CN117241614A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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CN117241614A CN202310702681.5A CN202310702681A CN117241614A CN 117241614 A CN117241614 A CN 117241614A CN 202310702681 A CN202310702681 A CN 202310702681A CN 117241614 A CN117241614 A CN 117241614A
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今井信雄
山本裕也
小川浩
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Abstract

本发明涉及显示装置及其制造方法。一个实施方式涉及的显示装置具备：下电极；肋部，其具有与所述下电极重叠的像素开口；隔壁，其具有配置在所述肋部之上的下部和从所述下部的侧面突出的上部；上电极，其与所述下电极相对；有机层，其位于所述下电极与所述上电极之间，通过所述像素开口而与所述下电极接触，并且对应于所述下电极与所述上电极的电位差而发光；和密封层，其连续覆盖显示元件和所述隔壁，其中，所述显示元件包含所述下电极、所述上电极及所述有机层。所述肋部包含第1肋部层、和覆盖所述第1肋部层的第2肋部层。所述密封层及所述第1肋部层由第1无机材料形成。所述第2肋部层由与所述第1无机材料不同的第2无机材料形成。

Description

显示装置及其制造方法
关联申请的交叉参照
本申请基于2022年6月15日提出的日本专利申请第2022-096622号主张优先权，并引用该日本专利申请所记载的全部记载内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置及其制造方法。
背景技术
近年来，作为显示元件应用了有机发光二极管(OLED)的显示装置被实用化。该显示元件具备下电极、覆盖下电极的有机层、和覆盖有机层的上电极。
在制造上述显示装置时，需要提高可靠性的技术。
发明内容
总体而言，根据实施方式，显示装置包括：下电极；肋部，其具有与所述下电极重叠的像素开口；隔壁，其具有配置在所述肋部之上的下部和从所述下部的侧面突出的上部；上电极，其与所述下电极相对；有机层，其位于所述下电极与所述上电极之间，通过所述像素开口而与所述下电极接触，并且对应于所述下电极与所述上电极的电位差而发光；和密封层，其连续覆盖显示元件和所述隔壁，其中，所述显示元件包含所述下电极、所述上电极及所述有机层。所述肋部包含第1肋部层、和覆盖所述第1肋部层的第2肋部层。所述密封层及所述第1肋部层由第1无机材料形成。所述第2肋部层由与所述第1无机材料不同的第2无机材料形成。
另外，根据实施方式，显示装置的制造方法包括：形成下电极；由第1无机材料形成覆盖所述下电极的第1肋部层；由与所述第1无机材料不同的第2无机材料形成覆盖所述第1肋部层的第2肋部层；使所述第1肋部层及所述第2肋部层图案化，以形成具有与所述下电极重叠的像素开口的肋部；形成具有配置在所述肋部之上的下部和从所述下部的侧面突出的上部的隔壁；形成通过所述像素开口而与所述下电极接触的有机层；形成覆盖所述有机层的上电极；和由所述第1无机材料形成覆盖显示元件的密封层，其中，所述显示元件包含所述下电极、所述上电极及所述有机层。
根据实施方式，能提高显示装置的可靠性。
附图说明
图1是示出一个实施方式的显示装置的构成例的图。
图2是示出子像素的布局的一例的图。
图3是沿着图2中的III-III线的显示装置的概略剖视图。
图4是示出位于第1子像素与第2子像素之间的隔壁及其附近的构造的概略剖视图。
图5是示出上述实施方式的显示装置的制造方法的一例的流程图。
图6是示出上述实施方式的显示装置的制造工序的一部分的概略剖视图。
图7是示出接着图6的制造工序的概略剖视图。
图8是示出接着图7的制造工序的概略剖视图。
图9是示出接着图8的制造工序的概略剖视图。
图10是示出接着图9的制造工序的概略剖视图。
图11是示出接着图10的制造工序的概略剖视图。
图12是示出接着图11的制造工序的概略剖视图。
图13是示出接着图12的制造工序的概略剖视图。
图14是示出接着图13的制造工序的概略剖视图。
图15是示出接着图14的制造工序的概略剖视图。
图16是示出接着图15的制造工序的概略剖视图。
图17是示出接着图16的制造工序的概略剖视图。
图18是示出接着图17的制造工序的概略剖视图。
图19是示出接着图18的制造工序的概略剖视图。
图20是示出接着图19的制造工序的概略剖视图。
具体实施方式
参照附图说明一个实施方式。
公开内容只不过是一例，本领域技术人员能够容易想到的未脱离发明主旨的适当变更当然包含在本发明范围内。另外，就附图而言，为了使说明更加明确，与实际方式相比，有时示意性表示各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一例，并非限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对于与关于已出现的附图说明过的构成要素发挥相同或类似功能的构成要素，存在标注同一附图标记并适当省略重复的详细说明的情况。
需要说明的是，为了便于理解而根据需要在附图中记载有相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向X，将沿着Y轴的方向称为第2方向Y，将沿着Z轴的方向称为第3方向Z。将与第3方向Z平行地观察各种要素的情形称为俯视。
本实施方式的显示装置是作为显示元件具备有机发光二极管(OLED)的有机电致发光显示装置，能够搭载于电视、个人电脑、车载设备、平板终端(tablet terminal)、智能手机、移动电话终端等。
图1是示出本实施方式的显示装置DSP的构成例的图。显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA和显示区域DA周边的周边区域SA。基板10可以是玻璃，也可以是具有挠性的树脂膜。
在本实施方式中，俯视下的基板10的形状为长方形。但是，基板10的俯视下的形状不限于长方形，也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。
显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上以矩阵状排列的多个像素PX。像素PX包含多个子像素SP。在一例中，像素PX包含蓝色的第1子像素SP1、绿色的第2子像素SP2及红色的第3子像素SP3。需要说明的是，像素PX也可以与子像素SP1、SP2、SP3一起或取代子像素SP1、SP2、SP3中的任一者而包含白色等其他颜色的子像素SP。
子像素SP具备像素电路1和由像素电路1驱动的显示元件DE。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3是例如由薄膜晶体管构成的开关元件。
像素开关2的栅电极与扫描线GL连接。像素开关2的源电极及漏电极中的一者与信号线SL连接，另一者与驱动晶体管3的栅电极及电容器4连接。在驱动晶体管3中，源电极及漏电极中的一者与电源线PL及电容器4连接，另一者与显示元件DE连接。显示元件DE为作为发光元件的有机发光二极管(OLED)。
需要说明的是，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。
图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。在图2的例子中，第1子像素SP1与第3子像素SP3在第1方向X上排列。第1子像素SP1与第2子像素SP2也在第1方向X上排列。此外，第2子像素SP2与第3子像素SP3在第2方向Y上排列。
在子像素SP1、SP2、SP3为这种布局的情况下，在显示区域DA中形成有子像素SP2、SP3在第2方向Y上交替配置的列和多个第1子像素SP1在第2方向Y上重复配置的列。这些列在第1方向X上交替排列。
需要说明的是，子像素SP1、SP2、SP3的布局不限于图2的例子。作为另一例，各像素PX中的子像素SP1、SP2、SP3也可以在第1方向X上依次排列。
在显示区域DA中配置有肋部5及隔壁6。肋部5在第1子像素SP1中具有第1像素开口AP1，在第2子像素SP2中具有第2像素开口AP2，在第3子像素SP3中具有第3像素开口AP3。
在图2的例子中，第1像素开口AP1的面积大于第2像素开口AP2的面积。第1像素开口AP1的面积大于第3像素开口AP3的面积。此外，第3像素开口AP3的面积小于第2像素开口AP2的面积。
隔壁6配置在相邻的子像素SP的边界上，俯视下与肋部5重叠。隔壁6具有在第1方向X上延伸的多个第1隔壁6x和在第2方向Y上延伸的多个第2隔壁6y。多个第1隔壁6x分别配置于在第2方向Y上相邻的像素开口AP2、AP3之间、及在第2方向Y上相邻的两个第1像素开口AP1之间。第2隔壁6y分别配置于在第1方向X上相邻的像素开口AP1、AP2之间、及在第1方向X上相邻的像素开口AP1、AP3之间。
在图2的例子中，第1隔壁6x与第2隔壁6y相互连接。由此，隔壁6作为整体为包围像素开口AP1、AP2、AP3的格子状。隔壁6也可以与肋部5同样地在子像素SP1、SP2、SP3中具有开口。
第1子像素SP1具备分别与第1像素开口AP1重叠的第1下电极LE1、第1上电极UE1及第1有机层OR1。第2子像素SP2具备分别与第2像素开口AP2重叠的第2下电极LE2、第2上电极UE2及第2有机层OR2。第3子像素SP3具备分别与第3像素开口AP3重叠的第3下电极LE3、第3上电极UE3及第3有机层OR3。
第1下电极LE1、第1上电极UE1及第1有机层OR1构成第1子像素SP1的第1显示元件DE1。第2下电极LE2、第2上电极UE2及第2有机层OR2构成第2子像素SP2的第2显示元件DE2。第3下电极LE3、第3上电极UE3及第3有机层OR3构成第3子像素SP3的第3显示元件DE3。显示元件DE1、DE2、DE3也可以包含后述的盖层(光学调整层)。
第1下电极LE1通过第1接触孔CH1而与第1子像素SP1的像素电路1(参见图1)连接。第2下电极LE2通过第2接触孔CH2而与第2子像素SP2的像素电路1连接。第3下电极LE3通过第3接触孔CH3而与第3子像素SP3的像素电路1连接。
在图2的例子中，接触孔CH2、CH3与在第2方向Y上相邻的像素开口AP2、AP3之间的第1隔壁6x整体重叠。另外，第1接触孔CH1与在第2方向Y上相邻的两个第1像素开口AP1之间的第1隔壁6x整体重叠。作为另一例，接触孔CH1、CH2、CH3的至少一部分也可以与第1隔壁6x不重叠。
图3是沿着图2中的III-III线的显示装置DSP的概略剖视图。在上述基板10之上配置有电路层11。电路层11包含图1所示的像素电路1、扫描线GL、信号线SL及电源线PL等各种电路、布线。
电路层11由有机绝缘层12覆盖。有机绝缘层12作为使由电路层11产生的凹凸平坦化的平坦化膜发挥功能。图3的剖面中未示出，但上述接触孔CH1、CH2、CH3均设置于有机绝缘层12。
下电极LE1、LE2、LE3配置在有机绝缘层12之上。肋部5配置在有机绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3之上。下电极LE1、LE2、LE3的端部由肋部5覆盖。
隔壁6包含配置在肋部5之上的具有导电性的下部61和配置在下部61之上的上部62。上部62具有比下部61大的宽度。由此，在图3中，上部62的两端部比下部61的侧面突出。这样的隔壁6的形状也可以称为悬臂状。
第1有机层OR1通过第1像素开口AP1而覆盖第1下电极LE1。第1上电极UE1覆盖第1有机层OR1，并与第1下电极LE1相对。第2有机层OR2通过第2像素开口AP2而覆盖第2下电极LE2。第2上电极UE2覆盖第2有机层OR2，并与第2下电极LE2相对。第3有机层OR3通过第3像素开口AP3覆盖第3下电极LE3。第3上电极UE3覆盖第3有机层OR3，并与第3下电极LE3相对。
在图3的例子中，在第1上电极UE1之上配置有第1盖层CP1，在第2上电极UE2之上配置有第2盖层CP2，在第3上电极UE3之上配置有第3盖层CP3。盖层CP1、CP2、CP3分别对有机层OR1、OR2、OR3发出的光的光学特性进行调整。
第1子像素SP1中配置有第1密封层SE1，第2子像素SP2中配置有第2密封层SE2，第3子像素SP3中配置有第3密封层SE3。第1密封层SE1连续覆盖第1盖层CP1、第1子像素SP1周围的隔壁6。第2密封层SE2连续覆盖第2盖层CP2、第2子像素SP2周围的隔壁6。第3密封层SE3连续覆盖第3盖层CP3、第3子像素SP3周围的隔壁6。
密封层SE1、SE2、SE3的端部(周缘部)位于上部62之上。在图3的例子中，位于子像素SP1、SP2间的隔壁6的上部62之上的密封层SE1、SE2的端部彼此分离，位于子像素SP1、SP3间的隔壁6的上部62之上的密封层SE1、SE3的端部彼此分离。
密封层SE1、SE2、SE3由树脂层13覆盖。树脂层13由密封层14覆盖。此外，密封层14由树脂层15覆盖。
有机绝缘层12及树脂层13、15由有机材料形成。密封层14由例如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)或硅氧氮化物(SiON)等无机材料形成。下电极LE1、LE2、LE3具有由例如银(Ag)形成的中间层、和分别覆盖该中间层的上表面及下表面的一对导电性氧化物层。各导电性氧化物层能够由例如ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物)或IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)等透明的导电性氧化物形成。
上电极UE1、UE2、UE3由例如镁与银的合金(MgAg)等金属材料形成。例如，下电极LE1、LE2、LE3相当于阳极，上电极UE1、UE2、UE3相当于阴极。
有机层OR1、OR2、OR3例如具有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层的层叠构造。
盖层CP1、CP2、CP3例如由透明的多个薄膜的多层体形成。多层体也可以包含由无机材料形成的薄膜及由有机材料形成的薄膜作为多个薄膜。另外，这些多个薄膜具有相互不同的折射率。构成多层体的薄膜的材料与上电极UE1、UE2、UE3的材料不同，另外，与密封层SE1、SE2、SE3的材料也不同。需要说明的是，也可以省略盖层CP1、CP2、CP3。
向隔壁6供给公共电压。该公共电压被分别供给至与下部61的侧面接触的上电极UE1、UE2、UE3。下电极LE1、LE2、LE3通过子像素SP1、SP2、SP3各自具有的像素电路1而被供给像素电压。
当在第1下电极LE1与第1上电极UE1之间形成电位差时，第1有机层OR1的发光层发出蓝色波长区域的光。当在第2下电极LE2与第2上电极UE2之间形成电位差时，第2有机层OR2的发光层发出绿色波长区域的光。当在第3下电极LE3与第3上电极UE3之间形成电位差时，第3有机层OR3的发光层发出红色波长区域的光。
图4是示出位于第1子像素SP1与第2子像素SP2之间的隔壁6及其附近的构造的概略剖视图。第1子像素SP1与第3子像素SP3之间的隔壁6及其附近的构造、第2子像素SP2与第3子像素SP3之间的隔壁6及其附近的构造与图4的例子相同。
肋部5包含第1肋部层51及第2肋部层52。第1肋部层51覆盖下电极LE1、LE2的端部。第2肋部层52覆盖第1肋部层51。
规定像素开口AP1、AP2、AP3的肋部5的端部形成为厚度逐渐减小的锥状。在该端部中，第1肋部层51比第2肋部层52突出。
隔壁6的下部61包含第1金属层611及第2金属层612。第1金属层611配置在第2肋部层52之上。第2金属层612形成得比第1金属层611厚，配置在第1金属层611之上。
隔壁6的上部62包含第1薄膜621及第2薄膜622。第1薄膜621配置在第2金属层612之上。第2薄膜622覆盖第1薄膜621。
第1肋部层51及密封层SE1、SE2、SE3由第1无机材料形成。第2肋部层52由与第1无机材料不同的第2无机材料形成。
在本实施方式中，设想第1无机材料为硅氮化物的情况。在该情况下，作为第2无机材料，能够使用硅氧化物或硅氧氮化物。
第1金属层611由例如钼(Mo)形成。第2金属层612由例如铝(Al)形成。第2金属层612既可以由铝-钕(AlNd)等铝合金形成，也可以具有铝层和铝合金层的层叠构造。下部61也可以不包含第1金属层611。
第1薄膜621由例如钛(Ti)等金属材料形成。第2薄膜622由例如ITO等导电性氧化物形成。上部62也可以不包含第2薄膜622。
在此，将包含下部61及上部62的隔壁6的高度定义为H，将包含第1肋部层51及第2肋部层52的肋部5的厚度定义为T0，将第1肋部层51的厚度定义为T1，将第2肋部层52的厚度定义为T2，将下电极LE1、LE2、LE3的厚度定义为T3。例如，厚度T0、T1、T2分别为肋部5、第1肋部层51及第2肋部层52中的位于下电极LE1、LE2、LE3上方的部分的厚度。
在本实施方式中，厚度T0小于高度H(T0＜H)。另外，厚度T0为厚度T3的1.5倍以上且5倍以下(1.5×T3≤T0≤5×T3)。作为一例，厚度T0为200nm以上且600nm以下(200nm≤T0≤600nm)。
此外，在本实施方式中，厚度T2小于厚度T1(T2＜T1)。例如，厚度T2为厚度T1的1/2以下，举出具体例为50nm以上且100nm以下(50nm≤T2≤100nm)。
接下来，对显示装置DSP的制造方法进行说明。
图5是示出显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。图6至图20是分别示出显示装置DSP的制造工序的一部分的概略剖视图。在图6至图20中，省略基板10及电路层11。
在显示装置DSP的制造中，首先在基板10之上形成电路层11及有机绝缘层12(工序P1)。
在工序P1后，如图6所示，在有机绝缘层12之上形成下电极LE1、LE2、LE3(工序P2)。
在工序P2后，如图7所示，由第1无机材料形成覆盖下电极LE1、LE2、LE3的第1肋部层51a(工序P3)。此外，如图8所示，由第2无机材料形成覆盖第1肋部层51a的第2肋部层52a(工序P4)。
在工序P4后，第1肋部层51a及第2肋部层52a被图案化(工序P5)。具体来说，如图9所示，在第2肋部层52a之上配置抗蚀剂R1。抗蚀剂R1具有与图2所示的肋部5相同的平面形状。
在形成抗蚀剂R1后，如图10所示，通过以抗蚀剂R1为掩模的干式蚀刻，从而第1肋部层51a及第2肋部层52a中的从抗蚀剂R1露出的部分被除去。由此，形成像素开口AP1、AP2、AP3，得到包含第1肋部层51及第2肋部层52的肋部5。
在工序P5后，抗蚀剂R1被除去，在肋部5之上形成隔壁6(工序P6)。在工序P6中，如图11所示，依次形成覆盖肋部5的第1金属层611a、覆盖第1金属层611a的第2金属层612a、覆盖第2金属层612a的第1薄膜621a、覆盖第1薄膜621a的第2薄膜622a。此外，在第2薄膜622a之上配置抗蚀剂R2。抗蚀剂R2具有与图2所示的隔壁6相同的平面形状。
接下来，通过以抗蚀剂R2为掩模的湿式蚀刻，从而如图12所示，第2薄膜622a中的从抗蚀剂R2露出的部分被除去。此外，通过以抗蚀剂R2为掩模的各向异性的干式蚀刻，从而如图12所示，第1薄膜621a中的从抗蚀剂R2露出的部分被除去。由此，形成包含第1薄膜621及第2薄膜622的上部62。在上述各向异性的干式蚀刻中，第2金属层612a中的从抗蚀剂R2露出的部分的厚度也减小。
然后，实施各向同性的湿式蚀刻。由此，如图13所示，第2金属层612a中的厚度减小的部分及其下的第1金属层611a被除去。由此，形成包含第1金属层611及第2金属层612的下部61。在该各向同性的湿式蚀刻中，第1金属层611及第2金属层612的侧面也被侵蚀。因此，下部61的宽度与上部62的宽度相比减少，得到悬臂状的隔壁6。在按照这种方式形成隔壁6后，抗蚀剂R2被除去。
需要说明的是，此处例示在工序P5中在肋部5中形成像素开口AP1、AP2、AP3后形成隔壁6的情况。作为另一例，也可以在形成隔壁6后形成像素开口AP1、AP2、AP3。
在工序P6后，如图14所示，通过蒸镀来依次形成通过第1像素开口AP1而与第1下电极LE1接触的第1有机层OR1、覆盖第1有机层OR1的第1上电极UE1、覆盖第1上电极UE1的第1盖层CP1，并且，通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)形成连续覆盖第1盖层CP1、隔壁6的第1密封层SE1(工序P7)。第1密封层SE1由上述第1无机材料形成。
这些第1有机层OR1、第1上电极UE1、第1盖层CP1及第1密封层SE1至少针对整个显示区域DA形成，不仅配置于第1子像素SP1，也配置于第2子像素SP2及第3子像素SP3。第1有机层OR1、第1上电极UE1及第1盖层CP1由悬臂状的隔壁6分开。
在工序P7后，第1有机层OR1、第1上电极UE1、第1盖层CP1及第1密封层SE1被图案化(工序P8)。具体来说，如图15所示，在第1密封层SE1之上配置抗蚀剂R3。抗蚀剂R3覆盖第1子像素SP1及其周围的隔壁6的一部分。
然后，通过以抗蚀剂R3为掩模的干式蚀刻，从而如图16所示，第1密封层SE1中的从抗蚀剂R3露出的部分被除去。具体来说，第1密封层SE1中的位于第1下电极LE1上方的部分残留。残留的第1密封层SE1的一部分位于包围第1子像素SP1的隔壁6之上。另一方面，在该干式蚀刻之前位于隔壁6之上的第1密封层SE1中的靠近子像素SP2、SP3的部分被除去。
例如，该干式蚀刻中使用包含氟的蚀刻气体。作为这种蚀刻气体的例子，可举出六氟化硫(SF6)、四氟甲烷(CF4)、六氟乙烷(C2F6)、三氟甲烷(CHF3)及三氟化氮(NF3)。第1盖层CP1、第1上电极UE1作为该干式蚀刻的蚀刻阻止部发挥功能。
接下来，通过以抗蚀剂R3为掩模的蚀刻，从而如图17所示，第1有机层OR1、第1上电极UE1及第1盖层CP1中的从抗蚀剂R3露出的部分被除去。例如，该蚀刻包含针对第1盖层CP1的湿式蚀刻或灰化、针对第1上电极UE1的湿式蚀刻、及针对第1有机层OR1的灰化。
然后，抗蚀剂R3被除去。由此，如图18所示，能够得到第1子像素SP1中形成第1显示元件DE1及第1密封层SE1、第2子像素SP2及第3子像素SP3中未形成显示元件、密封层的基板。
在工序P8后，通过蒸镀来依次形成通过第2像素开口AP2而与第2下电极LE2接触的第2有机层OR2、覆盖第2有机层OR2的第2上电极UE2、覆盖第2上电极UE2的第2盖层CP2，并且，通过CVD来形成连续覆盖第2盖层CP2、隔壁6的第2密封层SE2(工序P9)。
该第2有机层OR2、第2上电极UE2、第2盖层CP2及第2密封层SE2至少针对整个显示区域DA形成，不仅配置于第2子像素SP2，也配置于第1子像素SP1及第3子像素SP3。
在工序P9后，第2有机层OR2、第2上电极UE2、第2盖层CP2及第2密封层SE2被图案化(工序P10)。该图案化的流程与工序P8相同。若经过工序P10，则如图19所示，能够获得在第1子像素SP1中形成第1显示元件DE1及第1密封层SE1、在第2子像素SP2中形成第2显示元件DE2及第2密封层SE2、在第3子像素SP3中未形成显示元件、密封层的基板。
在工序P10后，通过蒸镀来依次形成通过第3像素开口AP3而与第3下电极LE3接触的第3有机层OR3、覆盖第3有机层OR3的第3上电极UE3、覆盖第3上电极UE3的第3盖层CP3，并且，通过CVD来形成连续覆盖第3盖层CP3、隔壁6的第3密封层SE3(工序P11)。
该第3有机层OR3、第3上电极UE3、第3盖层CP3及第3密封层SE3至少针对整个显示区域DA形成，不仅配置于第3子像素SP3，也配置于第1子像素SP1及第2子像素SP2。
在工序P11后，第3有机层OR3、第3上电极UE3、第3盖层CP3及第3密封层SE3被图案化(工序P12)。该图案化的流程与工序P8相同。若经过工序P12，则如图20所示，能够获得在第1子像素SP1中形成第1显示元件DE1及第1密封层SE1、在第2子像素SP2中形成第2显示元件DE2及第2密封层SE2、在第3子像素SP3中形成第3显示元件DE3及第3密封层SE3的基板。
在像这样形成显示元件DE1、DE2、DE3及密封层SE1、SE2、SE3后，依次形成图3所示的树脂层13、密封层14及树脂层15(工序P13)。由此，显示装置DSP完成。
在上述本实施方式中，肋部5具备由与密封层SE1、SE2、SE3相同的第1无机材料形成的第1肋部层51和由与第1无机材料不同的第2无机材料形成的第2肋部层52。假设在肋部5全部由第1无机材料形成的情况下，在图16所示的第1密封层SE1的干式蚀刻时，存在肋部5的一部分损伤的可能性。这样的损伤在例如下述情况下可能产生：子像素SP2、SP3中肋部5未由第1盖层CP1、第1上电极UE1充分覆盖的情况；第1盖层CP1、第1上电极UE1的一部分由于该蚀刻而被侵蚀，从而使得肋部5露出的情况。相同的问题在第2密封层SE2、第3密封层SE3的干式蚀刻时也可能产生。若肋部5损伤，则存在水分通过该部分浸入、显示装置DSP的可靠性降低的可能性。
对此，在像本实施方式这样作为肋部5的上层配置有由第2无机材料形成的第2肋部层52的情况下，能够提高肋部5相对于由第1无机材料形成的密封层SE1、SE2、SE3的干式蚀刻而言的耐性。由此，可抑制肋部5损伤，显示装置DSP的可靠性提高。
与硅氮化物相比，硅氧化物、硅氧氮化物的被覆性差。因此，若使用硅氧化物、硅氧氮化物作为第1无机材料，则有在由第1肋部层51覆盖的下电极LE1、LE2、LE3的端部附近、在由密封层SE1、SE2、SE3覆盖的隔壁6附近产生孔洞的可能性。
对此，与硅氧化物、硅氧氮化物相比，硅氮化物的被覆性优异。因此，在作为第1无机材料使用硅氮化物的情况下，下电极LE1、LE2、LE3的端部由第1肋部层51良好地覆盖。另外，显示元件DE1、DE2、DE3及隔壁6由密封层SE1、SE2、SE3良好地覆盖。由此，能够提高显示装置DSP的耐湿性。此外，在作为第1无机材料使用硅氮化物的情况下，若作为第2无机材料使用硅氧化物、硅氧氮化物，则在针对密封层SE1、SE2、SE3的干式蚀刻中，能够获得密封层SE1、SE2、SE3与第2肋部层52的良好的蚀刻选择比。
需要说明的是，为了良好地被覆下电极LE1、LE2、LE3的端部，优选由硅氮化物形成的第1肋部层51形成得厚。另一方面，由硅氧化物、硅氧氮化物形成的第2肋部层52的蚀刻速率与第1肋部层51相比慢，因此，若形成得厚，则图10所示的图案化所需的时间增加。因而，如使用图4所说明的，优选第2肋部层52的厚度T2小于第1肋部层51的厚度T1。由此，能够兼顾肋部5相对于密封层SE1、SE2、SE3的干式蚀刻而言的耐性提高、和肋部5的图案化时间缩短。
在肋部5整体过厚的情况下，肋部5的图案化时间也增加。因此，如使用图4所说明的，优选肋部5的厚度T0小于隔壁6的高度H。若将厚度T0设为下电极LE1、LE2、LE3的厚度T3的1.5倍以上且5倍以下，则从肋部5的图案化时间和肋部5对下电极LE1、LE2、LE3的被覆性这两个观点考虑是有利的。
除了此处例示的内容以外，能够从本实施方式获得多种优选的效果。
只要包含本发明的要旨，本领域技术人员基于以上作为本发明的实施方式说明的显示装置及其制造方法能够适当设计变更并实施的全部显示装置及其制造方法也属于本发明的范围。
应知本领域技术人员在本发明的思想范畴中能够想到的各种变形例及其变形例也属于本发明的范围。例如，只要具备本发明的要旨，本领域技术人员针对上述实施方式适当进行构成要素的追加、删除、或设计变更得到的技术方案、或进行工序增加、省略或条件变更得到的技术方案也包含在本发明的范围内。
另外，就上述实施方式中说明的方式所带来的其他作用效果而言，根据本说明书的记载所能明确的或本领域技术人员中能够适当想到的作用效果当然应视为本发明所带来的作用效果。

Claims (20)

1.显示装置，其具备：
下电极；
肋部，其具有与所述下电极重叠的像素开口；
隔壁，其具有配置在所述肋部之上的下部和从所述下部的侧面突出的上部；
上电极，其与所述下电极相对；
有机层，其位于所述下电极与所述上电极之间，通过所述像素开口而与所述下电极接触，并且对应于所述下电极与所述上电极的电位差而发光；和
密封层，其连续覆盖显示元件和所述隔壁，其中，所述显示元件包含所述下电极、所述上电极及所述有机层，
所述肋部包含第1肋部层、和覆盖所述第1肋部层的第2肋部层，
所述密封层及所述第1肋部层由第1无机材料形成，
所述第2肋部层由与所述第1无机材料不同的第2无机材料形成。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第1无机材料为硅氮化物。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第2无机材料为硅氧化物。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第2无机材料为硅氧氮化物。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述肋部的厚度小于所述隔壁的高度。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述肋部的厚度为所述下电极的厚度的1.5倍以上且5倍以下。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述肋部的厚度为200nm以上且600nm以下。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述第2肋部层的厚度为50nm以上且100nm以下。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示元件进一步具备覆盖所述上电极的盖层。
10.显示装置的制造方法，其包括：
形成下电极；
由第1无机材料形成覆盖所述下电极的第1肋部层；
由与所述第1无机材料不同的第2无机材料形成覆盖所述第1肋部层的第2肋部层；
使所述第1肋部层及所述第2肋部层图案化，以形成具有与所述下电极重叠的像素开口的肋部；
形成具有配置在所述肋部之上的下部和从所述下部的侧面突出的上部的隔壁；
形成通过所述像素开口而与所述下电极接触的有机层；
形成覆盖所述有机层的上电极；和
由所述第1无机材料形成覆盖显示元件的密封层，其中，所述显示元件包含所述下电极、所述上电极及所述有机层。
11.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第1无机材料为硅氮化物。
12.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第2无机材料为硅氧化物。
13.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第2无机材料为硅氧氮化物。
14.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法，其进一步包括：
在所述密封层之上形成抗蚀剂；和
通过以所述抗蚀剂为掩模的干式蚀刻将位于所述隔壁的上方的所述密封层的一部分除去。
15.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，其进一步包括：
通过以所述抗蚀剂为掩模的蚀刻将所述有机层的一部分及所述上电极的一部分除去。
16.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，
所述肋部的厚度小于所述隔壁的高度。
17.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，
所述肋部的厚度为所述下电极的厚度的1.5倍以上且5倍以下。
18.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，
所述肋部的厚度为200nm以上且600nm以下。
19.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第2肋部层的厚度为50nm以上且100nm以下。
20.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法，其进一步包括：
在形成所述密封层之前，形成覆盖所述上电极的盖层。
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