CN116896912A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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CN116896912A CN202310345967.2A CN202310345967A CN116896912A CN 116896912 A CN116896912 A CN 116896912A CN 202310345967 A CN202310345967 A CN 202310345967A CN 116896912 A CN116896912 A CN 116896912A
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Abstract

本发明涉及显示装置和显示装置的制造方法。一个实施方式的显示装置具备：下电极；肋部，其具有与所述下电极重叠的像素开口；隔壁，其配置在所述肋部之上；上电极，其与所述下电极相对；和有机层，其位于所述下电极与所述上电极之间，对应于所述下电极与所述上电极的电位差而发光。所述隔壁具有：导电性的第1部分；所述上电极所接触的导电性的第2部分，其配置在所述第1部分之上；和第3部分，其配置在所述第2部分之上。所述第2部分的下端与所述第1部分相比向所述隔壁的宽度方向突出，所述第3部分与所述第2部分的上端相比向所述宽度方向突出。

Description

显示装置及其制造方法
关联申请的交叉参照
本申请基于2022年4月5日提出的日本专利申请第2022-063015号主张优先权，并引用该日本专利申请记载的全部记载内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置及其制造方法。
背景技术
近年来，应用有机发光二极管(OLED)作为显示元件的显示装置被实用化。该显示元件具备下电极、覆盖下电极的有机层和覆盖有机层的上电极。
在制造上述显示装置的过程中，需要抑制可靠性降低的技术。
发明内容
发明要解决的课题
大体上，根据实施方式，显示装置具备：下电极；肋部，其具有与所述下电极重叠的像素开口；隔壁，其配置在所述肋部之上；上电极，其与所述下电极相对；和有机层，其位于所述下电极与所述上电极之间，对应于所述下电极与所述上电极的电位差而发光。所述隔壁具有：导电性的第1部分；所述上电极所接触的导电性的第2部分，其配置在所述第1部分之上；和第3部分，其配置在所述第2部分之上。所述第2部分的下端与所述第1部分相比向所述隔壁的宽度方向突出，所述第3部分与所述第2部分的上端相比向所述宽度方向突出。
根据实施方式涉及的另一观点，显示装置的制造方法包括：形成下电极；形成覆盖所述下电极的至少一部分的肋部；在所述肋部之上形成隔壁，该隔壁具有导电性的第1部分、配置在所述第1部分之上的导电性的第2部分、和配置在所述第2部分之上的第3部分，所述第2部分的下端与所述第1部分相比向宽度方向突出，所述第3部分与所述第2部分的上端相比向所述宽度方向突出；形成通过设置于所述肋部的像素开口而覆盖所述下电极的有机层；和形成覆盖所述有机层并与所述第2部分接触的上电极。
根据这样的构成，能够提高显示装置的可靠性。
附图说明
图1是示出第1实施方式涉及的显示装置的构成例的图。
图2是示出第1实施方式涉及的子像素的布局的一例的图。
图3是沿着图2中的III-III线的显示装置的概略剖视图。
图4是第1实施方式涉及的隔壁的概略剖视图。
图5是第1实施方式涉及的肋部、隔壁、有机层及上电极的概略剖视图。
图6A是示出形成第1实施方式涉及的隔壁的工序的图。
图6B是示出接着图6A的工序的图。
图6C是示出接着图6B的工序的图。
图6D是示出接着图6C的工序的图。
图7A是示出形成第1实施方式涉及的显示元件的工序的图。
图7B是示出接着图7A的工序的图。
图7C是示出接着图7B的工序的图。
图8是第2实施方式涉及的隔壁的概略剖视图。
图9A是示出形成第2实施方式涉及的隔壁的工序的图。
图9B是示出接着图9A的工序的图。
图9C是示出接着图9B的工序的图。
图9D是示出接着图9C的工序的图。
图9E是示出接着图9D的工序的图。
图10是第3实施方式涉及的隔壁的概略剖视图。
图11A是示出形成第3实施方式涉及的隔壁的工序的图。
图11B是示出接着图11A的工序的图。
图11C是示出接着图11B的工序的图。
图11D是示出接着图11C的工序的图。
图12是第4实施方式涉及的隔壁的概略剖视图。
图13A是示出形成第4实施方式涉及的隔壁的工序的图。
图13B是示出接着图13A的工序的图。
图13C是示出接着图13B的工序的图。
图13D是示出接着图13C的工序的图。
图13E是示出接着图13D的工序的图。
图14是第5实施方式涉及的隔壁的概略剖视图。
图15A是示出形成第5实施方式涉及的隔壁的工序的图。
图15B是示出接着图15A的工序的图。
图15C是示出接着图15B的工序的图。
图16是第6实施方式涉及的隔壁的概略剖视图。
图17A是示出形成第6实施方式涉及的隔壁的工序的图。
图17B是示出接着图17A的工序的图。
图17C是示出接着图17B的工序的图。
图17D是示出接着图17C的工序的图。
图18是第7实施方式涉及的隔壁的概略剖视图。
图19A是示出形成第7实施方式涉及的隔壁的工序的图。
图19B是示出接着图19A的工序的图。
图19C是示出接着图19B的工序的图。
图20是第8实施方式涉及的隔壁的概略剖视图。
图21A是示出形成第8实施方式涉及的隔壁的工序的图。
图21B是示出接着图21A的工序的图。
图21C是示出接着图21B的工序的图。
图21D是示出接着图21C的工序的图。
图22是第9实施方式涉及的隔壁的概略剖视图。
图23A是示出形成第9实施方式涉及的隔壁的工序的图。
图23B是示出接着图23A的工序的图。
图23C是示出接着图23B的工序的图。
图23D是示出接着图23C的工序的图。
图24是第10实施方式涉及的隔壁的概略剖视图。
图25A是示出形成第10实施方式涉及的隔壁的工序的图。
图25B是示出接着图25A的工序的图。
图25C是示出接着图25B的工序的图。
图25D是示出接着图25C的工序的图。
图25E是示出接着图25D的工序的图。
图26是第11实施方式涉及的隔壁的概略剖视图。
图27A是示出形成第11实施方式涉及的隔壁的工序的图。
图27B是示出接着图27A的工序的图。
图27C是示出接着图27B的工序的图。
图27D是示出接着图27C的工序的图。
图28是第12实施方式涉及的隔壁的概略剖视图。
图29A是示出形成第12实施方式涉及的隔壁的工序的图。
图29B是示出接着图29A的工序的图。
图29C是示出接着图29B的工序的图。
图29D是示出接着图29C的工序的图。
图29E是示出接着图29D的工序的图。
具体实施方式
参照附图说明几个实施方式。
公开只不过是一例，本领域技术人员能够容易想到的未脱离发明主旨的适当变更当然包含在本发明范围内。另外，为了使说明更加明确，与实际方式相比，有时附图示意性表示各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一例，并非限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对于与关于已出现的附图说明过的构成要素发挥相同或类似功能的构成要素，存在标注同一附图标记并适当省略重复的详细说明的情况。
需要说明的是，为了便于理解而根据需要在附图中记载有相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向X，将沿着Y轴的方向称为第2方向Y，将沿着Z轴的方向称为第3方向Z。将与第3方向Z平行地观察各种要素的情形称为俯视观察。
各实施方式涉及的显示装置是具备有机发光二极管(OLED)作为显示元件的有机电致发光显示装置，能够搭载于电视、个人电脑、车载设备、平板电脑终端、智能手机、移动电话终端等。
[第1实施方式]
图1是示出第1实施方式涉及的显示装置DSP的构成例的图。显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA和显示区域DA周边的周边区域SA。基板10可以是玻璃，也可以是具有挠性的树脂膜。
在本实施方式中，俯视观察的基板10的形状为长方形。但是，基板10的俯视观察的形状不限于长方形，也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。
显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上以矩阵状排列的多个像素PX。像素PX包含多个子像素SP。在一例中，像素PX包含红色的第1子像素SP1、绿色的第2子像素SP2及蓝色的第3子像素SP3。需要说明的是，像素PX也可以与子像素SP1、SP2、SP3一起或取代子像素SP1、SP2、SP3中的任一者而包含白色等其他颜色的子像素SP。
子像素SP具备像素电路1和由像素电路1驱动的显示元件DE。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3是由例如薄膜晶体管构成的开关元件。
像素开关2的栅极电极与扫描线GL连接。像素开关2的源电极及漏电极中的一者与信号线SL连接，另一者与驱动晶体管3的栅极电极及电容器4连接。在驱动晶体管3中，源电极及漏电极中的一者与电源线PL及电容器4连接，另一者与显示元件DE连接。显示元件DE是作为发光元件的有机发光二极管(OLED)。
需要说明的是，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。
图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。在图2的例子中，第1子像素SP1与第3子像素SP3在第1方向X上排列。第2子像素SP2与第3子像素SP3也在第1方向X上排列。此外，第1子像素SP1与第2子像素SP2在第2方向Y上排列。
在子像素SP1、SP2、SP3为上述布局的情况下，在显示区域DA中形成有子像素SP1、SP2在第2方向Y上交替配置的列和多个第3子像素SP3在第2方向Y上重复配置的列。这些列在第1方向X上交替排列。
需要说明的是，子像素SP1、SP2、SP3的布局不限于图2的例子。作为另一例，各像素PX中的子像素SP1、SP2、SP3也可以在第1方向X上依次排列。
在显示区域DA中配置有肋部5及隔壁6。肋部5在第1子像素SP1处具有第1像素开口AP1，在第2子像素SP2处具有第2像素开口AP2，在第3子像素SP3处具有第3像素开口AP3。在图2的例子中，第2像素开口AP2比第1像素开口AP1大，第3像素开口AP3比第2像素开口AP2大。
隔壁6配置在相邻的子像素SP的边界，俯视观察时与肋部5重叠。隔壁6具有沿第1方向X延伸的多个第1隔壁6x和沿第2方向Y延伸的多个第2隔壁6y。多个第1隔壁6x分别配置于在第2方向Y上相邻的像素开口AP1、AP2之间及在第2方向Y上相邻的两个第3像素开口AP3之间。第2隔壁6y分别配置于在第1方向X上相邻的像素开口AP1、AP3之间及在第1方向X上相邻的像素开口AP2、AP3之间。
在图2的例子中，第1隔壁6x与第2隔壁6y相互连接。由此，隔壁6作为整体为包围像素开口AP1、AP2、AP3的格子状。隔壁6也可以与肋部5同样地在子像素SP1、SP2、SP3中具有开口。
第1子像素SP1具备分别与第1像素开口AP1重叠的第1下电极LE1、第1上电极UE1及第1有机层OR1。第2子像素SP2具备分别与第2像素开口AP2重叠的第2下电极LE2、第2上电极UE2及第2有机层OR2。第3子像素SP3具备分别与第3像素开口AP3重叠的第3下电极LE3、第3上电极UE3及第3有机层OR3。
第1下电极LE1、第1上电极UE1及第1有机层OR1构成第1子像素SP1的第1显示元件DE1。第2下电极LE2、第2上电极UE2及第2有机层OR2构成第2子像素SP2的第2显示元件DE2。第3下电极LE3、第3上电极UE3及第3有机层OR3构成第3子像素SP3的第3显示元件DE3。显示元件DE1、DE2、DE3也可以包含后述的盖层。
例如，第1显示元件DE1发出红色波长区域的光，第2显示元件DE2发出绿色波长区域的光，第3显示元件DE3发出蓝色波长区域的光。
第1下电极LE1通过第1接触孔CH1与第1子像素SP1的像素电路1(参见图1)连接。第2下电极LE2通过第2接触孔CH2与第2子像素SP2的像素电路1连接。第3下电极LE3通过第3接触孔CH3与第3子像素SP3的像素电路1连接。
在图2的例子中，接触孔CH1、CH2与在第2方向Y上相邻的像素开口AP1、AP2之间的第1隔壁6x整体重叠。另外，第3接触孔CH3与在第2方向Y上相邻的两个第3像素开口AP3之间的第1隔壁6x整体重叠。作为另一例，也可以是接触孔CH1、CH2、CH3的至少一部分与第1隔壁6x不重叠。
图3是沿着图2中的III-III线的显示装置DSP的概略剖视图。在上述基板10之上配置有电路层11。电路层11包含图1所示的像素电路1、扫描线GL、信号线SL及电源线PL等各种电路、布线。
电路层11由有机绝缘层12覆盖。有机绝缘层12作为使由电路层11产生的凹凸平坦化的平坦化膜发挥功能。图3的剖面中未示出，上述接触孔CH1、CH2、CH3均设置于有机绝缘层12。
下电极LE1、LE2、LE3配置在有机绝缘层12之上。肋部5配置在有机绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3之上。下电极LE1、LE2、LE3的端部由肋部5覆盖。
隔壁6包含配置在肋部5之上的第1部分61、配置在第1部分61之上的第2部分62、和配置在第2部分62之上的第3部分63。
第1有机层OR1通过第1像素开口AP1覆盖第1下电极LE1。第1上电极UE1覆盖第1有机层OR1并与第1下电极LE1相对。第2有机层OR2通过第2像素开口AP2覆盖第2下电极LE2。第2上电极UE2覆盖第2有机层OR2并与第2下电极LE2相对。第3有机层OR3通过第3像素开口AP3覆盖第3下电极LE3。第3上电极UE3覆盖第3有机层OR3并与第3下电极LE3相对。
在图3的例子中，在第1上电极UE1之上配置有第1盖层CP1，在第2上电极UE2之上配置有第2盖层CP2，在第3上电极UE3之上配置有第3盖层CP3。盖层CP1、CP2、CP3分别对有机层OR1、OR2、OR3发出的光的光学特性进行调整。
第1有机层OR1、第1上电极UE1及第1盖层CP1的一部分位于第3部分63之上。该一部分与第1有机层OR1、第1上电极UE1及第1盖层CP1的其他部分分离。同样地，第2有机层OR2、第2上电极UE2及第2盖层CP2的一部分位于第3部分63之上，该一部分与第2有机层OR2、第2上电极UE2及第2盖层CP2的其他部分分离。此外，第3有机层OR3、第3上电极UE3及第3盖层CP3的一部分位于第3部分63之上，该一部分与第3有机层OR3、第3上电极UE3及第3盖层CP3的其他部分分离。
第1子像素SP1中配置有第1密封层SE1，第2子像素SP2中配置有第2密封层SE2，第3子像素SP3中配置有第3密封层SE3。第1密封层SE1连续覆盖第1盖层CP1、第1子像素SP1周围的隔壁6。第2密封层SE2连续覆盖第2盖层CP2、第2子像素SP2周围的隔壁6。第3密封层SE3连续覆盖第3盖层CP3、第3子像素SP3周围的隔壁6。
密封层SE1、SE2、SE3由树脂层13覆盖。树脂层13由密封层14覆盖。此外，密封层14由树脂层15覆盖。
有机绝缘层12及树脂层13、15由有机材料形成。肋部5及密封层14、SE1、SE2、SE3由例如硅氮化物(SiN)、硅氧化物(SiO)或硅氧氮化物(SiON)等无机材料形成。
下电极LE1、LE2、LE3具有由例如银(Ag)形成的中间层和分别覆盖该中间层的上表面及下表面的一对导电性氧化物层。各导电性氧化物层能够由例如ITO(Indium TinOxide：铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide：铟锌氧化物)或IGZO(Indium Gallium ZincOxide：铟镓锌氧化物)等透明的导电性氧化物形成。上电极UE1、UE2、UE3由例如镁和银的合金(MgAg)等金属材料形成。例如，下电极LE1、LE2、LE3相当于阳极，上电极UE1、UE2、UE3相当于阴极。
详细见后述，有机层OR1、OR2、OR3具有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层等的层叠构造。
盖层CP1、CP2、CP3例如由透明的多个薄膜的多层体形成。多层体作为多个薄膜也可以包含由无机材料形成的薄膜及由有机材料形成的薄膜。另外，该多个薄膜具有相互不同的折射率。构成多层体的薄膜的材料与上电极UE1、UE2、UE3的材料不同，另外，也与密封层SE1、SE2、SE3的材料不同。需要说明的是，盖层CP1、CP2、CP3也可以省略。
对隔壁6供给公共电压。该公共电压分别供给至与第2部分62的侧面接触的上电极UE1、UE2、UE3。下电极LE1、LE2、LE3经由子像素SP1、SP2、SP3各自具有的像素电路1被供给像素电压。
若在第1下电极LE1与第1上电极UE1之间形成电位差，则第1有机层OR1的发光层发出红色波长区域的光。若在第2下电极LE2与第2上电极UE2之间形成电位差，则第2有机层OR2的发光层发出绿色波长区域的光。若在第3下电极LE3与第3上电极UE3之间形成电位差，则第3有机层OR3的发光层发出蓝色波长区域的光。
图4是本实施方式涉及的隔壁6的概略剖视图。在该图中示出隔壁6和肋部5，省略其他要素。图中的宽度方向WD是与隔壁6的延伸方向及第3方向Z正交的方向。例如图2所示的第1隔壁6x的宽度方向WD与第2方向Y相当，第2隔壁6y的宽度方向WD与第1方向X相当。第1隔壁6x及第2隔壁6y均具有图4所示的剖面构造。
第1部分61具有宽度方向WD上的一对端部61a。第2部分62具有与第1部分61接触的下端62a(下表面)、与第3部分63接触的上端62b(上表面)、和宽度方向WD上的一对侧面62c。第3部分63具有宽度方向WD上的一对端部63a。
在图4的例子中，第2部分62具有从下端62a趋向上端62b而前端变窄的形状，由此，侧面62c相对于第3方向Z倾斜。作为另一例，侧面62c也可以与第3方向Z实质上平行。
下端62a的宽度大于第1部分61的宽度。由此，下端62a与第1部分61相比向宽度方向WD的两侧突出。另外，上端62b的宽度小于第3部分63的宽度。由此，第3部分63与上端62b相比向宽度方向WD的两侧突出。
即，在本实施方式中，由下端62a形成一对第1悬臂构造OH1，由第3部分63形成一对第2悬臂构造OH2。在各侧面62c附近，在下端62a与肋部5之间形成有间隙GP。
图5是肋部5、隔壁6、第1有机层OR1及第1上电极UE1的概略剖视图。图5中省略，在第3部分63之上配置有第1有机层OR1及第1上电极UE1的一部分(参见图3)。
在图5的例子中，第1有机层OR1具有在第3方向Z上依次层叠的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、发光层EML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL及电子注入层EIL。在这些层中，空穴传输层HTL最厚。空穴传输层HTL的厚度占据例如第1有机层OR1整体的厚度的一半以上。
空穴注入层HIL覆盖肋部5，并且，通过图2及图3所示的第1像素开口AP1覆盖第1下电极LE1。隔壁6附近的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、发光层EML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL及电子注入层EIL的厚度随着趋近侧面62c而减小。
空穴注入层HIL与隔壁6不接触。具体来说，空穴注入层HIL与第1部分61、第2部分62的下端62a及侧面62c分离。需要说明的是，也可以是，在下端62a附近，与空穴注入层HIL为相同材料的薄膜附着于侧面62c，该薄膜与空穴注入层HIL分离。
在图5的例子中，空穴注入层HIL、空穴传输层HTL的一部分进入间隙GP。此外，间隙GP的入口(由下端62a和侧面62c构成的角部的正下方)由第1有机层OR1的各层中的配置在空穴注入层HIL之上的层(空穴传输层HTL等)封堵。第1上电极UE1连续覆盖第1有机层OR1、侧面62c的一部分。
第1部分61、第2部分62及第3部分63具有导电性。第3部分63也可以具有绝缘性。在本实施方式中，第1部分61由钼(Mo)形成，第2部分62由铝(Al)形成，第3部分63由钛(Ti)形成。
第1部分61的厚度T1与第2部分62的厚度T2相比充分小(T1＜T2)。第3部分63的厚度T3大于厚度T1、小于厚度T2(T1＜T3＜T2)。作为一例，厚度T1是20nm，厚度T2是500nm，厚度T3是100nm。需要说明的是，厚度T1与间隙GP的高度相当。
厚度T1大于空穴注入层HIL的厚度T4(T4＜T1)。厚度T4是空穴注入层HIL的除了在隔壁6附近变薄的部分以外的厚度。厚度T4也可以是空穴注入层HIL中的覆盖第1下电极LE1的部分的厚度。
在图5的例子中，第2部分62的下端62a从第1部分61的端部61a突出的长度D1小于第3部分63从第2部分62的上端62b突出的长度D2(D1＜D2)。需要说明的是，不限于该例，也可以是长度D1为长度D2以上。优选长度D1为厚度T1的2倍以上(2×T1＜D1)。
有机层OR2、OR3及上电极UE2、UE3具有与图5所示的第1有机层OR1及第1上电极UE1相同的构造。需要说明的是，有机层OR1、OR2、OR3中包含的各层的厚度也可以不同。
接下来，对显示装置DSP的制造方法进行说明。
图6A至图6D是示出显示装置DSP的制造方法中的、主要用于形成隔壁6的工序的概略剖视图。首先，在基板10的上方依次形成电路层11、有机绝缘层12、下电极LE1、LE2、LE3及肋部5。
接下来，如图6A所示，在肋部5之上依次形成成为第1部分61的基础的第1层61s、成为第2部分62的基础的第2层62s、成为第3部分63的基础的第3层63s。第1层61s、第2层62s及第3层63s至少形成在显示区域DA整体。此外，在第3层63s之上形成抗蚀剂R1。抗蚀剂R1在俯视观察时图案化为隔壁6的形状。
接下来，以抗蚀剂R1为掩模，实施使用例如氯系蚀刻气体的各向异性的干式蚀刻，如图6B所示，第3层63s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图4所示形状的第3部分63。在该干式蚀刻中，第2层62s中的从抗蚀剂R1露出的部分的厚度也减小。
接下来，实施各向同性的湿式蚀刻，如图6C所示，第2层62s中的从抗蚀剂R1露出的部分被全部除去。在该湿式蚀刻中，第2层62s的侧面也被侵蚀，第2层62s的宽度减小。由此，形成图4所示形状的第2部分62和第2悬臂构造OH2。此外，在该湿式蚀刻中，第1层61s中的从第2部分62露出的部分也被除去。
之后，再次实施各向同性的湿式蚀刻。该湿式蚀刻使用可侵蚀第1层61s且难以侵蚀第2部分62的蚀刻液。由此，如图6D所示，第1层61s的宽度减小，形成图4所示形状的第1部分61和第1悬臂构造OH1。需要说明的是，在例如肋部5由硅氧氮化物形成等的情况下，若肋部5具有针对干式蚀刻的耐性，则也可以通过干式蚀刻进行第1层61s的加工。
在像这样形成第1部分61、第2部分62及第3部分63后，通过将抗蚀剂R1除去，从而隔壁6完成。接下来，针对子像素SP1、SP2、SP3实施用于形成显示元件DE1、DE2、DE3的工序。
图7A至图7C是示出显示装置DSP的制造方法中的、主要用于形成显示元件DE1、DE2、DE3的工序的概略剖视图。在此，作为一例，设想第3显示元件DE3最先形成，第2显示元件DE2其次形成，第1显示元件DE1最后形成的情况。需要说明的是，显示元件DE1、DE2、DE3的形成顺序不限于本例。
首先，如图7A所示，针对基板整体，通过蒸镀而依次形成第3有机层OR3、第3上电极UE3、第3盖层CP3及第3密封层SE3。此时，各子像素SP1、SP2、SP3中形成的第3有机层OR3、第3上电极UE3及第3盖层CP3由隔壁6的第2悬臂构造OH2分割。第3密封层SE3连续覆盖第3盖层CP3、隔壁6。
需要说明的是，形成第3有机层OR3的工序包含通过蒸镀依次形成空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、发光层EML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL及电子注入层EIL的工序。图5所示的间隙GP的入口由构成第3有机层OR3的这些层中的、在空穴注入层HIL之后形成的空穴传输层HTL等层封堵。
接下来，如图7B所示，在第3密封层SE3之上形成抗蚀剂R2。抗蚀剂R2以与第3子像素SP3重叠的方式图案化。抗蚀剂R2也位于包围第3子像素SP3的隔壁6上的第3有机层OR3、第3上电极UE3及第3盖层CP3中的、靠近第3子像素SP3的部分的正上方。
此外，通过以抗蚀剂R2为掩模的蚀刻，如图7C所示，第3有机层OR3、第3上电极UE3、第3盖层CP3及第3密封层SE3中的从抗蚀剂R2露出的部分被除去。由此，能够得到在第3子像素SP3中形成包含第3下电极LE3、而在第3有机层OR3、第3上电极UE3及第3盖层CP3的第3显示元件DE3、子像素SP1、SP2中未形成显示元件的状态的基板。
之后，抗蚀剂R2被除去，依次实施用于在第2子像素SP2中形成第2显示元件DE2的工序和用于在第1子像素SP1中形成第1显示元件DE1的工序。这些工序与形成第3显示元件DE3的工序相同。
在形成显示元件DE1、DE2、DE3后，实施形成树脂层13、密封层14及树脂层15的工序。由此，图3所示构造的显示装置DSP完成。
在上述本实施方式中，如图4所示，通过将具有第1部分61、第2部分62及第3部分63的隔壁6设置于子像素SP1、SP2、SP3的边界，从而能够获得提高显示装置DSP的可靠性多种合适效果。
例如，有机层OR1、OR2、OR3、上电极UE1、UE2、UE3及盖层CP1、CP2、CP3的周缘部被第3部分63与第2部分62的上端62b相比突出的第2悬臂构造OH2分割。由此，在以图7A至图7C所示的方法形成显示元件DE1、DE2、DE3的情况下，能够利用密封层SE1、SE2、SE3良好地密封显示元件DE1、DE2、DE3。作为结果，能够抑制水分向显示元件DE1、DE2、DE3浸入和扩散。
另外，假设有机层OR1、OR2、OR3的空穴注入层HIL与隔壁6接触，则漏电流不经过发光层EML等层而从下电极LE1、LE2、LE3经由空穴注入层HIL流向隔壁6，可能产生显示不良。对此，在本实施方式中，隔壁6具有第2部分62的下端62a与第1部分61相比突出的第1悬臂构造OH1。即，空穴注入层HIL容易附着的隔壁6的下部在宽度方向WD上后退，因此在空穴注入层HIL的蒸镀时，空穴注入层HIL难以与隔壁6接触。即使在空穴注入层HIL的材料与第2部分62的侧面62c接触的情况下，该部分也由于第1悬臂构造OH1而与显示元件DE1、DE2、DE3分割。由此，能够防止空穴注入层HIL与隔壁6接触，作为结果，能够抑制由漏电流引起的显示不良。
如上所述，第1部分61的厚度T1大于空穴注入层HIL的厚度T4的情况下，能够更可靠地抑制空穴注入层HIL与第2部分62的接触。另外，若第2部分62从第1部分61突出的长度D1为第1部分61的厚度的2倍以上，则即使假设在空穴注入层HIL进入间隙GP的情况下，也能够抑制空穴注入层HIL与第1部分61的接触。
在如图5所示间隙GP的入口由空穴传输层HTL等封堵的情况下，能够抑制由第1悬臂构造OH1引起的上电极UE1、UE2、UE3的分割。由此，能够实现从隔壁6向上电极UE1、UE2、UE3的良好供电。
需要说明的是，即使在隔壁6不具有第1悬臂构造OH1的情况下，也能够通过适当地调整第2部分62的厚度T2、第3部分63的突出长度D2来抑制空穴注入层HIL与隔壁6接触。但是，在该情况下，在制造显示装置DSP时，需要厚度T2和长度D2的精细控制。
对此，若为本实施方式涉及的隔壁6的构成，则能够由第1悬臂构造OH1发挥抑制空穴注入层HIL与隔壁6接触的功能。因此，厚度T2、长度D2的尺寸容许范围增大，并且，能够缓和制造时的隔壁6的形状偏差限制。
具有第1悬臂构造OH1及第2悬臂构造OH2的隔壁6的构成、形成隔壁6的工序不限于本实施方式中公开的内容。在以下说明的第2至第12实施方式中，公开隔壁6的构成及形成隔壁6的工序的其他例子。这些实施方式中没有特别提及的构成能够应用与第1实施方式相同的构成。
[第2实施方式]
图8是第2实施方式涉及的隔壁6的概略剖视图。本实施方式涉及的隔壁6与第1实施方式同样地具有第1部分61、第2部分62及第3部分63。需要说明的是，在本实施方式中，第3部分63包含由钛形成的钛层631和由ITO、IZO及IGZO等导电性氧化物形成的导电性氧化物层632。与第1实施方式同样地，第1部分61由钼形成，第2部分62由铝形成，肋部5由硅氮化物或硅氧氮化物形成。
钛层631配置在第2部分62的上端62b之上。导电性氧化物层632配置在钛层631之上。导电性氧化物层632形成得比钛层631薄。
作为一例，第1部分61的厚度是20nm，第2部分62的厚度是500nm，钛层631的厚度是100nm，导电性氧化物层632的厚度是50nm。
图9A至图9E是示出形成本实施方式涉及的隔壁6的工序的一例的图。首先，如图9A所示，在肋部5之上依次形成成为第1部分61的基础的第1层61s、成为第2部分62的基础的第2层62s、成为第3部分63的基础的第3层63s及抗蚀剂R1。第3层63s包含钛层631s及导电性氧化物层632s。
接下来，实施以抗蚀剂R1为掩模的湿式蚀刻，如图9B所示，导电性氧化物层632s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图8所示形状的导电性氧化物层632。
此外，以抗蚀剂R1为掩模，实施使用例如氯系蚀刻气体的各向异性的干式蚀刻，如图9C所示，钛层631s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图8所示形状的钛层631。在该干式蚀刻中，第2层62s中的从抗蚀剂R1露出的部分的厚度也减小。在图9C的例子中，在该干式蚀刻中，抗蚀剂R1的宽度稍微减小。
接下来，实施各向同性的湿式蚀刻，如图9D所示，第2层62s中的从抗蚀剂R1露出的部分被全部除去。在该湿式蚀刻中，第2层62s的侧面也被侵蚀，第2层62s的宽度减小。由此，形成图8所示形状的第2部分62和第2悬臂构造OH2。此外，在该湿式蚀刻中，第1层61s中的从第2部分62露出的部分也被除去。
之后，再次实施湿式蚀刻。该湿式蚀刻中使用可侵蚀第1层61s且难以侵蚀第2部分62的蚀刻液。由此，如图9E所示，第1层61s的宽度减小，形成图8所示形状的第1部分61和第1悬臂构造OH1。在像这样形成第1部分61、第2部分62及第3部分63后，通过将抗蚀剂R1除去，从而隔壁6完成。
在本实施方式涉及的隔壁6的构成中，能够形成稳定形状的第2悬臂构造OH2。即，在钛层631s及第2层62s的蚀刻时，即使抗蚀剂R1的宽度如图9C所示减小，导电性氧化物层632也发挥掩模的作用。由此，能够高精度地形成钛层631及第2部分62，作为结果，第2悬臂构造OH2的形状稳定。
[第3实施方式]
图10是第3实施方式涉及的隔壁6的概略剖视图。本实施方式涉及的隔壁6与第1实施方式同样地具有第1部分61、第2部分62及第3部分63。需要说明的是，在本实施方式中，第2部分62包含由铝合金形成的铝合金层621和由铝(纯铝)形成的铝层622。作为铝合金层621的材料，能够使用例如铝-铷合金(AlNd)、铝-硅合金(AlSi)。与第1实施方式同样地，第1部分61由钼形成，第3部分63由钛形成，肋部5由硅氮化物或硅氧氮化物形成。
铝合金层621配置在第1部分61之上。铝层622配置在铝合金层621之上。铝合金层621形成得比铝层622薄。
作为一例，第1部分61的厚度是20nm，铝合金层621的厚度是50nm，铝层622的厚度是450nm，第3部分63的厚度是100nm。
图11A至图11D是示出形成本实施方式涉及的隔壁6的工序的一例的图。首先，如图11A所示，在肋部5之上依次形成成为第1部分61的基础的第1层61s、成为第2部分62的基础的第2层62s、成为第3部分63的基础的第3层63s及抗蚀剂R1。第2层62s包含铝合金层621s及铝层622s。
接下来，以抗蚀剂R1为掩模，实施使用例如氯系蚀刻气体的各向异性的干式蚀刻，如图11B所示，第3层63s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图10所示形状的第3部分63。在该干式蚀刻中，铝层622s中的从抗蚀剂R1露出的部分也被除去。铝合金层621s作为该干式蚀刻的蚀刻阻止层发挥功能。
接下来，实施各向同性的湿式蚀刻，如图11C所示，铝合金层621s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。在该湿式蚀刻中，铝合金层621s及铝层622s的侧面也被侵蚀，其宽度减小。由此，形成图10所示形状的包含铝合金层621及铝层622的第2部分62、第2悬臂构造OH2。此外，在该湿式蚀刻中，第1层61s中的从第2部分62露出的部分也被除去。
之后，再次实施湿式蚀刻。该湿式蚀刻使用可侵蚀第1层61s且难以侵蚀第2部分62的蚀刻液。由此，如图11D所示，第1层61s的宽度减小，形成图10所示形状的第1部分61和第1悬臂构造OH1。在像这样形成第1部分61、第2部分62及第3部分63后，通过将抗蚀剂R1除去，从而隔壁6完成。
在本实施方式涉及的隔壁6的构成中，铝合金层621s成为针对第3层63s及铝层622s的干式蚀刻的蚀刻阻止层，因此能够抑制由该干式蚀刻引起的第1层61s、肋部5的侵蚀。假设由钼形成的第1层61s暴露于干式蚀刻，则蚀刻装置的腔室中可能产生由钼引起的污染。若利用铝合金层621s停止干式蚀刻，则能够抑制这样的污染产生。
[第4实施方式]
图12是第4实施方式涉及的隔壁6的概略剖视图。在该隔壁6中，与第2实施方式同样地，第3部分63包含钛层631和导电性氧化物层632，与第3实施方式同样地，第2部分62包含铝合金层621和铝层622。与第1实施方式同样地，第1部分61由钼形成，肋部5由硅氮化物或硅氧氮化物形成。
作为一例，第1部分61的厚度是20nm，铝合金层621的厚度是50nm，铝层622的厚度是450nm，钛层631的厚度是100nm，导电性氧化物层632的厚度是50nm。
图13A至图13E是示出形成本实施方式涉及的隔壁6的工序的一例的图。首先，如图13A所示，在肋部5之上依次形成成为第1部分61的基础的第1层61s、成为第2部分62的基础的第2层62s、成为第3部分63的基础的第3层63s及抗蚀剂R1。第2层62s包含铝合金层621s及铝层622s。第3层63s包含钛层631s及导电性氧化物层632s。
接下来，实施以抗蚀剂R1为掩模的湿式蚀刻，如图13B所示，导电性氧化物层632s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图12所示形状的导电性氧化物层632。
此外，以抗蚀剂R1为掩模，实施使用例如氯系蚀刻气体的干式蚀刻，如图13C所示，钛层631s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图12所示形状的钛层631。在该干式蚀刻中，铝层622s中的从抗蚀剂R1露出的部分也被除去。铝合金层621s作为该干式蚀刻的蚀刻阻止层发挥功能。
接下来，实施湿式蚀刻，如图13D所示，铝合金层621s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。在该湿式蚀刻中，铝合金层621s及铝层622s的侧面也被侵蚀，其宽度减小。由此，形成图12所示形状的包含铝合金层621及铝层622的第2部分62和第2悬臂构造OH2。此外，在该湿式蚀刻中，第1层61s中的从第2部分62露出的部分也被除去。
之后，再次实施湿式蚀刻。该湿式蚀刻使用可侵蚀第1层61s且难以侵蚀第2部分62的蚀刻液。由此，如图13E所示，第1层61s的宽度减小，形成图12所示形状的第1部分61和第1悬臂构造OH1。在像这样形成第1部分61、第2部分62及第3部分63后，通过将抗蚀剂R1除去，从而隔壁6完成。
[第5实施方式]
图14是第5实施方式涉及的隔壁6的概略剖视图。本实施方式涉及的隔壁6与第1实施方式同样地具有第1部分61、第2部分62及第3部分63。需要说明的是，在本实施方式中，第2部分62包含由铝(纯铝)形成的铝层622和由钛形成的钛层623。此外，第1部分61由铝(纯铝)形成，肋部5由硅氧氮化物形成。第3部分63由钛形成。
钛层623配置在第1部分61之上。铝层622配置在钛层623之上。钛层623与第1部分61及铝层622相比向宽度方向WD的两侧突出。由此，形成第1悬臂构造OH1。
钛层623形成得比铝层622薄。作为一例，第1部分61的厚度是20nm，钛层623的厚度是100nm，铝层622的厚度是500nm，第3部分63的厚度是100nm。
图15A至图15C是示出形成本实施方式涉及的隔壁6的工序的一例的图。首先，如图15A所示，在肋部5之上依次形成成为第1部分61的基础的第1层61s、成为第2部分62的基础的第2层62s、成为第3部分63的基础的第3层63s及抗蚀剂R1。第2层62s包含铝层622s及钛层623s。
接下来，以抗蚀剂R1为掩模，实施使用例如氯系蚀刻气体的各向异性的干式蚀刻，如图15B所示，第3层63s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图14所示形状的第3部分63。在该干式蚀刻中，铝层622s、钛层623s及第1层61s中的从抗蚀剂R1露出的部分也被除去。由硅氧氮化物形成的肋部5作为该干式蚀刻的蚀刻阻止层发挥功能。
接下来，实施各向同性的湿式蚀刻，如图15C所示，铝层622s及第1层61s的宽度减小。由此，形成图14所示形状的第1部分61和包含铝层622及钛层623的第2部分62。之后，通过将抗蚀剂R1除去，从而隔壁6完成。
在本实施方式涉及的隔壁6的构成中，能够以肋部5为蚀刻阻止层，通过干式蚀刻一并使第1层61s、第2层62s及第3层63s图案化。此外，能够以一次性的湿式蚀刻减小第1部分61和铝层622的宽度，形成悬臂构造OH1、OH2。
[第6实施方式]
图16是第6实施方式涉及的隔壁6的概略剖视图。本实施方式涉及的隔壁6与第2实施方式同样地，第3部分63包含钛层631和导电性氧化物层632，与第5实施方式同样地，第2部分62包含铝层622和钛层623。此外，与第5实施方式同样地，第1部分61由铝形成，肋部5由硅氧氮化物形成。
作为一例，第1部分61的厚度是20nm，钛层623的厚度是100nm，铝层622的厚度是500nm，钛层631的厚度是100nm，导电性氧化物层632的厚度是50nm。
图17A至图17D是示出形成本实施方式涉及的隔壁6的工序的一例的图。首先，如图17A所示，在肋部5之上依次形成成为第1部分61的基础的第1层61s、成为第2部分62的基础的第2层62s、成为第3部分63的基础的第3层63s及抗蚀剂R1。第2层62s包含铝层622s及钛层623s。第3层63s包含钛层631s及导电性氧化物层632s。
接下来，实施以抗蚀剂R1为掩模的湿式蚀刻，如图17B所示，导电性氧化物层632s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图16所示形状的导电性氧化物层632。
此外，以抗蚀剂R1为掩模，实施使用例如氯系蚀刻气体的各向异性的干式蚀刻，如图17C所示，钛层631s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图16所示形状的钛层631。在该干式蚀刻中，铝层622s、钛层623s及第1层61s中的从抗蚀剂R1露出的部分也被除去。由硅氧氮化物形成的肋部5作为该干式蚀刻的蚀刻阻止层发挥功能。
接下来，实施各向同性的湿式蚀刻，如图17D所示，铝层622s及第1层61s的宽度减小。由此，形成图16所示形状的第1部分61、包含铝层622及钛层623的第2部分62。之后，通过将抗蚀剂R1除去，从而隔壁6完成。
[第7实施方式]
图18是第7实施方式涉及的隔壁6的概略剖视图。在本实施方式涉及的隔壁6中，与图14所示的第5实施方式涉及的隔壁6同样地，第2部分62包含铝层622和钛层623。其中，在本实施方式中，第1部分61由铝-铷合金、铝-硅合金这样的铝合金形成。例如，第3部分63由钛形成，肋部5由硅氮化物或硅氧氮化物形成。
作为一例，第1部分61的厚度是20nm，钛层623的厚度是100nm，铝层622的厚度是500nm，第3部分63的厚度是100nm。
图19A至图19C是示出形成本实施方式涉及的隔壁6的工序的一例的图。首先，如图19A所示，在肋部5之上依次形成成为第1部分61的基础的第1层61s、成为第2部分62的基础的第2层62s、成为第3部分63的基础的第3层63s及抗蚀剂R1。第2层62s包含铝层622s及钛层623s。
接下来，以抗蚀剂R1为掩模，实施使用例如氯系蚀刻气体的各向异性的干式蚀刻，如图19B所示，第3层63s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图18所示形状的第3部分63。在该干式蚀刻中，铝层622s及钛层623s中的从抗蚀剂R1露出的部分也被除去。由铝合金形成的第1层61s作为该干式蚀刻的蚀刻阻止层发挥功能。
接下来，实施各向同性的湿式蚀刻，如图19C所示，铝层622s的宽度减小。在该湿式蚀刻中，第1层61s中的从钛层623露出的部分被除去，并且，在钛层623的下方，第1层61s的宽度减小。由此，形成图18所示形状的第1部分61、包含铝层622及钛层623的第2部分62。之后，通过将抗蚀剂R1除去，从而隔壁6完成。
[第8实施方式]
图20是第8实施方式涉及的隔壁6的概略剖视图。在本实施方式涉及的隔壁6中，与图16所示的第6实施方式涉及的隔壁6同样地，第2部分62包含铝层622和钛层623，第3部分63包含钛层631和导电性氧化物层632。其中，在本实施方式中，第1部分61由铝-铷合金、铝-硅合金这种铝合金形成。肋部5由例如硅氮化物或硅氧氮化物形成。
作为一例，第1部分61的厚度是20nm，钛层623的厚度是100nm，铝层622的厚度是500nm，钛层631的厚度是100nm，导电性氧化物层632的厚度是50nm。
图21A至图21D是示出形成本实施方式涉及的隔壁6的工序的一例的图。首先，如图21A所示，在肋部5之上依次形成成为第1部分61的基础的第1层61s、成为第2部分62的基础的第2层62s、成为第3部分63的基础的第3层63s及抗蚀剂R1。第2层62s包含铝层622s及钛层623s。第3层63s包含钛层631s及导电性氧化物层632s。
接下来，实施以抗蚀剂R1为掩模的湿式蚀刻，如图21B所示，导电性氧化物层632s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图20所示形状的导电性氧化物层632。
进而，以抗蚀剂R1为掩模，实施使用例如氯系蚀刻气体的各向异性的干式蚀刻，如图21C所示，钛层631s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图20所示形状的钛层631。在该干式蚀刻中，铝层622s及钛层623s中的从抗蚀剂R1露出的部分也被除去。由铝合金形成的第1层61s作为该干式蚀刻的蚀刻阻止层发挥功能。
接下来，实施各向同性的湿式蚀刻，如图21D所示，铝层622s的宽度减小。在该湿式蚀刻中，第1层61s中的从钛层623露出的部分被除去，并且，在钛层623的下方，第1层61s的宽度减小。由此，形成图20所示形状的第1部分61和包含铝层622及钛层623的第2部分62。之后，通过将抗蚀剂R1除去，从而隔壁6完成。
[第9实施方式]
图22是第9实施方式涉及的隔壁6的概略剖视图。在本实施方式涉及的隔壁6中，与图14所示的第5实施方式涉及的隔壁6同样地，第2部分62包含铝层622和钛层623。其中，在本实施方式中，第1部分61由ITO、IZO及IGZO这样的导电性氧化物形成。肋部5由例如硅氮化物或硅氧氮化物形成。
作为一例，第1部分61的厚度是20nm，钛层623的厚度是100nm，铝层622的厚度是500nm，第3部分63的厚度是100nm。
图23A至图23D是示出形成本实施方式涉及的隔壁6的工序的一例的图。首先，如图23A所示，在肋部5之上依次形成成为第1部分61的基础的第1层61s、成为第2部分62的基础的第2层62s、成为第3部分63的基础的第3层63s及抗蚀剂R1。第2层62s包含铝层622s及钛层623s。
接下来，以抗蚀剂R1为掩模，实施使用例如氯系蚀刻气体的各向异性的干式蚀刻，如图23B所示，第3层63s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图22所示形状的第3部分63。在该干式蚀刻中，铝层622s及钛层623s中的从抗蚀剂R1露出的部分也被除去。由导电性氧化物形成的第1层61s作为该干式蚀刻的蚀刻阻止层发挥功能。
接下来，实施各向同性的湿式蚀刻，如图23C所示，铝层622s的宽度减小。由此，形成图22所示形状的包含铝层622及钛层623的第2部分62。
之后，再次实施湿式蚀刻。该湿式蚀刻使用可侵蚀由导电性氧化物形成的第1层61s且难以侵蚀铝层622、钛层623及第3部分63的蚀刻液。由此，如图23D所示，第1层61s中的从钛层623露出的部分被除去并且在钛层623的下方第1层61s的宽度减小，形成图22所示形状的第1部分61和第1悬臂构造OH1。之后，通过将抗蚀剂R1除去，从而隔壁6完成。
[第10实施方式]
图24是第10实施方式涉及的隔壁6的概略剖视图。在本实施方式涉及的隔壁6中，与图16所示的第6实施方式涉及的隔壁6同样地，第2部分62包含铝层622和钛层623，第3部分63包含钛层631和导电性氧化物层632。此外，在本实施方式中，与第9实施方式同样地，第1部分61由导电性氧化物形成。在图24的例子中，导电性氧化物层632的宽度小于钛层631的宽度。
作为一例，第1部分61的厚度是20nm，钛层623的厚度是100nm，铝层622的厚度是500nm，钛层631的厚度是100nm，导电性氧化物层632的厚度是50nm。
图25A至图25E是示出形成本实施方式涉及的隔壁6的工序的一例的图。首先，如图25A所示，在肋部5之上依次形成成为第1部分61的基础的第1层61s、成为第2部分62的基础的第2层62s、成为第3部分63的基础的第3层63s及抗蚀剂R1。第2层62s包含铝层622s及钛层623s。第3层63s包含钛层631s及导电性氧化物层632s。
接下来，实施以抗蚀剂R1为掩模的湿式蚀刻，如图25B所示，导电性氧化物层632s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图24所示形状的导电性氧化物层632。
此外，以抗蚀剂R1为掩模，实施使用例如氯系蚀刻气体的各向异性的干式蚀刻，如图25C所示，钛层631s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图24所示形状的钛层631。在该干式蚀刻中，铝层622s及钛层623s中的从抗蚀剂R1露出的部分也被除去。由导电性氧化物形成的第1层61s作为该干式蚀刻的蚀刻阻止层发挥功能。在图25C的例子中，在该干式蚀刻中，抗蚀剂R1的宽度稍微减小。
接下来，实施各向同性的湿式蚀刻，如图25D所示，铝层622s的宽度减小。由此，形成图24所示形状的包含铝层622及钛层623的第2部分62。
之后，再次实施湿式蚀刻。该湿式蚀刻使用可侵蚀由导电性氧化物形成的第1层61s且难以侵蚀铝层622及钛层623、631的蚀刻液。由此，如图25E所示，第1层61s中的从钛层623露出的部分被除去，并且，在钛层623的下方，第1层61s的宽度减小，形成图24所示形状的第1部分61和第1悬臂构造OH1。在该湿式蚀刻中，导电性氧化物层632中的从抗蚀剂R1露出的两端部也被侵蚀。之后，通过将抗蚀剂R1除去，从而隔壁6完成。
[第11实施方式]
图26是第11实施方式涉及的隔壁6的概略剖视图。在本实施方式涉及的隔壁6中，与图14所示的第5实施方式涉及的隔壁6同样地，第2部分62包含铝层622和钛层623。此外，在本实施方式中，第2部分62包含由ITO、IZO及IGZO这样的导电性氧化物形成的导电性氧化物层624。第1部分61由钼形成，第3部分63由钛形成。肋部5由例如硅氮化物或硅氧氮化物形成。
导电性氧化物层624配置在第1部分61之上。钛层623配置在导电性氧化物层624之上。铝层622配置在钛层623之上。钛层623及导电性氧化物层624与第1部分61相比向宽度方向WD的两侧突出，形成第1悬臂构造OH1。在图26的例子中，导电性氧化物层624的宽度小于钛层623的宽度。
作为一例，第1部分61的厚度是20nm，导电性氧化物层624的厚度是50nm，钛层623的厚度是100nm，铝层622的厚度是500nm，第3部分63的厚度是100nm。
图27A至图27D是示出形成本实施方式涉及的隔壁6的工序的一例的图。首先，如图27A所示，在肋部5之上依次形成成为第1部分61的基础的第1层61s、成为第2部分62的基础的第2层62s、成为第3部分63的基础的第3层63s及抗蚀剂R1。第2层62s包含铝层622s、钛层623s及导电性氧化物层624s。
接下来，以抗蚀剂R1为掩模，实施使用例如氯系蚀刻气体的各向异性的干式蚀刻，如图27B所示，第3层63s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图26所示形状的第3部分63。在该干式蚀刻中，铝层622s及钛层623s中的从抗蚀剂R1露出的部分也被除去。导电性氧化物层624s作为该干式蚀刻的蚀刻阻止层发挥功能。
接下来，实施各向同性的湿式蚀刻，如图27C所示，导电性氧化物层624s中的从钛层623露出的部分被除去。由此，形成图26所示形状的导电性氧化物层624。在图27C的例子中，通过该湿式蚀刻，从而导电性氧化物层624的宽度与钛层623的宽度相比稍微减小。
之后，再次实施湿式蚀刻。该湿式蚀刻中使用可侵蚀由钼形成的第1层61s及铝层622s且难以侵蚀钛层623、导电性氧化物层624及第3部分63的蚀刻液。由此，如图27D所示，铝层622s的宽度减小，形成图26所示形状的包含铝层622、钛层623及导电性氧化物层624的第2部分62。此外，第1层61s中的从导电性氧化物层624露出的部分被除去，并且，在导电性氧化物层624的下方，第1层61s的宽度减小，形成图26所示形状的第1部分61和第1悬臂构造OH1。之后，通过将抗蚀剂R1除去，从而隔壁6完成。
在像本实施方式这样第2部分62包含导电性氧化物层624的情况下，即使假设钛层623经过各蚀刻而损伤，也能够利用导电性氧化物层624维持第1悬臂构造OH1。
[第12实施方式]
图28是第12实施方式涉及的隔壁6的概略剖视图。在本实施方式涉及的隔壁6中，与图26所示的第11实施方式涉及的隔壁6同样地，第2部分62包含铝层622、钛层623及导电性氧化物层624。此外，在本实施方式中，第3部分63包含钛层631和导电性氧化物层632。第1部分61由钼形成。肋部5由例如硅氮化物或硅氧氮化物形成。
作为一例，第1部分61的厚度是20nm，导电性氧化物层624的厚度是50nm，钛层623的厚度是100nm，铝层622的厚度是500nm，钛层631的厚度是100nm，导电性氧化物层632的厚度是50nm。
图29A至图29E是示出形成本实施方式涉及的隔壁6的工序的一例的图。首先，如图29A所示，在肋部5之上依次形成成为第1部分61的基础的第1层61s、成为第2部分62的基础的第2层62s、成为第3部分63的基础的第3层63s及抗蚀剂R1。第2层62s包含铝层622s、钛层623s及导电性氧化物层624s。第3层63s包含钛层631s及导电性氧化物层632s。
接下来，实施以抗蚀剂R1为掩模的湿式蚀刻，如图29B所示，导电性氧化物层632s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图28所示形状的导电性氧化物层632。
此外，以抗蚀剂R1为掩模，实施使用例如氯系蚀刻气体的各向异性的干式蚀刻，如图29C所示，钛层631s中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成图28所示形状的包含钛层631及导电性氧化物层632的第3部分63。在该干式蚀刻中，铝层622s及钛层623s中的从抗蚀剂R1露出的部分也被除去。导电性氧化物层624s作为该干式蚀刻的蚀刻阻止层发挥功能。
接下来，实施各向同性的湿式蚀刻，如图29D所示，导电性氧化物层624s中的从钛层623露出的部分被除去。由此，形成图28所示形状的导电性氧化物层624。
之后，再次实施湿式蚀刻。该湿式蚀刻使用可侵蚀由钼形成的第1层61s及铝层622s且难以侵蚀钛层623、631及导电性氧化物层624、632的蚀刻液。由此，如图29E所示，铝层622s的宽度减小，形成图28所示形状的包含铝层622、钛层623及导电性氧化物层624的第2部分62。此外，第1层61s中的从导电性氧化物层624露出的部分被除去，并且，在导电性氧化物层624的下方，第1层61s的宽度减小，形成图28所示形状的第1部分61和第1悬臂构造OH1。之后，通过将抗蚀剂R1除去，从而隔壁6完成。
除了在第1至第12实施方式中公开的内容以外，还能够通过多种方法在隔壁6上形成第1悬臂构造OH1及第2悬臂构造OH2。
只要包含本发明要旨，本领域技术人员基于以上作为本发明的实施方式说明的显示装置及其制造方法能够适当设计变更并实施的全部显示装置及其制造方法也属于本发明的范围。
应知本领域技术人员在本发明的思想范畴内能够想到的各种变形例及其变形例也属于本发明的范围。例如，只要具备本发明的要旨，本领域技术人员针对上述各实施方式适当进行构成要素的追加、删除、或设计变更得到的技术方案或进行工序增加、省略或条件变更得到的技术方案也包含在本发明的范围内。
另外，就上述各实施方式中说明的方式所带来的其他作用效果而言，根据本说明书的记载所能明确的或本领域技术人员能够适当想到的作用效果当然应视为本发明带来的作用效果。

Claims (16)

1.显示装置，其具备：
下电极；
肋部，其具有与所述下电极重叠的像素开口；
隔壁，其配置在所述肋部之上；
上电极，其与所述下电极相对；和
有机层，其位于所述下电极与所述上电极之间，对应于所述下电极与所述上电极的电位差而发光，
所述隔壁具有：
导电性的第1部分；
所述上电极所接触的导电性的第2部分，其配置在所述第1部分之上；和
第3部分，其配置在所述第2部分之上，
所述第2部分的下端与所述第1部分相比向所述隔壁的宽度方向突出，
所述第3部分与所述第2部分的上端相比向所述宽度方向突出。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述隔壁包围所述像素开口。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层由包含覆盖所述下电极的空穴注入层的多个层构成，
所述空穴注入层与所述第2部分分离。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第1部分比所述空穴注入层厚。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第1部分比所述第2部分薄。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第2部分的所述下端从所述第1部分突出的长度为所述第1部分的厚度的2倍以上。
7.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第2部分的所述下端与所述肋部之间的间隙由所述多个层中的配置在所述空穴注入层之上的层封堵。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述多个层包含分别配置在所述空穴注入层之上的空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第1部分由钼形成，
所述第2部分由铝形成，
所述第3部分由钛形成。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第1部分由钼形成，
所述第2部分由铝形成，
所述第3部分包含钛层和配置在所述钛层之上的导电性氧化物层。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第1部分由铝形成，
所述第2部分包含钛层和配置在所述钛层之上的铝层，
所述第3部分由钛形成。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第1部分由导电性氧化物形成，
所述第2部分包含钛层和配置在所述钛层之上的铝层，
所述第3部分由钛形成。
13.显示装置的制造方法，其包括：
形成下电极；
形成覆盖所述下电极的至少一部分的肋部；
在所述肋部之上形成隔壁，该隔壁具有导电性的第1部分、配置在所述第1部分之上的导电性的第2部分、和配置在所述第2部分之上的第3部分，所述第2部分的下端与所述第1部分相比向宽度方向突出，所述第3部分与所述第2部分的上端相比向所述宽度方向突出；
形成通过设置于所述肋部的像素开口而覆盖所述下电极的有机层；和
形成覆盖所述有机层并与所述第2部分接触的上电极。
14.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，所述有机层通过将包含空穴注入层的多个层进行层叠来形成，
所述空穴注入层与所述第2部分分离。
15.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，其进一步包括：由所述多个层中的在所述空穴注入层之后形成的层封堵所述第2部分的所述下端与所述肋部之间的间隙。
16.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，所述隔壁的形成包括：
形成成为所述第1部分的基础的第1层；
在所述第1层之上形成成为所述第2部分的基础的第2层；
在所述第2层之上形成成为所述第3部分的基础的第3层；
在所述第3层之上配置抗蚀剂；和
通过蚀刻将所述第1层、所述第2层及所述第3层中的从所述抗蚀剂露出的部分除去，并通过减小所述第1层及所述第2层的宽度来形成所述第1部分、所述第2部分及所述第3部分。
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