方式适当进行构成要素的追加、删除、或设计变更得到的内容或进行工序的追加、省略或条件变更得到的内容只要具备本发明的要旨,则也包含在本发明的范围内。
另外,关于由上述的各实施方式中描述的方式带来的其他作用效果,根据本说明书的记载明确的效果或本领域技术人员能够适当想到的效果,当然应当视为本发明所带来的效果。
Claims (15)
1.显示装置,其具备:
下电极;
肋部,其覆盖所述下电极的一部分并且具有与所述下电极重叠的开口;
隔壁,其具有配置在所述肋部之上的下部、和从所述下部的侧面突出的上部;
上电极,其与所述下电极相对;和
有机层,其位于所述下电极与所述上电极之间,并相应于所述下电极与所述上电极的电位差而发光,
所述上电极包含覆盖所述有机层的第1层、和覆盖所述第1层的第2层,
所述第2层与所述下部的所述侧面接触。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第2层比所述第1层厚。
3.如权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第1层由金属材料形成,
所述第2层由导电性氧化物形成。
4.如权利要求3所述的显示装置,其中,所述第1层由包含镁及银的合金形成。
5.如权利要求3所述的显示装置,其中,所述第2层由ITO或IZO形成。
6.如权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第1层的端部与所述下部的所述侧面接触,
所述第2层覆盖所述第1层的所述端部。
7.如权利要求1所述的显示装置,其还具备覆盖所述第2层的盖层,
所述盖层的折射率小于所述第2层的折射率。
8.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述有机层、所述第1层及所述第2层的一部分位于所述上部之上。
9.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述肋部由无机材料形成。
10.如权利要求1所述的显示装置,其具备分别包含所述下电极、所述有机层、所述第1层及所述第2层的第1子像素及第2子像素,
所述第1子像素的所述第2层的厚度与所述第2子像素的所述第2层的厚度不同。
11.如权利要求10所述的显示装置,其中,
所述第1子像素的所述有机层发出红色的光,
所述第2子像素的所述有机层发出蓝色的光,
所述第1子像素的所述第2层比所述第2子像素的所述第2层厚。
12.如权利要求1所述的显示装置,其具备分别包含所述下电极、所述有机层、所述第1层及所述第2层的第1子像素及第2子像素,
所述第1子像素的所述第2层与所述第2子像素的所述第2层由不同的材料形成。
13.如权利要求12所述的显示装置,其中,
所述第1子像素的所述第2层由IZO形成,
所述第2子像素的所述第2层由ITO形成。
14.如权利要求12所述的显示装置,其中,
所述第1子像素的所述第2层由ITO形成,
所述第2子像素的所述第2层由结晶性比所述第1子像素的所述第2层高的ITO形成。
15.如权利要求10所述的显示装置,其中,所述第1子像素的所述有机层比所述第2子像素的所述有机层厚。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022-023942 | 2022-02-18 | ||
JP2022023942A JP2023120847A (ja) | 2022-02-18 | 2022-02-18 | 表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116634792A true CN116634792A (zh) | 2023-08-22 |
Family
ID=87575169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310129980.4A Pending CN116634792A (zh) | 2022-02-18 | 2023-02-17 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230269971A1 (zh) |
JP (1) | JP2023120847A (zh) |
CN (1) | CN116634792A (zh) |
-
2022
- 2022-02-18 JP JP2022023942A patent/JP2023120847A/ja active Pending
-
2023
- 2023-02-16 US US18/169,882 patent/US20230269971A1/en active Pending
- 2023-02-17 CN CN202310129980.4A patent/CN116634792A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023120847A (ja) | 2023-08-30 |
US20230269971A1 (en) | 2023-08-24 |
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